JP2587061B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2587061B2 JP2587061B2 JP18628987A JP18628987A JP2587061B2 JP 2587061 B2 JP2587061 B2 JP 2587061B2 JP 18628987 A JP18628987 A JP 18628987A JP 18628987 A JP18628987 A JP 18628987A JP 2587061 B2 JP2587061 B2 JP 2587061B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、基板の上に下部磁性層及びギャップ層を積
層し、ギャップ層の上にコイル導体層及びコイル導体層
を絶縁する複数の絶縁層を積層し、絶縁層積層体の上に
ギャップ層を介して下部磁性層と対向するように上部磁
性層を形成した薄膜磁気ヘッドに関し、中間絶縁層の少
なくとも１層は最下層絶縁層よりは大きいパターン形状
とし、最上層絶縁層は中間絶縁層よりも小さいパターン
形状とすることにより、上部磁性層の形成される絶縁層
積層体の斜面角度及び段差を小さくして、ステップカバ
リング及びパターン形成精度を向上させ、電磁変換特性
を向上させるようにしたものである。
層し、ギャップ層の上にコイル導体層及びコイル導体層
を絶縁する複数の絶縁層を積層し、絶縁層積層体の上に
ギャップ層を介して下部磁性層と対向するように上部磁
性層を形成した薄膜磁気ヘッドに関し、中間絶縁層の少
なくとも１層は最下層絶縁層よりは大きいパターン形状
とし、最上層絶縁層は中間絶縁層よりも小さいパターン
形状とすることにより、上部磁性層の形成される絶縁層
積層体の斜面角度及び段差を小さくして、ステップカバ
リング及びパターン形成精度を向上させ、電磁変換特性
を向上させるようにしたものである。
＜従来の技術＞ 薄膜磁気ヘッドの一般的な構造は、基板の上に下部磁
性層及びギャップ層を積層し、ギャップ層の上にコイル
導体層及びこのコイル導体層を絶縁する複数の絶縁層を
積層し、絶縁層の積層体の上にギャップ層を介して下部
磁性層と対向するように、上部磁性層を形成した構造と
なっている。従って、この種の薄膜磁気ヘッドでは、下
部磁性層とともに磁気ギャップを構成する上部磁性層
を、コイル導体層を絶縁する絶縁層の上に形成すること
となるので、絶縁層のパターン形状は、電磁変換特性に
密接に関連する。絶縁層を形成する場合、従来は、上層
に向う程、パターン形状が小さくなるように形成するの
が一般的であったが、各絶縁層毎に段差部が発生し、上
部磁性層の傾斜部分にもそれに応じた段差が発生し、磁
気特性が劣化する。この問題点を解決する従来技術とし
ては、例えば、特開昭61−255517号公報及び特開昭62−
42311号公報に記載された技術が公知である。
性層及びギャップ層を積層し、ギャップ層の上にコイル
導体層及びこのコイル導体層を絶縁する複数の絶縁層を
積層し、絶縁層の積層体の上にギャップ層を介して下部
磁性層と対向するように、上部磁性層を形成した構造と
なっている。従って、この種の薄膜磁気ヘッドでは、下
部磁性層とともに磁気ギャップを構成する上部磁性層
を、コイル導体層を絶縁する絶縁層の上に形成すること
となるので、絶縁層のパターン形状は、電磁変換特性に
密接に関連する。絶縁層を形成する場合、従来は、上層
に向う程、パターン形状が小さくなるように形成するの
が一般的であったが、各絶縁層毎に段差部が発生し、上
部磁性層の傾斜部分にもそれに応じた段差が発生し、磁
気特性が劣化する。この問題点を解決する従来技術とし
ては、例えば、特開昭61−255517号公報及び特開昭62−
42311号公報に記載された技術が公知である。
第５図はこれらの公報に開示された従来の薄膜磁気ヘ
ッドを示し、１はガラス、セラミック等からなる基板、
２はパーマロイ等でなる下部磁性膜、３はSiO2からなる
ギャプ層、41、42は銅等でなるコイル導体、51〜53はコ
イル導体41、42を絶縁する絶縁層、６はパーマロイ等で
なる上部磁性層、７はSiO2等でなる保護層である。絶縁
層51〜53はフォトレジスト等の有機絶縁樹脂で構成さ
れ、フォトリソグラフィによって積層して形成されてい
る。
ッドを示し、１はガラス、セラミック等からなる基板、
２はパーマロイ等でなる下部磁性膜、３はSiO2からなる
ギャプ層、41、42は銅等でなるコイル導体、51〜53はコ
イル導体41、42を絶縁する絶縁層、６はパーマロイ等で
なる上部磁性層、７はSiO2等でなる保護層である。絶縁
層51〜53はフォトレジスト等の有機絶縁樹脂で構成さ
れ、フォトリソグラフィによって積層して形成されてい
る。
上述の従来技術では、最上層絶縁層53を、最下層絶縁
層51のパターンの大きさと等しいか、或いは僅かに大き
なパターン形状としてあり、こうすることにより、絶縁
層51〜53の全体を滑らかで、かつ、緩やかな傾斜端面と
し、この上に形成される上部磁性層６の傾斜部分を滑ら
かな、緩やかな形状にし、上部磁性層４の磁気特性を向
上できると記載されている。
層51のパターンの大きさと等しいか、或いは僅かに大き
なパターン形状としてあり、こうすることにより、絶縁
層51〜53の全体を滑らかで、かつ、緩やかな傾斜端面と
し、この上に形成される上部磁性層６の傾斜部分を滑ら
かな、緩やかな形状にし、上部磁性層４の磁気特性を向
上できると記載されている。
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかしながら、上述した従来技術には、次のような問
題点があった。
題点があった。
（イ）第６図に拡大して示すように、上部磁性層６を積
層形成する最上層絶縁層53の傾斜面531の高さH1が高く
なり、傾斜角度がきつくなる。このため、上部磁性性６
及び保護層７をスパッタリング等によって形成する際の
ステップカバリングが悪くなり、磁気特性も悪くなる。
層形成する最上層絶縁層53の傾斜面531の高さH1が高く
なり、傾斜角度がきつくなる。このため、上部磁性性６
及び保護層７をスパッタリング等によって形成する際の
ステップカバリングが悪くなり、磁気特性も悪くなる。
（ロ）最上層絶縁層53を形成するに当り、第７図に示す
ように、フォトレジスト樹脂53を塗布し、その上にフォ
トマスク８を配置した場合、フォトレジスト樹脂53の塗
布厚みh1及びフォトレジスト樹脂53の表面からフォトマ
スク８までの間隔h2が大きくなるため、ギャップ．ディ
プスdgを定める点（イ）に対するフォトマスク８のマス
クパターンの位置ズレや、バラツキが大きくなる。この
ため、ギャップ．デプスdgを定める点（イ）の位置が変
動してしまい、最終的に得られるギャップ．デプスdgが
変動し、電磁変換特性の変動を生じてしまう。
ように、フォトレジスト樹脂53を塗布し、その上にフォ
トマスク８を配置した場合、フォトレジスト樹脂53の塗
布厚みh1及びフォトレジスト樹脂53の表面からフォトマ
スク８までの間隔h2が大きくなるため、ギャップ．ディ
プスdgを定める点（イ）に対するフォトマスク８のマス
クパターンの位置ズレや、バラツキが大きくなる。この
ため、ギャップ．デプスdgを定める点（イ）の位置が変
動してしまい、最終的に得られるギャップ．デプスdgが
変動し、電磁変換特性の変動を生じてしまう。
＜問題点を解決するための手段＞ 上述する従来の問題点を解決するため、本発明は、基
板の上に下部磁性層及びギャップ層を積層し、前記ギャ
ップ層の上にコイル導体層及びこのコイル導体層を絶縁
する複数の絶縁層を積層し、前記絶縁層積層体の上に前
記ギャップ層を介して前記下部磁性層と対向する上部磁
性層を形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、中間絶縁層の
少なくとも１層は、前記下部磁性層及び前記上部磁性層
が前記ギャップ層を介して対向する先端部分において、
最下層絶縁層を覆い、前記ギャップ層の表面に到達して
おり、最上層絶縁層は、端縁が、前記下部磁性層及び前
記上部磁性層が前記ギャップ層を介して対向する先端側
において、前記中間絶縁層の前記ギャップ層と接触する
端縁よりも後退していることを特徴とする。
板の上に下部磁性層及びギャップ層を積層し、前記ギャ
ップ層の上にコイル導体層及びこのコイル導体層を絶縁
する複数の絶縁層を積層し、前記絶縁層積層体の上に前
記ギャップ層を介して前記下部磁性層と対向する上部磁
性層を形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、中間絶縁層の
少なくとも１層は、前記下部磁性層及び前記上部磁性層
が前記ギャップ層を介して対向する先端部分において、
最下層絶縁層を覆い、前記ギャップ層の表面に到達して
おり、最上層絶縁層は、端縁が、前記下部磁性層及び前
記上部磁性層が前記ギャップ層を介して対向する先端側
において、前記中間絶縁層の前記ギャップ層と接触する
端縁よりも後退していることを特徴とする。
＜作用＞ 中間絶縁層の少なくとも１層は、下部磁性層及び上部
磁性層がギャップ層を介して対向する先端部分におい
て、最下層絶縁層を覆い、ギャップ層の表面に到達して
いることにより、中間絶縁層の傾斜角度が小さくなる。
この上に形成される最上層絶縁層は、端縁が、下部磁性
層及び上部磁性層が前記ギャップ層を介して対向する先
端側において、中間絶縁層のギャップ層と接触する端縁
よりも後退している。従って、絶縁層全体としての傾斜
角度が小さくなり、上部磁性層及び保護層のステップカ
バリングが向上し、電磁変換特性も向上する。
磁性層がギャップ層を介して対向する先端部分におい
て、最下層絶縁層を覆い、ギャップ層の表面に到達して
いることにより、中間絶縁層の傾斜角度が小さくなる。
この上に形成される最上層絶縁層は、端縁が、下部磁性
層及び上部磁性層が前記ギャップ層を介して対向する先
端側において、中間絶縁層のギャップ層と接触する端縁
よりも後退している。従って、絶縁層全体としての傾斜
角度が小さくなり、上部磁性層及び保護層のステップカ
バリングが向上し、電磁変換特性も向上する。
また、フォトリソグラフィによって絶縁層を形成する
場合、フォトマスク転写パターンの位置ずれ、バラツキ
が小さくなるから、ギャップ．デプス等に関する絶縁層
のパターン形成精度が向上し、電磁変換特性も向上す
る。
場合、フォトマスク転写パターンの位置ずれ、バラツキ
が小さくなるから、ギャップ．デプス等に関する絶縁層
のパターン形成精度が向上し、電磁変換特性も向上す
る。
＜実施例＞ 第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における
断面図である。図において、第５図と同一の参照符号は
同一性ある構成部分を示している。この実施例では、Al
2O3.TiC等でなる基板１の上に、Ni−Fe膜またはCo−Zr
−Nb膜等で構成された下部磁性層２、アルミナ膜等でな
るギャップ層３を積層し、ギャップ層３の上に、コイル
導体層41、42及びこのコイル導体層41、42を絶縁するノ
ボラック樹脂等のフォトレジスト樹脂でなる絶縁層51〜
53を積層し、この積層体51〜53の上にNi−Fe膜またはCo
−Zr−Nb膜等でなる上部磁性層６を積層してある。
断面図である。図において、第５図と同一の参照符号は
同一性ある構成部分を示している。この実施例では、Al
2O3.TiC等でなる基板１の上に、Ni−Fe膜またはCo−Zr
−Nb膜等で構成された下部磁性層２、アルミナ膜等でな
るギャップ層３を積層し、ギャップ層３の上に、コイル
導体層41、42及びこのコイル導体層41、42を絶縁するノ
ボラック樹脂等のフォトレジスト樹脂でなる絶縁層51〜
53を積層し、この積層体51〜53の上にNi−Fe膜またはCo
−Zr−Nb膜等でなる上部磁性層６を積層してある。
絶縁層51〜53のうち、中間絶縁層52は最下層絶縁層51
よりも大きいパターン形状とし、最上層絶縁層53は中間
絶縁層52よりも小さいパターン形状としてある。従っ
て、中間絶縁層52が最下層絶縁層51を覆いながらギャッ
プ層から立ち上り、上部磁性層６は中間絶縁層52の傾斜
面521に沿ってギャップ層３から立ち上がるように形成
される。また、最上層絶縁層53は、その端縁が、下部磁
性層２及び上部磁性層６がギャップ層３を介して対向す
る先端側において、中間絶縁層52のギャップ層３と接触
する端縁よりも後退する。
よりも大きいパターン形状とし、最上層絶縁層53は中間
絶縁層52よりも小さいパターン形状としてある。従っ
て、中間絶縁層52が最下層絶縁層51を覆いながらギャッ
プ層から立ち上り、上部磁性層６は中間絶縁層52の傾斜
面521に沿ってギャップ層３から立ち上がるように形成
される。また、最上層絶縁層53は、その端縁が、下部磁
性層２及び上部磁性層６がギャップ層３を介して対向す
る先端側において、中間絶縁層52のギャップ層３と接触
する端縁よりも後退する。
上記構成の薄膜磁気ヘッドでは、第２図に拡大して示
すように、中間絶縁層52は、ギャップ層３からの高さH2
が低く、傾斜面521の傾斜角度が小さくなる。従来は、
最上層絶縁層53を最下層の絶縁層51のパターンの大きさ
と等しいか、僅かに大きなパターン形状としていたの
で、第２図の点線で示す如く傾斜する傾斜面531とな
る。この傾斜面521と傾斜面531との比較から明らかなよ
うに、傾斜面521は、傾斜面531より高さH2が低くくなる
と共に、傾斜角度も小さくなる。このため、上部磁性層
６及び保護層７のステップカバリングが向上し、電磁変
換特性も向上する。
すように、中間絶縁層52は、ギャップ層３からの高さH2
が低く、傾斜面521の傾斜角度が小さくなる。従来は、
最上層絶縁層53を最下層の絶縁層51のパターンの大きさ
と等しいか、僅かに大きなパターン形状としていたの
で、第２図の点線で示す如く傾斜する傾斜面531とな
る。この傾斜面521と傾斜面531との比較から明らかなよ
うに、傾斜面521は、傾斜面531より高さH2が低くくなる
と共に、傾斜角度も小さくなる。このため、上部磁性層
６及び保護層７のステップカバリングが向上し、電磁変
換特性も向上する。
また、第３図に示すように、フォトリソグラフィによ
って中間絶縁層52を形成する場合、中間絶縁層となるフ
ォトレジスト樹脂52からフォトマスク８までの高さ（h1
＋h2）が低くなる。このため、フォトマスク転写パター
ンの位置ずれ、バラツキが小さくなり、ギャップ．デプ
スdg等に関する中間絶縁層52のパターン形成精度が向上
し、電磁変換特性が向上する。最上層絶縁層53を最下層
の絶縁層51のパターンの大きさと等しいか、僅かに大き
なパターン形状とした従来の場合のフォトマスク８の位
置を、第３図に一点鎖線として示してある。
って中間絶縁層52を形成する場合、中間絶縁層となるフ
ォトレジスト樹脂52からフォトマスク８までの高さ（h1
＋h2）が低くなる。このため、フォトマスク転写パター
ンの位置ずれ、バラツキが小さくなり、ギャップ．デプ
スdg等に関する中間絶縁層52のパターン形成精度が向上
し、電磁変換特性が向上する。最上層絶縁層53を最下層
の絶縁層51のパターンの大きさと等しいか、僅かに大き
なパターン形状とした従来の場合のフォトマスク８の位
置を、第３図に一点鎖線として示してある。
更に、段差部は、中間絶縁層52と最上層絶縁層53との
間で生じるだけであるから、段差部による磁性特性の劣
化も小さくて済む。
間で生じるだけであるから、段差部による磁性特性の劣
化も小さくて済む。
中間絶縁層52の上に形成される最上層絶縁層53は、端
縁が、下部磁性層２及び上部磁性層６がギャップ層３を
介して対向する先端側において、中間絶縁層52のギャッ
プ層３と接触する端縁よりも後退している。従って、絶
縁層全体としての傾斜角度が小さくなり、上部磁性層６
及び保護層７のステップカバリングが向上し、電磁変換
特性が向上する。
縁が、下部磁性層２及び上部磁性層６がギャップ層３を
介して対向する先端側において、中間絶縁層52のギャッ
プ層３と接触する端縁よりも後退している。従って、絶
縁層全体としての傾斜角度が小さくなり、上部磁性層６
及び保護層７のステップカバリングが向上し、電磁変換
特性が向上する。
第４図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例に
おける断面図である。この実施例では、中間絶縁層52は
最下層絶縁層51と略同じパターン形状とし、最上層絶縁
層53は中間絶縁層52よりも小さいパターン形状としてあ
る。この実施例の場合も、第１図に示した実施例と同様
の作用効果が得られる。
おける断面図である。この実施例では、中間絶縁層52は
最下層絶縁層51と略同じパターン形状とし、最上層絶縁
層53は中間絶縁層52よりも小さいパターン形状としてあ
る。この実施例の場合も、第１図に示した実施例と同様
の作用効果が得られる。
＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明は、中間絶縁層の少なくと
も１層は、下部磁性層及び上部磁性層がギャップ層を介
して対向する先端部分において、最下層絶縁層を覆い、
ギャップ層の表面に到達しており、最上層絶縁層は、端
縁が、部磁性層及び上部磁性層がギャップ層を介して対
向する先端側において、中間絶縁層のギャップ層と接触
する端縁よりも後退しているから、次のような効果が得
られる。
も１層は、下部磁性層及び上部磁性層がギャップ層を介
して対向する先端部分において、最下層絶縁層を覆い、
ギャップ層の表面に到達しており、最上層絶縁層は、端
縁が、部磁性層及び上部磁性層がギャップ層を介して対
向する先端側において、中間絶縁層のギャップ層と接触
する端縁よりも後退しているから、次のような効果が得
られる。
（ａ）フォトマスク転写パターンの位置ずれ、バラツキ
を抑えて、ギャップ．デプス等に関するパターン形成精
度を向上させ、電磁変換特性を向上させた薄膜磁気ヘッ
ドを提供できる。
を抑えて、ギャップ．デプス等に関するパターン形成精
度を向上させ、電磁変換特性を向上させた薄膜磁気ヘッ
ドを提供できる。
（ｂ）上部磁性層及び保護層のステップカバリングが良
好で、電磁変換特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
好で、電磁変換特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における断
面図、第２図は同じく要部の拡大断面図、第３図は中間
絶縁層の形成工程を示す図、第４図は本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの別の実施例における要部断面図、第５図は
従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面図、第６図は同じくそ
の要部拡大断面図、第７図は同じく最上層絶縁層の形成
工程を示す図である。 １……基板、２……下部磁性層 ３……ギャップ層 42、42……コイル導体層 51〜53……絶縁層
面図、第２図は同じく要部の拡大断面図、第３図は中間
絶縁層の形成工程を示す図、第４図は本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの別の実施例における要部断面図、第５図は
従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面図、第６図は同じくそ
の要部拡大断面図、第７図は同じく最上層絶縁層の形成
工程を示す図である。 １……基板、２……下部磁性層 ３……ギャップ層 42、42……コイル導体層 51〜53……絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松崎 幹男 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−253513（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−255517（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−42311（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板の上に下部磁性層及びギャップ層を積
層し、前記ギャップ層の上にコイル導体層及びこのコイ
ル導体層を絶縁する複数の絶縁層を積層し、前記絶縁層
積層体の上に前記ギャップ層を介して前記下部磁性層と
対向する上部磁性層を形成した薄膜磁気ヘッドにおい
て、 中間絶縁層の少なくとも１層は、前記下部磁性層及び前
記上部磁性層が前記ギャップ層を介して対向する先端部
分において、最下層絶縁層を覆い、前記ギャップ層の表
面に到達しており、 最上層絶縁層は、端縁が、前記下部磁性層及び前記上部
磁性層が前記ギャップ層を介して対向する先端側におい
て、前記中間絶縁層の前記ギャップ層と接触する端縁よ
りも後退していること を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18628987A JP2587061B2 (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18628987A JP2587061B2 (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6430013A JPS6430013A (en) | 1989-01-31 |
| JP2587061B2 true JP2587061B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=16185705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18628987A Expired - Lifetime JP2587061B2 (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2587061B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2539536B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-07-25 JP JP18628987A patent/JP2587061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6430013A (en) | 1989-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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