JP2581474B2 - Ｔａｂリードの接合方法 - Google Patents
Ｔａｂリードの接合方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の実装に用
いられるＴＡＢリード、即ちＴＡＢ（Tape Automated B
onding）用テープキャリアのインナーリードと、半導体
素子の電極とを接合するための、接合方法に関するもの
である。
いられるＴＡＢリード、即ちＴＡＢ（Tape Automated B
onding）用テープキャリアのインナーリードと、半導体
素子の電極とを接合するための、接合方法に関するもの
である。
【０００２】ＴＡＢ方式の半導体素子実装方法において
は、半導体素子を搭載するデバイスホールが設けられ
た、ポリイミド製等の長尺テープキャリア上に配線電極
を形成して、デバイスホールに搭載した半導体素子の電
極と、配線電極の内側の先端部（インナーリード）とを
熱圧着によって接続することによって、半導体素子を実
装する。
は、半導体素子を搭載するデバイスホールが設けられ
た、ポリイミド製等の長尺テープキャリア上に配線電極
を形成して、デバイスホールに搭載した半導体素子の電
極と、配線電極の内側の先端部（インナーリード）とを
熱圧着によって接続することによって、半導体素子を実
装する。
【０００３】このようなＴＡＢリードの接合方法におい
ては、熱圧着時、配線電極を通じる放熱によって、イン
ナーリードの温度が低下し、電極との接合強度にばらつ
きが生じないようにすることが必要である。
ては、熱圧着時、配線電極を通じる放熱によって、イン
ナーリードの温度が低下し、電極との接合強度にばらつ
きが生じないようにすることが必要である。
【０００４】
【従来の技術】図３乃至図４に従来例を示す。この内、
図３にはＴＡＢテープの概略構造を示す。この図３にお
けるＴＡＢテープは、図４に示すように、ポリイミド製
等の長尺のテープキャリア１０１上に、半導体素子を搭
載するデバイスホール１０６と、銅（Ｃｕ）配線電極を
保持するサポートリング１０４が形成されている。テー
プキャリア１０１の幅方向の両端には、テープ位置決め
用および搬送用にとして、等ピッチに規格化されたスプ
ロケットホール１０５が、プレス加工によって、予め形
成されている。サポートリング１０４に保持されたＣｕ
配線電極には、インナーリード１０２がデバイスホール
１０６の内側に突出して形成されているとともに、ＴＡ
Ｂテープを実装する基板との電気的接続のためのアウタ
ーリード１０７が外側に形成されている。すべてのＣｕ
配線電極には、無電解メッキによって、厚さ０．５〜１
μｍの錫（Ｓｎ）メッキが施されている。
図３にはＴＡＢテープの概略構造を示す。この図３にお
けるＴＡＢテープは、図４に示すように、ポリイミド製
等の長尺のテープキャリア１０１上に、半導体素子を搭
載するデバイスホール１０６と、銅（Ｃｕ）配線電極を
保持するサポートリング１０４が形成されている。テー
プキャリア１０１の幅方向の両端には、テープ位置決め
用および搬送用にとして、等ピッチに規格化されたスプ
ロケットホール１０５が、プレス加工によって、予め形
成されている。サポートリング１０４に保持されたＣｕ
配線電極には、インナーリード１０２がデバイスホール
１０６の内側に突出して形成されているとともに、ＴＡ
Ｂテープを実装する基板との電気的接続のためのアウタ
ーリード１０７が外側に形成されている。すべてのＣｕ
配線電極には、無電解メッキによって、厚さ０．５〜１
μｍの錫（Ｓｎ）メッキが施されている。
【０００５】図４は、従来のＴＡＢリードの接合方法を
示したものであって、ＴＡＢテープのインナーリード１
０２と、半導体素子１２１のアルミニューム（Ａｌ）電
極とを、逐次方式で接合する従来のシングルポイントボ
ンディング方式を示している。この図４に示すように、
半導体素子１２１のＡ１電極に、金（Ａｕ）メッキを施
した突起を設けて、Ａｕバンプ１０８を形成したのち、
このＡｕバンプ１０８を介して、インナーリード１０２
とＡｌ電極とを、ボンディングツール１３２によって、
超音波と熱を併用した方法で接合を行っていた。この
際、接合部には荷重１００ｇｆをかけるとともに、超音
波出力１５０ｍＷを印加し、半導体素子１２１は加熱ス
テージ（図示せず）によって３００℃程度に加熱するよ
うにしていた。
示したものであって、ＴＡＢテープのインナーリード１
０２と、半導体素子１２１のアルミニューム（Ａｌ）電
極とを、逐次方式で接合する従来のシングルポイントボ
ンディング方式を示している。この図４に示すように、
半導体素子１２１のＡ１電極に、金（Ａｕ）メッキを施
した突起を設けて、Ａｕバンプ１０８を形成したのち、
このＡｕバンプ１０８を介して、インナーリード１０２
とＡｌ電極とを、ボンディングツール１３２によって、
超音波と熱を併用した方法で接合を行っていた。この
際、接合部には荷重１００ｇｆをかけるとともに、超音
波出力１５０ｍＷを印加し、半導体素子１２１は加熱ス
テージ（図示せず）によって３００℃程度に加熱するよ
うにしていた。
【０００６】また、特開平３−２５２１４８号公報にお
いては、ＴＡＢ用テープキャリアのインナーリード先端
部のバンプを中空構造とし、中空構造バンプの内面に融
点が高い材料を埋め込むことによって、バンプのばらつ
きがあっても、バンプと半導体素子の電極部とを均一に
十分な接合強度で接合することが記載されている。
いては、ＴＡＢ用テープキャリアのインナーリード先端
部のバンプを中空構造とし、中空構造バンプの内面に融
点が高い材料を埋め込むことによって、バンプのばらつ
きがあっても、バンプと半導体素子の電極部とを均一に
十分な接合強度で接合することが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】超音波併用熱圧着によ
る、シングルポイントボンディング方法で、安定した接
合強度を得るためには、超音波振動によってインナーリ
ード１０２のＳｎメッキ表面に存在する自然酸化膜を十
分に破壊するとともに、加熱ステージによる熱エネルギ
ーによって、インナーリード１０２の表面のＳｎと、半
導体素子１２１のＡｕバンプ１０８との間で、十分な合
金層を形成することが条件となる。この場合、図４に示
すように、ボンディングツール１３２における、超音波
の振動方向１３３は、半導体素子１２１の第３辺Ｈ３，
第４辺Ｈ４に対しては、インナーリード１０２の長手方
向に対して平行であり、第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２に対し
ては、インナーリード１０２の長手方向に直交する方向
である。
る、シングルポイントボンディング方法で、安定した接
合強度を得るためには、超音波振動によってインナーリ
ード１０２のＳｎメッキ表面に存在する自然酸化膜を十
分に破壊するとともに、加熱ステージによる熱エネルギ
ーによって、インナーリード１０２の表面のＳｎと、半
導体素子１２１のＡｕバンプ１０８との間で、十分な合
金層を形成することが条件となる。この場合、図４に示
すように、ボンディングツール１３２における、超音波
の振動方向１３３は、半導体素子１２１の第３辺Ｈ３，
第４辺Ｈ４に対しては、インナーリード１０２の長手方
向に対して平行であり、第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２に対し
ては、インナーリード１０２の長手方向に直交する方向
である。
【０００８】第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２のように、超音波
振動１３３がインナーリード１０２の長手方向に対し
て、直交する方向に印加された場合には、超音波振動１
３３によってインナーリード１０２が動きやすく、接合
界面に超音波振動１３３を十分伝達することができない
ため、Ａ１酸化膜を破壊できない。このため、第１辺Ｈ
１，第２辺Ｈ２の接合強度は、第３辺Ｈ３，第４辺Ｈ４
の接合強度と比較して、低下するという問題があった。
さらに、接合強度のばらつきを低減するために、超音波
出力を大きくした場合には、インナーリードの位置ずれ
が増大して、隣接するインナーリードと接触する恐れが
あって、狭ピッチ化の障害になるという問題があった。
振動１３３がインナーリード１０２の長手方向に対し
て、直交する方向に印加された場合には、超音波振動１
３３によってインナーリード１０２が動きやすく、接合
界面に超音波振動１３３を十分伝達することができない
ため、Ａ１酸化膜を破壊できない。このため、第１辺Ｈ
１，第２辺Ｈ２の接合強度は、第３辺Ｈ３，第４辺Ｈ４
の接合強度と比較して、低下するという問題があった。
さらに、接合強度のばらつきを低減するために、超音波
出力を大きくした場合には、インナーリードの位置ずれ
が増大して、隣接するインナーリードと接触する恐れが
あって、狭ピッチ化の障害になるという問題があった。
【０００９】さらに、例えば第３辺，第２辺，第４辺，
第１辺の順に、順次接合を行った場合、接合を終了した
インナーリードを通じて、熱伝導によって半導体素子１
２１から熱が逃げるため、最終接合辺である第１辺Ｈ１
では、接合面での温度が低下して、各辺間の接合強度に
バラツキが発生するという問題があった。
第１辺の順に、順次接合を行った場合、接合を終了した
インナーリードを通じて、熱伝導によって半導体素子１
２１から熱が逃げるため、最終接合辺である第１辺Ｈ１
では、接合面での温度が低下して、各辺間の接合強度に
バラツキが発生するという問題があった。
【００１０】また、リードピッチが１００μｍ以下の場
合には、リード幅が５０μｍ以下になるが、リード幅が
細くなると、リード剛性が小さくなるために、ＴＡＢテ
ープ製作時に、リードの垂れ下がりやリードの曲がり等
が発生して、歩留り低下の原因になっていた。
合には、リード幅が５０μｍ以下になるが、リード幅が
細くなると、リード剛性が小さくなるために、ＴＡＢテ
ープ製作時に、リードの垂れ下がりやリードの曲がり等
が発生して、歩留り低下の原因になっていた。
【００１１】特開平３−２５２１４８号公報に記載され
た方法によった場合でも、これらの問題は未解決であっ
て、これに基づく各辺間の接合強度のばらつき等が生じ
ることを避けられない。
た方法によった場合でも、これらの問題は未解決であっ
て、これに基づく各辺間の接合強度のばらつき等が生じ
ることを避けられない。
【００１２】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、特に接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できるＴＡＢリ
ードの接合方法を提供すること、さらに従来の接合方法
に比べて低温接合が可能であって、熱ストレスの低減に
より、高信頼性接合を実現できるＴＡＢリードの接合方
法を提供することを目的としている。
を改善し、特に接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できるＴＡＢリ
ードの接合方法を提供すること、さらに従来の接合方法
に比べて低温接合が可能であって、熱ストレスの低減に
より、高信頼性接合を実現できるＴＡＢリードの接合方
法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような、課題を解決
するため、本発明においては、次のような各構成を備え
ている。これによって、前述した目的を達成しようとす
るものである。
するため、本発明においては、次のような各構成を備え
ている。これによって、前述した目的を達成しようとす
るものである。
【００１４】(1) ．本発明のＴＡＢリードの接合方法に
おいては、ＴＡＢテープのインナーリード２の先端を加
熱したクランパ２３で上部から抑えた状態で、このイン
ナーリードと半導体素子の電極２２とを逐次接合するＴ
ＡＢリードの接合方法において、クランパ２３を、外部
から光ビームで加熱する。
おいては、ＴＡＢテープのインナーリード２の先端を加
熱したクランパ２３で上部から抑えた状態で、このイン
ナーリードと半導体素子の電極２２とを逐次接合するＴ
ＡＢリードの接合方法において、クランパ２３を、外部
から光ビームで加熱する。
【００１５】
【００１６】(2) ．また、ＴＡＢテープのインナーリー
ド２の先端を加熱したクランパ２３ で上部から抑えた状
態で、このインナーリードと半導体素子の電極２２とを
逐次接合するＴＡＢリードの接合方法において、クラン
パ２３を、インナーリード２の温度が接合時においてほ
ぼ一定になるように温度制御する。
ド２の先端を加熱したクランパ２３ で上部から抑えた状
態で、このインナーリードと半導体素子の電極２２とを
逐次接合するＴＡＢリードの接合方法において、クラン
パ２３を、インナーリード２の温度が接合時においてほ
ぼ一定になるように温度制御する。
【００１７】(3) ．更に、上記(2) の場合に、クランパ
２３を、複数のインナーリード２とそれぞれ対応する半
導体素子の電極２２との接合開始時から接合終了時まで
に、徐々に温度が上昇されるように加熱する。
２３を、複数のインナーリード２とそれぞれ対応する半
導体素子の電極２２との接合開始時から接合終了時まで
に、徐々に温度が上昇されるように加熱する。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【作用】本発明のＴＡＢリードの接合方法によれば、接
合時に生じるインナーリードからの放熱は、ヒートクラ
ンパ２３に対して、温度レスポンス性の優れた光ビーム
によって、瞬時に低下分の熱を供給することによって、
補償することができ、温度低下を防止することが可能に
なった。
合時に生じるインナーリードからの放熱は、ヒートクラ
ンパ２３に対して、温度レスポンス性の優れた光ビーム
によって、瞬時に低下分の熱を供給することによって、
補償することができ、温度低下を防止することが可能に
なった。
【００２１】また、ヒートクランパ２３の温度制御は、
予め全インナーリード接合後の温度低下分を測定し、温
度低下分を接合開始時から徐々に供給するランプ制御を
行って、ヒートクランパ２３の加熱制御を行うことによ
って、温度制御性が向上した。その結果、安定した接合
温度を維持することができ、接合強度ばらつきの小さ
い、ＴＡＢ実装を実現することができるようになった。
予め全インナーリード接合後の温度低下分を測定し、温
度低下分を接合開始時から徐々に供給するランプ制御を
行って、ヒートクランパ２３の加熱制御を行うことによ
って、温度制御性が向上した。その結果、安定した接合
温度を維持することができ、接合強度ばらつきの小さ
い、ＴＡＢ実装を実現することができるようになった。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１および図２に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【００２３】図１は、本発明のＴＡＢリードの接合方法
を示す概略図である。図２は、本発明に用いたＴＡＢテ
ープを示す概略図である。
を示す概略図である。図２は、本発明に用いたＴＡＢテ
ープを示す概略図である。
【００２４】図１および図２において、符号１はテープ
キャリアを，符号５はスプロケットホールを示し、符号
２はインナーリードを，符号７はアウターリードを示
す。また、符号３はリード保持フィルムを示し、符号４
はサポートリングを示す。さらに、符号６はデバイスホ
ールを、符号８はＡｕバンプを、そして、符号２１は半
導体素子を示す。この半導体素子２１にはＡ１電極２２
が設けられ、このＡ１電極２２に対するインナーリード
２の溶着時に機能するヒートクランパ２３が設けられて
いる。また、符号２４は光ビーム照射装置を、符号２５
は加熱部を、符号２６は温度センサ、符号２７は温度測
定部をそれぞれ示す。更に、符号３１は超音波ホーン
を、符号３２はボンディングツールを示す。符号３３は
超音波振動方向を示し、符号３４は加熱ステージであ
る。
キャリアを，符号５はスプロケットホールを示し、符号
２はインナーリードを，符号７はアウターリードを示
す。また、符号３はリード保持フィルムを示し、符号４
はサポートリングを示す。さらに、符号６はデバイスホ
ールを、符号８はＡｕバンプを、そして、符号２１は半
導体素子を示す。この半導体素子２１にはＡ１電極２２
が設けられ、このＡ１電極２２に対するインナーリード
２の溶着時に機能するヒートクランパ２３が設けられて
いる。また、符号２４は光ビーム照射装置を、符号２５
は加熱部を、符号２６は温度センサ、符号２７は温度測
定部をそれぞれ示す。更に、符号３１は超音波ホーン
を、符号３２はボンディングツールを示す。符号３３は
超音波振動方向を示し、符号３４は加熱ステージであ
る。
【００２５】本実施例において使用したＴＡＢテープ
は、図２に示すように、例えば厚さ１００〜１２５μ
ｍ、幅が３５ｍｍのポリイミド製の長尺のテープキャリ
ア１上に、半導体素子を搭載するデバイスホール６と、
例えば厚さ３５μｍのＣｕ配線電極を保持するサポート
リング４とを形成したものである。テープキャリア１の
幅方向の両端には、テープ位置決め用と搬送用として、
等ピッチに規格化されたスプロケットホール５が、プレ
ス加工によって予め形成されている。
は、図２に示すように、例えば厚さ１００〜１２５μ
ｍ、幅が３５ｍｍのポリイミド製の長尺のテープキャリ
ア１上に、半導体素子を搭載するデバイスホール６と、
例えば厚さ３５μｍのＣｕ配線電極を保持するサポート
リング４とを形成したものである。テープキャリア１の
幅方向の両端には、テープ位置決め用と搬送用として、
等ピッチに規格化されたスプロケットホール５が、プレ
ス加工によって予め形成されている。
【００２６】サポートリング４の外側には、ＴＡＢテー
プを実装する基板との電気的接続のための、例えば幅が
１００μｍ、配列ピッチが２００μｍの、アウターリー
ド７が形成されている。サポートリング４の内側には、
デバイスホール６側に突出した、例えば幅が６０μｍ、
配列ピッチが１００μｍの、インナーリード２が形成さ
れているとともに、インナーリード２の補強と、ボンデ
ィング時の超音波振動によるリード位置ズレの防止のた
めに、インナーリード２の先端部に、例えばテープキャ
リア１と同材質の、ポリイミド製のリード保持フィルム
３が形成されている。すべてのＣｕ配線電極には、無電
解メッキにより例えば厚さ１μｍのＳｎメッキが施され
ている。
プを実装する基板との電気的接続のための、例えば幅が
１００μｍ、配列ピッチが２００μｍの、アウターリー
ド７が形成されている。サポートリング４の内側には、
デバイスホール６側に突出した、例えば幅が６０μｍ、
配列ピッチが１００μｍの、インナーリード２が形成さ
れているとともに、インナーリード２の補強と、ボンデ
ィング時の超音波振動によるリード位置ズレの防止のた
めに、インナーリード２の先端部に、例えばテープキャ
リア１と同材質の、ポリイミド製のリード保持フィルム
３が形成されている。すべてのＣｕ配線電極には、無電
解メッキにより例えば厚さ１μｍのＳｎメッキが施され
ている。
【００２７】本発明のインナーリードの接合装置は、図
１に示すように、半導体素子２１に対する位置決め固定
と加熱を行うための加熱ステージ３４と、インナーリー
ド位置ズレ防止のためのリード保持フィルム３の加圧
と、インナーリード２の温度低下防止のためのヒートク
ランパ２３と、ヒートクランパ２３を加熱するための、
熱制御性の優れた、例えばハロゲンランプを光源とする
光ビーム照射装置２４と、ヒートクランパ２３の加熱部
２５の中央部に位置する温度測定部２７の温度を、非接
触で測定するための赤外線放射温度計からなる温度セン
サ２６と、インナーリード２に上部から超音波振動と荷
重を印加するための、先端にボンディングツール３２を
備えた超音波ホーン３１とから構成されている。
１に示すように、半導体素子２１に対する位置決め固定
と加熱を行うための加熱ステージ３４と、インナーリー
ド位置ズレ防止のためのリード保持フィルム３の加圧
と、インナーリード２の温度低下防止のためのヒートク
ランパ２３と、ヒートクランパ２３を加熱するための、
熱制御性の優れた、例えばハロゲンランプを光源とする
光ビーム照射装置２４と、ヒートクランパ２３の加熱部
２５の中央部に位置する温度測定部２７の温度を、非接
触で測定するための赤外線放射温度計からなる温度セン
サ２６と、インナーリード２に上部から超音波振動と荷
重を印加するための、先端にボンディングツール３２を
備えた超音波ホーン３１とから構成されている。
【００２８】加熱ステージ３４は、図示しないＸＹＺθ
の調整台上に設けられていて、インナーリード２と半導
体素子２１のＡｕバンプ８との位置合わせを行うことが
できるようになっている。また、超音波ホーン３１は、
ボンディングツール３２と反対側に設けられた、図示し
ない超音波発振器と、ボンディングツール３２を加圧及
び上下動させるためのボイスコイルに連結されると共
に、インナーリード２の接合位置に位置決めを行うため
の、ＸＹステージ上に搭載されている。
の調整台上に設けられていて、インナーリード２と半導
体素子２１のＡｕバンプ８との位置合わせを行うことが
できるようになっている。また、超音波ホーン３１は、
ボンディングツール３２と反対側に設けられた、図示し
ない超音波発振器と、ボンディングツール３２を加圧及
び上下動させるためのボイスコイルに連結されると共
に、インナーリード２の接合位置に位置決めを行うため
の、ＸＹステージ上に搭載されている。
【００２９】ヒートクランパ２３の温度制御は、予め全
インナーリード接合後の温度低下を測定しておいて、接
合開始時から測定された温度低下分を徐々に供給するラ
ンプ制御により、ヒートクランパ２３を加熱することに
よって行なわれる。本実施例では、ヒートクランハ２３
は、接合開始時から接合最終時に向けて、この間に３０
℃温度上昇するように、光ビーム照射装置２４の光ビー
ムの出力が調整されている。
インナーリード接合後の温度低下を測定しておいて、接
合開始時から測定された温度低下分を徐々に供給するラ
ンプ制御により、ヒートクランパ２３を加熱することに
よって行なわれる。本実施例では、ヒートクランハ２３
は、接合開始時から接合最終時に向けて、この間に３０
℃温度上昇するように、光ビーム照射装置２４の光ビー
ムの出力が調整されている。
【００３０】本発明によるインナーリードの接合方法の
一例として、図１に示すように１０ｍｍ角の半導体素子
２１のＡ１電極２２上に、電解メッキによって形成され
ているＡｕバンプ８と、インナーリード２との位置合わ
せを、加熱ステージ３４のＸＹＺθ調整台（図示せず）
で行った後、ヒートクランパ２３でインナーリード２先
端部上に、例えば１リードあたり２００ｇｆの加圧と、
２００℃の熱供給を行う。
一例として、図１に示すように１０ｍｍ角の半導体素子
２１のＡ１電極２２上に、電解メッキによって形成され
ているＡｕバンプ８と、インナーリード２との位置合わ
せを、加熱ステージ３４のＸＹＺθ調整台（図示せず）
で行った後、ヒートクランパ２３でインナーリード２先
端部上に、例えば１リードあたり２００ｇｆの加圧と、
２００℃の熱供給を行う。
【００３１】次に、超音波ホーン３１を下降することに
よって、ボンディングツール３２がインナーリード２に
押し込まれ、インナーリード２と半導体素子２１のＡｕ
バンプ８が接触する。この状態で、超音波ホーン３１の
方向と平行に超音波振動３３を印加し、半導体素子２１
の加熱温度２５０℃の条件下で、インナーリード２とＡ
ｕバンプ８との接合を行う。接合の際には、ボンディン
グツール３２に接合荷重Ｆ＝６０ｇｆ印加した状態で、
超音波出力１００ｍＷ（振幅量０．２μｍ）を印加す
る。
よって、ボンディングツール３２がインナーリード２に
押し込まれ、インナーリード２と半導体素子２１のＡｕ
バンプ８が接触する。この状態で、超音波ホーン３１の
方向と平行に超音波振動３３を印加し、半導体素子２１
の加熱温度２５０℃の条件下で、インナーリード２とＡ
ｕバンプ８との接合を行う。接合の際には、ボンディン
グツール３２に接合荷重Ｆ＝６０ｇｆ印加した状態で、
超音波出力１００ｍＷ（振幅量０．２μｍ）を印加す
る。
【００３２】以上の操作を全インナーリード２に対して
行なうことによって、Ａｕバンプ８との接合を行った。
その後、接合強度の測定と、インナーリード２とＡｕバ
ンプ８との位置ズレ量の観測とを行なうとともに、Ａ１
電極２２下のクラック発生の有無を観察した。
行なうことによって、Ａｕバンプ８との接合を行った。
その後、接合強度の測定と、インナーリード２とＡｕバ
ンプ８との位置ズレ量の観測とを行なうとともに、Ａ１
電極２２下のクラック発生の有無を観察した。
【００３３】その結果、プル強度は、すべての辺で平均
３０ｇｆ／リード（σ＝５）であって、ばらつきが小さ
く、実用上十分な強度で接合できた。しかも、インナー
リード２とＡｕバンプ８との位置ずれ量は、１０μｍ以
下であり、従来の接合方法に比べ約半分に減少した。さ
らに、Ａ１電極２２下にはクラックの発生がないことが
確認できた。特に、本発明方法を採用することにより、
従来の方式では温度低下分を補正するために、接合温度
として３００℃を必要としていたものが、ヒートクラン
パ２３を使用する本発明方法では、２５０℃の低温で、
ばらつきのない安定した接合が可能になった。
３０ｇｆ／リード（σ＝５）であって、ばらつきが小さ
く、実用上十分な強度で接合できた。しかも、インナー
リード２とＡｕバンプ８との位置ずれ量は、１０μｍ以
下であり、従来の接合方法に比べ約半分に減少した。さ
らに、Ａ１電極２２下にはクラックの発生がないことが
確認できた。特に、本発明方法を採用することにより、
従来の方式では温度低下分を補正するために、接合温度
として３００℃を必要としていたものが、ヒートクラン
パ２３を使用する本発明方法では、２５０℃の低温で、
ばらつきのない安定した接合が可能になった。
【００３４】また、外形寸法が１５ｍｍ角で、電極配列
ピッチ８０μｍの半導体素子の場合のインナーリード接
合に対して、本発明を適用することによって、信頼性の
高い安定した接合強度が得られ、かつインナーリードの
位置ズレ量１０μｍ以下の高精度な接合を行うことがで
き、大型チップおよび狭ピッチ化ＴＡＢ実装が可能にな
った。
ピッチ８０μｍの半導体素子の場合のインナーリード接
合に対して、本発明を適用することによって、信頼性の
高い安定した接合強度が得られ、かつインナーリードの
位置ズレ量１０μｍ以下の高精度な接合を行うことがで
き、大型チップおよび狭ピッチ化ＴＡＢ実装が可能にな
った。
【００３５】さらに、インナーリード接合後、環境試験
として、温湿度サイクル試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３
Ｂの試験方法に準ずる）を行った。環境条件は、温度が
２５±２℃〜６５±２℃、湿度が９０〜９８％、サイク
ル数が１０サイクル（２４Ｈｒ／サイクル) の条件で行
った。本試験実施後のプル強度試験でも、強度の低下は
生じなかった。
として、温湿度サイクル試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３
Ｂの試験方法に準ずる）を行った。環境条件は、温度が
２５±２℃〜６５±２℃、湿度が９０〜９８％、サイク
ル数が１０サイクル（２４Ｈｒ／サイクル) の条件で行
った。本試験実施後のプル強度試験でも、強度の低下は
生じなかった。
【００３６】なお、本発明方法によれば、従来の超音波
併用の熱圧着方式と比べて、超音波出力を小さくするこ
とができるため、半導体素子に与える機械的ストレスが
低減し、バンプを介さずにインナーリードとＡ１電極と
を直接接合する、バンプレス接合にも効果があることが
確認されている。なお、本発明の実施例では、ヒートク
ランパ２３の加熱源として光ビームを用いたが、抵抗加
熱による加熱でも、同様の効果があることが確認されて
いる。
併用の熱圧着方式と比べて、超音波出力を小さくするこ
とができるため、半導体素子に与える機械的ストレスが
低減し、バンプを介さずにインナーリードとＡ１電極と
を直接接合する、バンプレス接合にも効果があることが
確認されている。なお、本発明の実施例では、ヒートク
ランパ２３の加熱源として光ビームを用いたが、抵抗加
熱による加熱でも、同様の効果があることが確認されて
いる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＴＡＢリ
ードの接合方法によれば、クランパ加熱方式を用いるよ
うにしたので、接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できる。さらに
従来の接合方法に比べて低温接合が可能であって、熱ス
トレスの低減により、高信頼性接合を実現できる。この
ように本発明によれば、従来にない優れた効果を有す
る、ＴＡＢリードの接合方法を提供することができる。
ードの接合方法によれば、クランパ加熱方式を用いるよ
うにしたので、接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できる。さらに
従来の接合方法に比べて低温接合が可能であって、熱ス
トレスの低減により、高信頼性接合を実現できる。この
ように本発明によれば、従来にない優れた効果を有す
る、ＴＡＢリードの接合方法を提供することができる。
【図１】本発明のＴＡＢリードの接合方法を示す概略図
である。
である。
【図２】本発明に使用したＴＡＢテープを示す概略図で
ある。
ある。
【図３】従来のＴＡＢテープを示す概略図である。
【図４】従来のＴＡＢリードの接合方法を示す概略図で
ある。
ある。
１ テープキャリア ２ インナーリード ３ リード保持フィルム ４ サポートリング ６ デバイスホール ７ アウターリード ８ Ａｕバンプ ２１ 半導体素子 ２２ Ａｌ電極 ２３ ヒートクランパ ２４ 光ビーム照射装置 ２５ 加熱部 ２６ 温度センサ ２７ 温度測定部 ３１ 超音波ホーン ３４ 加熱ステージ
Claims (3)
- 【請求項１】 ＴＡＢテープのインナーリードの先端を
加熱したクランパで上部から抑えた状態で、該インナー
リードと半導体素子の電極とを逐次接合するＴＡＢリー
ドの接合方法において、 前記クランパが、外部から光ビームで加熱されているこ
とを特徴とするＴＡＢリードの接合方法。 - 【請求項２】 ＴＡＢテープのインナーリードの先端を
加熱したクランパで上部から抑えた状態で、該インナー
リードと半導体素子の電極とを逐次接合するＴＡＢリー
ドの接合方法において、 前記クランパが、前記インナーリードの温度が接合時に
おいてほぼ一定になるように温度制御されていることを
特徴とするＴＡＢリードの接合方法。 - 【請求項３】 前記クランパが、複数のインナーリード
とそれぞれ対応する半導体素子の電極との接合開始時か
ら接合終了時までに、徐々に温度が上昇するように加熱
されることを特徴とする請求項２に記載のＴＡＢリード
の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6295058A JP2581474B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Ｔａｂリードの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6295058A JP2581474B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Ｔａｂリードの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153755A JPH08153755A (ja) | 1996-06-11 |
| JP2581474B2 true JP2581474B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17815776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6295058A Expired - Fee Related JP2581474B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Ｔａｂリードの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581474B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0370151A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-26 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の接合方法 |
| JPH0536833U (ja) * | 1991-10-14 | 1993-05-18 | 関西日本電気株式会社 | リードボンダ |
| JPH0539630U (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-28 | 日立工機株式会社 | 集じん機 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6295058A patent/JP2581474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08153755A (ja) | 1996-06-11 |
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|---|---|---|---|
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