JP2581474B2 - Tabリードの接合方法 - Google Patents
Tabリードの接合方法Info
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の実装に用
いられるTABリード、即ちTAB(Tape Automated B
onding)用テープキャリアのインナーリードと、半導体
素子の電極とを接合するための、接合方法に関するもの
である。
いられるTABリード、即ちTAB(Tape Automated B
onding)用テープキャリアのインナーリードと、半導体
素子の電極とを接合するための、接合方法に関するもの
である。
【0002】TAB方式の半導体素子実装方法において
は、半導体素子を搭載するデバイスホールが設けられ
た、ポリイミド製等の長尺テープキャリア上に配線電極
を形成して、デバイスホールに搭載した半導体素子の電
極と、配線電極の内側の先端部(インナーリード)とを
熱圧着によって接続することによって、半導体素子を実
装する。
は、半導体素子を搭載するデバイスホールが設けられ
た、ポリイミド製等の長尺テープキャリア上に配線電極
を形成して、デバイスホールに搭載した半導体素子の電
極と、配線電極の内側の先端部(インナーリード)とを
熱圧着によって接続することによって、半導体素子を実
装する。
【0003】このようなTABリードの接合方法におい
ては、熱圧着時、配線電極を通じる放熱によって、イン
ナーリードの温度が低下し、電極との接合強度にばらつ
きが生じないようにすることが必要である。
ては、熱圧着時、配線電極を通じる放熱によって、イン
ナーリードの温度が低下し、電極との接合強度にばらつ
きが生じないようにすることが必要である。
【0004】
【従来の技術】図3乃至図4に従来例を示す。この内、
図3にはTABテープの概略構造を示す。この図3にお
けるTABテープは、図4に示すように、ポリイミド製
等の長尺のテープキャリア101上に、半導体素子を搭
載するデバイスホール106と、銅(Cu)配線電極を
保持するサポートリング104が形成されている。テー
プキャリア101の幅方向の両端には、テープ位置決め
用および搬送用にとして、等ピッチに規格化されたスプ
ロケットホール105が、プレス加工によって、予め形
成されている。サポートリング104に保持されたCu
配線電極には、インナーリード102がデバイスホール
106の内側に突出して形成されているとともに、TA
Bテープを実装する基板との電気的接続のためのアウタ
ーリード107が外側に形成されている。すべてのCu
配線電極には、無電解メッキによって、厚さ0.5〜1
μmの錫(Sn)メッキが施されている。
図3にはTABテープの概略構造を示す。この図3にお
けるTABテープは、図4に示すように、ポリイミド製
等の長尺のテープキャリア101上に、半導体素子を搭
載するデバイスホール106と、銅(Cu)配線電極を
保持するサポートリング104が形成されている。テー
プキャリア101の幅方向の両端には、テープ位置決め
用および搬送用にとして、等ピッチに規格化されたスプ
ロケットホール105が、プレス加工によって、予め形
成されている。サポートリング104に保持されたCu
配線電極には、インナーリード102がデバイスホール
106の内側に突出して形成されているとともに、TA
Bテープを実装する基板との電気的接続のためのアウタ
ーリード107が外側に形成されている。すべてのCu
配線電極には、無電解メッキによって、厚さ0.5〜1
μmの錫(Sn)メッキが施されている。
【0005】図4は、従来のTABリードの接合方法を
示したものであって、TABテープのインナーリード1
02と、半導体素子121のアルミニューム(Al)電
極とを、逐次方式で接合する従来のシングルポイントボ
ンディング方式を示している。この図4に示すように、
半導体素子121のA1電極に、金(Au)メッキを施
した突起を設けて、Auバンプ108を形成したのち、
このAuバンプ108を介して、インナーリード102
とAl電極とを、ボンディングツール132によって、
超音波と熱を併用した方法で接合を行っていた。この
際、接合部には荷重100gfをかけるとともに、超音
波出力150mWを印加し、半導体素子121は加熱ス
テージ(図示せず)によって300℃程度に加熱するよ
うにしていた。
示したものであって、TABテープのインナーリード1
02と、半導体素子121のアルミニューム(Al)電
極とを、逐次方式で接合する従来のシングルポイントボ
ンディング方式を示している。この図4に示すように、
半導体素子121のA1電極に、金(Au)メッキを施
した突起を設けて、Auバンプ108を形成したのち、
このAuバンプ108を介して、インナーリード102
とAl電極とを、ボンディングツール132によって、
超音波と熱を併用した方法で接合を行っていた。この
際、接合部には荷重100gfをかけるとともに、超音
波出力150mWを印加し、半導体素子121は加熱ス
テージ(図示せず)によって300℃程度に加熱するよ
うにしていた。
【0006】また、特開平3−252148号公報にお
いては、TAB用テープキャリアのインナーリード先端
部のバンプを中空構造とし、中空構造バンプの内面に融
点が高い材料を埋め込むことによって、バンプのばらつ
きがあっても、バンプと半導体素子の電極部とを均一に
十分な接合強度で接合することが記載されている。
いては、TAB用テープキャリアのインナーリード先端
部のバンプを中空構造とし、中空構造バンプの内面に融
点が高い材料を埋め込むことによって、バンプのばらつ
きがあっても、バンプと半導体素子の電極部とを均一に
十分な接合強度で接合することが記載されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】超音波併用熱圧着によ
る、シングルポイントボンディング方法で、安定した接
合強度を得るためには、超音波振動によってインナーリ
ード102のSnメッキ表面に存在する自然酸化膜を十
分に破壊するとともに、加熱ステージによる熱エネルギ
ーによって、インナーリード102の表面のSnと、半
導体素子121のAuバンプ108との間で、十分な合
金層を形成することが条件となる。この場合、図4に示
すように、ボンディングツール132における、超音波
の振動方向133は、半導体素子121の第3辺H3,
第4辺H4に対しては、インナーリード102の長手方
向に対して平行であり、第1辺H1,第2辺H2に対し
ては、インナーリード102の長手方向に直交する方向
である。
る、シングルポイントボンディング方法で、安定した接
合強度を得るためには、超音波振動によってインナーリ
ード102のSnメッキ表面に存在する自然酸化膜を十
分に破壊するとともに、加熱ステージによる熱エネルギ
ーによって、インナーリード102の表面のSnと、半
導体素子121のAuバンプ108との間で、十分な合
金層を形成することが条件となる。この場合、図4に示
すように、ボンディングツール132における、超音波
の振動方向133は、半導体素子121の第3辺H3,
第4辺H4に対しては、インナーリード102の長手方
向に対して平行であり、第1辺H1,第2辺H2に対し
ては、インナーリード102の長手方向に直交する方向
である。
【0008】第1辺H1,第2辺H2のように、超音波
振動133がインナーリード102の長手方向に対し
て、直交する方向に印加された場合には、超音波振動1
33によってインナーリード102が動きやすく、接合
界面に超音波振動133を十分伝達することができない
ため、A1酸化膜を破壊できない。このため、第1辺H
1,第2辺H2の接合強度は、第3辺H3,第4辺H4
の接合強度と比較して、低下するという問題があった。
さらに、接合強度のばらつきを低減するために、超音波
出力を大きくした場合には、インナーリードの位置ずれ
が増大して、隣接するインナーリードと接触する恐れが
あって、狭ピッチ化の障害になるという問題があった。
振動133がインナーリード102の長手方向に対し
て、直交する方向に印加された場合には、超音波振動1
33によってインナーリード102が動きやすく、接合
界面に超音波振動133を十分伝達することができない
ため、A1酸化膜を破壊できない。このため、第1辺H
1,第2辺H2の接合強度は、第3辺H3,第4辺H4
の接合強度と比較して、低下するという問題があった。
さらに、接合強度のばらつきを低減するために、超音波
出力を大きくした場合には、インナーリードの位置ずれ
が増大して、隣接するインナーリードと接触する恐れが
あって、狭ピッチ化の障害になるという問題があった。
【0009】さらに、例えば第3辺,第2辺,第4辺,
第1辺の順に、順次接合を行った場合、接合を終了した
インナーリードを通じて、熱伝導によって半導体素子1
21から熱が逃げるため、最終接合辺である第1辺H1
では、接合面での温度が低下して、各辺間の接合強度に
バラツキが発生するという問題があった。
第1辺の順に、順次接合を行った場合、接合を終了した
インナーリードを通じて、熱伝導によって半導体素子1
21から熱が逃げるため、最終接合辺である第1辺H1
では、接合面での温度が低下して、各辺間の接合強度に
バラツキが発生するという問題があった。
【0010】また、リードピッチが100μm以下の場
合には、リード幅が50μm以下になるが、リード幅が
細くなると、リード剛性が小さくなるために、TABテ
ープ製作時に、リードの垂れ下がりやリードの曲がり等
が発生して、歩留り低下の原因になっていた。
合には、リード幅が50μm以下になるが、リード幅が
細くなると、リード剛性が小さくなるために、TABテ
ープ製作時に、リードの垂れ下がりやリードの曲がり等
が発生して、歩留り低下の原因になっていた。
【0011】特開平3−252148号公報に記載され
た方法によった場合でも、これらの問題は未解決であっ
て、これに基づく各辺間の接合強度のばらつき等が生じ
ることを避けられない。
た方法によった場合でも、これらの問題は未解決であっ
て、これに基づく各辺間の接合強度のばらつき等が生じ
ることを避けられない。
【0012】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、特に接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できるTABリ
ードの接合方法を提供すること、さらに従来の接合方法
に比べて低温接合が可能であって、熱ストレスの低減に
より、高信頼性接合を実現できるTABリードの接合方
法を提供することを目的としている。
を改善し、特に接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できるTABリ
ードの接合方法を提供すること、さらに従来の接合方法
に比べて低温接合が可能であって、熱ストレスの低減に
より、高信頼性接合を実現できるTABリードの接合方
法を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】このような、課題を解決
するため、本発明においては、次のような各構成を備え
ている。これによって、前述した目的を達成しようとす
るものである。
するため、本発明においては、次のような各構成を備え
ている。これによって、前述した目的を達成しようとす
るものである。
【0014】(1) .本発明のTABリードの接合方法に
おいては、TABテープのインナーリード2の先端を加
熱したクランパ23で上部から抑えた状態で、このイン
ナーリードと半導体素子の電極22とを逐次接合するT
ABリードの接合方法において、クランパ23を、外部
から光ビームで加熱する。
おいては、TABテープのインナーリード2の先端を加
熱したクランパ23で上部から抑えた状態で、このイン
ナーリードと半導体素子の電極22とを逐次接合するT
ABリードの接合方法において、クランパ23を、外部
から光ビームで加熱する。
【0015】
【0016】(2) .また、TABテープのインナーリー
ド2の先端を加熱したクランパ23 で上部から抑えた状
態で、このインナーリードと半導体素子の電極22とを
逐次接合するTABリードの接合方法において、クラン
パ23を、インナーリード2の温度が接合時においてほ
ぼ一定になるように温度制御する。
ド2の先端を加熱したクランパ23 で上部から抑えた状
態で、このインナーリードと半導体素子の電極22とを
逐次接合するTABリードの接合方法において、クラン
パ23を、インナーリード2の温度が接合時においてほ
ぼ一定になるように温度制御する。
【0017】(3) .更に、上記(2) の場合に、クランパ
23を、複数のインナーリード2とそれぞれ対応する半
導体素子の電極22との接合開始時から接合終了時まで
に、徐々に温度が上昇されるように加熱する。
23を、複数のインナーリード2とそれぞれ対応する半
導体素子の電極22との接合開始時から接合終了時まで
に、徐々に温度が上昇されるように加熱する。
【0018】
【0019】
【0020】
【作用】本発明のTABリードの接合方法によれば、接
合時に生じるインナーリードからの放熱は、ヒートクラ
ンパ23に対して、温度レスポンス性の優れた光ビーム
によって、瞬時に低下分の熱を供給することによって、
補償することができ、温度低下を防止することが可能に
なった。
合時に生じるインナーリードからの放熱は、ヒートクラ
ンパ23に対して、温度レスポンス性の優れた光ビーム
によって、瞬時に低下分の熱を供給することによって、
補償することができ、温度低下を防止することが可能に
なった。
【0021】また、ヒートクランパ23の温度制御は、
予め全インナーリード接合後の温度低下分を測定し、温
度低下分を接合開始時から徐々に供給するランプ制御を
行って、ヒートクランパ23の加熱制御を行うことによ
って、温度制御性が向上した。その結果、安定した接合
温度を維持することができ、接合強度ばらつきの小さ
い、TAB実装を実現することができるようになった。
予め全インナーリード接合後の温度低下分を測定し、温
度低下分を接合開始時から徐々に供給するランプ制御を
行って、ヒートクランパ23の加熱制御を行うことによ
って、温度制御性が向上した。その結果、安定した接合
温度を維持することができ、接合強度ばらつきの小さ
い、TAB実装を実現することができるようになった。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1および図2に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【0023】図1は、本発明のTABリードの接合方法
を示す概略図である。図2は、本発明に用いたTABテ
ープを示す概略図である。
を示す概略図である。図2は、本発明に用いたTABテ
ープを示す概略図である。
【0024】図1および図2において、符号1はテープ
キャリアを,符号5はスプロケットホールを示し、符号
2はインナーリードを,符号7はアウターリードを示
す。また、符号3はリード保持フィルムを示し、符号4
はサポートリングを示す。さらに、符号6はデバイスホ
ールを、符号8はAuバンプを、そして、符号21は半
導体素子を示す。この半導体素子21にはA1電極22
が設けられ、このA1電極22に対するインナーリード
2の溶着時に機能するヒートクランパ23が設けられて
いる。また、符号24は光ビーム照射装置を、符号25
は加熱部を、符号26は温度センサ、符号27は温度測
定部をそれぞれ示す。更に、符号31は超音波ホーン
を、符号32はボンディングツールを示す。符号33は
超音波振動方向を示し、符号34は加熱ステージであ
る。
キャリアを,符号5はスプロケットホールを示し、符号
2はインナーリードを,符号7はアウターリードを示
す。また、符号3はリード保持フィルムを示し、符号4
はサポートリングを示す。さらに、符号6はデバイスホ
ールを、符号8はAuバンプを、そして、符号21は半
導体素子を示す。この半導体素子21にはA1電極22
が設けられ、このA1電極22に対するインナーリード
2の溶着時に機能するヒートクランパ23が設けられて
いる。また、符号24は光ビーム照射装置を、符号25
は加熱部を、符号26は温度センサ、符号27は温度測
定部をそれぞれ示す。更に、符号31は超音波ホーン
を、符号32はボンディングツールを示す。符号33は
超音波振動方向を示し、符号34は加熱ステージであ
る。
【0025】本実施例において使用したTABテープ
は、図2に示すように、例えば厚さ100〜125μ
m、幅が35mmのポリイミド製の長尺のテープキャリ
ア1上に、半導体素子を搭載するデバイスホール6と、
例えば厚さ35μmのCu配線電極を保持するサポート
リング4とを形成したものである。テープキャリア1の
幅方向の両端には、テープ位置決め用と搬送用として、
等ピッチに規格化されたスプロケットホール5が、プレ
ス加工によって予め形成されている。
は、図2に示すように、例えば厚さ100〜125μ
m、幅が35mmのポリイミド製の長尺のテープキャリ
ア1上に、半導体素子を搭載するデバイスホール6と、
例えば厚さ35μmのCu配線電極を保持するサポート
リング4とを形成したものである。テープキャリア1の
幅方向の両端には、テープ位置決め用と搬送用として、
等ピッチに規格化されたスプロケットホール5が、プレ
ス加工によって予め形成されている。
【0026】サポートリング4の外側には、TABテー
プを実装する基板との電気的接続のための、例えば幅が
100μm、配列ピッチが200μmの、アウターリー
ド7が形成されている。サポートリング4の内側には、
デバイスホール6側に突出した、例えば幅が60μm、
配列ピッチが100μmの、インナーリード2が形成さ
れているとともに、インナーリード2の補強と、ボンデ
ィング時の超音波振動によるリード位置ズレの防止のた
めに、インナーリード2の先端部に、例えばテープキャ
リア1と同材質の、ポリイミド製のリード保持フィルム
3が形成されている。すべてのCu配線電極には、無電
解メッキにより例えば厚さ1μmのSnメッキが施され
ている。
プを実装する基板との電気的接続のための、例えば幅が
100μm、配列ピッチが200μmの、アウターリー
ド7が形成されている。サポートリング4の内側には、
デバイスホール6側に突出した、例えば幅が60μm、
配列ピッチが100μmの、インナーリード2が形成さ
れているとともに、インナーリード2の補強と、ボンデ
ィング時の超音波振動によるリード位置ズレの防止のた
めに、インナーリード2の先端部に、例えばテープキャ
リア1と同材質の、ポリイミド製のリード保持フィルム
3が形成されている。すべてのCu配線電極には、無電
解メッキにより例えば厚さ1μmのSnメッキが施され
ている。
【0027】本発明のインナーリードの接合装置は、図
1に示すように、半導体素子21に対する位置決め固定
と加熱を行うための加熱ステージ34と、インナーリー
ド位置ズレ防止のためのリード保持フィルム3の加圧
と、インナーリード2の温度低下防止のためのヒートク
ランパ23と、ヒートクランパ23を加熱するための、
熱制御性の優れた、例えばハロゲンランプを光源とする
光ビーム照射装置24と、ヒートクランパ23の加熱部
25の中央部に位置する温度測定部27の温度を、非接
触で測定するための赤外線放射温度計からなる温度セン
サ26と、インナーリード2に上部から超音波振動と荷
重を印加するための、先端にボンディングツール32を
備えた超音波ホーン31とから構成されている。
1に示すように、半導体素子21に対する位置決め固定
と加熱を行うための加熱ステージ34と、インナーリー
ド位置ズレ防止のためのリード保持フィルム3の加圧
と、インナーリード2の温度低下防止のためのヒートク
ランパ23と、ヒートクランパ23を加熱するための、
熱制御性の優れた、例えばハロゲンランプを光源とする
光ビーム照射装置24と、ヒートクランパ23の加熱部
25の中央部に位置する温度測定部27の温度を、非接
触で測定するための赤外線放射温度計からなる温度セン
サ26と、インナーリード2に上部から超音波振動と荷
重を印加するための、先端にボンディングツール32を
備えた超音波ホーン31とから構成されている。
【0028】加熱ステージ34は、図示しないXYZθ
の調整台上に設けられていて、インナーリード2と半導
体素子21のAuバンプ8との位置合わせを行うことが
できるようになっている。また、超音波ホーン31は、
ボンディングツール32と反対側に設けられた、図示し
ない超音波発振器と、ボンディングツール32を加圧及
び上下動させるためのボイスコイルに連結されると共
に、インナーリード2の接合位置に位置決めを行うため
の、XYステージ上に搭載されている。
の調整台上に設けられていて、インナーリード2と半導
体素子21のAuバンプ8との位置合わせを行うことが
できるようになっている。また、超音波ホーン31は、
ボンディングツール32と反対側に設けられた、図示し
ない超音波発振器と、ボンディングツール32を加圧及
び上下動させるためのボイスコイルに連結されると共
に、インナーリード2の接合位置に位置決めを行うため
の、XYステージ上に搭載されている。
【0029】ヒートクランパ23の温度制御は、予め全
インナーリード接合後の温度低下を測定しておいて、接
合開始時から測定された温度低下分を徐々に供給するラ
ンプ制御により、ヒートクランパ23を加熱することに
よって行なわれる。本実施例では、ヒートクランハ23
は、接合開始時から接合最終時に向けて、この間に30
℃温度上昇するように、光ビーム照射装置24の光ビー
ムの出力が調整されている。
インナーリード接合後の温度低下を測定しておいて、接
合開始時から測定された温度低下分を徐々に供給するラ
ンプ制御により、ヒートクランパ23を加熱することに
よって行なわれる。本実施例では、ヒートクランハ23
は、接合開始時から接合最終時に向けて、この間に30
℃温度上昇するように、光ビーム照射装置24の光ビー
ムの出力が調整されている。
【0030】本発明によるインナーリードの接合方法の
一例として、図1に示すように10mm角の半導体素子
21のA1電極22上に、電解メッキによって形成され
ているAuバンプ8と、インナーリード2との位置合わ
せを、加熱ステージ34のXYZθ調整台(図示せず)
で行った後、ヒートクランパ23でインナーリード2先
端部上に、例えば1リードあたり200gfの加圧と、
200℃の熱供給を行う。
一例として、図1に示すように10mm角の半導体素子
21のA1電極22上に、電解メッキによって形成され
ているAuバンプ8と、インナーリード2との位置合わ
せを、加熱ステージ34のXYZθ調整台(図示せず)
で行った後、ヒートクランパ23でインナーリード2先
端部上に、例えば1リードあたり200gfの加圧と、
200℃の熱供給を行う。
【0031】次に、超音波ホーン31を下降することに
よって、ボンディングツール32がインナーリード2に
押し込まれ、インナーリード2と半導体素子21のAu
バンプ8が接触する。この状態で、超音波ホーン31の
方向と平行に超音波振動33を印加し、半導体素子21
の加熱温度250℃の条件下で、インナーリード2とA
uバンプ8との接合を行う。接合の際には、ボンディン
グツール32に接合荷重F=60gf印加した状態で、
超音波出力100mW(振幅量0.2μm)を印加す
る。
よって、ボンディングツール32がインナーリード2に
押し込まれ、インナーリード2と半導体素子21のAu
バンプ8が接触する。この状態で、超音波ホーン31の
方向と平行に超音波振動33を印加し、半導体素子21
の加熱温度250℃の条件下で、インナーリード2とA
uバンプ8との接合を行う。接合の際には、ボンディン
グツール32に接合荷重F=60gf印加した状態で、
超音波出力100mW(振幅量0.2μm)を印加す
る。
【0032】以上の操作を全インナーリード2に対して
行なうことによって、Auバンプ8との接合を行った。
その後、接合強度の測定と、インナーリード2とAuバ
ンプ8との位置ズレ量の観測とを行なうとともに、A1
電極22下のクラック発生の有無を観察した。
行なうことによって、Auバンプ8との接合を行った。
その後、接合強度の測定と、インナーリード2とAuバ
ンプ8との位置ズレ量の観測とを行なうとともに、A1
電極22下のクラック発生の有無を観察した。
【0033】その結果、プル強度は、すべての辺で平均
30gf/リード(σ=5)であって、ばらつきが小さ
く、実用上十分な強度で接合できた。しかも、インナー
リード2とAuバンプ8との位置ずれ量は、10μm以
下であり、従来の接合方法に比べ約半分に減少した。さ
らに、A1電極22下にはクラックの発生がないことが
確認できた。特に、本発明方法を採用することにより、
従来の方式では温度低下分を補正するために、接合温度
として300℃を必要としていたものが、ヒートクラン
パ23を使用する本発明方法では、250℃の低温で、
ばらつきのない安定した接合が可能になった。
30gf/リード(σ=5)であって、ばらつきが小さ
く、実用上十分な強度で接合できた。しかも、インナー
リード2とAuバンプ8との位置ずれ量は、10μm以
下であり、従来の接合方法に比べ約半分に減少した。さ
らに、A1電極22下にはクラックの発生がないことが
確認できた。特に、本発明方法を採用することにより、
従来の方式では温度低下分を補正するために、接合温度
として300℃を必要としていたものが、ヒートクラン
パ23を使用する本発明方法では、250℃の低温で、
ばらつきのない安定した接合が可能になった。
【0034】また、外形寸法が15mm角で、電極配列
ピッチ80μmの半導体素子の場合のインナーリード接
合に対して、本発明を適用することによって、信頼性の
高い安定した接合強度が得られ、かつインナーリードの
位置ズレ量10μm以下の高精度な接合を行うことがで
き、大型チップおよび狭ピッチ化TAB実装が可能にな
った。
ピッチ80μmの半導体素子の場合のインナーリード接
合に対して、本発明を適用することによって、信頼性の
高い安定した接合強度が得られ、かつインナーリードの
位置ズレ量10μm以下の高精度な接合を行うことがで
き、大型チップおよび狭ピッチ化TAB実装が可能にな
った。
【0035】さらに、インナーリード接合後、環境試験
として、温湿度サイクル試験(MIL−STD−883
Bの試験方法に準ずる)を行った。環境条件は、温度が
25±2℃〜65±2℃、湿度が90〜98%、サイク
ル数が10サイクル(24Hr/サイクル) の条件で行
った。本試験実施後のプル強度試験でも、強度の低下は
生じなかった。
として、温湿度サイクル試験(MIL−STD−883
Bの試験方法に準ずる)を行った。環境条件は、温度が
25±2℃〜65±2℃、湿度が90〜98%、サイク
ル数が10サイクル(24Hr/サイクル) の条件で行
った。本試験実施後のプル強度試験でも、強度の低下は
生じなかった。
【0036】なお、本発明方法によれば、従来の超音波
併用の熱圧着方式と比べて、超音波出力を小さくするこ
とができるため、半導体素子に与える機械的ストレスが
低減し、バンプを介さずにインナーリードとA1電極と
を直接接合する、バンプレス接合にも効果があることが
確認されている。なお、本発明の実施例では、ヒートク
ランパ23の加熱源として光ビームを用いたが、抵抗加
熱による加熱でも、同様の効果があることが確認されて
いる。
併用の熱圧着方式と比べて、超音波出力を小さくするこ
とができるため、半導体素子に与える機械的ストレスが
低減し、バンプを介さずにインナーリードとA1電極と
を直接接合する、バンプレス接合にも効果があることが
確認されている。なお、本発明の実施例では、ヒートク
ランパ23の加熱源として光ビームを用いたが、抵抗加
熱による加熱でも、同様の効果があることが確認されて
いる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のTABリ
ードの接合方法によれば、クランパ加熱方式を用いるよ
うにしたので、接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できる。さらに
従来の接合方法に比べて低温接合が可能であって、熱ス
トレスの低減により、高信頼性接合を実現できる。この
ように本発明によれば、従来にない優れた効果を有す
る、TABリードの接合方法を提供することができる。
ードの接合方法によれば、クランパ加熱方式を用いるよ
うにしたので、接合温度の低下を防止でき、接合強度の
ばらつきの小さい、安定した接合を実現できる。さらに
従来の接合方法に比べて低温接合が可能であって、熱ス
トレスの低減により、高信頼性接合を実現できる。この
ように本発明によれば、従来にない優れた効果を有す
る、TABリードの接合方法を提供することができる。
【図1】本発明のTABリードの接合方法を示す概略図
である。
である。
【図2】本発明に使用したTABテープを示す概略図で
ある。
ある。
【図3】従来のTABテープを示す概略図である。
【図4】従来のTABリードの接合方法を示す概略図で
ある。
ある。
1 テープキャリア 2 インナーリード 3 リード保持フィルム 4 サポートリング 6 デバイスホール 7 アウターリード 8 Auバンプ 21 半導体素子 22 Al電極 23 ヒートクランパ 24 光ビーム照射装置 25 加熱部 26 温度センサ 27 温度測定部 31 超音波ホーン 34 加熱ステージ
Claims (3)
- 【請求項1】 TABテープのインナーリードの先端を
加熱したクランパで上部から抑えた状態で、該インナー
リードと半導体素子の電極とを逐次接合するTABリー
ドの接合方法において、 前記クランパが、外部から光ビームで加熱されているこ
とを特徴とするTABリードの接合方法。 - 【請求項2】 TABテープのインナーリードの先端を
加熱したクランパで上部から抑えた状態で、該インナー
リードと半導体素子の電極とを逐次接合するTABリー
ドの接合方法において、 前記クランパが、前記インナーリードの温度が接合時に
おいてほぼ一定になるように温度制御されていることを
特徴とするTABリードの接合方法。 - 【請求項3】 前記クランパが、複数のインナーリード
とそれぞれ対応する半導体素子の電極との接合開始時か
ら接合終了時までに、徐々に温度が上昇するように加熱
されることを特徴とする請求項2に記載のTABリード
の接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6295058A JP2581474B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Tabリードの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6295058A JP2581474B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Tabリードの接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08153755A JPH08153755A (ja) | 1996-06-11 |
JP2581474B2 true JP2581474B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17815776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6295058A Expired - Fee Related JP2581474B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Tabリードの接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2581474B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0370151A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-26 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の接合方法 |
JPH0536833U (ja) * | 1991-10-14 | 1993-05-18 | 関西日本電気株式会社 | リードボンダ |
JPH0539630U (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-28 | 日立工機株式会社 | 集じん機 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6295058A patent/JP2581474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08153755A (ja) | 1996-06-11 |
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Legal Events
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