JP2581436B2 - セラミック多層配線基板の製造方法 - Google Patents

セラミック多層配線基板の製造方法

Info

Publication number
JP2581436B2
JP2581436B2 JP5352380A JP35238093A JP2581436B2 JP 2581436 B2 JP2581436 B2 JP 2581436B2 JP 5352380 A JP5352380 A JP 5352380A JP 35238093 A JP35238093 A JP 35238093A JP 2581436 B2 JP2581436 B2 JP 2581436B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
green sheet
ceramic green
ceramic
hole
carrier film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5352380A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07202437A (ja
Inventor
純 稲坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP5352380A priority Critical patent/JP2581436B2/ja
Priority to US08/366,602 priority patent/US5792293A/en
Priority to CA002139267A priority patent/CA2139267C/en
Publication of JPH07202437A publication Critical patent/JPH07202437A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2581436B2 publication Critical patent/JP2581436B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63416—Polyvinylalcohols [PVA]; Polyvinylacetates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63448—Polymers obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4857—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/62—Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H05K2203/0156—Temporary polymeric carrier or foil, e.g. for processing or transferring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0191—Using tape or non-metallic foil in a process, e.g. during filling of a hole with conductive paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/06—Lamination
    • H05K2203/066—Transfer laminating of insulating material, e.g. resist as a whole layer, not as a pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/108—Flash, trim or excess removal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49163—Manufacturing circuit on or in base with sintering of base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック多層配線基板
の製造方法に関する。
【従来の技術】従来のセラミック多層配線基板の製造方
法の一例が、「エヌ・イー・シー リサーチアンド デ
ベロップメント」（ＮＥＣ Ｒｅｓｅｒｃｈ ａｎｄ
Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）第３４巻、第３号、１９９３
年７月、（以下「文献１」という）第３０３頁〜第３１
３頁に記載されている。文献１第３０６頁の第５図を参
照すると、この従来技術では、以下の手順で、セラミッ
ク多層配線基板が製造される。
【０００２】第１のステップとして、セラミックスラリ
ーをキャリアフィルム上にキャスティングした後、これ
を乾燥しセラミックグリーンシート（以下「グリーンシ
ート」という）を作成する。第２のステップとして、グ
リーンシートを所望の大きさに切断し、キャリアフィル
ムから剥離する。第３のステップとして、グリーンシー
トにスルーホールを形成し、スルーホールに導体ペース
トを埋め込む。第４のステップとして、導体層が形成さ
れる。第５のステップとして、グリーンシートを積層
し、熱圧着する。第６のステップとして、熱圧着された
グリーンシートの積層体を焼成し、セラミック多層配線
基板を得る。
【発明が解決しようとする課題】以上の方法でセラミッ
ク多層配線基板を製造した場合、スルーホールの形成不
良が生じるという問題点があった。この問題点は、以下
の要因から生じる。上述の方法では、第２のステップに
おいて、グリーンシートがキャリアフィルムから剥離さ
れる。そして、第３〜第５のステップでは、グリーンシ
ートは剥離されたままの状態で取り扱われる。ところ
が、剥離された状態のグリーンシートは変形しやすい。
このため、第３〜第５のステップの処理で、グリーンシ
ートが変形してしまうことがある。グリーンシートが変
形する可能性のある処理としては、導体ペーストの埋め
込み工程、導体パターンの印刷工程などが挙げられる。
また、不適当環境で保管した場合も、グリーンシートの
変形が生じることがある。グリーンシートが変形した場
合、各グリーンシートに設けられたスルーホールに位置
ずれが生じる。位置ずれの程度が大きい場合、スルーホ
ールドが接続せず、スルーホールの形成不良が生じる。
【課題を解決するための手段】以上のような問題を解決
するために、本発明のセラミック多層配線基板の製造方
法は、キャリアフィルム上にセラミックグリーンシート
を形成する第１のステップと、前記キャリアフィルム上
に付着したまま状態で前記セラミックグリーンシートに
スルーホールを形成する第２のステップと、前記キャリ
アフィルムに付着したままの状態で前記セラミックグリ
ーンシートを厚板に張り付ける第３のステップと、前記
キャリアフィルムに付着したままの状態で前記セラミッ
クグリーンシートの前記スルーホールに導体ペーストを
埋め込む第４のステップと、前記セラミックグリーンシ
ートから前記キャリアフィルムを除去する第５のステッ
プと、前記セラミックグリーンシートを他のセラミック
グリーンシート上に仮接着する第６のステップと、前記
セラミックグリーンシートから前記基板を除去する第７
のステップと、前記ステップからステップまでのステッ
プを数繰り返すことにより前記セラミックグリーンシー
トを順次積層しセラミックグリーンシート積層体を形成
する第８のステップと、前記セラミックグリーンシート
積層体を焼成する第９のステップとを含む。
【実施例】次に、本発明の一実施例について、図面を参
照して説明する。本実施例では、５層のセラミック多層
配線基板が製造される。図１を参照すると、第１のステ
ップとして、キャリアフィルム２の上にセラミックグリ
ーンシート１（以下「グリーンシート」という）が形成
される。グリーンシート１はドクターブレード法によっ
て形成される。セラミックグリーンシート１の厚さは５
０μｍ〜４００μｍ程度である。グリーンシート１の厚
さは、最終製品であるセラミック多層配線基板１５の構
造、電気的特性および機械的特性によって定められる。
この実施例では、グリーンシート１は１００μｍであ
る。キャリアフィルム２の厚さは１００μｍである。キ
ャリアフィルム２の厚さは、グリーンシート１の幅に応
じて変える必要がある。ステップ１が終了した後、キャ
リアフィルム２は巻きとられる。このとき、キャリアフ
ィルム２が薄いと、キャリアフィルム２に波うちが生
じ、グリーンシート１の厚さにばらつきが生じてしま
う。この現象はグリーンシート１の幅が広いほど顕著に
なる。特にグリーンシート１の幅が３００ｍｍ以上のと
きには注意が必要である。図２（ａ）〜（ｅ）を参照す
ると、第２のステップにおいて、グリーンシート１が所
定の大きさに切断される。図２（ａ）〜（ｅ）の構造
は、最終的にセラミック多層配線基板１５の第１層〜第
５層になるものである。グリーンシート１は、キャリア
フィルム２ごと切断される。図３（ａ）〜（ｅ）を参照
すると、第３のステップにおいて、グリーンシート１
に、スルーホール３が設けられる。図３（ａ）〜（ｅ）
の構造は、図２（ａ）〜（ｅ）のものに対応している。
スルーホール３は、打ち抜きによって形成される。スル
ーホール３は、グリーンシート１だけでなく、キャリア
フィルム２をも貫通する。スルーホール３の直径は、そ
の用途によって変わる。信号配線用のスルーホール３の
場合、直径は５０μｍ〜２００μｍ程度である。電源用
のスルーホール３の場合、直径は２００μｍ〜４００μ
ｍである。第３のステップでは、グリーンシート１がキ
ャリアフィルム２に付着しているので、グリーンシート
１の変形が防止される。図４（ａ）〜（ｅ）を参照する
と、第４のステップにおいて、グリーンシート１が厚板
４に張り付けられる。図４（ａ）〜（ｅ）の構造は、図
３（ａ）〜（ｅ）のものに対応している。厚板４として
は、吸水性が低く、寸法の変化が少ないものを用いる。
これらの条件を満たすものであれば、金属、ガラスおよ
び樹脂の何れの材料で形成しても構わない。厚板４の厚
さは０．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。グリーンシート
１の張り付けには接着剤を用いる。この接着剤として
は、適度な粘着力を有し、グリーンシート１と反応を起
こさないものを用いる。具体的には、グリーンシート１
を保持するのに十分であり、またグリーンシート１を剥
離するのに支障が生じない程度の接着力のものを用い
る。また、接着力を制御できる接着剤を用いるのも良
い。グリーンシート１を張り付けるときには、グリーン
シート１とスルーホール３の間に気泡が入らないように
注意する。第４のステップでは、グリーンシート１がキ
ャリアフィルム２に付着しているため、グリーンシート
１の変形が防止される。図５（ａ）〜（ｅ）を参照する
と、第５のステップにおいて、スルーホール３に導体ペ
ースト６が埋め込まれる。図５（ａ）〜（ｅ）の構造
は、図４（ａ）〜（ｅ）のものに対応している。第５の
ステップでは、キャリアフィルム２がマスクの役割を果
たす。したがって、メタルマスクなどの特別のマスクを
用いる必要はない。導体ペースト６の材料は、金、銀、
銀−パラジウム、銅、タングステン、モリブデンなどで
ある。導体ペースト６の粘度は、３００ｋｃｐｓ〜５０
０ｋｃｐｓ程度である。第５のステップでは、次の点に
注意する必要がある。通常の工程では、設計データを用
いて直接メタルマスクを作成する。したがって、メタル
マスクで形成したスルーホールの位置は正確である。ス
ルーホールの位置が不正確であった場合、このスルーホ
ールには導体ペーストが埋め込まれない。したがって、
スルーホールの位置ずれを容易に判別することができ
る。これに対し、第４のステップではメタルマスクを用
いない。したがって、スルーホール３の位置ずれが容易
には判別できない。このため、このステップでは、スル
ーホール３の位置の検査を十分に行う必要がある。第５
のステップでは、グリーンシート１が厚板４に付着して
いるため、グリーンシート１の変形が防止される。図６
（ａ）〜（ｅ）を参照すると、第６のステップにおい
て、グリーンシート１からキャリアフィルム２が剥離さ
れる。図６（ａ）〜（ｅ）の構造は、図５（ａ）〜
（ｅ）のものに対応している。第６のステップでは、グ
リーンシート１が厚板４に付着しているため、グリーン
シート１の変形が防止される。図７（ａ）〜（ｅ）を参
照すると、第７のステップにおいて、グリーンシート１
上に導体パターン７が形成される。図７（ａ）〜（ｅ）
の構造は、図６（ａ）〜（ｅ）のものに対応している。
導体パターン７はスクリーン印刷法によって形成され
る。導体パターン７を形成する導体ペーストの材料は、
スルーホール３に埋め込まれる導体ペースト６と同じも
のである。ただし、その粘度は１００ｋｃｐ〜２５０ｋ
ｃｐである。使用するスクリーンのメッシュサイズは、
３２５メッシュである。形成される導体パターン７の配
線幅は、最小１００μｍである。導体パターン７の厚さ
は、乾燥後の寸法で、１２μｍである。第７のステップ
では、グリーンシート１が厚板４に付着しているため、
グリーンシート１の変形が防止される。上述した第１〜
第７のステップによって、セラミック多層配線基板１５
の各層を形成するグリーンシート１が完成する。以下の
ステップでは、これらのグリーンシート１が積層、接続
される。図８を参照すると、これ以後のステップで、積
層金型９と上ポンチ１０が用いられる。積層金型９の中
央には、ステージ１６が設けられる。ステージ１６は上
下に移動する。図８を参照すると、第８のステップで、
ステージ１６の上に、ベース基板８が載置される。ベー
ス基板８は、無垢のセラミックグリーンシートである。
ベース基板８は、ステージ１６上に緩やかに固定されて
いる。これは、ステージ１６の表面端縁に穴を設け、こ
の穴を利用して真空吸着することによって行える。ま
た、ベース基板８をステージ１６に軽く接着しても良
い。図９を参照すると、第９のステップとして、最上の
ベース基板８の表面に、有機溶剤または接着剤が塗布さ
れる。塗布位置は、ベース基板８の周辺部である。有機
溶剤および接着剤は、ともにセラミックグリーンシート
１を接着するためのバインダーである。有機溶剤または
接着剤は、ディスペンサ１１によって塗布される。ま
た、スプレーで吹き付け、グリーンシート１の表面を有
機溶剤または接着剤で薄くコーティングしても良い。図
１０を参照すると、第１０のステップにおいて、位置決
めの後、グリーンシート１がベース基板８の上に載置さ
れる。このグリーンシート１は、図７（ａ）に示される
ものである。第１０のステップでは、グリーンシート１
が厚板４に付着しているため、グリーンシート１の変形
が防止される。図１１を参照すると、第１１のステップ
において、上ポンチ１０によって、グリーンシート１が
ベース基板８に押圧される。これによって、グリーンシ
ート１がベース基板８に固着し、位置ずれが防止され
る。第１１のステップでは、グリーンシート１が厚板４
に付着しているため、グリーンシート１の変形が防止さ
れる。。図１２を参照すると、第１２のステップにおい
て、厚板４がベース基板８から取り外される。このと
き、グリーンシート１の変形を最小限に押さえながら、
厚板４を取り外すことが必要である。グリーンシート１
の変形を押さえる方法として、グリーンシート１と厚板
４の間に空気を送り込む方法がある。第１２のステップ
では、グリーンシート１がベース基板８に固着している
ため、グリーンシート１の変形は最小限に押さえられ
る。図１３を参照すると、第１３のステップにおいて、
ベース基板８によって、グリーンシート１が切断され
る。第１３のステップでは、グリーンシート１がベース
基板８に固着しているため、グリーンシート１の変形は
最小限に押さえられる。図１４を参照すると、第１４の
ステップにおいて、上述の第９〜第１３のステップが繰
り返し実行され、図７（ｂ）〜（ｅ）のグリーンシート
１が順次積層される。積層されたグリーンシートは熱圧
着され、セラミックグリーンシート積層体１３となる。
熱圧着は、温度１１０℃、圧力１８０ｋｇ／平行ｃｍの
条件下で行われる。上述した第２〜第１３の各ステップ
では、グリーンシート１の変形が最小限に押さえられて
いる。したがって、第１４のステップで積層されるグリ
ーンシート１のスルーホールの位置ずれは少ない。この
ため、第１のステップで積層された各グリーンシート１
のスルーホール３は、正確に重なる。つまり、スルーホ
ール３の接続障害の発生率は少ない。図１５を参照する
と、第１５のステップにおいて、セラミックグリーンシ
ート焼成体１４が焼成され、セラミックグリーンシート
焼成体１４となる。焼成によって、各グリーンシート１
間のバインダーは消失する。焼成により、グリーンシー
ト１の大きさは１０パーセント〜１５パーセント程度収
縮する。図１６を参照すると、第１６のステップにおい
て、ベース基板８が研削され、セラミックグリーンシー
ト焼成体１４から除去される。ベース基板８が除去され
ることにより、ベース基板８で被覆されていたスルーホ
ール３が露出する。これによって、セラミック多層配線
基板１５が完成する。次に本発明の別の実施態様につい
て説明する。上述した実施例では、第９のステップにお
いて有機溶剤または接着剤を塗布しバインダーとした
が、これらの代わりに接着性のあるシートを用いても良
い。ただし、第１４のステップで焼成工程で、消失する
材質のものを用いる必要がある。以上のように、本発明
のセラミック多層配線基板の製造方法では、キャリアフ
ィルム２および厚板４に付着させたまま、グリーンシー
ト１に加工を施すようにした。このため、各ステップ実
行中のグリーンシート１の変形は最小限に押さえられ
る。具体的には、従来の製造方法におけるスルーホール
の位置ずれが６０μｍであったのに対し、本発明の製造
方法では、これが２０μｍ程度まで減少する。スルーホ
ールの位置ずれが減少するため、スルーホールの接続障
害の発生率を減少することができる。つまり、セラミッ
ク多層配線基板の信頼性が向上する。また、より小径の
スルーホールを形成することも可能になる。つまり、セ
ラミック多層配線基板上の実装密度が向上する。また、
これらの効果は、膜厚が薄くなったり、材料の変化によ
って、グリーンシート１の強度が低下した場合にも有効
である。また、本発明は、スルーホール３の形成工程に
おいて、メタルマスクを不要とするという効果をも達成
する。
【発明の効果】以上のように、本発明のセラミック多層
配線基板の製造方法では、キャリアフィルム２および厚
板４によってグリーンシート１を保持したまま、グリー
ンシート１に加工を施すようにした。このため、スルー
ホール３の位置ずれが最小限に押さえられる。これによ
って、スルーホール３の接続障害の発生率が減少すると
いう効果が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例の第１のステップを示す図。
【図２】第１の実施例の第２のステップを示す図。
【図３】第１の実施例の第３のステップを示す図。
【図４】第１の実施例の第４のステップを示す図。
【図５】第１の実施例の第５のステップを示す図。
【図６】第１の実施例の第６のステップを示す図。
【図７】第１の実施例の第７のステップを示す図。
【図８】第１の実施例の第８のステップを示す図。
【図９】第１の実施例の第９のステップを示す図。
【図１０】第１の実施例の第１０のステップを示す図。
【図１１】第１の実施例の第１１のステップを示す図。
【図１２】第１の実施例の第１２のステップを示す図。
【図１３】第１の実施例の第１３のステップを示す図。
【図１４】第１の実施例の第１４のステップを示す図。
【図１５】第１の実施例の第１５のステップを示す図。
【図１６】第１の実施例の第１６のステップを示す図。
【符号の説明】
１ セラミックグリーンシート ２ キャリアフィルム ３ スルーホール ４ 厚板 ５ 印刷スキージ ６ 導体ペースト ７ 導体パターン ８ ベース基板 ９ 積層金型 １０ 上ポンチ １１ ディスペンサ １３ セラミックグリーンシート積層体 １４ セラミックグリーンシート焼成体 １５ セラミック多層配線基板 １６ ステージ

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 キャリアフィルム上にセラミックグリー
    ンシートを形成する第１のステップと、 前記キャリアフィルム上に付着したまま状態で前記セラ
    ミックグリーンシートにスルーホールを形成する第２の
    ステップと、 前記キャリアフィルムに付着したままの状態で前記セラ
    ミックグリーンシートを厚板に張り付ける第３のステッ
    プと、 前記キャリアフィルムに付着したままの状態で前記セラ
    ミックグリーンシートの前記スルーホールに導体ペース
    トを埋め込む第４のステップと、 前記セラミックグリーンシートから前記キャリアフィル
    ムを除去する第５のステップと、 前記セラミックグリーンシートを他のセラミックグリー
    ンシート上に仮接着する第６のステップと、 前記セラミックグリーンシートから前記基板を除去する
    第７のステップと、 前記第１のステップから第７のステップまでのステップ
    を繰り返すことにより前記セラミックグリーンシートを
    順次積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する
    第８のステップと、 前記セラミックグリーンシート積層体を焼成する第９の
    ステップとを含むことを特徴とするセラミック多層配線
    基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記第４のステップにおいて、前記グリ
    ーンシート上に導体層も形成されることを特徴とする請
    求項１記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第２のステップにおいて、前記セラ
    ミックグリーンシートに設けられたスルーホールが前記
    キャリアシートをも貫通し、 前記第４のステップにおいて、前記キャリアシートが前
    記導体ペーストのマスクになることを特徴とする請求項
    １記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記セラミックグリーンシート積層体が
    ベース基板上に形成され、前記第９のステップで前記セ
    ラミックグリーンシート積層体が焼成された後に前記ベ
    ース基板が除去されることを特徴とする請求項１記載の
    セラミック多層配線基板の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記第１のステップにおいて、前記キャ
    リアシート上にセラミックスラリーがキャスティングさ
    れることにより前記セラミックグリーンシートが形成さ
    れることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層配
    線基板の製造方法。
JP5352380A 1993-12-29 1993-12-29 セラミック多層配線基板の製造方法 Expired - Lifetime JP2581436B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5352380A JP2581436B2 (ja) 1993-12-29 1993-12-29 セラミック多層配線基板の製造方法
US08/366,602 US5792293A (en) 1993-12-29 1994-12-29 Method of fabricating a multi-layer wiring substrate
CA002139267A CA2139267C (en) 1993-12-29 1994-12-29 Multi-layer wiring substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5352380A JP2581436B2 (ja) 1993-12-29 1993-12-29 セラミック多層配線基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07202437A JPH07202437A (ja) 1995-08-04
JP2581436B2 true JP2581436B2 (ja) 1997-02-12

Family

ID=18423681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5352380A Expired - Lifetime JP2581436B2 (ja) 1993-12-29 1993-12-29 セラミック多層配線基板の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5792293A (ja)
JP (1) JP2581436B2 (ja)
CA (1) CA2139267C (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080449A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Hitachi Chem Co Ltd 多層印刷配線板の製造方法および多層印刷配線板

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19615694C1 (de) * 1996-04-19 1997-07-03 Siemens Ag Monolithischer Vielschicht-Piezoaktor und Verfahren zur Herstellung
JP3344956B2 (ja) * 1998-01-08 2002-11-18 日本特殊陶業株式会社 積層セラミック基板の製造方法
US6413340B1 (en) * 1998-10-20 2002-07-02 Tdk Corporation Method for the preparation of laminated inductor device
JP3531573B2 (ja) * 2000-03-17 2004-05-31 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置
DE10016429C2 (de) * 2000-04-01 2002-06-13 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Mehrschicht-Aktoren
US6669805B2 (en) * 2001-02-16 2003-12-30 International Business Machines Corporation Drill stack formation
US6631675B2 (en) 2001-04-27 2003-10-14 International Business Machines Corporation Screening method for double pass screening
US6955737B2 (en) * 2003-06-30 2005-10-18 International Business Machines Corporation Supported greensheet structure and method in MLC processing
US7204900B1 (en) * 2004-04-29 2007-04-17 Northrop Grumman Corporation Method of fabricating structures using low temperature cofired ceramics
US8198547B2 (en) 2009-07-23 2012-06-12 Lexmark International, Inc. Z-directed pass-through components for printed circuit boards
US9009954B2 (en) * 2011-08-31 2015-04-21 Lexmark International, Inc. Process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board using a sacrificial constraining material
US20130341078A1 (en) 2012-06-20 2013-12-26 Keith Bryan Hardin Z-directed printed circuit board components having a removable end portion and methods therefor
US9078374B2 (en) 2011-08-31 2015-07-07 Lexmark International, Inc. Screening process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board
US8790520B2 (en) * 2011-08-31 2014-07-29 Lexmark International, Inc. Die press process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board
US8943684B2 (en) 2011-08-31 2015-02-03 Lexmark International, Inc. Continuous extrusion process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board
CN116326218A (zh) * 2020-11-06 2023-06-23 株式会社村田制作所 构造体和带电子部件的构造体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5176772A (en) * 1989-10-05 1993-01-05 Asahi Glass Company Ltd. Process for fabricating a multilayer ceramic circuit board
JP2504277B2 (ja) * 1990-04-19 1996-06-05 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品用セラミックグリ―ンシ―トの製造方法および装置
JP3166251B2 (ja) * 1991-12-18 2001-05-14 株式会社村田製作所 セラミック多層電子部品の製造方法
DE69300506T2 (de) * 1992-04-06 1996-04-04 Nippon Electric Co Herstellungsverfahren von mehrlagigen keramischen Substraten.
US5480503A (en) * 1993-12-30 1996-01-02 International Business Machines Corporation Process for producing circuitized layers and multilayer ceramic sub-laminates and composites thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080449A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Hitachi Chem Co Ltd 多層印刷配線板の製造方法および多層印刷配線板
JP4609008B2 (ja) * 2004-09-13 2011-01-12 日立化成工業株式会社 多層印刷配線板の製造方法および多層印刷配線板

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07202437A (ja) 1995-08-04
CA2139267A1 (en) 1995-06-30
CA2139267C (en) 1999-08-31
US5792293A (en) 1998-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2581436B2 (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
EP0565033B1 (en) Method for fabricating a ceramic multi-layer substrate
US6815046B2 (en) Method of producing ceramic multilayer substrate
JP3531573B2 (ja) 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置
JPH0670941B2 (ja) 積層コンデンサの製造方法
EP1209734B1 (en) Multilayered ceramic substrate and production method therefor
US6726984B2 (en) Ceramic structure using a support sheet
JP3351043B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP2001127431A (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法
JP2560947B2 (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
US7247363B2 (en) Supported greensheet structure and method in MLC processing
JP2797827B2 (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JP3994795B2 (ja) 積層型セラミック電子部品およびその製造方法
JP2906697B2 (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JPH0786739A (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JPH0757961A (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JP3309646B2 (ja) セラミック積層電子部品の製造方法
JP2009147160A (ja) 多層セラミック基板の製造方法及び多層セラミック基板、これを用いた電子部品
JP3093505B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2625367B2 (ja) 多層配線基板の製造方法
JP3625401B2 (ja) 積層インダクタ素子の製造方法
JPS63239999A (ja) セラミツク多層積層体の製造方法
JP4147948B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JPH0794359A (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JPH0752697B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19961001

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071121

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101121

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121

Year of fee payment: 17

EXPY Cancellation because of completion of term