JPH07202437A - セラミック多層配線基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層配線基板の製造方法Info
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Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/63416—Polyvinylalcohols [PVA]; Polyvinylacetates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63448—Polymers obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/62—Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0147—Carriers and holders
- H05K2203/0156—Temporary polymeric carrier or foil, e.g. for processing or transferring
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0191—Using tape or non-metallic foil in a process, e.g. during filling of a hole with conductive paste
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/06—Lamination
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- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
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- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
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Abstract
ルの接続障害の発生率を減少する。 【構成】 キャリアフィルム2の上にグリーンシート1
が形成される。キャリアフィルム2の上に付着させたま
ま、グリーンシート1にスルーホール3が形成される。
このときキャリアフィルム2がマスクになる。グリーン
シート1は、厚板4に張り付けられる。厚板4に付着し
たグリーンシート1が順次、仮接着され、積層される。
積層されたグリーンシート1は、セラミックグリーンシ
ート積層体13を形成する。セラミックグリーンシート
積層体13が焼成され、セラミック多層配線基板15が
完成する。
Description
の製造方法に関する。
法の一例が、「エヌ・イー・シー リサーチアンド デ
ベロップメント」(NEC Reserch and
Development)第34巻、第3号、1993
年7月、(以下「文献1」という)第303頁〜第31
3頁に記載されている。文献1第306頁の第5図を参
照すると、この従来技術では、以下の手順で、セラミッ
ク多層配線基板が製造される。
ーをキャリアフィルム上にキャスティングした後、これ
を乾燥しセラミックグリーンシート(以下「グリーンシ
ート」という)を作成する。第2のステップとして、グ
リーンシートを所望の大きさに切断し、キャリアフィル
ムから剥離する。第3のステップとして、グリーンシー
トにスルーホールを形成し、スルーホールに導体ペース
トを埋め込む。第4のステップとして、導体層が形成さ
れる。第5のステップとして、グリーンシートを積層
し、熱圧着する。第6のステップとして、熱圧着された
グリーンシートの積層体を焼成し、セラミック多層配線
基板を得る。
ク多層配線基板を製造した場合、スルーホールの形成不
良が生じるという問題点があった。この問題点は、以下
の要因から生じる。上述の方法では、第2のステップに
おいて、グリーンシートがキャリアフィルムから剥離さ
れる。そして、第3〜第5のステップでは、グリーンシ
ートは剥離されたままの状態で取り扱われる。ところ
が、剥離された状態のグリーンシートは変形しやすい。
このため、第3〜第5のステップの処理で、グリーンシ
ートが変形してしまうことがある。グリーンシートが変
形する可能性のある処理としては、導体ペーストの埋め
込み工程、導体パターンの印刷工程などが挙げられる。
また、不適当環境で保管した場合も、グリーンシートの
変形が生じることがある。グリーンシートが変形した場
合、各グリーンシートに設けられたスルーホールに位置
ずれが生じる。位置ずれの程度が大きい場合、スルーホ
ールドが接続せず、スルーホールの形成不良が生じる。
するために、本発明のセラミック多層配線基板の製造方
法は、キャリアフィルム上にセラミックグリーンシート
を形成する第1のステップと、前記キャリアフィルム上
に付着したまま状態で前記セラミックグリーンシートに
スルーホールを形成する第2のステップと、前記キャリ
アフィルムに付着したままの状態で前記セラミックグリ
ーンシートを厚板に張り付ける第3のステップと、前記
キャリアフィルムに付着したままの状態で前記セラミッ
クグリーンシートの前記スルーホールに導体ペーストを
埋め込む第4のステップと、前記セラミックグリーンシ
ートから前記キャリアフィルムを除去する第5のステッ
プと、前記セラミックグリーンシートを他のセラミック
グリーンシート上に仮接着する第6のステップと、前記
セラミックグリーンシートから前記基板を除去する第7
のステップと、前記ステップからステップまでのステッ
プを数繰り返すことにより前記セラミックグリーンシー
トを順次積層しセラミックグリーンシート積層体を形成
する第8のステップと、前記セラミックグリーンシート
積層体を焼成する第9のステップとを含む。
照して説明する。本実施例では、5層のセラミック多層
配線基板が製造される。図1を参照すると、第1のステ
ップとして、キャリアフィルム2の上にセラミックグリ
ーンシート1(以下「グリーンシート」という)が形成
される。グリーンシート1はドクターブレード法によっ
て形成される。セラミックグリーンシート1の厚さは5
0μm〜400μm程度である。グリーンシート1の厚
さは、最終製品であるセラミック多層配線基板15の構
造、電気的特性および機械的特性によって定められる。
この実施例では、グリーンシート1は100μmであ
る。キャリアフィルム2の厚さは100μmである。キ
ャリアフィルム2の厚さは、グリーンシート1の幅に応
じて変える必要がある。ステップ1が終了した後、キャ
リアフィルム2は巻きとられる。このとき、キャリアフ
ィルム2が薄いと、キャリアフィルム2に波うちが生
じ、グリーンシート1の厚さにばらつきが生じてしま
う。この現象はグリーンシート1の幅が広いほど顕著に
なる。特にグリーンシート1の幅が300mm以上のと
きには注意が必要である。図2(a)〜(e)を参照す
ると、第2のステップにおいて、グリーンシート1が所
定の大きさに切断される。図2(a)〜(e)の構造
は、最終的にセラミック多層配線基板15の第1層〜第
5層になるものである。グリーンシート1は、キャリア
フィルム2ごと切断される。図3(a)〜(e)を参照
すると、第3のステップにおいて、グリーンシート1
に、スルーホール3が設けられる。図3(a)〜(e)
の構造は、図2(a)〜(e)のものに対応している。
スルーホール3は、打ち抜きによって形成される。スル
ーホール3は、グリーンシート1だけでなく、キャリア
フィルム2をも貫通する。スルーホール3の直径は、そ
の用途によって変わる。信号配線用のスルーホール3の
場合、直径は50μm〜200μm程度である。電源用
のスルーホール3の場合、直径は200μm〜400μ
mである。第3のステップでは、グリーンシート1がキ
ャリアフィルム2に付着しているので、グリーンシート
1の変形が防止される。図4(a)〜(e)を参照する
と、第4のステップにおいて、グリーンシート1が厚板
4に張り付けられる。図4(a)〜(e)の構造は、図
3(a)〜(e)のものに対応している。厚板4として
は、吸水性が低く、寸法の変化が少ないものを用いる。
これらの条件を満たすものであれば、金属、ガラスおよ
び樹脂の何れの材料で形成しても構わない。厚板4の厚
さは0.5mm〜10mm程度である。グリーンシート
1の張り付けには接着剤を用いる。この接着剤として
は、適度な粘着力を有し、グリーンシート1と反応を起
こさないものを用いる。具体的には、グリーンシート1
を保持するのに十分であり、またグリーンシート1を剥
離するのに支障が生じない程度の接着力のものを用い
る。また、接着力を制御できる接着剤を用いるのも良
い。グリーンシート1を張り付けるときには、グリーン
シート1とスルーホール3の間に気泡が入らないように
注意する。第4のステップでは、グリーンシート1がキ
ャリアフィルム2に付着しているため、グリーンシート
1の変形が防止される。図5(a)〜(e)を参照する
と、第5のステップにおいて、スルーホール3に導体ペ
ースト6が埋め込まれる。図5(a)〜(e)の構造
は、図4(a)〜(e)のものに対応している。第5の
ステップでは、キャリアフィルム2がマスクの役割を果
たす。したがって、メタルマスクなどの特別のマスクを
用いる必要はない。導体ペースト6の材料は、金、銀、
銀−パラジウム、銅、タングステン、モリブデンなどで
ある。導体ペースト6の粘度は、300kcps〜50
0kcps程度である。第5のステップでは、次の点に
注意する必要がある。通常の工程では、設計データを用
いて直接メタルマスクを作成する。したがって、メタル
マスクで形成したスルーホールの位置は正確である。ス
ルーホールの位置が不正確であった場合、このスルーホ
ールには導体ペーストが埋め込まれない。したがって、
スルーホールの位置ずれを容易に判別することができ
る。これに対し、第4のステップではメタルマスクを用
いない。したがって、スルーホール3の位置ずれが容易
には判別できない。このため、このステップでは、スル
ーホール3の位置の検査を十分に行う必要がある。第5
のステップでは、グリーンシート1が厚板4に付着して
いるため、グリーンシート1の変形が防止される。図6
(a)〜(e)を参照すると、第6のステップにおい
て、グリーンシート1からキャリアフィルム2が剥離さ
れる。図6(a)〜(e)の構造は、図5(a)〜
(e)のものに対応している。第6のステップでは、グ
リーンシート1が厚板4に付着しているため、グリーン
シート1の変形が防止される。図7(a)〜(e)を参
照すると、第7のステップにおいて、グリーンシート1
上に導体パターン7が形成される。図7(a)〜(e)
の構造は、図6(a)〜(e)のものに対応している。
導体パターン7はスクリーン印刷法によって形成され
る。導体パターン7を形成する導体ペーストの材料は、
スルーホール3に埋め込まれる導体ペースト6と同じも
のである。ただし、その粘度は100kcp〜250k
cpである。使用するスクリーンのメッシュサイズは、
325メッシュである。形成される導体パターン7の配
線幅は、最小100μmである。導体パターン7の厚さ
は、乾燥後の寸法で、12μmである。第7のステップ
では、グリーンシート1が厚板4に付着しているため、
グリーンシート1の変形が防止される。上述した第1〜
第7のステップによって、セラミック多層配線基板15
の各層を形成するグリーンシート1が完成する。以下の
ステップでは、これらのグリーンシート1が積層、接続
される。図8を参照すると、これ以後のステップで、積
層金型9と上ポンチ10が用いられる。積層金型9の中
央には、ステージ16が設けられる。ステージ16は上
下に移動する。図8を参照すると、第8のステップで、
ステージ16の上に、ベース基板8が載置される。ベー
ス基板8は、無垢のセラミックグリーンシートである。
ベース基板8は、ステージ16上に緩やかに固定されて
いる。これは、ステージ16の表面端縁に穴を設け、こ
の穴を利用して真空吸着することによって行える。ま
た、ベース基板8をステージ16に軽く接着しても良
い。図9を参照すると、第9のステップとして、最上の
ベース基板8の表面に、有機溶剤または接着剤が塗布さ
れる。塗布位置は、ベース基板8の周辺部である。有機
溶剤および接着剤は、ともにセラミックグリーンシート
1を接着するためのバインダーである。有機溶剤または
接着剤は、ディスペンサ11によって塗布される。ま
た、スプレーで吹き付け、グリーンシート1の表面を有
機溶剤または接着剤で薄くコーティングしても良い。図
10を参照すると、第10のステップにおいて、位置決
めの後、グリーンシート1がベース基板8の上に載置さ
れる。このグリーンシート1は、図7(a)に示される
ものである。第10のステップでは、グリーンシート1
が厚板4に付着しているため、グリーンシート1の変形
が防止される。図11を参照すると、第11のステップ
において、上ポンチ10によって、グリーンシート1が
ベース基板8に押圧される。これによって、グリーンシ
ート1がベース基板8に固着し、位置ずれが防止され
る。第11のステップでは、グリーンシート1が厚板4
に付着しているため、グリーンシート1の変形が防止さ
れる。。図12を参照すると、第12のステップにおい
て、厚板4がベース基板8から取り外される。このと
き、グリーンシート1の変形を最小限に押さえながら、
厚板4を取り外すことが必要である。グリーンシート1
の変形を押さえる方法として、グリーンシート1と厚板
4の間に空気を送り込む方法がある。第12のステップ
では、グリーンシート1がベース基板8に固着している
ため、グリーンシート1の変形は最小限に押さえられ
る。図13を参照すると、第13のステップにおいて、
ベース基板8によって、グリーンシート1が切断され
る。第13のステップでは、グリーンシート1がベース
基板8に固着しているため、グリーンシート1の変形は
最小限に押さえられる。図14を参照すると、第14の
ステップにおいて、上述の第9〜第13のステップが繰
り返し実行され、図7(b)〜(e)のグリーンシート
1が順次積層される。積層されたグリーンシートは熱圧
着され、セラミックグリーンシート積層体13となる。
熱圧着は、温度110℃、圧力180kg/平行cmの
条件下で行われる。上述した第2〜第13の各ステップ
では、グリーンシート1の変形が最小限に押さえられて
いる。したがって、第14のステップで積層されるグリ
ーンシート1のスルーホールの位置ずれは少ない。この
ため、第1のステップで積層された各グリーンシート1
のスルーホール3は、正確に重なる。つまり、スルーホ
ール3の接続障害の発生率は少ない。図15を参照する
と、第15のステップにおいて、セラミックグリーンシ
ート焼成体14が焼成され、セラミックグリーンシート
焼成体14となる。焼成によって、各グリーンシート1
間のバインダーは消失する。焼成により、グリーンシー
ト1の大きさは10パーセント〜15パーセント程度収
縮する。図16を参照すると、第16のステップにおい
て、ベース基板8が研削され、セラミックグリーンシー
ト焼成体14から除去される。ベース基板8が除去され
ることにより、ベース基板8で被覆されていたスルーホ
ール3が露出する。これによって、セラミック多層配線
基板15が完成する。次に本発明の別の実施態様につい
て説明する。上述した実施例では、第9のステップにお
いて有機溶剤または接着剤を塗布しバインダーとした
が、これらの代わりに接着性のあるシートを用いても良
い。ただし、第14のステップで焼成工程で、消失する
材質のものを用いる必要がある。以上のように、本発明
のセラミック多層配線基板の製造方法では、キャリアフ
ィルム2および厚板4に付着させたまま、グリーンシー
ト1に加工を施すようにした。このため、各ステップ実
行中のグリーンシート1の変形は最小限に押さえられ
る。具体的には、従来の製造方法におけるスルーホール
の位置ずれが60μmであったのに対し、本発明の製造
方法では、これが20μm程度まで減少する。スルーホ
ールの位置ずれが減少するため、スルーホールの接続障
害の発生率を減少することができる。つまり、セラミッ
ク多層配線基板の信頼性が向上する。また、より小径の
スルーホールを形成することも可能になる。つまり、セ
ラミック多層配線基板上の実装密度が向上する。また、
これらの効果は、膜厚が薄くなったり、材料の変化によ
って、グリーンシート1の強度が低下した場合にも有効
である。また、本発明は、スルーホール3の形成工程に
おいて、メタルマスクを不要とするという効果をも達成
する。
配線基板の製造方法では、キャリアフィルム2および厚
板4によってグリーンシート1を保持したまま、グリー
ンシート1に加工を施すようにした。このため、スルー
ホール3の位置ずれが最小限に押さえられる。これによ
って、スルーホール3の接続障害の発生率が減少すると
いう効果が達成される。
Claims (5)
- 【請求項1】 キャリアフィルム上にセラミックグリー
ンシートを形成する第1のステップと、 前記キャリアフィルム上に付着したまま状態で前記セラ
ミックグリーンシートにスルーホールを形成する第2の
ステップと、 前記キャリアフィルムに付着したままの状態で前記セラ
ミックグリーンシートを厚板に張り付ける第3のステッ
プと、 前記キャリアフィルムに付着したままの状態で前記セラ
ミックグリーンシートの前記スルーホールに導体ペース
トを埋め込む第4のステップと、 前記セラミックグリーンシートから前記キャリアフィル
ムを除去する第5のステップと、 前記セラミックグリーンシートを他のセラミックグリー
ンシート上に仮接着する第6のステップと、 前記セラミックグリーンシートから前記基板を除去する
第7のステップと、 前記第1のステップから第7のステップまでのステップ
を繰り返すことにより前記セラミックグリーンシートを
順次積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する
第8のステップと、 前記セラミックグリーンシート積層体を焼成する第9の
ステップとを含むことを特徴とするセラミック多層配線
基板の製造方法。 - 【請求項2】 前記第4のステップにおいて、前記グリ
ーンシート上に導体層も形成されることを特徴とする請
求項1記載のセラミック多層配線基板の製造方法。 - 【請求項3】 前記第2のステップにおいて、前記セラ
ミックグリーンシートに設けられたスルーホールが前記
キャリアシートをも貫通し、 前記第4のステップにおいて、前記キャリアシートが前
記導体ペーストのマスクになることを特徴とする請求項
1記載のセラミック多層配線基板の製造方法。 - 【請求項4】 前記セラミックグリーンシート積層体が
ベース基板上に形成され、前記第9のステップで前記セ
ラミックグリーンシート積層体が焼成された後に前記ベ
ース基板が除去されることを特徴とする請求項1記載の
セラミック多層配線基板の製造方法。 - 【請求項5】 前記第1のステップにおいて、前記キャ
リアシート上にセラミックスラリーがキャスティングさ
れることにより前記セラミックグリーンシートが形成さ
れることを特徴とする請求項1記載のセラミック多層配
線基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5352380A JP2581436B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | セラミック多層配線基板の製造方法 |
CA002139267A CA2139267C (en) | 1993-12-29 | 1994-12-29 | Multi-layer wiring substrate |
US08/366,602 US5792293A (en) | 1993-12-29 | 1994-12-29 | Method of fabricating a multi-layer wiring substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5352380A JP2581436B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | セラミック多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07202437A true JPH07202437A (ja) | 1995-08-04 |
JP2581436B2 JP2581436B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=18423681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5352380A Expired - Lifetime JP2581436B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | セラミック多層配線基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5792293A (ja) |
JP (1) | JP2581436B2 (ja) |
CA (1) | CA2139267C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022097370A1 (ja) * | 2020-11-06 | 2022-05-12 | 株式会社村田製作所 | 構造体および電子部品付き構造体 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19615694C1 (de) * | 1996-04-19 | 1997-07-03 | Siemens Ag | Monolithischer Vielschicht-Piezoaktor und Verfahren zur Herstellung |
JP3344956B2 (ja) * | 1998-01-08 | 2002-11-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 積層セラミック基板の製造方法 |
US6413340B1 (en) * | 1998-10-20 | 2002-07-02 | Tdk Corporation | Method for the preparation of laminated inductor device |
JP3531573B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2004-05-31 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置 |
DE10016429C2 (de) * | 2000-04-01 | 2002-06-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Mehrschicht-Aktoren |
US6669805B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-12-30 | International Business Machines Corporation | Drill stack formation |
US6631675B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Screening method for double pass screening |
US6955737B2 (en) * | 2003-06-30 | 2005-10-18 | International Business Machines Corporation | Supported greensheet structure and method in MLC processing |
US7204900B1 (en) * | 2004-04-29 | 2007-04-17 | Northrop Grumman Corporation | Method of fabricating structures using low temperature cofired ceramics |
JP4609008B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2011-01-12 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造方法および多層印刷配線板 |
US8198547B2 (en) | 2009-07-23 | 2012-06-12 | Lexmark International, Inc. | Z-directed pass-through components for printed circuit boards |
US9078374B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-07-07 | Lexmark International, Inc. | Screening process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board |
US8943684B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-02-03 | Lexmark International, Inc. | Continuous extrusion process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board |
US20130341078A1 (en) | 2012-06-20 | 2013-12-26 | Keith Bryan Hardin | Z-directed printed circuit board components having a removable end portion and methods therefor |
US8790520B2 (en) * | 2011-08-31 | 2014-07-29 | Lexmark International, Inc. | Die press process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board |
US9009954B2 (en) * | 2011-08-31 | 2015-04-21 | Lexmark International, Inc. | Process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board using a sacrificial constraining material |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5176772A (en) * | 1989-10-05 | 1993-01-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Process for fabricating a multilayer ceramic circuit board |
JP2504277B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1996-06-05 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品用セラミックグリ―ンシ―トの製造方法および装置 |
JP3166251B2 (ja) * | 1991-12-18 | 2001-05-14 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層電子部品の製造方法 |
CA2093407C (en) * | 1992-04-06 | 1997-12-09 | Jun Inasaka | Method for fabricating a ceramic multi-layer substrate |
US5480503A (en) * | 1993-12-30 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Process for producing circuitized layers and multilayer ceramic sub-laminates and composites thereof |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP5352380A patent/JP2581436B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-29 CA CA002139267A patent/CA2139267C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-29 US US08/366,602 patent/US5792293A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022097370A1 (ja) * | 2020-11-06 | 2022-05-12 | 株式会社村田製作所 | 構造体および電子部品付き構造体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2139267A1 (en) | 1995-06-30 |
US5792293A (en) | 1998-08-11 |
CA2139267C (en) | 1999-08-31 |
JP2581436B2 (ja) | 1997-02-12 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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