JP2581431B2 - Method for manufacturing multilayer wiring board - Google Patents

Method for manufacturing multilayer wiring board

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JP2581431B2
JP2581431B2 JP33473493A JP33473493A JP2581431B2 JP 2581431 B2 JP2581431 B2 JP 2581431B2 JP 33473493 A JP33473493 A JP 33473493A JP 33473493 A JP33473493 A JP 33473493A JP 2581431 B2 JP2581431 B2 JP 2581431B2
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multilayer wiring
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wiring board
layer
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は基板同士の貼り合わせ積
層方式を用い、各層を形成する多層配線基板の製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a multilayer wiring board in which each layer is formed by using a laminating method of bonding substrates.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSIチップを搭載する配線基板とし
て、従来から多層プリント配線基板の製造方法の一例を
特開平2−228095号公報を参照できる。多層プリ
ント配線基板の一例は、銅張積層板をコア材に、プリプ
レグをコア材の接着剤として構成され、コア材とプリプ
レグが交互に積層され熱プレスが使用されて一体化され
る。積層板間の電気接続はコア材とプリプレグとが一体
化された後、ドリルによって貫通スルーホールが形成さ
れ、貫通スルーホール内壁に銅メッキされる。また、近
年、多層プリント配線基板より高配線密度を要求されて
いる大型コンピュータ用配線基板に、セラミック基板上
にポリイミド樹脂を層間絶縁に使用した多層配線基板が
使用されてきている。このポリイミド・セラミック多層
配線基板の製造方法は、セラミック基板上にポリイミド
前駆体ワニスを塗布、乾燥し、この塗布膜にブァイホー
ルを形成するポリイミド樹脂絶縁層形成工程と、フォト
リソグラフィー、真空蒸着およびメッキ法を使用した配
線層形成工程とからなり、かつ、この一連の工程を繰り
返すことにより、ポリイミド多層配線層の形成を行なっ
ていた。
2. Description of the Related Art As an example of a wiring board on which an LSI chip is mounted, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-228095 can be referred to as an example of a conventional method of manufacturing a multilayer printed wiring board. One example of a multilayer printed wiring board is configured by using a copper-clad laminate as a core material and a prepreg as an adhesive for the core material, and the core material and the prepreg are alternately laminated and integrated using a hot press. In the electrical connection between the laminated plates, a through-hole is formed by a drill after the core material and the prepreg are integrated, and the inner wall of the through-hole is plated with copper. Further, in recent years, a multilayer wiring board using a polyimide resin for interlayer insulation on a ceramic substrate has been used as a wiring board for a large computer which requires a higher wiring density than a multilayer printed wiring board. The method for manufacturing the polyimide / ceramic multilayer wiring board includes a polyimide resin insulating layer forming step of applying and drying a polyimide precursor varnish on a ceramic substrate and forming a via hole in the coating film, and a photolithography, vacuum evaporation and plating method. And a series of steps are repeated to form a polyimide multilayer wiring layer.

【0003】また、上述したポリイミド・セラミック多
層配線基板の形成方法とは別に、同時に多数の補助基板
上に形成されたポリイミド多層配線パターンをセラミッ
ク基板上に位置合わせし仮積層後に加熱加圧し多層配線
基板を形成する方法もある。この場合補助基板は、ポリ
イミド多層配線層内に残すタイプと剥離するタイプがあ
る。この方法は、補助基板毎に電気検査を行い、欠陥の
ない補助基板を選別して積層することが可能となり、上
述した逐次積層方法よりも製造歩留まりをあげることが
でき、また補助基板上において平行してポリイミド層の
積層をすることができるためポリイミド多層配線層の製
造日数の短縮が可能であった。
In addition to the above-described method for forming a polyimide / ceramic multilayer wiring board, a polyimide multilayer wiring pattern formed on a large number of auxiliary substrates is simultaneously positioned on a ceramic substrate, temporarily laminated, and then heated and pressed to form a multilayer wiring. There is also a method of forming a substrate. In this case, the auxiliary substrate includes a type that is left in the polyimide multilayer wiring layer and a type that is separated. This method makes it possible to conduct an electrical inspection for each auxiliary substrate, to select and stack auxiliary substrates without defects, to increase the manufacturing yield compared to the above-described sequential lamination method, and to perform parallel processing on the auxiliary substrate. As a result, the number of days for manufacturing the polyimide multilayer wiring layer can be reduced.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述した多層プリント
配線基板は、積層板間の電気的接続をドリル加工で形成
した貫通スルーホールで行なうため、微細の貫通スルー
ホールの形成は不可能であり、そのためスルーホール間
に形成できる配線本数が限られていくる。また、一つの
積層板間の接続に一つの貫通スルーホールが必要とな
り、積層数が増えるほど信号配線収容性が低下し、高配
線密度の多層プリント配線基板を形成することが困難に
なっってくるという欠点があった。
In the above-mentioned multilayer printed wiring board, electrical connection between the laminated boards is performed by through-holes formed by drilling, so that fine through-holes cannot be formed. Therefore, the number of wirings that can be formed between through holes is limited. In addition, one through-hole is required for connection between one laminated board. As the number of laminated boards increases, the signal wiring accommodating property decreases, and it becomes difficult to form a multilayer printed wiring board having a high wiring density. There was a disadvantage of coming.

【0005】また、上述した従来の多層プリント配線基
板の欠点を補うために、最近開発されたポリイミド・セ
ラミック多層配線基板は、ポリイミド絶縁層の積層数と
同じ回数だけ、セラミック基板上にポリイミド前駆体ワ
ニスの塗布、乾燥、ヴァイホールの形成、及びキュアの
各工程を繰り返す必要がある。そのため、多層配線基板
の積層工程に、非常に時間がかかる。また、ポリイミド
絶縁層の形成工程が繰り返されるため、多層配線層の下
層部分のポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の
熱ストレスが加わり、このため、ポリイミド樹脂が劣化
するという欠点があった。さらにこのポリイミド多層配
線層は逐次積層方式であるため製造歩留まりの向上が困
難であるという欠点がある。
In order to compensate for the above-mentioned drawbacks of the conventional multilayer printed wiring board, a recently developed polyimide-ceramic multilayer wiring board uses a polyimide precursor on a ceramic substrate as many times as the number of laminated polyimide insulating layers. It is necessary to repeat the steps of varnish application, drying, formation of via holes, and curing. Therefore, it takes a very long time for the lamination process of the multilayer wiring board. Further, since the process of forming the polyimide insulating layer is repeated, the polyimide resin in the lower layer portion of the multilayer wiring layer is subjected to thermal stress in the curing process many times, and thus the polyimide resin is deteriorated. Further, since this polyimide multilayer wiring layer is of a sequential lamination type, there is a drawback that it is difficult to improve the production yield.

【0006】また、製造歩留まりを向上させ基板作成日
数を短縮する多層配線基板の製造方法として、補助基板
を用いた積層方式も基板作成工数の削減にはならず、ま
た複数の基板上に平行して積層を行って行くため、ポリ
イミドワニスやレジストコーティング時のむだ、および
その他の材料の使用量は、逐次積層方式に比べて多いと
いう欠点があった。
Further, as a method of manufacturing a multilayer wiring board for improving the manufacturing yield and shortening the number of days for manufacturing the board, a lamination method using an auxiliary board does not reduce the number of steps for manufacturing the board. Since the lamination is performed, the amount of waste of polyimide varnish and resist coating and the amount of other materials used is large compared with the sequential lamination method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】多層配線基板の第1の製
造方法は、一枚の多層配線基板に必要な各層のパターン
を、少なくとも前記基板の4倍以上の面積を有する大型
基板上で作成する作成工程と、この作成工程で作成され
た前記大型基板を各層のパターン毎に切断する切断工程
と、多層配線基板のベースとなる内部に導体層を有する
基板上に、前記切断工程で切断された基板で最下層のパ
ターンが形成された基板を位置合わせし、仮止め積層
し、その後基板のみを剥離する積層剥離工程と、この積
層剥離工程で形成された積層基板上に下層のパターンが
形成された基板から位置合わせ、仮止め積層、および基
板剥離を所定の層数になるまで繰り返す繰返工程と、こ
の繰返工程で形成された積層基板を所定の圧力と温度下
でプレスし、各層間の電気的、機械的接続を得る工程と
を含むことを特徴とする。
According to a first method of manufacturing a multilayer wiring board, a pattern of each layer required for one multilayer wiring board is formed on a large-sized substrate having an area at least four times or more that of the substrate. Forming step, a cutting step of cutting the large substrate created in this forming step for each layer pattern, and cutting on the substrate having a conductive layer inside serving as a base of the multilayer wiring board, in the cutting step The substrate on which the pattern of the lowermost layer has been formed is aligned with the substrate that has been formed, temporarily laminated, and then the laminating and peeling step of peeling off only the substrate, and the lower layer pattern is formed on the laminated substrate formed in the laminating and peeling step A positioning process, a temporary fixing lamination, and a repeated process of repeating the substrate peeling until a predetermined number of layers are formed from the substrate, and pressing the laminated substrate formed in the repetitive process under a predetermined pressure and temperature, Between layers Electrical, characterized in that it comprises a step of obtaining a mechanical connection.

【0008】本発明の第2の多層配線基板の製造方法
は、複数の多層配線基板に必要な最下層の同一層のパタ
ーンを、少なくとも前記基板の4倍以上の面積を有する
大型基板上で作成する作成工程と、この作成工程で作成
された前記大型基板を各パターン毎に切断する切断工程
と、複数の多層配線基板のベースとなる内部に導体層を
有する基板上に、前記切断工程で切断された基板で最下
層のパターンが形成された各基板を位置合わせを行い仮
止め積層し、その後基板のみを剥離する積層剥離工程
と、この積層剥離工程で形成された複数の積層基板上に
上層のパターンを形成した各基板の位置合わせ、仮止め
積層、および基板剥離を所定の層数に達するまで繰返し
行う繰返工程と、この繰返工程で形成された積層基板を
所定の圧力と温度下でプレスし、各層間の電気的、機械
的接続を得る工程とを含むことを特徴とする
According to a second method of manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, a pattern of the same lowermost layer required for a plurality of multilayer wiring boards is formed on a large-sized substrate having at least four times or more the area of the substrate. Forming step, a cutting step of cutting the large substrate formed in this forming step for each pattern, and cutting the substrate having a conductive layer inside as a base of a plurality of multilayer wiring boards in the cutting step The substrate on which the pattern of the lowermost layer is formed is aligned and temporarily fixed and laminated, and then, only the substrate is peeled off, and the upper layer is formed on the plurality of laminated substrates formed in the laminating step. A repetitive process of repeatedly performing positioning, temporary lamination, and substrate peeling of each substrate having the pattern formed thereon until a predetermined number of layers are reached, and subjecting the laminated substrate formed in this repetitive process to a predetermined pressure and temperature. so Resushi, electrical of the layers, characterized in that it comprises a step of obtaining a mechanical connection

【実施例】次に本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0009】まず本発明の第1の実施例について図1
(1)から図3(4)を参照して詳細に説明する。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
This will be described in detail with reference to (1) to FIG.

【0010】図1(1)を参照すると、まずエキシマレ
ーザを透過する石英ガラス基板10が準備される。この
第1の実施例では210mm×210mmの大きさの基
板が用いられている。
Referring to FIG. 1A, first, a quartz glass substrate 10 that transmits an excimer laser is prepared. In the first embodiment, a substrate having a size of 210 mm × 210 mm is used.

【0011】図1(2)を参照すると、次に前記石英ガ
ラス基板10上にポリイミド前駆体が塗布され、プリキ
ュア、およびキュアが行われ、0.2μm厚のポリイミ
ド樹脂層11が形成される(以下、ポリイミド樹脂層形
成ステップ)。このポリイミド樹脂層11は後工程の石
英ガラス基板10の剥離時にエッチングされるため厚い
膜厚は要求されない。
Referring to FIG. 1B, a polyimide precursor is applied on the quartz glass substrate 10, followed by pre-curing and curing to form a 0.2 μm-thick polyimide resin layer 11 (FIG. 1B). Hereinafter, a polyimide resin layer forming step). Since the polyimide resin layer 11 is etched when the quartz glass substrate 10 is peeled off in a later step, a thick film thickness is not required.

【0012】図1(3)を参照すると、前記ポリイミド
樹脂11上に4種類のメタルパターンが形成される。一
実施例の場合、4種類のメタルパターンはLSI搭載用
パッド12、第1の信号配線パターン13、第2の信号
配線パターン118、電源およびグランドパターン14
である。メタルパターンはフォトレジストを使用したフ
ォトリソグラフィーでパターン化し、電解メッキにより
金Au/ニッケルNi/金Auの層構成で形成される。
各層の膜厚は金Au/ニッケルNi/金Auに対して4
μm/2μm/4μmである。ニッケルNiは後工程で
使用する半田金属に対するバリア層である。またこの
時、後工程の仮止め積層時の位置合わせに使用されるX
,Y ,θの位置決め用アライメントマーク15が各メ
タルパターン毎に3個所同時に形成される。
Referring to FIG. 1C, four types of metal patterns are formed on the polyimide resin 11. In the case of one embodiment, the four types of metal patterns are an LSI mounting pad 12, a first signal wiring pattern 13, a second signal wiring pattern 118, a power supply and a ground pattern 14.
It is. The metal pattern is patterned by photolithography using a photoresist, and formed in a layer structure of gold Au / nickel Ni / gold Au by electrolytic plating.
The thickness of each layer is 4 for gold Au / nickel Ni / gold Au.
μm / 2 μm / 4 μm. Nickel Ni is a barrier layer for a solder metal used in a later step. Also, at this time, X used for positioning during the temporary lamination
, Y, and θ are simultaneously formed at three locations for each metal pattern.

【0013】図1(4)を参照すると、前記メタルパタ
ーン上にポリイミド系接着剤16が塗布され、ベーキン
グおよびキュアが行なわれる。キュア後の膜厚は10μ
mである。ポリイミド系樹脂は、高絶縁性と低誘電率と
を有する良質の絶縁体であり多層配線基板の薄膜多層配
線部の絶縁材料としてよく用いられているものである。
Referring to FIG. 1D, a polyimide adhesive 16 is applied on the metal pattern, and baking and curing are performed. Film thickness after cure is 10μ
m. A polyimide resin is a high-quality insulator having high insulating properties and a low dielectric constant, and is often used as an insulating material for a thin-film multilayer wiring portion of a multilayer wiring board.

【0014】図1(5)を参照すると、次にポリイミド
系接着剤16上にホトレジスト17が塗布され、フォト
リソグラフィー技術を用いて所定の位置のパターンニン
グが行われる。この時レジストには、エキシマレーザに
対するレートの違いからポリイミド系接着剤の膜厚10
μmに対して2倍以上の膜厚が要求される。エキシマレ
ーザ19としてはKrFエキシマレーザが用いられ、発
振数200Hz、および0.8J/cm2 のエネルギー
密度で1ケ所200ショットの条件でスキャンする。エ
キシマレーザは、紫外域で発振するにもかかわらず大出
力レーザとして、現在広い用途に使用されようとしてい
る。
Referring to FIG. 1 (5), a photoresist 17 is applied on a polyimide-based adhesive 16, and patterning is performed at a predetermined position using a photolithography technique. At this time, the thickness of the polyimide-based adhesive is 10
A film thickness more than twice as large as μm is required. A KrF excimer laser is used as the excimer laser 19, and scanning is performed at 200 oscillations at one place at an oscillation frequency of 200 Hz and an energy density of 0.8 J / cm 2 . Excimer lasers are about to be used for a wide range of applications as high-power lasers despite their oscillation in the ultraviolet region.

【0015】図2(1)を参照すると、エキシマレーザ
スキャン後メチルエチルケトンでレジストが剥離され、
酸素プラズマアッシングでポリイミド系接着剤のビアホ
ール底に残っているススが除去される。こうしてポリイ
ミド系接着剤のビアホール110が形成される。この第
1の実施例のビアホール系は150μmである。
Referring to FIG. 2A, after excimer laser scanning, the resist is stripped with methyl ethyl ketone.
The soot remaining on the bottom of the via hole of the polyimide adhesive is removed by oxygen plasma ashing. Thus, a via hole 110 made of a polyimide-based adhesive is formed. The via hole system of the first embodiment is 150 μm.

【0016】図2(2)を参照すると、ポリイミド系接
着剤のビアホール底に露出したメタル部分に接続用バン
プ111がメッキで形成される。バンプはホトレジスト
を使用したフォトリソグラフィーでパターン化され、電
解ニッケルメッキ、電解金メッキ、電解錫メッキ、およ
び電解金メッキの多層メッキで形成される。ニッケルメ
ッキは金/錫ハンダ金属の金配線層への拡散防止層であ
る。各メッキ厚はニッケル3μm、金8μm、錫11μ
m、および金8μmであり、バンプ系は100μmであ
る。この時、金と錫の重量%は金:錫=4:1で形成さ
れる。
Referring to FIG. 2B, a connection bump 111 is formed by plating on a metal portion of the polyimide adhesive exposed at the bottom of the via hole. The bumps are patterned by photolithography using a photoresist, and are formed by multilayer plating of electrolytic nickel plating, electrolytic gold plating, electrolytic tin plating, and electrolytic gold plating. Nickel plating is a layer for preventing gold / tin solder metal from diffusing into the gold wiring layer. Each plating thickness is nickel 3μm, gold 8μm, tin 11μ
m, and gold 8 μm, and the bump system is 100 μm. At this time, the weight percentage of gold and tin is 4: 1.

【0017】図2(3)を参照すると、以上の工程で形
成された基板が各パターン毎にダイシングソーの刃、す
なわちブレード112を用いて切断される(以下切断ス
テップ)。この実施例の場合、4種類のメタルパターン
から成り立っているため基板が4分割される。
Referring to FIG. 2C, the substrate formed in the above process is cut for each pattern by using a blade of a dicing saw, that is, a blade 112 (hereinafter, a cutting step). In the case of this embodiment, the substrate is divided into four parts because it is composed of four types of metal patterns.

【0018】図2(4)を参照すると、内部に導体層を
含み、表面に電源供給層およびグランド配線層を有する
多層配線基板115上に上記切断ステップで切断した内
部に第1の信号配線パターン13を有する基板が仮積層
される。この時アライメントマーク15を用いて位置合
わせが行われ、全面スプレイタイプの仮止め用接着剤1
14で基板間を固定する。仮積層は、常温で1kg/c
2 の加圧下で約2分を要する。こうして得られた積層
体に石英ガラス基板越しにKrFエキシマレーザ19が
照射される。この時前記ポリイミド樹脂層形成ステップ
で形成したポリイミド層が石英ガラス基板越しにエッチ
ングされ、石英ガラス基板10は積層体から剥離され
る。KrFエキシマレーザは、発振数200Hz、0.
8J/cm2 のエネルギー密度で1ケ所2ショットの条
件でスキャンする。
Referring to FIG. 2D, a first signal wiring pattern is formed on a multilayer wiring board 115 including a conductor layer therein and having a power supply layer and a ground wiring layer on its surface, which is cut in the above cutting step. 13 are temporarily laminated. At this time, the alignment is performed using the alignment mark 15, and the entire surface of the spray type temporary fixing adhesive 1 is used.
At 14, the substrates are fixed. Temporary lamination is 1kg / c at room temperature
It takes about 2 minutes under a pressure of m 2. The KrF excimer laser 19 is irradiated onto the laminated body obtained through the quartz glass substrate. At this time, the polyimide layer formed in the polyimide resin layer forming step is etched through the quartz glass substrate, and the quartz glass substrate 10 is separated from the laminate. The KrF excimer laser has an oscillation frequency of 200 Hz and a frequency of 0.2 Hz.
Scanning is performed at an energy density of 8 J / cm 2 at one place and two shots.

【0019】図2(5)を参照すると、次に、石英ガラ
ス基板の剥離後、酸素プラズマアッシングで積層体表面
のススが除去され、メタルパターン表面が露出される。
Referring to FIG. 2 (5), next, after the quartz glass substrate is peeled off, soot on the surface of the laminated body is removed by oxygen plasma ashing, and the surface of the metal pattern is exposed.

【0020】図3(1)を参照すると、前記切断ステッ
プ以後の工程と同様な条件で前記積層体表面に切断ステ
ップで切断した内部に第2の信号配線パターン118を
有する基板が仮積層され、石英ガラス基板が剥離され
る。
Referring to FIG. 3A, a substrate having a second signal wiring pattern 118 is temporarily laminated on the surface of the laminated body cut by the cutting step under the same conditions as those after the cutting step. The quartz glass substrate is peeled off.

【0021】図3(2)を参照すると、同様に前記積層
体表面に内部に電源およびグランドパターンを有する基
板、内部にLSI搭載用パッドを有する基板の順番で仮
積層および基板剥離が繰り返され一つの積層体が得られ
る。
Referring to FIG. 3B, the temporary lamination and the substrate peeling are similarly repeated in the order of a substrate having a power supply and a ground pattern on the surface of the laminated body and a substrate having an LSI mounting pad on the surface. One laminate is obtained.

【0022】図3(3)を参照すると、このような工程
で形成された積層体がオートクレーブ装置を用いて真空
下で加圧、加熱され、仮止めされた各層間のポリイミド
系接着剤同士と電極同士との本接着が行われる。本接着
は、350℃、20kg/cm2 の加圧下で約30分保
持するようなプレスプロファイルを用いて行われる。こ
の時、ポリイミド系接着剤は流動性を示し、ポリイミド
系接着剤同士が一体化するため、層間で良好な密着力が
得られる。同時に、金と錫の多層メッキで形成されてい
るバンプがその共晶点である280℃で融解され、相手
方のメタル金属と接続され、プレス後で層間の良好な電
気的接続が得られることになる。仮止め用接着剤は、3
50℃下で完全に熱分解され、層間の電気的接続を妨げ
ることはない。
Referring to FIG. 3 (3), the laminate formed in such a process is pressurized and heated under vacuum using an autoclave apparatus, and the polyimide-based adhesives between the temporarily fixed layers are bonded to each other. The actual bonding between the electrodes is performed. The actual bonding is performed using a press profile that is held at 350 ° C. under a pressure of 20 kg / cm 2 for about 30 minutes. At this time, the polyimide-based adhesive exhibits fluidity and the polyimide-based adhesives are integrated with each other, so that good adhesion between the layers can be obtained. At the same time, the bumps formed by multi-layer plating of gold and tin are melted at the eutectic point of 280 ° C. and connected to the other metal metal, so that good electrical connection between the layers can be obtained after pressing. Become. Adhesive for temporary fixing is 3
It is completely thermally decomposed at 50 ° C. and does not disturb the electrical connection between layers.

【0023】図3(4)を参照すると、最後に、ベース
多層配線基板裏面の所定の位置に入出力信号ピンおよび
電源ピン11が組み立てられる。
Referring to FIG. 3D, finally, input / output signal pins and power supply pins 11 are assembled at predetermined positions on the back surface of the base multilayer wiring board.

【0024】次に本発明の第2の実施例について、図4
(1)から図6(3)を参照して詳細に説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described in detail with reference to (1) to FIG.

【0025】図4(1)を参照すると、まずエキシマレ
ーザを透過する石英ガラス基板20が準備される。この
第2の実施例では210mm×210mmの大きさの基
板が用いられている。
Referring to FIG. 4A, first, a quartz glass substrate 20 that transmits an excimer laser is prepared. In the second embodiment, a substrate having a size of 210 mm × 210 mm is used.

【0026】図4(2)を参照すると、前記石英ガラス
基板20上にポリイミド前駆体が塗布され、プリキュ
ア、キュアが行われ、0.2μm厚のポリイミド樹脂層
21が形成される(以下ポリイミド層形成ステップ)。
このポリイミド樹脂層21は後工程の石英ガラス基板2
0の剥離時にエッチングされるため厚い膜厚は要求され
ない。
Referring to FIG. 4B, a polyimide precursor is applied on the quartz glass substrate 20, precured and cured to form a 0.2 μm thick polyimide resin layer 21 (hereinafter referred to as a polyimide layer). Forming step).
This polyimide resin layer 21 is used for the quartz glass substrate 2 in a later process.
Since it is etched at the time of separation of 0, a thick film thickness is not required.

【0027】図4(3)を参照すると、前記ポリイミド
樹脂21上に1種類のメタルパターンが4層分形成され
る。この第2の実施例の場合、形成するメタルパターン
はまず第1の信号配線パターン22である。メタルパタ
ーンはフォトレジストを使用したフォトリソグラフィー
でパターン化され、電解メッキにより金Au/ニッケル
Ni/金Auの層構成で形成される。各層の膜厚は金A
u/ニッケルNi/金Au=4μm/2μm/4μmで
ある。ニッケルNiは後工程で使用する半田金属に対す
るバリア層である。またこの時、後工程の仮止め積層時
の位置合わせに使用されるX ,Y ,θの位置決め用のア
ライメントマーク23が各1層分のメタルパターン毎に
3個所同時に形成される。
Referring to FIG. 4C, one type of metal pattern is formed on the polyimide resin 21 for four layers. In the case of the second embodiment, the metal pattern to be formed is first the first signal wiring pattern 22. The metal pattern is patterned by photolithography using a photoresist, and is formed in a layer structure of gold Au / nickel Ni / gold Au by electrolytic plating. The thickness of each layer is gold A
u / nickel Ni / gold Au = 4 μm / 2 μm / 4 μm. Nickel Ni is a barrier layer for a solder metal used in a later step. Further, at this time, three alignment marks 23 for positioning X, Y, and θ, which are used for alignment at the time of temporary lamination in a subsequent process, are simultaneously formed for each metal pattern of one layer.

【0028】図4(4)を参照すると、前記メタルパタ
ーン上にポリイミド接着剤が塗布され、ベーキングおよ
びキュアが行われる。キュア後の膜厚は10μmであ
る。ポリイミド系樹脂は、高絶縁性と低誘電率とを有す
る良質の絶縁体であり多層配線基板の薄膜多層配線部の
絶縁材料としてよく用いられているものである。
Referring to FIG. 4D, a polyimide adhesive is applied on the metal pattern, and baking and curing are performed. The film thickness after curing is 10 μm. A polyimide resin is a high-quality insulator having high insulating properties and a low dielectric constant, and is often used as an insulating material for a thin-film multilayer wiring portion of a multilayer wiring board.

【0029】図4(5)を参照すると、前記ポリイミド
系接着剤24上にホトレジスト25が塗布され、フォト
リソグラフィー技術を用いて所定の位置のパターンニン
グが行われる。この時レジストには、エキシマレーザに
対するレートの違いからポリイミド系接着剤の膜厚10
μmに対して2倍以上の膜厚が要求される。エキシマレ
ーザ27はKrFエキシマレーザを用い、発振数200
Hz、0.8J/cm2 のエネルギー密度で1ケ所20
0ショットの条件でスキャンする。エキシマレーザは、
紫外域で発振するにもかかわらず大出力レーザとして、
現在広い用途に使用されるようとしている。
Referring to FIG. 4 (5), a photoresist 25 is applied on the polyimide adhesive 24, and patterning is performed at a predetermined position by using a photolithography technique. At this time, the thickness of the polyimide-based adhesive is 10
A film thickness more than twice as large as μm is required. The excimer laser 27 uses a KrF excimer laser and has an oscillation number of 200.
Hz, energy density of 0.8 J / cm 2 at one location 20
Scan under the condition of 0 shot. Excimer laser
As a high power laser despite oscillating in the ultraviolet range,
It is currently being used for a wide range of purposes.

【0030】図5(1)を参照すると、エキシマレーザ
スキャン後メチルエチルケトンが剥離され、酸素プラズ
マアッシングでポリイミド系接着剤のビアホール底に残
っているススが除去される。こうしてポリイミド系接着
剤のビアホール28が形成される。この第2の実施例の
ビアホール系は150μmである。
Referring to FIG. 5A, the methyl ethyl ketone is peeled off after the excimer laser scan, and the soot remaining on the bottom of the via hole of the polyimide adhesive is removed by oxygen plasma ashing. Thus, a via hole 28 of the polyimide-based adhesive is formed. The via hole system of the second embodiment is 150 μm.

【0031】図5(2)を参照すると、前記ポリイミド
系接着剤のビアホール底に露出したメタル部分に接続用
バンプ29がメッキで形成される。バンプはホトレジス
トを使用したフォトリソグラフィーでパターン化され、
電解ニッケルメッキ電解金メッキ、電解錫メッキ、およ
び電解金メッキの多層メッキで形成される。ニッケルメ
ッキは金/錫ハンダ金属の金配線層への拡散防止層であ
る。各メッキ層はニッケル3μm、金8μm、錫11μ
m、および金8μmであり、バンプ系は100μmであ
る。この時、金と錫の重量%は金:錫=4:1で形成さ
れる。
Referring to FIG. 5B, a connection bump 29 is formed by plating on a metal portion of the polyimide adhesive exposed at the bottom of the via hole. The bumps are patterned by photolithography using photoresist,
It is formed by multilayer plating of electrolytic nickel plating, electrolytic gold plating, electrolytic tin plating, and electrolytic gold plating. Nickel plating is a layer for preventing gold / tin solder metal from diffusing into the gold wiring layer. Each plating layer is nickel 3μm, gold 8μm, tin 11μ
m, and gold 8 μm, and the bump system is 100 μm. At this time, the weight percentage of gold and tin is 4: 1.

【0032】図5(3)を参照すると、上述の工程で形
成された基板が各1層分のパターン毎にダイシングソー
の刃、ブレード211を用いて切断される(以下切断ス
テップ)。この第2の実施例の場合、4層分のメタルパ
ターンから成り立っているため基板が4分割される。
Referring to FIG. 5C, the substrate formed in the above-described process is cut for each one-layer pattern using a dicing saw blade and a blade 211 (hereinafter, a cutting step). In the case of the second embodiment, the substrate is divided into four parts because the substrate is composed of four metal patterns.

【0033】図5(4)を参照すると、内部に導体層を
含み、表面に電源供給層およびグランド配線層を有する
4枚の多層配線基板212上に前記切断ステップで切断
された内部に信号配線パターン122を有する基板がそ
れぞれ仮積層される。この時位置決めアライメントマー
ク23を用いて位置合わせが行われ、全面スプレイタイ
プの仮止め用接着剤214が基板間が固定される。仮積
層は、常温で1kg/cm2 の加圧下で約2分を要す
る。こうして得られた積層体に石英ガラス基板越しにK
rFエキシマレーザ27を照射する。この時前記ポリイ
ミド層形成ステップで形成されたポリイミド層が石英ガ
ラス基板越しにエッチングされ、石英ガラス基板は積層
体から剥離される(以下仮積層、剥離ステップ)。Kr
Fエキシマレーザは、発振数200Hz、0.8J/c
2 のエネルギー密度で1ケ所2ショットの条件でスキ
ャンする。
Referring to FIG. 5D, on the four multilayer wiring boards 212 each including a conductor layer inside and having a power supply layer and a ground wiring layer on the surface, the signal wiring is cut inside by the cutting step. The substrates having the patterns 122 are temporarily laminated. At this time, the alignment is performed using the positioning alignment mark 23, and the entire surface spray type temporary fixing adhesive 214 is fixed between the substrates. Temporary lamination requires about 2 minutes at room temperature under a pressure of 1 kg / cm 2 . The laminated body obtained in this manner is subjected to K over a quartz glass substrate.
Irradiate the rF excimer laser 27. At this time, the polyimide layer formed in the polyimide layer forming step is etched through the quartz glass substrate, and the quartz glass substrate is peeled off from the laminate (hereinafter, a temporary lamination and peeling step). Kr
The F excimer laser has an oscillation frequency of 200 Hz and 0.8 J / c.
Scanning is performed at an energy density of m 2 and two shots at one place.

【0034】図5(5)を参照すると、石英ガラス基板
の剥離後、酸素プラズマアッシングで積層体表面のスス
が除去され、メタルパターン表面が露出される。
Referring to FIG. 5 (5), after the quartz glass substrate is separated, soot on the surface of the laminate is removed by oxygen plasma ashing, and the surface of the metal pattern is exposed.

【0035】図6(1)を参照すると第2の実施例の最
初の工程から切断ステップまでの工程で内部に第1の信
号配線パターン22を有する基板が形成されると同時に
同様な方法で内部に第2の信号線パターン218、電源
およびグランドパターン215、およびLSI搭載用パ
ッド216を有する基板が作成される。そして前記仮積
層および剥離ステップと同様な方法で上記4枚の積層体
表面上に内部に信号配線パターン2を有する基板、、内
部に電源およびグランドパターンを有する基板、内部に
LSI搭載用パッドを有する基板の順番で位置合わせ、
仮積層、および基板剥離が繰り返され4枚の積層体が得
られる。
Referring to FIG. 6A, a substrate having the first signal wiring pattern 22 therein is formed in the steps from the first step to the cutting step of the second embodiment, and at the same time, the internal Then, a substrate having a second signal line pattern 218, a power supply and ground pattern 215, and an LSI mounting pad 216 is prepared. In the same manner as in the temporary laminating and peeling steps, a substrate having a signal wiring pattern 2 inside, a substrate having a power supply and a ground pattern inside, and an LSI mounting pad inside are provided on the surface of the above four laminates. Align in the order of the substrates,
The temporary lamination and the substrate peeling are repeated to obtain four laminated bodies.

【0036】図6(2)を参照すると、前記4枚の積層
体がオートクレーブ装置を用いて真空下で加圧、加熱さ
れ、仮止めされた各層間のポリイミド系接着剤同士およ
び電極同士の本接着を行われる。本接着は、350℃、
20kg/cm2 の加圧下で約30分保持するようなプ
レスプロファイルを用いて行われる。この時、ポリイミ
ド系接着剤は流動性を示し、ポリイミド系接着剤同士が
一体化するため、層間で良好な密着力が得られる。同時
に、金と錫の多層メッキで形成されているバンプがその
共晶点である280℃で融解し、相手方のメタル金属と
接続し、プレス後で層間の良好な電気的接続が得られ
る。仮止め用接着剤は、350℃下で完全に熱分解さ
れ、層間の電気的接続を妨げることはない。
Referring to FIG. 6 (2), the four laminates were pressed and heated under vacuum using an autoclave apparatus, and the polyimide adhesives between the layers temporarily fixed and the electrodes between the electrodes were temporarily fixed. Bonding is performed. The actual bonding is 350 ° C,
It is carried out using a press profile which is held under a pressure of 20 kg / cm 2 for about 30 minutes. At this time, the polyimide-based adhesive exhibits fluidity and the polyimide-based adhesives are integrated with each other, so that good adhesion between the layers can be obtained. At the same time, the bumps formed by the multilayer plating of gold and tin melt at 280 ° C., which is their eutectic point, and are connected to the counterpart metal metal, and good electrical connection between the layers is obtained after pressing. The temporary fixing adhesive is completely thermally decomposed at 350 ° C. and does not disturb the electrical connection between the layers.

【0037】図6(3)を参照すると、最後に、ベース
多層配線基板裏面の所定の位置に入出力信号ピンおよび
電源ピン217が組み立てられ、4枚の多層配線基板が
得られる。
Referring to FIG. 6 (3), finally, input / output signal pins and power supply pins 217 are assembled at predetermined positions on the back surface of the base multilayer wiring board, and four multilayer wiring boards are obtained.

【0038】なお、本実施例では1枚の石英ガラス基板
上で同時に4種類のメタルパターンあるいは4層分のメ
タルパターンを作成する方法を採用しているが、要求さ
れる多層配線基板の大きさあるいは層数によって分割数
は変更可能である。また、石英ガラス基板上に作成する
メタル層の多層化も可能で、例えば電源およびグランド
パターンと信号パターンを積層した後に接続用バンプを
形成することも可能である。
In this embodiment, a method of simultaneously forming four types of metal patterns or four layers of metal patterns on a single quartz glass substrate is employed. Alternatively, the number of divisions can be changed according to the number of layers. In addition, a metal layer formed on a quartz glass substrate can be multi-layered. For example, a connection bump can be formed after a power supply and a ground pattern and a signal pattern are stacked.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明の多層配線基板の製造方法は、同
時に4層以上のポリイミド配線層を1枚の基板上に作成
し、これを各層毎に切断し積層して1枚のポリイミド多
層配線基板、あるいは4枚以上の多層配線基板の第1層
を作成することにより、逐次積層を行う多層配線基板の
製造方法に対して大幅な工数削減が行える。また、多数
の補助基板を用いて各ポリイミド配線層を作成する製造
方法に対して、大幅な工数削減がはかれると同時に使用
材料が削減できるという効果がある。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, four or more polyimide wiring layers are simultaneously formed on one substrate, and this is cut and laminated for each layer to form one polyimide multilayer wiring. By forming the substrate or the first layer of the four or more multilayer wiring boards, it is possible to greatly reduce the number of steps in the method for manufacturing a multilayer wiring board in which sequential lamination is performed. Also, in the manufacturing method in which each of the polyimide wiring layers is formed using a large number of auxiliary substrates, there is an effect that the number of steps can be significantly reduced and the material used can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(1)〜(5)は本発明の第1の実施例を示す
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】(1)〜(5)は本発明の第1の実施例を示す
FIGS. 2 (1) to (5) are diagrams showing a first embodiment of the present invention.

【図3】(1)〜(3)は本発明の第1の実施例の示す
FIGS. 3 (1) to 3 (3) are views showing a first embodiment of the present invention.

【図4】(1)〜(5)は本発明の第2の実施例を示す
FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図5】(1)〜(5)は本発明の第2の実施例を示す
FIGS. 5 (1) to (5) are views showing a second embodiment of the present invention.

【図6】(1)〜(3)は本発明の第2の実施例を示す
FIG. 6 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 石英ガラス基板 11 ポリイミド樹脂 12 LSI搭載用パッド 13 第1の信号配線パターン 14 電源およびグランドパターン 15 アライメントマーク 16 ポリイミド系接着剤 17 レジストマスク 18 レジストパターンニング部 19 エキシマレーザ 20 石英ガラス基板 21 ポリイミド樹脂 22 信号配線パターン 23 アライメントマーク 24 ポリイミド系接着剤 25 レジストマスク 26 レジストパターンニング部 27 エキシマレーザ 28 接着剤のビアホール 29 層間接続用バンプ 110 接着剤のビアホール 111 層間接続用バンプ 112 ブレード 113 切断後 114 仮止め用接着剤 115 内層入り多層配線基板 116 電源およびグランド層 117 入出力信号ピン 118 第2の信号配線パターン 210 ブレード 211 切断後 212 内層入り多層配線基板 213 電源およびグランド層 214 仮止め用接着剤 215 電源およびグランドパターン 216 LSI搭載用パッド 217 入出力信号および電源ピン 218 第2の信号配線パターン Reference Signs List 10 quartz glass substrate 11 polyimide resin 12 LSI mounting pad 13 first signal wiring pattern 14 power supply and ground pattern 15 alignment mark 16 polyimide adhesive 17 resist mask 18 resist patterning part 19 excimer laser 20 quartz glass substrate 21 polyimide resin Reference Signs List 22 signal wiring pattern 23 alignment mark 24 polyimide adhesive 25 resist mask 26 resist patterning portion 27 excimer laser 28 adhesive via hole 29 interlayer connection bump 110 adhesive via hole 111 interlayer connection bump 112 blade 113 after cutting 114 temporary Stopping adhesive 115 Multilayer wiring board with inner layer 116 Power supply and ground layer 117 Input / output signal pins 118 Second signal wiring pattern 210 Blade 211 after cutting 212 inner-cored multilayer wiring board 213 power and ground layers 214 temporary fixing adhesive 215 power supply and the ground pattern 216 LSI mounting pad 217 input and output signals and power pins 218 second signal wiring pattern

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一枚の多層配線基板に必要な各層のパタ
ーンを、少なくとも前記基板の4倍以上の面積を有する
大型基板上で作成する作成工程と、 この作成工程で作成された前記大型基板を各層のパター
ン毎に切断する切断工程と、 多層配線基板のベースとなる内部に導体層を有する基板
上に、前記切断工程で切断された基板で最下層のパター
ンが形成された基板を位置合わせし、仮止め積層し、そ
の後基板のみを剥離する積層剥離工程と、 この積層剥離工程で形成された積層基板上に下層のパタ
ーンが形成された基板から位置合わせ、仮止め積層、お
よび基板剥離を所定の層数になるまで繰り返す繰返工程
と、 この繰返工程で形成された積層基板を所定の圧力と温度
下でプレスし、各層間の電気的、機械的接続を得る工程
とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
A step of forming a pattern of each layer required for one multilayer wiring board on a large-sized substrate having at least four times the area of the substrate; and a step of forming the large-sized substrate formed in the forming step. A cutting step of cutting each of the patterns of each layer, and positioning a substrate on which a lowermost layer pattern is formed with the cut substrate in the cutting step on a substrate having a conductor layer inside serving as a base of the multilayer wiring board Then, a temporary lamination is performed, and then a laminating and peeling step of peeling only the substrate, and positioning from the substrate having the lower layer pattern formed on the laminated substrate formed in the laminating and peeling step, temporarily laminating, and peeling the substrate are performed. A repetition step of repeating until a predetermined number of layers is reached, and a step of pressing the laminated substrate formed in the repetition step under a predetermined pressure and temperature to obtain an electrical and mechanical connection between the respective layers To Method for manufacturing a multilayer wiring board according to symptoms.
【請求項2】 複数の多層配線基板に必要な最下層の同
一層のパターンを、少なくとも前記基板の4倍以上の面
積を有する大型基板上で作成する作成工程と、 この作成工程で作成された前記大型基板を各パターン毎
に切断する切断工程と、 複数の多層配線基板のベースとなる内部に導体層を有す
る基板上に、前記切断工程で切断された基板で最下層の
パターンが形成された各基板を位置合わせを行い仮止め
積層し、その後基板のみを剥離する積層剥離工程と、 この積層剥離工程で形成された複数の積層基板上に上層
のパターンを形成した各基板の位置合わせ、仮止め積
層、および基板剥離を所定の層数に達するまで繰返し行
う繰返工程と、 この繰返工程で形成された積層基板を所定の圧力と温度
下でプレスし、各層間の電気的、機械的接続を得る工程
とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. A forming step of forming a pattern of the same lowermost layer required for a plurality of multilayer wiring boards on a large-sized substrate having an area at least four times or more that of the substrate; A cutting step of cutting the large substrate for each pattern; and a substrate having a conductor layer inside serving as a base of a plurality of multilayer wiring boards, a lowermost layer pattern is formed on the substrate cut in the cutting step. The respective substrates are aligned and temporarily fixed and laminated, and thereafter, only a substrate is separated, and a laminating / separating step, and the alignment of each substrate having an upper layer pattern formed on a plurality of laminated substrates formed in the laminating / separating step is performed. A repetition step of repeatedly stopping and laminating and peeling the substrate until a predetermined number of layers are reached, and pressing the laminated substrate formed in the repetition step under a predetermined pressure and temperature, and electrically and mechanically between the respective layers. Connection Method for manufacturing a multilayer wiring board which comprises a step of obtaining.
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