JP3016292B2 - Polyimide multilayer wiring board and method of manufacturing the same - Google Patents

Polyimide multilayer wiring board and method of manufacturing the same

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JP3016292B2 JP3304755A JP30475591A JP3016292B2 JP 3016292 B2 JP3016292 B2 JP 3016292B2 JP 3304755 A JP3304755 A JP 3304755A JP 30475591 A JP30475591 A JP 30475591A JP 3016292 B2 JP3016292 B2 JP 3016292B2
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    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板または
硬質有機樹脂基板上にポリイミド樹脂を層間絶縁に使用
した多層配線層を有するポリイミド多層配線基板の構造
および製造方法に関し、特に折り樹脂層の構造および積
層方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure and a manufacturing method of a polyimide multilayer wiring board having a multilayer wiring layer using a polyimide resin for interlayer insulation on a ceramic substrate or a hard organic resin substrate, and more particularly to a structure of a folded resin layer. And a lamination method.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSIチップを搭載する配線基板とし
て、従来から多層プリント配線基板が使用されてきた。
多層プリント配線基板は、銅張積層板をコア材に、プリ
プレグをコア材の接着剤として構成され、コア剤とプリ
プレグを交互に積層し熱プレスを使用して一体化する。
積層板間の電気的接続はコア剤とプリプレグを一体化し
た後、ドリルによって貫通スルーホールを形成し、貫通
スルーホール内壁を銅メッキすることによって行われ
る。
2. Description of the Related Art A multilayer printed wiring board has conventionally been used as a wiring board on which an LSI chip is mounted.
The multilayer printed wiring board is configured by using a copper-clad laminate as a core material and a prepreg as an adhesive for the core material, alternately laminating the core material and the prepreg, and integrating them using a hot press.
The electrical connection between the laminated plates is performed by integrating the core agent and the prepreg, forming a through-hole by drilling, and plating the inner wall of the through-hole with copper.

【0003】また、近年、多層プリント配線基板より高
配線密度を要求されている大型コンピュータ用配線基板
に、セラミック基板上にポリイミド樹脂を層間絶縁に使
用した多層配線基板が使用されてきている。このポリイ
ミド・セラミック多層配線基板は、セラミック基板上に
ポリイミド前駆体ワニスを塗布,乾燥し、この塗布膜に
ヴィアホールを形成するポリイミド樹脂絶縁層形成工程
と、フォトリソグラフィー、真空蒸着およびメッキ法を
使用した配線層形成工程とからなり、かつ、この一連の
工程を繰り返すことにより、ポリイミド多層配線層の形
成を行っていた。
In recent years, a multilayer wiring board using a polyimide resin for interlayer insulation on a ceramic substrate has been used as a wiring board for a large computer which requires a higher wiring density than a multilayer printed wiring board. This polyimide / ceramic multilayer wiring board uses a polyimide resin insulating layer forming step of applying and drying a polyimide precursor varnish on a ceramic substrate and forming a via hole in the coated film, and uses photolithography, vacuum evaporation and plating. And a series of steps are repeated to form a polyimide multilayer wiring layer.

【0004】また、上述したポリイミド・セラミック多
層配線基板の形成方法とは別にポリイミドシート上に配
線パターンを形成し、そのシートをセラミック基板上に
位置合わせを行って順次、加圧積層を行い多層配線基板
の形成を行う方法もある。この方法は、信号層をシート
単位で形成するため,欠陥の無いシートを選別して積層
することが可能となり、上述した逐次積層方法よりも製
造歩留まりをあげることができる。
In addition to the above-described method for forming a polyimide / ceramic multilayer wiring substrate, a wiring pattern is formed on a polyimide sheet, and the sheet is positioned on the ceramic substrate and sequentially laminated under pressure to form a multilayer wiring. There is also a method of forming a substrate. In this method, since the signal layer is formed in sheet units, it is possible to select and stack sheets having no defect, thereby increasing the production yield compared with the above-described sequential stacking method.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した多層プリント
配線基板は、積層板間の電気的接続をドリル加工で形成
した貫通スルーホールで行うため、微細な貫通スルーホ
ールの形成は不可能であり、そのためスルーホール間に
形成できる配線本数が限られてくる。また、一つの積層
板間の接続に一つの貫通スルーホールが必要となり、積
層数が増えるほど信号配線収容性が低下し、高配線密度
の多層プリント配線基板を形成することが困難になって
くるという欠点があった。
In the above-mentioned multilayer printed wiring board, electrical connection between the laminated boards is performed by through-holes formed by drilling, so that fine through-holes cannot be formed. Therefore, the number of wirings that can be formed between through holes is limited. Further, one through-hole is required for connection between one laminated board, and as the number of laminated layers increases, the signal wiring accommodating property decreases, and it becomes difficult to form a multilayer printed wiring board with a high wiring density. There was a disadvantage.

【0006】また、上述した従来の多層プリント配線基
板の欠点を補うために、最近開発されたポリイミド・セ
ラミック多層配線基板は、ポリイミド絶縁層の積層数と
同じ回数だけ、セラミック基板上にポリイミド前駆体ワ
ニスの塗布,乾燥,ヴィアホールの形成,およびキュア
の各工程を繰り返し行う必要がある。そのため、多層配
線基板の積層工程に、非常に時間がかかる。また、ポリ
イミド絶縁層の形成工程が繰り返し行われるため、多層
配線層の下層部分のポリイミド樹脂に多数回にわたるキ
ュア工程の熱ストレスが加わり、このため、ポリイミド
樹脂が劣化していくという欠点があった。さらにこのポ
リイミド多層配線層は逐次積層方式であるため製造歩留
まりの向上が困難であるという欠点がある。
In order to compensate for the above-mentioned disadvantages of the conventional multilayer printed wiring board, a recently developed polyimide-ceramic multilayer wiring board has a polyimide precursor on the ceramic substrate as many times as the number of laminated polyimide insulating layers. It is necessary to repeat the steps of varnish application, drying, formation of via holes, and curing. Therefore, it takes a very long time for the lamination process of the multilayer wiring board. In addition, since the process of forming the polyimide insulating layer is repeatedly performed, the thermal stress of the curing process performed many times is applied to the polyimide resin in the lower layer portion of the multilayer wiring layer, so that the polyimide resin is deteriorated. . Further, since this polyimide multilayer wiring layer is of a sequential lamination type, there is a drawback that it is difficult to improve the production yield.

【0007】また、製造歩留まりを向上させる方法とし
て開発されたシート単位の積層方式も、1層ずつ順次加
圧積層を行うため、高多層になるほど下層部分のポリイ
ミド樹脂に熱ストレスが加わりポリイミド樹脂の劣化が
起きること、および、基板製作日数が長いという欠点は
改善されていない。
Also, in the sheet-based lamination method developed as a method for improving the manufacturing yield, since the pressure lamination is performed sequentially one layer at a time, the higher the number of layers, the more the thermal stress is applied to the lower layer of the polyimide resin and the lower the polyimide resin. The disadvantages of degradation and long substrate manufacturing days are not improved.

【0008】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
高品質多層高配線密度ポリイミド多層配線基板を、短い
製造日数で、かつ、高い製造歩留まりで形成できるポリ
イミド多層配線基板およびその製造方法を提供すること
にある。
[0008] The object of the present invention is to solve these problems,
It is an object of the present invention to provide a polyimide multilayer wiring board capable of forming a high quality multilayer high wiring density polyimide multilayer wiring board with a short manufacturing time and a high manufacturing yield, and a method for manufacturing the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のポリイミド多層
配線基板は、セラミック基板または硬質有機樹脂基板上
にポリイミド多層配線層を有する多層配線基板におい
て、ポリイミド多層配線層が、複数の配線層の積層体を
ひとつのブロックとし、このブロックの複数個の積層構
造であり、各々のブロック間の接続は各ブロックの積層
体の表面上に形成された半田バンプ同士のろう付けと、
ガラス転移点を有するポリイミド樹脂によることを特徴
とする。
The polyimide multilayer wiring board of the present invention is a multilayer wiring board having a polyimide multilayer wiring layer on a ceramic substrate or a hard organic resin substrate, wherein the polyimide multilayer wiring layer is formed by laminating a plurality of wiring layers. The body is one block, and a plurality of stacked structures of this block are connected, and the connection between each block is performed by brazing solder bumps formed on the surface of the stacked body of each block,
It is characterized by using a polyimide resin having a glass transition point .

【0010】本発明のポリイミド多層配線基板の製造方
法は、複数個の配線層の積層体をひとつのブロックとす
るポリイミド多層配線層を硬質な平板上に形成し、その
ポリイミド多層配線層の少なくとも最上層はガラス転移
点を有するポリイミド樹脂を使用し、そのポリイミド多
層配線層の表面にヴィアホールを介して積層体内部の配
線層と電気的に接続した半田バンプを形成する第1の工
程と、セラミックなどの硬質基板上に、複数個の配線層
の積層体をひとつのブロックとするポリイミド多層配線
層を形成し、そのポリイミド多層配線層の表面にヴィア
ホールを介して積層体内部の配線層と電気的に接続した
半田バンプを形成する第2の工程と、第1の工程で形成
したポリイミド多層配線層のポリイミド表面と、第2の
工程で形成したポリイミド多層配線層の表面とを位置合
わせを行って重ね合わせたのち、加圧・加熱条件下にお
いて、第1の工程で形成したポリイミド多層配線層のポ
リイミド面と第2の工程で形成したポリイミド多層配線
層のポリイミド面をガラス転移点を有するポリイミド樹
脂の自己接着性で接着し、同時に半田バンプ同士をろう
付けして、積層体間を電気的に接続し、次に第1の工程
でポリイミド多層配線層を形成するときに使用した硬質
平板をポリイミド多層配線層から剥離し、新たに露出し
たポリイミド表面上にヴィアホールを介して積層体内部
の配線層と電気的に接続した半田バンプを形成する第3
の工程と、第1の工程と同じ方法で形成した別のポリイ
ミド多層配線層のポリイミド表面と、第3の工程で形成
したポリイミド多層配線層の表面とを、第3の工程と同
じ方法を用いてポリイミド多層配線層積層構造を形成す
る第4の工程と、第4の工程を複数回繰り返すことによ
り、ポリイミド多層配線層積層構造を形成する第5の工
程と、を含むことを特徴とする。
In the method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to the present invention, a polyimide multilayer wiring layer having a laminate of a plurality of wiring layers as one block is formed on a hard flat plate, and at least the polyimide multilayer wiring layer is formed. A first step of using a polyimide resin having a glass transition point for the upper layer, forming a solder bump electrically connected to the wiring layer inside the laminate through a via hole on the surface of the polyimide multilayer wiring layer, A polyimide multilayer wiring layer having a laminate of a plurality of wiring layers as one block is formed on a rigid substrate such as a hard substrate, and the wiring layer inside the laminate is electrically connected to the surface of the polyimide multilayer wiring layer via via holes. A second step of forming electrically connected solder bumps, a polyimide surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the first step, and a polish layer formed in the second step. After aligning and superimposing the surface of the imide multilayer wiring layer, under pressure and heating conditions, the polyimide surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the first step and the polyimide multilayer formed in the second step The polyimide surface of the wiring layer is adhered by self-adhesion of a polyimide resin having a glass transition point, and at the same time, solder bumps are brazed together to electrically connect the laminates. The hard flat plate used for forming the wiring layer is peeled off from the polyimide multilayer wiring layer, and a solder bump electrically connected to the wiring layer inside the laminate through a via hole is formed on the newly exposed polyimide surface. Third
Step, the polyimide surface of another polyimide multilayer wiring layer formed by the same method as the first step, and the surface of the polyimide multilayer wiring layer formed by the third step, using the same method as the third step And a fifth step of forming a polyimide multilayer wiring layer laminated structure by repeating the fourth step a plurality of times.

【0011】また本発明のポリイミド多層配線基板の製
造方法は、複数個の配線層の積層体をひとつのブロック
とするポリイミド多層配線層を硬質な平板上に形成し、
そのポリイミド多層配線層の最上層に溶融硬化型または
溶融型接着剤を使用し、その接着剤層の表面にヴィアホ
ールを介して積層体内部の配線層と電気的に接続した半
田バンプを形成する第1の工程と、セラミックなどの硬
質基板上に、複数個の配線層の積層体をひとつのブロッ
クとするポリイミド多層配線層を形成し、そのポリイミ
ド多層配線層の表面にヴィアホールを介して積層体内部
の配線層と電気的に接続した半田バンプを形成する第2
の工程と、第1の工程で形成したポリイミド多層配線層
の接着剤層と、第2の工程で形成したポリイミド多層配
線層の表面とを位置合わせを行って重ね合わせたのち、
加圧・加熱条件下において、第1の工程で形成したポリ
イミド多層配線層の接着剤面と、第2の工程で形成した
ポリイミド多層配線層のポリイミド面を接着剤で接着
し、同時に半田バンプ同士をろう付けして、積層体間を
電気的に接続し、次に第1の工程でポリイミド多層配線
層を形成するときに使用した硬質平板をポリイミド多層
配線層から剥離し、新たに露出したポリイミド表面上に
ヴィアホールを介して積層体内部の配線層と電気的に接
続した半田バンプを形成する第3の工程と、第1の工程
と同じ方法で形成した別のポリイミド多層配線層の接着
剤層と、第3の工程で形成したポリイミド多層配線層の
表面とを、第3の工程と同じ方法を用いてポリイミド多
層配線層積層構造を形成する第4の工程と、第4の工程
を複数回繰り返すことにより、ポリイミド多層配線層積
層構造を形成する第5の工程と、を含むことを特徴とす
る。
[0011] In the method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board of the present invention, a polyimide multilayer wiring layer having a laminate of a plurality of wiring layers as one block is formed on a hard flat plate,
A melt-curing or melting adhesive is used as the uppermost layer of the polyimide multilayer wiring layer, and solder bumps are formed on the surface of the adhesive layer via a via hole and electrically connected to the wiring layer inside the laminate. The first step is to form a polyimide multilayer wiring layer having a laminate of a plurality of wiring layers as one block on a hard substrate such as a ceramic, and to laminate the via hole on the surface of the polyimide multilayer wiring layer. Forming a solder bump electrically connected to the wiring layer inside the body;
After aligning and aligning the adhesive layer of the polyimide multilayer wiring layer formed in the first step and the surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the second step,
Under pressure and heat conditions, the adhesive surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the first step and the polyimide surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the second step are bonded with an adhesive, and the solder bumps are simultaneously formed. To electrically connect the laminates, then peel off the rigid flat plate used in forming the polyimide multilayer wiring layer in the first step from the polyimide multilayer wiring layer, and newly expose the polyimide. A third step of forming a solder bump electrically connected to the wiring layer inside the laminate via a via hole on the surface, and an adhesive for another polyimide multilayer wiring layer formed by the same method as the first step A fourth step of forming a polyimide multilayer wiring layer laminated structure by using the same method as in the third step by combining the layer and the surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the third step with a plurality of fourth steps. Repeat it Accordingly, characterized in that it comprises a fifth step of forming a polyimide multilayer wiring layers stacked structure.

【0012】さらに本発明のポリイミド多層配線基板の
製造方法は、位置合わせを行って重ね合わせを行うポリ
イミド面の両面に溶融硬化型または溶融型接着剤を使用
することを特徴とする。
Further, the method of manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to the present invention is characterized in that a melt-curable or melt-type adhesive is used on both sides of the polyimide surface to be aligned and superposed.

【0013】[0013]

【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて説
明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明のポリイミド多層配線基板の
一実施例の断面図である。本実施例で使用しているセラ
ミック基板は、入出力ピン8が基板裏面にありモリブデ
ン金属の内部配線層を持つ同時焼成アルミナセラミック
基板9である。ポリイミド多層配線層部分の構成は次の
通りである。信号配線層5は線幅25μm,配線厚7μ
mの金メッキ配線である。信号配線はX方向とY方向を
1組としその上下を接地配線層ではさみインピーダンス
の調整およびクロストークノイズの低減を行っている。
使用しているポリイミド樹脂はガラス転移点を持つポリ
イミド(非感光性なら日立化成工業株式会社製のPI
Q、デュポンジャパンリミテッド製のPYRALIN、
東レ株式会社製のセミコファイン等、感光性なら日立化
成工業株式会社製のPL−1200、デュポンジャパン
リミテッド製のPI−2702D、東レ株式会社製のフ
ォトニース、旭化成工業株式会社のPIMEL等)で各
配線層間の膜厚は20μmである。信号配線層数は8層
(4組)である。1組の信号配線層と1層の接地配線層
を、積層時に用いたブロック24の基本構成とした。よ
って、本実施例は4個のブロックで構成されている。ま
た、各ブロックが完成した時点で電気検査を行い、良品
ブロックを選別し、次工程のブロック間接続工程に進
む。各々のブロック間の電気的接続は金錫半田バンプ
7,28同士のろう付けで行っている。半田バンプのサ
イズは、例えば、50〜500μm角,10〜50μm
の厚みで形成されている。形成したポリイミド多層配線
基板の最上層はLSIチップを半田接続する接続用パッ
ド19が銅メッキで形成されている。なお図1におい
て、2は接地および接続層を、23はガラス転移点を有
するポリイミドを示している。
FIG. 1 is a sectional view of one embodiment of the polyimide multilayer wiring board of the present invention. The ceramic substrate used in this embodiment is a co-fired alumina ceramic substrate 9 having input / output pins 8 on the back surface of the substrate and having an internal wiring layer of molybdenum metal. The structure of the polyimide multilayer wiring layer portion is as follows. The signal wiring layer 5 has a line width of 25 μm and a wiring thickness of 7 μm.
m gold-plated wiring. The signal wiring is a set of the X direction and the Y direction, and the upper and lower portions are sandwiched between ground wiring layers to adjust impedance and reduce crosstalk noise.
The polyimide resin used is a polyimide having a glass transition point (for non-photosensitive, PI manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
Q, PYRALIN made by Dupont Japan Limited,
For each photosensitivity, such as Semico Fine manufactured by Toray Industries, Inc., PL-1200 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., PI-2702D manufactured by Dupont Japan Limited, Photo Nice manufactured by Toray Industries, PIMEL manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Ltd.) The film thickness between the wiring layers is 20 μm. The number of signal wiring layers is eight (four sets). One set of signal wiring layers and one ground wiring layer were used as the basic configuration of the block 24 used for lamination. Therefore, this embodiment is composed of four blocks. When each block is completed, an electrical inspection is performed to select non-defective blocks, and the process proceeds to the next step of connecting blocks. The electrical connection between the blocks is made by brazing the gold-tin solder bumps 7, 28. The size of the solder bump is, for example, 50 to 500 μm square, 10 to 50 μm.
It is formed with the thickness of. On the uppermost layer of the formed polyimide multilayer wiring board, connection pads 19 for soldering the LSI chip are formed by copper plating. In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a ground and connection layer, and reference numeral 23 denotes polyimide having a glass transition point.

【0015】図2〜図5は、本発明のポリイミド多層配
線基板の製造方法の第1の実施例を工程順に図示したも
のである。本実施例で製造するポリイミド多層配線基板
のポリイミド多層配線層部分の構成は図1の実施例と同
じである。ポリイミド樹脂にはガラス転移点約270℃
の感光性ポリイミドを、配線金属には金を使用してい
る。
FIGS. 2 to 5 show a first embodiment of a method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to the present invention in the order of steps. The structure of the polyimide multilayer wiring layer portion of the polyimide multilayer wiring board manufactured in this embodiment is the same as that of the embodiment of FIG. Glass transition point about 270 ° C for polyimide resin
And gold for the wiring metal.

【0016】本実施例のポリイミド多層配線基板の製造
工程は以下の通りである。
The manufacturing steps of the polyimide multilayer wiring board of this embodiment are as follows.

【0017】まず、アルミニウムの平坦な板(以下、ア
ルミニウム平板と略す)上に一組の信号配線層と、ひと
つの接地および接続層を以下の方法で形成する。
First, a set of signal wiring layers and one grounding and connection layer are formed on a flat aluminum plate (hereinafter abbreviated as aluminum flat plate) by the following method.

【0018】(1)図2(a)に示すように、アルミニ
ウム平板1上に接地および接続配線層をフォトレジスト
を用いたフォトリソグラフィーでパターン化し、電解金
メッキを行い接地および接続配線層2を形成する。
(1) As shown in FIG. 2A, a grounding and connection wiring layer is patterned on a flat aluminum plate 1 by photolithography using a photoresist, and electrolytic gold plating is performed to form a grounding and connection wiring layer 2. I do.

【0019】(2)図2(b)に示すように、感光性ポ
リイミドワニス4を工程(1)で接地および接続層を形
成したアルミニウム平板上に塗布し、露光・現像を行い
所定の位置にヴィアホール3を形成し、キュアを行う。
(2) As shown in FIG. 2 (b), a photosensitive polyimide varnish 4 is applied on an aluminum flat plate on which a grounding and connection layer is formed in step (1), and is exposed and developed to a predetermined position. A via hole 3 is formed and curing is performed.

【0020】(3)図2(c)に示すように、一組の信
号配線層5を層間絶縁に感光性ポリイミドを使用して形
成する。形成方法は、工程(1)において接地および接
続層を形成した方法で信号配線層を形成し、工程(2)
において絶縁層を形成した方法で信号層間絶縁層を形成
する。
(3) As shown in FIG. 2C, a pair of signal wiring layers 5 are formed using photosensitive polyimide for interlayer insulation. The signal wiring layer is formed by the method of forming the ground and connection layers in the step (1),
, A signal interlayer insulating layer is formed by the method of forming an insulating layer.

【0021】(4)図2(d)に示すように、工程
(3)で形成した信号配線層上にポリイミドワニスを塗
布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホール6を
形成し、キュアを行う。
(4) As shown in FIG. 2D, a polyimide varnish is applied on the signal wiring layer formed in step (3), and exposure and development are performed to form via holes 6 at predetermined positions. Do the cure.

【0022】(5)図2(e)に示すように、工程
(4)で形成した多層配線層の最上層に、下記(6)以
降の工程で形成する多層配線層と電気的接続を行う位置
に接続用金錫半田バンプ7を形成する。金錫半田バンプ
はフォトレジストを使用したフォトリソグラフィーでパ
ターン化し、まず、厚さ3μmの電解ニッケルメッキを
形成し、次に、電解錫メッキおよび電解金メッキの多層
メッキを形成する。ニッケルメッキは金錫半田の金配線
層への拡散防止層である。金と錫の多層メッキは、後工
程のポリイミド層接着工程時の熱で融解し金錫の合金半
田となる。また、金と錫の多層メッキは金対錫の重量比
が4対1になるように膜厚比を10対7とし、各々の膜
厚は金メッキが1μm、錫メッキが0.7μmで合計6
層(金錫多層メッキ部総膜厚10.2μm)形成する。
(5) As shown in FIG. 2E, the uppermost layer of the multilayer wiring layer formed in the step (4) is electrically connected to the multilayer wiring layer formed in the following steps (6) and thereafter. The connection gold-tin solder bumps 7 are formed at the positions. The gold-tin solder bumps are patterned by photolithography using a photoresist. First, a 3 μm-thick electrolytic nickel plating is formed, and then a multi-layer plating of electrolytic tin plating and electrolytic gold plating is formed. Nickel plating is a layer for preventing the diffusion of gold-tin solder into the gold wiring layer. The multi-layer plating of gold and tin is melted by heat in a later step of bonding a polyimide layer to form a gold-tin alloy solder. The multilayer plating of gold and tin has a film thickness ratio of 10: 7 so that the weight ratio of gold to tin is 4: 1. Each film thickness is 1 μm for gold plating and 0.7 μm for tin plating, for a total of 6 μm.
A layer (gold-tin multi-layer plating portion total thickness 10.2 μm) is formed.

【0023】次に、上記とは別に裏面に入出力ピンを有
するセラミック基板上に一組の信号配線層とそれをはさ
む一組の接地および接続層を形成する。
Next, a set of signal wiring layers and a set of ground and connection layers sandwiching the signal wiring layers are formed on a ceramic substrate having input / output pins on the back surface separately from the above.

【0024】(6)図3(a)に示すように、入出力信
号ピンおよび電源ピン8が裏面にあるセラミック基板9
上に接地および接続配線層10をフォトレジストを用い
たフォトリソグラフィーでパターン化し、電解金メッキ
を行い接地および接続配線層を形成する。
(6) As shown in FIG. 3A, a ceramic substrate 9 having input / output signal pins and power supply pins 8 on the back surface
The ground and connection wiring layer 10 is patterned by photolithography using a photoresist, and electrolytic gold plating is performed thereon to form the ground and connection wiring layer.

【0025】(7)図3(b)に示すように、感光性ポ
リイミドワニス11を工程(6)で接地および接続層を
形成したセラミック基板上に塗布し、露光・現像を行い
所定の位置にヴィアホール12を形成し、キュアを行
う。
(7) As shown in FIG. 3 (b), a photosensitive polyimide varnish 11 is applied on the ceramic substrate on which the grounding and connection layers have been formed in step (6), and exposed and developed to a predetermined position. A via hole 12 is formed and curing is performed.

【0026】(8)図3(c)に示すように、一組の信
号配線層13を層間絶縁に感光性ポリイミドを使用して
形成する。形成方法は、工程(1)において接地および
接続層を形成した方法で信号配線層を形成し、工程
(2)において絶縁層を形成した方法で信号層間絶縁層
を形成する。
(8) As shown in FIG. 3C, a pair of signal wiring layers 13 are formed using photosensitive polyimide for interlayer insulation. As a forming method, a signal wiring layer is formed by a method in which a ground and a connection layer are formed in step (1), and a signal interlayer insulating layer is formed by a method in which an insulating layer is formed in step (2).

【0027】(9)図3(d)に示すように、感光性ポ
リイミドワニスを工程(8)で形成した信号配線上に塗
布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホールを形
成し、キュアを行う。
(9) As shown in FIG. 3D, a photosensitive polyimide varnish is applied on the signal wiring formed in the step (8), exposed and developed to form a via hole at a predetermined position. Do the cure.

【0028】(10)図3(e)に示すように、接地お
よび接続層15を工程(6)において使用した方法で、
工程(9)で形成したポリイミド層上に形成する。
(10) As shown in FIG. 3E, the method using the grounding and connection layer 15 in the step (6)
It is formed on the polyimide layer formed in the step (9).

【0029】(11)図4(f)に示すように、2層目
の接地および接続層15の上に工程(9)と同じように
ヴィアホール16が形成されたポリイミド層を形成す
る。
(11) As shown in FIG. 4F, a polyimide layer having a via hole 16 formed thereon is formed on the second grounding and connection layer 15 in the same manner as in the step (9).

【0030】(12)図4(g)に示すように、工程
(11)で形成したポリイミド層上に金錫半田バンプ1
7を形成する。形成方法は、上述の工程(5)と同じで
ある。
(12) As shown in FIG. 4 (g), the gold-tin solder bump 1 is formed on the polyimide layer formed in the step (11).
7 is formed. The formation method is the same as the above-mentioned step (5).

【0031】(13)図5(a)に示すように、工程
(1)〜(5)で形成したアルミニウム平板上のポリイ
ミド多層配線層25の工程(5)で形成した半田バンプ
を有するポリイミド層と、工程(6)〜(12)で形成
したセラミック基板上の半田バンプを有するポリイミド
多層配線層26を位置合わせを行った後重ね合わせ、加
圧およびポリイミド樹脂のガラス転移点を越える温度ま
で加熱を行いポリイミド膜を接着し固定する。この時、
金と錫の多層メッキは融解し金錫の合金半田となり、工
程(5)で形成した半田バンプも同時に融解して接合
し、ふたつの積層体が電気的に接続する。加圧および加
熱方法は次の通りである。加圧・加熱はオートクレーブ
型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガスを使用
し、加圧は基板温度250℃までは3kg/cm2 、基
板温度250℃から350℃までは14kg/cm2
行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミドフ
ィルムを用いて密封し、真空ポンプを接続して内部を1
0Torr以下の減圧状態にする。
(13) As shown in FIG. 5A, the polyimide layer having the solder bumps formed in the step (5) of the polyimide multilayer wiring layer 25 on the aluminum flat plate formed in the steps (1) to (5) And the polyimide multi-layer wiring layer 26 having solder bumps on the ceramic substrate formed in the steps (6) to (12) is aligned, then superposed, pressed and heated to a temperature exceeding the glass transition point of the polyimide resin. Then, the polyimide film is bonded and fixed. At this time,
The multi-layer plating of gold and tin is melted to form a gold-tin alloy solder, and the solder bumps formed in step (5) are simultaneously melted and joined to electrically connect the two laminates. The pressurizing and heating methods are as follows. Pressurization and heating use an autoclave type vacuum press device, pressurized gas uses nitrogen gas, pressurization is 3 kg / cm 2 up to a substrate temperature of 250 ° C., and 14 kg / cm 2 from a substrate temperature of 250 ° C. to 350 ° C. Perform in 2 . At this time, the substrate is placed on a platen, sealed using a polyimide film, and a vacuum pump is connected to make the inside
Reduce the pressure to 0 Torr or less.

【0032】(14)図5(b)に示すように、16%
塩酸水溶液に上記接着済み基板のアルミニウム平板部分
を浸漬し、アルミニウム平板1を溶解除去する。
(14) As shown in FIG.
The aluminum plate portion of the bonded substrate is immersed in a hydrochloric acid aqueous solution to dissolve and remove the aluminum plate 1.

【0033】(15)工程(14)で新たに露出した工
程(1)で作成した接地および接続配線層2上に感光性
ポリイミドワニスを塗布し、露光・現像を行い所定の位
置にヴィアホールを形成し、キュアを行う。
(15) A photosensitive polyimide varnish is applied on the ground and connection wiring layer 2 formed in the step (1) newly exposed in the step (14), exposed and developed to form a via hole at a predetermined position. Form and cure.

【0034】(16)工程(15)で形成したポリイミ
ド層上に金錫半田バンプ18を形成する。形成方法は工
程(5)の工程と同じである。
(16) A gold-tin solder bump 18 is formed on the polyimide layer formed in the step (15). The formation method is the same as the step (5).

【0035】(17)図5(c)に示すように、工程
(1)〜(16)で形成したポリイミド配線層積層体上
に、工程(1)〜(5)で形成した別のポリイミド配線
層を工程(13)〜(16)の方法で積層一体化する。
(17) As shown in FIG. 5C, another polyimide wiring formed in steps (1) to (5) is formed on the polyimide wiring layer laminate formed in steps (1) to (16). The layers are laminated and integrated by the method of steps (13) to (16).

【0036】(18)配線層数が8層になるまで工程を
繰り返す。
(18) The process is repeated until the number of wiring layers becomes eight.

【0037】(19)最後に、多層配線基板とLSIチ
ップの配線とを接続する接続電極層19を形成する。こ
の工程は工程(18)において工程(13)〜(15)
を行い、次に工程(15)で形成したポリイミド層上
に、LSIチップが封入されたチップキャリアのバンプ
と半田接続を行う接続電極パッド19を形成する。この
時、LSIチップキャリアのバンプと接続電極パッド1
9をつなぐ半田には錫鉛共晶半田を使用し、接続電極パ
ッド19は錫鉛半田食われのない銅メッキで形成する。
(19) Finally, a connection electrode layer 19 for connecting the multilayer wiring board and the wiring of the LSI chip is formed. This step corresponds to steps (13) to (15) in step (18).
Then, on the polyimide layer formed in the step (15), connection electrode pads 19 for performing solder connection with bumps of a chip carrier in which an LSI chip is sealed are formed. At this time, the bumps of the LSI chip carrier and the connection electrode pads 1
Tin-lead eutectic solder is used as the solder connecting the connection electrodes 9, and the connection electrode pads 19 are formed by copper plating that does not erode the tin-lead solder.

【0038】図6および図7は本発明のポリイミド多層
配線基板の製造方法の第2の実施例を工程順に図示した
ものである。本実施例により製造されるポリイミド多層
配線基板のポリイミド多層配線層部分の構成は、図1の
実施例と同じである。ポリイミド樹脂にはガラス転移点
が無い低熱膨張率感光性ポリイミド(例えば、旭化成工
業株式会社のTL(E)X1)を、接着剤には溶融硬化
型であるマレイミド樹脂を、配線金属には銅を使用して
いる。なお、本実施例で使用する感光性ポリイミドの感
光基は金属銅と反応しにくいものであり、よって配線層
は銅のみで形成することが可能である。
FIGS. 6 and 7 show a second embodiment of the method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to the present invention in the order of steps. The structure of the polyimide multilayer wiring layer portion of the polyimide multilayer wiring board manufactured according to this embodiment is the same as that of the embodiment of FIG. The polyimide resin is a low thermal expansion coefficient photosensitive polyimide having no glass transition point (for example, TL (E) X1 manufactured by Asahi Kasei Corporation), the adhesive is a melt-curable maleimide resin, and the wiring metal is copper. I'm using Note that the photosensitive group of the photosensitive polyimide used in the present embodiment does not easily react with metallic copper, so that the wiring layer can be formed only of copper.

【0039】まず、アルミニウム平板上に一組の信号配
線層と、ひとつの接地および接続層を以下の方法で形成
する。
First, a set of signal wiring layers and one grounding and connection layer are formed on an aluminum flat plate by the following method.

【0040】(1)図6(a)に示すように、アルミニ
ウム平板1上に接地および接続配線層をフォトレジスト
を用いたフォトリソグラフィーでパターン化し、電解銅
メッキを行い接地および接続配線層2を形成する。
(1) As shown in FIG. 6A, the ground and connection wiring layers are patterned on the aluminum flat plate 1 by photolithography using a photoresist, and electrolytic copper plating is performed to form the ground and connection wiring layers 2. Form.

【0041】(2)感光性ポリイミドワニスを工程
(1)で接地および接続層2を形成したアルミニウム平
板上に塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホ
ールを形成し、キュアを行う。
(2) A photosensitive polyimide varnish is applied on the aluminum flat plate on which the grounding and connection layer 2 has been formed in the step (1), exposed and developed to form a via hole at a predetermined position, and curing is performed.

【0042】(3)一組の信号配線層5を層間絶縁に感
光性ポリイミドを使用して形成する。形成方法は、工程
(1)において接地および接続層を形成した方法で信号
配線層を形成し、工程(2)で絶縁層を形成した方法で
信号層間絶縁層を形成する。
(3) A pair of signal wiring layers 5 are formed using photosensitive polyimide for interlayer insulation. As a forming method, a signal wiring layer is formed by the method of forming the ground and connection layers in the step (1), and a signal interlayer insulating layer is formed by a method of forming an insulating layer in the step (2).

【0043】(4)工程(3)で形成した信号配線層上
にポリイミドワニスを塗布し、露光・現像を行い所定の
位置にヴィアホールを形成し、キュアを行う。
(4) A polyimide varnish is applied on the signal wiring layer formed in the step (3), exposure and development are performed to form via holes at predetermined positions, and curing is performed.

【0044】(5)工程(4)で形成した多層配線層の
最上層に、下記(6)の工程以降で形成する多層配線層
と電気的接続を行う位置に接続用バンプ27を形成す
る。接続用バンプには錫鉛ビスマス系低温半田を用い
る。錫鉛ビスマス系低温半田バンプはフォトレジストを
使用したフォトリソグラフィー工程および真空蒸着によ
る錫鉛ビスマス合金析出工程を用いたリフトオフ法で形
成する。この時の半田層の膜厚は10μmである。
(5) A connection bump 27 is formed on the uppermost layer of the multilayer wiring layer formed in the step (4) at a position where electrical connection with the multilayer wiring layer formed in the following step (6) is made. Tin-lead-bismuth-based low-temperature solder is used for the connection bumps. The tin-lead-bismuth-based low-temperature solder bump is formed by a lift-off method using a photolithography process using a photoresist and a tin-lead-bismuth alloy deposition process by vacuum evaporation. At this time, the thickness of the solder layer is 10 μm.

【0045】(6)図6(b)に示すように、工程
(5)で形成した多層配線層の最上層に、マレイミド樹
脂ワニス20を塗布し、熱風循環オープンで乾燥する。
(6) As shown in FIG. 6 (b), a maleimide resin varnish 20 is applied to the uppermost layer of the multilayer wiring layer formed in the step (5), and dried by hot air circulation open.

【0046】(7)工程(5)で形成したバンプ上にの
っているマレイミド樹脂20を除去する。除去工程は次
の通りである。フォトレジストを使用したフォトリソグ
ラフィー工程およびスパッタによる銅薄膜形成工程を用
いたリフトオフ法で、工程(5)で形成したバンプ上以
外のマレイミド樹脂上に銅薄膜層を0.5μm形成し、
次に酸素ガスを用いたプラズマエッチング処理で露出し
ているマレイミド樹脂を除去し、工程(5)で形成した
接続用バンプを露出させ、次にウェットエッチング法で
マレイミド樹脂上の銅薄膜を除去する。
(7) The maleimide resin 20 on the bumps formed in the step (5) is removed. The removal process is as follows. By a photolithography process using a photoresist and a lift-off method using a copper thin film formation process by sputtering, a 0.5 μm thick copper thin film layer is formed on the maleimide resin other than on the bumps formed in the step (5),
Next, the exposed maleimide resin is removed by plasma etching using oxygen gas, the connection bumps formed in step (5) are exposed, and then the copper thin film on the maleimide resin is removed by wet etching. .

【0047】次に、上記とは別に裏面に入出力ピンを有
するセラミック基板上に一組の信号配線層とそれをはさ
む一組の接地および接続層を以下の工程で形成する。
Next, a set of signal wiring layers and a set of grounding and connection layers sandwiching the signal wiring layers are formed on a ceramic substrate having input / output pins on the back surface separately from the above by the following steps.

【0048】(8)図6(c)に示すように、信号入出
力ピンおよび電源ピン8が裏面にあるセラミック基板9
に接地および接続配線層10をフォトレジストを用いた
フォトリソグラフィーでパターン化し、電解銅メッキを
行い接地および接続配線層を形成する。
(8) As shown in FIG. 6C, a ceramic substrate 9 having signal input / output pins and power supply pins 8 on the back surface
The ground and connection wiring layer 10 is patterned by photolithography using a photoresist, and electrolytic copper plating is performed to form a ground and connection wiring layer.

【0049】(9)感光性ポリイミドワニスを工程
(8)で接地および接続層10を形成したセラミック基
板上に塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホ
ールを形成し、キュアを行う。
(9) A photosensitive polyimide varnish is applied on the ceramic substrate on which the grounding and connection layer 10 has been formed in step (8), exposed and developed to form via holes at predetermined positions, and curing is performed.

【0050】(10)一組の信号配線層13を層間絶縁
に感光性ポリイミドを使用して形成する。形成方法は、
工程(1)において接地および接続層を形成した方法で
信号配線層を形成し、工程(2)において絶縁層を形成
した方法で信号層間絶縁層を形成する。
(10) A pair of signal wiring layers 13 are formed by using photosensitive polyimide for interlayer insulation. The formation method is
A signal wiring layer is formed by the method of forming the ground and connection layers in the step (1), and a signal interlayer insulating layer is formed by the method of forming the insulating layer in the step (2).

【0051】(11)感光性ポリイミドワニスを工程
(10)で形成した信号配線上に塗布し、露光・現像を
行い所定の位置にヴィアホールを形成し、キュアを行
う。
(11) A photosensitive polyimide varnish is applied on the signal wiring formed in the step (10), exposed and developed to form a via hole at a predetermined position, and cured.

【0052】(12)接地および接続層15を工程
(8)において使用した方法で工程(11)で形成した
ポリイミド層上に形成する。
(12) The ground and connection layer 15 is formed on the polyimide layer formed in the step (11) by the method used in the step (8).

【0053】(13)2層目の接地および接続層15の
上に工程(11)と同じようにヴィアホールが形成され
たポリイミド層を形成する。
(13) A polyimide layer having a via hole formed thereon is formed on the second grounding and connection layer 15 in the same manner as in the step (11).

【0054】(14)工程(13)で形成したポリイミ
ド層上に錫鉛ビスマス系低温半田バンプ21を形成す
る。錫鉛ビスマス系低温半田バンプは工程(5)の方法
で形成する。この時の半田層の膜厚は10μmである。
(14) A tin-lead-bismuth-based low-temperature solder bump 21 is formed on the polyimide layer formed in the step (13). The tin-lead-bismuth-based low-temperature solder bump is formed by the method of step (5). At this time, the thickness of the solder layer is 10 μm.

【0055】(15)図7(d)に示すように、工程
(1)〜(7)で形成したアルミニウム平板上の接続用
半田バンプとマレイミド樹脂接着層20を有するポリイ
ミド多層配線層25と、工程(8)〜(14)で形成し
たセラミック基板上の半田バンプを有するポリイミド多
層配線層26を位置合わせを行った後重ね合わせ、加圧
およびマレイミド樹脂の流動温度まで加熱を行い互いの
ポリイミド多層配線層を接着し固定する。この時、錫鉛
ビスマス系低温半田バンプ21,27は融解,接合し、
ふたつの積層体が電気的に接続する。加圧および加熱方
法は次の通りである。加圧・加熱はオートクレーブ型真
空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガスを使用し、
加圧は基板温度130℃までは3kg/cm2 、基板温
度130℃から180℃までは14kg/cm2 で行
う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミドフィ
ルムを用いて密封し、真空ポンプを接続して内部を10
Torr以下の減圧状態にする。
(15) As shown in FIG. 7 (d), a polyimide multilayer wiring layer 25 having a connection solder bump and a maleimide resin adhesive layer 20 on an aluminum flat plate formed in steps (1) to (7), The polyimide multilayer wiring layers 26 having the solder bumps on the ceramic substrate formed in the steps (8) to (14) are aligned, then superposed, pressed, and heated to the flow temperature of the maleimide resin to perform mutual polyimide multilayering. The wiring layer is bonded and fixed. At this time, the tin-lead-bismuth-based low-temperature solder bumps 21 and 27 are melted and joined,
The two laminates are electrically connected. The pressurizing and heating methods are as follows. Pressurization and heating use an autoclave type vacuum press device, pressurized gas uses nitrogen gas,
Pressurization is performed at 3 kg / cm 2 up to a substrate temperature of 130 ° C., and 14 kg / cm 2 at a substrate temperature of 130 ° C. to 180 ° C. At this time, the substrate is placed on a platen, sealed using a polyimide film, and a vacuum pump is connected to make the inside
The pressure is reduced to Torr or less.

【0056】(16)16%塩酸水溶液に上記接着済み
基板のアルミニウム平板部分を浸漬し、アルミニウム平
板1を溶解除去する。
(16) The aluminum plate portion of the bonded substrate is immersed in a 16% hydrochloric acid aqueous solution to dissolve and remove the aluminum plate 1.

【0057】(17)工程(16)で新たに露出した工
程(1)で作成した接地および接続配線層2上に感光性
ポリイミドワニスを塗布し、露光・現像を行い所定の位
置にヴィアホールを形成し、キュアを行う。
(17) A photosensitive polyimide varnish is applied on the ground and connection wiring layer 2 formed in the step (1) newly exposed in the step (16), and is exposed and developed to form a via hole at a predetermined position. Form and cure.

【0058】(18)工程(17)で形成したポリイミ
ド層上に錫鉛ビスマス系低温半田バンプを形成する。形
成方法は工程(5)と同じである。
(18) A tin-lead-bismuth-based low-temperature solder bump is formed on the polyimide layer formed in the step (17). The forming method is the same as in step (5).

【0059】(19)工程(1)〜(18)で形成した
折り配線層積層体上に工程(1)〜(7)で形成した別
のポリイミド配線層を、工程(15)〜(18)の方法
で配線層数が8層になるまで積層一体化工程を繰り返
し、最後に、図7(e)に示すように多層配線基板とL
SIチップの配線とを接続する接続電極層を形成する。
この工程は第1の実施例の工程(19)と同じである。
本実施例では、接着剤に溶融硬化型であるマレイミド樹
脂を使用したが、この他に溶融がたのフッ化エチレンと
パーフルオロアルキルパーフルオロビニルエーテル共重
合体を使用することも可能である。
(19) Another polyimide wiring layer formed in the steps (1) to (7) is formed on the folded wiring layer laminate formed in the steps (1) to (18) by the steps (15) to (18). The lamination and integration process is repeated until the number of wiring layers becomes eight by the method described in (1). Finally, as shown in FIG.
A connection electrode layer for connecting to the wiring of the SI chip is formed.
This step is the same as step (19) of the first embodiment.
In the present embodiment, a melt-curable maleimide resin is used as the adhesive. However, it is also possible to use a molten ethylene fluoride and a perfluoroalkyl perfluorovinyl ether copolymer.

【0060】また、上述した第1および第2の実施例で
は、接着するふたつのポリイミド多層配線層のうちの一
方の表面層にのみ接着剤を塗布またはラミネートした
が、ポリイミド表面層の凹凸が大きい場合は、両方の表
面層に上述した製造方法の実施例と同じ方法で接着剤を
塗布またはラミネートし,接着面の凹凸の影響を軽減し
て接着を行う製造方法を使用する。
In the first and second embodiments, the adhesive is applied or laminated only on one surface layer of the two polyimide multilayer wiring layers to be bonded. However, the unevenness of the polyimide surface layer is large. In this case, a manufacturing method is used in which an adhesive is applied or laminated to both surface layers in the same manner as in the above-described embodiment of the manufacturing method, and the influence of unevenness on the bonding surface is reduced to perform bonding.

【0061】また、上述した実施例ではセラミック基板
上にポリイミド多層配線層を形成したが、セラミック基
板の他に硬質有機樹脂基板、例えば、ポリイミド樹脂の
成形基板なども使用することができる。この場合の入出
力ピンは、ポリイミド樹脂成形基板に貫通スルーホール
を形成し入出力ピンを打ち込んで形成する。このポリイ
ミド樹脂成形基板を使用したポリイミド多層配線基板の
断面図を図8に示す。
In the above-described embodiment, the polyimide multilayer wiring layer is formed on the ceramic substrate. However, a hard organic resin substrate, for example, a polyimide resin molded substrate can be used in addition to the ceramic substrate. In this case, the input / output pins are formed by forming through-holes in the polyimide resin molded substrate and driving the input / output pins. FIG. 8 is a cross-sectional view of a polyimide multilayer wiring board using this polyimide resin molded board.

【0062】入出力ピン34がポリイミド成形基板33
に打ち込まれている。その他の構成は、図1のポリイミ
ド多層配線基板と同じであり、同一の要素には同一の参
照番号を付して示している。本実施例の多層配線基板
は、土台となるポリイミド樹脂成形基板33と配線層5
を有するポリイミド多層配線層の熱膨張係数を正確に合
わせることが可能であり、特に大面積高積層配線基板の
製造に適している。
The input / output pins 34 are
Is being driven into. Other configurations are the same as those of the polyimide multilayer wiring board of FIG. 1, and the same elements are denoted by the same reference numerals. The multilayer wiring board of the present embodiment includes a polyimide resin molded board 33 serving as a base and a wiring layer 5.
It is possible to accurately match the thermal expansion coefficient of the polyimide multi-layer wiring layer having the above, and it is particularly suitable for manufacturing a large-area high-layer wiring board.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上説明したように本発明のポリイミド
多層配線基板は,ポリイミド多層配線層の構造を、複数
の配線層を含んだ積層体をひとつのブロックとした、複
数ブロック積層構造とし、各々のブロック間の電気的接
続は、半田バンプ同士のろう付けで行うことを特徴とす
ることにより、以下の効果がある。
As described above, in the polyimide multilayer wiring board of the present invention, the structure of the polyimide multilayer wiring layer is a multiple block laminated structure in which a laminate including a plurality of wiring layers is formed as one block. The electrical connection between the blocks is characterized by being performed by brazing the solder bumps, and the following effects are obtained.

【0064】(1)従来の多層プリント配線基板で必要
であった貫通スルーホールが不必要となり、また、信号
配線層部分に微細配線パターンが形成できるため、高い
信号配線収容性と高多層・高密度配線を実現することが
できる。
(1) Through-holes required in a conventional multilayer printed wiring board are not required, and a fine wiring pattern can be formed in a signal wiring layer portion. High density wiring can be realized.

【0065】(2)従来の逐次積層方式のポリイミド・
セラミック多層配線基板は積層層数の回数のキュア工程
が必要であり、そのため、逐次積層工程の初期の積層工
程で形成したポリイミド層に多数回にわたるキュア工程
が加わり、ポリイミド樹脂の熱劣化が発生したが、本発
明の製造方法では、キュア工程は複数の配線層を含んだ
積層体を形成する工程のみであるため、多数回キュアに
よるポリイミド樹脂の熱劣化を防止できる。このこと
は、図1のポリイミド多層配線基板を例にすると次のよ
うになる。
(2) Conventional sequential lamination type polyimide
The ceramic multi-layer wiring board requires the number of curing steps of the number of laminated layers, and therefore, the curing step was performed many times on the polyimide layer formed in the initial laminating step of the sequential laminating step, and the polyimide resin was thermally degraded. However, in the manufacturing method of the present invention, since the curing step is only a step of forming a laminate including a plurality of wiring layers, it is possible to prevent the polyimide resin from being thermally degraded due to curing many times. This is as follows, taking the polyimide multilayer wiring board of FIG. 1 as an example.

【0066】 従来の逐次積層方式のキュア工程回数=12回 本発明の方法のキュア工程回数 = 3回 効果 … キュア工程回数が従来方式の1/4 また、本発明の製造方法は形成する配線層数に関係なく
キュア工程の回数が3回であるので、信号配線層数が増
えるほどその効果は大きくなる。
The number of curing steps in the conventional sequential lamination method = 12 times The number of curing steps in the method of the present invention = 3 effects Effect: the number of curing steps is 1/4 of the conventional method. Since the number of curing steps is three regardless of the number, the effect increases as the number of signal wiring layers increases.

【0067】(3)従来の逐次積層方式のポリイミド多
層配線基板では、その製造工程中に不良が発生した場
合、それまで形成してきた下層配線層部分を含めて廃棄
となり、信号配線層数が増えるほど製造歩留まりの低下
が著しかったが、本発明のポリイミド多層配線基板では
複数の配線層を含んだ積層体ブロック単位で配線層の電
気検査ができるため、良品ブロックを選別して積層する
ことができるようになり、信号配線層数の増加に対して
製造歩留まりの低下を抑えることができる。このこと
は、図1のポリイミド多層配線基板を例にすると、次の
ようになる。
(3) In the case of the conventional sequential multi-layered polyimide multilayer wiring board, if a defect occurs during the manufacturing process, it is discarded including the lower wiring layer portion formed up to that time, and the number of signal wiring layers increases. Although the manufacturing yield was significantly reduced, the polyimide multilayer wiring board of the present invention can perform electrical inspection of wiring layers in units of a laminate block including a plurality of wiring layers, so that non-defective blocks can be selected and laminated. As a result, it is possible to suppress a decrease in manufacturing yield with respect to an increase in the number of signal wiring layers. This is as follows, taking the polyimide multilayer wiring board of FIG. 1 as an example.

【0068】 信号または接地配線形成工程における1層当たりの歩留
まり=95% 積層体ブロック接着工程における1回当たりの歩留まり
=95% とすると、 従来の逐次積層方式における製造歩留まり 形成する配線層数=信号層8層+接地層5層=13層 製造歩留まり=(0.95)13=0.51 よって、製造歩留まりは51%となる。
Assuming that the yield per layer in the signal or ground wiring forming step = 95%, the yield per cycle in the laminated block bonding step = 95%, the manufacturing yield in the conventional sequential lamination method The number of wiring layers to be formed = signal 8 layers + 5 ground layers = 13 layers Manufacturing yield = (0.95) 13 = 0.51 Therefore, the manufacturing yield is 51%.

【0069】本発明の製造方法における製造歩留まり ひとつの積層体ブロックの構成=信号層2層+接地層1
層=3層 ひとつの積層体ブロックの歩留まり=(0.95)3
0.86 積層体ブロック接着回数=3 積層体ブロック接着工程3回の歩留まり=(0.95)
3 =0.86 製造歩留まり=0.86×0.86=0.74 よって、製造歩留まりは74%となる。
Manufacturing Yield in the Manufacturing Method of the Present Invention One laminated block configuration = two signal layers + ground layer 1
Layer = 3 layers Yield of one laminated block = (0.95) 3 =
0.86 Number of times laminate block bonding = 3 Yield of three times laminate block bonding process = (0.95)
3 = 0.86 Manufacturing yield = 0.86 × 0.86 = 0.74 Therefore, the manufacturing yield is 74%.

【0070】効果 製造歩留まりが23%向上する。Effect The production yield is improved by 23%.

【0071】また、本発明の製造方法は信号配線層数が
増えるほどその効果が大きくなることは、上述の例で明
白である。
It is clear from the above-mentioned example that the effect of the manufacturing method of the present invention increases as the number of signal wiring layers increases.

【0072】(4)従来の逐次積層方式のポリイミド多
層配線基板では、その製造期間が配線層数に比例して増
加していったが、本発明の製造方法では複数の配線層を
含んだ積層体ブロックを製造する期間とその積層体ブロ
ックを接着する工程の期間のみで製造することができる
ため、多層配線基板の製造日数を大幅に短縮することが
できる。このことは、図1のポリイミド多層配線基板を
例にすると、次のようになる。
(4) In the conventional sequential multi-layered polyimide multi-layer wiring board, the manufacturing period increases in proportion to the number of wiring layers. However, in the manufacturing method of the present invention, the lamination including a plurality of wiring layers is performed. Since it can be manufactured only during the period of manufacturing the body block and the period of the step of bonding the laminated body block, the number of days for manufacturing the multilayer wiring board can be greatly reduced. This is as follows, taking the polyimide multilayer wiring board of FIG. 1 as an example.

【0073】 1層の配線層を形成するのに必要な製造日数=1日 1層の絶縁層を形成するのに必要な製造日数=1日 1回の積層体ブロック接着工程に必要な製造日数=1日 とすると、 従来の逐次積層方式における製造日数 形成する配線層数=信号層8層+接地層5層=13層 配線層形成に必要な日数=13日 形成する絶縁層数=13層 絶縁層形成に必要な日数=13日 よって、製造日数=13日+13日=26日 となる。The number of manufacturing days required to form one wiring layer = 1 day The number of manufacturing days required to form one insulating layer = 1 day The number of manufacturing days required for one laminate block bonding step = 1 day, the number of manufacturing days in the conventional sequential lamination method Number of wiring layers to be formed = 8 signal layers + 5 ground layers = 13 layers Number of days required for forming wiring layers = 13 days Number of insulating layers to be formed = 13 layers The number of days required for forming the insulating layer = 13 days. Therefore, the number of manufacturing days = 13 days + 13 days = 26 days.

【0074】本発明の製造方法における製造歩日数 ひとつの積層体ブロックの配線層数=信号層2層+接地
層1層=3層 ひとつの積層体ブロックの絶縁層数=3層 ひとつの積層体ブロック形成に必要な日数=6日 積層体ブロック接着回数=3回 積層体ブロック接着工程3回に必要な日数=3日 よって、製造日数=6日+3日=9日 となる。
Manufacturing Days in the Manufacturing Method of the Present Invention Number of Wiring Layers in One Stack Block = 2 Signal Layers + 1 Ground Layer = 3 Layers Number of Insulating Layers in One Stack Block = 3 Layers One Stack Number of days required for block formation = 6 days Number of times of lamination block bonding = 3 times Days required for three lamination block bonding steps = 3 days Therefore, the number of manufacturing days = 6 days + 3 days = 9 days.

【0075】効果 製造日数が65%短縮される。また、本発明の折り多層
配線基板およびその製造方法は、信号配線層数が増える
ほどその効果が大きくなることは、上述の例で明白であ
る。
Effect The production days are reduced by 65%. It is clear from the above example that the effect of the folded multilayer wiring board and the method of manufacturing the same according to the present invention increases as the number of signal wiring layers increases.

【0076】以上のように、本発明は、高品質高多層高
配線密度ポリイミド多層配線基板を、短い製造日数で、
かつ、高い製造歩留まりで形成できるという効果があ
る。
As described above, the present invention provides a high-quality, high-multilayer, high-wiring-density polyimide multilayer wiring board in a short number of production days.
In addition, there is an effect that it can be formed with a high production yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のポリイミド多層配線基板の構造の第1
の実施例を図示したものである。
FIG. 1 shows a first structure of a polyimide multilayer wiring board according to the present invention.
1 illustrates the embodiment of FIG.

【図2】本発明の製造方法の第1の実施例をその製造工
程順に図示したものである。
FIG. 2 illustrates a first embodiment of the manufacturing method of the present invention in the order of the manufacturing steps.

【図3】本発明の製造方法の第1の実施例をその製造工
程順に図示したものである。
FIG. 3 shows a first embodiment of the manufacturing method of the present invention in the order of the manufacturing steps.

【図4】本発明の製造方法の第1の実施例をその製造工
程順に図示したものである。
FIG. 4 illustrates a first embodiment of the manufacturing method of the present invention in the order of the manufacturing steps.

【図5】本発明の製造方法の第1の実施例をその製造工
程順に図示したものである。
FIG. 5 illustrates a first embodiment of the manufacturing method of the present invention in the order of the manufacturing steps.

【図6】本発明の製造方法の第2の実施例をその製造工
程順に図示したものである。
FIG. 6 shows a second embodiment of the manufacturing method of the present invention in the order of the manufacturing steps.

【図7】本発明の製造方法の第2の実施例をその製造工
程順に図示したものである。
FIG. 7 shows a second embodiment of the manufacturing method of the present invention in the order of the manufacturing steps.

【図8】本発明のポリイミド多層配線基板の構造の第2
の実施例を図示したものである。
FIG. 8 shows the second structure of the polyimide multilayer wiring board of the present invention.
1 illustrates the embodiment of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アルミニウム平板 2,10 接地および接続配線層 3,6,12,14,16 ヴィアホール 4,11 ポリイミドワニス 5,13 信号配線層 7,17,18 金錫半田バンプ 8 入出力ピン 9 セラミック基板 15 第2接地および接続層 19 LSI接続用パット 20 マレイミド樹脂 21,27 錫鉛ビスマス系半田バンプ 23 ガラス転移点のあるポリイミド 24 ブロック 25 アルミニウム平板上のポリイミド多層配線層 26 セラミック基板上のポリイミド多層配線層 33 ポリイミド成形基板 34 ポリイミド成形基板に打ち込まれた入出力ピン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Aluminum flat plate 2,10 Grounding and connection wiring layer 3,6,12,14,16 Via hole 4,11 Polyimide varnish 5,13 Signal wiring layer 7,17,18 Gold tin solder bump 8 Input / output pin 9 Ceramic substrate 15 Second grounding and connection layer 19 LSI connection pad 20 Maleimide resin 21, 27 Tin-lead-bismuth-based solder bump 23 Polyimide with glass transition point 24 Block 25 Polyimide multilayer wiring layer on aluminum flat plate 26 Polyimide multilayer wiring layer on ceramic substrate 26 33 Polyimide molded substrate 34 Input / output pins driven into polyimide molded substrate

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】セラミック基板または硬質有機樹脂基板上
にポリイミド多層配線層を有する多層配線基板におい
て、ポリイミド多層配線層が、複数の配線層の積層体を
ひとつのブロックとし、このブロックの複数個の積層構
造であり、各々のブロック間の接続は各ブロックの積層
体の表面上に形成された半田バンプ同士のろう付けと、
ガラス転移点を有するポリイミド樹脂によることを特徴
とするポリイミド多層配線基板。
1. A multilayer wiring board having a polyimide multilayer wiring layer on a ceramic substrate or a hard organic resin substrate, wherein the polyimide multilayer wiring layer forms a laminate of a plurality of wiring layers into one block, It is a laminated structure, the connection between each block is the brazing of solder bumps formed on the surface of the laminate of each block,
A polyimide multilayer wiring board made of a polyimide resin having a glass transition point .
【請求項2】複数個の配線層の積層体をひとつのブロッ
クとするポリイミド多層配線層を硬質な平板上に形成
し、そのポリイミド多層配線層の少なくとも最上層はガ
ラス転移点を有するポリイミド樹脂を使用し、そのポリ
イミド多層配線層の表面にヴィアホールを介して積層体
内部の配線層と電気的に接続した半田バンプを形成する
第1の工程と、 セラミックなどの硬質基板上に、複数個の配線層の積層
体をひとつのブロックとするポリイミド多層配線層を形
成し、そのポリイミド多層配線層の表面にヴィアホール
を介して積層体内部の配線層と電気的に接続した半田バ
ンプを形成する第2の工程と、 第1の工程で形成したポリイミド多層配線層のポリイミ
ド表面と、第2の工程で形成したポリイミド多層配線層
の表面とを位置合わせを行って重ね合わせたのち、加圧
・加熱条件下において、第1の工程で形成したポリイミ
ド多層配線層のポリイミド面と第2の工程で形成したポ
リイミド多層配線層のポリイミド面をガラス転移点を有
するポリイミド樹脂の自己接着性で接着し、同時に半田
バンプ同士をろう付けして、積層体間を電気的に接続
し、次に第1の工程でポリイミド多層配線層を形成する
ときに使用した硬質平板をポリイミド多層配線層から剥
離し、新たに露出したポリイミド表面上にヴィアホール
を介して積層体内部の配線層と電気的に接続した半田バ
ンプを形成する第3の工程と、 第1の工程と同じ方法で形成した別のポリイミド多層配
線層のポリイミド表面と、第3の工程で形成したポリイ
ミド多層配線層の表面とを、第3の工程と同じ方法を用
いてポリイミド多層配線層積層構造を形成する第4の工
程と、 第4の工程を複数回繰り返すことにより、ポリイミド多
層配線層積層構造を形成する第5の工程と、 を含むことを特徴とするポリイミド多層配線基板の製造
方法。
2. A polyimide multilayer wiring layer having a laminate of a plurality of wiring layers as one block is formed on a hard flat plate, and at least the uppermost layer of the polyimide multilayer wiring layer is made of a polyimide resin having a glass transition point. A first step of forming a solder bump electrically connected to a wiring layer inside the laminate through a via hole on the surface of the polyimide multilayer wiring layer; Forming a polyimide multilayer wiring layer having the laminate of wiring layers as one block, and forming solder bumps electrically connected to the wiring layer inside the laminate via via holes on the surface of the polyimide multilayer wiring layer. Step 2, the polyimide surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the first step is aligned with the surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the second step. Then, under pressure and heating conditions, the polyimide surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the first step and the polyimide surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the second step are polyimide having a glass transition point. The hard flat plate used when forming the polyimide multilayer wiring layer in the first step is formed by bonding the resin with self-adhesive properties, brazing the solder bumps at the same time, and electrically connecting the laminates. The third step of peeling off the polyimide multilayer wiring layer and forming solder bumps electrically connected to the wiring layer inside the laminate through via holes on the newly exposed polyimide surface, the same as the first step The polyimide surface of another polyimide multi-layer wiring layer formed by the method and the surface of the polyimide multi-layer wiring layer formed in the third step are formed by using the same method as in the third step. A fourth step of forming a multi-layer wiring layer laminated structure; and a fifth step of forming a polyimide multi-layer wiring layer laminated structure by repeating the fourth step a plurality of times. Substrate manufacturing method.
【請求項3】複数個の配線層の積層体をひとつのブロッ
クとするポリイミド多層配線層を硬質な平板上に形成
し、そのポリイミド多層配線層の最上層に溶融硬化型ま
たは溶融型接着剤を使用し、その接着剤層の表面にヴィ
アホールを介して積層体内部の配線層と電気的に接続し
た半田バンプを形成する第1の工程と、 セラミックなどの硬質基板上に、複数個の配線層の積層
体をひとつのブロックとするポリイミド多層配線層を形
成し、そのポリイミド多層配線層の表面にヴィアホール
を介して積層体内部の配線層と電気的に接続した半田バ
ンプを形成する第2の工程と、 第1の工程で形成したポリイミド多層配線層の接着剤層
と、第2の工程で形成したポリイミド多層配線層の表面
とを位置合わせを行って重ね合わせたのち、加圧・加熱
条件下において、第1の工程で形成したポリイミド多層
配線層の接着剤面と、第2の工程で形成したポリイミド
多層配線層のポリイミド面を接着剤で接着し、同時に半
田バンプ同士をろう付けして、積層体間を電気的に接続
し、次に第1の工程でポリイミド多層配線層を形成する
ときに使用した硬質平板をポリイミド多層配線層から剥
離し、新たに露出したポリイミド表面上にヴィアホール
を介して積層体内部の配線層と電気的に接続した半田バ
ンプを形成する第3の工程と、 第1の工程と同じ方法で形成した別のポリイミド多層配
線層の接着剤層と、第3の工程で形成したポリイミド多
層配線層の表面とを、第3の工程と同じ方法を用いてポ
リイミド多層配線層積層構造を形成する第4の工程と、 第4の工程を複数回繰り返すことにより、ポリイミド多
層配線層積層構造を形成する第5の工程と、 を含むことを特徴とするポリイミド多層配線基板の製造
方法。
3. A polyimide multilayer wiring layer having a laminate of a plurality of wiring layers as one block is formed on a hard flat plate, and a melt-curable or molten adhesive is formed on the uppermost layer of the polyimide multilayer wiring layer. A first step of forming a solder bump electrically connected to a wiring layer inside the laminate through a via hole on the surface of the adhesive layer, and forming a plurality of wirings on a hard substrate such as a ceramic. Forming a polyimide multi-layer wiring layer having the layer stack as one block, and forming solder bumps on the surface of the polyimide multi-layer wiring layer, which are electrically connected to the wiring layer inside the stack through via holes. And positioning the adhesive layer of the polyimide multi-layer wiring layer formed in the first step and the surface of the polyimide multi-layer wiring layer formed in the second step so as to overlap with each other. Article Below, the adhesive surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the first step and the polyimide surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the second step are bonded with an adhesive, and the solder bumps are simultaneously brazed. Then, the laminate was electrically connected, and then the hard flat plate used in forming the polyimide multilayer wiring layer in the first step was peeled off from the polyimide multilayer wiring layer to form a via hole on the newly exposed polyimide surface. A third step of forming a solder bump electrically connected to the wiring layer inside the laminate through the third step; an adhesive layer of another polyimide multilayer wiring layer formed by the same method as the first step; By repeating the fourth step and the fourth step of forming the polyimide multilayer wiring layer laminated structure by using the same method as the third step on the surface of the polyimide multilayer wiring layer formed in the step Po Method for manufacturing a polyimide multilayer wiring substrate characterized by comprising a fifth step of forming an imide multilayer wiring layer stacked structure.
【請求項4】位置合わせを行って重ね合わせを行うポリ
イミド面の両面に溶融硬化型または溶融型接着剤を使用
することを特徴とする請求項3または4記載のポリイミ
ド多層配線基板の製造方法。
4. A method for producing a polyimide multilayer wiring board according to claim 3, wherein a melt-curing type or a melting type adhesive is used on both sides of the polyimide surface to be aligned and superposed.
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