JP4672290B2 - Circuit board, package board manufacturing method, and package board - Google Patents

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Description

本発明は回路基板、パッケージ基板の製造方法及びパッケージ基板に関するものであり、特に、基板製造段階で発生する薄層化に伴う基板の反り或いは素子実装に伴う熱処理による基板の反りを低減するための構成に特徴のある回路基板、パッケージ基板の製造方法及びパッケージ基板に関するものである。 The present invention relates to a circuit board, a method for manufacturing a package substrate, and a package substrate , and more particularly to reduce the warpage of the substrate due to thinning that occurs in the substrate manufacturing stage or the warpage of the substrate due to heat treatment accompanying element mounting. The present invention relates to a circuit board having a characteristic configuration, a method for manufacturing a package board, and a package board .

近年、基板に実装する電子部品の高集積化或いは高密度化に伴って、実装基板に設ける配線も高密度化する必要があり、このような配線の高密度化に対応するためにビルドアップ基板が開発されている(例えば、特許文献1或いは特許文献2参照)。   In recent years, as electronic components to be mounted on a substrate are highly integrated or densified, it is also necessary to increase the density of wiring provided on the mounting substrate. Have been developed (see, for example, Patent Document 1 or Patent Document 2).

ここで、図12及び図13を参照して、従来のビルドアップ基板の製造工程の一例を説明する。
図12参照
図12は、従来のビルドアップ基板の製造工程のフロー図であり、まず、
a.複数の多層回路基板を形成するためのBTレジン等からなるコア基板を投入し、次いで、
b.コア基板にスルービアを形成したのち、コア基板の両面に所定の第1配線パターン(L3 ,L4 )を形成する。次いで、
c.両面に第1絶縁層を形成したのち、所定のビア(V3 ,V4 )を形成する。次いで、d.第1絶縁層上に第2配線パターン(L2 ,L5 )を形成し、次いで、
e.両面に第2絶縁層を形成したのち、所定のビア(V2 ,V5 )を形成する。次いで、f.第2絶縁層上に第3配線パターン(L1 ,L6 )を形成する。
なお、この場合の第1配線パターン(L3 ,L4 )及び第3配線パターン(L1 ,L6 )は例えば信号配線であり、第2配線パターン(L2 ,L5 )は電源配線及びGND配線である。
Here, with reference to FIG. 12 and FIG. 13, an example of the manufacturing process of the conventional buildup board | substrate is demonstrated.
See FIG.
FIG. 12 is a flowchart of a conventional build-up board manufacturing process.
a. A core substrate made of BT resin or the like for forming a plurality of multilayer circuit boards is introduced, and then
b. After forming through vias in the core substrate, predetermined first wiring patterns (L 3 , L 4 ) are formed on both surfaces of the core substrate. Then
c. After forming the first insulating layer on both sides, predetermined vias (V 3 , V 4 ) are formed. D. Forming a second wiring pattern (L 2 , L 5 ) on the first insulating layer;
e. After forming the second insulating layer on both surfaces, predetermined vias (V 2 , V 5 ) are formed. F. Third wiring patterns (L 1 , L 6 ) are formed on the second insulating layer.
In this case, the first wiring pattern (L 3 , L 4 ) and the third wiring pattern (L 1 , L 6 ) are, for example, signal wiring, and the second wiring pattern (L 2 , L 5 ) is a power wiring and GND wiring.

次いで、
g.第3配線パターン(L1 ,L6 )の周囲にソルダレジストを形成したのち、
h.第3配線パターン(L1 ,L6 )の表面に金メッキを施す。次いで、
i.製品番号等を刻印したのち、
j.金メッキを施した第3配線パターン(L1 ,L6 )の表面に電子部品チップを接続するためのプレソルダ層を形成する。
Then
g. After forming a solder resist around the third wiring pattern (L 1 , L 6 ),
h. Gold plating is applied to the surface of the third wiring pattern (L 1 , L 6 ). Then
i. After engraving the product number, etc.
j. A pre-solder layer for connecting the electronic component chip is formed on the surface of the third wiring pattern (L 1 , L 6 ) subjected to gold plating.

次いで、
k.形成したビルドアップ基板の反り等の外観検査及び断線・短絡等の電気的特定の検査を行ったのち、
l.ビルドアップ基板を個々の多層回路基板に個片切断し、
m.ユーザに基板出荷する。
Then
k. After performing the appearance inspection such as warping of the formed build-up board and electrical specific inspection such as disconnection and short circuit,
l. Cut the build-up board into individual multilayer circuit boards,
m. Ship the board to the user.

図13参照
図13は、このようにして形成した多層回路基板の概略的断面図であり、コア基板71の両側にビルドアップ層72〜75が形成された構造となっている。
この場合のビルドアップ層72は、例えば、ビアV3 を設けた第1絶縁層及び第2配線パターンL2 からなり、ビルドアップ層74は、例えば、ビアV2 を設けた第2絶縁層及び第3配線パターンL1 からなる。
See FIG.
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the multilayer circuit board formed as described above, and has a structure in which build-up layers 72 to 75 are formed on both sides of the core board 71.
In this case, the buildup layer 72 includes, for example, a first insulating layer provided with a via V 3 and a second wiring pattern L 2 , and the buildup layer 74 includes, for example, a second insulating layer provided with a via V 2 and and a third wiring pattern L 1.

次いで、ユーザは、
n.入手した多層回路基板を反り抑制治具で押さえ込んだ状態で、
o.多層回路基板上に、工程jで形成したプレソルダ層を利用して半導体集積回路装置等の電子部品チップを搭載・実装する。
The user then
n. In a state where the obtained multilayer circuit board is pressed with a warp suppression jig,
o. An electronic component chip such as a semiconductor integrated circuit device is mounted and mounted on the multilayer circuit board using the pre-solder layer formed in step j.

しかし、電子デバイスの高速化に伴って配線長が無視できなくなり、それによって、コア基板の厚さが問題となるため、次期多層回路基板としてはコアを用いないコアレス基板が提案されている(例えば、特許文献3参照)。   However, as the speed of electronic devices increases, the wiring length cannot be ignored, and the thickness of the core substrate becomes a problem. Therefore, a coreless substrate that does not use a core has been proposed as the next multilayer circuit board (for example, And Patent Document 3).

図14参照
図14は、従来のコアレス基板の概略的断面図であり、配線層及び接続ビアを伴うビルドアップ層81〜85が順次積層された多層薄膜構造となっている。
See FIG.
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of a conventional coreless substrate having a multilayer thin film structure in which build-up layers 81 to 85 with wiring layers and connection vias are sequentially stacked.

このようなビルドアップ工法を用いた多層回路基板は半導体技術を用いて配線パターンを形成することができるので、配線パターンの高密度化が可能になり、特に、コアレス基板の場合には、薄層化に伴って配線長の短縮が可能になるため高速化に対する対応が可能になる。
特開平11−233937号公報 特開平11−289025号公報 特開2002−026171号公報
A multilayer circuit board using such a build-up method can form a wiring pattern using semiconductor technology, so that the density of the wiring pattern can be increased. In particular, in the case of a coreless board, a thin layer Since the wiring length can be shortened as the speed increases, it is possible to cope with the higher speed.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-233937 Japanese Patent Laid-Open No. 11-289025 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-026171

しかし、上述のようにコアレス基板の場合、或いは、多層回路基板におけるコア基板をより薄くした場合には、基板製造段階で反りが発生するという問題があり、このような基板の反りによって電子部品チップの搭載が困難となるという問題がある。   However, in the case of the coreless substrate as described above, or when the core substrate in the multilayer circuit substrate is made thinner, there is a problem that warpage occurs in the substrate manufacturing stage. There is a problem that it becomes difficult to mount.

また、従来の実装工程のように、反りを防止するため反り抑制治具を用いると温度サイクルによるC4部のはんだに発生する応力とひずみが問題となる。   In addition, when a warp suppressing jig is used to prevent warping as in the conventional mounting process, the stress and strain generated in the solder at the C4 portion due to the temperature cycle becomes a problem.

したがって、本発明は、基板の薄層化に伴って発生する基板反りを低減することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to reduce substrate warpage that occurs as the substrate becomes thinner.

図1は本発明の原理的構成図であり、ここで図1を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、配線層とグランド層が絶縁層を介して積層された回路基板であって、前記配線層内で配線パターンが形成された第1の領域(素子実装基板部2)と、前記グランド層において、前記第1の領域に対し積層方向に重なる領域に形成されたグランド配線パターン(7)と、前記グランド配線パターン(7)に接続され、前記グランド配線パターン(7)の周辺に形成された導電体ベタパターン3と、前記グランド配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有することを特徴とする。
或いは、回路基板であって、配線パターン(6)が形成された領域(素子実装基板部2)と、前記配線パターン(6)と同層で、前記領域の周辺に設けられた前記配線パターン(6)と接続された導電体ベタパターン3と、前記配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有することを特徴とする。
この場合、導電体ベタパターン3は、配線パターン(6)或いはグランド配線パターン(7)を囲むように形成していることが望ましい。
FIG. 1 is a diagram illustrating the basic configuration of the present invention. Means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.
To solve the above-described problem, the present invention provides a circuit board in which a wiring layer and a ground layer are laminated via an insulating layer, and a first region in which a wiring pattern is formed in the wiring layer (Element mounting substrate part 2) and the ground layer, connected to the ground wiring pattern (7) formed in a region overlapping the first region in the stacking direction, and the ground wiring pattern (7), a ground wiring pattern conductor solid pattern 3 formed on the periphery (7), have a bridge wiring pattern for connecting the conductor solid pattern and the ground wiring pattern, separation between the bridge wiring patterns adjacent separation An insulating layer is provided on the surface of the circuit board on the side of the center layer of the circuit board .
Alternatively, it is a circuit board, in which the wiring pattern (6) is formed (element mounting substrate portion 2), and the wiring pattern (6) is provided in the same layer as the wiring pattern (6). a conductive solid pattern 3 which is connected to the 6), said to have a wiring pattern and the conductor bridge connecting the solid pattern wiring pattern, the separation unit for separation between the bridge wiring patterns adjacent said circuit board An insulating layer is provided on the surface on the center layer side .
In this case, the conductive solid pattern 3 is preferably formed so as to surround the wiring pattern (6) or the ground wiring pattern (7).

このように、最終実装状態では除去する導電体ベタパターン3を素子実装基板部2の周囲、特に、配線パターン(6)或いはグランド配線パターン(7)を囲むように設けることによって、導電体ベタパターン3の剛性によって素子実装基板部2の基板反りを抑制することができる。 As described above, the conductive solid pattern 3 to be removed in the final mounting state is provided so as to surround the element mounting substrate portion 2 , particularly the wiring pattern (6) or the ground wiring pattern (7). 3 can suppress the warpage of the element mounting board portion 2.

また、導電体ベタパターン3と配線パターン(6)或いはグランド配線パターン(7)の一部とを導電体ベタパターン3と一体になったブリッジ部4で接続することが望ましく、素子5の実装後に導電体ベタパターン3を除去する際にはブリッジ部4のみを切断すれば良く、実装した素子に応力を与えることなく導電体ベタパターン3を除去することが可能になる。 Further, it is desirable to connect the conductor solid pattern 3 and a part of the wiring pattern (6) or a part of the ground wiring pattern (7) by the bridge portion 4 integrated with the conductor solid pattern 3, and after the element 5 is mounted. When the conductive solid pattern 3 is removed, only the bridge portion 4 needs to be cut, and the conductive solid pattern 3 can be removed without applying stress to the mounted element.

この場合の導電体ベタパターン3は、全ての配線層6,7と同層に設けても良いし、その内の一層の配線層6,7のみでも良いが、多層配線構造の積層方向に対して対称的に設けることが望ましい。この場合の回路基板は、典型的には多層配線構造を有する多層回路基板であり、特に、多層配線構造を有するコアレス基板である。 In this case, the conductor solid pattern 3 may be provided in the same layer as all the wiring layers 6 and 7, or only one of the wiring layers 6 and 7 may be provided. It is desirable to provide them symmetrically. The circuit board in this case is typically a multilayer circuit board having a multilayer wiring structure, and in particular, a coreless board having a multilayer wiring structure.

また、導電体ベタパターン3となる配線層6,7としては、内部配線パターンがベタ状パターンとなっている電源配線及び接地配線、或いは、電源配線または接地配線のいずれか一方のどちらかを用いることが望ましく、それによって、導電体ベタパターン3の剛性による抑制効果を素子実装基板部2に効率的に伝達することができる。   In addition, as the wiring layers 6 and 7 that become the conductor solid pattern 3, either the power supply wiring and the ground wiring in which the internal wiring pattern is a solid pattern, or one of the power supply wiring and the ground wiring is used. Therefore, it is possible to efficiently transmit the suppression effect due to the rigidity of the conductor solid pattern 3 to the element mounting board portion 2.

また、導電体ベタパターン3は、素子実装基板部2の多層配線のパターン密度を相殺するように素子実装基板部2の周囲に不均一パターンとして設けても良く、それによって、素子実装基板部の反りを効果的に抑制することができる。例えば、導電体ベタパターン3は、素子実装基板部2の周囲に部分的に設けるようにしても良いし、或いは、素子実装基板部2の全周囲に幅が不均一になるように設けても良いものである。 Further, the conductive solid pattern 3 may be provided as a non-uniform pattern around the element mounting substrate unit 2 so as to cancel out the pattern density of the multilayer wiring of the element mounting substrate unit 2. Warpage can be effectively suppressed. For example, the conductor solid pattern 3 may be partially provided around the element mounting substrate unit 2 or may be provided so that the width is nonuniform over the entire periphery of the element mounting substrate unit 2. It ’s good.

また、本発明は、パッケージ基板及びその製造方法であって、配線層とグランド層が絶縁層を介して積層された回路基板であって、前記配線層内で配線パターンが形成された第1の領域と、前記グランド層において、前記第1の領域に対し積層方向に重なる領域に形成されたグランド配線パターンと、前記グランド配線パターンに接続され、前記グランド配線パターンの周辺に形成された導電体ベタパターンと、前記グランド配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有する回路基板に対して、前記第1の領域に素子を実装する工程と、前記第1の領域を切り出す工程とを有することを特徴とする。このように、素子実装基板部2に素子5を実装したのち、ブリッジ部4を切断する等の方法で素子実装基板部2を周囲から切り離すことによって、実装工程における熱歪みの影響による反りを問題にすることなく実装が可能になる。 The present invention also relates to a package substrate and a method for manufacturing the same, wherein the wiring layer and the ground layer are stacked via an insulating layer, and the wiring pattern is formed in the wiring layer. A ground wiring pattern formed in a region overlapping with the first region in the stacking direction in the ground layer, and a conductor solid connected to the ground wiring pattern and formed around the ground wiring pattern possess a pattern, the bridge wiring pattern for connecting the conductor solid pattern and the ground wiring pattern on the surface of the central layer side of the circuit board of the separation unit for separation between the bridge wiring patterns adjacent an insulating layer The circuit board includes a step of mounting an element in the first region, and a step of cutting out the first region. In this way, after mounting the element 5 on the element mounting board 2, the element mounting board 2 is separated from the surroundings by a method such as cutting the bridge 4, thereby causing a warp due to the influence of thermal strain in the mounting process. Implementation is possible without making it.

また、本発明は、パッケージ基板及びその製造方法であって、配線パターンが形成された領域と、前記配線パターンと同層で、前記領域の周辺に設けられた前記配線パターンと接続された導電体ベタパターンと、前記配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有する回路基板に対して、前記領域に素子を実装する工程と、前記領域を切り出す工程とを有することを特徴とする。 The present invention also relates to a package substrate and a method for manufacturing the same, and a conductor connected to the wiring pattern provided in the periphery of the region in the same layer as the wiring pattern and in the same layer as the wiring pattern. and the solid pattern, the have a wiring pattern and the conductor bridge connecting the solid pattern wiring pattern on the surface of the central layer side of the circuit board of the separation unit for separation between the bridge wiring patterns adjacent the insulating layer The circuit board includes a step of mounting an element in the region and a step of cutting out the region.

本発明によれば、実装基板部の周囲に導電体ベタパターンを形成しているので、基板製造段階で発生する反りを抑制できるとともに、チップ搭載後にベタパターン部分を切り取ることにより最終的に実装構造は同じでありながら実装工程における基板反りを抑制することができる。   According to the present invention, since the conductor solid pattern is formed around the mounting substrate portion, it is possible to suppress the warp that occurs in the substrate manufacturing stage, and finally the mounting structure by cutting off the solid pattern portion after mounting the chip. While being the same, it is possible to suppress substrate warpage in the mounting process.

本発明は、最終実装工程後に実在する素子実装基板部の周囲に銅箔ベタパターンを設け、この銅箔ベタパターンと素子実装基板部とを配線パターンに接続する導体からなるブリッジで接続し、この状態で素子を実装したのち、ブリッジを素子実装基板部から切り離すものである。   The present invention provides a solid copper foil pattern around the actual device mounting board portion after the final mounting process, and connects the copper foil solid pattern and the device mounting board portion with a bridge made of a conductor connected to the wiring pattern. After the element is mounted in the state, the bridge is separated from the element mounting board part.

ここで、図2乃至図5を参照して、本発明の実施例1のコアレス基板の製造工程を説明するが、配線パターン及びビア等の製造工程としては半導体製造工程に用いられている微細加工技術を応用する。
図2参照
図2は、本発明の実施例1のコアレス基板の製造工程のフロー図であり、まず、
a.下地となるベース基板を投入し、次いで、
b.信号配線となるCuからなる第1配線パターン(S1 )を形成するが、この時、ベース基板の周辺部にCuベタパターンを設けるとともに、Cuベタパターンと第1配線パターン(S1 )を設けた素子実装基板部とを接続するCuブリッジを同時に形成する。
Here, the manufacturing process of the coreless substrate according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2 to FIG. 5. As the manufacturing process of the wiring pattern and the via, etc., the microfabrication used in the semiconductor manufacturing process is described. Apply technology.
See Figure 2
FIG. 2 is a flowchart of the manufacturing process of the coreless substrate according to the first embodiment of the present invention.
a. Put the base substrate as the base, then
b. A first wiring pattern (S 1 ) made of Cu serving as a signal wiring is formed. At this time, a Cu solid pattern is provided on the periphery of the base substrate, and a Cu solid pattern and the first wiring pattern (S 1 ) are provided. A Cu bridge for connecting the device mounting substrate portion is simultaneously formed.

次いで、
c.全面にポリイミド樹脂からなる第1絶縁層を形成したのち、所定の位置にビアホールを形成し、このビアホールをCuで充填することによってビア(V1 )を形成し、次いで、
d.第1絶縁層上にGND配線となるCuからなる第2配線パターン(G)を形成するが、この場合も、ベース基板の周辺部にCuベタパターンを設けるとともに、Cuベタパターンと第2配線パターン(G)を設けた素子実装基板部とを接続するCuブリッジを先に形成したCuブリッジと投影的に重なるように同時に形成する。
Then
c. After forming a first insulating layer made of polyimide resin on the entire surface, a via hole is formed at a predetermined position, and the via hole is filled with Cu to form a via (V 1 ).
d. A second wiring pattern (G) made of Cu serving as a GND wiring is formed on the first insulating layer. In this case as well, a Cu solid pattern is provided around the base substrate, and the Cu solid pattern and the second wiring pattern are also provided. A Cu bridge for connecting the element mounting substrate portion provided with (G) is simultaneously formed so as to overlap with the previously formed Cu bridge.

次いで、
e.全面にポリイミド樹脂からなる第2絶縁層を形成したのち、所定の位置にビアホールを形成し、このビアホールをCuで充填することによってビア(V2 )を形成し、次いで、
f.第2絶縁層上に信号配線となるCuからなる第3配線パターン(S2 )を、工程dと同様に周辺部のCuベタパターン及び両者を接続するCuブリッジを同時に形成する。
Then
e. After forming the second insulating layer made of polyimide resin on the entire surface, a via hole is formed at a predetermined position, and the via hole is filled with Cu to form a via (V 2 ).
f. A third wiring pattern (S 2 ) made of Cu serving as a signal wiring is formed on the second insulating layer at the same time as the Cu solid pattern in the peripheral portion and a Cu bridge for connecting both in the same manner as in step d.

次いで、
g.全面にポリイミド樹脂からなる第3絶縁層を形成したのち、所定の位置にビアホールを形成し、このビアホールをCuで充填することによってビア(V3 )を形成し、次いで、
h.第3絶縁層上に電源配線となるCuからなる第4配線パターン(V)を、工程dと同様に周辺部のCuベタパターン及び両者を接続するCuブリッジを同時に形成する。
Then
g. After a third insulating layer made of polyimide resin is formed on the entire surface, via holes are formed at predetermined positions, and vias (V 3 ) are formed by filling the via holes with Cu.
h. On the third insulating layer, a fourth wiring pattern (V) made of Cu serving as a power supply wiring is formed simultaneously with a Cu solid pattern in the peripheral portion and a Cu bridge connecting the both in the same manner as in step d.

次いで、
i.全面にポリイミド樹脂からなる第4絶縁層を形成したのち、所定の位置にビアホールを形成し、このビアホールをCuで充填することによってビア(V4 )を形成し、次いで、
j.第4絶縁層上に信号配線となるCuからなる第5配線パターン(S3 )を、工程dと同様に周辺部のCuベタパターン及び両者を接続するCuブリッジを同時に形成する。
Then
i. After the fourth insulating layer made of polyimide resin is formed on the entire surface, via holes are formed at predetermined positions, and vias (V 4 ) are formed by filling the via holes with Cu.
j. On the fourth insulating layer, the fifth wiring pattern (S 3 ) made of Cu serving as the signal wiring is formed simultaneously with the Cu solid pattern in the peripheral portion and the Cu bridge for connecting both in the same manner as in step d.

次いで、従来と同様に、ソルダレジストの形成、金メッキの形成、製品番号等の刻印、プレソルダ層の形成及びベース基板の剥離を行う。   Next, as in the prior art, solder resist formation, gold plating formation, product number marking, pre-solder layer formation, and base substrate peeling are performed.

次いで、
k.形成したコアレス基板の反り等の外観検査及び断線・短絡等の電気的特定の検査を行ったのち、
l.コアレス基板を個々の多層回路基板に個片切断し、
m.ユーザに基板出荷する。
Then
k. After conducting visual inspections such as warping of the coreless substrate formed and electrical specific inspections such as disconnection and short circuit,
l. Cut the coreless board into individual multilayer circuit boards,
m. Ship the board to the user.

図3乃至図5参照
図3は工程lの個片切断の状況の説明図であり、また、図4は、このようにして形成したコアレス基板の平面図であり、さらに、図5は、コアレス基板の概略的断面図である。 図に示すように、素子実装基板部20は、ブリッジ部30を介してベタパターン部40と接続されている。
See FIG. 3 to FIG.
3 is an explanatory view of the state of individual piece cutting in step l, FIG. 4 is a plan view of the coreless substrate formed in this way, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the coreless substrate. It is. As shown in the figure, the element mounting board portion 20 is connected to the solid pattern portion 40 via the bridge portion 30.

なお、素子実装基板部20は、第1配線パターン(S1 )21、第1絶縁膜22、第2配線パターン(G)23、第2絶縁膜24、第3配線パターン(S2 )25、第3絶縁膜26、第4配線パターン(V)27、第4絶縁膜28、及び、第5配線パターン(S3 )29で構成される。
なお、各配線層を接続するビアは図示を省略する。
The element mounting substrate unit 20 includes a first wiring pattern (S 1 ) 21, a first insulating film 22, a second wiring pattern (G) 23, a second insulating film 24, a third wiring pattern (S 2 ) 25, The third insulating film 26, the fourth wiring pattern (V) 27, the fourth insulating film 28, and the fifth wiring pattern (S 3 ) 29 are configured.
The vias connecting the wiring layers are not shown.

また、ブリッジ部30は、第1Cuブリッジ層31、第1絶縁膜22、第2Cuブリッジ層32、第2絶縁膜24、第3Cuブリッジ層33、第3絶縁膜26、第4Cuブリッジ層34、第4絶縁膜28、及び、第5Cuブリッジ層35で構成される。   The bridge portion 30 includes a first Cu bridge layer 31, a first insulating film 22, a second Cu bridge layer 32, a second insulating film 24, a third Cu bridge layer 33, a third insulating film 26, a fourth Cu bridge layer 34, a first 4 insulating film 28 and fifth Cu bridge layer 35.

また、ベタパターン部40は、第1Cuベタパターン層41、第1絶縁膜22、第2Cuベタパターン層42、第2絶縁膜24、第3Cuベタパターン層43、第3絶縁膜26、第4Cuベタパターン層44、第4絶縁膜28、及び、第5Cuベタパターン層45で構成される。   The solid pattern portion 40 includes a first Cu solid pattern layer 41, a first insulating film 22, a second Cu solid pattern layer 42, a second insulating film 24, a third Cu solid pattern layer 43, a third insulating film 26, and a fourth Cu solid. The pattern layer 44, the fourth insulating film 28, and the fifth Cu solid pattern layer 45 are configured.

次いで、ユーザは、
n.入手した多層回路基板上に、予め形成したプレソルダ層を利用して半導体集積回路装置等の電子部品チップを搭載・実装したのち、
o.ブリッジ部を切断して、ベタパターン部を素子実装基板部から切り離すことによって実装工程が終了する。
The user then
n. After mounting and mounting an electronic component chip such as a semiconductor integrated circuit device on the obtained multilayer circuit board using a pre-formed pre-solder layer,
o. The mounting process is completed by cutting the bridge portion and separating the solid pattern portion from the element mounting substrate portion.

次に、図6乃至図9を参照して、本発明の実施例1のコアレス基板の作用効果を説明する。
図6参照
図6は、効果確認のために行ったシミュレーションに使用した本発明の解析モデルであり、上図は平面図であり、下図は断面図であり、ここでは、ポリイミド樹脂からなる厚さが60μmの第1絶縁層51上に厚さが40μmのベタ状のCu電源配線52、ポリイミド樹脂からなる厚さが60μmの第2絶縁層53、厚さが40μmのCu信号配線54、及び、ポリイミド樹脂からなる厚さが60μmの第3絶縁層55の5層構造とし、周囲にCuベタパターン56を設けるとともに、このCuベタパターン部56をCuブリッジ部57を介してCu電源配線52,Cu信号配線54と接続した構成としている。
Next, with reference to FIG. 6 thru | or FIG. 9, the effect of the coreless board | substrate of Example 1 of this invention is demonstrated.
See FIG.
FIG. 6 is an analysis model of the present invention used for the simulation performed for confirming the effect. The upper diagram is a plan view, and the lower diagram is a sectional view. Here, the thickness of the polyimide resin is 60 μm. A solid Cu power supply wiring 52 having a thickness of 40 μm on the first insulating layer 51, a second insulating layer 53 having a thickness of 60 μm made of polyimide resin, a Cu signal wiring 54 having a thickness of 40 μm, and a polyimide resin The third insulating layer 55 has a five-layer structure with a thickness of 60 μm, and a Cu solid pattern 56 is provided around it. The Cu solid pattern portion 56 is connected to a Cu power supply wiring 52 and a Cu signal wiring 54 via a Cu bridge portion 57. And connected to the system.

また、この5層構造の基板の中央にプレソルダ層に相当する厚さ100μmのハンダ58を介して厚さが300μmのチップ59を搭載したものとして解析を行った。
なお、図においては、図示を簡単にするために全体の1/4を示しており、断面図におけるCu信号配線パターンの欠如部は空間としているが、実際の基板ではポリイミド樹脂で充填された構造となる。
The analysis was performed on the assumption that a chip 59 having a thickness of 300 μm was mounted through a solder 58 having a thickness of 100 μm corresponding to the pre-solder layer in the center of the substrate having the five-layer structure.
In the figure, for the sake of simplicity of illustration, a quarter of the whole is shown, and the lacking portion of the Cu signal wiring pattern in the cross-sectional view is a space, but an actual substrate is filled with polyimide resin. It becomes.

図7参照
図7は、比較のために行ったシミュレーションに使用した従来例の解析モデルであり、上図は平面図であり、下図は断面図であり、この場合も、ポリイミド樹脂からなる厚さが60μmの第1絶縁層61上に厚さが40μmのベタ状のCu電源配線62、ポリイミド樹脂からなる厚さが60μmの第2絶縁層63、厚さが40μmのCu信号配線64、及び、ポリイミド樹脂からなる厚さが60μmの第3絶縁層65の5層構造とし、中央にプレソルダ層に相当する厚さ100μmのハンダ66を介して厚さが300μmのチップ67を搭載したものとして解析を行った。
なお、図7も、図示を簡単にするために全体の1/4を示している。
See FIG.
FIG. 7 is an analysis model of a conventional example used for a simulation performed for comparison, the upper diagram is a plan view, and the lower diagram is a cross-sectional view. In this case as well, the thickness of the polyimide resin is 60 μm. A solid Cu power supply wiring 62 having a thickness of 40 μm on the first insulating layer 61, a second insulating layer 63 having a thickness of 60 μm made of polyimide resin, a Cu signal wiring 64 having a thickness of 40 μm, and a polyimide resin The analysis was performed on the assumption that a third insulating layer 65 having a thickness of 60 μm was formed, and a chip 67 having a thickness of 300 μm was mounted in the center via a solder 66 having a thickness of 100 μm corresponding to the pre-solder layer.
FIG. 7 also shows a quarter of the whole for the sake of simplicity.

また、この場合のシミュレーションにおいて採用した各材料の物性値は表1に示す通りである。

Figure 0004672290
Further, the physical property values of the respective materials employed in the simulation in this case are as shown in Table 1.
Figure 0004672290

図8参照
図8は、これらのモデルについて、チップ搭載時のハンダ付け工程を想定して150℃→221℃の熱処理を行った場合の熱変形等による反りをシミュレーションした結果を示したものであり、上図は本発明の解析モデルを、また、下図は従来例の解析モデルを示している。
See FIG.
FIG. 8 shows the results of simulating warpage due to thermal deformation or the like in the case of performing heat treatment at 150 ° C. → 221 ° C. assuming the soldering process at the time of chip mounting for these models. Shows an analysis model of the present invention, and the following figure shows a conventional analysis model.

このシミュレーションの結果、従来例の解析モデルにおける反り量が0.33435mmであったのに対して、本発明の解析モデルにおける反り量は0.15578mmであり、反り量が約53%減少していることが確認された。   As a result of this simulation, the warpage amount in the analysis model of the conventional example was 0.33435 mm, whereas the warpage amount in the analysis model of the present invention was 0.15578 mm, and the warpage amount was reduced by about 53%. It was confirmed.

この様に、本発明の実施例1においては、素子実装基板部をブリッジ部を介してベタパターン部で押さえつけているため、熱処理に伴う変形による反りを大幅に低減することができる。
また、製造工程において掛かるストレスに伴う変形による反りも低減することができる。
Thus, in Example 1 of this invention, since the element mounting board | substrate part is pressed down by the solid pattern part via the bridge | bridging part, the curvature by the deformation | transformation accompanying heat processing can be reduced significantly.
Further, warpage due to deformation caused by stress applied in the manufacturing process can be reduced.

次に、図9を参照して、本発明の実施例2を説明するが、基本的構成は実施例1と同じであるので、断面図のみを示すが、この場合には断面図としては1/2を示す。
図9参照
図9の上段図は、ベタパターン部40を最上部の信号配線である第5配線パターン(S3 )29及び最下層の信号配線である第1配線パターン(S1 )と接続する第5Cuベタパターン層45と第1Cuベタパターン層41で構成するとともに、ブリッジ部30を第5Cuブリッジ層35と第1Cuブリッジ層31で構成したものである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9. Since the basic configuration is the same as that of the first embodiment, only a sectional view is shown. / 2 is shown.
See FIG.
The upper diagram of FIG. 9 shows a fifth Cu solid pattern portion 40 that connects the solid pattern portion 40 to the fifth wiring pattern (S 3 ) 29 that is the uppermost signal wiring and the first wiring pattern (S 1 ) that is the lowermost signal wiring. In addition to the pattern layer 45 and the first Cu solid pattern layer 41, the bridge portion 30 is composed of the fifth Cu bridge layer 35 and the first Cu bridge layer 31.

また、中段図は、ベタパターン部40をGND配線である第2配線パターン(G)23と電源配線である第4配線パターン(V)27と接続する第2Cuベタパターン層42と第4Cuベタパターン層44で構成するとともに、ブリッジ部30を第2Cuブリッジ層32と第4Cuブリッジ層34で構成したものである。   The middle stage diagram shows a second Cu solid pattern layer 42 and a fourth Cu solid pattern that connect the solid pattern portion 40 to the second wiring pattern (G) 23 that is the GND wiring and the fourth wiring pattern (V) 27 that is the power wiring. The bridge portion 30 is constituted by the second Cu bridge layer 32 and the fourth Cu bridge layer 34 while being constituted by the layer 44.

さらに、下段図は、中央の信号配線である第3配線パターン(S2 )25と接続する第3Cuベタパターン層43で構成するとともに、ブリッジ部30を第3Cuブリッジ層33で構成したものである。 Further, the lower diagram is configured by the third Cu solid pattern layer 43 connected to the third wiring pattern (S 2 ) 25 which is the central signal wiring, and the bridge portion 30 is configured by the third Cu bridge layer 33. .

このように、実施例2においては、ベタパターン層及びブリッジ層を選択的に設けることによって、基板の反りの剛性を最適な剛性に調整することが可能になる。   As described above, in the second embodiment, the rigidity of the warp of the substrate can be adjusted to the optimum rigidity by selectively providing the solid pattern layer and the bridge layer.

次に、図10を参照して、本発明の実施例3を説明するが、基本的構成は実施例1と同じであるので、平面図のみを示す。
図10参照
図に示すように、第1乃至第3信号配線のパターンの偏りを相殺するために、配線パターンが密なパターン密集部70に対して点対称になる位置に選択的にベタパターン部40を設けたものである。
なお、この場合のベタパターン部40を設ける位置は厳密な意味での点対称ではなく、また、その長さも配線パターン密度の偏りに応じて適宜設定するものである。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10. Since the basic configuration is the same as that of the first embodiment, only a plan view is shown.
See FIG.
As shown in the figure, a solid pattern portion 40 is selectively provided at a position where the wiring pattern is point-symmetric with respect to the dense pattern dense portion 70 in order to cancel out the deviation of the patterns of the first to third signal wirings. It is a thing.
In this case, the position where the solid pattern portion 40 is provided is not point-symmetric in a strict sense, and the length thereof is appropriately set according to the deviation of the wiring pattern density.

このように、実施例3においては、配線パターン密度の偏りに応じてベタパターン層40及びブリッジ層30を選択的に設けることによって、基板の反りの抑制を効果的に行うことができる。   Thus, in Example 3, it is possible to effectively suppress the warpage of the substrate by selectively providing the solid pattern layer 40 and the bridge layer 30 according to the deviation of the wiring pattern density.

次に、図11を参照して、本発明の実施例4を説明するが、基本的構成は実施例1と同じであるので、平面図のみを示す。
図11参照
図に示すように、第1乃至第3信号配線のパターンの偏りを相殺するために、配線パターンが密なパターン密集部70に対して点対称になる位置におけるベタパターン部40の幅を選択的に太くしたものである。
この場合も、ベタパターン部40を太くする位置は厳密な意味での点対称ではなく、また、その長さも配線パターン密度の偏りに応じて適宜設定するものである。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11. Since the basic configuration is the same as that of the first embodiment, only a plan view is shown.
See FIG.
As shown in the figure, the width of the solid pattern portion 40 at the position where the wiring pattern is point-symmetric with respect to the dense pattern dense portion 70 is selectively selected in order to cancel the pattern deviation of the first to third signal wirings. It is thickened.
Also in this case, the position where the solid pattern portion 40 is thickened is not point-symmetric in a strict sense, and the length thereof is appropriately set according to the deviation of the wiring pattern density.

このように、実施例4においては、配線パターン密度の偏りに応じてベタパターンの幅を変化させているので、基板の反りの抑制を効果的に行うことができる。   Thus, in Example 4, since the width of the solid pattern is changed according to the deviation of the wiring pattern density, it is possible to effectively suppress the warpage of the substrate.

以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、各実施例に記載した基板のサイズ、各層の厚さ、或いは、層数、ブリッジの数等は適宜変更されるものである。   The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the conditions and configurations described in each embodiment, and various modifications are possible. For example, the substrate described in each embodiment The size of each layer, the thickness of each layer, the number of layers, the number of bridges, and the like are appropriately changed.

また、上記の実施例2においては、ベタパターン部及びブリッジ部を上下対称的に設けているが、非対称に設けても良いものであり、さらには、一層のみに設けても良いものである。   In the second embodiment, the solid pattern portion and the bridge portion are provided symmetrically in the vertical direction. However, the solid pattern portion and the bridge portion may be provided asymmetrically or may be provided in only one layer.

また、上記の各実施例1においては、素子実装基板部とベタパターン部とをブリッジ部で接続しているが、ブリッジ部は必ずしも必要がないものであり、素子実装基板部とベタパターン部とが直接接続するように形成しても良いものである。
但し、切断工程に時間がかかる等の欠点がある。
Further, in each of the above-described first embodiments, the element mounting substrate portion and the solid pattern portion are connected by the bridge portion, but the bridge portion is not necessarily required, and the element mounting substrate portion and the solid pattern portion are May be formed so as to be directly connected.
However, there is a disadvantage that the cutting process takes time.

また、上記の各実施例においては、ブリッジ部を各配線層の形成工程において、既にブリッジ状としているが、積層工程においてはベタパターン部と同様にベタ状に形成し、全ての積層工程が終了してからベタ状部を型抜きすることによってブリッジ部を形成しても良いものである。   Further, in each of the above embodiments, the bridge portion is already formed in a bridge shape in each wiring layer forming step, but in the stacking step, it is formed in a solid shape like the solid pattern portion, and all the stacking steps are completed. Then, the bridge portion may be formed by punching out the solid portion.

また、上記の各実施例においては、配線層をCuで形成し、絶縁層をポリイミドで形成しているが、これらの材料に限られるものではなく、配線層はAg或いはAl等の他の良導電体を用いても良いものであり、また、絶縁層もエポキシ樹脂等の他の絶縁材料を用いても良いものである。   In each of the above embodiments, the wiring layer is made of Cu and the insulating layer is made of polyimide. However, the wiring layer is not limited to these materials, and the wiring layer may be made of other good materials such as Ag or Al. A conductor may be used, and another insulating material such as an epoxy resin may be used for the insulating layer.

また、上記の各実施例においては、各配線層をエッチングによりパターニングすることを前提としているが、メッキフレームパターンを利用して電解メッキ法或いは無電解メッキ法によって形成しても良いものである。   In each of the above embodiments, it is assumed that each wiring layer is patterned by etching. However, it may be formed by an electrolytic plating method or an electroless plating method using a plating frame pattern.

また、上記の各実施例においては、ベース基板を用いてその上に順次積層していくコアレスビルドアップ法として説明しているが、必ずしもコアレスビルドアップ法に限られるものではなく、同じようにコアレス基板を形成する場合にも、内側に大きな開口部を有するベース基板の一方の面にポリイミド樹脂等からなる絶縁薄膜を設け、これをコア層の代わりとして用いて、従来例と同様にビルドアップ工程を採用してコアレス基板を形成しても良いものである。   In each of the above-described embodiments, the coreless buildup method is described in which the base substrate is sequentially stacked on the base substrate. However, the coreless buildup method is not necessarily limited to the coreless buildup method. Even when forming a substrate, an insulating thin film made of polyimide resin or the like is provided on one surface of a base substrate having a large opening on the inside, and this is used as a substitute for the core layer, and a build-up process is performed as in the conventional example. May be used to form a coreless substrate.

また、本発明はコアレス基板に限られるものではなく、コア基板を用いたビルドアップ基板にも適用されるものであり、特に、コア基板を薄くした場合に有効な手法となる。   The present invention is not limited to a coreless substrate, but can be applied to a build-up substrate using a core substrate, and is an effective technique particularly when the core substrate is thinned.

ここで、再び、図1を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図1参照
(付記1) 素子実装基板部2の周囲に前記素子実装基板部2の多層配線を構成する少なくとも一層の配線層6,7の一部と同層で且つ前記配線層6,7と一体になった導電体ベタパターン3を設けたことを特徴とする多層回路基板。
(付記2) 前記導電体ベタパターン3が、導電体ベタパターン3と一体になったブリッジ部4を介して前記配線層6,7の一部と接続していることを特徴とする付記1記載の多層回路基板。
(付記3) 上記導電体ベタパターン3を、多層配線構造の積層方向に対して対称的に設けたことを特徴とする付記1または2に記載の多層回路基板。
(付記4) 上記導電体ベタパターン3となる配線層6,7が、電源配線及び接地配線、或いは、電源配線または接地配線のいずれか一方のどちらかであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の多層回路基板。
(付記5) 上記導電体ベタパターン3を、上記素子実装基板部2の多層配線のパターン密度を相殺するように前記素子実装基板部2の周囲に不均一パターンとして設けたことを特徴とする付記1乃至4のいずれか1に記載の多層回路基板。
(付記6) 上記導電体ベタパターン3を、上記素子実装基板部2の周囲に部分的に設けたことを特徴とする付記5記載の多層回路基板。
(付記7) 上記導電体ベタパターン3を、上記素子実装基板部2の全周囲に設けるとともに、前記導電体ベタパターン3の幅を不均一にしたことを特徴とする付記5記載の多層回路基板。
(付記8) 付記1乃至7のいずれか1に記載の多層回路基板1の素子実装基板部2に素子5を実装したのち、前記素子実装基板部2を周囲から切り離すことを特徴とする実装方法。
Here, the detailed features of the present invention will be described again with reference to FIG.
Again see Figure 1
(Supplementary Note 1) A part of at least one wiring layer 6, 7 constituting the multilayer wiring of the element mounting substrate 2 is formed around the element mounting substrate 2 and is integrated with the wiring layers 6, 7. A multilayer circuit board provided with a conductive solid pattern 3.
(Additional remark 2) The said conductive solid pattern 3 is connected with a part of said wiring layers 6 and 7 via the bridge | bridging part 4 integrated with the conductive solid pattern 3, The additional description 1 characterized by the above-mentioned. Multilayer circuit board.
(Additional remark 3) The multilayer circuit board of Additional remark 1 or 2 characterized by providing the said conductor solid pattern 3 symmetrically with respect to the lamination direction of a multilayer wiring structure.
(Additional remark 4) The wiring layers 6 and 7 used as the said conductor solid pattern 3 are any one of a power supply wiring and a ground wiring, or a power supply wiring or a ground wiring. The multilayer circuit board according to any one of the above.
(Supplementary Note 5) The conductive solid pattern 3 is provided as a non-uniform pattern around the element mounting substrate portion 2 so as to offset the pattern density of the multilayer wiring of the element mounting substrate portion 2. The multilayer circuit board according to any one of 1 to 4.
(Supplementary note 6) The multilayer circuit board according to supplementary note 5, wherein the conductor solid pattern 3 is partially provided around the element mounting substrate portion 2.
(Additional remark 7) While providing the said conductor solid pattern 3 in the perimeter of the said element mounting substrate part 2, the width | variety of the said conductor solid pattern 3 was made non-uniform | heterogenous, The multilayer circuit board of Additional remark 5 characterized by the above-mentioned .
(Additional remark 8) After mounting the element 5 in the element mounting board | substrate part 2 of the multilayer circuit board 1 of any one of Additional remarks 1 thru | or 7, the said element mounting board | substrate part 2 is cut off from the circumference | surroundings. .

本発明の活用例としては、多層配線フレキシブル基板が典型的なものであるが、インターポーザ等の他の実装基板等にも適用されるものである。   As an application example of the present invention, a multilayer wiring flexible substrate is typical, but it can also be applied to other mounting substrates such as an interposer.

本発明の原理的構成の説明図である。It is explanatory drawing of the fundamental structure of this invention. 本発明の実施例1のコアレス基板の製造工程のフロー図である。It is a flowchart of the manufacturing process of the coreless board | substrate of Example 1 of this invention. 工程lの個片切断の状況の説明図である。It is explanatory drawing of the condition of the piece cutting of process l. 本発明の実施例1のコアレス基板の平面図である。It is a top view of the coreless board | substrate of Example 1 of this invention. 本発明の実施例1のコアレス基板の概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the coreless board | substrate of Example 1 of this invention. シミュレーションに使用した本発明の解析モデルである。It is an analysis model of the present invention used for simulation. シミュレーションに使用した従来例の解析モデルである。It is the analysis model of the prior art example used for simulation. 熱処理を行った場合の熱変形等による反りのシミュレーション結果の説明図である。It is explanatory drawing of the simulation result of the curvature by the thermal deformation etc. at the time of performing heat processing. 本発明の実施例2のコアレス基板の概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the coreless board | substrate of Example 2 of this invention. 本発明の実施例3のコアレス基板の平面図である。It is a top view of the coreless board | substrate of Example 3 of this invention. 本発明の実施例4のコアレス基板の平面図である。It is a top view of the coreless board | substrate of Example 4 of this invention. 従来のビルドアップ基板の製造工程のフロー図である。It is a flowchart of the manufacturing process of the conventional buildup board | substrate. 従来の多層回路基板の概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional multilayer circuit board. 従来のコアレス基板の概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional coreless board | substrate.

符号の説明Explanation of symbols

1 多層回路基板
2 素子実装基板部
3 導電体ベタパターン
4 ブリッジ部
5 素子
6 配線層
7 配線層
20 素子実装基板部
21 第1配線パターン(S1
22 第1絶縁膜
23 第2配線パターン(G)
24 第2絶縁膜
25 第3配線パターン(S2
26 第3絶縁膜
27 第4配線パターン(V)
28 第4絶縁膜
29 第5配線パターン(S3
30 ブリッジ部
31 第1Cuブリッジ層
32 第2Cuブリッジ層
33 第3Cuブリッジ層
34 第4Cuブリッジ層
35 第5Cuブリッジ層
40 ベタパターン部
41 第1Cuベタパターン層
42 第2Cuベタパターン層
43 第3Cuベタパターン層
44 第4Cuベタパターン層
45 第5Cuベタパターン層
50 素子実装基板部
51 第1絶縁層
52 Cu電源配線
53 第2絶縁層
54 Cu信号配線
55 第3絶縁層
56 Cuベタパターン部 57 Cuブリッジ部 58 ハンダ
59 チップ
60 素子実装基板部
61 第1絶縁層
62 Cu電源配線
63 第2絶縁層
64 Cu信号配線
65 第3絶縁層
66 ハンダ
67 チップ
70 パターン密集部
71 コア基板
72 ビルドアップ層
73 ビルドアップ層
74 ビルドアップ層
75 ビルドアップ層
81 ビルドアップ層
82 ビルドアップ層
83 ビルドアップ層
84 ビルドアップ層
85 ビルドアップ層
1 the multilayer circuit board 2 element mounting board unit 3 conductor solid pattern 4 bridge portions 5 element 6 wiring layer 7 wiring layer 20 element mounting board unit 21 first wiring pattern (S 1)
22 1st insulating film 23 2nd wiring pattern (G)
24 Second insulating film 25 Third wiring pattern (S 2 )
26 3rd insulating film 27 4th wiring pattern (V)
28 Fourth insulating film 29 Fifth wiring pattern (S 3 )
30 bridge portion 31 first Cu bridge layer 32 second Cu bridge layer 33 third Cu bridge layer 34 fourth Cu bridge layer 35 fifth Cu bridge layer 40 solid pattern portion 41 first Cu solid pattern layer 42 second Cu solid pattern layer 43 third Cu solid pattern layer 44 4th Cu solid pattern layer 45 5th Cu solid pattern layer 50 Element mounting board part 51 1st insulating layer 52 Cu power supply wiring 53 2nd insulating layer 54 Cu signal wiring 55 3rd insulating layer 56 Cu solid pattern part 57 Cu bridge part 58 Solder 59 Chip 60 Element mounting substrate portion 61 First insulating layer 62 Cu power supply wiring 63 Second insulating layer 64 Cu signal wiring 65 Third insulating layer 66 Solder 67 Chip 70 Pattern dense portion 71 Core substrate 72 Buildup layer 73 Buildup layer 74 Build-up layer 75 Build-up layer 8 The build-up layer 82 build-up layer 83 build-up layer 84 build-up layer 85 build-up layer

Claims (10)

配線層とグランド層が絶縁層を介して積層された回路基板であって、
前記配線層内で配線パターンが形成された第1の領域と、
前記グランド層において、前記第1の領域に対し積層方向に重なる領域に形成されたグランド配線パターンと、
前記グランド配線パターンに接続され、前記グランド配線パターンの周辺に形成された導電体ベタパターンと、
前記グランド配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、
隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有することを特徴とする回路基板。
A circuit board in which a wiring layer and a ground layer are laminated via an insulating layer,
A first region in which a wiring pattern is formed in the wiring layer;
In the ground layer, a ground wiring pattern formed in a region overlapping with the first region in the stacking direction;
A conductive solid pattern connected to the ground wiring pattern and formed around the ground wiring pattern;
Possess a bridge wiring pattern for connecting the conductor solid pattern and the ground wiring pattern,
A circuit board comprising an insulating layer on a surface on a central layer side of the circuit board of a separation part that separates adjacent bridge wiring patterns .
前記導電体ベタパターンは、前記グランド配線パターンを囲むように形成していることを特徴とする請求項1に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the conductive solid pattern is formed so as to surround the ground wiring pattern. 配線パターンが形成された領域と、
前記配線パターンと同層で、前記領域の周辺に設けられた前記配線パターンと接続された導電体ベタパターンと、
前記配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有することを特徴とする回路基板。
A region where a wiring pattern is formed; and
A conductor solid pattern connected to the wiring pattern provided in the periphery of the region in the same layer as the wiring pattern;
Wherein possess a wiring pattern and a bridge wiring pattern for connecting the conductor solid pattern, characterized in that the surface of the central layer side of the circuit board of the separation unit for separation between the bridge wiring patterns adjacent an insulating layer A circuit board.
前記導電体ベタパターンは、前記配線パターンを囲むように形成していることを特徴とする請求項3に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 3, wherein the conductive solid pattern is formed so as to surround the wiring pattern. 多層配線構造を有する多層回路基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の回路基板。   5. The circuit board according to claim 1, wherein the circuit board is a multilayer circuit board having a multilayer wiring structure. 前記多層回路基板は、コアレス基板であることを特徴とする請求項5に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 5, wherein the multilayer circuit board is a coreless board. 配線層とグランド層が絶縁層を介して積層された回路基板であって、前記配線層内で配線パターンが形成された第1の領域と、前記グランド層において、前記第1の領域に対し積層方向に重なる領域に形成されたグランド配線パターンと、前記グランド配線パターンに接続され、前記グランド配線パターンの周辺に形成された導電体ベタパターンと、前記グランド配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有する回路基板に対して、前記第1の領域に素子を実装する工程と、
前記第1の領域を切り出す工程と
を有するパッケージ基板の製造方法。
A circuit board in which a wiring layer and a ground layer are stacked via an insulating layer, wherein a first region in which a wiring pattern is formed in the wiring layer, and a stack in the ground layer with respect to the first region A ground wiring pattern formed in a region overlapping in a direction, a conductor solid pattern connected to the ground wiring pattern and formed around the ground wiring pattern, and connecting the ground wiring pattern and the conductor solid pattern. possess a bridge wiring pattern, the circuit board having an insulating layer on the surface of the central layer side of the circuit board of the separation unit for separation between the bridge wiring patterns adjacent the element to the first domain implementation And a process of
A method of manufacturing the package substrate, comprising: cutting out the first region.
配線層とグランド層が絶縁層を介して積層された回路基板であって、前記配線層内で配線パターンが形成された第1の領域と、前記グランド層において、前記第1の領域に対し積層方向に重なる領域に形成されたグランド配線パターンと、前記グランド配線パターンに接続され、前記グランド配線パターンの周辺に形成された導電体ベタパターンと、前記グランド配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有する回路基板に対して、前記第1の領域に素子を実装する工程と、
前記第1の領域を切り出す工程と
によって製造されたパッケージ基板。
A circuit board in which a wiring layer and a ground layer are stacked via an insulating layer, wherein a first region in which a wiring pattern is formed in the wiring layer, and a stack in the ground layer with respect to the first region A ground wiring pattern formed in a region overlapping in a direction, a conductor solid pattern connected to the ground wiring pattern and formed around the ground wiring pattern, and connecting the ground wiring pattern and the conductor solid pattern. possess a bridge wiring pattern, the circuit board having an insulating layer on the surface of the central layer side of the circuit board of the separation unit for separation between the bridge wiring patterns adjacent the element to the first domain implementation And a process of
A package substrate manufactured by cutting out the first region.
配線パターンが形成された領域と、前記配線パターンと同層で、前記領域の周辺に設けられた前記配線パターンと接続された導電体ベタパターンと、前記配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有する回路基板に対して、前記領域に素子を実装する工程と、
前記領域を切り出す工程と
を有するパッケージ基板の製造方法。
An area in which a wiring pattern is formed, a conductive solid pattern connected to the wiring pattern provided in the periphery of the area in the same layer as the wiring pattern, and the wiring pattern and the conductive solid pattern are connected to each other. It possesses a bridge wiring pattern, the circuit board having an insulating layer on the surface of the central layer side of the circuit board of the separation unit for separating the adjacent said bridge wiring pattern, a step of mounting the element to the region ,
A method of manufacturing the package substrate, comprising: cutting out the region.
配線パターンが形成された領域と、前記配線パターンと同層で、前記領域の周辺に設けられた前記配線パターンと接続された導電体ベタパターンと、前記配線パターンと前記導電体ベタパターンを接続するブリッジ配線パターンとを有し、隣接する前記ブリッジ配線パターン間を分離する分離部の前記回路基板の中心層側の面に絶縁層を有する回路基板に対して、前記領域に素子を実装する工程と、
前記領域を切り出す工程と
によって製造されたパッケージ基板。
An area in which a wiring pattern is formed, a conductive solid pattern connected to the wiring pattern provided in the periphery of the area in the same layer as the wiring pattern, and the wiring pattern and the conductive solid pattern are connected to each other. It possesses a bridge wiring pattern, the circuit board having an insulating layer on the surface of the central layer side of the circuit board of the separation unit for separating the adjacent said bridge wiring pattern, a step of mounting the element to the region ,
A package substrate manufactured by cutting the region.
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