JP2581241B2 - ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 - Google Patents
ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液Info
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- JP2581241B2 JP2581241B2 JP1340308A JP34030889A JP2581241B2 JP 2581241 B2 JP2581241 B2 JP 2581241B2 JP 1340308 A JP1340308 A JP 1340308A JP 34030889 A JP34030889 A JP 34030889A JP 2581241 B2 JP2581241 B2 JP 2581241B2
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- sige mixed
- etching solution
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、SiGe混晶/Si系あるいはGe/Si系に対するSi
の選択エッチング液に関する。
の選択エッチング液に関する。
（従来の技術とその問題点） 近年、SixGe1-x系ヘテロ・バイボーラ・トランジスタ
の製造プロセス等への応用を目的として、SiGe混晶のエ
ッチング法が盛んに研究されている。しかし従来までの
ウエット・エッチング法では、Ge,SiGe混晶はエッチン
グされずSiはエッチングされるという選択エッチングの
できるエッチング液がなかった。
の製造プロセス等への応用を目的として、SiGe混晶のエ
ッチング法が盛んに研究されている。しかし従来までの
ウエット・エッチング法では、Ge,SiGe混晶はエッチン
グされずSiはエッチングされるという選択エッチングの
できるエッチング液がなかった。
（問題点を解決するための手段） 本発明ではKOH:K2CrO7:イソプロピルアルコール:H2O
を混合したエッチング液を使用する。
を混合したエッチング液を使用する。
（作用） 本エッチンク液は、［OH］によってSi,Ge,SiGe混晶が
エッチングされる。しかし、［OH］の濃度によってGe,S
iGe混晶がエッチングされない領域にある。この領域をK
2OrO7の［Ｋ］とISO Propilalcoholの［Ｈ］の比率によ
って作ってやる。この領域を作ってやることにより、G
e,SiGe混晶はエッチングされずSiのみエッチングされる
ようになる。
エッチングされる。しかし、［OH］の濃度によってGe,S
iGe混晶がエッチングされない領域にある。この領域をK
2OrO7の［Ｋ］とISO Propilalcoholの［Ｈ］の比率によ
って作ってやる。この領域を作ってやることにより、G
e,SiGe混晶はエッチングされずSiのみエッチングされる
ようになる。
（実施例） 基板は、Si（100）基板上にSiを分子線エピタキシャ
ル成長したものと、Si（100）基板上にSi1-xGex混晶を
分子線エピタキシャル成長したものと、Ge（111）基板
を使用した。この３種類の基板上にCVDにより酸化膜を
堆積する。フォトリソグラフ技術によりこの酸化膜をパ
ターンニングする。このようにして部分的にSiO2膜にお
おわれた基板をKOH,K2Cro7,イソプロピルアルコール,H2
Oが混合したエッチング液によりエッチングする。本実
施例では混合比率はKOH:300g,K2CrO7:12g,イソプロピル
アルコール:300ml,H2O:1200mlとした。この後、バッフ
ァードフッ酸（緩衝フッ酸）によりSiO2膜を除去する。
第1,2図は、以上の工程を行った基板を段差計によって
測定した結果である。第1,2図の結果を見るとSiはエッ
チングされ、Geはエッチングされず、SiGe混晶はSiの1/
20以下しかエッチングされないということが判る。
ル成長したものと、Si（100）基板上にSi1-xGex混晶を
分子線エピタキシャル成長したものと、Ge（111）基板
を使用した。この３種類の基板上にCVDにより酸化膜を
堆積する。フォトリソグラフ技術によりこの酸化膜をパ
ターンニングする。このようにして部分的にSiO2膜にお
おわれた基板をKOH,K2Cro7,イソプロピルアルコール,H2
Oが混合したエッチング液によりエッチングする。本実
施例では混合比率はKOH:300g,K2CrO7:12g,イソプロピル
アルコール:300ml,H2O:1200mlとした。この後、バッフ
ァードフッ酸（緩衝フッ酸）によりSiO2膜を除去する。
第1,2図は、以上の工程を行った基板を段差計によって
測定した結果である。第1,2図の結果を見るとSiはエッ
チングされ、Geはエッチングされず、SiGe混晶はSiの1/
20以下しかエッチングされないということが判る。
第３図は、実際のSi1-xGex系ヘテロ・バイボーラ・ト
ランジスタの製造プロセスである。まずＮ型Si基板１の
上にP+のSiGe混晶４を成長し、その上にSiO2膜を堆積す
る。このSiO2をパターニングしそれをマスクにSiGeのエ
ッチング液として周知のNH4OH:H2O2:H2O混合液に浸漬す
るとSiGe混晶４のみがエッチングされる。前述のSiO2を
除去し、新たにCVD法でSiO2を形成しパターニングしてS
iO22とする。その後N+Siのエピタキシャル成長を行うと
SiO22の開口部は単結晶のN+型Si3が成長し、SiO22上は
ポリSi6となる。そのあと、N+型Si3を残したい領域上に
フォトレジスト５を形成する。（第３図Ａ）この状態で
本発明のエッチング液によりエッチングする。エッチン
グ後にホト・レジストを除去し、SiO27を堆積した後に
パターニングし、コンタクトとしてAl10をつけてトラン
ジスタとして完成する。（第３図Ｂ）この後、その構造
を断面SEM観察すると予想通りの構造が得られているこ
とが確認された。また、本製造プロセスを用いて作成し
たヘテロ・バイボーラ・トランジスタは正常なエミッタ
接地特性を示した。
ランジスタの製造プロセスである。まずＮ型Si基板１の
上にP+のSiGe混晶４を成長し、その上にSiO2膜を堆積す
る。このSiO2をパターニングしそれをマスクにSiGeのエ
ッチング液として周知のNH4OH:H2O2:H2O混合液に浸漬す
るとSiGe混晶４のみがエッチングされる。前述のSiO2を
除去し、新たにCVD法でSiO2を形成しパターニングしてS
iO22とする。その後N+Siのエピタキシャル成長を行うと
SiO22の開口部は単結晶のN+型Si3が成長し、SiO22上は
ポリSi6となる。そのあと、N+型Si3を残したい領域上に
フォトレジスト５を形成する。（第３図Ａ）この状態で
本発明のエッチング液によりエッチングする。エッチン
グ後にホト・レジストを除去し、SiO27を堆積した後に
パターニングし、コンタクトとしてAl10をつけてトラン
ジスタとして完成する。（第３図Ｂ）この後、その構造
を断面SEM観察すると予想通りの構造が得られているこ
とが確認された。また、本製造プロセスを用いて作成し
たヘテロ・バイボーラ・トランジスタは正常なエミッタ
接地特性を示した。
（発明の効果） 以上詳しく説明したように、本発明のエッチング液を
用いたウエット・エッチング法を用いればSiGe混晶やGe
に対するsiの選択エッチングが可能である。
用いたウエット・エッチング法を用いればSiGe混晶やGe
に対するsiの選択エッチングが可能である。
第１図は、Siのみの時とGeのみの時のエッチング量の結
果を示す図。 第２図は、エッチング時間を一定にしGeの混晶比を変化
させた時のエッチング量の結果を示す図。 第３図は、Si1-xGex系ヘテロ・バイボーラ・トランジス
タを作るうえのプロセス工程を示す断面図。 １……Ｎ型Si基板、２……SiO2、３……N+型Si、４……
P+型SiGe混晶、５……フォトレジスト、６……ポリSi、
７……SiO2、10……Al
果を示す図。 第２図は、エッチング時間を一定にしGeの混晶比を変化
させた時のエッチング量の結果を示す図。 第３図は、Si1-xGex系ヘテロ・バイボーラ・トランジス
タを作るうえのプロセス工程を示す断面図。 １……Ｎ型Si基板、２……SiO2、３……N+型Si、４……
P+型SiGe混晶、５……フォトレジスト、６……ポリSi、
７……SiO2、10……Al
Claims (1)
- 【請求項１】H2Oを1200ml当たり、KOHを300g,K2CrO7を1
2g,イソプロピルアルコールを300ml混合したことを特徴
とするSiGe混晶/Si系あるいはGe/Si系に対するSiの選択
エッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340308A JP2581241B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340308A JP2581241B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201433A JPH03201433A (ja) | 1991-09-03 |
| JP2581241B2 true JP2581241B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=18335704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340308A Expired - Fee Related JP2581241B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581241B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109545682B (zh) * | 2018-11-14 | 2021-12-28 | 复旦大学 | 基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH589429A5 (ja) * | 1975-07-15 | 1977-07-15 | Mefina Sa |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1340308A patent/JP2581241B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03201433A (ja) | 1991-09-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |