JP2578519C - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2578519C JP2578519C JP2578519C JP 2578519 C JP2578519 C JP 2578519C JP 2578519 C JP2578519 C JP 2578519C
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- light
- electron beam
- wafer
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 65
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 240000004282 Grewia occidentalis Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2578519B2 (ja) | 光線による位置検出機能付き荷電粒子線露光装置 | |
| JP3158446B2 (ja) | 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法 | |
| EP0114517B1 (en) | Mark position detecting method and apparatus | |
| US5671056A (en) | Three-dimensional form measuring apparatus and method | |
| JP7094782B2 (ja) | 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法 | |
| US4558225A (en) | Target body position measuring method for charged particle beam fine pattern exposure system | |
| JPH09320931A (ja) | 結像特性計測方法及び該方法を使用する転写装置 | |
| JP2578519C (ko) | ||
| JP3428974B2 (ja) | 投影露光方法及びそれを有する投影露光装置 | |
| JPH104055A (ja) | 自動焦点合わせ装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH08227840A (ja) | 荷電粒子線描画装置における調整方法および描画方法 | |
| JPH0613282A (ja) | オートフォーカス及びマスク・ウェーハ間ギャップ測定方法並びに装置 | |
| JP3242122B2 (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3673625B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JP3399468B2 (ja) | 実装済みプリント基板の検査装置 | |
| JP3385698B2 (ja) | 座標位置測定方法及び装置 | |
| JPH07105322B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JPH03188616A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP2986130B2 (ja) | マークの検出処理方法 | |
| JP2005285894A (ja) | 露光パターンの検査方法及びパターン露光用レチクル | |
| JPH0630332B2 (ja) | 位置決め装置、及び該装置を用いた基板の位置決め方法 | |
| JP2004172175A (ja) | レチクル及びレチクル検査方法 | |
| JPH118193A (ja) | 表面傾斜検出装置及び表面傾斜検出工程を備える半導体デバイス製造方法 | |
| JPH0935677A (ja) | 荷電粒子線照射方法および装置 | |
| JPH06232506A (ja) | 半導体レーザチップ実装装置 |