JP2569763B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JP2569763B2 JP2569763B2 JP63259886A JP25988688A JP2569763B2 JP 2569763 B2 JP2569763 B2 JP 2569763B2 JP 63259886 A JP63259886 A JP 63259886A JP 25988688 A JP25988688 A JP 25988688A JP 2569763 B2 JP2569763 B2 JP 2569763B2
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- Japan
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- lead frame
- film
- semiconductor device
- insulating film
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、半導体装置用リードフレーム、特に、絶縁
層としてフィルムを貼付した半導体装置用リードフレー
ムに関する。
層としてフィルムを貼付した半導体装置用リードフレー
ムに関する。
＜従来の技術＞ リードフレームに絶縁層としてフィルムを貼付するこ
とにより、インナーリードのプレによるボンディングミ
スを防止し、またボンディングワイヤとベッドとの短絡
を防止し、あるいはリードの変形を防止したもの等が提
案されているが（例えば、特開昭58−182859、同60−16
7454、同60−241242、同63−10534号公報参照）、いず
れの場合もリードフレームに絶縁層であるフィルムを貼
付するためには、リードフレームを高温にしておき、予
め接着剤を塗布してあるフィルムをこのリードフレーム
に押しつけることによって前記接着剤を溶融させて貼付
を行っている。フィルムに使用される高温型接着剤の特
徴としては、モールド等の後工程の加熱に耐えられる、
分解によるガス発生の心配がない等が挙げられる。
とにより、インナーリードのプレによるボンディングミ
スを防止し、またボンディングワイヤとベッドとの短絡
を防止し、あるいはリードの変形を防止したもの等が提
案されているが（例えば、特開昭58−182859、同60−16
7454、同60−241242、同63−10534号公報参照）、いず
れの場合もリードフレームに絶縁層であるフィルムを貼
付するためには、リードフレームを高温にしておき、予
め接着剤を塗布してあるフィルムをこのリードフレーム
に押しつけることによって前記接着剤を溶融させて貼付
を行っている。フィルムに使用される高温型接着剤の特
徴としては、モールド等の後工程の加熱に耐えられる、
分解によるガス発生の心配がない等が挙げられる。
このように絶縁層として用いられる前記フィルムは、
リードフレーム材に比べ、熱膨張係数が大きく、またフ
ィルムの厚さは、リードフレームの板厚と同程度のもの
が一般に用いられている。
リードフレーム材に比べ、熱膨張係数が大きく、またフ
ィルムの厚さは、リードフレームの板厚と同程度のもの
が一般に用いられている。
＜発明が解決しようとする課題＞ 従来、リードフレームには、鉄系、銅系などが用いら
れ、これらの熱膨張係数はそれぞれ10×10-6、17×10-6
程度であるのに対し、貼付する絶縁用フィルム、例えば
ポリイミドフィルムの熱膨張係数は20×10-6と大きく、
その接着温度は高温型接着剤を用いた場合には300℃程
度と高いため、ポリイミドフィルムをリードフレームに
接着後、常温まで冷却されるとリードフレームとポリイ
ミドフィルムの熱膨張係数の差による寸法の差が生ずる
とともに、熱収縮が生じ、両者の板厚がほぼ同程度であ
るため、例えば、第４図に示すように絶縁用フィルム１
の収縮にリードフレーム２が耐えられず、接着部分に反
りが生ずる。
れ、これらの熱膨張係数はそれぞれ10×10-6、17×10-6
程度であるのに対し、貼付する絶縁用フィルム、例えば
ポリイミドフィルムの熱膨張係数は20×10-6と大きく、
その接着温度は高温型接着剤を用いた場合には300℃程
度と高いため、ポリイミドフィルムをリードフレームに
接着後、常温まで冷却されるとリードフレームとポリイ
ミドフィルムの熱膨張係数の差による寸法の差が生ずる
とともに、熱収縮が生じ、両者の板厚がほぼ同程度であ
るため、例えば、第４図に示すように絶縁用フィルム１
の収縮にリードフレーム２が耐えられず、接着部分に反
りが生ずる。
この反りが大きいと、シリコン等のチップが搭載でき
なくなり、半導体装置の歩留りが低下するという問題点
があった。
なくなり、半導体装置の歩留りが低下するという問題点
があった。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消し、フィルム貼
付部分の反りの少ない高品位の半導体装置用リードフレ
ームを提供することを目的としている。
付部分の反りの少ない高品位の半導体装置用リードフレ
ームを提供することを目的としている。
＜課題を解決するための手段＞ 上記目的を達成するために本発明によれば、周辺部分
あるいは厚さ方向に未切断部を残した細いスリットを有
する絶縁用フィルムを半導体チップの搭載位置に貼付し
たことを特徴とする半導体装置用リードフレームが提供
される。
あるいは厚さ方向に未切断部を残した細いスリットを有
する絶縁用フィルムを半導体チップの搭載位置に貼付し
たことを特徴とする半導体装置用リードフレームが提供
される。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明に用いる絶縁用フィルムとしては、絶縁性のも
のであって半導体チップを搭載できる程度の強度を有す
るものであればよく、ポリイミドフィルム、フッ素樹
脂、エポキシ樹脂、FRP等を挙げることができる。
のであって半導体チップを搭載できる程度の強度を有す
るものであればよく、ポリイミドフィルム、フッ素樹
脂、エポキシ樹脂、FRP等を挙げることができる。
この絶縁用フィルムの表面、即ち、リードフレームに
接着しない面には、スリットが形成されている。
接着しない面には、スリットが形成されている。
スリットの形状としては、第1A図および第1B図に示す
ように、未切断部分を周囲に残し、かつフィルムの裏面
まで貫通して１本または複数本の切込み３をフィルムの
幅方向に入れた構造のもの（モード）、第2A図および
第2B図に示すように、フィルムの幅方向に両端までの長
さで、かつフィルムの厚さ方向の途中まで１本または複
数本の切込み４を入れた構造のもの（モード）または
第3A図および第3B図に示すように、未切断部分を周囲に
残し、かつフィルムの裏面まで貫通してフィルムの幅方
向に１本または複数本の切込み３とフィルムの長さ方向
に１本の切込み５を入れた構造のもの（モード）など
を挙げることができるが、これらに限ることなく反りを
生じさせる部分の断面積を減少させてフィルムの収縮力
を低下させるものであればよく、例えば、フィルムの幅
方向または長さ方向に対して適宜の角度をもつ方向に切
込みを入れてもよい。
ように、未切断部分を周囲に残し、かつフィルムの裏面
まで貫通して１本または複数本の切込み３をフィルムの
幅方向に入れた構造のもの（モード）、第2A図および
第2B図に示すように、フィルムの幅方向に両端までの長
さで、かつフィルムの厚さ方向の途中まで１本または複
数本の切込み４を入れた構造のもの（モード）または
第3A図および第3B図に示すように、未切断部分を周囲に
残し、かつフィルムの裏面まで貫通してフィルムの幅方
向に１本または複数本の切込み３とフィルムの長さ方向
に１本の切込み５を入れた構造のもの（モード）など
を挙げることができるが、これらに限ることなく反りを
生じさせる部分の断面積を減少させてフィルムの収縮力
を低下させるものであればよく、例えば、フィルムの幅
方向または長さ方向に対して適宜の角度をもつ方向に切
込みを入れてもよい。
リードフレームに絶縁用フィルムを貼付する際に使用
される接着剤としては各種のものが使用できるが、例え
ば、耐熱温度350℃程度のポリイミド系、ポリエーテル
アミド系などの高温型接着剤を挙げることができる。
される接着剤としては各種のものが使用できるが、例え
ば、耐熱温度350℃程度のポリイミド系、ポリエーテル
アミド系などの高温型接着剤を挙げることができる。
本発明の半導体装置用リードフレームの製造方法とし
ては、例えば、スリットを有する絶縁用フィルムを所望
の大きさにしてその裏面、即ち、貼付する面に接着剤を
塗布し、これを常法によりリードフレームの半導体チッ
プ搭載位置に貼付することによって得られる。
ては、例えば、スリットを有する絶縁用フィルムを所望
の大きさにしてその裏面、即ち、貼付する面に接着剤を
塗布し、これを常法によりリードフレームの半導体チッ
プ搭載位置に貼付することによって得られる。
＜実施例＞ 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
（実施例１） 厚さ0.25mmの50％Ni−Fe合金製リードフレームに、14
（長さ）×６（幅）×0.15（厚さ）mmのポリイミドフィ
ルムを貼付温度300℃で貼付した。フィルムの表面に
は、第1A図に示すようにモードの切込みを３本入れて
おいた。
（長さ）×６（幅）×0.15（厚さ）mmのポリイミドフィ
ルムを貼付温度300℃で貼付した。フィルムの表面に
は、第1A図に示すようにモードの切込みを３本入れて
おいた。
得られたリードフレームは、切込みを入れたことによ
り収縮時に生ずる反りが細分化され、フィルム貼付部分
中央の凹みが３μｍであった。比較のために、実施例１
と同じリードフレームに切込みを入れない同じ大きさの
ポリイミドフィルムを貼付したところ、フィルム貼付部
分中央の凹みは50μｍであった。
り収縮時に生ずる反りが細分化され、フィルム貼付部分
中央の凹みが３μｍであった。比較のために、実施例１
と同じリードフレームに切込みを入れない同じ大きさの
ポリイミドフィルムを貼付したところ、フィルム貼付部
分中央の凹みは50μｍであった。
（実施例２） 第2A図に示すようにモードの切込みを板厚の1/2の
深さで３本入れたポリイミドフィルムを用いたほかは実
施例１と同様にしてリードフレームを作成したところ、
絶縁厚さを確保しながら反りを生じさせる部分の断面積
を減少させ、フィルムの収縮力を低下させることがで
き、凹みは29μｍと小さかった。
深さで３本入れたポリイミドフィルムを用いたほかは実
施例１と同様にしてリードフレームを作成したところ、
絶縁厚さを確保しながら反りを生じさせる部分の断面積
を減少させ、フィルムの収縮力を低下させることがで
き、凹みは29μｍと小さかった。
（実施例３） 第3A図に示すようにモードの切込みを幅方向に３
本、長さ方向に１本入れたポリイミドフィルムを用いた
ほかは実施例１と同様にしてリードフレームを作成した
ところ、凹みは27μｍと小さかった。
本、長さ方向に１本入れたポリイミドフィルムを用いた
ほかは実施例１と同様にしてリードフレームを作成した
ところ、凹みは27μｍと小さかった。
また、幅方向の凹みも18μｍと小さくなった。
＜発明の効果＞ 本発明は、以上説明したように構成されているので、
スリットを有する絶縁用フィルムによって貼付時の絶縁
用フィルムとリードフレーム材の熱膨張差と熱収縮を吸
収し、接着部分の反りを大幅に減少させた高品位の半導
体装置を提供することができる。
スリットを有する絶縁用フィルムによって貼付時の絶縁
用フィルムとリードフレーム材の熱膨張差と熱収縮を吸
収し、接着部分の反りを大幅に減少させた高品位の半導
体装置を提供することができる。
また、絶縁用フィルムは、スリットによって完全には
切離されていないテープ状態で用いられるので、効率
的、かつ高位置精度の貼付作業を行うことができる。
切離されていないテープ状態で用いられるので、効率
的、かつ高位置精度の貼付作業を行うことができる。
第1A図および第1B図は、それぞれ本発明の第１実施例の
半導体装置用リードフレームを示す平面図およびフィル
ム接着部分の断面図である。 第2A図および第2B図は、それぞれ本発明の第２実施例の
平面図および断面図である。 第3A図および第3B図は、それぞれ本発明の第３実施例の
平面図および断面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームにおける
フィルム接着部分の断面図である。 符号の説明 １……絶縁用フィルム、 ２……リードフレーム、 ３、４、５……切込み（スリット）
半導体装置用リードフレームを示す平面図およびフィル
ム接着部分の断面図である。 第2A図および第2B図は、それぞれ本発明の第２実施例の
平面図および断面図である。 第3A図および第3B図は、それぞれ本発明の第３実施例の
平面図および断面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームにおける
フィルム接着部分の断面図である。 符号の説明 １……絶縁用フィルム、 ２……リードフレーム、 ３、４、５……切込み（スリット）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯塚 富雄 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社電線工場内 (72)発明者 御田 護 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社電線工場内 (56)参考文献 特開 昭60−167454（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−72657（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−76741（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁用フィルムをリードの半導体チップ搭
載位置に貼付してなる半導体装置用リードフレームであ
って、上記絶縁用フィルムはその周辺部分あるいは厚さ
方向に未切断部を残した細いスリットを複数有するもの
であることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259886A JP2569763B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259886A JP2569763B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106060A JPH02106060A (ja) | 1990-04-18 |
| JP2569763B2 true JP2569763B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17340305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63259886A Expired - Lifetime JP2569763B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569763B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129811A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS62234655A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-14 | Hitachi Ltd | 気密構造体の補修方法 |
| JPS63225203A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-20 | Jushi Insatsushiya:Kk | 暗色鏡および其の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63259886A patent/JP2569763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02106060A (ja) | 1990-04-18 |
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