JP2567331B2 - 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 - Google Patents
化合物半導体単結晶薄膜の成長法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体の単結晶成
長層を２分子層単位で半導体単結晶基板上にエピタキシ
ャル形成するのに好適な化合物半導体単結晶薄膜の成長
法に関する。特に少なく共２種類の原料ガスを交互に導
入し、表面交換反応で化合物半導体単結晶をエピタキシ
ャル成長する方法に関する。
長層を２分子層単位で半導体単結晶基板上にエピタキシ
ャル形成するのに好適な化合物半導体単結晶薄膜の成長
法に関する。特に少なく共２種類の原料ガスを交互に導
入し、表面交換反応で化合物半導体単結晶をエピタキシ
ャル成長する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体の薄膜結晶を得るための
気相エピタキシー技術として、有機金属気相成長法（以
下、ＭＯ−ＣＶＤ法と呼ぶ）、分子線エピタキシー法
（以下、ＭＢＥ法と呼ぶ）、原子層エピタキシー（以
下、ＡＬＥ法と呼ぶ）などが知られている。しかし、Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法はソースとしてＩＩＩ族、Ｖ族元素を水素
ガス等をキャリアとして、同時に反応室へ導入し、熱分
解によって成長させるため、成長層の品質が悪い。ま
た、単分子層オーダーの制御が困難である等の欠点があ
る。
気相エピタキシー技術として、有機金属気相成長法（以
下、ＭＯ−ＣＶＤ法と呼ぶ）、分子線エピタキシー法
（以下、ＭＢＥ法と呼ぶ）、原子層エピタキシー（以
下、ＡＬＥ法と呼ぶ）などが知られている。しかし、Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法はソースとしてＩＩＩ族、Ｖ族元素を水素
ガス等をキャリアとして、同時に反応室へ導入し、熱分
解によって成長させるため、成長層の品質が悪い。ま
た、単分子層オーダーの制御が困難である等の欠点があ
る。
【０００３】一方、超高真空を利用した結晶成長法とし
てよく知られるＭＢＥ法は、物理吸着を第一段階とする
ために、結晶の品質は化学反応を利用した気相成長法に
劣る。ＧａＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族間の化合物半導体
を成長する時には、ＩＩＩ族、Ｖ族元素をソースとして
用い、ソース源自体を成長室の中に設置している。この
ため、ソース源を加熱して得られる放出ガスと蒸発量の
制御、および、ソースの補給が困難であり、成長速度を
長時間一定に保つことが困難である。また、蒸発物の排
気など真空装置が複雑になる。更には、化合物半導体の
化学量論的組成（ストイキオメトリー）を精密に制御す
ることが困難で、結局、高品質の結晶を得ることができ
ない欠点がある。
てよく知られるＭＢＥ法は、物理吸着を第一段階とする
ために、結晶の品質は化学反応を利用した気相成長法に
劣る。ＧａＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族間の化合物半導体
を成長する時には、ＩＩＩ族、Ｖ族元素をソースとして
用い、ソース源自体を成長室の中に設置している。この
ため、ソース源を加熱して得られる放出ガスと蒸発量の
制御、および、ソースの補給が困難であり、成長速度を
長時間一定に保つことが困難である。また、蒸発物の排
気など真空装置が複雑になる。更には、化合物半導体の
化学量論的組成（ストイキオメトリー）を精密に制御す
ることが困難で、結局、高品質の結晶を得ることができ
ない欠点がある。
【０００４】更にＡＬＥ法は、Ｔ．Ｓｕｎｔｏｌａ（ツ
オモ・サントラ）がＵ．Ｓ．Ｐ．Ｎｏ．４０５８４３０
（１９７７）（特開昭５１−７７５８９号公報）で説明
しているように、ＭＢＥ法を改良し半導体元素のそれぞ
れをパルス状に交互に供給し、単原子層をガラス基板に
交互に付着させ、薄膜を原子層ずつ成長させるもので、
原子層のオーダーで膜厚を制御できる利点があるが、Ｍ
ＢＥ法の延長でありＭＢＥと同様に結晶性が良くない。
また成長した薄膜もＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ等のＩＩ−ＩＶ
族化合物半導体に限られ、現在超ＬＳＩ等の半導体装置
の主力であるＳｉやＧａＡｓに関しては成功していな
い。ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で成功して
いないのはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体はその構成元素の
蒸気圧が高いため、単原子層吸着が比較的容易に実現さ
れるが、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体についてはＩＩＩ族
素の蒸気圧が極端に低いため、ＩＩＩ族元素の単分子層
吸着条件が実現されにくいという問題もそのひとつの理
由である。ＡＬＥを改良して単原子層の上にガス状化合
物分子を導入し、表面での化学反応を利用した成長も特
開昭５５−１３０８９６号公報に示されるように試みら
れてはいるがＺｎＳの多結晶もしくはＴａ２Ｏ５のアモ
ルファスの薄膜の成長であり単結晶エピタキシャル成長
技術とはなっていない。
オモ・サントラ）がＵ．Ｓ．Ｐ．Ｎｏ．４０５８４３０
（１９７７）（特開昭５１−７７５８９号公報）で説明
しているように、ＭＢＥ法を改良し半導体元素のそれぞ
れをパルス状に交互に供給し、単原子層をガラス基板に
交互に付着させ、薄膜を原子層ずつ成長させるもので、
原子層のオーダーで膜厚を制御できる利点があるが、Ｍ
ＢＥ法の延長でありＭＢＥと同様に結晶性が良くない。
また成長した薄膜もＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ等のＩＩ−ＩＶ
族化合物半導体に限られ、現在超ＬＳＩ等の半導体装置
の主力であるＳｉやＧａＡｓに関しては成功していな
い。ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で成功して
いないのはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体はその構成元素の
蒸気圧が高いため、単原子層吸着が比較的容易に実現さ
れるが、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体についてはＩＩＩ族
素の蒸気圧が極端に低いため、ＩＩＩ族元素の単分子層
吸着条件が実現されにくいという問題もそのひとつの理
由である。ＡＬＥを改良して単原子層の上にガス状化合
物分子を導入し、表面での化学反応を利用した成長も特
開昭５５−１３０８９６号公報に示されるように試みら
れてはいるがＺｎＳの多結晶もしくはＴａ２Ｏ５のアモ
ルファスの薄膜の成長であり単結晶エピタキシャル成長
技術とはなっていない。
【０００５】このように、ＭＯ−ＣＶＤ法やＭＢＥ法で
は化学量論的組成を満足する高品質の結晶を単分子層オ
ーダーで形成することが困難な一方、ＡＬＥ法では単結
晶が得られない欠点があった。また特開昭５５−１３０
８９６号公報に示されるＡＬＥにおいてはガス導入２５
００サイクルで１０００ÅのＴａ２Ｏ５の成長、４５０
０サイクルで４０００ÅのＺｎＳの成長、あるいは２８
００サイクルで２２００ÅのＡ２ｌＯ３の成長というよ
うに、ガス導入−サイクルで１／３分子層等の一分子層
膜厚相当よりはるかに小さな値の成長しか実現できず、
単分子層膜厚に自己停止機能を有したエピタキシャル成
長技術になっていないため膜厚制御性や再現性・均一性
が悪いという欠点があった。また、１サイクルで１／３
分子層しか成長しないので、所望の膜厚を得るのに極め
て長い時間が必要で、化学量論的組成からのずれが大き
いという欠点を有していた。前述したＡＬＥにおいては
不活性ガスをガス相拡散バリアとして用いないと表面交
換反応における反応工程の分離ができないものである
が、この不活性ガスが原料のガス状化合物分子の表面吸
着を阻害する欠点があった。
は化学量論的組成を満足する高品質の結晶を単分子層オ
ーダーで形成することが困難な一方、ＡＬＥ法では単結
晶が得られない欠点があった。また特開昭５５−１３０
８９６号公報に示されるＡＬＥにおいてはガス導入２５
００サイクルで１０００ÅのＴａ２Ｏ５の成長、４５０
０サイクルで４０００ÅのＺｎＳの成長、あるいは２８
００サイクルで２２００ÅのＡ２ｌＯ３の成長というよ
うに、ガス導入−サイクルで１／３分子層等の一分子層
膜厚相当よりはるかに小さな値の成長しか実現できず、
単分子層膜厚に自己停止機能を有したエピタキシャル成
長技術になっていないため膜厚制御性や再現性・均一性
が悪いという欠点があった。また、１サイクルで１／３
分子層しか成長しないので、所望の膜厚を得るのに極め
て長い時間が必要で、化学量論的組成からのずれが大き
いという欠点を有していた。前述したＡＬＥにおいては
不活性ガスをガス相拡散バリアとして用いないと表面交
換反応における反応工程の分離ができないものである
が、この不活性ガスが原料のガス状化合物分子の表面吸
着を阻害する欠点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の欠点を除き、化学量論的組成を制御することにより結
晶成長層の品質を改善し、ガス導入一サイクルに付き２
分子層のエピタキシャル成長膜を形成することができる
化合物半導体、とくにＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結
晶薄膜の成長法を提供することを目的とする。
の欠点を除き、化学量論的組成を制御することにより結
晶成長層の品質を改善し、ガス導入一サイクルに付き２
分子層のエピタキシャル成長膜を形成することができる
化合物半導体、とくにＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結
晶薄膜の成長法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため、ＡＬＥ法で
は、単元素の原子吸着層をガラス基板上に形成したのに
対し、本発明は半導体単結晶基板上に成長させたい成分
元素を含む分子のガスを外部から交互に導入するサイク
ルを繰り返すことにより半導体単結晶基板上に単結晶を
エピタキシャル成長させるが、その際、成長槽内の圧
力、基板加熱温度、導入するガス量の１サイクル２分子
層の単結晶エピタキシャル成長するための最適値を実験
的に見い出し、半導体単結晶基板上に単結晶を形成する
ためのそれぞれの原料ガスの蒸気圧の差、たとえばＩＩ
Ｉ族元素とＶ族元素の蒸気圧の差に関係なく成長できる
ようにしたことを特徴としている。本発明は半導体単結
晶基板の表面に波長１８０〜６００ｎｍの光を照射し、
光のエネルギーで基板表面における吸着種の表面泳動等
の表面反応を促進し、より低温で高品質な化合物半導体
単結晶がエピタキシャル成長できるようにしたことを特
徴としている。
は、単元素の原子吸着層をガラス基板上に形成したのに
対し、本発明は半導体単結晶基板上に成長させたい成分
元素を含む分子のガスを外部から交互に導入するサイク
ルを繰り返すことにより半導体単結晶基板上に単結晶を
エピタキシャル成長させるが、その際、成長槽内の圧
力、基板加熱温度、導入するガス量の１サイクル２分子
層の単結晶エピタキシャル成長するための最適値を実験
的に見い出し、半導体単結晶基板上に単結晶を形成する
ためのそれぞれの原料ガスの蒸気圧の差、たとえばＩＩ
Ｉ族元素とＶ族元素の蒸気圧の差に関係なく成長できる
ようにしたことを特徴としている。本発明は半導体単結
晶基板の表面に波長１８０〜６００ｎｍの光を照射し、
光のエネルギーで基板表面における吸着種の表面泳動等
の表面反応を促進し、より低温で高品質な化合物半導体
単結晶がエピタキシャル成長できるようにしたことを特
徴としている。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例に係る化合物半導
体単結晶成長装置の構成図を示したもので、１は成長槽
で材質はステンレス等の金属、２はゲートバルブ、３は
成長槽１内を超高真空に排気するための排気装置、４，
５は例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩＩＩ族、Ｖ族
の成分元素のガス状の化合物を導入するノズル、６，７
はノズル４，５を開閉するバルブ、８はＩＩＩ族の成分
元素を含むガス状の化合物、９はＶ族の成分元素を含む
ガス状の化合物、１０は基板加熱用のヒーターで石英ガ
ラスに封入したタングステン（Ｗ）線であり、電線等は
省略して図示しているもの、１１は測温用の熱電対、１
２は化合物半導体の単結晶基板、１３は成長槽内の真空
度を測るための圧力計である。バルブ６、７は成長層１
の外部に配置されている。
体単結晶成長装置の構成図を示したもので、１は成長槽
で材質はステンレス等の金属、２はゲートバルブ、３は
成長槽１内を超高真空に排気するための排気装置、４，
５は例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩＩＩ族、Ｖ族
の成分元素のガス状の化合物を導入するノズル、６，７
はノズル４，５を開閉するバルブ、８はＩＩＩ族の成分
元素を含むガス状の化合物、９はＶ族の成分元素を含む
ガス状の化合物、１０は基板加熱用のヒーターで石英ガ
ラスに封入したタングステン（Ｗ）線であり、電線等は
省略して図示しているもの、１１は測温用の熱電対、１
２は化合物半導体の単結晶基板、１３は成長槽内の真空
度を測るための圧力計である。バルブ６、７は成長層１
の外部に配置されている。
【００１０】以上の構成で、成長槽１内の圧力、基板１
２の加熱温度、ガスの導入量等をパラメータとして結晶
成長状態を調べた結果、下記の条件にて結晶成長させる
と、高品質の単結晶薄膜を２分子層の単位でエピタキシ
ャル形成できることが実験的に確認できた。即ち、Ｇａ
Ａｓの単結晶をＧａＡｓ単結晶基板１２上にエピタキシ
ャル成長させるには、先ずゲートバルブ２を開けて超高
真空排気装置３により、成長槽１内を１０−７〜１０
−８Ｐａｓｃａｌ（以下、Ｐａと略す）程度に排気す
る。次に、ＧａＡｓ単結晶基板１２を３００〜６００℃
にヒーター１０により加熱し、Ｇａを含むガスとしてＴ
ＭＧ（トリメチルガリウム）８を成長槽１内の圧力が、
１０−１〜１０−７Ｐａになる範囲で、より好ましくは
１０−１〜１０−４Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒
間バルブ６を開けて導入する。その後、バルブ６を閉じ
て成長槽１内のガスを排気後、今後はＡｓを含むガスと
してＡｓＨ３（アルシン）９を成長槽１内の圧力が１０
−１〜１０−７Ｐａになる範囲で、より好ましくは１０
−１〜１０−２Ｐａになる範囲で、２〜２００秒間バル
ブ７を開けて導入する。これにより、ＧａＡｓ単結晶基
板１２上にＧａＡｓが２分子層成長できる。ガス導入の
低圧側の限界値は、ＧａＡｓ基板表面を２００％の被着
率で覆うための分子の個数から容易に決定できる。ガス
導入圧力とガス導入時間の積がＧａＡｓ基板表面に被着
する分子の個数を与えるので、導入圧力が低ければ導入
時間を長くする必要がある。以上の操作を繰り返し、２
分子層毎に次々と成長させることにより、所望の分子層
数のＧａＡｓの単結晶成長層を２分子層の単位で成長さ
せることができる。
２の加熱温度、ガスの導入量等をパラメータとして結晶
成長状態を調べた結果、下記の条件にて結晶成長させる
と、高品質の単結晶薄膜を２分子層の単位でエピタキシ
ャル形成できることが実験的に確認できた。即ち、Ｇａ
Ａｓの単結晶をＧａＡｓ単結晶基板１２上にエピタキシ
ャル成長させるには、先ずゲートバルブ２を開けて超高
真空排気装置３により、成長槽１内を１０−７〜１０
−８Ｐａｓｃａｌ（以下、Ｐａと略す）程度に排気す
る。次に、ＧａＡｓ単結晶基板１２を３００〜６００℃
にヒーター１０により加熱し、Ｇａを含むガスとしてＴ
ＭＧ（トリメチルガリウム）８を成長槽１内の圧力が、
１０−１〜１０−７Ｐａになる範囲で、より好ましくは
１０−１〜１０−４Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒
間バルブ６を開けて導入する。その後、バルブ６を閉じ
て成長槽１内のガスを排気後、今後はＡｓを含むガスと
してＡｓＨ３（アルシン）９を成長槽１内の圧力が１０
−１〜１０−７Ｐａになる範囲で、より好ましくは１０
−１〜１０−２Ｐａになる範囲で、２〜２００秒間バル
ブ７を開けて導入する。これにより、ＧａＡｓ単結晶基
板１２上にＧａＡｓが２分子層成長できる。ガス導入の
低圧側の限界値は、ＧａＡｓ基板表面を２００％の被着
率で覆うための分子の個数から容易に決定できる。ガス
導入圧力とガス導入時間の積がＧａＡｓ基板表面に被着
する分子の個数を与えるので、導入圧力が低ければ導入
時間を長くする必要がある。以上の操作を繰り返し、２
分子層毎に次々と成長させることにより、所望の分子層
数のＧａＡｓの単結晶成長層を２分子層の単位で成長さ
せることができる。
【００１１】図２（ａ）は、導入ガスとして、ＴＭＧと
ＧａＡｓを用いた時の成長温度６００℃での１サイクル
当りのＴＭＧの導入量をパラメーターとして１サイクル
当りのＧａＡｓ膜の成長膜厚を示すものである。１サイ
クル当りのＴＭＧの導入量が増えると成長膜厚がＧａＡ
ｓの２分子層膜厚で飽和する。図２（ａ）は飽和直前ま
で示しているが、導入量をこれ以上１〜２桁増しても２
分子層膜厚で飽和し、一定膜厚となる。ＧａＡｓ（１０
０）面の２分子層の厚さは５．６６Ａで、ＧａＡｓ（１
１１）面の一分子層の厚さは６．５２Åである。この飽
和値以上のガスの導入量で成長してやれば、たとえ、ガ
ス導入量やガス導入圧力あるいはＧａＡｓ単結晶基板温
度等が多小変動しても、確実に１サイクル２分子層に自
己停止機能を持って成長するため、分子層単位の精度の
膜厚が制御できる。本発明は基板表面での交換表面反応
および表面吸着反応を用いているので、２分子層吸着反
応を用いて１サイクル２分子層の成長が実現できる。２
分子層吸着反応は単分子層吸着反応の飽和領域の圧力よ
りガス導入圧力をさらに高くし、基板温度も高くすれば
良い。もちろんさらに圧力を高くすれば３分子層以上の
多分子層吸着となり１サイクル３分子層等の成長も可能
である。但し、１サイクル３分子層の成長は成長層表面
が荒れやすいので、現実的ではない。基板温度が高い方
が多分子層吸着は容易である。この飽和する条件でＴＭ
ＧとＡｓＨ３を交互に導入し、その導入回数と、ＧａＡ
ｓエピタキシャル成長層の膜厚の関係を示したものが図
２（ｂ）である。この図から明らかなように、非常によ
い直線性を示すことから任意の膜厚が完全に制御できる
ことが判る。このようにして、得られたＧａＡｓのエピ
タキシャル成長層を電子線回析およびＸ線回析で調べた
ところ、非常に完全性の高い薄膜単結晶となっているこ
とが判明した。
ＧａＡｓを用いた時の成長温度６００℃での１サイクル
当りのＴＭＧの導入量をパラメーターとして１サイクル
当りのＧａＡｓ膜の成長膜厚を示すものである。１サイ
クル当りのＴＭＧの導入量が増えると成長膜厚がＧａＡ
ｓの２分子層膜厚で飽和する。図２（ａ）は飽和直前ま
で示しているが、導入量をこれ以上１〜２桁増しても２
分子層膜厚で飽和し、一定膜厚となる。ＧａＡｓ（１０
０）面の２分子層の厚さは５．６６Ａで、ＧａＡｓ（１
１１）面の一分子層の厚さは６．５２Åである。この飽
和値以上のガスの導入量で成長してやれば、たとえ、ガ
ス導入量やガス導入圧力あるいはＧａＡｓ単結晶基板温
度等が多小変動しても、確実に１サイクル２分子層に自
己停止機能を持って成長するため、分子層単位の精度の
膜厚が制御できる。本発明は基板表面での交換表面反応
および表面吸着反応を用いているので、２分子層吸着反
応を用いて１サイクル２分子層の成長が実現できる。２
分子層吸着反応は単分子層吸着反応の飽和領域の圧力よ
りガス導入圧力をさらに高くし、基板温度も高くすれば
良い。もちろんさらに圧力を高くすれば３分子層以上の
多分子層吸着となり１サイクル３分子層等の成長も可能
である。但し、１サイクル３分子層の成長は成長層表面
が荒れやすいので、現実的ではない。基板温度が高い方
が多分子層吸着は容易である。この飽和する条件でＴＭ
ＧとＡｓＨ３を交互に導入し、その導入回数と、ＧａＡ
ｓエピタキシャル成長層の膜厚の関係を示したものが図
２（ｂ）である。この図から明らかなように、非常によ
い直線性を示すことから任意の膜厚が完全に制御できる
ことが判る。このようにして、得られたＧａＡｓのエピ
タキシャル成長層を電子線回析およびＸ線回析で調べた
ところ、非常に完全性の高い薄膜単結晶となっているこ
とが判明した。
【００１２】尚、Ｇａを含む原料ガスとしてはＴＭＧの
みに限られずＴＥＧ，ＤＥＧａＣｌ，ＭＧａＣｌやＣａ
Ｃｌ３，ＧａＢｒ３，ＧａＩ３のようなガスを用いても
同様に結晶性のよいＧａＡｓ薄膜が得られた。
みに限られずＴＥＧ，ＤＥＧａＣｌ，ＭＧａＣｌやＣａ
Ｃｌ３，ＧａＢｒ３，ＧａＩ３のようなガスを用いても
同様に結晶性のよいＧａＡｓ薄膜が得られた。
【００１３】図３は本発明の他の実施例を示したもので
あり、不純物添加をするためのものである。１４，１５
は不純物添加に用いるガス状化合物を導入するノズル、
１６，１７はノズル１４，１５を開閉するバルブ、１８
はＩＩ族の成分元素を含むガス状の化合物、１９はＶＩ
族の成分元素を含むガス状の化合物である。不純物を添
加する以外の部分は図１の実施例と同一であるので説明
は省略する。
あり、不純物添加をするためのものである。１４，１５
は不純物添加に用いるガス状化合物を導入するノズル、
１６，１７はノズル１４，１５を開閉するバルブ、１８
はＩＩ族の成分元素を含むガス状の化合物、１９はＶＩ
族の成分元素を含むガス状の化合物である。不純物を添
加する以外の部分は図１の実施例と同一であるので説明
は省略する。
【００１４】この構成で、ｐ型成長層を形成する場合
は、導入ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム）８、
ＡｓＨ３（アルシン）９と添加する不純物ガスとしてＤ
ＭＺｎ（ジメチル亜鉛）１８の３つのガスをそれぞれ別
個の時間に循環式に導入する。また、別の方法としては
ＴＭＧ８とＤＭＺｎ１８を同時にＡｓＨ３９とは交互に
導入するか、ＡｓＨ３９とＤＭＺｎ１８を同時にＴＭＧ
８とは交互に導入することによって不純物添加ができ
る。更にまた、別の方法としてはＴＭＧとＤＭＺｎとを
同時に導入、真空排気、ＡｓＨ３導入、真空排気という
第１ののサイクルと、ＴＭＧのみ導入、真空排気、Ａｓ
Ｈ３導入、真空排出という第２のサイクルとを交互に繰
り返すことによって、Ｚｎのドープされた層とドープさ
れていない層を交互に、または多層ずつ交互に形成する
こともできる。
は、導入ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム）８、
ＡｓＨ３（アルシン）９と添加する不純物ガスとしてＤ
ＭＺｎ（ジメチル亜鉛）１８の３つのガスをそれぞれ別
個の時間に循環式に導入する。また、別の方法としては
ＴＭＧ８とＤＭＺｎ１８を同時にＡｓＨ３９とは交互に
導入するか、ＡｓＨ３９とＤＭＺｎ１８を同時にＴＭＧ
８とは交互に導入することによって不純物添加ができ
る。更にまた、別の方法としてはＴＭＧとＤＭＺｎとを
同時に導入、真空排気、ＡｓＨ３導入、真空排気という
第１ののサイクルと、ＴＭＧのみ導入、真空排気、Ａｓ
Ｈ３導入、真空排出という第２のサイクルとを交互に繰
り返すことによって、Ｚｎのドープされた層とドープさ
れていない層を交互に、または多層ずつ交互に形成する
こともできる。
【００１５】尚、不純物ガスとしてはＤＭＣｄ（ジメチ
ルカドミウム）、ＤＭＭｇ（ジメチルマグネシウム）、
ＳｉＨ４（モノシラン）、ＧｅＨ４（ゲルマン）などで
もよい。また、ＤＭＣｄとＤＭＺｎとを同時に導入して
も良い。
ルカドミウム）、ＤＭＭｇ（ジメチルマグネシウム）、
ＳｉＨ４（モノシラン）、ＧｅＨ４（ゲルマン）などで
もよい。また、ＤＭＣｄとＤＭＺｎとを同時に導入して
も良い。
【００１６】次に、ｎ型成長層の形成は、添加する不純
物ガスとしてＤＭＳｅ１９（ジメチルセレン）をＴＭＧ
８、ＡｓＨ３９とそれぞれ別個の時間に循環式に導入す
る。別の方法としてはＴＭＧ８とＤＭＳｅ１９を同時に
ＡｓＨ３９とＤＭＳｅ１９とは交互に導入することによ
って不純物添加ができる。ＡｓＨ３９とＤＭＳｅ１９と
を同時に、ＴＭＧ８とＤＭＳｅ１９とを交互に導入して
も良い。
物ガスとしてＤＭＳｅ１９（ジメチルセレン）をＴＭＧ
８、ＡｓＨ３９とそれぞれ別個の時間に循環式に導入す
る。別の方法としてはＴＭＧ８とＤＭＳｅ１９を同時に
ＡｓＨ３９とＤＭＳｅ１９とは交互に導入することによ
って不純物添加ができる。ＡｓＨ３９とＤＭＳｅ１９と
を同時に、ＴＭＧ８とＤＭＳｅ１９とを交互に導入して
も良い。
【００１７】尚、このときの不純物ガスとしてはＤＭＳ
（ジメチル硫黄）、Ｈ２Ｓ（硫化水素）、Ｈ２Ｓｅ（セ
レン化水素）などを用いることができる。
（ジメチル硫黄）、Ｈ２Ｓ（硫化水素）、Ｈ２Ｓｅ（セ
レン化水素）などを用いることができる。
【００１８】この場合、不純物ガスの導入圧力をＡｓＨ
３９，ＴＭＧ８に比べ、例えば１０−３〜１０−６程小
さく取り、導入時間は０．５〜１０秒にすることによ
り、厚さ方向に所望の不純物濃度分布を有する分子層エ
ピタキシャル成長層が形成できる。また、添加する不純
物ガスの量と時間を調整することにより、ｐｎ接合、不
均一不純物密度分布、ｎｐｎ、ｎｐｉｎ、ｐｎｐ、ｐｎ
ｉｐ等のバイポーラトランジスタ構造、ｎｐｉｎｐ、ｎ
ｐｎ ｎｐ等の電界効果トランジスタや静電誘導トラン
ジスタ、ｐｎｐｎのサイリスタ構造等を実現できること
は勿論である。
３９，ＴＭＧ８に比べ、例えば１０−３〜１０−６程小
さく取り、導入時間は０．５〜１０秒にすることによ
り、厚さ方向に所望の不純物濃度分布を有する分子層エ
ピタキシャル成長層が形成できる。また、添加する不純
物ガスの量と時間を調整することにより、ｐｎ接合、不
均一不純物密度分布、ｎｐｎ、ｎｐｉｎ、ｐｎｐ、ｐｎ
ｉｐ等のバイポーラトランジスタ構造、ｎｐｉｎｐ、ｎ
ｐｎ ｎｐ等の電界効果トランジスタや静電誘導トラン
ジスタ、ｐｎｐｎのサイリスタ構造等を実現できること
は勿論である。
【００１９】図４は本発明の更に別の実施例を示したも
のであり、混晶化合物半導体を成長させるものである。
混晶としてＧａ１−ｘＡｌｘＡｓを例にとつて説明す
る。２０はＩＩＩ族のＡｌのガス状化合物を導入するノ
ズル、２１は２０を開閉するバルブ、２２はＩＩＩ族の
Ａｌを含むガス状化合物である。５０〜５２については
後述する。他の部分は図１の実施例と同一であるので説
明は省略する。
のであり、混晶化合物半導体を成長させるものである。
混晶としてＧａ１−ｘＡｌｘＡｓを例にとつて説明す
る。２０はＩＩＩ族のＡｌのガス状化合物を導入するノ
ズル、２１は２０を開閉するバルブ、２２はＩＩＩ族の
Ａｌを含むガス状化合物である。５０〜５２については
後述する。他の部分は図１の実施例と同一であるので説
明は省略する。
【００２０】導入ガスとしてＡｓＨ３８、ＴＭＧ９、Ｔ
ＭＡｌ２２（トリメチルアルミニウム）を用い、ＡｓＨ
３８、ＴＭＧ９およびＴＭＡｌ２２を循環式にそれぞれ
別個の時間に基板温度３００〜６００℃で導入する。こ
のとき、ＴＭＡｌ２２の導入圧力および導入時間をＴＭ
Ｇ９に対して調節することによって、厚さ方向に所望の
成分比を有する混晶分子層エピタキシャル成長層をガス
導入１サイクルに付き２分子層膜厚で形成できる。
ＭＡｌ２２（トリメチルアルミニウム）を用い、ＡｓＨ
３８、ＴＭＧ９およびＴＭＡｌ２２を循環式にそれぞれ
別個の時間に基板温度３００〜６００℃で導入する。こ
のとき、ＴＭＡｌ２２の導入圧力および導入時間をＴＭ
Ｇ９に対して調節することによって、厚さ方向に所望の
成分比を有する混晶分子層エピタキシャル成長層をガス
導入１サイクルに付き２分子層膜厚で形成できる。
【００２１】尚、ＴＭＧ９とＴＭＡｌ２２は同時に導入
しても良い。また、導入ガス２０にはＴＭＧとＴＭＡｌ
を混合したガスでも良い。また、Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ
を例にとったが、ＧａＡｓ１−ｘＰｘ、ＩｎｘＧａ
１−ｘＰ、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ等の他のＩＩＩ−Ｖ族
の混晶、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ等のＩＩ一ＶＩ族の混品
でも良い。
しても良い。また、導入ガス２０にはＴＭＧとＴＭＡｌ
を混合したガスでも良い。また、Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ
を例にとったが、ＧａＡｓ１−ｘＰｘ、ＩｎｘＧａ
１−ｘＰ、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ等の他のＩＩＩ−Ｖ族
の混晶、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ等のＩＩ一ＶＩ族の混品
でも良い。
【００２２】図６は本発明の更に別の実施例を示したも
のであり、禁制帯幅と格子定数を独立に制御できる４元
混晶以上の格子歪補正された混晶化合物半導体を成長さ
せるものである。一例としてＧａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ
０．９９Ｐ０．１１でＧａＡｓ基板上に成長させると格
子歪補正されることが知られているので混晶にＧａ
１−ｘＡｌｘＡｓ１−ｙＰｙを例にとって説明する。
のであり、禁制帯幅と格子定数を独立に制御できる４元
混晶以上の格子歪補正された混晶化合物半導体を成長さ
せるものである。一例としてＧａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ
０．９９Ｐ０．１１でＧａＡｓ基板上に成長させると格
子歪補正されることが知られているので混晶にＧａ
１−ｘＡｌｘＡｓ１−ｙＰｙを例にとって説明する。
【００２３】２３，２４は混晶元素を含むＩＩＩ族のＡ
ｌ、Ｖ族のＰのガス状化合物を導入するノズル、２５，
２６はノズル２３，２４のそれぞれを開閉するバルブ、
２７，２８はＩＩＩ族のＡｌ、Ｖ族のＰの成分を元素に
含むガス状化合物である。他の部分は図１と同一である
ので説明は省略する。導入ガスとしてＡｓＨ３８、ＴＭ
Ｇ９、ＴＭＡｌ２７，ＰＨ３（ホスフィン）２８を用
い、これらのガスを循環式に導入する。このとき、ＩＩ
Ｉ族同志、Ｖ族同志は同時に導入しても良い。また、あ
らかじめガスを混合しておいても良い。成長温度、成長
圧力などは図１に示す実施例とほぼ同様であり、ガス混
合比又は導入圧力、導入時間を調整することによって格
子歪補正された混晶化合物半導体エピタキシャル成長層
を形成できる。
ｌ、Ｖ族のＰのガス状化合物を導入するノズル、２５，
２６はノズル２３，２４のそれぞれを開閉するバルブ、
２７，２８はＩＩＩ族のＡｌ、Ｖ族のＰの成分を元素に
含むガス状化合物である。他の部分は図１と同一である
ので説明は省略する。導入ガスとしてＡｓＨ３８、ＴＭ
Ｇ９、ＴＭＡｌ２７，ＰＨ３（ホスフィン）２８を用
い、これらのガスを循環式に導入する。このとき、ＩＩ
Ｉ族同志、Ｖ族同志は同時に導入しても良い。また、あ
らかじめガスを混合しておいても良い。成長温度、成長
圧力などは図１に示す実施例とほぼ同様であり、ガス混
合比又は導入圧力、導入時間を調整することによって格
子歪補正された混晶化合物半導体エピタキシャル成長層
を形成できる。
【００２４】尚、以上の各実施例においては、いずれも
半導体単結晶基板１２の加熱源を成長槽１内に設けた例
について述べてきたが、例えば図７に示すように、加熱
源として赤外線ランプ３０を用い、これを成長槽１外の
ランプハウス３１内に設け、そのランプハウス３１から
出力する赤外線を石英ガラス３２を介して半導体結晶基
板１２に照射することにより、サセプター３３に保持さ
せた半導体結晶基板１２を加熱するようにしてもよい。
このようにすれば、成長槽１内から単結晶の成長に必要
ない部材を除くことができ、ヒーター加熱に伴う重金属
等の不要なガス成分の発生を未然に防止することができ
る。
半導体単結晶基板１２の加熱源を成長槽１内に設けた例
について述べてきたが、例えば図７に示すように、加熱
源として赤外線ランプ３０を用い、これを成長槽１外の
ランプハウス３１内に設け、そのランプハウス３１から
出力する赤外線を石英ガラス３２を介して半導体結晶基
板１２に照射することにより、サセプター３３に保持さ
せた半導体結晶基板１２を加熱するようにしてもよい。
このようにすれば、成長槽１内から単結晶の成長に必要
ない部材を除くことができ、ヒーター加熱に伴う重金属
等の不要なガス成分の発生を未然に防止することができ
る。
【００２５】また、成長槽１には、光学系４０を取り付
け、その外部に水銀ランプ、重水素ランプ、Ｘｅラン
プ、エキシマーレーザ、Ａｒレーザ等の光源４１を設
け、波長１８０〜６００ｎｍの光を半導体結晶基板１２
に照射するようにしてもよい。このようにした場合には
表面マイグレーション（泳動）、吸着・離脱、吸着分子
の分解等の表面反応が促進され、半導体単結晶基板温度
を下げることができ、その結果、表面モルフォロジーや
電気的特性等に関し更に高品質の単結晶をエピタキシャ
ル成長させることができるようになる。２分子吸着層を
形成している吸着種が波長１８０〜６００ｎｍの光のエ
ネルギーで基板表面を泳動し、より安定な格子位置に取
り込まれるので高品質な結晶が得られる。多分子吸着層
は単分子吸着層に比べて表面が荒れやすくなる傾向があ
るので、波長１８０〜６００ｎｍの光により良好な表面
が得られる。
け、その外部に水銀ランプ、重水素ランプ、Ｘｅラン
プ、エキシマーレーザ、Ａｒレーザ等の光源４１を設
け、波長１８０〜６００ｎｍの光を半導体結晶基板１２
に照射するようにしてもよい。このようにした場合には
表面マイグレーション（泳動）、吸着・離脱、吸着分子
の分解等の表面反応が促進され、半導体単結晶基板温度
を下げることができ、その結果、表面モルフォロジーや
電気的特性等に関し更に高品質の単結晶をエピタキシャ
ル成長させることができるようになる。２分子吸着層を
形成している吸着種が波長１８０〜６００ｎｍの光のエ
ネルギーで基板表面を泳動し、より安定な格子位置に取
り込まれるので高品質な結晶が得られる。多分子吸着層
は単分子吸着層に比べて表面が荒れやすくなる傾向があ
るので、波長１８０〜６００ｎｍの光により良好な表面
が得られる。
【００２６】ところで、以上述べてきた実施例において
は、超高真空装置等はイオンポンプ等周知なものを使用
することができる。また、半導体単結晶基板を出し入れ
するための補助真空槽、結晶引出し装置等を付加するこ
とは容易にでき、量産性の優れたものにできることは言
う迄もない。また、単結晶成長に用いるガスは主にＧａ
Ａｓについて説明をしてきたがＩｎＰ、ＡｌＰ、ＩｎＧ
ａＡｓ、ＧａＰ等他のＩＩ−Ｖ族化合物に適用できるこ
とは勿論である。更に、単結晶基板はＧａＡｓに限らず
他の化合物半導体単結晶基板に成長させるヘテロエピタ
キシャル成長等でも良い。
は、超高真空装置等はイオンポンプ等周知なものを使用
することができる。また、半導体単結晶基板を出し入れ
するための補助真空槽、結晶引出し装置等を付加するこ
とは容易にでき、量産性の優れたものにできることは言
う迄もない。また、単結晶成長に用いるガスは主にＧａ
Ａｓについて説明をしてきたがＩｎＰ、ＡｌＰ、ＩｎＧ
ａＡｓ、ＧａＰ等他のＩＩ−Ｖ族化合物に適用できるこ
とは勿論である。更に、単結晶基板はＧａＡｓに限らず
他の化合物半導体単結晶基板に成長させるヘテロエピタ
キシャル成長等でも良い。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ノズルを
用いて単結晶基板表面のみに原料ガスを導入しているの
で、余分なところにまわり込んだ残渣ガスや成長槽壁面
に吸着し、再脱離するガスの影響も少なく表面交換反応
が容易に実現できる。また、バルブ６、７、１６、１７
等も成長層の外部に配置されているので、残渣ガスや再
脱離するガスの影響も無く、バルブの開閉と真空排気の
みで表面交換反応が実現できる。本発明によればキャリ
アガス等の不活性ガスを用いていないので、不活性ガス
が基板表面に吸着し、原料ガスの表面吸着を阻害するこ
ともなく、１００％の被覆率で原料ガスが吸着できる。
特に２分子層吸着は単分子層吸着に比べて他のガスとの
競合吸着が問題になるが、不活性ガスを用いていないの
で、競合吸着も生じず、良好な２分子層成長が実現でき
る。また本発明によれば、ガス導入一サイクルに付き２
分子層ずつ自己停止機能を持ってエピタキシャル成長で
きるため、ガス導入サイクルを数えるだけで、何ら特別
な膜厚モニターを用いたり、精密なガス導入量制御機構
等を用いたりしなくても２分子層単位で分子層数を数え
ることのできる精度を有した半導体単結晶薄膜のエピタ
キシャル成長が実現できる。また、１サイクル２分子層
の成長のため、短時間で所望の値が実現できるので上記
厚の高い一方の元素のみが離説すること無く、化学量論
的組成を満たすことが容易で半導体単結晶基板上に良質
な単結晶を形成させることができる。本発明によればＴ
ＭＧ、ＴＥＧのような表面吸着時に立体障害を起こすよ
うな大きい分子サイズの原料ガスを用いても表面反応の
結果２分子層で表面を２００％覆うことが可能な導入圧
力および基板温度を用いているので、従来技術のＭＯＣ
ＶＤで用いられていた原料ガスがすべて本発明に適用で
きるという利点がある。また、不純物の添加を２分子層
ずつ行なうことができるので、非常に急峻な不純物密度
分布を得ることができる等の利点を有している。本発明
によればガス導入１サイクルに付き２分子層ずつエピタ
キシャル成長するので、１サイクルにつき１／３分子層
程度しか成長しないＡＬＥ法に比して短時間でかつ高精
度・高再現性で所望の膜厚を得ることができる。本発明
によれば、ＭＢＥ法やＭＢＥ法を基礎としたＡＬＥ法の
ようにソース源が成長槽の内部に設置されていないの
で、残渣ガスやソース源からの余分な放出ガスの問題も
なく、また操作も容易である。本発明によれば光照射に
より表面泳動等の表面反応が促進されているので、表面
モルフォロジーの良好な高品質の単結晶が得られる。
用いて単結晶基板表面のみに原料ガスを導入しているの
で、余分なところにまわり込んだ残渣ガスや成長槽壁面
に吸着し、再脱離するガスの影響も少なく表面交換反応
が容易に実現できる。また、バルブ６、７、１６、１７
等も成長層の外部に配置されているので、残渣ガスや再
脱離するガスの影響も無く、バルブの開閉と真空排気の
みで表面交換反応が実現できる。本発明によればキャリ
アガス等の不活性ガスを用いていないので、不活性ガス
が基板表面に吸着し、原料ガスの表面吸着を阻害するこ
ともなく、１００％の被覆率で原料ガスが吸着できる。
特に２分子層吸着は単分子層吸着に比べて他のガスとの
競合吸着が問題になるが、不活性ガスを用いていないの
で、競合吸着も生じず、良好な２分子層成長が実現でき
る。また本発明によれば、ガス導入一サイクルに付き２
分子層ずつ自己停止機能を持ってエピタキシャル成長で
きるため、ガス導入サイクルを数えるだけで、何ら特別
な膜厚モニターを用いたり、精密なガス導入量制御機構
等を用いたりしなくても２分子層単位で分子層数を数え
ることのできる精度を有した半導体単結晶薄膜のエピタ
キシャル成長が実現できる。また、１サイクル２分子層
の成長のため、短時間で所望の値が実現できるので上記
厚の高い一方の元素のみが離説すること無く、化学量論
的組成を満たすことが容易で半導体単結晶基板上に良質
な単結晶を形成させることができる。本発明によればＴ
ＭＧ、ＴＥＧのような表面吸着時に立体障害を起こすよ
うな大きい分子サイズの原料ガスを用いても表面反応の
結果２分子層で表面を２００％覆うことが可能な導入圧
力および基板温度を用いているので、従来技術のＭＯＣ
ＶＤで用いられていた原料ガスがすべて本発明に適用で
きるという利点がある。また、不純物の添加を２分子層
ずつ行なうことができるので、非常に急峻な不純物密度
分布を得ることができる等の利点を有している。本発明
によればガス導入１サイクルに付き２分子層ずつエピタ
キシャル成長するので、１サイクルにつき１／３分子層
程度しか成長しないＡＬＥ法に比して短時間でかつ高精
度・高再現性で所望の膜厚を得ることができる。本発明
によれば、ＭＢＥ法やＭＢＥ法を基礎としたＡＬＥ法の
ようにソース源が成長槽の内部に設置されていないの
で、残渣ガスやソース源からの余分な放出ガスの問題も
なく、また操作も容易である。本発明によれば光照射に
より表面泳動等の表面反応が促進されているので、表面
モルフォロジーの良好な高品質の単結晶が得られる。
【図１】本発明の一実施例に係る結晶成長装置の構成
図。
図。
【図２】（ａ）は図１における１サイクル当りのＴＭＧ
導入量と成長膜厚との関係を示すグラフ図、 （ｂ）は
図１における成長層膜厚とバルブ開閉数との関係を示す
グラフ図。
導入量と成長膜厚との関係を示すグラフ図、 （ｂ）は
図１における成長層膜厚とバルブ開閉数との関係を示す
グラフ図。
【図３】本発明の他の実施例に係る結晶成長装置の構成
図。
図。
【図４】本発明の別の実施例に係る結晶成長装置の構成
図。
図。
【図５】図４の装置を用いて超格子構造を形成する場合
の説明図で、同図（ａ）は超格子構造説明図、同図
（ｂ）はガス導入シーケンス図。
の説明図で、同図（ａ）は超格子構造説明図、同図
（ｂ）はガス導入シーケンス図。
【図６】本発明の更に他の実施例に係る結晶成長装置の
構成図。
構成図。
【図７】本発明の更に別の実施例に係る結晶成長装置の
構成図。
構成図。
１ 成長槽 ２ ゲートバルブ ３ 排気装置 ４，５，１４，１５，２０，２３，２４ ノズル ６，７，１６，１７，２１，２５，２６ バルブ ８，９，１８，１９，２２，２７，２８ ガス状化合物 １０ ヒーター １１ 熱電対 １２ 半導体単結晶基板 １３ 圧力計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 999999999 鈴木 壮兵衛 宮城県仙台市青葉区霊屋下１番３号 (72)発明者 西澤 潤一 宮城県仙台市米ヶ袋一丁目６番16号 (72)発明者 阿部 仁志 宮城県仙台市緑ヶ丘１−22−11 (72)発明者 鈴木 壮兵衛 宮城県仙台市霊屋下１番３号
Claims (7)
- 【請求項１】 化合物半導体の一方の成分元素を含むガ
ス状化合物分子のみを成長槽内の圧力が１０−１〜１０
−７パスカルになる範囲で０．５〜２００秒間半導体単
結晶基板上に第１のノズルを介して導入し、前記半導体
単結晶基板に波長１８０〜６００ｎｍの光を照射し、排
気後、前記化合物半導体の残る他方の成分元素を含むガ
ス状化合物分子のみを前記成長槽内の圧力が１０−１〜
１０−７パスカルになる範囲で０．５〜２００秒間前記
半導体単結晶基板上に第２のノズルを介して導入し、排
気する一連の操作を前記半導体単結晶基板を３００〜８
００℃に加熱して繰り返すことにより、所望の厚さの化
合物半導体の単結晶薄膜を前記一連の操作一サイクルに
付き２分子層の厚み単位で成長させ、これを繰り返すこ
とにより所望の分子層数の単結晶薄膜を成長させること
を特徴とする化合物半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項２】 特許請求の範囲第１項記載において、前
記半導体単結晶基板上には少なくとも２種類の化合物半
導体の単結晶薄膜を連続的に成長させる化合物半導体単
結晶薄膜の成長法。 - 【請求項３】 特許請求の範囲第１項記載において、前
記ガス状化合物分子の少なくとも一方と同時または別個
に前記化合物半導体のｐ型またはｎ型不純物元素を含む
ガス状分子を第３のノズルを介し導入することにより、
厚さ方向に所望の不純物濃度分布を有する化合物半導体
の単結晶薄膜を単分子層の単位で連続的に成長させる化
合物半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項４】 特許請求の範囲第１項記載において、所
定の繰り返しサイクル毎に少なくとも１回、前記ガス状
化合物分子の少なくとも一方と同時に、ｐ型またはｎ型
不純物元素を含むガス状分子を導入することにより、不
純物元素を含む分子層と不純物元素を含まない分子層と
を周期的に連続的に形成する化合物半導体単結晶薄膜の
成長法。 - 【請求項５】 特許請求の範囲第３項あるいは第４項記
載において、前記化合物半導体のｐ型不純物元素を含む
ガス状分子としてＤＭＺｎ，ＤＥＺｎ，ＤＥＣｄ，ＤＭ
Ｈｇ，ＤＥＨｇ，Ｂ２Ｈ６のうちいずれかを、またｎ型
不純物元素を含むガス状分子としてＳｉＨ４，Ｇｅ
Ｈ４，ＳｎＨ４，ＰｂＨ４，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，Ｈ２
Ｓ，Ｈ２Ｓｅ，Ｈ２Ｔｅ，Ｈ２Ｐｏのいずれかを前記化
合物半導体の成分元素を含む前記ガス状化合物分子の少
なくとも一方と同時または別個に導入することにより、
厚さ方向に所望の不純物濃度分布を有する前記化合物半
導体の単結晶薄膜を単分子層の単位で成長させる化合物
半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項６】 特許請求の範囲第３項あるいは第４項記
載において、少なくとも２種類以上の化合物半導体の不
純物元素を含むガス状分子を導入する化合物半導体単結
晶薄膜の成長法。 - 【請求項７】 特許請求の範囲第３項あるいは第４項記
載において、少なくとも２種類以上の化合物半導体の不
純物元素を混合した化合物半導体の成分元素を含む前記
ガス状化合物分子を個別にそれぞれ異なったサイクルも
しくは同じサイクルで異なる時間導入することにより異
なった分子層に異なった不純物元素を含ませる化合物半
導体単結晶薄膜の成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4322680A JP2567331B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4322680A JP2567331B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59153977A Division JPH0782991B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697096A JPH0697096A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2567331B2 true JP2567331B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=18146421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4322680A Expired - Lifetime JP2567331B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2567331B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101462243B1 (ko) * | 2008-05-08 | 2014-11-20 | 주식회사 테스 | 화학기상박막증착장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134927A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
| JPS6134921A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6134929A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体結晶成長装置 |
| JPS6134922A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 超格子半導体装置の製造方法 |
| JPH04322679A (ja) * | 1991-04-20 | 1992-11-12 | Shinpo Kk | 遊戯場における排気システム |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4322680A patent/JP2567331B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134927A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
| JPS6134921A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6134929A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体結晶成長装置 |
| JPS6134922A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 超格子半導体装置の製造方法 |
| JPH04322679A (ja) * | 1991-04-20 | 1992-11-12 | Shinpo Kk | 遊戯場における排気システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697096A (ja) | 1994-04-08 |
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