JP2561005B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2561005B2 JP28892693A JP28892693A JP2561005B2 JP 2561005 B2 JP2561005 B2 JP 2561005B2 JP 28892693 A JP28892693 A JP 28892693A JP 28892693 A JP28892693 A JP 28892693A JP 2561005 B2 JP2561005 B2 JP 2561005B2
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    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体チップ表面の配置を示す図
4の平面図を参照すると、この半導体チップ5は、略中
央部分に縦横多数配列された単位セル領域1からなる回
路領域2があり、その周囲に入出力回路3が位置し、さ
らにその周囲に空領域6があり、この空領域6の周囲で
半導体チップ5の周端部となるところにボンディング・
パッド4が一列に配列されている。
【0003】ここで、ボンディング・パッド4は図示さ
れていないボンディング・ワイヤーで外部のリードに接
続される。入出力回路3は、ボンディング・パッド4の
列と回路領域2との間にあり、入出力バッファ等が形成
されている。この回路領域2内では、単位セル1の配線
選択等を適宜行って所望の機能を持たせ、これら各種機
能を持つ単位セル1を多数組み合わせて、回路領域2を
形成する。
【0004】このようにして形成された回路領域2とこ
れに必要な入出力回路領域とは、最近の高密度実装技術
により、平面積を極めて小さくすることができる。最近
の製造プロセスの開発により、ここ5年程の間に、1.
2μmルールから0.5μmルールで設計されるように
なり、面積比で6:1まで小さくなった。また、この回
路規模に従って必要とされるボンディング・パッド4の
総数即ち外部リードの総数は、極めて多数にのぼる。
【0005】このような半導体装置として、208ピン
のQFP(Quad Flat Package)型や
308ピンのQFP型がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような型の半導体
装置の多数のピンに対応するボンディング・パッド4を
半導体チップ5の周端部にそれぞれ配列する場合、ボン
ディング・ツールでボンディング・パッド4にワイヤを
熱圧着する等の機械的接続手段を用いる関係上、ボンデ
ィング・パッド4の大きさ及びそのピッチの最小寸法が
制限されてしまい、その結果半導体チップ5の周端部の
総距離が大きくなり、このため大きなサイズの半導体チ
ップ5が必要となる。この際、空領域6は不可欠の構成
要件となる。この空領域6は、より高密度の回路領域2
の実装技術が確立するに従い、大きな面積を占めるよう
になっている。このような空領域6をやむを得ず設ける
ことになるため、半導体チップ5を小型にできず、ひい
てはこのパッケージも小型にできないという欠点があっ
た。
【0007】観点をかえると、半導体チップ5の最小サ
イズは、周端部に配置されるボンディング・パッド4の
個数で決定されるようになったといえる。このことは、
半導体ウェハあたりの半導体チップの収量を減少させる
という欠点がある。
【0008】このような欠点を改善するため、半導体チ
ップを三角形とすることにより、同一チップ面積でより
多くのパッドを周端部に配列する構成を開示した実開昭
63−3145号公報や、実開昭64−331号公報等
の例がある。
【0009】しかしながら、これらの例では、単に半導
体チップの外形寸法を三角形にしているのみであり、内
部の回路領域にまでは何ら開示するところがなく、実際
に面積上若干の有利性は認められ得るが、半導体装置と
しての外形寸法上、有意の差が認められ得なかった。
【0010】本発明の目的は、以上のような欠点を解決
し、半導体チップの空領域をなくして、実質的に小型化
できる半導体装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、多数の単位セ
ル領域が縦横に多数配列された回路領域と、この回路領
域の周囲に設けた入出力回路領域と、チップ周端部に設
けた多数のパッドとを備えた半導体チップを有する半導
体装置において、前記単位セル領域の平面形状が三角形
であり、かつ前記半導体チップの平面形状が前記三角形
と相似な形であることを特徴とする。
【0012】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例の半導体装置の
半導体チップを示す平面図である。図1において、この
実施例の半導体チップ8は、平面形状が直角二等辺三角
形となっており、各辺AB,BC,CAに沿ってボンデ
ィング・パッド4が配列され、このうち辺CAに沿って
配置されるボンディング・パッド4は、辺AB,辺BC
に沿って配置されるパッドに対して、45度の傾きをな
して、配列されている。
【0013】これらボンディング・パッド4の配列のす
ぐ内方には、入出力回路領域3が形成され、さらに内方
に回路領域2が形成される。この回路領域2は全体が直
角二等辺三角形をしており、その構成単位となる単位セ
ル1の形状も直角三角形をしており、これらの単位セル
1は、図示されたように、それぞれ90度,180度と
角度を変えて、隙間なく配置される。この半導体チップ
8の周囲長(辺AB,BC,CAの合計寸法)は、この
半導体チップ8と同一面積で方形を有した従来のチップ
の周囲長よりも約21%長くなっていることが、計算上
導き出される。
【0014】従って、周囲のボンディング・パッド4の
総数は、21%多く配列され得る。これは図4に示す空
領域6の低減に寄与している。この空領域6の低減に寄
与する他の重要な構成要件として、上述した単位セル
1,回路領域2の形状が上げられる。
【0015】まずこの単位セル1を示す図2の平面図を
参照すると、Pチャネル型,Nチャネル型電界効果トラ
ンジスタの如き能動素子や受動素子等の素子領域10が
点線内の略内方に形成される。
【0016】また、単位セル1の各辺に平行の多数の配
線とこれらの配線に直交する配線とが多層構造で形成さ
れる配線領域11が点線の略外方に形成される。
【0017】ここで、単位セル1は、半導体チップと相
似な直角二等辺三角形をなし、ここでも、外方の配線領
域11が、面積上有利に確保できることは、上述したチ
ップの場合に共通する。特に、ここでは隣接する単位セ
ル1同士の配線連絡がスペース上に容易に行えるから、
従来のように部分的に回路領域2の配線が飽和してしま
うような事がなく、隙間なく有効に半導体チップ8を利
用できる。
【0018】この実施例を観点を変えていえば、半導体
ウェハの一枚あたりの半導体チップ収量が大きくなると
いえる。ボンディング・パッド4を配置する領域の周囲
長がチップサイズを決定してしまうような従来の図4に
示した正方形のチップの約72%の面積で、同一総数の
ボンディング・パッドが確保できる。これはウェハの一
枚につき、39%のチップ数の増加が見込めることにな
る。
【0019】また、この実施例によれば、従来の長方形
あるいは正方形の半導体チップ用の設計・生産装置がほ
ぼそのまま使用できることである。ゲートアレーの場
合、単位セルを組合わせて所望の論理回路を半導体ウェ
ハ上に実現するのは、現在でもCADで行っており、最
終の形状が三角形になること以外、機能実現の上でも、
入出力端子番号の制約も現在と変わるところはない。ま
た、ペレットをスルーカットダイシングすれば、三角形
にあわせたコレットとリードフレームを用意するだけ
で、組立上の問題もない。ウェハ状態での機能試験につ
いても、ボンディング・パッドの位置に合わせたプロー
ブボードを作成するだけで良い。
【0020】図3は本発明の第2の実施例の半導体チッ
プを示す平面図である。図3において、この実施例の半
導体チップ7は正三角形の外形平面をなし、回路領域2
も正三角形となり、これを構成する三角形も正三角形と
なっている。この実施例も空領域を設けなくて済み、図
1と共通するところは詳述しない。
【0021】この実施例によれば、正方形のチップと同
じボンディング・パッド数を確保するには、一辺の長さ
を正方形のときの4/3倍にすれば良い。一辺の長さが
4/3の正三角形の面積は約0.58平方であるから、
半導体ウェハあたりペレット収量は73%増加させられ
る。
【0022】尚、本発明は、直角二等辺三角形と正三角
形の実施例について説明したが、この他の形状、例えば
直角二等辺または正三角形の組み合わせからなる正方
形,長方形,台形や六角形等でも構成できる。
【0023】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、単位セル
および半導体チップの形状を三角形とすることによっ
て、例えば長方形あるいは正方形のチップと同一機能を
持たせるとすれば、半導体ウェハあたりのペレット収量
を著しく増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体装置のチップを
示す平面図である。
【図2】図1の半導体チップ内の単位セルを示す平面図
である。
【図3】本発明の第2の実施例の平面図である。
【図4】従来の半導体チップを示す平面図である。
【符号の説明】
1 単位セル 2 回路領域 3 入出力回路領域 4 ボンディング・パッド 5,7,8 半導体チップ 6 空領域 10 素子領域 11 配線領域

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数の単位セル領域が縦横に多数配列さ
    れた回路領域と、この回路領域の周囲に設けた入出力回
    路領域と、チップ周端部に設けた多数のパッドとを備え
    た半導体チップを有する半導体装置において、前記単位
    セル領域の平面形状が三角形であり、かつ前記半導体チ
    ップの平面形状が前記三角形と相似形であることを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記三角形が直角二等辺三角形である請
    求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記三角形が正三角形である請求項1記
    載の半導体装置。
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