JP2560242B2 - ジアセチレン誘導体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規なジアセチレン誘導
体、さらに詳しくは、固相重合性を有し、非線形光学材
料、感光材料、高分子半導体結晶などの機能材料の原料
として有用な、三重結合の炭素原子に直接結合した硫黄
原子を有するジアセチレン誘導体及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、非線形光学材料、感光材料、高分
子半導体結晶などを形成するための単量体として、ジア
セチレン類の研究が盛んに行われている。

【０００３】非線形光学材料、感光材料、高分子半導体
結晶などの形成にジアセチレン類を用いるには、ジアセ
チレン類は固相重合性を有することが必要であり、ま
た、非線形光学材料に用いる場合には、このジアセチレ
ンは、三重結合の炭素原子に硫黄原子などの電子供与性
の高いヘテロ原子が直接結合した電子的効果の大きいも
のが好適であることが知られている。

【０００４】三重結合の炭素原子に硫黄原子が直接結合
したジアセチレン誘導体としては、１，４‐ビス（フェ
ニルチオ）アセチレン及び１‐メチルチオ‐４‐エチル
アセチレンが知られている［「ジャーナル・オブ・ジ・
アメリカン・ケミカル・ソサエティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ）」第１１２巻、第６４３７ページ（１９９
０年）、「Ｚｈ．Ｏｒｇ．Ｋｈｉｍ．」第１６巻、第５
１２ページ（１９８０年）］。

【０００５】しかしながら、１，４‐ビス（フェニルチ
オ）アセチレンすなわちフェニルチオ基をジアセチレン
部位の両末端に有するジアセチレン誘導体は、室温で不
安定な油状物質であり、固相重合反応には適さない。ま
た１‐メチルチオ‐４‐エチルアセチレンは、安定であ
るものの、室温で油状の化合物であって、やはり固相重
合反応には利用することができない。

【０００６】このように、三重結合の炭素原子に電子供
与性の高い硫黄原子が直接結合し、電子的効果が大き
く、しかも固相重合性を有するジアセチレン誘導体は、
これまで見出されていない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、三重結合の炭素原子に電子供与性の高い
硫黄原子が直接結合し、かつ固相重合性を有する新規な
ジアセチレン誘導体を提供することを目的としてなされ
たものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、新規なア
セチレン誘導体を開発するために鋭意研究を重ねた結
果、ウレタン部位を有するアルキレン基とアリールチオ
基とが、それぞれジアセチレン部分の両末端に結合した
ジアセチレン誘導体は、電荷移動効果が大きく、かつ固
相重合性を有することを見出し、この知見に基づいて本
発明を完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、一般式 Ａｒ¹Ｓ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_n−ＯＣＯＮＨＡｒ² （Ｉ） （式中のＡｒ¹及びＡｒ²はそれぞれフェニル基又は置換
フェニル基であり、それらはたがいに同一でも異なって
いてもよく、ｎは１〜８の整数である）で表わされるジ
アセチレン誘導体を提供するものである。

【００１０】前記一般式（Ｉ）で表わされるジアセチレ
ン誘導体は、文献未載の新規な化合物であって、式中の
Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれフェニル基又は置換フェニ
ル基である。ここで、置換フェニル基としては、置換基
として、例えばフッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子
や、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基を１つ又は複数有するフェニル基が好ましく
は挙げられる。Ａｒ¹及びＡｒ²はたがいに同一であって
もよいし、異なっていてもよい。また、ｎは１〜８の整
数である。

【００１１】前記一般式（Ｉ）で表わされるジアセチレ
ン誘導体は、例えば一般式 ＨＣ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_nＯＨ （ＩＩ） （式中のｎは前記と同じ意味をもつ）で表わされるω‐
ヒドロキシ‐１，３‐アルカジインを出発原料として用
い、（Ａ）出発原料のω‐ヒドロキシ‐１，３‐アルカ
ジインの末端水酸基を保護する工程、（Ｂ）１‐位にア
リールチオ基を導入する工程、（Ｃ）末端水酸基の保護
基を脱離する工程、（Ｄ）アリールイソシアネートを反
応させ、末端にウレタン基を導入する工程の４工程を経
て製造することができる。

【００１２】上記の（Ａ）の工程は、ω‐ヒドロキシ‐
１，３‐アルカジインに、保護剤例えばジヒドロピラン
を反応させ、テトラヒドロピラニル基を導入することに
よって行われる。この保護剤との反応は、溶媒中、酸性
触媒の存在下で行うのが好ましい。この際の溶媒として
は塩化メチレンやヘキサンのような非プロトン性溶媒
が、また酸性触媒としては例えばｐ‐トルエンスルホン
酸、そのピリジニウム塩、酸型陽イオン交換樹脂などが
用いられるが、酸性触媒としては、後処理の容易な点で
特に酸型陽イオン交換樹脂例えばアンバーリスト１５
（アルドリッチ社製、登録商標名）が好適である。この
反応は、通常常圧下、０〜５０℃の範囲の温度で５〜２
０時間かきまぜることによって行われる。反応終了後、
反応混合物を常法に従って除去し、溶媒を留去したの
ち、例えばシリカゲルクロマトグラフィーによって、生
成物の分離、精製を行う。

【００１３】次に（Ｂ）の工程は、（Ａ）の工程で得ら
れる末端水酸基を保護したω‐ヒドロキシ‐１，３‐ア
ルカジインに、ブチルリチウムのようなアルキルリチウ
ム化合物を反応させて１‐位をリチオ化したのち、一般
式 Ａｒ¹ＳＸ （ＩＩＩ） （式中のＡｒ¹は前記と同じ意味をもちＸはハロゲン原
子である）で表わされるアリールチオハライド例えばフ
ェニルチオクロリドを反応させることによって行われ
る。

【００１４】この末端水酸基を保護したω‐ヒドロキシ
‐１，３‐アルカジインのリチオ化とそれに続くアリー
ルチオハライドとの反応は、末端水酸基を保護したω‐
ヒドロキシ‐１，３‐アルカジインを適当な溶媒例えば
テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどに溶解し、
好ましくはアルゴンや窒素のような不活性ガスの雰囲気
中で、常圧下−１００℃ないし−５０℃の低温におい
て、ヘキサンのような溶媒に溶解したアルキルリチウム
を滴下し、１〜１０時間かきまぜて反応させてリチオ化
合物を形成させ、次いでアリールチオハライドをテトラ
ヒドロフランやジエチルエーテルなどの溶媒に溶かして
滴下し、かきまぜて十分に混合し、さらに０〜５０℃に
昇温して３〜１５時間かきまぜながら反応させることに
よって行われる。

【００１５】反応終了後、ｐＨ緩衝溶液例えばリン酸緩
衝溶液を加え、有機層を適当な溶剤例えばジエチルエー
テルや塩化メチレンを用いて溶剤抽出したのち、この抽
出液を硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウムのような乾燥
剤を用いて乾燥後、これから生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーなどにより分離、精製する。

【００１６】（Ｃ）の工程は、（Ｂ）の工程で得た一般
式 Ａｒ¹Ｓ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_nＯＴＨＰ （ＩＶ） （式中のＡｒ¹及びｎは前記と同じ意味をもち、ＴＨＰ
はテトラヒドロピラニル基である）で表わされるジアセ
チレン誘導体の末端水酸基の保護基を、例えば酸性触媒
を用いて脱離させる工程である。

【００１７】この際の酸性触媒としては、例えばｐ‐ト
ルエンスルホン酸又はそのピリジニウム塩や酸型の陽イ
オン交換樹脂が用いられるが、後処理が容易な点で酸型
の陽イオン交換樹脂が好ましい。この脱離反応は、上記
の一般式（ＩＶ）のジアセチレン誘導体をメタノールや
エタノールのようなプロトン性溶媒に溶解し、これに所
要の酸性触媒を加えて、０〜５０℃の温度において、２
〜２０時間かきまぜることによって行われる。反応終了
後、反応混合物から酸性触媒を除去し、溶媒を留去した
のち、例えばシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り、分離、精製する。

【００１８】最後に（４）の工程は、前記（３）の工程
で得た一般式 Ａｒ¹Ｓ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_nＯＨ （Ｖ） （式中のＡｒ¹及びｎは前記と同じ意味をもつ）で表わ
されるジアセチレン誘導体に、一般式 Ａｒ²ＮＣＯ （ＶＩ） （式中のＡｒ²は前記と同じ意味をもつ）で表わされる
アリールイソシアネートを反応させることによって行わ
れる。

【００１９】この一般式（Ｖ）で表わされるジアセチレ
ン誘導体と一般式（ＶＩ）で表わされるアリールイソシ
アネートとの反応は、塩基性触媒例えばピリジンやジメ
チルアミノピリジンの存在下で行われる。すなわち、上
記のジアセチレン誘導体を、ベンゼンやトルエンのよう
な芳香族炭化水素溶媒に溶解し、これに塩基性触媒及び
上記のアリールイソシアネートとを加え、５０〜１５０
℃の温度において２〜２０時間かきまぜながら反応させ
る。反応終了後、反応混合物から、触媒及び溶媒を除去
したのち、例えばシリカゲルカラムクロマトグラフィー
を用いて分離、精製すれば、前記一般式（Ｉ）で表わさ
れる本発明の化合物が、白色針状結晶として得られる。

【００２０】

【発明の効果】本発明のジアセチレン誘導体は、ジアセ
チレン部分の両末端に、ウレタン部位を有するアルキレ
ン基とアリールチオ基とをそれぞれ有する文献未載の新
規な化合物であって、三重結合の炭素原子に、電子供与
性の高い硫黄原子が直接結合しているので、電荷移動効
果が大きく、かつ固相重合性を有することから、例えば
非線形光学材料、感光材料、高分子半導体結晶などの機
能材料の原料として極めて有用である。

【００２１】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。

【００２２】実施例１ ５，７‐オクタジイン‐１‐オール５０００ｍｇを塩化
メチレン１００ｍｌに溶解し、ここにジヒドロピラン１
０００ｍｇ、イオン交換樹脂（アンバーリスト）２００
ｍｇを加え、１２時間室温でかきまぜたのち、イオン交
換樹脂をろ別し、溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶
媒として分離、精製することにより、５，７‐オクタジ
イニル＝テトラヒドロピラニル＝エーテル５１００ｍｇ
を得た。

【００２３】得られたジアセチレン化合物２４８ｍｇを
ＴＨＦ５ｍｌに溶解し、−７８℃に冷却したのち、これ
にブチルリチウムのヘキサン溶液（１Ｍ）０．８６ｍｌ
を滴下し、３時間かきまぜた後、４‐ブモロフェニルス
ルフェニルクロリド４００ｍｇのＴＨＦ溶液（２ｍｌ）
を滴下した。３時間かきまぜたのち、室温に昇温し、さ
らに１２時間かきまぜた。リン酸緩衝溶液（ｐＨ７）を
加え、有機層を塩化メチレンで抽出し、有機層を硫酸マ
グネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより塩化メチレン‐ヘキサンを展
開溶媒として分離、精製することにより、８‐（４‐ブ
ロモフェニル）チオ‐５，７‐オクタジイニル＝テトラ
ヒドロピラニル＝エーテル２４９ｍｇを得た。

【００２４】得られたジアセチレン化合物２４５ｍｇを
メタノール３０ｍｌに溶解し、ここにイオン交換樹脂
（アンバーリスト）１０ｍｇを加え、１２時間室温でか
きまぜたのち、イオン交換樹脂をろ別し、溶媒を留去
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより塩化メ
チレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、精製すること
により、８‐（４‐ブロモフェニル）チオ‐５，７‐オ
クタジイン‐１‐オール９８ｍｇを得た。

【００２５】得られたジアセチレン化合物９８ｍｇをベ
ンゼン１０ｍｌ、ピリジン１０ｍｌの混合溶媒に溶解
し、フェニルイソシアネート１００ｍｇを加え、１２時
間加熱還流下かきまぜた。室温に冷却後、反応混合物か
ら溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、
精製することにより、８‐（４‐ブロモフェニル）チオ
‐５，７‐オクタジイニル＝フェニル＝カルバメート１
２０ｍｇを得た。このものは融点１０５℃の白色針状結
晶であった。元素分析値（Ｃ₂₁Ｈ₁₈ＢｒＮＯ₂Ｓ）とし
て、 計算値（％）；Ｃ ５８．８９，Ｈ ４．２４，Ｎ
３．２７，Ｓ ７．４９ 実測値（％）；Ｃ ５９．０２，Ｈ ４．１６，Ｎ
２．７８，Ｓ ７．４０

【００２６】実施例２ 実施例１と同様な操作により得られた５，７‐オクタジ
イニル＝テトラヒドロピラニル＝エーテル２４８ｍｇを
ＴＨＦ５ｍｌに溶解し、−７８℃に冷却したのち、これ
にブチルリチウムのヘキサン溶液（１Ｍ）０．８６ｍｌ
を滴下し、８時間かきまぜた後、３‐ブロモフェニルス
ルフェニルクロリド４００ｍｇのＴＨＦ溶液（２ｍｌ）
を滴下した。３時間かきまぜたのち、室温に昇温し、さ
らに１２時間かきまぜた。リン酸緩衝溶液（ｐＨ７）を
加え、有機層を塩化メチレンで抽出し、有機層を硫酸マ
グネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより塩化メチレン‐ヘキサンを展
開溶媒として分離、精製することにより、８‐（３‐ブ
ロモフェニル）チオ‐５，７‐オクタジイニル＝テトラ
ヒドロピラニル＝エーテル３４９ｍｇを得た。

【００２７】得られたジアセチレン化合物２４５ｍｇを
メタノール３０ｍｌに溶解し、ここにイオン交換樹脂
（アンバーリスト）１０ｍｇを加え、１２時間室温でか
きまぜたのち、イオン交換樹脂をろ別し、溶媒を留去
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより塩化メ
チレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、精製すること
により、８‐（３‐ブロモフェニル）チオ‐５，７‐オ
クタジイン‐１‐オール１００ｍｇを得た。

【００２８】得られたジアセチレン化合物９８ｍｇをベ
ンゼン１０ｍｌ、ピリジン１０ｍｌの混合溶液に溶解
し、フェニルイソシアネート１００ｍｇを加え、１２時
間加熱還流下かきまぜた。室温に冷却後、反応混合物か
ら溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、
精製することにより、８‐（３‐ブロモフェニル）チオ
‐５，７‐オクタジイニル＝フェニル＝カルバメート１
１８ｍｇを得た。このものは融点７０℃の白色針状結晶
であった。元素分析値（Ｃ₂₁Ｈ₁₈ＢｒＮＯ₂Ｓ）とし
て、 計算値（％）；Ｃ ５８．８９，Ｈ ４．２４，Ｎ
３．２７，Ｓ ７．４９ 実測値（％）；Ｃ ５９．００，Ｈ ４．２０，Ｎ
３．２０，Ｓ ７．４０

【００２９】実施例３ 実施例１と同様な操作により得られた５，７‐オクタジ
イニル＝テトラヒドロピラニル＝エーテル２４８ｍｇを
ＴＨＦ５ｍｌに溶解し、−７８℃に冷却したのち、これ
にブチルリチウムのヘキサン溶液（１Ｍ）０．３５ｍｌ
を滴下し、３時間かきまぜた後、フェニルスルフェニル
クロリド３９０ｍｇのＴＨＦ溶液（２ｍｌ）を滴下し
た。３時間かきまぜたのち、室温に昇温し、さらに１２
時間かきまぜた。リン酸緩衝溶液（ｐＨ７）を加え、有
機層を塩化メチレンで抽出し、有機層を硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶媒と
して分離、精製することにより、８‐フェニルチオ‐
５，７‐オクタジイニル＝テトラヒドロピラニル＝エー
テル２３０ｍｇを得た。

【００３０】得られたジアセチレン化合物２００ｍｇを
メタノール３０ｍｌに溶解し、ここにイオン交換樹脂
（アンバーリスト）１０ｍｇを加え、１２時間室温でか
きまぜたのち、イオン交換樹脂をろ別し、溶媒を留去
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより塩化メ
チレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、精製すること
により、８‐フェニルチオ‐５，７‐オクタジイン‐１
‐オール１００ｍｇを得た。

【００３１】得られたジアセチレン化合物９８ｍｇをベ
ンゼン１０ｍｌ、ピリジン１０ｍｌの混合溶媒に溶解
し、フェニルイソシアネート１００ｍｇを加え、１２時
間加熱還流下かきまぜた。室温に冷却後、反応混合物か
ら溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、
精製することにより、８‐フェニルチオ‐５，７‐オク
タジイニル＝フェニル＝カルバメート１１０ｍｇを得
た。元素分析値（Ｃ₂₁Ｈ₁₉ ＮＯ₂）として、 計算値（％）；Ｃ ７２．１８，Ｈ ５．４８，Ｎ
４．０１，Ｓ ９．１８ 実測値（％）；Ｃ ７２．１５，Ｈ ５．４４，Ｎ
３．９５，Ｓ ９．１６

【００３２】実施例４ 実施例１と同様の操作により得られた５，７‐オクタジ
イニル＝テトラヒドロピラニル＝エーテル２４８ｍｇを
ＴＨＦ５ｍｌに溶解し、−７８℃に冷却したのち、これ
にブチルリチウムのヘキサン溶液（１Ｍ）０．８５ｍｌ
を滴下し、３時間かきまぜた後、４‐メチルフェニルス
ルフェニルクロリド３５０ｍｇのＴＨＦ溶液（２ｍｌ）
を滴下した。３時間かきまぜたのち、室温に昇温し、さ
らに１２時間かきまぜた。リン酸緩衝溶液（ｐＨ７）を
加え、有機層を塩化メチレンで抽出し、有機層を硫酸マ
グネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより塩化メチレン‐ヘキサンを展
開溶媒として分離、精製することにより、８‐（４‐メ
チルフェニル）チオ‐５，７‐オクタジイニル＝テトラ
ヒドロピラニル＝エーテル２３０ｍｇを得た。

【００３３】得られたジアセチレン化合物２００ｍｇを
メタノール３０ｍｌに溶解し、ここにイオン交換樹脂
（アンバーリスト）１０ｍｇを加え、１２時間室温でか
きまぜたのち、イオン交換樹脂をろ別し、溶媒を留去
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより塩化メ
チレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、精製すること
により、８‐（４‐メチルフェニル）チオ‐５，７‐オ
クタジイン‐１‐オール９５ｍｇを得た。

【００３４】得られたジアセチレン化合物９０ｍｇをベ
ンゼン１０ｍｌ、ピリジン１０ｍｌの混合溶媒に溶解
し、フェニルイソシアネート１００ｍｇを加え、１２時
間加熱還流下かきまぜた。室温に冷却後、反応混合物か
ら溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、
精製することにより、８‐（４‐メチルフェニル）チオ
‐５，７‐オクタジイニル＝フェニル＝カルバメート１
１０ｍｇを得た。元素分析値（Ｃ₂₂Ｈ₂₁ ＮＯ₂Ｓ）とし
て、 計算値（％）；Ｃ ７２．８０，Ｈ ５．８２，Ｎ
３．８５，Ｓ ８．８２ 実測値（％）；Ｃ ７２．７８，Ｈ ５．７５，Ｎ
３．８０，Ｓ ８．７９

【００３５】実施例５ ６，８‐ノナジイン‐１‐オール５０００ｍｇを塩化メ
チレン１００ｍｌに溶解し、ここにジヒドロピラン１０
００ｍｇ、イオン交換樹脂（アンバーリスト）２００ｍ
ｇを加え、１２時間室温でかきまぜたのち、イオン交換
樹脂をろ別し、溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにより塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶媒
として分離、精製することにより、６，８‐ノナジイニ
ル＝テトラヒドロピラニル＝エーテル５０００ｍｇを得
た。

【００３６】得られたジアセチレン化合物２５０ｍｇを
ＴＨＦ５ｍｌに溶解し、−７８℃に冷却したのち、これ
にブチルリチウムのヘキサン溶液（１Ｍ）０．８５ｍｌ
を滴下し、３時間かきまぜ後、４‐ブモロフェニルスル
フェニルクロリド４００ｍｇのＴＨＦ溶液（２ｍｌ）を
滴下した。３時間かきまぜたのち、室温に昇温し、さら
に１２時間かきまぜた。リン酸緩衝溶液（ｐＨ７）を加
え、有機層を塩化メチレンで抽出し、有機層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより塩化メチレン‐ヘキサンを展開
溶媒として分離、精製することにより、９‐（４‐ブロ
モフェニル）チオ‐６，８‐ノナジイニル＝テトラヒド
ロピラニル＝エーテル２３０ｍｇを得た。

【００３７】得られたジアセチレン化合物２５０ｍｇを
メタノール９０ｍｌに溶解し、ここにイオン交換樹脂
（アンバーリスト）１０ｍｇを加え、１２時間室温でか
きまぜたのち、イオン交換樹脂をろ別し、溶媒を留去
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより塩化メ
チレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、精製すること
により、９‐（４‐ブロモフェニル）チオ‐６，８‐ノ
ナジイン‐１‐オール１１０ｍｇを得た。

【００３８】得られたジアセチレン化合物１００ｍｇを
ベンゼン１０ｍｌ、ピリジン１０ｍｌの混合溶媒に溶解
し、フェニルイソシアネート１００ｍｇを加え、１２時
間加熱還流下かきまぜた。室温に冷却後、反応混合物か
ら溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により塩化メチレン‐ヘキサンを展開溶媒として分離、
精製することにより、９‐（４‐ブロモフェニル）チオ
‐６，８‐ノナジイニル＝フェニル＝カルバメート１１
０ｍｇを得た。元素分析値（Ｃ₂₂Ｈ₂₀ＢｒＮＯ₂Ｓ）と
して、 計算値（％）；Ｃ ５９．７３，Ｈ ４．５６，Ｎ
３．１７，Ｓ ７．２５ 実測値（％）；Ｃ ５９．６９，Ｈ ４．５１，Ｎ
３．１６，Ｓ ７．２０

【００３９】参考例 実施例１〜５で得られた本発明のジアセチレン誘導体の
各試料を塩化メタンに溶解した溶液（０．１Ｍ）それぞ
れを、石英基板上に回転塗布し、溶媒を蒸発除去して薄
層を形成した。次いで、この各薄層にコバルト６０ガン
マー線又は高圧水銀灯による紫外線を照射したところ、
いずれも固相重合させることができた。

フロントページの続き (72)発明者 岡田 修司 宮城県仙台市太白区郡山６−５−８− 505 (72)発明者 中西 八郎 宮城県仙台市宮城野区若竹２−３−20− 404

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式 Ａｒ¹Ｓ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_n−ＯＣＯＮＨＡｒ² （式中のＡｒ¹及びＡｒ²はそれぞれフェニル基又は置換
   フェニル基であり、それらはたがいに同一でも異なって
   いてもよく、ｎは１〜８の整数である）で表わされるジ
   アセチレン誘導体。
2. 【請求項２】 置換フェニル基が、置換基としてハロゲ
   ン原子及びアルキル基の中から選ばれた少なくとも１つ
   を有するものである請求項１記載のジアセチレン誘導
   体。
3. 【請求項３】 （Ａ）一般式 ＨＣ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_nＯＨ （式中のｎは１〜８の整数である）で表わされるω‐ヒ
   ドロキシ‐１，３‐アルカジインの末端水酸基に保護基
   を導入する工程、（Ｂ） （Ａ）工程で得た末端水酸基
   が保護されたω‐ヒドロキシ‐１，３‐アルカジインの
   １‐位にアリールチオ基を導入して、一般式 Ａｒ¹Ｓ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_nＯ−保護基 （式中のＡｒ¹はフェニル基又は置換フェニル基であ
   り、ｎは前記と同じ意味をもつ）で表わされるジアセチ
   レン誘導体を生成する工程、（Ｃ） （Ｂ）工程で得た
   ジアセチレン誘導体から保護基を脱離させる工程、及び
   （Ｄ） （Ｃ）工程で得た保護基を脱離したジアセチレ
   ン誘導体にアリールイソシアネートを反応させ、末端に
   ウレタン基を導入する工程の４工程から成ることを特徴
   とする、一般式 Ａｒ¹Ｓ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ₂）_n−ＯＣＯＮＨＡｒ² （式中のＡｒ¹及びｎは前記と同じ意味をもち、Ａｒ²は
   フェニル基又は置換フェニル基である）で表わされるジ
   アセチレン誘導体の製造方法。