JP2553216B2 - 基板の穴の側壁被覆方法 - Google Patents

基板の穴の側壁被覆方法

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Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、基板における穴の側壁上を被覆する方法に
関し、特に、内部に穴を持つ基板上に材料を設けること
によって及び上記材料が流れ、穴内に材料が付着するの
を許容し、そして穴内に上記材料を押し付ける環境を提
供することによって、基板における穴を充填して穴の側
壁を被覆する方法に関する。
B.従来の技術及び発明が解決しようとする課題 電子デバイスが電気的に搭載される基板は、一般的
に、例えばセラミクス、セラミック金属複合材、ポリマ
ー材料及びポリマー材料金属複合材のような絶縁材料か
ら製造される。これらの基板は、その中に埋めこまれた
多層電気的導体パターンを持つことができる。
簡単な具体例として、基板を貫通して延在する電気的
に伝導性のある複数のバイアによって電気的に相互接続
される基板の両側上に電気的導体パターンを有する1つ
の絶縁層を、基板が持っている例がある。
他の具体例として、誘電体材料により被覆される電気
的及び/又は熱的に伝導性のある層から基板が作られる
例がある。
複数のスルーホールは、基板を貫通してドリル穴開け
され、穿孔され或いはエッチングされる。コアから電気
的に絶縁される電気的に伝導性のあるバイアを形成する
ためには、スルーホールの側壁が、コア領域において少
なくとも電気的絶縁性材料により被覆されることが要求
される。
誘電体材料によりスルーホールの側壁を被覆する1つ
の方法は、基板を液体ポリマー内に浸漬することであ
る。液体ポリマーがスルーホールの中に入るためには、
液体ポリマーが十分な低粘性を持っていることが要求さ
れる。一般に、そのような低粘性を達成するために、液
体ポリマーを溶媒と混合しなければならない。スルーホ
ールの側壁だけが誘電体材料により被覆されるというこ
とが要求されるならば、液体ポリマーは高い溶媒含有量
を保持しなければならない。その上、誘電体材料による
側壁のぬれ性を増進させるためには、液体ポリマーが高
い溶媒含有量を持っていることが要求される。次に、基
板は、液体ポリマーに含まれた溶媒を蒸発させるために
硬化若しくは加熱されなければならない。液体ポリマー
が高い溶媒の含有量を持っている場合、液体ポリマーの
硬化は、スルーホールの側壁を被覆する液体ポリマー層
の厚さを十分に収縮させる結果となる。一般に、コア
と、スルーホールを被覆された側壁に堆積される電気的
に伝導性のあるバイアとの間の電気的短絡を確実に避け
るために、十分に厚いポリマーの側壁の厚さを達成する
ために、液体ポリマー中への複数回の浸漬及び側壁の厚
さを形成するために複数回の硬化工程が要求される。
本発明に係る方法は、スルーホールの側壁を被覆する
ために、溶媒を含む液体ポリマーの使用を避け、そして
さらに十分な側壁誘電体の厚さを達成するために複数回
の工程を避ける。
電気的に伝導性のあるコアを含んでいる基板における
スルーホール側壁を被覆する他の方法は、電気泳動堆積
方法である。当該電気泳動堆積方法において、スルーホ
ールを有する基板がポリマー粒子を含んでいる水溶液中
に浸漬される。電極は、溶液中に浸漬され、そして電位
がこの電極と、電気的に伝導性ある基板のコアとの間に
与えられる。溶液中の粒子はスルーホール内に入り、そ
してポリマー材料が堆積することになるスルーホールの
側壁内で露出された電気的に伝導性のあるコアで電子交
換が行なわれる。このことにより、スルーホールの側壁
の電気的に伝導性のあるコア部分で、比較的高い電流が
発生する。この電流が非常に高いならば、効果的な電気
泳動堆積を妨げるガスが急速に発生する。上記電流が非
常に低いならば、電気泳動堆積が行なわれない。
本発明によると、上述の技術の欠点は避けられる。本
発明の1側面によると、誘電体材料は加熱され、そして
次に圧縮される。全く驚くべきことに、スルーホール内
部に押し付けられる誘電体材料は、スルーホールの側壁
だけを被覆するか、若しくは誘電体材料欠陥を発生させ
る空所を封じ込めることなく、スルーホールを完全に充
填するように制御され得るということが判った。
全く驚くことに、比較的に大きな基板上に比較的多数
のスルーホールが本発明に係る方法において誘電体材料
により被覆され得ることが判った。スルーホールが本発
明に係る方法によって完全に充填された場合、基板のス
ルーホールを充填する誘電体材料の中心を貫くスルーホ
ールは、その後にドリル穴開け、穿孔、エッチングによ
って形成され得る。
本発明の目的は、誘電体材料において空所を封じ込め
ることなしに上記材料を押し付けることによって当該材
料で基板の穴の側壁を被覆するか、若しくは基板の穴を
完全に充填する方法を提供することにある。
C.課題を解決するための手段 本発明の最も広い側面をとらえると、材料が流動する
ことを許容し、穴の側壁を被覆する材料を加圧し、その
後に穴を充填するまで時間をかけて厚く形成する環境を
与えることによって、基板における穴の側壁を上記材料
で被覆する方法若しくは基板における穴を上記材料で完
全に充填する方法である。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、上記材料は
基板を湿らす。
本発明のさらに別の特定の側面をとらえると、上記材
料は基板の表面自由エネルギーよりも低い表面自由エネ
ルギーを持っている。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、材料がガラ
ス転移温度を上回る温度になり、それによって材料が流
動しやすくなるような環境を与えるために加熱される。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、基板の空胴
の側壁上に被覆する材料の厚さは、熱及び圧力を加えて
いる間の時間を管理することによって制御される。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、基板は、電
気的及び/又は熱的導体である。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、基板の空胴
は、基板を貫くスルーホールである。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、誘電体材料
は、もっとも短い距離の結晶質配列を持っている。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、誘電体材料
は、熱可塑性ポリマー材料である。
本発明のさらに特定の側面をとらえると、ポリマー材
料は、熱可塑性ポリイミド(以下、ポリイミドとい
う。)若しくはふっ化ポリマーである。
D.実施例 第1図を参照すると、基板10の表面2及び表面4は、
材料層6及び8によりそれぞれ被覆される。
第2図に示すように、スルーホール12即ち穴は、第1
図の構造体14内に形成される。当該スルーホールは、ド
リル加工による穴開け、穿孔、レーザーアブレーション
(レザー摩耗)そしてエッチングのような従来から一般
に知られているいかなる方法によっても形成され得る。
これらの方法は好適例であるが、これらに限定されな
い。エッチングが用いられるとき、レジストのような材
料が最初に堆積され、露光される基板の領域において選
択的に除去され、基板は、従来から一般に知られている
方法によってエッチングされる。
第3図において、第2図のスルーホール12を形成する
ために、構造体14を貫通して挿入された穿孔機若しくは
ドリルの刃16が示されている。一般的に、該構造体が柔
らかいか若しくは可鍛性であるならば、スルーホール
が、基板10を穿孔し、ドリル加工することによって形成
されるとき、基板10は穿孔機若しくはドリルの刃16の近
くに基板10の表面4上の空間領域17を形成するように外
方にめくれ出る。
基板10の外方へのめくれは、構造体14の材料層8に延
長領域20を形成する。第4図に示すように、スルーホー
ル12の側壁18に沿って材料層10は、空間領域17を除去す
るためにエッチバックされる。この工程は、空間領域17
及び延長領域20は、わかり易くするために大きく示して
いる。
好ましい実施例において、基板10は、電気的及び/又
は熱的に伝導性のある材料、例えばCu、Al、Cu−インバ
ール(Invar)−Cu、Mo及びその合金及び材料から形成
される。
好ましい実施例において、第1図の材料層8及び6は
誘電体材料、さらに好ましくはポリマー材料である。熱
可塑性ポリマー材料は、特有なガラス転移温度Tgを有し
ており、その温度を上回るとそれらの材料は流れ始め
る。本発明を実施するのに有用であるポリマー材料とそ
れらのガラス転移温度は、J.Brandrupその他により編集
された“ポリマーハンドブック”第2版のIII139頁乃至
192頁に記述されている。こらのポリマーは、ポリイミ
ド、ポリアミック酸、過ふっ化ポリマー、ポリ(ジエ
ン)、ポリ(アルケン)、ポリ(アクリル)、ポリ(メ
タクリル)、ポリ(ビニールエーテル)、ポリ(ビニー
ルチオエーテル)、ポリ(ビニールアルコール)、ポリ
(ビニールケトン)、ポリ(ビニールハライド)、ポリ
(ビニール窒化物)、ポリ(ビニールエステル)、ポリ
(スチレン)、ポリ(フェニレン)、ポリ(酸化物)、
ポリ(炭酸塩)、ポリ(エステル)、ポリ(無水)、ポ
リ(ウレタン)、ポリ(スルホン酸塩)、ニトロソポリ
マー、ポリ(シリキサン)、ポリ(硫化物)、ポリ(チ
オエステル)、ポリ(エステル)、ポリ(スルホンアミ
ド)、ポリ(アミド)、ポリ(イミン)、ポリ(尿
素)、ポリ(ホスファゼン)、ポリ(シラン)、ポリ
(シラザン)、ポリ(フランテトラカルボン酸ジイミ
ド)、ポリ(ベンゾキサゾール)、ポリ(オキサジアゾ
ール)、ポリ(ベンゾチアジノフェノチアジン)、ポリ
(ベンゾチアゾール)、ポリ(ピラジノキノキサリ
ン)、ポリ(ピロメリチミド)、ポリ(キノキサリ
ン)、ポリ(ベンジミダゾール)、ポリ(オキシンドー
ル)、ポリ(オキソイソインドリン)、ポリ(トリアジ
ン)、ポリ(ピリダジン)、ポリ(ピペラジン)、ポリ
(ピリジン)、ポリ(ピペジリン)、ポリ(トリアゾー
ル)、ポリ(ピラゾール)、ポリ(ピロリジン)、ポリ
(カルボラン)、ポリ(フルオレセイン)、ポリ(オキ
サバイシクロノナン)、ポリ(ジベンゾフラン)、ポリ
(フタリド)、ポリ(アセタール)、ポリ(無水)及び
炭水化物を含んでいる。
一般に、ポリイミドは、ジアミン及びモノイミド循環
単位を有するポリマーを含んでいる。
一般に、ジアミン単位を有するポリイミドは、次の循
環単位を有する。
ここでnは、通常、分子量約10000乃至約100000を与
えるための、多数の反復単位を表している完全体であ
る。Rは、次のような構成から成る群から選択された少
なくとも1つの4価有機基である。
R2は、形態が1乃至4炭素原子を有している2価脂肪
族炭化水素基及びカルボニル、オキシ、スルホ、硫化
物、エーテル、シロキサン、フォシン酸化物、六ふっ化
イソプロピリデン(haxafluorioisopropylidene)及び
スルホニル基から成り立っている群から選択されてお
り、そしてR1は、脂肪族有機基から成り立っている群か
ら若しくは次に示した群から選択される少なくとも1つ
の2価基である。
そして、R3は、R2、シリコ及びアミノ基から成り立っ
ている群から選択される2価有機基である。2又はそれ
以上のR及び/又はR1基を含んでいるポリマー、特に、
アミノ基を含んでいるR1の多重系が用いられ得る。一般
に、モノイミド単位を有しているポリイミドは、次の循
環単位を持っている。
そして、R4は、3価であり、Pは、通常、分子量約10
000乃至約100000を与えるための多数の反復単位を表し
ている完全体である。
化学技術百科辞典、第3版、第18巻、第704頁乃至719
頁における“ポリイミド”と題する項目において、ホモ
ポリマー及びそれらのポリアミック酸前駆物質を含んで
いる種々のポリイミド材料が記載されている。
本発明を実施するために有用なフルオロポリマーは、
ポリテトラフルオレオエチレン、過フルオロアルカン及
びふっ素と化合させたエチレンプロピレンを含んでい
る。これらは好適例であってこれらに限定されるもので
はない。
第5図では、第2図若しくは第4図の構造体14がプラ
テン22及びプラテン24間に保持されたものが示されてい
る。圧力が上記構造体14に加えられるとき、材料層6及
び8が網状流動、塑性変形、若しくは塑性クリープを示
す粘弾性流体又は弾性流体として、従来技術において言
及されている状態にする条件が与えられる。材料層6及
び8がアモルファス材料のような低結晶度を有するなら
ば、ガラス転移温度(Tg)で若しくはそれ以上で実質的
に粘弾性の状態にある。多くの材料のガラス転移温度は
室温以上であるけれど、室温若しくはそれ以下になり得
る。ガラス転移温度が室温以下であるならば、材料は望
ましい流動特性を達成するために冷却されなければなら
ない。材料層6及び8が高結晶度を有するならば、融解
温度(Tm)で若しくはそれ以上で実質的に粘弾性の状態
になる。材料層6、8及び基板10は、金属、セラミッ
ク、ポリマー、ガラス、半導体材料及びアモルファス、
半結晶若しくは結晶状態における半金属及び同種のもの
であり得る。
最も好ましい実施例において、材料層6及び8は、室
温以上のガラス転移温度を有するポリマーである。構造
体14は、材料層6及び8のガラス転移温度まで加熱され
る。材料層6及び8が、ポリイミド型材料の場合、この
温度は、一般に約125℃を超過している。第5図に示す
ように、構造体14はプラテン22及び24間で圧縮される。
第6図乃至第9図は、材料層6及び8の流動の状態を
順次示している。第6図においては、材料層6及び8が
スルーホール12の側壁18に沿って、かど26、28、30及び
32の周りを流れ始めるところがちょうど示されている。
圧力を増して行く時間に比例して、流動する材料の前部
34、36、38及び40は、第7図に示すように、前部34が前
部40に接触するまで及び前部36が前部38に接触するまで
側壁18に沿って動き続ける。これら前部が接触した後、
材料を被覆した側壁18は、第8図に示されたポリマー前
部42及び44が第9図に示すように、前部42と44が接触す
るまでスルーホール12の中心に向かって移動するので厚
くなり始める。その後、第10図に示すように、前部42及
び44は溶け込み、そしてスルーホール12は完全に材料6
及び8により充填される。一般に、材料6及び8は、同
じ材料である。
第6図乃至第9図に示すように、流動する材料層6及
び8の場合及び第13図乃至第16図に示すように、以下に
記載した流動する材料84の場合、その材料は表面を湿ら
せ、その表面上を流れる。材料の表面自由エネルギーが
基板表面の表面自由エネルギー以下若しくは同じである
ならば、当該材料は基板表面を湿らす。材料と基板との
間に、例えば、クーロンの相互作用、イオン結合、共有
結合、水素結合、双極子相互作用、電荷移動錯体、機械
的構造、連鎖もつれ及び同種の相互作用が存在するなら
ば、材料は基板表面の表面をさらに湿らすことができ
る。
第10図に示すように、スルーホール12が完全に充填さ
れた後、望むならば、スルーホール12を充填している材
料は、第11図に示すように、構造体14を貫くスルーホー
ル56を形成するために、穿孔、ドリル加工による穴開け
若しくはエッチングによって部分的に除去され得る。
第8図に示すようなスルーホール12における材料6及
び8の側壁42及び44又は第11図に示すようなスルーホー
ル56の側壁48及び50は、電気的導体により被覆されるこ
とができ、又はスルーホール12若しくは56は、第11図の
表面52から表面54まで若しくは第8図の表面43から表面
45まで電気的伝導バイアを形成するために電気的導体に
より完全に被覆することができる。電気的導体は、一般
的に金属である。
多くのスルーホールは充填されることができ、若しく
は本明細書に記載された方法によって材料により被覆さ
れる側壁を有している。スルーホールは、約2.54×10-2
cm以下及び好ましくは1.27×10-2cm以下の孔径とするこ
とができる。スルーホールの深さは、約2.54×10-2cm以
下及び好ましくは1.27×10-2cm以下とすることができ
る。各スルーホールは最小限の孔径の約2倍よりも短い
位置に離隔して形成され得る。
第1図の材料層6及び8がポリイミド材料であると
き、ポリイミド全表面は、例えばプラチナ、パラジウ
ム、ニッケル及び同種の適当な種材料がまかれる。最も
好ましい種材料はパラジウムである。1988年12月23日に
出願された米国特許出願第290486号に係るヴィーベック
(Viehbeck)その他による発明の名称が「有機ポリマー
材料を条件付ける方法」には、ポリマー材料、特にパラ
ジウムのような種材料を持つポリイミド材料をまく電気
化学的及び化学的方法が記載されている。当該工程は、
変更可能な方法で電子及び対イオンを運ぶことができる
有機ポリマー材料の少なくとも1つの表面を条件付ける
方法である。当該工程は、電解質から対イオンを同時吸
収した状態でレドックス拠点、即ち酸化還元をうけるこ
とが出来る拠点に電子を加えて成る。次に、還元された
ポリマー材料は、有機ポリマー材料内に拡散し、そして
そのレドックス拠点に接触する金属の陽イオンを含む溶
液に接触するように配置される。レドックス拠点は、こ
のレドックス拠点から電子を受け取ることによって無酸
化状態における金属原子に対して陽イオンを還元するた
めにエネルギー的に配置されている陽イオンに向かって
電子を移動させる。そのような方法で堆積された金属
は、ポリマーからの継続した電子転移を仲介することが
でき、前に堆積した金属の近くにさらに金属が堆積され
る。次に、第2番目の金属が無酸化状態の金属上に電気
分解めっき浴から堆積される。
電子は、電子化学回路のカソードにより、又は好まし
くは還元剤及び還元溶液のいずれか一方によりポリマー
材料のレドックス拠点に供給される。なお、上記カソー
ドに加えられる電位はポリマーの還元電位と等しいか若
しくは負であり、上記還元剤の酸化電位はポリマーの還
元電位に関して負である。その代りに、電子は、ポリマ
ー材料をテトラキス(ジメチルアミノ)エチレンに接触
させることによってポリマー材料のレドックス拠点に供
給され得る。還元剤は、帯電若しくは中性の形態で存在
し得る。ポリマーは、化学的機能的に還元電位を持って
いなければならず、その還元電位は金属イオンの還元電
位に関して負である。ポリマー表面を条件付ける適当な
還元剤は、電解質としてテトラブチルアンモニウムフル
オロホウ酸塩を含んでいるアセトニトリルにおけるベン
ゾフェノン基陰イオンである。これは好適例であってこ
れに限定されない。他の例は、ヴィーベック(Viehvec
k)その他による特許出願中にその記載を見付けること
ができる。従来技術として一般に知られている他のシー
ディング技術がさらに用いられ得る。
従来技術において一般に知られている手段によって、
他の金属は、めっきベースを形成するために積層上に無
電解的に堆積される。例えば、銅、金、パラジウム、
銀、ニッケル及び同種のもののような金属が無電解的に
積層上に堆積され得る。無電解的に積層上に堆積された
金属の厚さは、約0.05ミクロン乃至約35ミクロン、好ま
しくは約0.1ミクロン乃至約8ミクロン、もっとも好ま
しいのは約0.1ミクロン乃至約2ミクロンである。
めっきベースの堆積に引き続き、露光されためっきベ
ース上に金属線をめっきするために、露光され無電解的
に堆積されためっきベース層上に、例えば、銅、金、
銀、コバルト、ニッケル及び同種のもののような金属を
従来技術として一般に知られている方法によって電気め
っきする前に、フォトレジストを塗布し、露光し、現像
することによって所望のパターンは、形成され得る。め
っき仕上げされた線は、約1.27×10-3cm乃至約2.54×10
-2cm、好ましくは約1.27×10-3cm乃至約1.27×10-2cm、
もっとも好ましくは約2.54×10-3cm乃至約7.62×10-3cm
の厚さを持っている。めっき仕上げされた線は、第12図
において電気的導体60を形成する。それら導体は、個々
に誘電体材料層6及び8の表面52及び54上に配置され
る。電気めっき金属66は、さらに電気的に伝導性のある
バイア68を形成するために、スルーホール56の側壁48及
び50若しくはスルーホール12の側壁42及び44上に堆積さ
れためっきベース66を被覆する。
余分なめっきフォトレジストは、従来技術として一般
に知られた手段手段によって除去される。下の方に存在
しない余分なめっきベースや種材料及び符号60や符号66
のような電気めっきされた導体は、従来技術として一般
に知られた手段によって除去される。めっきベースが銅
の場合、めっきベースは、銅のエッチャント、例えば、
アンモニウム、過硫酸塩若しくは塩化第二鉄によって除
去され得る。例えばパラジウムのような余分な種材料
は、大いに拡散し、除去する必要はないが、もしも望む
なら、硝酸により除去され得る。これらは好適例であっ
て、これらに限定されない。
第13図に示すように、基板82は、基板82の表面86まで
広がり、そして基板82の表面86上に配設される材料層を
貫いて広がっている穴80を有している。材料84は、側壁
88や穴80の底部90を被覆するために、若しくは完全に穴
80を埋めるために、材料84は穴80内部に圧入され得る。
第13図に示すような穴は、基板82の1つの表面まで延び
ているが、第2図に示すように基板10のスルーホール12
のように基板82を貫いて延びていない。材料層84は、適
当な温度に維持され、そして圧力が穴80内に材料を圧縮
する。
穴80内部への材料84の流動の時間的な過程は、第6図
乃至第10図において基板10に関して示されているものと
類似している。塑性的に流動する材料84は基板82の穴8
0、縁92、そしてそれから穴80の底部90上に流れ落ち
る。第5図に関連して記載したように、プラテン94とプ
ラテン96とを一緒に圧縮することによって圧力が加えら
れる。第14図は、穴80の側壁88を流れ落ちている流動す
る材料84の前部98を示している。第15図は、穴80の底部
90に沿って流れている材料84の流動する前部98及び100
を示している。圧力が加えられるにつれて、材料84の前
部98及び100は穴80の底部にそって流れ、圧力が加え続
けられた状態で、材料84の前部98及び100は穴80の底部
に沿って流れると思われる。圧力が加え続けられた状態
で、前部98及び100は溶け込み、そしてその後、圧力が
加えられ続けるにつれて、穴80は、第16図に示すように
完全に充填される。
例1 デュポン社のパイラリン(Pyralin)PI2525(熱可塑
性ポリイミド)が、7.62×10-3cmの銅箔上に浸漬被覆さ
れた。厚さ約1.27×10-3cmのポリマーが各浸漬から得ら
れた。銅箔の両側上に厚さ2.54×10-3cmと5.08×10-3cm
の最終のポリマーを得るために複合的な浸漬を行った。
両サンプルは、各浸漬被覆の間に200℃で5分間ベーキ
ングされ、その後、最後の被覆が完了する。1.27×10-2
cmの直径を持つスルーホールは、各サンプルを機械的に
貫いて穿孔された。これらによってスルーホール内部の
銅コアは露出された。銅コアは、50℃の塩化第二鉄中で
4分間浸漬することによってエッチバックされた。それ
からサンプルは、イオンを取り除いた水により洗浄し、
次に乾燥を行った。サンプルはTg310℃以上で加熱し、
2つのプラテン間で圧縮された。ポリマーの厚さが2.54
×10-3cmの場合、15秒間350℃で5000psiが用いられた。
ポリマーの厚さが5.08×10-3cm10秒間340℃5000psiが用
いられた。
例2 デュポン社により製造された浸漬被覆ポリアミド酸
(Dip coat polyamicacid)5811Dは、約28gの予め穿孔
された銅−インバール(invir)−銅の上へのBPDA−PDA
ポリイミド前駆物質である。コアは、スパッタされたク
ロム表面を有している。被覆されたコアは、1時間、85
℃でベーキングされる。次に、コアは45分間、125℃で7
50psiの力で圧縮される。それから、ポリマーにより穿
孔された穴が充填されるまで1時間250℃で750psiの力
で圧縮される。
例3 自立アミド酸層が形成され、それから基板に積層され
得る。ポリアミック酸膜は、適当な基板、すなわちガラ
ス上にポリアミック酸及び溶剤、すなわちNMPを含んで
いるポリアミック酸溶液を被覆することによって作成さ
れ得る。ポリアミック酸は、スピン被覆され得るか、若
しくは他の通常用いられる方法によって被覆され得る。
基板は、溶剤を除去するために被覆されるポリアミック
酸がかなりイミド化するのを防ぐ温度で予めベーキング
される。上記被覆は、基板から除去され、例えば金属基
板のようなワークピース上に積層される。
縦横それぞれ15.24cm、厚さ0.3175cmの2つのガラス
板を60秒間1000回転でポリアミック酸(BPDA-PDA)をス
ピン被覆する。被覆されたガラス板を80℃で30分間ベー
キングする。それから膜は、基板から容易に除去され
る。
ポリアミック酸膜は、基板上に形成される。基板に形
成された穴とその膜は、上記例1及び2に記載されたよ
うに加熱され、圧縮される。良好な基板付着を与える連
続的な積層とバイアスの絶縁特性が次の条件を用いて得
られた。
80℃/1300psi/20分間、90℃/1300psi/20分間、100℃/
1300psi/20分間。
いったん積層が完了すると、ポリアミック酸をポリイ
ミドに転換するための最終の硬化が行なわれ得る。例え
ば、N2の下で、100℃/60分間、200℃/60分間、400℃/60
分間である。
E.発明の効果 本発明によると、誘電体材料において空所を封じ込め
ることなしに上記材料を加圧することによって当該材料
で基板の穴の側壁を被覆するか、若しくは基板の穴を完
全に充填することができる。また、本発明に係る方法
は、基板の空胴側壁を被覆するために、溶媒を含む液体
ポリマーの使用を避け、そしてさらに十分な側壁誘電体
の厚さを達成するために複数回の工程を経ることを必要
としない。
【図面の簡単な説明】
第1図は材料層が堆積した上部及び底部主要表面を有す
る基板の概略図、第2図は、スルーホールを形成した基
板の概略図、第3図は第1図の基板にスルーホールを形
成するために穿孔機を使用した状態を示した概略図、第
4図は基板に穿孔機をよって基板にスルーホールを形成
した状態を示した基板の概略図、第5図は基板の両側か
ら所定の部材によって圧力を加えた状態を示した第2図
若しくは第4図の構造の概略図、第6図乃至第10図は基
板の両側から圧力を加えた結果を示した基板の概略図、
第11図は材料被覆により完全に充填された第10図の構造
の上記充填材料中に形成されたスルーホールを持つ基板
の概略図、第12図はスルーホール中及び被覆された基板
の表面上に金属パターンを持つ第8図若しくは第11図の
構造の概略図、第13図は穴が形成された基板上に材料層
が形成され、両側から所定の部材により圧力が加えられ
た他状態を示した基板の概略図、第14図乃至第16図は、
第13図の構造の基板の両側から圧力を加えた結果を示し
た基板の概略図である。 2、4、43、45、52、54、86……表面、6、8、84……
誘電体材料層、10、82……基板、12、56……空胴(スル
ーホール)、14……構造体、18、48、50……側壁、22、
24、94、96……プラテン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロナルド・デイーン・ゴールドブラツト アメリカ合衆国ニユーヨーク州ライ・ブ ロツク、サウス・リツヂ・ストリート 242番地 (56)参考文献 特開 昭62−132391(JP,A) 特開 昭62−53827(JP,A)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の少なくとも1つの表面に、加熱によ
    って流動化する樹脂層を形成し、前記樹脂層を貫通し
    て、前記基板内へ延びる側壁を有する穴を前記基板に形
    成し、 前記樹脂層が流動するのに十分な温度に前記基板を加熱
    し、 前記穴内部に前記樹脂層が流れ込むように前記樹脂層を
    前記基板上に向かって加圧し、前記樹脂層を前記側壁に
    沿って前記穴内に流れ込ませて、徐々に前記側壁を覆う
    被覆を形成し、 さらに前記樹脂層を続けて加圧して、前記側壁の被覆を
    厚くし、前記穴内を前記樹脂層で完全に充填すること を含む基板の穴の側壁被覆方法。
  2. 【請求項2】前記穴内に流れこむ前記樹脂が前記基板の
    表面自由エネルギーよりも低い表面自由エネルギーを有
    している請求項(1)記載の基板の穴の側壁被覆方法。
  3. 【請求項3】前記穴が前記基板を貫いて延長している請
    求項(1)記載の基板の穴の側壁被覆方法。
  4. 【請求項4】前記穴の一端が前記基板の表面を貫いて延
    長し、そして前記穴の他端が前記基板の内部にある請求
    項(1)記載の基板の穴の側壁被覆方法。
  5. 【請求項5】前記基板が第1及び第2の主要表面を有
    し、前記樹脂層が前記第1及び第2の主要表面上に配置
    され、そして前記穴が前記第1及び第2の主要表面上の
    前記樹脂層を貫いて前記第1及び第2の主要表面から延
    長している請求項(1)記載の基板の穴の側壁被覆方
    法。
  6. 【請求項6】前記基板がAl、Cu、Mo及びCu一インバール
    −Cuから成る群から選択された材料で形成されている請
    求項(11)記載の基板の穴の側壁被覆方法。
  7. 【請求項7】前記ポリマー樹脂が熱可塑性ポリマー樹脂
    である請求項(1)記載の基板の穴の側壁被覆方法。
  8. 【請求項8】前記ポリマー樹脂が熱可塑性ポリイミド樹
    脂、ふっ化ポリマー樹脂及びポリアミツク酸樹脂から成
    る群から選択される請求項(1)記載の基板の穴の側壁
    被覆方法。
  9. 【請求項9】相互方向に加圧される第1及び第2のプラ
    テン間に、前記樹脂層をその上に有する基板を配置する
    ことによって前記基板方向に前記樹脂層が加圧される請
    求項(1)記載の基板の穴の側壁被覆方法。
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