JP2544940B2 - 螢光表示管 - Google Patents

螢光表示管

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JP2544940B2 JP62220395A JP22039587A JP2544940B2 JP 2544940 B2 JP2544940 B2 JP 2544940B2 JP 62220395 A JP62220395 A JP 62220395A JP 22039587 A JP22039587 A JP 22039587A JP 2544940 B2 JP2544940 B2 JP 2544940B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は表示部が形成されたガラス基板の表面の一部
に駆動用半導体チツプが配設されてなる螢光表示管に関
するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の螢光表示管として例えばCIG(チツプ
イングラス)螢光表示管あるいはアクテイプマトリクス
型螢光表示管は、螢光表示管を構成する真空外囲器内に
駆動用の半導体ICチツプが表示部等とともに配設されて
いる。すなわち、表面に表示セグメントおよびその導体
配線が形成されたガラス基板上の一部には導電性のダイ
ボンド電極が形成され、このダイボンド電極上には駆動
用ICチツプがダイボンドベースト(導電性接着剤)によ
りダイボンドされている。そして、この駆動用ICチツプ
はガラス基板の表面に形成されている導体配線にワイヤ
ボンデイングされた後、ガラス基板と透光性カバーガラ
スとの周縁部間にガラスシールを塗布し、約450℃程度
に加熱して接着硬化させ、外囲器を形成するとともにこ
の外囲器内を真空にした後、封止させて構成される。
このように構成される螢光表示管において、ガラス基
板上に駆動用ICチツプをダイボンドペーストにより接着
固定させるダイボンド電極は、遮光性が良好であるこ
と,ダイボンドペーストの主成分である銀と良好に電気
的接続が得られることおよびダイボンドペーストの主成
分である銀の表面酸化膜と強固な接着力(引き剥し強
度)が得られることなどの性能が要求される。
そこで、従来では、第3図(a)に示すようにガラス
基板1上に形成された遮光性を良好とするAl薄膜による
平坦電極2上に、バインダーとしてガラス成分を多く含
むAg(銀)ペーストを塗布して約550℃程度の高温度熱
処理により膜厚の厚いAg膜3を形成し、Al平坦電極2と
の物理的接着強度を得ていた。しかしながら、Al電極2
とAg膜3との膜界面には高温度熱処理による絶縁性の界
面酸化膜が形成されており、導電性を低下させていた。
このような問題を改善したものとしては、第3図
(b)に示すようにAl電極2とAg膜3との段差部にC
(カーボン)等を厚膜印刷してC電極4を形成し、導通
不良を対策していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、このように構成される螢光表示管は、
ガラス基板1への駆動用ICチツプの配設がAl電極2,Ag膜
3およびC電極4の積層からなるダイボンデイング電極
構造であるため、材料費が多くなり、コストアツプとな
るなどの問題があつた。また、ダイボンド電極としての
Al電極2と駆動用ICチツプとの間におけるボンデイング
ペーストの拡がり具合がAl電極2の平坦な存在から全く
検査できず、ダイボンデイング工程の信頼性チエツクが
できなかつた。
したがつて本発明は、前述した従来の問題に鑑みてな
されたものであり、その目的は、ダイボンデイング電極
構造を単純化させ、その形成コストを削減させた螢光表
示管を形成することにある。
本発明の他の目的は、ダイボンデイング工程の信頼性
チエツクを可能とするとともにその信頼性を向上させた
螢光表示管を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明による螢光表示管は、ガラス基板上に駆動用IC
チツプを接着配置させるダイボンド電極を、Al薄膜のみ
からなる電極パターンで形成するとともにこの電極パタ
ーンにAl薄膜の存在しない開口パターンを分散配置させ
て構成したものである。
〔作用〕
本発明の螢光表示管におけるダイボンデイング電極
は、Al薄膜の存在しない開口パターンが分散して構成さ
せるので、ガラス基板の表面と導電性接着剤との界面に
形成される酸化膜が物理的に強固な膜となつて互いに密
着される。
〔実施例〕
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による螢光表示管の一実施例を説明す
るためのダイボンド電極を示す図で同図(a)は平面
図,同図(b)は同図(a)のA−A′線断面図であ
り、前述の図と同一部分には同一符号を付してある。同
図において、ガラス基板1の表面の一部には、駆動用IC
チツプが配設される領域Bに駆動用ICチツプの外形寸法
よりも少し小さいAl薄膜のみからなるAl電極5が形成さ
れており、このAl電極5はAl薄膜からなる電極パターン
6と、この電極パターン6に部分的にAl薄膜が存在しな
い開口状の抜きパターン7とから形成され、この抜きパ
ターン7は電極パターン6内に複数個分散して配列形成
されている。そして、このAl電極5上には第2図に示す
ように駆動用ICチツプ8がAgを主成分とするダイボンド
ペースト9により接着され、約450℃程度の高温度熱処
理により固定配置されている。
このような構成において、ガラス基板1の表面にAl薄
膜の存在しない抜きパターン7を有するAl電極5が形成
されているので、このAl電極5上に塗布されるAgを主成
分とするダイボンドペースト9と、抜きパターン6内の
ガラス基板1の表面との界面に存在する酸化膜が互いに
物理的に密着されているので、強固な接着が得られる。
また、Al電極5は、第1図(b)に示すように電極パタ
ーン6にパターン表面6aパターンエツジ6bおよび側面6c
が形成され、このパターン表面6aと側面6cとではAl薄膜
の結晶粒の方向性が異なり、パターン表面6a,とパター
ン側面6cとで酸化膜の性質が異なることから、パターン
エツジ6bまたはパターン側面6eと、Agを主成分とするダ
イボンドペースト9との界面に存在する酸化膜は、電気
的導通に対する信頼性が高くなり、第3図(b)に示し
たAl−Ag−C積層構造によるダイボンド電極と何ら遜色
のない電気的導通性が得られた。さらに同図から明らか
なようにガラス基板1の表面に形成されたAl電極5は、
抜きパターン7が形成され、この抜きパターン7内のガ
ラス基板表面と駆動用ICチツプ8との間にAgを主成分と
するダイボンドペースト9が接着配置されるので、十分
な遮光性が得られる。また、ガラス基板1の表面に形成
されるAl電極5は、抜きパターン7を設けたことによ
り、この抜きパターン7により、駆動用ICチツプ8とこ
のAl電極5との間に塗布されるダイボンドペースト9の
拡がり具合がこの抜きパターン7を通してガラス基板1
の裏面から目視により確認することができるので、ダイ
ボンドペースト9の塗布工程が何らかの事故による多量
もしくは少量の塗布に対して直接的に監視でき、ダイボ
ンデイング工程の信頼性を向上させることができる。
このような構成によれば、ガラス基板1の表面にAl薄
膜のみからなる電極パターン6内に抜きパターン7を分
散配置させたAl電極5を設けたことにより、第3図に示
したダイボンド電極と同様の作用効果が得られるととも
にこのAl電極5がAl薄膜のみで形成されているので、こ
のAl電極5の形成工程が大幅に削減されるとともに材料
費の低減が可能となる。
〔発明の効果〕 以上、説明したように本発明によれば、ガラス基板の
表面に半導体チツプを接着配置させる導電性電極を、ア
ルミニウム薄膜のみからなる電極パターンで形成すると
ともにこの電極パターン内にアルミニウム薄膜の存在し
ない開口パターンを分散配置して形成したので、接着性
の良好な導電性電極構造が低コストで得られるとともに
ダイボンデイング工程の信頼性を向上させることができ
るなどの極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a),(b)は本発明による螢光表示管の一実
施例を説明するための導電性電極の平面図,そのA−
A′線の断面図、第2図は導電性電極上に半導体チツプ
を固定配置させた断面図、第3図(a),(b)は従来
の螢光表示管の導電性電極を示す平面図,そのA−A′
線の断面図である。 1……ガラス基板、5……Al電極、6……電極パター
ン、6a……パターン表面、6b……パターンエツジ、6c…
…側面、7……抜きパターン、8……駆動用ICチツプ、
9……ダイボンドペースト。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表示部が形成されたガラス基板の表面に導
    電性電極を設け、誘導電性電極上に導電性接着剤により
    半導体チツプを接着配置させてなる螢光表示管におい
    て、前記導電性電極を、アルミニウム薄膜のみからなる
    電極パターンで形成するとともに該電極パターン内に該
    アルミニウム薄膜の存在しない開口パターンを分散配置
    させたことを特徴とする螢光表示管。
JP62220395A 1987-09-04 1987-09-04 螢光表示管 Expired - Fee Related JP2544940B2 (ja)

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