JP2540473Y2 - スイッチ付ポテンショメータ - Google Patents
スイッチ付ポテンショメータInfo
- Publication number
- JP2540473Y2 JP2540473Y2 JP1989014690U JP1469089U JP2540473Y2 JP 2540473 Y2 JP2540473 Y2 JP 2540473Y2 JP 1989014690 U JP1989014690 U JP 1989014690U JP 1469089 U JP1469089 U JP 1469089U JP 2540473 Y2 JP2540473 Y2 JP 2540473Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- current collector
- potentiometer
- insulator
- slider
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案はスイッチ付ポテンショメータに関し、詳し
くはスイッチ特性の改良に関するものである。
くはスイッチ特性の改良に関するものである。
「従来の技術」 従来の技術を第４図乃至第６図に基づいて説明する。
ここに示すスイッチ付ポテンショメータは例えば自動
車用エンジンのスロットルバルブに連結して用いられ、
ポテンショメータに連動して動作するスイッチによって
アイドル位置を検出し、ポテンショメータによってスロ
ットルバルブの開度を検出するものである。
車用エンジンのスロットルバルブに連結して用いられ、
ポテンショメータに連動して動作するスイッチによって
アイドル位置を検出し、ポテンショメータによってスロ
ットルバルブの開度を検出するものである。
共通の絶縁基板１上に第１の集電体２と第２の集電体
３が例えば印刷法によって互いに平行に形成される。ス
イッチ用摺動子11の通路には第２の集電体３に続いて絶
縁体４が形成され、絶縁体４に続いて第１の抵抗体６が
形成されてスイッチパターンとされる。第１の抵抗体６
を形成したのはスイッチ用摺動子11との摩擦抵抗を小さ
くするためである。
３が例えば印刷法によって互いに平行に形成される。ス
イッチ用摺動子11の通路には第２の集電体３に続いて絶
縁体４が形成され、絶縁体４に続いて第１の抵抗体６が
形成されてスイッチパターンとされる。第１の抵抗体６
を形成したのはスイッチ用摺動子11との摩擦抵抗を小さ
くするためである。
このスイッチパターン上をスイッチ用摺動子11が摺動
接触し、第２の集電体３と絶縁体４の境界でスイッチが
開閉されアイドル位置とされる。
接触し、第２の集電体３と絶縁体４の境界でスイッチが
開閉されアイドル位置とされる。
従来はこのスイッチの開閉時にチャタリングが発生す
る製品が製造されてしまう欠点がある。
る製品が製造されてしまう欠点がある。
その理由を以下に説明する。つまり第２の集電体３と
絶縁体４の形成順序は焼成温度の高い順に行なわれる。
このために第２の集電体３を形成した後に絶縁体４を形
成することになる。この結果第２の集電体３を形成した
後にこの第２集電体３に隣接して絶縁体４を印刷法によ
って被着するが、この際に絶縁体４の一部が第２の集電
体３の上に重ねられるので絶縁体４の厚さが表面近くで
薄くなる。
絶縁体４の形成順序は焼成温度の高い順に行なわれる。
このために第２の集電体３を形成した後に絶縁体４を形
成することになる。この結果第２の集電体３を形成した
後にこの第２集電体３に隣接して絶縁体４を印刷法によ
って被着するが、この際に絶縁体４の一部が第２の集電
体３の上に重ねられるので絶縁体４の厚さが表面近くで
薄くなる。
このために第５図に示すように第２の集電体３の凹凸
の特に凸部が絶縁体４の薄い部分を突抜けて絶縁体４の
領域となるべき部分に突出し第２の集電体３の微小な露
出部３−１が形成される。この露出部３−１にスイッチ
用摺動子11が接触することによってチャタリングが生じ
ることになる。
の特に凸部が絶縁体４の薄い部分を突抜けて絶縁体４の
領域となるべき部分に突出し第２の集電体３の微小な露
出部３−１が形成される。この露出部３−１にスイッチ
用摺動子11が接触することによってチャタリングが生じ
ることになる。
つまり第５図においてスイッチ用摺動子11を第５図
（イ）に示す矢印Ｘ方向に摺動させた時のスイッチ特性
を第６図に示す。
（イ）に示す矢印Ｘ方向に摺動させた時のスイッチ特性
を第６図に示す。
スイッチ用摺動子11が第２の集電体３と接触している
ときスイッチは閉であるが、スイッチ用摺動子11が第２
の集電体３と絶縁体４との境界を通過し、絶縁体４と接
触するとスイッチは開となる。
ときスイッチは閉であるが、スイッチ用摺動子11が第２
の集電体３と絶縁体４との境界を通過し、絶縁体４と接
触するとスイッチは開となる。
ここで絶縁体４の領域であるべき部分に第２の集電体
３の微小な露出部３−１が存在するとスイッチ用摺動子
11はこれと接触するためスイッチは再び閉となる。第２
集電体３の微小な露出部３−１の部分を通路するとスイ
ッチ用摺動子11は再び絶縁体４と接触してスイッチは開
となる。よって第２の集電体３の微小な露出部３−１の
部分でチャタリングが生じる事になる。
３の微小な露出部３−１が存在するとスイッチ用摺動子
11はこれと接触するためスイッチは再び閉となる。第２
集電体３の微小な露出部３−１の部分を通路するとスイ
ッチ用摺動子11は再び絶縁体４と接触してスイッチは開
となる。よって第２の集電体３の微小な露出部３−１の
部分でチャタリングが生じる事になる。
露出部３−１がない場合は、スイッチは第２の集電体
３と接触している時に閉で、絶縁体４と接触して開とな
るだけでチャタリングの発生は無い。
３と接触している時に閉で、絶縁体４と接触して開とな
るだけでチャタリングの発生は無い。
第６図に示したスイッチ特性は例えば第１の集電体２
と第２の集電体３の間に印加した電圧を負荷抵抗を用い
て降下させる電圧降下法により測定することができる。
と第２の集電体３の間に印加した電圧を負荷抵抗を用い
て降下させる電圧降下法により測定することができる。
なお、ポテンショメータパターンは絶縁基板１上のポ
テンショメータ用摺動子12の通路に第２の抵抗体８と第
３の集電体９が形成されて構成される。このポテンショ
メータ用摺動子12とスイッチ用摺動子11は互いに絶縁さ
れて絶縁基板１に回動自在に支持された回転体13に取付
けられる。
テンショメータ用摺動子12の通路に第２の抵抗体８と第
３の集電体９が形成されて構成される。このポテンショ
メータ用摺動子12とスイッチ用摺動子11は互いに絶縁さ
れて絶縁基板１に回動自在に支持された回転体13に取付
けられる。
「考案が解決しようとする課題」 上述した理由によってチャタリングが発生するスイッ
チ付ポテンショメータが製造されてしまうが、チャタリ
ングが発生するスイッチを例えばアイドル位置検出スイ
ッチとして用いたとすると、誤検出の原因となり自動車
の運転に支障を来す欠点がある。
チ付ポテンショメータが製造されてしまうが、チャタリ
ングが発生するスイッチを例えばアイドル位置検出スイ
ッチとして用いたとすると、誤検出の原因となり自動車
の運転に支障を来す欠点がある。
この考案の目的は、チャタリングの発生を防止するス
イッチ付ポテンショメータを提供することにある。
イッチ付ポテンショメータを提供することにある。
「課題を解決するための手段」 絶縁基板上に形成されたスイッチパターン上をスイッ
チ用摺動子が摺動接触し、ポテンショメータパターン上
をポテンショメータ用摺動子が摺動接触し、スイッチパ
ターンはほぼ平行に並べられた一対の集電体からなり、
少なくとも一方の集電体の一端側からその集電体の延長
方向に絶縁体が形成されてなるスイッチ付ポテンショメ
ータにおいて、この考案では集電体と絶縁体との間に、
これらを互いに離し、かつスイッチ用摺動子がはまり込
まない程度の間隙の溝をもうけたものである。
チ用摺動子が摺動接触し、ポテンショメータパターン上
をポテンショメータ用摺動子が摺動接触し、スイッチパ
ターンはほぼ平行に並べられた一対の集電体からなり、
少なくとも一方の集電体の一端側からその集電体の延長
方向に絶縁体が形成されてなるスイッチ付ポテンショメ
ータにおいて、この考案では集電体と絶縁体との間に、
これらを互いに離し、かつスイッチ用摺動子がはまり込
まない程度の間隙の溝をもうけたものである。
この考案の構成によれば集電体と絶縁体との間にこれ
らが互いに接触しないように溝を形成した構造としたか
ら、絶縁体となるべき領域に集電体の突部が露出するよ
うなことはない。
らが互いに接触しないように溝を形成した構造としたか
ら、絶縁体となるべき領域に集電体の突部が露出するよ
うなことはない。
よってチャタリングの発生がないスイッチ付ポテンシ
ョメータを容易に作ることができる。
ョメータを容易に作ることができる。
「実施例」 この考案の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて説
明する。
明する。
例えばセラミックからなる絶縁基板１上に印刷手段で
銀粒子を含む第１の集電体２を形成し、これとほぼ平行
に並べて第２の集電体３を形成する。
銀粒子を含む第１の集電体２を形成し、これとほぼ平行
に並べて第２の集電体３を形成する。
絶縁基板１上にスイッチ用摺動子11の通路には第２の
集電体３の一端側から例えば軟質ガラスからなる絶縁体
４を形成するが、第２の集電体３と絶縁体４との間には
これらが互いに接触しないように溝５を設ける。溝５の
間隙は例えば0.3ミリメートル以下とされて、スイッチ
用摺動子11がはまり込まない程度の大きさとされる。
集電体３の一端側から例えば軟質ガラスからなる絶縁体
４を形成するが、第２の集電体３と絶縁体４との間には
これらが互いに接触しないように溝５を設ける。溝５の
間隙は例えば0.3ミリメートル以下とされて、スイッチ
用摺動子11がはまり込まない程度の大きさとされる。
この考案で絶縁体４とはシート抵抗で１メグオーム
（1MΩ）以上の抵抗値を示すものをいう。
（1MΩ）以上の抵抗値を示すものをいう。
絶縁体４に続いてカーボン粒子を含む第１の抵抗体６
を形成し、この第１の抵抗体６の先端側に再び絶縁体４
と第２の集電体３とを形成する。
を形成し、この第１の抵抗体６の先端側に再び絶縁体４
と第２の集電体３とを形成する。
この絶縁体４と第２の集電体３との間にも溝５をもう
けてスイッチパターンを形成する。第１図に示した実施
例は第１の集電体２に対して第２の集電体３が２個から
なる単極双投のスイッチパターンを形成した場合を示
す。
けてスイッチパターンを形成する。第１図に示した実施
例は第１の集電体２に対して第２の集電体３が２個から
なる単極双投のスイッチパターンを形成した場合を示
す。
第１の集電体２およひ第２の集電体３の各終端は絶縁
基板１の一端側に延長されてスイッチ用電極７とされ
る。
基板１の一端側に延長されてスイッチ用電極７とされ
る。
ポテンショメータパターンは第１図に示すように第２
の抵抗体８と第３の集電体９からなり、これらの各終端
は絶縁基板の一端側に延長形成されてポテンショメータ
用電極10とされる。
の抵抗体８と第３の集電体９からなり、これらの各終端
は絶縁基板の一端側に延長形成されてポテンショメータ
用電極10とされる。
ポテンショメータ用摺動子12は第２の抵抗体８と第３
の集電体９上を摺動接触してスロットルバルブの開度を
検出することに利用される。
の集電体９上を摺動接触してスロットルバルブの開度を
検出することに利用される。
スイッチ用摺動子11とポテンショメータ用摺動子12は
互いに絶縁されて回動自在な回転体13に取付けられる。
互いに絶縁されて回動自在な回転体13に取付けられる。
溝５の形成方法は各種の方法が考えられる。第２図は
印刷時に溝５を形成した場合を示すが、第３図の例では
レーザを用いて第２の集電体３と絶縁体４との境界部分
をカットして形成した場合を示す。
印刷時に溝５を形成した場合を示すが、第３図の例では
レーザを用いて第２の集電体３と絶縁体４との境界部分
をカットして形成した場合を示す。
この場合の溝５はシャープに形成することができる
し、また位置精度も高いので好ましい例である。
し、また位置精度も高いので好ましい例である。
上述した両実施例では絶縁体４を第２の集電体３側に
おいて、この第２集電体３に続けて形成したがこの限り
でなく第１の集電体２側にもこの第１集電体２に続けて
絶縁体４を形成しても良い。
おいて、この第２集電体３に続けて形成したがこの限り
でなく第１の集電体２側にもこの第１集電体２に続けて
絶縁体４を形成しても良い。
また上述した両実施例のスイッチは単極双投であるか
ら、例えば一方のスイッチでアイドリング位置を検出
し、他方のスイッチでアクセル位置を検出することがで
きる。
ら、例えば一方のスイッチでアイドリング位置を検出
し、他方のスイッチでアクセル位置を検出することがで
きる。
また第２図及び第３図において第２の集電体３の一端
側からその集電体３の延長方向に絶縁体４を形成し、更
にこれに続いて第１の抵抗体６を形成したが、これに限
らず第２の集電体３の一端側から合成樹脂からなる絶縁
体４を第１の抵抗体６の領域まで延長形成した構造を採
ることもできる。
側からその集電体３の延長方向に絶縁体４を形成し、更
にこれに続いて第１の抵抗体６を形成したが、これに限
らず第２の集電体３の一端側から合成樹脂からなる絶縁
体４を第１の抵抗体６の領域まで延長形成した構造を採
ることもできる。
またこの考案は回転形ポテンショメータに限らずスラ
イド形ポテンショメータにも適用することができること
は容易に理解できよう。
イド形ポテンショメータにも適用することができること
は容易に理解できよう。
「考案の効果」 この考案によるスイッチ付ポテンショメータはスイッ
チパターンの第１集電体２又は第２集電体３のいずれか
一方又は双方の集電体の一端側からその集電体の延長方
向に絶縁体４を形成し、これら集電体と絶縁体との間
に、集電体と絶縁体とを互いに離し、かつスイッチ用摺
動子11がはまり込まない程度の間隙 おいて集電体と絶縁体とが互いに接触しないように、ほ
ぼ0.3ミリメートル以下の間隙の溝５をもうけたのでチ
ャタリングの発生を防止することができ、位置の検出に
関して信頼性が高く、かつスイッチ用摺動子が溝５には
まり込んで損傷することのないスイッチ付ポテンショメ
ータを提供することができ、その効果は実用に供して頗
る大である。
チパターンの第１集電体２又は第２集電体３のいずれか
一方又は双方の集電体の一端側からその集電体の延長方
向に絶縁体４を形成し、これら集電体と絶縁体との間
に、集電体と絶縁体とを互いに離し、かつスイッチ用摺
動子11がはまり込まない程度の間隙 おいて集電体と絶縁体とが互いに接触しないように、ほ
ぼ0.3ミリメートル以下の間隙の溝５をもうけたのでチ
ャタリングの発生を防止することができ、位置の検出に
関して信頼性が高く、かつスイッチ用摺動子が溝５には
まり込んで損傷することのないスイッチ付ポテンショメ
ータを提供することができ、その効果は実用に供して頗
る大である。
第１図は考案のスイッチ付ポテンショメータの概念的構
成の平面図、第２図はこの考案の要部拡大図で（イ）は
平面図、（ロ）は（イ）のＡ−Ａ断面図、第３図はこの
考案の他の実施例の要部拡大図で（イ）は平面図、
（ロ）は（イ）のＢ−Ｂ断面図、第４図は従来のスイッ
チ付ポテンショメータの概念的構成の平面図、第５図は
第４図の要部拡大図（イ）は平面図、（ロ）は（イ）の
Ｃ−Ｃ断面図、第６図はチャタリングが生じた場合のス
イッチ特性を示す波形図である。 1:絶縁基板、2:第１の集電体、3:第２の集電体、4:絶縁
体、5:溝、6:第１の抵抗体、7:スイッチ用電極、8:第２
の抵抗体、9:第３の集電体、10:ポテンショメータ用電
極、11:スイッチ用摺動子。
成の平面図、第２図はこの考案の要部拡大図で（イ）は
平面図、（ロ）は（イ）のＡ−Ａ断面図、第３図はこの
考案の他の実施例の要部拡大図で（イ）は平面図、
（ロ）は（イ）のＢ−Ｂ断面図、第４図は従来のスイッ
チ付ポテンショメータの概念的構成の平面図、第５図は
第４図の要部拡大図（イ）は平面図、（ロ）は（イ）の
Ｃ−Ｃ断面図、第６図はチャタリングが生じた場合のス
イッチ特性を示す波形図である。 1:絶縁基板、2:第１の集電体、3:第２の集電体、4:絶縁
体、5:溝、6:第１の抵抗体、7:スイッチ用電極、8:第２
の抵抗体、9:第３の集電体、10:ポテンショメータ用電
極、11:スイッチ用摺動子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭62−92610（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭50−100645（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭15−17017（ＪＰ，Ｙ１) 実公 昭17−2060（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に形成されたスイッチパターン
上をスイッチ用摺動子が摺動接触し、 ポテンショメータパターン上をポテンショメータ用摺動
子が摺動接触し、 前記スイッチパターンはほぼ平行に並べられた一対の集
電体からなり、 少なくとも一方の集電体の一端側からその集電体の延長
方向に絶縁体が形成されてなるスイッチ付ポテンショメ
ータにおいて、 前記集電体と前記絶縁体との間に、これらを互いに離
し、かつ前記スイッチ用摺動子がはまり込まない程度の
間隙の溝を設けたことを特徴とするスイッチ付ポテンシ
ョメータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989014690U JP2540473Y2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | スイッチ付ポテンショメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989014690U JP2540473Y2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | スイッチ付ポテンショメータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106803U JPH02106803U (ja) | 1990-08-24 |
| JP2540473Y2 true JP2540473Y2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=31226117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989014690U Expired - Lifetime JP2540473Y2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | スイッチ付ポテンショメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2540473Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5413534Y2 (ja) * | 1974-01-23 | 1979-06-08 | ||
| JPS6292610U (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-13 |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1989014690U patent/JP2540473Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02106803U (ja) | 1990-08-24 |
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