JP2536632Y2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2536632Y2 JP2536632Y2 JP1989090298U JP9029889U JP2536632Y2 JP 2536632 Y2 JP2536632 Y2 JP 2536632Y2 JP 1989090298 U JP1989090298 U JP 1989090298U JP 9029889 U JP9029889 U JP 9029889U JP 2536632 Y2 JP2536632 Y2 JP 2536632Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- auxiliary capacitance
- crystal display
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案はアクティブマトリクス型液晶表示装置に関す
る。
る。
（ロ）従来の技術 アクティブマトリクス型液晶表示装置では、液晶とそ
れをはさんだ一対の電極で構成される画素容量を薄膜ト
ランジスタで充電し、液晶の配向状態を変えることによ
り表示を行う。しかし、ゲート電極とソース電極の間に
形成される寄生容量が画素容量と直列に形成されている
ので、第３図に示すように液晶に加わる電圧がΔＶ分低
下する。この電圧の低下分（ΔＶ）は、画素容量に対す
る寄生容量の比率が増加する程大きくなる。
れをはさんだ一対の電極で構成される画素容量を薄膜ト
ランジスタで充電し、液晶の配向状態を変えることによ
り表示を行う。しかし、ゲート電極とソース電極の間に
形成される寄生容量が画素容量と直列に形成されている
ので、第３図に示すように液晶に加わる電圧がΔＶ分低
下する。この電圧の低下分（ΔＶ）は、画素容量に対す
る寄生容量の比率が増加する程大きくなる。
そこで補助容量を画素容量と並列に形成することによ
り、電圧の低下分を小さくする試みがある。前記補助容
量を有した構造の薄膜トランジスタとして、例えば特開
昭60-110165号では、表示電極全面で補助容量を形成し
ている。
り、電圧の低下分を小さくする試みがある。前記補助容
量を有した構造の薄膜トランジスタとして、例えば特開
昭60-110165号では、表示電極全面で補助容量を形成し
ている。
（ハ）考案が解決しようとする課題 上述の如く補助容量を有した構造のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、画素容量のみのものと比較し
て、充電するために、大きな電流が必要となる。このた
め、特性不良で電流が不足した場合、いっそう充電の不
足となり易い。この場合液晶に加わる電圧が小さくな
り、配向が不十分となるため、表示不良となる問題が発
生する。
クス型液晶表示装置は、画素容量のみのものと比較し
て、充電するために、大きな電流が必要となる。このた
め、特性不良で電流が不足した場合、いっそう充電の不
足となり易い。この場合液晶に加わる電圧が小さくな
り、配向が不十分となるため、表示不良となる問題が発
生する。
（ニ）課題を解決するための手段 本考案の液晶表示装置は、画素対応で複数枚の補助容
量電極を連結した構造の補助容量を備え、薄膜トランジ
スタの特性不良により充電に必要な電流が不足し、表示
の不良が発生すると考えられる場合、前記補助容量電極
の連結部を高エネルギー・ビーム等を用いて切断する事
によって補助容量電極の有効面積を小さくし、補助容量
値の低減を図って、上述の課題を解決するものである。
量電極を連結した構造の補助容量を備え、薄膜トランジ
スタの特性不良により充電に必要な電流が不足し、表示
の不良が発生すると考えられる場合、前記補助容量電極
の連結部を高エネルギー・ビーム等を用いて切断する事
によって補助容量電極の有効面積を小さくし、補助容量
値の低減を図って、上述の課題を解決するものである。
（ホ）作用 本考案の液晶表示装置によれば、高エネルギー・ビー
ム等を用いて補助容量電極の連結部を切断するだけで、
簡単に補助容量電極を分離できる。従って補助容量を小
さくでき、このため表示電極への充電に必要な電流値は
小さくなり充電の不足は解消される。
ム等を用いて補助容量電極の連結部を切断するだけで、
簡単に補助容量電極を分離できる。従って補助容量を小
さくでき、このため表示電極への充電に必要な電流値は
小さくなり充電の不足は解消される。
（ヘ）実施例 以下に本考案の実施例を示す。
［実施例１］ 第１図（ａ）、（ｂ）に本考案液晶表示装置の表示電
極基板の１画素分の断面構造及び平面構造を夫々示す。
以下に、構造プロセス順に第１図の構成を説明する。ガ
ラス基板（１）上にゲート電極（２）及び補助容量用電
極（20）を形成する。次にプラズマCVD法にて、ゲート
絶縁膜（３）、非品質シリコン膜（４）、パッシベーシ
ョン絶縁膜（５）を連続形成した後に所定のパターンを
形成する。さらに、燐ドープn+非品質シリコン膜（６）
をプラズマCVD法にて形成した後に所定のパターンを形
成する。しかる後に、表示電極（７）及びドレイン・ソ
ース電極（８）を形成し、ドレイン・ソース電極間のn+
非品質シリコン膜をエッチング除去する。
極基板の１画素分の断面構造及び平面構造を夫々示す。
以下に、構造プロセス順に第１図の構成を説明する。ガ
ラス基板（１）上にゲート電極（２）及び補助容量用電
極（20）を形成する。次にプラズマCVD法にて、ゲート
絶縁膜（３）、非品質シリコン膜（４）、パッシベーシ
ョン絶縁膜（５）を連続形成した後に所定のパターンを
形成する。さらに、燐ドープn+非品質シリコン膜（６）
をプラズマCVD法にて形成した後に所定のパターンを形
成する。しかる後に、表示電極（７）及びドレイン・ソ
ース電極（８）を形成し、ドレイン・ソース電極間のn+
非品質シリコン膜をエッチング除去する。
本考案が特徴とする補助容量は第１図（ｂ）に示した
ように、表示電極（７）と隣接したゲート電極ライン
（２′）から延長した補助容量電極（20）及び両電極間
に挟まれたゲート絶縁膜（３）から構成されている。而
して、この補助容量電極（20）は、具体的には、ゲート
電極ライン（２′）に連結する第１の補助容量電極（2
1）と、該第１の電極（21）の両端部で巾のせまい連結
部Ａ、Ｂによって連結された第２の補助容量電極（22）
からなる。
ように、表示電極（７）と隣接したゲート電極ライン
（２′）から延長した補助容量電極（20）及び両電極間
に挟まれたゲート絶縁膜（３）から構成されている。而
して、この補助容量電極（20）は、具体的には、ゲート
電極ライン（２′）に連結する第１の補助容量電極（2
1）と、該第１の電極（21）の両端部で巾のせまい連結
部Ａ、Ｂによって連結された第２の補助容量電極（22）
からなる。
この実施例の場合、第１及び第２補助容量電極（21）
（22）間の２本の連結部Ａ、Ｂ位置上には表示電極
（７）が切り欠かれた形状の凹部が位置しているので、
これ等連結部Ａ、Ｂへの高エネルギー・ビーム、例えば
レーザービームが表示電極（７）に照射されず、連結部
Ａ、Ｂにのみ照射でき、これ等を効率よく分断できる。
（22）間の２本の連結部Ａ、Ｂ位置上には表示電極
（７）が切り欠かれた形状の凹部が位置しているので、
これ等連結部Ａ、Ｂへの高エネルギー・ビーム、例えば
レーザービームが表示電極（７）に照射されず、連結部
Ａ、Ｂにのみ照射でき、これ等を効率よく分断できる。
従って、薄膜トランジスタの特性不良により、充電電
流が不足した場合に、上述の補助容量電極（20）の連結
部Ａ、Ｂをレーザービームで切断し、第２の補助容量電
極（22）を分離する。これによって、第１の補助容量電
極（21）の補助容量だけが有効となり、レーザービーム
切断前の全補助容量の1/2となる。
流が不足した場合に、上述の補助容量電極（20）の連結
部Ａ、Ｂをレーザービームで切断し、第２の補助容量電
極（22）を分離する。これによって、第１の補助容量電
極（21）の補助容量だけが有効となり、レーザービーム
切断前の全補助容量の1/2となる。
［実施例２］ 第２図（ａ）、（ｂ）に他の本考案実施例の断面構造
及び平面構造をそれぞれ示す。同図の場合も、ガラス基
板（１）上に補助容量用電極（20）を所定のパターンで
形成した後にプラズマCVD法で補助容量用絶縁膜（９）
を形成する。次に、ゲート電極（２）及び表示電極
（７）を形成する。さらに、ゲート絶縁膜（３）、非品
質シリコン膜（４）、パッシベーション絶縁膜（５）を
連続形成した後に、所定のパターンを形成する。さら
に、燐ドープn+非品質シリコン膜（６）をプラズマCVD
法にて形成した後に所定のパターンを形成する。しかる
後に、表示電極とのコンタクト孔を開け、ドレイン・ソ
ース電極（８）を形成し、ドレイン・ソース電極間のn+
非品質シリコン膜をエッチング除去する。本実施例の補
助容量も第２図（ｂ）に示したように、表示電極（７）
と補助容量用電極（20）（第１の電極（21）と第２の電
極（22）をもつ）及び両電極間に挟まれた補助容量用絶
縁膜（９）から構成されている。
及び平面構造をそれぞれ示す。同図の場合も、ガラス基
板（１）上に補助容量用電極（20）を所定のパターンで
形成した後にプラズマCVD法で補助容量用絶縁膜（９）
を形成する。次に、ゲート電極（２）及び表示電極
（７）を形成する。さらに、ゲート絶縁膜（３）、非品
質シリコン膜（４）、パッシベーション絶縁膜（５）を
連続形成した後に、所定のパターンを形成する。さら
に、燐ドープn+非品質シリコン膜（６）をプラズマCVD
法にて形成した後に所定のパターンを形成する。しかる
後に、表示電極とのコンタクト孔を開け、ドレイン・ソ
ース電極（８）を形成し、ドレイン・ソース電極間のn+
非品質シリコン膜をエッチング除去する。本実施例の補
助容量も第２図（ｂ）に示したように、表示電極（７）
と補助容量用電極（20）（第１の電極（21）と第２の電
極（22）をもつ）及び両電極間に挟まれた補助容量用絶
縁膜（９）から構成されている。
本実施例が第１図のそれと異なる点は、第１の補助容
量電極（21）と第２の補助容量電極（22）との連結部の
Ａ、Ｂに補助容量ライン（２）を接続しており、いずれ
の電極（21）（22）でも任意の方を切り離す事ができ
る。従って、両電極（21）（22）の面積を異ならせてお
く事によって、いずれの電極（21）（22）を切り離すか
で設定容量値を選択できる事となる。
量電極（21）と第２の補助容量電極（22）との連結部の
Ａ、Ｂに補助容量ライン（２）を接続しており、いずれ
の電極（21）（22）でも任意の方を切り離す事ができ
る。従って、両電極（21）（22）の面積を異ならせてお
く事によって、いずれの電極（21）（22）を切り離すか
で設定容量値を選択できる事となる。
また、本実施例が第１図のそれと異なる点は、２個の
薄膜トランジスタTFT1、TFT2を並列配置したところにあ
り、一方のトランジスタTFT1が不良で、充電に必要な電
流が不足した時、連結部Ａ、Ｂに加えて、TFT1周囲Ｃを
高エネルギー・ビーム等で切断し、特性不良の薄膜トラ
ンジスタTFT1を切り離すことにより、寄生容量も低減で
きる。アクティブマトリクス型液晶表示装置の表示面内
でTFTなどの能動素子の充電能力に差異が生じていると
きの補助容量値は以下のように算出される。充電能力は
一定周期で表示電極に流れ込む電気量Ｑ＝It（Ｉは電
流、ｔは時間）で表される。一方、放電能力は寄生容量
CT、液晶容量CL、補助容量CS、能動素子がオフする直前
の電圧ＶからＱ＝（CT＋CL＋CS）Ｖで表される。充電量
と放電量が等しく、充電能力が通常のＮ分の１の電流を
I/Nとし、充電能力に係わらず能動素子がオフする直前
の電圧Ｖを一定にし、通常と異なる側の添字をＥと仮定
する。
薄膜トランジスタTFT1、TFT2を並列配置したところにあ
り、一方のトランジスタTFT1が不良で、充電に必要な電
流が不足した時、連結部Ａ、Ｂに加えて、TFT1周囲Ｃを
高エネルギー・ビーム等で切断し、特性不良の薄膜トラ
ンジスタTFT1を切り離すことにより、寄生容量も低減で
きる。アクティブマトリクス型液晶表示装置の表示面内
でTFTなどの能動素子の充電能力に差異が生じていると
きの補助容量値は以下のように算出される。充電能力は
一定周期で表示電極に流れ込む電気量Ｑ＝It（Ｉは電
流、ｔは時間）で表される。一方、放電能力は寄生容量
CT、液晶容量CL、補助容量CS、能動素子がオフする直前
の電圧ＶからＱ＝（CT＋CL＋CS）Ｖで表される。充電量
と放電量が等しく、充電能力が通常のＮ分の１の電流を
I/Nとし、充電能力に係わらず能動素子がオフする直前
の電圧Ｖを一定にし、通常と異なる側の添字をＥと仮定
する。
通常と異常の電気量の保存式はそれぞれ、It＝（CT＋
CL＋CS）ＶとIEt＝)CT＋CL＋CS)EVとなる。
CL＋CS）ＶとIEt＝)CT＋CL＋CS)EVとなる。
仮定より寄生容量CTと液晶容量CLは不変でIE＝I/Nだ
から、補助容量CSに添字をつけることにする。すると、 （CT＋CL＋CSE）／（CT＋CL＋CS）＝1/N NCT＋NCL＋NCSE＝CT＋CL＋CS NCSE＝CS−（Ｎ−１）CT−（Ｎ−１）CL CSE＝｛CS−（Ｎ−１）CT−（Ｎ−１）CL｝/Nとなる。
から、補助容量CSに添字をつけることにする。すると、 （CT＋CL＋CSE）／（CT＋CL＋CS）＝1/N NCT＋NCL＋NCSE＝CT＋CL＋CS NCSE＝CS−（Ｎ−１）CT−（Ｎ−１）CL CSE＝｛CS−（Ｎ−１）CT−（Ｎ−１）CL｝/Nとなる。
ここで補助容量CSが他の容量より大きいことを考慮す
るとCSE≒CS/Nとなって連結部を切断して連結部の切断
前の輝度量に応じて補助容量を調整すれば良いことが分
かる。
るとCSE≒CS/Nとなって連結部を切断して連結部の切断
前の輝度量に応じて補助容量を調整すれば良いことが分
かる。
（ト）効果 以上のように本考案の液晶表示装置の構成によれば、
液晶表示装置の面内に充電能力の異なるTFTが存在して
も、画素電極の２箇所の切り欠き部でTFTの充電能力の
応じて補助容量電極を切断し補助容量を調整してTFTが
オフ直前の電圧を一定にできるので液晶表示装置の輝度
が均一になって見易くできると共に配線と表示電極との
接近により液晶表示装置の開口率が大きくできるという
効果が生じる。
液晶表示装置の面内に充電能力の異なるTFTが存在して
も、画素電極の２箇所の切り欠き部でTFTの充電能力の
応じて補助容量電極を切断し補助容量を調整してTFTが
オフ直前の電圧を一定にできるので液晶表示装置の輝度
が均一になって見易くできると共に配線と表示電極との
接近により液晶表示装置の開口率が大きくできるという
効果が生じる。
また、能動素子が良くない場合に切断される複数の補
助容量電極間は、２箇所で連結されているので、補助容
量電極間の断線が少なくなって、大多数を占める正常な
能動素子に接続された表示電極を透過する光の輝度が高
く保たれる。
助容量電極間は、２箇所で連結されているので、補助容
量電極間の断線が少なくなって、大多数を占める正常な
能動素子に接続された表示電極を透過する光の輝度が高
く保たれる。
第１図（ａ）（ｂ）は本考案の液晶表示装置の表示電極
基板の断面図、及び平面図、第２図（ａ）（ｂ）は本考
案装置の他の実施例の断面図、及び平面図、第３図は電
圧波形図である。 20……補助容量電極、21……第１の補助容量電極、22…
…第２の補助容量電極。
基板の断面図、及び平面図、第２図（ａ）（ｂ）は本考
案装置の他の実施例の断面図、及び平面図、第３図は電
圧波形図である。 20……補助容量電極、21……第１の補助容量電極、22…
…第２の補助容量電極。
Claims (1)
- 【請求項１】画素対応の表示電極と能動素子とを多数マ
トリクス状に配列し、該表示電極に補助容量電極を対応
させたアクティブマトリクス型液晶表示装置に於て、画
素対応の補助容量電極は複数の電極とこれら電極を連結
する２箇所の連結部とからなり、該連結部は前記表示電
極の２箇所の切り欠き部に位置し、能動素子の充電能力
に応じて高エネルギー線照射にて切断可能であることを
特徴とした液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989090298U JP2536632Y2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989090298U JP2536632Y2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329929U JPH0329929U (ja) | 1991-03-25 |
| JP2536632Y2 true JP2536632Y2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=31639826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989090298U Expired - Lifetime JP2536632Y2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536632Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01267520A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JPH0750278B2 (ja) * | 1988-06-01 | 1995-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH0833555B2 (ja) * | 1988-10-17 | 1996-03-29 | シャープ株式会社 | マトリクス表示装置 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1989090298U patent/JP2536632Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0329929U (ja) | 1991-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041228 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060620 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20061011 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |