JP2521452B2 - 放射線画像読取装置 - Google Patents
放射線画像読取装置Info
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 75
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 26
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 12
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- -1 fluoro halide Chemical class 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
本発明は輝尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネル
に蓄積記録された放射線画像情報の読取に関するもので
あり、さらに具体的には効率のよい放射線画像情報の読
取方法及び装置に関するものである。
に蓄積記録された放射線画像情報の読取に関するもので
あり、さらに具体的には効率のよい放射線画像情報の読
取方法及び装置に関するものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は医療用として多く用い
られている。この放射線画像を得る一方法として、被写
体を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照
射し、これにより可視光を生じさせて、この可視光を通
常の写真を撮るときと同じように銀塩感光材料を塗布し
たフィルムに照射して現像するいわゆる放射線写真が利
用されている。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放
射線写真フィルムを使用しないで放射線画像情報を得る
方法が工夫されるようになった。このような方法として
は、被写体を透過した放射線をある種の蛍光体に吸収せ
しめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エネルギ
ーで励起することにより、この蛍光体が前記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化するものがある。具体的
には例えば米国特許3,859,527号又は特開昭55−12144号
に開示されている。これらは輝尽性蛍光体を用い、可視
光線又は赤外線を励起光とした放射線画像変換方法を示
したもので、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射
線画像変換パネルを使用し、この放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被
写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを
蓄積させて潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光体
層を前記励起光で走査することによって、該パネル各部
に蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号を光電子増倍管、フ
ォトダイオード等の光電変換素子で検出して放射線画像
を得るものである。また、他の方法としては被写体を透
過した放射線を、一様に帯電させたセレン、シリコン等
の光導電体層を有する半導体パネルに吸収せしめて静電
潜像を形成した後、この半導体パネルを励起光で走査す
ることにより、該パネル上の静電潜像を電気的に検出し
て画像化するものがある（例えば特開昭54−31219
号）。 斯くして得た放射線画像は、そのままの状態で、或い
はリアルタイムで空間周波数処理や階調処理等の画像処
理を施されて銀塩フィルム、CRT等に出力されて可視化
されるか、又は半導体記憶装置、磁気記憶装置、光ディ
スク記憶装置等の画像記憶装置に格納され、その後必要
に応じてこれら画像記憶装置から撮り出されて銀塩フィ
ルム、CRT等に出力されて可視化されている。 前記放射線画像変換方法によれば、従来の放射線写真
法に比較して少ない被曝量で情報量の豊富な放射線画像
を得ることができるという利点を有する。従って、該放
射線画像変換方法は特に医療診断を目的とするＸ線撮影
等の直接放射線撮影において利用価値の高いものであ
る。 しかし、前記の方法は放射線照射によって放射線画像
情報記録媒体に蓄えられた放射線エネルギーが時間の経
過と共に著しく低下するという問題を有する（この現象
をフェーディングという）。このため、第１図示の如く
放射線による画像照射（t0）後、励起光による放射線画
像読取り開始（t1）までのおよび読取り終了（t2）まで
の時間の延長に伴って読取られる画像信号の強度が低下
してしまい一定の階調のものが得られなくなる。 前記問題に対処するものとして、例えば特開昭58−67
242号には画像信号の読取りに先立って弱い輝尽励起光
を用いて先読取りを行い、その出力に基づいて本読取り
の読取条件、画像処理条件を設定する読取装置が開示さ
れている。 しかしながら、この場合には経時に伴う画像信号強度
の低下は先読取りを開始してからその終了後本読取りを
終了するまでの間においても継続して進行しているた
め、前記（t0）から（t1）の間の減衰だけを補正して
も、画像の読取り画面の先頭部と末尾部との間に濃度差
が生じ、大きな濃度ムラ（シェーディング）が発生する
ことは防止し得なかった。 そこで、この問題に対処するものとして、例えば特開
昭61−209430号には、前記（t1）と（t2）の間における
画像信号強度の低下に基づくシェーディングのない画像
記録の得られる放射線画像読取方法が提案されている。
この方法によれば放射線画像情報の読取り時の画像信号
強度の低下（フェーディング）に基づくシェーディング
を補正することが可能となり、放射線画像を正確に再現
することができる。この補正手段として最も好ましい方
法は放射線を照射（t0）した後の画像信号強度の減衰曲
線（第１図）を利用し、放射線による画像照射から読取
り開始までの時間、即ち、第１図の横軸上の（t1）の位
置を検知し、読取り開始時（t1）以後の画像信号量の減
衰を推定し、これに対応して読取り結果の補正を行うと
いうものである。この方法は勿論、輝尽性蛍光体を用い
た放射線画像情報記録媒体に限られることはない。 しかし、前記放射線画像読取方法あるいは該読取装置
は補正という後追処置であって前記放射線画像記録信号
のフェーディング現象は依然として生じているため、例
えば該フェーディング現象が顕著に生じている場合は前
記画像信号の補正を行っても画像信号中のノイズも同時
に増幅され放射線画像の画質が低下するという問題があ
った。 また、飜って放射線画像の読取に際し、そのフェーデ
ィングの少ないほど画像読取信号の補正が行いやすい。 この見地に立って特開昭61−123829号には蛍光体膜を
180゜Ｋ以下に保持する読取装置が開示されているが、
冷却温度が低温であるため冷却装置が大がかりであり、
そのため読取装置が大型かつ複雑なものとなっている。
られている。この放射線画像を得る一方法として、被写
体を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照
射し、これにより可視光を生じさせて、この可視光を通
常の写真を撮るときと同じように銀塩感光材料を塗布し
たフィルムに照射して現像するいわゆる放射線写真が利
用されている。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放
射線写真フィルムを使用しないで放射線画像情報を得る
方法が工夫されるようになった。このような方法として
は、被写体を透過した放射線をある種の蛍光体に吸収せ
しめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エネルギ
ーで励起することにより、この蛍光体が前記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化するものがある。具体的
には例えば米国特許3,859,527号又は特開昭55−12144号
に開示されている。これらは輝尽性蛍光体を用い、可視
光線又は赤外線を励起光とした放射線画像変換方法を示
したもので、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射
線画像変換パネルを使用し、この放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被
写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを
蓄積させて潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光体
層を前記励起光で走査することによって、該パネル各部
に蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号を光電子増倍管、フ
ォトダイオード等の光電変換素子で検出して放射線画像
を得るものである。また、他の方法としては被写体を透
過した放射線を、一様に帯電させたセレン、シリコン等
の光導電体層を有する半導体パネルに吸収せしめて静電
潜像を形成した後、この半導体パネルを励起光で走査す
ることにより、該パネル上の静電潜像を電気的に検出し
て画像化するものがある（例えば特開昭54−31219
号）。 斯くして得た放射線画像は、そのままの状態で、或い
はリアルタイムで空間周波数処理や階調処理等の画像処
理を施されて銀塩フィルム、CRT等に出力されて可視化
されるか、又は半導体記憶装置、磁気記憶装置、光ディ
スク記憶装置等の画像記憶装置に格納され、その後必要
に応じてこれら画像記憶装置から撮り出されて銀塩フィ
ルム、CRT等に出力されて可視化されている。 前記放射線画像変換方法によれば、従来の放射線写真
法に比較して少ない被曝量で情報量の豊富な放射線画像
を得ることができるという利点を有する。従って、該放
射線画像変換方法は特に医療診断を目的とするＸ線撮影
等の直接放射線撮影において利用価値の高いものであ
る。 しかし、前記の方法は放射線照射によって放射線画像
情報記録媒体に蓄えられた放射線エネルギーが時間の経
過と共に著しく低下するという問題を有する（この現象
をフェーディングという）。このため、第１図示の如く
放射線による画像照射（t0）後、励起光による放射線画
像読取り開始（t1）までのおよび読取り終了（t2）まで
の時間の延長に伴って読取られる画像信号の強度が低下
してしまい一定の階調のものが得られなくなる。 前記問題に対処するものとして、例えば特開昭58−67
242号には画像信号の読取りに先立って弱い輝尽励起光
を用いて先読取りを行い、その出力に基づいて本読取り
の読取条件、画像処理条件を設定する読取装置が開示さ
れている。 しかしながら、この場合には経時に伴う画像信号強度
の低下は先読取りを開始してからその終了後本読取りを
終了するまでの間においても継続して進行しているた
め、前記（t0）から（t1）の間の減衰だけを補正して
も、画像の読取り画面の先頭部と末尾部との間に濃度差
が生じ、大きな濃度ムラ（シェーディング）が発生する
ことは防止し得なかった。 そこで、この問題に対処するものとして、例えば特開
昭61−209430号には、前記（t1）と（t2）の間における
画像信号強度の低下に基づくシェーディングのない画像
記録の得られる放射線画像読取方法が提案されている。
この方法によれば放射線画像情報の読取り時の画像信号
強度の低下（フェーディング）に基づくシェーディング
を補正することが可能となり、放射線画像を正確に再現
することができる。この補正手段として最も好ましい方
法は放射線を照射（t0）した後の画像信号強度の減衰曲
線（第１図）を利用し、放射線による画像照射から読取
り開始までの時間、即ち、第１図の横軸上の（t1）の位
置を検知し、読取り開始時（t1）以後の画像信号量の減
衰を推定し、これに対応して読取り結果の補正を行うと
いうものである。この方法は勿論、輝尽性蛍光体を用い
た放射線画像情報記録媒体に限られることはない。 しかし、前記放射線画像読取方法あるいは該読取装置
は補正という後追処置であって前記放射線画像記録信号
のフェーディング現象は依然として生じているため、例
えば該フェーディング現象が顕著に生じている場合は前
記画像信号の補正を行っても画像信号中のノイズも同時
に増幅され放射線画像の画質が低下するという問題があ
った。 また、飜って放射線画像の読取に際し、そのフェーデ
ィングの少ないほど画像読取信号の補正が行いやすい。 この見地に立って特開昭61−123829号には蛍光体膜を
180゜Ｋ以下に保持する読取装置が開示されているが、
冷却温度が低温であるため冷却装置が大がかりであり、
そのため読取装置が大型かつ複雑なものとなっている。
本発明は前記の点に鑑み、放射線画像記録媒体の蓄積
したエネルギー画像からの読取信号にフェーディングの
ないより良質の放射線画像を与える放射線画像読取方法
及び装置を提供することにある。
したエネルギー画像からの読取信号にフェーディングの
ないより良質の放射線画像を与える放射線画像読取方法
及び装置を提供することにある。
上記の目的は常温で輝尽発光を示すルビジウムハライ
ド螢光体層またはアルカリ土類沸化金属螢光体層を有す
る放射線画像変換パネルに放射線を照射して放射線画像
情報を蓄積記録し、該放射線画像変換パネルに輝尽励起
光を照射して前記蓄積記録されている放射線画像情報を
読み取る放射線画像読取方法であって、前記読取時の前
記放射線画像変換パネルを250〜300゜Ｋに冷却すること
を特徴とする放射線画像情報読取方法によって及び前記
放射線画像変換パネルを250〜300゜Ｋに冷却する手段を
有する放射線画像読取装置によって満足させられる。 尚、本発明の態様として前記変換パネルの冷却は放射
線照射以前に行うことが好ましい。また変換パネルの冷
却温度は300゜Ｋ以下であることが好ましく、さらに好
ましくは変換パネルは250〜300゜Ｋの温度範囲に保持さ
れることが望ましい。 本発明の装置における冷却手段としては圧縮式冷却装
置を用いる方法、冷却水等の媒体を用いた熱交換装置を
用いる方法、冷却用ファン等を用いた熱放出装置を用い
る方法、冷却素子等を用いる方法あるいは上記冷却方法
の組み合わせによるものなど冷却方法が挙げられる。こ
の冷却方法は変換パネルの温度を250〜300゜Ｋに保つ、
より好ましくは270〜300゜Ｋの温度範囲に保つことがで
きるものが望ましい。即ち、これ以上の温度であると、
輝尽性蛍光体の感度が低下するとともに、フェーディン
グが速くなり、読取り操作に困難を来し、これ以下の温
度であると空気中の水分が凝集（結露）し、蛍光体が湿
気を帯びて感度の劣化が生じるからである。 本発明の放射線画像読取装置での読取りに用いる変換
パネルの蛍光体層に使用される輝尽性蛍光体とは、最初
の光若しくは高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により最初の光若しくは高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体というが、このよ
うな蛍光体としては、例えば特開昭55−12145号に記載
されている一般式が （Ba1−xMIIx）FX:yA （但し、MIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも一
つを、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つを、ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも
一つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条
件を満たす数を表わす。）で表される蛍光体、特開昭55
−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yA（但
し、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つ、ＡはIn,T
l,Gd,Sm及びZrのうちのすくなくとも一つであり、ｘ及
びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2
である。）で表される蛍光体、特開昭55−160078号に記
載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但し、MIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくと
も一種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In203,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nd2O5,Ta2O5及びT
hO2のうちの少なくとも一種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも一種であり、
ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも一種であり、ｘ及
びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０≦ｙ≦0.2なる
条件を満たす数である。）で表される希土類元素付活２
価金属フルオロハライド蛍光体及び下記一般式 MIX・aMIIX2′・bMIIIX3″:cA （但し、MIはRbであり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu
及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。
MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,
Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三価
金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれ
る少なくとも一種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びNgから
選ばれる少なくとも一種の金属である。 また、ａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０
≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ＜0.2の範囲
の数値である。）で表されるルビジウムハライド蛍光体
が挙げられる。ルビジウムハライド蛍光体は、蒸着・ス
パッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させるこ
ともでき好ましい。またアルカリ土類弗化ハロゲン価物
蛍光体も好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる
輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。 本発明に係る輝尽励起光用光源としては、ハロゲンラ
ンプ、タングステンランプ、蛍光灯、ナトリウムラン
プ、キセノンランプ、マイクロ波を用いる無電極放電ラ
ンプ或いはレーザ等があげられる。レーザとしてはHe−
Neレーザ、He−Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレ
ーザ、N2レーザ、YAGレーザ及びその第２高調波、ルビ
ーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レ
ーザ等の金属蒸気レーザ等がある。 光源光に輝尽発光スペクトルと重なる部分が含まれて
いる場合には該スペクトル部分をカットするフィルター
を用いることが好ましい。さらに光電変換器には輝尽発
光を通し輝尽励起光をカットするフィルターを併用する
ことが好ましい。 以下、図面に基づいて本発明を説明する。 第２図は本発明の放射線画像読取装置の一例を示す概
略図であり、画像記録部及び画像読取部が一体化した例
である。放射線源101から被写体102に向けて照射された
放射線は被写体102を透過した後、変換パネル103に吸収
され、これに被写体の放射線画像が蓄積記録される。こ
の変換パネル103の輝尽性蛍光体104側表面に向き合う位
置には例えばレーザ光等の励起光を発する励起光源105
と、この励起光源から発せられた励起光を該変換パネル
103の幅方向に操作する、例えばカルバノメータミラー
等の光偏光器106、上記励起光に励起された輝尽性蛍光
体104が発する輝尽発光光を読み取る光検出器107及びこ
の光検出器107に上記輝尽発光光を導く光伝達手段108が
共通の搬送ステージ109上に設けられている。上記光検
出器107は例えば光電子倍増管、光電子増幅のチャンネ
ルプレート等で構成され、光伝達手段108で導かれた輝
尽発光光を光電的に検出する。 また、変換パネル103の蛍光体側表面に対向する位置
には消去用光源110が設けられ、図中の矢印の方向に搬
送ステージ109とともに搬送される。上記消去用光源110
は輝尽性蛍光体104に該蛍光体の励起波長領域を含む光
を発する光源であり、例えば特開昭56−11392号に示さ
れているようなハロゲンランプ、タングステンランプ、
赤外線ランプ、LED或いはレーザ光源等が任意に選択使
用され得る。 前記画像記録部及び画像読取部はハウジング131で覆
い、外部から熱的に密閉され、変換パネルを冷却する手
段132を備えている。該冷却手段132の代表例を第３図
（ａ）〜（ｄ）に概略図として示す。同図（ａ）はハウ
ジング131外に圧縮式冷却装置133を設けた場合である。
この場合はハウジング131内の空気を冷却して変換パネ
ルを冷却するようになっている。同図（ｂ）は前記ハウ
ジング131内の空気を外部冷却装置134によって冷却する
場合である。この外部冷却装置134としては冷却水等の
熱変換媒体を用いたものでもよいし、また、圧縮冷却式
の冷却装置等であってもよい。 同図（ｃ）は変換パネル周辺に冷却素子137を臨接さ
せたものである。同図（ｄ）は前記ハウジング131内をH
e,Ne,Ar等の不活性ガス又はN2などその他の乾燥した低
温ガス138で満たしたものである。 前記冷却手段132は前記した装置あるいはこれ以外の
装置による場合でも前記変換パネルの温度を300゜Ｋ以
下に冷却するものであることが好ましい。 上記実施例において、被写体102が変換パネル103と放
射線源101との間に配された後、放射線源101が点灯され
ると、変換パネル103の輝尽性蛍光体104に被写体102の
透過放射線画像が記録蓄積される。この後、変換パネル
103をレーザ等の輝尽励起光源により走査し、輝尽性蛍
光体104が発する輝尽光を光検出器107のスイッチをオン
にして光伝達手段108を介して光検出器107により検出す
る。この際、搬送ステージ109は上方から下方に副走査
されるパネル103全体の輝尽発光を検出する。この時系
列化された輝尽発光の電気信号は増幅器111で増幅され
てから記憶手段113へ送られる。 放射線照射時以後変換パネルは前記冷却手段132によ
り300゜Ｋ以下の温度に冷却されるため、輝尽発光強度
のフェーディングを制御することができ、画像読取時の
読取信号を増大し、信号の補正を容易にする。また、そ
の他の効果として読取信号が増大することにより被写体
102の被曝線量を減少させ得る。いま、蛍光体としてRbB
r:2×10-4Tlを用いて作製した変換パネルを各種温度に
保ち、そこに放射線を照射したのち輝尽励起光を照射し
たさいに生じる輝尽発光強度とフェーディング量を測定
した結果を表１に示す。この結果から、パネル温度が28
0〜320゜Ｋまでは発光強度の違いはほとんどないが320
゜Ｋ以上になると減少しはじめ350゜Ｋでは300゜Ｋの約
70％の発光強度となることがわかる。また、フェーディ
ング量はパネル温度が上がるほど大きくなり、特に310
゜Ｋ以上では著しく大きくなる。これらの結果よりパネ
ルを冷却して280゜Ｋにすると、フェーディング量は298
゜Ｋ（室温）に比べて約30％も小さくなることがわか
る。
ド螢光体層またはアルカリ土類沸化金属螢光体層を有す
る放射線画像変換パネルに放射線を照射して放射線画像
情報を蓄積記録し、該放射線画像変換パネルに輝尽励起
光を照射して前記蓄積記録されている放射線画像情報を
読み取る放射線画像読取方法であって、前記読取時の前
記放射線画像変換パネルを250〜300゜Ｋに冷却すること
を特徴とする放射線画像情報読取方法によって及び前記
放射線画像変換パネルを250〜300゜Ｋに冷却する手段を
有する放射線画像読取装置によって満足させられる。 尚、本発明の態様として前記変換パネルの冷却は放射
線照射以前に行うことが好ましい。また変換パネルの冷
却温度は300゜Ｋ以下であることが好ましく、さらに好
ましくは変換パネルは250〜300゜Ｋの温度範囲に保持さ
れることが望ましい。 本発明の装置における冷却手段としては圧縮式冷却装
置を用いる方法、冷却水等の媒体を用いた熱交換装置を
用いる方法、冷却用ファン等を用いた熱放出装置を用い
る方法、冷却素子等を用いる方法あるいは上記冷却方法
の組み合わせによるものなど冷却方法が挙げられる。こ
の冷却方法は変換パネルの温度を250〜300゜Ｋに保つ、
より好ましくは270〜300゜Ｋの温度範囲に保つことがで
きるものが望ましい。即ち、これ以上の温度であると、
輝尽性蛍光体の感度が低下するとともに、フェーディン
グが速くなり、読取り操作に困難を来し、これ以下の温
度であると空気中の水分が凝集（結露）し、蛍光体が湿
気を帯びて感度の劣化が生じるからである。 本発明の放射線画像読取装置での読取りに用いる変換
パネルの蛍光体層に使用される輝尽性蛍光体とは、最初
の光若しくは高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により最初の光若しくは高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体というが、このよ
うな蛍光体としては、例えば特開昭55−12145号に記載
されている一般式が （Ba1−xMIIx）FX:yA （但し、MIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも一
つを、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つを、ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも
一つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条
件を満たす数を表わす。）で表される蛍光体、特開昭55
−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yA（但
し、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つ、ＡはIn,T
l,Gd,Sm及びZrのうちのすくなくとも一つであり、ｘ及
びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2
である。）で表される蛍光体、特開昭55−160078号に記
載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但し、MIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくと
も一種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In203,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nd2O5,Ta2O5及びT
hO2のうちの少なくとも一種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも一種であり、
ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも一種であり、ｘ及
びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０≦ｙ≦0.2なる
条件を満たす数である。）で表される希土類元素付活２
価金属フルオロハライド蛍光体及び下記一般式 MIX・aMIIX2′・bMIIIX3″:cA （但し、MIはRbであり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu
及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。
MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,
Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三価
金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれ
る少なくとも一種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びNgから
選ばれる少なくとも一種の金属である。 また、ａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０
≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ＜0.2の範囲
の数値である。）で表されるルビジウムハライド蛍光体
が挙げられる。ルビジウムハライド蛍光体は、蒸着・ス
パッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させるこ
ともでき好ましい。またアルカリ土類弗化ハロゲン価物
蛍光体も好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる
輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。 本発明に係る輝尽励起光用光源としては、ハロゲンラ
ンプ、タングステンランプ、蛍光灯、ナトリウムラン
プ、キセノンランプ、マイクロ波を用いる無電極放電ラ
ンプ或いはレーザ等があげられる。レーザとしてはHe−
Neレーザ、He−Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレ
ーザ、N2レーザ、YAGレーザ及びその第２高調波、ルビ
ーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レ
ーザ等の金属蒸気レーザ等がある。 光源光に輝尽発光スペクトルと重なる部分が含まれて
いる場合には該スペクトル部分をカットするフィルター
を用いることが好ましい。さらに光電変換器には輝尽発
光を通し輝尽励起光をカットするフィルターを併用する
ことが好ましい。 以下、図面に基づいて本発明を説明する。 第２図は本発明の放射線画像読取装置の一例を示す概
略図であり、画像記録部及び画像読取部が一体化した例
である。放射線源101から被写体102に向けて照射された
放射線は被写体102を透過した後、変換パネル103に吸収
され、これに被写体の放射線画像が蓄積記録される。こ
の変換パネル103の輝尽性蛍光体104側表面に向き合う位
置には例えばレーザ光等の励起光を発する励起光源105
と、この励起光源から発せられた励起光を該変換パネル
103の幅方向に操作する、例えばカルバノメータミラー
等の光偏光器106、上記励起光に励起された輝尽性蛍光
体104が発する輝尽発光光を読み取る光検出器107及びこ
の光検出器107に上記輝尽発光光を導く光伝達手段108が
共通の搬送ステージ109上に設けられている。上記光検
出器107は例えば光電子倍増管、光電子増幅のチャンネ
ルプレート等で構成され、光伝達手段108で導かれた輝
尽発光光を光電的に検出する。 また、変換パネル103の蛍光体側表面に対向する位置
には消去用光源110が設けられ、図中の矢印の方向に搬
送ステージ109とともに搬送される。上記消去用光源110
は輝尽性蛍光体104に該蛍光体の励起波長領域を含む光
を発する光源であり、例えば特開昭56−11392号に示さ
れているようなハロゲンランプ、タングステンランプ、
赤外線ランプ、LED或いはレーザ光源等が任意に選択使
用され得る。 前記画像記録部及び画像読取部はハウジング131で覆
い、外部から熱的に密閉され、変換パネルを冷却する手
段132を備えている。該冷却手段132の代表例を第３図
（ａ）〜（ｄ）に概略図として示す。同図（ａ）はハウ
ジング131外に圧縮式冷却装置133を設けた場合である。
この場合はハウジング131内の空気を冷却して変換パネ
ルを冷却するようになっている。同図（ｂ）は前記ハウ
ジング131内の空気を外部冷却装置134によって冷却する
場合である。この外部冷却装置134としては冷却水等の
熱変換媒体を用いたものでもよいし、また、圧縮冷却式
の冷却装置等であってもよい。 同図（ｃ）は変換パネル周辺に冷却素子137を臨接さ
せたものである。同図（ｄ）は前記ハウジング131内をH
e,Ne,Ar等の不活性ガス又はN2などその他の乾燥した低
温ガス138で満たしたものである。 前記冷却手段132は前記した装置あるいはこれ以外の
装置による場合でも前記変換パネルの温度を300゜Ｋ以
下に冷却するものであることが好ましい。 上記実施例において、被写体102が変換パネル103と放
射線源101との間に配された後、放射線源101が点灯され
ると、変換パネル103の輝尽性蛍光体104に被写体102の
透過放射線画像が記録蓄積される。この後、変換パネル
103をレーザ等の輝尽励起光源により走査し、輝尽性蛍
光体104が発する輝尽光を光検出器107のスイッチをオン
にして光伝達手段108を介して光検出器107により検出す
る。この際、搬送ステージ109は上方から下方に副走査
されるパネル103全体の輝尽発光を検出する。この時系
列化された輝尽発光の電気信号は増幅器111で増幅され
てから記憶手段113へ送られる。 放射線照射時以後変換パネルは前記冷却手段132によ
り300゜Ｋ以下の温度に冷却されるため、輝尽発光強度
のフェーディングを制御することができ、画像読取時の
読取信号を増大し、信号の補正を容易にする。また、そ
の他の効果として読取信号が増大することにより被写体
102の被曝線量を減少させ得る。いま、蛍光体としてRbB
r:2×10-4Tlを用いて作製した変換パネルを各種温度に
保ち、そこに放射線を照射したのち輝尽励起光を照射し
たさいに生じる輝尽発光強度とフェーディング量を測定
した結果を表１に示す。この結果から、パネル温度が28
0〜320゜Ｋまでは発光強度の違いはほとんどないが320
゜Ｋ以上になると減少しはじめ350゜Ｋでは300゜Ｋの約
70％の発光強度となることがわかる。また、フェーディ
ング量はパネル温度が上がるほど大きくなり、特に310
゜Ｋ以上では著しく大きくなる。これらの結果よりパネ
ルを冷却して280゜Ｋにすると、フェーディング量は298
゜Ｋ（室温）に比べて約30％も小さくなることがわか
る。
以上説明したように、この発明は輝尽発光が特定の温
度範囲例えば極低温に限られることのない常温で輝尽発
光する輝尽性蛍光体層を用いており、従って技術的、コ
スト的に実用価値と高いまた良質の放射線画像情報を得
る放射線画像読取方法及び装置を提供することができ
る。即ち該方法において、前記変換パネルを冷却する程
度はたかだか250〜300゜Ｋであり、冷却技術には何の困
難もなく、しかもその冷却によって、輝尽性蛍光体の熱
による感度低下およびフェーディング自体を制御でき、
その結果として蓄積記録量を増大することが可能となる
という優れた効果を奏することができる。
度範囲例えば極低温に限られることのない常温で輝尽発
光する輝尽性蛍光体層を用いており、従って技術的、コ
スト的に実用価値と高いまた良質の放射線画像情報を得
る放射線画像読取方法及び装置を提供することができ
る。即ち該方法において、前記変換パネルを冷却する程
度はたかだか250〜300゜Ｋであり、冷却技術には何の困
難もなく、しかもその冷却によって、輝尽性蛍光体の熱
による感度低下およびフェーディング自体を制御でき、
その結果として蓄積記録量を増大することが可能となる
という優れた効果を奏することができる。
第１図は輝尽性蛍光体の画像信号（例えば輝尽発光強
度）の減衰を示す図、第２図は本発明の放射線画像読取
装置の一例を示す概略図、第３図（ａ）〜（ｄ）は冷却
手段の代表例を示す概略図である。 101……放射線源、107……光検出器、 102……被写体、108……光伝達手段、 103……変換パネル、109……搬送ステージ、 104……輝尽性蛍光体、110……消去用電源、 105……励起光源、131……ハウジング、 106……偏光器。
度）の減衰を示す図、第２図は本発明の放射線画像読取
装置の一例を示す概略図、第３図（ａ）〜（ｄ）は冷却
手段の代表例を示す概略図である。 101……放射線源、107……光検出器、 102……被写体、108……光伝達手段、 103……変換パネル、109……搬送ステージ、 104……輝尽性蛍光体、110……消去用電源、 105……励起光源、131……ハウジング、 106……偏光器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 文生 日野市さくら町１番地 小西六写真工業 株式会社内 合議体 審判長 石井 勝徳 審判官 川上 義行 審判官 吉野 公夫 (56)参考文献 特開 昭61−123829（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34490（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−99134（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−99136（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−14786（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルに放射線を照射して放射線画像情報を蓄積記録する
画像記録部と、前記放射線画像変換パネルに輝尽励起光
を照射して前記輝尽性蛍光体層に蓄積記録されている前
記放射線画像情報を読み取る画像読取部とを一体化して
設けている放射線画像読取装置において、 前記輝尽性蛍光体層を常温で輝尽発光を示すルビジウム
ハライド蛍光体層、希土類元素付活２価金属フルオロハ
ライド蛍光体層またはアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍
光体層とし、前記放射線画像読取装置内の気体を冷却す
ることにより、前記放射線の照射から前記放射線画像情
報の読み取りまでの間、前記放射線画像変換パネルを25
0〜300゜Ｋに冷却する手段を有することを特徴とする放
射線画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62013871A JP2521452B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 放射線画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62013871A JP2521452B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 放射線画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63180941A JPS63180941A (ja) | 1988-07-26 |
| JP2521452B2 true JP2521452B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=11845297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62013871A Expired - Lifetime JP2521452B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 放射線画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521452B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229717A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Fujitsu General Ltd | 固体表示装置の製造方法およびその装置を用いたプロジェクションシステム |
| JPH0229716A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Fujitsu General Ltd | 固体表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134490A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出装置 |
| JPS6199134A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蓄積性螢光体シ−ト用消去ユニツト |
| JPS6199136A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蓄積性螢光体シ−ト用消去ユニツト |
| JPS61123829A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-11 | Hitachi Ltd | 放射線画像情報読取装置 |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP62013871A patent/JP2521452B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63180941A (ja) | 1988-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
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