JP2519730B2 - 太陽センサ - Google Patents

太陽センサ

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JP2519730B2
JP2519730B2 JP62168023A JP16802387A JP2519730B2 JP 2519730 B2 JP2519730 B2 JP 2519730B2 JP 62168023 A JP62168023 A JP 62168023A JP 16802387 A JP16802387 A JP 16802387A JP 2519730 B2 JP2519730 B2 JP 2519730B2
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sun
tan
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slit
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JP62168023A
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聡 赤羽
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、例えば、人工衛星の姿勢制御,太陽電池
パドルの制御等に用いられる太陽センサに関する。
(従来の技術) 一般に、この種の太陽センサは、第4図に示すよう
に、略直角三角形状の一対の太陽電池素子等の光電素子
1,2を組合わせ配置し、この光電素子1,2に対してスリッ
ト板3のスリット3aが対向配置されている。そして、こ
のような太陽センサは、太陽光10が基準軸11に対してΘ
の太陽角で照射されると、光電素子1,2に太陽像12が結
像されて、該光電素子1,2が出力A,Bの電圧を発生する。
そして、この出力A,Bは例えば加算器,減算器,除算器
等で構成される図示しない信号処理系に導かれて、 C=(A−B)/(A+B) の演算が実施されて太陽角信号Cが生成される。この太
陽角信号Cは非感度軸角β(スリット方向の入射角)の
値によらず、感度軸α(スリットに対して略直交する方
向の入射角)により決定される。
一方、この太陽角信号Cは C=D・tanΘ(ただし、Dは光電素子の形状や効率、
除算器の特性で決まる定数とする。) の式で表される値に対応されることで、Θ≒tanΘで近
似されうる角度範囲でのみ太陽角信号として用いられ
る。
ところが、上記太陽センサでは、その方式上、太陽角
信号Cが、例えばΘ=20°の場合、絶対値で、4.3%、
出力増加率(スケールファクタ)で13.2%の誤差を有す
るので、Θ≒tanΘとする近似誤差の補正を信号処理回
路(図示せず)で実施する場合には、上記信号処理系の
構成が非常に複雑となるものであった。
(発明が解決しようとする問題点) 以上述べたように、従来の太陽センサでは、太陽角信
号にΘ≒tanΘの近似誤差を含んでいるため、その補正
を行なう場合には、信号処理系の構成が複雑となるもの
であった。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、構成
簡易にして、Θ≒tanΘの近似誤差の補正の確実化を実
現して、可及的に太陽角検出精度の向上を図り得るよう
にした太陽センサを提供することを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) この発明は略三角形状の一対の光電素子を組合わせ配
置し、この光電素子に対してスリット板のスリットを対
向配置してなる太陽センサにおいて、前記光電素子にta
n-1xの曲線を有したマスクパターンを形成し、太陽角Θ
に対してtanΘとなるのを補正するように構成したもの
である。
(作用) 上記構成によれば、太陽角Θで入射した太陽光は前記
マスクパターンに照射されてtanΘが相殺されて補正さ
れ、太陽角信号が太陽角Θにのみ比例する。従って、従
来のように、近似誤差の補正手段を設けることがなくな
るため、信号処理系の簡略化が実現する。
(実施例) 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳
細に説明する。
第1図はこの発明の一実施例に係る太陽センサを示す
もので、略直角三角形状の一対の光電素子20,21が組合
わせ配置される。この光電素子20,21には、その太陽光
照射部、例えば傾斜面に、第2図に示すようなtan-1xの
関数の曲線を有するようにマスクパターン20a,21aが対
向して形成されており、その上方にはスリット板22が所
定の間隔hを有して対向配置される。このスリット板22
には幅寸法Wの太陽光入射用のスリット22aが上記光電
素子20,21の面と平行な面内におかれ、更に、基準軸11
に平行な入射光10がスリット22aを通ってできる太陽像
が光電素子20,21の横軸に対して略直交するように形成
されている。なお、上記光電素子20,21としては、例え
ば、太陽電池素子が用いられる。
上記マスクパターン20a,21aは第3図に示すように、
横軸を太陽光10の照射される位置xとし、縦軸をy=ta
n-1xとし、太陽センサの最大線形視野角をαとすると、
γ=h・tanαとなり、光電素子20,21の形状や寸法で定
まる定数をEとすると、一方の光電素子20が の式で表される曲線に形成される。他方の光電素子21は の式で表される曲線に形成される。
上記構成において、第2図に示すように、光電素子2
0,21に対して太陽光10が照射されて、太陽像12が結像さ
れると、該光電素子20,21は、非感度軸により定まる素
子の能率をFとすると、各出力A′,B′が となる。この際、太陽光10の照射位置xは太陽角Θの関
数として x=h・tanθ の式により表される。しかして、上記光電素子20,21の
各出力A′,B′は となり、従来のように信号処理系で(A′−B′)/
(A′+B′)の演算を行なうと、 となり、 が考慮された感度軸方向の太陽角Θに比例した出力のみ
が得られる。
このように、上記太陽センサは、光電素子20,21の傾
斜部にtan-1xの曲線を有したマスクパターン20a,21aを
形成し、太陽角Θに対してtanΘとなるのを補正するよ
うに構成した。これにより、信号処理系としては、従来
のようなΘ≒tanΘの近似誤差を補正するための手段を
備えなくて済むために、可及的に構成の簡略化が実現す
る。
なお、上記実施例では、マスクパターン20a,21aを略
直角三角形状の光電素子20,21の傾斜部に形成するよう
に構成したが、これに限ることなく、光電素子20,21の
太陽光照射部に形成することで、同様の効果を期待でき
る。
また、上記実施例では、光電素子20,21を略直角三角
形状に形成したが、この形状に限ることなく、適用可能
なものである。よって、この発明は上記実施例に限るこ
となく、その他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形を実施し得ることは勿論のことである。
[発明の効果] 以上詳述したように、この発明によれば、構成簡易に
して、Θ≒tanΘの近似誤差の補正の確実化を実現し
て、可及的に太陽角検出精度の向上を図り得るようにし
た太陽センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係る太陽センサを示す構
成図、第2図は第1図の光電素子の詳細を示す図、第3
図は第2図のマスクパターンを示す図、第4図は従来の
太陽センサを示す構成図である。 10……太陽光、11……基準軸、12……太陽像、20,21…
…光電素子、20a,21a……マスクパターン、22……スリ
ット板、22a……スリット。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】略三角形状の一対の光電素子を組合わせ配
    置し、この光電素子に対してスリット板のスリットを対
    向配置してなる太陽センサにおいて、前記光電素子にta
    n-1xの曲線を有したマスクパターンを形成し、太陽角Θ
    に対してtanΘとなるのを補正し、太陽角Θに比例した
    出力が得られるように構成したことを特徴とする太陽セ
    ンサ。
JP62168023A 1987-07-06 1987-07-06 太陽センサ Expired - Lifetime JP2519730B2 (ja)

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