SU1145847A1 - Способ коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии - Google Patents

Abstract

СПОСОБ КОРРЕКЦИИ ЭКСПОЗИЦИИ ПРИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение реэиста на подложку , экспонирование тестовой структуры , про вление резиста и определение доз экспонировани , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  точности и упрощени  процесса, экспонирование провод т с линейнонарастающей дозой до получени  тестовой структуры пр моугольной формы, после чего экспонируют по пр моугольной структуре пр мую линию с размером не более 0,1 мкм и с посто нной дозой. (Л

Description

4i

сл

00 4йь Изобретение относитс  к электронНОР технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов. Известен способ коррекции экспозиции , основанньй на определении фун кции рассени  электронов, включающий нанесение на подложку резиста,экспонирование пучком электронов Структуры в виде квадратов с различной длиной стороны,про вление резиста,причем экспонирование провод т множество раз,варьиру  дозу экспонировани , а после про влени  резиста определ ют дозы, при которых квадраты каждого вида про вились до подложки, и по найденным данным стро т кривую рассе ни  электронов. Недостатком этого метода  вл етс  невысока  точность. Наиболее близок способ, включающий нанесение резиста на подложку, экспонирование тестовой структуры из множества р дов одинаковых квадратов на большом рассто нии друг от жруга, с увеличением дозы экспониро вани  от р да к р ду в 1,044 раза, про вление резиста и определение до экспонировани , при которых в точка между квадратами и между р дами ква ратов резист про вилс  до подложки,пос ле чего на основании этих данных провод т расчет параметров функции рассе ни Данный способ исходит из даданного аппроксимированного вида функту и рассе ни  и позвол ет найти параметры аппроксимации, к тому же обладает высокой сложностью и ме//остаточной точностью. Целью изобретени   вл етс  увеличение точности и упрощение процесса Цель достигаетс  тем, что в известном способе коррек1.щи экспозиции при электронно-лучевой литографии, включающем нанесение резиста на подложку , экспонирование тестовой струк- 50

туры, про вление резиста, и определение доз экспонировани  5 экспонирование провод т с линейно нарастающей дозой до получени  тес уовой структуры пр моугольной формы, после чего экспонируют по пр моугольной структуре пр мую линию с размером не более 0,1 мкм и с посто нной дозой.

. понируют пр мую линию с дозой облучени  2,8-10 к/см , Рассто ние между метками 10 мкм соответствует увеличению дозы на 8,8 . Ширина клина экспозиции 20 мкм, длина 300 мкм, ширина линии О,1 мкм. Резист про вл ли в смеси МЭК: ИПС 1:3 в течение 50 с. Поскольку в резисте происходит сложение формы, то дл  экспонировани  линии и клина экспозиции, образуемого при экспонировании тестовой структуры пр моугольной формы, то после про влени  граница резиста (лини  с суммарной дозой облучени  До, необходимой дл  про влени  резиста до подложки) представл ет собой  вный вид функции рассе ни  электронов. Дл  удобства определени  численного значени  величины дозы экспонировани  р дом с клином экспонируют метки отсчета. Точность полученной функции рассе ни  при посто нных услови х нанесени  резиста и пр влени  определ етс  точностью измерени  дозы экспонировани  и разрешением резиста и не зависит от конкретного закона нарастани  дозы при экспонировании пр моугольной тестовой структуры, поскольку при его изменении мен етс  только масштаб получаемого рисун1 :а. Ограничение на размер экспонируемой пр мой линии в 0,1 мкм определ етс  нагл дностью получаемой картины. 3kcперимента-пьно установлено, что наиболее приемлемыми размерами линии  вл етс  0,1 мкм и менее. При данном способе экспонировани  полученна  функци  представл ет собой функцию рассе ни  линии, что упрощает определение скорректированных доз экспонирова ш . Например, при расчете доз периодических структур двумерна  задача коррекции сводитс  к одномерной. Пример. На кремниевую подложку нанос т резист ЭЛП-40 толщиной 0,3 мкм. Электронным лучом с энергией 30 кэВ экспонируют тестовую струк-, уру пр моугольной формы, вдоль большей стороны которой доза экспонировани  линейно увеличиваетс  от О до величины Д 2,8-10 к/см , образу , таким образом, пр моугольный клин экспозиции. По клину экспозиции вдоль большей его стороны экс311458474

Таким образом, полученный способ функции рассе ни  электронов, в репозвол ет корректировать экспозицию зультате чего точность врзрастает на основе полученной в  вном виде при одновременном упрощении процесса

Claims (1)

1. СПОСОБ КОРРЕКЦИИ ЭКСПОЗИЦИИ ПРИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение резиста на подложку, экспонирование тестовой структуры, проявление резиста и определе ние доз экспонирования, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности и упрощения процесса, экспонирование проводят с линейнонарастающей дозой до получения тестовой структуры прямоугольной формы, после чего экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой.

   1 145847