JP2516166Y2 - 共振器 - Google Patents
共振器Info
- Publication number
- JP2516166Y2 JP2516166Y2 JP1987122723U JP12272387U JP2516166Y2 JP 2516166 Y2 JP2516166 Y2 JP 2516166Y2 JP 1987122723 U JP1987122723 U JP 1987122723U JP 12272387 U JP12272387 U JP 12272387U JP 2516166 Y2 JP2516166 Y2 JP 2516166Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- distance
- wavelength
- resonator
- surface acoustic
- Prior art date
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は，弾性表面波を用いた共振器に関するもの
である。
である。
第３図は，例えば，「IEEE 1976 Ultrasonics Sympos
ium Proceedings,pp.260-265」に示された従来のこの種
の弾性表面波を用いた共振器の構造図である。図中，
（１）は電気信号と弾性表面波との変換を行うすだれ状
電極，（２）は弾性表面波の反射器である。これらの素
子は，圧電体基板（３）上に，フオトエツチング等によ
り形成される。反射器（２）は，金属ストリツプ（４）
や浅い溝（４）を周期的に配列してなつている。そこで
配列ピツチが約２分の１波長となる周波波では，各金属
ストリツプ（４）あるいは各溝（４）から微小に反射さ
れる弾性表面波は，同相で加わるので，全体として強い
反射が生じる。また，（５）はリード線である。
ium Proceedings,pp.260-265」に示された従来のこの種
の弾性表面波を用いた共振器の構造図である。図中，
（１）は電気信号と弾性表面波との変換を行うすだれ状
電極，（２）は弾性表面波の反射器である。これらの素
子は，圧電体基板（３）上に，フオトエツチング等によ
り形成される。反射器（２）は，金属ストリツプ（４）
や浅い溝（４）を周期的に配列してなつている。そこで
配列ピツチが約２分の１波長となる周波波では，各金属
ストリツプ（４）あるいは各溝（４）から微小に反射さ
れる弾性表面波は，同相で加わるので，全体として強い
反射が生じる。また，（５）はリード線である。
さて，一方のすだれ状電極（２）に，高周波電気信号
を印加すると，弾性表面波が励振される。励振された弾
性表面波は,2つの反射器（２）間で多重反射をくり返
し，共振が生じる。そこで他方のすだれ状電極（２）に
より，弾性表面波を受波すれば，共振している周波数に
おいてのみ受信電力レベルが高くなり，極めて狭帯域な
周波数特性が得られる。
を印加すると，弾性表面波が励振される。励振された弾
性表面波は,2つの反射器（２）間で多重反射をくり返
し，共振が生じる。そこで他方のすだれ状電極（２）に
より，弾性表面波を受波すれば，共振している周波数に
おいてのみ受信電力レベルが高くなり，極めて狭帯域な
周波数特性が得られる。
ところで，従来のこの種の弾性表面波共振器では，上
記文献中の図１および表１に示されているように，波長
をλ０で表わし,nを整数とすると２つのすだれ状電極
（１）の間の距離Ｇは，λ0/4＋ｎλ0/2に選ばれてい
た。さらに，すだれ状電極（１）と反射器（２）との間
の距離Ｌは，第３図中のA-A′面から反射器（２）をみ
こんだときの反射係数の位相が０°の場合には,3λ0/8
＋ｎλ0/2に選ばれ，逆に上記位相が180°の場合には，
λ0/8＋ｎλ0/2に選ばれていた。第３図では，後者の場
合を図示している。
記文献中の図１および表１に示されているように，波長
をλ０で表わし,nを整数とすると２つのすだれ状電極
（１）の間の距離Ｇは，λ0/4＋ｎλ0/2に選ばれてい
た。さらに，すだれ状電極（１）と反射器（２）との間
の距離Ｌは，第３図中のA-A′面から反射器（２）をみ
こんだときの反射係数の位相が０°の場合には,3λ0/8
＋ｎλ0/2に選ばれ，逆に上記位相が180°の場合には，
λ0/8＋ｎλ0/2に選ばれていた。第３図では，後者の場
合を図示している。
しかしながら，考案者らの実験によると，従来のよう
な距離G,Lを用いたのでは，周波数応答に表われるスプ
リアスレベルが高いことが判明した。例えば、第４図
は，圧電体基板（３）としてSTカツト水晶を用い，反射
器（２）の反射係数の位相が180°となるアルミニウム
ストリツプ（４）を用いて反射器（２）を構成し，従来
のように，すだれ状電極（１）間の距離Ｇをλ0/4,すだ
れ状電極（１）と反射器（２）間の距離Ｌを５λ0/8に
選んで製作した共振器の通過電力の周波数特性を測定し
た結果である。この図から明らかなように共振周波数f0
より低めの周波数f1にスプリアス共振が生じており，主
共振周波数f0とのレベル差が6dBしかない。
な距離G,Lを用いたのでは，周波数応答に表われるスプ
リアスレベルが高いことが判明した。例えば、第４図
は，圧電体基板（３）としてSTカツト水晶を用い，反射
器（２）の反射係数の位相が180°となるアルミニウム
ストリツプ（４）を用いて反射器（２）を構成し，従来
のように，すだれ状電極（１）間の距離Ｇをλ0/4,すだ
れ状電極（１）と反射器（２）間の距離Ｌを５λ0/8に
選んで製作した共振器の通過電力の周波数特性を測定し
た結果である。この図から明らかなように共振周波数f0
より低めの周波数f1にスプリアス共振が生じており，主
共振周波数f0とのレベル差が6dBしかない。
また反射係数の位相が０°となる溝（４）から反射器
（２）を構成し，すだれ状電極（１）間の距離Ｇをλ0/
4,すだれ状電極（１）と反射器（２）間の距離Ｌを３λ
0/8に選んで製作した共振器の通過電力の周波数特性に
おいても，同様にレベルの高いスプリアス共振が生じ
る。
（２）を構成し，すだれ状電極（１）間の距離Ｇをλ0/
4,すだれ状電極（１）と反射器（２）間の距離Ｌを３λ
0/8に選んで製作した共振器の通過電力の周波数特性に
おいても，同様にレベルの高いスプリアス共振が生じ
る。
この考案は，上記のような問題点を解消するためにな
されたもので，スプリアスレベルの低い弾性表面波共振
器を得ることを目的とする。
されたもので，スプリアスレベルの低い弾性表面波共振
器を得ることを目的とする。
この考案に係る共振器は，すだれ状電極（１）間の距
離Ｇを，約８分の１波長と半波長の整数倍との和に選
び，またすだれ状電極（１）と反射器（２）との間の距
離Ｌを，反射器（２）の反射係数の位相が０度の場合に
は，約８分の３波長と半波長との整数倍との和に，一
方，上記位相が180度の場合には，約４の１波長と半波
長の整数倍との和に選ぶようにしたものである。すだれ
状電極間の距離と，すだれ状電極（１）と反射器（２）
間の距離とを決定すると，第３図の右側の反射器と左側
の反射器との間の距離が半波長の整数倍からずれること
がある。このずれによってこの共振器のＱと帯域とが定
められる。
離Ｇを，約８分の１波長と半波長の整数倍との和に選
び，またすだれ状電極（１）と反射器（２）との間の距
離Ｌを，反射器（２）の反射係数の位相が０度の場合に
は，約８分の３波長と半波長との整数倍との和に，一
方，上記位相が180度の場合には，約４の１波長と半波
長の整数倍との和に選ぶようにしたものである。すだれ
状電極間の距離と，すだれ状電極（１）と反射器（２）
間の距離とを決定すると，第３図の右側の反射器と左側
の反射器との間の距離が半波長の整数倍からずれること
がある。このずれによってこの共振器のＱと帯域とが定
められる。
第３図の場合はこのずれを０にしているからＱが最大
になるが，スプリアス周波数が近接した位置に生ずると
いう問題がある。
になるが，スプリアス周波数が近接した位置に生ずると
いう問題がある。
また，圧電体基板（３）上に生成される定在波振動の
ピーク値は，ほぼ各ストリップ又は溝（４）の直上に生
成される。従って，すだれ状電極（１）と反射器（２）
間の距離はこの定在波振動のどの位相点にすだれ状電極
（１）を結合するかを決定する。この結合点の変化によ
ってスプーリアスを調整することができる。
ピーク値は，ほぼ各ストリップ又は溝（４）の直上に生
成される。従って，すだれ状電極（１）と反射器（２）
間の距離はこの定在波振動のどの位相点にすだれ状電極
（１）を結合するかを決定する。この結合点の変化によ
ってスプーリアスを調整することができる。
この考案による共振器では，すだれ状電極（１）間の
距離Ｇと，すだれ状電極（１）と反射器（２）間の距離
Ｌを，従来とは異なつた値に選ぶことにより，スプリア
スレベルの低減を図ることができる。
距離Ｇと，すだれ状電極（１）と反射器（２）間の距離
Ｌを，従来とは異なつた値に選ぶことにより，スプリア
スレベルの低減を図ることができる。
以下、この考案の一実施例を第１図を用いて説明す
る。第１図において，（１）と（２）はそれぞれ従来と
同様のすだれ状電極および反射器である。また（３）は
圧電体基板，（５）はリード線である。しかし，従来の
共振器とは異なり，すだれ状電極（１）間の距離Ｇは，
約８分の１波長と半波長の整数倍との和に選んでいる。
る。第１図において，（１）と（２）はそれぞれ従来と
同様のすだれ状電極および反射器である。また（３）は
圧電体基板，（５）はリード線である。しかし，従来の
共振器とは異なり，すだれ状電極（１）間の距離Ｇは，
約８分の１波長と半波長の整数倍との和に選んでいる。
第１図では，反射器（２）の反射係数の位相が180度
の場合を示しており，すだれ状電極（１）と反射器
（２）との間の距離Ｌは,4分の１波長と半波長の整数倍
との和に選んでいる。
の場合を示しており，すだれ状電極（１）と反射器
（２）との間の距離Ｌは,4分の１波長と半波長の整数倍
との和に選んでいる。
第２図は，圧電体基板（３）としてSTカツト水晶を用
い，すだれ状電極（１）間の距離Ｇを５λ0/8とし，す
だれ状電極（１）と反射器（２）との間の距離Ｌをλ0/
4とし，反射器（２）をアルミニウムストリツプ（４）
を用いて構成した共振器を製作し，通過電力の周波数特
性を測定した結果である。第４図に示した従来の共振器
の同様の実験結果とを比べると，主共振周波数f0より低
めの周波数において現われていたスプリアスが，第２図
では現われていない。すだれ状電極（１）間の距離Ｇを
５λ0/8とし，反射器（２）を溝（４）から構成し，反
射器（２）とすだれ状電極（１）との間の距離Ｌを３λ
0/8に選んだ共振器についても製作し，その周波数特性
を測定したところ，第２図と同様に主共振から低周波例
には，レベルの高いスプリアスは現われなかつた。
い，すだれ状電極（１）間の距離Ｇを５λ0/8とし，す
だれ状電極（１）と反射器（２）との間の距離Ｌをλ0/
4とし，反射器（２）をアルミニウムストリツプ（４）
を用いて構成した共振器を製作し，通過電力の周波数特
性を測定した結果である。第４図に示した従来の共振器
の同様の実験結果とを比べると，主共振周波数f0より低
めの周波数において現われていたスプリアスが，第２図
では現われていない。すだれ状電極（１）間の距離Ｇを
５λ0/8とし，反射器（２）を溝（４）から構成し，反
射器（２）とすだれ状電極（１）との間の距離Ｌを３λ
0/8に選んだ共振器についても製作し，その周波数特性
を測定したところ，第２図と同様に主共振から低周波例
には，レベルの高いスプリアスは現われなかつた。
なお，第１図では，すだれ状電極（１）として各電極
指の長さが一定，すなわち，重み付けを施していない場
合について示したが，この考案はこれに限らず，すだれ
状電極（１）として，電極指の長さ等に重み付けしたも
のを用いてもよい。この場合，主共振周波数より高周波
側で表われる高次横モードによるスプリアスを抑圧でき
ることは，よく知られたことである。
指の長さが一定，すなわち，重み付けを施していない場
合について示したが，この考案はこれに限らず，すだれ
状電極（１）として，電極指の長さ等に重み付けしたも
のを用いてもよい。この場合，主共振周波数より高周波
側で表われる高次横モードによるスプリアスを抑圧でき
ることは，よく知られたことである。
以上のように，この考案によれば，すだれ状電極
（１）間の距離Ｇを，約８分の１波長と半波長の整数倍
との和とし，すだれ状電極（１）と反射器（２）間の距
離Ｌを，反射器（２）の反射係数の位相が180度の場合
には，約４分の１波長と半波長の整数倍の和とし，一方
上記位相が０度の場合には，約８分の３波長と半波長の
整数倍の和とすることにより従来の共振器に比べ，スプ
リアスレベルを低減できる利点がある。
（１）間の距離Ｇを，約８分の１波長と半波長の整数倍
との和とし，すだれ状電極（１）と反射器（２）間の距
離Ｌを，反射器（２）の反射係数の位相が180度の場合
には，約４分の１波長と半波長の整数倍の和とし，一方
上記位相が０度の場合には，約８分の３波長と半波長の
整数倍の和とすることにより従来の共振器に比べ，スプ
リアスレベルを低減できる利点がある。
第１図はこの考案の一実施例による共振器の構造図，第
２図はこの考案に係る共振器の特性図例，第３図は従来
のこの種の共振器の構造図，第４図は従来のこの種の共
振器の特性図例である。図中，（１）はすだれ状電極，
（２）は反射器，（３）は圧電体基板，（４）は反射器
（２）を構成するストリツプあるいは溝，（５）はリー
ド線である。 なお，図中同一符号は同一，又は相当部分を示す。
２図はこの考案に係る共振器の特性図例，第３図は従来
のこの種の共振器の構造図，第４図は従来のこの種の共
振器の特性図例である。図中，（１）はすだれ状電極，
（２）は反射器，（３）は圧電体基板，（４）は反射器
（２）を構成するストリツプあるいは溝，（５）はリー
ド線である。 なお，図中同一符号は同一，又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−30413（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−281612（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−5418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−12206（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】圧電体基板上に弾性表面波を励振するすだ
れ状電極と，弾性表面波を受信するすだれ状電極を設
け，その両側にストリツプあるいは溝を周期的に配列し
てなる弾性表面波の反射器を配してなる共振器におい
て，上記すだれ状電極間の距離を約８分の１波長と半波
長の整数倍との和で与えられる距離とし，また上記すだ
れ状電極と上記反射器間の距離を，上記反射器の反射係
数の位相が０度の場合には，約８分の３波長と半波長の
整数倍との和で与えられる距離とし，一方上記位相が18
0度の場合には，約４分の１波長と半波長の整数倍との
和で与えられる距離となしたことを特徴とする共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987122723U JP2516166Y2 (ja) | 1987-08-11 | 1987-08-11 | 共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987122723U JP2516166Y2 (ja) | 1987-08-11 | 1987-08-11 | 共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428023U JPS6428023U (ja) | 1989-02-17 |
| JP2516166Y2 true JP2516166Y2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=31370919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987122723U Expired - Lifetime JP2516166Y2 (ja) | 1987-08-11 | 1987-08-11 | 共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2516166Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2888739B2 (ja) * | 1993-09-14 | 1999-05-10 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2659178B2 (ja) * | 1985-02-20 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JPS6230413A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子装置 |
-
1987
- 1987-08-11 JP JP1987122723U patent/JP2516166Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428023U (ja) | 1989-02-17 |
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