JP2501231B2 - Ioピン接合方法 - Google Patents
Ioピン接合方法Info
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- JP2501231B2 JP2501231B2 JP1002698A JP269889A JP2501231B2 JP 2501231 B2 JP2501231 B2 JP 2501231B2 JP 1002698 A JP1002698 A JP 1002698A JP 269889 A JP269889 A JP 269889A JP 2501231 B2 JP2501231 B2 JP 2501231B2
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- Japan
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- pin
- gas
- substrate
- pattern
- pins
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- Expired - Lifetime
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
上に近接して配列した大きいアレイ中のコネクタピンの
任意の一本の、セラミック基板等の所定の場所に半田付
けするIOピン接合方法に関し、 単ピン接合時に基板側の平面度等のバラツキを吸収
し、ダメージを与えること無く接合することを目的と
し、 ピン支持体(3)の孔(5)に挿入して吸着される単
一のピン(13)を、セラミック基板(10)の所定の位置
のパターン(11)直上に近接位置し、 その後、ピン(13)にN2ガスを加圧供給してガス圧に
よりピン(13)のみを下降しながらパターン(11)上に
加圧載置し、 更に、半田溶融に伴いピン(13)をガス圧により沈め
たパターン(11)に接合するものである。
ジュール)上に近接して配列した大きいアレイ中のコネ
クタピンの任意の一本を、セラミック基板等の所定の場
所に半田付けするIOピン接合方法に関する。
高パフォーマンス化が要求されており、これに伴い基板
に例えば1万本ものコネクタピンが狭いピン間隔で接合
されている。かかる多量のピンは精度良く孔明けされた
カーボン等の治具に挿入位置決めして基板上に載置さ
れ、各ピン毎に重錘をのせて焼成炉でリフローして半田
付けにより接合される。しかし、このように多量のピン
を一度に接合すると、傾いたり、脱落した接合不良のピ
ンがあり、この不良ピンは改めて一本づつ所定の場所に
接合して修正される。
に行われている。即ち、単ピン接合装置1はヘッド2の
下にピン支持体3、その回りに複数のガス噴出パイプ4
が吊設され、ピン支持体3にはピン先端形状に応じた段
部5aを有する孔5が設けられている。また、ヘッド2は
フレーム6に対し加圧手段7を介して連結されている。
挿入しその上端を吸引することで真空吸着し、この状態
でピン13をセラミック基板10の所定のパターンの直上に
セットする。その後、ピン13の基部の半田12をパターン
11上に加圧手段7により押付け、パイプ4から高温のN2
ガスを噴付けて半田12を溶かす。そして、半田12が溶け
てピン13が沈むのに追従して加圧手段7により全体的に
下降し、ピン13をパターン11に半田付けして接合するの
である。
ピン支持体3、パイプ4の全体を下降しながらピン13を
機械的に加圧する方式であるから、基板10の平面度のバ
ラツキに対し自己吸収できない。ここで、セラミック基
板10は強度が小さくてクラック等を生じ易く、焼成時の
平面度等のバラツキが比較的大きい。このため、上述の
ように装置全体を下降しながらピン13を加圧すると、基
板10の表面が高い場合には基板10に装置全体の力が過度
にかかり、容易にクラックや割れを生じる。かかる基板
側のダメージは絶縁性能に直接影響し、使用不可能にな
ることが多い。
目的とするところは、単ピン接合時に基板側の平面度等
のバラツキを吸収し、ダメージを与えること無く接合す
ることが可能なIOピン接合方法を提供することにある。
を単独で下降した方が基板側の平面度等のバラツキに微
妙に対応してそれを吸収できる。また、N2ガスを利用し
てピンに加圧供給することで、半田の溶融に追従して、
ピンを充分に基板側に押付けることができる点に着目し
ている。
の真空ポンプに至る系路に、切換弁を介しN2ガスの加圧
ポンプを接続する。
るピンを基板の所定の位置にセットした以降は、切換弁
によりN2ガス側に切換え、ピンにN2ガスを加圧供給して
基板の平面度等のバラツキに応じピンのみを下降し、且
つ一定のガス圧を付与する。
ス圧によりピンを更に下降して沈め基板のパターンに接
合するものである。
ン支持体でガイドされて単独で移動することで、基板表
面の高さのバラツキを吸収しながら、常に確実基板のパ
ターン上に載る。そして、ピンはいずれの位置でもガス
加圧による一定の力で押付けられ、基板側にダメージを
与えることなく常に一定の条件で接合するようになる。
ムについて述べると、符号1は単ピン接合装置、2はヘ
ッドであり、ヘッド2の下にピン支持体3、ガス噴出パ
イプ4が吊設され、これらは基板10の所定の位置に移動
し、下降してパターン11上に近接位置するだけの動作を
行うようになっている。また、ピン支持体3の孔5の上
端が管路15により真空ポンプ16に連通し、この管路15の
途中に制御ユニット17の信号で切換動作する切換弁18が
設けられている。更に、N2ガスのタンク19が管路20の加
圧ポンプ21、ヒータ22を介してパイプ4に連通し、ポン
プ21の吐出側で管路20から分岐する管路23が切換弁18に
連通し、切換弁18によりN2ガスをピン支持体3の方に加
圧供給することが可能に構成されている。
単ピンを改めて接合修理する場合の作用を、第2図によ
り述べる。
切換え、ピン支持体3の孔5に挿入したピン13を真空吸
着し、この状態でヘッド2をセラミック基板10上の所定
の位置に移動し、ピト13をパターン11の直上に近接位置
する。その後、(b)のように切換弁18を加圧ポンプ21
の方に切換えると、ピン13は吸着解除されてフリーにな
り孔5により位置決めガイドされた状態で下降すること
が可能になる。ここで、孔5とピン13の隙間は位置決め
精度上例えば0.05mmの僅かなものに設定されているた
め、加圧ポンプ21により孔5に供給されるN2ガスのリー
クも規制され、こうしてピン13には所定のガス圧がかか
る。このため、基板10の平面度等のバラツキで表面高さ
が変化した場合も、ピン13のみがそれに応じて下降して
そのバラツキを吸収するのであり、こうしてピン13は常
にパターン11上に加圧載置される。
れたN2ガスが噴出することで、半田12が溶け始める。そ
して、(c)のように半田12が溶けると、ピン13のみが
孔5により案内された状態でガス圧により、追従して沈
み、パターン11上に半田付けして接合される。尚、かか
る半田溶融後にパイプ4からの加熱N2ガスのみを止める
と、孔5に供給されるN2ガスにより半田12が直ちに冷却
固化することになる。
加圧載置する場合、及び半田溶融に追従してピンを押下
げる場合に、軽いピンのみをガス圧により下降するの
で、セラミック基板側にクラック等のダメージを与える
ことが無くなる。
めされた状態で、セラミック基板の平面度等のバラツキ
に応じ下降し、そのバラツキを吸収して常に一定の条件
で確実に接合し得る。
精度、作業性を向上し得る。
の酸化防止効果も大きい。
ムを示す構成図、 第2図(a)ないし(c)は接合状態を示す図、 第3図は従来の接合状態を示す図である。 図において 3はピン支持体、 5は孔、 10はセラミック基板、 11はパターン、 13はピンである。
Claims (1)
- 【請求項1】ピン支持体(3)の孔(5)に挿入して吸
着される単一のピン(13)を、セラミック基板(10)の
所定の位置のパターン(11)直上に近接位置し、 その後、ピン(13)にN2ガスを加圧供給してガス圧によ
りピン(13)のみを下降しながらパターン(11)上に加
圧載置し、 更に、半田溶融に伴いピン(13)をガス圧により沈めた
パターン(11)に接合することを特徴とするIOピン接合
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1002698A JP2501231B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | Ioピン接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1002698A JP2501231B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | Ioピン接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02184060A JPH02184060A (ja) | 1990-07-18 |
JP2501231B2 true JP2501231B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=11536499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1002698A Expired - Lifetime JP2501231B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | Ioピン接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2501231B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0760882B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1995-06-28 | 日本電気株式会社 | ろう付け方法 |
JPS63174387A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | 株式会社東芝 | はんだ付け装置 |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP1002698A patent/JP2501231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02184060A (ja) | 1990-07-18 |
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