JP2024517525A - 伸縮可能なディスプレイ基板およびその作製方法、ならびにディスプレイ装置 - Google Patents
伸縮可能なディスプレイ基板およびその作製方法、ならびにディスプレイ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024517525A JP2024517525A JP2023521911A JP2023521911A JP2024517525A JP 2024517525 A JP2024517525 A JP 2024517525A JP 2023521911 A JP2023521911 A JP 2023521911A JP 2023521911 A JP2023521911 A JP 2023521911A JP 2024517525 A JP2024517525 A JP 2024517525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sub
- hole region
- display substrate
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 402
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 32
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 31
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 25
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本発明の実施形態は、伸縮可能なディスプレイ基板およびその作製方法、ならびにディスプレイ装置を開示する。複数のホール領域を含む伸縮可能なディスプレイ基板は、ベースと、ベース上に配置される画素ユニットと、ベース上に配置され、画素ユニットに電気的に接続された信号線と、ベース上に積層された複数の無機絶縁層とを含くみ、複数の無機絶縁層のうち少なくとも1層はホール領域に近い位置に第1のくり抜き部を有し、ベース上の第1のくり抜き部の正射影は、ベース上の信号線および画素ユニットの正射影とは重ならない。
Description
本開示は、ディスプレイの技術分野に関し、特に、伸縮可能なディスプレイ基板およびその作製方法、ならびにディスプレイ装置に関する。
ディスプレイ技術の発展に伴い、フレキシブルディスプレイを行うことができる有機発光ダイオード(organic light-emitting diode,OLED)は、ディスプレイの多様性を促進し、徐々にディスプレイ技術の主流となっている。いくつかの関連技術において、OLEDフレキシブルディスプレイ装置は、2次元表面の座屈を満足させることができるが、より複雑な条件のディスプレイ装置(例えば、ウェアラブルデバイス)の伸縮可能なディスプレイ基板に対する柔軟性要件には適していない。
伸縮可能な(Stretchable)OLEDディスプレイ機能を開発するために、いくつかの関連技術では、OLEDフレキシブルディスプレイ装置の基板材料にホールを形成して、画素領域を準備するための島と配線のためのブリッジを形成し、ブリッジの変形を利用してディスプレイ装置の伸縮を実現することが挙げられる。
本発明の実施形態は、複数のホール領域を含む、伸縮可能なディスプレイ基板を提供し、前記伸縮可能なディスプレイ基板は、
ベースと、
前記ベース上に配置された画素ユニットと、
前記ベース上に配置され、前記画素ユニットと電気的に接続された信号線と、
前記ベース上に積層された複数の無機絶縁層であって、前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、前記ベース上の前記信号線および前記画素ユニットの正射影と重ならない、複数の無機絶縁層とを含む。
ベースと、
前記ベース上に配置された画素ユニットと、
前記ベース上に配置され、前記画素ユニットと電気的に接続された信号線と、
前記ベース上に積層された複数の無機絶縁層であって、前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、前記ベース上の前記信号線および前記画素ユニットの正射影と重ならない、複数の無機絶縁層とを含む。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板中は、さらに、前記ホール領域の間の間隔に配置される複数の画素島領域と、前記画素島領域と前記ホール領域との間に配置される接続ブリッジ領域とを含み、
前記接続ブリッジ領域は、少なくとも1つの前記画素ユニットを含み、前記第1のくり抜き部は、前記接続ブリッジ領域に配置され、前記第1のくり抜き部は、前記接続ブリッジ領域の画素ユニットと前記ホール領域との間に配置される。
前記接続ブリッジ領域は、少なくとも1つの前記画素ユニットを含み、前記第1のくり抜き部は、前記接続ブリッジ領域に配置され、前記第1のくり抜き部は、前記接続ブリッジ領域の画素ユニットと前記ホール領域との間に配置される。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記接続ブリッジ領域は、複数の前記画素ユニットを含み、前記ベース上の前記信号線の正射影は、少なくとも前記ベース上の前記接続ブリッジ領域の画素ユニットと前記接続ブリッジ領域の画素ユニットとの間の領域の正射影にある。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記第1のくり抜き部の延在方向は、前記ホール領域のエッジと実質的に同一である。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記第1のくり抜き部は、前記ホール領域と貫通しない。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記第1のくり抜き部の前記ホール領域に近い側壁と前記ホール領域の前記第1のくり抜き部に近い側壁との間の距離は、2μmより大きいか、等しい。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記画素島領域から前記ホール領域への方向において、前記第1のくり抜き部の幅は、5umより大きいか、等しい。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記第1のくり抜き部は、前記ホール領域と貫通する。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記第1のくり抜き部の前記ホール領域に近いエッジは、前記ホール領域の前記第1のくり抜き部に近いエッジに重なる。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記画素ユニットは少なくとも1つのサブ画素を含み、前記サブ画素は画素回路および発光素子を含み、前記発光素子は、積層された陽極、有機発光層および陰極を含み、前記接続ブリッジ領域において、前記画素ユニットに近い位置に仕切り構造が配置され、前記有機発光層は、前記仕切り構造で切断され、前記陰極は、前記仕切り構造で切断され、
前記第1のくり抜き部の前記画素ユニットに近い側壁と、前記仕切り構造との間の距離は、2umより大きいか等しい。
前記第1のくり抜き部の前記画素ユニットに近い側壁と、前記仕切り構造との間の距離は、2umより大きいか等しい。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記第1のくり抜き部は、前記ホール領域の周りに配置された閉鎖構造である。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記仕切り構造は、前記第1のくり抜き部の周りに配置された閉鎖構造である。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記ホール領域の一部は、第1の方向に延在し、第2の方向に配置された第1のサブホール領域および第2のサブホール領域と、前記第2の方向に延在する第3のサブホール領域とを含み、前記ホール領域の別の一部は、第2の方向に延在する且第1の方向に配置された第4のサブホール領域および第5のサブホール領域と、第1の方向に延在する第6のサブホール領域とを含み、前記第1の方向は、前記第2の方向に対して実質的に垂直であり、前記第3のサブホール領域は、前記第1のサブホール領域および前記第2のサブホール領域の中心領域に実質的に接続されており、前記第6のサブホール領域は、前記第4のサブホール領域および前記第5のサブホール領域的の中心領域に実質的に接続されており、
前記第1のくり抜き部は、以下の位置のうち少なくとも1つに配置され、前記第1のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第2のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第1のサブホール領域の端部側と前記第2のサブホール領域の端部側、前記第4のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第5のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第4のサブホール領域の端部側と前記第5のサブホール領域の端部側。
前記第1のくり抜き部は、以下の位置のうち少なくとも1つに配置され、前記第1のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第2のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第1のサブホール領域の端部側と前記第2のサブホール領域の端部側、前記第4のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第5のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第4のサブホール領域の端部側と前記第5のサブホール領域の端部側。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記第1のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第2のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第1のサブホール領域の端部側と前記第2のサブホール領域の端部側、前記第4のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第5のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第4のサブホール領域の端部側と前記第5のサブホール領域の端部側は、いずれも前記第1のくり抜き部を備える。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記画素島領域は、少なくとも1つの前記画素ユニットを含み、前記画素島領域の画素の解像度は、前記接続ブリッジ領域の画素の解像度と実質的に同じである。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記複数の無機絶縁層は、前記ベース前記第2のパッシベーション層上に積層された第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層を含み、前記第1の障壁層、前記バッファ層、前記第1のゲート絶縁層、前記第2のゲート絶縁層、前記層間媒体層、前記第1のパッシベーション層、前記第2のパッシベーション層および前記無機封止層のうちの少なくとも1つは、前記第1のくり抜き部を備えている。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記層間媒体層、前記第1のパッシベーション層、前記第2のパッシベーション層および前記無機封止層は、前記第1のくり抜き部を備えており、各前記第1のくり抜き部は実質的に重なり合う。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記無機封止層は、前記第2のパッシベーション層上に積層された第1の無機層および第2の無機層を含み、
前記伸縮可能なディスプレイ基板は、前記層間媒体層と前記第1のパッシベーション層との間に配置される第1の平面層および第2の平面層と、前記第2のパッシベーション層と前記無機封止層との間に配置される画素定義層と前記第1の無機層と前記第2の無機層との間に配置される有機層とをさらに含み、
前記第1の平面層、前記第2の平面層、前記画素定義層および前記有機層のうちの少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第2のくり抜き部を有し、前記第1のくり抜き部と前記第2のくり抜き部とは実質的に重なり合う。
前記伸縮可能なディスプレイ基板は、前記層間媒体層と前記第1のパッシベーション層との間に配置される第1の平面層および第2の平面層と、前記第2のパッシベーション層と前記無機封止層との間に配置される画素定義層と前記第1の無機層と前記第2の無機層との間に配置される有機層とをさらに含み、
前記第1の平面層、前記第2の平面層、前記画素定義層および前記有機層のうちの少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第2のくり抜き部を有し、前記第1のくり抜き部と前記第2のくり抜き部とは実質的に重なり合う。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の伸縮可能なディスプレイ基板において、前記ベースは可撓性層を含むか、または、前記ベースは、前記第1の障壁層背離前記バッファ層から離れた前記第1の障壁層側に、積層された第1の可撓性層、第2の障壁層および第2の可撓性層を含む。
これに対応して、本発明の実施形態は、上記伸縮可能なディスプレイ基板を含む、ディスプレイ装置をさらに提供する。
これに対応して、本発明の実施形態は、上記伸縮可能なディスプレイ基板の作製方法をさらに提供し、当該方法は、
ベースを提供するステップと、
画素ユニットおよび前記画素ユニットと電気的に接続された信号線を前記ベース上に形成するステップと、
積層された複数の無機絶縁層を前記ベース上に形成するステップとを含み、
ここで、前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、前記ベース上の前記第1のくり抜き部の正射影は、前記ベース上の前記信号線および前記画素ユニットの正射影と重ならない。
ベースを提供するステップと、
画素ユニットおよび前記画素ユニットと電気的に接続された信号線を前記ベース上に形成するステップと、
積層された複数の無機絶縁層を前記ベース上に形成するステップとを含み、
ここで、前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、前記ベース上の前記第1のくり抜き部の正射影は、前記ベース上の前記信号線および前記画素ユニットの正射影と重ならない。
任意選択で、本発明の実施形態によって提供される上記の作製方法において、前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有することは、
前記ベース上に、第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層を堆積することと、
前記第1の障壁層、前記バッファ層、前記第1のゲート絶縁層、前記第2のゲート絶縁層、前記層間媒体層、前記第1のパッシベーション層、前記第2のパッシベーション層および前記無機封止層のうちの少なくとも1つに、パターニング工程を用いて前記第1のくり抜き部を形成することとを含む。
前記ベース上に、第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層を堆積することと、
前記第1の障壁層、前記バッファ層、前記第1のゲート絶縁層、前記第2のゲート絶縁層、前記層間媒体層、前記第1のパッシベーション層、前記第2のパッシベーション層および前記無機封止層のうちの少なくとも1つに、パターニング工程を用いて前記第1のくり抜き部を形成することとを含む。
本発明の目的、技術的解決策、および利点をより明確にするために、本発明の一実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板の作製方法の具体的な実施例を、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。なお、以下に説明する好ましい実施形態は、本発明を例示し説明するために用いられるだけであって、本発明を限定するものではないことを理解されたい。さらに、矛盾がない場合、本願における実施形態および実施形態における特徴は、互いに組み合わせることができる。
添付図面における各層のフィルムの厚さ、サイズおよび形状は、伸縮可能なディスプレイ基板の真のスケールを反映しておらず、本発明を説明するためのものにすぎない。
本発明の実施形態は、図1および図2に示すように、複数のホール領域Q2を含む、伸縮可能なディスプレイ基板を提供する。具体的に、ホール領域Q2は、伸縮時にディスプレイ基板に変形空間を提供するように構成される。
具体的に、図3および図4に示すように、図3は、図1における方向AA’における部分構造の概略断面図であり、図4は、図2における方向AA’の部分構造の概略断面図である。前記伸縮可能なディスプレイ基板は、ベース1と、画素ユニット4と、信号線2と、複数の無機絶縁層とを含む。
前記ベース1は、伸縮可能なディスプレイ基板の伸縮可能な領域が伸縮され得るような、フレキシブルベースであってもよい。
前記画素ユニット4は、ベース1上に配置される。
前記信号線2は、ベース1に配置され、画素ユニット4と電気的に接続され、具体的に、信号線2は、ゲート線、データ線などを含み得る。
複数の無機絶縁層は、ベース1上に積層され、複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、ホール領域Q2に近い位置に第1のくり抜き部3を有し、ベース1上の第1のくり抜き部3の正射影は、ベース1上の信号線2および画素ユニット4の正射影と重ならない。
本発明の実施形態が提供する上記伸縮可能なディスプレイ基板の場合、伸縮可能なディスプレイ基板が伸縮させると、ホール領域Q2に近い位置は引張力を受けて変形する。本発明は、複数の無機絶縁層の少なくとも1つがホール領域Q2に近い位置に第1のくり抜き部3を有するので、すなわち、複数の無機絶縁層のうち少なくとも1層は、ホール領域Q2に近い位置から除去されるので、ホール領域Q2に近い位置の伸縮時の座屈変形挙動を改善することができ、ホール領域Q2に近い位置が破損しにくく、画素ユニット4が破損しにくく、伸縮可能なディスプレイ基板の伸縮特性を改善する。
なお、図1及び図2に示すように、本発明の実施形態におけるホール領域Q2は、伸縮可能なディスプレイ基板を完全に貫通してもよいことに留意する必要がある。もちろん、ホール領域Q2は、伸縮可能なディスプレイ基板のベース上のすべてのフィルム層だけでなく、前記ベースの一部も貫通することもある。
なお、図3および図4に示すように、本発明の実施形態は、一例として、ベース1上のすべての無機絶縁層を除去して第1のくり抜き部3を形成した状態で模式的に図示されていることに留意されたい。もちろん、無機絶縁層のいずれか1つ、または複数の無機絶縁層を除去して第1のくり抜き部3を形成することも可能である。
具体的な実施時、関連技術における島ブリッジの構造設計を有する伸縮可能なパネルは、表示解像度(PPI)が低く、表示ムラがあるという問題に直面し、表示解像度を向上させて表示ムラの問題を解決するために、図1ないし図4のように、本発明の実施形態が提供する伸縮可能なディスプレイ基板は、ホール領域Q2の間に間隔を置いて位置する複数の画素島領域Q1と、画素島領域Q1とホール領域Q2の間に位置する接続ブリッジ領域Q3とをさらに含み、具体的に、画素島領域Q1は画像を表示するように構成され、接続ブリッジ領域Q3は配線(隣接画素島領域Q1間の信号通信用)と張力の伝達のために構成される。
接続ブリッジ領域Q3は、少なくとも1つの画素ユニット4を含む。第1のくり抜き部3は、接続ブリッジ領域Q3に配置され、第1のくり抜き部3は接続ブリッジ領域Q3の画素ユニット4とホール領域Q2との間に配置される。すなわち、本発明は、もともと画素島領域Q1にのみ画素ユニットを配置することから、さらに接続ブリッジ領域Q3に画素ユニットを配置することまで拡張し、表示解像度を向上させ、表示ムラの問題を解決し得るようにする。
図1ないし図4に示すように、接続ブリッジ領域Q3は複数の画素ユニット4を含み、ベース1上の信号線2の正射影は、少なくとも接続ブリッジ領域Q3の画素ユニット4とベース1上の接続ブリッジ領域Q3の画素ユニット4間の領域との正射影に位置している。すなわち、信号線2は、接続ブリッジ領域Q3の画素ユニット4の下方と画素ユニット4間の領域に配線され、画素ユニット4間の電気的接続を実現する。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図1に示すように、第1のくり抜き部3の延在方向は、ホール領域Q2のエッジと実質的に同じである。このように、ホール領域Q2を囲む第1のくり抜き部3は、ホール領域Q2の周囲に配置されるため、伸縮可能なディスプレイ基板の伸縮特性をさらに向上させることができる。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図3に示すように、第1のくり抜き部3は、ホール領域Q2と連通することはない。第1のくり抜き部3は、複数の無機絶縁層のうちの少なくとも1つの層に形成され、すなわち、第1のくり抜き部3とホール領域Q2との間に複数の無機絶縁層が保持されるので、第1のくり抜き部3を形成するために接続ブリッジ領域Q3の少なくとも1つの無機絶縁層を除去することによって、接続ブリッジ領域Q3の伸縮時の座屈変形挙動を改善することができ、それによって、接続ブリッジ領域Q3が破損しにくく、隣接の接続ブリッジ領域Q3の画素島領域Q1が破損しにくく、伸縮可能なディスプレイ基板の伸縮特性を改善する。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図3に示すように、各第1のくり抜き部3の対応するホール領域Q2に近い側壁と各ホール領域Q2の対応する第1のくり抜き部3に近い側壁との距離(当該距離は、ホール領域Q2と第1のくり抜き部3の間の無機絶縁層の幅)が2μm以上となる。
具体的な実施中、工程の難易度を下げるために、図3に示すように、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、画素島領域Q1からホール領域Q2に向かう方向において、第1のくり抜き部3の幅は、5umより大きいか、等しい。このように、露光・現像・エッチング処理により各無機絶縁層を除去する場合、露光・現像・エッチング処理の難易度を低減することができる。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図4に示すように、第1のくり抜き部3とホール領域Q2とは互いに連通している。すなわち、接続ブリッジ領域Q3に各無機絶縁層をエッチングする際に、接続ブリッジ領域Q3の無機絶縁層を直接エッチングしてホール領域Q2と連通させ、接続ブリッジ領域Q3の無機絶縁層をさらに低減し、接続ブリッジ領域Q3の伸縮特性をさらに向上させる。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図4に示すように、各第1のくり抜き部3の、対応するホール領域Q2に近いエッジが、各ホール領域Q2の、対応する第1のくり抜き部3に近いエッジに重なり、すなわち、第1のくり抜き部3とホール領域Q2の間に無機絶縁層は保持されない。すなわち、接続ブリッジ領域Q3において無機絶縁層をエッチングする際に、第1のくり抜き部3に対応する領域おける無機絶縁層をホール領域Q2のエッジに直接エッチングして、接続ブリッジ領域Q3における無機絶縁層をさらに低減し、接続ブリッジ領域Q3の伸縮特性をより向上させる。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図3および図4に示すように、各画素ユニット4は少なくとも1つのサブ画素を含み、サブ画素は画素回路および発光素子を含み、画素回路は発光素子とベース1の間に位置し、発光素子は積層された陽極6、有機発光層7、陰極8を含む。各接続ブリッジ領域Q3において、対応する画素ユニット4に近い位置に、仕切り構造9が配置される。仕切り構造9は、図1及び図2における第1のくり抜き部3の周囲に配置されており、すなわち、仕切り構造9は、画素ユニット4と第1のくり抜き部3との間に配置されている。有機発光層7は仕切り構造9で切断され、陰極8は仕切り構造9で切断される。仕切り構造9は接続ブリッジ領域Q3に位置し、接続ブリッジ領域Q3はホール領域Q2と画素島領域Q1との間に位置するので、仕切り構造9で切り離された有機発光層7および陰極8は、部分的に画素島領域Q1に位置し、部分的にホール領域Q2に近接している。ホール領域Q2に近い有機発光層7および陰極8は、水や酸素に侵される可能性が高い。有機発光層7及び陰極8を互いに切り離された2つの部分に分割することにより、ホール領域Q2に近い有機発光層7及び陰極8中の水及び酸素がサブ画素中の有機発光層7及び陰極8に侵入するための分離経路距離が効果的に短縮され、すなわち、水及び酸素がサブ画素中の有機発光層7及び陰極8に侵入できないことが保証され、表示製品の正常表示が確保される。
発光素子は、赤色光を発光する赤色(R)発光素子、緑色光を発光する緑色(G)発光素子、および青色光を発光する青色(B)発光素子を有することができる。発光素子は、無機発光ダイオード、または有機材料からなる有機発光ダイオード(OLED)、またはマイクロ発光ダイオード(Micro LED)、またはミニ発光ダイオード(mini LED)でもよい。マイクロ発光ダイオードとは、バックライトやフィルターなしで発光する100ミクロン以下の超小型の無機発光素子のことである。
画素回路は様々な構造を採用することができ、例えば、画素回路は2つのトランジスタと1つのキャパシタの構造(2T1C)、または7つのトランジスタと1つのキャパシタの構造(7T1C)、または12個のトランジスタと1つのキャパシタの構造(12T1C)等を含むことができる。各画素回路は、画素回路における駆動トランジスタ、発光素子及び蓄積キャパシタの模式図である図3及び図4に示すように、一般に、駆動トランジスタ及び他のスイッチングトランジスタを含む。当該駆動トランジスタは、トップゲート型であってもよく、ベース1上に積層された活性層21、第1のゲート絶縁層22、ゲート23、第2のゲート絶縁層24、層間媒体層25、ソース26、及びドレイン27を含む。具体的に、活性層21はバッファ層28上に形成されてもよく、バッファ層28は第1の障壁層29上に配置され、第1のゲート絶縁層22はバッファ層28および活性層21を覆い、ゲート23は第1のゲート絶縁層22の、活性層21から離れる側に形成される。第2のゲート絶縁層24は、ゲート23と第1のゲート絶縁層22を覆う。層間媒体層25は、第2のゲート絶縁層24を覆う。ソース26およびドレイン27は、層間媒体層25の、ベース1から離れる側に形成され、それぞれゲート23の2つの反対側に位置し、当該ソース26およびドレイン27はそれぞれビアホールを通して活性層21の2つの反対側に接触し得る。図3及び図4に示すように、キャパシタ構造(例えば、画素回路の蓄積キャパシタCst)は、第1の電極板C1および第2の電極板C2を含んでもよい。当該第2の電極板C2とゲート23とは、同一層に配置される。第1の電極板C1は、第2のゲート絶縁層24と層間媒体層25との間に位置し、第1の電極板C1は、第2の電極板C2と対向する。
具体的に、図3及び図4に示すように、接続ブリッジ領域Q3に位置する信号線2は、ソース26及びドレイン27が位置するフィルム層内に配置されている。発光素子の陽極6とドレイン27とは、直接電気的に接続されていてもよいし(すなわち、単層SD構造)、陽極6とドレイン27との間に位置するオーバーラップ電極30を介して電気的に接続されていてもよい(すなわち、複層SD構造)。オーバーラップ電極30とドレイン27との間には、第1の平面層31が配置される。オーバーラップ電極30と陽極6との間には、第2のプレーナ層32、第1のパッシベーション層33および第2のパッシベーション層34が配置されている。伸縮可能なディスプレイ基板における各発光素子は、一般に、画素定義層35によって定義される。画素定義層35は、発光素子を露出する開口領域を有する。
本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、ベースは可撓性層を含んでもよく、または図3および図4に示すように、ベース1は、第1の障壁層29の、バッファ層28から離れた側に積層された第1の可撓性層11、第2の障壁層12および第2の可撓性層13を含む。
具体的に、可撓性層の材料は、ポリイミド(PI)、ポリエステル、ポリアミドなどであってもよい。
具体的に、図3及び図4に示すように、ベース1は、その後の剥離を容易にするために、ガラス基板10上に配置されてもよい。
具体的に、図3および図4に示すように、第1のくり抜き部3の、画素ユニット4に近い側と仕切り構造9の間の距離(すなわち、第1のくり抜き部3と仕切り構造9の間の無機絶縁層の幅)は、2μm以上であってよい。有機発光層7は、仕切り構造9において切断され、陰極8は、仕切り構造9において切断される。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図1に示すように、第1のくり抜き部3は、接続ブリッジ領域Q3の無機絶縁層をできるだけ除去し、接続ブリッジ領域の伸縮特性を最も向上させ得るように、ホール領域Q2の周りに配置される閉鎖構造である。
具体的な実施中、ホール領域から水や酸素が画素単位に侵入する可能性が高いため、ホール領域の各位置で水や酸素の侵入経路を遮断するために、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図3に示すように、仕切り構造9は第1のくり抜き部3の周囲に配置された閉鎖構造である。すなわち、ベース1上の仕切り構造9の正射影図は、ホール領域Q2の境界図と同じであり、すなわち、仕切り構造9は、ホール領域Q2の周囲に配置されており、仕切り構造9によって、ホール領域Q2から画素島領域Q1へ水や酸素が侵入することを様々な位置で確実に防止できるようなものである。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図2に示すように、ホール領域Q2の一部は、第1の方向Xに延在し、第2の方向Yに配置された第1のサブホール領域Q21および第2のサブホール領域Q22、ならびに第2の方向Yに延在する第3のサブホール領域Q23を含む。ホール領域Q2の別の一部は、第2の方向Yに延在し、第1の方向Xに配置された第4のサブホール領域Q24および第5のサブホール領域(図示せず)、ならびに第1の方向Xに延在する第6のサブホール領域Q26を含む。第1の方向Xおよび第2の方向Yは実質的に垂直する。第6のサブホール領域Q26は、第4のサブホール領域Q24及び第5のサブホール領域の中心領域と実質的に接続されている。
伸縮可能なディスプレイ基板を伸縮させると、図2に示すように、第1のサブホール領域Q21と第3のサブホール領域Q23との接続位置の側(拐角)、第2のサブホール領域Q22と第3のサブホール領域Q23との接続位置の側(拐角)、第1のサブホール領域Q21の端部側と第2のサブホール領域Q22の端部側、第4のサブホール領域Q24と第6のサブホール領域Q26との接続位置の側(拐角)、第5のサブホール領域と第6のサブホール領域Q26との接続位置の側、第4のサブホール領域Q24の端部側および第5のサブホール領域の端部側は、いずれも伸縮時に生じる応力集中であり、これらの位置の無機絶縁層は最初に破断する。これらの位置の無機絶縁層の破断を回避するために、第1のくり抜き部3は、以下の位置のうち少なくとも1つの位置に配置される:第1のサブホール領域Q21と第3のサブホール領域Q23との接続位置の側、第2のサブホール領域Q22と第3のサブホール領域Q23との接続位置の側、第1のサブホール領域Q21の端部側と第2のサブホール領域Q22の端部側、第4のサブホール領域Q24と第6のサブホール領域Q26との接続位置の側、第5のサブホール領域と第6のサブホール領域Q26との接続位置の側、第4のサブホール領域Q24の端部側および第5のサブホール領域の端部側である。このようにすれば、大面積の第1のくり抜き部3を作製することの困難性を低減することができ、さらに、ホール領域Q2に対応する無機絶縁層が破断しやすい位置での無機絶縁層の破断の問題を解決することができる。
なお、図1および図2に示すように、本発明の実施形態では、ホール領域Q2がほぼ文字「工」の形状である場合を例として模式的に示している。もちろん、ホール領域Q2の形状はこれに限定されるものではなく、例えば、「T」や「一」であってもよい。
好ましくは、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図2に示されるように、第1のサブホール領域Q21と第3のサブホール領域Q23との接続位置の側、第2のサブホール領域Q22と第3のサブホール領域Q23との接続位置の側、第1のサブホール領域Q21の端部側と第2のサブホール領域Q22の端部側、第4のサブホール領域Q24と第6のサブホール領域Q26との接続位置の側、第5のサブホール領域と第6のサブホール領域Q26との接続位置の側、第4のサブホール領域Q24の端部側と第5のサブホール領域の端部側には、いずれも第1のくり抜き部3が設けられている。
本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図1および図2に示すように、画素島領域Q1はなくとも1つの画素ユニット4を含み、画素島領域Q1の画素の解像度は接続ブリッジ領域Q3の画素の解像度と実質的に同一である。このようにして、表示解像度を向上させ、表示ムラの問題を解決することができる。
本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図3および図4に示すように、複数の無機絶縁層は、ベース1上に積層される第1の障壁層29、バッファ層28、第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24、層間媒体層25、第1のパッシベーション層33、第2のパッシベーション層34および無機封止層36を含む。第1の障壁層29、バッファ層28、第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24、層間媒体層25、第1のパッシベーション層33、第2のパッシベーション層34および無機封止層36のうち少なくとも1つは、第1のくり抜き部3を備えている。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図3および図4に示すように、層間媒体層25、第1のパッシベーション層33、第2のパッシベーション層34および無機封止層36は、第1のくり抜き部3がすべて設けられており、各第1のくり抜き部3は実質的に重なっている。もちろん、具体的な実施中、第1の障壁層29、バッファ層28、第1のゲート絶縁層22、および第2のゲート絶縁層24にもすべて第1のくり抜き部3が設けられることもある。
図3および図4に示すように、本発明の実施形態では、第1の障壁層29、バッファ層28、第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24、層間媒体層25、第1のパッシベーション層33、第2のパッシベーション層34および無機封止層36が、いずれも第1のくり抜き部3を備えることを例として概略的に示している。もちろん、複数の無機絶縁層に第1のくり抜き部3が設けられている場合(すなわち、各無機絶縁層がエッチングされて対応する領域で無機絶縁層がくり抜かれている場合)、複数の無機絶縁層のくり抜き処理は、最上位側の無機封止層36から第2の可撓性層13の上の任意の無機絶縁層までくり抜かれていてもよい、例えば、第2の可撓性層13の上方になるように直接くり抜いたり、第1の障壁層29、バッファ層28、第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24、層間媒体層25、第1のパッシベーション層33、第2のパッシベーション層34および無機封止層36フィルム層のいずれか1つに直接くり抜いたりすることが挙げられる。第1の障壁層29、バッファ層28、第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24、層間媒体層25フィルム層は、伸縮可能なディスプレイ基板作製工程において、1回又は2回エッチング工程を用いてくり抜かれてもよい。無機封止層36は、作製された後、1回の露光とエッチング工程を経て、エッチングによる間引きでくり抜かれる。もちろん、すべての無機絶縁層も、作製された後に1回の露光と深ホールのエッチング工程によってくり抜かれることができる。具体的なエッチング工程は、実際のニーズに応じて選択することができる。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板において、図3および図4に示すように、無機封止層36は、第2のパッシベーション層34上に積層された第1の無機層と第2の無機層とを含む。
伸縮可能なディスプレイ基板は、層間媒体層25と第1のパッシベーション層33との間に位置する第1の平面層31および第2の平面層32、第2のパッシベーション層34と無機封止層36との間に位置する画素定義層35、第1の無機層と第2の無機層との間に位置する有機層をさらに含む。
第1の平面層31、第2の平面層32、画素定義層35及び有機層の少なくとも1つは、ホール領域Q2に近い位置に第2のくり抜き部を有する。第1のくり抜き部3と第2のくり抜き部とは、実質的に重なっている。
本発明の実施形態で挙げた第1の障壁層29、バッファ層28、第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24、層間媒体層25、第1のパッシベーション層33、第2のパッシベーション層34および無機封止層36は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機絶エッジ材料で作られてもよいことが理解されよう。また、第1の平面層31、第2の平面層32、画素定義層35および有機層は、有機フィルム層であってもよく、即ち、フォトレジストやPIなどの有機絶エッジ材料からなるものであってもよい。
接続ブリッジ領域Q3において、ベース1上のすべての無機絶縁層がエッチング除去されると、第1の平面層31、第2の平面層32、画素定義層35、及び有機層もエッチング除去され、すなわち接続ブリッジ領域Q3においてすべての無機絶縁層及び有機絶縁層を貫通するビアホールが形成されて、第1のくり抜き部3によって表されることがあることを指摘しておく必要がある。
本件発明者らは、図3に示すような本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板と、関連技術における接続ブリッジ領域に第1のくり抜き部を有しない伸縮可能なディスプレイ基板の伸縮特性をテストしたことがある。試験の結果、本発明の伸縮量は約2%であり、関連技術における伸縮量は1%未満であり、本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板特性を向上させるようなことが分かった。
同じ発明概念に基づいて、本発明の実施形態は、図5に示すように、上記伸縮可能なディスプレイ基板の作製方法をさらに提供し、以下を含む:
S501、ベースを提供する。
S501、ベースを提供する。
S502、ベース上に画素ユニットおよび画素ユニットに電気的に接続された信号線を形成する。
S503、ベース上に積層された複数の無機絶縁層を形成し、ここで、複数の無機絶縁層の少なくとも1層は、ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、ベース上の第1のくり抜き部の正射影は、ベース上の信号線及び画素ユニットの正射影と重ならない。
具体的な実施中、本発明の実施形態によって提供される上記の作製方法において、図6に示すように、複数の無機絶縁層の少なくとも1層は、ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、図6に示すように、具体的には以下のものを含む:
S601、ベース上に、第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層を成膜する。
S601、ベース上に、第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層を成膜する。
S602、パターニング工程を用いて、第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層のうち少なくとも1層において、第1のくり抜き部を形成する。
本発明の実施形態における各層構造を形成する工程は、パターニング工程、フォトリソグラフィ工程などを含むことができる。パターニング工程は、成膜、フォトレジスト塗布、マスク露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離等の処理を含んでもよく、フォトリソグラフィ工程は、膜塗布、マスク露光、現像等の処理を含んでもよい。使用される蒸発、蒸着、コーティング、散布などは、すべて関連技術における成熟した作製工程である。
図3に示す伸縮可能なディスプレイ基板の作製工程は、以下に詳細に説明され、以下の工程を含むことができる。
(1) 2つの可撓性層構造を含むベース1を例にとると、ベース1を画素島領域Q1、ホール領域Q2及び接続ブリッジ領域Q3に分割し、ガラス基板10上に順に積層される第1の可撓性層11、第2の障壁層12及び第2の可撓性層13を形成する。第2の障壁層12を形成する際には、ホール領域Q2に対応する第2の障壁層12をエッチングで除去する。次に、図7Aに示すように、第2の可撓性層13上に第1の障壁層29を形成する。可撓性層の材料は、ポリイミド(PI)、ポリエステル、ポリアミドなどであってもよい。障壁層の材料は、ベースの耐水性および耐酸素性を向上させるために、窒化シリコン(SiNx) または酸化シリコン(SiOx)等であってもよい。
(2) 図7Bに示すように、第1の障壁層29上にバッファ層28を形成し、バッファ層28上に活性層膜を成膜し、活性層膜をパターニング工程を経てバッファ層28上に活性層21を形成し、活性層21上に第1のゲート絶縁層22を形成する。
(3) 図7Cに示すように、第1のゲート絶縁層22上に金属フィルムを成膜し、金属フィルムをパターニング工程を経て第1の絶縁層22上にゲート23、第2の電極板C2、グリッド線(図示せず)及び接続ブリッジ領域Q3に形成されたゲート接続線(図示せず)を形成し、その後、ゲート23上に第2のゲート絶縁層24を形成する。
(4) 第2のゲート絶縁層24上に金属フィルムを成膜し、パターニング工程を経て金属フィルムをパターニングすることにより、第2の絶縁層24上に第1の電極板C1を形成し、第1の電極板C1は第2の電極板C2に位置的に対応する。次に、第1の電極板C1が位置するフィルム層上に層間媒体層25を形成し、図7Dに示すように、第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24および層間媒体層25をパターニングすることにより、活性層21の両端部上方に位置するビアホール、ホール領域Q2に対応するビアホールおよび接続ブリッジ領域Q3における対応の第1のくり抜き部3を形成する。
(5) 層間絶エッジ膜25上に金属フィルム(層SD1)を成膜し、この金属フィルムをパターニング工程を経て層間絶縁層25上にソース26、ドレイン27および信号線2(データ線)を形成する。ソース26及びドレイン27はそれぞれ第1のゲート絶縁層22、第2のゲート絶縁層24及び層間絶縁層25を貫通するビアホールを通じて活性層21との接続を図る。そして、ソース26及びドレイン27を有するベース1上に有機材料を塗布した平面フィルムを形成し、マスキング工程、露光工程及び現像工程により第1の平面層31を形成し、第1の平面層31のソース26、ホール領域Q2及び接続ブリッジ領域Q3における第1のくり抜き部3に対応する位置を、図7Eに示すように、すべて現像除去する。
(6) 第1の平面層31上に金属フィルム(層SD2、また層SD2はなくてもよい)を成膜し、パターニング工程を経て金属フィルムをパターニングすることにより第1の平面層31上にオーバーラップ電極30を形成する。オーバーラップ電極30が位置するフィルム層上に有機材料を塗布した平面フィルムを形成し、マスキング工程、露光工程、現像工程を経て第2の平面層32を形成し、第2の平面層32のオーバーラップ30、ホール領域Q2、第1のくり抜き部3に対応する位置を全て現像除去する。次に、第2の平面層32上に無機絶縁材料を成膜する。次に、ホール領域Q2におけるバッファ層28および第1の障壁層29、ならびにホール領域Q2における第1の可撓層11および第2の可撓層13を、まずエッチングで除去する。無機絶縁材料、バッファ層28および第1の障壁層29のうち、接続ブリッジ領域Q3の、仕切り構造9が対応して形成されている位置に対応する無機絶縁材料、第2の平面層32および第1の平面層31の一部がエッチング除去される。図7Fに示すように、エッチングされた無機絶縁材料上に、第1のパッシベーション層33を形成する。
(7) 第1のパッシベーション層33上に無機絶縁材料を成膜し、無機絶縁材料のホール領域Q2および第1のくり抜き部3位置に対応する無機絶縁材料をエッチング除去し、およびオーバーラップ電極30位置の対応する無機絶縁材料および第1のパッシベーション層33をエッチング除去して、図7Gに示すように、第2のパッシベーション層34を形成する。
(8) 第2のパッシベーション層34上に導電フィルムを成膜し、導電フィルムをパターニング工程を経て陽極6を形成し、陽極6が第1のパッシベーション層33および第2のパッシベーション層34のビアホールを貫通して図7Hのようにオーバーラップ電極30と電気的に接続される。例示的な実施態様において、導電フィルムは、透明導電フィルム/金属フィルム/透明導電フィルムの3層積層構造であってよい。透明導電フィルムの材料は、インジウム錫酸化物ITOまたはインジウム亜鉛酸化物IZOであってもよく、金属フィルムは、Al、Ag、Cuなどの金属フィルムであってもよい。
(9) 陽極6に画素定義膜を塗布し、マスキング、露光、現像工程を経て画素定義層35を形成する。画素定義層35には画素島領域Q1に画素開口が配置され、画素開口の画素定義層35を現像除去して陽極6の表面を露出させる。また、図7Iに示すように、画素定義層35のうち、ホール領域Q2および接続ブリッジ領域Q3に対応する位置は、すべて現像除去される。
(10) 有機発光層7および陰極8は、いずれも蒸発工程を通じて作製および形成することができる。陰極8の材料は、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)およびリチウム(Li)のうちのいずれか1つ以上、または上記の金属のうちのいずれか1つ以上から作製された合金であってもよい。
(11) 陰極8上に無機封止層36が形成され、無機封止層36は、積層される第1の無機層、有機層および第2の無機層を含み得、無機封止層36、陰極8および有機発光層6の、ホール領域2および第1のくり抜き部3に対応する位置が、図7Kに示すようにエッチング除去される。すなわち、図3に示すような本発明の実施形態によって提供される伸縮可能なディスプレイ基板が形成される。
本発明の実施形態は、図3に示した伸縮可能なディスプレイ基板の作製方法を例に挙げて説明されており、図4に示した伸縮可能なディスプレイ基板の作製方法は、図3に示したものと同じである。異なる点は、図3における第1のくり抜き部3とホール領域Q2との間の無機絶縁層および有機絶縁層を全てエッチング除去して、第1のくり抜き部3がホール領域Q2と連通する構造を形成することである。なお、図4に示す作製方法については、詳細な説明を省略する。なお、第1のくり抜き部3とホール領域Q2との間の無機絶縁層および有機絶縁層のエッチングは、エッチング時に他の領域の同一フィルム層と一緒にエッチングしてもよい。
最後に、図3及び図4に示す伸縮可能な表示基板の下のガラス基板10を伸縮可能な表示基板から剥離することによって、伸縮可能な表示基板を得ることができる。
同じ発明概念に基づいて、本発明の実施形態は、本発明の実施形態によって提供される上記伸縮可能なディスプレイ基板のいずれかを含む、ディスプレイ装置をさらに提供する。当該ディスプレイ装置は、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニタ、ノートブックコンピュータ、デジタルフォトフレームおよびナビゲータなどの、ディスプレイ機能を有する任意の製品またはコンポーネントであり得る。当該ディスプレイ装置の実装については、上記伸縮可能なディスプレイ基板の上記実施形態を参照することができるが、ここでは繰り返さない。
上記ディスプレイ装置は、有機発光ダイオードディスプレイパネル、量子ドット発光ダイオードディスプレイパネル、ディスプレイモジュール、曲面スクリーン携帯電話、スマートウォッチ、またはディスプレイ機能を有する他の製品または部品であってもよい。
本発明の実施形態が提供する伸縮可能なディスプレイ基板およびその作製方法、ならびにディスプレイ装置によれば、伸縮可能なディスプレイ基板を伸縮させると、ホール領域に近い隣接する接続ブリッジ領域が張力を受けて変形する。複数の無機絶縁層の少なくとも1層が、接続ブリッジ領域におけるホール領域に近い位置に第1のくり抜き部を有し、すなわち、複数の無機絶縁層のうち少なくとも1層が、接続ブリッジ領域におけるホール領域に近い位置から除去されているので、接続ブリッジ領域の伸縮時の座屈変形挙動を改善することができ、接続ブリッジ領域が破損しにくく、隣接の接続ブリッジ領域の画素島領域が破損しにくく、伸縮可能なディスプレイ基板の伸縮特性を改善する。
本発明の精神または範囲から逸脱することなく、本発明において様々な修正および変形がなされ得ることは、当業者にとって明らかであろう。したがって、本発明は、本発明の添付の特許請求の範囲およびその等価物の範囲内に入ることを条件として、本発明の修正および変形をカバーすることが意図される。
Claims (22)
- 複数のホール領域を含む伸縮可能なディスプレイ基板であって、
前記伸縮可能なディスプレイ基板は、
ベースと、
前記ベース上に配置された画素ユニットと、
前記ベース上に配置され、前記画素ユニットと電気的に接続された信号線と、
前記ベース上に積層された複数の無機絶縁層とを含み、
前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、前記ベース上の前記第1のくり抜き部の正射影は、前記ベース上の前記信号線および前記画素ユニットの正射影と重ならない、伸縮可能なディスプレイ基板。 - 前記ホール領域の間の間隔に配置される複数の画素島領域と、前記画素島領域と前記ホール領域との間に配置される接続ブリッジ領域とをさらに含み、
前記接続ブリッジ領域は、少なくとも1つの前記画素ユニットを含み、前記第1のくり抜き部は、前記接続ブリッジ領域に配置され、前記第1のくり抜き部は、前記接続ブリッジ領域の画素ユニットと前記ホール領域との間に配置される、請求項1に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。 - 前記接続ブリッジ領域は、複数の前記画素ユニットを含み、前記ベース上の前記信号線の正射影は、少なくとも前記ベース上の前記接続ブリッジ領域の画素ユニットと前記接続ブリッジ領域の画素ユニットとの間の領域の正射影にある、請求項2に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記第1のくり抜き部の延在方向は、前記ホール領域のエッジと実質的に同一である、請求項1に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記第1のくり抜き部は、前記ホール領域と貫通しない、請求項1に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記第1のくり抜き部の前記ホール領域に近い側壁と前記ホール領域の前記第1のくり抜き部に近い側壁との間の距離は、2μmより大きいか、等しい、請求項5に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記画素島領域から前記ホール領域への方向において、前記第1のくり抜き部の幅は、5umより大きいか、等しい、請求項5に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記第1のくり抜き部は、前記ホール領域と貫通する、請求項1に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記第1のくり抜き部の前記ホール領域に近いエッジは、前記ホール領域の前記第1のくり抜き部に近いエッジに重なる、請求項8に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記画素ユニットは少なくとも1つのサブ画素を含み、前記サブ画素は画素回路および発光素子を含み、前記発光素子は、積層された陽極、有機発光層および陰極を含み、前記接続ブリッジ領域において、前記画素ユニットに近い位置に仕切り構造が配置され、前記有機発光層は、前記仕切り構造で切断され、前記陰極は、前記仕切り構造で切断され、
前記第1のくり抜き部の前記画素ユニットに近い側壁と、前記仕切り構造との間の距離は、2umより大きいか等しい、請求項5または請求項8または請求項9に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。 - 前記第1のくり抜き部は、前記ホール領域の周りに配置された閉鎖構造である、請求項5または請求項6または請求項7に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記仕切り構造は、前記第1のくり抜き部の周りに配置された閉鎖構造である、請求項11に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記ホール領域の一部は、第1の方向に延在し、第2の方向に配置された第1のサブホール領域および第2のサブホール領域と、前記第2の方向に延在する第3のサブホール領域とを含み、前記ホール領域の別の一部は、第2の方向に延在する且第1の方向に配置された第4のサブホール領域および第5のサブホール領域と、第1の方向に延在する第6のサブホール領域とを含み、前記第1の方向は、前記第2の方向に対して実質的に垂直であり、前記第3のサブホール領域は、前記第1のサブホール領域および前記第2のサブホール領域の中心領域に実質的に接続されており、前記第6のサブホール領域は、前記第4のサブホール領域および前記第5のサブホール領域的の中心領域に実質的に接続されており、
前記第1のくり抜き部は、前記第1のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第2のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第1のサブホール領域の端部側と前記第2のサブホール領域の端部側、前記第4のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第5のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第4のサブホール領域の端部側と前記第5のサブホール領域の端部側とのうち少なくとも1つの位置に配置される、請求項11に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。 - 前記第1のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第2のサブホール領域と前記第3のサブホール領域との接続位置の側、前記第1のサブホール領域の端部側と前記第2のサブホール領域の端部側、前記第4のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第5のサブホール領域と前記第6のサブホール領域との接続位置の側、前記第4のサブホール領域の端部側と前記第5のサブホール領域の端部側は、いずれも前記第1のくり抜き部を備える、請求項13に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記画素島領域は、少なくとも1つの前記画素ユニットを含み、前記画素島領域の画素の解像度は、前記接続ブリッジ領域の画素の解像度と実質的に同じである、請求項1に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記複数の無機絶縁層は、前記ベース前記第2のパッシベーション層上に積層された第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層を含み、前記第1の障壁層、前記バッファ層、前記第1のゲート絶縁層、前記第2のゲート絶縁層、前記層間媒体層、前記第1のパッシベーション層、前記第2のパッシベーション層および前記無機封止層のうちの少なくとも1つは、前記第1のくり抜き部を備えている、請求項1に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記層間媒体層、前記第1のパッシベーション層、前記第2のパッシベーション層および前記無機封止層は、前記第1のくり抜き部を備えており、各前記第1のくり抜き部は実質的に重なり合う、請求項16に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。
- 前記無機封止層は、前記第2のパッシベーション層上に積層された第1の無機層および第2の無機層を含み、
前記伸縮可能なディスプレイ基板は、前記層間媒体層と前記第1のパッシベーション層との間に配置される第1の平面層および第2の平面層、前記第2のパッシベーション層と前記無機封止層との間に配置される画素定義層と、前記第1の無機層と前記第2の無機層との間に配置される有機層とをさらに含み、
前記第1の平面層、前記第2の平面層、前記画素定義層および前記有機層のうちの少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第2のくり抜き部を有し、前記第1のくり抜き部と前記第2のくり抜き部とは実質的に重なり合う、請求項16に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。 - 前記ベースは、可撓性層を含み、
または、前記ベースは、前記第1の障壁層背離前記バッファ層から離れた前記第1の障壁層側に、積層された第1の可撓性層、第2の障壁層および第2の可撓性層を含む、請求項16に記載の伸縮可能なディスプレイ基板。 - 請求項1ないし請求項19のいずれか一項に記載の前記伸縮可能なディスプレイ基板を含む、ディスプレイ装置。
- 請求項1ないし請求項19のいずれか一項に記載の前記伸縮可能なディスプレイ基板の作製方法であって、
ベースを提供するステップと、
画素ユニットおよび前記画素ユニットと電気的に接続された信号線を前記ベース上に形成するステップと、
積層された複数の無機絶縁層を前記ベース上に形成するステップとを含み、
前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つは、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有し、前記ベース上の前記第1のくり抜き部の正射影は、前記ベース上の前記信号線および前記画素ユニットの正射影と重ならない、作製方法。 - 前記複数の無機絶縁層の少なくとも1つが、前記ホール領域に近い第1のくり抜き部を有することは、
前記ベース上に、第1の障壁層、バッファ層、第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層、層間媒体層、第1のパッシベーション層、第2のパッシベーション層および無機封止層を堆積することと、
前記第1の障壁層、前記バッファ層、前記第1のゲート絶縁層、前記第2のゲート絶縁層、前記層間媒体層、前記第1のパッシベーション層、前記第2のパッシベーション層および前記無機封止層のうちの少なくとも1つに、パターニング工程を用いて前記第1のくり抜き部を形成することとを含む、請求項21に記載の作製方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2021/091405 WO2022226981A1 (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种可拉伸显示基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024517525A true JP2024517525A (ja) | 2024-04-23 |
Family
ID=83846660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023521911A Pending JP2024517525A (ja) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 伸縮可能なディスプレイ基板およびその作製方法、ならびにディスプレイ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP4203052A4 (ja) |
JP (1) | JP2024517525A (ja) |
KR (1) | KR20240004207A (ja) |
CN (1) | CN115552620A (ja) |
WO (1) | WO2022226981A1 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102432345B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-08-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 신축성 표시 장치 |
CN110289292B (zh) * | 2019-06-27 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置和显示基板的制作方法 |
CN110416266B (zh) * | 2019-07-29 | 2022-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及包含其的显示面板 |
CN110637379B (zh) * | 2019-08-22 | 2022-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板、显示设备和制造可拉伸显示面板的方法 |
CN110854166A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-02-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可拉伸有机发光二极管显示面板 |
CN111554831B (zh) * | 2020-06-15 | 2023-01-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN111799399B (zh) * | 2020-07-21 | 2023-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制作方法 |
CN111987134A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 连接结构及制备方法、可拉伸显示基板 |
CN112490272B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-04-30 EP EP21938455.9A patent/EP4203052A4/en active Pending
- 2021-04-30 WO PCT/CN2021/091405 patent/WO2022226981A1/zh active Application Filing
- 2021-04-30 JP JP2023521911A patent/JP2024517525A/ja active Pending
- 2021-04-30 KR KR1020237012336A patent/KR20240004207A/ko active Search and Examination
- 2021-04-30 CN CN202180001013.9A patent/CN115552620A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022226981A1 (zh) | 2022-11-03 |
CN115552620A (zh) | 2022-12-30 |
EP4203052A1 (en) | 2023-06-28 |
EP4203052A4 (en) | 2024-01-10 |
KR20240004207A (ko) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11387309B2 (en) | Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus | |
JP7140874B2 (ja) | 表示装置 | |
CN110634937B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN111564482B (zh) | 显示基板及制备方法、显示装置 | |
CN112186023B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN112490272B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP2022191220A (ja) | 表示装置 | |
JP7486523B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
CN111554714B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN111524952B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP7482900B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法 | |
US9064751B2 (en) | Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof | |
US11133488B2 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate having enclosure ring in buffer area | |
WO2022001405A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN113439338A (zh) | 显示基板及其制备方法 | |
KR20190118221A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20180045536A (ko) | 발광 영역 및 반사 영역을 포함하는 디스플레이 장치 | |
CN110931510A (zh) | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 | |
KR20150076936A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 | |
WO2021056261A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
JP2024517525A (ja) | 伸縮可能なディスプレイ基板およびその作製方法、ならびにディスプレイ装置 | |
US20230157096A1 (en) | Display substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus | |
CN110890481B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN111554721B (zh) | 一种显示基板及制作方法、显示装置 | |
CN113540196B (zh) | 一种可拉伸显示基板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240423 |