JP2024508144A - 内視鏡システムおよび制御方法 - Google Patents

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Abstract

内視鏡装置と共に使用される剥離処置術用の剥離処置装置を開示する。剥離処理装置は、内視鏡装置に挿入され、かつ、中性電極が装備されかつ不活性ガス注入用のガスチャンネルが突出ている人体内に突出している。内視鏡装置に形成された他のガスチャンネルと共に、高周波電流を印加しながら二種類のガスが人体内に注入されて、剥離手技が行われる。剥離処置装置は、ガスの注入および高周波電流の印加の制御を管理する制御回路により制御される。

Description

本願発明は、内視鏡システム、制御装置、および、焼灼手技のガス流の制御方方法に関する。特に、本開示は、特に胃食道逆流性疾患の治療のために、処置装置からガスが照射され、焼灼手技の為の排出雰囲気を形成するラジオ波焼灼用の処置具に関する。
本願は、2021年3月1日に、米国に仮出願された米国仮出願63/154,841;63/154,847号、63/154,854号、63/154,856号、および63/154,857号に基づき優先権を主張する。各出願の全ての内容をここに援用する。
以下の説明において、特定の構造および/または方法について説明する。しかし、以下の説明は、これらの構造および/または方法が先行技術を構成するものとして認定されるべきではない。出願人は、このような構成および/または方法が本発明に対する先行技術として適格ではないことを認める権利を明示的に留保する。
胃食道逆流性疾患は、胃の内容物、主に胃酸が食道に逆流したとき、胸やけや、胃酸過多等、不快な自覚症状をもたらし、また、食道炎、バレット食道、あるいはバレット食道の結果生じる食道腺癌といった炎症性疾患の一つである。
胃酸の食道への逆流は、噴門が弛緩したときや腹圧が上昇したときなどにしばしば生じる。滑脱性食道裂孔ヘルニアがある場合、横隔膜による噴門の締め付け力が不十分となるため、胃酸の食道への逆流が生じやすい。
胃酸の食道への逆流の発生を防ぐため、一般に逆流防止粘膜切除術(Anti-Reflux MucoSectomy;ARMS)と言われる医療手技が開発されている。この医療手技では、胃食道接合部付近の粘膜を切除し、切除部位に瘢痕が生じ、切除部位は最終的には不完全な瘢痕性狭窄を形成する。食道および胃のいずれか一方、または両方に不完全な瘢痕性狭窄が形成され、かつ、食べ物が通過するときの胃の嚥下障害を軽減し、胃酸の逆流を防ぐ開口が形成されることによって、胃酸が食道に到達することを防ぐことができる。このような医療手技が例えば特許文献1に開示されている。
一般的に、逆流防止粘膜焼灼術(ARMA)と称される別の種類の医療手技は、粘膜下層の下にある粘膜の基底細胞を焼灼することによって粘膜を損傷させ、損傷領域の回復を通じて、消化管内に不完全な瘢痕性狭窄を形成する経内視鏡処置方法である。このような医療手技が例えば特許文献2に開示されている。
アルゴンプラズマ凝固(APC)用の経内視鏡手術装置の一例が特許文献3に開示されている。従来の経内視鏡手術装置は、アルゴンプラズマ凝固(APC)用のプローブとして構成されたプローブも開示されている。プローブは、内視鏡を介して、処置対象の組織、この場合、患者の声帯襞の領域に案内される。プローブはアルゴンプラズマ凝固用の第一作業チャンネルと、第一作業チャンネルと同軸に配置された第二作業チャンネルとを備える。各チャンネルの先端はそれぞれ出口開口となる。電極からプローブの先端に高周波電流が供給され、これにより、処置対象組織に電流が供給される。電極は第一作業チャンネル内に配置される。電極は、高周波電圧を生成するHG発生器に、電流供給装置を介して接続されている。APCの間、不活性ガス、好ましくはアルゴンガスが電極の周囲に流れ、高周波(HF)電流とガスとの間の相互作用によって、プラズマが生成される。プローブ内において、電極はノズル装置内で開き、可能な限り対象を絞ったプラズマ流れが得られる。プラズマ流を介してHG電流は組織へ案内され、組織が凝固する。
第一チャンネルに対して同軸上に配置された第二チャンネルを経て、別のガス流れが術野に向けられてもよい。イオン化の前、あるいはアルゴンプラズマ凝固の間にこれを生じさせることができる。このガス流、好ましくはアルゴンガスの電流がプラズマ流路を含み、保護流によってプラズマ流の極周囲を囲む不活性ガスのエンベロープが作られる。すなわち、イオン化可能ガスは、例えば、シングルルーメンプローブを備える例の場合のように、プローブの出口開口と処置対象組織との間の空間のみならず、凝固電流が通過可能なより大きい体積を満たし得る。ガスエンベロープは、保護雰囲気として機能し、酸素、または一酸化炭素といった反応性ガスを術野から除外する。これによって、患者にとって危険となりえる、これらのガスとプラズマ流との反応による発火を防ぐ。
第二チャンネルの出口開口は、プローブが伸びる軸方向に沿って、プローブの先端に向かっており、かつ第一チャンネルの排出開口の手前に配置される。すなわち、第一チャンネルは第二チャネルの外部に突出している。したがって、第一チャンネルの先端が確保され、プラズマ流が適切かつ確実に保護雰囲気内に取り込まれるため、保護雰囲気をきわめて高い信頼性で作ることができる。
追加のアルゴンガスを術野に供給するための第二チャンネルがAPCプローブ内に配置されているため、アルゴン雲、つまり、保護雰囲気であるプラズマ流を包むアルゴン雲の形成は、内視鏡に対するプローブの位置と関係しない。さらに、保護流が必要とされる程度に応じて、追加のアルゴン流を任意にオン、オフできる。
プローブの構造が複雑であることが従来の処置装置の欠点である。高周波電流を供給する電極に加えて、第一作業チャンネルおよび第二作業チャンネルには不活性ガスおよびガス流が通過可能な十分な幅が必要であり、プローブ全体の大きさの小型化が課題となる。従来の処置装置は、高周波電気の印加、不活性ガスの注入およびガス流の注入をどのように制御するかも開示されていない。
米国特許第9,592,070号 米国特許出願公開第2020/0261069公報 米国特許出願公開第2009/0024122号公報
しかしながら、従来のクリップユニットと処置具との接続構造は、いくつかの点で課題がある。例えば、従来の接続構造は、クリップの回転動作時、クリップユニットが押さえ管の軸周りに回転する動作を確保するための十分な強度がない。さらに例えば、従来の接続構造は、クリップユニットが操作ワイヤにより牽引された際、クリップユニットを押さえ管の軸方向に直線動作させるために十分な強度がない。その結果、結紮操作が適切に完了する前に、クリップユニットが処置具本体の係止部から意図せず外れる可能性がある。
そこで、焼灼手技に用いられる処置装置において、実際の使用を考慮して優れた構造を備えた装置の設計し、従来の処置装置の制約および不利な点を少なくとも一つ回避し得ることが求められている。本開示の目的の一つは、優れた構造を有し、かつ実際の医療手技に適合するように改良された処置装置を提供することである。
一実施形態に係る内視鏡システムは、挿入チャンネルを含む内視鏡と、前記挿入チャンネルに挿通され、前記挿入チャンネルの先端から突出し、電極及び第一ガスチャンネルを備える処置管と、前記第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成されたな第一ガス源と、第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガスを供給するように構成された第二ガス源と、を含む。前記第二ガスチャンネルは、前記処置管内に含まれず、前記第二ガスを前記挿入チャンネルの前記先端の方向に供給する。電力供給源は、前記第一ガスがプラズマ状態となるようにイオン化するのに十分な第一高周波電流を供給する。制御回路は、前記電力供給源、前記第一ガス源、および前記第二ガス源を制御する。前記第一ガスが第一高周波電流値でイオン化され前記プラズマ状態になり、前記第二ガスが第二高周波電流値でイオン化されプラズマ状態になり、前記第二高周波電流は、前記第一高周波電流値より高い。
一実施形態に係る制御装置は、第一ガス源、第二ガス源、および電力供給源を制御する制御回路を含む制御部を備える。前記第一ガス源は、内視鏡に沿う第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成される。前記第二ガス源は、内視鏡に沿う第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給するように構成される。前記電力供給源は、前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な第一高周波電流を電極に供給するように構成される。前記第一ガスが第一高周波電流値で前記プラズマ状態にイオン化され、前記第二ガスが第二高周波電流値で前記プラズマ状態にイオン化され、前記第二高周波電流は、前記第二高周波電流値より高い。
第一ガスおよび第二ガスのガス流、前記第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成された第一ガス源、および第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガスを供給するように構成された第二ガス源を制御する制御方法であって、前記方法は、電極の先端を超える位置に到達するように、前記第一ガスチャンネルを通じて前記第一ガスを供給し、電極の先端を超えて到達しないように、前記第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガス供給し、前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な第一高周波電流を前記電極に印加して前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化する工程を含む。前記第一高周波電流で前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化する。第二高周波電流で前記第二ガスをプラズマ状態にイオン化する。前記第二高周波電流は、前記第一高周波電流よりも高い。
様々な実施形態において、制御回路は、第一ガスの供給の前、同時、あるいは供給後に第二ガスを供給するようにプログラムされ、あるいは、第一高周波電流の供給の前、同時、あるいは後に第二ガスを供給するようにプログラムされ、あるいは、これらを様々に組み合わせるようにプログラムされている。
つまり、本開示は、従来の内視鏡処置装置およびクリップユニットにみられる制約および欠点の一つまたは複数が実質的に回避される内視鏡処置装置およびクリップユニットを示す。
図1は、焼灼処置を行うために内視鏡が挿入されたヒトの胃の断面図である。 図2は、処置装置チャンネルに挿入された焼灼処置装置を有する内視鏡処置を示している。 図3は、内視鏡装置の先端の正面図であり、内視鏡装置のチャンネル開口における焼灼装置の先端を示している。 図4Aは、焼灼処置時の内視鏡装置の先端を模式的に示した側面図である。 図4Bは、焼灼処置時の内視鏡装置の先端を模式的に示した側面図である。 図4Cは、焼灼処置時の内視鏡装置の先端を模式的に示した側面図である。 図5Aは、COガスの注入を伴う焼灼処置時の内視鏡装置の先端を模式的に示した側面図である。 図5Bは、COガスの注入を伴う焼灼処置時の内視鏡装置の先端を模式的に示した側面図である。 図5Cは、COガスの注入を伴う焼灼処置時の内視鏡装置の先端を模式的に示した側面図である。 図6Aは、内視鏡装置のチャンネル開口から焼灼処置を見た正面図である。 図6Bは、内視鏡装置のチャンネル開口から焼灼処置を見た正面図である。 図6Cは、内視鏡装置のチャンネル開口から焼灼処置を見た正面図である。 図6Dは、内視鏡装置のチャンネル開口から焼灼処置を見た正面図である。 図7は、内視鏡装置の先端の側面図である。 図8は、焼灼処置手技を開始するための各種制御シーケンスを列挙する表である。 図9は、焼灼処置手技を停止するための各種制御シーケンスを列挙する表である。 図10は、焼灼処置手技を開始するための他の各種制御シーケンスを列挙する表である。 図11は、焼灼処置手技を開始するための更に他の各種制御シーケンスを列挙する表である。 図12は、焼灼処置手技を停止するための他の各種制御シーケンスを列挙する表である。 図13は、焼灼処置手技を停止するための更に他の各種制御シーケンスを列挙する表である。 図14は、第一ガスおよび第二ガスの流れの制御方法のフロー表である。
追加の特徴および利点は以下で説明され、部分的には以下の説明から明らかになるか、または本発明の実施によって知ることができる。開示する処置装置の目的および他の利点は、明細書による説明および特許請求の範囲、ならびに添付の図面において特に記載した構造によって実現および達成される。
すべての図面において、それぞれの構成要素の寸法はわかりやすくするために適宜調節されている。図面を見やすくするために、図において、特徴の一部のみに参照番号を付している場合がある。
一般に開示された構造および方法は、アルゴンのみならずアルゴンよりも放電性の低いガス等の不活性ガスを端部から放出する内視鏡処置装置に適用される。二酸化炭素等の低放電性ガスは、特に、内視鏡処置装置のエンドキャップ近傍において、アルゴンの体積の一部を置換し、アブレーション治療中、体積が減少したアルゴンガスが放出される。アルゴンガスと共に低放電性ガスを対象部位に供給する各種構造および方法が開示されている。例えば、APCプローブと内視鏡を通るチャンネルとの間、または、内視鏡の前端の気/液流れ用のノズルから低放電性ガスを放射され得る。
ここで使用される”患者”という言葉は、あらゆる生物を含み、”物体”という言葉を含む。患者はヒトまたは動物である。
他のシステム、方法、特徴、および利点は、以下の図および詳細な説明を検討すれば、当業者には明らかになり得る。このような追加的システム、方法、特徴、および利点はすべて、この説明に含まれ、本開示の範囲内にあり、特許請求の範囲によって保護されることを意図している。本セクションのいかなる内容も、それらの主張を制限するものとして解釈されるべきではない。さらなる態様および利点については、開示される入力装置の実施形態と併せて以下で説明する。開示される入力装置の前述の概要および以下の詳細な説明はともに一例および説明であり、特許請求の範囲に記載された開示された入力装置のさらなる説明を提供することを意図していることを理解されたい。
以下の好適な実施形態の詳細な説明は、同様の要素を各図面において同様の符号で示しており、図面と関連付けて読むことができる。
図1は、アブレーション治療の実施のために内視鏡装置200が挿入されたヒトの胃の断面図である。アブレーション治療の実施に先行して手術部位を観察するために、内視鏡200の遠位先端201が、胃食道接合部202に向けられている。
図2は、内視鏡システム224および内視鏡装置200を示す図である。内視鏡装置200は、遠位先端201と、挿入管210と、操作部220とを含む。遠位先端201は、人体の内部対象物を観察するためのカメラ部215おおび照明部216を含む。挿入管210は挿入開口222から遠位先端201まで延びる処置具チャンネル230を含む。焼灼処置装置および他の医療処置装置は処置具チャンネル230に挿入可能であり、挿入管の全長にわたって延びチャンネル開口217の端部まで達し、または内視鏡装置200の遠位先端201においてチャンネル開口217から突出する。例えば、図2では、遠位先端201において、電極302および処置管304がチャンネル開口217から突出していることを示している。焼灼処置装置300は、処置管304の基端側に位置する第一ガス源331および第二ガス源332を含む。焼灼処置装置300は、電極302に電気的に接続される電力供給源333を含む。
内視鏡システム224は、制御装置400を含む。制御装置は、制御回路を含む制御部を有する。制御回路は、第一ガス源331、第二ガス源332、および電力供給源333を制御するように構成されている。第一ガス源331は、内視鏡に沿う第一ガスチャンネル306を通じて第一ガスを供給する。第二ガス源は、内視鏡200に沿う第二ガスチャンネル306を通じて第一ガスを供給する。電力供給源333は、第一ガスをイオン化してプラズマ状態にするのに十分な第一高周波電流を電極302に供給する。第一ガスは第一高周波電流値でプラズマ状態にイオン化される。第二ガスは、第二高周波電流値でプラズマ状態にイオン化される。第二高周波電流値は、第一高周波電流値より高い。
図3は、内視鏡装置200の遠位先端201の正面206を示している。カメラ部215および2つの照明部216は術野を観察するために用いられる。チャンネル開口217内には、焼灼処置装置300の電極302および処置管304が配置される。電極302および処置管304は、処置具チャンネル230内にスライド可能に配置されている。電極302および処置管304は、例えば、それぞれチャンネル開口217から突出したり先端302の正面206を含む平面を通過したりする動作が独立して操作される。電極302は、処置具チャンネル230内の処置管304内にあるため、各要素間に隙間があり、それらの隙間が例えばガスや流体のための通路を形成する。したがって、例えば、インナーチューブチャンネル306が電極の外周面と処置管304の内周面との間に形成され、このインナーチューブチャンネル306はガスおよび/または液体を術野に注入し、あるいは術野から回収できる。例えば、アウターチューブチャンネル308(第二ガスチャンネル)は処置管304の外周面とチャンネル開口217の内周面との間に形成され、このアウターチューブチャンネル308もガスおよび/または液体を術野に注入し、あるいは術野から回収できる。また、内視鏡装置200の多目的チャンネル218は遠位先端201の正面206に開口し、多目的チャンネル218もガスおよび/または液体を術野に注入し、あるいは術野から回収できる。多目的チャンネル218は、遠位先端201の正面206の各所に形成され、様々なサイズおよび様々な数で形成され得る。
図4Aは焼灼処置装置300が使用できる状態にある内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で模式的に示している。遠位先端201には、手術中のカメラ部215からの処置部位の視認性を向上させるためにキャップ402が取り付けられる。キャップ402は、透明な樹脂またはガラス材料から形成してもよい。焼灼処置装置300は、電極302およびインナーチューブチャンネル306をキャップ402の正面401を越えてキャップ402の外側に配置できるように、チャンネル開口部217から十分に突き出ている。
図4Bは、焼灼処置装置300で焼灼処置を行っている状態にある内視鏡装置200の遠位先端201を模式的に示す拡大側面図である。不活性ガス、好ましくはアルゴンが、インナーチューブ開口306から焼灼対象領域404の方向に注入される。アルゴンが不活性ガスとして好ましい理由は、他の不活性ガスと比較して比較的低い電圧でプラズマ状態にイオン化できるためである。意図しない放電および焼灼の発生を防ぐために、電極302に印加される電圧レベルは、アルゴンのみが確実にプラズマ状態に変換され、他の不活性ガスまたは自然に存在するガスがプラズマ状態に変換されず、放電が生成されるように調整される。不活性ガスの注入により、焼灼対象領域404付近に不活性ガス雰囲気406が形成される。不活性ガス雰囲気406は、電極302が焼灼対象領域404に高周波(HF)電流を印加する媒体である。HF電流が不活性ガス雰囲気406と接触することにより、不活性ガス(アルゴン)がイオン化されてプラズマ状態となり、放電が生じる。電極302は中性電極であるため、放電は電極302付近の対象部位、この場合は焼灼対象領域404との間で発生する。電極302の突出遠位端から内視鏡装置200の遠位先端201までの最適な動作距離は、例えば8~18mmである。距離が18mmより大きくなると、焼灼対象領域404とカメラ部215との間の距離が遠すぎて、医療処置を行う医療行為者の視認性に影響を及ぼす可能性がある。また、電極302や処置管304が先端部201から突出しすぎると、カメラ部215の視野が遮られ、医療行為者が焼灼の進行状況を確認する際の視界が妨げられる可能性がある。電極302の突出先端部と内視鏡装置200の先端部201との距離がキャップ402の先端部から先端部201までの距離とほぼ等しい8mmより小さくなると、キャップ402内に不活性ガスが蓄積し、望ましくない放出の危険が増大する。
図4Cは、焼灼処置装置300で焼灼処置を行っている状態にある内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。図4Cにおいて、電極302の遠位先端は、遠位先端201から約8~18mm突出している。不活性ガス、好ましくはアルゴンがインナーチューブ開口306から焼灼対象領域404の近傍に注入されると、不活性ガスはキャップ402内に蓄積し、不活性ガス雰囲気406がキャップ402内に蓄積し、キャップ402が内視鏡装置200の先端部201と接触する。この場合、放電は、電極302とキャップ402との間、または電極302と遠位先端201との間の不活性ガス雰囲気406内で発生し、カメラ部215や照明部216といったキャップ402および/または遠位先端201に配置された電子デバイスに損傷を与える可能性がある。放電によるキャップ402または遠位先端201の損傷は避けるべきである。
図5Aは、焼灼処置装置300が焼灼処置に使用される状態の内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。不活性ガス、好ましくはアルゴンなどの第一ガスが、インナーチューブ開口306から焼灼対象領域404の近傍に注入される。第二ガスは、第一ガスをプラズマ状態にイオン化するための高周波電流よりも、高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化する。第二ガスは、アウターチューブチャンネル308を通じて注入され、ガス流502を形成する。好ましい第一ガスはアルゴンである。アルゴンをイオン化するための高周波電流よりも高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化する適切な第二ガスは、例えばCOガスである。例示的な実施形態では、これら2つのガスに関連して説明する。ガス流502は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406をキャップ402から焼灼対象領域404に向かって押し出す。COガスからの第二ガス流502により、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が、図4Bの場合と比べ、より効率的に焼灼対象領域404の近くに蓄積可能になる。換言すれば、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406は、焼灼対象領域404の近傍に集中し、キャップ402の内部の容積および前方領域などの非焼灼領域から移動あるいは強制的に遠ざけられる。COガスからの第二ガス流502によって、遠位先端201の正面206を形成する。アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が焼灼対象領域404の近傍に形成された後、電極302を通して印加されるHF電流により、不活性ガス雰囲気406内でアルゴンガスからの放電が発生し、焼灼対象領域404が焼灼される。
図5Bは、焼灼処置装置300が焼灼処置に使用される状態の内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。図5Bに示すように、電極302の遠位先端は、遠位先端201から約8~18mm突出する。不活性ガス、好ましくはアルゴンがインナーチューブ開口306から焼灼対象領域404の方向に注入されると、第二ガス、好ましくはCOガスがアウターチューブチャンネル308を通って注入されて、ガス流502を形成する。COガスからのガス流502は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406をキャップ402から焼灼対象領域404に向かって押し出し、不活性ガスのキャップ402内への蓄積を防ぐ。また、COガスからのガス流502は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が内視鏡装置200の遠位先端201と接触するのを防ぐ。それにより、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生することを防ぐ。
図5Cは、焼灼処置装置300が焼灼処置に使用される状態の内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。図5Cに示すように、電極302の遠位先端は、遠位先端201から約8~18mm突出している。不活性ガス、好ましくはアルゴンがインナーチューブ開口306から焼灼対象領域404の方向に注入されると、第二ガス、好ましくはCOガスが多目的チャンネル218を通って注入され、ガス流504を形成する。多目的チャンネル218から注入されるガス流504は、アウターチューブチャンネル308から注入されるガス流よりも強くてもよい。多目的チャンネル218からのCOガスのガス流504は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406をキャップ402から焼灼対象領域404に向かって押し出し、不活性ガスがキャップ402内に蓄積するのを防ぐ。また、多目的チャンネル218からのCOガスのガス流504は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が内視鏡装置200の遠位先端201に接触することを防止し、それによって、電極302とキャップ402との間で放電が発生することを防止する。多目的チャンネル218から注入されるガス流504は、独立して、またはアウターチャンネル308から注入されるCOガスからのガス流502と組み合わせて使用され得る。
一般に、COガスの流速を不活性ガスの流速よりも速くすることにより、電極302とキャップ402または遠位先端201との間の放電を抑制することができる。一方、不活性ガスの流速をCOガスの流速よりも速くすることで、COガスの影響を受けることなく、焼灼対象領域404に安定して吐出することができる。
図6Aから図6Dは、アウターチューブチャンネル308を通って流れるガスおよび/または液体の容積の増加および/または別個のチャンネルの形成を可能にする焼灼処置装置300の処置管304の外面の様々な形状を示す図である。図6Aに示すように、処置管304の外面は、三角形の凹部602を有する。図6Bに示すように、処置管304の外面は、湾曲形状の凹部604を有する。図6Cに示すように、処置管304の外面は、平坦な表面を形成する平坦構造606を有する。図6Dに示すように、処置管304の外面はブロック状の凹部608を有する。各実施形態における様々な構造/凹部は、処置管304の軸の周りに対称的に分布させることができる。例えば、三つ折り、四つ折り、五つ折り、および六つ折りの対称形状を使用できる。例えば、処置管304の外面は、少なくとも1つの凹部を有する。例えば、処置管304の外面は、少なくとも1つの湾曲形状の凹部604、または少なくとも1つの平坦面等を有する。
図7は、内視鏡装置200の遠位先端201および焼灼処置装置300を模式的に示す側断面図である。焼灼処置装置300の処置管304は、それぞれ直径が異なる2つの部分、すなわちアウターチューブ部702とインナーチューブ部704とを有する。アウターチューブ部702の外径は、チャンネル開口部217の内径と同じか、僅かに小さい。この構成により、操作者は、アウターチューブ部702とチャンネル開口部217の縁との接触、またはアウターチューブ部702と処置装置チャンネル230との間に生じる摩擦を感知し、受け取った感覚を操作感覚として使用し得る。インジケータを使用して、チャンネル開口部217に対するアウターチューブ部702の位置を決定する。アウターチューブ部702の長さ706は、好ましくは、10mm以上であり、処置菅304と電極302がキャップ402から突出するのに十分な長さに設定されている。この構成により、術者は、内視鏡装置200および装着されたキャップ402に対して焼灼処置装置300を最適な位置に設定することができる。電極302およびインナーチューブチャンネル306がキャップ402内に位置することを防止することにより、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406がキャップ402内に蓄積することを防止する。これによって電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生するリスクを低減する。
COガスの流速を不活性ガスの流速よりも速くすることにより、キャップ402または遠位先端201と電極302との間の放電を抑制することができる。
一方、不活性ガスの流速をCOガス流速よりも速くすることで、COガスの影響を受けることなく、焼灼対象領域404に安定して不活性ガスを吐出できる。
図14は、ガス流を制御する方法のフロー表を示す。この方法は、焼灼処置装置300のガス流を制御する。ガス流には、第一ガス流および第二ガス流、第一ガス源および第二ガス源が含まれる。第一ガス源は、第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成されている。第二ガス源は、第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給するように構成されている。図14に示すように、ガス流を制御する方法は、電極の遠位端を越えて到達するように第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するステップS1を含む。ガス流を制御する方法は、電極の遠位端を超えて到達することを目的とせず、第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給するステップS2を含む。ガス流を制御する方法は、第一高周波電流を電極に印加して第一ガスをイオン化してプラズマ状態にするステップS3を含む。第一高周波電流は、第一ガスをイオン化してプラズマ状態にするのに十分な電流である。ガス流量を制御する方法において、第一ガスは第一高周波電流でイオン化してプラズマ状態となり、第二ガスは第二高周波電流でイオン化してプラズマ状態となり、第二高周波電流は第一高周波電流よりも高い。
図8~図13は、焼灼処置手技を開始するための内視鏡装置200および焼灼処置装置300を制御する管理制御シーケンスの各種パターンを説明する図である。焼灼処置手技の間、医療行為者の両手は塞がっているため、医療行為者は、焼灼処置手技に関連するアクティビティのオンとオフを切り替えるためにフットスイッチを使用する可能性が高い。フットスイッチが操作される度に、制御装置は、内視鏡装置200または焼灼処置装置300に対して、図8~図13で説明した各ステップの実行を指示する。つまり第一ステップ、第二ステップ、および第三ステップである。次のステップへの移行は、前のアクティビティが停止することを意味するものではない。むしろ、前のステップの動作は、本明細書に開示される焼灼処置手技を停止するための制御シーケンスに関連してさらに説明されるステップの1つの間に、例えば図9,12,13に示すようなステップが停止されない限り継続する。
図8、10および11において、「不活性ガス」という用語は、インナーチューブチャンネル304から不活性第一ガス(好ましくはアルゴンガス)を注入する命令を意味する。同様に、「CO」という用語は、第二ガス、すなわち、第一ガスをプラズマ状態にイオン化する高周波電流よりも高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化するガス(好ましくはCOガス)を、第二ガスからアウターチューブチャンネル308または多目的チャンネル218に注入する命令を意味する。最後に、用語「HF」は、電極302から高周波(HF)電流を印加して放電および焼灼を引き起こす命令を意味する。単一ステップ内に2以上の命令用語(CO、不活性ガス、およびHF)が記述されている場合、複数の命令が同時に動作することを意味する。
図9、12、13に示す焼灼処置手技を停止するための制御シーケンスでは、「不活性ガス」という用語は、インナーチューブチャンネル304からの不活性第一ガス(好ましくはアルゴンガス)の注入を停止する指示を意味する。同様に、「CO」という用語は、アウターチューブチャンネル308または多目的チャンネル218から第二ガス、すなわち第一ガスをプラズマ状態にイオン化する高周波電流よりも高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化するガス(好ましくはCOガス)の注入を停止する命令を意味する。最後に、用語「HF」は、放電および焼灼を停止するために電極302からの高周波(HF)電流の印加を停止する命令を表す。単一ステップ内に2つ以上の命令用語(CO、不活性ガス、およびHF)が記述されている場合、複数の命令が同時に動作することを意味する。
図8は、焼灼処置手技を開始するために内視鏡装置200および焼灼処置装置300を制御する管理制御シーケンスの異なるパターンを説明する表である(図8に示すシーケンスNo.)。
シーケンスNo.1では、第一ステップの間、COガスが注入され、次いで、第二ステップの間、不活性ガスが注入され、最後に第三ステップの間、HF電流が印加される。第一ステップの間、前の処置で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402から押し出され、遠位先端201から離間する。第二ステップ中に注入された不活性ガスは焼灼対象領域404の近くに蓄積するが、連続的に注入されたCOガスは不活性ガスがキャップ402または遠位先端201の内部または近くに蓄積するのを防ぐ。第三ステップ中に印加されるHF電流は、不活性ガス雰囲気406内で放電を発生させ、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で発生する放電を心配することなく、焼灼対象領域404を焼灼する。
シーケンスNo.2では、第一ステップの間、COガスが注入され、次に第二ステップの間、HF電流が印加され、最後に第三ステップの間、不活性ガスが注入される。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出される。第二ステップの間に印加されるHF電流は、注入されたCOガスをイオン化するにはHF電流が不十分であるため、いかなる放電も生じないが、HF電流は、不活性ガス雰囲気の後に電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせるのに十分である。不活性ガス雰囲気406は、第三ステップで形成されるが、連続的に注入されるCOガスは、不活性ガスがキャップ402または遠位先端201の内部または近くに蓄積することを防ぐ。
シーケンスNo.3では、第一ステップの間、最初にCOガスが注入され、次に、HF電流の印加と不活性ガスの注入が第二ステップの間、同時に行われる(シーケンスNo.1には第三ステップがない)。第一ステップ中、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出される。第二ステップ中に印加されるHF電流および注入された不活性ガスにより、不活性ガス雰囲気406が形成された後、電極302と焼灼対象領域404との間に放電が生じるが、連続的に注入されるCOガスは、不活性ガスがキャップ402の内部または遠位先端201近くに蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.4において、第一ステップの間、COガスと不活性ガスが同時に注入され、その後、第二ステップの間、HF電流が印加される(シーケンスNo.2には第三ステップがない)。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出され、焼灼対象領域404の近くに不活性ガス雰囲気406が形成される。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせるが、連続的に注入されるCOガスは、不活性ガスがキャップ402または遠位先端201の内部または近くに蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.5では、第一ステップの間、COガスの注入およびHF電流の印加が同時に行われ、次いで、不活性ガスの注入が第二ステップの間、行われる(シーケンスNo.5では第三ステップがない)。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出され、HF電流の印加はCOガスによる放電を引き起こさない。電極302と焼灼対象領域404との間の放電は、第二ステップ中に焼灼対象領域404の近くに不活性ガス雰囲気406が形成された後にのみ発生するが、連続的に注入されるCOガスは、不活性ガスがキャップ402の内部または遠位先端201近くに蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.6において、第一ステップの間、COガスおよび不活性ガスの注入、ならびにHF電流の印加が同時に行われる(シーケンスNo.6では第二ステップ2または第三ステップがない)。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出され、その間、不活性ガス雰囲気406が焼灼対象領域404の近くに形成される。HF電流の印加は、不活性ガス雰囲気406が焼灼対象領域404の近くに形成されるとすぐに電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせ、連続的に注入されるCOガスは、不活性ガスがキャップ402の内部または遠位先端201近くに蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.7において、まず、第一ステップの間、不活性ガスが焼灼対象領域404に向けて注入され、次いで、第二ステップの間、COガスが注入され、最後に第三ステップの間、HF電流が印加される。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近傍に不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に注入されたCOガスは、焼灼対象領域404の近傍に不活性ガス雰囲気406を形成しながら、蓄積された不活性ガスおよび他の放出可能なガスをキャップ402から遠位先端201から押し出す。第三ステップ中に印加されるHF電流は、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こることを懸念することなく、焼灼対象領域404を放電して焼灼する。
シーケンスNo.8において、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、第二ステップの間、HF電流が印加され、その後、第三ステップの間、COガスが注入される。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生成する。第三ステップ中に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こるのを防ぐ。
シーケンスNo.9において、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、その後、第二ステップの間、HF電流の印加とCOガスの注入が同時に行われる(シーケンスNo.9では第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせ、同時に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生することを防止する。
シーケンスNo.10において、第一ステップの間、不活性ガスの注入とHF電流の印加が同時に行われ、次いで、第二ステップの間、COガスの注入が行われる(シーケンスNo.10では第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近くに不活性ガス雰囲気406を形成し、同時に印加されるHF電流によって、電極302と焼灼対象領域404との間に放電が生じる。第二ステップ中に注入されたCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生するのを防ぐ。
シーケンスNo.11において、第一ステップの間、HF電流が印加され、第二ステップの間、COガスの注入が発生し、第三ステップの間、不活性ガスの注入が生じる。第一ステップの間、不活性ガス雰囲気406が存在しないため、印加されたHF電流は放電を引き起こさない。第二ステップの間、注入されたCOガスが押し出され、キャップ402内に残っているガスと置き換わる。放電は、第三ステップ中に電極302と焼灼対象領域404との間に不活性ガス雰囲気406が生成された後に発生してもよい。
シーケンスNo.12において、第一ステップの間、HF電流が印加され、第二ステップの間、不活性ガスの注入が行われ、第三ステップの間、COガスの注入が行われる。第一ステップの間、不活性ガス雰囲気406が存在しないため、印加されたHF電流は放電が生じない。第二ステップの間、電極302と焼灼対象領域404との間に不活性ガス雰囲気406が生成された後に放電が発生する可能性がある。注入されたCOガスは、インナーチューブチャンネル306を通じて連続的に注入される不活性ガス以外のキャップ402内に残留するガスを押し出す。
シーケンスNo.13において、第一ステップの間、HF電流が印加され、第二ステップの間、不活性ガスとCOガスの注入が行われる(シーケンスNo.13では第三ステップがない)。第一ステップの間、不活性ガス雰囲気406がないため、印加されたHF電流は放電を生じない。第二ステップの間、不活性ガス雰囲気406が電極302と焼灼対象領域404との間に形成された後に放電が発生し、同時に噴射されたCOガスがキャップ402内に残っているガスを押し出し、意図しない放電を防止する。
図9は、焼灼処置手技を停止するために内視鏡装置200および焼灼処置装置300を制御するための他の制御シーケンス(図9に示すシーケンスNo.)を示す表である。以下、シーケンスNo.14から26の詳細を、図8と同様の用語および操作方法を用いて説明する。
シーケンスNo.14において、第一ステップの間、COガスの注入を停止し、次いで、第二ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、さらに第三ステップの間、HF電流の印加を停止する。放電および焼灼処置は、第一ステップの間、COガスが注入されなくなった後も継続するが、不活性ガスが注入されなくなり、不活性ガス雰囲気406が消費または消散してイオン化がサポートされなくなると、第二ステップ中に停止してもよい。放電と焼灼処置が第二ステップ中に継続したとしても、HF電流の印加がオフされると第三ステップ中に停止する。
シーケンスNo.15において、第一ステップの間、COガスの注入を停止し、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加を停止し、そして第三ステップの間、不活性ガスの注入を停止する。第一ステップの間、COガスが注入されなくなった後も放電と焼灼処置は継続するが、HF電流の印加がオフにされると第二ステップ中に停止する。
シーケンスNo.16において、第一ステップの間、COガスの注入を停止し、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加と不活性ガスの注入を停止する(シーケンスNo.16では第三ステップがない)。第一ステップの間、COガスが注入されなくなった後も放電と焼灼処置は継続するが、HF電流の印加と不活性ガスの注入がオフになると、第二ステップ中に停止する。
シーケンスNo.17において、第一ステップの間、COガスと不活性ガスの注入を停止し、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加を停止する(シーケンスNo.17では第三ステップがない)。不活性ガス雰囲気406が消費され、または消散し、イオン化がサポートされなくなるため、COガスおよび不活性ガスが注入されなくなった後、放電および焼灼処置が停止されてもよい。放電と焼灼処置は、HF電流の印加がオフになる第二ステップ中に停止する。
シーケンスNo.18において、第一ステップの間、COガスの注入とHF電流の印加を停止し、次いで、第二ステップの間、不活性ガスの注入を停止する(シーケンスNo.18では第三ステップがない)。HF電流の印加がオフになると、放電と焼灼処置は、第一ステップ中に停止する。
シーケンスNo.19において、COガスおよび不活性ガスの注入、ならびにHF電流の印加は、第一ステップの間、すべて停止される(シーケンスNo.18では第二ステップまたは第三ステップがない)。3つの動作をすべてオフにすると、放電および焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.20において、第一ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、次いで、第二ステップの間、COガスの注入を停止し、さらに第三ステップの間、HF電流の印加を停止する。電極302と焼灼対象領域404との間の不活性ガス雰囲気406がCOガスの継続的な注入によって押し出されるため、不活性ガスの注入が停止されたとき、第一ステップ中に放電および焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.21において、第一ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加を停止し、さらに第三ステップの間、COガスの注入を停止する。電極302と焼灼対象領域404との間の不活性ガス雰囲気406がCOガスの継続的な注入によって押し出されるため、不活性ガスの注入が停止されると、第一ステップ中に放電および焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.22において、第一ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加とCOガスの注入を停止する(シーケンスNo.22では第三ステップがない)。電極302と焼灼対象領域404との間の不活性ガス雰囲気406がCOガスの継続的な注入によって押し出されるため、不活性ガスの注入が停止されると、第一ステップ中に放電および焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.23において、第一ステップの間、不活性ガスの注入とHF電流の印加を停止し、次いで、第二ステップの間、COガスの注入を停止する(シーケンスNo.23では第三ステップがない)。不活性ガスの注入とHF電流の印加が停止された後、第一ステップ中に放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.24において、第一ステップの間、HF電流の印加を停止し、次いで、第二ステップの間、COガスの注入を停止し、第三ステップの間、不活性ガスの注入を停止する。HF電流の印加が停止された後、第一ステップ中に放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.25において、第一ステップの間、HF電流の印加を停止し、次いで、第二ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、第三ステップの間、COガスの注入を停止する。HF電流の印加が停止された後、第一ステップ中に放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.26において、第一ステップの間、HF電流の印加を停止し、次いで、第二ステップの間、不活性ガスとCOガスの注入を停止する(シーケンスNo.26では第三ステップがない)。HF電流の印加が停止された後、第一ステップ中に放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.1、2、3、4、5、6、7、9、11、および13において、制御回路は、第一ガスを供給する前またはそれと同時に第二ガスを供給する、または第一高周波電流を印加する前またはそれと同時に第二ガスを供給するようにプログラムされる(変形例1)。変形例1の主な利点は、COガスの注入が、不活性ガスに印加されるHF電流の前またはそれと同時に行われ、それによって放電が引き起こされることである。注入されたCOガスは、キャップ402内および/または内視鏡装置200の遠位先端201付近で生じる意図しない放電を防止するのに寄与する。
シーケンスNo.8、10、および12において、制御回路は、第一ガスを供給し、第一高周波電流を印加した後、第二ガスを供給するようにプログラムされている(変形例2)。変形例2の主な利点は、COガスの注入を待たずに放電できるため、すぐに治療を開始でき、治療時間全体の短縮にも寄与する。
シーケンスNo.14、15、および16において、制御回路は、第一ガスの供給を停止するか、または第一高周波電流の印加を停止する前に、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされている(変形例3)。
シーケンスNo.17から26において、制御回路は、第一ガスの供給を停止するか、または第一高周波電流の印加を停止した後、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされている(変形例4)。変形例4の主な利点は、不活性ガスへの高周波電流の印加による放電が停止した後に、COガスの注入が停止することである。COガスは、放電が停止するまで、キャップ402内および/または内視鏡装置200の遠位先端201付近で生じる意図しない放電を防止する役割を果たすため、内視鏡装置200の遠位先端201が損傷し難い。
制御回路は、変形例1の後に変形例3または変形例4を実行してもよいし、変形例2の後に変形例3または変形例4を実行してもよい。
図10は、焼灼処置手技を開始するための他の様々な制御シーケンスを列挙する表である。図10の表は焼灼処置手技を開始するための内視鏡装置200および焼灼処置装置300の管理制御シーケンスの異なるパターンを開示する(図10に示すシーケンスNo.)。
シーケンスNo.1Aにおいて、第一ステップの間、COガスが注入され、次いで、第二ステップの間、不活性ガスが注入され、最後に第三ステップの間、HF電流が印加される。第一ステップ中、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402から押し出され、遠位先端201から除かれる。第二ステップ中に注入された不活性ガスは焼灼対象域404の近くに蓄積するが、連続的に注入されたCOガスは、不活性ガスがキャップ402または遠位先端201の内部または近くに蓄積するのを防ぐ。第三ステップ中に印加されるHF電流は、不活性ガス雰囲気406内で放電を発生させ、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生することを懸念することなく、焼灼対象領域404を焼灼する。
シーケンスNo.2Aにおいて、第一ステップの間、COガスが注入され、次いで、第二ステップの間、HF電流が印加され、最後に第三ステップの間、不活性ガスが注入される。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出される。第二ステップ中に印加されるHF電流は、注入されたCOガスをイオン化するには不十分なHF電流であるため、いかなる放電も生じないが、HF電流は、不活性ガスの注入後に電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせるのに十分である。不活性雰囲気406は、第三ステップで形成されるが、連続的に注入されるCOガスは、キャップ402または遠位先端201の内部または近くに不活性ガスが蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.3Aにおいて、第一ステップの間、COガスが注入され、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加と不活性ガスの注入が同時に行われる(シーケンスNo.3の場合には第三ステップがない)。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出される。第二ステップ中に印加されるHF電流および不活性ガスは、不活性ガス雰囲気406が形成された後、連続的に注入されるCOガスは、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせ、不活性ガスがキャップ402の内部または遠位先端201近くに蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.4Aにおいて、第一ステップの間、COガスと不活性ガスが同時に注入され、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加が行われる(シーケンスNo.4では第三ステップがない)。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出され、焼灼対象領域404の近くに不活性ガス雰囲気406が形成される。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生成し、連続的に注入されるCOガスは、不活性ガスがキャップ402または遠位先端201の内部または近くに蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.5Aにおいて、第一ステップの間、COガスの注入とHF電流の印加が同時に行われ、次いで、不活性ガスの注入が第二ステップの間に行われる(シーケンスNo.5の場合には第三ステップがない)。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出され、HF電流の印加によってCOガスによる放電は生じない。電極302と焼灼対象領域404との間の放電は、第二ステップ中に焼灼対象領域404の近くに不活性ガス雰囲気406が形成された後にのみ発生し、COガスが連続的に注入されることにより、不活性ガスがキャップ402の内部または遠位先端201近くに蓄積することが防止される。
シーケンスNo.6Aにおいて、第一ステップの間、COガスおよび不活性ガスの注入、ならびにHF電流の印加は、同時に行われる(シーケンスNo.6Aでは、第二または第三ステップがない)。第一ステップの間、前の手順で残った不活性ガスは、注入されたCOガスによってキャップ402または遠位先端201から押し出されるとともに焼灼対象領域404の近くに不活性ガス雰囲気406が形成される。HF電流の印加は、不活性ガス雰囲気406が焼灼対象領域404の近くに形成されるとすぐに電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせ、連続的に注入されるCOガスは、不活性ガスが焼灼対象領域404のキャップ402の内部または遠位先端201近くに蓄積するのを防ぐ。
シーケンスNo.7Aにおいて、第一ステップの間、まず不活性ガスが焼灼対象領域404に向けて注入され、次いで、第二ステップの間、COガスが注入され、その後、最後に第三ステップの間、HF電流が印加される。第一ステップ中、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近傍に不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に注入されたCOガスは、焼灼対象領域406の近傍に不活性ガス雰囲気を形成しながら、蓄積された不活性ガスおよび他の放出可能なガスをキャップ402および遠位先端201から押し出す。第三ステップ中に印加されるHF電流は、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こることが懸念されることなく、放電して焼灼対象領域404を焼灼する。
シーケンスNo.8Aにおいて、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加とCOガスの注入が同時に行われる(シーケンスNo.8Aでは第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせ、同時に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生することを防止する。
シーケンスNo.9Aにおいて、第一ステップの間、HF電流が印加され、第二ステップの間、COガス注入が行われ、第三ステップの間、不活性ガスの注入が行われる。第一ステップの間、不活性ガス雰囲気406が存在しないため、印加されたHF電流は放電を生じない。第二ステップの間、注入されたCOガスが押し出され、キャップ402内に残っているガスと置き換わる。第三ステップの間、電極302と焼灼対象領域404との間に不活性ガス雰囲気406が生成された後に放電が発生してもよい。
シーケンスNo.10Aにおいて、第一ステップの間、HF電流が印加され、第二ステップの間、不活性ガスおよびCOガスの注入が行われる(シーケンスNo.10Aでは第三ステップがない)。第一ステップの間、不活性ガス雰囲気406が生成されないため、印加されたHF電流は放電を生じない。第二ステップの間、不活性ガス雰囲気406が電極302と焼灼対象領域404との間に生成された後に放電が発生し、同時に注入されたCOガスがキャップ402内に残っているガスを押し出し、意図しない放電を防止する。
シーケンスNo.1Aから10Aの共通の利点は、COガスの注入が、不活性ガスに印加されるHF電流の前またはそれと同時に行われ、それによって放電が引き起こされることである。注入されたCOガスは、キャップ402内および/または内視鏡装置200の遠位先端201付近で生じる意図しない放電の防止に寄与する。
図11は、焼灼処置手技を開始するためのさらに様々な制御シーケンスを列挙する表である。図11の表は焼灼処置手技を開始するために内視鏡装置200および焼灼処置装置300を制御する管理制御シーケンスの異なるパターンを開示する(図11に示すシーケンスNo.)。
シーケンスNo.1Bにおいて、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、第二ステップの間、HF電流が印加され、その後、第三ステップの間、COガスが注入される。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生成する。第三ステップ中に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こるのを防ぐ。
シーケンスNo.2Bでは、第一ステップの間、不活性ガスの注入とHF電流の印加が同時に行われ、次いで、第二ステップの間、COガスの注入が行われる(シーケンスNo.2では第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル304の近くに不活性ガス雰囲気406を形成し、同時に印加されたHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生成する。第二ステップ中に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生するのを防ぐ。
シーケンスNo.3Bにおいて、第一ステップの間、HF電流が印加され、第二ステップの間、不活性ガスの注入が発生し、第三ステップの間、COガスの注入が発生する。第一ステップの間、不活性ガス雰囲気406がないため、印加されたHF電流は放電を生じない。第二ステップの間、不活性ガス雰囲気406が電極302と焼灼対象領域404との間に生成された後に、放電が発生してもよい。注入されたCOガスは、インナーチューブチャンネル306を通じて連続的に注入される不活性ガス以外のキャップ402内に残留するガスを押し出す。
シーケンスNo.1Bから3Bの共通の利点は、COガスの注入を待たずに放電を行うことができるため、直ちに治療を開始することができ、総手技時間の短縮に寄与し得る。
図12は、焼灼処置手技を停止するための他の様々な制御シーケンスを示す表である。図12は、管理制御シーケンスの異なるパターンを開示している(図12に示すシーケンスNo.)焼灼処置手技を停止するために内視鏡装置200および焼灼処置装置300を制御する。
シーケンスNo.1Cにおいて、第一ステップの間、COガスと不活性ガスの注入を停止し、第二ステップの間、HF電流の印加を停止する(シーケンスNo.1の第三ステップがない)。不活性ガス雰囲気406が消費または消散してイオン化をサポートしなくなるため、COガスおよび不活性ガスがもはや注入されなくなった後、放電および焼灼処置は停止され得る。HF電流の印加がオフになると、第二ステップの間、放電と焼灼処置は停止する。
シーケンスNo.2Cにおいて、第一ステップの間、COガスの注入およびHF電流の印加が停止され、次いで、第二ステップの間、不活性ガスの注入が停止される(シーケンスNo.2の第三ステップがない)。HF電流の印加がオフになると、第一ステップの間、放電と焼灼処置は停止する。
シーケンスNo.3Cにおいて、COガスおよび不活性ガスの注入、ならびにHF電流の印加はすべて、第一ステップの間停止される(シーケンスNo.3の第二ステップまたは第三ステップがない)。3つの動作をすべてオフにすると、放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.4Cにおいて、第一ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、第二ステップの間、COガスの注入を停止し、第三ステップの間、HF電流の印加を停止する。電極302と焼灼対象領域404との間の不活性ガス雰囲気406がCOガスの継続的な注入によって押し出されるため、不活性ガスの注入が停止されると、第一ステップの間、放電および焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.5Cにおいて、第一ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、第二ステップの間、HF電流の印加を停止し、第三ステップの間、COガスの注入を停止する。電極302と焼灼対象領域404との間の不活性ガス雰囲気406がCOガスの継続的な注入によって押し出されるため、不活性ガスの注入が停止されると、第一ステップの間、放電および焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.6Cにおいて、第一ステップの間、不活性ガスの注入が停止され、次に、第二ステップの間、HF電流の印加およびCOガスの注入が停止される(シーケンスNo.6の第三ステップがない)。電極302と焼灼対象領域404との間の不活性ガス雰囲気406がCOガスの継続的な注入によって押し出されるため、不活性ガスの注入が停止されると第一ステップの間、放電および焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.7Cでは、第一ステップの間、不活性ガスの注入およびHF電流の印加が停止され、次いで、第二ステップの間、COガスの注入が停止される(シーケンスNo.7の第三ステップがない)。不活性ガスの注入とHF電流の印加が停止された後の第一ステップの間、放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.8Cにおいて、第一ステップの間、HF電流の印加を停止し、第二ステップの間、COガスの注入を停止し、第三ステップの間、不活性ガスの注入を停止する。HF電流の印加が停止された後の第一ステップの間、放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.9Cにおいて、第一ステップの間、HF電流の印加を停止し、第二ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、第三ステップの間、COガスの注入を停止する。HF電流の印加が停止された後の第一ステップでは、放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.10Cにおいて、第一ステップの間、HF電流の印加が停止され、次いで、第二ステップの間、不活性ガスおよびCOガスの注入が停止される(シーケンスNo.10の第三ステップがない)。HF電流の印加が停止された後の第一ステップの間、放電と焼灼処置が停止する。
シーケンスNo.1Cから10Cの共通の利点は、不活性ガスへのHF電流の印加により放電が停止した後、COガスの注入を停止することである。COガスは、放電が停止するまで、キャップ402内および/または内視鏡装置200の遠位先端201付近で生じる意図しない放電を防止する役割を果たすため、内視鏡装置200の遠位先端201が損傷し難い。
図13は、焼灼処置手技を停止するためのさらに様々な制御シーケンスを列挙する表である。図13の表は、内視鏡装置200および焼灼処置装置300を制御して焼灼処置手技を停止する管理制御シーケンスの異なるパターンを説明する表である(図13に示すシーケンスNo.)。
シーケンスNo.1Dにおいて、第一ステップの間、COガスの注入を停止し、第二ステップの間、不活性ガスの注入を停止し、第三ステップの間、HF電流の印加を停止する。放電および焼灼処置は、第一ステップの間、COガスが注入されなくなった後も継続するが、不活性ガスが注入されなくなり、不活性ガス雰囲気406が消費または消散してイオン化をサポートしなくなる第二ステップの間に停止してもよい。放電と焼灼処置が第二ステップまで継続したとしても、HF電流の印加がオフになると第三ステップ中に停止する。
シーケンスNo.2Dにおいて、第一ステップの間、COガスの注入を停止し、第二ステップの間、HF電流の印加を停止し、第三ステップの間、不活性ガスの注入を停止する。第一ステップの間、COガスが注入されなくなった後も放電と焼灼処置は継続するが、HF電流の印加がオフになると、第二ステップの間、停止する。
シーケンスNo.3Dにおいて、第一ステップの間、COガスの注入が停止され、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加および不活性ガスの注入が停止される(シーケンスNo.3の第三ステップがない)。第一ステップの間、COガスが注入されなくなった後も放電と焼灼処置は継続するが、第二ステップの間、HF電流の印加と不活性ガスの注入がオフになると停止する。
添付の特許請求の範囲で定義される本発明をその好ましい実施形態に関連して説明してきたが、特に説明されていない追加、削除、修正、および置換が本発明の精神および範囲から逸脱することなく行われ得ることは当業者には理解される。
上記実施形態における制御装置の全部または一部は、コンピュータによって実現されてもよい。その場合、この機能を実現するプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録し、当該記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませて実行することにより実現してもよい。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、OSや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、CD-ROM等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置をいう。「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」には、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムを伝送する場合の通信回線のように、プログラムを短時間動的に保持する記録媒体も含まれる。この場合サーバーまたはクライアントとして機能するコンピュータシステム内の揮発性メモリのような、プログラムを一定期間保持する記録媒体。また、上述したプログラムは、上述した機能の一部を実現するためのプログラムであってもよい。また、上述したプログラムは、コンピュータシステムに既に記録されているプログラムとの組み合わせで上述した機能を実現することができるものであってもよい。上記プログラムは、FPGA等のプログラマブルロジックデバイスを用いて実現されるプログラムであってもよい。
開示される内視鏡システムの実施形態は、挿入チャンネルを含む内視鏡と、前記挿入チャンネルに挿通され、前記挿入チャンネルの先端から突出し、電極及び第一ガスチャンネルを備える処置管と、前記第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成されたな第一ガス源と、第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガスを供給するように構成された第二ガス源と、を含む。前記第二ガスチャンネルは、前記処置管内に含まれず、前記第二ガスを前記挿入チャンネルの前記先端の方向に供給する。電力供給源は、前記第一ガスがプラズマ状態となるようにイオン化するのに十分な第一高周波電流を供給する。制御回路は、前記電力供給源、前記第一ガス源、および前記第二ガス源を制御する。前記第一ガスが第一高周波電流値でイオン化され前記プラズマ状態になり、前記第二ガスが第二高周波電流値でイオン化されプラズマ状態になり、前記第二高周波電流は、前記第一高周波電流値より高い。
本開示の他の態様では、第一ガスはアルゴンなどの不活性ガスである。
本開示の他の態様では、第二ガスは二酸化炭素である。
本開示の他の態様では、第一ガスはアルゴンであり、第二ガスは二酸化炭素であり、第一高周波電流はアルゴンをプラズマ状態にイオン化するには十分であるが、二酸化炭素をプラズマ状態にイオン化するには十分ではない。
本開示の他の態様では、電極の壁の外面と治療管の壁の内面との間のプレナムが第一ガスチャンネルを形成する。
本開示の他の態様では、第一ガス流路は、電極の本体を通って延在し、電極の遠位面、例えば、治療管の遠位端面に開口を含む。
本開示の他の態様では、治療管の壁の外面と挿入チャンネルの壁の内面との間のプレナムが第二ガスチャンネルを形成する。
本開示の他の態様では、第三ガス源は、第三ガスチャンネルを介して第三ガスを供給するように構成され、第三ガスチャンネルは内視鏡内に形成され、挿入チャンネルとは別個であり、第三ガスチャンネルは、内視鏡の遠位端の開口部であって、内視鏡の遠位端の治療チューブ用の開口部から間隔を置いて配置される。
本開示の他の態様では、第二ガスチャンネルは、内視鏡内に形成され、挿入チャンネルとは別個であり、第二ガスチャンネルは、内視鏡の遠位端に、挿入チャンネル用の開口部から離間した開口部を有する。
本開示の他の態様では、治療管は外側部分と内側部分とを含み、外側部分は内側部分に比べて大きい直径を有し、外側部分の直径は治療管の内径と等しいか、またはわずかに小さい。
本開示の他の態様では、外側部分は、電極を考慮せずに、治療チューブの遠位端から10mmを超えて延びる。
本開示の他の態様では、内視鏡の遠位端にキャップが取り付けられる。
本開示の他の態様では、外側部分および電極は両方とも、キャップによって覆われた領域から突き出ている。
本開示の他の態様では、電極は中性電極である。
本開示の他の態様では、治療管の壁の外面は、1つまたは複数の凹部を含む。
本開示の他の態様では、凹部は、三角形、曲線状、平面形状、またはブロック状である。
本開示の他の態様では、治療管の壁の外表面は、1つまたは複数の平坦な表面を含む。
本開示の他の態様では、制御装置は、第一ガス源、第二ガス源、および電力供給源を制御する制御回路を含む制御部を備える。前記第一ガス源は、内視鏡に沿う第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成される。前記第二ガス源は、内視鏡に沿う第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給するように構成される。前記電力供給源は、前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な第一高周波電流を電極に供給するように構成される。前記第一ガスが第一高周波電流値で前記プラズマ状態にイオン化され、前記第二ガスが第二高周波電流値で前記プラズマ状態にイオン化され、前記第二高周波電流は、前記第二高周波電流値より高い。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給する前またはそれと同時に第二ガスを供給するか、または第一高周波電流を印加する前またはそれと同時に第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給し、第一高周波電流を印加した後に第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止するか、または第一高周波電流の印加を停止する前に、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止した後、または第一高周波電流の印加を停止した後、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給し、同時に第一高周波電流を印加する前に、第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一高周波電流を印加する前に、第一および第二ガスを同時に供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスを供給し、第一ガスを供給する前に、同時に第一高周波電流を印加するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一および第二ガスを供給し、同時に第一高周波電流を印加するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスを供給する前に第一ガスを供給し、第一高周波電流を印加する前に第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一高周波電流を印加し、同時に第二ガスを供給する前に、第一ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスを供給する前に第一高周波電流を印加し、第一ガスを供給する前に第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一および第二ガスを同時に供給する前に第一高周波電流を印加するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給する前またはそれと同時に第二ガスを供給するか、または第一高周波電流を印加する前またはそれと同時に第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給し、第一高周波電流を印加した後に第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止するか、または第一高周波電流の印加を停止する前に、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止した後、または第一高周波電流の印加を停止した後、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一高周波電流を印加する前に第一ガスを供給し、第二ガスを供給する前に第一高周波電流を供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給し、第二ガスを供給する前に、同時に第一高周波電流を印加するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給する前に第一高周波電流を印加し、第二ガスを供給する前に第一ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止する前に第二ガスの供給を停止し、第一高周波電流の印加を停止する前に第一ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一高周波電流の印加を停止する前に第二ガスの供給を停止し、第一高周波電流の供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給と第一高周波電流の印加を同時に停止する前に、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
開示の他の態様では、制御回路は、第一高周波電流の印加を停止する前に、第一ガスおよび第二ガスの供給を同時に停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止する前に、第二ガスの供給と第一高周波電流の印加を同時に停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一および第二ガスの供給と第一高周波電流の印加を同時に停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスの供給を停止する前に第一ガスの供給を停止し、第一高周波電流の印加を停止する前に第一ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一高周波電流の印加を停止する前に第一ガスの供給を停止し、第二ガスの供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスの供給を停止し、かつ第一高周波電流の印加を同時に停止する前に、第一ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスの供給を停止する前に、第一ガスの供給と第一高周波電流の印加を同時に停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスの供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止し、第一ガスの供給を停止する前に第二ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止し、第二ガスの供給を停止する前に第一ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスと第二ガスの供給を同時に停止する前に、第一高周波電流の印加を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスを供給する前またはそれと同時に第二ガスを供給するか、または第一高周波電流を印加する前またはそれと同時に第二ガスを供給するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、制御回路は、第一ガスの供給を停止した後、または第一高周波電流の印加を停止した後、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の他の態様では、第一ガスおよび第二ガスのガス流、前記第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成された第一ガス源、および第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガスを供給するように構成された第二ガス源を制御する制御方法であって、前記方法は、電極の先端を超える位置に到達するように、前記第一ガスチャンネルを通じて前記第一ガスを供給し、電極の先端を超えて到達しないように、前記第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガス供給し、前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な第一高周波電流を前記電極に印加して前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化する工程を含む。前記第一高周波電流で前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化する。第二高周波電流で前記第二ガスをプラズマ状態にイオン化する。前記第二高周波電流は、前記第一高周波電流よりも高い。
本開示の他の態様では、第一ガスおよび第二ガスの流れを制御する方法、第一ガス流路を通して第一ガスを供給するように構成された第一ガス源、および第二ガスを供給するように構成された第二ガス源が提供される。第二ガスチャンネルを通る経路が開示されている。この方法は、電極の遠位端を超えて到達することを目的とした第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給することと、電極の遠位端を超えて到達することを目的としない第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給することと、第一高周波を印加することとを含む。第一高周波電流は、第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な電流である。第一ガスの供給を停止する前、または第一高周波電流の印加を停止する前に第二ガスの供給を停止し、第一高周波電流で第一ガスがイオン化してプラズマ状態となり、第二ガスがイオン化してプラズマ化する。状態は第二高周波電流であり、第二高周波電流は第一高周波電流より高い。
本開示の他の態様では、第一ガスおよび第二ガスの流れを制御する方法、第一ガス流路を通して第一ガスを供給するように構成された第一ガス源、および第二ガスを供給するように構成された第二ガス源が提供される。第二ガスチャンネルを通る経路が開示されている。この方法は、電極の遠位端を超えて到達することを目的とした第一ガスチャンネルを通して第一ガスを供給することと、電極の遠位端を超えて到達することを目的としない第二ガスチャンネルを通して第二ガスを供給することと、第一高周波を印加することとを含む。第一高周波電流は、第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な電流である。
第一ガスの供給を停止する前、または第一高周波電流の印加を停止する前に第二ガスの供給を停止し、第一高周波電流で第一ガスがイオン化してプラズマ状態となり、第二ガスがイオン化してプラズマ化する。状態は第二高周波電流であり、第二高周波電流は第一高周波電流より高い。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給に先立って、またはそれと同時に、第二ガスが供給されるか、あるいは、第一高周波電流を印加する前または同時に、第二ガスが供給される。さらに、いくつかの実施形態では、第一ガスは第一高周波電流でイオン化してプラズマ状態になり、第二ガスは第二高周波電流でイオン化してプラズマ状態になり、第二高周波電流は第一高周波電流よりも高い。いくつかの実施形態では、第一ガスはアルゴンなどの不活性ガスであり、第二ガスは二酸化炭素であり、第一高周波電流は、第一ガス、例えばアルゴンをイオン化してプラズマ状態にするだけで十分である。
本開示の他の態様では、第一ガスを供給し、かつ第一高周波電流を印加した後に、第二ガスを供給する。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給を停止する前、または第一高周波電流の印加を停止する前に、第二ガスの供給を停止する。
本開示の他の態様では、第二ガスは、第一ガスを供給する前に供給され、第一ガスは、第一高周波電流を印加する前に供給される。
本開示の他の態様では、第一高周波電流を印加する前に第二ガスが供給され、第一ガスを供給する前に第一高周波電流が印加される。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給と第一高周波電流の印加とを同時に行う前に、第二ガスを供給する。
本開示の他の態様では、第一および第二ガスは、第一高周波電流を印加する前に同時に供給される。
本開示の他の態様では、第二ガスの供給と第一高周波電流の印加は、第一ガスを供給する前に同時に行われる。
本開示の他の態様では、第一および第二ガスの供給と第一高周波電流の印加が同時に行われる。
本開示の他の態様では、第一ガスは第二ガスを供給する前に供給され、第二ガスは第一高周波電流を印加する前に供給される。
本開示の他の態様では、第一高周波電流の印加と第二ガスの供給とを同時に行う前に、第一ガスを供給する。
本開示の他の態様では、第二ガスを供給する前に第一高周波電流が印加され、第一ガスを供給する前に第二ガスが供給される。
本開示の他の態様では、第一ガスと第二ガスを同時に供給する前に、第一高周波電流が印加される。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給を停止する前に第二ガスの供給を停止し、第一高周波電流の印加を停止する前に第一ガスの供給を停止する。
本開示の他の態様では、第一高周波電流の供給を停止する前に第二ガスの供給を停止し、第一ガスの供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止する。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給と第一高周波電流の印加とを同時に停止する前に、第二ガスの供給を停止する。
本開示の他の態様では、第一高周波電流の印加を停止する前に、第一および第二ガスの供給を同時に停止する。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給を停止する前に、第二ガスの供給と第一高周波電流の印加を同時に停止する。
本開示の他の態様では、第一および第二ガスの供給と第一高周波電流の印加が同時に停止される。
本開示の他の態様では、第二ガスの供給を停止する前に第一ガスの供給を停止し、第一高周波電流の印加を停止する前に第二ガスの供給を停止する。
本開示の他の態様では、第一高周波電流の印加を停止する前に第一ガスの供給を停止し、第二ガスの供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止する。
本開示の他の態様では、第二ガスの供給の停止と第一高周波電流の印加の停止を同時に停止する前に、第一ガスの供給を停止する。
本開示の態様では、第二ガスの供給を停止する前に、第一ガスの供給と第一高周波電流の印加を同時に停止する。
本開示の他の態様では、第二ガスの供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止し、第一ガスの供給を停止する前に第二ガスの供給を停止する。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給を停止する前に第一高周波電流の印加を停止し、第二ガスの供給を停止する前に第一ガスの供給を停止する。
本開示の他の態様では、第一ガスと第二ガスの供給を同時に停止する前に、第一高周波電流の印加を停止する。
本開示の他の態様では、第一ガスの供給を停止した後、または第一高周波電流の印加を停止した後、第二ガスの供給を停止する。
内視鏡処置装置およびクリップユニットは従来の内視鏡処置装置およびクリップユニットに見られる限界および欠点による1つまたは複数の問題を実質的に取り除く。
200:内視鏡装置(内視鏡)
224:内視鏡システム
230:処置具チャンネル(挿入チャンネル)
304:処置管
302:電極
306:第一ガスチャンネル
331:第一ガス源
332:第二ガス源
308:第二ガスチャンネル
333:電力源
400:制御回路
本願発明は、内視鏡システムおよび焼灼手技のガス流の制御方方法に関する。特に、本開示は、特に胃食道逆流性疾患の治療のために、処置装置からガスが照射され、焼灼手技の為の排出雰囲気を形成するラジオ波焼灼用の処置具に関する。
しかしながら、従来の内視鏡システムを用いた焼灼手技におけるガス流の制御方法は、いくつかの点で課題がある。
つまり、本開示は、従来の内視鏡システムおよび焼灼手技のガス流の制御にみられる制約および欠点の一つまたは複数が実質的に回避される内視鏡システムおよびの制御方法を示す。
他のシステム、方法、特徴、および利点は、以下の図および詳細な説明を検討すれば、当業者には明らかになり得る。このような追加的システム、方法、特徴、および利点はすべて、この説明に含まれ、本開示の範囲内にあり、特許請求の範囲によって保護されることを意図している。本セクションのいかなる内容も、それらの主張を制限するものとして解釈されるべきではない。さらなる態様および利点については、開示される内視鏡システムの実施形態と併せて以下で説明する。開示される内視鏡システムの前述の概要および以下の詳細な説明はともに一例および説明であり、特許請求の範囲に記載された開示された内視鏡システムのさらなる説明を提供することを意図していることを理解されたい。
内視鏡システム224は、制御装置400を含む。制御装置は、制御回路を含む制御部を有する。制御回路は、第一ガス源331、第二ガス源332、および電力供給源333を制御するように構成されている。第一ガス源331は、内視鏡に沿う第一ガスチャンネル306を通じて第一ガスを供給する。第二ガス源は、内視鏡200に沿う第二ガスチャンネル30を通じて第一ガスを供給する。電力供給源333は、第一ガスをイオン化してプラズマ状態にするのに十分な第一高周波電流を電極302に供給する。第一ガスは第一高周波電流値でプラズマ状態にイオン化される。第二ガスは、第二高周波電流値でプラズマ状態にイオン化される。第二高周波電流値は、第一高周波電流値より高い。
図3は、内視鏡装置200の遠位先端201の正面206を示している。カメラ部215および2つの照明部216は術野を観察するために用いられる。チャンネル開口217内には、焼灼処置装置300の電極302および処置管304が配置される。電極302および処置管304は、処置具チャンネル230内にスライド可能に配置されている。電極302および処置管304は、例えば、それぞれチャンネル開口217から突出したり先端302の正面206を含む平面を通過したりする動作が独立して操作される。電極302は、処置具チャンネル230内の処置管304内にあるため、各要素間に隙間があり、それらの隙間が例えばガスや流体のための通路を形成する。したがって、例えば、インナーチューブチャンネル306が電極の外周面と処置管304の内周面との間に形成され、このインナーチューブチャンネル306はガスおよび/または液体を術野に注入し、あるいは術野から回収できる。例えば、アウターチューブチャンネル308(第二ガスチャンネル)は処置管304の外周面と処置具チャンネル230の内周面との間に形成され、このアウターチューブチャンネル308もガスおよび/または液体を術野に注入し、あるいは術野から回収できる。また、内視鏡装置200の多目的チャンネル218は遠位先端201の正面206に開口し、多目的チャンネル218もガスおよび/または液体を術野に注入し、あるいは術野から回収できる。多目的チャンネル218は、遠位先端201の正面206の各所に形成され、様々なサイズおよび様々な数で形成され得る。
図4Bは、焼灼処置装置300で焼灼処置を行っている状態にある内視鏡装置200の遠位先端201を模式的に示す拡大側面図である。不活性ガス、好ましくはアルゴンが、インナーチューブチャンネル306から焼灼対象領域404の方向に注入される。アルゴンが不活性ガスとして好ましい理由は、他の不活性ガスと比較して比較的低い電圧でプラズマ状態にイオン化できるためである。意図しない放電および焼灼の発生を防ぐために、電極302に印加される電圧レベルは、アルゴンのみが確実にプラズマ状態に変換され、他の不活性ガスまたは自然に存在するガスがプラズマ状態に変換されず、放電が生成されるように調整される。不活性ガスの注入により、焼灼対象領域404付近に不活性ガス雰囲気406が形成される。不活性ガス雰囲気406は、電極302が焼灼対象領域404に高周波(HF)電流を印加する媒体である。HF電流が不活性ガス雰囲気406と接触することにより、不活性ガス(アルゴン)がイオン化されてプラズマ状態となり、放電が生じる。電極302は中性電極であるため、放電は電極302付近の対象部位、この場合は焼灼対象領域404との間で発生する。電極302の突出遠位端から内視鏡装置200の遠位先端201までの最適な動作距離は、例えば8~18mmである。距離が18mmより大きくなると、焼灼対象領域404とカメラ部215との間の距離が遠すぎて、医療処置を行う医療行為者の視認性に影響を及ぼす可能性がある。また、電極302や処置管304が先端部201から突出しすぎると、カメラ部215の視野が遮られ、医療行為者が焼灼の進行状況を確認する際の視界が妨げられる可能性がある。電極302の突出先端部と内視鏡装置200の先端部201との距離がキャップ402の先端部から先端部201までの距離とほぼ等しい8mmより小さくなると、キャップ402内に不活性ガスが蓄積し、望ましくない放出の危険が増大する。
図4Cは、焼灼処置装置300で焼灼処置を行っている状態にある内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。図4Cにおいて、電極302の遠位先端は、遠位先端201から約8~18mm突出している。不活性ガス、好ましくはアルゴンがインナーチューブチャンネル306から焼灼対象領域404の近傍に注入されると、不活性ガスはキャップ402内に蓄積し、不活性ガス雰囲気406がキャップ402内に蓄積し、キャップ402が内視鏡装置200の先端部201と接触する。この場合、放電は、電極302とキャップ402との間、または電極302と遠位先端201との間の不活性ガス雰囲気406内で発生し、カメラ部215や照明部216といったキャップ402および/または遠位先端201に配置された電子デバイスに損傷を与える可能性がある。放電によるキャップ402または遠位先端201の損傷は避けるべきである。
図5Aは、焼灼処置装置300が焼灼処置に使用される状態の内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。不活性ガス、好ましくはアルゴンなどの第一ガスが、インナーチューブチャンネル306から焼灼対象領域404の近傍に注入される。第二ガスは、第一ガスをプラズマ状態にイオン化するための高周波電流よりも、高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化する。第二ガスは、アウターチューブチャンネル308を通じて注入され、ガス流502を形成する。好ましい第一ガスはアルゴンである。アルゴンをイオン化するための高周波電流よりも高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化する適切な第二ガスは、例えばCOガスである。例示的な実施形態では、これら2つのガスに関連して説明する。ガス流502は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406をキャップ402から焼灼対象領域404に向かって押し出す。COガスからの第二ガス流502により、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が、図4Bの場合と比べ、より効率的に焼灼対象領域404の近くに蓄積可能になる。換言すれば、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406は、焼灼対象領域404の近傍に集中し、キャップ402の内部の容積および前方領域などの非焼灼領域から移動あるいは強制的に遠ざけられる。COガスからの第二ガス流502によって、遠位先端201の正面206を形成する。アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が焼灼対象領域404の近傍に形成された後、電極302を通して印加されるHF電流により、不活性ガス雰囲気406内でアルゴンガスからの放電が発生し、焼灼対象領域404が焼灼される。
図5Bは、焼灼処置装置300が焼灼処置に使用される状態の内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。図5Bに示すように、電極302の遠位先端は、遠位先端201から約8~18mm突出する。不活性ガス、好ましくはアルゴンがインナーチューブチャンネル306から焼灼対象領域404の方向に注入されると、第二ガス、好ましくはCOガスがアウターチューブチャンネル308を通って注入されて、ガス流502を形成する。COガスからのガス流502は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406をキャップ402から焼灼対象領域404に向かって押し出し、不活性ガスのキャップ402内への蓄積を防ぐ。また、COガスからのガス流502は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が内視鏡装置200の遠位先端201と接触するのを防ぐ。それにより、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生することを防ぐ。
図5Cは、焼灼処置装置300が焼灼処置に使用される状態の内視鏡装置200の遠位先端201を拡大側面図で概略的に示す。図5Cに示すように、電極302の遠位先端は、遠位先端201から約8~18mm突出している。不活性ガス、好ましくはアルゴンがインナーチューブチャンネル306から焼灼対象領域404の方向に注入されると、第二ガス、好ましくはCOガスが多目的チャンネル218を通って注入され、ガス流504を形成する。多目的チャンネル218から注入されるガス流504は、アウターチューブチャンネル308から注入されるガス流よりも強くてもよい。多目的チャンネル218からのCOガスのガス流504は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406をキャップ402から焼灼対象領域404に向かって押し出し、不活性ガスがキャップ402内に蓄積するのを防ぐ。また、多目的チャンネル218からのCOガスのガス流504は、アルゴンガスからの不活性ガス雰囲気406が内視鏡装置200の遠位先端201に接触することを防止し、それによって、電極302とキャップ402との間で放電が発生することを防止する。多目的チャンネル218から注入されるガス流504は、独立して、またはアウターチューブチャンネル308から注入されるCOガスからのガス流502と組み合わせて使用され得る。
図14は、ガス流を制御する方法のフロー表を示す。この方法は、焼灼処置装置300のガス流を制御する。ガス流には、第一ガス流および第二ガス流が含まれる。第一ガス源は、第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成されている。第二ガス源は、第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給するように構成されている。図14に示すように、ガス流を制御する方法は、電極の遠位端を越えて到達するように第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するステップS1を含む。ガス流を制御する方法は、電極の遠位端を超えて到達することを目的とせず、第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給するステップS2を含む。ガス流を制御する方法は、第一高周波電流を電極に印加して第一ガスをイオン化してプラズマ状態にするステップS3を含む。第一高周波電流は、第一ガスをイオン化してプラズマ状態にするのに十分な電流である。ガス流量を制御する方法において、第一ガスは第一高周波電流でイオン化してプラズマ状態となり、第二ガスは第二高周波電流でイオン化してプラズマ状態となり、第二高周波電流は第一高周波電流よりも高い。
図8、10および11において、「不活性ガス」という用語は、インナーチューブチャンネル30から不活性第一ガス(好ましくはアルゴンガス)を注入する命令を意味する。同様に、「CO」という用語は、第二ガス、すなわち、第一ガスをプラズマ状態にイオン化する高周波電流よりも高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化するガス(好ましくはCOガス)を、第二ガスからアウターチューブチャンネル308または多目的チャンネル218に注入する命令を意味する。最後に、用語「HF」は、電極302から高周波(HF)電流を印加して放電および焼灼を引き起こす命令を意味する。単一ステップ内に2以上の命令用語(CO、不活性ガス、およびHF)が記述されている場合、複数の命令が同時に動作することを意味する。
図9、12、13に示す焼灼処置手技を停止するための制御シーケンスでは、「不活性ガス」という用語は、インナーチューブチャンネル30からの不活性第一ガス(好ましくはアルゴンガス)の注入を停止する指示を意味する。同様に、「CO」という用語は、アウターチューブチャンネル308または多目的チャンネル218から第二ガス、すなわち第一ガスをプラズマ状態にイオン化する高周波電流よりも高い高周波電流でプラズマ状態にイオン化するガス(好ましくはCOガス)の注入を停止する命令を意味する。最後に、用語「HF」は、放電および焼灼を停止するために電極302からの高周波(HF)電流の印加を停止する命令を表す。単一ステップ内に2つ以上の命令用語(CO、不活性ガス、およびHF)が記述されている場合、複数の命令が同時に動作することを意味する。
シーケンスNo.7において、まず、第一ステップの間、不活性ガスが焼灼対象領域404に向けて注入され、次いで、第二ステップの間、COガスが注入され、最後に第三ステップの間、HF電流が印加される。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近傍に不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に注入されたCOガスは、焼灼対象領域404の近傍に不活性ガス雰囲気406を形成しながら、蓄積された不活性ガスおよび他の放出可能なガスをキャップ402から遠位先端201から押し出す。第三ステップ中に印加されるHF電流は、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こることを懸念することなく、焼灼対象領域404を放電して焼灼する。
シーケンスNo.8において、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、第二ステップの間、HF電流が印加され、その後、第三ステップの間、COガスが注入される。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生成する。第三ステップ中に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こるのを防ぐ。
シーケンスNo.9において、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、その後、第二ステップの間、HF電流の印加とCOガスの注入が同時に行われる(シーケンスNo.9では第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせ、同時に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生することを防止する。
シーケンスNo.10において、第一ステップの間、不活性ガスの注入とHF電流の印加が同時に行われ、次いで、第二ステップの間、COガスの注入が行われる(シーケンスNo.10では第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近くに不活性ガス雰囲気406を形成し、同時に印加されるHF電流によって、電極302と焼灼対象領域404との間に放電が生じる。第二ステップ中に注入されたCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生するのを防ぐ。
シーケンスNo.14、15、16、17、および18において、制御回路は、第一ガスの供給を停止するか、または第一高周波電流の印加を停止する前に、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされている(変形例3)。
シーケンスNo.20から26において、制御回路は、第一ガスの供給を停止するか、または第一高周波電流の印加を停止した後、第二ガスの供給を停止するようにプログラムされている(変形例4)。変形例4の主な利点は、不活性ガスへの高周波電流の印加による放電が停止した後に、COガスの注入が停止することである。COガスは、放電が停止するまで、キャップ402内および/または内視鏡装置200の遠位先端201付近で生じる意図しない放電を防止する役割を果たすため、内視鏡装置200の遠位先端201が損傷し難い。
シーケンスNo.7Aにおいて、第一ステップの間、まず不活性ガスが焼灼対象領域404に向けて注入され、次いで、第二ステップの間、COガスが注入され、その後、最後に第三ステップの間、HF電流が印加される。第一ステップ中、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近傍に不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に注入されたCOガスは、焼灼対象領域40の近傍に不活性ガス雰囲気を形成しながら、蓄積された不活性ガスおよび他の放出可能なガスをキャップ402および遠位先端201から押し出す。第三ステップ中に印加されるHF電流は、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こることが懸念されることなく、放電して焼灼対象領域404を焼灼する。
シーケンスNo.8Aにおいて、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、次いで、第二ステップの間、HF電流の印加とCOガスの注入が同時に行われる(シーケンスNo.8Aでは第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生じさせ、同時に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生することを防止する。
シーケンスNo.1Bにおいて、第一ステップの間、不活性ガスが注入され、第二ステップの間、HF電流が印加され、その後、第三ステップの間、COガスが注入される。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近くに不活性ガス雰囲気406を形成する。第二ステップ中に印加されるHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生成する。第三ステップ中に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が起こるのを防ぐ。
シーケンスNo.2Bでは、第一ステップの間、不活性ガスの注入とHF電流の印加が同時に行われ、次いで、第二ステップの間、COガスの注入が行われる(シーケンスNo.2では第三ステップがない)。第一ステップの間、注入された不活性ガスは、インナーチューブチャンネル30の近くに不活性ガス雰囲気406を形成し、同時に印加されたHF電流は、電極302と焼灼対象領域404との間に放電を生成する。第二ステップ中に注入されるCOガスは、電極302とキャップ402または遠位先端201との間で放電が発生するのを防ぐ。
シーケンスNo.Cから10Cの共通の利点は、不活性ガスへのHF電流の印加により放電が停止した後、COガスの注入を停止することである。COガスは、放電が停止するまで、キャップ402内および/または内視鏡装置200の遠位先端201付近で生じる意図しない放電を防止する役割を果たすため、内視鏡装置200の遠位先端201が損傷し難い。
本開示の他の態様では、制御回路は、第二ガスの供給を停止する前に第一ガスの供給を停止し、第一高周波電流の印加を停止する前に第ガスの供給を停止するようにプログラムされる。
本開示の内視鏡システムおよび制御方法は従来の内視鏡システムおよび焼灼手技のガス流の制御に見られる限界および欠点による1つまたは複数の問題を実質的に取り除く。

Claims (20)

  1. 挿入チャンネルを含む内視鏡と、
    前記挿入チャンネルに挿通され、前記挿入チャンネルの先端から突出し、電極及び第一ガスチャンネルを備える処置管と、
    前記第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成されたな第一ガス源と、
    前記処置管内に含まれず、第二ガスを前記挿入チャンネルの前記先端の方向に供給する第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガスを供給するように構成された第二ガス源と、
    前記第一ガスがプラズマ状態となるようにイオン化するのに十分な第一高周波電流を供給する電力供給源と、
    前記電力供給源、前記第一ガス源、および前記第二ガス源を制御する制御回路と、を備え、
    前記第一ガスが第一高周波電流値でイオン化され前記プラズマ状態になり、前記第二ガスが第二高周波電流値でイオン化されプラズマ状態になり、前記第二高周波電流は、前記第一高周波電流値より高い、内視鏡システム。
  2. 前記第二ガスは二酸化炭素である、請求項1に記載の内視鏡システム。
  3. 前記第一ガスがアルゴンであり、前記第二ガスが二酸化炭素であり、
    前記第一高周波電流はアルゴンを前記プラズマ状態にイオン化するのに十分な量であるが二酸化炭素を前記プラズマ状態にイオン化するには不十分な量である、請求項1に記載の内視鏡システム。
  4. 前記電極の壁の外面と前記処置管の壁の内面との間のプレナムが前記第一ガスチャンネルを形成する、請求項1に記載の内視鏡システム。
  5. 前記電極の壁の外面と前記挿入チャンネルの前記壁の内面との間のプレナムが前記第二ガスチャンネルを形成する、請求項1に記載の内視鏡システム。
  6. 前記第二ガスチャンネルは、前記内視鏡内に形成され、前記挿入チャンネルと分離して形成され、
    前記第二ガスチャンネルは、前記内視鏡の先端に、前記内視鏡の先端における前記処置管用の開口から離間した開口を有する請求項1に記載の内視鏡システム。
  7. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給の前または同時に前記第二ガスを供給し、または、前記第一高周波電流の印加前または同時に前記第二ガスを供給するように制御する、請求項1に記載の内視鏡システム。
  8. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給及び前記第一高周波電流の印加の後に前記第二ガスを供給するように制御する、請求項1に記載の内視鏡システム。
  9. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給停止前または前記第一高周波電流の印加停止前に前記第二ガスの前記供給を停止するように制御する、請求項1に記載の内視鏡システム。
  10. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給停止後または前記第一高周波電流の印加停止後に前記第二ガスの前記供給を停止するように制御する、請求項1に記載の内視鏡システム。
  11. 第一ガス源、第二ガス源、および電力供給源を制御する制御回路を含む制御部を備え、
    前記第一ガス源は、内視鏡に沿う第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成され、
    前記第二ガス源は、内視鏡に沿う第二ガスチャンネルを通じて第二ガスを供給するように構成され、
    前記電力供給源は、前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な第一高周波電流を電極に供給するように構成され、
    前記第一ガスが第一高周波電流値で前記プラズマ状態にイオン化され、前記第二ガスが第二高周波電流値で前記プラズマ状態にイオン化され、前記第二高周波電流は、前記第二高周波電流値より高い、制御装置。
  12. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給の前または同時に前記第二ガスを供給し、または、前記第一高周波電流の印加前または同時に前記第二ガスを供給するように制御する、
    請求項11に記載の制御装置。
  13. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給及び前記第一高周波電流の印加の後に前記第二ガスを供給するように制御する、請求項11に記載の制御装置。
  14. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給停止または前記第一高周波電流の印加停止の前に前記第二ガスの前記供給を停止するように制御する、請求項12に記載の制御装置。
  15. 前記制御回路は、前記第一ガスの供給停止または前記第一高周波電流の印加停止の後に前記第二ガスの前記供給を停止するように制御する、請求項12に記載の制御装置。
  16. 第一ガスおよび第二ガスのガス流、第一ガスチャンネルを通じて第一ガスを供給するように構成された第一ガス源、および第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガスを供給するように構成された第二ガス源を制御する制御方法であって、前記方法は、
    電極の先端を超える位置に到達するように、前記第一ガスチャンネルを通じて前記第一ガスを供給し、
    電極の先端を超えて到達しないように、前記第二ガスチャンネルを通じて前記第二ガスを供給し、
    前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化するのに十分な第一高周波電流を前記電極に印加して前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化する工程を備え、
    前記第一高周波電流で前記第一ガスをプラズマ状態にイオン化し、第二高周波電流で前記第二ガスをプラズマ状態にイオン化し、前記第二高周波電流は、前記第一高周波電流よりも高い、制御方法。
  17. 前記第一ガスの供給前または同時に前記第二ガスを供給し、または、前記第一高周波電流の印加前または同時に前記第二ガスを供給する請求項16に記載の方法。
  18. 前記第一ガスの供給および前記第一高周波電流の印加の後に前記第二ガスを供給する、請求項16に記載の方法。
  19. 前記第一ガスの供給停止前または前記第一高周波電流の印加停止前に前記第二ガスの供給を停止する、請求項16に記載の方法。
  20. 前記第一ガスの供給停止後または前記第一高周波電流の印加の停止後に前記第二ガスの供給を停止する、請求項16に記載の方法。
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