JP2024503951A - 導電性ペースト組成物、その応用、結晶シリコン太陽電池電極及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2021年12月20日に中国国家知識産権局に提出された、発明の名称を「導電性ペースト組成物、その製造方法、応用及び結晶シリコン太陽電池」とする中国特許出願第202111558682.4号の優先権を主張するものであり、その全ての内容は参照により本明細書に組み込まれるものとする。
本願のいくつかの実施例によれば、n型結晶シリコン太陽電池のp型半導体と電気的接続をなすための第1種の導電性ペースト組成物を提供する。
(1)上記導電性ペースト組成物の全固形物の0.5%~10%(重量百分率)を占める鉛-ホウ素-セレンガラスフリットと、
(2)導電性ペースト組成物の全固形物の87%~99%(重量百分率)を占める導電性成分と、
(3)導電性ペースト組成物の全固形物の0.5%~3%(重量百分率)を占めるアルミニウム単体成分と、
(4)有機媒体と、を含む。
n型結晶シリコン基板(n型低濃度ドープ基板とも呼ばれる)、n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及びp型ドープされたエミッタの表面に堆積されたパッシベーション膜を有する半導体基材を提供するステップ(1)と、
上記導電性ペースト組成物をp型ドープされたエミッタの表面のパッシベーション膜の少なくとも一部の表面に塗布するステップ(2)と、
半導体基材及び半導体基材に塗布された導電性ペースト組成物を焼結し、導電性ペースト組成物が焼結過程においてパッシベーション膜をエッチングして貫通し、p型ドープされたエミッタとで電気的接続をなす導電性構造(電極とも呼ばれる)を形成することにより、n型結晶シリコン太陽電池電極を得るステップ(3)と、を含むn型結晶シリコン太陽電池電極の製造方法をさらに提供する。n型結晶シリコン太陽電池電極は、n型結晶シリコン太陽電池の1つの構成部分である。
n型結晶シリコン基板、n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及びp型ドープされたエミッタの表面に堆積された少なくとも1層のパッシベーション膜を有する半導体基材と、
パッシベーション膜の少なくとも一部を貫通し、かつp型ドープされたエミッタと電気的接続をなし、上記導電性ペースト組成物で形成される導電性構造と、を含むn型結晶シリコン太陽電池電極をさらに提供する。
本願のいくつかの実施例によれば、n型結晶シリコン太陽電池のp型半導体とで電気的接続をなすための第2種の導電性ペースト組成物をさらに提供する。上記第1種の導電性ペースト組成物中における本部分の第2種の導電性ペースト組成物と同様の内容は、参照により本部分に組み込まれるものとし、説明を省略する。上記第1種の導電性ペースト組成物に比べて、本部分の導電性ペースト組成物は、鉛元素、カドミウム元素及びタリウム元素などの毒性の高い元素を含まないため、人体や環境に深刻な危害を与えず、かつリサイクルしやすい。また、本部分の第2種の導電性ペースト組成物及びそのガラスフリットは、如何なる形態のテルル元素(Te)、例えばテルルの酸化物(TeO2)も含有しない。
(1)上記導電性ペースト組成物の全固形物の0.5%~10%(重量百分率)を占めるビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットと、
(2)導電性ペースト組成物の全固形物の87%~99%(重量百分率)を占める導電性成分と、
(3)導電性ペースト組成物の全固形物の0.5%~3%(重量百分率)を占めるアルミニウム単体成分と、
(4)有機媒体と、を含む。
n型結晶シリコン基板、n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及びp型ドープされたエミッタの表面に堆積された少なくとも1層のパッシベーション膜を有する半導体基材を提供するステップ(1)と、
上記導電性ペースト組成物をパッシベーション膜の少なくとも一部の表面に塗布するステップ(2)と、
半導体基材及び半導体基材に塗布された導電性ペースト組成物を焼結し、導電性ペースト組成物が焼結過程においてパッシベーション膜をエッチングして貫通し、p型ドープされたエミッタとで電気的接続をなす導電性構造(銀アルミニウム電極とも呼ばれる)を形成することにより、n型結晶シリコン太陽電池電極を得るステップ(3)と、を含むn型結晶シリコン太陽電池電極の製造方法をさらに提供する。
n型結晶シリコン基板、n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及びp型ドープされたエミッタの表面に堆積された少なくとも1層のパッシベーション膜を有する半導体基材と、
パッシベーション膜の少なくとも一部を貫通し、かつp型ドープされたエミッタとで電気的接続をなし、上記導電性ペースト組成物で形成される導電性構造と、を含むn型結晶シリコン太陽電池電極をさらに提供する。
本願のいくつかの実施例は、光起電力デバイスのP型半導体と低抵抗の電気的接続をなすための第1種の導電性ペースト組成物を提供する。
(1)鉛-ホウ素-セレンガラスフリットと、
(2)導電性成分と、
(3)アルミニウム単体成分と、
(4)有機媒体と、を含む。
いくつかの実施例において、鉛-ホウ素-セレンガラスフリットは、ガラス成分を有する組成物であり、導電性ペースト組成物の全固形物の0.5%~10%を占めてもよい。他のいくつかの実施例において、鉛-ホウ素-セレンガラスフリットが導電性ペースト組成物の全固形物に占める割合は、0.8%~9.8%であってもよく、1%~9.5%であってもよく、1.5%~9%であってもよく、さらに2%~8%であってもよく、さらに3%~7%であってもよく、さらに4%~6%であってもよく、さらに5%~5.5%であってもよい。導電性ペースト組成物中の各成分の百分率は、いずれも重量百分率(wt%)で表され、以下同様である。鉛-ホウ素-セレンガラスフリットの導電性ペースト組成物の全固形物における割合の調整は、導電性ペースト組成物中の各成分の重量百分率の和が100%であることを保証する必要がある。
いくつかの実施例において、導電性成分は、光起電力デバイスを形成した後に導電作用を果たすために用いられる。導電性成分は、銀単体、銅単体、銀合金、銅合金及び銀塩から選択される1種又は複数種の混合物であってもよい。導電性成分が銀塩であれば、銀塩は、AgCl、AgNO3、AgOOCH3(酢酸銀)、トリフルオロ酢酸銀又はオルトリン酸銀(Ag3PO4)から選択してもよい。
いくつかの実施例において、導電性ペースト組成物において、アルミニウム元素は、必要な成分である。アルミニウム単体成分は、アルミニウム粉末であってもよい。アルミニウム単体成分及び導電性成分は、有機媒体に分散され、高温焼結過程において、アルミニウム粉末は、低抵抗率のオーミック接触をなすことに役立つ。例示的には、導電性成分が銀単体であれば、当該n型導電性ペースト組成物は、銀アルミニウムペースト(Ag/Al paste)を含有し、p型導電性ペーストは、金属アルミニウム単体を含有しないため、銀ペースト(Ag paste)のみを含有する。
いくつかの実施例において、導電性成分、鉛-ホウ素-セレンガラスフリット及びアルミニウム単体成分で構成された固形物に対して、有機媒体は、導電性ペースト組成物中の液相として、上記導電性成分、鉛-ホウ素-セレンガラスフリット及びアルミニウム単体成分を分散して一定の粘度を有するペースト(Paste)を形成するために用いられる。当該ペーストの粘度及びレオロジーにより、上記導電性成分、鉛-ホウ素-セレンガラスフリット及びアルミニウム単体成分を当該ペーストに長期的かつ安定的に分散するだけでなく、導電性ペースト組成物を印刷スクリーンに分散し、かつスクリーン印刷の方式で所望のパターンを光起電力デバイスのパッシベーション膜の表面に塗布することができる。
本願のいくつかの実施例は、上記配合比率に応じて導電性成分、鉛-ホウ素-セレンガラスフリット及びアルミニウム単体成分を混合し、かつ一定量の有機媒体に分散し、均一に分散した後に上記第1種の導電性ペースト組成物を形成するステップを含む、上記第1種の導電性ペースト組成物の製造方法をさらに提供する。鉛-ホウ素-セレンガラスフリット、導電性成分及びアルミニウム単体成分の配合比率の調整は、3種類の成分が導電性ペースト組成物の全固形物に占める重量百分率の和が100%であることを保証する必要がある。
本願のいくつかの実施例における導電性ペースト組成物は、光起電力デバイス、例えば太陽電池の製造に用いることができる。例示的には、導電性ペースト組成物は、焼結過程において光起電力デバイスのパッシベーション膜を迅速にエッチングし、最終的に当該パッシベーション膜を貫通し、当該光起電力デバイスのp型半導体とで低い抵抗率を有する電気的接触をなす。p型半導体は、好ましくは、拡散法によりシリコン基板から製造されるp型エミッタであってもよい。
図1に示すように、本願のいくつかの実施例は、第1種の光起電力デバイスを提供し、当該光起電力デバイスは、n-PERT太陽電池(Passivated Emitter、Rear Totally Diffused)であり、製造時に上記実施例における第1種の導電性ペースト組成物を利用する。
(1)n-PERT太陽電池の中間に位置するn型結晶シリコン基板100と、
(2)n型結晶シリコン基板100の前面に位置する前面p型エミッタ101と、
(3)前面p型エミッタ101の表面に堆積される前面パッシベーション膜103と、
(4)n型結晶シリコン基板100の裏面に位置する裏面電界102と、
(5)裏面電界102の表面に堆積される裏面パッシベーション膜104と、
(6)前面p型エミッタ101の表面の前面パッシベーション膜103の少なくとも一部を貫通し、当該前面p型エミッタ101とで電気的接続をなす前面導電性構造107と、
(7)裏面電界102の表面の裏面パッシベーション膜104の少なくとも一部を貫通し、当該裏面電界102とで電気的接続をなす裏面導電性構造108と、を含む。
リン源を利用して結晶シリコンウェハ(例えば、多結晶シリコンウェハ又は単結晶シリコンウェハ)に低濃度ドープ拡散を行って形成されたn型結晶シリコン基板100を提供するステップ(1)と、
拡散法によりn型結晶シリコン基板100の前面に三価元素(例えば、ホウ素又はガリウム)をドープして、n型結晶シリコン基板100の前面に前面p型エミッタ101を形成し、拡散法によりn型結晶シリコン基板100の裏面に五価元素(例えば、リン)をドープして、裏面電界102を形成するステップ(2)と、
前面p型エミッタ101の表面に前面パッシベーション膜103を堆積し、裏面電界102の表面に裏面パッシベーション膜104を堆積するステップ(3)と、
第1種の導電性ペースト組成物を前面銀アルミニウムペースト105として、パターンの形態で前面パッシベーション膜103の少なくとも一部の表面に塗布し、市場でp-型結晶シリコン電池に適用される金属化銀ペースト、例えばPb-Te-Oガラス粉末を含有する銀ペーストを裏面金属化ペースト106として、パターンの形態で裏面パッシベーション膜104の少なくとも一部の表面に塗布するステップ(4)と、
焼結を行い、前面銀アルミニウムペースト105が前面パッシベーション膜103の当該前面銀アルミニウムペースト105に接触する表面をエッチングして貫通し、前面p型エミッタ101とで電気的接触をなし、かつ導電性金属接点の形態の前面導電性構造107(前面銀アルミニウム電極とも呼ばれる)を形成し、裏面金属化ペースト106が裏面パッシベーション膜104の当該裏面金属化ペースト106に接触する表面をエッチングして貫通し、裏面電界102とで電気的接触をなし、かつ導電性金属接点の形態の裏面導電性構造108(裏面銀電極とも呼ばれる)を形成するステップ(5)と、を含む。これにより、n-PERT太陽電池を得る。
図2に示すように、本願のいくつかの実施例は、第2種の光起電力デバイスを提供し、当該光起電力デバイスは、トンネル酸化膜パッシベーションコンタクト太陽電池(Tunnel Oxide Passivated Contact、n-TOPCon)であり、製造時に第1種の導電性ペースト組成物を利用する。
(1)n-TOPCon太陽電池の中間に位置するn型結晶シリコン基板200と、
(2)n型結晶シリコン基板200の前面に位置する前面p型エミッタ201と、
(3)前面p型エミッタ201の前面に堆積される前面パッシベーション膜203と、
(4)n型結晶シリコン基板200の裏面に位置するトンネルパッシベーション膜202aと、
(5)トンネルパッシベーション膜202a的表面に位置するn+多結晶シリコン層202bと、
(6)n+多結晶シリコン層202bの表面に堆積される裏面パッシベーション膜204と、
(7)前面p型エミッタ201の表面の前面パッシベーション膜203の少なくとも一部を貫通し、当該前面p型エミッタ201とで電気的接続をなす前面導電性構造207と、
(8)n+多結晶シリコン層202bの表面の裏面パッシベーション膜204の少なくとも一部を貫通し、当該n+多結晶シリコン層202bとで電気的接続をなす裏面導電性構造208と、を含む。
リン源を利用して結晶シリコンウェハに低濃度ドープ拡散を行って形成されたn型結晶シリコン基板200を提供するステップ(1)と、
拡散法によりn型結晶シリコン基板200の前面に三価元素(例えば、ホウ素又はガリウム)をドープして、n型結晶シリコン基板200の前面に前面p型エミッタ201を形成し、トンネルパッシベーション接触法によりトンネル酸化物(例えば、SiO2)を利用してn型結晶シリコン基板200にトンネルパッシベーション膜202a及びn+多結晶シリコン層202b(n+poly-Si)を形成するステップ(2)と、
前面p型エミッタ201の表面に前面パッシベーション膜203を堆積し、n+多結晶シリコン層202bの表面に裏面パッシベーション膜204を堆積するステップ(3)と、
第1種の導電性ペースト組成物を前面銀アルミニウムペースト205として、パターンの形態で前面パッシベーション膜203の少なくとも一部の表面に塗布し、市場でp-型結晶シリコン電池に適用される金属化銀ペースト、例えばPb-Te-Oガラス粉末を含有する銀ペーストを裏面金属化ペースト206として、パターンの形態で裏面パッシベーション膜204の少なくとも一部の表面に塗布するステップ(4)と、
焼結を行い、前面銀アルミニウムペースト205が前面パッシベーション膜203の当該前面銀アルミニウムペースト205に接触する表面をエッチングして貫通し、前面p型エミッタ201とで電気的接触をなし、かつ導電性金属接点の形態の前面銀アルミニウム電極を形成し、裏面金属化ペースト206が裏面パッシベーション膜204の当該裏面金属化ペースト206に接触する表面をエッチングして貫通し、n+多結晶シリコン層202bとで電気的接触をなし、かつ導電性金属接点の形態の裏面電極を形成するステップ(5)と、を含む。これにより、n-TOPCon太陽電池を得る。
本願は、光起電力デバイスのP型半導体とで低抵抗の電気的接続をなすことができる第2種の導電性ペースト組成物をさらに提供する。第2種の導電性ペースト組成物は、鉛の酸化物の代わりにビスマスの酸化物を用いるため、その毒性は、第1種の導電性ペースト組成物に比べてさらに低下する。以上の第2種の導電性ペースト組成物に対する説明において、第1種の導電性ペースト組成物と同じ部分は、参照により本部分に組み込まれる。好ましくは、本願の第2種の導電性ペースト組成物及びそれに含有されるビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、如何なる形態のテルル元素(Te)、例えばテルルの酸化物(TeO2)なども含有しない。以下、第2種の導電性ペースト組成物について具体的に説明する。
(1)ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットと、
(2)導電性成分と、
(3)アルミニウム単体成分と、
(4)有機媒体と、を含む。
いくつかの実施例において、ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、ガラス成分を有する組成物であり、導電性ペースト組成物の全固形物の0.5%~10%を占めてもよい。他のいくつかの実施例において、ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットの割合は、0.8%~9.8%であってもよく、1%~9.5%であってもよく、1.5%~9%であってもよく、さらに2%~8%であってもよく、さらに3%~7%であってもよく、さらに4%~6%であってもよく、さらに5%~5.5%であってもよい。導電性ペースト組成物中の各成分の百分率は、重量百分率(wt%)で表される。ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットの導電性ペースト組成物の全固形物における割合の調整は、導電性ペースト組成物中の各成分の重量百分率の和が100%であることを保証する必要がある。
いくつかの実施例において、導電性成分は、光起電力デバイスを形成した後に導電の役割を果たすために用いられる。導電性成分は、銀単体、銀合金及び銀塩から選択される1種又は複数種の混合物であってもよい。銀塩は、AgCl、AgNO3、AgOOCH3(酢酸銀)、トリフルオロ酢酸銀又はオルトリン酸銀(Ag3PO4)から選択してもよい。
いくつかの実施例において、導電性ペースト組成物において、アルミニウム元素は、必要な成分である。アルミニウム単体成分は、アルミニウム粉末であってもよい。アルミニウム単体成分及び導電性成分は、有機媒体に分散され、高温焼結過程において、アルミニウム粉末は、低抵抗率のオーミック接触をなすことに役立つ。例示的には、導電性成分が銀単体であれば、当該導電性ペースト組成物は、銀アルミニウムペースト(Ag/Al paste)を含有する。
いくつかの実施例において、導電性成分、ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリット及びアルミニウム単体成分で構成された固形物に対して、有機媒体は、導電性ペースト組成物中の液相として、上記導電性成分、ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリット及びアルミニウム単体成分を分散して一定の粘度を有するペースト(Paste)を形成するために用いられる。スクリーン印刷後の高温焼結過程において、有機媒体は熱分解される。
本願のいくつかの実施例は、上記配合比率に応じて導電性成分、ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリット及びアルミニウム単体成分を混合し、かつ一定量の有機媒体に分散し、均一に分散した後に第2種の導電性ペースト組成物を形成するステップを含む、第2種の導電性ペースト組成物の製造方法を提供する。ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリット、導電性成分及びアルミニウム単体成分の配合比率の調整は、3種類の成分が導電性ペースト組成物の全固形物に占める重量百分率の和が100%であることを保証する必要がある。
本願のいくつかの実施例における導電性ペースト組成物は、光起電力デバイス、例えば太陽電池の製造に用いることができる。例示的には、導電性ペースト組成物は、焼結過程において光起電力デバイスのパッシベーション膜を迅速にエッチングし、最終的に当該パッシベーション膜を貫通し、当該光起電力デバイスのp型半導体とで低い抵抗率を有する電気的接触をなす。p型半導体は、好ましくは、シリコン基板から製造されるp型エミッタであってもよい。
100 n型結晶シリコン基板(n型低濃度ドープ基板とも呼ばれる)
101 前面p型エミッタ(p型半導体とも呼ばれる)
102 裏面電界(n+高濃度ドープ半導体とも呼ばれる)
103 前面パッシベーション膜
104 裏面パッシベーション膜
105 前面銀アルミニウムペースト
106 裏面金属化ペースト
107 前面導電性構造
108 裏面導電性構造
210 半導体基材
200 n型結晶シリコン基板
201 前面p型エミッタ
202a トンネルパッシベーション膜
202b n+ポリ結晶シリコン層
203 前面パッシベーション膜
204 裏面パッシベーション膜
205 前面銀アルミニウムペースト
206 裏面金属化ペースト
207 前面導電性構造
208 裏面導電性構造
Claims (27)
- 導電性ペースト組成物であって、
前記導電性ペースト組成物の全固形物の0.5wt%~10wt%を占める鉛-ホウ素-セレンガラスフリットと、
前記全固形物の87wt%~99wt%を占める導電性成分と、
前記全固形物の0.5wt%~3wt%を占めるアルミニウム単体成分と、
有機媒体と、を含み、
前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットは、少なくとも、50wt%~85wt%のPbO、2wt%~34wt%のB2O3及び0.1wt%~16wt%のSeO2を含有する、
導電性ペースト組成物。 - 前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットは、0.1wt%~25wt%の添加剤をさらに含有し、前記添加剤は、PbF2、SiO2、Bi2O3、BiF3、AgO2、Ag2O、AgO、ZnO、MgO、CaO、Al2O3、Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Ce2O及びFe2O3からなる群から選択されるいずれか1種又は複数種である、
請求項1に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリット中のSeO2の含有量は、2wt%~10wt%である、
請求項1に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットは、1.2wt%以下のTeO2を含有するか、又は如何なる形態のテルル元素も含有しない、
請求項1に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットに含有される鉛-ホウ素-セレン酸化物は、完全非晶質状態であり、又は前記鉛-ホウ素-セレンガラスフリットに含有される鉛-ホウ素-セレン酸化物は、一部が非晶質状態であり、他の一部が結晶状態である、
請求項1に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記導電性成分は、銀単体、銀合金及び銀塩から選択される1種又は複数種の混合物である、
請求項1に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記導電性ペースト組成物は、100ppm以下のCd元素及び/又はTl元素を含有する、
請求項1に記載の導電性ペースト組成物。 - 請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物のn型結晶シリコン太陽電池における応用であって、前記導電性ペースト組成物は、前記n型結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜をエッチングして貫通し、前記n型結晶シリコン太陽電池のp型ドープされたエミッタとで電気的接続をなす導電性構造を形成する、
導電性ペースト組成物のn型結晶シリコン太陽電池における応用。 - n型結晶シリコン基板、前記n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及び前記p型ドープされたエミッタの表面に堆積されたパッシベーション膜を有する半導体基材を提供するステップと、
請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物を前記パッシベーション膜の少なくとも一部の表面に塗布するステップと、
前記半導体基材及び前記導電性ペースト組成物を焼結し、前記導電性ペースト組成物が焼結過程において前記パッシベーション膜をエッチングして貫通し、前記p型ドープされたエミッタとで電気的接続をなす導電性構造を形成することにより、n型結晶シリコン太陽電池電極を得るステップと、を含む、
n型結晶シリコン太陽電池電極の製造方法。 - 前記導電性ペースト組成物は、パターンの形態で前記パッシベーション膜の少なくとも一部の表面に塗布される、
請求項9に記載の製造方法。 - n型結晶シリコン基板、前記n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及び前記p型ドープされたエミッタの表面に堆積された少なくとも1層のパッシベーション膜を有する半導体基材と、
前記パッシベーション膜の少なくとも一部を貫通し、かつ前記p型ドープされたエミッタとで電気的接続をなし、請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物で形成される導電性構造と、を含む、
n型結晶シリコン太陽電池電極。 - n-PERT太陽電池電極又はn-TOPCon太陽電池電極である、
請求項11に記載のn型結晶シリコン太陽電池電極。 - 請求項11又は12に記載のn型結晶シリコン太陽電池電極を含む、
n型結晶シリコン太陽電池。 - 導電性ペースト組成物であって、
前記導電性ペースト組成物の全固形物の0.5wt%~10wt%を占めるビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットと、
前記全固形物の87wt%~99wt%を占める導電性成分と、
前記全固形物の0.5wt%~3wt%を占めるアルミニウム単体成分と、
有機媒体と、を含み、
前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、少なくとも、50wt%~90wt%のBi2O3、2wt%~35wt%のB2O3及び0.1wt%~15wt%的SeO2を含有する、
導電性ペースト組成物。 - 前記導電性成分は、銀単体、銀合金及び銀塩から選択される1種又は複数種の混合物である、
請求項14に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリット的乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリット中のSeO2の含有量は、2wt%~12wt%である、
請求項14に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリット的乾燥重量的総重量に基づいて計算すると、前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、0.1wt%~5wt%のLi2Oをさらに含有し、及び/又は
前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、0.1wt%~5wt%のNa2Oをさらに含有し、及び/又は
前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、0.1wt%~20wt%のZnOをさらに含有する、
請求項14に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、0.1wt%~25wt%の添加剤をさらに含有し、前記添加剤は、SiO2、BiF3、AgO2、Ag2O、AgO、ZnO、MgO、CaO、Al2O3、Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Ce2O及びFe2O3からなる群から選択されるいずれか1種又は複数種である、
請求項17に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットの乾燥重量の総重量に基づいて計算すると、前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットは、1.2wt%以下のTeO2を含有するか、又は如何なる形態のテルル元素も含有しない、
請求項14に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記導電性ペースト組成物は、如何なる形態のCd元素及び/又はTl元素も含有しない、
請求項14に記載の導電性ペースト組成物。 - 前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットに含有されるビスマス-ホウ素-セレン酸化物は、完全非晶質状態であり、又は前記ビスマス-ホウ素-セレンガラスフリットに含有されるビスマス-ホウ素-セレン酸化物は、一部が非晶質状態であり、他の一部が結晶状態である、
請求項14に記載の導電性ペースト組成物。 - 請求項14~21のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物のn型結晶シリコン太陽電池における応用であって、前記導電性ペースト組成物は、前記n型結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜をエッチングして貫通し、前記n型結晶シリコン太陽電池のp型ドープされたエミッタとで電気的接続をなす導電性構造を形成する、
導電性ペースト組成物のn型結晶シリコン太陽電池における応用。 - n型結晶シリコン基板、前記n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及び前記p型ドープされたエミッタの表面に堆積された少なくとも1層のパッシベーション膜を有する半導体基材を提供するステップと、
請求項14~21のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物を前記パッシベーション膜の少なくとも一部の表面に塗布するステップと、
前記半導体基材及び前記導電性ペースト組成物を焼結し、前記導電性ペースト組成物が焼結過程において前記パッシベーション膜をエッチングして貫通し、前記p型ドープされたエミッタとで電気的接続をなす導電性構造を形成することにより、n型結晶シリコン太陽電池電極を得るステップと、を含む、
n型結晶シリコン太陽電池電極の製造方法。 - 前記導電性ペースト組成物は、パターンの形態で前記パッシベーション膜の少なくとも一部の表面に塗布される、
請求項23に記載の製造方法。 - n型結晶シリコン基板、前記n型結晶シリコン基板の表面に設けられたp型ドープされたエミッタ、及び前記p型ドープされたエミッタの表面に堆積された少なくとも1層のパッシベーション膜を有する半導体基材と、
前記パッシベーション膜の少なくとも一部を貫通し、かつ前記p型ドープされたエミッタとで電気的接続をなし、請求項14~21のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物で形成される導電性構造と、を含む、
n型結晶シリコン太陽電池電極。 - n-PERT太陽電池電極又はn-TOPCon太陽電池電極である、
請求項25に記載のn型結晶シリコン太陽電池電極。 - 請求項25又は26に記載のn型結晶シリコン太陽電池電極を含む、
n型結晶シリコン太陽電池。
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