JP2024091581A - 表示パネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】異なる発光色の発光ユニットの光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。【解決手段】表示パネル及びその製造方法を開示し、当該表示パネルはサブストレート、発光機能層、第１の電極層及び光学調整層を含み、発光機能層は発光色の異なる複数の発光ユニットを含み、光学調整層は半導体酸化物を含み、光学調整層は少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を含み、第１の光学層と第２の光学層の対応する発光ユニットの発光色が異なり、第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率が異なり、本発明は、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガスにおける酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整し、光学調整層におけるフィルム層の屈折率を調節する。【選択図】図１
Description
本発明は表示分野に関し、具体的には表示パネル及びその製造方法に関する。
近年、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）表示パネルは広色域、高速応答、高コントラスト、構造が簡単で軽薄である等の特徴を有し、消費者の好みを受け、ＯＬＥＤ構造において、ＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ、透明導電酸化物）材料は高導電率、高透過率及び適切な仕事関数によりＯＬＥＤ表示パネルに広く応用され、トポグラフィを平坦化し、電極金属を保護し、光学厚さを補償するという作用を果たし、一般的なＴＣＯ材料の成膜方式はマグネトロンスパッタリングであり、一般的に、異なる性質又は異なるタイプのＴＣＯフィルムは複数台の機器を使用する必要があり、そのため、反射電極に応用されるＴＣＯフィルムは通常単一成分であり、各色の発光ユニットに対応するＴＣＯフィルムの性質及びフィルムの厚さが同じであり、異なる発光色の画素に対する最適化コストが高い。
従って、上記技術的課題を解決するために表示パネル及びその製造方法が早急に必要とされている。
本発明は、表示パネル及びその製造方法を提供し、現在異なる発光色の画素に対する最適化コストが高いという技術的課題を緩和することができる。
本発明により提供される表示パネルは、
サブストレートと、
前記サブストレートに位置する第１の電極層と、
光学調整層であって、前記第１の電極層に位置し、前記光学調整層は半導体酸化物を含む光学調整層と、
発光機能層であって、前記光学調整層に位置し、前記発光機能層は発光色の異なる複数の発光ユニットを含む発光機能層と、を含み、
ここで、前記光学調整層は少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を含み、前記第１の光学層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第２の光学層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
サブストレートと、
前記サブストレートに位置する第１の電極層と、
光学調整層であって、前記第１の電極層に位置し、前記光学調整層は半導体酸化物を含む光学調整層と、
発光機能層であって、前記光学調整層に位置し、前記発光機能層は発光色の異なる複数の発光ユニットを含む発光機能層と、を含み、
ここで、前記光学調整層は少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を含み、前記第１の光学層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第２の光学層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
いくつかの実施例では、少なくとも１つの前記第１の光学層は、隣接して設けられた第１のサブ層及び第２のサブ層を含み、前記第２のサブ層は前記第１のサブ層と前記発光機能層との間に位置し、ここで、前記第２のサブ層の屈折率は前記第１のサブ層の屈折率より大きい。
いくつかの実施例では、前記発光機能層は少なくとも第１の有機サブ層を含み、前記第１の有機サブ層は前記第２のサブ層の前記サブストレートの一側から離れた表面に位置し、前記第２のサブ層の屈折率は前記第１の有機サブ層の屈折率より大きい。
いくつかの実施例では、少なくとも１つの前記第１の光学層は、第１のサブ層と、前記第１のサブ層の前記発光機能層に近い一側に位置する第２のサブ層と、前記第２のサブ層と前記発光機能層との間に位置する第３のサブ層と、を含み、ここで、前記第２のサブ層の屈折率は前記第１のサブ層の屈折率より小さく、前記第２のサブ層の屈折率は前記第３のサブ層の屈折率より小さい。
いくつかの実施例では、前記発光機能層は少なくとも第１の有機サブ層を含み、前記第１の有機サブ層は前記第３のサブ層の前記サブストレートの一側から離れた表面に位置し、前記第３のサブ層の屈折率は前記第１の有機サブ層の屈折率より大きい。
いくつかの実施例では、前記第１の光学層のフィルム層数は前記第２の光学層のフィルム層数より多く、前記第１の光学層の対応する色光の波長は前記第２の光学層の対応する色光の波長より長い。
いくつかの実施例では、前記第１の光学層の厚さは前記第２の光学層の厚さより厚い。
いくつかの実施例では、前記表示パネルはさらに、前記発光機能層の前記第１の電極層から離れた一側に位置する第２の電極層と、光取り出し層であって、前記第２の電極層の前記発光機能層から離れた一側に位置し、前記光取り出し層は半導体酸化物を含む光取り出し層と、を含み、ここで、前記光取り出し層は少なくとも第１の取り出し層及び第２の取り出し層を含み、前記第１の取り出し層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、第２の取り出し層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第１の取り出し層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の取り出し層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
いくつかの実施例では、少なくとも１つの前記第１の取り出し層は少なくとも第１の取り出しサブ層及び第２の取り出しサブ層を含み、前記第１の取り出しサブ層は前記第１の取り出し層のうちの前記発光ユニットから最も遠いフィルム層であり、前記第２の取り出しサブ層は前記第１の取り出しサブ層の前記第２の電極層に近い一側の表面に設けられ、ここで、前記第１の取り出しサブ層の屈折率は前記第２の取り出しサブ層の屈折率より大きい。
いくつかの実施例では、前記光学調整層はさらに第３の光学層を含み、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、及び前記第３の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は互いに異なり、前記第１の光学層、前記第２の光学層、及び前記第３の光学層に対応する前記発光ユニットの発光色は互いに異なる。
いくつかの実施例では、前記第１の光学層の厚さは前記第２の光学層の厚さより厚く、前記第２の光学層の厚さは前記第３の光学層の厚さより厚く、前記第１の光学層のフィルム層数は前記第２の光学層のフィルム層数より多く、前記第２の光学層のフィルム層数は前記第３の光学層のフィルム層数より多く、前記第１の光学層の対応する色光の波長は前記第２の光学層の対応する色光の波長より長く、前記第２の光学層の対応する色光の波長は前記第３の光学層の対応する色光の波長より長い。
本発明により提供される表示パネルの製造方法は、
第１の電極層を提供するステップと、
マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層に少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を形成し、光学調整層を形成するように、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なるステップと、
前記光学調整層の前記第１の電極層から離れた一側に発光色の異なる複数の発光ユニットを形成し、発光機能層を形成するように、前記第１の光学層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第２の光学層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応するステップと、を含む。
第１の電極層を提供するステップと、
マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層に少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を形成し、光学調整層を形成するように、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なるステップと、
前記光学調整層の前記第１の電極層から離れた一側に発光色の異なる複数の発光ユニットを形成し、発光機能層を形成するように、前記第１の光学層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第２の光学層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応するステップと、を含む。
本発明の有益な効果は以下のとおりであり、本発明は、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガスにおける酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、光学調整層におけるフィルム層の屈折率を調節し、それにより、異なる発光色の発光ユニットの光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。
本発明の実施例における技術案をより明確に説明するために、以下に実施例の記述に利用する必要がある図面を簡単に紹介するが、当然ながら、以下に記載する図面は単に本発明の実施例の一部にすぎず、当業者であれば、創造的な労力を要することなく、これらの図面に示される構造に基づいて他の図面を得ることができる。
本発明の実施例により提供される表示パネルの構造概略図である。
図１におけるエリアＡの第１の拡大概略図である。
図１におけるエリアＡの第２の拡大概略図である。
図１におけるエリアＡの第３の拡大概略図である。
図１におけるエリアＡの第４の拡大概略図である。
図１におけるエリアＣの拡大概略図である。
図１におけるエリアＤの拡大概略図である。
図１におけるエリアＥの拡大概略図である。
本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のステップフローチャートである。
本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本発明の実施例により提供される表示装置の構造概略図である。
以下、本発明の実施例における図面を参照し、本発明の実施例における技術案を明確で完全に説明し、明らかに、説明された実施例は、すべての実施例ではなく、本発明の実施例の一部にすぎない。本発明における実施例に基づき、当業者は創造な労働をしない前提で得られた全ての他の実施例は、本発明の保護範囲に属する。また、ここで説明された具体的な実施形態は本発明を説明及び解釈するのみに用いられ、本発明を限定するものではないと理解すべきである。本発明では、逆に説明しない場合、使用される方位単語「上」及び「下」は通常装置の実際使用又は動作状態における上及び下を指し、具体的には図面における図面方向であり、「内」及び「外」は装置の輪郭に対するものである。
近年、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）表示パネルは広色域、高速応答、高コントラスト、構造が簡単で軽薄である等の特徴を有し、消費者の好みを受け、ＯＬＥＤ構造において、ＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ、透明導電酸化物）材料は高導電率、高透過率及び適切な仕事関数によりＯＬＥＤ表示パネルに広く応用され、トポグラフィを平坦化し、電極金属を保護し、光学厚さを補償するという作用を果たし、一般的なＴＣＯ材料の成膜方式はマグネトロンスパッタリングであり、一般的に、異なる性質又は異なるタイプのＴＣＯフィルムは複数台の機器を使用する必要があり、そのため、反射電極に応用されるＴＣＯフィルムは通常単一成分であり、各色の発光ユニットに対応するＴＣＯフィルムの性質及びフィルムの厚さが同じであり、異なる発光色の画素に対する最適化コストが高い。
図１～図８を参照し、本発明の実施例により提供される表示パネル１００は、
サブストレート１１０と、
前記サブストレート１１０に位置する第１の電極層２００と、
光学調整層４００であって、前記第１の電極層２００に位置し、前記光学調整層４００は半導体酸化物を含む光学調整層４００と、
発光機能層３００であって、前記光学調整層４００に位置し、前記発光機能層３００は発光色の異なる複数の発光ユニット３１０を含む発光機能層３００と、を含み、
ここで、前記光学調整層４００は少なくとも第１の光学層４１０及び第２の光学層４２０を含み、前記第１の光学層４１０は１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第２の光学層４２０はもう１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
サブストレート１１０と、
前記サブストレート１１０に位置する第１の電極層２００と、
光学調整層４００であって、前記第１の電極層２００に位置し、前記光学調整層４００は半導体酸化物を含む光学調整層４００と、
発光機能層３００であって、前記光学調整層４００に位置し、前記発光機能層３００は発光色の異なる複数の発光ユニット３１０を含む発光機能層３００と、を含み、
ここで、前記光学調整層４００は少なくとも第１の光学層４１０及び第２の光学層４２０を含み、前記第１の光学層４１０は１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第２の光学層４２０はもう１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
本発明は、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガスにおける酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、光学調整層におけるフィルム層の屈折率を調節し、それにより、異なる発光色の発光ユニットの光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。
以下は具体的な実施例を組み合わせて本発明の技術案について説明する。
本実施例では、図１、図２を参照し、前記表示パネル１００は、サブストレート１１０、第１の電極層２００、発光機能層３００及び前記発光機能層３００と前記第１の電極層２００との間に位置する光学調整層４００を含み、前記発光機能層３００は発光色の異なる複数の発光ユニット３１０を含み、前記第１の電極層２００は前記発光機能層３００から離れた出光側に位置し、前記光学調整層４００は半導体酸化物を含み、前記光学調整層４００は少なくとも第１の光学層４１０及び第２の光学層４２０を含み、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なり、前記第１の光学層４１０は１つの発光色の前記発光ユニット３１０と前記第１の電極層２００との間に位置し、前記第２の光学層４２０はもう１つの発光色の前記発光ユニット３１０と前記第１の電極層２００との間に位置し、例えば前記第１の光学層４１０は、赤色に発光する前記発光ユニット３１０に対応し、前記第２の光学層４２０は、緑色に発光する前記発光ユニット３１０に対応する。図中、赤色光の発光ユニット３１０をＲで示し、緑色光の発光ユニット３１０をＧで示し、青色光の発光ユニット３１０をＢで示す。
表示パネル１００はさらに、前記発光機能層３００の前記第１の電極層２００から離れた一側に位置する第２の電極層５００を含み、第１の電極層２００と第２の電極層５００との間にキャビティが形成し、マイクロキャビティ効果を利用し、光の取り出し効率及び光色純度を向上させることができ、例えば、赤色光の波長は緑色光の波長より長いため、赤色光のマイクロキャビティ効果を向上させるために、赤色光の光路が緑色光の光路より長い必要があり、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガス内に酸素を加え、酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、光学調整層４００におけるフィルム層の屈折率を調節し、それにより、異なる発光色の発光ユニット３１０の光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善し、光路とフィルム層の屈折率との正相関の原理を利用し、例えば、赤色光に対応する発光ユニット３１０の光学調整層４００のフィルム層の屈折率を大きくし、それにより赤色光の光路を長くし、赤色光のマイクロキャビティ効果を改善し、光の取り出し効率及び光色純度を向上させる。
いくつかの実施例では、前記発光機能層３００はさらにマイクロキャビティの長さを調整することができる。
いくつかの実施例では、前記第１の電極層２００は、前記発光機能層３００から離れた出光側に位置し、前記第１の電極層２００の材料は反射機能及び導電機能を有する。前記第１の電極層２００はＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｇのうちの１つ又は複数の組み合わせを含み、前記第１の電極層２００の厚さは１００ｎｍ～１０００ｎｍである。
いくつかの実施例では、前記発光機能層３００は少なくとも発光材料層を含み、さらに正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層、正孔輸送層と発光材料層との間の電子ブロック層、及び発光材料層と電子輸送層との間の正孔ブロック層を含んでもよく、前記発光機能層３００は真空蒸着、スピンコート、印刷、物理的堆積、化学的堆積方法のうちの１種又は複数種によって製造されてもよい。
いくつかの実施例では、図１、図３、図４を参照し、少なくとも１つの前記第１の光学層４１０は少なくとも２層のフィルム層を含み、前記第１の光学層４１０の少なくとも２層のフィルム層の屈折率が異なる。
第１の光学層４１０は少なくとも２層のフィルム層を含み、且つ前記第１の光学層４１０の少なくとも２層のフィルム層の屈折率が異なり、当該２層の異なる屈折率のフィルム層を用いて、異なる光学ニーズに応じて、前記第１の光学層４１０の光学特性を変更し、それにより、異なる光学的効果を達成して表示効果を改善する。
いくつかの実施例では、図１、図３、図４を参照し、少なくとも１つの前記第１の光学層４１０は、隣接して設けられた第１のサブ層４１１及び第２のサブ層４１２を含み、前記第１のサブ層４１１の屈折率は前記第２のサブ層４１２の屈折率と異なる。
屈折率の異なる第１のサブ層４１１と第２のサブ層４１２は隣接して設けられ、光線に対する作用はより直接的であり、多層フィルム層が光線に対する複雑な影響を低減し、フィルム層の屈折率を設計するための計算量を減らし、異なる光学ニーズに応じて、前記第１の光学層４１０の光学特性の変更により有利であり、それにより、異なる光学的効果を達成して表示効果を改善する。
いくつかの実施例では、図１、図３、図４を参照し、前記第２のサブ層４１２は前記第１のサブ層４１１と前記発光機能層３００との間に位置し、ここで、前記第２のサブ層４１２の屈折率は前記第１のサブ層４１１の屈折率より大きい。
前記第１のサブ層４１１から前記第２のサブ層４１２への方向は光線が表示パネル１００から出射する方向であり、前記第１のサブ層４１１と前記第２のサブ層４１２は相対的に低－高屈折率を形成し、光線の収束度を高めることができ、光線の取り出し効率を向上させて表示効果を改善することができる。
いくつかの実施例では、図１、図６の図（ｂ）を参照し、前記発光機能層３００は少なくとも第１の有機サブ層３０１を含み、前記第１の有機サブ層３０１は前記第２のサブ層４１２の前記サブストレート１１０から離れた一側の表面に位置し、前記第２のサブ層４１２の屈折率は前記第１の有機サブ層３０１の屈折率より大きく、前記第２のサブ層４１２の屈折率は、前記発光機能層３００の前記第２のサブ層４１２に最も近いフィルム層の屈折率より大きい。第１のサブ層４１１－第２のサブ層４１２－第１の有機サブ層３０１は相対的な低－高－低の屈折率を形成し、光導波路の原理を利用して、光線は第２のサブ層４１２においてマルチパス運動を行うことができ、それにより、光線の光路を長くし、マイクロキャビティ効果を結合して、光の取り出し効率及び光色純度を向上させ、光線の光路を長くすると共にフィルム層の厚さを薄くし、材料のコストを削減する。
いくつかの実施例では、前記発光機能層３００が発光材料層を含む場合、前記第１の有機サブ層３０１は発光材料層であり、前記発光機能層３００が発光材料層及び電子ブロック層を含む場合、前記第１の有機サブ層３０１が電子ブロック層であり、前記発光機能層３００が発光材料層、電子ブロック層及び正孔輸送層を含む場合、前記第１の有機サブ層３０１は正孔輸送層であり、前記発光機能層３００が発光材料層、電子ブロック層、正孔輸送層及び正孔注入層を含む場合、前記第１の有機サブ層３０１は正孔注入層である。
いくつかの実施例では、異なる表示ニーズに応じて、前記第２のサブ層４１２の屈折率と前記第１のサブ層４１１の屈折率との間の差、及び前記第２のサブ層４１２の屈折率と前記発光機能層３００の前記第２のサブ層４１２に最も近いフィルム層の屈折率との間の差を調整し、それにより、異なる光学的効果を達成して表示効果を改善する。
いくつかの実施例では、前記第２のサブ層４１２は前記第１のサブ層４１１と前記発光機能層３００との間に位置し、ここで、前記第２のサブ層４１２の屈折率は前記第１のサブ層４１１の屈折率より少なく、前記第１のサブ層４１１と前記第２のサブ層４１２は相対的な高－低の屈折率を形成し、光線を発散させる効果を有し、光線の表示視野角をさらに改善することができる。
いくつかの実施例では、図１、図５を参照し、少なくとも１つの前記第１の光学層４１０は、第１のサブ層４１１と、前記第１のサブ層４１１の前記発光機能層３００に近い一側に位置する第２のサブ層４１２と、前記第２のサブ層４１２と前記発光機能層３００との間に位置する第３のサブ層４１３と、を含み、ここで、前記第２のサブ層４１２の屈折率は前記第１のサブ層４１１の屈折率より小さく、前記第２のサブ層４１２の屈折率は前記第３のサブ層４１３の屈折率より小さい。
第１のサブ層４１１－第２のサブ層４１２－第３のサブ層４１３は相対的な高－低－高の屈折率を形成し、光線は第２のサブ層４１２及び第３のサブ層４１３を通過し、光線は低屈折率を介して高屈折率フィルム層に向かい、光線の収束度を高めることができ、光線の取り出し効率を向上させて表示効果を改善することができる。
いくつかの実施例では、図１、図６の図（ｃ）を参照し、前記発光機能層３００は少なくとも第１の有機サブ層３０１を含み、前記第１の有機サブ層３０１は前記第３のサブ層４１３の前記サブストレート１１０から離れた一側の表面に位置し、前記第３のサブ層４１３の屈折率は前記第１の有機サブ層３０１の屈折率より大きく、前記第３のサブ層４１３の屈折率は、前記発光機能層３００の前記第３のサブ層４１３に最も近いフィルム層の屈折率より大きい。第２のサブ層４１２－第３のサブ層４１３－第１の有機サブ層３０１は相対的な低－高－低の屈折率を形成し、光導波路の原理を利用して、光線は第３のサブ層４１３においてマルチパス運動を行うことができ、それにより、光線の光路を長くし、マイクロキャビティ効果を結合して、光の取り出し効率及び光色純度を向上させ、光線の光路を長くすると共にフィルム層の厚さを薄くし、材料のコストを削減する。
いくつかの実施例では、前記第１のサブ層４１１の屈折率は前記第３のサブ層４１３の屈折率と異なる。異なる光学ニーズに応じて、前記第１のサブ層４１１の屈折率と前記第３のサブ層４１３の屈折率との差を調整し、それにより、異なる光学的効果を達成して表示効果を改善する。
例えば、前記第３のサブ層４１３の屈折率は前記第１のサブ層４１１の屈折率より大きく、光線の収束度を高め、光の取り出し効率を向上させることができ、例えば前記第３のサブ層４１３の屈折率は前記第１のサブ層４１１の屈折率より小さく、光線の散乱程度を向上させ、開始角度を高くすることができる。
いくつかの実施例では、図１、図２を参照し、前記第１の光学層４１０は１層のフィルム層を含んでもよく、例えば、第１のサブ層４１１であってもよく、光線の収束度を高め、光の取り出し効率を向上させるために、当該フィルム層の屈折率は好適な範囲で大きく設定されてもよく、また、図６の図（ａ）を参照し、第１の電極層２００－第１のサブ層４１１－第２の電極層５００は相対的な低－高－低の屈折率を形成し、光導波路の原理を利用して、光線は第１のサブ層４１１においてマルチパス運動を行うことができ、それにより、光線の光路を長くし、マイクロキャビティ効果を結合して、光の取り出し効率及び光色純度を向上させ、光線の光路を長くすると共にフィルム層の厚さを薄くし、材料のコストを削減する。
いくつかの実施例では、図１、図３、図５を参照し、前記第１の光学層４１０のフィルム層数は前記第２の光学層４２０のフィルム層数と異なる。
異なる色光の波長に応じて、異なるフィルム層数を組み合わせ、異なる色光の光学性能を改善する。
いくつかの実施例では、図１、図３、図５を参照し、前記第１の光学層４１０のフィルム層数は前記第２の光学層４２０のフィルム層数より多く、前記第１の光学層４１０の対応する色光の波長は前記第２の光学層４２０の対応する色光の波長より長い。
そのマイクロキャビティ効果を改善し、光の取り出し効率及び光色純度を向上させるために、比較的長い波長の色光は、光路が比較的長いフィルム層と組み合わせる必要があり、フィルム層の数はフィルム層の厚さと正の相関があり、フィルム層の厚さは光路と正の相関があり、また、フィルム層数を増加しても光学改善方向の多様性を向上させることができ、異なる光学ニーズに適用する。
いくつかの実施例では、図１、図３、図５を参照し、前記第１の光学層４１０の厚さは前記第２の光学層４２０の厚さより厚い。前記第１の光学層４１０の対応する色光の波長は前記第２の光学層４２０の対応する色光の波長より長い。適切なフィルム層の厚さの範囲内において、比較的長い波長の色光は、光路が比較的長いフィルム層と組み合わせる必要があり、フィルム層の数が多いほど、フィルム層の厚さが厚くなり、フィルム層の光路が長くなり、マイクロキャビティ効果を改善し、光の取り出し効率及び光色純度を向上させることができる。
いくつかの実施例では、図１、図３、図５を参照し、前記光学調整層４００はさらに第３の光学層４３０を含み、前記第３の光学層４３０は１つの発光色の発光ユニット３１０に対応し、前記第１の光学層４１０、前記第２の光学層４２０、及び前記第３の光学層４３０に対応する発光ユニット３１０の発光色は互いに異なる。
いくつかの実施例では、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、及び前記第３の光学層４３０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は互いに異なる。
いくつかの実施例では、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第３の光学層４３０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なり、前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第３の光学層４３０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
いくつかの実施例では、図１、図３を参照し、前記発光機能層３００の発光ユニット３１０の光線は赤色、緑色及び青色のいずれかであってもよく、理解できるように、第１の光学層４１０は赤色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第２の光学層４２０は緑色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第３の光学層４３０は青色の発光ユニット３１０に対応してもよい。
いくつかの実施例では、前記第２の光学層４２０及び前記第３の光学層４３０の構造は上記いずれかの前記第１の光学層４１０の構造を参照してもよく、異なる色光に基づいて調整し、ここでは説明を省略する。
いくつかの実施例では、図１、図５を参照し、前記第１の光学層４１０の厚さは前記第２の光学層４２０の厚さより厚く、前記第２の光学層４２０の厚さは前記第３の光学層４３０の厚さより厚い。前記第１の光学層４１０のフィルム層数は前記第２の光学層４２０のフィルム層数より多く、前記第２の光学層４２０のフィルム層数は前記第３の光学層４３０のフィルム層数より多い。前記第１の光学層４１０の対応する色光の波長は前記第２の光学層４２０の対応する色光の波長より長い。前記第２の光学層４２０の対応する色光の波長は前記第３の光学層４３０の対応する色光の波長より長い。
適切なフィルム層の厚さの範囲内において、比較的長い波長の色光は、光路が比較的長いフィルム層と組み合わせる必要があり、フィルム層の数が多いほど、フィルム層の厚さが厚くなり、フィルム層の光路が長くなり、マイクロキャビティ効果を改善し、光の取り出し効率及び光色純度を向上させることができる。
いくつかの実施例では、前記光学調整層４００のうちのいずれか１層の屈折率は１．８～２．５であり、材質はＩＺＯ、ＩＴＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯなどのいずれか１つ又は複数の半導体酸化物であり、前記光学調整層４００の厚さは３０ｎｍ～３０００ｎｍである。ここで、前記光学調整層４００におけるフィルム層数は１層～６層であってもよく、好ましくは２層～３層である。
いくつかの実施例では、前記表示パネル１００はさらに、前記光学調整層４００のいずれか一側又は両側に位置する補助調整層を含み、前記補助調整層は有機材料を含む。前記光学調整層４００の高屈折率により、補助調整層の有機材料を減らすことができ、材料を節約し、コストを削減する。
いくつかの実施例では、図１、図７を参照し、前記表示パネル１００はさらに、前記発光機能層３００の前記第１の電極層２００から離れた一側に位置する第２の電極層５００、及び前記第２の電極層５００の前記発光機能層３００から離れた一側に位置する光取り出し層６００を含み、前記光取り出し層６００は半導体酸化物を含み、前記光取り出し層６００は少なくとも第１の取り出し層６１０及び第２の取り出し層６２０を含み、前記第１の取り出し層６１０は１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、第２の取り出し層６２０はもう１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第１の取り出し層６１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の取り出し層６２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガス内に酸素を加え、酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、光取り出し層６００におけるフィルム層の屈折率を調節し、それにより、異なる発光色の発光ユニット３１０の光学ニーズに適応し、光学性能を改善し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。
いくつかの実施例では、前記第２の電極層５００は単層又は多層の複合構造を有するフィルムであり、材質はＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｇのうちの１つ又は複数の組み合わせを含み、前記第２の電極層５００の厚さは１ｎｍ～１００ｎｍである。
いくつかの実施例では、図１、図８の図（ｂ）を参照し、少なくとも１つの前記第１の取り出し層６１０は少なくとも第１の取り出しサブ層６１１及び第２の取り出しサブ層６１２を含み、前記第１の取り出しサブ層６１１は前記第１の取り出し層６１０のうちの前記発光ユニット３１０から最も遠いフィルム層であり、前記第２の取り出しサブ層６１２は前記第１の取り出しサブ層６１１の前記第２の電極層５００に近い一側の表面に設けられ、ここで、前記第１の取り出しサブ層６１１の屈折率は前記第２の取り出しサブ層６１２の屈折率より大きい。
前記第１の取り出し層６１０における前記発光ユニット３１０から最も遠いフィルム層の屈折率が比較的高く、第１の取り出し層６１０の収束効果を向上させ、光の取り出し効率を向上させることができる。
いくつかの実施例では、図１、図８の図（ｃ）を参照し、前記第１の取り出し層６１０は第１の取り出しサブ層６１１、第２の取り出しサブ層６１２及び第３の取り出し層６３０を含み、前記第１の取り出しサブ層６１１は前記第１の取り出し層６１０のうちの前記発光ユニット３１０から最も遠いフィルム層であり、前記第２の取り出しサブ層６１２は、前記第１の取り出しサブ層６１１の前記第２の電極層５００に近い一側の表面に設けられ、前記第３の取り出し有機サブ層６１３は、前記第２の取り出しサブ層６１２の前記第２の電極層５００に近い一側の表面に設けられ、ここで、前記第１の取り出しサブ層６１１の屈折率は前記第２の取り出しサブ層６１２の屈折率より大きく、前記第３の取り出し有機サブ層６１３の屈折率は前記第２の取り出しサブ層６１２の屈折率より大きい。
いくつかの実施例では、図１、図８の図（ａ）を参照し、前記第１の取り出し層６１０は１層のフィルム層を含んでもよく、例えば、第１の取り出しサブ層６１１であってもよく、光線の収束度を高め、光の取り出し効率を向上させるために、当該フィルム層の屈折率は好適な範囲で大きく設定されてもよい。
いくつかの実施例では、光取り出し層６００のうちのいずれか１層の屈折率は１．８～２．５であり、材質はＩＺＯ、ＩＴＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯなどのいずれか１つ又は複数の半導体酸化物を含み、前記光取り出し層６００の厚さは３０ｎｍ～３０００ｎｍである。
いくつかの実施例では、光取り出し層６００はさらに、分子量が１００～８００の有機材料を含む。
いくつかの実施例では、光取り出し層６００におけるフィルム層数は１層～６層であってもよく、好ましくは２層～３層である。
いくつかの実施例では、図１、図７を参照し、前記光取り出し層６００はさらに第３の取り出し層６３０を含み、前記第３の取り出し層６３０は、１つの発光色の発光ユニット３１０に対応し、前記第１の取り出し層６１０、前記第２の取り出し層６２０、及び前記第３の取り出し層６３０に対応する発光ユニット３１０の発光色は互いに異なる。
いくつかの実施例では、図１、図７を参照し、理解できるように、第１の取り出し層６１０は赤色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第２の取り出し層６２０は緑色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第３の取り出し層６３０は青色の発光ユニット３１０に対応してもよい。
いくつかの実施例では、前記第２の取り出し層６２０及び前記第３の取り出し層６３０の構造は上記いずれかの前記第１の取り出し層６１０の構造を参照してもよく、異なる色光に基づいて調整し、ここでは説明を省略する。
いくつかの実施例では、前記表示パネル１００はさらに、前記光取り出し層６００の前記第１の電極層２００から離れた一側に位置する発散層を含み、前記発散層の前記光取り出し層６００に最も近いフィルム層の屈折率は前記光取り出し層６００の前記発散層に最も近いフィルム層の屈折率より小さい。前記発散層を利用して光線を発散させる効果は、光線の表示視野角をさらに改善することができる。
いくつかの実施例では、図１を参照し、前記表示パネル１００はさらにサブストレート１１０、及び前記サブストレート１１０と前記第１の電極層２００との間に位置するアレイサブストレート１２０を含む。
いくつかの実施例では、前記アレイサブストレート１２０は、前記サブストレート１１０に位置する活性層と、前記活性層に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に位置するソースドレイン電極層と、前記ソースドレイン電極層に位置する第３の絶縁層とを含む。
いくつかの実施例では、前記サブストレート１１０は剛性サブストレート１１０又はフレキサブストレート１１０であってもよく、剛性サブストレート１１０の材料は、ガラス、セラミック、金属、合金、シリコンウェハ等を含むがこれらに限定されず、フレキサブストレート１１０の材料はポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート及び上記材質のホモログ、異性体及びその上に炭素数が１～１６個、Ｎ数が１～９個、Ｏ数が１～５個の炭化水素基又は芳香環又は複素環基を増加するポリマーを含むがそれらに限定されない。
本発明は、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガスにおける酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、光学調整層におけるフィルム層の屈折率を調節し、それにより、異なる発光色の発光ユニットの光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。
図９を参照し、本発明の実施例により提供される表示パネル１００の製造方法は、
第１の電極層２００を提供するステップＳ１００と、
マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層２００に少なくとも第１の光学層４１０及び第２の光学層４２０を形成し、光学調整層４００を形成するように、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なるステップＳ２００と、
前記光学調整層４００の前記第１の電極層２００から離れた一側に発光色の異なる複数の発光ユニット３１０を形成し、発光機能層３００を形成するように、前記第１の光学層４１０は１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第２の光学層４２０はもう１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応するステップＳ３００と、を含む。
第１の電極層２００を提供するステップＳ１００と、
マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層２００に少なくとも第１の光学層４１０及び第２の光学層４２０を形成し、光学調整層４００を形成するように、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なるステップＳ２００と、
前記光学調整層４００の前記第１の電極層２００から離れた一側に発光色の異なる複数の発光ユニット３１０を形成し、発光機能層３００を形成するように、前記第１の光学層４１０は１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第２の光学層４２０はもう１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応するステップＳ３００と、を含む。
本発明は、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガスにおける酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、光学調整層におけるフィルム層の屈折率を調節し、それにより、異なる発光色の発光ユニットの光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。
以下は具体的な実施例を組み合わせて本発明の技術案について説明する。
本実施例では、前記表示パネル１００の製造方法は、Ｓ１００～Ｓ３００を含む。
Ｓ１００において、図１０Ａを参照し、第１の電極層２００を提供する。
いくつかの実施例では、前記第１の電極層２００は、前記発光機能層３００から離れた出光側に位置し、前記第１の電極層２００の材料は反射機能及び導電機能を有する。前記第１の電極層２００はＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｇのうちの１つ又は複数の組み合わせを含み、前記第１の電極層２００の厚さは１００ｎｍ～１０００ｎｍである。
Ｓ２００において、図１０Ｂを参照し、マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層２００に少なくとも第１の光学層４１０及び第２の光学層４２０を形成し、光学調整層４００を形成するように、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なる。
いくつかの実施例では、ステップＳ２００は、
マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層２００に少なくとも第１の光学層４１０、第２の光学層４２０及び第３の光学層４３０を形成し、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、及び前記第３の光学層４３０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は互いに異なり、それにより、光学調整層４００を形成するステップＳ２１０を含む。
マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層２００に少なくとも第１の光学層４１０、第２の光学層４２０及び第３の光学層４３０を形成し、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、及び前記第３の光学層４３０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は互いに異なり、それにより、光学調整層４００を形成するステップＳ２１０を含む。
いくつかの実施例では、前記第１の光学層４１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第３の光学層４３０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は異なり、前記第２の光学層４２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第３の光学層４３０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は異なる。
いくつかの実施例では、図１、図３、図５を参照し、前記光学調整層４００はさらに第３の光学層４３０を含み、前記第３の光学層４３０は１つの発光色の発光ユニット３１０に対応し、前記第１の光学層４１０、前記第２の光学層４２０、及び前記第３の光学層４３０に対応する発光ユニット３１０の発光色は互いに異なる。
いくつかの実施例では、図１、図５を参照し、前記第１の光学層４１０の厚さは前記第２の光学層４２０の厚さより厚く、前記第２の光学層４２０の厚さは前記第３の光学層４３０の厚さより厚い。前記第１の光学層４１０のフィルム層数は前記第２の光学層４２０のフィルム層数より多く、前記第２の光学層４２０のフィルム層数は前記第３の光学層４３０のフィルム層数より多い。前記第１の光学層４１０の対応する色光の波長は前記第２の光学層４２０の対応する色光の波長より長い。前記第２の光学層４２０の対応する色光の波長は前記第３の光学層４３０の対応する色光の波長より長い。
いくつかの実施例では、図１、図３を参照し、前記発光機能層３００の発光ユニット３１０の光線は赤色、緑色及び青色のいずれかであってもよく、理解できるように、第１の光学層４１０は赤色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第２の光学層４２０は緑色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第３の光学層４３０は青色の発光ユニット３１０に対応してもよい。
いくつかの実施例では、前記第２の光学層４２０及び前記第３の光学層４３０の構造は上記いずれかの前記第１の光学層４１０の構造を参照してもよく、異なる色光に基づいて調整し、ここでは説明を省略する。
いくつかの実施例において、プロセスガスはさらに不活性ガス又は／及び窒素ガスを含み、不活性ガスはアルゴンガスであってもよく、プロセスガスにおける酸素ガスの含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、フィルムの屈折率値を調整し、ターゲットを交換して増加し又はマグネトロンスパッタリングデバイスを交換して増加する必要がなく、フィルムの屈折率値を調整することができ、材料及び機器のコストを削減する。ここで、プロセスガスにおける酸素の割合は０％～５０％であり、好ましくは０．０１％～２０％であり、フィルムの屈折率値の調整範囲は１．８～２．５である。
Ｓ３００において、図１０Ｃを参照し、前記光学調整層４００の前記第１の電極層２００から離れた一側に発光色の異なる複数の発光ユニット３１０を形成し、発光機能層３００を形成するように、前記第１の光学層４１０は１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応し、前記第２の光学層４２０はもう１つの発光色の前記発光ユニット３１０に対応する。
いくつかの実施例では、図１、図５を参照し、前記光学調整層４００はさらに第３の光学層４３０を含み、前記第３の光学層４３０は１つの発光色の発光ユニット３１０に対応し、前記第１の光学層４１０、前記第２の光学層４２０、及び前記第３の光学層４３０に対応する発光ユニット３１０の発光色は互いに異なる。
いくつかの実施例では、図１、図５を参照し、前記発光機能層３００の発光ユニット３１０の光線は赤色、緑色及び青色のいずれかであってもよく、理解できるように、第１の光学層４１０は赤色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第２の光学層４２０は緑色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第３の光学層４３０は青色の発光ユニット３１０に対応してもよい。
いくつかの実施例では、前記表示パネル１００の製造方法はさらにＳ４００～Ｓ５００を含む。
Ｓ４００において、図１を参照し、前記発光機能層３００の前記第１の電極層２００から離れた一側に第２の電極層５００を形成する。
いくつかの実施例では、前記第２の電極層５００は単層又は多層の複合構造を有するフィルムであり、材質はＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｇのうちの１つ又は複数の組み合わせを含み、前記第２の電極層５００の厚さは１ｎｍ～１００ｎｍである。
Ｓ５００において、図１を参照し、マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第２の電極層５００に少なくとも第１の取り出し層６１０及び第２の取り出し層６２０を形成し、第１の取り出し層６１０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の取り出し層６２０の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なり、それにより、光取り出し層６００を形成する。
いくつかの実施例では、図１、図７を参照し、前記光取り出し層６００はさらに第３の取り出し層６３０を含み、前記第３の取り出し層６３０は、１つの発光色の発光ユニット３１０に対応し、前記第１の取り出し層６１０、前記第２の取り出し層６２０、及び前記第３の取り出し層６３０に対応する発光ユニット３１０の発光色は互いに異なる。
いくつかの実施例では、図１、図７を参照し、理解できるように、第１の取り出し層６１０は赤色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第２の取り出し層６２０は緑色の発光ユニット３１０に対応してもよく、第３の取り出し層６３０は青色の発光ユニット３１０に対応してもよい。
本発明は、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガスにおける酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整することで、光学調整層におけるフィルム層の屈折率を調節し、それにより、異なる発光色の発光ユニットの光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。
図１１を参照し、本発明の実施例はさらに表示装置１０を提供し、上記いずれかの表示パネル１００及び装置本体２０を含み、前記装置本体２０は前記表示パネル１００と一体に組み合わせる。
前記表示パネル１００の具体的な構造はいずれかの上記表示パネル１００の実施例及び図面を参照し、ここで説明を省略する。
本実施例では、前記装置本体２０は中枠、シールなどを含んでもよく、前記表示装置１０は携帯電話、タブレット、テレビなどの表示端末であってもよく、ここでは限定しない。
本発明の実施例は、表示パネル及びその製造方法を開示し、当該表示パネルはサブストレート、発光機能層、第１の電極層及び光学調整層を含み、発光機能層は発光色の異なる複数の発光ユニットを含み、光学調整層は半導体酸化物を含み、光学調整層は少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を含み、第１の光学層と第２の光学層の対応する発光ユニットの発光色が異なり、第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率が異なり、本発明は、マグネトロンスパッタリングによる成膜時に、プロセスガスにおける酸素の含有量を調整し、半導体材料の結晶形態を調整し、光学調整層におけるフィルム層の屈折率を調節することで、異なる発光色の発光ユニットの光学ニーズに適応し、異なる発光色の画素の表示効果を改善する。
以上は本発明の実施例により提供される表示パネル及びその製造方法について詳細に説明し、本明細書では具体的な個別例を応用して本発明の原理及び実施形態について説明し、以上の実施例の説明は本発明の方法及びその核心思想を理解するためのものであり、また、当業者であれば、本発明の思想に基づき、具体的な実施形態及び応用範囲にいずれも変更があり、以上説明したように、本明細書の内容は本発明を限定するものと解釈すべきではない。
Claims (12)
- サブストレートと、
前記サブストレートに位置する第１の電極層と、
光学調整層であって、前記第１の電極層に位置し、前記光学調整層は半導体酸化物を含む光学調整層と、
発光機能層であって、前記光学調整層に位置し、前記発光機能層は発光色の異なる複数の発光ユニットを含む発光機能層と、を含み、
ここで、前記光学調整層は少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を含み、前記第１の光学層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第２の光学層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なることを特徴とする表示パネル。 - 少なくとも１つの前記第１の光学層は、隣接して設けられた第１のサブ層及び第２のサブ層を含み、前記第２のサブ層は前記第１のサブ層と前記発光機能層との間に位置し、
ここで、前記第２のサブ層の屈折率は前記第１のサブ層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。 - 前記発光機能層は少なくとも第１の有機サブ層を含み、前記第１の有機サブ層は前記第２のサブ層の前記サブストレートの一側から離れた表面に位置し、前記第２のサブ層の屈折率は前記第１の有機サブ層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
- 少なくとも１つの前記第１の光学層は、第１のサブ層と、前記第１のサブ層の前記発光機能層に近い一側に位置する第２のサブ層と、前記第２のサブ層と前記発光機能層との間に位置する第３のサブ層と、を含み、
ここで、前記第２のサブ層の屈折率は前記第１のサブ層の屈折率より小さく、前記第２のサブ層の屈折率は前記第３のサブ層の屈折率より小さいことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。 - 前記発光機能層は少なくとも第１の有機サブ層を含み、前記第１の有機サブ層は前記第３のサブ層の前記サブストレートの一側から離れた表面に位置し、前記第３のサブ層の屈折率は前記第１の有機サブ層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
- 前記第１の光学層のフィルム層数は前記第２の光学層のフィルム層数より多く、前記第１の光学層の対応する色光の波長は前記第２の光学層の対応する色光の波長より長いことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
- 前記第１の光学層の厚さは前記第２の光学層の厚さより厚いことを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
- 前記表示パネルはさらに、
前記発光機能層の前記第１の電極層から離れた一側に位置する第２の電極層と、
光取り出し層であって、前記第２の電極層の前記発光機能層から離れた一側に位置し、前記光取り出し層は半導体酸化物を含む光取り出し層と、を含み、
ここで、前記光取り出し層は少なくとも第１の取り出し層及び第２の取り出し層を含み、前記第１の取り出し層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、第２の取り出し層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第１の取り出し層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の取り出し層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。 - 少なくとも１つの前記第１の取り出し層は少なくとも第１の取り出しサブ層及び第２の取り出しサブ層を含み、前記第１の取り出しサブ層は前記第１の取り出し層のうちの前記発光ユニットから最も遠いフィルム層であり、前記第２の取り出しサブ層は前記第１の取り出しサブ層の前記第２の電極層に近い一側の表面に設けられ、
ここで、前記第１の取り出しサブ層の屈折率は前記第２の取り出しサブ層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。 - 前記光学調整層はさらに第３の光学層を含み、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率、及び前記第３の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は互いに異なり、前記第１の光学層、前記第２の光学層、及び前記第３の光学層に対応する前記発光ユニットの発光色は互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
- 前記第１の光学層の厚さは前記第２の光学層の厚さより厚く、前記第２の光学層の厚さは前記第３の光学層の厚さより厚く、
前記第１の光学層のフィルム層数は前記第２の光学層のフィルム層数より多く、前記第２の光学層のフィルム層数は前記第３の光学層のフィルム層数より多く、
前記第１の光学層の対応する色光の波長は前記第２の光学層の対応する色光の波長より長く、前記第２の光学層の対応する色光の波長は前記第３の光学層の対応する色光の波長より長いことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。 - 第１の電極層を提供するステップと、
マグネトロンスパッタリング技術を用いて、プロセスガス内に酸素を加え、半導体酸化物材料を用いて前記第１の電極層に少なくとも第１の光学層及び第２の光学層を形成し、光学調整層を形成するように、前記第１の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率は前記第２の光学層の少なくとも１つのフィルム層の屈折率と異なるステップと、
前記光学調整層の前記第１の電極層から離れた一側に発光色の異なる複数の発光ユニットを形成し、発光機能層を形成するように、前記第１の光学層は１つの発光色の前記発光ユニットに対応し、前記第２の光学層はもう１つの発光色の前記発光ユニットに対応するステップと、を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
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