JP2024080401A - 配線基板および配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板における電極パッドを介して伝わる熱の放熱性を向上させる。【解決手段】配線基板は、平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第１の貫通孔を有する第１の絶縁基板と、第１の絶縁基板に直接積層された第２の絶縁基板であって、平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第２の貫通孔を有する第２の絶縁基板と、を備え、第１の貫通孔の内部には、金属で形成された第１の金属パターンが設けられ、第２の貫通孔の内部には、金属で形成された第２の金属パターンが設けられており、第２の金属パターンの少なくとも一部は、第１の金属パターンと接触している。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板および配線基板の製造方法に関する。

絶縁層として機能するセラミック層の両面に、電極パッドと導体層とが配置された配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された配線基板では、セラミック層の一方の面に電極パッドが配置され、セラミック層の他方の面に導体層が配置されている。電極パッドと、導体層とは、セラミック層を貫通するビア導体を介して電気的に接続されている。

特開２０２０－１１３７２２号公報

特許文献１に記載された配線基板では、デバイスで発生した熱は、セミラック層およびビア導体を介して導体層へと伝わる。ビア導体よりもセラミック層の体積が大きいため、熱は、ビア導体を形成する金属よりも熱伝導性が低いセラミック層を介して主に放熱される。セラミック層の熱伝導性が低いため、電極パッドに搭載されるデバイスから発生する熱を逃しきれず、熱によるデバイスの破壊を防ぐためにデバイスの出力を上げられない場合があった。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、電極パッドを介して伝わる熱の放熱性を向上させることを目的とする。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第１の貫通孔を有する第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板に直接積層された第２の絶縁基板であって、平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第２の貫通孔を有する第２の絶縁基板と、を備え、前記第１の貫通孔の内部には、金属で形成された第１の金属パターンが設けられ、前記第２の貫通孔の内部には、金属で形成された第２の金属パターンが設けられており、前記第２の金属パターンの少なくとも一部は、前記第１の金属パターンと接触している。

この構成によれば、第１の絶縁基板の第１の貫通孔内に形成された第１の金属パターンは、第２の絶縁基板の第２の貫通孔内に形成された第２の金属パターンに、直接的に接触している。そのため、第１の金属パターンで発生した熱は、絶縁材料よりも熱伝導性が高い第２の金属パターンに直接伝わる。これにより、配線基板の放熱性が向上する。この結果、第１の金属パターンまたは第２の金属パターンに搭載されるデバイスの出力を上げることができる。

（２）上記形態の配線基板において、前記第１の貫通孔は、前記第１の絶縁基板の第１主面と第２主面とを貫通し、前記第２の貫通孔は、前記第２の絶縁基板の第３主面と第４主面とを貫通しており、前記第１の金属パターンに形成され、平面視で前記第１の貫通孔から外部にはみ出して、前記第１の絶縁基板の前記第１主面と前記第２主面とにそれぞれ延びる第１の延伸部、または、前記第２の金属パターンに形成され、平面視で前記第２の貫通孔から外部にはみ出して、前記第２の絶縁基板の前記第３主面と前記第４主面とにそれぞれ延びる第２の延伸部のいずれかを有していてもよい。
この構成によれば、第１の金属パターンに形成された第１の延伸部、または、第２の金属パターンに形成された第２の延伸部のいずれかが形成されている。金属製の第１の金属パターンは、第１の絶縁基板の両面である第１主面および第２主面からはみ出し、かつ、はみ出した部分の面積は第１の貫通孔より大きい。そのため、はみ出した部分が第１の貫通孔に引っかかるため、第１の貫通孔から第１の金属パターンが外れにくい。同じように、第２の金属パターンは、第２の絶縁基板の第３主面および第４主面からはみ出しているため、第２の絶縁基板から外れにくい。すなわち、第１の延伸部と第２の延伸部との少なくとも一方が形成されることにより、第１の金属パターンと第２の金属パターンとの少なくとも一方が、それぞれの絶縁基板から外れないため、配線基板の強度が向上する。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板、パッケージ、電子部品、およびこれらを備えるシステム等、配線基板の製造方法およびこれらを備えるシステム等の形態で実現できる。

本発明の実施形態の配線基板の概略斜視図である。 配線基板の分解斜視図である。 フリップチップパッドの拡大断面図である。 半田実装パッドの拡大断面図である。 本実施形態の配線基板の製造方法のフローチャートである。 パンチング処理時のアルミナシートの概略断面図である。 フリップチップパッドの埋め込み前のアルミナシートの概略断面図である。 フリップチップパッドの埋め込み後のアルミナシートの概略断面図である。 両面から面押しされているタングステンシートの概略断面図である。 比較例の配線基板の製造方法のフローチャートである。

図１および図２は、本発明の実施形態の配線基板１００の説明図である。本実施形態の配線基板１００では、第１セラミック基板１０に埋め込まれたフリップチップパッド（第１の金属パターン）３０と、第２セラミック基板２０に埋め込まれた半田実装パッド（第２の金属パターン）４０とが直接接触している。そのため、フリップチップパッド３０に搭載されたデバイスから発生した熱は、第１セラミック基板１０および第２セラミック基板２０を介さずに、熱伝導性の高い半田実装パッド４０に直接伝わる。この結果、配線基板１００の放熱性が向上するため、フリップチップパッド３０に搭載されるデバイスの出力を上げることができる。

図１には、配線基板１００の概略斜視図が示されている。図１では、第１セラミック基板１０および第２セラミック基板２０の外枠が破線で示され、埋め込まれたフリップチップパッド３０および半田実装パッド４０の形状が見えるように図示されている。図２には、配線基板１００の分解斜視図が示されている。

図１，２に示されるように、本実施形態の配線基板１００は、第１セラミック基板１０と、第２セラミック基板２０と、を備えている。第１セラミック基板１０は、セラミック材料であるアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）により形成された平板状の形状を有する。また、第１セラミック基板１０には、表面（第１主面）１３と、表面１３の反対側の裏面（第２主面）１４とを貫通する貫通孔（第１の貫通孔）１１，１２が形成されている。なお、図１および図２に図示されている直交座標系ＣＳは、矩形状の表面１３および裏面１４を構成する２辺に平行なＸ軸およびＹ軸と、表面１３および裏面１４に直交する方向に平行なＺ軸とで構成されている。図１，２に示される直交座標系ＣＳは、図３以降で図中に示される直交座標系ＣＳと対応している。

図２に示されるように、貫通孔１１と、貫通孔１２とのそれぞれは、表面１３から裏面１４へと、一定の断面積でＺ軸方向（厚さ方向）に貫通している所定の形状を有する。本実施形態では、貫通孔１１と、貫通孔１２とは繋がらない別々の孔として形成されている。

フリップチップパッド３０は、Ｗ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｕといった金属により形成されている。図１に示されるように、フリップチップパッド３０は、第１セラミック基板１０の貫通孔１１，１２の内部に配置されている。フリップチップパッド３０は、図２に示されるように、繋がっていない別々の第１パッド３１と、第２パッド３２とを有している。第１パッド３１は、第１セラミック基板１０の貫通孔１１内において、貫通孔１１と同じ形状を有している。一方で、第１パッド３１の一部は、厚さ方向において貫通孔１１からはみ出している。

図３は、貫通孔１１からはみ出している第１パッド３１の説明図である。図３には、第１セラミック基板１０および第１パッド３１のＺＸ平面の一部における概略断面の拡大図が示されている。図３に示されるように、第１パッド３１は、貫通孔１１内に位置する充填部３１Ａと、貫通孔１１から厚さ方向にはみ出した部分である延伸部（第１の延伸部）３１Ｂ，３１Ｃと、を備えている。延伸部３１Ｂは、厚さ方向から見た平面視でＸＹ平面に沿って貫通孔１１から外部にはみ出して第１セラミック基板１０の表面１３に延びている。同じように、延伸部３１Ｃは、平面視でＸＹ平面に沿って貫通孔１１からはみ出して第１セラミック基板１０の裏面１４に伸びている。換言すると、第１パッド３１は、貫通孔１１から外部にはみ出して、第１セラミック基板１０の表面１３と裏面１４とのそれぞれに延びている。なお、本実施形態の平面視とは、平板状のセラミック基板１０，２０を厚さ方向に沿って見た場合であり、見る方向が異なれば側面視などの表現が用いられる。

図１，２に示されるように、第２パッド３２は、第１セラミック基板１０の貫通孔１２内において、貫通孔１２と同じ形状を有している。一方で、第２パッド３２の一部は、図３に示される第１パッド３１と同じように、貫通孔１２から外部にはみ出して、第１セラミック基板１０の表面１３と裏面１４とのそれぞれに延びている。

第２セラミック基板２０は、セラミック材料であるアルミナにより形成された平板状の形状を有する。また、第２セラミック基板２０には、図２に示されるように、表面（第３主面）２３と、表面２３の反対側の裏面（第４主面）２４とを貫通する貫通孔（第２の貫通孔）２１，２２が形成されている。図２に示されるように、貫通孔２１と、貫通孔２２とのそれぞれは、表面２３から裏面２４へと、一定の断面積でＺ軸方向（厚さ方向）に貫通している所定の形状を有する。本実施形態では、貫通孔２１と、貫通孔２２とは繋がらないように形成されている。

半田実装パッド４０は、Ｗ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｕといった金属により形成されている。図１に示されるように、半田実装パッド４０は、第２セラミック基板２０の貫通孔２１，２２の内部に配置されている。図２に示されるように、半田実装パッド４０は、繋がっていない別々の第１パッド４１と、第２パッド４２とを有している。第１パッド４１は、第２セラミック基板２０の貫通孔２１内において、貫通孔２１と同じ形状を有している。

図４は、貫通孔２１からはみ出している第１パッド４１の説明図である。図４には、図３と同じように、第２セラミック基板２０および第１パッド４１のＺＸ平面の一部における概略断面の拡大図が示されている。図４に示されるように、第１パッド４１は、貫通孔２１内に位置する充填部４１Ａと、貫通孔２１から厚さ方向にはみ出した部分である延伸部（第２の延伸部）４１Ｂ，４１Ｃと、を備えている。延伸部４１Ｂは、平面視でＸＹ平面に沿って貫通孔２１から外部にはみ出して第１セラミック基板２０の表面２３に延びている。同じように、延伸部４１Ｃは、平面視でＸＹ平面に沿って貫通孔２１からはみ出して第２セラミック基板２０の裏面２４に伸びている。換言すると、第１パッド４１は、貫通孔２１から外部にはみ出して、第１セラミック基板２０の表面２３と裏面２４とのそれぞれに延びている。

半田実装パッド４０の第１パッド４１の表面４３の一部には、図２のハッチングした領域で示される絶縁層５０が形成されている。絶縁層５０は、絶縁体で形成されている。

半田実装パッド４０の第２パッド４２は、第２セラミック基板２０の貫通孔２２内において、貫通孔２２と同じ形状を有している。一方で、第２パッド４２の一部は、図４に示される第２セラミック基板２０の第１パッド４１と同じように、貫通孔２２から外部にはみ出して、第２セラミック基板２０の表面２３と裏面２４とのそれぞれに延びている。

貫通孔１１，１２内にフリップチップパッド３０が設けられた第１セラミック基板１０と、貫通孔２１，２２内に半田実装パッド４０が設けられた第２セラミック基板２０とが、図１に示されるように積層されると、フリップチップパッド３０の裏面３３，３４と、半田実装パッド４０の表面４３，４４との大部分が接触する。なお、半田実装パッド４０の第１パッド４１の表面４３のうち、絶縁層５０が形成されている部分では、フリップチップパッド３０と、半田実装パッド４０とは、絶縁層５０を介しているため、直接的には接触していない。

以上のように、本実施形態の配線基板１００では、第１セラミック基板１０は、セラミックにより形成された平板状の形状を有する。図１に示されるように、フリップチップパッド３０は、第１セラミック基板１０の貫通孔１１，１２の内部に配置されている。第２セラミック基板２０は、セラミックにより形成された平板状の形状を有する。図１に示されるように、半田実装パッド４０は、第２セラミック基板２０の貫通孔２１，２２の内部に配置されている。本実施形態の配線基板１００では、第１セラミック基板１０の貫通孔１１，１２内に配置されたフリップチップパッド３０は、第２セラミック基板２０の貫通孔２１，２２内に配置された半田実装パッド４０に、直接的に接触している。そのため、フリップチップパッド３０で発生した熱は、セラミック基板１０，２０よりも熱伝導性が高い半田実装パッド４０に直接伝わる。これにより、配線基板１００の放熱性が向上する。この結果、フリップチップパッド３０に搭載されるデバイスの出力を上げることができる。特に出力上昇に伴う発熱の大きいＬＥＤ（light-emitting diode）をデバイスとして用いて、ＬＥＤの出力を上昇させることができる。

また、本実施形態のフリップチップパッド３０の第１パッド３１では、図３に示されるように、延伸部３１Ｂ，３１Ｃが、貫通孔１１から外部にはみ出して、第１セラミック基板１０の表面１３と裏面１４とのそれぞれに延びている。同じように、半田実装パッド４０の第１パッド４１の延伸部４１Ｂ，４１Ｃ（図４）は、貫通孔２２から外部にはみ出して、第２セラミック基板２０の表面２３と裏面２４とのそれぞれに延びている。すなわち、本実施形態では、フリップチップパッド３０の第１パッド３１および第２パッド３２は、第１セラミック基板１０の両面である表面１３および裏面１４からはみ出し、かつ、はみ出した部分のそれぞれの面積は貫通孔１１，１２より大きい。そのため、それぞれはみ出した部分が貫通孔１１，１２に引っかかるため、貫通孔１１，１２からフリップチップパッド３０が外れにくい。同じように、半田実装パッド４０は、第２セラミック基板２０の表面２３および裏面２４からはみ出しているため、第２セラミック基板２０から外れにくい。すなわち、フリップチップパッド３０および半田実装パッド４０が、それぞれのセラミック基板１０，２０から外れないため、配線基板１００の強度が向上する。

図５は、本実施形態の配線基板１００の製造方法のフローチャートである。図５に示される配線基板１００の製造フローでは、第１セラミック基板１０の基となるアルミナシートを、所定のシート枠に貼り付ける（ステップＳ１）。本実施形態のアルミナシートの厚さは、約２００ｎｍである。シート枠に貼り付けられたアルミナシートに対して、パンチングにより所定形状の貫通孔１１，１２およびスルーホール（Through Hole：ＴＨ）を形成する（ステップＳ２）。形成された貫通孔１１，１２に、フリップチップパッド３０を埋め込む（ステップＳ３）。なお、本明細書でいうスルーホールは、電子部品用のスルーホールを指す。

図６から図９までの各図は、貫通孔１１，１２の形成と、フリップチップパッド３０の埋め込みとの説明図である。図６～９には、配線基板１００の製造時の概略断面図が示されている。図６には、図５のステップＳ２のパンチングの処理時の断面が示されている。図６に示されるように、シート枠ＦＲに貼り付けられたアルミナシートＳＡは、中型Ｆ２および下型Ｆ３に直接的または間接的に固定される。アルミナシートＳＡには、パンチである上型Ｆ１により所定形状に打ち抜かれた貫通孔１１，１２およびスルーホールが形成される。

図７，８に示されるように、アルミナシートＳＡに貫通孔１１，１２およびスルーホールが形成されると、上型Ｆ１がリール状のタングステンシートＳＣを貫通孔１１，１２と同形状に打ち抜く。本実施形態のタングステンシートＳＣの厚さは、アルミナシートＳＡの厚さよりも約０．１ｍｍ厚い。図８に示されるように、打ち抜かれたタングステンシートＳＣ１は、アルミナシートＳＡの貫通孔１１，１２に埋め込まれる。本実施形態では、タングステンシートＳＣ１は、貫通孔１１，１２の深さの半分程度まで埋め込まれた後、図９に示されるように、面押し板Ｆ４，Ｆ５により厚さ方向の両面から面押しされる。タングステンシートＳＣの厚さがアルミナシートＳＡの厚さよりも大きいため、タングステンシートＳＣ１の一部は、貫通孔１１，１２からはみ出して、リベット状にアルミナシートＳＡの両面に延びている。

図５のステップＳ３の処理が行われると、アルミナシートＳＡにおいてタングステンシートＳＣ１が埋め込まれていない残りのスルーホールに、スクリーン印刷を用いたスルーホール印刷（ＴＨ印刷）が行われる（ステップＳ４）。次に、埋め込まれたタングステンシートＳＣ１の一部の表面に絶縁層５０を形成するための絶縁ペーストが印刷される（ステップＳ５）。なお、本実施形態では、フリップチップパッド３０には絶縁ペーストが印刷されずに、半田実装パッド４０の一部に絶縁ペーストが印刷される。上述のパンチングの処理（ステップＳ２）は、第１貫通孔形成工程および第２貫通孔形成工程に相当する。また、パッド埋め込みの処理（ステップＳ３）は、第１埋込工程および第２埋込工程に相当する。

上記のステップＳ１～Ｓ５までの処理は、第２セラミック基板２０と半田実装パッド４０との製造時の処理と同じである。その後、焼成前の第１セラミック基板１０と、焼成前の第２セラミック基板２０とが積層される積層工程が行われる（ステップＳ６）。積層工程では、第１セラミック基板１０の元となるアルミナシートＳＡに埋め込まれたタングステンシートＳＣ１と、第２セラミック基板２０の元となるアルミナシートに埋め込まれたタングステンシートとが接触するように、２つのタングステンシートが積層される。

積層後の積層体は、完成後の配線基板１００の形状となるように、外形が切断される（ステップＳ７）。次に、所定の温度および所定の時間で積層体の焼成が行われる（ステップＳ８）。焼成により、積層体内の樹脂成分が抜けて、配線基板１００が製造される。

図１０は、比較例の配線基板の製造方法のフローチャートである。図１０に示される比較例の配線基板の製造フローでは、図５に示される上記実施形態の製造フローに対して、ステップＳ５の処理がなく、ステップＳ２，Ｓ３，Ｓ４の代わりにステップＳ２ｘ，３ｘ，４ｘが行われる。そのため、比較例の製造フローでは、上記実施形態の製造フローと異なる処理について説明し、同じ処理についての説明を省略する。

図１０に示されるように、アルミナシートをシート枠に貼り付けた後に（ステップＳ１）、パンチングにより、所定形状のビアおよびスルーホールを形成する（ステップＳ２ｘ）。比較例では、実施形態の貫通孔１１，１２の代わりに、セラミック基板を貫通するビアが形成される。その後、形成されたビアに対してメタルペーストで穴埋めする（ステップＳ３ｘ）。メタルペーストの穴埋めの処理では、穴埋めに用いられるメタルシートが、アルミナシートにゼロギャップで配置されて加圧される。穴埋め後にメタルシートがアルミナシートから剥がされる。なお、焼成後のメタルペーストが、配線基板におけるビア導体として機能する。

次に、パターン印刷およびスルーホール印刷が行われる。比較例では、実施形態のスルーホール印刷（図５のステップＳ４）と同時に、所定の導体パターンを印刷するパターン印刷が行われる。比較例では、パターン印刷によりアルミナシートの表層における必要な部分にのみ導体パターンが印刷やメッキにより形成されるため、実施形態の絶縁ペーストの印刷（図５のステップＳ５）が行われない。

以上のように、本実施形態の配線基板１００の製造方法では、比較例の製造方法と比較して、製造された配線基板１００の金属製のフリップチップパッド３０と、金属製の半田実装パッド４０とが直接接触しているため、配線基板１００の放熱性が向上する。また、本実施形態では、フリップチップパッド３０が第１セラミック基板１０に埋め込まれることにより、フリップチップパッド３０の表面の凹凸が解消されて平坦性が向上する。これにより、Ａｕ－Ａｕ接合などのフリップチップパッド３０上への実装条件のウィンドウ（接合面積）が狭い電子装置のアッセンブリでも、フリップチップパッド３０に対して安定して実装できる。また、本実施形態の製造方法では、比較例と異なりビアを製造しなくてもよいため、ビア形成のためのパンチング（図１０のステップＳ２ｘ）によリ発生する複数のシートクズを低減できる。また、ビア形成のために比較例で行われていたメタルペーストの穴埋め時（図１０のステップＳ３ｘ）の加圧およびメタルシートの剥がしによるアルミナシートの変形が、本実施形態の配線基板１００では発生しない。

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

＜変形例１＞
上記実施形態における配線基板１００の一例および配線基板１００の製造方法は、一例であって変形可能である。第１セラミック基板１０に形成された貫通孔１１，１２および第２セラミック基板２０に形成された貫通孔２１，２２の形状については、配線基板１００や配線基板１００を備える電子部品の設計に応じて決定されてもよい。絶縁層５０が形成される範囲についても、設計に応じて適宜決定されてもよい。

第１セラミック基板１０および第２セラミック基板２０は、アルミナ以外の絶縁材料で形成されてもよい。フリップチップパッド３０および半田実装パッド４０は、金属で形成された金属パターンであればよく、例えば、ヒートシンクなどであってもよい。フリップチップパッド３０や半田実装パッド４０は、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはこれらの合金で形成されていてもよい。

本実施形態の配線基板１００では、第１セラミック基板１０と、第２セラミック基板２０との２つの基板が積層されていたが、３層以上の基板が積層されてもよい。フリップチップパッド３０および半田実装パッド４０は、それぞれ繋がっていない２つのパッドで構成されていたが、１つの電極パッドで構成されていてもよいし、３つ以上の電極パッドで構成されていてもよい。第１セラミック基板１０に形成された１つの貫通孔１１に対して、例えば、複数の電極パッドや金属パターンが埋め込まれてもよい。フリップチップパッド３０と半田実装パッド４０との少なくとも一方が、セラミック基板の表面にはみ出したリベット状の形状でなくてもよく、貫通孔の内部に収まりきっていてもよい。すなわち、フリップチップパッド３０は、延伸部３１Ｂ，３１Ｃ（図３）を有していなくてもよいし、半田実装パッド４０は、延伸部４１Ｂ，４１Ｃ（図４）を有していなくてもよい。この場合に、焼成前のタングステンシートＳＣの厚さは、アルミナシートＳＡと同じ厚さであってもよい。アルミナシートＳＡおよびタングステンシートＳＣの厚さは、上記実施形態と異なり、２００ｎｍ未満であってもよいし、２００ｎｍよりも厚くてもよい。

図５に示される配線基板１００の製造方法は、一例であって、パンチング処理（ステップＳ２）と、パッド埋め込み処理（ステップＳ３）と、積層工程（ステップＳ６）とを備える範囲で変形可能である。例えば、絶縁ペーストの印刷処理（ステップＳ５）が行われずに、配線基板１００に絶縁層５０が形成されなくてもよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

本発明は、以下の形態としても実現することが可能である。
［適用例１］
配線基板であって、
平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第１の貫通孔を有する第１の絶縁基板と、
前記第１の絶縁基板に直接積層された第２の絶縁基板であって、平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第２の貫通孔を有する第２の絶縁基板と、
を備え、
前記第１の貫通孔の内部には、金属で形成された第１の金属パターンが設けられ、
前記第２の貫通孔の内部には、金属で形成された第２の金属パターンが設けられており、
前記第２の金属パターンの少なくとも一部は、前記第１の金属パターンと接触していることを特徴とする配線基板。
［適用例２］
適用例１に記載の配線基板であって、
前記第１の貫通孔は、前記第１の絶縁基板の第１主面と第２主面とを貫通し、
前記第２の貫通孔は、前記第２の絶縁基板の第３主面と第４主面とを貫通しており、
前記第１の金属パターンに形成され、平面視で前記第１の貫通孔から外部にはみ出して、前記第１の絶縁基板の前記第１主面と前記第２主面とにそれぞれ延びる第１の延伸部、または、
前記第２の金属パターンに形成され、平面視で前記第２の貫通孔から外部にはみ出して、前記第２の絶縁基板の前記第３主面と前記第４主面とにそれぞれ延びる第２の延伸部のいずれかを有していることを特徴とする配線基板。
［適用例３］
配線基板の製造方法であって、
平板状の絶縁材料により形成された第１の絶縁基板に対して、厚さ方向に貫通する第１の貫通孔を形成する第１貫通孔形成工程と、
前記第１の貫通孔の内部に、金属で形成された第１の金属パターンを埋め込む第１埋込工程と、
平板状の絶縁材料により形成された第２の絶縁基板に対して、厚さ方向に貫通する第２の貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程と、
前記第２の貫通孔の内部に、金属で形成された第２の金属パターンを埋め込む第２埋込工程と、
前記第２の金属パターンとの少なくとも一部が前記第１の金属パターンと接触するように、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板とを積層する積層工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。

１０…第１セラミック基板（第１の絶縁基板）
１１，１２…貫通孔（第１の貫通孔）
１３…第１セラミック基板の表面（第１主面）
１４…第１セラミック基板の裏面（第２主面）
２０…第２セラミック基板（第２の絶縁基板）
２１，２２…貫通孔（第２の貫通孔）
２３…第２セラミック基板の表面（第３主面）
２４…第２セラミック基板の裏面（第４主面）
３０…フリップチップパッド（第１の金属パターン）
３１…フリップチップパッドの第１パッド
３１Ａ…充填部
３１Ｂ…延伸部（第１の延伸部）
３１Ｃ…延伸部（第１の延伸部）
３２…フリップチップパッドの第２パッド
３３…フリップチップパッドの裏面
４０…半田実装パッド（第２の金属パターン）
４１…半田実装パッドの第１パッド
４１Ａ…充填部
４１Ｂ…延伸部（第２の延伸部）
４１Ｃ…延伸部（第２の延伸部）
４２…半田実装パッドの第２パッド
４３…半田実装パッドの表面
５０…絶縁層
１００…配線基板
ＣＳ…直交座標系
Ｆ１…上型
Ｆ２…中型
Ｆ３…下型
Ｆ４，Ｆ５…面押し板
ＦＲ…シート枠
ＳＡ…アルミナシート
ＳＣ，ＳＣ１…タングステンシート

Claims (3)

1. 配線基板であって、
   平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第１の貫通孔を有する第１の絶縁基板と、
   前記第１の絶縁基板に直接積層された第２の絶縁基板であって、平板状の絶縁材料により形成され、厚さ方向に貫通した第２の貫通孔を有する第２の絶縁基板と、
   を備え、
   前記第１の貫通孔の内部には、金属で形成された第１の金属パターンが設けられ、
   前記第２の貫通孔の内部には、金属で形成された第２の金属パターンが設けられており、
   前記第２の金属パターンの少なくとも一部は、前記第１の金属パターンと接触していることを特徴とする配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板であって、
   前記第１の貫通孔は、前記第１の絶縁基板の第１主面と第２主面とを貫通し、
   前記第２の貫通孔は、前記第２の絶縁基板の第３主面と第４主面とを貫通しており、
   前記第１の金属パターンに形成され、平面視で前記第１の貫通孔から外部にはみ出して、前記第１の絶縁基板の前記第１主面と前記第２主面とにそれぞれ延びる第１の延伸部、または、
   前記第２の金属パターンに形成され、平面視で前記第２の貫通孔から外部にはみ出して、前記第２の絶縁基板の前記第３主面と前記第４主面とにそれぞれ延びる第２の延伸部のいずれかを有していることを特徴とする配線基板。
3. 配線基板の製造方法であって、
   平板状の絶縁材料により形成された第１の絶縁基板に対して、厚さ方向に貫通する第１の貫通孔を形成する第１貫通孔形成工程と、
   前記第１の貫通孔の内部に、金属で形成された第１の金属パターンを埋め込む第１埋込工程と、
   平板状の絶縁材料により形成された第２の絶縁基板に対して、厚さ方向に貫通する第２の貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程と、
   前記第２の貫通孔の内部に、金属で形成された第２の金属パターンを埋め込む第２埋込工程と、
   前記第２の金属パターンとの少なくとも一部が前記第１の金属パターンと接触するように、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板とを積層する積層工程と、
   を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。

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