JP2024075607A - 弾性波デバイスアセンブリと無線周波数モジュール - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 56
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 48
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 25
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical group CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 14
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical group [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 425
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 31
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 17
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N fluoro hypofluorite;silicon Chemical compound [Si].FOF OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013292 LiNiO Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/462—Microelectro-mechanical filters
- H03H9/465—Microelectro-mechanical filters in combination with other electronic elements
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
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- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
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- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
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Abstract
Description
本願は、2018年4月18日に出願された「多層圧電基板を有する弾性波デバイス」
との名称の米国仮特許出願第62/659,568号に係る米国特許法第119条(e)
の優先権の利益を主張する。その開示は、その全体がここに参照により組み入れられる。
話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、弾性波フィルタを含み得る。共通
ノードに結合された複数の弾性波フィルタを、マルチプレクサとして配列することができ
る。例えば、2つの弾性波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。
共振器を含み得る。弾性波フィルタの例は、弾性表面波(SAW)フィルタ及びバルク弾
性波(BAW)フィルタを含む。弾性表面波共振器は、圧電基板上にインターディジタル
トランスデューサ電極を含み得る。弾性表面波共振器は、インターディジタルトランスデ
ューサ電極が配置される圧電層の表面に弾性表面波を生成することができる。弾性表面波
デバイスは、弾性表面波が伝播するチップの表面上にキャビティを含み得る。
ネルギーを集中させることができる。弾性境界波共振器は、弾性境界波を生成するチップ
の表面上のキャビティなしで実装することができる。
れらの単独の一つのみが、その所望の属性に関与するわけではない。特許請求の範囲を制
限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が以下に記載される。
極と、当該圧電層の両対向側面上の高速度層と、当該圧電層と当該高速度層の第1高速度
層との間に位置決めされた低速度層とを含む弾性波デバイスである。低速度層は、高速度
層よりも低い音速を有する。音速とは、固体の中を伝播するせん断波の音の速度である。
弾性波デバイスは、音響エネルギーが圧電層と低速度層との境界に集中するように弾性境
界波を生成するべく構成される。
速度は、2500メートル毎秒から4800メートル毎秒の範囲としてよい。弾性境界波
の速度は、4100メートル毎秒から4800メートル毎秒の範囲としてよい。
化シリコン、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、水晶又はスピネルの少なくとも一つを含
んでよい。高速度層は、互いに同じ材料から作られてよい。
境界に弾性境界波を閉じ込めることができる。高速度層の少なくとも一方は、1λから1
0λの範囲の厚さを有してよい。高速度層の少なくとも一方は、1λから5λの範囲の厚
さを有してよい。いくつかの例においては、高速度層の一方又は双方が、10λよりも大
きな厚さを有してよい。圧電層は、2λ未満の厚さを有してよい。圧電層は、タンタル酸
リチウム層としてよい。圧電層は、ニオブ酸リチウム層としてよい。
タと、当該弾性波フィルタに結合された無線周波数スイッチとを含む無線周波数モジュー
ルである。無線周波数スイッチは、弾性波フィルタとともにパッケージ状にされる。弾性
波フィルタは、圧電層と、当該圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
当該圧電層の両対向側面上の高速度層と、当該圧電層と当該高速度層の第1高速度層との
間に配置された低速度層とを含む弾性波デバイスを含む。低速度層は、高速度層よりも低
い音速を有する。弾性波デバイスは、音響エネルギーが圧電層と低速度層との境界に集中
するように弾性境界波を生成するべく構成される。
力増幅器の出力を弾性波フィルタに選択的かつ電気的に接続するように構成される。無線
周波数モジュールはアンテナポートを含んでよい。ここで、無線周波数スイッチは、弾性
波フィルタを無線周波数モジュールのアンテナポートに選択的かつ電気的に接続するよう
に構成される。
である。方法は、無線周波数信号を弾性波フィルタに与えることと、当該無線周波数信号
を当該弾性波フィルタによってフィルタリングすることとを含む。弾性波フィルタは、圧
電層と、当該圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、当該圧電層の両対
向側面上の高速度層と、当該圧電層と当該高速度層の第1高速度層との間に位置決めされ
た低速度層とを含む弾性波デバイスを含む。低速度層は、高速度層よりも低い音速を有す
る。弾性波デバイスは、音響エネルギーが圧電層と低速度層との境界に集中するように弾
性境界波を生成する。
ニオブ酸リチウム層又はタンタル酸リチウム層としてよい。
極と、当該圧電層の両対向側面上の高速度層と、第1高速度層と当該圧電層との間に位置
決めされた温度補償層とを含む弾性波デバイスである。高速度層は、第1音速を有する第
1高速度層と、第2音速を有する第2高速度層とを含む。弾性波デバイスは、第1音速及
び第2音速の双方よりも小さな速度を有する弾性境界波を生成するべく構成される。
い。
1高速度層は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、水晶又はスピネルの少
なくとも一つを含んでよい。圧電層は、タンタル酸リチウム層又はニオブ酸リチウム層の
いずれかとしてよい。温度補償層は二酸化シリコンを含んでよい。
よい。圧電層は、2λ未満の厚さを有してよい。
該圧電層に接触してよい。インターディジタルトランスデューサ電極は、温度補償層に対
向する圧電層の一側面上において当該圧電層と接触してよい。
極と、当該圧電層の両対向側面上のシリコン層と、当該シリコン層の一方と当該圧電層と
の間に配置された二酸化シリコン層とを含む弾性波デバイスである。弾性波デバイスは、
圧電層とインターディジタルトランスデューサ電極との界面において弾性境界波を生成す
るべく構成される。
有してよい。圧電層は、2λ以下の厚さを有してよい。
い。
上に存在してよい。インターディジタルトランスデューサ電極は、二酸化シリコン層に対
向する圧電層の一側面上に存在してよい。
極と、当該圧電層の両対向側面上のシリコン層と、当該シリコン層の一方と当該圧電層と
の間に配置された二酸化シリコン層とを含む弾性波デバイスを含む弾性波フィルタである
。弾性波デバイスは、弾性境界波を生成するべく構成される。弾性波フィルタは、無線周
波数信号をフィルタリングするべく構成される。
デバイスアセンブリである。第1ダイは、弾性境界波を生成するべく構成された第1弾性
波デバイスを含む。第1弾性波デバイスは、圧電層と、当該圧電層上のインターディジタ
ルトランスデューサ電極と、当該圧電層の両対向側面上の高音速層とを含む。高音速層は
それぞれが、弾性境界波の速度よりも大きな音速を有する。第2ダイは、第2弾性境界波
を生成するべく構成された第2弾性波デバイスを含む。
んでよい。ここで、第3ダイは、第3弾性境界波を生成するべく構成された第3弾性波デ
バイスを含んでよい。
層を含んでよい。
コン、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、水晶又はスピネルの少なくとも一つを含んでよ
い。
弾性波フィルタに含まれてよい。
アセンブリは、第2ダイから延びるワイヤボンドを含んでよい。
1ダイと第2ダイとの間に空気ギャップを含んでよい。弾性波デバイスアセンブリは、第
1ダイと第2ダイとの間に配置された誘電材料を含んでよい。弾性波デバイスアセンブリ
は、第1ダイと第2ダイとの間に配置された誘電材料及び金属遮蔽を含んでよい。
スデューサ電極と、第2圧電基板の両対向側面上の第2高音速層とを含んでよい。ここで
、第2高音速層はそれぞれが、第2弾性境界波の速度よりも大きな音速を有する。
モジュールは、第1無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された第1弾性波フィ
ルタと、第2無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された第2弾性波フィルタと
、第1弾性波フィルタ及び第2弾性波フィルタを封入するパッケージとを含む。第1弾性
波フィルタは、第1ダイ上に第1弾性波デバイスを含み、弾性境界波を生成するべく構成
される。第1弾性波デバイスは、圧電層と、当該圧電層の両対向側面上の高音速層とを含
み、高音速層はそれぞれが、弾性境界波の速度よりも大きな音速を有する。第2弾性波フ
ィルタは、第2ダイ上に第2弾性波デバイスを含み、第2弾性境界波を生成するべく構成
される。第2ダイは、第1ダイとともに積層される。
線周波数スイッチを含み、無線周波数スイッチはパッケージ内に封入される。
線通信デバイスとを含む。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく
構成される。弾性波フィルタは、第2ダイとともに積層された第1ダイを含む。第1ダイ
は、弾性境界波を生成するべく構成された第1弾性波デバイスを含む。第1弾性波デバイ
スは、2つの高音速層間に配置された圧電層を含み、弾性境界波の速度よりも高い音速を
有する。
イスは無線周波数スイッチを含んでよい。弾性波フィルタは、無線周波数スイッチに結合
されたマルチプレクサとして配列される。
に記載されてきた。かかる利点の必ずしもすべてが、いずれかの特定の実施形態において
達成されるというわけではない。よって、本イノベーションは、ここに教示される一つの
利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することなく
、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。
る。
ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバーされ
る多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、参照される図面では、
同じ参照番号が同一の又は機能的に類似の要素を示し得る。理解されることだが、図面に
例示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施
形態は、図面に例示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び/又は図面に例示される
要素の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、2つ以上の図面からの特
徴の任意の適切な組み合わせを組み入れてよい。
トエンドにおいて、無線周波数(RF)信号をフィルタリングすることができる。弾性波
フィルタは、弾性表面波(SAW)デバイスとともに実装することができる。SAWデバ
イスは、弾性表面波が伝播する表面上に空気キャビティを含み得る。空気キャビティは、
SAWデバイスチップの高さ及び/又は体積を増加させ得る。SAWデバイスチップのサ
イズは、パッケージ状コンポーネントの全体的なサイズに寄与する。
気キャビティを含むSAWデバイスを実装する場合と比べ、パッケージサイズを低減する
ことができる。しかしながら、弾性境界波デバイスは、当該デバイス内に弾性波を閉じ込
める困難性に遭遇してきた。さらに、比較的薄い弾性境界波デバイスを実装することは困
難であった。
高速度層はそれぞれが、多層圧電デバイスが生成する弾性波の音速よりも高い音速を有す
る。ここで使用されるように、「音速」とは、固体の中を伝播するせん断波の音の速度と
してよい。高速度層は、デバイス内の弾性波の閉じ込めを改善することができる。一例と
して、高速度層は、一定のアプリケーションにおけるシリコン層とすることができる。多
層圧電デバイスは、圧電層と高速度層の一方との間に低速度層を含み得る。低速度層は、
高速度層よりも低い音速を有する。低速度層は、温度補償層としてよい。例えば、低速度
層は二酸化シリコン層としてよい。多層圧電デバイスは、弾性境界波を生成し、比較的薄
いデバイスとして実装することができる。多層圧電デバイスは、一定のアプリケーション
において、当該デバイスが生成する弾性境界波の一波長のオーダーの厚さを有してよい。
0は弾性境界波を生成することができる。したがって、弾性波デバイス10は境界波デバ
イスと称してよい。弾性波デバイス10は、比較的小さな高さを有し、弾性波デバイス1
0内に弾性境界波を閉じ込めることができる。例示のように、弾性波デバイス10は、圧
電層12と、インターディジタルトランスデューサ(IDT)電極14と、温度補償層1
6と、第1高速度層17と、第2高速度層18とを含む。
ネルギーを有する弾性境界波を生成するように構成される。弾性境界波は、2500メー
トル毎秒から4800メートル毎秒の速度を有し得る。一定の例において、弾性境界波は
、3900メートル毎秒を上回る速度を有し得る。いくつかのそのような例において、弾
性境界波は、4100メートル毎秒を上回る速度を有し得る。弾性境界波の速度は、39
00メートル毎秒から4800メートル毎秒の範囲にあってよい。いくつかの例において
、弾性境界波の速度は、4100メートル毎秒から4800メートル毎秒の範囲にある。
。例えば、圧電層は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)層又はニオブ酸リチウム(L
iNbO3)層のようなリチウム系圧電層としてよい。例示の圧電層12は厚さH1を有
する。厚さH1は、波長λのオーダーとしてよい。厚さH1は、約0.1λから5λの範
囲としてよい。かかる厚さは、厚い圧電層と比べて放射損失を低減するのに十分に薄くな
り得る。圧電層12の厚さは、0.1λから2λの範囲のように2λ未満としてよい。一
定のアプリケーションにおいて、厚さは、タンタル酸リチウム圧電層又はニオブ酸リチウ
ム圧電層に対して約1.0λとしてよい。
償層16との界面において弾性境界波を生成することができる。例示のIDT電極14は
、ピッチL及び厚さh1を有する。ピッチLは、弾性波デバイス10が生成する弾性波の
波長λを画定しかつこの波長λに対応する。厚さh1は、約0.01λから0.15λの
範囲にあってよい。例えば、h1は、一定のアプリケーションにおいて約0.08λとな
り得る。IDT電極14は、アルミニウム、アルミニウム合金、及び/又は任意の他の、
IDT電極14にとって適切な材料を含み得る。例えば、IDT電極材料は、アルミニウ
ム(Al)、チタン(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、タ
ングステン(W)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、又はこれらの任意の適切
な組み合わせを含み得る。IDT電極厚さh1は、Au、Ag、Cu、Pt、W、Mo又
はRuのような比較的重い電極が使用されるときは比較的薄い。
うに、温度補償層16は、圧電層12と物理的に接触する第1側面と、第1高速度層17
に物理的に接触する第2側面とを有する。温度補償層16は、温度補償層16なしの同様
の弾性波デバイスと比べ、弾性波デバイス10の周波数温度係数(TCF)を改善するこ
とができる。温度補償層16は、弾性波デバイス10のTFCを、温度補償層16を含ま
ない同様の弾性波デバイスのTCFよりもゼロに近づけることができる。温度補償層16
は、正の周波数温度係数を有し得る。例えば、温度補償層16は二酸化シリコン(SiO
2)層のようにしてよい。温度補償層16は代替的に、二酸化テルル(TeO2)層又は
オキシフッ化シリコン(SiOF層)としてよい。温度補償層16は、SiO2、TeO
2及び/又はSiOFの任意の適切な組み合わせを含み得る。
結合係数k2を改善することができる。弾性波デバイス10の電気機械結合係数k2は、
5%よりも大きくなり得る。例えば、一定の実施形態において、電気機械結合係数k2は
9%近辺である。電気機械結合係数k2は、様々なアプリケーションにおいて5%から1
5%の範囲となり得る。弾性波デバイス10は、圧電層12がニオブ酸リチウム層のとき
、約15%までの電気機械結合係数k2を有し得る。
し得る。したがって、温度補償層16は低速度層と称してよい。かかる低速度層は、高速
度層17及び18よりも低い音速を有する。ここで、低速度層の音速とは、当該低速度層
の中を伝播するせん断波の音の速度である。温度補償層16は、圧電層12よりも低い音
響インピーダンスを有し得る。温度補償層16は、第1高速度層17よりも低い音響イン
ピーダンスを有し得る。温度補償層16は誘電層としてよい。
H2は、約0.05λから1.0λの範囲としてよい。これらの例のいくつかにおいて、
厚さH2は0.5λ未満としてよい。
有する。第1高速度層17は、圧電層12よりも高い音響インピーダンスを有し得る。し
たがって、高速度層17は高インピーダンス層と称してよい。第1高速度層17は、温度
補償層16よりも高い音響インピーダンスを有してよい。第1高速度層17は、弾性波デ
バイス10が生成する弾性波が当該デバイスの外へと漏洩するのを抑制することができる
。高速度層17の音速とは、高速度層17の中を伝播するせん断波の音の速度である。第
1高速度層17はシリコン層としてよい。かかるシリコン層は、比較的高音速、比較的大
きな剛性、及び比較的小さな密度を有し得る。シリコン層は、一定の例において、多結晶
シリコン層としてよい。いくつかの他例において、第1高速度層17は、弾性波デバイス
10のIDT14が生成する弾性波の速度よりも高い音速を有する他の適切な材料によっ
て実装することもできる。例えば、第1高速度層17は、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、合成ダイヤモンドのようなダイヤモンド、水晶、スピネル等、又はこれらの任意の適
切な組み合わせを含み得る。
は、IDT電極14が生成する弾性波の速度よりも高いバルク速度を有する。したがって
、高速度層18は、高インピーダンス層と称してよい。第2高速度層18は、温度補償層
16よりも高い音響インピーダンスを有し得る。第2高速度層18は、圧電層12よりも
高い音響インピーダンスを有し得る。第2高速度層18は、弾性波デバイス10が生成す
る弾性波が当該デバイスから漏洩するのを抑制することができる。高速度層18の音速と
は、高速度層18の中を伝播するせん断波の音の速度である。第2高速度層18はシリコ
ン層としてよい。かかるシリコン層は、比較的高音速、比較的大きな剛性、及び比較的小
さな密度を有し得る。シリコン層は、一定の例において、多結晶シリコン層としてよい。
いくつかの他例において、第2高速度層18は、弾性波デバイス10のIDT14が生成
する弾性波の速度よりも高い音速を有する他の適切な材料によって実装することもできる
。例えば、第2高速度層18は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、合成ダイヤモンドの
ようなダイヤモンド、水晶、スピネル等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得
る。
とができる。第2高速度層18は、いくつかの例において、第1高速度層17とは異なる
材料から形成してよい。
音響変位分布を例示する。弾性波デバイス20は、図1の弾性波デバイス10の一例であ
る。例示の弾性波デバイスは、タンタル酸リチウム層22、IDT電極14、二酸化シリ
コン層26、第1シリコン層27及び第2シリコン層28を含む。
けるタンタル酸リチウム層22及び二酸化シリコン層26の中にトラップされることを示
す。例示の変位分布のグラフは、音響エネルギーが、弾性波デバイス20におけるタンタ
ル酸リチウム層22と二酸化シリコン層26との界面に集中することを示す。第1シリコ
ン層27は厚さH3を有する。弾性波デバイス20が生成する弾性波の波長λよりも大き
い厚さH3が、音響エネルギーを弾性波デバイス20内にトラップするには十分となり得
る。厚さH3は、1λから10λの範囲としてよい。いくつかの例において、H3は約5
λとしてよい。厚さH3は、弾性波デバイス20の機械的耐性を維持するのに十分となり
得る。かかる例において、厚さH3は、10λよりも大きくてよい。第1シリコン層27
の表面上にはタンタル酸リチウム層22から離れる識別可能な変位が存在しない。同様に
、第2シリコン層28の表面上にはタンタル酸リチウム層22から離れる識別可能な変位
が存在しない。第2シリコン層28の厚さH4は、一定の実装において、第1シリコン層
27の厚さH3と同様としてよい。音響変位分布における最大変位は、二酸化シリコン層
26とタンタル酸リチウム層22との界面上に中心がある。二酸化シリコン層26により
、TCFが改善し得る。二酸化シリコン層26により、電気機械結合係数k2が改善し得
る。
りに他の高インピーダンス材料を実装する弾性波デバイスにも当てはまる。ここで、他の
高インピーダンス材料は、デバイスの圧電層の音響インピーダンスよりも高い音響インピ
ーダンスを有する。高インピーダンス材料の例は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、合
成ダイヤモンドのようなダイヤモンド、水晶、スピネル等を含む。同様に、タンタル酸リ
チウム層22は、ニオブ酸リチウム層のような他の適切な圧電層によって置換することが
できる。かかる弾性波デバイスも、図2の弾性波デバイス20と同様に機能し得る。
回転YカットX伝播のタンタル酸リチウムを圧電層として使用して励起される。しかしな
がら、異なる圧電基板カット角及び/又は圧電材料が、励起のための縦方向における及び
厚さ方向における振動成分に基づくモードとともに使用されたとしても、音速関係が満た
される限り、かかるデバイスは、図2の弾性波デバイス20と同様に機能し得る。
30は、IDT電極がタンタル酸リチウム層22の異なる表面上に配置され、弾性波デバ
イス30においてIDT電極がアルミニウムIDT電極34である点を除き、図2の弾性
波デバイス20と同様である。例示のように、図3AにおけるアルミニウムIDT電極3
4は、第2シリコン層28に面するタンタル酸リチウム層22の表面上に存在する。
のIDT電極とは反対の側面上に低速度層を含むことを例示する。ここで、低速度層は、
圧電層と高速度層の一方との間に位置決めされる。一定のアプリケーションにおいて、弾
性波デバイス30においてシリコン層27及び/又は28の代わりに他の高インピーダン
ス材料を実装してもよい。ここで、他の高インピーダンス材料は、デバイスの圧電層の音
響インピーダンスよりも高い音響インピーダンスを有する。高インピーダンス材料の例は
、窒化シリコン、窒化アルミニウム、合成ダイヤモンドのようなダイヤモンド、水晶、ス
ピネル等を含む。同様に、タンタル酸リチウム層22は、ニオブ酸リチウム層のような他
の適切な圧電層によって置換することができる。かかる弾性波デバイスも、図3Aの弾性
波デバイス30と同様に機能し得る。
35は、弾性波デバイス35においてIDT電極がアルミニウムIDT電極34である点
を除き、図2の弾性波デバイス20と同様である。アルミニウムIDT電極34は、弾性
波デバイス35において、図3Aの弾性波デバイス30と比べてタンタル酸リチウム層2
2の反対側に存在する。
ラフを例示する。これらのシミュレーションは、シリコン高速度層及びタンタル酸リチウ
ム圧電層を有する弾性波デバイス30及び35に対応する。図3Cは、弾性波デバイス3
5が、弾性波デバイス30よりも良好な電気機械結合係数k2を有することを示す。
デバイスが、弾性境界波を生成することができる。弾性波デバイスのいくつかの例が、図
1~3Bを参照して説明される。弾性波デバイスの付加的な例が、図4A~4Gを参照し
て説明される。ここに開示される弾性波デバイスの任意の適切な特徴を、相互に一緒に実
装することができる。
40は、付加的な低速度層41が第2高速度層と圧電層12との間に含まれる点を除き、
図1の弾性波デバイス10と同様である。弾性波デバイス40が、弾性波デバイス10と
は異なる配向で例示されるにもかかわらず、当該デバイスの例示のされ方は、当該デバイ
スの機能に影響を与えることがなく、物理的なデバイスの配向を示唆するものでもない。
低速度層41は、代替的に低インピーダンス層と称してよい。低速度層41は二酸化シリ
コン層としてよい。弾性波デバイス40の一実施形態において、第1高速度層17はシリ
コン層としてよく、第1低速度層16は二酸化シリコン層としてよく、第2低速度層41
は二酸化シリコン層としてよく、第2高速度層18はシリコン層としてよい。
42は、接着層43が弾性波デバイス42において第2低速度層41の中に含まれる点を
除き、図4Aの弾性波デバイス40と同様である。接着層43は、弾性波デバイス42の
層間の接着強度を高める。接着層43は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、鉄(
Fe)等のような金属を含み得る。接着層43が金属の場合、接着層43は、弾性波デバ
イス42の層間熱伝導率を改善し及び/又は自己加熱を抑制することができる。いくつか
の例において、かかる接着層43は、弾性波デバイス42の耐電力性を高めることができ
る。接着層43は、いくつかのアプリケーションにおいて誘電材料としてよい。接着層4
3は、接着層43が弾性波デバイス42の伝送特性を著しく劣化させることのないように
十分な距離だけ圧電層12から離間され得る。弾性波デバイス42において、第2低速度
層41は、接着層43により第1部分及び第2部分に分離することができる。ここで、第
1部分は圧電層12と接着層43との間であり、第2部分は接着層43と第2高速度層1
8との間である。弾性波デバイス42の一実施形態において、第1高速度層17はシリコ
ン層であり、第1低速度層16は二酸化シリコン層であり、第2低速度層41は二酸化シ
リコン層であり、第2高速度層18はシリコン層である。
44は、接着層45が弾性波デバイス44において第1低速度層16の中に含まれる点を
除き、図4Aの弾性波デバイス40と同様である。接着層45は、弾性波デバイス44の
層間の接着強度を高める。接着層45は、アルミニウム、チタン、鉄等のような金属を含
み得る。接着層45が金属の場合、接着層45は、弾性波デバイス44の層間熱伝導率を
改善し及び/又は自己加熱を抑制することができる。いくつかの例において、かかる接着
層45は、弾性波デバイス44の耐電力性を高めることができる。接着層45は、いくつ
かのアプリケーションにおいて誘電材料としてよい。接着層45は、接着層45が弾性波
デバイス44の伝送特性を著しく劣化させることのないように十分な距離だけ圧電層12
及びIDT電極14から離間され得る。弾性波デバイス44において、第1低速度層16
は、接着層45により第1部分及び第2部分に分離することができる。ここで、第1部分
は圧電層12と接着層45との間であり、第2部分は接着層45と第1高速度層17との
間である。弾性波デバイス44の一実施形態において、第1高速度層17はシリコン層で
あり、第1低速度層16は二酸化シリコン層であり、第2低速度層41は二酸化シリコン
層であり、第2高速度層18はシリコン層である。
46は、弾性波デバイス46が付加的に接着層45を含む点を除き、図4Bの弾性波デバ
イス42と同様である。同様に、弾性波デバイス46は、弾性波デバイス46が付加的に
接着層43を含む点を除き、図4Cの弾性波デバイス44と同様である。接着層43及び
45を有することにより、弾性波デバイス46の層の接着性を改善することができる。さ
らに、接着層43及び45が金属の場合、層間熱伝導率を改善することができ、及び/又
は自己加熱を抑制することができる。弾性波デバイス46の一実施形態において、第1高
速度層17がシリコン層であり、第1低速度層16が二酸化シリコン層であり、第2低速
度層41が二酸化シリコン層であり、第2高速度層18がシリコン層である。
弾性波デバイス47は、圧電層12と、圧電層12上のIDT電極14と、IDT電極1
4及び圧電層12の上方の第1高速度層17と、圧電層12の、IDT電極14とは反対
側の第2高速度層18と、圧電層12と第2高速度層18との間に位置決めされた低速度
層41とを含む。接着層43が低速度層41内に含まれる。弾性波デバイス47の一実施
形態において、第1高速度層17がシリコン層であり、第1低速度層16が二酸化シリコ
ン層であり、第2低速度層41が二酸化シリコン層であり、第2高速度層18がシリコン
層である。弾性波デバイス47の一実施形態は、接着層43が加えられた図3Aの弾性波
デバイス30と同様である。
48は、接着層45が弾性波デバイス48において低速度層16の中に含まれる点を除き
、図1の弾性波デバイス10と同様である。弾性波デバイス48の一実施形態において、
第1高速度層17はシリコン層であり、低速度層16は二酸化シリコン層であり、第2低
速度層18はシリコン層である。接着層45により、弾性波デバイス45の層間の接着性
を改善することができる。接着層45が金属の場合、層間熱伝導率を改善することができ
、及び/又は自己加熱を抑制することができる。
49は、第2高速度層50が第1高速度層17とは異なる材料であるように示される点を
除き、図4Aの弾性波デバイス40と同様である。一例として、第1高速度層17はシリ
コン層としてよく、第2高速度層50は水晶層としてよい。高速度層の任意の他の適切な
組み合わせも実装することができる。図4Gは、ここに開示される任意の適切な原理及び
利点に係る弾性波デバイスが、第2高速度層とは異なる材料の第1高速度層を含み得るこ
との説明例である。弾性波デバイス49の一実施形態において、第1高速度層17がシリ
コン層であり、第1低速度層16が二酸化シリコン層であり、第2低速度層41が二酸化
シリコン層であり、第2高速度層 50が水晶層である。
の影響に対して不感にすることができる。したがって、かかる弾性波デバイスは、互いに
積層することができる。
圧電基板を有する弾性波デバイスは、比較的薄い構造によって実装することができる。こ
れは、パッケージ化にとって有利である。例えば、比較的薄い弾性波デバイスにより、か
かる弾性波デバイスを含む2つ以上のダイを、パッケージ内で互いに積層することができ
る。ここに開示される原理及び利点に係る弾性波デバイスを有する2層の積層ダイを含む
無線周波数モジュールは、300マイクロメートル未満の厚さを有し得る。いくつかの例
において、ここに開示される原理及び利点に係る弾性波デバイスを有する3層以上の積層
ダイを含む無線周波数モジュールは、300マイクロメートル未満の厚さを有し得る。積
層ダイは、一定のアプリケーションにおいて、付加的な保護なしでオーバーモールドする
ことができる。積層は、デバイスレベル、ダイレベル及び/又はモジュールレベルで実装
することができる。
ス55は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る多層圧電基板を含み得る。
弾性波デバイス55は薄い。弾性波デバイス55は、弾性波デバイス55の高音速層の厚
さが当該圧電層の近傍に弾性波を閉じ込めるべく十分であっても、所定の従来型SAWデ
バイスよりも薄い。一実施形態において、弾性波デバイス55は、5λ近辺の厚さを有す
るシリコン高速度層を含み得る。かかる弾性波デバイス55は、約10マイクロメートル
(um)から100umの範囲の厚さX1を有し得る。一例として、厚さX1は約40u
mとしてよい。上述の他の弾性波デバイスもまた、10マイクロメートル(um)から1
00umの範囲の厚さを有し得る。対照的に、いくつかの現在の温度補償型SAW(TC
SAW)フィルタは、215um近辺の厚さを有する弾性波デバイスを含む。弾性波デバ
イス55に対する厚さX1の範囲の上限は、機械的な耐久性を考慮して設定することがで
きる。
れにより、弾性波デバイスを含むパッケージ状モジュールのサイズを低減することができ
る。比較的薄い弾性波デバイスなので、かかるデバイスを通るようにビアを作ることがで
きる。積層弾性波デバイスは、ビア及び/又はワイヤボンドのような電気的接続部を介し
て他のコンポーネントに接続することができる。積層弾性波デバイスは、異なる弾性波フ
ィルタに含めることができる。かかる弾性波フィルタは、一つ以上のラダー型フィルタを
含み得る。一つ以上のラダー型フィルタは、直列及びシャント1ポート弾性波共振器を含
んでよい。図6A~6Eは、積層弾性波デバイスアセンブリの例を例示する。これらの例
の任意の適切な原理及び利点は、相互に組み合わせて実装することができる。上述した弾
性波デバイスのいずれか、及び/又は上述した弾性波デバイスの特徴の任意の適切な組み
合わせは、図6A~6Eの積層弾性波デバイスアセンブリの例のいずれかに実装すること
ができる。
示する。弾性波デバイスアセンブリ60は、コンパクトであって、比較的小さなサイズを
有する。例示のように、弾性波デバイスアセンブリ60は、ダイ61、62及び63、ビ
ア64、65及び66、接点67、並びにパッケージ基板68を含む。ダイ61、62及
び63は互いに積層される。これらのダイはいずれも、ここに説明される任意の適切な原
理及び利点に係る一つ以上の弾性波デバイスを含み得る。ビア64、65及び66は、ダ
イ61、62及び63それぞれと、パッケージ基板68上の接点67との間に電気的接続
を与えることができる。比較的薄い圧電層及び弾性波デバイスを貫通するビアホールは、
厚い層及びデバイスを貫通するものよりも容易に実装することができる。パッケージ基板
68は、金属配線を含む積層基板とすることができる。
示する。弾性波デバイスアセンブリ70は、ダイ61、62及び63、ビア64、65及
び66、接点67、パッケージ基板68、並びにダイ間の空気ギャップ71及び72を含
む。弾性波デバイスアセンブリ70は積層ダイを含み、当該ダイの少なくとも一つをビア
が通る。例示のように、ビア64がダイ62及び63を貫通し、ビア65はダイ63を貫
通する。ダイ61及び62は、空気ギャップ71及び72それぞれの上方に懸架される。
空気ギャップ71及び72は、図6Aの弾性波デバイスアセンブリ60に対する各ダイの
電気的分離性を改善することができる。
示する。弾性波デバイスアセンブリ75は、ダイ61、62及び63、ビア64、65及
び66、接点67、パッケージ基板68、並びに誘電層76及び77を含む。弾性波デバ
イスアセンブリ75は積層ダイを含み、そのダイの少なくとも一つをビアが貫通する。誘
電層76及び77は、ダイを互いから電気的に分離することができる。例えば、誘電層7
6は、ダイ61とダイ62との間に電気的な分離を与える。他例として、誘電層77は、
ダイ62とダイ63との間に電気的な分離を与える。誘電層76及び77は、パッケージ
状デバイスのモールド強度を確保することができる。
示する。弾性波デバイスアセンブリ80は、ダイ61、62及び63、ビア64、65及
び66、接点67、パッケージ基板68、誘電層81及び83、並びに遮蔽層82及び8
4を含む。弾性波デバイスアセンブリ80は積層ダイを含み、当該ダイの少なくとも一つ
をビアが貫通する。ダイ間の誘電層及び遮蔽層により、ダイ相互が電気的に分離及び遮蔽
される。例えば、誘電層81及び遮蔽層82は、ダイ61とダイ62との間に電気的な分
離及び遮蔽を与えることができる。他例として、誘電層83及び遮蔽層84は、ダイ62
とダイ63との間に電気的な分離及び遮蔽を与えることができる。遮蔽層82及び84は
、任意の適切な遮蔽金属層によって実装することができる。
示する。弾性波デバイスアセンブリ85は、ダイ61、62及び63、ワイヤボンド86
、87及び88、並びにパッケージ基板68を含む。ワイヤボンド86、87及び88は
、ダイ61、62及び63それぞれとパッケージ基板68との間に電気的な接続を与える
ことができる。ワイヤボンド86、87及び88はそれぞれが、ダイ61、62及び63
上の各ワイヤボンドパッドから、パッケージ基板68上の各パッドまで延び得る。ワイヤ
ボンドとダイを貫通するビアとを、いくつかの他の実施形態において、一つ以上のダイと
パッケージ基板の金属配線との電気的接続を与えるべく、互いに実装することができる。
空気ギャップ並びに/又は誘電層及び/若しくは遮蔽層は、積層弾性波アセンブリのダイ
間に実装することができる。ここで、ダイの一つ以上からは、ワイヤボンドが延びる。
ケージ状モジュールに実装することができる。ここに説明される弾性波デバイスの任意の
適切な原理及び利点を実装することができるパッケージ状モジュールのいくつかの例を以
下に説明する。パッケージ状モジュールの例は、例示の回路素子を封入するパッケージを
含み得る。例示の回路素子は、共通パッケージ基板上に配置することができる。パッケー
ジ基板は、例えば積層基板としてよい。図7A、7B及び7Cは、一定の実施形態に係る
例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。当該パッケージ状モジュー
ルの特徴の任意の適切な組み合わせを相互に一緒に実装することができる。
ロック図である。モジュール130は、例示の要素を封入するパッケージを含み得る。フ
ィルタ91及びアンテナスイッチ92は、共通パッケージ基板上に配置することができる
。パッケージ基板は、例えば積層基板としてよい。フィルタ91は、ここに開示される一
つ以上の適切な弾性波デバイスを含み得る。フィルタ91は、相互に積層されたダイを含
み得る。ここで、ダイは、ここに開示される一つ以上の弾性波デバイスを含む。アンテナ
スイッチ92は、多投無線周波数スイッチとしてよい。アンテナスイッチ92は、フィル
タ91の選択されたフィルタを、モジュール90のアンテナポートに電気的に結合するこ
とができる。フィルタ91は、共通ノードに一緒に結合されてマルチプレクサとして配列
された2つ以上の弾性波フィルタを含み得る。かかるマルチプレクサは、デュプレクサ、
クアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等をしてよい。
ル94の模式的なブロック図である。電力増幅器97は無線周波数信号を増幅することが
できる。無線周波数スイッチ96は、電力増幅器97の出力を、フィルタ91の選択され
たフィルタに電気的に結合することができる。フィルタ91は、ここに開示される一つ以
上の弾性波デバイスを含み得る。フィルタ91は、相互に積層されたダイを含み得る。こ
こで、ダイは、ここに開示される一つ以上の弾性波デバイスを含む。フィルタ91は、共
通ノードに一緒に結合されてマルチプレクサとして配列された2つ以上の弾性波フィルタ
を含み得る。かかるマルチプレクサは、デュプレクサ、クアッドプレクサ、ヘキサプレク
サ、オクタプレクサ等をしてよい。
ッチ92を含むモジュール98の模式的なブロック図である。モジュール98は、モジュ
ール98が付加的にアンテナスイッチ92を含む点を除き、図7Bのモジュール94と同
様である。
れも、無線通信デバイスに実装することができる。図8は、一つ以上の実施形態に係るフ
ィルタ103を含む無線通信デバイス100の模式的なブロック図である。無線通信デバ
イス100は、任意の適切な無線通信デバイスとしてよい。例えば、無線通信デバイス1
00は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。例示のように、無線通信デバイ
ス100は、アンテナ101、RFフロントエンド102、RF送受信器104、プロセ
ッサ105、メモリ106及びユーザインタフェイス108を含む。アンテナ101は、
RFフロントエンド102が与えるRF信号を送信することができる。かかるRF信号は
、キャリアアグリゲーション信号を含み得る。アンテナ101は、受信したRF信号を、
処理を目的としてRFフロントエンド102に与えることができる。無線通信デバイス1
00は、一定の例において、2つ以上のアンテナを含み得る。
スイッチ、受信フィルタ、送信フィルタ、デュプレクスフィルタ、マルチプレクサのフィ
ルタ、ダイプレクサ若しくは他の周波数マルチプレクシング回路のフィルタ、又はこれら
の任意の適切な組み合わせを含み得る。RFフロントエンド102は、任意の適切な通信
規格に関連付けられたRF信号を送信及び受信することができる。ここに開示される弾性
波デバイスのいずれも、RFフロントエンド102のフィルタ103に実装することがで
きる。ここに開示される弾性波デバイスアセンブリのいずれも、フィルタ103の一つ以
上を実装することができる。したがって、フィルタ103は、弾性境界波を生成するべく
配列された比較的薄い弾性波デバイスを含み得る。
エンド102に与えることができる。RF送受信器104はまた、RFフロントエンド1
02の低雑音増幅器が与えるRF信号を処理することができる。RF送受信器104はプ
ロセッサ105と通信する。プロセッサ105はベース帯域プロセッサとしてよい。プロ
セッサ105は、無線通信デバイス100のための任意の適切なベース帯域処理機能を与
えることができる。メモリ106は、プロセッサ105によりアクセスすることができる
。メモリ106は、無線通信デバイス100のための任意の適切なデータを記憶すること
ができる。ユーザインタフェイス108は、タッチスクリーン能力を有するディスプレイ
のような、任意の適切なユーザインタフェイスとしてよい。
して実装することができる。実施形態の原理及び利点は、ここに説明される実施形態のい
ずれかから有益となり得るアップリンクセルラーデバイスのような、任意のシステム又は
装置によって使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能である
。本開示がいくつかの実施形態例を含むにもかかわらず、ここに説明される教示は、様々
な構造に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約450M
Hzから6GHzの範囲のような、約30kHzから300GHzの範囲にある周波数を
有する信号を処理するべく構成されたRF回路に関連して実装することができる。ここに
開示される弾性波フィルタは、約450MHzから6GHzの周波数範囲内の通過帯域を
有する帯域通過フィルタとしてよい。ここに開示される弾性波フィルタはRF信号を、ミ
リメートル波周波数までの及びミリメートル波周波数を含む周波数においてフィルタリン
グすることができる。
例は、消費者用電子製品、ダイ及び/又は弾性波フィルタアセンブリ及び/又はパッケー
ジ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、アップリンク無線通信デバ
イス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器等を含むがこれらに限られない。電
子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯型電話機、スマートウォッチ又はイヤー
ピースのような装着可能コンピューティングデバイス、電話機、テレビ、コンピュータモ
ニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、
タブレットコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、電子レンジ、冷
蔵庫、自動車、ステレオシステム、DVDプレーヤー、CDプレーヤー、MP3プレーヤ
ーのようなデジタル音楽プレーヤー、ラジオ、ビデオカメラ、カメラ、デジタルカメラ、
携帯型メモリーチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯/乾燥機、コピー機、ファックス機、スキ
ャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、置時計等を含むがこれらに限られない。さらに、電
子デバイスは未完成の製品も含んでよい。
、「含む」、「備える」等の単語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、
すなわち「~を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に
使用される単語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続され
るかのいずれかとなり得る2つ以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される
単語「接続」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいず
れかとなり得る2以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同
様の趣旨の単語は、本アプリケーションにおいて使用される場合、本アプリケーション全
体を言及し、本アプリケーションの任意の固有部分を言及するわけではない。文脈が許容
する場合、単数又は複数を使用する詳細な説明における単語はそれぞれ、複数又は単数を
も含み得る。2つ以上の項目のリストを言及する単語「又は」及び「若しくは」は、当該
単語の以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リス
トのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。
ば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないこと
が述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態
が所定の特徴、要素及び/又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを
伝えるように意図される。すなわち、かかる条件的言語は一般に、特徴、要素及び/若し
くは状態が任意の態様で一つ以上の実施形態にとって必要であるとの示唆を意図しない。
ぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載され
る新規な方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに
、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開
示の要旨から逸脱することなくなし得る。例えば、ブロックが所与の配列で提示されるが
、代替実施形態は、異なるコンポーネント及び/又は回路トポロジで同様の機能を果たす
ことができ、いくつかのブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び/又は修正す
ることができる。これらのブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することがで
きる。上述した様々な実施形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実
施形態を与えるように組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物
が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
Claims (60)
- 弾性波デバイスであって、
圧電層と、
前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電層の両対向側面上の高速度層と、
前記圧電層と前記高速度層の第1高速度層との間に位置決めされた低速度層と
を含み、
前記低速度層は、前記高速度層よりも低い音速を有し、
前記低速度層の音速は、前記低速度層の中を伝播するせん断波の音の速度であり、
前記弾性波デバイスは、音響エネルギーが前記圧電層と前記低速度層との境界に集中する
ように弾性境界波を生成するべく構成される弾性波デバイス。 - 前記高速度層はそれぞれが、前記弾性境界波の速度よりも高い音速を有する請求項1の弾
性波デバイス。 - 前記低速度層は二酸化シリコンを含む請求項1の弾性波デバイス。
- 前記高速度層はシリコン層である請求項3の弾性波デバイス。
- 前記高速度層の少なくとも一方はシリコン層である請求項1の弾性波デバイス。
- 前記高速度層の少なくとも一方は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、水
晶又はスピネルの少なくとも一つを含む請求項1の弾性波デバイス。 - 前記圧電層はタンタル酸リチウム層である請求項1の弾性波デバイス。
- 前記圧電層はニオブ酸リチウム層である請求項1の弾性波デバイス。
- 前記高速度層は互いに同じ材料から作られる請求項1の弾性波デバイス。
- 前記弾性境界波は波長λを有し、
前記高速度層の少なくとも一方は1λから10λの範囲の厚さを有する請求項1の弾性波
デバイス。 - 前記弾性波デバイスは、10マイクロメートル(um)から100umの範囲の厚さを有
する請求項1の弾性波デバイス。 - 前記弾性境界波は波長λを有し、
前記圧電層は2λ未満の厚さを有する請求項1の弾性波デバイス。 - 前記弾性境界波の速度は2500メートル毎秒から4800メートル毎秒の範囲にある請
求項1の弾性波デバイス。 - 前記弾性境界波の速度は4100メートル毎秒から4800メートル毎秒の範囲にある請
求項1の弾性波デバイス。 - 無線周波数モジュールであって、
無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタに結合された無線周波数スイッチと
を含み、
前記弾性波フィルタは弾性波デバイスを含み、
前記弾性波デバイスは、
圧電層と、
前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電層の両対向側面上の高速度層と、
前記圧電層と前記高速度層の第1高速度層との間に配置された低速度層と
を含み、
前記低速度層は前記高速度層よりも低い音速を有し、
前記弾性波デバイスは、音響エネルギーが前記圧電層と前記低速度層との境界に集中する
ように弾性境界波を生成するべく構成され、
前記無線周波数スイッチは前記弾性波フィルタとともにパッケージ状にされる無線周波数
モジュール。 - 電力増幅器をさらに含み、
前記無線周波数スイッチは、前記電力増幅器の出力を前記弾性波フィルタに選択的かつ電
気的に接続するべく構成される請求項15の無線周波数モジュール。 - アンテナポートをさらに含み、
前記無線周波数スイッチは、前記弾性波フィルタを前記無線周波数モジュールのアンテナ
ポートに選択的かつ電気的に接続するべく構成される請求項15の無線周波数モジュール
。 - 無線周波数信号を弾性波フィルタによりフィルタリングする方法であって、
無線周波数信号を弾性波フィルタに与えることと、
前記無線周波数信号を前記弾性波フィルタによりフィルタリングすることと
を含み、
前記弾性波フィルタは弾性波デバイスを含み、
前記弾性波デバイスは、
圧電層と、
前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電層の両対向側面上の高速度層と、
前記圧電層と前記高速度層の第1高速度層との間に位置決めされた低速度層と
を含み、
前記低速度層は前記高速度層よりも低い音速を有し、
前記弾性波デバイスは、音響エネルギーが前記圧電層と前記低速度層との境界に集中する
ように弾性境界波を生成する方法。 - 前記高速度層はシリコン層であり、
前記低速度層は二酸化シリコン層である請求項18の方法。 - 前記圧電層はニオブ酸リチウム層又はタンタル酸リチウム層である請求項19の方法。
- 弾性波デバイスであって、
圧電層と、
前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電層の両対向側面上の高速度層であって、第1音速を有する第1高速度層と第2音
速を有する第2高速度層とを含む高速度層と、
前記第1高速度層と前記圧電層との間に位置決めされた温度補償層と
を含み、
前記弾性波デバイスは、前記第1音速及び前記第2音速の双方未満の速度を有する弾性境
界波を生成するべく構成される弾性波デバイス。 - 前記第1音速は実質的に前記第2音速と同じである請求項21の弾性波デバイス。
- 前記第1音速は前記第2音速と異なる請求項21の弾性波デバイス。
- 前記第1高速度層はシリコン層である請求項21の弾性波デバイス。
- 前記第2高速度層は第2シリコン層である請求項24の弾性波デバイス。
- 前記第1高速度層は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、水晶又はスピネ
ルの少なくとも一つを含む請求項21の弾性波デバイス。 - 前記圧電層はタンタル酸リチウム層又はニオブ酸リチウム層のいずれかである請求項21
の弾性波デバイス。 - 前記温度補償層は二酸化シリコンを含む請求項21の弾性波デバイス。
- 前記弾性境界波は波長λを有し、
前記第1高速度層は1λから10λの範囲の厚さを有する請求項21の弾性波デバイス。 - 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記温度補償層に面する前記圧電層の
一側面上で前記圧電層に接触する請求項21の弾性波デバイス。 - 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記温度補償層に対向する前記圧電層
の一側面上で前記圧電層に接触する請求項21の弾性波デバイス。 - 前記弾性境界波は波長λを有し、
前記圧電層は2λ未満の厚さを有する請求項21の弾性波デバイス。 - 弾性波デバイスであって、
圧電層と、
前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電層の両対向側面上のシリコン層と、
前記シリコン層の一方と前記圧電層との間に配置された二酸化シリコン層と
を含み、
前記弾性波デバイスは、前記圧電層と前記インターディジタルトランスデューサ電極との
界面において弾性境界波を生成するべく構成される弾性波デバイス。 - 前記弾性境界波は波長λを有し、
前記シリコン層はそれぞれがλから10λの範囲の厚さを有する請求項33の弾性波デバ
イス。 - 前記弾性境界波は波長λを有し、
前記圧電層は2λよりも大きな厚さを有する請求項34の弾性波デバイス。 - 前記圧電層はタンタル酸リチウム層である請求項33の弾性波デバイス。
- 前記圧電層はニオブ酸リチウム層である請求項33の弾性波デバイス。
- 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記二酸化シリコン層に面する前記圧
電層の一側面上にある請求項33の弾性波デバイス。 - 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記二酸化シリコン層に対向する前記
圧電層の一側面上にある請求項33の弾性波デバイス。 - 弾性波デバイスを含む弾性波フィルタであって、
前記弾性波デバイスは、
圧電層と、
前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電層の両対向側面上のシリコン層と、
前記シリコン層の一方と前記圧電層との間に配置された二酸化シリコン層と
を含み、
前記弾性波デバイスは弾性境界波を生成するべく構成され、
前記弾性波フィルタは無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される弾性波フィル
タ。 - 弾性波デバイスアセンブリであって、
弾性境界波を生成するべく構成された第1弾性波デバイスを含む第1ダイと、
前記第1ダイとともに積層された第2ダイと
を含み、
前記第1弾性波デバイスは、
圧電層と、
前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電層の両対向側面上の高音速層と
を含み、
前記高音速層はそれぞれが、前記弾性境界波の速度よりも大きい音速を有し、
前記第2ダイは、第2弾性境界波を生成するべく構成された第2弾性波デバイスを含む弾
性波デバイスアセンブリ。 - 前記第1ダイ及び前記第2ダイとともに積層された第3ダイをさらに含み、
前記第3ダイは、第3弾性境界波を生成するべく構成された第3弾性波デバイスを含む請
求項41の弾性波デバイスアセンブリ。 - 前記第1弾性波デバイスはさらに、前記圧電層と前記高音速層の第1高音速層との間に配
置された温度補償層を含む請求項41の弾性波デバイスアセンブリ。 - 前記高音速層の第1高音速層はシリコン層である請求項41の弾性波デバイスアセンブリ
。 - 前記高音速層の第1高音速層は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、水晶
又はスピネルの少なくとも一つを含む請求項41の弾性波デバイスアセンブリ。 - 前記第1弾性波デバイスは第1弾性波フィルタに含まれ、
前記第2弾性波デバイスは第2弾性波フィルタに含まれる請求項41の弾性波デバイスア
センブリ。 - 前記第1ダイを貫通するビアをさらに含む請求項41の弾性波デバイスアセンブリ。
- 前記第2ダイから延びるワイヤボンドをさらに含む請求項41の弾性波デバイスアセンブ
リ。 - 前記第1ダイは前記第2ダイから電気的に分離される請求項41の弾性波デバイスアセン
ブリ。 - 前記第1ダイと前記第2ダイとの間の空気ギャップをさらに含む請求項41の弾性波デバ
イスアセンブリ。 - 前記第1ダイと前記第2ダイとの間に配置された誘電材料をさらに含む請求項41の弾性
波デバイスアセンブリ。 - 前記第1ダイと前記第2ダイとの間に配置された誘電材料及び金属遮蔽をさらに含む請求
項41の弾性波デバイスアセンブリ。 - 前記第2弾性波デバイスは、
第2圧電層と、
前記第2圧電層上の第2インターディジタルトランスデューサ電極と、
前記第2圧電基板の両対向側面上の第2高音速層と
を含み、
前記第2高音速層はそれぞれが、前記第2弾性境界波の速度よりも大きい音速を有する請
求項41の弾性波デバイスアセンブリ。 - 弾性波フィルタを有する無線周波数モジュールであって、
前記無線周波数モジュールは、
第1無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された第1弾性波フィルタと、
第2無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された第2弾性波フィルタと、
前記第1弾性波フィルタ及び前記第2弾性波フィルタを封入するパッケージと
を含み、
前記第1弾性波フィルタは、第1ダイ上において弾性境界波を生成するべく構成された第
1弾性波デバイスを含み、
前記第1弾性波デバイスは、圧電層と、前記圧電層の両対向側面上の高音速層とを含み、
前記高音速層はそれぞれが、前記弾性境界波の速度よりも大きい音速を有し、
前記第2弾性波フィルタは、第2ダイ上において第2弾性境界波を生成するべく構成され
た第2弾性波デバイスを含み、
前記第2ダイは前記第1ダイとともに積層される無線周波数モジュール。 - 前記無線周波数モジュールの厚さは300マイクロメートル未満である請求項54の無線
周波数モジュール。 - デュプレクサが前記第1弾性波フィルタ及び前記第2弾性波フィルタを含む請求項54の
無線周波数モジュール。 - 前記第1弾性波フィルタ及び前記第2弾性波フィルタに結合された無線周波数スイッチを
さらに含み、
前記無線周波数スイッチは前記パッケージの中に封入される請求項54の無線周波数モジ
ュール。 - 無線通信デバイスであって、
アンテナと、
前記アンテナと通信する弾性波フィルタと
を含み、
前記弾性波フィルタは無線周波数信号をフィルタリングするべく構成され、
前記弾性波フィルタは、第2ダイとともに積層された第1ダイを含み、
前記第1ダイは、弾性境界波を生成するべく構成された第1弾性波デバイスを含み、
前記第1弾性波デバイスは、前記弾性境界波の速度よりも高い音速を有する2つの高音速
層間に配置された圧電層を含む無線通信デバイス。 - 前記弾性波フィルタと通信する送受信器をさらに含む請求項58の無線通信デバイス。
- 無線周波数スイッチをさらに含み、
前記弾性波フィルタは、前記無線周波数スイッチに結合されたマルチプレクサとして配列
される請求項58の無線通信デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862659568P | 2018-04-18 | 2018-04-18 | |
US62/659,568 | 2018-04-18 | ||
JP2019077795A JP2019193260A (ja) | 2018-04-18 | 2019-04-16 | 多層圧電基板を有する弾性波デバイス |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019077795A Division JP2019193260A (ja) | 2018-04-18 | 2019-04-16 | 多層圧電基板を有する弾性波デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024075607A true JP2024075607A (ja) | 2024-06-04 |
JP7534566B2 JP7534566B2 (ja) | 2024-08-14 |
Family
ID=66810081
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019077795A Pending JP2019193260A (ja) | 2018-04-18 | 2019-04-16 | 多層圧電基板を有する弾性波デバイス |
JP2024033650A Active JP7534566B2 (ja) | 2018-04-18 | 2024-03-06 | 弾性波デバイスアセンブリと無線周波数モジュール |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019077795A Pending JP2019193260A (ja) | 2018-04-18 | 2019-04-16 | 多層圧電基板を有する弾性波デバイス |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US11689178B2 (ja) |
JP (2) | JP2019193260A (ja) |
KR (1) | KR20190121708A (ja) |
CN (1) | CN110391792A (ja) |
DE (1) | DE102019204755A1 (ja) |
GB (3) | GB2576391B (ja) |
SG (1) | SG10201903011QA (ja) |
TW (1) | TWI841558B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019204755A1 (de) | 2018-04-18 | 2019-10-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Akustikwellenvorrichtung mit mehrschichtigem piezoelektrischem substrat |
CN111082190B (zh) * | 2019-11-15 | 2022-07-19 | 天津大学 | 一种双工器 |
CN111049489B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备 |
JP2021145282A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
JP2021158556A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
JP2021158554A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
CN115868019A (zh) * | 2020-09-30 | 2023-03-28 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
CN112383288A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-02-19 | 清华大学 | 一种温度补偿的免封装声表面波器件及其制备方法 |
CN112688658B (zh) * | 2020-12-25 | 2021-11-26 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种压电衬底、制备方法及电子元器件 |
CN116671012A (zh) * | 2021-01-12 | 2023-08-29 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
US20220271733A1 (en) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with multi-layer interdigital transducer electrode |
CN112953454B (zh) * | 2021-03-16 | 2022-10-11 | 电子科技大学 | 一种高频、低损耗的声表面波谐振器及其制备方法 |
US20230107820A1 (en) * | 2021-10-04 | 2023-04-06 | Skyworks Solutions, Inc. | Assembly with partially embedded interdigital transducer electrode |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0595249A (ja) | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Tdk Corp | 弾性表面波素子 |
WO1998052279A1 (fr) | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a onde elastique |
FR2788176B1 (fr) | 1998-12-30 | 2001-05-25 | Thomson Csf | Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication |
JP3815424B2 (ja) | 2002-11-08 | 2006-08-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP3710445B2 (ja) | 2002-11-14 | 2005-10-26 | 富士通株式会社 | アンテナ分波器 |
EP2139110A1 (en) | 2003-02-10 | 2009-12-30 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Boundary acoustic wave device |
CN1938946A (zh) | 2004-03-29 | 2007-03-28 | 株式会社村田制作所 | 声界面波装置的制造方法以及声界面波装置 |
EP1879291A4 (en) * | 2005-04-25 | 2012-02-22 | Murata Manufacturing Co | ACOUSTIC ONBOARD DEVICE |
WO2008038493A1 (en) | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
DE112007002253B8 (de) | 2006-09-29 | 2016-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Grenzflächenschallwellenvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
US20080169574A1 (en) | 2007-01-12 | 2008-07-17 | Nokia Corporation | Direct Die Attachment |
US7733198B1 (en) | 2007-05-15 | 2010-06-08 | Sandia Corporation | Microfabricated bulk wave acoustic bandgap device |
WO2010004741A1 (ja) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 板波素子と、これを用いた電子機器 |
TW201021409A (en) | 2008-11-25 | 2010-06-01 | Advance Design Technology Inc | A composite substrate having high surface acoustic wave velocity and high electromechanical coupling coefficient |
JP5093402B2 (ja) | 2009-04-07 | 2012-12-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波共振子及びラダー型フィルタ |
JP2011066492A (ja) | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置 |
EP2490333B1 (en) | 2009-10-13 | 2019-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
US8283835B2 (en) | 2010-04-30 | 2012-10-09 | Epcos Ag | Guided bulk acoustic wave device having reduced height and method for manufacturing |
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WO2013047433A1 (ja) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN104205629B (zh) * | 2012-03-23 | 2016-12-28 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
WO2013191122A1 (ja) | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US9209121B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-12-08 | Analog Devices, Inc. | Double-sided package |
JP6284774B2 (ja) | 2014-01-31 | 2018-02-28 | 太陽誘電株式会社 | モジュール |
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CN107005225B (zh) | 2014-12-25 | 2021-06-04 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
KR102250789B1 (ko) | 2015-09-07 | 2021-05-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 |
KR102111928B1 (ko) | 2015-10-23 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
WO2017138540A1 (ja) | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ回路、デュプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置 |
JP6822299B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2021-01-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波フロントエンド回路および通信装置 |
DE102019204755A1 (de) | 2018-04-18 | 2019-10-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Akustikwellenvorrichtung mit mehrschichtigem piezoelektrischem substrat |
-
2019
- 2019-04-03 DE DE102019204755.6A patent/DE102019204755A1/de active Pending
- 2019-04-04 SG SG10201903011Q patent/SG10201903011QA/en unknown
- 2019-04-11 US US16/381,501 patent/US11689178B2/en active Active
- 2019-04-11 US US16/381,567 patent/US11894828B2/en active Active
- 2019-04-11 US US16/381,576 patent/US11616487B2/en active Active
- 2019-04-15 GB GB1905315.6A patent/GB2576391B/en active Active
- 2019-04-15 GB GB2210240.4A patent/GB2606665B/en active Active
- 2019-04-15 GB GB2210242.0A patent/GB2606666B/en active Active
- 2019-04-16 TW TW108113227A patent/TWI841558B/zh active
- 2019-04-16 JP JP2019077795A patent/JP2019193260A/ja active Pending
- 2019-04-16 CN CN201910307210.8A patent/CN110391792A/zh active Pending
- 2019-04-18 KR KR1020190045396A patent/KR20190121708A/ko not_active Application Discontinuation
-
2023
- 2023-02-24 US US18/174,068 patent/US20230283255A1/en active Pending
-
2024
- 2024-03-06 JP JP2024033650A patent/JP7534566B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019193260A (ja) | 2019-10-31 |
TWI841558B (zh) | 2024-05-11 |
US11894828B2 (en) | 2024-02-06 |
GB201905315D0 (en) | 2019-05-29 |
US20190326875A1 (en) | 2019-10-24 |
GB2606665B (en) | 2023-04-05 |
US20190326874A1 (en) | 2019-10-24 |
US20190326879A1 (en) | 2019-10-24 |
TW202002511A (zh) | 2020-01-01 |
GB2576391A (en) | 2020-02-19 |
US11689178B2 (en) | 2023-06-27 |
US20230283255A1 (en) | 2023-09-07 |
GB2576391B (en) | 2023-04-05 |
SG10201903011QA (en) | 2019-11-28 |
JP7534566B2 (ja) | 2024-08-14 |
GB2606666B (en) | 2023-04-05 |
GB202210242D0 (en) | 2022-08-24 |
GB202210240D0 (en) | 2022-08-24 |
GB2576391A8 (en) | 2022-07-20 |
GB2606665A (en) | 2022-11-16 |
GB2606666A (en) | 2022-11-16 |
CN110391792A (zh) | 2019-10-29 |
DE102019204755A1 (de) | 2019-10-24 |
KR20190121708A (ko) | 2019-10-28 |
US11616487B2 (en) | 2023-03-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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