JP2024070385A - 電子デバイスの製造方法および電子デバイス - Google Patents

電子デバイスの製造方法および電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2024070385A
JP2024070385A JP2022180840A JP2022180840A JP2024070385A JP 2024070385 A JP2024070385 A JP 2024070385A JP 2022180840 A JP2022180840 A JP 2022180840A JP 2022180840 A JP2022180840 A JP 2022180840A JP 2024070385 A JP2024070385 A JP 2024070385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic device
vibration
cap
adjustment
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022180840A
Other languages
English (en)
Inventor
丈瑠 酒出
Takeru Sakaide
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2022180840A priority Critical patent/JP2024070385A/ja
Priority to CN202311491227.6A priority patent/CN118033169A/zh
Priority to US18/506,494 priority patent/US20240159536A1/en
Publication of JP2024070385A publication Critical patent/JP2024070385A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5783—Mountings or housings not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P21/00—Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups
    • G01P21/02—Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups of speedometers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

【課題】組立後に蓋体の共振周波数を調整することのできる電子デバイスの製造方法および電子デバイスを提供すること。【解決手段】電子デバイスの製造方法は、基板および蓋体で形成される収容空間に振動素子を収容する収容工程と、前記蓋体の一部を除去して前記蓋体の共振周波数を調整する調整工程と、を含む。また、前記調整工程を行うか否かを判定する検査工程をさらに含む。また、前記検査工程では、前記蓋体の共振周波数が前記振動素子の振動周波数帯内にある場合に前記調整工程を行うと判定する。また、前記調整工程では、レーザー切削により前記蓋体の一部を除去する。【選択図】図１１

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法および電子デバイスに関する。
特許文献１に記載された振動型センサー装置は、コリオリ力を利用した角速度を検出するものであり、凹部を有するパッケージと、凹部の底面に搭載された制御回路素子と、制御回路素子の上面に搭載された振動型センサー素子と、制御回路素子および振動型センサー素子を覆ってパッケージに接合された上蓋と、を有する。このような構成の振動型センサー装置では、上蓋の共振周波数と振動型センサー素子の振動数とが近いと、上蓋と振動型センサー素子とが共鳴し、振動型センサー装置の検出精度を劣化させる。そこで、特許文献１では、上蓋の側面を段差構造にして上蓋の共振周波数を調節している。
特開２０１３－０８８３３７号公報
しかしながら、特許文献１の振動型センサー装置では、上蓋の形状によってその共振周波数を調整するため、振動型センサー装置を組み立てた後に上蓋の共振周波数を調整することが困難である。そのため、製造ばらつきに対応することが困難であるという問題がある。
本発明の電子デバイスの製造方法は、基板および蓋体で形成される収容空間に振動素子を収容する収容工程と、
前記蓋体の一部を除去して前記蓋体の共振周波数を調整する調整工程と、を含む。
本発明の電子デバイスは、基板と、
前記基板に搭載され、振動素子を備える電子部品と、
前記基板に搭載され、前記電子部品を覆う蓋体と、を有し、
前記蓋体は、一部が除去されたことにより形成され、周囲の部分よりも薄い周波数調整痕を有する。
第１実施形態に係る電子デバイスを示す上面図である。 図１の電子デバイスから蓋体およびモールド部を省略した上面図である。 図１の電子デバイスの下面図である。 振動素子を示す平面図である。 振動素子の駆動状態を示す模式図である。 振動素子の駆動状態を示す模式図である。 角速度センサーの断面図である。 角速度センサーの断面図である。 角速度センサーの断面図である。 図２中のＡ－Ａ線断面図である。 電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 キャップの一部を除去する方法の一例を示す上面図である。 キャップの一部を除去する方法の一例を示す上面図である キャップの一部を除去する方法の一例を示す断面図である。 第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
以下、本発明の電子デバイスを添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、説明の便宜上、図４ないし図６を除く各図には、互いに直交する３軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸として図示している。Ｘ軸と平行な方向を「Ｘ軸方向」とも言い、Ｙ軸と平行な方向を「Ｙ軸方向」とも言い、Ｚ軸と平行な方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、Ｚ軸が鉛直方向に沿っており、矢印側を「上」、反対側を「下」とも言う。また、図４ないし図６には、互いに直交する３軸をＡ軸、Ｂ軸およびＣ軸として図示している。Ａ軸と平行な方向を「Ａ軸方向」とも言い、Ｂ軸と平行な方向を「Ｂ軸方向」とも言い、Ｃ軸と平行な方向を「Ｃ軸方向」とも言う。なお、Ｘ、Ｙ、Ｚ座標系は、電子デバイスに設定されたものであり、Ａ、Ｂ、Ｃ座標系は、角速度センサーに設定されたものである。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る電子デバイスを示す上面図である。図２は、図１の電子デバイスから蓋体およびモールド部を省略した上面図である。図３は、図１の電子デバイスの下面図である。図４は、振動素子を示す平面図である。図５および図６は、振動素子の駆動状態を示す模式図である。図７ないし図９は、それぞれ、角速度センサーの断面図である。図１０は、図２中のＡ－Ａ線断面図である。図１１および図１２は、電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図１３および図１４は、それぞれ、キャップの一部を除去する方法の一例を示す上面図である。図１５は、キャップの一部を除去する方法の一例を示す断面図である。
図１ないし図３に示す電子デバイス１は、ＱＦＰ(Quad Flat Package)構造である。また、電子デバイス１は、基板２と、基板２の上面２１に搭載された３つの角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚと、これら３つの角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを覆うように基板２に被せられた蓋体としてのキャップ１０と、基板２の下面２２に搭載された電子部品６と、基板２から延出するリード群７と、電子部品６をモールド封止すると共にキャップ１０を基板２に接合するモールド部９と、を有する。
≪基板２≫
基板２は、平面視形状が略正方形の板状であり、互いに表裏関係にある上面２１および下面２２を有する。基板２は、セラミック基板であり、アルミナ、チタニア等の各種セラミック材料で構成されている。これにより、高い耐食性と優れた機械的強度とを有する基板２となる。また、吸湿し難く耐熱性にも優れるため、例えば、電子デバイス１の製造時に加わる熱によるダメージを受け難い。ただし、基板２は、セラミック基板に限定されず、例えば、各種半導体基板、各種ガラス基板、各種プリント基板等を用いることもできる。
また、図２に示すように、上面２１には、角速度センサー３ｘと電気的に接続された端子Ｐ３ｘと、角速度センサー３ｙと電気的に接続された端子Ｐ３ｙと、角速度センサー３ｚと電気的に接続された端子Ｐ３ｚと、が形成されている。一方、図３に示すように、下面２２には、電子部品６と電気的に接続された端子Ｐ６と、リード群７と電気的に接続された端子Ｐ７と、が形成されている。これら各端子Ｐ３ｘ、Ｐ３ｙ、Ｐ３ｚ、Ｐ６、Ｐ７は、基板２に形成された図示しない配線を介して電気的に接続されている。
≪角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚ≫
図２に示すように、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚは、それぞれ、基板２の上面２１に搭載されている。また、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚは、それぞれ、パッケージ化された表面実装部品である。これにより、素子が剥き出しの実装部品と比べて高い機械的強度を発揮することができる。さらに、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚの基板２への搭載が容易となる。
角速度センサー３ｘは、Ｘ軸まわりの角速度を検出し、角速度センサー３ｙは、Ｙ軸まわりの角速度を検出し、角速度センサー３ｚは、Ｚ軸まわりの角速度を検出する。これら角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚは、それぞれ、基本的構成が同じであり、検出軸がＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を向くように互いに姿勢を直交させて配置されている。
角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚは、それぞれ、パッケージ３１と、パッケージ３１に収容された振動素子３４と、を有する。また、パッケージ３１は、凹部を有し、凹部内に収容された振動素子３４を支持する箱型のベース３２と、凹部の開口を塞ぐようにベース３２に接合されたリッド３３と、を有する。また、ベース３２には、振動素子３４と電気的に接続された接続端子３９が形成されている。また、ベース３２は、アルミナ、チタニア等のセラミック材料で構成され、リッド３３は、コバール等の金属材料で構成されている。これにより、ベース３２とリッド３３との線膨張係数差が小さくなり、熱応力の発生を効果的に抑制することができる。
振動素子３４は、例えば、駆動腕および振動腕を有する水晶振動素子である。水晶振動素子では、駆動信号を印加して駆動腕を駆動振動させた状態で検出軸まわりの角速度が加わると、コリオリの力によって検出腕に検出振動が励振される。そして、検出振動により検出腕に発生する電荷を検出信号として取り出し、取り出した検出信号に基づいて角速度を求めることができる。
振動素子３４の構成は、特に限定されないが、本実施形態の振動素子３４は、図４に示す構成である。なお、図４では、互いに直交する３軸であるＡ軸、Ｂ軸およびＣ軸を図示している。振動素子３４は、中央部に位置する基部３４１と、基部３４１からＢ軸方向両側に延出する一対の検出振動腕３４２、３４３と、基部３４１からＡ軸方向両側へ延出する一対の支持腕３４４、３４５と、一方の支持腕３４４の先端部からＢ軸方向両側に延出する一対の駆動振動腕３４６、３４７と、他方の支持腕３４５の先端部からＢ軸方向両側に延出する一対の駆動振動腕３４８、３４９と、を有する。このような振動素子３４は、基部３４１においてベース３２に支持される。
また、振動素子３４は、検出振動腕３４２の両主面に配置された第１検出信号電極３５１と、検出振動腕３４２の両側面に配置された第１検出接地電極３５２と、検出振動腕３４３の両主面に配置された第２検出信号電極３５３と、検出振動腕３４３の両側面に配置された第２検出接地電極３５４と、駆動振動腕３４６、３４７の両主面および駆動振動腕３４８、３４９の両側面に配置された駆動信号電極３５５と、駆動振動腕３４６、３４７の両側面および駆動振動腕３４８、３４９の両主面に配置された駆動接地電極３５６と、を有する。
駆動信号電極３５５と駆動接地電極３５６との間に駆動信号を印加すると、図５に示すように、駆動振動腕３４６、３４７と駆動振動腕３４８、３４９とがＡ－Ｂ平面に沿ってＡ軸方向に逆相で屈曲振動する（以下、この状態を「駆動振動モード」とも言う）。この状態では、駆動振動腕３４６、３４７、３４８、３４９の振動がキャンセルされ、検出振動腕３４２、３４３は、実質的に振動しない。駆動振動モードで駆動している状態で振動素子３４にＣ軸まわりの角速度ωｃが加わると、図６に示すように、駆動振動腕３４６、３４７、３４８、３４９にコリオリの力が働いてＢ軸方向の屈曲振動が励振され、この屈曲振動に呼応するように検出振動腕３４２、３４３がＡ軸方向に屈曲振動する（以下、この状態を「検出振動モード」とも言う）。
このような屈曲振動によって検出振動腕３４２に発生した電荷を第１検出信号電極３５１から第１出力信号として取り出し、検出振動腕３４３に発生した電荷を第２検出信号電極３５３から第２出力信号として取り出し、これら第１、第２出力信号に基づいて角速度ωｃが求められる。
以上、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚの構成について説明した。図７に示すように、角速度センサー３ｘは、Ｃ軸がＸ軸に沿うように配置されている。そのため、振動素子３４は、Ｙ－Ｚ平面に沿って振動する。また、角速度センサー３ｘは、ベース３２の側面において複数の導電性の接合部材Ｂ３ｘを介して基板２の上面２１に接合されている。また、各接続端子３９は、接合部材Ｂ３ｘを介して所定の端子Ｐ３ｘと電気的に接続されている。
また、図８に示すように、角速度センサー３ｙは、Ｃ軸がＹ軸に沿うように配置されている。そのため、振動素子３４は、Ｘ－Ｚ面に沿って振動する。また、角速度センサー３ｙは、ベース３２の側面において複数の導電性の接合部材Ｂ３ｙを介して基板２の上面２１に接合されている。また、各接続端子３９は、接合部材Ｂ３ｙを介して所定の端子Ｐ３ｙと電気的に接続されている。
また、図９に示すように、角速度センサー３ｚは、Ｃ軸がＺ軸に沿うように配置されている。そのため、振動素子３４は、Ｘ－Ｙ平面に沿って振動する。また、角速度センサー３ｚは、ベース３２の底面において複数の導電性の接合部材Ｂ３ｚを介して基板２の上面２１に接合されている。また、各接続端子３９は、接合部材Ｂ３ｚを介して所定の端子Ｐ３ｚと電気的に接続されている。
なお、以下では、角速度センサー３ｘの振動素子３４を「振動素子３４ｘ」、角速度センサー３ｙの振動素子３４を「振動素子３４ｙ」、角速度センサー３ｚの振動素子３４を「振動素子３４ｚ」とも言う。電子デバイス１では、振動素子３４ｘの駆動振動モードでの振動周波数ｆｘと、振動素子３４ｙの駆動振動モードでの振動周波数ｆｙと、振動素子３４ｚの駆動振動モードでの振動周波数ｆｚと、が互いに異なっている。つまり、ｆｘ≠ｆｙ≠ｆｚである。これにより、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚ同士の干渉（共鳴）が抑制され、角速度検出特性の低下を効果的に抑制することができる。
以上のように、本実施形態では、電子デバイス１が振動素子３４として３つの振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚを有するが、これに限定されず、少なくとも１つの振動素子３４を有すればよい。そのため、例えば、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚから１つまたは２つを省略してもよい。
≪キャップ１０≫
図１０に示すように、キャップ１０は、基板２の上面２１に接合されており、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを覆っている。キャップ１０は、ハット型であり、下面に開口する凹部を有する基部１０１と、基部１０１の下端部から外周側に突出する環状のフランジ部１０２と、を有する。このようなキャップ１０は、凹部内に角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを収容するようにして基板２の上面２１に配置されている。そして、モールド部９によってフランジ部１０２が基板２に接合されている。このように、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを収容するキャップ１０を設けることで、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを水分、埃、衝撃等から保護することができる。なお、キャップ１０内は、大気封止されている。ただし、これに限定されず、例えば、減圧封止、陽圧封止されてもよいし、窒素、アルゴン等の安定したガスに置換してもよい。また、キャップ１０が気密封止されていなくてもよい。
また、キャップ１０は、導電性を有し、例えば、金属材料で構成されている。特に、本実施形態では、鉄－ニッケル系合金である４２アロイで構成されている。これにより、セラミック基板からなる基板２とキャップ１０との線膨張係数差を十分に小さくすることができ、これらの線膨張係数差に起因する熱応力を効果的に抑制することができる。したがって、環境温度に影響を受け難く、安定した特性を有する電子デバイス１となる。
また、キャップ１０は、電子デバイス１の使用時にグランド（ＧＮＤ）に接続される。これにより、キャップ１０が外部からの電磁ノイズを遮断するシールドとして機能し、キャップ１０の内部に収容された角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚの駆動が安定する。ただし、キャップ１０の構成材料としては、４２アロイに限定されず、例えば、ＳＵＳ材等の金属材料、各種セラミック材料、各種樹脂材料、シリコン等の半導体材料、各種ガラス材料等を用いることもできる。
このようなキャップ１０が振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚと共鳴してしまうと、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚに不要振動が生じ、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚからのゼロ点出力が変動して電子デバイス１の検出精度が低下するおそれがある。なお、前記「ゼロ点出力」とは、角速度が加わっていない静止状態における角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚからの出力を意味する。
そこで、電子デバイス１では、電子デバイス１を組み立てた後に必要に応じてキャップ１０の一部を除去してキャップ１０の共振周波数ｆｃを低周波側へシフトさせることにより、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚの振動周波数から十分に離間させている。これにより、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚとキャップ１０との共鳴が抑制され、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚに不要振動が生じ難くなり、ゼロ点出力の変動が抑えられる。したがって、電子デバイス１の検出精度の低下を効果的に抑制することができる。
なお、キャップ１０の共振周波数ｆｃは、温度依存性を有しており、温度によって変動する。これに対して、電子デバイス１には、期待された機能を保持し正常に動作する範囲として動作温度範囲が設定されている。一般的には、動作温度範囲は、電子デバイス１の包装箱や取扱説明書の製品仕様欄等に記載されている。動作温度範囲としては、特に限定されず、電子デバイス１の構成によって異なるが、例えば、－４０℃～＋８５℃である。
そのため、電子デバイス１では、動作温度範囲の全域において共振周波数ｆｃが振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚから十分に離間している。これにより、各角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚのゼロ点出力の温度ドリフト、すなわち、温度変化に伴うゼロ点出力の変動が抑制され、優れた角速度検出特性を発揮することができる。
図１０に示すように、キャップ１０には、その一部が除去されたことによる周波数調整痕１０３が形成される。周波数調整痕１０３は、キャップ１０の一部を除去して形成されるため、周囲の部分よりも厚さが小さい。言い換えると、キャップ１０内に、周囲の部分よりも厚さが小さい部分があれば、当該部分を周波数調整痕１０３と推定することもできる。
キャップ１０の基部１０１は、板状の頂部１０１ａと、頂部１０１ａの外縁部から立設する枠状の側壁部１０１ｂと、を有しており、頂部１０１ａに周波数調整痕１０３が形成されている。このように、頂部１０１ａに周波数調整痕１０３を形成することにより、キャップ１０の一部を除去する作業をキャップ１０の上方から行うことができるため、当該作業が容易となる。ただし、これに限定されず、例えば、側壁部１０１ｂに周波数調整痕１０３を形成してもよい。なお、キャップ１０の一部を除去する作業については、後述する電子デバイス１の製造方法にて詳細に説明する。
≪電子部品６≫
図３および図１０に示すように、電子部品６は、基板２の下面２２に搭載されている。電子部品６は、パッケージ化された表面実装部品である。これにより、素子が剥き出しの実装部品と比べて高い機械的強度を発揮することができる。さらに、電子部品６の基板２への実装も容易となる。
電子部品６は、基板２の下面に接合された回路素子５と、回路素子５上に接合された加速度センサー４と、を有する。また、回路素子５は、ボンディングワイヤーを介して端子Ｐ６に電気的に接続され、加速度センサー４は、ボンディングワイヤーを介して回路素子５に電気的に接続されている。
加速度センサー４は、Ｘ軸方向の加速度、Ｙ軸方向の加速度およびＺ軸方向の加速度をそれぞれ独立して検出することができる３軸加速度センサーである。また、回路素子５は、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚ、加速度センサー４およびリード群７と電気的に接続されている。回路素子５は、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚおよび加速度センサー４の駆動を制御する制御回路５１と、外部との通信を行うインターフェース回路５２と、を有する。
制御回路５１は、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚおよび加速度センサー４の駆動を独立して制御し、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚおよび加速度センサー４から出力される検出信号に基づいて、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の各軸まわりの角速度および各軸方向の加速度を独立して検出する。インターフェース回路５２は、信号の送受信を行い、外部装置からの指令を受け付けたり、検出した角速度および加速度を外部装置に出力したりする。
以上、電子部品６について説明したが、電子部品６の構成としては、特に限定されない。また、電子部品６は、省略してもよい。
≪リード群７≫
図３および図１０に示すように、リード群７は、基板２の下面２２側に位置し、導電性の接合部材Ｂ７を介して基板２の下面２２に接合された複数のリード７１を有する。複数のリード７１は、基板２の四辺に沿ってほぼ均等に設けられている。また、複数のリード７１は、接合部材Ｂ７を介して端子Ｐ７と電気的に接続されている。
≪モールド部９≫
図１０に示すように、モールド部９は、電子部品６をモールドし、水分、埃、衝撃等から保護する。また、モールド部９は、基板２と各リード７１との接続部をモールドし、当該部分を機械的に補強すると共に、水分、埃、衝撃等から保護する。また、モールド部９は、キャップ１０と基板２とを接合している。モールド部９を構成するモールド材としては、特に限定されず、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂、その他、硬化型の樹脂材料を用いることができる。また、モールド部９は、例えば、トランスファーモールド法等によって形成することができる。
以上、電子デバイス１の構成について説明した。このような電子デバイス１は、前述したように、基板２と、基板２に搭載され、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚを備える電子部品としての角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚと、基板２に搭載され、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを覆う蓋体としてのキャップ１０と、を有する。そして、キャップ１０は、一部が除去されたことにより形成され、周囲の部分よりも薄い周波数調整痕１０３を有する。
このような構成では、電子デバイス１を組み立てた後に必要に応じてキャップ１０の一部を除去してキャップ１０の共振周波数ｆｃを低周波側へシフトさせることにより、共振周波数ｆｃを振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚの振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚから十分に離間させている。これにより、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚとキャップ１０との共鳴が抑制され、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚに不要振動が生じ難くなり、ゼロ点出力の変動が抑えられる。したがって、電子デバイス１の検出精度の低下を効果的に抑制することができる。また、電子デバイス１を組み立ててから共振周波数ｆｃの調整を行うため、電子デバイス１の製造ばらつきや角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚの個体差に対応することが容易である。
次に、電子デバイス１の製造方法について説明する。図１１に示すように、電子デバイス１の製造方法は、基板２およびキャップ１０で形成される収容空間に振動素子３４を収容する収容工程Ｓ１と、調整工程Ｓ３を行うか否かを判定する検査工程Ｓ２と、キャップ１０の一部を除去してキャップ１０の共振周波数を調整する調整工程Ｓ３と、調整工程Ｓ３を行うか否かを再判定する再検査工程Ｓ４と、検査工程Ｓ２または再検査工程Ｓ４を通った電子デバイス１に対して別の検査を行う別検査工程Ｓ５と、を含む。以下、図１２に示すフローチャートに基づいて、これら各工程Ｓ１～Ｓ５について詳細に説明する。
［収容工程Ｓ１］
収容工程Ｓ１は、電子デバイス１を組み立てる工程である。電子デバイス１を組み立てる方法としては、特に限定されないが、まず、基板２にリード群７を接合する。次に、基板２の上面２１に角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを搭載する。次に、基板２の下面２２に電子部品６を搭載する。次に、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚを覆うようにして基板２にキャップ１０を被せる。これにより、基板２とキャップ１０との間に角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚが収容される。次に、モールド部９を形成して、電子部品６をモールドすると共に、基板２とキャップ１０とを接合する。次に、各リード７１を折り曲げて整形する。以上より、電子デバイス１が得られる。
［検査工程Ｓ２］
検査工程Ｓ２では、キャップ１０の共振周波数ｆｃの調整が必要か否かを検査する。検査方法としては、特に限定されないが、例えば、次の方法が挙げられる。まず、電子デバイス１の温度を動作温度範囲で変化させながら角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚのゼロ点出力を計測し、角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚ毎に、温度変化に起因するゼロ点出力の変動を検出する。そして、これら３つのゼロ点出力の少なくとも１つについて、ある温度帯にピークが立つ等、ゼロ点出力の変動が予め定められた基準値よりも大きければ、共振周波数ｆｃが振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚに接近しており、これらが共鳴していると推定し、共振周波数ｆｃの調整が必要であると判定する。反対に、３つ全てのゼロ点出力について、ゼロ点出力の変動が予め定められた基準値未満であれば、共振周波数ｆｃが振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚから十分に離間しており、これらが共鳴していないと推定し、共振周波数ｆｃの調整が不要であると判定する。このような方法によれば、簡単かつ精度よく、共振周波数ｆｃの調整の要否を判定することができる。
また、次の方法によってキャップ１０の共振周波数調整の要否を判定してもよい。前提として、電子デバイス１では、各角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚについて振動周波数帯Ｔｆｘ、Ｔｆｙ、Ｔｆｚが設定されている。振動周波数帯Ｔｆｘは、振動素子３４ｘの振動周波数ｆｘを基準とし、振動素子３４ｘの個体差を加味して設定された周波数帯である。また、振動周波数帯Ｔｆｙは、振動素子３４ｙの振動周波数ｆｙを基準とし、振動素子３４ｙの個体差を加味して設定された周波数帯である。また、振動周波数帯Ｔｆｚは、振動素子３４ｚの振動周波数ｆｚを基準とし、振動素子３４ｚの個体差を加味して設定された周波数帯である。特に限定されないが、振動周波数帯Ｔｆｘ、Ｔｆｙ、Ｔｆｘは、それぞれ、振動周波数ｆｚ、ｆｘ、ｆｙの±０．５％程度に設定される。また、一般的には、振動周波数帯Ｔｆｘ、Ｔｆｙ、Ｔｆｚは、前述した使用温度範囲と同様に、電子デバイス１の包装箱や取扱説明書の製品仕様欄等に記載されている。
この方法では、まず、レーザードップラー計測器を用いて常温でのキャップ１０の共振周波数ｆｃを検出し、その結果に基づいてシミュレーション、実験データなどから動作温度範囲内での共振周波数ｆｃの変化を推定する。次に、推定結果と振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｘとを比較し、共振周波数ｆｃと振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚとの差が予め定められた基準値未満であれば、キャップ１０と振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚとが共鳴するおそれが高いと推定し、共振周波数ｆｃの調整が必要であると判定する。反対に、共振周波数ｆｃと振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚとの差が予め定められた基準値以上であれば、キャップ１０と振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚとが共鳴するおそれが低いと推定し、共振周波数ｆｃの調整が不要であると判定する。
特に、振動周波数帯Ｔｆｘ、Ｔｆｙ、Ｔｆｚを基準値とし、動作温度範囲内の少なくとも一部の温度帯で共振周波数ｆｃが振動周波数帯Ｔｆｚ、Ｔｆｘ、Ｔｆｙ内にあれば、共振周波数ｆｃの調整が必要であると判定し、動作温度範囲の全温度帯で共振周波数ｆｃが振動周波数帯Ｔｆｚ、Ｔｆｘ、Ｔｆｙ外にあれば、共振周波数ｆｃの調整が不要であると判定する。このような方法によれば、基準が明確となり、共振周波数ｆｃの調整の要否を容易に判定することができる。
本工程Ｓ２において、共振周波数ｆｃの調整が不要であると判定された場合には、別検査工程Ｓ５へ移行する。反対に、共振周波数ｆｃの調整が必要であると判定された場合には、調整工程Ｓ３へ移行する。これにより、共振周波数ｆｃの調整が必要な電子デバイス１だけが調整工程Ｓ３に進むため、調整工程Ｓ３に進む電子デバイス１の数を減らすことができる。そのため、電子デバイス１の製造効率が向上する。
［調整工程Ｓ３］
調整工程Ｓ３では、キャップ１０の共振周波数ｆｃが振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚの振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｙから十分に離間するように、キャップ１０の一部を除去して共振周波数ｆｃを低周波側へシフトさせる。キャップ１０の一部を除去する方法としては、特に限定されないが、本実施形態では、レーザー切削を用いている。これにより、除去量を高精度に制御することができる。そのため、共振周波数ｆｃを高精度に調整することができる。また、除去部分は、特に限定されないが、本実施形態では、頂部１０１ａの一部を除去する。これにより、キャップ１０の上方からレーザーを照射することができるため、除去作業が容易となる。ただし、これに限定されず、頂部１０１ａに替えて、または、加えて側壁部１０１ｂの一部を除去してもよい。
［再検査工程Ｓ４］
再検査工程Ｓ４では、調整工程Ｓ３を終えた電子デバイス１に対して、キャップ１０の共振周波数ｆｃの再調整が必要か否かを検査する。検査方法は、前述した検査工程Ｓ２と同様である。そして、共振周波数ｆｃの再調整が必要な場合は、次が何回目の調整工程Ｓ３であるかを判定する。そして、次の調整工程Ｓ３が所定回数Ｎ以下の場合は、再び調整工程Ｓ３に移行し、所定回数Ｎを超える場合は、不良品であるとして廃棄する。このように調整工程Ｓ３の回数に制限を設けることにより、不良品の早期分別が可能となり、電子デバイス１の製造効率が向上する。また、過度な除去によるキャップ１０の機械的強度の低下を抑制することもできる。なお、所定回数Ｎとしては、特に限定されないが、本実施形態では５回に設定されている。
ここで、再び調整工程Ｓ３の説明に戻る。一度の調整工程Ｓ３におけるキャップ１０の除去量は、一定であってもよいし、その都度異なっていてもよい。除去量が一定の場合は、一度の調整工程Ｓ３で除去する量を比較的少なく設定しておき、調整工程Ｓ３と再検査工程Ｓ４とを繰り返しながらキャップ１０の共振周波数ｆｃを徐々に調整することができる。そのため、工数が増える傾向にはあるが、キャップ１０を一度に削り過ぎることがなくキャップ１０の共振周波数ｆｃを徐々に低周波側にシフトさせることができる。したがって、より確実に、振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚから十分に離間する位置に共振周波数ｆｃをシフトさせることができる。
この場合、図１３に示すように、互いに深さおよび面積が同じであり、１回目の調整工程Ｓ３で削除する領域Ｑ１、２回目の調整工程Ｓ３で削除する領域Ｑ２、３回目の調整工程Ｓ３で削除する領域Ｑ３、４回目の調整工程Ｓ３で削除する領域Ｑ４および５回目の調整工程Ｓ３で削除する領域Ｑ５を予め設定しておき、その順番で削除してもよい。これにより、調整工程Ｓ３を何回行ったかが明確となり、故障時の解析等に利用することができる。
一方、キャップ１０の除去量がその都度異なる場合は、例えば、シミュレーション、実験データ等に基づいて単位除去量（例えば、１μｇ）あたりの共振周波数ｆｃの変化量Δｆｃを予め算出して記憶しておく。そして、検査工程Ｓ２での検査結果から、共振周波数ｆｃを振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚから十分に離間した位置までシフトさせるのに必要な共振周波数ｆｃの調整量を算出し、さらに、算出した共振周波数ｆｃの調整量に対応するキャップ１０の除去量を算出する。そして、算出した除去量がキャップ１０から除去されるようにレーザー切削を行う。これにより、一度の調整工程Ｓ３で、その個体に適した量が除去されるため、共振周波数ｆｃの調整にかかる工数を少なくすることができ、電子デバイス１の製造効率が向上する。
なお、この際、図１４に示すように、共振周波数ｆｃの調整量つまりキャップ１０の除去量に応じた広さを除去してもよい。つまり、除去深さを一定とし、除去する面積で除去量をコントロールしてもよい。これにより、キャップ１０を深く削り過ぎて穴が開き、キャップ１０の気密性封止状態が崩壊するのを抑制することができる。反対に、図１５に示すように、共振周波数ｆｃの調整量つまりキャップ１０の除去量に応じた厚さを除去してもよい。つまり、除去面積を一定とし、除去する深さで除去量をコントロールしてもよい。これにより、キャップ１０を局所的に切削することができ、キャップ１０の機械的強度の低下を抑制することができる。
以上、電子デバイス１の製造方法について説明した。このような電子デバイス１の製造方法によれば、電子デバイス１を組み立ててからキャップ１０の共振周波数ｆｃを調整する。そのため、個体毎に共振周波数ｆｃの調整量を変化させることができ、電子デバイス１の製造ばらつきや角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚの個体差に対応することが容易である。
このような電子デバイス１の製造方法は、前述したように、基板２および蓋体としてのキャップ１０で形成される収容空間に振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚを収容する収容工程Ｓ１と、キャップ１０の一部を除去してキャップ１０の共振周波数ｆｃを調整する調整工程Ｓ３と、を含む。このような方法では、電子デバイス１を組み立てた後に必要に応じてキャップ１０の一部を除去してキャップ１０の共振周波数ｆｃを低周波側へシフトさせることにより、共振周波数ｆｃを振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚの振動周波数ｆｘ、ｆｙ、ｆｚから十分に離間させている。これにより、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚとキャップ１０との共鳴が抑制され、振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚに不要振動が生じ難くなり、ゼロ点出力の変動が抑えられる。したがって、電子デバイス１の検出精度の低下を効果的に抑制することができる。また、電子デバイス１を組み立ててから共振周波数ｆｃの調整を行うため、電子デバイス１の製造ばらつきや角速度センサー３ｘ、３ｙ、３ｚの個体差に対応することが容易である。
また、前述したように、電子デバイス１の製造方法は、調整工程Ｓ３を行うか否かを判定する検査工程Ｓ２をさらに含む。これにより、共振周波数ｆｃの調整が必要な電子デバイス１だけが調整工程Ｓ３に進むため、調整工程Ｓ３に進む電子デバイス１の数を減らすことができる。そのため、電子デバイス１の製造効率が向上する。
また、前述したように、検査工程Ｓ２では、キャップ１０の共振周波数ｆｃが振動素子３４ｘ、３４ｙ、３４ｚの振動周波数帯Ｔｆｘ、Ｔｆｙ、Ｔｆｚ内にある場合に調整工程Ｓ３を行うと判定する。このような方法によれば、基準が明確となり、共振周波数ｆｃの調整の要否を容易に判定することができる。
また、前述したように、調整工程Ｓ３では、レーザー切削によりキャップ１０の一部を除去する。これにより、除去量を高精度に制御することができる。そのため、共振周波数ｆｃを高精度に調整することができる。
また、前述したように、キャップ１０は、頂部１０１ａと、頂部１０１ａの外縁部から立設する側壁部１０１ｂと、を有し、調整工程Ｓ３では、レーザー切削により頂部１０１ａの一部を除去する。
また、前述したように、調整工程Ｓ３では、共振周波数ｆｃの調整量に応じた広さを除去する。これにより、キャップ１０を深く削り過ぎて穴が開き、キャップ１０の気密性封止状態が崩壊するのを抑制することができる。
また、前述したように、調整工程Ｓ３では、共振周波数ｆｃの調整量に応じた厚さを除去する。これにより、キャップ１０を局所的に切削することができ、キャップ１０の機械的強度の低下を抑制することができる。
＜第２実施形態＞
図１６は、第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
本実施形態の電子デバイス１は、モールド部９が省略されたことと、電子部品６の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態の図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図１６に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、前述した第１実施形態からモールド部９が省略されており、電子部品６が露出している。その代わり、電子部品６は、パッケージ化された表面実装部品となっており、前述した第１実施形態では剥き出しとなっていた加速度センサー４および回路素子５を収容するパッケージ６１を有する。
パッケージ６１は、凹部を有する箱型のベース６２と、凹部の開口を塞ぐようにベース６２に接合されたリッド６３と、を有する。ベース６２は、アルミナ、チタニア等のセラミック材料で構成され、リッド６３は、コバール等の金属材料で構成されている。このように、加速度センサー４および回路素子５をパッケージ６１に収容することで、加速度センサー４および回路素子５が暴露せず、これらを保護することができる。
電子部品６は、パッケージ６１の底面において導電性の接合部材Ｂ６を介して基板２の下面２２に接合されている。パッケージ６１の底面には回路素子５と電気的に接続された端子６５が形成されており、この端子６５が接合部材Ｂ６を介して端子Ｐ６と電気的に接続されている。
また、キャップ１０は、フランジ部１０２において接合部材を介して基板２の上面２１に接合されている。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
以上、本発明の電子デバイスの製造方法および電子デバイスを図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、任意の目的の工程が付加されたものであってもよい。
１…電子デバイス、１０…キャップ、１０１…基部、１０１ａ…頂部、１０１ｂ…側壁部、１０２…フランジ部、１０３…周波数調整痕、２…基板、２１…上面、２２…下面、３ｘ…角速度センサー、３ｙ…角速度センサー、３ｚ…角速度センサー、３１…パッケージ、３２…ベース、３３…リッド、３４…振動素子、３４ｘ…振動素子、３４ｙ…振動素子、３４ｚ…振動素子、３４１…基部、３４２…検出振動腕、３４３…検出振動腕、３４４…支持腕、３４５…支持腕、３４６…駆動振動腕、３４７…駆動振動腕、３４８…駆動振動腕、３４９…駆動振動腕、３５１…第１検出信号電極、３５２…第１検出接地電極、３５３…第２検出信号電極、３５４…第２検出接地電極、３５５…駆動信号電極、３５６…駆動接地電極、３９…接続端子、４…加速度センサー、５…回路素子、５１…制御回路、５２…インターフェース回路、６…電子部品、６１…パッケージ、６２…ベース、６３…リッド、６５…端子、７…リード群、７１…リード、９…モールド部、Ｂ３ｘ…接合部材、Ｂ３ｙ…接合部材、Ｂ３ｚ…接合部材、Ｂ６…接合部材、Ｂ７…接合部材、Ｐ３ｘ…端子、Ｐ３ｙ…端子、Ｐ３ｚ…端子、Ｐ６…端子、Ｐ７…端子、Ｑ１…領域、Ｑ２…領域、Ｑ３…領域、Ｑ４…領域、Ｑ５…領域、Ｓ１…収容工程、Ｓ２…検査工程、Ｓ３…調整工程、Ｓ４…再検査工程、Ｓ５…別検査工程、ｆｃ…共振周波数、ωｃ…角速度

Claims (8)

  1. 基板および蓋体で形成される収容空間に振動素子を収容する収容工程と、
    前記蓋体の一部を除去して前記蓋体の共振周波数を調整する調整工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
  2. 前記調整工程を行うか否かを判定する検査工程をさらに含む請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 前記検査工程では、前記蓋体の共振周波数が前記振動素子の振動周波数帯内にある場合に前記調整工程を行うと判定する請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
  4. 前記調整工程では、レーザー切削により前記蓋体の一部を除去する請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  5. 前記蓋体は、頂部と、前記頂部の外縁部から立設する側壁部と、を有し、
    前記調整工程では、レーザー切削により前記頂部の一部を除去する請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
  6. 前記調整工程では、前記共振周波数の調整量に応じた広さを除去する請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  7. 前記調整工程では、前記共振周波数の調整量に応じた厚さを除去する請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  8. 基板と、
    前記基板に搭載され、振動素子を備える電子部品と、
    前記基板に搭載され、前記電子部品を覆う蓋体と、を有し、
    前記蓋体は、一部が除去されたことにより形成され、周囲の部分よりも薄い周波数調整痕を有することを特徴とする電子デバイス。
JP2022180840A 2022-11-11 2022-11-11 電子デバイスの製造方法および電子デバイス Pending JP2024070385A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022180840A JP2024070385A (ja) 2022-11-11 2022-11-11 電子デバイスの製造方法および電子デバイス
CN202311491227.6A CN118033169A (zh) 2022-11-11 2023-11-09 电子器件的制造方法和电子器件
US18/506,494 US20240159536A1 (en) 2022-11-11 2023-11-10 Manufacturing Method For Electronic Device And Electronic Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022180840A JP2024070385A (ja) 2022-11-11 2022-11-11 電子デバイスの製造方法および電子デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024070385A true JP2024070385A (ja) 2024-05-23

Family

ID=91003038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022180840A Pending JP2024070385A (ja) 2022-11-11 2022-11-11 電子デバイスの製造方法および電子デバイス

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240159536A1 (ja)
JP (1) JP2024070385A (ja)
CN (1) CN118033169A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240159536A1 (en) 2024-05-16
CN118033169A (zh) 2024-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8307521B2 (en) Method for manufacturing acceleration sensing unit
JP5678741B2 (ja) 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
WO2011102121A1 (ja) 角速度センサおよび角速度および加速度検出用複合センサ
US8127617B2 (en) Pressure sensor, manufacturing method thereof, and electronic component provided therewith
JP4658625B2 (ja) 角速度センサ及びその製造方法
TW201341799A (zh) 外力檢測傳感器以及外力檢測裝置
JP2024070385A (ja) 電子デバイスの製造方法および電子デバイス
CN117147911A (zh) 惯性测量装置
JP2014119412A (ja) 多軸物理量検出装置、多軸物理量検出装置の製造方法、電子機器および移動体
JP5712755B2 (ja) 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
US20240159534A1 (en) Electronic Device
JP2010151580A (ja) センサデバイス
JP2008224525A (ja) ３軸加速度センサー
JP2008185385A (ja) 角速度センサ及び電子機器
US20160231111A1 (en) Angular velocity sensor element and angular velocity sensor using same
JP5838694B2 (ja) 物理量検出器、物理量検出デバイス及び電子機器
CN114814288B (zh) 传感器模块
US20240162637A1 (en) Electronic Device
JP2018132349A (ja) 物理量検出器および物理量検出装置
JP5776184B2 (ja) センサ装置
US12123891B2 (en) Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, and method for manufacturing physical quantity sensor device
JP2008261839A (ja) 加速度検知ユニットの製造方法
JP2012242344A (ja) 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
JP2012194032A (ja) センサ装置
JP2024070384A (ja) センサーモジュールおよびセンサーモジュールの製造方法