JP2024054135A - 固体ドーパント材料用の挿入可能なターゲットホルダの温度制御 - Google Patents
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Abstract
【課題】固体ドーパント材料を保持するためのターゲットホルダを有するイオン源が開示される。【解決手段】イオン源は、固体ドーパント材料の温度をモニタするために、ターゲットホルダに近接して配置された熱電対を備える。特定の実施形態では、コントローラが、この温度情報を使用して、アーク電圧、カソードバイアス電圧、抽出されるビーム電流、又はアークチャンバ内のターゲットホルダの位置などの、イオン源の1以上のパラメータを変化させる。コントローラと熱電対との間の接続を示す様々な実施形態が示される。更に、ターゲットホルダ上の熱電対の様々な配置を示す実施形態も提示される。【選択図】図1
Description
本開示の実施形態は、イオン源に関し、特に、固体ドーパント材料を保持するための挿入可能なターゲットホルダを有するイオン源に関し、ドーパント材料又はターゲットホルダの温度は、測定され、任意選択的に制御されてよい。
半導体処理装置で使用されるイオンを生成するために、様々な種類のイオン源が使用され得る。例えば、間接的に加熱されるカソード(IHC)イオン源は、カソードの背後に配置されたフィラメントに電流を供給することによって動作する。フィラメントは熱イオン電子を放出し、それらの電子がカソードに向かって加速してカソードを加熱し、次に、カソードにイオン源のアークチャンバの中へ電子を放出させる。カソードは、アークチャンバの一端に配置される。リペラ(repeller)が、カソードの反対側のアークチャンバの端に配置され得る。カソード及びリペラは、電子を反発させ、それらをアークチャンバの中心に向かって戻すようにバイアスされ得る。幾つかの実施形態では、電子をアークチャンバ内に更に閉じ込めるために、磁場が使用される。アークチャンバの2つの端を接続するために、複数の側面が使用される。
アークチャンバの中心に近接し、これらの側面のうちの1つに沿って、抽出開孔が配置され、その抽出開孔を通して、アークチャンバ内で生成されたイオンが抽出され得る。
特定の実施形態では、固体形態の材料をドーパント種として利用することが望ましい場合がある。例えば、金属が液化したときに金属がターゲットホルダ内に残るように、るつぼ又はターゲットホルダを使用して金属を保持することができる。イオン注入のために純粋な固体金属を直接使用すると、ウエハ注入に利用可能なビーム電流が増加する。
しかし、固体ドーパント材料用のターゲットホルダの使用に関連する問題が存在し得る。例えば、収容されたターゲットホルダ内で低融点及び低沸点の金属を使用する場合、非常に高い温度が問題となり得る。例えば、ドーパント材料は不安定になり得、不整合なビーム性能を引き起こし、アークチャンバ内にドーパント材料の望ましくない蓄積をもたらす熱暴走を起こす傾向があり得る。
したがって、特定の金属などの低融点を有する固体ドーパント材料と共に使用することができ、その内部温度をモニタ及び制御することができるイオン源が有益であろう。
固体ドーパント材料を保持するためのターゲットホルダを有するイオン源が開示される。イオン源は、固体ドーパント材料の温度をモニタするためにターゲットホルダに近接して配置された熱電対を備える。特定の実施形態では、コントローラが、この温度情報を使用して、アーク電圧、カソードバイアス電圧、抽出されるビーム電流、又はアークチャンバ内のターゲットホルダの位置などの、イオン源の1以上のパラメータを変化させる。コントローラと熱電対との間の接続を示す様々な実施形態が示される。更に、ターゲットホルダ上の熱電対の様々な配置を示す実施形態も提示される。
一実施形態によれば、間接的に加熱されるカソードイオン源が開示される。間接的に加熱されるカソードイオン源は、第1の端と第2の端とを連結する複数の壁を備えるアークチャンバ、アークチャンバの第1の端に配置される間接的に加熱されるカソード、ドーパント材料を保持するためのポケットを有するターゲットホルダ、ターゲットホルダに接触する熱電対、及び熱電対に通じているコントローラを備え、コントローラは、熱電対によって測定された温度に基づいてイオン源のパラメータを変化させる。特定の実施形態では、イオン源が、第1の位置と第2の位置との間でターゲットホルダを移動させるために、ターゲットホルダに通じているアクチュエータを更に備え、パラメータが、ターゲットホルダの位置を含む。幾つかの実施形態では、パラメータが、アーク電圧、フィラメント電流、カソードバイアス電圧、供給ガスの流量、及びビーム抽出電流からなる群から選択される。特定の実施形態では、イオン源が、ターゲットホルダに通じている加熱要素を更に備え、その場合、パラメータは、加熱要素に供給される電流を含む。幾つかの実施形態では、イオン源が、アクチュエータアセンブリを更に備え、アクチュエータアセンブリは、熱電対をコントローラと電気的に接続するためのワイヤ、ハウジングであって、後ろハウジング、前ハウジング、及び後ろハウジングと前ハウジングとを連結させる外側ハウジングを含むハウジング、ターゲットホルダに取り付けられ、ハウジング内に配置された保持プレートを有するシャフト、ハウジング内に配置され、一方の端で保持プレート取り付けられ、反対側の端で後ろハウジングに取り付けられたベローズ、並びにシャフトを直線的に平行移動させるためのアクチュエータを備える。幾つかの実施形態では、コネクタが前ハウジング内に取り付けられ、ワイヤが、コントローラから外側ハウジングとベローズとの間の空間を通過し、コネクタで終端する。更なる実施形態では、第2のコネクタがコネクタに接続され、熱電対ワイヤが、第2のコネクタと熱電対との間に配置される。幾つかの実施形態では、熱電対ワイヤが、アークチャンバに対するターゲットホルダの位置の調整を可能にするようにコイル状に巻かれている。幾つかの実施形態では、熱電対ワイヤが、インコネル編組(Inconel braid)内に収容される。幾つかの実施形態では、熱電対ワイヤが、アルミナ管内に収容される。特定の実施形態では、ワイヤが、シャフトの中空内部を通過する。特定の実施形態では、ターゲットホルダが、ターゲットベース、るつぼプラグ、るつぼ、及び多孔性プラグを含む。幾つかの実施形態では、熱電対が、るつぼの外面上に配置される。ある実施形態では、キャビティが、ターゲットホルダの内面に配置され、熱電対が、るつぼプラグの外面のキャビティ内に配置される。幾つかの実施形態では、熱電対を適所に配置するために、ポッティング材料(potting material)が使用される。幾つかの実施形態では、熱電対を適所に保持するために、止めねじ(set screw)が使用される。特定の実施形態では、熱電対を適所に保持するために、バネがキャビティ内に配置される。幾つかの実施形態では、イオン源が、ターゲットホルダに通じている加熱要素を備え、加熱要素が抵抗ワイヤを含む。特定の実施形態では、抵抗ワイヤが、るつぼ又はるつぼプラグと通じている。
別の一実施形態によれば、イオン源と共に使用するためのアセンブリが開示される。該アセンブリは、コネクタ、熱電対、及びコネクタと熱電対との間に配置されるワイヤを備える。特定の実施形態では、ワイヤがコイル状に巻かれている。特定の実施形態では、ワイヤが個々に絶縁される。幾つかの実施形態では、絶縁されたワイヤが、インコネル編組内に収容される。特定の実施形態では、絶縁されたワイヤが、アルミナ管内に収容される。
別の一実施形態によれば、イオン源内で使用するためのドーパント材料を保持するためのターゲットホルダが開示される。該ターゲットホルダは、ターゲットベース、中空円筒として形作られたるつぼ、るつぼの一方の開いた端をカバーし、ターゲットベースに近接して配置されるるつぼプラグ、るつぼの反対側の端をカバーする多孔性プラグであって、ガス状ドーパント材料が通過し得る多孔性プラグ、及びターゲットホルダに通じている熱電対を備える。特定の実施形態では、熱電対が、るつぼの外面上に配置される。他の実施形態では、熱電対が、るつぼの壁内のチャネル内に配置される。幾つかの実施形態では、るつぼプラグに近接してターゲットベース内に配置されたキャビティがあり、熱電対は、るつぼプラグに近接したキャビティ内に配置される。特定の実施形態では、チャネルが、ターゲットベース内に配置され、チャネルは、ワイヤが熱電対に配線されることを可能にするためにキャビティと通じている。幾つかの実施形態では、熱電対を適所に保持するために、ポッティング材料が使用される。特定の実施形態では、熱電対を適所に保持するために、止めねじが使用される。幾つかの実施形態では、ターゲットホルダが、ターゲットベースに取り付けられたシャフトを備える。幾つかの実施形態では、シャフトの内部が中空であり、シャフトの中空内部を通してワイヤを熱電対に配線できるようになっている。
別の一実施形態によれば、間接的に加熱されるカソードイオン源が開示される。イオン源は、第1の端と第2の端とを連結する複数の壁を備えるアークチャンバ、アークチャンバの第1の端に配置された間接的に加熱されるカソード、ドーパント材料を保持するためのポケットを有するターゲットホルダであって、アークチャンバ内で移動可能であるターゲットホルダ、及びコントローラを備え、コントローラは、ドーパント材料の温度に基づいて、アークチャンバ内のターゲットホルダの位置を変化させる。幾つかの実施形態では、ドーパント材料の温度が、光学的測定、高温計、カラードット、熱電対、無線熱電対リーダ、又はRTD(抵抗温度検出器)を使用して決定される。特定の実施形態では、ドーパント材料の温度が、熱電対を使用して決定される。幾つかの実施形態では、ドーパント材料の温度が、アークチャンバ内の構成要素の温度に基づいて推定される。
本開示をより良く理解するために、参照により本明細書に組み込まれる添付の図面を参照する。
上述したように、非常に高い温度では、イオン源内の固体ドーパントは、あまりにも急速に溶融し、アークチャンバ内に不要なドーパントの蓄積を生じさせることがある。低温では、固体ドーパントは全く溶融しないことがある。
図1は、これらの問題を克服するターゲットホルダを有するIHCイオン源10を示している。IHCイオン源10は、2つの反対側の端、及びこれらの端に連結する壁101を備えるアークチャンバ100を含む。アークチャンバ100の壁101は、導電性材料で構築されてよく、互いに電気的に通じていてよい。幾つかの実施形態では、壁101のうちの1以上に近接して、ライナが配置されてよい。カソード110が、アークチャンバ100の第1の端104においてアークチャンバ100内に配置される。フィラメント160が、カソード110の後ろに配置される。フィラメント160は、フィラメント電源165と通じている。フィラメント電源165は、電流をフィラメント160に流すように構成されている。それによって、フィラメント160が、熱イオン電子を放出するカソードバイアス電源115が、フィラメント160をカソード110に対して負にバイアスする。したがって、これらの熱イオン電子は、フィラメント160からカソード110に向かって加速され、これらの熱イオン電子がカソード110の裏面に当たると、カソード110を加熱する。カソードバイアス電源115は、例えば、カソード110の電圧よりも負に200Vから1500Vの間にある電圧を有するように、フィラメント160をバイアスし得る。カソード110とフィラメント160との間の電圧差は、カソードバイアス電圧と称され得る。次いで、カソード110は、その前面上の熱イオン電子をアークチャンバ100の中に放出する。
したがって、フィラメント電源165は、フィラメント160に電流を供給する。カソードバイアス電源115は、フィラメント160をバイアスする。それによって、フィラメント160はカソード110よりも負になる。その結果、電子はフィラメント160からカソード110に向けて引き寄せられる。特定の実施形態では、カソード110が、バイアス電源111などによって、アークチャンバ100に対してバイアスされてよい。アークチャンバ100とカソード110との間の電圧差は、アーク電圧と称され得る。他の実施形態では、カソード110が、アークチャンバ100の壁101と同じ電圧になるように、アークチャンバ100と電気的に接続されてよい。これらの実施形態では、バイアス電源111が用いられなくてもよく、カソード110は、アークチャンバ100の壁101と電気的に接続されてよい。特定の実施形態では、アークチャンバ100が、電気接地に接続される。
第1の端104の反対側の第2の端105には、リペラ120が配置されてよい。リペラ120は、リペラバイアス電源123によって、アークチャンバ100に対してバイアスされてよい。他の実施形態では、リペラ120が、アークチャンバ100の壁101と同じ電圧になるように、アークチャンバ100と電気的に接続されてよい。これらの実施形態では、リペラバイアス電源123が用いられなくてもよく、リペラ120は、アークチャンバ100の壁101と電気的に接続されてよい。更に他の実施形態では、リペラ120が用いられない。
カソード110とリペラ120は、各々、金属又はグラファイトなどの導電性材料で作製される。
特定の実施形態では、アークチャンバ100内で磁場が生成される。この磁場は、電子を1つの方向に沿って閉じ込めることを目的とする。磁場は、通常、第1の端104から第2の端105まで、壁101に平行に通っている。例えば、電子は、カソード110からリペラ120までの方向(すなわち、y方向)に平行なカラム内に閉じ込められてよい。したがって、電子は、y方向に動く電磁力をまったく受けない。しかし、他の方向における電子の移動は、電磁力を受けてよい。
抽出プレート103と称されるアークチャンバ100の一方の側面に、抽出開孔140が配置されてよい。図1では、抽出開孔140が、Y‐Z平面に平行な(ページに対して垂直な)側面に配置されている。更に、IHCイオン源10はまた、イオン化されるガスがアークチャンバ100に導入され得るガス入口106も備える。
特定の実施形態では、第1の電極及び第2の電極が、アークチャンバ100内の抽出プレート103に隣接した壁上にあるように、第1の電極と第2の電極は、アークチャンバ100のそれぞれの反対側の壁101上に配置されてよい。第1の電極と第2の電極は、各々、それぞれの電源によってバイアスされてよい。特定の実施形態では、第1の電極と第2の電極が、共通の電源と通じていてよい。しかし、他の実施形態では、最大限の柔軟性とIHCイオン源10の出力を調整する能力とを可能にするために、第1の電極が、第1の電極電源と通じていてよく、第2の電極が、第2の電極電源と通じていてよい。
コントローラ180は、電源のうちの1以上と通じていてよい。それによって、これらの電源によって供給される電圧又は電流が修正されてよい。コントローラ180は、マイクロコントローラ、パーソナルコンピュータ、専用コントローラ、又は別の適切な処理ユニットなどの処理ユニットを含み得る。コントローラ180はまた、半導体メモリ、磁気メモリ、又は別の適切なメモリなどの非一時的なストレージ要素も含んでよい。この非一時的なストレージ要素は、コントローラ180が本明細書で説明される機能を実行することを可能にする指示命令及び他のデータを含み得る。
IHCイオン源10はまた、ターゲットホルダ190も含む。ターゲットホルダ190は、アークチャンバ100の中に挿入され、アークチャンバ100から後退され得る。図1の実施形態では、ターゲットホルダ190が、アークチャンバ100の壁101のうちの1つに沿ってアークチャンバに入る。特定の実施形態では、ターゲットホルダ190が、第1の端104と第2の端105との間の中央平面においてアークチャンバ100に入ってよい。別の一実施形態では、ターゲットホルダ190が、中央平面とは異なる位置でアークチャンバ100に入ってもよい。図1で示されている実施形態では、ターゲットホルダ190が、抽出開孔140とは反対側の側面を通ってアークチャンバ100に入る。しかし、他の実施形態では、ターゲットホルダ190が、抽出プレート103に隣接する側面を通って入ってもよい。ターゲットホルダ190は、第1の位置と第2の位置との間で移動してよい。
ターゲットホルダ190は、キャビティ又はポケット191を有する。ドーパント材料195が、その中に配置されてよい。ポケット191は、底面、及び底面から上向きに延びる側壁を有してよい。特定の実施形態では、側壁は垂直であってよい。他の実施形態では、側壁が、底面から外向きに傾斜してよい。幾つかの実施形態では、側壁と底面が、丸みを帯びた縁部で合流する。底面及び側壁は、底部で閉じられるキャビティを形成する。言い換えると、従来のカップと同様に、ドーパント材料195が、開放された上部を介して挿入され又は取り外され、一方で、側壁及び底面は、ドーパント材料195が出られない密閉された構造を形成する。別の一実施形態では、ドーパント材料195がポケット191の内側に配置されるように、ポケット191が囲われてよい。例えば、中空円筒形状るつぼを採用して、ポケット191を形成してよい。多孔性プラグ192を使用して、ポケット191の内側にドーパント材料を保持し、蒸気がポケット191から出ることを可能にすることができる。多孔性プラグ192は、例えば、グラファイト発泡体であってよい。ターゲットホルダ190からのドーパント材料の供給速度はまた、多孔性プラグ192又はターゲットホルダ190の任意の他の壁に様々なサイズのパターニングされた孔を追加することによっても制御されてよい。ターゲットホルダ190の壁のいずれも、多孔性材料であってよく、アークチャンバ100の中へのドーパント材料の制御された供給のために使用されてよい。
インジウム、アルミニウム、アンチモン、又はガリウムなどのようなドーパント材料195が、ターゲットホルダ190のポケット191内に配置されてよい。ドーパント材料195は、ポケット191内に配置されるときに、固体の形態を採ってよい。これは、材料のブロック、やすり粉、削り屑、ボール、又は他の形状の形態を採ってよい。特定の実施形態では、ドーパント材料195が、溶融し、液体になってよい。したがって、ある実施形態では、ターゲットホルダ190が、開放端が上を向き、密閉された底部が下を向くように、アークチャンバ100に入るよう構成され、その結果、溶融されたドーパント材料195は、ターゲットホルダ190からアークチャンバ100の中に流入できず、むしろターゲットホルダ190内に留まる。換言すると、IHCイオン源10及びターゲットホルダ190は、ドーパント材料195が重力によってポケット191内に保持されるように配向される。
熱電対198は、ターゲットホルダ190又はドーパント材料195に近接していてよい。この熱電対198は、コントローラ180と通じていてよい。熱電対198は、熱電対198をコントローラ180と電気的に接続する1以上のワイヤ199を備えてよい。
特定の実施形態では、熱電対198が、ターゲットホルダ190の外側に固定されてよい。他の実施形態では、熱電対198が、ターゲットホルダに対して位置決めするために使用され得る剛性シースを含んでよい。別の一実施形態では、熱電対の測定点が、ドーパント材料195を保持するポケット191の内側に直接あってもよい。これらの実施形態では、熱電対198の腐食が、セラミック絶縁体シースを使用して熱電対ワイヤを保護することによって防止されてよい。
動作中、フィラメント電源165は、電流をフィラメント160に流し、これによりフィラメント160に熱イオン電子を放出させる。これらの電子は、フィラメント160よりも正であり得るカソード110の裏面に当たって、カソード110を加熱させ、それによって次に、カソード110が、電子をアークチャンバ100の中に放出する。これらの電子は、ガス入口106を通ってアークチャンバ100の中に供給されるガスの分子と衝突する。アルゴンなどのキャリアガス、又はフッ素などのエッチングガスが、適切に位置付けられたガス入口106を通してアークチャンバ100の中に導入されてよい。カソード110からの電子と、ガスと、正電位との組み合わせが、プラズマを生成する。特定の実施形態では、電子及び正イオンが、磁場によって幾らか閉じ込められてよい。特定の実施形態では、プラズマが、抽出開孔140に近接して、アークチャンバ100の中心付近に閉じ込められる。プラズマによる化学エッチング又はスパッタリングは、ドーパント材料195を気相に変換し、イオン化を引き起こす。イオン化された供給材料は、次いで、抽出開孔140を通して抽出され、イオンビームを準備するために使用され得る。
ドーパント材料195からスパッタされるか又は他の方法で放出される負イオン及び中性原子は、プラズマに向けて引き付けられるが、これは、プラズマが、ターゲットホルダ190よりも正の電圧に維持されるからである。
特定の実施形態では、ドーパント材料195が、プラズマによって生成された熱によって加熱され、気化される。しかし、他の実施形態では、ドーパント材料195が、更なる手段によって加熱されてもよい。例えば、ドーパント材料195を更に加熱するために、加熱要素170がターゲットホルダ190内又は上に配置されてよい。加熱要素170は、抵抗加熱要素、又は何らかの他の種類のヒータであってよい。
特定の実施形態では、ターゲットホルダ190が、導電性材料で作製され、接地されてよい。別の一実施形態では、ターゲットホルダ190が、導電性材料で作製され、電気的に浮遊されてよい。別の一実施形態では、ターゲットホルダ190が、導電性材料で作製され、壁101と同じ電圧で維持されてよい。他の実施形態では、ターゲットホルダ190が、絶縁材料で作製されてよい。
更に別の一実施形態では、ターゲットホルダ190が、アークチャンバ100に対して電気的にバイアスされてよい。例えば、ターゲットホルダ190は、導電性材料から作製されてよく、壁101とは異なる電圧になるように、独立した電源(図示せず)によってバイアスされてよい。この電圧は、壁101に印加される電圧よりも、より正又はより負であってよい。このやり方では、電気バイアスを使用して、ドーパント材料195をスパッタすることができる。
コントローラ180は、熱電対198を使用してドーパント材料195の温度をモニタしてよい。特定の実施形態では、コントローラ180が、熱電対198及び加熱要素170と通じていてよい。したがって、コントローラ180は、ドーパント材料195を所望の又は所定の温度に維持するために、加熱要素170を制御してよい。言い換えると、コントローラ180は、熱電対198によって測定されるような所望の温度を維持するために、加熱要素170を通る電流を変化させてよい。これにより、コントローラ180がアークチャンバ100の中へのドーパント材料195の供給速度を制御することが可能になり得る。他の実施形態では、コントローラ180が、ターゲットホルダ190又は他の何らかの構成要素の温度を測定することなどによって、ドーパント材料195の温度を間接的に測定してよい。
ターゲットホルダ190は、シャフト200の一端と通じている。シャフト200の反対側の端は、アクチュエータアセンブリ300と通じていてよい。アクチュエータアセンブリ300は、壁101のうちの1つに直接的に取り付けられてよい。他の実施形態では、アクチュエータアセンブリ300が、ターゲットホルダ190をアークチャンバ100の主円筒から後退させることを可能にするために、壁101から離れて置かれてよい。アクチュエータアセンブリ300の作用により、ターゲットホルダ190は、アークチャンバ100内で直線的に移動することができる。
図2は、アクチュエータアセンブリ300の一実施形態を示している。この実施形態では、アクチュエータアセンブリ300が、後ろハウジング310及び前ハウジング340を含む。前ハウジング340は、アークチャンバ100の壁101のうちの1つにボルト留めされるか、又は他の方法で連結されてよい。代替的に、前ハウジング340は、壁101から離れて置かれてよい。外側ハウジング360を使用して、後ろハウジング310と前ハウジング340を連結することができる。
後ろハウジング310の内側には、アクチュエータ320がある。アクチュエータ320は、駆動シャフト325を有してよい。特定の実施形態では、アクチュエータ320が電気モータであるが、他の種類のアクチュエータが使用されてもよい。一実施形態では、駆動シャフト325が、ねじ付き遠位端326を有する。対応するねじ付き部材330が、ねじ付き遠位端326と通じていてよい。ねじ付き部材330は、シャフト200に取り付けられてよい。このやり方では、駆動シャフト325が回転すると、回転方向に応じて、ねじ付き部材330は、アクチュエータ320に引き込まれるか、又はアクチュエータ320から離れるように移動する。シャフト200はねじ付き部材330に取り付けられているので、シャフト200は、同様に、駆動シャフト325の回転運動によってX方向に直線的に平行移動する。これにより、ターゲットホルダ190をアークチャンバ100内の異なる位置に配置することが可能になる。
この実施形態では、シャフト200が保持プレート210を含む。保持プレート210は、アクチュエータアセンブリ300の内側で前ハウジング340の後ろに配置される。保持プレート210は、ベローズ350に溶接されるか又は他の方法で連結される。特定の実施形態では、ベローズ350が金属であってもよい。ベローズ350はまた、後ろハウジング310に溶接されてもよく又は他の方法で取り付けられてもよい。ベローズ350及び保持プレート210は、アークチャンバ100内の減圧条件とアークチャンバ100の外側の大気条件との間のバリアを形成する。したがって、駆動シャフト325が回転すると、ベローズ350は、シャフト200の運動の方向に基づいて伸縮する。
熱電対198が、アークチャンバ100の内側に配置され、ワイヤ199がアークチャンバ100を出ることを必要としながら、減圧条件の完全性を保持することに留意されたい。図2の実施形態では、第1のコネクタ390が、アークチャンバ100の内側で前ハウジング340上に取り付けられている。ワイヤ199が、アクチュエータアセンブリ300の外側から第1のコネクタ390へ延在する。この実施形態では、ワイヤ199がアクチュエータアセンブリ300を出て行くことを可能にするために、チャネル311が後ろハウジング310内に形成されてよい。次いで、ワイヤ199は、ベローズ350と外側ハウジング360との間の空間内を通過してよい。この空間は、減圧環境の部分であり、したがって、減圧を維持するために減圧フィードスルー370が使用される。減圧フィードスルーは、ワイヤ199の通過を可能にするが、フィードスルーの両側の間の圧力差を維持する部材である。したがって、ワイヤ199は、後ろハウジング310内のチャネル311を通過し、次いで、減圧フィードスルー370を通過する。次いで、ワイヤ199は、外側ハウジング360とベローズ350との間の空間を通過し、最後に第1のコネクタ390で終端する。
第2のコネクタ391は、第1のコネクタ390と接続する。熱電対ワイヤ197が、第2のコネクタ391から熱電対198まで延在する。熱電対198は、K型熱電対であってよい。また、熱電対198に取り付けられた熱電対ワイヤ197は絶縁されてよい。例えば、一実施形態では、2つの熱電対ワイヤ197の各々が、絶縁材料で個々に被覆される。次に、2つの熱電対ワイヤ197は、インコネル編組として一緒に巻かれてよい。換言すると、熱電対ワイヤ197は、電気絶縁のために個々に被覆され、次いで、アークチャンバ100内の苛酷な環境からそれらを保護するために、その対が巻かれる。別の一実施形態では、熱電対ワイヤ197が、アルミナ管内に収容されてよい。
特定の実施形態では、図2で示されているように、熱電対ワイヤ197がコイル状に巻かれる。このやり方では、ターゲットホルダ190が延伸し、後退するときに、熱電対ワイヤ197は、長さの変化を補償するためにコイル状に巻かれ、ほどかれる。
一実施形態では、熱電対198、熱電対ワイヤ197、及び第2のコネクタ391が、交換可能な部品であってよい。更に、上述されたように、この実施形態の熱電対ワイヤ197は、個別に絶縁され、次いで編組として巻かれてよい。更に、熱電対ワイヤ197は、ねじれ又は干渉なしに長さの変化を可能にするようにコイル状に巻かれていてよい。
例えば、ドーパント材料195を更に加熱するために、加熱要素170がターゲットホルダ190内又は上に配置されてよい。特定の実施形態では、加熱要素170に関連付けられたワイヤが、熱電対ワイヤ197と共に配線される。
熱電対198は、以下で説明される複数のやり方で、ターゲットホルダ190に取り付けられてよい。
図3は、アクチュエータアセンブリ300の第2の実施形態を示している。構成要素の多くは、図2で示されているものと同じであり、同一の参照番号が与えられている。この実施形態では、熱電対ワイヤ197がシャフト200の内部を通って配線され得るように、シャフト200が中空であってよい。シャフト200はまた、中空内部への開口部201も有する。開口部201は、保持プレート210のターゲットホルダ190から更に離れた側に位置付けられてよい。このやり方では、開口部201が大気状態にある。熱電対198がシャフト200の中空内部の範囲内に位置付けられている場合、減圧フィードスルーを必要としないことがある。しかし、熱電対198が、図4などで示されているように、ターゲットホルダ190の外面上に位置付けられている場合、減圧フィードスルー370を使用して、アークチャンバ100内の減圧を保存することができる。減圧フィードスルー370は、シャフト200の中空内部への入口に配置されるだろう。
熱電対ワイヤ197は、開口部201を貫通し、後ろハウジング310内のチャネル311を貫通して出てよい。特定の実施形態では、1以上のケーブルマウント351を使用して、熱電対ワイヤ197を適所に保持することができる。特定の実施形態では、コントローラ180に通じているワイヤ199が、シャフト200の中空内部を通過する熱電対ワイヤ197と同じものである。他の実施形態では、2つの別個のワイヤセグメントを生成するために、コネクタが、熱電対198とコントローラ180との間に配置される。例えば、プラズマに曝露される熱電対ワイヤの部分は、より頻繁に交換される必要があり得る。したがって、ワイヤのこのセクションは、熱電対198とコントローラ180との間にコネクタを挿入することによって、交換可能なユニットとして形成されてよい。
したがって、この実施形態では、シャフトが、熱電対ワイヤ197を熱電対198からアクチュエータアセンブリ300の内部に配線するために使用される中空内部を有する。述べられているように、図4で示されているように、熱電対198が減圧状態内に配置されている場合、シャフト200の内部への入口に減圧フィードスルー370が採用されてよい。
特定の実施形態では、熱電対ワイヤ197が、個々に絶縁され、次いで、インコネル編組として又はアルミナ管内で一緒に巻かれる。他の実施形態では、熱電対ワイヤがシャフト200によって保護されるので、インコネル編組は採用されない。
図2~図4は、コントローラ180から熱電対198へワイヤを配線するために使用され得る幾つかのシステムを説明する。図5~図9は、ターゲットホルダ190上の熱電対198の配置に関する様々な実施形態を示している。
図5は、ターゲットホルダ190の拡大図を示している。特定の実施形態では、ターゲットホルダ190が、シャフト200に固定され又は他の方法で取り付けられるターゲットベース193を備える。ターゲットホルダ190は、るつぼ196も含んでよい。るつぼ196は、ドーパント材料195を保持する。特定の実施形態では、るつぼ196が、グラファイトから作製されてよい。幾つかの実施形態では、るつぼ196が、2つの開放端を有する中空円筒であってよい。るつぼプラグ194が、るつぼ196とターゲットベース193との間に配置されてよい。るつぼプラグ194は、るつぼ196の開放端のうちの1つを塞ぐために使用される。クランプ410を使用して、ターゲットベース193をるつぼ196に固定することができる。上述したように、多孔性プラグ192を使用して、るつぼ196の第2の開放端を塞ぐことができる。上述したように、この多孔性プラグ192は、グラファイト発泡体又は他の適切な材料から作製されてよい。
図5の一実施形態では、熱電対198が、るつぼ196の外面上に取り付けられている。ポッティング材料400を使用して、熱電対198を適所に保持することができる。熱電対ワイヤ197が、ターゲットホルダ190の外装に沿って配線されてよい。
図6は、ターゲットホルダ190の別の一実施形態を示している。構成要素の多くは、図5で示されているものと同じであり、同一の参照番号が与えられている。この実施形態では、導管420が、ターゲットベース193内及び任意選択的にるつぼプラグ194内に形成されている。熱電対ワイヤ197は、導管420を通過し、熱電対198は、図5で行われているように、るつぼ196の外面上に取り付けられている。ポッティング材料400を使用して、熱電対198を適所に保持することができる。
図7は、ターゲットホルダ190の別の一実施形態を示している。構成要素の多くは、図6に示されているものと同じであり、同一の参照番号が与えられている。この実施形態では、熱電対198を適所に保持するために、ポッティング材料を使用するのではなく、止めねじ430が使用されている。止めねじ430は、るつぼ196のねじ付き浅孔の中にねじ込まれてよい。幾つかの実施形態では、ねじ付き浅孔が、るつぼ196の内部まで貫通しない。
止めねじ430は、図5の実施形態と共に使用され得ることに留意されたい。換言すると、熱電対ワイヤ197は、ターゲットホルダ190の外装の周りに配線され、止めねじ430を使用してるつぼ196に固定されてよい。
要約すると、図5~図7は、熱電対198がるつぼ196の外面と接触する異なるターゲットホルダ190を示している。この熱電対198は、ポッティング材料400又は止めねじ430を使用してるつぼ196に取り付けられてよい。他の固定技法もまた採用されてよい。
更に、熱電対198は、るつぼ196の壁内に埋め込まれてよい。図8Aは、チャネル440がるつぼの壁内に形成された一実施形態を示している。構成要素の多くは、図6で示されているものと同じであり、同一の参照番号が与えられている。チャネル440は、るつぼ196の壁の幅よりも狭い。熱電対198は、チャネル440の中に挿入されている。ポッティング材料(図示せず)を使用して、熱電対198を適所に保持することができる。この実施形態では、チャネル440が、ターゲットベース193及び任意選択的にるつぼプラグ194を貫通して延在してよい。図8Bで示されている別の一実施形態では、チャネル440が、るつぼ196の外面から出る。この実施形態では、チャネルが、ターゲットベース193又はるつぼプラグ194を貫通して延在しない。
別の一実施形態では、チャネル440が、ポケット191まで延在してよい。それによって、熱電対198は、ポケット191の内部及び/又はドーパント材料195と実際に接触する。これらの実施形態では、セラミック絶縁体シースを採用して、熱電対198及び熱電対ワイヤ197を保護することができる。
熱電対198はまた、図9A~図9Cで示されているようにるつぼプラグ194と接触してもよい。構成要素の多くは、図6で示されているものと同じであり、同一の参照番号が与えられている。これらの実施形態では、キャビティ450が、ターゲットベース193内に配置される。キャビティ450は、熱電対198が配置され得る場所を提供する。チャネル460が、ターゲットベース193の外面からキャビティ450までターゲットベース193内に形成されている。熱電対ワイヤ197は、チャネル460を介してキャビティ450に入る。図9Aは、ポッティング材料400の使用を介して適所に保持された熱電対198を示している。図9Bは、止めねじ430を使用して適所に保持された熱電対198を示している。図9Cは、バネ470の使用を介して適所に保持された熱電対198を示している。無論、熱電対198を適所に保持するために、他の力に基づく手段を使用することもできる。
上述の開示は、熱電対198用のワイヤをターゲットホルダ190に配線するための種々の装置を説明しているが、同じ技法を使用して、抵抗ワイヤをターゲットホルダ190に配線することもできる。これらの抵抗ワイヤは、加熱素子170として採用されてよい。例えば、図1~図4で示されているように、、抵抗ワイヤは、るつぼ196の外面の全部又は一部と接触していてもよい。抵抗ワイヤは、図2~図7で示されているものと同じ手段を使用して配線されてよい。代替的に、抵抗ワイヤは、図8A~図8Bで示されている実施形態と同様に、るつぼの壁内に埋め込まれてもよい。別の一実施形態では、抵抗ワイヤが、図9A~図9Cなどで示されているように、るつぼプラグ194と接触していてもよい。抵抗ワイヤに電流を流すと発熱する。これにより、コントローラ180は、別の機構によってドーパント材料195の温度を制御することが可能になる。
特定の実施形態では、抵抗ワイヤが、熱電対ワイヤ197と束ねられる。これらの実施形態では、抵抗ワイヤが、熱電対ワイヤ197と共に配線される。
他の実施形態では、抵抗ワイヤが、別個の編組又は束として設けられ、熱電対ワイヤ197と同じ経路を通る。
更に他の実施形態では、抵抗ワイヤが、るつぼ196などのターゲットホルダ190の一部分と接触してよく、一方で、熱電対198は、るつぼプラグ194などのターゲットホルダ190の別の一部分と接触する。図10は、抵抗ワイヤ500が熱電対ワイヤ197から分離している一実施形態を示している。この実施形態は、図2と同様であるが、第3のコネクタ510及び第4のコネクタ520を含む。第3のコネクタ510は、前ハウジング340に取り付けられてもよい。コントローラ180からのワイヤ540が、第3のコネクタ510に配線されている。特定の実施形態では、ワイヤ540を配線するために使用される構成要素が、ワイヤ199を配線するための構成要素と同様である。例えば、チャネル311及び減圧フィードスルー370が採用されてよい抵抗ワイヤ500は、長さの変化を可能にするためにコイル状に巻かれてよく、るつぼの外面に又はるつぼプラグに連結されてよい。
図10は、第3及び第4のコネクタを示しているが、抵抗性ワイヤ500は、ワイヤ199と共に配線されてもよく、より大きなコネクタが使用されてよいことを理解されたい。
代替的に、抵抗ワイヤ500は、図3~図4で示されているワイヤ199の配線と同様に、シャフト200を通して配線されてもよい。
上述の開示は、コントローラ180が、熱電対198を使用して構成要素(すなわち、るつぼ、るつぼプラグなど)の温度を測定することによって、ドーパント材料195の温度をモニタすることを可能にする様々な実施形態を説明する。コントローラ180は、様々なやり方で、この情報を使用してよい。
ドーパント材料195を所定の範囲内の温度まで加熱することが有利であろう。例えば、低温では、ドーパント材料195は溶融せず、したがって、ドーパント蒸気は、ターゲットホルダ190から放出されない。しかし、過度に高い温度では、ドーパント材料の溶融速度が大き過ぎることがある。これは、アークチャンバ100内でドーパント材料の蓄積を引き起こし得る。更に、溶融速度の変動は、ビーム電流及び他のパラメータにも影響を及ぼす可能性がある。
ターゲットホルダ190の又はその近くの温度をモニタすることによって、コントローラ180は、ドーパント材料195の温度をより良く調節することができる。例えば、コントローラ180は、ドーパント材料195の温度をモニタしてよい。温度が所定の範囲内にない場合、コントローラは、フィラメント電源165を通る電流を変化させ、アーク電圧を変化させ、カソードバイアス電圧を変化させ、アークチャンバ100の中へのガスの流量を変化させ、アークチャンバ100内のターゲットホルダ190の位置を変化させ、ビーム抽出電流を変化させ、又はこれらの動作の組み合わせを実行してよい。更に、第1及び第2の電極が壁101上に配置される場合、これらの電極に印加される電圧がまた、ドーパント材料195の温度に基づいて、コントローラ180によって変化させられてもよい。更に、ヒータが採用される実施形態では、抵抗ワイヤ500の使用を介するなどして、コントローラ180が、ヒータを通る電流を変化させて、ドーパント材料195の温度を変化させてよい。
特定の実施形態では、コントローラ180が、ドーパント材料195の温度に基づいて、アークチャンバ100内のターゲットホルダ190の位置を移動させてよい。例えば、ターゲットホルダ190は、カソード110とリペラ120との間で画定された円筒領域内に直接的に配置されたときに、より高い温度まで加熱してよい。ドーパント材料の加熱を遅くするために、ターゲットホルダ190は、この円筒領域の外側になるように直線的に移動させられてよい。逆に、ドーパント材料195の温度を上昇させるために、ターゲットホルダ190をこの円筒形領域の中に移動させることができる。
コントローラ180は、熱電対198によって得られる温度に基づいて、IHCイオン源10に関連付けられたパラメータを決定するために、様々な閉ループアルゴリズムを採用してよい。
上述の開示は、熱電対198の使用を説明しているが、他の温度センサも使用されてよい。例えば、光学的測定、高温計、及びカラードットは、全て、ターゲットホルダ190の温度を検出する間接的方法である。RTD(抵抗温度検出器)及びワイヤレス熱電対リーダも採用されてよい。したがって、上記の開示は、熱電対の使用に限定されない。
更に、上記の開示は、熱電対198を、ターゲットホルダ190又はドーパント材料195と接触しているものとして説明しているが、他の実施形態も可能である。例えば、熱電対198(又は他の温度センサ)は、アークチャンバ100内の別の構成要素の温度を測定し、この測定温度に基づいてドーパント材料の温度を推定してよい。該別の構成要素は、アークチャンバ100の壁、シャフト200、リペラ120、前ハウジング340、又は別の構成要素であってよい。
更に、上述の制御は、開ループ技術を使用して実行されてもよい。例えば、経験的データを収集して、カソードバイアス電圧、アーク電圧、供給ガス流量、及びターゲットホルダの位置などの様々なパラメータの関数としてドーパント材料の温度を決定することができる。経験的データは、時間の関数としてドーパント材料の温度を決定することもできる。表又は方程式を使用して、コントローラ180は、ドーパント材料195の温度を所定の範囲内に維持するために、パラメータのうちの1以上を変化させてよい。例えば、コントローラ180は、その温度を所望の範囲内に維持するために、ターゲットホルダ190を経時的に移動させてよい。
上述の開示は、間接的に加熱されたカソードイオン源内でのターゲットホルダの使用を説明しているが、本開示は、この実施形態に限定されない。ターゲットホルダ、アクチュエータアセンブリ、及び熱電対は、容量結合プラズマ源、誘導結合プラズマ源、ベルナ源、又は別の適切な源などのような他のイオン源若しくはプラズマ源においても採用されてよい。
本出願において上述された実施形態は、多くの利点を有し得る。挿入可能なターゲットホルダを使用することにより、純金属ドーパントが、それらの溶融温度を超える環境内でスパッタターゲットとして使用可能となる。従来、1200℃を超える溶融温度を有するドーパントを含有する酸化物/セラミック又は他の固体化合物が使用される。純粋な材料ではなくドーパント含有化合物を使用することにより、利用可能なドーパント材料が著しく希釈される。例えば、純アルミニウムの代わりにAl2O3を使用する場合、セラミック組成物の化学量論により、不純物がプラズマの中に導入されるだけでなく、対象となるドーパントとの望ましくない質量の一致がもたらされる可能性があり、純粋な元素ターゲットよりも低いビーム電流にもつながる。また、Al2O3の使用は、ビームラインに沿って堆積され、イオン注入装置の動作を損なう可能性がある酸化物や窒化物などの望ましくない副生成物の発生につながる可能性もある。例えば、ビーム光学系は、Al2O3の使用後にイオンビーム安定性を維持するために化学的に洗浄される場合もある。
1つの実験では、純Alスパッタターゲットを使用して最大4.7mAのビーム電流が実現されたが、一方、Al2O3ターゲットを使用すれば、2mA未満の最大ビーム電流が実現可能だろう。純金属の使用はまた、同じ金属種の酸化物/セラミックから得られるビーム電流と比較して、多重電荷ビーム電流を50%~75%増加させるだろう。挿入可能な容器では、必要なときに大量の純金属へのアクセスが可能であり、他の種を利用するために、固体ターゲットをアークチャンバから安全に取り出すことができる。
更に、ドーパント材料の温度をモニタすることによって、イオン源を制御して、ドーパント材料の溶融速度が所定の範囲内にあることを保証することができる。具体的には、温度制御なしでは、ドーパント供給が不安定になり、一貫性のないビーム性能を引き起こし、アーク室内にドーパント材料の望ましくない蓄積をもたらす熱暴走を起こしやすい可能性がある。したがって、温度制御は、アークチャンバ内のドーパント蒸気の指数関数的増加を防止する。それはまた、イオン源のより速い同調を可能にする。
加えて、ドーパント材料の温度をモニタすることによって、この情報をビーム同調プロセスで使用することが可能であり、従って、ビーム性能をより信頼性のあるものにする。
本開示の範囲は、本明細書で説明された具体的な実施形態に限定されるものではない。上述したもの以外の本開示の様々な実施形態及び本開示の変形例は、本明細書に説明したものと同様に、上述の説明及び添付図面から、当業者には明らかである。このため、そのような上記以外の実施形態及び変形例は、本開示の範囲に含まれるものである。更に、本明細書では、本開示を、特定の目的のための特定の環境における特定の実装の文脈で説明したが、当業者は、その有用性がそれに限定されず、本開示が、任意の数の目的のために任意の数の環境において有益に実装され得ることを認識するであろう。したがって、以下に記載される特許請求の範囲は、本明細書に記載される本開示の全幅及び主旨を考慮して解釈すべきである。
Claims (15)
- 間接的に加熱されるカソードイオン源であって、
第1の端と第2の端とを連結する複数の壁を備えるアークチャンバ、
前記アークチャンバの前記第1の端に配置される間接的に加熱されるカソード、
ドーパント材料を保持するためのポケットを有するターゲットホルダ、
前記ターゲットホルダに接触する熱電対、及び
前記熱電対に通じているコントローラを備え、前記コントローラは、前記熱電対によって測定された温度に基づいて前記イオン源のパラメータを変化させる、間接的に加熱されるカソードイオン源。 - 第1の位置と第2の位置との間で前記ターゲットホルダを移動させるために、前記ターゲットホルダに通じているアクチュエータを更に備え、前記パラメータは、前記ターゲットホルダの位置を含む、請求項1に記載の間接的に加熱されるカソードイオン源。
- パラメータは、アーク電圧、フィラメント電流、カソードバイアス電圧、供給ガスの流量、及びビーム抽出電流からなる群から選択される、請求項1に記載の間接的に加熱されるカソードイオン源。
- 前記ターゲットホルダに通じている加熱要素を更に備え、前記パラメータは、前記加熱要素に供給される電流を含む、請求項1に記載の間接的に加熱されるカソードイオン源。
- アクチュエータアセンブリを更に備え、前記アクチュエータアセンブリは、
前記熱電対を前記コントローラと電気的に接続するためのワイヤ、
ハウジングであって、後ろハウジング、前ハウジング、及び前記後ろハウジングと前記前ハウジングとを連結させる外側ハウジングを含むハウジング、
前記ターゲットホルダに取り付けられ、前記ハウジング内に配置された保持プレートを有するシャフト、
前記ハウジング内に配置され、一方の端で前記保持プレートに取り付けられ、反対側の端で前記後ろハウジングに取り付けられるベローズ、並びに
前記シャフトを直線的に平行移動させるためのアクチュエータを備える、請求項1に記載の間接的に加熱されるカソードイオン源。 - 前記前ハウジング内に取り付けられるコネクタであって、前記ワイヤが、前記コントローラから前記外側ハウジングと前記ベローズとの間の空間を通過し、前記コネクタで終端する、コネクタ、及び
前記コネクタに接続される第2のコネクタであって、熱電対ワイヤが、前記第2のコネクタと前記熱電対との間に配置される、第2のコネクタを備える、請求項5に記載の間接的に加熱されるカソード。 - 前記ワイヤは、前記シャフトの中空内部を通過する、請求項5に記載の間接的に加熱されるカソード。
- キャビティが前記ターゲットホルダの内面に配置され、前記熱電対が前記キャビティ内に配置されている、請求項1に記載の間接的に加熱されるカソードイオン源。
- イオン源内で使用するためのドーパント材料を保持するターゲットホルダであって、
ターゲットベース、
中空円筒として形作られたるつぼ、
前記るつぼの一方の開いた端をカバーし、前記ターゲットベースに近接して配置されるるつぼプラグ、
前記るつぼの反対側の端をカバーする多孔性プラグであって、ガス状ドーパント材料が通過し得る多孔性プラグ、及び
前記ターゲットホルダに通じている熱電対を備える、ターゲットホルダ。 - 前記熱電対は、前記るつぼの外面に取り付けられている、請求項9に記載のターゲットホルダ。
- 前記熱電対は、前記るつぼの壁内のチャネル内に配置されている、請求項9に記載のターゲットホルダ。
- キャビティが、前記るつぼプラグに近接して前記ターゲットベース内に配置され、前記熱電対は、前記るつぼプラグに近接した前記キャビティ内に配置されている、請求項9に記載のターゲットホルダ。
- チャネルが、前記ターゲットベース内に配置され、前記チャネルは、ワイヤが前記熱電対に配線されることを可能にするために前記キャビティと通じている、請求項12に記載のターゲットホルダ。
- 前記ターゲットベースに取り付けられるシャフトを更に備え、前記シャフトの中空内部を通してワイヤを前記熱電対に配線できるように、前記シャフトの内部が中空になっている、請求項9に記載のターゲットホルダ。
- 間接的に加熱されるカソードイオン源であって、
第1の端と第2の端とを連結する複数の壁を備えるアークチャンバ、
前記アークチャンバの前記第1の端に配置された間接的に加熱されるカソード、
ドーパント材料を保持するためのポケットを有するターゲットホルダであって、前記アークチャンバ内で移動可能であるターゲットホルダ、及び
コントローラを備え、前記コントローラは、前記ドーパント材料の温度に基づいて、前記アークチャンバ内の前記ターゲットホルダの位置を変化させる、間接的に加熱されるカソードイオン源。
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US3404084A (en) | 1965-10-20 | 1968-10-01 | Gen Precision Systems Inc | Apparatus for depositing ionized electron beam evaporated material on a negatively biased substrate |
GB1483966A (en) * | 1974-10-23 | 1977-08-24 | Sharp Kk | Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition |
US4061800A (en) | 1975-02-06 | 1977-12-06 | Applied Materials, Inc. | Vapor desposition method |
JPS59165356A (ja) | 1983-03-09 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | イオン源 |
US5089746A (en) | 1989-02-14 | 1992-02-18 | Varian Associates, Inc. | Production of ion beams by chemically enhanced sputtering of solids |
JP2977862B2 (ja) | 1990-05-25 | 1999-11-15 | 神港精機株式会社 | プラズマ発生装置 |
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JPH0554809A (ja) | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Nissin Electric Co Ltd | ルツボ内蔵型シリコンイオン源 |
JPH05117843A (ja) | 1991-10-28 | 1993-05-14 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
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CN1035780C (zh) | 1993-11-24 | 1997-09-03 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 材料表面改性用电子束蒸发金属离子源 |
US5977552A (en) * | 1995-11-24 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Boron ion sources for ion implantation apparatus |
US5733418A (en) | 1996-05-07 | 1998-03-31 | Pld Advanced Automation Systems, Inc. | Sputtering method and apparatus |
US5922179A (en) * | 1996-12-20 | 1999-07-13 | Gatan, Inc. | Apparatus for etching and coating sample specimens for microscopic analysis |
JP3886209B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2007-02-28 | 貞夫 門倉 | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
WO1999058737A1 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-18 | Kaufman & Robinson, Inc. | Apparatus for sputter deposition |
US6048813A (en) | 1998-10-09 | 2000-04-11 | Cree, Inc. | Simulated diamond gemstones formed of aluminum nitride and aluminum nitride: silicon carbide alloys |
US7838842B2 (en) | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | Dual mode ion source for ion implantation |
JP4820038B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2011-11-24 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
US7838850B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | External cathode ion source |
US6583544B1 (en) | 2000-08-07 | 2003-06-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source having replaceable and sputterable solid source material |
US6661014B2 (en) | 2001-03-13 | 2003-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for oxygen implantation |
JP3485104B2 (ja) | 2001-04-24 | 2004-01-13 | 日新電機株式会社 | イオン源用オーブン |
KR100444229B1 (ko) | 2001-12-27 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 유전체 자기 조성물 |
US20040118452A1 (en) * | 2002-01-30 | 2004-06-24 | Plasmion Corporation | Apparatus and method for emitting cesium vapor |
JP3558069B2 (ja) | 2002-04-30 | 2004-08-25 | 日新電機株式会社 | イオン源 |
WO2004013661A2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-02-12 | E.A. Fischione Instruments, Inc. | Methods and apparatus for preparing specimens for microscopy |
JP4158603B2 (ja) | 2003-06-03 | 2008-10-01 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム発生方法およびイオン源 |
WO2005060602A2 (en) * | 2003-12-12 | 2005-07-07 | Semequip, Inc. | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
EP1713948A2 (en) | 2004-01-22 | 2006-10-25 | Ionized Cluster Beam Technology Co., Ltd. | Vacuum deposition method and sealed-type evaporation source apparatus for vacuum deposition |
US20070158188A1 (en) * | 2004-06-15 | 2007-07-12 | Ivanov Eugene Y | Metal foam shield for sputter reactor |
JP2006070351A (ja) | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 蒸着装置および蒸着方法 |
US7102139B2 (en) | 2005-01-27 | 2006-09-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Source arc chamber for ion implanter having repeller electrode mounted to external insulator |
GB0505856D0 (en) | 2005-03-22 | 2005-04-27 | Applied Materials Inc | Cathode and counter-cathode arrangement in an ion source |
KR100793366B1 (ko) | 2006-07-04 | 2008-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기물 증착장치 및 그 증착방법 |
US7655932B2 (en) | 2007-01-11 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing ion source feed materials |
US7700925B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-04-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
US8003954B2 (en) | 2008-01-03 | 2011-08-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Gas delivery system for an ion source |
TWI413149B (zh) | 2008-01-22 | 2013-10-21 | Semequip Inc | 離子源氣體反應器及用於將氣體饋給材料轉化成不同分子或原子物種之方法 |
US7812321B2 (en) | 2008-06-11 | 2010-10-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
US8809800B2 (en) | 2008-08-04 | 2014-08-19 | Varian Semicoductor Equipment Associates, Inc. | Ion source and a method for in-situ cleaning thereof |
JP2010111884A (ja) | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングカソード及びスパッタリング成膜装置 |
JP2012001764A (ja) | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Fujitsu Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
KR101209107B1 (ko) | 2010-06-23 | 2012-12-06 | (주)알파플러스 | 소스 튐 방지용 구조물을 구비한 증발원 장치 |
US20120048723A1 (en) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Sputter target feed system |
WO2012045411A1 (de) | 2010-10-04 | 2012-04-12 | Schneider Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten einer optischen linse sowie optische linse und transportbehältnis für optische linsen |
US8324592B2 (en) | 2010-11-02 | 2012-12-04 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Ion source and a method of generating an ion beam using an ion source |
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US8937003B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-01-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for ion implanting a target |
US9064795B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-06-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for processing a substrate |
US9396902B2 (en) | 2012-05-22 | 2016-07-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Gallium ION source and materials therefore |
US9349395B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-05-24 | International Business Machines Corporation | System and method for differential etching |
TWI506680B (zh) * | 2013-02-22 | 2015-11-01 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | Substrate cooling means and irradiating ion beam |
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EP2992546A1 (en) | 2013-05-02 | 2016-03-09 | Praxair Technology Inc. | Supply source and method for enriched selenium ion implantation |
US20150034837A1 (en) | 2013-08-01 | 2015-02-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Lifetime ion source |
JP6266458B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-01-24 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | イリジウムティップ、ガス電界電離イオン源、集束イオンビーム装置、電子源、電子顕微鏡、電子ビーム応用分析装置、イオン電子複合ビーム装置、走査プローブ顕微鏡、およびマスク修正装置 |
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GB2528141B (en) | 2014-09-18 | 2016-10-05 | Plasma App Ltd | Virtual cathode deposition (VCD) for thin film manufacturing |
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WO2017196622A2 (en) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | Veeco Instruments Inc. | Ion beam materials processing system with grid short clearing system for gridded ion beam source |
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US10600611B2 (en) | 2017-12-12 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Ion source crucible for solid feed materials |
US11404254B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-08-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insertable target holder for solid dopant materials |
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