JP2024041768A - 半導体デバイス、プリント回路基板(pcb)、および電池管理システム(bms)における、パワー半導体デバイス(mosfet)の制御ピン(ゲートピン)をプリント回路基板(pcb)にインターフェースする方法 - Google Patents
半導体デバイス、プリント回路基板(pcb)、および電池管理システム(bms)における、パワー半導体デバイス(mosfet)の制御ピン(ゲートピン)をプリント回路基板(pcb)にインターフェースする方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】半導体デバイス(例えば、MOSFET)、半導体デバイス(例えば、MOSFET)を有するプリント回路基板(PCB)及びパワー半導体デバイス(例えば、MOSFET)の制御ピンをリチウムイオン電池の電池管理システム(BMS)におけるプリント回路基板にインターフェースする方法を提供する。【解決手段】MOSFET10は、本体12と、MOSFET10の側面から外側に延在する金属導体12Aと、本体12の少なくとも1つの側面から外側に延在し、下方に屈曲された先端部を有する複数の電源ピン13と、本体12の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピン14とを含む。ゲートピン14の先端部は、BMSの回路に接続され、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピン13の先端部に対して隆起または上昇する。【選択図】図3
Description
本発明は、半導体デバイス(例えば、MOSFET)、半導体デバイス(例えば、MOSFET)を有するプリント回路基板(PCB)、およびパワー半導体デバイス(例えば、MOSFET)の制御ピンをリチウムイオン電池の電池管理システム(BMS)におけるプリント回路基板にインターフェースする方法に関する。
リチウムイオン電池は、様々な故障状態に対する保護を設けるために電池管理システム(BMS)を必要とする。BMSは、故障状態が発生すると、内部電池セルを外部電池端子から切断する。半導体パワーデバイス、典型的にはMOSFETが、この切断機能を付与するために使用される。MOSFETは電池セルと直列であるため、電池電流すべてがMOSFETを通過することに対処できなければならず、これはいくつかの用途では非常に高電流になり得る。
BMS内のMOSFETは非常に高い電流を流す必要があるため、設計者は最高の性能を有するMOSFETを選択することを望む。典型的には、これは、最も低いオン抵抗、最も低い熱抵抗、および最も高い最大ドレイン電流定格を有するMOSFETを意味する。加えて、用途のために選択されるMOSFETは、用途のための適切なドレイン電圧定格を有さなければならない。これらの要件により、所与のBMS用途に利用可能な最高の性能のMOSFETは、表面実装パッケージに構成されることが多い。
多くの場合、MOSFETはプリント回路基板(PCB)に直接はんだ付けされる。この場合、表面実装パッケージのMOSFETが適切である。しかしながら、いくつかの新しい高電流の用途では、MOSFETを導電性プレートまたはバー(例えば、銅板またはバー)に取り付けることが望ましく、これは熱の上昇を減少させ、MOSFETを通って伝導することができる最大電流を増加させるためにヒートシンクとして作用することが可能である。この場合、各標準MOSFET上のゲートピンをシステムコントローラ集積回路(IC)に接続しなければならず、銅板またはバーに接続してはならないため、標準MOSFET表面実装パッケージの構成が問題となる。
このように標準MOSFETを接続することの困難は、各標準MOSFET表面実装パッケージ上のゲートピンの接続端が、図1に示す従来のMOSFETに示すように、電源ピンの接続端部と同じ平面内に位置することである。これにより、銅板またはバーに接続された電源ピンからゲートピンを電気的に絶縁すること、およびゲートピンをコントローラ集積回路(IC)に接続することが困難になる。
したがって、新規かつ改良されたMOSFET表面実装構成、および1つまたは複数を有するプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する新規かつ改良された方法を提供する必要がある。
繰り返しになるが、従来のMOSFETは、例えばリチウムイオン電池の電池管理システム(BMS)で使用するために、銅板またはバーが設けられたまたは取り付けられたプリント回路基板(PCB)上に設置されるように構成されていない。
解決策は、ゲートピンを銅板またはバーから絶縁するために絶縁材料を使用して、プリント回路基板(PCB)上に設置された銅板またはバーからMOSFETの電源ピン(例えばゲートピン)を絶縁することである。例えば、電子機器製造に一般的に使用されるポリアミドテープまたは他の絶縁材料をこの目的のために使用することができる。しかしながら、ゲートピンにワイヤをはんだ付けすることは製造上困難であり、ショートによる故障が発生しやすい。したがって、MOSFETゲートピンを分離して接続するためのより良好な方法が望まれている。
本発明は、隆起または上昇したゲートピンを有するMOSFETを提供することを目的とする。例えば、MOSFETのゲートピンは、ゲートピンの製造中および/またはMOSFETの製造中に直線状にされるか、または部分的に屈曲される。代替的に、ゲートピンの製造中および/またはMOSFETの製造中に、屈曲したゲートピンを真っ直ぐにまたは部分的に屈曲させることができる。例えば、製造されたMOSFETのゲートピンは、上方に屈曲されて、プリント回路基板(PCB)の銅板もしくはバー、または電源ピンが取り付けられている他の導体からの物理的および電気的絶縁を提供する。
ゲートピンは、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、例えば、電池管理システム(BMS)の集積回路(IC)に接続される。例えば、接続ワイヤを使用して、隆起または上昇したMOSFET上のゲートピンまたはリードを、コントローラ電子機器を含むPCBに接続する。複数のMOSFETが並列する場合、各MOSFETはPCBに接続する個々のワイヤを有してもよく、または個々のピンはデイジーチェーン方式で一緒に配線され、次いで単一のワイヤがプリント回路基板(PCB)に接続するために使用されてもよい。
場合によっては、電池管理システム(BMS)は、過酷な環境で動作しなければならず、深刻な衝撃および振動に耐えなければならない。この場合、プリント回路基板(PCB)上に設置されたMOSFETは、物理的安定性ならびに衝撃および振動に対する耐性を付与するために、MOSFET(例えば、PCBとゲートピンとの間)上のゲートピンの下および周囲に配置された材料を含む。この用途に適した材料の例は、RTV(Room Temperature Vulcanizing Silicone)である。他の材料もまた、この用途に適し得る。
別の例として、プリント回路基板(BCB)には、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇しているMOSFETの隆起または上昇したゲートリードに接続するための別のプリント回路基板(例えば、ゲートプリント回路基板(PCB))が設けられる。複数のMOSFETが使用される場合、ゲートプリント回路基板(PCB)は各MOSFETとインターフェースする。
ゲートプリント回路基板(PCB)は、ワイヤを使用して電池管理システム(BMS)コントローラを含むメインのPCBに接続される。電気コネクタなどの他の標準的な電気接続方法を使用して接続を行うことができる。
MOSFETゲートを互いに接続することができるか、または分離されたままでなければならないかに応じて、ゲートプリント回路基板(PCB)とメインプリント回路基板(PCB)との間に1つまたは複数の接続点が存在する
ゲートプリント回路基板(PCB)は、MOSFETゲートにインターフェースする電気部品を含むことができる。
ゲートプリント回路基板(PCB)は、接続に機械的安定性を提供する。しかしながら、BMSの動作環境が過酷な場合、衝撃および振動に対してMOSFETゲートをさらに安定化させるために、本発明で上述したように、RTVまたは同様の材料を追加することができる。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、半導体本体と、半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇し、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続される、MOSFETデバイスに関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、半導体本体と、半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇し、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、ゲートピンが直線状のゲートピンである、MOSFETデバイスに関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、半導体本体と、半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇し、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、電源ピンが完全に屈曲した構成を有し、ゲートピンが部分的に屈曲した構成を有する、MOSFETデバイスに関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、半導体本体と、半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇し、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、電源ピンの先端部の下面は、半導体本体の下面と同一平面内に位置する、MOSFETデバイスに関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、半導体本体と、半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇し、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、ゲートピンは、ゲートピンを電池管理システム(BMS)の回路に接続するためのプリント回路基板(PCB)のトレースに接続される、MOSFETデバイスに関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、半導体本体と、半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇し、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、ゲートピンは、ゲートピンを電池管理システム(BMS)の回路に接続するためのプリント回路基板(PCB)のトレースに接続され、ゲートピンは、コネクタワイヤによってプリント回路基板のトレースに接続される、MOSFETデバイスに関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、半導体本体と、半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇し、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、ゲートピンは、ゲートピンを電池管理システム(BMS)の回路に接続するためにプリント回路基板(PCB)に接続されるゲートプリント回路基板に接続される、MOSFETデバイスに関する。
現在記載の主題は、リチウムイオン電池の電池管理システム(BMS)と共に使用するためのプリント回路基板(PCB)デバイスであって、離間した銅板を有するプリント回路基板、および 銅板を橋絡する複数のMOSFETであって、半導体本体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲され、離間した銅板のうちの1つに接続された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンであって、電池管理システム(BMS)の回路に接続されるゲートピンとを各々が含む複数のMOSFETを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇しており、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続される、デバイスに関する。
現在記載の主題は、リチウムイオン電池の電池管理システム(BMS)と共に使用するためのプリント回路基板(PCB)デバイスであって、離間した銅板を有するプリント回路基板、および 銅板を架橋する複数のMOSFETであって、半導体本体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲され、離間した銅板のうちの1つに接続された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンであって、電池管理システム(BMS)の回路に接続されるゲートピンとを各々が含む複数のMOSFETを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇しており、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、ゲートピンが直線状のゲートピンである、デバイスに関する。
現在記載の主題は、リチウムイオン電池の電池管理システム(BMS)と共に使用するためのプリント回路基板(PCB)デバイスであって、離間した銅板を有するプリント回路基板、および 銅板を橋絡する複数のMOSFETであって、半導体本体と、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲され、離間した銅板のうちの1つに接続された先端部を有する、複数の電源ピンと、半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンであって、電池管理システム(BMS)の回路に接続されるゲートピンとを各々が含む複数のMOSFETを含み、ゲートピンの先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、電源ピンの先端部に対して隆起または上昇しており、ゲートピンの先端部は、電池管理システム(BMS)の回路に接続され、ゲートピンは、部分的に屈曲したゲートピンであるデバイスに関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する方法であって、MOSFETのゲートピンの先端部を、MOSFETの電源ピンの先端部に対して隆起または上昇した位置に配置することと、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)上に位置する一対の離間した銅板を橋絡するMOSFETを設置することであって、電源ピンの先端部が離間した銅板のうちの1つに接続され、MOSFETの金属コネクタが離間した銅板のうちの他方に接続される、設置することと、ゲートピンの隆起または上昇した先端部を電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続することと、を含む方法に関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する方法であって、MOSFETのゲートピンの先端部を、MOSFETの電源ピンの先端部に対して隆起または上昇した位置に配置することと、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)上に位置する一対の離間した銅板を橋絡するMOSFETを設置することであって、電源ピンの先端部が離間した銅板のうちの1つに接続され、MOSFETの金属コネクタが離間した銅板のうちの他方に接続される、設置することと、ゲートピンの隆起または上昇した先端部を電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続することと、を含み、MOSFETの電源ピンは屈曲しており、MOSFETのゲートピンは、隆起または上昇した先端部を有する直線状のゲートピンである、方法に関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する方法であって、MOSFETのゲートピンの先端部を、MOSFETの電源ピンの先端部に対して隆起または上昇した位置に配置することと、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)上に位置する一対の離間した銅板を橋絡するMOSFETを設置することであって、電源ピンの先端部が離間した銅板のうちの1つに接続され、MOSFETの金属コネクタが離間した銅板のうちの他方に接続される、設置することと、ゲートピンの隆起または上昇した先端部を電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続することと、を含み、MOSFETの電源ピンは屈曲しており、MOSFETのゲートピンは、隆起または上昇した先端部を有する部分的に屈曲したゲートピンである、方法に関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する方法であって、MOSFETのゲートピンの先端部を、MOSFETの電源ピンの先端部に対して隆起または上昇した位置に配置することと、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)上に位置する一対の離間した銅板を橋絡するMOSFETを設置することであって、電源ピンの先端部が離間した銅板のうちの1つに接続され、MOSFETの金属コネクタが離間した銅板のうちの他方に接続される、設置することと、ゲートピンの隆起または上昇した先端部を電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続することと、を含み、ゲートピンは、接続ワイヤを用いて電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続される、方法に関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する方法であって、MOSFETのゲートピンの先端部を、MOSFETの電源ピンの先端部に対して隆起または上昇した位置に配置することと、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)上に位置する一対の離間した銅板を橋絡するMOSFETを設置することであって、電源ピンの先端部が離間した銅板のうちの1つに接続され、MOSFETの金属コネクタが離間した銅板のうちの他方に接続される、設置することと、ゲートピンの隆起または上昇した先端部を電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続することと、を含み、ゲートピンは、ゲートプリント回路基板(PCB)を用いて電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続される、方法に関する。
現在記載の主題は、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する方法であって、MOSFETのゲートピンの先端部を、MOSFETの電源ピンの先端部に対して隆起または上昇した位置に配置することと、電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)上に位置する一対の離間した銅板を橋絡するMOSFETを設置することであって、電源ピンの先端部が離間した銅板のうちの1つに接続され、MOSFETの金属コネクタが離間した銅板のうちの他方に接続される、設置することと、ゲートピンの隆起または上昇した先端部を電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続することと、を含み、ゲートピンの電池管理システム(BMS)の回路との接続は、ゲートピンの接続とプリント回路基板(PCB)の表面との間に弾性材料を設けることによって機械的に安定化される、方法に関する。
本発明による半導体デバイス(例えば、MOSFET10)を図2および図3に示す。
MOSFET10は、本体12と、金属コネクタ12Aと、5つの電源ピン13と、1つのゲートピン14とを備える。電源ピン13およびゲートピン14は、本体12の側面から外側に延在する。ゲートピン14は、例えば、直線状のゲートピン14、または部分的に屈曲したゲートピン14’(図2)であり、電源ピン14は、図4に示すように、完全に屈曲している。
図2に示すように電源ピン13の先端部が高さH1に位置することが、指摘される。部分的に屈曲したゲートピン14’の先端部の高さは高さH2(すなわち、高さの半分の位置)にあり、直線状のゲートピン14の先端部の高さは高さH3(すなわち、高さ全体)にある。したがって、部分的に屈曲したゲートピン14’の先端部および直線状のゲートピン14の先端部は、高さH1に位置する電源ピン13の先端部に対して上昇している。したがって、MOSFET10が設置された後、部分的に屈曲したゲートピン14’の先端部および直線状のゲートピン14の先端部は、導電性プレート18(図4)に対して隆起または上昇し、それらの間の電気的な接触を回避する。
図2および図3に示すように、MOSFET10および銅板17、18が、プリント回路基板(PCB)16上に設置される。具体的には、銅板17、18は離間され、次いで、プリント回路基板(PCB)16上に配置されたアンカー(例えば、表面に、もしくは厚みに、またはプリント回路基板(PCB)16を貫通して埋め込まれた銅板)上にはんだ付けされる。次いで、MOSFET10は、離間した銅板17、18上にはんだ付けされる。具体的には、MOSFET10の金属コネクタ12Aを銅板17上にはんだ付け(例えば、はんだ層20を介して)し、MOSFET10の電源ピン13の先端部を銅板18上にはんだ付け(例えば、はんだ層21を介して)する。さらに、ワイヤコネクタ15の一端はゲートピン14にはんだ付けされ、ワイヤコネクタ15の反対側の端部は、プリント回路基板(PCB)16の特定のトレース上にはんだ付け(例えば、はんだ層19を介して)される。
図5に示すように、少なくともゲートピン14とプリント回路基板(PCB)22の上面との間に材料22(例えば、室温硬化(RTV)シリコーン)を適用して、振動および/または物理的衝撃に対してゲートピン14およびワイヤコネクタ15を安定させて支持し、ゲートピン14とワイヤコネクタ15との間のはんだ接続の破損を防止する。材料22は、例えば、コークガン(caulk gun)によって適用される。
本発明によるプリント回路基板(PCB)116上に1つ以上のMOFET112を設置するための別の構成が、図6および図7に示される。離間した銅板118、117、118上に、複数のMOFET112(例えば、6個が示されている)がはんだ付けにより設置される。電源ピン113の先端部は、各銅板118にはんだ付けされる。ゲートピン114の先端部は、銅板118、118に(例えば、はんだ付けによって)接続されたそれぞれのゲートプリント回路基板123上にはんだ付けされる。具体的には、ゲートプリント回路基板123には、複数のはんだ付けタブまたははんだ付け領域124が設けられ、これらは直線状のゲートピン114のそれぞれの先端部にはんだ付けされる。
ゲートプリント回路基板123は、銅板118、118とゲートピン124の先端部との間に位置する絶縁スペーサとして機能する。ゲートプリント回路基板は、プリント回路基板116の他の回路または構成要素(例えば、配線または導電性リードを介して)に(例えば、はんだ付け)接続することができる導電性トレースまたは導電層を有する。
ゲートプリント回路基板123は、銅板118とMOSFET112のゲートピン114の先端部との間の空間を占有し、MOSFET112のゲートピン114の先端部と銅板118とを絶縁する。
Claims (16)
- 電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)と共に使用するためのMOSFETデバイスであって、
半導体本体と、
前記半導体本体の側面から外側に延在する金属導体と、
前記半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲された先端部を有する、複数の電源ピンと、
前記半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンとを含み、
前記ゲートピンの前記先端部は、離間した銅板のうちの1つとの電気的接触を回避するように、前記電源ピンの前記先端部に対して隆起または上昇し、
前記ゲートピンの前記先端部は、前記電池管理システム(BMS)の回路に接続される、MOSFETデバイス。 - 前記ゲートピンは、直線状のゲートピンである、請求項1に記載のデバイス。
- 前記電源ピンが完全に屈曲した構成を有し、前記ゲートピンが部分的に屈曲した構成を有する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記電源ピンの前記先端部の下面は、前記半導体本体の下面と同一平面内に位置する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ゲートピンは、前記ゲートピンを前記電池管理システム(BMS)の回路に接続するために前記プリント回路基板(PCB)のトレースに接続される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ゲートピンは、コネクタワイヤによって前記プリント回路基板の前記トレースに接続されている、請求項5に記載のデバイス。
- 前記ゲートピンは、前記ゲートピンを前記電池管理システム(BMS)の回路に接続するために前記プリント回路基板(PCB)に接続されたゲートプリント回路基板に接続される、請求項1に記載のデバイス。
- リチウムイオン電池の電池管理システム(BMS)と共に使用するためのプリント回路基板(PCB)デバイスであって、
離間した銅板を有するプリント回路基板、および
前記銅板を橋絡する複数のMOSFETであって、
半導体本体と、
前記半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在する複数の電源ピンであって、下方に屈曲され、前記離間した銅板のうちの1つに接続された先端部を有する、複数の電源ピンと、
前記半導体本体の少なくとも1つの側面から外側に延在するゲートピンであって、前記電池管理システム(BMS)の回路に接続されるゲートピンと
を各々が含む複数のMOSFET
を含み、
前記ゲートピンの前記先端部は、前記離間した銅板のうちの前記1つとの電気的接触を回避するように、前記電源ピンの前記先端部に対して隆起または上昇しており、
前記ゲートピンの前記先端部は、前記電池管理システム(BMS)の回路に接続される、デバイス。 - 前記ゲートピンは、直線状のゲートピンである、請求項8に記載のデバイス。
- 前記ゲートピンは、部分的に屈曲したゲートピンである、請求項8に記載のデバイス。
- 電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)にMOSFETを接続する方法であって、
MOSFETのゲートピンの先端部を、前記MOSFETの電源ピンの先端部に対して隆起または上昇した位置に配置するステップと、
前記電池管理システム(BMS)のプリント回路基板(PCB)上に位置する一対の離間した銅板を橋絡する前記MOSFETを設置するステップであって、前記電源ピンの前記先端部が前記離間した銅板のうちの1つに接続され、前記MOSFETの金属コネクタが前記離間した銅板のうちの他方に接続される、設置するステップと、
前記ゲートピンの前記隆起または上昇した先端部を前記電池管理システム(BMS)の回路に電気的に接続するステップと、を含む方法。 - 前記MOSFETの前記電源ピンが屈曲しており、前記MOSFETの前記ゲートピンが、隆起または上昇した先端部を有する直線状のゲートピンである、請求項11に記載の方法。
- 前記MOSFETの前記電源ピンが屈曲しており、前記MOSFETの前記ゲートピンが、隆起または上昇した先端部を有する部分的に屈曲した、ゲートピンである、請求項11に記載の方法。
- 前記ゲートピンは、接続ワイヤを用いて前記電池管理システム(BMS)の前記回路に電気的に接続される、請求項11に記載の方法。
- 前記ゲートピンは、ゲートプリント回路基板(PCB)を用いて前記電池管理システム(BMS)の前記回路に電気的に接続される、請求項11に記載の方法。
- 前記ゲートピンと前記電池管理システム(BMS)の前記回路との接続が、前記ゲートピンの前記接続と前記プリント回路基板(PCB)の表面との間に弾性材料を備えることによって、機械的に安定化される、請求項11に記載の方法。
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