JP2024039690A - Ddr型ゼオライト触媒の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】エチレンの高収率化を達成できるDDR型ゼオライト触媒の製造方法を提供すること。【解決手段】構成元素としてケイ素(Si)とアルミニウム(Al)を含有し、ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)が60以上150以下であって、平均一次粒子径が1000nm以下であるDDR型ゼオライト触媒の製造方法であって、ゼオライトの合成原料ゲルに界面活性剤を添加することを特徴とする、DDR型ゼオライト触媒の製造方法である。【選択図】なし
Description
本発明はDDR型ゼオライト触媒の製造方法に関し、より詳細には触媒として使用した際に、エチレンの高収率化を達成できるDDR型ゼオライト触媒の製造方法に関する。
エチレン、プロピレン、ブテンといった低級オレフィンを製造する方法としては、従来からナフサのスチームクラッキングや減圧軽油の流動接触分解が一般的に実施されており、近年ではエチレンと2-ブテンを原料としたメタセシス反応やメタノールおよび/またはジメチルエーテルを原料としたMTO(メタノール to オレフィン)プロセスが知られている。
例えば非特許文献1~3には、メタノールを原料として、DDR型構造を有するゼオライト(Sigma-1、ZSM-58ゼオライト)を触媒として使用することにより、C5以上の炭化水素成分の副生を抑制することができ、エチレンとプロピレンを高収率で製造できることが開示されている。
Catal.Sci.Technol.,6,2663-2678(2016)
ACS Catal.,7,4033-4046(2017)
ACS Catal.,10,3009-3017(2020)
非特許文献1では、粒子径が2.5μm程度のDDR型ゼオライトでSi/Al2比(NH3-TPDより算出した値)を120から415まで振ったときのエチレン収率が報告されている。この結果をみるとSi/Al2が高いほどエチレン収率が高い結果となっており、エチレンの最高収率としては43%程度となっている。また、Si/Al2比が315のサンプルについて、粒子径を振ったときのエチレン収率が報告されており、粒子径が小さいサンプルほどエチレン収率が高い傾向にあり、エチレンの最高収率は46%程度となっている。
また、非特許文献2にはSi/Al=50で粒子径が500-1000nm程度のDDR型ゼオライトの反応評価結果が載っており、エチレンの最高収率は48%程度となっている。
さらに、非特許文献3では、粒子径が数μm程度でSi/Al比が22から172のDDR型ゼオライトについて性能比較した結果が報告されている。メタノール転化率45-55%の領域での比較となっているが、Si/Al=22でエチレン選択率が最大となり、37%程度の値を示している。しかしながら、エチレンを高収率化するためのSi/Al比、粒子径に関する検討は十分になされてはおらず、特に粒子径を小さくしたときの最適なSi/Al比については分かっていない。
低級オレフィンとしてエチレンを選択的に製造したいユーザー向けに、エチレン収率50%を超えるようなゼオライト触媒が必要とされている。
また、非特許文献2にはSi/Al=50で粒子径が500-1000nm程度のDDR型ゼオライトの反応評価結果が載っており、エチレンの最高収率は48%程度となっている。
さらに、非特許文献3では、粒子径が数μm程度でSi/Al比が22から172のDDR型ゼオライトについて性能比較した結果が報告されている。メタノール転化率45-55%の領域での比較となっているが、Si/Al=22でエチレン選択率が最大となり、37%程度の値を示している。しかしながら、エチレンを高収率化するためのSi/Al比、粒子径に関する検討は十分になされてはおらず、特に粒子径を小さくしたときの最適なSi/Al比については分かっていない。
低級オレフィンとしてエチレンを選択的に製造したいユーザー向けに、エチレン収率50%を超えるようなゼオライト触媒が必要とされている。
本発明は、上記課題を解決するものであり、エチレンの高収率化を達成できるDDR型ゼオライト触媒の製造方法を提供することを課題とする。
本発明者らは上記課題を解決すべく検討を進め、DDR型ゼオライト製造時の合成原料ゲルに界面活性剤を添加し、DDR型ゼオライトの構成元素としてのケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)と、平均一次粒子径を適切なものとすることで、触媒としてエチレンの高収率化を達成できるDDR型ゼオライトを提供することができることを見出し、本発明を完成させた。
本発明は、以下の要旨を含む。
[1]構成元素としてケイ素(Si)とアルミニウム(Al)を含有し、ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)が60以上150以下であって、平均一次粒子径が1000nm以下であるDDR型ゼオライト触媒の製造方法であって、
ゼオライトの合成原料ゲルに界面活性剤を添加することを特徴とする、DDR型ゼオライト触媒の製造方法。
[2]構造規定剤としてヨウ化メチルトロピニウムを使用する、上記[1]に記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
[3]前記DDR型ゼオライト触媒が、窒素吸脱着測定において、tプロットにより算出した外表面積(A1)に対する、BETプロットにより算出したBET比表面積(A2)の割合(A2/A1)が20以下である、上記[1]又は[2]に記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
[4]前記DDR型ゼオライト触媒が、メタノールおよび/またはジメチルエーテルを含む原料から低級オレフィンを製造する触媒である、上記[1]~[3]のいずれかに記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
[1]構成元素としてケイ素(Si)とアルミニウム(Al)を含有し、ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)が60以上150以下であって、平均一次粒子径が1000nm以下であるDDR型ゼオライト触媒の製造方法であって、
ゼオライトの合成原料ゲルに界面活性剤を添加することを特徴とする、DDR型ゼオライト触媒の製造方法。
[2]構造規定剤としてヨウ化メチルトロピニウムを使用する、上記[1]に記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
[3]前記DDR型ゼオライト触媒が、窒素吸脱着測定において、tプロットにより算出した外表面積(A1)に対する、BETプロットにより算出したBET比表面積(A2)の割合(A2/A1)が20以下である、上記[1]又は[2]に記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
[4]前記DDR型ゼオライト触媒が、メタノールおよび/またはジメチルエーテルを含む原料から低級オレフィンを製造する触媒である、上記[1]~[3]のいずれかに記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
本発明によれば、エチレンの高収率化を達成できるDDR型ゼオライト触媒の製造方法を提供することができる。また、当該ゼオライトを低級オレフィン合成用の触媒として用いることができる。
以下、本発明について詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施形態の一例(代表例)であり、本発明はこれらの内容に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
[DDR型ゼオライト]
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライト触媒は、構成元素としてケイ素(Si)とアルミニウム(Al)を含有し、ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)が60以上150以下であって、平均一次粒子径が1000nm以下である。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライト触媒は、構成元素としてケイ素(Si)とアルミニウム(Al)を含有し、ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)が60以上150以下であって、平均一次粒子径が1000nm以下である。
DDR型ゼオライトは、その構成単位として、2つの8員環構造が交差した形状を有する2次元細孔構造を有するゼオライトである。IZAのデータベースによると細孔径は3.6×4.4Åであり、MTO触媒として工業化されているSAPO-34に代表されるCHA型ゼオライト(3.8×3.8Å)と比較すると、細孔が狭まった構造となっており、そのため、C5以上の炭化水素成分の副生を抑制できると推察される。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトは、上述の通り、構成元素としてケイ素(Si)とアルミニウム(Al)を含有し、ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)が60以上150以下であり、且つ、平均一次粒子径が1000nm以下である。
ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)および平均一次粒子径が上記範囲であることで、低級オレフィンを製造するときにエチレンを高収率で得ることができる。具体的にはケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)は70以上であることが好ましく、より好ましくは75以上、さらに好ましくは80以上である。Si/Al比がこの範囲であることによりメタン等のパラフィンの副生を抑制することができる。また、Si/Alは、好ましくは140以下、より好ましくは130以下である。Si/Al比がこの範囲であることにより、エチレンが生成するクラッキング反応が起きやすくなる。
加えて、平均一次粒子径は1000nm以下であることが必須であり、好ましくは900nm以下、より好ましくは800nm以下、さらに好ましくは700nm以下である。平均一次粒子径がこの範囲であることによりメタン等のパラフィンの副生を抑制することができる。下限は特に限定されるものではないが、通常20nm以上、好ましくは40nm以上であり、特に好ましくは60nm以上である。
「一次粒子径」及び「平均一次粒子径」は、いずれも走査型電子顕微鏡(SEM)により算出することができる。
ここで、「一次粒子」とは、粒界が確認されない最小の粒子のことをいう。本発明では、ゼオライト触媒のSEM画像を取得し、当該SEM画像に含まれるゼオライトに相当する部分であって、粒界が確認されない最小粒子を「一次粒子」として判断する。なお、本発明においては、一次粒子は単体の粒子として存在していなくてもよく、凝集等により二次粒子を形成していてもよい。二次粒子を形成していたとしても、SEM画像において二次粒子の表面の一次粒子を判別可能である。なお、DDR型ゼオライトは表面にひび割れのようなものが見られることがあるが、それは一次粒子には含めない。
「平均一次粒子径」とは以下のようにして測定されたものをいう。すなわち、ゼオライト触媒のSEM画像に含まれる一次粒子を無作為に50個選択し、選択した50個の一次粒子それぞれについて長径(一次粒子の一端と多端とを直線で結んだ場合に最長となる直線の長さ)を測定し、測定した50個の長径の相加平均値を「平均一次粒子径」とする。ただし、ゼオライト触媒全体において一次粒子が50個未満しか含まれていない場合は、ゼオライト触媒に含まれるすべての一次粒子について、それぞれの長径を測定し、その平均値を「平均一次粒子径」とする。
ここで、「一次粒子」とは、粒界が確認されない最小の粒子のことをいう。本発明では、ゼオライト触媒のSEM画像を取得し、当該SEM画像に含まれるゼオライトに相当する部分であって、粒界が確認されない最小粒子を「一次粒子」として判断する。なお、本発明においては、一次粒子は単体の粒子として存在していなくてもよく、凝集等により二次粒子を形成していてもよい。二次粒子を形成していたとしても、SEM画像において二次粒子の表面の一次粒子を判別可能である。なお、DDR型ゼオライトは表面にひび割れのようなものが見られることがあるが、それは一次粒子には含めない。
「平均一次粒子径」とは以下のようにして測定されたものをいう。すなわち、ゼオライト触媒のSEM画像に含まれる一次粒子を無作為に50個選択し、選択した50個の一次粒子それぞれについて長径(一次粒子の一端と多端とを直線で結んだ場合に最長となる直線の長さ)を測定し、測定した50個の長径の相加平均値を「平均一次粒子径」とする。ただし、ゼオライト触媒全体において一次粒子が50個未満しか含まれていない場合は、ゼオライト触媒に含まれるすべての一次粒子について、それぞれの長径を測定し、その平均値を「平均一次粒子径」とする。
平均一次粒子径を特定の範囲とすることは、例えば、種結晶として粒子径の小さいDDR型ゼオライトを用いることや、DDR型ゼオライトの製造工程において、ゼオライトの合成原料ゲルに界面活性剤を添加することなどにより、達成できる。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトに構成元素として含まれるケイ素(Si)およびアルミニウム(Al)以外のそのほかの元素としては特に限定はされないが、例えばホウ素(B)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、鉄(Fe)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、ジルコニウム(Zr)、錫(Sn)から選ばれる1種または2種以上が挙げられる。
具体的に好ましくは、構成元素としてSiおよびAlを含有する結晶性アルミノシリケートに加えGaを含有する結晶性ガロアルミノシリケートが挙げられる。これらのゼオライトは、ゼオライト骨格内のAlやGaが酸点となり、触媒反応の活性点として働くため、触媒活性に優れる。
構成元素としてSiおよびAlに加えてGaを含む結晶性ガロアルミノシリケートの場合、Gaの含有量比率としては特に限定されるものではないが、Si/Gaモル比は50以上、特に100以上、とりわけ200以上で、4000以下、特に2000以下、とりわけ1000以下であることが好ましい。また、Ga/Alモル比は0.1以上、特に0.2以上、とりわけ0.4以上で、8以下、特に4以下、とりわけ2以下であることが好ましい。上記Si/Gaモル比及びGa/Alモル比とすることで、十分な触媒活性を有するとともに、触媒寿命が極めて優れたゼオライト触媒とすることができ、好ましい。
なお、本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトのSi、Al、Ga等の含有量は、通常、誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-AES)等により、製造されたDDR型ゼオライトについて測定された値であり、原料の仕込みの比率ではない。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトのイオン交換サイトは、特に限定されず、H型であっても、金属イオンで交換されたものであってもよい。ここで、金属イオンとは、具体的にはアルカリ金属イオンやアルカリ土類金属イオン、セリウム、タングステン、マンガン、鉄等である。
[外表面積(A1)に対するBET比表面積(A2)の割合]
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトの外表面積(A1)は、通常5m2/g以上、好ましくは10m2/g以上、より好ましくは15m2/g以上、さらに好ましくは20m2/g以上、よりさらに好ましくは25m2/g以上、特に好ましくは30m2/g以上であって、通常500m2/g以下、好ましくは300m2/g以下、より好ましくは200m2/g以下である。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトのBET比表面積(A2)は、通常150m2/g以上、好ましくは200m2/g以上、より好ましくは250m2/g以上、さらに好ましくは300m2/g以上、特に好ましくは350m2/g以上であって、通常1000m2/g以下、好ましくは800m2/g以下、より好ましくは700m2/g以下である。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトの外表面積(A1)に対する、BET比表面積(A2)の割合(A2/A1)は、20以下であることが好ましい。A2/A1が20以下であると反応生成物の細孔外への拡散が向上し、コーキングが抑制できると考えられる。以上の観点から、A2/A1はより好ましくは18以下、さらに好ましくは16以下、よりさらに好ましくは14以下、特に好ましくは12以下である。一方、下限値は特に限定されないが、通常2以上である。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトのマイクロ孔容積(A3)は、特に限定されるものではなく、通常0.05mL/g以上、好ましくは0.075mL/g以上、より好ましくは0.10mL/g以上であって、通常3mL/g以下、好ましくは2mL/g以下である。
なお、外表面積(A1)、BET比表面積(A2)、及びマイクロ孔容積(A3)は窒素吸脱着測定から算出することができ、例えばマイクロトラック・ベル社製Belsorp-miniIIを用いて行うことができる。そしてデータ解析はマイクロトラック・ベル社製の解析ソフトBELMasterを用いて行うことができる。ここで、BET比表面積(A2)は相対圧(P/P0)が0.002~0.06の測定データをBETプロットすることにより算出することができる。外表面積(A1)及びマイクロ孔容積(A3)は相対圧(P/P0)が0.20~0.42のデータをtプロットすることにより算出することができる。なお、標準等温線としてHarkins-Juraを用いる。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトの外表面積(A1)は、通常5m2/g以上、好ましくは10m2/g以上、より好ましくは15m2/g以上、さらに好ましくは20m2/g以上、よりさらに好ましくは25m2/g以上、特に好ましくは30m2/g以上であって、通常500m2/g以下、好ましくは300m2/g以下、より好ましくは200m2/g以下である。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトのBET比表面積(A2)は、通常150m2/g以上、好ましくは200m2/g以上、より好ましくは250m2/g以上、さらに好ましくは300m2/g以上、特に好ましくは350m2/g以上であって、通常1000m2/g以下、好ましくは800m2/g以下、より好ましくは700m2/g以下である。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトの外表面積(A1)に対する、BET比表面積(A2)の割合(A2/A1)は、20以下であることが好ましい。A2/A1が20以下であると反応生成物の細孔外への拡散が向上し、コーキングが抑制できると考えられる。以上の観点から、A2/A1はより好ましくは18以下、さらに好ましくは16以下、よりさらに好ましくは14以下、特に好ましくは12以下である。一方、下限値は特に限定されないが、通常2以上である。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトのマイクロ孔容積(A3)は、特に限定されるものではなく、通常0.05mL/g以上、好ましくは0.075mL/g以上、より好ましくは0.10mL/g以上であって、通常3mL/g以下、好ましくは2mL/g以下である。
なお、外表面積(A1)、BET比表面積(A2)、及びマイクロ孔容積(A3)は窒素吸脱着測定から算出することができ、例えばマイクロトラック・ベル社製Belsorp-miniIIを用いて行うことができる。そしてデータ解析はマイクロトラック・ベル社製の解析ソフトBELMasterを用いて行うことができる。ここで、BET比表面積(A2)は相対圧(P/P0)が0.002~0.06の測定データをBETプロットすることにより算出することができる。外表面積(A1)及びマイクロ孔容積(A3)は相対圧(P/P0)が0.20~0.42のデータをtプロットすることにより算出することができる。なお、標準等温線としてHarkins-Juraを用いる。
[DDR型ゼオライト触媒の製造方法]
以下、本発明のDDR型ゼオライト触媒の製造方法について説明する。
以下、本発明のDDR型ゼオライト触媒の製造方法について説明する。
DDR型ゼオライトは一般的に水熱合成法によって調製することが可能である。例えば水にアルカリ源、有機構造規定剤、好ましくは1-アダマンチルアミン、ヨウ化メチルトロピニウム、水酸化キヌクリジニウム等を加えて撹拌し、さらに、アルミニウム源、ガリウム源およびホウ素源、シリカ源等を加えて均一なゲルを生成させ、得られた原料ゲルをオートクレーブ等の加圧加熱容器中で100~220℃に保持して結晶化させることで得られる。上記有機構造規定剤のうち、平均一次粒子径が小さく、(A2/A1)の値が小さいDDR型ゼオライトが得られやすい点でヨウ化メチルトロピニウムが特に好ましい。
また、結晶化の際に、必要に応じて種結晶を添加してもよく、種結晶を添加する方が、DDR型ゼオライトが結晶化しやすくなるので好ましい。種結晶としては、DDR型ゼオライトを用いることが好ましい。種結晶は粉砕処理を行ったゼオライトを用いることが好ましく、粉砕処理を行った種結晶を用いることで、粒子径の小さなDDR型ゼオライトが得られやすい。
また、結晶化の際に、必要に応じて種結晶を添加してもよく、種結晶を添加する方が、DDR型ゼオライトが結晶化しやすくなるので好ましい。種結晶としては、DDR型ゼオライトを用いることが好ましい。種結晶は粉砕処理を行ったゼオライトを用いることが好ましく、粉砕処理を行った種結晶を用いることで、粒子径の小さなDDR型ゼオライトが得られやすい。
<界面活性剤>
本発明の製造方法においては、結晶化の際に、原料ゲルに界面活性剤を添加することが特徴である。界面活性剤を添加することにより、ゼオライトが微粒子化し、平均一次粒子径および(A2/A1)の値を所望の範囲に調整しやすくなる。
界面活性剤としては、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、両性界面活性剤等を、単独でまたは組み合わせて用いることができる。界面活性剤としては、適度な結晶成長阻害剤として働くカチオン界面活性剤が好ましく、一例として、臭化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(臭化セチルトリメチルアンモニウム(CTAB))、塩化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(塩化セチルトリメチルアンモニウム)、水酸化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(水酸化セチルトリメチルアンモニウム)などが挙げられる。
本発明の製造方法においては、結晶化の際に、原料ゲルに界面活性剤を添加することが特徴である。界面活性剤を添加することにより、ゼオライトが微粒子化し、平均一次粒子径および(A2/A1)の値を所望の範囲に調整しやすくなる。
界面活性剤としては、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、両性界面活性剤等を、単独でまたは組み合わせて用いることができる。界面活性剤としては、適度な結晶成長阻害剤として働くカチオン界面活性剤が好ましく、一例として、臭化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(臭化セチルトリメチルアンモニウム(CTAB))、塩化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(塩化セチルトリメチルアンモニウム)、水酸化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(水酸化セチルトリメチルアンモニウム)などが挙げられる。
原料ゲルへの界面活性剤の添加量は特に限定されないが、原料ゲルのSiに対するモル比として好ましくは0.001以上、さらに好ましくは0.002以上、特に好ましくは0.005以上であり、また好ましくは0.05以下、さらに好ましくは0.03以下、特に好ましくは0.015以下である。
原料ゲルの結晶化後は、結晶化した原料ゲルを濾過および洗浄した後、固形分を100~200℃で乾燥し、引続き400~900℃で焼成することによって、ゼオライト粉末として得ることができる。
原料ゲルの調製に用いるシリカ源としては、フュームドシリカ、シリカゾル、シリカゲル、二酸化珪素、水ガラスなどのシリケートやテトラエトキシオルソシリケートやテトラメトキシシランなどの珪素のアルコキシド、珪素のハロゲン化物等の1種または2種以上を用いることができる。
アルミニウム源としては硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、擬ベーマイト、アルミニウムアルコキシド、水酸化アルミニウム、アルミナゾル、アルミン酸ナトリウム等の1種または2種以上を用いることができる。
ガリウム源としては硝酸ガリウム、硫酸ガリウム、リン酸ガリウム、塩化ガリウム、臭化ガリウム、水酸化ガリウム等の1種または2種以上を用いることができる。
ホウ素源としてはホウ酸、ホウ酸ナトリウム、酸化ホウ素等の1種または2種以上を用いることができる。
アルミニウム源としては硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、擬ベーマイト、アルミニウムアルコキシド、水酸化アルミニウム、アルミナゾル、アルミン酸ナトリウム等の1種または2種以上を用いることができる。
ガリウム源としては硝酸ガリウム、硫酸ガリウム、リン酸ガリウム、塩化ガリウム、臭化ガリウム、水酸化ガリウム等の1種または2種以上を用いることができる。
ホウ素源としてはホウ酸、ホウ酸ナトリウム、酸化ホウ素等の1種または2種以上を用いることができる。
種結晶として用いるDDR型ゼオライトのケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)には特に制限はないが25~10000の範囲であることが好ましい。また、種結晶は添加するシリカ源に対して1~20質量%程度用いることが好ましい。
DDR型ゼオライトは、合成時に構成元素の量(Si,Al,Ga,B等)を調整することで、含有金属量を調整することができる。また、構成元素の一部をスチーミングや酸処理等により除去して含有量を調整したものを用いることもできる。
[触媒]
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトは、触媒として使用することができる。特に、本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトは、低級オレフィンを生成する反応に用いられる触媒として有用である。一方、本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライト触媒の用途としては低級オレフィン製造用触媒に限られず、各種炭化水素製造用触媒に用いられる。例えば、p-キシレンの製造、エチルベンゼンの製造、クメンの製造、軽質炭化水素の芳香族化、水素化分解、水素化脱ろう、アルカンの異性化などにも好適に用いられる。なお、本明細書において、低級オレフィンとは、エチレン、プロピレンおよびブテンを意味する。言い換えれば炭素数2から4のオレフィンである。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトは、触媒として使用することができる。特に、本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトは、低級オレフィンを生成する反応に用いられる触媒として有用である。一方、本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライト触媒の用途としては低級オレフィン製造用触媒に限られず、各種炭化水素製造用触媒に用いられる。例えば、p-キシレンの製造、エチルベンゼンの製造、クメンの製造、軽質炭化水素の芳香族化、水素化分解、水素化脱ろう、アルカンの異性化などにも好適に用いられる。なお、本明細書において、低級オレフィンとは、エチレン、プロピレンおよびブテンを意味する。言い換えれば炭素数2から4のオレフィンである。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトは、そのまま本発明における触媒として反応に用いてもよいし、反応に不活性な他の物質、例えばアルカリ土類金属やケイ素を含む化合物との混合物として用いてもよい。また、バインダーを用いて、造粒ないし成形して反応に用いてもよい。該反応に不活性な物質やバインダーとしては、アルミナまたはアルミナゾル、シリカ、シリカゲル、シリケート、石英、および、それらの混合物等が挙げられる。これらの中でも工業触媒として強度と触媒性能が優れることが期待される点でシリカが好ましい。これらの物質と混合することは、触媒全体のコスト削減、触媒の高密度化、触媒強度増加にも効果的である。
[低級オレフィンの製造方法]
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトを含む触媒を用いて低級オレフィンを製造する方法において、原料としてはメタノール、ジメチルエーテルが挙げられるがこれに限定されず、目的とするオレフィンの種類によって適宜選択することができる。
本発明の方法により製造されるDDR型ゼオライトを含む触媒を用いて低級オレフィンを製造する方法において、原料としてはメタノール、ジメチルエーテルが挙げられるがこれに限定されず、目的とするオレフィンの種類によって適宜選択することができる。
以下に、上記触媒を用いる低級オレフィンの製造方法について、原料がメタノールおよび/またはジメチルエーテルである場合を例示して説明する。
本発明の低級オレフィンの製造方法は、メタノールおよび/またはジメチルエーテルを含む原料に、上記DDR型ゼオライトを含む触媒を接触させる工程を備える。
原料として用いるメタノールおよびジメチルエーテルの製造由来は特に限定されない。例えば、石炭および天然ガス、ならびに製鉄業における副生物由来の水素/COの混合ガスの水素化反応により得られるもの、植物由来のアルコール類の改質反応により得られるもの、発酵法により得られるもの、再循環プラスチックや都市廃棄物等の有機物質から得られるもの、二酸化炭素を原料としたメタノール合成反応により得られるもの等が挙げられる。このとき各製造方法に起因するメタノールおよびジメチルエーテル以外の化合物が任意に混合した状態のものをそのまま用いてもよいし、精製したものを用いてもよい。
なお、反応原料としては、メタノールのみを用いてもよく、ジメチルエーテルのみを用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。メタノールとジメチルエーテルを混合して用いる場合、その混合割合に制限はない。
なお、反応原料としては、メタノールのみを用いてもよく、ジメチルエーテルのみを用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。メタノールとジメチルエーテルを混合して用いる場合、その混合割合に制限はない。
本実施形態における反応様式としては、メタノールおよび/またはジメチルエーテル供給原料が反応域において気相であれば特に限定されず、流動床反応装置、移動床反応装置または固定床反応装置を用いた公知の気相反応プロセスを適用することができる。流動床反応装置を用いることで、ワンパス寿命が短い触媒でも運転が可能となる。
また、バッチ式、半連続式または連続式のいずれの形態でも行われ得るが、連続式で行うのが好ましく、その方法は、単一の反応器を用いた方法でもよいし、直列または並列に配置された複数の反応器を用いた方法でもよい。
また、バッチ式、半連続式または連続式のいずれの形態でも行われ得るが、連続式で行うのが好ましく、その方法は、単一の反応器を用いた方法でもよいし、直列または並列に配置された複数の反応器を用いた方法でもよい。
なお、固定床反応器に前述の触媒を充填する際、触媒層の温度分布を小さく抑えるために、石英砂、アルミナ、シリカ、シリカ-アルミナ等の反応に不活性な粒状物を、触媒と混合して充填してもよい。この場合、石英砂等の反応に不活性な粒状物の使用量は特に制限はない。なお、この粒状物は、触媒との均一混合性の面から、触媒と同程度の粒径であることが好ましい。
また、反応器には、反応に伴う発熱を分散させることを目的に、反応基質(反応原料)を分割して供給してもよい。
また、反応器には、反応に伴う発熱を分散させることを目的に、反応基質(反応原料)を分割して供給してもよい。
反応器に供給する全供給成分中の、メタノールとジメチルエーテルの合計濃度(基質濃度)に関しては特に制限はないが、メタノールとジメチルエーテルの和は、全供給成分中、90モル%以下が好ましい。更に好ましくは10モル%以上70モル%以下である。
上記範囲であると反応速度および低級オレフィン収率の点で好ましい。
上記範囲であると反応速度および低級オレフィン収率の点で好ましい。
反応器内には、メタノールおよび/またはジメチルエーテルの他に、ヘリウム、アルゴン、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、水、パラフィン類、メタン等の炭化水素類、芳香族化合物類、および、それらの混合物など、反応に不活性な気体(以下、「希釈剤」とも称する。)を存在させることができるが、この中でも水(水蒸気)が共存しているのが、分離が良好であることから好ましい。
このような希釈剤としては、反応原料に含まれている不純物をそのまま使用してもよいし、別途調製した希釈剤を反応原料と混合して用いてもよい。また、希釈剤は反応器に入れる前に反応原料と混合してもよいし、反応原料とは別に反応器に供給してもよい。
このような希釈剤としては、反応原料に含まれている不純物をそのまま使用してもよいし、別途調製した希釈剤を反応原料と混合して用いてもよい。また、希釈剤は反応器に入れる前に反応原料と混合してもよいし、反応原料とは別に反応器に供給してもよい。
反応温度の下限としては、通常約200℃以上、好ましくは250℃以上、より好ましくは300℃以上、特に好ましくは400℃以上であり、反応温度の上限としては、通常750℃以下、好ましくは700℃以下、より好ましくは600℃以下である。反応温度が低すぎると、反応速度が遅く、未反応原料が多く残る傾向となり、更に低級オレフィンの収率も低下する。一方で反応温度が高すぎると触媒の安定活性が得られにくく低級オレフィンの収率が著しく低下する。なお、ここで、反応温度とは、触媒層出口の温度をさす。
反応圧力の上限は通常5MPa(絶対圧、以下同様)以下であることが好ましく、より好ましくは2MPa以下であり、さらに好ましくは1MPa以下、よりさらに好ましくは0.7MPa以下、特に好ましくは0.4MPa以下である。また、反応圧力の下限は特に制限されないが、通常0.1kPa以上、好ましくは7kPa以上、より好ましくは50kPa以上である。反応圧力が上記上限値以下であると、パラフィン類や芳香族化合物等の好ましくない副生成物の生成量が抑制され、低級オレフィンの収率が増大する。一方、反応圧力が上記下限値以上であると、十分な反応速度が得られる。
反応原料の重量空間速度は0.1hr-1以上であることが好ましく、0.5hr-1以上であることがより好ましい。一方、重量空間速度は10hr-1以下であることが好ましく、5hr-1以下であることがより好ましい。重量空間速度がこの範囲内であると、低級オレフィンの収率が向上する。
反応器出口ガス(反応器流出物)としては、反応生成物である低級オレフィン、副生成物および希釈剤を含む混合ガスが得られる。該混合ガス中の低級オレフィン濃度は通常5~95質量%である。
反応条件によっては反応生成物中に未反応原料としてメタノールおよび/またはジメチルエーテルが含まれるが、メタノールおよび/またはジメチルエーテルの転化率が高い反応条件で行うのが好ましい。それにより、反応生成物と未反応原料との分離が容易になる。特にメタノールおよび/またはジメチルエーテルの転化率が100%になるような反応条件で反応を行うことで、反応生成物と未反応原料との分離が不要になり好ましい。
副生成物としては炭素数が5以上のオレフィン類、パラフィン類、芳香族化合物および水が挙げられる。
反応条件によっては反応生成物中に未反応原料としてメタノールおよび/またはジメチルエーテルが含まれるが、メタノールおよび/またはジメチルエーテルの転化率が高い反応条件で行うのが好ましい。それにより、反応生成物と未反応原料との分離が容易になる。特にメタノールおよび/またはジメチルエーテルの転化率が100%になるような反応条件で反応を行うことで、反応生成物と未反応原料との分離が不要になり好ましい。
副生成物としては炭素数が5以上のオレフィン類、パラフィン類、芳香族化合物および水が挙げられる。
反応器出口ガスとしての、反応生成物である低級オレフィン、未反応原料、副生成物および希釈剤を含む混合ガスは、公知の分離・精製設備に導入され、それぞれの成分に応じて回収、精製、リサイクル、排出の処理を行えばよい。
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明の範囲は以下の実施例により限定されるものではない。
[実施例1]
水酸化ナトリウム0.183g、硫酸アルミニウム0.0237gおよび水10.00gを混合し、これに有機構造規定剤であるヨウ化メチルトロピニウム(methyltropinium iodide)0.982gを加え攪拌した後に、シリカ源としてCAB-O-SIL M7D(キャボットコーボレーション製)を0.833g加えて十分に攪拌した。さらに界面活性剤である臭化セチルトリメチルアンモニウム(CTAB)を0.0506g加え攪拌し、種結晶(Seed)としてDDR型ゼオライトを0.050g加えて攪拌することにより原料ゲルを調製した。
水酸化ナトリウム0.183g、硫酸アルミニウム0.0237gおよび水10.00gを混合し、これに有機構造規定剤であるヨウ化メチルトロピニウム(methyltropinium iodide)0.982gを加え攪拌した後に、シリカ源としてCAB-O-SIL M7D(キャボットコーボレーション製)を0.833g加えて十分に攪拌した。さらに界面活性剤である臭化セチルトリメチルアンモニウム(CTAB)を0.0506g加え攪拌し、種結晶(Seed)としてDDR型ゼオライトを0.050g加えて攪拌することにより原料ゲルを調製した。
得られた原料ゲルをオートクレーブに仕込み、160℃、40rpm、2日間加熱した。生成物を濾過、水洗した後、100℃で乾燥させ、as-made型の白色粉末を得た。生成物のX線回折(XRD)パターンから、得られた生成物がDDR型ゼオライトであることを確認した。なお、「as-made型」とは、乾燥後、有機構造規定剤の焼成前の状態との意味である。
得られたゼオライト粉末を空気雰囲気下、600℃で6時間焼成し、ナトリウム型ゼオライト粉末を得た。得られた粉末を2.5N硝酸アンモニウム水溶液中で80℃、3時間のイオン交換を行い、その後濾過・乾燥した。乾燥した粉末を再び2.5N硝酸アンモニウム水溶液中で80℃、3時間のイオン交換を行い、その後、濾過、乾燥してアンモニウム型ゼオライト粉末を得た。その後空気雰囲気下、600℃で6時間焼成して実施例1のプロトン型ゼオライトを得た。
[比較例1]
1M水酸化ナトリウム水溶液3.65g、1-アダマンチルアミン0.30gおよび水9.61gを混合し、これに硫酸アルミニウム0.125gを加えて撹拌した後に、シリカ源としてCataloidSI-30(日揮触媒化成社製)を3.96g加えて十分に撹拌した。さらに種結晶(Seed)として粉砕処理を施したDDR型ゼオライトを0.072g加えて、撹拌することにより原料ゲルを調製した。
1M水酸化ナトリウム水溶液3.65g、1-アダマンチルアミン0.30gおよび水9.61gを混合し、これに硫酸アルミニウム0.125gを加えて撹拌した後に、シリカ源としてCataloidSI-30(日揮触媒化成社製)を3.96g加えて十分に撹拌した。さらに種結晶(Seed)として粉砕処理を施したDDR型ゼオライトを0.072g加えて、撹拌することにより原料ゲルを調製した。
得られた原料ゲルをオートクレーブに仕込み、160℃、1日間加熱した。生成物を濾過、水洗した後、100℃で乾燥させ、as-made型の白色粉末を得た。生成物のX線回折(XRD)パターンから、得られた生成物がDDR型ゼオライトであることを確認した。
得られたゼオライト粉末を空気雰囲気下、600℃で6時間焼成し、ナトリウム型ゼオライト粉末を得た。得られた粉末を1N硝酸アンモニウム水溶液中で80℃、1時間のイオン交換を行い、その後濾過した。濾過した粉末を再び1N硝酸アンモニウム水溶液中で80℃、1時間のイオン交換を行い、その後、濾過、乾燥してアンモニウム型ゼオライト粉末を得た。その後空気雰囲気下、500℃で6時間焼成して比較例1のプロトン型ゼオライトを得た。
[比較例2]
1M水酸化ナトリウム水溶液3.62g、1-アダマンチルアミン0.30gおよび水9.61gを混合し、これに硫酸アルミニウム0.015gを加えて撹拌した後に、シリカ源としてCataloidSI-30(日揮触媒化成社製)を3.95g加えて十分に撹拌した。さらに種結晶(Seed)として粉砕処理を施したDDR型ゼオライトを0.072g加えて、撹拌することにより原料ゲルを調製した。得られた原料ゲルを比較例1と同様の方法で加熱・後処理し、比較例2のプロトン型ゼオライト粉末を得た。
1M水酸化ナトリウム水溶液3.62g、1-アダマンチルアミン0.30gおよび水9.61gを混合し、これに硫酸アルミニウム0.015gを加えて撹拌した後に、シリカ源としてCataloidSI-30(日揮触媒化成社製)を3.95g加えて十分に撹拌した。さらに種結晶(Seed)として粉砕処理を施したDDR型ゼオライトを0.072g加えて、撹拌することにより原料ゲルを調製した。得られた原料ゲルを比較例1と同様の方法で加熱・後処理し、比較例2のプロトン型ゼオライト粉末を得た。
[比較例3]
1M水酸化ナトリウム水溶液8.37g、1-アダマンチルアミン0.61gおよび水23.73gを混合し、これに硫酸アルミニウム0.124gを加えて撹拌した後に、シリカ源としてaerosil200(日本アエロジル社製)を2.40g加えて十分に撹拌することにより原料ゲルを調製した。得られた原料ゲルを160℃5日間加熱すること以外は比較例1と同様の方法で加熱・後処理し、比較例3のプロトン型ゼオライト粉末を得た。
1M水酸化ナトリウム水溶液8.37g、1-アダマンチルアミン0.61gおよび水23.73gを混合し、これに硫酸アルミニウム0.124gを加えて撹拌した後に、シリカ源としてaerosil200(日本アエロジル社製)を2.40g加えて十分に撹拌することにより原料ゲルを調製した。得られた原料ゲルを160℃5日間加熱すること以外は比較例1と同様の方法で加熱・後処理し、比較例3のプロトン型ゼオライト粉末を得た。
実施例1、比較例1~3に係る合成条件について表1にまとめた。
[ゼオライトの評価]
実施例1、比較例1~3に係るゼオライトについて以下の評価を行った。
実施例1、比較例1~3に係るゼオライトについて以下の評価を行った。
<X線回折測定>
合成したゼオライトのX線回折(XRD)測定は、BRUKER社製の「D2PHASER」を用いて行った。実施例1に係るゼオライト、比較例1~3に係るゼオライトのXRDパターンをそれぞれ図1、図2に示す。図1、図2から、実施例1、及び比較例1~3に係るゼオライトは、いずれもDDR型構造を有することが確認された。
合成したゼオライトのX線回折(XRD)測定は、BRUKER社製の「D2PHASER」を用いて行った。実施例1に係るゼオライト、比較例1~3に係るゼオライトのXRDパターンをそれぞれ図1、図2に示す。図1、図2から、実施例1、及び比較例1~3に係るゼオライトは、いずれもDDR型構造を有することが確認された。
<元素分析>
元素分析は、誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-AES)により行った。実施例1のゼオライトの測定は島津製作所社製「ICPE-9000」を用いた。また、比較例1~3のゼオライトの測定には、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製「iCAP7600Duo」を用いた。合成したゼオライトのSi/Alモル比を表1に示す。
元素分析は、誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-AES)により行った。実施例1のゼオライトの測定は島津製作所社製「ICPE-9000」を用いた。また、比較例1~3のゼオライトの測定には、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製「iCAP7600Duo」を用いた。合成したゼオライトのSi/Alモル比を表1に示す。
<走査型電子顕微鏡>
実施例1に係る走査型電子顕微鏡(SEM)観察は、日本電子社製の「JSM-6010LV」を用いて行った。また、比較例1,2に係る走査型電子顕微鏡(SEM)測定は、Zeiss社製の「ULTRA55」を用いて行った。また、比較例3に係るSEM測定は、日立ハイテクノロジーズ社製の「S-4800」を用いて行った。図3に実施例1、及び比較例1~3に係るゼオライト触媒についてのSEM画像を示す。なお、図3は10000倍の画像である。得られたSEM像から無作為に一次粒子50個を抽出し、その粒子の長径を測定し、粒子径とした。なお、比較例3については粒子径が大きいため、4000倍の画像を用いて粒子径を測定した。求めた粒子径の相加平均をもって平均一次粒子径とした。結果を表1に示す。
実施例1に係る走査型電子顕微鏡(SEM)観察は、日本電子社製の「JSM-6010LV」を用いて行った。また、比較例1,2に係る走査型電子顕微鏡(SEM)測定は、Zeiss社製の「ULTRA55」を用いて行った。また、比較例3に係るSEM測定は、日立ハイテクノロジーズ社製の「S-4800」を用いて行った。図3に実施例1、及び比較例1~3に係るゼオライト触媒についてのSEM画像を示す。なお、図3は10000倍の画像である。得られたSEM像から無作為に一次粒子50個を抽出し、その粒子の長径を測定し、粒子径とした。なお、比較例3については粒子径が大きいため、4000倍の画像を用いて粒子径を測定した。求めた粒子径の相加平均をもって平均一次粒子径とした。結果を表1に示す。
<窒素吸脱着測定>
合成したゼオライトの窒素吸脱着測定は、マイクロトラック・ベル社製「Belsorp-miniII」を用いて行った。測定にあたり、ゼオライトを真空下400℃で2時間加熱・乾燥させた後、液体窒素温度にて窒素吸脱着測定を実施した。データ解析はマイクロトラック・ベル社製の解析ソフトBELMasterを用いて行った。BET比表面積(A2)は相対圧(P/P0)が0.002~0.06の測定データをBETプロットすることにより算出した。外表面積(A1)およびマイクロ孔容積(A3)は相対圧(P/P0)が0.20~0.42のデータをtプロットすることにより算出した。なお、標準等温線としてHarkins-Juraを用いた。
合成したゼオライトの窒素吸脱着測定は、マイクロトラック・ベル社製「Belsorp-miniII」を用いて行った。測定にあたり、ゼオライトを真空下400℃で2時間加熱・乾燥させた後、液体窒素温度にて窒素吸脱着測定を実施した。データ解析はマイクロトラック・ベル社製の解析ソフトBELMasterを用いて行った。BET比表面積(A2)は相対圧(P/P0)が0.002~0.06の測定データをBETプロットすることにより算出した。外表面積(A1)およびマイクロ孔容積(A3)は相対圧(P/P0)が0.20~0.42のデータをtプロットすることにより算出した。なお、標準等温線としてHarkins-Juraを用いた。
<低級オレフィンの製造>
実施例1、及び比較例1~3で得られたゼオライトを用いて、低級オレフィンの製造を行った。反応には、固定床流通反応装置を用い、内径6mmの石英反応管に、予め混合したプロトン型ゼオライト粉末100mgおよび石英砂400mgを充填した。メタノール50モル%、窒素50モル%の混合ガスをメタノールの重量空間速度が1hr-1となるように反応器に供給し、450℃、0.1MPa(絶対圧)で反応を行った。反応開始から1時間毎にガスクロマトグラフィーで生成物の分析を行った。図4にメタノール転化率、および選択率の推移を表したグラフを示す。表1に反応開始から3時間経過後のメタノール転化率(%)、エチレン収率(C-mol%)、プロピレン収率(C-mol%)、ブテン収率(C-mol%)および触媒寿命(hr)を示す。なお、触媒寿命はメタノール転化率が90%以上を維持する時間として定義した。また、メタノール転化率(%)、エチレン収率(C-mol%)、プロピレン収率(C-mol%)、ブテン収率(C-mol%)について、反応から2時間後から4時間後までの平均値をあわせて示す。
実施例1、及び比較例1~3で得られたゼオライトを用いて、低級オレフィンの製造を行った。反応には、固定床流通反応装置を用い、内径6mmの石英反応管に、予め混合したプロトン型ゼオライト粉末100mgおよび石英砂400mgを充填した。メタノール50モル%、窒素50モル%の混合ガスをメタノールの重量空間速度が1hr-1となるように反応器に供給し、450℃、0.1MPa(絶対圧)で反応を行った。反応開始から1時間毎にガスクロマトグラフィーで生成物の分析を行った。図4にメタノール転化率、および選択率の推移を表したグラフを示す。表1に反応開始から3時間経過後のメタノール転化率(%)、エチレン収率(C-mol%)、プロピレン収率(C-mol%)、ブテン収率(C-mol%)および触媒寿命(hr)を示す。なお、触媒寿命はメタノール転化率が90%以上を維持する時間として定義した。また、メタノール転化率(%)、エチレン収率(C-mol%)、プロピレン収率(C-mol%)、ブテン収率(C-mol%)について、反応から2時間後から4時間後までの平均値をあわせて示す。
表1に示すように、ゼオライトの合成原料に界面活性剤であるCTABを含有した実施例1に記載の製造方法により製造したDDR型ゼオライトは高いエチレン収率を示すことが分かる。
Claims (4)
- 構成元素としてケイ素(Si)とアルミニウム(Al)を含有し、ケイ素(Si)とアルミニウム(Al)とのモル比(Si/Al)が60以上150以下であって、平均一次粒子径が1000nm以下であるDDR型ゼオライト触媒の製造方法であって、
ゼオライトの合成原料ゲルに界面活性剤を添加することを特徴とする、DDR型ゼオライト触媒の製造方法。 - 構造規定剤としてヨウ化メチルトロピニウムを使用する、請求項1に記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
- 前記DDR型ゼオライト触媒が、窒素吸脱着測定において、tプロットにより算出した外表面積(A1)に対する、BETプロットにより算出したBET比表面積(A2)の割合(A2/A1)が20以下である、請求項1に記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
- 前記DDR型ゼオライト触媒が、メタノールおよび/またはジメチルエーテルを含む原料から低級オレフィンを製造する触媒である、請求項1~3のいずれか1項に記載のDDR型ゼオライト触媒の製造方法。
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