JP2024035123A - フォトレジストフィルム及びその適用 - Google Patents

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Abstract

【課題】フォトレジストフィルム及びその適用を提供すること。【解決手段】フォトレジストフィルムがμｍの単位の厚さＴを有し、フォトレジストフィルムを紫外可視分光法で特徴づける場合、フォトレジストフィルムが４０５ｎｍの吸収Ａ４０５ｎｍ、及び４３６ｎｍの吸収Ａ４３６ｎｍを有し、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５であり、厚さＴが６０μｍ～６００μｍである。【選択図】なし

Description

優先権主張
本出願は、２０２２年８月３１日に出願された米国仮特許出願６３／３７４，０４４号、及び２０２３年５月２３日に出願された中国特許出願２０２３１０５８２８５１．０号の優先権を主張する。これらの特許出願の主題は、参照としてその全体が本明細書中に組み入れられる。
発明の分野
本出願は、フォトレジストフィルム、特に厚いフォトレジストフィルム、及びその適用を提供する。
フォトレジストフィルムは、露光及び現像の後のフォトレジストフィルムの変化に応じて、ポジティブフォトレジストフィルム及びネガティブフォトレジストフィルムに分けることができる。ポジティブフォトレジストフィルムは、露光されたフォトレジストフィルムの部分がフォトレジスト現像液に溶解し、露光されていないフォトレジストフィルムの部分が現像後に残るタイプのフォトレジストである。ネガティブフォトレジストフィルムは、露光されていないフォトレジストフィルムの部分がフォトレジスト現像液に溶解し、露光されたフォトレジストフィルムの部分が現像後に残るタイプのフォトレジストである。
プリント回路基板（ＰＣＢ）の産業では、回路パターンを形成させるためにエッチング手順又は電気めっき手順でフォトレジストフィルムが用いられる。電子部品の増加する複雑さと大きさのために、プリント回路基板産業では、幅に対する深さの比が高い厚いフォトレジストフィルムが求められている。しかし、従来のフォトレジストフィルムは、露光及び現像の後の高精度のフォトレジストパターンを安定に形成することができず、不十分なフォトレジストプロファイル又は明らかなフッティング（footing：下部に裾引き形状）を有し、そのためにエッチング又は電気メッキの低い精度という結果となる。従って、フォトレジストフィルムの改善が必要とされている。
上記の技術的課題の観点で、本願発明は、露光後の優れたフォトレジストプロファイルを有するフォトレジストフィルムを提供し、高精度のエッチング又は電気めっき加工を実現することができる。
従って、本願発明の課題は、μｍの単位の厚さＴを有するフォトレジストフィルムであって、フォトレジストフィルムを紫外可視分光法で特徴づける場合、フォトレジストフィルムが４０５ｎｍの吸収Ａ４０５ｎｍ、及び４３６ｎｍの吸収Ａ４３６ｎｍを有し、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５であり、厚さＴが６０μｍ～６００μｍである、フォトレジストフィルムを提供することである。
本願発明のいくつかの実施態様において、フォトレジストフィルムを紫外可視分光法で特徴づける場合、フォトレジストフィルムが更に３６５ｎｍの吸収Ａ３６５ｎｍを有し、０＜Ａ３６５ｎｍ／Ｔ≦０．０１０である。
本願発明のいくつかの実施態様において、紫外可視分光法が、紫外可視分光光度計を用いて以下の操作条件で測定され、
フォトレジストフィルムが入射光の方向に対して垂直に配置され、回折格子が光スプリッターとして構成され、試験温度が２５℃であり、試験圧力が１気圧であり、分析モードが吸光度であり、走査波長の範囲が１９０ｎｍ～１１００ｎｍであり、ブランクサンプルは空気であり、走査速度は２２００ｎｍ／分であり、光源を重水素ランプからタングステンランプに切り替えるスイッチ波長は３４０．８ｎｍであり、サンプリング間隔は０．２ｎｍであり、スリット幅は２．０ｎｍである。
本願発明のいくつかの実施態様において、フォトレジストフィルがネガティブフォトレジストフィルムである。
本願発明のいくつかの実施態様において、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００２、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００１である。
本願発明のいくつかの実施態様において、フォトレジストフィルムは、（Ａ）アルカリ可溶性ポリマー、（Ｂ）エチレン性不飽和化合物の成分、及び（Ｃ）光重合開始剤を含む。
本願発明のいくつかの実施態様において、エチレン性不飽和化合物の成分は、二官能性アクリル酸系化合物である。
エチレン性不飽和化合物の成分の重量に基づいて、二官能性アクリル酸系化合物の量は、６０重量％以上であることができる。
本願発明の他の課題は、前記のフォトレジストフィルム、及びフォトレジストフィルムの少なくとも１つの表面上の保護フィルムを含む、複合体フィルムを提供することである。
保護フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリオレフィンフィルム及びこれらの複合体からなる群から選択することができる。
本願発明の前記の課題、技術的特徴及び利点をより明らかにするために、以下にいくつかの特定の実施態様を参照して本願発明を詳細に説明する。
本願発明のいくつかの特定の実施態様を、詳細に説明する。しかし、本願発明は、様々な実施態様で具現化されてよく、本明細書に記載された実施態様に限定されるべきではない。
追加的に説明されていなければ、本明細書及び特許請求の範囲に記載された表現「１つの（a）」、「その（the）」等は単数及び複数の形態の両方を含むべきである。
追加的に説明されていなければ、本明細書及び特許請求の範囲に記載された表現「第１」、「第２」等は、特別な意味を有さず、説明された要素又は成分を区別するためにのみ使用される。これらの表現は、優先度を表すためには使用されない。
追加的に説明されていなければ、本明細書及び特許請求の範囲に記載された用語「（メタ）アクリル酸」、「（メタ）アクリレート」等は、そのカッコ内の官能基が含まれる態様及び含まれない態様の両方をカバーすることが意図される。例えば、用語「カルボキシ含有（メタ）アクリル酸系ポリマー」は、カルボキシ含有アクリル酸系ポリマーとカルボキシ含有メタクリル酸系ポリマーの両方をカバーすることが意図される。用語「メチル（メタ）アクリレート」は、メチルアクリレートとメチルメタクリレートの両方をカバーすることが意図される。
本明細書及び特許請求の範囲において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定され、標準サンプルと比較することで計算される。重量平均分子量（Ｍｗ）の単位は、「ｇ／モル」である。
先行技術に対する本願発明の効果は、主として、Ａ４０５ｎｍ／Ｔ及びＡ４３６ｎｍ／Ｔを特定の範囲内に制御することによって、露光後の優れたフォトレジストプロファイルを有するフォトレジストフィルムを提供する点にあり、それによって高精度のエッチング又は電気めっき加工を実現する。フォトレジストフィルム及びその適用を以下に詳細に説明する。
１．フォトレジストフィルム
本明細書に記載のフォトレジストフィルムは、感光性樹脂組成物を含むフィルムを表す。
フォトレジストフィルムの保存を容易にし、外来の物質の混入又は損傷を防ぐために、フォトレジストフィルムの表面上に保護及び支持の機能を提供する保護フィルムを、追加的に提供することができる。追加的に説明されていなければ、本明細書及び特許請求の範囲に記載された用語「厚さ」及び「吸光度」は、フォトレジストフィルムそのものについて記載され、フォトレジストフィルムと結合された保護フィルム等のその他の部分を含まない。フォトレジストフィルムを以下に更に記載する。
１．１．フォトレジストフィルムの特性
本願発明のフォトレジストフィルムは、特定の光吸収特性を有する。特に、フォトレジストフィルムを紫外可視分光法で特徴づける場合、フォトレジストフィルムは、４０５ｎｍの吸収Ａ４０５ｎｍ、及び４３６ｎｍの吸収Ａ４３６ｎｍを有し、吸光度Ａ４０５ｎｍ及びフォトレジストフィルムの厚さＴ（単位：μｍ）の関係が、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６であり、吸光度Ａ４３６ｎｍ及びフォトレジストフィルムの厚さＴの関係が、０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５である。例えば、Ａ４０５ｎｍ／Ｔは、０．０００５、０．００１、０．００１５、０．００２、０．００２５、０．００３、０．００３５、０．００４、０．００４５、０．００５、０．００５５若しくは０．００６、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。Ａ４３６ｎｍ／Ｔは、０．０００５、０．００１、０．００１５、０．００２、０．００２５、０．００３、０．００３５、０．００４、０．００４５若しくは０．００５、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。Ａ４０５ｎｍ／Ｔ、又はＡ４３６ｎｍ／Ｔが上記の範囲内でなければ、フォトレジストフィルムによって形成された露光及び現像の後のフォトレジストパターンは、高精度が要求されるエッチング又は電気めっき加工に適さない。本願発明の好ましい実施態様において、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００２、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００１である。
本願発明のいくつかの実施態様において、フォトレジストフィルムを紫外可視分光法で特徴づける場合、フォトレジストフィルムは、更に３６５ｎｍの吸収Ａ３６５ｎｍを有し、０＜Ａ３６５ｎｍ／Ｔ≦０．０１０であり、Ｔの単位がμｍである。例えば、Ａ３６５ｎｍ／Ｔは、０．０００５、０．００１、０．００１５、０．００２、０．００２５、０．００３、０．００３５、０．００４、０．００４５、０．００５、０．００５５、０．００６、０．００６５、０．００７、０．００７５、０．００８、０，００８５、０．００９、０．００９５若しくは０．０１０、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。
本願発明において、紫外可視分光法が、紫外可視分光光度計を用いて以下の操作条件で測定され、フォトレジストフィルムが入射光の方向に対して垂直に配置され、回折格子が光スプリッターとして構成され、試験温度が２５℃であり、試験圧力が１気圧であり、分析モードが吸光度であり、走査波長の範囲が１９０ｎｍ～１１００ｎｍであり、ブランクサンプルは空気であり、走査速度は２２００ｎｍ／分であり、光源を重水素ランプからタングステンランプに切り替えるスイッチ波長は３４０．８ｎｍであり、サンプリング間隔は０．２ｎｍであり、スリット幅は２．０ｎｍである。上記の操作条件において、フォトレジストフィルムとそのフォトレジストフィルムの２つの面の上の保護フィルムを含む複合体フィルムを、任意の位置で横方向（ＴＤ）及び流れ方向（ＭＤ）に沿って５ｃｍ×３ｃｍの大きさに切断し、切断したフォトレジストフィルムから保護フィルムを剥がすことで、フォトレジストフィルムサンプルを得た。フォトレジストフィルムが入射光の方向に対して垂直に配置されなければならず、それによってフォトレジストフィルムの吸光度を正しく測定することができる。入射光光源として用いるタングステンランプは、３４０．８ｎｍより大きい波長範囲を有する。また、「サンプリング間隔」は、１９０ｎｍ～１１００ｎｍの走査波長の範囲内で、０．２ｎｍごとにデータを収集し、記録することを意味する。
本願発明のフォトレジストフィルムの吸光度Ａ４０５ｎｍ、Ａ４３６ｎｍ及びＡ３６５ｎｍの値は、フォトレジストフィルムの成分及びフォトレジストフィルムの調製プロセスの乾燥条件を調節することで、調節することができる。例えば、フォトレジストフィルムの成分は、添加物の種類及び量を選択することで、調節することができる。添加物の例には、光重合開始剤、光吸収剤、染料等が含まれるが、これらに限定されない。当業者は、本出願の明細書の記載に基づいて従来の実験法を用いて所望の吸光度を達成することができる。
本願発明のフォトレジストフィルムの厚さＴは、μｍで表記される。厚さＴは、６０μｍ～６００μｍの範囲の厚さ、好ましくは１００μｍ～６００μｍの範囲の厚さである。例えば、厚さＴは、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、１３０μｍ、１４０μｍ、１５０μｍ、１６０μｍ、１７０μｍ、１８０μｍ、１９０μｍ、２００μｍ、２１０μｍ、２２０μｍ、２３０μｍ、２４０μｍ、２５０μｍ、２６０μｍ、２７０μｍ、２８０μｍ、２９０μｍ、３００μｍ、３１０μｍ、３２０μｍ、３３０μｍ、３４０μｍ、３５０μｍ、３６０μｍ、３７０μｍ、３８０μｍ、３９０μｍ、４００μｍ、４１０μｍ、４２０μｍ、４３０μｍ、４４０μｍ、４５０μｍ、４６０μｍ、４７０μｍ、４８０μｍ、４９０μｍ、５００μｍ、５１０μｍ、５２０μｍ、５３０μｍ、５４０μｍ、５５０μｍ、５６０μｍ、５７０μｍ、５８０μｍ、５９０μｍ、若しくは６００μｍ、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入るの厚さを有することができる。フォトレジストフィルムの厚さが厚いほど、金属導電層の可能な厚さが厚くなる。従って、本願発明のフォトレジストフィルムは、２．５Ｄ及び３Ｄ集積回路のパッケージに特に適しており、導電層のプレーティングの前のパターニングに有用である。
本願発明のフォトレジストフィルムは、ポジティブフォトレジストフィルム又はネガティブフォトレジストフィルムであることができる。本願発明のいくつかの実施態様において、本願発明のフォトレジストフィルムはネガティブフォトレジストフィルムである。露光後、露光されていないフォトレジストフィルムの部分はフォトレジスト現像液に溶解し、現像後、露光されたフォトレジストフィルムの部分は残る。
本願発明の実施態様において、本願発明のフォトレジストフィルムは、ドライフィルム、すなわち低溶媒量の樹脂フィルムである。前記の低溶媒量は、フォトレジストフィルムの全重量に基づいて、溶媒量が、１０重量％以下、特に５重量％以下、より特に０．１～４重量％である。インク状及び液体状のウェットフィルムと対照的に、ドライフィルムは、その低溶媒量のために流動し又は変形する可能性が低く、被覆又は乾燥等の追加のプロセスを必要とせずに基材に付着させることができる。従って、ドライフィルムは、制御し易く、操作性が優れている。
１．２．フォトレジストフィルムの成分
０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５である前提において、必要に応じて、本願発明のフォトレジストフィルムの成分を調節することができる。本願発明のいくつかの実施態様において、フォトレジストフィルムは、ネガティブフォトレジストフィルムである。フォトレジストフィルムは、（Ａ）アルカリ可溶性ポリマー、（Ｂ）エチレン性不飽和化合物の成分、及び（Ｃ）光重合開始剤を含み、任意に更に添加物を含むことができる。
１．２．１．（Ａ）アルカリ可溶性ポリマー
アルカリ可溶性ポリマーは、カルボキシ含有ポリマーである。アルカリ可溶性ポリマーの例には、カルボキシ含有アクリル酸系ポリマー、カルボキシ含有ビニルアロマティック系ポリマー、カルボキシ含有ノルボルネン系ポリマー、カルボキシ含有エポキシ系ポリマー、カルボキシ含有アミド系ポリマー、カルボキシ含有アミドエポキシ系ポリマー、カルボキシ含有アルキド系ポリマー、及びカルボキシ含有フェノール系ポリマーが含まれるが、これらに限定されない。前記のアルカリ可溶性ポリマーは、単独で又は組み合わせて用いることができる。本願発明のいくつかの実施態様において、アルカリ可溶性ポリマーは、カルボキシ含有アクリル酸系ポリマーである。
１つ以上のカルボキシ含有重合性モノマーをポリマー化することで、又はカルボキシルを含まない他の重合性モノマーと１つ以上のカルボキシ含有重合性モノマーをコポリマー化することで、アルカリ可溶性ポリマーを得ることができる。従って、アルカリ可溶性ポリマーは、カルボキシ含有重合性モノマーに由来する１つ以上の繰り返し単位を含むことができ、又はカルボキシ含有重合性モノマーに由来する１つ以上の繰り返し単位と他の有重合性モノマーに由来する１つ以上の繰り返し単位とを含むことができる。
本願発明のいくつかの実施態様において、アルカリ可溶性ポリマーは、少なくとも１つの第１の重合性モノマーに由来する繰り返し単位、及び少なくとも１つの第２の重合性モノマーに由来する繰り返し単位を有し、第１の重合性ポリマーはカルボキシを含む。第１の重合性モノマーの例には、（メタ）アクリル酸、β－ブロモ（メタ）アクリル酸、α－クロロ（メタ）アクリル酸、β－フタルイミド（メタ）アクリル酸、β－スチリル（メタ）アクリル酸、プロピオル酸、フマル酸、桂皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸が含まれるが、これらに限定されない。第２の重合性モノマーは、カルボキシを含まない。第２の重合性モノマーの例には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、１－メチルシクロペンチル（メタ）アクリレート、１－メチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２－メチル－２－アダマンチル（メタ）アクリレート、２－エチル－２－アダマンチル（メタ）アクリレート、２－ブチル－２－アダマンチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジルメタクリレート、２，２，２－トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、及び２，２，３，３－テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート系化合物；（メタ）アクリロニトリル；ビニルアセテート、及びビニルｎ－ブチレート等のビニルエステル系化合物；スチレン、ビニルナフタレン、３－アセトキシスチレン、４－アセトキシスチレン、ビニルトルエン、及びα－メチルスチレン等のビニルアロマティック系化合物；ノルボルネン；アクリルアミド；モノメチルマレエート、モノエチルマレエート、及びモノイソプロピルマレエート等のマレエート系化合物；及び前記の重合性モノマーの誘導体が含まれるが、これらに限定されない。前記の第１の重合性モノマー及び第２の重合性モノマーは、単独で又は組み合せて用いることができる。
本願発明の好ましい実施態様において、（メタ）アクリル酸と１つ以上の（メタ）アクリレート系化合物をコポリマー化することで、アルカリ可溶性ポリマーを得ることができる。従って、アルカリ可溶性ポリマーは、（メタ）アクリル酸に由来する繰り返し単位、及び（メタ）アクリレート系化合物に由来する繰り返し単位を含むことができる。（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリレート系化合物の重量比は、１：２０～１：１、より特に１：６～１：４であることができる。例えば、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリレート系化合物の重量比は、１：２０、１：１９、１：１８、１：１７、１：１６、１：１５、１：１４、１：１３、１：１２、１：１１、１：１０、１：９、１：８、１：７、１：６、１：５、１：４、１：３、１：２、若しくは１：１、又はこれら記載された任意の２つの値の間の範囲内に入ることができる。
アルキル可溶性ポリマーの平均分子量は、１０，０００～１８０，０００、好ましくは４０，０００～８０，０００であることができる。例えば、アルキル可溶性ポリマーの重量平均分子量は、１０，０００、１５，０００、２０，０００、２５，０００、３０，０００、３５，０００、４０，０００、４５，０００、５０，０００、５５，０００、６０，０００、６５，０００、７０，０００、７５，０００、８０，０００、８５，０００、９０，０００、９５，０００、１００，０００、１０５，０００、１１０，０００、１１５，０００、１２０，０００、１２５，０００、１３０，０００、１３５，０００、１４０，０００、１４５，０００、１５０，０００、１５５，０００、１６０，０００、１６５，０００、１７０，０００、１７５，０００、若しくは１８０，０００、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。
フォトレジストフィルムの全重量に基づいて、アルキル可溶性ポリマーの量は、２０重量％～８５重量％、特に４０重量％～８０重量％、より特に５０重量％～７５重量％であることができる。例えば、フォトレジストフィルムの全重量に基づいて、アルキル可溶性ポリマーの量は、２０重量％、２２．５重量％、２５重量％、２７．５重量％、３０重量％、３２．５重量％、３５重量％、３７．５重量％、４０重量％、４２．５重量％、４５重量％、４７．５重量％、５０重量％、５２．５重量％、５５重量％、５７．５重量％、６０重量％、６２．５重量％、６５重量％、６７．５重量％、７０重量％、７２．５重量％、７５重量％、７７．５重量％、８０重量％、８２．５重量％、若しくは８５重量％、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。
１．２．２．（Ｂ）エチレン性不飽和化合物の成分
エチレン性不飽和化合物は、少なくとも１つの反応性エチレン官能基を有する化合物を表し、好ましくは２つの反応性エチレン官能基を有する二官能性化合物である。本願発明のいくつかの実施態様において、エチレン性不飽和化合物の成分には、一官能性又は多官能性のアクリル酸系化合物が含まれ、好ましくは二官能性のアクリル酸系化合物が含まれる。アクリル酸系化合物の例には、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化ビスフェノール－Ａジアクリレート、エトキシ化ビスフェノール－Ａジメタクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリス（（メタ）アクリルオキシイソシアネート）ヘキサメチレンイソシアヌレート、エトキシ化ウレタンジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ウレタンジ（メタ）アクリレート、エトキシ化／プロポキシ化ウレタンジ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリス（メタクリルオキシイソシアネート）ヘキサメチレンイソシアヌレート、アクリル化トリス（メタクリルオキシイソシアネート）ヘキサメチレンイソシアヌレート、エトキシ化／プロポキシ化トリス（メタクリルオキシイソシアネート）ヘキサメチレンイソシアヌレートが含まれるが、これらに限定されない。エチレン性不飽和化合物の成分の重量に基づいて、二官能性のアクリル酸系化合物の量は、好ましくは６０重量％以上である。例えば、エチレン性不飽和化合物の成分の重量に基づいて、二官能性のアクリル酸系化合物の量は、６０重量％、６２．５重量％、６５重量％、６７．５重量％、７０重量％、７２．５重量％、７５重量％、７７．５重量％、８０重量％、８２．５重量％、８５重量％、８７．５重量％、９０重量％、９２．５重量％、９５重量％、９７．５重量％、若しくは１００重量％、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。
本願発明のいくつかの実施態様において、エチレン性不飽和化合物の成分は、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート及びエトキシ化ビスフェノール－Ａジメタクリレートを含む。
フォトレジストフィルムの全重量に基づいて、エチレン性不飽和化合物の成分の量は、５重量％～７０重量％、特に１５重量％～５０重量％、より特に２０重量％～４５重量％であることができる。例えば、フォトレジストフィルムの全重量に基づいて、エチレン性不飽和化合物の成分の量は、５重量％、７．５重量％、１０重量％、１２．５重量％、１５重量％、１７．５重量％、２０重量％、２２．５重量％、２５重量％、２７．５重量％、３０重量％、３２．５重量％、３５重量％、３７．５重量％、４０重量％、４２．５重量％、４５重量％、４７．５重量％、５０重量％、５２．５重量％、５５重量％、５７．５重量％、６０重量％、６２．５重量％、６５重量％、６７．５重量％、若しくは７０重量％、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。
１．２．３．（Ｃ）光重合開始剤
光重合開始剤は、光の存在下、重合反応を開始させることができる物質を表す。光重合開始剤の種類としては、特に限定されない。光重合開始剤の例には、イミダゾール系化合物、ケトン系化合物、キノン系化合物、ベンゾイン系又はベンゾインエーテル系化合物、ポリハロゲン化化合物、トリアジン系化合物、有機パーオキサイド化合物、オニウム化合物、及び他の一般的な周知の光重合開始剤が含まれるが、これらに限定されない。前記の光重合開始剤は、単独で又は組み合せて用いることができる。
イミダゾール系化合物の例には、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾールダイマー、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（ｍ－メトキシフェニル）イミダゾールダイマー、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾールダイマー、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾールダイマー、及び２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾールダイマー等の２，４，５－トリアリールイミダゾールダイマーが含まれるが、これらに限定されない。
ケトン系化合物の例には、ベンゾフェノン、４，４－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、４－ジメチルアミノベンゾフェノン、４－ジメチルアミノアセトフェノン、キサントン、チオキサントン、２－クロロチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、アクリドン、α－ヒドロキシアセトフェノン、α－アミノアセトフェノン、α－ヒドロキシシクロアルキルフェノン、及びジアルキルアセトフェノンが含まれるが、これらに限定されない。
キノン系化合物の例には、カンファーキノン、ベンズアントラキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、及び２－メチルアントラキノンが含まれるが、これらに限定されない。
ベンゾイン系又はベンゾインエーテル系化合物の例には、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、及びベンゾインフェニルエーテルが含まれるが、これらに限定されない。
ポリハロゲン化化合物の例には、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、及びフェニルトリクロロメチルケトンが含まれるが、これらに限定されない。
トリアジン系化合物の例には、２，４，６－トリス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－メトキシ－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－アミノ－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、及び２－（ｐ－メトキシフェニルエチニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジンが含まれるが、これらに限定されない。
有機パーオキサイド化合物の例には、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルイソフタレートパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ａ，ａ’－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、及び３，３’，４，４’－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノンが含まれるが、これらに限定されない。
オニウム化合物の例には、ジフェニルヨードニウム、４，４’－ジクロロジフェニルヨードニウム、４，４’－ジメトキシジフェニルヨードニウム、４，４’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルヨードニウム、４－メチル－４’－イソプロピルジフェニルヨードニウム、若しくは３，３’－ニトロジフェニルヨードニウムを、クロライド、ブロマイド、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアーセネート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート若しくはトリフルオロメタンスルホン酸と組み合せて得られるジアリールヨードニウム塩又はトリアリールスルホニウム塩が含まれるが、これらに限定されない。
他の一般的な周知の光重合開始剤の例には、フッ素、ビスアシルホスフィンオキサイド、アジニウム化合物、有機ホウ素化合物、フェニルグリオキレート、及びチタノセンが含まれるが、これらに限定されない。
本願発明のいくつかの実施態様において、光重合開始剤は、イミダゾール系化合物又はケトン系化合物である。
本願発明のフォトレジストフィルムにおいて、フォトレジストフィルムの全重量に基づいて、光重合開始剤の量は、０．１重量％～１５重量％、特に０．５重量％～１０重量％、より特に１重量％～５重量％であることができる。例えば、フォトレジストフィルムの全重量に基づいて、光重合開始剤の量は、０．１重量％、０．５重量％、１重量％、１．５重量％、２重量％、２．５重量％、３重量％、３．５重量％、４重量％、４．５重量％、５重量％、５．５重量％、６重量％、６．５重量％、７重量％、７．５重量％、８重量％、８．５重量％、９重量％、９．５重量％、１０重量％、１０．５重量％、１１重量％、１１．５重量％、１２重量％、１２．５重量％、１３重量％、１３．５重量％、１４重量％、１４．５重量％、若しくは１５重量％、又はこれら記載された２つの値の間の範囲内に入ることができる。
１．２．４．任意の添加物
０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５である前提において、本願発明のフォトレジストフィルムは、フォトレジストフィルムの特性を改良するために添加物を更に含むことができる。前記添加物の例には、光吸収剤、染料、顔料、ラジカル開始剤、及び界面活性剤が含まれるが、これらに限定されない。前記添加剤は、単独で又は組み合わせて用いることができる。本願発明のいくつかの実施態様において、フォトレジストフィルムは、特定の波長におけるフォトレジストフィルムの吸収を調節するために光吸収剤を更に含む。
１．３．フォトレジストフィルムの調製
本願発明のフォトレジストフィルムの調製方法は、特に限定されない。当業者は、本出願の明細書の記載に基づいて、本願発明のフォトレジストフィルムを調製することができる。例えば、前記のネガティブフォトレジストフィルムを調製する場合、以下の工程：（Ａ）アルカリ可溶性ポリマー、（Ｂ）エチレン性不飽和化合物の成分、（Ｃ）光重合開始剤、及び他の任意の添加物を含むフォトレジストフィルムの各成分を攪拌機で均一に混合し、これら成分を溶媒に溶解又は分散して樹脂組成物を提供する工程；樹脂組成物を回路基板上に被覆する工程；及び、被覆された樹脂組成物を乾燥させてフォトレジストフィルムを得る工程で、フォトレジストフィルムを調製することができる。詳細な調製方法は、以下の実施例に記載される。
２．フォトレジストフィルムの適用
一般に、フォトレジストフィルムの保存を容易にし、損傷及び外来の物質の混入を防ぐために、使用前にフォトレジストフィルムの各表面は、保護及び支持を提供する保護フィルムで覆われる。従って、本願発明はまた、前記のフォトレジストフィルムと、フォトレジストフィルムの少なくとも１つの表面上の保護フィルムとを含む、複合体フィルムを提供する。本願発明の好ましい実施態様において、保護フィルムは、フォトレジストフィルムの各表面上に提供され、フォトレジストフィルムの異なる表面上の保護フィルムの材料は、同一又は異なることができる。
保護フィルムの種類は、特に限定されず、本技術分野で知られる如何なる従来のフィルムであることができる。例えば、保護フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）、ポリオレフィンフィルム、及びこれらの複合体からなる群から選択することができる。ポリオレフィンフィルムの例には、ポリエチレンフィルム（ＰＥフィルム）、及びポリプロピレンフィルム（ＰＰフィルム）、例えばポリプロピレン延伸フィルムが含まれるが、これらに限定されない。複合体は、ポリエチレンテレフタレートフィルムとポリオレフィンフィルムの複合体、又は異なるポリオレフィンフィルムの複合体であることができる。本願発明の好ましい実施態様において、複合体フィルムは、フォトレジストフィルムの１つの表面上のＰＥＴフィルム、及びフォトレジストフィルムの他の表面上のＰＥフィルムを含む。
本願発明の複合体フィルムの調製方法は、特に限定されず、本技術分野で知られる如何なる方法であることができる。当業者は、本願の明細書の記載に基づいて、複合体フィルムを調製することができる。例えば、フォトレジストフィルムの両方の表面上に保護フィルムを積み重ねて積層体を提供する工程、及び積層体をプレス加工して複合体フィルムを得る工程で、複合体フィルムを調製することができる。あるいは、フォトレジストフィルム形成用樹脂組成物を第１の保護フィルム上に被覆する工程、被覆された樹脂組成物を乾燥させて第１の保護フィルム上にフォトレジストフィルムを形成させる工程、及び、その後、第１の保護フィルムに接触していないフォトレジストフィルムの表面上に第２の保護フィルムを接着させる工程で、複合体フィルムを調製することができる。あるいは、所定の距離に保たれた２つの保護フィルムの間の隙間にフォトレジストフィルム形成用樹脂組成物を押し出す工程、及び、その後、押し出された樹脂組成物を乾燥させて、２つの保護フィルムの間にフォトレジストフィルムを形成させる工程で、複合体フィルムを調製することができる。
３．実施例
３．１．試験方法
［フォトレジストフィルムの厚さ］
フォトレジストフィルムを含む調製された複合体フィルムを、５ｃｍ×３ｃｍの大きさに切断した。続いて、フォトレジストフィルムの両表面上の保護フィルムを剥がした。得られたフォトレジストフィルムを、膜厚ゲージ（モデル：ニコンデジマイクロ ＭＦＣ－１０１＋ＭＳ－１１Ｃ，株式会社ニコン製）のプラットフォーム（ＭＳ－１１Ｃ プラットフォーム）上に配置して、試験圧力１４０ｇｆでＭＦＣ－１０１カウンターを用いて測定した。異なる１０か所を測定し、測定された値を平均することで、フォトレジストフィルムの厚さを決定した。
［フォトレジストフィルムの吸光度］
フォトレジストフィルムを含む調製された複合体フィルムを、５ｃｍ×３ｃｍの大きさに切断した。続いて、フォトレジストフィルムの両表面上の保護フィルムを剥がした。紫外可視分光光度計（モデル：Ｓｈｉｍａｄｚｕ ＵＶ－１６０１，島津製作所製）を用いて、得られたフォトレジストフィルムを以下の方法で測定した。ジグを用いてフォトレジストフィルムを入射光の方向に対して垂直に配置した。以下の操作条件で測定を行った。回折格子が光スプリッターとして構成され、試験温度が２５℃であり、試験圧力が１気圧であり、分析モードが吸光度であり、走査波長の範囲が１９０ｎｍ～１１００ｎｍであり、ブランクサンプルは空気であり、走査速度は２２００ｎｍ／分であり、光源を重水素ランプからタングステンランプに切り替えるスイッチ波長は３４０．８ｎｍであり、サンプリング間隔は０．２ｎｍであり、スリット幅は２．０ｎｍであり、分析のために、Ｓｈｉｍａｄｚｕ ＵＶ Ｐｒｏｂｅ Ｖ１．１１ソフトウエアを用いた。４０５ｎｍの吸収Ａ４０５ｎｍ、４３６ｎｍの吸収Ａ４３６ｎｍ、及び３６５ｎｍの吸収Ａ３６５ｎｍを得た。
［フォトレジストパターンの断片形状］
直径６インチ及び厚さ６２５μｍのＴｉ（６００Ａ）／Ｃｕ（２０００Ａ）ウェハーをバッチオーブン内で８０℃で１０分間予熱し、フィルムをプレスする前、ウェハーの表面の温度を５０℃に維持した。フォトレジストフィルムをウェハーの表面上に配置し、フィルムラミネーター（モデル：ＣＳＬ－Ｍ２５Ｅ、Ｃ ＳＵＮ社製）を用いてプレスした。プレス温度は１０５℃であり、プレス圧力は３ｋｇ／ｃｍ２であり、プレス速度は２．０ｍ／分であった。プレスが完了した後、フィルムの余分な部分を除去し、得られたフォトレジストフィルムサンプルを１５分間放置して室温まで冷却した。
最小現像時間は、以下の工程：０．９％～１．１％のＮａ２ＣＯ３水溶液を調製し、水溶液の温度を２９℃～３１℃に、スプレー圧力を２．０ｋｇ／ｃｍ２に設定し、フォトレジストフィルムサンプルをウェハーと共に現像機（モデル：Ｓ３０Ｃ、パイオニアテクノロジーエンジニアリング社製）内に設置し、「フラッシュ」及び「スィング」を作動させ、ここで、現像セクションの長さは１．３ｍであり、洗浄セクションの長さは１．３ｍであり、 フォトレジストが完全に現像されて除去された時点を最小現像時間（ＭＤＴ）として記録する工程で測定された。
フォトレジストフィルムをステッパー（モデル：Ｕｌｔｒａｔｅｃｈ Ｓｔｅｐｐｅｒ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ、Ｕｌｔｒａｔｅｃｈ社製）を用いて露光した。露光光源の波長はそれぞれ４０５ｎｍ、４３６ｎｍ及び３６５ｎｍであった。露光エネルギーが８００ｍＪ／ｃｍ２に達するまで露光プロセスを継続した。目標のフォトレジストパターンは、幅に対する深さの比が２．０であり、パターン部分と非パターン部分の比（すなわち、ビアの直径：フォトレジストの幅）が１：１であった。露光が完了した後、露光されたフォトレジストフィルムを３０分間放置した。その後、０．９％～１．１％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用い、溶液の温度を２９℃～３１℃に設定し、スプレー圧力を２．０ｋｇ／ｃｍ２に設定し、現像時間を最小現像時間の２倍（ＭＤＴ×２）に設定して、露光されたフォトレジストフィルムを現像し、それによって、現像されたフォトレジストフィルムを得た。
現像されたフォトレジストフィルムをウェハーと共に非パターン部分（ビア部分）でウェハーカッターで切断し、走査型電子顕微鏡を用いてフォトレジストパターンの断面形状を観察した。ここで、標本を７５°傾け、倍率は２００倍であった。フォトレジストの断面をランダムに選択し、フォトレジストの上端（ウェハーから離れた端）から計算されたフォトレジストの総厚の１／２５、２／２５、３／２５、４／２５及び５／２５の位置のフォトレジストの幅を測定し、測定された５つの値を平均して上部の幅を得た。また、フォトレジストの下端（ウェハーに接触する端）から計算されたフォトレジストの総厚の１／２５、２／２５、３／２５、４／２５及び５／２５の位置のフォトレジストの幅を測定し、測定された５つの値を平均して下部の幅を得た。「｜（上部の幅－下部の幅）｜／厚さ」の値が０．０４未満であれば、結果は「長方形」と記録され、フォトレジストパターンの断面形状は良好であることを意味する。「｜（上部の幅－下部の幅）｜／厚さ」の値が０．０４以上であれば、結果は「台形」と記録され、フォトレジストパターンの断面形状が不良であることを意味する。式中の「｜（上部の幅－下部の幅）｜」は、「（上部の幅－下部の幅）」の絶対値を表する。
［フォトレジストパターンのフッティング（footing）の長さ］
直径６インチ及び厚さ６２５μｍのＴｉ（６００Ａ）／Ｃｕ（２０００Ａ）ウェハーをバッチオーブン内で８０℃で１０分間予熱し、フィルムをプレスする前、ウェハーの表面の温度を５０℃に維持した。フォトレジストフィルムをウェハーの表面上に配置し、フィルムラミネーター（モデル：ＣＳＬ－Ｍ２５Ｅ、Ｃ ＳＵＮ社製）を用いてプレスした。プレス温度は１０５℃であり、プレス圧力は３ｋｇ／ｃｍ２であり、プレス速度は２．０ｍ／分であった。プレスが完了した後、フィルムの余分な部分を除去し、得られたフォトレジストフィルムサンプルを１５分間放置して室温まで冷却した。
フォトレジストフィルムをステッパー（モデル：Ｕｌｔｒａｔｅｃｈ Ｓｔｅｐｐｅｒ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ、Ｕｌｔｒａｔｅｃｈ社製）を用いて露光した。露光光源の波長はそれぞれ４０５ｎｍ、４３６ｎｍ及び３６５ｎｍであった。露光エネルギーが８００ｍＪ／ｃｍ２に達するまで露光プロセスを継続した。目標のフォトレジストパターンは、幅に対する深さの比が２．０であり、パターン部分と非パターン部分の比（すなわち、ビアの直径：フォトレジストの幅）が１：１であった。露光が完了した後、露光されたフォトレジストフィルムを３０分間～２４時間放置した。その後、０．９％～１．１％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用い、溶液の温度を２９℃～３１℃に設定し、スプレー圧力を２．０ｋｇ／ｃｍ２に設定し、現像時間を最小現像時間の２倍（ＭＤＴ×２）及び最小現像時間の４倍（ＭＤＴ×４）に設定して、露光されたフォトレジストフィルムを現像し、それによって、現像されたフォトレジストフィルムを得た。最小現像時間（ＭＤＴ）は、［フォトレジストパターンの断面形状］の項で説明した最小現像時間の試験結果に基づいた。
現像されたフォトレジストフィルムをウェハーと共に非パターン部分（ビア部分）でウェハーカッターで切断し、走査型電子顕微鏡を用いてフォトレジストパターンの断面形状を観察した。ここで、標本を７５°傾け、倍率は５０００倍であった。フォトレジストの断面をランダムに選択し、フォトレジストの底部が非フォトレジストパターン部分に向かってより突出している側を選択して、フッティングの長さを測定した。フッティングの長さは、以下のようにして測定した。フォトレジストの下端からフォトレジストの総厚の１／５離れたフォトレジストの側壁の位置を基準点とし、基準点から下方に延びてウェハーの表面に垂直な基準線を引いた。「基準線とウェハーの表面の交点」と「フォトレジストの側壁とウェハーの表面の交点」の間の距離、すなわちフッティングの長さを計算した。
３．２．フォトレジストフィルムの調製及び試験
３．２．１．アルカリ可溶性ポリマーの合成
以下の合成実施例１～３に従って、アルカリ可溶性ポリマーとしてカルボキシ含有アクリル酸系ポリマーを調製した。
［合成実施例１］
共重合モノマーとして、１５ｇのメタクリル酸、５０ｇのメチルメタクリレート、３０ｇのブチルアクリレート、及び５ｇのブチルメタクリレートを、１．０ｇのアゾビスイソヘプチルニトリルと混合して、溶液ａ１を調製した。別に、０．５ｇのアゾビスイソヘプチルニトリルを２０ｇの酢酸エチルに溶解させて、溶液ｂ１を調製した。
攪拌機、還流冷却器、温度計及びピペットを備えたフラスコを準備し、８０ｇの酢酸エチル（溶媒）をフラスコに加え、７０℃に加熱した。溶液ａ１をフラスコに３時間で一定速度で滴下し、フラスコ中の溶液を７０℃の温度で維持し、２時間攪拌した。溶液ｂ１をフラスコに０．５時間で一定速度で滴下し、フラスコ中の溶液を７０℃の温度で維持し、５時間攪拌した。その後、フラスコ中の溶液を９０℃に加熱し、５時間攪拌して、反応を十分に行った。反応が終了した後、得られた結果物を室温に冷却することで、６５，０００の重量平均分子量と５０重量％の固形分を有するカルボキシ含有アクリル酸系ポリマーＡ（以下、ポリマーＡと呼ぶ）を得た。
［合成実施例２］
共重合モノマーとして、１５ｇのメタクリル酸、６５ｇのメチルメタクリレート、１０ｇのブチルアクリレート、及び１０ｇのブチルメタクリレートを、０．７５ｇのアゾビスイソヘプチルニトリルと混合して、溶液ａ２を調製した。別に、０．５ｇのアゾビスイソヘプチルニトリルを２０ｇの酢酸エチルに溶解させて、溶液ｂ２を調製した。
攪拌機、還流冷却器、温度計及びピペットを備えたフラスコを準備し、１０２．２ｇの酢酸エチルをフラスコに加え、７０℃に加熱した。溶液ａ２をフラスコに３時間で一定速度で滴下し、フラスコ中の溶液を７０℃の温度で維持し、２時間攪拌した。溶液ｂ２をフラスコに０．５時間で一定速度で滴下し、フラスコ中の溶液を７０℃の温度で維持し、５時間攪拌した。その後、フラスコ中の溶液を９０℃に加熱し、５時間攪拌して、反応を十分に行った。反応が終了した後、得られた結果物を室温に冷却することで、６５，０００の重量平均分子量と４５重量％の固形分を有するカルボキシ含有アクリル酸系ポリマーＢ（以下、ポリマーＢと呼ぶ）を得た。
［合成実施例３］
共重合モノマーとして、２０ｇのメタクリル酸、４５ｇのメチルメタクリレート、及び３５ｇの２－エチルヘキシルアクリレートを、０．５ｇのアゾビスイソヘプチルニトリルと混合して、溶液ａ３を調製した。別に、０．５ｇのアゾビスイソヘプチルニトリルを２０ｇの酢酸エチルに溶解させて、溶液ｂ３を調製した。
攪拌機、還流冷却器、温度計及びピペットを備えたフラスコを準備し、８０ｇの酢酸エチルをフラスコに加え、７０℃に加熱した。溶液ａ３をフラスコに３時間で一定速度で滴下し、フラスコ中の溶液を７０℃の温度で維持し、２時間攪拌した。溶液ｂ３をフラスコに０．５時間で一定速度で滴下し、フラスコ中の溶液を７０℃の温度で維持し、５時間攪拌した。その後、フラスコ中の溶液を９０℃に加熱し、５時間攪拌して、反応を十分に行った。反応が終了した後、得られた結果物を室温に冷却することで、５５，０００の重量平均分子量と５０重量％の固形分を有するカルボキシ含有アクリル酸系ポリマーＣ（以下、ポリマーＣと呼ぶ）を得た。
３．２．２．フォトレジストフィルムの調製
以下の実施例及び比較例で用いた原料に関する情報を以下の表１に示す。
表２に示す比率に従って成分を混合し、均一に混合するように１時間攪拌することで、樹脂組成物を得た。Ｋｏｄａｉｒａ巻線型ロッドを用いて保護フィルムとして機能するＰＥＴフィルムの上に、得られた樹脂組成物を被覆した。被覆された樹脂組成物を、１００℃で２４時間、オーブン中で乾燥した。その後、乾燥された樹脂組成物の表面を、保護フィルムとして機能するＰＥフィルムで覆われた。それによって、実施例１～７（Ｅ１～Ｅ７）及び比較例１～５（ＣＥ１～ＣＥ５）の保護フィルムで覆われたフォトレジストフィルム（すなわち、複合体フィルム）が得られた。
３．２．３．フォトレジストフィルムの試験
前記の試験方法に従って、実施例１～７及び比較例１～５のフォトレジストフィルムを試験した。その結果を表３に記す。
表３に示されるように、本願発明の実施例１～７（Ｅ１～Ｅ７）のフォトレジストフィルムは、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５の特徴を有する。フォトレジストフィルムの露光及び現像の後に形成されるフォトレジストパターンは、長方形の形状、及び短いフッティングの長さ（１０μｍ未満）を有する。このことは、フォトレジストパターンがそれぞれ良好なフォトレジストプロファイルを有することを意味する。特に、実施例３及び７（Ｅ３及びＥ７）は、フォトレジストフィルムが０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００２、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００１の特徴を有する場合、フォトレジストパターンは最も短いフッティングの長さを有し、従って、最良のフォトレジストプロファイルを有することを、更に示す。それに対して、比較例１～５（ＣＥ１～ＣＥ５）のフォトレジストフィルムは、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５の特徴を有しておらず、比較例のフォトレジストフィルムの露光及び現像の後に形成されたフォトレジストパターンは、長方形の形状を有しておらず、より長いフッティングの長さを有する。このことは、フォトレジストパターンが不良のフォトレジストプロファイルを有することを意味する。そのようなフォトレジストフィルムは、高精度が要求されるエッチング又は電気めっき加工に有用ではない。
前記の実施例は、本願発明の原理及び効果を説明し、その発明的特徴を示す。当業者は、記載された発明の開示及び提案に基づいて、様々な変更及び交換を行うことができる。従って、本願発明の保護範囲は、添付する特許請求の範囲で定義されたものである。

Claims (11)

  1. μｍの単位の厚さＴを有するフォトレジストフィルムであって、
    フォトレジストフィルムを紫外可視分光法で特徴づける場合、フォトレジストフィルムが４０５ｎｍの吸収Ａ４０５ｎｍ、及び４３６ｎｍの吸収Ａ４３６ｎｍを有し、０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００６、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００５であり、厚さＴが６０μｍ～６００μｍである、フォトレジストフィルム。
  2. フォトレジストフィルムを紫外可視分光法で特徴づける場合、フォトレジストフィルムが更に３６５ｎｍの吸収Ａ３６５ｎｍを有し、０＜Ａ３６５ｎｍ／Ｔ≦０．０１０である、請求項１に記載のフォトレジストフィルム。
  3. 紫外可視分光法が、紫外可視分光光度計を用いて以下の操作条件で測定され、
    フォトレジストフィルムが入射光の方向に対して垂直に配置され、回折格子が光スプリッターとして構成され、試験温度が２５℃であり、試験圧力が１気圧であり、分析モードが吸光度であり、走査波長の範囲が１９０ｎｍ～１１００ｎｍであり、ブランクサンプルは空気であり、走査速度は２２００ｎｍ／分であり、光源を重水素ランプからタングステンランプに切り替えるスイッチ波長は３４０．８ｎｍであり、サンプリング間隔は０．２ｎｍであり、スリット幅は２．０ｎｍである、請求項１に記載のフォトレジストフィルム。
  4. 紫外可視分光法が、紫外可視分光光度計を用いて以下の操作条件で測定され、
    フォトレジストフィルムが入射光の方向に対して垂直に配置され、回折格子が光スプリッターとして構成され、試験温度が２５℃であり、試験圧力が１気圧であり、分析モードが吸光度であり、走査波長の範囲が１９０ｎｍ～１１００ｎｍであり、ブランクサンプルは空気であり、走査速度は２２００ｎｍ／分であり、光源を重水素ランプからタングステンランプに切り替えるスイッチ波長は３４０．８ｎｍであり、サンプリング間隔は０．２ｎｍであり、スリット幅は２．０ｎｍである、請求項２に記載のフォトレジストフィルム。
  5. ネガティブフォトレジストフィルムである、請求項１に記載のフォトレジストフィルム。
  6. ０＜Ａ４０５ｎｍ／Ｔ≦０．００２、及び０＜Ａ４３６ｎｍ／Ｔ≦０．００１である、請求項１に記載のフォトレジストフィルム。
  7. （Ａ）アルカリ可溶性ポリマー、
    （Ｂ）エチレン性不飽和化合物の成分、及び
    （Ｃ）光重合開始剤を含む、請求項１に記載のフォトレジストフィルム。
  8. エチレン性不飽和化合物の成分が二官能性アクリル酸系化合物である、請求項７に記載のフォトレジストフィルム。
  9. エチレン性不飽和化合物の成分の重量に基づいて、二官能性アクリル酸系化合物の量が６０重量％以上である、請求項８に記載のフォトレジストフィルム。
  10. 請求項１～９のいずれかに記載のフォトレジストフィルム、及び
    フォトレジストフィルムの少なくとも１つの表面上の保護フィルムを含む、複合体フィルム。
  11. 保護フィルムが、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリオレフィンフィルム及びこれらの複合体からなる群から選択される、請求項１０に記載の複合体フィルム。
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