JP2024032131A - 切削装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】切削屑がデバイスへ付着することを防止すると共に、電極が酸化して錆びることを防止することができる切削装置を提供する。【解決手段】電極を備えたデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に複数形成された被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に切削送りするＸ軸送り手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み構成される切削装置であって、該切削手段に隣接して配設され、切削ブレードと被加工物との接触点に切削液を供給する切削液供給ノズルと、被加工物の幅を超える長さをＹ軸方向に有し、デバイスに形成された電極が錆びないように防錆剤を供給する防錆剤供給ノズルと、を備える。【選択図】図４

Description

本発明は、電極を備えたデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に複数形成された被加工物を切削する切削装置に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを回転可能に備えた切削装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に切削送りするＸ軸送り手段と、該チャックテーブルと切削手段とを相対的にＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み構成されていて、ウエーハを高精度に個々のデバイスチップに分割することができる。
また、上記した切削ブレードによってウエーハを切削すると、切削屑（コンタミ）がウエーハの表面に浮遊して付着し、デバイスの品質を低下させることから、ウエーハの表面に洗浄水を供給して切削屑を洗い流し、デバイスチップに付着するのを防止する技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２０１４－１２１７３８号公報
ところで、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ－Ｆｌａｔ－Ｎｏｎ ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）の如くのパッケージ基板を切削すると、時間の経過に伴ってデバイスを構成する電極パッドが酸化して錆び、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
このような問題は、ＱＦＮを形成するパッケージ基板を切削する場合に限らず、複数の電極が表面に配設されたデバイスが形成された半導体ウエーハを切削する場合においても起こり得る問題である。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、切削屑がデバイスへ付着することを防止すると共に、デバイスの電極が酸化して錆びることを防止することができる切削装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、電極を備えたデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に複数形成された被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に切削送りするＸ軸送り手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み構成される切削装置であって、該切削手段に隣接して配設され、切削ブレードと被加工物との接触点に切削液を供給する切削液供給ノズルと、被加工物の幅を超える長さをＹ軸方向に有し、デバイスに形成された電極が錆びないように防錆剤を供給する防錆剤供給ノズルと、を備える切削装置が提供される。
該切削液供給ノズルは、純水、又は有機酸と酸化剤の混合液を供給することが好ましい。
本発明の切削装置は、電極を備えたデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に複数形成された被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に切削送りするＸ軸送り手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み構成される切削装置であって、該切削手段に隣接して配設され、切削ブレードと被加工物との接触点に切削液を供給する切削液供給ノズルと、被加工物の幅を超える長さをＹ軸方向に有し、デバイスに形成された電極が錆びないように防錆剤を供給する防錆剤供給ノズルと、を備えていることから、例えばＱＦＮの如くパッケージ基板を切削して時間が経過しても、デバイスの電極が酸化して錆びることが防止され、デバイスの品質の低下を招くという問題が解消される。
本実施形態の切削装置の全体斜視図である。 図１に記載の切削装置に配設された切削手段を拡大して示す斜視図である。 図２に示す防錆剤供給ノズルとウエーハとを示す平面図である。 切削加工の実施態様を示す斜視図である。 図４に示す実施態様の正面図である。
以下、本発明に基づいて構成される切削装置に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
図１には、本実施形態の切削装置１の全体斜視図が示されている。図示の切削装置１によって加工される被加工物は、複数の電極（図示は省略している）が表面に配設されたデバイスＤが形成されたシリコン（Ｓｉ）のウエーハＷである。該ウエーハＷは、環状のフレームＦに粘着テープＴを介して保持されている。
切削装置１は、複数のウエーハＷを収容するカセット４（２点鎖線で示す）と、カセット４に収容されたウエーハＷを搬出して仮置きする仮置きテーブル５と、カセット４から仮置きテーブル５にウエーハＷを搬出すると共に仮置きテーブル５からカセット４にウエーハＷを搬入する搬出入手段６と、仮置きテーブル５に搬出されたウエーハＷを吸着して旋回し保持手段８のチャックテーブル８ａの保持面８ｂに載置する搬送手段７と、チャックテーブル８ａの保持面８ｂに吸引保持されたウエーハＷを切削する切削手段９と、切削手段９により切削加工されたウエーハＷを洗浄する洗浄手段１０（詳細は省略している）と、切削加工されたウエーハＷをチャックテーブル８ａから洗浄手段１０へ搬送する洗浄搬送手段１１と、チャックテーブル８ａ上のウエーハＷを撮像する撮像手段１２と、図示を省略する制御手段と、を備えている。カセット４は、図示しない昇降手段によって上下に移動可能に配設されたカセットテーブル４ａ上に載置されており、カセット４からウエーハＷを搬出入手段６によって搬出する際には、カセット４の高さが適宜調整される。装置ハウジング２内には、保持手段８のチャックテーブル８ａをＸ軸方向に加工送りするＸ軸送り手段、切削手段９をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段（いずれも図示は省略する）が配設されている。
図２を参照しながら、図１に示す切削装置１に配設された切削手段９についてより具体的に説明する。図２は、図１に示す切削装置１の切削手段９の主要部と、切削手段９の直下に移動した保持手段８とを拡大して示した斜視図である。図２から理解されるように、切削手段９は、Ｙ軸方向に延びる回転軸ハウジング９１と、回転軸ハウジング９１によって回転自在に支持される回転軸９２と、回転軸９２の先端側に着脱自在に支持される環状の切削ブレード９３と、回転軸ハウジング９１の先端に装着され該切削ブレード９３を覆うカバー体９４と、切削ブレード９３とウエーハＷとの接触点、すなわち切削加工位置に切削液Ｌ２を供給する切削液供給ノズル９５（破線で示す）と、デバイスＤの電極が錆びないように作用する防錆剤Ｌ１（追って詳述する）を供給する防錆剤供給ノズル９６と、を備えている。なお、回転軸９２は、回転軸９２の後端側に配設された図示を省略する電動モータによって回転駆動される。また、本実施形態の切削手段９は、前記したＹ軸送り手段に加え、切削手段９をＺ軸方向に移動させて切込み送りする切込み送り手段（図示は省略する）も備えている。
図２に示すように、カバー体９４は、回転軸ハウジング９１の先端に固定される第１のカバー部材９４ａと、第１のカバー部材９４ａの前面にねじで固定される第２のカバー部材９４ｂと、第１のカバー部材９４ａの上面からねじで固定される切削ブレード検出ブロック９４ｃとを備えている。切削ブレード検出ブロック９４ｃには、切削ブレード９３の外周端部側の摩耗や欠けを検出するためのブレードセンサ（図示は省略）が配設されている。
防錆剤供給ノズル９６は、切削手段９に隣接して配設されるものであり、本実施形態では、Ｙ軸方向に沿って配設される中空円筒状の本体部９６ａと、該本体部９６ａにおいて切削ブレード９３側下方に向けて配設され、チャックテーブル８ａに保持されるウエーハＷに向けて防錆剤Ｌ１を噴射する複数の噴射孔９６ｂと、該本体部９６ａの奥側端部に形成された防錆剤導入口９６ｃとを備えている。防錆剤導入口９６ｃには、防錆剤Ｌ１を供給する防錆剤供給手段１３が接続される。防錆剤供給ノズル９６は、図示を省略する固定部材によりカバー体９４又は回転軸ハウジング９１に固定されて、切削手段９と一体的に移動させられる。
防錆剤供給手段１３は、防錆剤Ｌ１を貯蔵する防錆剤貯蔵タンク１３ａと、防錆剤貯蔵タンク１３ａと防錆剤導入口９６ｃとを接続する防錆剤経路１３ｂと、防錆剤経路１３ｂを開閉する開閉弁１３ｃとを備えている。該防錆剤貯蔵タンク１３ａは、図示を省略するポンプを備えており、該ポンプを作動させると共に開閉弁１３ｃを開とすることで、防錆剤供給ノズル９６の噴射孔９６ｂから防錆剤Ｌ１を噴射することができる。
図２に破線で示す切削液供給ノズル９５は、切削手段９に配設されるものであり、本実施形態では、第１のカバー部材９４ａ内に形成され、切削液導入口９５ａから導入された切削液Ｌ２を、切削ブレード９３と切削加工されるウエーハＷとの接触点に向けて供給する。切削液導入口９５ａには、切削液供給手段１４が接続される。切削液供給手段１４は、切削液Ｌ２を貯蔵する切削液貯蔵タンク１４ａと、切削液貯蔵タンク１４ａと切削液導入口９５ａとを接続する切削液経路１４ｂと、切削液経路１４ｂを開閉する開閉弁１４ｃとを備えている。該切削液貯蔵タンク１４ａは、図示を省略するポンプを備えており、該ポンプを作動させると共に開閉弁１４ｃを開とすることで、切削液供給ノズル９５の噴射口９５ｂから切削液Ｌ２を噴射することができる。
本実施形態の防錆剤Ｌ１について以下に説明する。本発明において採用される防錆剤Ｌ１は、被加工物（本実施形態では、シリコンのウエーハＷ）を切削して分割されるデバイスＤの電極が酸化して錆びることを防止する液体であり、例えば、以下のような成分の防錆剤を採用し得る。
上記した防錆剤Ｌ１として用いることができる１，２，３－トリアゾール誘導体としては、１，２，３－トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ１，２，３－トリアゾールの４位及び／又は５位に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。
また、防錆剤Ｌ１として用いることができる１，２，４－トリアゾール誘導体としては、１，２，４－トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，４－トリアゾールの２位及び／又は５位に、スルホ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基。カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。
上記した防錆剤供給ノズル９６は、切削加工時にチャックテーブル８ａに保持されたウエーハＷのデバイスＤの電極が酸化しないように防錆剤Ｌ１を供給するものであり、防錆剤供給ノズル９６と上記したチャックテーブル８ａに保持されるウエーハＷとにおいて、図３に基づき説明される以下の条件を満たすように設定される。なお、図３は、上記保持手段８のチャックテーブル８ａに保持されたウエーハＷと切削手段９に配設される防錆剤供給ノズル９６とを示す平面図であり、説明の都合上、切削手段９の防錆剤供給ノズル９６以外の構成（カバー体９４、回転軸ハウジング９１等）は省略している。ウエーハＷは、複数のデバイスＤが分割予定ラインＷｅによって区画され表面Ｗａに形成されたウエーハであり、ウエーハＷを収容可能な開口Ｆａを有する環状のフレームＦに粘着テープＴを介して保持されている。
図３の平面図から理解されるように、防錆剤供給ノズル９６は、Ｙ軸方向に沿って配設されるものであり、被加工物であるウエーハＷのＹ軸方向の幅Ｐ１を超える長さをＹ軸方向に有するものである。また、防錆剤供給ノズル９６の本体部９６ａに形成される複数の噴射孔９６ｂは、図３に示すように、一方側端部の噴射孔９６ｂと、他方側端部の噴射孔９６ｂとで規定される長さＰ２がウエーハＷの幅Ｐ１よりも長く設定されている。さらに、複数の噴射孔９６ｂが形成される数及び間隔は、チャックテーブル８ａに保持されるウエーハＷの幅方向の全域に噴射孔９６ｂから防錆剤Ｌ１が供給されるように設定される。なお、上記した実施形態では、防錆剤供給ノズル９６に複数の噴射孔９６ｂを形成して防錆剤Ｌ１を供給したが、本発明はこれに限定されず、防錆剤供給ノズル９６の長手方向に沿って形成するスリットから防錆剤Ｌ１を供給するものであっても良い。その際のスリットの長さは上記のウエーハＷの幅Ｐ１の長さを超える寸法で設定される。上記した防錆剤供給手段１３、切削液供給手段１４、及び各作動部は上記した制御手段によって制御される。
本実施形態の切削液Ｌ２について以下に説明する。本発明において採用される切削液Ｌ２は、切削ブレード９３とウエーハＷとの接触点に上記した切削液供給ノズル９５から供給される液体であり、例えば、純水、又は以下に説明するような成分の有機酸と酸化剤の混合液を採用し得る。
切削液供給ノズル９５から供給される混合液を構成する有機酸として用いることのできるアミノ酸としては、グリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、ヒドロキシエチルグリシン、Ｎ－メチルグリシン、β－アラニン、Ｌ－アラニン、Ｌ－２－アミノ酪酸、Ｌ－ノルバリン、Ｌ－バリン、Ｌ－ロイシン、Ｌ－ノルロイシン、Ｌ－アロイソロイシン、Ｌ－イソロイシン、Ｌ－フェニルアラニン、Ｌ－プロリン、サルコシン、Ｌ－オルニチン、Ｌ－リシン、タウリン、Ｌ－セリン、Ｌ－トレオリン、Ｌ－アロトレオニン、Ｌ－ホモセリン、Ｌ－チロキシン、Ｌ－チロシン、３，５－ジョード－Ｌ－チロシン、β－（３，４－ジヒドロキシフェニル）－Ｌ－アラニン、４－ヒドロキシ－Ｌ－プロリン、Ｌ－システィン、Ｌ－メチオニン、Ｌ－エチオニン、Ｌ－ランチオニン、Ｌ－シスタチオニン、Ｌ－シスチン、Ｌ－システィン酸、Ｌ－グルタミン酸、Ｌ－アスパラギン酸、Ｓ－（カルボキシメチル）－Ｌ－システィン、４－アミノ酪酸、Ｌ－アスパラギン、Ｌ－グルタミン、アザセリン、Ｌ－カナバニン、Ｌ－シトルリン、Ｌ－アルギニン、δ－ヒドロキシ－Ｌ－リシン、クレアチン、Ｌ－キヌレニン、Ｌ－ヒスチジン、１－メチル－Ｌ－ヒスチジン、３－メチル－Ｌ－ヒスチジン、Ｌ－トリプトファン、アクチノマイシンＣ１、エルゴチオネイン、アパミン、アンギオテンシンＩ、アンギオテンシンＩＩ及びアンチパイン等が挙げられる。中でも、グリシン、Ｌ－アラニン、Ｌ－プロリン、Ｌ－ヒスチジン、Ｌ－リシン、ジヒドロキシエチルグリシンが好ましい。
また、前記混合液を構成する有機酸として用いることのできるアミノポリ酸としては、イミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチレンスルホン酸、１，２－ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、β－アラニンジ酢酸、Ｎ－（２－カルボキシラートエチル）－Ｌ－アスパラギン酸、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジ酢酸等が挙げられる。
さらに、前記混合液を構成する有機酸として用いることができるカルボン酸としては、ギ酸、グリコール酸、プロピオン酸、酢酸、酪酸、ヘキサン酸、シュウ酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、リンゴ酸、コハク酸、ピメリン酸、メルカプト酢酸、グリオキシル酸、クロロ酢酸、ピルビン酸、アセト酢酸、グルタル酸等の飽和カルボン酸や、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、フマル酸、マレイン酸、メサコン酸、シトラコン酸、アコニット酸等の不飽和カルボン酸、さらには、安息香酸類、トルイル酸、フタル酸類、ナフトエ酸類、ピロメット酸、ナフタル酸等の環状不飽和カルボン酸等が挙げられる。
切削液供給ノズル９５から供給される混合液を構成する酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、セリウム酸塩、バナジン酸塩、オゾン水、及び銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩や、その有機錯塩等を用いることができる。
上記したように、切削液として有機酸と酸化剤との混合液を使用することにより、切削加工時にチャックテーブル８ａに保持されたウエーハＷの表面Ｗａに飛散した切削屑が付着しないよう機能すると共に、切削加工により個々に分割されるデバイスＤに形成されるバリ等が良好に除去されて、デバイスＤの品質が低下することが回避される。また、上記した切削液Ｌ２には、上記の防錆剤Ｌ１を混合することもできる。
本実施形態の切削装置１は、概ね上記したとおりの構成を備えており、以下に、切削装置１によって、被加工物であるウエーハＷを切削加工する態様について以下に説明する。なお、本発明の被加工物は、上記したような板状のシリコンのウエーハＷであり、複数のデバイスＤが分割予定ラインＷｅによって区画された表面Ｗａに形成されたものである。
図１に基づき説明した切削装置１の切削手段９よって切削加工を実施するに際し、まず、カセット４に収容されたウエーハＷを、搬出入手段６によって仮置きテーブル５に搬出し、搬送手段７によって、図１において搬出入位置に位置付けられたチャックテーブル８ａ上に搬送する。チャックテーブル８ａにウエーハＷを載置し吸引保持したならば、ウエーハＷを、図示を省略するＸ軸送り手段により撮像手段１２の直下に位置付けて撮像し、切削加工すべき領域であるウエーハＷの所定の分割予定ラインＷｅを検出してＸ軸方向に整合させる。次いで、切削を開始する分割予定ラインＷｅと切削手段９の切削ブレード９３との位置合わせを実施して、切削手段９を所定の加工開始位置に位置付ける。
次いで、図４に示すように、切削手段９の切削ブレード９３をＲ１で示す方向に高速回転させると共にＸ軸方向に整合させた分割予定ラインＷｅに位置付け、上記した防錆剤供給手段１３及び切削液供給手段１４を作動して、防錆剤供給ノズル９６及び切削液供給ノズル９５から、防錆剤Ｌ１と切削液Ｌ２とを噴射する。そして、上記の切込み送り手段を作動してウエーハＷの表面Ｗａ側からＺ軸方向に切削ブレード９３を切り込ませると共に、上記したＸ軸送り手段を作動して、ウエーハＷを図中矢印Ｘで示すＸ軸方向に加工送りして切削溝１００を形成する。なお、本実施形態では、切削液Ｌ２として、上記した有機酸と酸化剤とを混合した混合液が選択され、切削液供給ノズル９５から供給されるものとして説明するが、切削液Ｌ２は、純水であってもよい。
上記した切削溝１００を形成する切削加工の実施態様の正面図を図５に示す。図５では、説明の都合上、カバー体９４の第２のカバー部材９４ｂ、ブレード検出ブロック９４ｃを省略すると共に、切削液供給ノズル９５が形成された第１のカバー部材９４ａの一部を断面で示している。
上記した切削溝１００を形成したならば、該切削溝１００を形成した分割予定ラインＷｅにＹ軸方向で隣接する未加工の分割予定ラインＷｅ上に切削手段９の切削ブレード９３を割り出し送りして、上記と同様にして切削溝１００を形成する。これらを繰り返すことにより、Ｘ軸方向に沿うすべての分割予定ラインＷｅに沿って切削溝１００を形成する。次いで、ウエーハＷを９０度回転し、先に切削溝１００を形成した方向と直交する方向をＸ軸方向に整合させ、上記した防錆剤Ｌ１及び切削液Ｌ２を供給しながら、新たにＸ軸方向に整合させたすべての分割予定ラインＷｅに対して切削加工を実施し、ウエーハＷに形成されたすべての分割予定ラインＷｅに沿って切削溝１００を形成する。以上により、ウエーハＷのデバイスＤは、個々のデバイスチップに分割される。
図４、図５から理解されるように、防錆剤供給ノズル９６からウエーハＷの表面Ｗａ上に防錆剤Ｌ１が供給されることから、デバイスＤを構成する電極が酸化して錆びることが防止され、デバイスＤの品質の低下を招くという問題が解消する。さらに、切削ブレード９３とウエーハＷとの接触点に向けて切削液供給ノズル９５から切削液Ｌ２が供給されるが、上記したように、切削液Ｌ２が有機酸と酸化剤の混合液である場合は、ウエーハＷの表面Ｗａに飛散した切削屑がウエーハＷ上に付着しないよう機能すると共に、切削加工時にデバイスＤに形成されるバリ等が良好に除去される。
なお、本発明によって切削される被加工物は、上記した実施形態のウエーハＷに限定されない。例えば、ＱＦＮと称されるデバイスが複数配設された基板であってもよい。該基板を、上記した切削装置１により分割予定ラインに沿って切削して個々に分割したデバイスの外周には電極が露出する。このような基板を、個々のデバイスに分割する場合であっても、切削加工により分割されたデバイスの電極が酸化して錆びることが防止され、該デバイスの品質の低下を招くという問題が解消する。
１：切削装置
２：装置ハウジング
４：カセット
５：仮置きテーブル
６：搬出入手段
７：搬送手段
８：保持手段
８ａ：チャックテーブル
８ｂ：保持面
９：切削手段
９１：回転軸ハウジング
９２：回転軸
９３：切削ブレード
９４：カバー体
９４ａ：第１のカバー部材
９４ｂ：第２のカバー部材
９４ｃ：ブレード検出ブロック
９５：切削液供給ノズル
９５ａ：切削液導入口
９５ｂ：噴射口
９６：防錆剤供給ノズル
９６ａ：本体部
９６ｂ：噴射孔
９６ｃ：防錆剤導入口
１０：洗浄手段
１１：洗浄搬送手段
１２：撮像手段
１３：防錆剤供給手段
１３ａ：防錆剤貯蔵タンク
１３ｂ：防錆剤経路
１３ｃ：開閉弁
１４：切削液供給手段
１４ａ：切削液貯蔵タンク
１４ｂ：切削液経路
１４ｃ：開閉弁
１００：切削溝
Ｌ１：防錆剤
Ｌ２：切削液
Ｄ：デバイス
Ｗ：ウエーハ
Ｗａ：表面
Ｗｅ：分割予定ライン

Claims (2)

  1. 電極を備えたデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に複数形成された被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に切削送りするＸ軸送り手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的にＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み構成される切削装置であって、
    該切削手段に隣接して配設され、
    切削ブレードと被加工物との接触点に切削液を供給する切削液供給ノズルと、被加工物の幅を超える長さをＹ軸方向に有し、デバイスに形成された電極が錆びないように防錆剤を供給する防錆剤供給ノズルと、を備える切削装置。
  2. 該切削液供給ノズルは、純水、又は有機酸と酸化剤の混合液を供給する請求項１に記載の切削装置。
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