KR20240031038A

KR20240031038A - 절삭 장치

Info

Publication number: KR20240031038A
Application number: KR1020230099797A
Authority: KR
Inventors: 겐지 다케노우치
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2022-08-29
Filing date: 2023-07-31
Publication date: 2024-03-07
Also published as: DE102023208013A1; JP2024032131A; CN117621283A; US20240071784A1

Abstract

(과제) 절삭 부스러기가 디바이스에 부착되는 것을 방지함과 함께, 전극이 산화되어 녹스는 것을 방지할 수 있는 절삭 장치를 제공한다.
(해결 수단) 절삭 장치로서, 그 절삭 유닛에 인접하여 배치 형성되고, 절삭 블레이드와 피가공물의 접촉점에 절삭액을 공급하는 절삭액 공급 노즐과, 피가공물의 폭을 초과하는 길이를 Y 축 방향으로 갖고, 디바이스에 형성된 전극이 녹슬지 않도록 방청제를 공급하는 방청제 공급 노즐을 포함한다.

Description

절삭 장치{CUTTING APPARATUS}

본 발명은, 전극을 구비한 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 복수 형성된 피가공물을 절삭하는 절삭 장치에 관한 것이다.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 절삭 블레이드를 회전 가능하게 구비한 절삭 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 디바이스 칩은 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.

절삭 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 절삭하는 절삭 블레이드를 회전 가능하게 구비한 절삭 유닛과, 그 척 테이블과 그 절삭 유닛을 상대적으로 X 축 방향으로 절삭 이송하는 X 축 이송 기구와, 그 척 테이블과 절삭 유닛을 상대적으로 X 축 방향과 직교하는 Y 축 방향으로 산출 이송하는 Y 축 이송 기구를 포함하여 구성되어 있어, 웨이퍼를 고정밀도로 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있다.

또한, 절삭 블레이드에 의해 웨이퍼를 절삭하면, 절삭 부스러기 (컨테미네이션) 가 웨이퍼의 표면에 부유하여 부착되고, 디바이스의 품질을 저하시키는 점에서, 웨이퍼의 표면에 세정수를 공급하여 절삭 부스러기를 씻어내어, 디바이스 칩에 부착되는 것을 방지하는 기술이 제안되어 있다 (예컨대, 특허문헌 1 을 참조).

일본 공개특허공보 2014-121738호

그런데, QFN (Quad-Flat-Non leaded package) 과 같은 패키지 기판을 절삭하면, 시간의 경과에 수반하여 디바이스를 구성하는 전극 패드가 산화되어 녹슬어, 디바이스의 품질을 저하시킨다는 문제가 있다.

이러한 문제는, QFN 을 형성하는 패키지 기판을 절삭하는 경우에 한정되지 않고, 복수의 전극이 표면에 배치 형성된 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼를 절삭하는 경우에 있어서도 발생할 수 있는 문제이다.

따라서, 본 발명의 목적은, 절삭 부스러기가 디바이스에 부착되는 것을 방지함과 함께, 디바이스의 전극이 산화되어 녹스는 것을 방지할 수 있는 절삭 장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 의하면, 절삭 장치로서, 전극을 구비한 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 복수 형성된 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 그 피가공물을 절삭하는 절삭 블레이드를 회전 가능하게 구비한 절삭 유닛과, 그 척 테이블과 그 절삭 유닛을 상대적으로 X 축 방향으로 절삭 이송하는 X 축 이송 기구와, 그 척 테이블과 그 절삭 유닛을 상대적으로 X 축 방향과 직교하는 Y 축 방향으로 산출 이송하는 Y 축 이송 기구와, 그 절삭 유닛에 인접하여 배치 형성되고, 그 절삭 블레이드와 그 피가공물의 접촉점에 절삭액을 공급하는 절삭액 공급 노즐과, 그 피가공물의 폭을 초과하는 길이를 Y 축 방향에 갖고, 그 디바이스에 형성된 그 전극이 녹슬지 않도록 방청제를 공급하는 방청제 공급 노즐을 구비한 절삭 장치가 제공된다.

바람직하게는, 그 절삭액 공급 노즐은, 순수, 또는 유기산과 산화제의 혼합액을 공급한다.

본 발명의 절삭 장치에 의하면, QFN 등의 패키지 기판을 절삭하여 시간이 경과해도, 디바이스의 전극이 산화되어 녹스는 것이 방지되어, 디바이스의 품질 저하를 초래한다는 문제가 해소된다.

도 1 은 본 발명 실시형태의 절삭 장치의 전체 사시도이다.
도 2 는 도 1 에 기재된 절삭 장치에 배치 형성된 절삭 유닛을 확대하여 나타내는 사시도이다.
도 3 은 도 2 에 나타내는 방청제 공급 노즐과 웨이퍼를 나타내는 평면도이다.
도 4 는 절삭 가공의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 5 는 도 4 에 나타내는 실시양태의 정면도이다.

이하, 본 발명 실시형태의 절삭 장치에 대해, 첨부 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.

도 1 에는, 본 실시형태의 절삭 장치 (1) 의 전체 사시도가 나타나 있다. 도시된 절삭 장치 (1) 에 의해 가공되는 피가공물은, 복수의 전극 (도시는 생략한다) 이 표면에 배치 형성된 디바이스 (D) 가 형성된 실리콘 (Si) 의 웨이퍼 (W) 이다. 그 웨이퍼 (W) 는, 환상 프레임 (F) 에 점착 테이프 (T) 를 개재하여 유지되어 있다.

절삭 장치 (1) 는, 복수의 웨이퍼 (W) 를 수용하는 카세트 (4) (2 점 쇄선으로 나타낸다) 와, 카세트 (4) 에 수용된 웨이퍼 (W) 를 반출하여 임시 재치하는 임시 재치 테이블 (5) 과, 카세트 (4) 로부터 임시 재치 테이블 (5) 로 웨이퍼 (W) 를 반출함과 함께 임시 재치 테이블 (5) 로부터 카세트 (4) 로 웨이퍼 (W) 를 반입하는 반출입 유닛 (6) 과, 임시 재치 테이블 (5) 로 반출된 웨이퍼 (W) 를 흡착하여 선회하고 유지 유닛 (8) 의 척 테이블 (8a) 의 유지면 (8b) 에 재치하는 반송 유닛 (7) 과, 척 테이블 (8a) 의 유지면 (8b) 에 흡인 유지된 웨이퍼 (W) 를 절삭하는 절삭 유닛 (9) 과, 절삭 유닛 (9) 에 의해 절삭 가공된 웨이퍼 (W) 를 세정하는 세정 유닛 (10) (상세한 것은 생략한다) 과, 절삭 가공된 웨이퍼 (W) 를 척 테이블 (8a) 로부터 세정 유닛 (10) 으로 반송하는 세정 반송 유닛 (11) 과, 척 테이블 (8a) 상의 웨이퍼 (W) 를 촬상하는 촬상 유닛 (12) 과, 도시를 생략하는 컨트롤러를 구비하고 있다. 카세트 (4) 는, 도시하지 않는 승강 유닛에 의해 상하로 이동 가능하게 배치 형성된 카세트 테이블 (4a) 상에 재치되어 있고, 카세트 (4) 로부터 웨이퍼 (W) 를 반출입 유닛 (6) 에 의해 반출할 때에는, 카세트 (4) 의 높이가 적절하게 조정된다. 장치 하우징 (2) 내에는, 유지 유닛 (8) 의 척 테이블 (8a) 을 X 축 방향으로 가공 이송하는 X 축 이송 기구, 절삭 유닛 (9) 을 X 축 방향과 직교하는 Y 축 방향으로 산출 이송하는 Y 축 이송 기구 (모두 도시는 생략한다) 가 배치 형성되어 있다.

도 2 를 참조하면서, 도 1 에 나타내는 절삭 장치 (1) 에 배치 형성된 절삭 유닛 (9) 에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 2 는, 도 1 에 나타내는 절삭 장치 (1) 의 절삭 유닛 (9) 의 주요부와, 절삭 유닛 (9) 의 바로 아래로 이동한 유지 유닛 (8) 을 확대하여 나타낸 사시도이다. 도 2 로부터 이해되는 바와 같이, 절삭 유닛 (9) 은, Y 축 방향으로 연장되는 스핀들 하우징 (91) 과, 스핀들 하우징 (91) 에 의해 자유롭게 회전할 수 있도록 지지되는 스핀들 (92) 과, 스핀들 (92) 의 선단측에 자유롭게 착탈할 수 있도록 지지되는 환상의 절삭 블레이드 (93) 와, 스핀들 하우징 (91) 의 선단에 장착되어 그 절삭 블레이드 (93) 를 덮는 커버체 (94) 와, 절삭 블레이드 (93) 와 웨이퍼 (W) 의 접촉점, 즉 절삭 가공 위치에 절삭액 (L2) 을 공급하는 절삭액 공급 노즐 (95) (파선으로 나타낸다) 과, 디바이스 (D) 의 전극이 녹슬지 않도록 작용하는 방청제 (L1) (이후에 상세히 설명한다) 를 공급하는 방청제 공급 노즐 (96) 을 구비하고 있다. 또한, 스핀들 (92) 은, 스핀들 (92) 의 후단측에 배치 형성된 도시를 생략하는 전동 모터에 의해 회전 구동된다. 또한, 본 실시형태의 절삭 유닛 (9) 은, 상기한 Y 축 이송 기구에 더하여, 절삭 유닛 (9) 을 Z 축 방향으로 이동시켜 절입 이송하는 절입 이송 기구 (도시는 생략한다) 도 구비하고 있다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 커버체 (94) 는, 스핀들 하우징 (91) 의 선단에 고정되는 제 1 커버 부재 (94a) 와, 제 1 커버 부재 (94a) 의 전면에 나사로 고정되는 제 2 커버 부재 (94b) 와, 제 1 커버 부재 (94a) 의 상면으로부터 나사로 고정되는 절삭 블레이드 검출 블록 (94c) 을 구비하고 있다. 절삭 블레이드 검출 블록 (94c) 에는, 절삭 블레이드 (93) 의 외주 단부측의 마모나 결손을 검출하기 위한 블레이드 센서 (도시는 생략) 가 배치 형성되어 있다.

방청제 공급 노즐 (96) 은, 절삭 유닛 (9) 에 인접하여 배치 형성되는 것으로서, 본 실시형태에서는, Y 축 방향을 따라 배치 형성되는 중공 원통상의 본체부 (96a) 와, 그 본체부 (96a) 에 있어서 절삭 블레이드 (93) 측 하방을 향하여 배치 형성되고, 척 테이블 (8a) 에 유지되는 웨이퍼 (W) 를 향하여 방청제 (L1) 를 분사하는 복수의 분사공 (96b) 과, 그 본체부 (96a) 의 안측 단부에 형성된 방청제 도입구 (96c) 를 구비하고 있다. 방청제 도입구 (96c) 에는, 방청제 (L1) 를 공급하는 방청제 공급 유닛 (13) 이 접속된다. 방청제 공급 노즐 (96) 은, 도시를 생략하는 고정 부재에 의해 커버체 (94) 또는 스핀들 하우징 (91) 에 고정되고, 절삭 유닛 (9) 과 일체적으로 이동된다.

방청제 공급 유닛 (13) 은, 방청제 (L1) 를 저장하는 방청제 저장 탱크 (13a) 와, 방청제 저장 탱크 (13a) 와 방청제 도입구 (96c) 를 접속하는 방청제 경로 (13b) 와, 방청제 경로 (13b) 를 개폐하는 개폐 밸브 (13c) 를 구비하고 있다. 그 방청제 저장 탱크 (13a) 는, 도시를 생략하는 펌프를 구비하고 있고, 그 펌프를 작동시킴과 함께 개폐 밸브 (13c) 를 개방으로 함으로써, 방청제 공급 노즐 (96) 의 분사공 (96b) 으로부터 방청제 (L1) 를 분사할 수 있다.

도 2 에 파선으로 나타내는 절삭액 공급 노즐 (95) 은, 절삭 유닛 (9) 에 배치 형성되는 것으로서, 본 실시형태에서는, 제 1 커버 부재 (94a) 내에 형성되고, 절삭액 도입구 (95a) 로부터 도입된 절삭액 (L2) 을, 절삭 블레이드 (93) 와 절삭 가공되는 웨이퍼 (W) 의 접촉점을 향하여 공급한다. 절삭액 도입구 (95a) 에는, 절삭액 공급 유닛 (14) 이 접속된다. 절삭액 공급 유닛 (14) 은, 절삭액 (L2) 을 저장하는 절삭액 저장 탱크 (14a) 와, 절삭액 저장 탱크 (14a) 와 절삭액 도입구 (95a) 를 접속하는 절삭액 경로 (14b) 와, 절삭액 경로 (14b) 를 개폐하는 개폐 밸브 (14c) 를 구비하고 있다. 그 절삭액 저장 탱크 (14a) 는, 도시를 생략하는 펌프를 구비하고 있고, 그 펌프를 작동시킴과 함께 개폐 밸브 (14c) 를 개방으로 함으로써, 절삭액 공급 노즐 (95) 의 분사구 (95b) 로부터 절삭액 (L2) 을 분사할 수 있다.

본 실시형태의 방청제 (L1) 에 대하여 이하에 설명한다. 본 발명에 있어서 채용되는 방청제 (L1) 는, 피가공물 (본 실시형태에서는, 실리콘의 웨이퍼 (W)) 을 절삭하여 분할되는 디바이스 (D) 의 전극이 산화되어 녹스는 것을 방지하는 액체이며, 예컨대, 이하와 같은 성분의 방청제를 채용할 수 있다.

상기한 방청제 (L1) 로서 이용할 수 있는 1,2,3-트리아졸 유도체로는, 1,2,3-트리아졸 고리를 형성하는 질소 원자 상에 치환기를 갖지 않고, 또한 1,2,3-트리아졸의 4 위치 및/또는 5 위치에, 하이드록시기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기, 혹은, 하이드록시기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 치환기로 치환된 알킬기 또는 아릴기가 도입된 것을 들 수 있다.

또, 방청제 (L1) 로서 이용할 수 있는 1,2,4-트리아졸 유도체로는, 1,2,4-트리아졸 고리를 형성하는 질소 원자 상에 치환기를 갖지 않고, 또한, 1,2,4-트리아졸의 2 위치 및/또는 5 위치에, 술포기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기, 혹은, 하이드록시기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 치환기로 치환된 알킬기 또는 아릴기가 도입된 것을 들 수 있다.

상기한 방청제 공급 노즐 (96) 은, 절삭 가공시에 척 테이블 (8a) 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 디바이스 (D) 의 전극이 산화되지 않도록 방청제 (L1) 를 공급하는 것으로서, 방청제 공급 노즐 (96) 과 상기한 척 테이블 (8a) 에 유지되는 웨이퍼 (W) 에 있어서, 도 3 에 기초하여 설명되는 이하의 조건을 만족하도록 설정된다. 또한, 도 3 은, 상기 유지 유닛 (8) 의 척 테이블 (8a) 에 유지된 웨이퍼 (W) 와 절삭 유닛 (9) 에 배치 형성되는 방청제 공급 노즐 (96) 을 나타내는 평면도로서, 설명의 편의상, 절삭 유닛 (9) 의 방청제 공급 노즐 (96) 이외의 구성 (커버체 (94), 스핀들 하우징 (91) 등) 은 생략하고 있다. 웨이퍼 (W) 는, 복수의 디바이스 (D) 가 분할 예정 라인 (We) 에 의해 구획되어 표면 (Wa) 에 형성된 웨이퍼로서, 웨이퍼 (W) 를 수용 가능한 개구 (Fa) 를 갖는 환상 프레임 (F) 에 점착 테이프 (T) 를 개재하여 유지되어 있다.

도 3 의 평면도로부터 이해되는 바와 같이, 방청제 공급 노즐 (96) 은, Y 축 방향을 따라 배치 형성되는 것으로서, 피가공물인 웨이퍼 (W) 의 Y 축 방향의 폭 (P1) 을 초과하는 길이를 Y 축 방향으로 갖는 것이다. 또한, 방청제 공급 노즐 (96) 의 본체부 (96a) 에 형성되는 복수의 분사공 (96b) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 일방측 단부의 분사공 (96b) 과, 타방측 단부의 분사공 (96b) 으로 규정되는 길이 (P2) 가 웨이퍼 (W) 의 폭 (P1) 보다 길게 설정되어 있다. 또한, 복수의 분사공 (96b) 이 형성되는 수 및 간격은, 척 테이블 (8a) 에 유지되는 웨이퍼 (W) 의 폭 방향의 전역에 분사공 (96b) 으로부터 방청제 (L1) 가 공급되도록 설정된다. 또한, 상기한 실시형태에서는, 방청제 공급 노즐 (96) 에 복수의 분사공 (96b) 을 형성하여 방청제 (L1) 를 공급하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 방청제 공급 노즐 (96) 의 길이 방향을 따라 형성하는 슬릿으로부터 방청제 (L1) 를 공급하는 것이어도 된다. 그 때의 슬릿의 길이는 상기 웨이퍼 (W) 의 폭 (P1) 의 길이를 초과하는 치수로 설정된다. 상기한 방청제 공급 유닛 (13), 절삭액 공급 유닛 (14), 및 각 작동부는 상기한 컨트롤러에 의해 제어된다.

본 실시형태의 절삭액 (L2) 에 대하여 이하에 설명한다. 본 발명에 있어서 채용되는 절삭액 (L2) 은, 절삭 블레이드 (93) 와 웨이퍼 (W) 의 접촉점에 상기한 절삭액 공급 노즐 (95) 로부터 공급되는 액체로서, 예컨대, 순수, 또는 이하에 설명하는 바와 같은 성분의 유기산과 산화제의 혼합액을 채용할 수 있다.

절삭액 공급 노즐 (95) 로부터 공급되는 혼합액을 구성하는 유기산으로서 사용할 수 있는 아미노산으로는, 글리신, 디하이드록시에틸글리신, 글리실글리신, 하이드록시에틸글리신, N-메틸글리신, β-알라닌, L-알라닌, L-2-아미노부티르산, L-노르발린, L-발린, L-류신, L-노르류신, L-아로이소류신, L-이소류신, L-페닐알라닌, L-프롤린, 사르코신, L-오르니틴, L-라이신, 타우린, L-세린, L-트레오린, L-아로트레오닌, L-호모세린, L-티록신, L-티로신, 3,5-디요오드-L-티로신, β-(3,4-디하이드록시페닐)-L-알라닌, 4-하이드록시-L-프롤린, L-시스테인, L-메티오닌, L-에티오닌, L-란티오닌, L-시스타티오닌, L-시스틴, L-시스테인산, L-글루타민산, L-아스파르트산, S-(카르복시메틸)-L-시스테인, 4-아미노부티르산, L-아스파라긴, L-글루타민, 아자세린, L-카나바닌, L-시트룰린, L-아르기닌, δ-하이드록시-L-리신, 크레아틴, L-퀴누레닌, L-히스티딘, 1-메틸-L-히스티딘, 3-메틸-L-히스티딘, L-트립토판, 액티노마이신 C1, 에르고티오네인, 아파민, 안기오텐신 I, 안기오텐신 II 및 안티파인 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리신, L-알라닌, L-프롤린, L-히스티딘, L-리신, 디하이드록시에틸글리신이 바람직하다.

또한, 상기 혼합액을 구성하는 유기산으로서 사용할 수 있는 아미노폴리산으로는, 이미노디아세트산, 니트릴로3아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산, 에틸렌디아민4아세트산, 하이드록시에틸이미노디아세트산, 니트릴로트리메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민-N,N,N',N'-테트라메틸렌술폰산, 1,2-디아미노프로판4아세트산, 글리콜에테르디아민4아세트산, 트랜스시클로헥산디아민4아세트산, 에틸렌디아민오르토하이드록시페닐아세트산, 에틸렌디아민디숙신산 (SS 체), β-알라닌디아세트산, N-(2-카르복실레이트에틸)-L-아스파라긴산, N,N'-비스(2-하이드록시벤질)에틸렌디아민-N,N'-디아세트산 등을 들 수 있다.

또한, 상기 혼합액을 구성하는 유기산으로서 사용할 수 있는 카르복실산으로는, 포름산, 글리콜산, 프로피온산, 아세트산, 부티르산, 헥산산, 옥살산, 말론산, 글루타르산, 아디프산, 말산, 숙신산, 피멜산, 메르캅토아세트산, 글리옥실산, 클로로아세트산, 피루브산, 아세토아세트산, 글루타르산 등의 포화 카르복실산이나, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 푸마르산, 말레산, 메사콘산, 시트라콘산, 아코니트산 등의 불포화 카르복실산, 나아가서는, 안식향산류, 톨루일산, 프탈산류, 나프토산류, 피로멜리트산, 나프탈산 등의 고리형 불포화 카르복실산 등을 들 수 있다.

절삭액 공급 노즐 (95) 로부터 공급되는 혼합액을 구성하는 산화제로는, 예컨대, 과산화수소, 과산화물, 질산염, 요오드산염, 과요오드산염, 차아염소산염, 아염소산염, 염소산염, 과염소산염, 과황산염, 중크롬산염, 과망간산염, 세륨산염, 바나드산염, 오존수, 및 은 (II) 염, 철 (III) 염이나, 그 유기 착염 등을 이용할 수 있다.

상기한 바와 같이, 절삭액으로서 유기산과 산화제의 혼합액을 사용함으로써, 절삭 가공시에 척 테이블 (8a) 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 비산된 절삭 부스러기가 부착되지 않도록 기능함과 함께, 절삭 가공에 의해 개개로 분할되는 디바이스 (D) 에 형성되는 버 등이 양호하게 제거되어, 디바이스 (D) 의 품질이 저하되는 것이 회피된다. 또한, 상기한 절삭액 (L2) 에는, 상기한 방청제 (L1) 를 혼합할 수도 있다.

본 실시형태의 절삭 장치 (1) 는, 대략 상기한 바와 같은 구성을 구비하고 있고, 이하에, 절삭 장치 (1) 에 의해, 피가공물인 웨이퍼 (W) 를 절삭 가공하는 양태에 대하여 이하에 설명한다. 또한, 본 발명의 피가공물은, 상기한 바와 같은 판상의 실리콘의 웨이퍼 (W) 이고, 복수의 디바이스 (D) 가 분할 예정 라인 (We) 에 의해 구획된 표면 (Wa) 에 형성된 것이다.

도 1 에 기초하여 설명한 절삭 장치 (1) 의 절삭 유닛 (9) 에 의해 절삭 가공을 실시할 때에, 우선, 카세트 (4) 에 수용된 웨이퍼 (W) 를, 반출입 유닛 (6) 에 의해 임시 재치 테이블 (5) 로 반출하고, 반송 유닛 (7) 에 의해, 도 1 에 있어서 반출입 위치에 위치된 척 테이블 (8a) 상으로 반송한다. 척 테이블 (8a) 에 웨이퍼 (W) 를 재치하여 흡인 유지하였다면, 웨이퍼 (W) 를, 도시를 생략하는 X 축 이송 기구에 의해 촬상 유닛 (12) 의 바로 아래에 위치하게 하여 촬상하고, 절삭 가공해야 할 영역인 웨이퍼 (W) 의 소정의 분할 예정 라인 (We) 을 검출하여 X 축 방향으로 정합시킨다. 이어서, 절삭을 개시하는 분할 예정 라인 (We) 과 절삭 유닛 (9) 의 절삭 블레이드 (93) 의 위치맞춤을 실시하여, 절삭 유닛 (9) 을 소정의 가공 개시 위치에 위치하게 한다.

이어서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 절삭 유닛 (9) 의 절삭 블레이드 (93) 를 R1 로 나타내는 방향으로 고속 회전시킴과 함께 X 축 방향으로 정합시킨 제 1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인 (We) 에 위치하게 하고, 상기한 방청제 공급 유닛 (13) 및 절삭액 공급 유닛 (14) 을 작동시켜, 방청제 공급 노즐 (96) 및 절삭액 공급 노즐 (95) 로부터, 방청제 (L1) 와 절삭액 (L2) 을 분사한다. 그리고, 상기한 절입 이송 기구를 작동시켜 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 측으로부터 Z 축 방향으로 절삭 블레이드 (93) 를 절입시킴과 함께, 상기한 X 축 이송 기구를 작동시켜, 웨이퍼 (W) 를 도면 중 화살표 X 로 나타내는 X 축 방향으로 가공 이송하여 절삭홈 (100) 을 형성한다. 또한, 본 실시형태에서는, 절삭액 (L2) 으로서, 상기한 유기산과 산화제를 혼합한 혼합액이 선택되고, 절삭액 공급 노즐 (95) 로부터 공급되는 것으로서 설명하지만, 절삭액 (L2) 은, 순수여도 된다.

상기한 절삭홈 (100) 을 형성하는 절삭 가공의 실시양태의 정면도를 도 5 에 나타낸다. 도 5 에서는, 설명의 형편상, 커버체 (94) 의 제 2 커버 부재 (94b), 블레이드 검출 블록 (94c) 을 생략함과 함께, 절삭액 공급 노즐 (95) 이 형성된 제 1 커버 부재 (94a) 의 일부를 단면으로 나타내고 있다.

상기한 절삭홈 (100) 을 형성하였다면, 그 절삭홈 (100) 을 형성한 분할 예정 라인 (We) 에 Y 축 방향에서 인접하는 미가공의 분할 예정 라인 (We) 상에 절삭 유닛 (9) 의 절삭 블레이드 (93) 를 산출 이송하고, 상기와 동일하게 하여 절삭홈 (100) 을 형성한다. 이것들을 반복함으로써, 제 1 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인 (We) 을 따라 절삭홈 (100) 을 형성한다. 이어서, 웨이퍼 (W) 를 90 도 회전시켜, 먼저 절삭홈 (100) 을 형성한 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 신장하는 분할 예정 라인 (We) 을 X 축 방향으로 정합시키고, 상기한 방청제 (L1) 및 절삭액 (L2) 을 공급하면서, 제 2 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인 (We) 에 대하여 절삭 가공을 실시하여, 웨이퍼 (W) 에 형성된 모든 분할 예정 라인 (We) 을 따라 절삭홈 (100) 을 형성한다. 이상에 의해, 웨이퍼 (W) 의 디바이스 (D) 는 개개의 디바이스 칩으로 분할된다.

도 4, 도 5 로부터 이해되는 바와 같이, 방청제 공급 노즐 (96) 로부터 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 상에 방청제 (L1) 가 공급되므로, 디바이스 (D) 를 구성하는 전극이 산화되어 녹스는 것이 방지되어, 디바이스 (D) 의 품질 저하를 초래한다는 문제가 해소된다. 또한, 절삭 블레이드 (93) 와 웨이퍼 (W) 의 접촉점을 향하여 절삭액 공급 노즐 (95) 로부터 절삭액 (L2) 이 공급되지만, 상기한 바와 같이, 절삭액 (L2) 이 유기산과 산화제의 혼합액인 경우는, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 비산된 절삭 부스러기가 웨이퍼 (W) 상에 부착되지 않도록 기능함과 함께, 절삭 가공시에 디바이스 (D) 에 형성되는 버 등이 양호하게 제거된다.

또한, 본 발명에 의해 절삭되는 피가공물은, 상기한 실시형태의 웨이퍼 (W) 에 한정되지 않는다. 예를 들어, QFN 이라고 칭해지는 디바이스가 복수 배치 형성된 패키지 기판이어도 된다. 그 기판을, 상기한 절삭 장치 (1) 에 의해 분할 예정 라인을 따라 절삭하여 개개로 분할한 디바이스의 외주에는 전극이 노출된다. 이러한 기판을, 개개의 디바이스로 분할하는 경우에도, 절삭 가공에 의해 분할된 디바이스의 전극이 산화되어 녹스는 것이 방지되어, 그 디바이스의 품질 저하를 초래한다는 문제가 해소된다.

1 : 절삭 장치
2 : 장치 하우징
4 : 카세트
5 : 임시 재치 테이블
6 : 반출입 유닛
7 : 반송 유닛
8 : 유지 유닛
8a : 척 테이블
8b : 유지면
9 : 절삭 유닛
91 : 스핀들 하우징
92 : 스핀들
93 : 절삭 블레이드
94 : 커버체
94a : 제 1 커버 부재
94b : 제 2 커버 부재
94c : 블레이드 검출 블록
95 : 절삭액 공급 노즐
95a : 절삭액 도입구
95b : 분사구
96 : 방청제 공급 노즐
96a : 본체부
96b : 분사공
96c : 방청제 도입구
10 : 세정 유닛
11 : 세정 반송 유닛
12 : 촬상 유닛
13 : 방청제 공급 유닛
13a : 방청제 저장 탱크
13b : 방청제 경로
13c : 개폐 밸브
14 : 절삭액 공급 유닛
14a : 절삭액 저장 탱크
14b : 절삭액 경로
14c : 개폐 밸브
100 : 절삭홈
L1 : 방청제
L2 : 절삭액
D : 디바이스
W : 웨이퍼
Wa : 표면
We : 분할 예정 라인

Claims

절삭 장치로서,
전극을 구비한 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 복수 형성된 피가공물을 유지하는 척 테이블과,
그 척 테이블에 유지된 그 피가공물을 절삭하는 절삭 블레이드를 회전 가능하게 구비한 절삭 유닛과,
그 척 테이블과 그 절삭 유닛을 상대적으로 X 축 방향으로 절삭 이송하는 X 축 이송 기구와,
그 척 테이블과 그 절삭 유닛을 상대적으로 X 축 방향과 직교하는 Y 축 방향으로 산출 이송하는 Y 축 이송 기구와,
그 절삭 유닛에 인접하여 배치 형성되고, 그 절삭 블레이드와 그 피가공물의 접촉점에 절삭액을 공급하는 절삭액 공급 노즐과,
그 피가공물의 폭을 초과하는 길이를 Y 축 방향으로 갖고, 그 디바이스에 형성된 그 전극이 녹슬지 않도록 방청제를 공급하는 방청제 공급 노즐을 구비한 절삭 장치.
제 1 항에 있어서,
그 절삭액 공급 노즐은, 순수, 또는 유기산과 산화제의 혼합액을 공급하는 절삭 장치.