JP2024017870A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理容器内の排気圧力を精度良く制御する。【解決手段】プラズマ処理容器と、前記プラズマ処理容器内に配置される基板支持部と、前記基板支持部の周囲に配置される可動部材及び静止部材であり、前記可動部材は複数の動翼を有し、前記複数の動翼は回転可能であり、前記静止部材は複数の静翼を有し、前記複数の動翼及び前記複数の静翼は、前記プラズマ処理容器の高さ方向に沿って交互に配列され、前記可動部材及び前記静止部材の下方に排気空間が形成される、可動部材及び静止部材と、前記可動部材を回転させるように構成される第１の駆動部と、前記基板支持部の周囲、かつ前記可動部材及び前記静止部材の上部にて移動可能に配置される圧力調整部材と、前記圧力調整部材を移動させるように構成される第２の駆動部と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。【選択図】図１

Description

本開示は、プラズマ処理装置に関する。

例えば、特許文献１は、処理容器内に配置される基板支持部の周囲に複数の動翼及び複数の静翼を多段に配置した装置を提案している。複数の動翼及び複数の静翼の下方には排気空間が形成され、動翼は回転可能である。

特開２０１９－１０２６８０号公報

本開示は、プラズマ処理容器内の排気圧力を精度良く制御することができる技術を提供する。

本開示の一の態様によれば、プラズマ処理容器と、前記プラズマ処理容器内に配置される基板支持部と、前記基板支持部の周囲に配置される可動部材及び静止部材であり、前記可動部材は複数の動翼を有し、前記複数の動翼は回転可能であり、前記静止部材は複数の静翼を有し、前記複数の動翼及び前記複数の静翼は、前記プラズマ処理容器の高さ方向に沿って交互に配列され、前記可動部材及び前記静止部材の下方に排気空間が形成される、可動部材及び静止部材と、前記可動部材を回転させるように構成される第１の駆動部と、前記基板支持部の周囲、かつ前記可動部材及び前記静止部材の上部にて移動可能に配置される圧力調整部材と、前記圧力調整部材を移動させるように構成される第２の駆動部と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。

一の側面によれば、プラズマ処理容器内の排気圧力を精度良く制御することができる。

一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成例を説明するための図。 一実施形態に係る圧力調整部材及び静止部材を平面視した図。 参考例に係る複数の板状部材及び複数の静翼の配置を示す図。 複数の板状部材及び複数の静翼の配置と開口率を説明するための図。 一実施形態に係る複数の板状部材及び複数の静翼の配置及び動作例１を示す図。 一実施形態に係る複数の板状部材及び複数の静翼の配置及び動作例２を示す図。 一実施形態に係る複数の板状部材及び複数の静翼の配置及び動作例３を示す図。 一実施形態に係る複数の板状部材及び複数の静翼の配置及び動作例４を示す図。 一実施形態に係る板状部材、静翼及び動翼の配置例１を示す図。 一実施形態に係る板状部材、静翼及び動翼の配置例２を示す図。 一実施形態に係る板状部材及び静翼の配置例３を示す図。 一実施形態に係る第２の駆動部の一の構成を示す図。 一実施形態に係る第２の駆動部の他の構成を示す図。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

本明細書において平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直、円、一致には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直、略円、略一致が含まれてもよい。

［プラズマ処理装置］
以下に、プラズマ処理装置の構成例について説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

プラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理容器１０、ガス供給部１６、排気装置２０、電源３０及び制御装置２を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理容器１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理容器１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理容器１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理容器１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理容器１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理容器１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理容器１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１と、プラズマ処理容器１０の筐体とは電気的に絶縁される。

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持する。ウェハは基板Ｗの一例である。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域上の基板Ｗを囲むように配置される。

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。

基板支持部１１は、更に絶縁部材１２及び支持部１４を含む。絶縁部材１２は本体部１１１と同程度の厚みのリング状であり、支持部１４は筒状である。支持部１４は、例えばアルミニウム等の金属から形成され、プラズマ処理容器１０の底部から内部に向かって立設され、絶縁部材１２を介して基台１１１０を支持する。絶縁部材１２の外径及び支持部１４の外径は、基台１１１０の直径に等しい。支持部１４の内径は絶縁部材１２の内径よりも大きい。基台１１１０の下方の絶縁部材１２及び支持部１４の内部空間は、大気空間であり、基台１１１０と同軸的に給電棒２６が配置される。給電棒２６及び基台１１１０（基板支持部１１）は、プラズマ処理容器１０の中心軸ＣＬと軸を共通にする。給電棒２６は円盤状の基台１１１０の下面の中心にて基台１１１０に電気的に接続される。給電棒２６には、図示しないインピーダンス整合回路を介して後述する第２のＲＦ生成部３１ｂが接続される。第２のＲＦ生成部３１ｂから給電棒２６を介して基台１１１０にバイアスＲＦ電力が供給される。

また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路が基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と静電チャック１１１１との間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

シャワーヘッド１３は、ガス供給部１６からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部１６は、少なくとも１つのガスソース１６ａ及び少なくとも１つの流量制御器１６ｂを含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部１６は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース１６ａからそれぞれに対応の流量制御器１６ｂを介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器１６ｂは、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部１６は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理容器１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理容器１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源３０は、プラズマ処理容器１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

基板支持部１１の周囲には、可動部材４０及び静止部材４１が配置されている。可動部材４０は複数の動翼４０ａを有する。静止部材４１は複数の静翼４１ａを有する。複数の動翼４０ａ及び複数の静翼４１ａは、プラズマ処理容器１０の高さ方向（垂直方向）に沿って交互に配列されている。可動部材４０及び静止部材４１は、中心軸ＣＬと軸を共通にする。

複数の動翼４０ａは、高さ方向（垂直方向）に伸びる筒状部材４０ｂに、間隔を設けて固定されている。上下に隣接する動翼４０ａの間には、静翼４１ａが配置される。筒状部材４０ｂは、支持部１４の周囲に沿ってその外側に配置されている。筒状部材４０ｂの内径は、支持部１４の外径よりも大きい。第１の駆動部５１は、可動部材４０を回転させるように構成され、これにより、複数の動翼４０ａは中心軸ＣＬを中心として回転することができる。つまり、可動部材４０は、筒状部材４０ｂが中心軸ＣＬの周りに回転することで、各高さにおいて周方向に配置された複数の動翼４０ａが全体として回転可能である。

複数の静翼４１ａは、高さ方向に伸びる筒状部材４１ｂに、間隔を設けて固定されている。上下に隣接する静翼４１ａの間には、動翼４０ａが配置される。筒状部材４１ｂは、プラズマ処理容器１０の側壁１０ａに固定されている。よって、複数の静翼４１ａは固定され、回転しない。

圧力調整部材２１は、基板支持部１１の周囲、かつ可動部材４０及び静止部材４１の上部に配置される。圧力調整部材２１は、中心軸ＣＬと軸を共通にする。第２の駆動部５２は、圧力調整部材２１を移動させるように構成され、これにより、圧力調整部材２１は、上下に移動することができる。なお、圧力調整部材２１、可動部材４０及び静止部材４１は、例えばアルミニウムの合金により形成されている。アルミニウムの合金は、陽極酸化やセラミックスの溶射により表面処理されていてもよい。

図２は、一実施形態に係る圧力調整部材２１及び静止部材４１を平面視した図である。図２では、基板支持部１１の絶縁部材１２及び支持部１４の図示は省略している。また、可動部材４０の動翼４０ａは、図２（ａ）に示す圧力調整部材２１及びその真下に配置される図２（ｂ）の静止部材４１の下方に重なって配置されているため、図２では図示していない。

図１及び図２（ａ）を参照すると、圧力調整部材２１は、基板支持部１１の周囲に周方向に配置される複数の板状部材２１ａを有する。複数の板状部材２１ａの夫々は同一形状及び大きさである。複数の板状部材２１ａの内側面は、リング状部材２１ｂの外側面に固定され、リング状部材２１ｂの周方向に均等に配置される。リング状部材２１ｂの内径は、絶縁部材１２及び支持部１４の外径よりも大きい。

図２（ｂ）に示すように、静止部材４１は、基板支持部１１の周囲に周方向に配置される複数の静翼４１ａと筒状部材４１ｂとを有する。複数の静翼４１ａの夫々は同一形状及び大きさである。複数の静翼４１ａの外側面は、筒状部材４１ｂの内側面に固定され、筒状部材４１ｂの周方向に均等に配置される。

なお、図２には図示していないが、可動部材４０は、基板支持部１１の周囲に周方向に配置される複数の動翼４０ａと筒状部材４０ｂとを有する。可動部材４０の複数の動翼４０ａの夫々は同一形状及び大きさである。複数の動翼４０ａの内側面は、筒状部材４０ｂの外側面に固定され、筒状部材４０ｂの周方向に均等に配置される。筒状部材４０ｂの内径は、絶縁部材１２及び支持部１４の外径よりも大きい。

係る圧力調整部材２１、静止部材４１及び可動部材４０の構成により、給電棒２６と、圧力調整部材２１、静止部材４１及び可動部材４０とは、同軸的に配置される。

図２（ｃ）に示すように、複数の板状部材２１ａと複数の静翼４１ａとは、周方向に交互に配置される。平面視で隣接する板状部材２１ａと静翼４１ａとの間に隙間はない。ただし、後述するように平面視で隣接する板状部材２１ａと静翼４１ａとの間に所定寸法以下の隙間があってもよい。また、隣接する板状部材２１ａと静翼４１ａとは、平面視で一部が重なってもよい。また、複数の板状部材２１ａと複数の静翼４１ａとは、同一の形状及び大きさであってもよいが、これに限らない。

また、複数の動翼４０ａと複数の静翼４１ａとは、周方向に交互に配置される。また、複数の動翼４０ａと複数の静翼４１ａとは、同一の形状及び大きさであってもよいが、これに限らない。

図１及び図２では、圧力調整部材２１の直下に静翼４１ａが配置され、その下方に交互に動翼４０ａと静翼４１ａとが配置されるが、これに限らない。圧力調整部材２１の直下に動翼４０ａが配置され、その下方に交互に静翼４１ａと動翼４０ａとが配置されてもよい。この場合、図２（ｂ）は、静止部材４１の代わりに、同形状の可動部材４０を示す。

図１に戻り、圧力調整部材２１の上部にバッフル板２２が設けられる。バッフル板２２はリング状であり、中心軸ＣＬと軸を共通にする。バッフル板２２には、複数の貫通孔（例えばホール）が形成され、ガスの流れを調整することができる。ただし、これに限らず、圧力調整部材２１の上部に移動可能な少なくとも１つのバッフル板２２を有してよい。また、２つのバッフル板２２を上下方向に配置してもよい。なお、バッフル板２２はなくてもよい。

可動部材４０及び静止部材４１の下方には、排気空間１７が形成されている。排気装置２０は、例えばプラズマ処理容器１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気装置２０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。ガス排出口１０ｅは１つであってもよいし、複数であってもよい。

制御装置２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御装置２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御装置２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御装置２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御装置２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

プラズマ処理装置１では、プラズマ処理空間１０ｓにて生成されたプラズマにより、基板Ｗが処理される。基板処理中、プラズマ処理装置１では、排気処理が行われ、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が制御される。排気処理は、制御装置２により排気装置２０、第１の駆動部５１及び第２の駆動部５２を制御することで実行される。プラズマ処理装置１により実行される排気処理について、説明する。

制御装置２は、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力を測定する図示しない圧力センサから圧力の実測値を取得する。制御装置２は、圧力の実測値と予め決められた圧力の設定値（目標値）との差圧に応じて複数の動翼４０ａの回転の有無及び回転速度を制御する。例えば、圧力の実測値が設定値よりも高い場合、制御装置２は、ガスのコンダクタンスを高めるために第１の駆動部５１に複数の動翼４０ａの回転速度を上げるように指示信号を送信することができる。圧力の実測値が設定値よりも低い場合、制御装置２は、ガスのコンダクタンスを低下させるために第１の駆動部５１に複数の動翼４０ａの回転速度を下げるように指示信号を送信することができる。

さらに、本開示では、図３～図８を参照して後述するように、制御装置２は、圧力の実測値と設定値との差圧に応じて圧力調整部材２１の上下移動を制御する。例えば、圧力の実測値が設定値よりも高い場合、制御装置２は、ガスのコンダクタンスを高めるために第２の駆動部５２に圧力調整部材２１を上昇させるように指示信号を送信することができる。圧力の実測値が設定値よりも低い場合、制御装置２は、ガスのコンダクタンスを低下させるために第２の駆動部５２に圧力調整部材２１を下降させるように指示信号を送信することができる。

排気装置２０は、プラズマ処理容器１０の底部にて偏った位置に配置されている。よって、排気装置２０は、ガス排出口１０ｅ側に偏ってプラズマ処理空間１０ｓ及び排気空間１７内を排気する。可動部材４０及び静止部材４１が配置されていないと、排気装置２０に近い排気空間１７は、排気装置２０から遠い排気空間１７よりも圧力が低下する。その結果、排気空間１７の圧力分布に偏りが生じる。これにより、プラズマ処理空間１０ｓの圧力分布にも偏りが生じ、エッチングレート等の基板処理の特性に周方向においてバラツキが生じやすくなる。

係る構成のプラズマ処理装置１では、リング状の圧力調整部材２１、可動部材４０及び静止部材４１を基台１１１０と同軸的に配置することにより、周方向におけるガスのコンダクタンスの偏りを無くし、周方向におけるガスのコンダクタンスの対称性を保つことができる。また、給電棒２６を基台１１１０と同軸的に配置することにより、ＲＦ電力に対する周方向におけるインピーダンスの偏りを無くし、ＲＦ電力供給の周方向における対称性を保つことができる。

また、複数の動翼４０ａを回転させ、その回転速度を制御し、ガスのコンダクタンスの過度な低下を抑制し、排気空間１７において処理ガスの流れを作る。これにより、可動部材４０及び静止部材４１の上方の圧力を均一にすることができ、基板処理における周方向のエッチングレート等の特性のバラツキを抑制し、基板Ｗをより均一に処理することができる。

更に、本実施形態では、圧力調整部材２１、可動部材４０及び静止部材４１の構成及び動作によって処理ガスの排気効率をより高めることができ、プラズマ処理容器１０内の排気圧力をより精度良く制御することができる。以下、図３～図８を参照しながら排気効率を高める圧力調整部材２１（複数の板状部材２１ａ）及び静止部材４１（複数の静翼４１ａ）の構成及び動作例について説明する。

図３は、参考例に係る複数の板状部材２１ａ及び複数の静翼４１ａの配置を示す図である。図４は、複数の板状部材２１ａ及び複数の静翼４１ａの配置と開口率を説明するための図である。図５～図８は、一実施形態に係る複数の板状部材２１ａ及び複数の静翼４１ａの配置及び動作例１～４を示す図である。なお、図３～図８は、図２（ｃ）のＡ－Ａに示す側面から複数枚の板状部材２１ａと複数枚の静翼４１ａを見たときの模式図である。図３～図６では、Ａ－Ａに示す側面から見た板状部材２１ａ及び静翼４１ａを２枚ずつ示す。図７及び図８では、Ａ－Ａに示す側面から見た５枚の板状部材２１ａ及び４枚の静翼４１ａを示す。

図３の参考例では、板状部材２１ａ及び静翼４１ａが、基板Ｗの載置面に対して水平方向に平行に配置されている。以下、バッフル板２２よりも下の圧力調整部材２１、可動部材４０及び静止部材４１が配置された空間を排気経路という。排気経路は排気空間１７に連通している。図３（ａ）に示す板状部材２１ａの位置から図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示す位置へと板状部材２１ａを上昇させると、板状部材２１ａと静翼４１ａとの間の処理ガスの排気経路は広がっていく。図２（ｃ）に示すように、平面視したときに板状部材２１ａと静翼４１ａとで排気空間のすべてを覆うことができるように板状部材２１ａと静翼４１ａとを配置した場合、板状部材２１ａ又は静翼４１ａが排気経路を水平方向に切断したときの面積の半分以上になる。この場合、板状部材２１ａ及び静翼４１ａの各々の排気経路（空間）の開口率が、例えば５０％以下になり、圧力調整部材２１による圧力調整可能範囲が制限される。

これに対して、図４に示すように、板状部材２１ａの水平方向に対する周方向の傾きを角度θとし、板状部材２１ａを周方向に傾ける。例えば、板状部材２１ａの角度θを、０°の図４（ａ）の状態から４５°の図４（ｄ）の状態まで図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順に徐々に大きくする。図４（ａ）～（ｄ）に示す隣接する板状部材２１ａの最も近い点同士の間隔ＣＲは角度θが０°の場合（図４（ａ））に最も小さく、図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す間隔ＣＲの順に徐々に大きくなる。つまり、板状部材２１ａの周方向の傾斜が大きい程、間隔ＣＲは広くなり、開口率が高くなる。開口率は、圧力調整部材２１の周長に対する間隔ＣＲの合計の比率で定義される。

以上から、本開示では、複数の板状部材２１ａは、図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、複数の静翼４１ａに対して非平行状態に配置される。これにより、圧力調整部材２１による圧力調整可能範囲を広げることができる。これにより、開口率を高め、プラズマ処理空間１０ｓから圧力調整部材２１、可動部材４０及び静止部材４１の排気経路を通り、排気空間１７に至るまで処理ガスを流す際のガスのコンダクタンスを精度良く制御できる。この結果、プラズマ処理容器１０内の排気圧力の制御精度を高めることができる。

なお、静翼４１ａに関しても静翼４１ａの周方向の傾斜が大きい程、隣接する静翼４１ａの間隔は広くなり、静止部材４１の開口率は高くなる。よって、水平方向に対して複数の静翼４１ａを周方向に傾斜させてもよい。また、板状部材２１ａの傾斜と、静翼４１ａの傾斜とは逆向きに配置されてもよい。複数の板状部材２１ａは、周方向に同じ角度で傾斜する。複数の静翼４１ａは、周方向に同じ角度で傾斜する。なお、複数の板状部材２１ａ及び複数の静翼４１ａは、周方向にのみ傾斜し、中心方向（径方向）には傾斜しない。

（動作例１）
図５に示す動作例１では、板状部材２１ａが、図５（ａ）の位置から図５（ｃ）の位置まで上下方向に移動する。静翼４１ａは固定されている。この場合の処理ガスの流れは、図５（ａ）の位置では板状部材２１ａと静翼４１ａとにより排気経路が閉じているため（全閉）、図５（ｄ）に示すように処理ガスは流れない。図５（ｂ）の位置では排気経路が一部開いているため、図５（ｅ）に示すように処理ガスが排気空間１７へと流れ始める。図５（ｃ）の位置では図５（ｂ）の位置よりも開口率が高く、９０％以上となることも可能であり、図５（ｆ）に示すようにより多くの処理ガスを排気空間１７へと流すように制御できる。

（動作例２）
図６に示す動作例２では、板状部材２１ａが、図６（ａ）の位置から図６（ｃ）の位置まで斜め方向に上下する。静翼４１ａは固定されている。この場合の処理ガスの流れは、図６（ａ）の位置では板状部材２１ａと静翼４１ａとにより排気経路が閉じているため（全閉）、図６（ｄ）に示すように処理ガスは流れない。図６（ｂ）の位置では排気経路が一部開いているため、図６（ｅ）に示すように処理ガスが排気空間１７へと流れ始める。図６（ｃ）の位置では図６（ｂ）の位置よりも開口率が高く、９０％以上となることも可能であり、図６（ｆ）に示すようにより多くの処理ガスを排気空間１７へと流すように制御できる。

（動作例３）
図７に示す動作例３では、板状部材２１ａが、図７（ａ）の位置から図７（ｃ）の位置まで上下方向に移動する。静翼４１ａは固定されている。図５及び図６に示す例と異なる点は、図５及び図６に示す板状部材２１ａの角度θが９０°よりも小さいのに対して図７に示す板状部材２１ａの角度θは９０°であり、板状部材２１ａが垂直方向に平行に配置されている点である。この場合の処理ガスの流れは、図７（ａ）の位置では板状部材２１ａと静翼４１ａとにより排気経路が閉じているため（全閉）、図７（ｄ）に示すように処理ガスは流れない。図７（ｂ）の位置では排気経路が一部開いているため、図７（ｅ）に示すように処理ガスが排気空間１７へと流れ始める。図７（ｃ）の位置では図７（ｂ）の位置よりも開口率が高く、９０％以上となることも可能であり、図７（ｆ）に示すようにより多くの処理ガスを排気空間１７へと流すように制御できる。

（動作例４）
図８に示す動作例１では、板状部材２１ａに隣接する最上位の静翼４１ａが、図８（ａ）の位置から図８（ｃ）の位置まで上下方向に上昇する。最上位の静翼４１ａ以外の静翼４１ａは移動しない。板状部材２１ａは固定されている。この場合の処理ガスの流れは、図８（ａ）の位置では板状部材２１ａと最上位の静翼４１ａとにより排気経路が閉じているため（全閉）図８（ｄ）に示すように処理ガスは流れない。図８（ｂ）の位置では排気経路が一部開いているため、図８（ｅ）に示すように処理ガスが排気空間１７へと流れ始める。図８（ｃ）の位置では図８（ｂ）の位置よりも開口率が高く、９０％以上となることも可能であり、図８（ｆ）に示すようにより多くの処理ガスを排気空間１７へと流すように制御できる。

以上に説明した複数の板状部材２１ａ及び複数の静翼４１ａの配置に、複数の動翼４０ａを加えた配置の一例について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、一実施形態に係る板状部材２１ａ、静翼４１ａ及び動翼４０ａの配置例１を示す図である。図１０は、一実施形態に係る板状部材、板状部材２１ａ、静翼４１ａ及び動翼４０ａの配置例２を示す図である。図９及び図１０は、図１に示す「Ｂ」の枠内の板状部材２１ａ、静翼４１ａ及び動翼４０ａを側面（例えば図２（ｃ）のＡ－Ａ側面）から見たときの模式図である。

（板状部材、静翼及び動翼の配置例１）
図９は、図７に示す板状部材２１ａ及び最上位の静翼４１ａの下方に、図７では省略していた複数の動翼４０ａ及び複数の静翼４１ａを加えて図示したものである。

板状部材２１ａ及び最上位の静翼４１ａの下方には、複数の動翼４０ａ及び複数の静翼４１ａが交互に、かつ多段に設けられている。複数の動翼４０ａは、第１の駆動部５１により点線の矢印で示す方向に回転する。多段に設けられた複数の動翼４０ａの回転方向は同一であれば、時計回り又は反時計回りのいずれでもよい。

図９（ａ）及び（ｂ）では、複数の板状部材２１ａが、第２の駆動部５２により上下に移動する。図９（ａ）では複数の板状部材２１ａが複数の静翼４１ａよりも高い位置にあり、図９（ｂ）では、複数の板状部材２１ａの上端が複数の静翼４１ａの上端と同じ高さまで下降している。複数の板状部材２１ａが図９（ａ）に示す位置関係にあるとき、排気経路の開口率は最も高い。複数の板状部材２１ａが図９（ｂ）に示す位置関係にあるとき、排気経路の開口率は最も低い。このように、複数の動翼４０ａの回転速度を制御しながら、複数の板状部材２１ａの上下移動により、排気経路の開口率を制御する。これにより、排気経路の開口率を９０％以上まで設定することが可能となり、圧力調整範囲を広くすることができる。従って、圧力調整部材２１により多くの処理ガスを排気空間１７へと流すように制御でき、プラズマ処理容器１０内の排気圧力を精度良く制御することができる。

（板状部材、静翼及び動翼の配置例２）
図１０は、図９と同様に板状部材２１ａ及び静翼４１ａの下方に複数の動翼４０ａ及び複数の静翼４１ａを加えて図示したものである。図９に示す板状部材２１ａ及び静翼４１ａと異なる点は、板状部材２１ａと隣接する静翼４１ａとの間に隙間Ｓが設けられている点である。隙間Ｓが設けられることで、例えば温度変化等の変動要因により板状部材２１ａ及び静翼４１ａが膨張又は収縮したときにも板状部材２１ａの移動によって板状部材２１ａと静翼４１ａとが擦れたり、破損したりすることを回避することができる。

図１０に示す板状部材２１ａの寸法の一例を挙げると、板状部材２１ａの内径が約４００ｍｍ、外径が約５００ｍｍの場合、板状部材２１ａの厚みの中心を通る中心径（直径）φは約４５０ｍｍとなり、板状部材２１ａの厚みの中心を通る周長は約１４００ｍｍとなる。例えば、排気装置２０に設けられた圧力調整弁が最低開度の４％程度で制御されている場合と同等の開度で制御する場合は、１４００ｍｍの４％である５６ｍｍ程度の隙間を設けられる。

例えば、板状部材２１ａと最上位の静翼４１ａとが１０枚ずつで構成されていると仮定すると、１周において隙間は２０カ所（＝１０枚×２）であるため、各隙間は２．８ｍｍ（＝５６／２０）となる。板状部材２１ａと最上位の静翼４１ａとが３０枚ずつで構成されていると仮定すると、各隙間は０．９ｍｍとなる。以上の結果から、板状部材２１ａと静翼４１ａとの隙間Ｓは、０．８ｍｍより小さければよいと考えられる。板状部材２１ａと静翼４１ａとの間に０．８ｍｍより小さい隙間Ｓを設けることができる。

以上に説明したように、板状部材２１ａは、垂直（角度θ＝９０°）に配置されてもよいし、周方向に傾斜（０°＜角度θ＜９０°）して配置されてもよい。また、板状部材２１ａの厚みは適宜設定できる。

一方、静翼４１ａ及び動翼４０ａは、垂直に配置されることはなく、周方向に傾斜して配置される。静翼４１ａ及び動翼４０ａを周方向に傾斜させることにより、ある程度の開口率で動翼４０ａを回転させることができ、排気経路におけるガスのコンダクタンスを確保することができ、処理ガスの適切な流れを形成することができる。

（板状部材、静翼及び動翼の配置例３）
図１１を参照しながら、一実施形態に係る板状部材２１ａ及び静翼４１ａの配置例３について説明する。プラズマ処理装置１は、図１１（ａ）の「Ｃ」の枠内に示すように、板状部材２１ａ及び静翼４１ａを有し、その下方に多段の動翼４０ａ及び静翼４１ａを有していない。「Ｃ」の枠内に示す構成以外のプラズマ処理装置１の構成は、図１のプラズマ処理装置１の構成と同一である。

図１１（ｂ）及び（ｃ）は、図１１（ａ）に示す「Ｃ」の枠内の板状部材２１ａ及び静翼４１ａを側面（例えば図２（ｃ）のＡ－Ａ側面）から見たときの模式図である。板状部材２１ａ及び最上位の静翼４１ａの下方には、複数の動翼４０ａ及び複数の静翼４１ａは存在しない。つまり、複数の静翼４１ａは圧力調整部材２１の下方に一段のみ配置され、複数の動翼４０ａは設けられていない。

これによっても、第２の駆動部５２により複数の板状部材２１ａを移動させることにより、複数の板状部材２１ａが最上位置にあるときに排気経路の開口率が最大になり、複数の板状部材２１ａが最下位置にあるとき、排気経路の開口率が最小になる。このように複数の板状部材２１ａの移動により、排気経路の開口率を制御することにより、開口率が９０％以上となることが可能である。このため、圧力調整部材２１による圧力調整可能範囲が広く、より多くの処理ガスを排気空間１７へと流すように制御でき、プラズマ処理容器１０内の排気圧力を精度良く制御することができる。

［第２の駆動部］
最後に一実施形態に係る第２の駆動部５２の構成及び動作例について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。図１２は、一実施形態に係る第２の駆動部５２の一の構成を示す図である。図１３は、一実施形態に係る第２の駆動部５２の他の構成を示す図である。

図１２（ａ）及び（ｂ）は、各々第２の駆動部５２の一の構成を示す。図１２（ａ）には、更にバッフル板２２の下から平面視したときのプラズマ処理容器１０内を示す。

図１２（ａ）の第２の駆動部５２は、アクチュエータ５２ａと支持部材５２ｂとを有する。支持部材５２ｂは、基板支持部１１（支持部１４）と可動部材４０との間に配置される。また、図１２（ａ）の平面図に示すように、支持部材５２ｂは棒状であり、周方向に等間隔に複数配置され、圧力調整部材２１の下面にそれぞれ固定される。１つ又は複数のアクチュエータ５２ａによって複数の支持部材５２ｂが上下に移動することにより、圧力調整部材２１の複数の板状部材２１ａが上下に移動する。

図１２（ｂ）の第２の駆動部５２は、アクチュエータ５２ａと支持部材５２ｂとを有する。支持部材５２ｂは、プラズマ処理容器１０の側壁１０ａと静止部材４１との間に配置される。支持部材５２ｂは棒状であり、周方向に等間隔に複数配置され、圧力調整部材２１の下面にそれぞれ固定される。１つ又は複数のアクチュエータ５２ａによって複数の支持部材５２ｂが上下に移動することにより、圧力調整部材２１の複数の板状部材２１ａが上下に移動する。図１２（ａ）及び（ｂ）において支持部材５２ｂは、筒状であってもよい。図１２（ａ）及び（ｂ）のいずれもプラズマ処理容器１０内の真空空間の密閉性を保つために、支持部材５２ｂはプラズマ処理容器１０の底部を貫通させる。ただし、支持部材５２ｂはプラズマ処理容器１０の上部を貫通させるようにしてもよい。また、アクチュエータ５２ａをプラズマ処理容器１０内に配置してもよい。

図１３（ａ）及び（ｂ）は、各々第２の駆動部５２の他の構成を示す。図１３（ａ）の第２の駆動部５２は、アクチュエータ５２ａとギア５２ｃとねじ部５２ｄとを有する。アクチュエータ５２ａは支持部１４内の大気空間に設けられる。ねじ部５２ｄは、真空空間（排気経路）に設けられる。ギア５２ｃは支持部１４を水平方向に貫通し、一端でアクチュエータ５２ａに接続され、他端でねじ部５２ｄに形成された歯とかみ合っている。ねじ部５２ｄは筒状であり、基板支持部１１（支持部１４）と可動部材４０との間に配置される。ねじ部５２ｄの上端は、圧力調整部材２１の下面に固定される。アクチュエータ５２ａ（回転モータ）によってギア５２ｃが軸周りに回転（図１３（ａ）の縦方向の矢印）したとき、ねじ部５２ｄはギア５２ｃとかみ合って中心軸ＣＬ（図１参照）の周りに支持部１４に沿って回転する（図１３（ａ）の横方向の矢印）。ねじ部５２ｄと支持部１４とはボールベアリング構造を有し、ねじ部５２ｄの回転により支持部１４が上下に移動する替わりに、固定された支持部１４に対してねじ部５２ｄが回転しながら回転面の垂直方向、つまり、上下に移動する。これにより、圧力調整部材２１の複数の板状部材２１ａが回転しながら上下に移動する。

図１３（ｂ）の第２の駆動部５２も、アクチュエータ５２ａとギア５２ｃとねじ部５２ｄとを有する。アクチュエータ５２ａはプラズマ処理容器１０の側壁１０ａ近くの大気空間に設けられる。ねじ部５２ｄは、真空空間（排気経路）に設けられる。ギア５２ｃは側壁１０ａを水平方向に貫通し、一端でアクチュエータ５２ａに接続され、他端でねじ部５２ｄに形成された歯とかみ合っている。ねじ部５２ｄは筒状であり、側壁１０ａと静止部材４１との間に配置される。ねじ部５２ｄの上端は、圧力調整部材２１の下面に固定される。アクチュエータ５２ａ（回転モータ）によってギア５２ｃが軸周りに回転（図１３（ｂ）の縦方向の矢印）したとき、ねじ部５２ｄはギア５２ｃとかみ合って中心軸ＣＬ（図１参照）の周りに側壁１０ａに沿って回転する（図１３（ｂ）の横方向の矢印）。ねじ部５２ｄと側壁１０ａとはボールベアリング構造を有し、ねじ部５２ｄの回転により側壁１０ａが上下に移動する替わりに、固定された側壁１０ａに対してねじ部５２ｄが回転しながら回転面の垂直方向、つまり、上下に移動する。これにより、圧力調整部材２１の複数の板状部材２１ａが回転しながら上下に移動する。

図１２（ａ）及び（ｂ）に示す第２の駆動部５２の構成によれば、第２の駆動部５２は、圧力調整部材２１を上下に移動させることができる。例えば、図５、図７及び図８に示す複数の板状部材２１ａの上下の移動を実現できる。

図１３（ａ）及び（ｂ）に示す第２の駆動部５２の構成によれば、第２の駆動部５２は、圧力調整部材２１を回転させながら上下に移動させることができる。例えば、図５、図７及び図８に示す複数の板状部材２１ａの上下の移動を実現できる。また、ねじ部５２ｄと支持部１４等とのボールベアリング構造を用いて圧力調整部材２１の回転運動を複数の板状部材２１ａの斜め方向の直線運動に変換することにより、図６に示す複数の板状部材２１ａの斜め上下方向の移動を実現できる。

以上に説明したように、本実施形態のプラズマ処理装置１によれば、プラズマ処理容器１０内の排気圧力を精度良く制御することができる。

今回開示された実施形態に係るプラズマ処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

例えば、実施形態に係るプラズマ処理装置は、一枚ずつ基板を処理する枚葉装置、複数枚の基板を一括処理するバッチ装置及びセミバッチ装置のいずれにも適用できる。

本開示のプラズマ処理装置１は、以下の構成を有してもよいことを付記する。
（付記１）
プラズマ処理容器と、
前記プラズマ処理容器内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部の周囲に配置される静止部材であり、前記静止部材は複数の静翼を有し、前記静止部材の下方に排気空間が形成される、静止部材と、
前記基板支持部の周囲、かつ前記静止部材の上部にて移動可能に配置される圧力調整部材と、
前記圧力調整部材を移動させるように構成される第２の駆動部と、を備える、
プラズマ処理装置。
（付記２）
前記圧力調整部材は、前記基板支持部の周囲に周方向に配置される複数の板状部材を有する、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
（付記３）
前記複数の板状部材は、前記複数の静翼に対して非平行状態に配置される、
付記２に記載のプラズマ処理装置。
（付記４）
前記第２の駆動部は、前記基板支持部と前記静止部材との間に配置される、
付記１から付記３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記５）
前記第２の駆動部は、前記プラズマ処理容器の側壁と前記静止部材との間に配置される、
付記１から付記３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記６）
前記基板支持部は、静電チャックと、前記静電チャックの下部に配置される基台と、を備え、
給電棒は、前記基台に電気的に接続される、
付記１から付記３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記７）
前記給電棒は、前記基台と同軸的に配置される、
付記６に記載のプラズマ処理装置。
（付記８）
前記給電棒は、前記静止部材と同軸的に配置される、
付記６に記載のプラズマ処理装置。
（付記９）
前記第２の駆動部は、前記圧力調整部材を回転させながら上下に移動させるように構成される、
付記１から付記３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１０）
前記圧力調整部材の上部に移動可能な少なくとも１つのバッフル板をさらに備える、
付記１から付記３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。

１ プラズマ処理装置
２ 制御装置
１０ プラズマ処理容器
１１ 基板支持部
１３ シャワーヘッド
２０ 排気装置
２１ 圧力調整部材
２１ａ 板状部材
２６ 給電棒
３１ｂ 第２のＲＦ生成部
４０ 可動部材
４０ａ 動翼
４１ 静止部材
４１ａ 静翼
５１ 第１の駆動部
５２ 第２の駆動部
１１１ 本体部
１１２ リングアセンブリ

Claims (20)

1. プラズマ処理容器と、
   前記プラズマ処理容器内に配置される基板支持部と、
   前記基板支持部の周囲に配置される可動部材及び静止部材であり、
   前記可動部材は複数の動翼を有し、前記複数の動翼は回転可能であり、前記静止部材は複数の静翼を有し、
   前記複数の動翼及び前記複数の静翼は、前記プラズマ処理容器の高さ方向に沿って交互に配列され、
   前記可動部材及び前記静止部材の下方に排気空間が形成される、可動部材及び静止部材と、
   前記可動部材を回転させるように構成される第１の駆動部と、
   前記基板支持部の周囲、かつ前記可動部材及び前記静止部材の上部にて移動可能に配置される圧力調整部材と、
   前記圧力調整部材を移動させるように構成される第２の駆動部と、を備える、
   プラズマ処理装置。
2. 前記圧力調整部材は、前記基板支持部の周囲に周方向に配置される複数の板状部材を有する、
   請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記複数の板状部材は、前記複数の動翼又は前記複数の静翼に対して非平行状態に配置される、
   請求項２記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第２の駆動部は、前記基板支持部と前記可動部材との間に配置される、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記第２の駆動部は、前記プラズマ処理容器の側壁と前記静止部材との間に配置される、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記基板支持部は、静電チャックと、前記静電チャックの下部に配置される基台と、を備え、
   給電棒は、前記基台に電気的に接続される、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記給電棒は、前記基台と同軸的に配置される、
   請求項６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記給電棒は、前記可動部材及び前記静止部材と同軸的に配置される、
   請求項６に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記第２の駆動部は、前記圧力調整部材を回転させながら上下に移動させるように構成される、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記圧力調整部材の上部に移動可能な少なくとも１つのバッフル板をさらに備える、
    請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
11. プラズマ処理容器と、
    前記プラズマ処理容器内に配置される基板支持部と、
    前記基板支持部の周囲に配置される静止部材であり、
    前記静止部材は複数の静翼を有し、
    前記静止部材の下方に排気空間が形成される、静止部材と、
    前記基板支持部の周囲、かつ前記静止部材の上部にて移動可能に配置される圧力調整部材と、
    前記圧力調整部材を移動させるように構成される第２の駆動部と、を備える、
    プラズマ処理装置。
12. 前記圧力調整部材は、前記基板支持部の周囲に周方向に配置される複数の板状部材を有する、
    請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記複数の板状部材は、前記複数の静翼に対して非平行状態に配置される、
    請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記第２の駆動部は、前記基板支持部と前記静止部材との間に配置される、
    請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記第２の駆動部は、前記プラズマ処理容器の側壁と前記静止部材との間に配置される、
    請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記基板支持部は、静電チャックと、前記静電チャックの下部に配置される基台と、を備え、
    給電棒は、前記基台に電気的に接続される、
    請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記給電棒は、前記基台と同軸的に配置される、
    請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
18. 前記給電棒は、前記静止部材と同軸的に配置される、
    請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
19. 前記第２の駆動部は、前記圧力調整部材を回転させながら上下に移動させるように構成される、
    請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
20. 前記圧力調整部材の上部に移動可能な少なくとも１つのバッフル板をさらに備える、
    請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。

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