JP2023152365A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置における排気機能の劣化を抑えるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ１０内において基板支持部１１を囲むように配置されるバッフル構造体を備えるプラズマ処理装置１において、バッフル構造体は、上側バッフルプレート１２０及び下側バッフルプレート１５２を含む。上側バッフルプレートは、複数の第１の開口１３０を有する。複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有する。下側バッフルプレートは、導電性を有し、接地電位に結合し、複数の第２の開口１７０を有する。複数の第２の開口の各々は、上側開口部分及び下側開口部分を有する。上側開口部分は、第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、下側開口部分は、第１の幅よりも小さい第３の幅を有する。
【選択図】図５

Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関する。

基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整する技術として、特許文献１に記載された技術がある。

特表２０１２－５１３０９４号公報

本開示は、プラズマ処理装置における排気機能の劣化を抑える技術を提供する。

本開示の一つの例示的実施形態において、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、プラズマ処理チャンバ内において基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であり、バッフル構造体は、上側バッフルプレート及び下側バッフルプレートを含み、上側バッフルプレートは、複数の第１の開口を有し、複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有し、下側バッフルプレートは、導電性を有し、接地電位に結合され、下側バッフルプレートは、複数の第２の開口を有し、複数の第２の開口の各々は、上側開口部分及び下側開口部分を有し、上側開口部分は、第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、下側開口部分は、第１の幅よりも小さい第３の幅を有する、バッフル構造体と、プラズマ処理チャンバ内において基板支持部の上方のプラズマ処理空間を囲むように配置されるライナ構造体であり、ライナ構造体は、内側円筒状ライナ及び外側円筒状ライナを含み、内側円筒状ライナは、複数の第３の開口を有し、複数の第３の開口の各々は、第４の幅を有し、外側円筒状ライナは、導電性を有し、接地電位に結合され、外側円筒状ライナは、複数の第４の開口を有し、複数の第４の開口の各々は、内側開口部分及び外側開口部分を有し、内側開口部分は、第４の幅よりも大きい第５の幅を有し、外側開口部分は、第４の幅よりも小さい第６の幅を有する、ライナ構造体と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。

本開示の一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置における排気機能の劣化を抑える技術を提供することができる。

例示的実施形態１におけるプラズマ処理装置の構成例の概略を示す図である。 プラズマ閉じ込め構造体の一例を示す斜視図である。 上側バッフルプレート及び下側バッフルプレートを周方向に沿って切断したときの第１の開口と第２の開口の幅の例を示す縦断面図である。 上側バッフルプレート及び下側バッフルプレートを径方向に沿って切断したときの第１の開口と第２の開口の長さの例を示す縦断面図である。 例示的実施形態２におけるプラズマ処理装置の構成例の概略を示す図である。 内側円筒状ライナ及び外側円筒状ライナを周方向に沿って切断したときの第３の開口と第４の開口の幅の例を示す横断面図である。 内側円筒状ライナ及び外側円筒状ライナを上下方向に沿って切断したときの第３の開口と第４の開口の長さの例を示す縦断面図である。 例示的実施形態３におけるプラズマ処理装置の構成例の概略を示す図である。 例示的実施形態４における上側バッフルプレート及び下側バッフルプレートを周方向に沿って切断したときの第１の開口と第２の開口の幅の例を示す縦断面図である。 例示的実施形態４における内側円筒状ライナ及び外側円筒状ライナを周方向に沿って切断したときの第３の開口と第４の開口の幅の例を示す横断面図である。

以下、本開示の各実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、プラズマ処理チャンバ内において基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であり、バッフル構造体は、上側バッフルプレート及び下側バッフルプレートを含み、上側バッフルプレートは、複数の第１の開口を有し、複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有し、下側バッフルプレートは、導電性を有し、接地電位に結合され、下側バッフルプレートは、複数の第２の開口を有し、複数の第２の開口の各々は、上側開口部分及び下側開口部分を有し、上側開口部分は、第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、下側開口部分は、第１の幅よりも小さい第３の幅を有する、バッフル構造体と、プラズマ処理チャンバ内において基板支持部の上方のプラズマ処理空間を囲むように配置されるライナ構造体であり、ライナ構造体は、内側円筒状ライナ及び外側円筒状ライナを含み、内側円筒状ライナは、複数の第３の開口を有し、複数の第３の開口の各々は、第４の幅を有し、外側円筒状ライナは、導電性を有し、接地電位に結合され、外側円筒状ライナは、複数の第４の開口を有し、複数の第４の開口の各々は、内側開口部分及び外側開口部分を有し、内側開口部分は、第４の幅よりも大きい第５の幅を有し、外側開口部分は、第４の幅よりも小さい第６の幅を有する、ライナ構造体と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。

一つの例示的実施形態において、第１の開口は、第１の開口の入口から出口まで第１の幅を有する。

一つの例示的実施形態において、第３の開口は、第３の開口の入口から出口まで第４の幅を有する。

一つの例示的実施形態において、第２の開口の上側開口部分は、上側開口部分の入口から出口まで前記第２の幅を有する。

一つの例示的実施形態において、第２の開口の上側開口部分は、上側開口部分の入口に第２の幅を有し、上側開口部分の出口に第３の幅を有し、上側開口部分の入口から出口にかけて幅が狭くなる形状を有する。

一つの例示的実施形態において、第４の開口の内側開口部分は、内側開口部分の入口から出口まで第５の幅を有する。

一つの例示的実施形態において、第４の開口の内側開口部分は、内側開口部分の入口に第５の幅を有し、内側開口部分の出口に第６の幅を有し、内側開口部分の入口から出口にかけて幅が狭くなる形状を有する。

一つの例示的実施形態において、内側円筒状ライナ及び上側バッフルプレートは、導電性材料又は絶縁材料を含む。

一つの例示的実施形態において、内側円筒状ライナ及び上側バッフルプレートは、石英、Ｓｉ又はＳｉＣで形成された材料を含む。

一つの例示的実施形態において、外側円筒状ライナ及び下側バッフルプレートは、導電性材料を含む。

一つの例示的実施形態において、外側円筒状ライナ及び下側バッフルプレートは、導電性材料と前記導電性材料上の耐プラズマコーティングとを含む。

一つの例示的実施形態において、外側円筒状ライナ及び下側バッフルプレートの前記導電性材料は、アルミニウムで形成される。

一つの例示的実施形態において、第１の幅と第２の幅の比は、１：１０乃至９：１０であり、第３の幅と第１の幅の比は、１：１０乃至９：１である。

一つの例示的実施形態において、第４の幅と第５の幅の比は、１：１０乃至９：１０であり、第６の幅と第４の幅の比は、１：１０乃至９：１０である。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、プラズマ処理チャンバ内において基板支持部の上方のプラズマ処理空間を囲むように配置されるライナ構造体であり、ライナ構造体は、内側ライナ及び外側ライナを含み、内側ライナは、複数の第１の開口を有し、複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有し、外側ライナは、導電性を有し、接地電位に結合され、外側ライナは、複数の第２の開口を有し、複数の第２の開口の各々は、内側開口部分及び外側開口部分を有し、内側開口部分は、第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、外側開口部分は、第１の幅よりも小さい第３の幅を有する、ライナ構造体と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、プラズマ処理チャンバ内において基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であり、バッフル構造体は、上側バッフル及び下側バッフルを含み、上側バッフルは、複数の第１の開口を有し、複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有し、下側バッフルは、導電性を有し、接地電位に結合され、下側バッフルは、複数の第２の開口を有し、複数の第２の開口の各々は、上側開口部分及び下側開口部分を有し、上側開口部分は、第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、下側開口部分は、第１の幅よりも小さい第３の幅を有する、バッフル構造体と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。

以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。

＜プラズマ処理装置１の例示的実施形態１＞
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一つの例示的実施形態に係る基板処理装置としてのプラズマ処理装置１は、基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法を実行する。

プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ（単に「チャンバ」ともいう）１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間（基板処理空間）１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０とは電気的に絶縁される。

基板支持部１１は、本体部５０及びリングアセンブリ５１を含む。本体部５０は、基板Ｗを支持するための中央領域５０ａと、リングアセンブリ５１を支持するための環状領域５０ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部５０の環状領域５０ｂは、平面視で本体部５０の中央領域５０ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部５０の中央領域５０ａ上に配置され、リングアセンブリ５１は、本体部５０の中央領域５０ａ上の基板Ｗを囲むように本体部５０の環状領域５０ｂ上に配置される。従って、中央領域５０ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域５０ｂは、リングアセンブリ５１を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

一実施形態において、本体部５０は、基台６０及び静電チャック６１を含む。基台６０は、導電性部材を含む。基台６０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック６１は、基台６０の上に配置される。静電チャック６１は、セラミック部材６１ａとセラミック部材６１ａ内に配置される静電電極６１ｂとを含む。セラミック部材６１ａは、中央領域５０ａを有する。一実施形態において、セラミック部材６１ａは、環状領域５０ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック６１を囲む他の部材が環状領域５０ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ５１は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック６１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、ＲＦ又はＤＣ電極がセラミック部材６１ａ内に配置されてもよく、この場合、ＲＦ又はＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号又はＤＣ信号がＲＦ又はＤＣ電極に接続される場合、ＲＦ又はＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台６０の導電性部材とＲＦ又はＤＣ電極との両方が２つの下部電極として機能してもよい。

リングアセンブリ５１は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

また、基板支持部１１は、静電チャック６１、リングアセンブリ５１及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路６０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路６０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路６０ａが基台６０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック６１のセラミック部材６１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域５０ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

基板支持部１１には、図示しないリフター（リフトピン）が設けられている。一実施形態において、リフターは、基板支持部１１を上下方向に貫通する複数の貫通孔に配置され、図示しない駆動装置により貫通孔内を上下方向に移動する。一実施形態において、基板Ｗは、図示しない搬送アームによってチャンバ１０内に搬入出される。リフターは、基板支持部１１上で基板Ｗを支持し昇降させ、搬送アームとの間で基板Ｗをやり取りし、基板Ｗを基板支持部１１上に載置することができる。

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、ＤＣに基づく電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程（プラズマ処理）を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

本例示的実施形態におけるプラズマ処理装置１は、プラズマ処理空間１０ｓを規定するプラズマ閉じ込め構造体１００を含む。プラズマ閉じ込め構造体１００は、バッフル構造体及びライナ構造体を含む。バッフル構造体は、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気（ガス）を排気するように構成されている。一実施形態において、バッフル構造体は、チャンバ１０内において基板支持部１１を囲むように配置されている。バッフル構造体は、プラズマ処理空間１０ｓに面する上側バッフルプレート１２０と、上側バッフルプレート１２０よりも下に位置する下側バッフルプレート１５２を含む。上側バッフルプレート１２０及び下側バッフルプレート１５２は、水平方向に延在している。下側バッフルプレート１５２の上面は、上側バッフルプレート１２０の下面に接触している。

ライナ構造体は、内側円筒状ライナ１５３及び外側円筒状ライナ１５１を含む。一実施形態において、内側円筒状ライナ１５３は、円筒形状を有している。内側円筒状ライナ１５３は、基板支持部１１や上側バッフルプレート１２０と同心円状に配置されている。内側円筒状ライナ１５３は、上側バッフルプレート１２０の外側端部上に配置されている。内側円筒状ライナ１５３は、プラズマ処理空間１０ｓの水平方向の側方に位置し、プラズマ処理空間１０ｓに露出している。一実施形態において、内側円筒状ライナ１５３は、絶縁材料を含み、絶縁性を有している。一実施形態において、内側円筒状ライナ１５３は、石英、Ｓｉ又はＳｉＣで形成された材料を含む。なお、内側円筒状ライナ１５３は、導電性材料を含み、導電性を有するものであってよい。

外側円筒状ライナ１５１は、円筒形状を有している。外側円筒状ライナ１５１は、基板支持部１１や下側バッフルプレート１５２と同心円状に配置されている。外側円筒状ライナ１５１は、下側バッフルプレート１５２の外側端部上に配置されている。外側円筒状ライナ１５１は、内側円筒状ライナ１５３の外側に径方向Ａに重ねられている。外側円筒状ライナ１５１は、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料を含み、導電性を有している。一実施形態において、外側円筒状ライナ１５１は、表面に部分的あるいは全体的に耐プラズマコーティングを有している。図２の例では、内側円筒状ライナ１５３は、上側バッフルプレート１２０とは別部材である。この場合、内側円筒状ライナ１５３は、上側バッフルプレート１２０と接触していてもよく、離れていてもよい。なお、内側円筒状ライナ１５３は、上側バッフルプレート１２０と一体化されてもよい。また、図２の例では、外側円筒状ライナ１５１は、下側バッフルプレート１５２と一体化されているが、下側バッフルプレート１５２とは別部材であってもよい。この場合、外側円筒状ライナ１５１は、下側バッフルプレート１５２と接触していてもよく、離れていてもよい。図２は、一実施形態におけるプラズマ閉じ込め構造体１００の例を示す斜視図である。

一実施形態において、上側バッフルプレート１２０は、円環状の薄い板形状を有している。上側バッフルプレート１２０は、板面を上方に向けた状態で、後述の下側バッフルプレート１５２の上に重ねられている。上側バッフルプレート１２０は、基板支持部１１の外周であってプラズマ処理空間１０ｓの下側に位置する。上側バッフルプレート１２０は、プラズマ処理空間１０ｓに露出している。一実施形態において、上側バッフルプレート１２０は、絶縁材料を含み、絶縁性を有している。一実施形態において、上側バッフルプレート１２０は、石英、Ｓｉ又はＳｉＣで形成された材料を含む。なお、上側バッフルプレート１２０は、導電性材料を含み、導電性を有するものであってよい。

上側バッフルプレート１２０は、複数の第１の開口１３０を有している。一実施形態において、各第１の開口１３０は、基板支持部１１の径方向（中心から外周に向かう方向）Ａに延設する細長の長孔であり、上側バッフルプレート１２０の上面から下面まで上下方向Ｚに貫通している。第１の開口１３０は、基板支持部１１の外周の周方向Ｒに全周にわたり等間隔に設けられている。一実施形態において、第１の開口１３０は、周方向Ｒに１°乃至５°間隔で設けられていてよい。

下側バッフルプレート１５２は、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料を含み、導電性を有している。下側バッフルプレート１５２は、表面に部分的あるいは全体的に耐プラズマコーティングを有している。下側バッフルプレート１５２は、基板支持部１１と電気的に絶縁されている。図１に示すように、一実施形態において、下側バッフルプレート１５２は、１又は複数の環状絶縁部材１５５により基板支持部１１と絶縁されている。下側バッフルプレート１５２は、接地電位に接続されている。一実施形態において、下側バッフルプレート１５２は、チャンバ１０を介して接地電位に接続されている。一実施形態において、下側バッフルプレート１５２は、シャワーヘッド１３を介して接地電位に接続されている。なお、下側バッフルプレート１５２は、上部電極とは電気的に絶縁されている。

一実施形態において、プラズマ閉じ込め構造体１００は、内周円筒部１５０を更に含む。内周円筒部１５０は、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料を含み、導電性を有している。内周円筒部１５０は、下側バッフルプレート１５２と電気的に接続されている一方で、基板支持部１１とは電気的に絶縁されている。一実施形態において、内周円筒部１５０は、１又は複数の環状絶縁部材１５５により基板支持部１１と絶縁されている。一実施形態において、下側バッフルプレート１５２は、内周円筒部１５０を介して接地電位に接続されている。

一実施形態において、内周円筒部１５０は、円筒形状を有し、基板支持部１１の外周に位置している。

チャンバ１０の側壁と内周円筒部１５０との間には、上下に延びる排気通路１６０が形成されている。排気通路１６０は、チャンバ１０の底部のガス排出口１０ｅに通じている。

図２に示すように、一実施形態において、下側バッフルプレート１５２は、円環状の薄い板形状を有している。上側バッフルプレート１２０は、この下側バッフルプレート１５２の上に重ねられる。下側バッフルプレート１５２は、基板支持部１１の外周であってプラズマ処理空間１０ｓの下側に位置する。

下側バッフルプレート１５２は、複数の第２の開口１７０を有している。各第２の開口１７０は、基板支持部１１の径方向Ａに延設する細長の長孔であり、下側バッフルプレート１５２の上面から下面まで上下方向Ｚに貫通している。第２の開口１７０は、第１の開口１３０と同じ数、同じ間隔になるように、基板支持部１１の外周の周方向Ｒに全周にわたり等間隔に設けられている。一実施形態において、第２の開口１７０は、周方向に１°乃至５°間隔で設けられている。各第２の開口１７０は、それぞれ対応する第１の開口１３０に通じている。

図３は、一実施形態における上側バッフルプレート１２０及び下側バッフルプレート１５２を周方向Ｒに沿って切断したときの第１の開口１３０と第２の開口１７０の幅の例を示す縦断面図である。一実施形態において、第１の開口１３０は、第１の開口１３０の周方向（第１の開口１３０の短手方向）Ｒにおいて、第１の開口１３０の入口から出口まで一定となる第１の幅Ｄ１を有している。

一実施形態において、第２の開口１７０は、第２の開口１７０の上流側に位置する上側開口部分２００と、第２の開口１７０の下流側に位置する下側開口部分２０１を有している。上側開口部分２００は、第２の開口１７０の周方向Ｒ（第２の開口１７０の短手方向）において、上側開口部分２００の入口から出口まで一定となる第２の幅Ｄ２を有している。第２の幅Ｄ２は、第１の幅Ｄ１よりも大きい。

下側開口部分２０１は、第２の開口１７０の周方向Ｒにおいて、下側開口部分２０１の入口から出口まで一定となる第３の幅Ｄ３を有している。第３の幅Ｄ３は、第１の幅Ｄ１及び第２の幅Ｄ２よりも小さい。

一実施形態において、第１の幅Ｄ１と第２の幅Ｄ２の比は、１：１０乃至９：１０である。

一実施形態において、第３の幅Ｄ３と第１の幅Ｄ１の比は、１：１０乃至９：１０である。

下側開口部分２０１の長さＫ２は、上側開口部分２００の長さＫ１と同じであるか又はそれよりも小さい。一実施形態において、上側開口部分２００の長さＫ１と下側開口部分２０１の長さＫ２の比は、１：１乃至１０：１である。

図４は、一実施形態における上側バッフルプレート１２０及び下側バッフルプレート１５２を径方向Ａに沿って切断したときの第１の開口１３０と第２の開口１７０の長さの例を示す縦断面図である。一実施形態において、第１の開口１３０は、第１の開口１３０の径方向（第１の開口１３０の長手方向）Ａにおいて、第１の開口１３０の入口から出口まで一定となる第１の長さＬ１を有している。

一実施形態において、第２の開口１７０の上側開口部分２００は、第２の開口１７０の径方向（第２の開口１７０の長手方向）Ａにおいて、第２の開口１７０の入口から出口まで一定となる第２の長さＬ２を有している。一実施形態において、第２の長さＬ２は、第１の長さＬ１よりも大きい。一実施形態において、第２の開口１７０の下側開口部分２０１は、第２の開口１７０の径方向Ａにおいて、第２の開口１７０の入口から出口まで一定となる第３の長さＬ３を有している。一実施形態において、第３の長さＬ３は、第１の長さＬ１及び第２の長さＬ２よりも小さい。

＜プラズマ処理方法の一例＞
本プラズマ処理方法は、プラズマを用いて基板Ｗ上の膜をエッチングするエッチング処理を含む。

先ず、基板Ｗが、搬送アームによりチャンバ１０内に搬入され、リフターにより基板支持部１１に載置され、図１に示すように基板支持部１１上に吸着保持される。

次に、処理ガスが、ガス供給部２０によりシャワーヘッド１３に供給され、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓに供給される。このとき供給される処理ガスは、基板Ｗのエッチング処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。

１又は複数のＲＦ信号がＲＦ電源３１から上部電極及び／又は下部電極に供給される。プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気はガス排出口１０ｅから排気され、プラズマ処理空間１０ｓの内部は減圧されてもよい。これにより、プラズマ処理空間１０ｓにプラズマが生成され、基板Ｗがエッチング処理される。

エッチング処理時におけるプラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気は、排気システム４０により排気される。プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気は、基板支持部１１の外周にある第１の開口１３０に流入し、第２の開口１７０を通過し、排気通路１６０を通ってガス排出口１０ｅから排出される。

本例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置１が、チャンバ１０内において基板支持部１１を囲むように配置されるバッフル構造体を有する。バッフル構造体は、上側バッフルプレート１２０及び下側バッフルプレート１５２を有している。上側バッフルプレート１２０は、複数の第１の開口１３０を有している。複数の第１の開口１３０の各々は、第１の幅Ｄ１を有している。下側バッフルプレート１５２は、導電性を有し、接地電位に接続されている。また、下側バッフルプレート１５２は、複数の第１の開口１３０とそれぞれ連通する複数の第２の開口１７０を有している。複数の第２の開口１７０の各々は、上側開口部分２００及び下側開口部分２０１を有している。上側開口部分２００は、第１の幅Ｄ１よりも大きい第２の幅Ｄ２を有している。下側開口部分２０１は、第１の幅Ｄ１よりも小さい第３の幅Ｄ３を有している。従来のプラズマ処理装置は、プラズマ処理の間にプラズマによりバッフルプレートのような排気部が削れたり、排気部にデポが生じたりして、これらによってプラズマ処理装置の排気機能が変動する。プラズマ処理装置の排気機能が変動すると、基板のプラズマ処理にも影響する。本例示的実施形態によれば、図３に示すように、第２の開口１７０が、第１の幅Ｄ１よりも大きい第２の幅Ｄ２を有する上側開口部分２００と、第１の幅Ｄ１よりも小さい第３の幅Ｄ３を有する下側開口部分２０１を有することで、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気の排気性を確保しつつ、プラズマ処理空間１０ｓの排気を律速することができる。これにより、プラズマ処理装置１における排気機能の経時的な変動を抑えることができる。加えて、導電性を有する下側バッフルプレート１５２が接地電位に接続されているので、基板支持部１１に供給されたＲＦ電力が下側バッフルプレート１５２を介してグランドに流れるＲＦリターン回路を形成することができる。

本例示的実施形態において、第１の開口１３０は、第１の開口１３０の入口から出口まで第１の幅Ｄ１を有しているので、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気の排気性を適切に確保することができる。

本例示的実施形態において、第２の開口１７０の上側開口部分２００は、上側開口部分２００の入口から出口まで第２の幅Ｄ２を有する。これにより、上側開口部分２００に十分な空間が確保され、下側開口部分２０１において第２の幅Ｄ２よりも狭い流路となるため、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気の排気を律速することができる。

本例示的実施形態において、上側バッフルプレート１２０は、石英、Ｓｉ又はＳｉＣで形成された材料を含む。これにより、上側バッフルプレート１２０のプラズマ耐性が向上し、チャンバ１０内におけるパーティクルの発生を低減することができる。

本例示的実施形態において、下側バッフルプレート１５２は導電性材料を含む。これにより、より確実にＲＦリターン回路を確保することができる。

本例示的実施形態において、下側バッフルプレート１５２は導電性材料とこの導電性材料の表面を覆う耐プラズマコーティングを含む。これにより、下側バッフルプレート１５２のプラズマ耐性が向上し、長期間にわたり、ププラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気の排気性を確保しつつ、プラズマ処理空間１０ｓの排気を律速することができる。

本例示的実施形態において、下側バッフルプレート１５２の導電性材料はアルミニウム（Ａｌ）で形成されるので、ＲＦリターン回路を好適に確保することができる。

＜プラズマ処理装置１の例示的実施形態２＞
一実施形態において、プラズマ処理装置１は、例示的実施形態１のライナ構造体に代えて、ライナ構造体２４０を備える。ライナ構造体２４０は、プラズマ処理空間１０ｓ内のガスを側方から排気するように構成されている。図５は、バッフル構造体とライナ構造体２４０とを含むプラズマ閉じ込め構造体１００を有するプラズマ処理装置１の構成例を示す図である。

一実施形態において、ライナ構造体２４０は、チャンバ１０内において基板支持部１１の上方のプラズマ処理空間１０ｓを囲むように配置されている。ライナ構造体２４０は、内側円筒状ライナ２５０と外側円筒状ライナ２７０とを含む。一実施形態において、内側円筒状ライナ２５０は、円筒形状を有している。内側円筒状ライナ２５０は、基板支持部１１や上側バッフルプレート１２０と同心円状に配置されている。内側円筒状ライナ２５０は、上側バッフルプレート１２０の外側端部上に配置されている。内側円筒状ライナ２５０は、プラズマ処理空間１０ｓの水平方向の側方に位置し、プラズマ処理空間１０ｓに露出している。一実施形態において、内側円筒状ライナ２５０は、上側バッフルプレート１２０と同様に、絶縁材料を含み、絶縁性を有している。一実施形態において、内側円筒状ライナ２５０は、石英、Ｓｉ又はＳｉＣで形成された材料を含む。なお、内側円筒状ライナ２５０は、導電性材料を含み、導電性を有するものであってよい。図５の例では、内側円筒状ライナ２５０は、上側バッフルプレート１２０とは別部材である。この場合、内側円筒状ライナ２５０は、上側バッフルプレート１２０と接触していてもよく、離れていてもよい。なお、内側円筒状ライナ２５０は、上側バッフルプレート１２０と一体化されてもよい。また、図５の例では、外側円筒状ライナ２７０は、下側バッフルプレート１５２と一体化されているが、下側バッフルプレート１５２とは別部材であってもよい。この場合、外側円筒状ライナ２７０は、下側バッフルプレート１５２と接触していてもよく、離れていてもよい。

内側円筒状ライナ２５０は、複数の第３の開口２６０を有している。一実施形態において、各第３の開口２６０は、上下方向Ｚに延設する細長の長孔であり、内側円筒状ライナ２５０の内面から外面まで径方向Ａに貫通している。第３の開口２６０は、基板支持部１１の外周の周方向Ｒに全周にわたり等間隔に設けられている。第３の開口２６０は、周方向に１°乃至５°間隔で設けられていてよい。

一実施形態において、外側円筒状ライナ２７０は、円筒形状を有している。外側円筒状ライナ２７０は、基板支持部１１や下側バッフルプレート１５２と同心円状に配置されている。外側円筒状ライナ２７０は、下側バッフルプレート１５２の外側端部上に配置されている。外側円筒状ライナ２７０は、内側円筒状ライナ２５０の外側に径方向Ａに重ねて配置されている。外側円筒状ライナ２７０は、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料を含み、導電性を有している。外側円筒状ライナ２７０は、表面に部分的あるいは全体的に耐プラズマコーティングを有している。

外側円筒状ライナ２７０は、複数の第４の開口２８０を有している。一実施形態において、各第４の開口２８０は、上下方向Ｚに延設する細長の長孔であり、外側円筒状ライナ２７０の内面から外面まで径方向Ａに貫通している。第４の開口２８０は、第３の開口２６０と同じ数、同じ間隔になるように基板支持部１１の外周の周方向Ｒに全周にわたり等間隔に設けられている。第４の開口２８０は、周方向に１°乃至５°間隔で設けられていてよい。各第４の開口２８０は、それぞれ対応する第３の開口２６０に通じている。第４の開口２８０の外側空間は、排気通路１６０に通じている。

図６は、一実施形態における内側円筒状ライナ２５０及び外側円筒状ライナ２７０を周方向Ｒに沿って切断したときの第３の開口２６０と第４の開口２８０の幅の例を示す横断面図である。一実施形態において、第３の開口２６０は、第３の開口２６０の周方向（第３の開口２６０の短手方向）Ｒにおいて、第３の開口２６０の入口から出口まで一定となる第４の幅Ｄ４を有している。

一実施形態において、第４の開口２８０は、第４の開口２８０の上流側に位置する内側開口部分２９０と、第４の開口２８０の下流側に位置する外側開口部分２９１を有している。内側開口部分２９０は、第４の開口２８０の周方向（第４の開口２８０の短手方向）Ｒにおいて、内側開口部分２９０の入口から出口まで一定となる第５の幅Ｄ５を有している。第５の幅Ｄ５は、第４の幅Ｄ４よりも大きい。

外側開口部分２９１は、第４の開口２８０の周方向Ｒにおいて、外側開口部分２９１の入口から出口まで一定となる第６の幅Ｄ６を有している。第６の幅Ｄ６は、第４の幅Ｄ４及び第５の幅Ｄ５よりも小さい。

第４の幅Ｄ４と第５の幅Ｄ５の比は、１：１０乃至９：１０である。

第６の幅Ｄ６と第４の幅Ｄ４の比は、１：１０乃至９：１０である。

外側開口部分２９１の長さＫ４は、内側開口部分２９０の長さＫ３と同じであるか又はそれよりも小さい。一実施形態において、内側開口部分２９０の長さＫ３と外側開口部分２９１の長さＫ４の比は、１：１乃至１０：１である。

図７は、一実施形態における内側円筒状ライナ２５０及び外側円筒状ライナ２７０を上下方向Ｚに沿って切断したときの第３の開口２６０と第４の開口２８０の長さの例を示す縦断面図である。第３の開口２６０は、第３の開口２６０の上下方向Ｚにおいて、第３の開口２６０の入口から出口まで一定となる第４の長さＬ４を有している。

第４の開口２８０の内側開口部分２９０は、第４の開口２８０の上下方向Ｚにおいて、第４の開口２８０の入口から出口まで一定となる第５の長さＬ５を有している。一実施形態において、第５の長さＬ５は、第４の長さＬ４よりも大きい。第４の開口２８０の外側開口部分２９１は、第４の開口２８０の上下方向Ｚにおいて、第４の開口２８０の入口から出口まで一定となる第６の長さＬ６を有している。一実施形態において、第６の長さＬ６は、第４の長さＬ４及び第５の長さＬ５よりも小さい。

第１の開口１３０の第１の幅Ｄ１と第３の開口２６０の第４の幅Ｄ４は、同じ寸法であってよいし、異なる寸法であってもよい。また第２の開口１７０の第２の幅Ｄ２と第４の開口２８０の第５の幅Ｄ５、第２の開口１７０の第３の幅Ｄ３と第４の開口２８０の第６の幅Ｄ６は、同じ寸法であってもよいし、異なる寸法であってもよい。その他の構成は、上記例示的実施形態１と同様であってよい。

エッチング処理時には、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気は、第１の開口１３０に流入し、第２の開口１７０を通過し、排気通路１６０を通ってガス排出口１０ｅから排出される。また、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気は、第３の開口２６０に流入し、第４の開口２８０を通過し、排気通路１６０を通ってガス排出口１０ｅから排出される。

本例示的実施形態によれば、プラズマ処理空間１０ｓの下側にある第２の開口１７０が、第１の幅Ｄ１よりも大きい第２の幅Ｄ２を有する上側開口部分２００と、第１の幅Ｄ１よりも小さい第３の幅Ｄ３を有する下側開口部分２０１を有する。また、プラズマ処理空間１０ｓの側方にある第４の開口２８０が、第４の幅Ｄ４よりも大きい第５の幅Ｄ５を有する内側開口部分２９０と、第４の幅Ｄ４よりも小さい第６の幅Ｄ６を有する外側開口部分２９１を有する。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気の排気性を確保しつつ、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気の排気を律速することができる。よって、プラズマ処理装置１における排気機能の経時的な変動を抑えることができる。

＜プラズマ処理装置１の例示的実施形態３＞
一実施形態において、プラズマ処理装置１は、例示的実施形態２のバッフル構造体に代えて、無孔のバッフル構造体を備えてもよい。従って、プラズマ処理装置１は、第３の開口２６０及び第４の開口２８０を有するライナ構造体２４０と、無孔のバッフル構造体とを備える。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気は側方のみから排気される。図８は、本例示的実施形態におけるプラズマ処理装置１の構成例を示す図である。本例示的実施形態では、内側円筒状ライナ２５０には第３の開口２６０があり、外側円筒状ライナ２７０には第４の開口２８０がある。一方、上側バッフルプレート１２０には第１の開口１３０がなく、下側バッフルプレート１５２には第２の開口１７０がない。その他の構成は、上記例示的実施形態２と同様である。

＜プラズマ処理装置１の例示的実施形態４＞
図９は、下側バッフルプレート１５２における第２の開口１７０の他の構成例を示す。一実施形態において、第２の開口１７０の周方向Ｒにおいて、第２の開口１７０の上側開口部分２００は、上側開口部分２００の入口に第２の幅Ｄ２を有し、上側開口部分２００の出口に第３の幅Ｄ３を有してよい。これにより、第２の開口１７０は、上側開口部分２００の入口から出口にかけて幅が狭くなる形状を有してよい。なお、第２の幅Ｄ２は、第１の幅Ｄ１よりも大きく、第３の幅Ｄ３は、第１の幅Ｄ１よりも小さい。かかる場合も、第２の開口１７０において、プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気の排気を律速することができる。

図１０は、外側円筒状ライナ２７０における第４の開口２８０の他の構成例を示す。一実施形態において、第４の開口２８０の周方向Ｒにおいて、第４の開口２８０の内側開口部分２９０は、内側開口部分２９０の入口に第５の幅Ｄ５を有し、内側開口部分２９０の出口に第６の幅Ｄ６を有してよい。これにより、第４の開口２８０は、内側開口部分２９０の入口から出口にかけて幅が狭くなる形状を有してよい。なお、第５の幅Ｄ５は、第４の幅Ｄ４よりも大きく、第６の幅Ｄ６は、第４の幅Ｄ４よりも小さい。かかる場合も、第４の開口２８０において、プラズマ処理空間１０ｓの雰囲気の排気を律速することができる。

本プラズマ処理装置は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、当業者の通常の創作能力の範囲内で、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。

本プラズマ処理装置は、容量結合型のプラズマ処理装置以外にも、誘導結合型プラズマやマイクロ波プラズマ等、任意のプラズマ源を用いたプラズマ処理装置であってもよい。

１……プラズマ処理装置、１０……チャンバ、１０ｓ……プラズマ処理空間、１１……基板支持部、１００……プラズマ閉じ込め構造体、１２０……上側バッフルプレート、１３０……第１の開口、１５２……下側バッフルプレート、１７０……第２の開口、２００……上側開口部分、２０１……下側開口部分、２４０……ライナ構造体、２５０……内側円筒状ライナ、２６０……第３の開口、２７０……外側円筒状ライナ、２８０……第４の開口、２９０……内側開口部分、２９１……外側開口部分、Ｄ１……第１の幅、Ｄ２……第２の幅、Ｄ３……第３の幅、Ｄ４……第４の幅、Ｄ５……第５の幅、Ｄ６……第６の幅、Ｗ…基板

Claims (16)

1. プラズマ処理チャンバと、
   前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、
   前記プラズマ処理チャンバ内において前記基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であり、前記バッフル構造体は、上側バッフルプレート及び下側バッフルプレートを含み、前記上側バッフルプレートは、複数の第１の開口を有し、前記複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有し、前記下側バッフルプレートは、導電性を有し、接地電位に結合され、前記下側バッフルプレートは、複数の第２の開口を有し、前記複数の第２の開口の各々は、上側開口部分及び下側開口部分を有し、前記上側開口部分は、前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、前記下側開口部分は、前記第１の幅よりも小さい第３の幅を有する、バッフル構造体と、
   前記プラズマ処理チャンバ内において前記基板支持部の上方のプラズマ処理空間を囲むように配置されるライナ構造体であり、前記ライナ構造体は、内側円筒状ライナ及び外側円筒状ライナを含み、前記内側円筒状ライナは、複数の第３の開口を有し、前記複数の第３の開口の各々は、第４の幅を有し、前記外側円筒状ライナは、導電性を有し、接地電位に結合され、前記外側円筒状ライナは、複数の第４の開口を有し、前記複数の第４の開口の各々は、内側開口部分及び外側開口部分を有し、前記内側開口部分は、前記第４の幅よりも大きい第５の幅を有し、前記外側開口部分は、前記第４の幅よりも小さい第６の幅を有する、ライナ構造体と、
   を備える、プラズマ処理装置。
2. 前記第１の開口は、前記第１の開口の入口から出口まで前記第１の幅を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記第３の開口は、前記第３の開口の入口から出口まで前記第４の幅を有する、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第２の開口の前記上側開口部分は、前記上側開口部分の入口から出口まで前記第２の幅を有する、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記第２の開口の前記上側開口部分は、前記上側開口部分の入口に前記第２の幅を有し、前記上側開口部分の出口に前記第３の幅を有し、前記上側開口部分の前記入口から前記出口にかけて幅が狭くなる形状を有する、
   請求項３に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記第４の開口の前記内側開口部分は、前記内側開口部分の入口から出口まで前記第５の幅を有する、
   請求項１に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第４の開口の前記内側開口部分は、前記内側開口部分の入口に前記第５の幅を有し、前記内側開口部分の出口に前記第６の幅を有し、前記内側開口部分の前記入口から前記出口にかけて幅が狭くなる形状を有する、
   請求項１に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記内側円筒状ライナ及び前記上側バッフルプレートは、導電性材料又は絶縁材料を含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記内側円筒状ライナ及び前記上側バッフルプレートは、石英、Ｓｉ又はＳｉＣで形成された材料を含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記外側円筒状ライナ及び前記下側バッフルプレートは、導電性材料を含む、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記外側円筒状ライナ及び前記下側バッフルプレートは、導電性材料と前記導電性材料上の耐プラズマコーティングとを含む、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記外側円筒状ライナ及び前記下側バッフルプレートの前記導電性材料は、アルミニウムで形成される、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記第１の幅と前記第２の幅の比は、１：１０乃至９：１０であり、
    前記第３の幅と前記第１の幅の比は、１：１０乃至９：１０である、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記第４の幅と前記第５の幅の比は、１：１０乃至９：１０であり、
    前記第６の幅と前記第４の幅の比は、１：１０乃至９：１０である、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
15. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、
    前記プラズマ処理チャンバ内において前記基板支持部の上方のプラズマ処理空間を囲むように配置されるライナ構造体であり、前記ライナ構造体は、内側ライナ及び外側ライナを含み、前記内側ライナは、複数の第１の開口を有し、前記複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有し、前記外側ライナは、導電性を有し、接地電位に結合され、前記外側ライナは、複数の第２の開口を有し、前記複数の第２の開口の各々は、内側開口部分及び外側開口部分を有し、前記内側開口部分は、前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、前記外側開口部分は、前記第１の幅よりも小さい第３の幅を有する、ライナ構造体と、
    を備える、プラズマ処理装置。
16. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、
    前記プラズマ処理チャンバ内において前記基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であり、前記バッフル構造体は、上側バッフル及び下側バッフルを含み、前記上側バッフルは、複数の第１の開口を有し、前記複数の第１の開口の各々は、第１の幅を有し、前記下側バッフルは、導電性を有し、接地電位に結合され、前記下側バッフルは、複数の第２の開口を有し、前記複数の第２の開口の各々は、上側開口部分及び下側開口部分を有し、前記上側開口部分は、前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有し、前記下側開口部分は、前記第１の幅よりも小さい第３の幅を有する、バッフル構造体と、
    を備える、プラズマ処理装置。

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