JP2024014054A - Control parameter adjusting method, program and recording medium - Google Patents

Control parameter adjusting method, program and recording medium Download PDF

Info

Publication number
JP2024014054A
JP2024014054A JP2022116612A JP2022116612A JP2024014054A JP 2024014054 A JP2024014054 A JP 2024014054A JP 2022116612 A JP2022116612 A JP 2022116612A JP 2022116612 A JP2022116612 A JP 2022116612A JP 2024014054 A JP2024014054 A JP 2024014054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control parameter
nozzle
substrate
pressure waveform
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022116612A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7492993B2 (en
Inventor
裕滋 安陪
Hiroshige Abe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2022116612A priority Critical patent/JP7492993B2/en
Priority to KR1020230074106A priority patent/KR20240013041A/en
Priority to CN202310910366.1A priority patent/CN117427803A/en
Publication of JP2024014054A publication Critical patent/JP2024014054A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7492993B2 publication Critical patent/JP7492993B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/085Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to flow or pressure of liquid or other fluent material to be discharged
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique that can properly adjust a discharging control parameter in accordance with an environment in which processing liquid is actually discharged to substrates, while suppressing substrates from being used.
SOLUTION: In a first adjusting step S1, a discharging control parameter is adjusted on the basis of a first pressure waveform at the time when simulated application is performed. In a third adjusting step S3, it is determined whether the discharging control parameter should be readjusted, on the basis of a second pressure waveform at the time when actual application is performed in accordance with the discharging control parameter adjusted in the first adjusting step S1, and when it is determined that the parameter should be readjusted, the discharging control parameter is readjusted on the basis of a third pressure waveform at the time when the simulated application is performed. In a fourth adjusting step S4, it is determined whether the discharging control parameter should be readjusted, on the basis of a fourth pressure waveform at the time when actual application is performed in accordance with the discharging control parameter readjusted in the third adjusting step S3, and when it is determined that the parameter should be readjusted, the discharging control parameter is readjusted on the basis of a fifth pressure waveform at the time when the actual application is performed.
SELECTED DRAWING: Figure 5
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本明細書で開示される主題は、制御パラメータ調整方法、プログラムおよび記録媒体に関する。 The subject matter disclosed herein relates to a control parameter adjustment method, a program, and a recording medium.

フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造工程では、コータと呼ばれる基板処理装置が用いられる場合がある。コータは、ガラスなどの基板に対して、ノズルからレジスト液などの処理液を吐出させながら、基板に対してノズルを走査させる。コータは、レジスト液等の処理液に圧力を付与することによって、ノズルから処理液を吐出する。また、移動機構がノズルに対して基板を相対的に移動させることによって、基板の表面に処理液の塗布膜が形成される。 In the manufacturing process of flat panel displays (FPD), a substrate processing device called a coater is sometimes used. The coater causes the nozzle to scan the substrate while discharging a processing liquid such as a resist liquid from the nozzle onto the substrate such as glass. The coater applies pressure to a processing liquid such as a resist liquid, thereby ejecting the processing liquid from a nozzle. Further, by the moving mechanism moving the substrate relative to the nozzle, a coating film of the processing liquid is formed on the surface of the substrate.

この種の基板処理装置においては、基板全体に亘って、塗布膜の膜厚を均一にすることが求められる場合がある。膜厚を均一にするために、吐出制御パラメータの調整が適宜行われる。この調整作業では、例えば、技術者が、目視で吐出圧力の波形を確認しつつ、複数の吐出制御パラメータの調整を行う。このため、調整作業は、技術者の知識や経験に依存するところが大きい。したがって、吐出制御パラメータの調整は、技術者の多大な時間と労力を要する。また、処理液や基板を大量に消費してしまうおそれがある。そのため、制御パラメータを効率的に調整する技術がこれまでにも提案されている。 In this type of substrate processing apparatus, there are cases where it is required to make the thickness of the coating film uniform over the entire substrate. In order to make the film thickness uniform, discharge control parameters are adjusted as appropriate. In this adjustment work, for example, an engineer adjusts a plurality of discharge control parameters while visually checking the waveform of the discharge pressure. Therefore, the adjustment work largely depends on the knowledge and experience of the engineer. Therefore, adjusting the discharge control parameters requires a great deal of time and effort by engineers. Furthermore, there is a risk that a large amount of processing liquid and substrates will be consumed. Therefore, techniques for efficiently adjusting control parameters have been proposed.

例えば特許文献1には、基板以外に処理液を吐出する疑似吐出工程と、疑似吐出工程における処理液の吐出特性を計測する吐出特性計測工程と、計測された吐出特性の目標特性からのずれの状態量を導出する状態量導出工程と、パラメータの変更に伴う状態量の変化を機械学習して学習モデルを構築する学習工程とを有する基板処理方法について記載されている。この基板処理方法では、状態量が所定の許容範囲を超えている間、学習モデルに基づいてパラメータを変更した上で、疑似吐出工程、吐出特性計測工程、状態量導出工程および学習工程を繰り返して実行する一方、状態量が許容範囲に入ると、最後に変更されたパラメータを処理液供給工程で処理液を吐出する際のパラメータとして設定する。 For example, Patent Document 1 describes a pseudo-discharging process for discharging a processing liquid onto a surface other than a substrate, a discharging characteristic measurement process for measuring the discharging characteristics of the processing liquid in the pseudo-discharging process, and a process for measuring the deviation of the measured discharging characteristics from the target characteristics. A substrate processing method is described that includes a state quantity derivation step of deriving a state quantity, and a learning step of constructing a learning model by performing machine learning on changes in the state quantity due to parameter changes. In this substrate processing method, while the state quantity exceeds a predetermined tolerance range, the parameters are changed based on the learning model, and then the pseudo ejection process, the ejection characteristic measurement process, the state quantity derivation process, and the learning process are repeated. During execution, when the state quantity falls within the allowable range, the last changed parameter is set as the parameter when discharging the processing liquid in the processing liquid supply step.

特開2020-040046号公報Japanese Patent Application Publication No. 2020-040046

特許文献1では、吐出制御パラメータを疑似吐出に基づいて調整するため、基板の消費を抑えることが可能である。しかしながら、疑似吐出は、実際に基板に処理液を吐出する場合とはノズル周りの環境等の種々の条件が異なる。このため、疑似吐出によって調整された吐出制御パラメータを使用した場合、実際に基板に処理液を塗布する際に理想的な圧力波形を再現することが困難な場合があった。 In Patent Document 1, since the ejection control parameters are adjusted based on pseudo ejection, it is possible to suppress the consumption of the substrate. However, pseudo-discharging differs from actual discharging of a processing liquid onto a substrate in various conditions such as the environment around the nozzle. For this reason, when using ejection control parameters adjusted by simulated ejection, it may be difficult to reproduce an ideal pressure waveform when actually applying a processing liquid to a substrate.

本発明の目的は、基板の消費を抑えつつ、実際に基板に処理液を吐出する環境に合わせて吐出制御パラメータを適切に調整することができる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique that can appropriately adjust ejection control parameters in accordance with the environment in which processing liquid is actually ejected onto a substrate while suppressing consumption of the substrate.

上記課題を解決するため、第1態様は、ノズルからの処理液の吐出を制御するための吐出制御パラメータを調整する制御パラメータ調整方法であって、a)ノズルから基板以外の箇所に処理液を吐出する疑似塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第1圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを調整する工程と、b)前記工程a)によって調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記ノズルから基板に処理液を吐出する実塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第2圧力波形を取得する工程と、c)前記第2圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、d)前記工程c)によって再調整すると判定された場合、前記疑似塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第3圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程と、e)前記工程d)によって再調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第4圧力波形を取得する工程と、f)前記第4圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、g)前記工程f)によって再調整すると判定された場合、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第5圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程とを含む。 In order to solve the above problems, a first aspect is a control parameter adjustment method for adjusting a discharge control parameter for controlling discharge of a treatment liquid from a nozzle, the method comprising: a) discharging a treatment liquid from a nozzle to a location other than a substrate; a step of adjusting the ejection control parameter based on a first pressure waveform indicating a pressure change in the nozzle when performing a pseudo application of ejection; and b) the ejection control parameter adjusted in the step a). c) obtaining a second pressure waveform indicating a pressure change within the nozzle when actual coating is performed in which a treatment liquid is discharged onto the substrate from the nozzle; c) based on the second pressure waveform; a step of determining whether or not to readjust the discharge control parameter; and d) if it is determined to readjust the discharge control parameter in step c), a third pressure indicating a pressure change in the nozzle when the pseudo coating is performed. a step of readjusting the discharge control parameter based on the waveform; and e) showing a pressure change in the nozzle when the actual application is performed according to the discharge control parameter readjusted in step d). f) determining whether to readjust the discharge control parameter based on the fourth pressure waveform; and g) determining whether to readjust the discharge control parameter in step f). In this case, the method further includes the step of readjusting the ejection control parameter based on a fifth pressure waveform indicating a change in the pressure inside the nozzle when the actual application is performed.

第2態様は、第1態様の制御パラメータ調整方法であって、h)前記ノズルに対する前記基板の相対的な移動を制御するための移動制御パラメータを調整する工程、をさらに含み、前記実塗布は、前記工程h)によって調整された移動制御パラメータにしたがって前記基板を前記ノズルに対して相対的に移動させつつ、前記ノズルから前記基板に処理液を吐出する。 A second aspect is the control parameter adjustment method of the first aspect, further comprising: h) adjusting a movement control parameter for controlling relative movement of the substrate with respect to the nozzle, and the actual application is , the processing liquid is discharged from the nozzle onto the substrate while moving the substrate relative to the nozzle according to the movement control parameters adjusted in step h).

第3態様は、第1態様または第2態様の制御パラメータ調整方法であって、前記工程h)は、前記ノズルに対する前記基板の相対速度の変化を示す速度波形に基づいて、前記移動制御パラメータが調整される。 A third aspect is the control parameter adjustment method according to the first aspect or the second aspect, wherein in the step h), the movement control parameter is adjusted based on a speed waveform indicating a change in relative speed of the substrate with respect to the nozzle. be adjusted.

第4態様は、コンピュータが実行可能なプログラムであって、前記コンピュータに第1態様または第2態様の制御パラメータ調整方法を実行させる。 A fourth aspect is a computer-executable program that causes the computer to execute the control parameter adjustment method of the first aspect or the second aspect.

第5態様は、コンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、第4態様のプログラムが記録されている。 A fifth aspect is a computer-readable recording medium, on which the program of the fourth aspect is recorded.

第1態様から第4態様の制御パラメータ調整方法によれば、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて吐出制御パラメータを調整および再調整することにより、基板の消費を抑えることができる。また、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて調整された吐出制御パラメータを、実塗布で得られる第5圧力波形に基づいて再調整することによって、実塗布に合うように吐出制御パラメータを調整できる。 According to the control parameter adjustment methods of the first to fourth aspects, consumption of the substrate can be suppressed by adjusting and readjusting the ejection control parameters based on the pressure waveform obtained by pseudo coating. In addition, by readjusting the discharge control parameters that were adjusted based on the pressure waveform obtained in the simulated coating based on the fifth pressure waveform obtained in the actual coating, the discharge control parameters can be adjusted to match the actual coating. .

第2態様の制御パラメータ調整方法によれば、移動制御パラメータを調整することによって、基板に対する塗布を適切に行うことができる。 According to the control parameter adjustment method of the second aspect, by adjusting the movement control parameters, it is possible to appropriately perform coating on the substrate.

第3態様の制御パラメータ調整方法によれば、速度波形に基づき、移動制御パラメータを適切に調整できる。 According to the control parameter adjustment method of the third aspect, the movement control parameter can be appropriately adjusted based on the speed waveform.

実施形態に係る塗布装置の全体構成を模式的に示す図である。1 is a diagram schematically showing the overall configuration of a coating device according to an embodiment. 処理液供給機構の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply mechanism. 図2に示されるポンプの作動ディスク部の移動パターンを示すグラフである。3 is a graph showing a movement pattern of an actuating disk portion of the pump shown in FIG. 2; 制御ユニットの構成例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a control unit. 制御ユニットが制御パラメータを調整する流れを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a flow in which a control unit adjusts control parameters. 図5に示される第1調整工程の詳細を示すフローチャートである。6 is a flowchart showing details of the first adjustment step shown in FIG. 5. FIG. 図5に示される第2調整工程の詳細を示すフローチャートである。6 is a flowchart showing details of the second adjustment step shown in FIG. 5. FIG. 図5に示される第3調整工程の詳細を示すフローチャートである。6 is a flowchart showing details of the third adjustment step shown in FIG. 5. FIG. 第2理想波形の設定例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of setting a second ideal waveform. 図5に示される第4調整工程の詳細を示すフローチャートである。6 is a flowchart showing details of the fourth adjustment step shown in FIG. 5. FIG.

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Note that the components described in this embodiment are merely examples, and the scope of the present invention is not intended to be limited thereto. In the drawings, dimensions and numbers of parts may be exaggerated or simplified as necessary to facilitate understanding.

<1. 実施形態>
図1は、実施形態に係る塗布装置1の全体構成を模式的に示す図である。塗布装置1は、基板Sの上面Sfに処理液を塗布する基板処理装置である。基板Sは、例えば、液晶表示装置用のガラス基板である。なお、基板Sは、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、磁気・光ディスク用のガラス又はセラミック基板、有機EL用ガラス基板、太陽電池用ガラス基板又はシリコン基板、その他フレキシブル基板およびプリント基板などの電子機器向けの各種被処理基板であってもよい。塗布装置1は、例えばスリットコータである。
<1. Embodiment>
FIG. 1 is a diagram schematically showing the overall configuration of a coating device 1 according to an embodiment. The coating apparatus 1 is a substrate processing apparatus that applies a processing liquid to the upper surface Sf of the substrate S. The substrate S is, for example, a glass substrate for a liquid crystal display device. Note that the substrate S is a semiconductor wafer, a glass substrate for photomasks, a glass substrate for plasma displays, a glass or ceramic substrate for magnetic/optical disks, a glass substrate for organic EL, a glass substrate or silicon substrate for solar cells, other flexible substrates, and Various substrates to be processed for electronic devices such as printed circuit boards may be used. The coating device 1 is, for example, a slit coater.

図1においては、塗布装置1の各要素の配置関係を説明するため、XYZ座標系を定義している。基板Sの移動方向は、「X方向」である。X方向において基板Sが進行する方向(移動方向の下流へ向かう方)が+X方向、その逆方向(移動方向の上流へ向かう方)が-X方向である。また、X方向に直交する方向はY方向であり、X方向及びY方向に直交する方向はZ方向である。以下の説明では、Z方向を鉛直方向とし、X方向およびY方向を水平方向とする。Z方向において、+Z方向を上方向、-Z方向を下方向とする。 In FIG. 1, an XYZ coordinate system is defined in order to explain the arrangement relationship of each element of the coating device 1. The moving direction of the substrate S is the "X direction". In the X direction, the direction in which the substrate S moves (downstream in the moving direction) is the +X direction, and the opposite direction (upstream in the moving direction) is the -X direction. Further, the direction perpendicular to the X direction is the Y direction, and the direction perpendicular to the X and Y directions is the Z direction. In the following description, the Z direction is assumed to be a vertical direction, and the X and Y directions are assumed to be horizontal directions. In the Z direction, the +Z direction is defined as an upward direction, and the -Z direction is defined as a downward direction.

塗布装置1は、+X方向に向かって順に、入力コンベヤ100と、入力移載部2と、浮上ステージ部3と、出力移載部4と、出力コンベヤ110とを備えている。入力コンベヤ100と、入力移載部2と、浮上ステージ部3と、出力移載部4と、出力コンベヤ110とは、基板Sが通過する移動経路を構成する。また、塗布装置1は、移動機構5と、塗布機構7と、処理液供給機構8と、制御ユニット9とをさらに備える。 The coating device 1 includes an input conveyor 100, an input transfer section 2, a floating stage section 3, an output transfer section 4, and an output conveyor 110 in this order toward the +X direction. The input conveyor 100, the input transfer section 2, the floating stage section 3, the output transfer section 4, and the output conveyor 110 constitute a movement path along which the substrate S passes. The coating device 1 further includes a moving mechanism 5, a coating mechanism 7, a treatment liquid supply mechanism 8, and a control unit 9.

基板Sは、上流側から入力コンベヤ100に搬送される。入力コンベヤ100は、コロコンベヤ101と、回転駆動機構102とを備えている。回転駆動機構102は、コロコンベヤ101の各コロを回転させる。コロコンベヤ101の各コロの回転によって、基板Sは、水平姿勢で下流(+X方向)に搬送される。「水平姿勢」とは、基板Sの主面(面積が最大の面)が水平面(XY平面)に対して平行な状態をいう。 The substrate S is conveyed to the input conveyor 100 from the upstream side. The input conveyor 100 includes a roller conveyor 101 and a rotational drive mechanism 102. The rotation drive mechanism 102 rotates each roller of the roller conveyor 101. By the rotation of each roller of the roller conveyor 101, the substrate S is conveyed downstream (in the +X direction) in a horizontal position. The "horizontal attitude" refers to a state in which the main surface (the surface with the largest area) of the substrate S is parallel to the horizontal plane (XY plane).

入力移載部2は、コロコンベヤ21と回転・昇降駆動機構22とを備えている。回転・昇降駆動機構22は、コロコンベヤ21の各コロを回転させるとともに、コロコンベヤ21を昇降させる。コロコンベヤ21の回転によって、基板Sは、水平姿勢で下流(+X方向)に搬送される。また、コロコンベヤ21の昇降により、基板SのZ方向における位置が変更される。基板Sは、入力コンベヤ100から入力移載部2を介して浮上ステージ部3へ移載される。 The input transfer section 2 includes a roller conveyor 21 and a rotation/elevating drive mechanism 22. The rotation/elevating drive mechanism 22 rotates each roller of the roller conveyor 21 and raises and lowers the roller conveyor 21. By the rotation of the roller conveyor 21, the substrate S is transported downstream (in the +X direction) in a horizontal position. In addition, the position of the substrate S in the Z direction is changed by raising and lowering the roller conveyor 21. The substrate S is transferred from the input conveyor 100 to the floating stage section 3 via the input transfer section 2.

図1に示されるように、浮上ステージ部3は、略平板状である。浮上ステージ部3は、X方向に沿って3分割されている。浮上ステージ部3は、+X方向に向かって順に、入口浮上ステージ31と、塗布ステージ32と、出口浮上ステージ33とを備えている。入口浮上ステージ31の上面、塗布ステージ32の上面、および出口浮上ステージ33の上面は、同一平面上にある。浮上ステージ部3は、リフトピン駆動機構34と、浮上制御機構35と、昇降駆動機構36とをさらに備えている。入口浮上ステージ31には、複数のリフトピンが配置されている。リフトピン駆動機構34は、複数のリフトピンを昇降させる。浮上制御機構35は、基板Sを浮上させるための圧縮空気を、入口浮上ステージ31、塗布ステージ32、および出口浮上ステージ33に供給する。昇降駆動機構36は、出口浮上ステージ33を昇降させる。 As shown in FIG. 1, the floating stage section 3 has a substantially flat plate shape. The floating stage section 3 is divided into three parts along the X direction. The floating stage section 3 includes an entrance floating stage 31, a coating stage 32, and an exit floating stage 33 in this order toward the +X direction. The upper surface of the entrance floating stage 31, the upper surface of the coating stage 32, and the upper surface of the exit floating stage 33 are on the same plane. The levitation stage section 3 further includes a lift pin drive mechanism 34, a levitation control mechanism 35, and an elevation drive mechanism 36. A plurality of lift pins are arranged on the entrance floating stage 31. The lift pin drive mechanism 34 raises and lowers a plurality of lift pins. The levitation control mechanism 35 supplies compressed air for levitating the substrate S to the entrance levitation stage 31, coating stage 32, and exit levitation stage 33. The elevating drive mechanism 36 moves the exit floating stage 33 up and down.

入口浮上ステージ31の上面、および、出口浮上ステージ33の上面には、浮上制御機構35から供給される圧縮空気を噴出する多数の噴出穴がマトリクス状に配置されている。各噴出穴から圧縮空気が噴出すると、基板Sが浮上ステージ部3に対して上方に浮上する。すると、基板Sの下面Sbが浮上ステージ部3の上面から離間しつつ、水平姿勢で支持される。基板Sが浮上した状態における、基板Sの下面Sbと浮上ステージ部3の上面との間の距離(浮上量)は、好ましくは10μm以上である。当該距離は、好ましくは500μm以下である。 On the upper surface of the entrance flotation stage 31 and the upper surface of the exit flotation stage 33, a large number of ejection holes for ejecting compressed air supplied from the flotation control mechanism 35 are arranged in a matrix. When compressed air is ejected from each ejection hole, the substrate S floats upward relative to the floating stage section 3. Then, the lower surface Sb of the substrate S is separated from the upper surface of the floating stage section 3 and is supported in a horizontal position. The distance (flying height) between the lower surface Sb of the substrate S and the upper surface of the floating stage section 3 when the substrate S is in a floating state is preferably 10 μm or more. The distance is preferably 500 μm or less.

塗布ステージ32の上面には、浮上制御機構35から供給される圧縮空気を噴出する噴出穴と、気体を吸引する吸引穴とが、X方向およびY方向において、交互に配置されている。浮上制御機構35は、噴出穴からの圧縮空気の噴出量と、吸引穴からの空気の吸引量とを制御する。これにより、塗布ステージ32の上方を通過する基板Sの上面SfのZ方向における位置が規定値となるように、塗布ステージ32に対する基板Sの浮上量が精密に制御される。なお、塗布ステージ32に対する基板Sの浮上量は、後述するセンサ61またはセンサ62の検出結果に基づいて、制御ユニット9により算出される。また、塗布ステージ32に対する基板Sの浮上量は、好ましくは、気流制御によって高精度に調整可能とされる。 On the upper surface of the coating stage 32, jet holes that jet compressed air supplied from the levitation control mechanism 35 and suction holes that suck gas are arranged alternately in the X direction and the Y direction. The levitation control mechanism 35 controls the amount of compressed air ejected from the ejection hole and the amount of air sucked from the suction hole. Thereby, the flying height of the substrate S with respect to the coating stage 32 is precisely controlled so that the position in the Z direction of the upper surface Sf of the substrate S passing above the coating stage 32 becomes a specified value. Note that the flying height of the substrate S with respect to the coating stage 32 is calculated by the control unit 9 based on the detection result of a sensor 61 or a sensor 62, which will be described later. Further, the flying height of the substrate S relative to the coating stage 32 can preferably be adjusted with high precision by airflow control.

浮上ステージ部3に搬入された基板Sは、コロコンベヤ21から+X方向への推進力が付与され、入口浮上ステージ31上に搬送される。入口浮上ステージ31、塗布ステージ32および出口浮上ステージ33は、基板Sを浮上状態で支持する。浮上ステージ部3として、例えば、特許第5346643号に記載された構成が採用されてもよい。 The substrate S carried into the floating stage section 3 is given a driving force in the +X direction from the roller conveyor 21, and is transported onto the entrance floating stage 31. The entrance floating stage 31, the coating stage 32, and the exit floating stage 33 support the substrate S in a floating state. As the floating stage section 3, for example, the configuration described in Japanese Patent No. 5346643 may be adopted.

移動機構5は、浮上ステージ部3の下方に配置されている。移動機構5は、チャック機構51と、吸着・走行機構52とを備える。チャック機構51は、吸着部材に設けられた吸着パッド(図示省略)を備えている。チャック機構51は吸着パッドを基板Sの下面Sbの周縁部に当接させた状態で、基板Sを下側から支持する。吸着・走行機構52は、吸着パッドに負圧を付与することにより、基板Sを吸着パッドに吸着する。また、吸着・走行機構52は、チャック機構51をX方向に往復走行させる。 The moving mechanism 5 is arranged below the floating stage section 3. The moving mechanism 5 includes a chuck mechanism 51 and a suction/travel mechanism 52. The chuck mechanism 51 includes a suction pad (not shown) provided on a suction member. The chuck mechanism 51 supports the substrate S from below with the suction pad in contact with the peripheral edge of the lower surface Sb of the substrate S. The suction/traveling mechanism 52 suctions the substrate S onto the suction pad by applying negative pressure to the suction pad. Further, the suction/traveling mechanism 52 causes the chuck mechanism 51 to reciprocate in the X direction.

チャック機構51は、基板Sの下面Sbが浮上ステージ部3の上面よりも高い位置に位置する状態で、基板Sを保持する。チャック機構51により基板Sの周縁部が保持された状態で、基板Sは、浮上ステージ部3から付与される浮力により水平姿勢を維持する。 The chuck mechanism 51 holds the substrate S in a state where the lower surface Sb of the substrate S is located at a higher position than the upper surface of the floating stage section 3. With the peripheral edge of the substrate S being held by the chuck mechanism 51, the substrate S maintains a horizontal posture due to the buoyancy applied from the floating stage section 3.

図1に示されるように、塗布装置1は、板厚測定用のセンサ61を備えている。センサ61は、コロコンベヤ21の近傍に配置されている。センサ61は、チャック機構51に保持された基板Sの上面SfのZ方向における位置を検出する。また、センサ61の直下に基板Sを保持していない状態のチャック(図示省略)が位置することで、センサ61は吸着部材の上面である吸着面の鉛直方向Zにおける位置を検出可能となっている。 As shown in FIG. 1, the coating device 1 includes a sensor 61 for measuring plate thickness. The sensor 61 is placed near the roller conveyor 21. The sensor 61 detects the position of the upper surface Sf of the substrate S held by the chuck mechanism 51 in the Z direction. Furthermore, by positioning a chuck (not shown) that does not hold the substrate S directly below the sensor 61, the sensor 61 can detect the position of the suction surface, which is the top surface of the suction member, in the vertical direction Z. There is.

チャック機構51は、浮上ステージ部3に搬入された基板Sを保持しつつ、+X方向に移動する。これにより、基板Sが入口浮上ステージ31の上方から塗布ステージ32の上方を経由して、出口浮上ステージ33の上方へ搬送される。そして、基板Sは、出口浮上ステージ33から出力移載部4へ移動される。 The chuck mechanism 51 moves in the +X direction while holding the substrate S carried into the floating stage section 3. As a result, the substrate S is transported from above the entrance floating stage 31 to above the coating stage 32 and above the exit floating stage 33. Then, the substrate S is moved from the exit floating stage 33 to the output transfer section 4.

出力移載部4は、基板Sを出口浮上ステージ33の上方の位置から出力コンベヤ110へ移動させる。出力移載部4は、コロコンベヤ41と、回転・昇降駆動機構42とを備えている。回転・昇降駆動機構42は、コロコンベヤ41を回転駆動するとともに、コロコンベヤ41をZ方向に沿って昇降させる。コロコンベヤ41の各コロが回転することによって、基板Sが+X方向へ移動する。また、コロコンベヤ41が昇降することによって、基板SがZ方向に変位する。 The output transfer unit 4 moves the substrate S from a position above the exit floating stage 33 to the output conveyor 110. The output transfer section 4 includes a roller conveyor 41 and a rotation/elevating drive mechanism 42. The rotation/elevating drive mechanism 42 rotates the roller conveyor 41 and moves the roller conveyor 41 up and down along the Z direction. As each roller of the roller conveyor 41 rotates, the substrate S moves in the +X direction. Further, as the roller conveyor 41 moves up and down, the substrate S is displaced in the Z direction.

出力コンベヤ110は、コロコンベヤ111と、回転駆動機構112とを備えている。出力コンベヤ110は、コロコンベヤ111の各コロの回転により基板Sを+X方向に搬送し、基板Sを塗布装置1外へ払い出す。なお、入力コンベヤ100および出力コンベヤ110は、塗布装置1の一部である。ただし、入力コンベヤ100及び出力コンベヤ110は、塗布装置1とは別の装置に組み込まれていてもよい。 The output conveyor 110 includes a roller conveyor 111 and a rotational drive mechanism 112. The output conveyor 110 conveys the substrate S in the +X direction by rotation of each roller of the roller conveyor 111, and discharges the substrate S to the outside of the coating apparatus 1. Note that the input conveyor 100 and the output conveyor 110 are part of the coating device 1. However, the input conveyor 100 and the output conveyor 110 may be incorporated into a device different from the coating device 1.

塗布機構7は、基板Sの上面Sfに処理液を塗布する。塗布機構7は、基板Sの移動経路の上方に配置されている。塗布機構7は、ノズル71を有する。ノズル71は、下面にスリット状の吐出口を有するスリットノズルである。ノズル71は、位置決め機構(不図示)に接続されている。位置決め機構は、ノズル71を、塗布ステージ32の上方の塗布位置(図1中、実線で示される位置)と、後述するメンテナンス位置との間で移動させる。処理液供給機構8は、ノズル71に接続されている。処理液供給機構8がノズル71に処理液を供給することによって、ノズル71の下面に配置された吐出口から処理液が吐出される。 The coating mechanism 7 applies a treatment liquid to the upper surface Sf of the substrate S. The coating mechanism 7 is arranged above the moving path of the substrate S. The coating mechanism 7 has a nozzle 71. The nozzle 71 is a slit nozzle having a slit-shaped discharge port on the lower surface. Nozzle 71 is connected to a positioning mechanism (not shown). The positioning mechanism moves the nozzle 71 between a coating position above the coating stage 32 (the position indicated by a solid line in FIG. 1) and a maintenance position described below. The processing liquid supply mechanism 8 is connected to the nozzle 71. When the processing liquid supply mechanism 8 supplies the processing liquid to the nozzle 71, the processing liquid is discharged from the discharge port arranged on the lower surface of the nozzle 71.

塗布装置1では、処理液を吐出するノズル71に対して、移動機構5が基板Sを移動させることによって、基板Sに処理液が塗布される。しかしながら、移動機構5が、一定位置に配置された基板Sに対してノズル71を移動させるように構成されていてもよい。また、移動機構5が、ノズル71および基板Sの双方を移動させるように構成されてもよい。この場合、基板Sの移動方向は、ノズル71の移動方向と反対であってもよい。また、基板Sの移動方向は、ノズル71の移動方向と同じであってもよい。この場合、搬送される基板Sの速度よりも速い速度でノズル71が基板Sを追いかけるように、移動機構5がノズル71および基板Sを搬送してもよい。 In the coating device 1, the processing liquid is applied to the substrate S by the movement mechanism 5 moving the substrate S with respect to the nozzle 71 that discharges the processing liquid. However, the moving mechanism 5 may be configured to move the nozzle 71 with respect to the substrate S arranged at a fixed position. Furthermore, the moving mechanism 5 may be configured to move both the nozzle 71 and the substrate S. In this case, the moving direction of the substrate S may be opposite to the moving direction of the nozzle 71. Further, the moving direction of the substrate S may be the same as the moving direction of the nozzle 71. In this case, the moving mechanism 5 may transport the nozzle 71 and the substrate S so that the nozzle 71 chases the substrate S at a speed faster than the speed of the substrate S being transported.

図2は、処理液供給機構8の構成を示す図である。処理液供給機構8は、ポンプ81と、配管82と、処理液補充ユニット83と、配管84と、開閉弁85と、圧力計86と、駆動部87とを備えている。ポンプ81は、処理液をノズル71に送給するための送給源であり、体積変化により処理液を送給する。ポンプ81は、例えば、特開平10-61558号公報に記載されたベローズタイプのポンプであってもよい。図2に示されるように、ポンプ81は、径方向において弾性膨張収縮自在である可撓性チューブ811を有する。可撓性チューブ811の一方端は、配管82を介して処理液補充ユニット83と接続される。可撓性チューブ811の他方端は、配管84を介してノズル71と接続される。 FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the processing liquid supply mechanism 8. As shown in FIG. The processing liquid supply mechanism 8 includes a pump 81 , a pipe 82 , a processing liquid replenishment unit 83 , a pipe 84 , an on-off valve 85 , a pressure gauge 86 , and a drive section 87 . The pump 81 is a supply source for supplying the processing liquid to the nozzle 71, and supplies the processing liquid by changing the volume. The pump 81 may be, for example, a bellows type pump described in JP-A-10-61558. As shown in FIG. 2, the pump 81 has a flexible tube 811 that can be elastically expanded and contracted in the radial direction. One end of the flexible tube 811 is connected to the processing liquid replenishment unit 83 via piping 82 . The other end of flexible tube 811 is connected to nozzle 71 via piping 84.

ポンプ81は、軸方向において弾性変形自在であるベローズ812を有する。ベローズ812は、小型ベローズ部813と、大型ベローズ部814と、ポンプ室815と、作動ディスク部816とを有する。ポンプ室815は、可撓性チューブ811とベローズ812との間に位置する。ポンプ室815には、非圧縮性媒体が封入される。作動ディスク部816は、駆動部87に接続される。 The pump 81 has a bellows 812 that is elastically deformable in the axial direction. The bellows 812 has a small bellows part 813, a large bellows part 814, a pump chamber 815, and an actuation disk part 816. Pump chamber 815 is located between flexible tube 811 and bellows 812. Pump chamber 815 is filled with an incompressible medium. Actuation disk section 816 is connected to drive section 87 .

処理液補充ユニット83は、処理液を貯留する貯留タンク831を有する。貯留タンク831は、配管82を介してポンプ81と接続される。配管82には、開閉弁833が介挿される。開閉弁833は、制御ユニット9からの指令に応じて開閉する。開閉弁833が開かれると、貯留タンク831からポンプ81の可撓性チューブ811への処理液の補給が可能となる。また、開閉弁833が閉じると、貯留タンク831からポンプ81の可撓性チューブ811への処理液の補充が規制される。 The processing liquid replenishment unit 83 has a storage tank 831 that stores the processing liquid. Storage tank 831 is connected to pump 81 via piping 82. An on-off valve 833 is inserted into the pipe 82 . The on-off valve 833 opens and closes in response to commands from the control unit 9. When the on-off valve 833 is opened, the processing liquid can be replenished from the storage tank 831 to the flexible tube 811 of the pump 81. Further, when the on-off valve 833 closes, replenishment of the processing liquid from the storage tank 831 to the flexible tube 811 of the pump 81 is restricted.

配管84は、ポンプ81の出力側に接続されている。開閉弁85は、配管84に介挿されている。開閉弁85は、制御ユニット9からの指令に応じて開閉する。開閉弁85が開閉することにより、ノズル71に対する処理液の送液と送液停止とが切り替えられる。圧力計86は、配管84に配置されている。圧力計86は、ノズル71に送液される処理液の圧力(吐出圧力)を検出し、検出した圧力値を示す信号を制御ユニット9に出力する。 Piping 84 is connected to the output side of pump 81. The on-off valve 85 is inserted into the pipe 84. The on-off valve 85 opens and closes in response to commands from the control unit 9. By opening and closing the on-off valve 85, feeding of the processing liquid to the nozzle 71 and stopping of liquid feeding are switched. A pressure gauge 86 is arranged in the piping 84. The pressure gauge 86 detects the pressure (discharge pressure) of the processing liquid sent to the nozzle 71 and outputs a signal indicating the detected pressure value to the control unit 9.

図3は、図2に示されるポンプ81の作動ディスク部816の移動パターンを示すグラフである。図3中、横軸は時刻を示しており、縦軸は作動ディスク部816の移動速度を示す。駆動部87は、制御ユニット9からの指令に応じて、図3に示されるような移動パターン(時間経過に対する作動ディスク部816の速度の変化を示すパターン)で作動ディスク部816を軸方向に変位させる。作動ディスク部816の変位により、ベローズ812の内側の容積が変化する。これにより、可撓性チューブ811が径方向に膨張収縮してポンプ動作を実行し、処理液補充ユニット83から補給される処理液がノズル71に向けて送給される。作動ディスク部816の移動パターンは、ノズル71から吐出される処理液の吐出特性と密接に関係しているため、移動パターンに応じて、吐出圧力の時間変化を示す圧力波形が得られる。なお、吐出圧力の増減に応じて、吐出量(ノズル71から吐出される処理液の量)が増減する。 FIG. 3 is a graph showing a movement pattern of the actuating disk portion 816 of the pump 81 shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates the moving speed of the actuating disk portion 816. The drive unit 87 displaces the actuating disk portion 816 in the axial direction in accordance with a command from the control unit 9 in a movement pattern as shown in FIG. let The displacement of the actuating disk portion 816 causes the volume inside the bellows 812 to change. As a result, the flexible tube 811 expands and contracts in the radial direction to perform a pumping operation, and the processing liquid replenished from the processing liquid replenishment unit 83 is fed toward the nozzle 71 . Since the movement pattern of the actuating disk portion 816 is closely related to the discharge characteristics of the processing liquid discharged from the nozzle 71, a pressure waveform indicating a change in discharge pressure over time can be obtained in accordance with the movement pattern. Note that the discharge amount (the amount of processing liquid discharged from the nozzle 71) increases or decreases in accordance with the increase or decrease in the discharge pressure.

本実施形態では、作動ディスク部816の移動を規定する各種パラメータ(加速時間、定常速度、定常速度時間、減速時間など)を調整することによって、ノズル71から吐出される処理液の、吐出圧力の圧力波形を理想的な波形と一致あるいは近似させる最適化処理(調整処理)が適宜行われる。この最適化処理については、後に詳述する。 In this embodiment, the discharge pressure of the processing liquid discharged from the nozzle 71 is adjusted by adjusting various parameters (acceleration time, steady speed, steady speed time, deceleration time, etc.) that define the movement of the actuating disk portion 816. Optimization processing (adjustment processing) for making the pressure waveform match or approximate an ideal waveform is performed as appropriate. This optimization process will be detailed later.

図1および図2に示されるように、処理液供給機構8から処理液が供給されるノズル71には、センサ62が配置される。センサ62は、基板SのZ方向における高さを非接触で検知する。センサ62は、制御ユニット9とデータ通信可能に接続される。センサ62の検出結果に基づいて、制御ユニット9は、浮上している基板Sと、塗布ステージ32の上面との間の距離(離間距離)を測定する。制御ユニット9は、センサ62によって測定された離間距離に基づいて、位置決め機構によるノズル71の塗布位置を調整する。なお、センサ62としては、光学式センサ、または、超音波センサを採用し得る。 As shown in FIGS. 1 and 2, a sensor 62 is arranged in the nozzle 71 to which the processing liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism 8. The sensor 62 detects the height of the substrate S in the Z direction in a non-contact manner. The sensor 62 is connected to the control unit 9 for data communication. Based on the detection result of the sensor 62, the control unit 9 measures the distance (separation distance) between the floating substrate S and the upper surface of the coating stage 32. The control unit 9 adjusts the application position of the nozzle 71 by the positioning mechanism based on the separation distance measured by the sensor 62. Note that as the sensor 62, an optical sensor or an ultrasonic sensor may be employed.

塗布機構7は、ノズル洗浄待機ユニット72を備えている。ノズル洗浄待機ユニット72は、メンテナンス位置に配置されたノズル71に対して所定のメンテナンスを行う。ノズル洗浄待機ユニット72は、ローラ721と、洗浄部722と、ローラバット723とを有している。ノズル洗浄待機ユニット72は、ノズル71に対して洗浄および液だまりの形成を行うことによって、ノズル71の吐出口を塗布処理に適した状態に整える。また、塗布装置1においては、処理液に加わる吐出圧力を評価するため、ノズル71がメンテナンス位置(疑似塗布位置)に配置された状態、すなわち、ノズル71の吐出口がローラ721の外周面に対向する状態で、ノズル71からローラ721の外周面に処理液を吐出する。このとき、ローラ721が回転することによって、ノズル71から吐出される処理液を、移動する面に塗布することができる。すなわち、移動する基板Sに塗布する塗布を疑似的に再現できる。 The coating mechanism 7 includes a nozzle cleaning standby unit 72. The nozzle cleaning standby unit 72 performs predetermined maintenance on the nozzle 71 placed at the maintenance position. The nozzle cleaning standby unit 72 includes a roller 721, a cleaning section 722, and a roller butt 723. The nozzle cleaning standby unit 72 cleans the nozzle 71 and forms a liquid pool to prepare the discharge port of the nozzle 71 in a state suitable for coating processing. In addition, in the coating device 1, in order to evaluate the discharge pressure applied to the processing liquid, the nozzle 71 is placed in a maintenance position (pseudo coating position), that is, the discharge opening of the nozzle 71 is opposed to the outer peripheral surface of the roller 721. In this state, the processing liquid is discharged from the nozzle 71 onto the outer peripheral surface of the roller 721. At this time, by rotating the roller 721, the processing liquid discharged from the nozzle 71 can be applied to the moving surface. In other words, the application applied to the moving substrate S can be simulated.

ノズル71からローラ721の表面に処理液を吐出することは、基板S以外の箇所で処理液を吐出する「疑似塗布」と称する。また、ノズル71から基板Sに処理液を塗布することを、「実塗布」と称する。 Discharging the processing liquid from the nozzle 71 onto the surface of the roller 721 is referred to as "pseudo application" in which the processing liquid is discharged at a location other than the substrate S. Further, applying the processing liquid to the substrate S from the nozzle 71 is referred to as "actual application".

図4は、制御ユニット9の構成例を示すブロック図である。制御ユニット9は、塗布装置1の各要素の動作を制御する。制御ユニット9は、コンピュータであって、演算部91と、記憶部93と、ユーザインターフェース95とを備えている。演算部91は、CPU(Central Processing Unit)またはGPU(Graphics Processing Unit)などで構成されるプロセッサである。記憶部93は、RAM(Random Access Memory)などの一過性の記憶装置、および、HDD(Hard Disk Drive)およびSSD(Solid State Drive)などの非一過性の補助記憶装置で構成される。 FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the control unit 9. As shown in FIG. Control unit 9 controls the operation of each element of coating device 1 . The control unit 9 is a computer and includes a calculation section 91, a storage section 93, and a user interface 95. The calculation unit 91 is a processor including a CPU (Central Processing Unit) or a GPU (Graphics Processing Unit). The storage unit 93 includes a temporary storage device such as a RAM (Random Access Memory), and a non-transient auxiliary storage device such as an HDD (Hard Disk Drive) and an SSD (Solid State Drive).

ユーザインターフェース95は、ユーザに情報を表示するディスプレイ、および、ユーザによる入力操作を受け付ける入力機器を含む。制御ユニット9としては、例えばデスクトップ型、ラップトップ型、あるいはタブレット型のコンピュータを用いることができる。 User interface 95 includes a display that displays information to the user and an input device that accepts input operations by the user. As the control unit 9, for example a desktop, laptop or tablet computer can be used.

記憶部93は、プログラム931を記憶する。プログラム931は、記録媒体Mによって提供される。すなわち、記録媒体Mは、プログラム931を、コンピュータである制御ユニット9によって読取可能に記録されている。記録媒体Mは、例えば、USB(Universal Serial Bus)メモリ、DVD(Digital Versatile Disc)などの光学ディスク、磁気ディスクなどである。 The storage unit 93 stores a program 931. The program 931 is provided by the recording medium M. That is, the recording medium M has a program 931 recorded thereon so as to be readable by the control unit 9, which is a computer. The recording medium M is, for example, a USB (Universal Serial Bus) memory, an optical disk such as a DVD (Digital Versatile Disc), a magnetic disk, or the like.

演算部91は、プログラム931を実行することにより、吐出制御部910、吐出圧力測定部911、移動制御部912、速度測定部913、吐出制御パラメータ調整部915および移動制御パラメータ調整部917として機能する。 The calculation unit 91 functions as a discharge control unit 910, a discharge pressure measurement unit 911, a movement control unit 912, a speed measurement unit 913, a discharge control parameter adjustment unit 915, and a movement control parameter adjustment unit 917 by executing a program 931. .

吐出制御部910は、ノズル71に処理液を送給するポンプ81の動作(送給動作)を制御する。吐出制御部910は、予め設定された吐出制御パラメータにしたがって、ポンプ81の送給動作を制御する。 The discharge control unit 910 controls the operation (feeding operation) of the pump 81 that feeds the processing liquid to the nozzle 71 . The discharge control unit 910 controls the feeding operation of the pump 81 according to preset discharge control parameters.

吐出圧力測定部911は、吐出圧力の時間変化を示す圧力波形を測定する。すなわち、吐出圧力測定部911は、所定のサンプリング周期で圧力計86が測定した吐出圧力を周期的に取得する。これにより、ノズル71から処理液が吐出される期間において処理液に与えられた吐出圧力が取得され、圧力波形を示すデータ(吐出データ)として記憶部93に記憶される。吐出データは、ある時刻とその時刻に測定された吐出圧力の関係(すなわち、吐出圧力の経時変化)を示すデータである。 The discharge pressure measurement unit 911 measures a pressure waveform indicating a change in discharge pressure over time. That is, the discharge pressure measurement unit 911 periodically acquires the discharge pressure measured by the pressure gauge 86 at a predetermined sampling period. As a result, the discharge pressure applied to the treatment liquid during the period in which the treatment liquid is discharged from the nozzle 71 is acquired and stored in the storage unit 93 as data indicating a pressure waveform (discharge data). The discharge data is data indicating the relationship between a certain time and the discharge pressure measured at that time (that is, a change in the discharge pressure over time).

移動制御部912は、ノズル71に対して基板Sを移動させる吸着・走行機構52の動作(移動動作)を、予め設定された移動制御パラメータに基づいて制御する。 The movement control unit 912 controls the operation (moving operation) of the suction/travel mechanism 52 that moves the substrate S relative to the nozzle 71 based on preset movement control parameters.

速度測定部913は、チャック機構51および吸着・走行機構52による基板Sの移動速度を測定する。速度測定部913は、吸着・走行機構52の出力(例えば、ロータリーエンコーダの出力など)に基づいて、基板Sの移動速度を測定する。速度測定部913は、取得した速度を、速度データとして記憶部93に記憶させる。速度データは、時刻とその時刻に測定された移動速度の関係(すなわち、移動速度の経時変化)を示すデータである。 The speed measuring unit 913 measures the moving speed of the substrate S by the chuck mechanism 51 and the suction/travel mechanism 52. The speed measuring unit 913 measures the moving speed of the substrate S based on the output of the suction/travel mechanism 52 (for example, the output of a rotary encoder, etc.). The speed measuring unit 913 stores the acquired speed in the storage unit 93 as speed data. The speed data is data that indicates the relationship between a time and a moving speed measured at that time (that is, a change in moving speed over time).

吐出制御パラメータ調整部915は、吐出制御パラメータを最適化する処理を行う。吐出制御パラメータ調整部915は、例えば、疑似塗布を行うことによって得られる圧力波形を評価し、その評価結果に基づいて吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータ調整部915は、疑似塗布および圧力波形の取得、圧力波形の評価、および吐出制御パラメータの更新を繰り返すことによって、吐出制御パラメータを最適化する。 The discharge control parameter adjustment unit 915 performs processing to optimize discharge control parameters. For example, the discharge control parameter adjustment unit 915 evaluates a pressure waveform obtained by performing pseudo coating, and updates the discharge control parameter based on the evaluation result. The discharge control parameter adjustment unit 915 optimizes the discharge control parameters by repeating pseudo application, acquisition of pressure waveforms, evaluation of the pressure waveforms, and updating of the discharge control parameters.

塗布装置1において、ノズル71から吐出される処理液を基板Sの上面Sfに均一な膜厚で塗布するためには、ノズル71から吐出される際の処理液の吐出速度、つまり吐出圧力を調整することが重要である。このため、吐出圧力の圧力波形が理想波形に近づくように、圧力波形と密接に関連する吐出制御パラメータが最適化される。具体的には、最適化対象の吐出制御パラメータは、作動ディスク部816の移動を規定する設定値であって、図3および以下に示す16個のポンプ制御用の設定値である。
・定常速度V1
・加速時間T1:停止状態から定常速度V1に加速させる時間
・定常速度時間T2:定常速度V1を継続させる時間
・定常速度V2
・加速時間T3:定常速度V1から定常速度V2に減速させる時間
・定常速度時間T4:定常速度V2を継続させる時間
・定常速度V3
・加速時間T5:定常速度V2から定常速度V3に加速させる時間
・定常速度時間T6:定常速度V3を継続させる時間
・定常速度V4
・加速時間T7:定常速度V3から定常速度V4に減速させる時間
・定常速度時間T8:定常速度V4を継続させる時間
・定常速度V5
・加速時間T9:定常速度V4から定常速度V5に加速させる時間
・定常速度時間T10:定常速度V5を継続させる時間
・減速時間T11:定常速度V5から停止状態に減速させる時間
In the coating device 1, in order to apply the processing liquid ejected from the nozzle 71 onto the upper surface Sf of the substrate S with a uniform film thickness, the ejection speed of the processing liquid when ejected from the nozzle 71, that is, the ejection pressure is adjusted. It is important to. Therefore, the discharge control parameters closely related to the pressure waveform are optimized so that the pressure waveform of the discharge pressure approaches the ideal waveform. Specifically, the discharge control parameters to be optimized are set values that define movement of the actuating disk portion 816, and are set values for 16 pump controls shown in FIG. 3 and below.
・Steady speed V1
- Acceleration time T1: Time to accelerate from a stopped state to steady speed V1 - Steady speed time T2: Time to continue steady speed V1 - Steady speed V2
- Acceleration time T3: Time to decelerate from steady speed V1 to steady speed V2 - Steady speed time T4: Time to continue steady speed V2 - Steady speed V3
- Acceleration time T5: Time to accelerate from steady speed V2 to steady speed V3 - Steady speed time T6: Time to continue steady speed V3 - Steady speed V4
- Acceleration time T7: Time to decelerate from steady speed V3 to steady speed V4 - Steady speed time T8: Time to continue steady speed V4 - Steady speed V5
- Acceleration time T9: Time to accelerate from steady speed V4 to steady speed V5 - Steady speed time T10: Time to continue steady speed V5 - Deceleration time T11: Time to decelerate from steady speed V5 to a stopped state

上記16個の吐出制御パラメータは、ノズル71に処理液を送給するポンプ81の動作(送給動作)を制御するための制御量に相当する。なお、吐出制御パラメータの種類および個数は、特に制限されるものではなく、ポンプ81の送給動作を制御する制御量である限り、任意に設定され得る。 The 16 discharge control parameters described above correspond to control amounts for controlling the operation (feeding operation) of the pump 81 that feeds the processing liquid to the nozzle 71. Note that the type and number of discharge control parameters are not particularly limited, and can be arbitrarily set as long as they are control variables that control the feeding operation of the pump 81.

移動制御パラメータ調整部917は、移動制御パラメータを調整する。移動制御パラメータ調整部917は、疑似移動に基づいて、移動制御パラメータを更新する。「疑似移動」とは、実塗布時におけるノズル71に対する基板Sの相対的な移動を、疑似的に再現することをいう。疑似移動では、基板Sに対する処理液の塗布は行われない。例えば、本実施形態の疑似移動は、移動制御パラメータにしたがって、移動制御部912が吸着・走行機構52を制御することによってチャック機構51を移動させることをいう。なお、この疑似移動において、チャック機構51は、実際に基板Sを保持ししていてもよいし、基板S以外の模擬的部材を保持していてもよい。また、チャック機構51は、何も保持していなくてもよい。 The movement control parameter adjustment unit 917 adjusts movement control parameters. The movement control parameter adjustment unit 917 updates movement control parameters based on the pseudo movement. "Pseudo movement" refers to pseudo-reproducing the relative movement of the substrate S with respect to the nozzle 71 during actual coating. In the pseudo movement, the treatment liquid is not applied to the substrate S. For example, the pseudo movement in this embodiment refers to moving the chuck mechanism 51 by the movement control unit 912 controlling the suction/travel mechanism 52 according to movement control parameters. Note that in this pseudo movement, the chuck mechanism 51 may actually hold the substrate S, or may hold a simulated member other than the substrate S. Moreover, the chuck mechanism 51 does not need to hold anything.

移動制御パラメータ調整部917は、疑似移動によって得られる速度波形を評価し、その評価結果に基づいて、移動制御パラメータを更新する。そして、更新された移動制御パラメータに基づいて、疑似移動を再び実行する。このように、移動制御パラメータ調整部917は、疑似移動および速度波形の取得、速度波形の評価、および、移動制御パラメータの更新を繰り返すことによって、移動制御パラメータを最適化する。 The movement control parameter adjustment unit 917 evaluates the velocity waveform obtained by the pseudo movement, and updates the movement control parameter based on the evaluation result. Then, the pseudo movement is executed again based on the updated movement control parameters. In this manner, the movement control parameter adjustment unit 917 optimizes the movement control parameters by repeating pseudo movement, acquisition of the speed waveform, evaluation of the speed waveform, and updating of the movement control parameters.

<制御パラメータの調整>
図5は、制御ユニット9が制御パラメータを調整する流れを示す図である。図5に示されるように、制御パラメータの調整は、第1調整工程S1、第2調整工程S2、第3調整工程S3および第4調整工程S4を含む。なお、制御パラメータの調整は、第1調整工程S1、第2調整工程S2、第3調整工程S3、第4調整工程S4の順で行われる。以下、各工程について説明する。
<Adjustment of control parameters>
FIG. 5 is a diagram showing a flow in which the control unit 9 adjusts control parameters. As shown in FIG. 5, the adjustment of the control parameters includes a first adjustment step S1, a second adjustment step S2, a third adjustment step S3, and a fourth adjustment step S4. Note that the adjustment of the control parameters is performed in the order of a first adjustment step S1, a second adjustment step S2, a third adjustment step S3, and a fourth adjustment step S4. Each step will be explained below.

<第1調整工程S1>
図6は、図5に示される第1調整工程S1の詳細を示すフローチャートである。第1調整工程S1は、塗布装置1において実塗布を行うに当たり、疑似塗布によって事前に吐出制御パラメータを調整する工程である。
<First adjustment step S1>
FIG. 6 is a flowchart showing details of the first adjustment step S1 shown in FIG. The first adjustment step S1 is a step of adjusting the ejection control parameters in advance by pseudo-coating before actual coating is performed in the coating device 1.

図6に示されるように、第1調整工程S1が開始されると、まず、吐出制御パラメータ調整部915は、吐出制御パラメータを所定の初期値に設定する(ステップS11)。初期値は、任意の値であってもよいし、あるいは、所定のアルゴリズムに基づいて設定される値であってもよい。吐出制御パラメータ調整部915は、設定した吐出制御パラメータを、記憶部93に記憶させる。なお、吐出制御パラメータ調整部915は、ユーザからの初期値の入力を受け付け、受け付けた初期値を記憶部93に記憶させてもよい。 As shown in FIG. 6, when the first adjustment step S1 is started, the discharge control parameter adjustment section 915 first sets the discharge control parameter to a predetermined initial value (step S11). The initial value may be any value or may be a value set based on a predetermined algorithm. The discharge control parameter adjustment section 915 causes the storage section 93 to store the set discharge control parameters. Note that the ejection control parameter adjustment unit 915 may accept an input of an initial value from the user, and may store the accepted initial value in the storage unit 93.

ステップS11によって吐出制御パラメータが設定された後、制御ユニット9は、疑似塗布を行うとともに、圧力波形を取得する(ステップS12)。具体的には、制御ユニット9は、ノズル71を所定のメンテナンス位置(ローラ721と対向する位置)へ移動させる。そして、制御ユニット9は、第1調整工程S1によって設定された制御パラメータにしたがってポンプ81を制御し、ノズル71からローラ721に処理液を吐出させる。また、疑似塗布が行われている間、吐出圧力測定部911は、圧力計86によって測定される吐出圧力をサンプリングし、圧力波形のデータを取得する。ステップS12によって取得される圧力波形は、「第1圧力波形」の一例である。 After the discharge control parameters are set in step S11, the control unit 9 performs pseudo application and acquires a pressure waveform (step S12). Specifically, the control unit 9 moves the nozzle 71 to a predetermined maintenance position (a position facing the roller 721). Then, the control unit 9 controls the pump 81 according to the control parameters set in the first adjustment step S1, and causes the nozzle 71 to discharge the processing liquid to the roller 721. Further, while the pseudo coating is being performed, the discharge pressure measurement unit 911 samples the discharge pressure measured by the pressure gauge 86 and acquires pressure waveform data. The pressure waveform acquired in step S12 is an example of a "first pressure waveform."

ステップS12によって疑似塗布の圧力波形が取得された後、圧力波形の評価が行われる(ステップS13)。評価方法の一例として、吐出制御パラメータ調整部915は、ステップS12によって取得された圧力波形が、理想とする圧力波形である第1理想波形Wt1(図9参照)と同じであるかを判定する。具体的には、ステップS12によって取得された圧力波形の、第1理想波形Wt1からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かを判定する。 After the pressure waveform of the pseudo application is acquired in step S12, the pressure waveform is evaluated (step S13). As an example of an evaluation method, the discharge control parameter adjustment unit 915 determines whether the pressure waveform acquired in step S12 is the same as the first ideal waveform Wt1 (see FIG. 9), which is the ideal pressure waveform. Specifically, it is determined whether the amount of deviation of the pressure waveform acquired in step S12 from the first ideal waveform Wt1 exceeds a predetermined allowable range.

なお、ステップS13においては、ユーザが圧力波形を評価してもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部915は、圧力波形と、第1理想波形Wt1とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部915は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部915は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部93に記憶させてもよい。 Note that in step S13, the user may evaluate the pressure waveform. In this case, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the pressure waveform and the first ideal waveform Wt1 on the display. Further, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the amount of deviation on a display. In this way, by displaying various information on the display, it is possible to appropriately support the user's evaluation. Further, the ejection control parameter adjustment unit 915 may receive an input of an evaluation result from a user using an input device, and may cause the storage unit 93 to store the input evaluation result.

ステップS13によって疑似塗布の圧力波形が第1理想波形Wt1と同じであると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップS13においてYes)、塗布装置1は、第1調整工程S1を終了する。一方、ステップS13によって疑似塗布の圧力波形が第1理想波形Wt1とは異なると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップS13においてNoの場合)、塗布装置1は、吐出制御パラメータを更新する(ステップS14)。具体的には、吐出制御パラメータ調整部915は、ステップS13の評価結果に基づいて、疑似塗布を行った場合の圧力波形が第1理想波形Wt1となるように、記憶部93に記憶されている吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータを更新するアルゴリズムしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。 If the pressure waveform of the pseudo coating is evaluated to be the same as the first ideal waveform Wt1 in step S13 (for example, if the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S13), the coating device 1 performs the first adjustment. Step S1 is ended. On the other hand, if it is evaluated in step S13 that the pressure waveform of the pseudo coating is different from the first ideal waveform Wt1 (for example, if the amount of deviation exceeds the allowable range; if No in step S13), the coating device 1 The control parameters are updated (step S14). Specifically, the discharge control parameter adjustment unit 915 stores in the storage unit 93 based on the evaluation result in step S13 so that the pressure waveform when performing the pseudo application becomes the first ideal waveform Wt1. Update discharge control parameters. The algorithm for updating the discharge control parameters may be arbitrarily selected, such as Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, or linear programming.

なお、吐出制御パラメータの更新は、特許文献1に記載されているように、吐出制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行われてもよい。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。 Note that the discharge control parameters may be updated using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the discharge control parameters and the amount of deviation, as described in Patent Document 1. A neural network can be used as a learning model.

また、ステップS14においては、ユーザが、吐出制御パラメータを更新できるようにしてもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部915は、入力機器によって、新たな吐出制御パラメータの入力を受け付け、受け付けた吐出制御パラメータを記憶部93に記憶させてもよい。 Further, in step S14, the user may be able to update the ejection control parameters. In this case, the ejection control parameter adjustment section 915 may receive input of a new ejection control parameter using an input device, and may cause the storage section 93 to store the received ejection control parameter.

以上のように、第1調整工程S1では、実塗布を行うための吐出制御パラメータの調整を、ステップS12の疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて行う。このため、実塗布で吐出制御パラメータを調整する場合よりも、基板Sの消費を抑えることができる。 As described above, in the first adjustment step S1, the discharge control parameters for actual application are adjusted based on the pressure waveform obtained in the pseudo application in step S12. Therefore, consumption of the substrate S can be suppressed more than when adjusting the ejection control parameters during actual coating.

<第2調整工程S2>
図7は、図5に示される第2調整工程S2の詳細を示すフローチャートである。第2調整工程S2は、塗布装置1において実塗布を行うに当たり、疑似移動によって事前に移動制御パラメータを調整する工程である。
<Second adjustment step S2>
FIG. 7 is a flowchart showing details of the second adjustment step S2 shown in FIG. The second adjustment step S2 is a step in which movement control parameters are adjusted in advance by pseudo movement before actual coating is performed in the coating device 1.

図7に示されるように、第2調整工程S2が開始されると、まず、移動制御パラメータ調整部917は、移動制御パラメータを所定の初期値に設定する(ステップS21)。初期値は、任意の値であってもよいし、あるいは、所定のアルゴリズムに基づいて設定される値であってもよい。移動制御パラメータ調整部917は、設定した移動制御パラメータを、記憶部93に記憶させる。なお、移動制御パラメータ調整部917は、ユーザからの初期値の入力を受け付け、受け付けた初期値を記憶部93に記憶させてもよい。 As shown in FIG. 7, when the second adjustment step S2 is started, the movement control parameter adjustment unit 917 first sets the movement control parameter to a predetermined initial value (step S21). The initial value may be any value or may be a value set based on a predetermined algorithm. The movement control parameter adjustment section 917 causes the storage section 93 to store the set movement control parameters. Note that the movement control parameter adjustment unit 917 may accept an input of an initial value from the user and store the accepted initial value in the storage unit 93.

ステップS21によって移動制御パラメータが設定された後、制御ユニット9は、疑似移動を実行するとともに、速度波形を取得する(ステップS22)。具体的には、移動制御部912が、移動制御パラメータにしたがって、吸着・走行機構52を制御することによって、基板Sを保持したチャック機構51を移動させる。また、疑似移動が行われている間、速度測定部913は、吸着・走行機構52の出力に基づいて、チャック機構51の移動速度をサンプリングし、速度波形のデータを取得する。 After the movement control parameters are set in step S21, the control unit 9 executes pseudo movement and acquires a speed waveform (step S22). Specifically, the movement control unit 912 moves the chuck mechanism 51 holding the substrate S by controlling the suction/travel mechanism 52 according to movement control parameters. Further, while the pseudo movement is being performed, the speed measuring unit 913 samples the moving speed of the chuck mechanism 51 based on the output of the suction/traveling mechanism 52, and acquires speed waveform data.

ステップS22によって疑似移動の速度波形が取得された後、速度波形の評価が行われる(ステップS23)。評価方法の一例として、移動制御パラメータ調整部917は、速度波形の形状が、ステップS11において調整された圧力波形の形状と同じかどうかを評価する。なお、速度波形の形状および圧力波形の形状を比較するに当たっては、速度波形における速度のスケールと、圧力波形圧力のスケールとを一致させる正規化が行われる。そして、速度波形の、圧力波形からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かが判定される。 After the speed waveform of the pseudo movement is acquired in step S22, the speed waveform is evaluated (step S23). As an example of an evaluation method, the movement control parameter adjustment unit 917 evaluates whether the shape of the velocity waveform is the same as the shape of the pressure waveform adjusted in step S11. Note that when comparing the shape of the velocity waveform and the shape of the pressure waveform, normalization is performed to match the scale of the velocity in the velocity waveform and the scale of the pressure waveform pressure. Then, it is determined whether the amount of deviation of the velocity waveform from the pressure waveform exceeds a predetermined tolerance range.

なお、速度波形および圧力波形を所定の関数で回帰して得られる回帰パラメータを、評価値として導出し、当該評価値に基づいて、形状が一致するかどうかが判定されてもよい。 Note that a regression parameter obtained by regressing the velocity waveform and the pressure waveform using a predetermined function may be derived as an evaluation value, and it may be determined whether the shapes match based on the evaluation value.

また、ステップS23においては、ユーザが速度波形を評価してもよい。この場合、移動制御パラメータ調整部917は、正規化された速度波形および圧力波形をディスプレイに表示させてもよい。また、移動制御パラメータ調整部917は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、移動制御パラメータ調整部917は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部93に記憶させてもよい。 Furthermore, in step S23, the user may evaluate the velocity waveform. In this case, the movement control parameter adjustment section 917 may display the normalized velocity waveform and pressure waveform on the display. Furthermore, the movement control parameter adjustment unit 917 may display the amount of deviation on a display. In this way, by displaying various information on the display, it is possible to appropriately support the user's evaluation. Further, the movement control parameter adjustment unit 917 may receive an input of an evaluation result from a user using an input device, and may store the input evaluation result in the storage unit 93.

ステップS23によって疑似移動の速度波形が圧力波形の形状と同じであると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップS23においてYes)、塗布装置1は、第2調整工程S2を終了する。一方、ステップS23によって疑似移動の速度波形が圧力波形の形状とは異なると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップS23においてNo)、塗布装置1は、移動制御パラメータを更新する(ステップS24)。具体的には、移動制御パラメータ調整部917は、疑似移動を行った場合の移動波形の形状が圧力波形となるように、記憶部93に記憶されている移動制御パラメータを更新する。移動制御パラメータを更新するアルゴリズムとしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。 If it is evaluated in step S23 that the speed waveform of the pseudo movement is the same as the shape of the pressure waveform (for example, if the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S23), the coating device 1 performs the second adjustment process. End S2. On the other hand, if it is evaluated in step S23 that the speed waveform of the pseudo movement is different from the shape of the pressure waveform (for example, if the amount of deviation exceeds the allowable range; No in step S23), the coating device 1 changes the movement control parameter. Update (step S24). Specifically, the movement control parameter adjustment unit 917 updates the movement control parameters stored in the storage unit 93 so that the shape of the movement waveform when pseudo movement is performed becomes a pressure waveform. As the algorithm for updating the movement control parameters, for example, Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, linear programming, etc. can be arbitrarily selected.

また、吐出制御パラメータの更新は、移動制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行われてもよい。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。 Further, the discharge control parameter may be updated using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the movement control parameter and the amount of deviation. A neural network can be used as a learning model.

また、ステップS24においては、ユーザが、移動制御パラメータを更新できるようにしてもよい。この場合、移動制御パラメータ調整部917は、入力機器によって、ユーザからの新たな移動制御パラメータの入力を受け付けるとともに、受け付けた移動制御パラメータを記憶部93に記憶させてもよい。 Further, in step S24, the user may be able to update the movement control parameters. In this case, the movement control parameter adjustment unit 917 may receive input of new movement control parameters from the user using the input device, and may also store the received movement control parameters in the storage unit 93.

以上のように、第2調整工程S2では、速度波形の形状が、圧力波形の形状と一致するように移動制御パラメータが調整される。このように調整された移動制御パラメータに従って実塗布を行うことによって、処理液を均一な厚さで基板Sに塗布することが可能となる。 As described above, in the second adjustment step S2, the movement control parameters are adjusted so that the shape of the velocity waveform matches the shape of the pressure waveform. By performing actual coating according to the movement control parameters adjusted in this way, it becomes possible to apply the treatment liquid to the substrate S with a uniform thickness.

<第3調整工程S3>
図8は、図5に示される第3調整工程S3の詳細を示すフローチャートである。第3調整工程S3は、塗布装置1において実塗布を行うに当たり、第1調整工程S1で調整された吐出制御パラメータを、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて再調整する工程である。
<Third adjustment step S3>
FIG. 8 is a flowchart showing details of the third adjustment step S3 shown in FIG. The third adjustment step S3 is a step in which the discharge control parameters adjusted in the first adjustment step S1 are readjusted based on the pressure waveform obtained in the pseudo application when actual application is performed in the application device 1.

第3調整工程S3が開始されると、塗布装置1は、第1調整工程S1によって調整された吐出制御パラメータ、および、第2調整工程S2によって調整された移動制御パラメータにしたがって、実塗布を行うとともに、圧力波形を取得する(ステップS31)。具体的には、塗布機構7は、ノズル71を塗布位置に移動させる。そして、移動制御部912は、移動制御パラメータにしたがって吸着・走行機構52を制御することによって、基板Sを移動させるとともに、吐出制御部910は、吐出制御パラメータにしたがってポンプ81を制御することによって、ノズル71から基板Sに処理液を吐出させる。また、実塗布が行われている間、吐出圧力測定部911は、圧力計86によって測定される吐出圧力をサンプリングすることによって、圧力波形を取得する。ステップS31で取得される圧力波形は、「第2圧力波形」の一例である。 When the third adjustment step S3 is started, the coating device 1 performs actual application according to the discharge control parameters adjusted in the first adjustment step S1 and the movement control parameters adjusted in the second adjustment step S2. At the same time, a pressure waveform is acquired (step S31). Specifically, the coating mechanism 7 moves the nozzle 71 to the coating position. The movement control section 912 moves the substrate S by controlling the suction/travel mechanism 52 according to the movement control parameters, and the discharge control section 910 controls the pump 81 according to the discharge control parameters. A processing liquid is discharged onto the substrate S from the nozzle 71. Further, while the actual coating is being performed, the discharge pressure measurement unit 911 acquires a pressure waveform by sampling the discharge pressure measured by the pressure gauge 86. The pressure waveform acquired in step S31 is an example of a "second pressure waveform."

ステップS31によって実塗布の圧力波形が取得された後、当該圧力波形の評価が行われる(ステップS32)。ステップS32における圧力波形の評価方法は、図6に示されるステップS13における圧力波形の評価方法と同じとしてもよい。すなわち、吐出制御パラメータ調整部915は、ステップS31によって取得された圧力波形の、第1理想波形Wt1からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かを判定してもよい。 After the pressure waveform of actual application is acquired in step S31, the pressure waveform is evaluated (step S32). The pressure waveform evaluation method in step S32 may be the same as the pressure waveform evaluation method in step S13 shown in FIG. That is, the discharge control parameter adjustment unit 915 may determine whether the amount of deviation of the pressure waveform acquired in step S31 from the first ideal waveform Wt1 exceeds a predetermined tolerance range.

なお、ステップS32においては、ユーザが実塗布の圧力波形を評価してもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部915は、圧力波形と、第1理想波形Wt1とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部915は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部915は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部93に記憶させてもよい。 Note that in step S32, the user may evaluate the pressure waveform of actual application. In this case, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the pressure waveform and the first ideal waveform Wt1 on the display. Further, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the amount of deviation on a display. In this way, by displaying various information on the display, it is possible to appropriately support the user's evaluation. Further, the ejection control parameter adjustment unit 915 may receive an input of an evaluation result from a user using an input device, and may cause the storage unit 93 to store the input evaluation result.

ステップS32によって、実塗布の圧力波形が第1理想波形と同じであると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップS32においてYes)、塗布装置1は、第3調整工程S3を終了する。一方、ステップS32において、実塗布の圧力波形が第1理想波形Wt1とは異なると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップS32においてNo)、制御ユニット9は、吐出制御パラメータを再調整する必要があるものと判断し、吐出制御パラメータの再調整を行う。 If the pressure waveform of the actual coating is evaluated to be the same as the first ideal waveform in step S32 (for example, if the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S32), the coating device 1 performs the third adjustment. Step S3 is ended. On the other hand, if it is evaluated in step S32 that the pressure waveform of actual application is different from the first ideal waveform Wt1 (for example, if the amount of deviation exceeds the allowable range; No in step S32), the control unit 9 controls the discharge control. It is determined that the parameters need to be readjusted, and the discharge control parameters are readjusted.

吐出制御パラメータの再調整では、吐出制御パラメータ調整部915が、吐出制御パラメータを更新する(ステップS33)。具体的には、吐出制御パラメータ調整部915は、疑似塗布を行った場合の圧力波形が、後述する第2理想波形Wt2(図6参照)となるように、記憶部93に記憶されている吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータを更新するアルゴリズムとしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。 In readjusting the discharge control parameters, the discharge control parameter adjustment section 915 updates the discharge control parameters (step S33). Specifically, the discharge control parameter adjustment section 915 adjusts the discharge stored in the storage section 93 so that the pressure waveform when pseudo application is performed becomes a second ideal waveform Wt2 (see FIG. 6), which will be described later. Update control parameters. As an algorithm for updating the discharge control parameters, for example, Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, linear programming, etc. can be arbitrarily selected.

なお、吐出制御パラメータの更新は、特許文献1に記載されているように、吐出制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行われてもよい。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。 Note that the discharge control parameters may be updated using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the discharge control parameters and the amount of deviation, as described in Patent Document 1. A neural network can be used as a learning model.

また、ステップS33においては、ユーザが、吐出制御パラメータを更新できるようにしてもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部915は、入力機器によって、ユーザからの新たな吐出制御パラメータの入力を受け付け、受け付けた吐出制御パラメータを記憶部93に記憶させてもよい。 Further, in step S33, the user may be allowed to update the ejection control parameters. In this case, the ejection control parameter adjustment unit 915 may receive input of new ejection control parameters from the user using an input device, and may store the received ejection control parameters in the storage unit 93.

図9は、第2理想波形Wt2の設定例を示す図である。第2理想波形Wt2は、例えば、吐出制御パラメータ調整部915によって生成され、記憶部93に保存される。第2理想波形Wt2は、第1理想波形Wt1とは異なる形状を有する。具体的には、第2理想波形Wt2は、第1理想波形Wt1を、ステップS31で取得された実塗布の圧力波形Wr1と第1理想波形Wt1との差分値(ずれ量)に基づいて変形された形状を有する。より具体的には、第2理想波形Wt2は、第1理想波形Wt1から上記差分値を差し引いた形状を有する。なお、第2理想波形Wt2の形状は、図9に示される形状に限定されるものではなく、適宜設定され得る。 FIG. 9 is a diagram showing an example of setting the second ideal waveform Wt2. The second ideal waveform Wt2 is generated by, for example, the ejection control parameter adjustment section 915 and stored in the storage section 93. The second ideal waveform Wt2 has a different shape from the first ideal waveform Wt1. Specifically, the second ideal waveform Wt2 is obtained by transforming the first ideal waveform Wt1 based on the difference value (deviation amount) between the actual application pressure waveform Wr1 acquired in step S31 and the first ideal waveform Wt1. It has a similar shape. More specifically, the second ideal waveform Wt2 has a shape obtained by subtracting the difference value from the first ideal waveform Wt1. Note that the shape of the second ideal waveform Wt2 is not limited to the shape shown in FIG. 9, and may be set as appropriate.

図8に戻って、ステップS33によって吐出制御パラメータが更新された後、塗布装置1は、更新された吐出制御パラメータにしたがって、疑似塗布を行う(ステップS34)。ノズル71が塗布ステージ32上方の塗布位置にある場合、塗布機構7は、ノズル71をメンテナンス位置まで移動させる。そして、ノズル71から回転するローラ721に処理液が吐出される。疑似塗布が行われている間、吐出圧力測定部911は、圧力計86によって測定される吐出圧力をサンプリングすることによって、圧力波形を取得する。ステップS34によって取得される圧力波形は、「第3圧力波形」の一例である。 Returning to FIG. 8, after the ejection control parameters are updated in step S33, the coating device 1 performs pseudo coating according to the updated ejection control parameters (step S34). When the nozzle 71 is at the coating position above the coating stage 32, the coating mechanism 7 moves the nozzle 71 to the maintenance position. Then, the processing liquid is discharged from the nozzle 71 to the rotating roller 721 . While the pseudo coating is being performed, the discharge pressure measurement unit 911 acquires a pressure waveform by sampling the discharge pressure measured by the pressure gauge 86. The pressure waveform acquired in step S34 is an example of a "third pressure waveform."

ステップS34によって疑似塗布の圧力波形が取得された後、当該圧力波形が評価される(ステップS35)。圧力波形の評価方法は、図6に示されるステップS13における圧力波形の評価方法と同じとしてもよい。ただし、ステップS35では、第1理想波形Wt1の代わりに、第2理想波形Wt2が使用される。具体的には、吐出制御パラメータ調整部915は、ステップS34によって取得された圧力波形の、第2理想波形Wt2からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かを判定してもよい。 After the pressure waveform of the pseudo application is acquired in step S34, the pressure waveform is evaluated (step S35). The pressure waveform evaluation method may be the same as the pressure waveform evaluation method in step S13 shown in FIG. However, in step S35, the second ideal waveform Wt2 is used instead of the first ideal waveform Wt1. Specifically, the discharge control parameter adjustment unit 915 may determine whether the amount of deviation of the pressure waveform acquired in step S34 from the second ideal waveform Wt2 exceeds a predetermined tolerance range. .

なお、ステップS35においては、ユーザが圧力波形を評価してもよい。この場合、ステップS6において、吐出制御パラメータ調整部915は、圧力波形と、第2理想波形Wt2とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部915は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部915は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部93に記憶させてもよい。 Note that in step S35, the user may evaluate the pressure waveform. In this case, in step S6, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the pressure waveform and the second ideal waveform Wt2 on the display. Further, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the amount of deviation on a display. In this way, by displaying various information on the display, it is possible to appropriately support the user's evaluation. Further, the ejection control parameter adjustment unit 915 may receive an input of an evaluation result from a user using an input device, and may cause the storage unit 93 to store the input evaluation result.

ステップS35によって疑似塗布の圧力波形が第2理想波形Wt2と異なると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップS35においてNo)、塗布装置1は、再びステップS33(吐出制御パラメータの更新)を行う。一方、ステップS35によって疑似塗布の圧力波形が第2理想波形Wt2と同じと評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップS35においてYes)、塗布装置1は、再びステップS31(実塗布の圧力波形の取得)を行う。このように、塗布装置1は、疑似塗布で得られる圧力波形が第2理想波形Wt2と同じと評価されるまで、ステップS33~ステップS35を繰り返し行うことによって、吐出制御パラメータを再調整する。 If it is evaluated in step S35 that the pressure waveform of the pseudo coating is different from the second ideal waveform Wt2 (for example, if the amount of deviation exceeds the allowable range; No in step S35), the coating device 1 returns to step S33 (discharge control update parameters). On the other hand, if the pressure waveform of the pseudo coating is evaluated to be the same as the second ideal waveform Wt2 in step S35 (for example, if the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S35), the coating device 1 returns to step S31. (Acquisition of pressure waveform of actual application). In this way, the coating device 1 readjusts the discharge control parameters by repeatedly performing steps S33 to S35 until the pressure waveform obtained by the pseudo coating is evaluated to be the same as the second ideal waveform Wt2.

以上のように、第3調整工程S3では、ステップS32によって、実塗布の圧力波形が理想的な波形でないと評価された場合、ステップS34の疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて吐出制御パラメータが再調整される。これにより、基板Sの消費を抑えつつ、吐出制御パラメータの再調整を行うことができる。基板Sの消費が抑制されることによって、環境負荷を低減できる。 As described above, in the third adjustment step S3, if the pressure waveform of actual application is evaluated as not being an ideal waveform in step S32, the discharge control parameters are adjusted based on the pressure waveform obtained in the pseudo application in step S34. Readjusted. Thereby, the ejection control parameters can be readjusted while suppressing the consumption of the substrate S. By suppressing the consumption of the substrate S, the environmental load can be reduced.

疑似塗布と実塗布とでは、環境条件が異なるため、同じ吐出制御パラメータであっても、得られる圧力波形が変化してしまう場合がある。本実施形態では、疑似塗布の圧力波形を評価する基準となる第2理想波形Wt2を、第1理想波形Wt1を実塗布の圧力波形Wr1と第1理想波形Wt1との差分値に応じて変形させた形状としている。このため、実塗布の圧力波形が第1理想波形Wt1となるように、吐出制御パラメータを適切に再調整できる。 Since the environmental conditions are different between the simulated application and the actual application, the obtained pressure waveform may change even if the discharge control parameters are the same. In the present embodiment, the second ideal waveform Wt2, which serves as a reference for evaluating the pressure waveform of the pseudo application, is modified by changing the first ideal waveform Wt1 according to the difference value between the pressure waveform Wr1 of the actual application and the first ideal waveform Wt1. It is shaped like this. Therefore, the discharge control parameters can be appropriately readjusted so that the pressure waveform of actual application becomes the first ideal waveform Wt1.

<第4調整工程S4>
図10は、図5に示される第4調整工程S4の詳細を示すフローチャートである。第4調整工程S4は、塗布装置1において実塗布を行いながら、第3調整工程S3によって調整された吐出制御パラメータを、実塗布で得られる圧力波形に基づいて再調整する工程である。
<Fourth adjustment step S4>
FIG. 10 is a flowchart showing details of the fourth adjustment step S4 shown in FIG. The fourth adjustment step S4 is a step in which the discharge control parameters adjusted in the third adjustment step S3 are readjusted based on the pressure waveform obtained in the actual application while performing actual application in the coating device 1.

第4調整工程S4が開始されると、塗布装置1は、第3調整工程S3によって調整された吐出制御パラメータ、および、第2調整工程S2によって調整された移動制御パラメータにしたがって実塗布を行うとともに、圧力波形を取得する(ステップS41)。第3調整工程S3によって調整された吐出制御パラメータを使用した実塗布で取得される圧力波形は、「第4圧力波形」の一例である。 When the fourth adjustment step S4 is started, the coating device 1 performs actual coating according to the discharge control parameters adjusted in the third adjustment step S3 and the movement control parameters adjusted in the second adjustment step S2. , a pressure waveform is acquired (step S41). The pressure waveform obtained in actual application using the discharge control parameters adjusted in the third adjustment step S3 is an example of a "fourth pressure waveform."

ステップS41によって実塗布の圧力波形が取得された後、圧力波形の評価が行われる(ステップS42)。評価方法の一例として、吐出制御パラメータ調整部915は、ステップS41によって取得された実塗布の圧力波形が、第1理想波形Wt1と同じであるかを判定する。より具体的には、実塗布の圧力波形の、第1理想波形Wt1からのずれ量が、許容範囲を越えるか否かを判定する。 After the pressure waveform of actual application is acquired in step S41, the pressure waveform is evaluated (step S42). As an example of an evaluation method, the discharge control parameter adjustment unit 915 determines whether the actual application pressure waveform acquired in step S41 is the same as the first ideal waveform Wt1. More specifically, it is determined whether the amount of deviation of the actual application pressure waveform from the first ideal waveform Wt1 exceeds an allowable range.

なお、ステップS42においては、ユーザが圧力波形を評価してもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部915は、圧力波形と、第1理想波形Wt1とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部915は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部915は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付けるとともに、入力された評価結果を記憶部93に記憶させてもよい。 Note that in step S42, the user may evaluate the pressure waveform. In this case, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the pressure waveform and the first ideal waveform Wt1 on the display. Further, the discharge control parameter adjustment section 915 may display the amount of deviation on a display. In this way, by displaying various information on the display, it is possible to appropriately support the user's evaluation. Further, the discharge control parameter adjustment section 915 may receive an input of an evaluation result from a user using an input device, and may also store the input evaluation result in the storage section 93.

ステップS42によって実塗布の圧力波形が第1理想波形Wt1と異なると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップS42においてNo)、吐出制御パラメータ調整部915は、吐出制御パラメータを更新する(ステップS43)。具体的には、吐出制御パラメータ調整部915は、ステップS42の評価結果に基づき、実塗布の圧力波形が第1理想波形Wt1となるように、記憶部93が記憶している吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータを更新するアルゴリズムとしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。 If it is evaluated in step S42 that the pressure waveform of actual application is different from the first ideal waveform Wt1 (for example, if the amount of deviation exceeds the allowable range; No in step S42), the discharge control parameter adjustment unit 915 adjusts the discharge control parameter is updated (step S43). Specifically, the discharge control parameter adjustment unit 915 updates the discharge control parameters stored in the storage unit 93 so that the pressure waveform of actual application becomes the first ideal waveform Wt1 based on the evaluation result of step S42. do. As an algorithm for updating the discharge control parameters, for example, Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, linear programming, etc. can be arbitrarily selected.

また、吐出制御パラメータの更新は、例えば特許文献1に記載されているように、吐出制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行うことも可能である。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。 Further, the discharge control parameters can also be updated using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the discharge control parameters and the amount of deviation, as described in Patent Document 1, for example. A neural network can be used as a learning model.

ステップS43によって吐出制御パラメータが更新されると、塗布装置1は、再びステップS41(実塗布による圧力波形の取得)を実行する。更新された吐出制御パラメータを使用して取得される実塗布の圧力波形は、「第5圧力波形」の一例である。 When the discharge control parameters are updated in step S43, the coating device 1 again executes step S41 (obtaining pressure waveform by actual coating). The pressure waveform of actual application obtained using the updated discharge control parameters is an example of the "fifth pressure waveform."

ステップS42によって実塗布の圧力波形が第1理想波形Wt1と同じであると評価された場合(例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップS42においてYes)、塗布装置1は、実塗布を終了するか否かを判定する(ステップS43)。ステップS43によって、実塗布を終了すると判定された場合(例えば、塗布処理するべき基板Sがない場合。ステップS43においてYes)、塗布装置1は、第4調整工程S4を終了する。ステップS43によって、実塗布を継続すると判定された場合(例えば、塗布処理するべき基板Sがある場合。ステップS43においてNo)、塗布装置1は、ステップS41を再び行う。 If it is evaluated in step S42 that the pressure waveform of the actual application is the same as the first ideal waveform Wt1 (for example, if the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S42), the application device 1 performs the actual application. It is determined whether or not to end (step S43). If it is determined in step S43 that the actual coating is to be finished (for example, if there is no substrate S to be coated; Yes in step S43), the coating apparatus 1 finishes the fourth adjustment step S4. If it is determined in step S43 that actual coating is to be continued (for example, if there is a substrate S to be coated; No in step S43), the coating apparatus 1 performs step S41 again.

以上のように、第1調整工程S1および第3調整工程S3では、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて吐出制御パラメータが更新されるため、実塗布に合うように吐出制御パラメータを充分に調整しきれない場合が起こり得る。これに対して、第4調整工程S4では、実塗布で得られる圧力波形に基づいて、吐出制御パラメータが更新される。このため、実塗布に合うように吐出制御パラメータを調整できる。したがって、実塗布において、理想的な圧力波形を再現できる。 As described above, in the first adjustment step S1 and the third adjustment step S3, the discharge control parameters are updated based on the pressure waveform obtained in the simulated coating, so the discharge control parameters are sufficiently adjusted to match the actual coating. There may be cases where it is not possible to do so. On the other hand, in the fourth adjustment step S4, the discharge control parameters are updated based on the pressure waveform obtained in actual application. Therefore, the discharge control parameters can be adjusted to suit actual application. Therefore, an ideal pressure waveform can be reproduced in actual application.

また、第1調整工程S1および第3調整工程S3を行わずに、第4調整工程S4のみで吐出制御パラメータを調整しようとした場合、大量の基板を消費することによって、環境負荷が増大するおそれがある。本実施形態では、先に第1調整工程S1および第3調整工程S3によって吐出制御パラメータをある程度調整してから、第4調整工程S4を行うため、基板Sの消費を抑えることができる。これにより、環境負荷を低減できる。 Furthermore, if an attempt is made to adjust the discharge control parameters only in the fourth adjustment step S4 without performing the first adjustment step S1 and the third adjustment step S3, there is a risk that a large amount of substrates will be consumed and the environmental load will increase. There is. In this embodiment, the ejection control parameters are first adjusted to some extent in the first adjustment step S1 and the third adjustment step S3, and then the fourth adjustment step S4 is performed, so that the consumption of the substrate S can be suppressed. This allows the environmental load to be reduced.

<2. 変形例>
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
<2. Modified example>
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the above, and various modifications are possible.

例えば、上記実施形態では、疑似塗布を、ローラ721上に塗布液を吐出することとしている。しかしながら、ローラ721以外の箇所に塗布液が吐出されてもよい。例えば、ローラバット723など、ノズル71から吐出された塗布液を受けることが可能な容器に対して、塗布液が吐出されてもよい。 For example, in the embodiment described above, the pseudo coating is performed by discharging the coating liquid onto the roller 721. However, the coating liquid may be discharged to a location other than the roller 721. For example, the coating liquid may be discharged into a container such as the roller vat 723 that can receive the coating liquid discharged from the nozzle 71.

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although this invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the invention is not limited thereto. It is understood that countless variations not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the invention. The configurations described in each of the above embodiments and modified examples can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

1 塗布装置
5 移動機構
7 塗布機構
8 処理液供給機構
9 制御ユニット
51 チャック機構
52 吸着・走行機構
71 ノズル
81 ポンプ
83 処理液補充ユニット
86 圧力計
910 吐出制御部
911 吐出圧力測定部
912 移動制御部
913 速度測定部
915 吐出制御パラメータ調整部
917 移動制御パラメータ調整部
931 プログラム
M 記録媒体
S 基板

1 Coating device 5 Moving mechanism 7 Coating mechanism 8 Processing liquid supply mechanism 9 Control unit 51 Chuck mechanism 52 Adsorption/travel mechanism 71 Nozzle 81 Pump 83 Processing liquid replenishment unit 86 Pressure gauge 910 Discharge control section 911 Discharge pressure measurement section 912 Movement control section 913 Speed measurement section 915 Discharge control parameter adjustment section 917 Movement control parameter adjustment section 931 Program M Recording medium S Substrate

Claims (5)

ノズルからの処理液の吐出を制御するための吐出制御パラメータを調整する制御パラメータ調整方法であって、
a) ノズルから基板以外の箇所に処理液を吐出する疑似塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第1圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを調整する工程と、
b) 前記工程a)によって調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記ノズルから基板に処理液を吐出する実塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第2圧力波形を取得する工程と、
c) 前記第2圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、
d) 前記工程c)によって再調整すると判定された場合、前記疑似塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第3圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程と、
e) 前記工程d)によって再調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第4圧力波形を取得する工程と、
f) 前記第4圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、
g) 前記工程f)によって再調整すると判定された場合、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第5圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程と、
を含む、制御パラメータ調整方法。
A control parameter adjustment method for adjusting a discharge control parameter for controlling discharge of a processing liquid from a nozzle, the method comprising:
a) adjusting the ejection control parameter based on a first pressure waveform indicating a pressure change in the nozzle when performing a pseudo application in which the processing liquid is ejected from the nozzle to a location other than the substrate;
b) Obtaining a second pressure waveform indicating a pressure change within the nozzle when actual coating is performed in which the treatment liquid is discharged onto the substrate from the nozzle according to the discharge control parameters adjusted in step a). process and
c) determining whether to readjust the discharge control parameters based on the second pressure waveform;
d) If it is determined to readjust in step c), readjusting the discharge control parameter based on a third pressure waveform indicating a pressure change in the nozzle when the pseudo application is performed;
e) obtaining a fourth pressure waveform indicating a pressure change in the nozzle when the actual application is performed according to the discharge control parameters readjusted in step d);
f) determining whether to readjust the discharge control parameter based on the fourth pressure waveform;
g) If it is determined to readjust in step f), readjusting the discharge control parameter based on a fifth pressure waveform indicating a change in pressure inside the nozzle when the actual application is performed;
Control parameter adjustment methods, including:
請求項1に記載の制御パラメータ調整方法であって、
h) 前記ノズルに対する前記基板の相対的な移動を制御するための移動制御パラメータを調整する工程、
をさらに含み、
前記実塗布は、前記工程h)によって調整された移動制御パラメータにしたがって前記基板を前記ノズルに対して相対的に移動させつつ、前記ノズルから前記基板に処理液を吐出する、制御パラメータ調整方法。
The control parameter adjustment method according to claim 1,
h) adjusting movement control parameters for controlling relative movement of the substrate with respect to the nozzle;
further including;
In the actual coating, the processing liquid is discharged from the nozzle onto the substrate while moving the substrate relative to the nozzle according to the movement control parameter adjusted in step h).
請求項1または請求項2に記載の制御パラメータ調整方法であって、
前記工程h)は、前記ノズルに対する前記基板の相対速度の変化を示す速度波形に基づいて、前記移動制御パラメータが調整される、制御パラメータ調整方法。
The control parameter adjustment method according to claim 1 or 2,
In the step h), the movement control parameter is adjusted based on a velocity waveform indicating a change in relative velocity of the substrate with respect to the nozzle.
コンピュータが実行可能なプログラムであって、
前記コンピュータに請求項1または請求項2に記載の制御パラメータ調整方法を実行させる、プログラム。
A program executable by a computer,
A program that causes the computer to execute the control parameter adjustment method according to claim 1 or 2.
コンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、
請求項4に記載のプログラムが記録されている、記録媒体。
A computer readable recording medium,
A recording medium on which the program according to claim 4 is recorded.
JP2022116612A 2022-07-21 2022-07-21 Control parameter adjustment method, program, and recording medium Active JP7492993B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022116612A JP7492993B2 (en) 2022-07-21 2022-07-21 Control parameter adjustment method, program, and recording medium
KR1020230074106A KR20240013041A (en) 2022-07-21 2023-06-09 Control parameter adjustment method, program and recording medium
CN202310910366.1A CN117427803A (en) 2022-07-21 2023-07-21 Control parameter adjustment method and storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022116612A JP7492993B2 (en) 2022-07-21 2022-07-21 Control parameter adjustment method, program, and recording medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2024014054A true JP2024014054A (en) 2024-02-01
JP7492993B2 JP7492993B2 (en) 2024-05-30

Family

ID=89557231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022116612A Active JP7492993B2 (en) 2022-07-21 2022-07-21 Control parameter adjustment method, program, and recording medium

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7492993B2 (en)
KR (1) KR20240013041A (en)
CN (1) CN117427803A (en)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4294757B2 (en) 1998-06-18 2009-07-15 平田機工株式会社 Slit coat type coating apparatus and slit coat type coating method
JP3988817B2 (en) 2001-09-25 2007-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 Coating liquid coating method and apparatus, and coating condition adjusting method for the apparatus
JP4742511B2 (en) 2004-04-02 2011-08-10 東レ株式会社 Coating method, coating apparatus, and display member manufacturing method
JP2010227762A (en) 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp Liquid droplet discharge device and method of forming thin film
JP2011235237A (en) 2010-05-11 2011-11-24 Olympus Corp Method and apparatus for applying coating agent
KR20180054679A (en) 2015-09-16 2018-05-24 노드슨 코포레이션 Dispensing monitoring and control
JP7111568B2 (en) 2018-09-13 2022-08-02 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR SUBSTRATE PROCESSING

Also Published As

Publication number Publication date
JP7492993B2 (en) 2024-05-30
CN117427803A (en) 2024-01-23
KR20240013041A (en) 2024-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7111568B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR SUBSTRATE PROCESSING
JP2008192718A (en) Substrate supporting device, substrate supporting method, substrate processing device, substrate processing method, method of manufacturing component for display device, inspecting device, and inspecting method
JP6725374B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2021526314A (en) Contactless support platform
JP2011054755A (en) Imprinting method, program, computer storage medium, and imprinting device
JP2009034568A (en) Slit coating-type coating device and its controlling method
TWI564087B (en) Coating apparatus and coating method
JP2024014054A (en) Control parameter adjusting method, program and recording medium
JP2024014053A (en) Application method, program and recording medium
JP4982292B2 (en) Coating apparatus and coating method
JP7454006B2 (en) Control parameter adjustment method, program and recording medium
JP2018143942A (en) Coating device and coating method
JP6860357B2 (en) Coating device and coating method
JP2009130008A (en) Coater and its substrate holding method
TW202410973A (en) Control parameter adjustment method, program and recording medium
JP7480194B2 (en) Parameter optimization method, program, recording medium and substrate processing apparatus
JP5372824B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2023042741A1 (en) Substrate coating apparatus and substrate coating method
WO2023042740A1 (en) Substrate-coating apparatus and substrate-coating method
US20230110011A1 (en) Stage apparatus, lithography apparatus and article manufacturing method
JP2011101860A (en) Coating apparatus and coating method
CN111822234B (en) Coating device and coating method
JP2010113295A (en) Proximity exposure apparatus, method of loading and unloading substrate in proximity exposure apparatus, and method of manufacturing display panel substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240520