KR20240013041A - Control parameter adjustment method, program and recording medium - Google Patents
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Abstract
(과제) 기판의 소비를 억제하면서, 실제로 기판에 처리액을 토출하는 환경에 맞춰 토출 제어 파라미터를 적절히 조정할 수 있는 기술을 제공한다.
(해결 수단) 제 1 조정 공정 (S1) 에서는, 의사 도포를 실시한 경우의 제 1 압력 파형에 기초하여, 토출 제어 파라미터를 조정한다. 제 3 조정 공정 (S3) 에서는, 제 1 조정 공정 (S1) 에 의해 조정된 토출 제어 파라미터에 따라서 실도포를 실시한 경우의 제 2 압력 파형에 기초하여, 토출 제어 파라미터를 재조정할지 여부를 판정하고, 재조정하는 경우에는, 의사 도포를 실시한 경우의 제 3 압력 파형에 기초하여 토출 제어 파라미터를 재조정한다. 제 4 조정 공정 (S4) 에서는, 제 3 조정 공정 (S3) 에 의해 재조정된 토출 제어 파라미터에 따라서 실도포를 실시한 경우의 제 4 압력 파형에 기초하여, 토출 제어 파라미터를 재조정할지 여부를 판정하고, 재조정하는 경우에는, 실도포를 실시한 경우의 제 5 압력 파형에 기초하여, 토출 제어 파라미터를 재조정한다.(Problem) Provide a technology that can appropriately adjust discharge control parameters according to the environment in which processing liquid is actually discharged onto a substrate while suppressing substrate consumption.
(Solution) In the first adjustment process (S1), the discharge control parameter is adjusted based on the first pressure waveform when pseudo application is performed. In the third adjustment process (S3), it is determined whether to readjust the discharge control parameter based on the second pressure waveform when actual application is performed according to the discharge control parameter adjusted in the first adjustment process (S1), In the case of readjustment, the discharge control parameters are readjusted based on the third pressure waveform when pseudo application was performed. In the fourth adjustment step (S4), it is determined whether to readjust the discharge control parameter based on the fourth pressure waveform when actual application is performed according to the discharge control parameter readjusted in the third adjustment step (S3), In the case of readjustment, the discharge control parameters are readjusted based on the fifth pressure waveform when actual application was performed.
Description
본 명세서에서 개시되는 주제는, 제어 파라미터 조정 방법, 프로그램 및 기록 매체에 관한 것이다.The subject matter disclosed in this specification relates to control parameter adjustment methods, programs, and recording media.
플랫 패널 디스플레이 (FPD) 의 제조 공정에서는, 코터로 불리는 기판 처리 장치가 사용되는 경우가 있다. 코터는, 유리 등의 기판에 대해, 노즐로부터 레지스트액 등의 처리액을 토출시키면서, 기판에 대해 노즐을 주사시킨다. 코터는, 레지스트액 등의 처리액에 압력을 부여함으로써, 노즐로부터 처리액을 토출한다. 또한, 이동 기구가 노즐에 대하여 기판을 상대적으로 이동시킴으로써, 기판의 표면에 처리액의 도포막이 형성된다.In the manufacturing process of a flat panel display (FPD), a substrate processing device called a coater is sometimes used. The coater scans the nozzle with respect to the substrate while discharging a processing liquid, such as a resist liquid, from the nozzle onto the substrate, such as glass. The coater applies pressure to the processing liquid, such as a resist liquid, and discharges the processing liquid from the nozzle. Additionally, when the moving mechanism moves the substrate relative to the nozzle, a coating film of the processing liquid is formed on the surface of the substrate.
이러한 종류의 기판 처리 장치에 있어서는, 기판 전체에 걸쳐, 도포막의 막 두께를 균일하게 하는 것이 요구되는 경우가 있다. 막 두께를 균일하게 하기 위해서, 토출 제어 파라미터의 조정이 적절히 행해진다. 이 조정 작업에서는, 예를 들면, 기술자가 육안으로 토출 압력의 파형을 확인하면서, 복수의 토출 제어 파라미터의 조정을 실시한다. 이 때문에, 조정 작업은, 기술자의 지식이나 경험에 의존하는 바가 크다. 따라서, 토출 제어 파라미터의 조정은, 기술자의 많은 시간과 노력을 필요로 한다. 또, 처리액이나 기판을 대량으로 소비해 버릴 우려가 있다. 그 때문에, 제어 파라미터를 효율적으로 조정하는 기술이 지금까지도 제안되고 있다.In this type of substrate processing apparatus, it is sometimes required to make the film thickness of the coating film uniform across the entire substrate. In order to make the film thickness uniform, the discharge control parameters are appropriately adjusted. In this adjustment work, for example, a technician adjusts a plurality of discharge control parameters while visually checking the waveform of the discharge pressure. For this reason, the adjustment work largely depends on the technician's knowledge and experience. Therefore, adjustment of discharge control parameters requires a lot of time and effort from technicians. Additionally, there is a risk of consuming a large amount of processing liquid or substrate. For this reason, techniques for efficiently adjusting control parameters have been proposed to this day.
예를 들어 특허문헌 1 에는, 기판 이외에 처리액을 토출하는 의사 (疑似) 토출 공정과, 의사 토출 공정에 있어서의 처리액의 토출 특성을 계측하는 토출 특성 계측 공정과, 계측된 토출 특성이 목표 특성으로부터 어긋난 것의 상태량을 도출하는 상태량 도출 공정과, 파라미터의 변경에 수반되는 상태량의 변화를 기계 학습하여 학습 모델을 구축하는 학습 공정을 갖는 기판 처리 방법에 대해 기재되어 있다. 이 기판 처리 방법에서는, 상태량이 소정의 허용 범위를 초과하고 있는 동안, 학습 모델에 기초하여 파라미터를 변경한 후에, 의사 토출 공정, 토출 특성 계측 공정, 상태량 도출 공정 및 학습 공정을 반복하여 실행하는 한편, 상태량이 허용 범위에 들어가면, 마지막으로 변경된 파라미터를 처리액 공급 공정에서 처리액을 토출할 때의 파라미터로서 설정한다.For example, in Patent Document 1, a simulated discharge process for discharging a processing liquid other than a substrate, a discharge characteristics measurement process for measuring the discharge characteristics of the processing liquid in the simulated discharge process, and the measured discharge characteristics are target characteristics. It describes a substrate processing method having a state quantity derivation process for deriving the state quantity of a deviation from , and a learning process for building a learning model by machine learning the change in the state quantity accompanying a change in the parameter. In this substrate processing method, while the state quantity exceeds a predetermined allowable range, the parameters are changed based on the learning model, and then the pseudo discharge process, discharge characteristic measurement process, state quantity derivation process, and learning process are repeatedly executed. , If the state quantity falls within the allowable range, the last changed parameter is set as the parameter when discharging the processing liquid in the processing liquid supply process.
특허문헌 1 에서는, 토출 제어 파라미터를 의사 토출에 기초하여 조정하기 때문에, 기판의 소비를 억제하는 것이 가능하다. 그러나 의사 토출은, 실제로 기판에 처리액을 토출하는 경우와는 노즐 주위의 환경 등의 여러 가지 조건이 상이하다. 이 때문에, 의사 토출에 의해 조정된 토출 제어 파라미터를 사용한 경우, 실제로 기판에 처리액을 도포할 때에 이상적인 압력 파형을 재현하는 것이 곤란한 경우가 있었다.In Patent Document 1, since the discharge control parameters are adjusted based on simulated discharge, it is possible to suppress consumption of the substrate. However, in the case of pseudo discharge, various conditions such as the environment around the nozzle are different from those in which the processing liquid is actually discharged onto the substrate. For this reason, when discharge control parameters adjusted by pseudo discharge are used, it may be difficult to reproduce an ideal pressure waveform when actually applying the processing liquid to the substrate.
본 발명의 목적은, 기판의 소비를 억제하면서, 실제로 기판에 처리액을 토출하는 환경에 맞춰 토출 제어 파라미터를 적절히 조정할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.The purpose of the present invention is to provide a technology that can appropriately adjust discharge control parameters according to the environment in which processing liquid is actually discharged to a substrate while suppressing substrate consumption.
상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태는, 노즐로부터의 처리액의 토출을 제어하기 위한 토출 제어 파라미터를 조정하는 제어 파라미터 조정 방법으로서, a) 노즐로부터 기판 이외의 지점에 처리액을 토출하는 의사 도포를 실시한 경우의, 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 1 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 조정하는 공정과, b) 상기 공정 a) 에 의해 조정된 상기 토출 제어 파라미터에 따라서, 상기 노즐로부터 기판에 처리액을 토출하는 실도포를 실시한 경우의, 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 2 압력 파형을 취득하는 공정과, c) 상기 제 2 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정할지 여부를 판정하는 공정과, d) 상기 공정 c) 에 의해 재조정한다고 판정된 경우, 상기 의사 도포를 실시한 경우의 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 3 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정하는 공정과, e) 상기 공정 d) 에 의해 재조정된 상기 토출 제어 파라미터에 따라서, 상기 실도포를 실시한 경우의 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 4 압력 파형을 취득하는 공정과, f) 상기 제 4 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정할지 여부를 판정하는 공정과, g) 상기 공정 f) 에 의해 재조정한다고 판정된 경우, 상기 실도포를 실시한 경우의 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 5 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정하는 공정을 포함한다.In order to solve the above problem, the first aspect is a control parameter adjustment method for adjusting a discharge control parameter for controlling the discharge of a processing liquid from a nozzle, comprising: a) a pseudo-discharge method of discharging the processing liquid from the nozzle to a point other than the substrate; a step of adjusting the discharge control parameter based on a first pressure waveform representing a change in pressure within the nozzle when application is performed; b) adjusting the discharge control parameter of the nozzle according to the discharge control parameter adjusted by step a); a process of acquiring a second pressure waveform representing a change in pressure within the nozzle when actual application of discharging a processing liquid onto a substrate is performed; and c) readjusting the discharge control parameter based on the second pressure waveform. a step of determining whether or not to readjust, and d) when it is determined to readjust by the step c), readjusting the discharge control parameter based on a third pressure waveform representing a change in pressure within the nozzle when the pseudo application is performed. a process; e) a process of acquiring a fourth pressure waveform indicating a change in pressure within the nozzle when the actual application is performed according to the discharge control parameter readjusted by the process d); and f) the fourth pressure. a step of determining whether to readjust the discharge control parameter based on the waveform; g) when it is determined to readjust by the step f), a fifth pressure representing a change in pressure within the nozzle when the actual application is performed; and a process of readjusting the discharge control parameters based on the waveform.
제 2 양태는, 제 1 양태의 제어 파라미터 조정 방법으로서, h) 상기 노즐에 대한 상기 기판의 상대적인 이동을 제어하기 위한 이동 제어 파라미터를 조정하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 실도포는, 상기 공정 h) 에 의해 조정된 이동 제어 파라미터에 따라서 상기 기판을 상기 노즐에 대해 상대적으로 이동시키면서, 상기 노즐로부터 상기 기판에 처리액을 토출한다.The second aspect is the control parameter adjustment method of the first aspect, further comprising the step of h) adjusting a movement control parameter for controlling the relative movement of the substrate with respect to the nozzle, wherein the actual application includes the process h) The processing liquid is discharged from the nozzle to the substrate while moving the substrate relative to the nozzle according to the movement control parameter adjusted by.
제 3 양태는, 제 1 양태 또는 제 2 양태의 제어 파라미터 조정 방법으로서, 상기 공정 h) 는, 상기 노즐에 대한 상기 기판의 상대 속도의 변화를 나타내는 속도 파형에 기초하여, 상기 이동 제어 파라미터가 조정된다.A third aspect is the control parameter adjustment method of the first aspect or the second aspect, wherein the step h) includes adjusting the movement control parameter based on a speed waveform representing a change in the relative speed of the substrate with respect to the nozzle. do.
제 4 양태는, 컴퓨터가 실행 가능한 프로그램으로서, 상기 컴퓨터에 제 1 양태 또는 제 2 양태의 제어 파라미터 조정 방법을 실행시킨다.The fourth aspect is a computer-executable program that causes the computer to execute the control parameter adjustment method of the first aspect or the second aspect.
제 5 양태는, 컴퓨터가 판독 가능한 기록 매체로서, 제 4 양태의 프로그램이 기록되어 있다.The fifth aspect is a computer-readable recording medium on which the program of the fourth aspect is recorded.
제 1 양태 내지 제 4 양태의 제어 파라미터 조정 방법에 의하면, 의사 도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여 토출 제어 파라미터를 조정 및 재조정함으로써, 기판의 소비를 억제할 수 있다. 또한, 의사 도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여 조정된 토출 제어 파라미터를, 실도포에 의해 얻어지는 제 5 압력 파형에 기초하여 재조정함으로써, 실도포에 맞도록 토출 제어 파라미터를 조정할 수 있다.According to the control parameter adjustment method of the first to fourth aspects, consumption of the substrate can be suppressed by adjusting and readjusting the discharge control parameter based on the pressure waveform obtained by pseudo application. Additionally, the discharge control parameters adjusted based on the pressure waveform obtained by simulated application can be readjusted based on the fifth pressure waveform obtained by actual application, so that the discharge control parameter can be adjusted to suit actual application.
제 2 양태의 제어 파라미터 조정 방법에 의하면, 이동 제어 파라미터를 조정함으로써, 기판에 대한 도포를 적절히 실시할 수 있다.According to the control parameter adjustment method of the second aspect, application to the substrate can be appropriately performed by adjusting the movement control parameter.
제 3 양태의 제어 파라미터 조정 방법에 의하면, 속도 파형에 기초하여, 이동 제어 파라미터를 적절히 조정할 수 있다.According to the control parameter adjustment method of the third aspect, the movement control parameters can be appropriately adjusted based on the speed waveform.
도 1 은, 실시형태에 관련된 도포 장치의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2 는, 처리액 공급 기구의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 펌프의 작동 디스크부의 이동 패턴을 나타내는 그래프이다.
도 4 는, 제어 유닛의 구성예를 나타내는 블록도이다.
도 5 는, 제어 유닛이 제어 파라미터를 조정하는 흐름을 나타내는 도면이다.
도 6 은, 도 5 에 나타내는 제 1 조정 공정의 상세를 나타내는 플로차트이다.
도 7 은, 도 5 에 나타내는 제 2 조정 공정의 상세를 나타내는 플로차트이다.
도 8 은, 도 5 에 나타내는 제 3 조정 공정의 상세를 나타내는 플로차트이다.
도 9 는, 제 2 이상 파형의 설정예를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 도 5 에 나타내는 제 4 조정 공정의 상세를 나타내는 플로차트이다.1 is a diagram schematically showing the overall configuration of the coating device according to the embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply mechanism.
FIG. 3 is a graph showing the movement pattern of the operating disk portion of the pump shown in FIG. 2.
Fig. 4 is a block diagram showing a configuration example of a control unit.
Fig. 5 is a diagram showing a flow in which a control unit adjusts control parameters.
FIG. 6 is a flowchart showing details of the first adjustment process shown in FIG. 5.
FIG. 7 is a flowchart showing details of the second adjustment process shown in FIG. 5.
FIG. 8 is a flowchart showing details of the third adjustment process shown in FIG. 5.
Fig. 9 is a diagram showing a setting example of the second abnormal waveform.
FIG. 10 is a flowchart showing details of the fourth adjustment process shown in FIG. 5.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해 용이를 위해, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention will be described with reference to the attached drawings. In addition, the components described in this embodiment are merely examples and are not intended to limit the scope of the present invention to these only. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions or number of each part may be exaggerated or simplified as necessary.
<1. 실시형태><1. Embodiment>
도 1 은, 실시형태에 관련된 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도포 장치 (1) 는, 기판 (S) 의 상면 (Sf) 에 처리액을 도포하는 기판 처리 장치이다. 기판 (S) 은, 예를 들면, 액정 표시 장치용의 유리 기판이다. 또한, 기판 (S) 은, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 유리 기판, 자기·광 디스크용의 유리 또는 세라믹 기판, 유기 EL 용 유리 기판, 태양 전지용 유리 기판 또는 실리콘 기판, 그 외 플렉시블 기판 및 프린트 기판 등의 전자 기기용의 각종 피처리 기판이어도 된다. 도포 장치 (1) 는, 예를 들어 슬릿 코터이다.1 is a diagram schematically showing the overall configuration of the coating device 1 according to the embodiment. The coating device 1 is a substrate processing device that applies a processing liquid to the upper surface Sf of the substrate S. The substrate S is, for example, a glass substrate for a liquid crystal display device. Additionally, the substrate (S) may be a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a plasma display, a glass or ceramic substrate for a magnetic/optical disk, a glass substrate for organic EL, a glass substrate or silicon substrate for a solar cell, etc. It may be a variety of substrates to be processed for electronic devices, such as flexible substrates and printed circuit boards. The coating device 1 is, for example, a slit coater.
도 1 에 있어서는, 도포 장치 (1) 의 각 요소의 배치 관계를 설명하기 위해, XYZ 좌표계를 정의하고 있다. 기판 (S) 의 이동 방향은, 「X 방향」이다. X 방향에 있어서 기판 (S) 이 진행하는 방향 (이동 방향의 하류를 향하는 쪽) 이 +X 방향, 그 반대 방향 (이동 방향의 상류를 향하는 쪽) 이 -X 방향이다. 또한, X 방향에 직교하는 방향은 Y 방향이고, X 방향 및 Y 방향에 직교하는 방향은 Z 방향이다. 이하의 설명에서는, Z 방향을 연직 방향으로 하고, X 방향 및 Y 방향을 수평 방향으로 한다. Z 방향에 있어서, +Z 방향을 상방향, -Z 방향을 하방향으로 한다.In FIG. 1, in order to explain the arrangement relationship of each element of the coating device 1, an XYZ coordinate system is defined. The direction of movement of the substrate S is “X direction.” In the Additionally, the direction perpendicular to the X direction is the Y direction, and the direction perpendicular to the X and Y directions is the Z direction. In the following description, the Z direction is taken as the vertical direction, and the X and Y directions are taken as the horizontal directions. In the Z direction, the +Z direction is referred to as the upward direction, and the -Z direction is referred to as the downward direction.
도포 장치 (1) 는, +X 방향을 향해 순서대로, 입력 컨베이어 (100) 와, 입력 이재부 (移載部) (2) 와, 부상 스테이지부 (3) 와, 출력 이재부 (4) 와, 출력 컨베이어 (110) 를 구비하고 있다. 입력 컨베이어 (100) 와, 입력 이재부 (2) 와, 부상 스테이지부 (3) 와, 출력 이재부 (4) 와, 출력 컨베이어 (110) 는, 기판 (S) 이 통과하는 이동 경로를 구성한다. 또한, 도포 장치 (1) 는, 이동 기구 (5) 와, 도포 기구 (7) 와, 처리액 공급 기구 (8) 와, 제어 유닛 (9) 을 추가로 구비한다.The applicator 1 includes, in order in the +X direction, an input conveyor 100, an input transfer part 2, a floating stage part 3, and an output transfer part 4. , and is equipped with an output conveyor (110). The input conveyor 100, the input transfer part 2, the floating stage part 3, the output transfer part 4, and the output conveyor 110 constitute a movement path through which the substrate S passes. . In addition, the applicator 1 further includes a moving mechanism 5, an applicator 7, a treatment liquid supply mechanism 8, and a control unit 9.
기판 (S) 은, 상류측으로부터 입력 컨베이어 (100) 에 반송된다. 입력 컨베이어 (100) 는, 롤러 컨베이어 (101) 와, 회전 구동 기구 (102) 를 구비하고 있다. 회전 구동 기구 (102) 는, 롤러 컨베이어 (101) 의 각 롤러를 회전시킨다. 롤러 컨베이어 (101) 의 각 롤러의 회전에 의해, 기판 (S) 은, 수평 자세로 하류 (+X 방향) 로 반송된다. 「수평 자세」란, 기판 (S) 의 주면 (면적이 최대의 면) 이 수평면 (XY 평면) 에 대하여 평행한 상태를 말한다.The substrate S is conveyed to the input conveyor 100 from the upstream side. The input conveyor 100 is provided with a roller conveyor 101 and a rotation drive mechanism 102. The rotation drive mechanism 102 rotates each roller of the roller conveyor 101. By rotation of each roller of the roller conveyor 101, the substrate S is conveyed downstream (+X direction) in a horizontal position. “Horizontal posture” refers to a state in which the main surface (the surface with the largest area) of the substrate S is parallel to the horizontal plane (XY plane).
입력 이재부 (2) 는, 롤러 컨베이어 (21) 와 회전·승강 구동 기구 (22) 를 구비하고 있다. 회전·승강 구동 기구 (22) 는, 롤러 컨베이어 (21) 의 각 롤러를 회전시킴과 함께, 롤러 컨베이어 (21) 를 승강시킨다. 롤러 컨베이어 (21) 의 회전에 의해, 기판 (S) 은, 수평 자세로 하류 (+X 방향) 로 반송된다. 또한, 롤러 컨베이어 (21) 의 승강에 의해, 기판 (S) 의 Z 방향에 있어서의 위치가 변경된다. 기판 (S) 은, 입력 컨베이어 (100) 로부터 입력 이재부 (2) 를 통하여 부상 스테이지부 (3) 로 옮겨진다.The input transfer part 2 is provided with a roller conveyor 21 and a rotation/elevation drive mechanism 22. The rotation/elevation drive mechanism 22 rotates each roller of the roller conveyor 21 and raises and lowers the roller conveyor 21. By rotation of the roller conveyor 21, the substrate S is conveyed downstream (+X direction) in a horizontal position. Additionally, the position of the substrate S in the Z direction changes as the roller conveyor 21 moves up and down. The substrate S is transferred from the input conveyor 100 to the floating stage unit 3 through the input transfer unit 2.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 부상 스테이지부 (3) 는, 대략 평판상이다. 부상 스테이지부 (3) 는, X 방향을 따라 3 분할되어 있다. 부상 스테이지부 (3) 는, +X 방향을 향해 순서대로, 입구 부상 스테이지 (31) 와, 도포 스테이지 (32) 와, 출구 부상 스테이지 (33) 를 구비하고 있다. 입구 부상 스테이지 (31) 의 상면, 도포 스테이지 (32) 의 상면, 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 상면은, 동일 평면 상에 있다. 부상 스테이지부 (3) 는, 리프트 핀 구동 기구 (34) 와, 부상 제어 기구 (35) 와, 승강 구동 기구 (36) 를 추가로 구비하고 있다. 입구 부상 스테이지 (31) 에는, 복수의 리프트 핀이 배치되어 있다. 리프트 핀 구동 기구 (34) 는, 복수의 리프트 핀을 승강시킨다. 부상 제어 기구 (35) 는, 기판 (S) 을 부상시키기 위한 압축 공기를, 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32), 및 출구 부상 스테이지 (33) 에 공급한다. 승강 구동 기구 (36) 는, 출구 부상 스테이지 (33) 를 승강시킨다.As shown in FIG. 1, the floating stage portion 3 is substantially flat. The floating stage portion 3 is divided into three along the X direction. The floating stage unit 3 is provided with an inlet floating stage 31, an application stage 32, and an outlet floating stage 33 in that order toward the +X direction. The upper surface of the inlet floating stage 31, the upper surface of the application stage 32, and the upper surface of the outlet floating stage 33 are on the same plane. The levitation stage unit 3 is further equipped with a lift pin drive mechanism 34, a levitation control mechanism 35, and an elevation drive mechanism 36. A plurality of lift pins are arranged on the entrance floating stage 31. The lift pin driving mechanism 34 raises and lowers a plurality of lift pins. The floating control mechanism 35 supplies compressed air for floating the substrate S to the inlet floating stage 31, the application stage 32, and the outlet floating stage 33. The lifting/lowering drive mechanism 36 raises/lowers the exit floating stage 33.
입구 부상 스테이지 (31) 의 상면, 및, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상면에는, 부상 제어 기구 (35) 로부터 공급되는 압축 공기를 분출하는 다수의 분출 구멍이 매트릭스상으로 배치되어 있다. 각 분출 구멍으로부터 압축 공기가 분출되면, 기판 (S) 이 부상 스테이지부 (3) 에 대하여 상방으로 부상한다. 그러면, 기판 (S) 의 하면 (Sb) 이 부상 스테이지부 (3) 의 상면으로부터 이간되면서, 수평 자세로 지지된다. 기판 (S) 이 부상한 상태에 있어서의, 기판 (S) 의 하면 (Sb) 과 부상 스테이지부 (3) 의 상면 사이의 거리 (부상량) 는, 바람직하게는 10 ㎛ 이상이다. 당해 거리는, 바람직하게는 500 ㎛ 이하이다.On the upper surface of the inlet floating stage 31 and the upper surface of the outlet floating stage 33, a plurality of blowing holes for blowing out compressed air supplied from the floating control mechanism 35 are arranged in a matrix. When compressed air is blown out from each blowing hole, the substrate S floats upward with respect to the floating stage part 3. Then, the lower surface Sb of the substrate S is separated from the upper surface of the floating stage portion 3 and is supported in a horizontal position. The distance (floating amount) between the lower surface Sb of the substrate S and the upper surface of the floating stage portion 3 when the substrate S is in a floating state is preferably 10 μm or more. The distance is preferably 500 μm or less.
도포 스테이지 (32) 의 상면에는, 부상 제어 기구 (35) 로부터 공급되는 압축 공기를 분출하는 분출 구멍과, 기체를 흡인하는 흡인 구멍이, X 방향 및 Y 방향에 있어서, 교대로 배치되어 있다. 부상 제어 기구 (35) 는, 분출 구멍으로부터의 압축 공기의 분출량과, 흡인 구멍으로부터의 공기의 흡인량을 제어한다. 이로써, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 통과하는 기판 (S) 의 상면 (Sf) 의 Z 방향에 있어서의 위치가 규정값이 되도록, 도포 스테이지 (32) 에 대한 기판 (S) 의 부상량이 정밀하게 제어된다. 또한, 도포 스테이지 (32) 에 대한 기판 (S) 의 부상량은, 후술하는 센서 (61) 또는 센서 (62) 의 검출 결과에 기초하여, 제어 유닛 (9) 에 의해 산출된다. 또, 도포 스테이지 (32) 에 대한 기판 (S) 의 부상량은, 바람직하게는 기류 제어에 의해서 고정밀도로 조정 가능하게 된다.On the upper surface of the application stage 32, blowing holes for blowing out compressed air supplied from the levitation control mechanism 35 and suction holes for sucking in gas are alternately arranged in the X and Y directions. The levitation control mechanism 35 controls the blowing amount of compressed air from the blowing hole and the suction amount of air from the suction hole. As a result, the amount of floating of the substrate S relative to the application stage 32 is precisely adjusted so that the position in the Z direction of the upper surface Sf of the substrate S passing above the application stage 32 is a specified value. It is controlled. In addition, the floating amount of the substrate S with respect to the application stage 32 is calculated by the control unit 9 based on the detection result of the sensor 61 or sensor 62 described later. In addition, the amount of floating of the substrate S on the application stage 32 can preferably be adjusted with high precision by airflow control.
부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (S) 은, 롤러 컨베이어 (21) 로부터 +X 방향으로의 추진력이 부여되어, 입구 부상 스테이지 (31) 상에 반송된다. 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32) 및 출구 부상 스테이지 (33) 는, 기판 (S) 을 부상 상태로 지지한다. 부상 스테이지부 (3) 로서, 예를 들어, 일본 특허 제5346643호에 기재된 구성이 채용되어도 된다.The substrate S loaded into the floating stage unit 3 is given a driving force in the +X direction from the roller conveyor 21 and is conveyed on the entrance floating stage 31. The entrance floating stage 31, the application stage 32, and the exit floating stage 33 support the substrate S in a floating state. As the floating stage portion 3, for example, the configuration described in Japanese Patent No. 5346643 may be adopted.
이동 기구 (5) 는, 부상 스테이지부 (3) 의 하방에 배치되어 있다. 이동 기구 (5) 는, 척 기구 (51) 와, 흡착·주행 기구 (52) 를 구비한다. 척 기구 (51) 는, 흡착 부재에 형성된 흡착 패드 (도시 생략) 를 구비하고 있다. 척 기구 (51) 는 흡착 패드를 기판 (S) 의 하면 (Sb) 의 주연부에 맞닿게 한 상태로, 기판 (S) 을 하측으로부터 지지한다. 흡착·주행 기구 (52) 는, 흡착 패드에 부압을 부여함으로써, 기판 (S) 을 흡착 패드에 흡착시킨다. 또한, 흡착·주행 기구 (52) 는, 척 기구 (51) 를 X 방향으로 왕복 주행시킨다.The moving mechanism 5 is arranged below the floating stage portion 3. The moving mechanism 5 includes a
척 기구 (51) 는, 기판 (S) 의 하면 (Sb) 이 부상 스테이지부 (3) 의 상면보다 높은 위치에 위치하는 상태로, 기판 (S) 을 유지한다. 척 기구 (51) 에 의해 기판 (S) 의 주연부가 유지된 상태로, 기판 (S) 은, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부여되는 부력에 의해 수평 자세를 유지한다.The
도 1 에 나타내는 바와 같이, 도포 장치 (1) 는, 판두께 측정용 센서(61) 를 구비하고 있다. 센서 (61) 는, 롤러 컨베이어 (21) 의 근방에 배치되어 있다. 센서 (61) 는, 척 기구 (51) 에 유지된 기판 (S) 의 상면 (Sf) 의 Z 방향에 있어서의 위치를 검출한다. 또한, 센서 (61) 의 바로 아래에 기판 (S) 을 유지하고 있지 않은 상태의 척 (도시 생략) 이 위치함으로써, 센서 (61) 는 흡착 부재의 상면인 흡착면의 연직 방향 Z 에 있어서의 위치를 검출 가능하게 되어 있다.As shown in FIG. 1, the coating device 1 is equipped with a sensor 61 for measuring plate thickness. The sensor 61 is arranged near the roller conveyor 21. The sensor 61 detects the position of the upper surface Sf of the substrate S held by the
척 기구 (51) 는, 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (S) 을 유지하면서, +X 방향으로 이동한다. 이것에 의해, 기판 (S) 이 입구 부상 스테이지 (31) 의 상방으로부터 도포 스테이지 (32) 의 상방을 경유하여, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로 반송된다. 그리고, 기판 (S) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 로부터 출력 이재부 (4) 로 이동된다.The
출력 이재부 (4) 는, 기판 (S) 을 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방의 위치로부터 출력 컨베이어 (110) 로 이동시킨다. 출력 이재부 (4) 는, 롤러 컨베이어 (41) 와 회전·승강 구동 기구 (42) 를 구비하고 있다. 회전·승강 구동 기구 (42) 는, 롤러 컨베이어 (41) 를 회전 구동함과 함께, 롤러 컨베이어 (41) 를 Z 방향을 따라 승강시킨다. 롤러 컨베이어 (41) 의 각 롤러가 회전함으로써, 기판 (S) 이 +X 방향으로 이동한다. 또한, 롤러 컨베이어 (41) 가 승강함으로써, 기판 (S) 이 Z 방향으로 변위한다.The output transfer unit 4 moves the substrate S from a position above the exit floating stage 33 to the output conveyor 110. The output transfer unit 4 is provided with a roller conveyor 41 and a rotation/elevation drive mechanism 42. The rotation/elevation drive mechanism 42 rotates the roller conveyor 41 and elevates the roller conveyor 41 along the Z direction. As each roller of the roller conveyor 41 rotates, the substrate S moves in the +X direction. Additionally, as the roller conveyor 41 moves up and down, the substrate S is displaced in the Z direction.
출력 컨베이어 (110) 는, 롤러 컨베이어 (111) 와, 회전 구동 기구 (112) 를 구비하고 있다. 출력 컨베이어 (110) 는, 롤러 컨베이어 (111) 의 각 롤러의 회전에 의해 기판 (S) 을 +X 방향으로 반송하고, 기판 (S) 을 도포 장치 (1) 밖으로 내보낸다. 또한, 입력 컨베이어 (100) 및 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 일부이다. 단, 입력 컨베이어 (100) 및 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 와는 다른 장치에 조합되어 있어도 된다.The output conveyor 110 is provided with a roller conveyor 111 and a rotation drive mechanism 112. The output conveyor 110 conveys the substrate S in the +X direction by rotating each roller of the roller conveyor 111, and sends the substrate S out of the coating device 1. Additionally, the input conveyor 100 and the output conveyor 110 are part of the coating device 1. However, the input conveyor 100 and the output conveyor 110 may be combined in a device different from the coating device 1.
도포 기구 (7) 는, 기판 (S) 의 상면 (Sf) 에 처리액을 도포한다. 도포 기구 (7) 는, 기판 (S) 의 이동 경로의 상방에 배치되어 있다. 도포 기구 (7) 는, 노즐 (71) 을 갖는다. 노즐 (71) 은, 하면에 슬릿상의 토출구를 갖는 슬릿 노즐이다. 노즐 (71) 은, 위치 결정 기구 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 위치 결정 기구는, 노즐 (71) 을, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 도포 위치 (도 1 중, 실선으로 나타내는 위치) 와, 후술하는 메인터넌스 위치의 사이에서 이동시킨다. 처리액 공급 기구 (8) 는, 노즐 (71) 에 접속되어 있다. 처리액 공급 기구 (8) 가 노즐 (71) 에 처리액을 공급함으로써, 노즐 (71) 의 하면에 배치된 토출구로부터 처리액이 토출된다.The application mechanism 7 applies the treatment liquid to the upper surface Sf of the substrate S. The application mechanism 7 is disposed above the movement path of the substrate S. The application mechanism 7 has a
도포 장치 (1) 에서는, 처리액을 토출하는 노즐 (71) 에 대하여, 이동 기구 (5) 가 기판 (S) 을 이동시킴으로써, 기판 (S) 에 처리액이 도포된다. 그러나, 이동 기구 (5) 가, 일정 위치에 배치된 기판 (S) 에 대하여 노즐 (71) 을 이동시키도록 구성되어 있어도 된다. 또, 이동 기구 (5) 가, 노즐 (71) 및 기판 (S) 의 쌍방을 이동시키도록 구성되어도 된다. 이 경우, 기판 (S) 의 이동 방향은, 노즐 (71) 의 이동 방향과 반대여도 된다. 또한, 기판 (S) 의 이동 방향은, 노즐 (71) 의 이동 방향과 동일해도 된다. 이 경우, 반송되는 기판 (S) 의 속도보다 빠른 속도로 노즐 (71) 이 기판 (S) 을 따라가도록, 이동 기구 (5) 가 노즐 (71) 및 기판 (S) 을 반송해도 된다.In the coating device 1, the processing liquid is applied to the substrate S by the movement mechanism 5 moving the substrate S relative to the
도 2 는, 처리액 공급 기구 (8) 의 구성을 나타내는 도면이다. 처리액 공급 기구 (8) 는, 펌프 (81) 와, 배관 (82) 과, 처리액 보충 유닛 (83) 과, 배관 (84) 과, 개폐 밸브 (85) 와, 압력계 (86) 와, 구동부 (87) 를 구비하고 있다. 펌프 (81) 는, 처리액을 노즐 (71) 에 송급하기 위한 송급원이며, 체적 변화에 의해 처리액을 송급한다. 펌프 (81) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평10-61558호에 기재된 벨로우즈 타입의 펌프여도 된다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 펌프 (81) 는, 직경 방향에 있어서 자유롭게 탄성 팽창 수축할 수 있는 가요성 튜브 (811) 를 갖는다. 가요성 튜브 (811) 의 일방의 단은, 배관 (82) 을 통하여 처리액 보충 유닛 (83) 과 접속된다. 가요성 튜브 (811) 의 타방의 단은, 배관 (84) 을 통하여 노즐 (71) 과 접속된다.FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the processing liquid supply mechanism 8. The processing liquid supply mechanism 8 includes a
펌프 (81) 는, 축 방향에 있어서 자유롭게 탄성 변형할 수 있는 벨로우즈 (812) 를 갖는다. 벨로우즈 (812) 는, 소형 벨로우즈부 (813) 와, 대형 벨로우즈부 (814) 와, 펌프실 (815) 과, 작동 디스크부 (816) 를 갖는다. 펌프실 (815) 은, 가요성 튜브 (811) 와 벨로우즈 (812) 사이에 위치한다. 펌프실 (815) 에는, 비압축성 매체가 봉입된다. 작동 디스크부 (816) 는, 구동부 (87) 에 접속된다.The
처리액 보충 유닛 (83) 은, 처리액을 저류하는 저류 탱크 (831) 를 갖는다. 저류 탱크 (831) 는, 배관 (82) 을 통해 펌프 (81) 와 접속된다. 배관 (82) 에는, 개폐 밸브 (833) 가 삽입 형성된다. 개폐 밸브 (833) 는, 제어 유닛 (9) 으로부터의 지령에 따라서 개폐된다. 개폐 밸브 (833) 가 열리면, 저류 탱크 (831) 로부터 펌프 (81) 의 가요성 튜브 (811) 로의 처리액의 보급이 가능해진다. 또한, 개폐 밸브 (833) 가 닫히면, 저류 탱크 (831) 로부터 펌프 (81) 의 가요성 튜브 (811) 로의 처리액의 보충이 규제된다.The processing liquid replenishment unit 83 has a storage tank 831 that stores the processing liquid. The storage tank 831 is connected to the
배관 (84) 은, 펌프 (81) 의 출력측에 접속되어 있다. 개폐 밸브 (85) 는, 배관 (84) 에 삽입 형성되어 있다. 개폐 밸브 (85) 는, 제어 유닛 (9) 으로부터의 지령에 따라서 개폐된다. 개폐 밸브 (85) 가 개폐됨으로써, 노즐 (71) 에 대한 처리액의 송액과 송액 정지가 전환된다. 압력계 (86) 는, 배관 (84) 에 배치되어 있다. 압력계 (86) 는, 노즐 (71) 에 송액되는 처리액의 압력 (토출 압력) 을 검출하고, 검출한 압력값을 나타내는 신호를 제어 유닛 (9) 에 출력한다.The pipe 84 is connected to the output side of the
도 3 은, 도 2 에 나타내는 펌프 (81) 의 작동 디스크부 (816) 의 이동 패턴을 나타내는 그래프이다. 도 3 중, 횡축은 시각을 나타내고 있고, 종축은 작동 디스크부 (816) 의 이동 속도를 나타낸다. 구동부 (87) 는, 제어 유닛 (9) 으로부터의 지령에 따라서, 도 3 에 나타내는 바와 같은 이동 패턴 (시간 경과에 대한 작동 디스크부 (816) 의 속도의 변화를 나타내는 패턴) 으로 작동 디스크부 (816) 를 축 방향으로 변위시킨다. 작동 디스크부 (816) 의 변위에 의해, 벨로우즈 (812) 의 내측의 용적이 변화한다. 이것에 의해, 가요성 튜브 (811) 가 직경 방향으로 팽창 수축하여 펌프 동작을 실행해서, 처리액 보충 유닛 (83) 으로부터 보급되는 처리액이 노즐 (71) 을 향해 송급된다. 작동 디스크부 (816) 의 이동 패턴은, 노즐 (71) 로부터 토출되는 처리액의 토출 특성과 밀접하게 관계하고 있기 때문에, 이동 패턴에 따라서, 토출 압력의 시간 변화를 나타내는 압력 파형이 얻어진다. 또한, 토출 압력의 증감에 따라, 토출량 (노즐 (71) 로부터 토출되는 처리액의 양) 이 증감한다.FIG. 3 is a graph showing the movement pattern of the operating disk portion 816 of the
본 실시형태에서는, 작동 디스크부 (816) 의 이동을 규정하는 각종 파라미터 (가속 시간, 정상 (定常) 속도, 정상 속도 시간, 감속 시간 등) 를 조정함으로써, 노즐 (71) 로부터 토출되는 처리액의, 토출 압력의 압력 파형을 이상적인 파형과 일치 혹은 근사시키는 최적화 처리 (조정 처리) 가 적절히 실시된다. 이 최적화 처리에 대해서는, 이후에 상세하게 설명한다.In this embodiment, the processing liquid discharged from the
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급 기구 (8) 로부터 처리액이 공급되는 노즐 (71) 에는, 센서 (62) 가 배치된다. 센서 (62) 는, 기판 (S) 의 Z 방향에 있어서의 높이를 비접촉으로 검지한다. 센서 (62) 는, 제어 유닛 (9) 과 데이터 통신 가능하게 접속된다. 센서 (62) 의 검출 결과에 기초하여, 제어 유닛 (9) 은, 부상하고 있는 기판 (S) 과, 도포 스테이지 (32) 의 상면 사이의 거리 (이간 거리) 를 측정한다. 제어 유닛 (9) 은, 센서 (62) 에 의해 측정된 이간 거리에 기초하여, 위치 결정 기구에 의한 노즐 (71) 의 도포 위치를 조정한다. 또한, 센서 (62) 로는, 광학식 센서, 또는 초음파 센서를 채용할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , a sensor 62 is disposed at the
도포 기구 (7) 는, 노즐 세정 대기 유닛 (72) 을 구비하고 있다. 노즐 세정 대기 유닛 (72) 은, 메인터넌스 위치에 배치된 노즐 (71) 에 대해서 소정의 메인터넌스를 실시한다. 노즐 세정 대기 유닛 (72) 은, 롤러 (721) 와, 세정부 (722) 와, 롤러 배트 (723) 를 갖고 있다. 노즐 세정 대기 유닛 (72) 은, 노즐 (71) 에 대하여 세정 및 액 웅덩이의 형성을 실시함으로써, 노즐 (71) 의 토출구를 도포 처리에 적합한 상태로 정비한다. 또, 도포 장치 (1) 에 있어서는, 처리액에 가해지는 토출 압력을 평가하기 위해, 노즐 (71) 이 메인터넌스 위치 (의사 도포 위치) 에 배치된 상태, 즉, 노즐 (71) 의 토출구가 롤러 (721) 의 외주면에 대향하는 상태로, 노즐 (71) 로부터 롤러 (721) 의 외주면에 처리액을 토출한다. 이 때, 롤러 (721) 가 회전함으로써, 노즐 (71) 로부터 토출되는 처리액을, 이동하는 면에 도포할 수 있다. 즉, 이동하는 기판 (S) 에 도포하는 도포를 의사적으로 재현할 수 있다.The application mechanism 7 is equipped with a nozzle cleaning standby unit 72. The nozzle cleaning standby unit 72 performs predetermined maintenance on the
노즐 (71) 로부터 롤러 (721) 의 표면에 처리액을 토출하는 것은, 기판 (S) 이외의 지점에서 처리액을 토출하는 「의사 도포」라고 부른다. 또, 노즐 (71) 로부터 기판 (S) 에 처리액을 도포하는 것을, 「실도포」라고 부른다.Discharging the processing liquid from the
도 4 는, 제어 유닛 (9) 의 구성예를 나타내는 블록도이다. 제어 유닛 (9) 은, 도포 장치 (1) 의 각 요소의 동작을 제어한다. 제어 유닛 (9) 은, 컴퓨터로서, 연산부 (91) 와, 기억부 (93) 와, 사용자 인터페이스 (95) 를 구비하고 있다. 연산부 (91) 는, CPU (Central Processing Unit) 또는 GPU (Graphics Processing Unit) 등으로 구성되는 프로세서이다. 기억부 (93) 는, RAM (Random Access Memory) 등의 일과성의 기억 장치, 및 HDD (Hard Disk Drive) 및 SSD (Solid State Drive) 등의 비일과성의 보조 기억 장치로 구성된다.FIG. 4 is a block diagram showing a configuration example of the control unit 9. The control unit 9 controls the operation of each element of the applicator 1. The control unit 9 is a computer and includes an arithmetic unit 91, a storage unit 93, and a user interface 95. The calculation unit 91 is a processor comprised of a CPU (Central Processing Unit) or a GPU (Graphics Processing Unit). The storage unit 93 is comprised of a transient storage device such as RAM (Random Access Memory) and a non-transient auxiliary storage device such as a HDD (Hard Disk Drive) and an SSD (Solid State Drive).
사용자 인터페이스 (95) 는, 사용자에게 정보를 표시하는 디스플레이, 및 사용자에 의한 입력 조작을 접수하는 입력 기기를 포함한다. 제어 유닛 (9) 으로는, 예를 들어 데스크탑형, 랩탑형, 혹은 태블릿형의 컴퓨터를 사용할 수 있다.The user interface 95 includes a display that displays information to the user, and an input device that accepts input operations by the user. As the control unit 9, for example, a desktop, laptop, or tablet type computer can be used.
기억부 (93) 는, 프로그램 (931) 을 기억한다. 프로그램 (931) 은, 기록 매체 (M) 에 의해 제공된다. 즉, 기록 매체 (M) 는, 프로그램 (931) 을, 컴퓨터인 제어 유닛 (9) 에 의해 판독 가능하게 기록되어 있다. 기록 매체 (M) 는, 예를 들면, USB (Universal Serial Bus) 메모리, DVD (Digital Versatile Disc) 등의 광학 디스크, 자기 디스크 등이다.The memory unit 93 stores the program 931. The program 931 is provided by the recording medium (M). That is, on the recording medium M, the program 931 is recorded so that it can be read by the control unit 9, which is a computer. The recording medium (M) is, for example, a USB (Universal Serial Bus) memory, an optical disk such as a DVD (Digital Versatile Disc), or a magnetic disk.
연산부 (91) 는 프로그램(931) 을 실행함으로써, 토출 제어부 (910), 토출 압력 측정부 (911), 이동 제어부 (912), 속도 측정부 (913), 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 및 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 로서 기능한다.The calculation unit 91 executes the program 931 to control the discharge control unit 910, the discharge pressure measurement unit 911, the movement control unit 912, the speed measurement unit 913, the discharge control parameter adjustment unit 915, and the movement control unit. It functions as a parameter adjustment unit 917.
토출 제어부 (910) 는, 노즐 (71) 에 처리액을 송급하는 펌프 (81) 의 동작 (송급 동작) 을 제어한다. 토출 제어부 (910) 는, 미리 설정된 토출 제어 파라미터에 따라서, 펌프 (81) 의 송급 동작을 제어한다.The discharge control unit 910 controls the operation (supply operation) of the
토출 압력 측정부 (911) 는, 토출 압력의 시간 변화를 나타내는 압력 파형을 측정한다. 즉, 토출 압력 측정부 (911) 는, 소정의 샘플링 주기로 압력계 (86) 가 측정한 토출 압력을 주기적으로 취득한다. 이것에 의해, 노즐 (71) 로부터 처리액이 토출되는 기간에 있어서 처리액에 부여된 토출 압력이 취득되고, 압력 파형을 나타내는 데이터 (토출 데이터) 로서 기억부 (93) 에 기억된다. 토출 데이터는, 어느 시각과 그 시각에 측정된 토출 압력의 관계 (즉, 토출 압력의 경시 변화) 를 나타내는 데이터이다.The discharge pressure measuring unit 911 measures a pressure waveform showing the time change in discharge pressure. That is, the discharge pressure measurement unit 911 periodically acquires the discharge pressure measured by the pressure gauge 86 at a predetermined sampling period. As a result, the discharge pressure applied to the processing liquid during the period in which the processing liquid is discharged from the
이동 제어부 (912) 는, 노즐 (71) 에 대하여 기판 (S) 을 이동시키는 흡착·주행 기구 (52) 의 동작 (이동 동작) 을, 미리 설정된 이동 제어 파라미터에 기초하여 제어한다.The movement control unit 912 controls the operation (movement operation) of the suction/travel mechanism 52 that moves the substrate S with respect to the
속도 측정부 (913) 는, 척 기구 (51) 및 흡착·주행 기구 (52) 에 의한 기판 (S) 의 이동 속도를 측정한다. 속도 측정부 (913) 는, 흡착·주행 기구 (52) 의 출력 (예를 들면, 로터리 인코더의 출력 등) 에 기초하여, 기판 (S) 의 이동 속도를 측정한다. 속도 측정부 (913) 는, 취득한 속도를, 속도 데이터로서 기억부 (93) 에 기억시킨다. 속도 데이터는, 시각과 그 시각에 측정된 이동 속도의 관계 (즉, 이동 속도의 경시 변화) 를 나타내는 데이터이다.The speed measurement unit 913 measures the moving speed of the substrate S by the
토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 토출 제어 파라미터를 최적화하는 처리를 실시한다. 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 예를 들면, 의사 도포를 실시함으로써 얻어지는 압력 파형을 평가하고, 그 평가 결과에 기초하여 토출 제어 파라미터를 갱신한다. 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 의사 도포 및 압력 파형의 취득, 압력 파형의 평가, 및 토출 제어 파라미터의 갱신을 반복함으로써, 토출 제어 파라미터를 최적화한다.The discharge control parameter adjustment unit 915 performs processing to optimize the discharge control parameters. The discharge control parameter adjustment unit 915 evaluates the pressure waveform obtained by, for example, performing pseudo application, and updates the discharge control parameter based on the evaluation result. The discharge control parameter adjustment unit 915 optimizes the discharge control parameters by repeating pseudo application and acquisition of the pressure waveform, evaluation of the pressure waveform, and update of the discharge control parameters.
도포 장치 (1) 에 있어서, 노즐 (71) 로부터 토출되는 처리액을 기판 (S) 의 상면 (Sf) 에 균일한 막두께로 도포하기 위해서는, 노즐 (71) 로부터 토출될 때의 처리액의 토출 속도, 즉 토출 압력을 조정하는 것이 중요하다. 이 때문에, 토출 압력의 압력 파형이 이상 파형에 가까워지도록, 압력 파형과 밀접하게 관련된 토출 제어 파라미터가 최적화된다. 구체적으로는, 최적화 대상의 토출 제어 파라미터는, 작동 디스크부 (816) 의 이동을 규정하는 설정값으로서, 도 3 및 이하에 나타내는 16 개의 펌프 제어용의 설정값이다.In the coating device 1, in order to apply the processing liquid discharged from the
·정상 속도 (V1)·Normal speed (V1)
·가속 시간 (T1) : 정지 상태로부터 정상 속도 (V1) 로 가속시키는 시간·Acceleration time (T1): Time to accelerate from stop to normal speed (V1)
·정상 속도 시간 (T2) : 정상 속도 (V1) 를 계속시키는 시간·Normal speed time (T2): Time to continue normal speed (V1)
·정상 속도 (V2)·Normal speed (V2)
·감속 시간 (T3) : 정상 속도 (V1) 로부터 정상 속도 (V2) 로 감속시키는 시간·Deceleration time (T3): Time to decelerate from normal speed (V1) to normal speed (V2)
·정상 속도 시간 (T4) : 정상 속도 (V2) 를 계속시키는 시간·Normal speed time (T4): Time to continue normal speed (V2)
·정상 속도 (V3)·Normal speed (V3)
·가속 시간 (T5) : 정상 속도 (V2) 로부터 정상 속도 (V3) 로 가속시키는 시간·Acceleration time (T5): Time to accelerate from normal speed (V2) to normal speed (V3)
·정상 속도 시간 (T6) : 정상 속도 (V3) 를 계속시키는 시간·Normal speed time (T6): Time to continue normal speed (V3)
·정상 속도 (V4)·Normal speed (V4)
·감속 시간 (T7) : 정상 속도 (V3) 로부터 정상 속도 (V4) 로 감속시키는 시간·Deceleration time (T7): Time to decelerate from normal speed (V3) to normal speed (V4)
·정상 속도 시간 (T8) : 정상 속도 (V4) 를 계속시키는 시간·Normal speed time (T8): Time to continue normal speed (V4)
·정상 속도 (V5)·Normal speed (V5)
·가속 시간 (T9) : 정상 속도 (V4) 로부터 정상 속도 (V5) 로 가속시키는 시간·Acceleration time (T9): Time to accelerate from normal speed (V4) to normal speed (V5)
·정상 속도 시간 (T10) : 정상 속도 (V5) 를 계속시키는 시간·Normal speed time (T10): Time to continue normal speed (V5)
·감속 시간 (T11) : 정상 속도 (V5) 로부터 정지 상태로 감속시키는 시간·Deceleration time (T11): Time to decelerate from normal speed (V5) to a stop state
상기 16 개의 토출 제어 파라미터는, 노즐 (71) 에 처리액을 송급하는 펌프 (81) 의 동작 (송급 동작) 을 제어하기 위한 제어량에 상당한다. 또한, 토출 제어 파라미터의 종류 및 개수는, 특별히 제한되는 것은 아니고, 펌프 (81) 의 송급 동작을 제어하는 제어량인 한, 임의로 설정될 수 있다.The above 16 discharge control parameters correspond to control amounts for controlling the operation (supply operation) of the
이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 이동 제어 파라미터를 조정한다. 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 의사 이동에 기초하여 이동 제어 파라미터를 갱신한다. 「의사 이동」이란, 실도포시에 있어서의 노즐 (71) 에 대한 기판 (S) 의 상대적인 이동을, 의사적으로 재현하는 것을 말한다. 의사 이동에서는, 기판 (S) 에 대한 처리액의 도포는 실시되지 않는다. 예를 들어, 본 실시형태의 의사 이동은, 이동 제어 파라미터에 따라서, 이동 제어부 (912) 가 흡착·주행 기구 (52) 를 제어함으로써 척 기구 (51) 를 이동시키는 것을 말한다. 또한, 이 의사 이동에 있어서, 척 기구 (51) 는, 실제로 기판 (S) 을 유지하고 있어도 되고, 기판 (S) 이외의 모의적 부재를 유지하고 있어도 된다. 또한, 척 기구 (51) 는, 아무것도 유지하고 있지 않아도 된다.The movement control parameter adjustment unit 917 adjusts the movement control parameters. The movement control parameter adjustment unit 917 updates the movement control parameters based on the pseudo movement. “Simulated movement” refers to simulated reproduction of the relative movement of the substrate S with respect to the
이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 의사 이동에 의해 얻어지는 속도 파형을 평가하고, 그 평가 결과에 기초하여 이동 제어 파라미터를 갱신한다. 그리고, 갱신된 이동 제어 파라미터에 기초하여, 의사 이동을 다시 실행한다. 이와 같이, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 의사 이동 및 속도 파형의 취득, 속도 파형의 평가, 및 이동 제어 파라미터의 갱신을 반복함으로써, 이동 제어 파라미터를 최적화한다.The movement control parameter adjustment unit 917 evaluates the speed waveform obtained by the pseudo movement and updates the movement control parameters based on the evaluation result. Then, based on the updated movement control parameters, the pseudo movement is executed again. In this way, the movement control parameter adjustment unit 917 optimizes the movement control parameters by repeating acquisition of the pseudo movement and speed waveforms, evaluation of the speed waveforms, and updating of the movement control parameters.
<제어 파라미터의 조정><Adjustment of control parameters>
도 5 는, 제어 유닛 (9) 이 제어 파라미터를 조정하는 흐름을 나타내는 도면이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 제어 파라미터의 조정은, 제 1 조정 공정 (S1), 제 2 조정 공정 (S2), 제 3 조정 공정 (S3) 및 제 4 조정 공정 (S4) 을 포함한다. 또한, 제어 파라미터의 조정은, 제 1 조정 공정 (S1), 제 2 조정 공정 (S2), 제 3 조정 공정 (S3), 제 4 조정 공정 (S4) 의 순서로 실시된다. 이하, 각 공정에 대하여 설명한다.FIG. 5 is a diagram showing a flow in which the control unit 9 adjusts control parameters. As shown in FIG. 5 , adjustment of control parameters includes a first adjustment process (S1), a second adjustment process (S2), a third adjustment process (S3), and a fourth adjustment process (S4). Additionally, the control parameters are adjusted in the order of the first adjustment process (S1), the second adjustment process (S2), the third adjustment process (S3), and the fourth adjustment process (S4). Hereinafter, each process will be described.
<제 1 조정 공정 (S1)><First adjustment process (S1)>
도 6 은, 도 5 에 나타내는 제 1 조정 공정 (S1) 의 상세를 나타내는 플로차트이다. 제 1 조정 공정 (S1) 은, 도포 장치 (1) 에서 실도포를 실시함에 있어서, 의사 도포에 의해 사전에 토출 제어 파라미터를 조정하는 공정이다.FIG. 6 is a flowchart showing details of the first adjustment process (S1) shown in FIG. 5. The first adjustment process (S1) is a process of adjusting the discharge control parameters in advance through simulated application when performing actual application with the application device 1.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 1 조정 공정 (S1) 이 개시되면, 먼저, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 토출 제어 파라미터를 소정의 초기값으로 설정한다 (스텝 S11). 초기값은, 임의의 값이어도 되고, 혹은 소정의 알고리즘에 기초하여 설정되는 값이어도 된다. 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 설정한 토출 제어 파라미터를, 기억부 (93) 에 기억시킨다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 사용자로부터의 초기값의 입력을 접수하고, 접수한 초기값을 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.As shown in FIG. 6 , when the first adjustment process (S1) is started, first, the discharge control parameter adjustment unit 915 sets the discharge control parameter to a predetermined initial value (step S11). The initial value may be an arbitrary value, or may be a value set based on a predetermined algorithm. The discharge control parameter adjustment unit 915 stores the set discharge control parameters in the storage unit 93. Additionally, the discharge control parameter adjustment unit 915 may accept an input of an initial value from the user and store the received initial value in the storage unit 93.
스텝 S11 에 의해 토출 제어 파라미터가 설정된 후, 제어 유닛 (9) 은, 의사 도포를 실시함과 함께, 압력 파형을 취득한다 (스텝 S12). 구체적으로는, 제어 유닛 (9) 은, 노즐 (71) 을 소정의 메인터넌스 위치 (롤러 (721) 와 대향하는 위치) 로 이동시킨다. 그리고, 제어 유닛 (9) 은, 제 1 조정 공정 (S1) 에 의해 설정된 제어 파라미터에 따라서 펌프 (81) 를 제어하여, 노즐 (71) 로부터 롤러 (721) 에 처리액을 토출시킨다. 또한, 의사 도포가 실시되고 있는 동안, 토출 압력 측정부 (911) 는, 압력계 (86) 에 의해 측정되는 토출 압력을 샘플링하고, 압력 파형의 데이터를 취득한다. 스텝 S12 에 의해 취득되는 압력 파형은, 「제 1 압력 파형」의 일례이다.After the discharge control parameters are set in step S11, the control unit 9 performs pseudo application and acquires a pressure waveform (step S12). Specifically, the control unit 9 moves the
스텝 S12 에 의해 의사 도포의 압력 파형이 취득된 후, 의사 파형의 평가가 실시된다 (스텝 S13). 평가 방법의 일례로서, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 스텝 S12 에 의해 취득된 압력 파형이, 이상으로 하는 압력 파형인 제 1 이상 파형 (Wt1) (도 9 참조) 과 동일한지 여부를 판정한다. 구체적으로는, 스텝 S12 에 의해 취득된 압력 파형의, 제 1 이상 파형 (Wt1) 으로부터의 어긋남량이, 소정의 허용 범위를 초과했는지 여부를 판정한다.After the pressure waveform of the pseudo application is acquired in step S12, evaluation of the pseudo waveform is performed (step S13). As an example of the evaluation method, the discharge control parameter adjusting unit 915 determines whether the pressure waveform acquired in step S12 is the same as the first abnormal waveform Wt1 (see FIG. 9), which is an ideal pressure waveform. . Specifically, it is determined whether the amount of deviation of the pressure waveform acquired in step S12 from the first abnormal waveform Wt1 exceeds a predetermined allowable range.
또한, 스텝 S13 에 있어서는, 사용자가 압력 파형을 평가해도 된다. 이 경우, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 압력 파형과, 제 1 이상 파형 (Wt1) 을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 상기 어긋남량을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 이와 같이, 디스플레이에 각종 정보가 표시됨으로써, 사용자가 평가하는 것을 적절하게 지원할 수 있다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 입력 기기에 의해, 사용자로부터의 평가 결과의 입력을 접수하고, 입력된 평가 결과를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S13, the user may evaluate the pressure waveform. In this case, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the pressure waveform and the first abnormal waveform Wt1 on the display. Additionally, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the amount of deviation on the display. In this way, by displaying various information on the display, the user's evaluation can be appropriately supported. Additionally, the discharge control parameter adjusting unit 915 may receive an input of an evaluation result from a user through an input device and store the inputted evaluation result in the storage unit 93.
스텝 S13 에 의해 의사 도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 과 동일하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위 내인 경우. 스텝 S13 에 있어서 예), 도포 장치 (1) 는, 제 1 조정 공정 (S1) 을 종료한다. 한편, 스텝 S13 에 의해 의사 도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 과는 상이하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위를 초과하는 경우. 스텝 S13 에 있어서 아니오의 경우), 도포 장치 (1) 는, 토출 제어 파라미터를 갱신한다 (스텝 S14). 구체적으로는, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 스텝 S13 의 평가 결과에 기초하여, 의사 도포를 실시한 경우의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 이 되도록, 기억부 (93) 에 기억되어 있는 토출 제어 파라미터를 갱신한다. 토출 제어 파라미터를 갱신하는 알고리즘으로는, 예를 들어, 베이즈 최적화, 유전적 알고리즘, 구배법, 선형 계획법 등, 임의로 선택할 수 있다.When it is evaluated in step S13 that the pressure waveform of the pseudo application is the same as the first abnormal waveform Wt1 (for example, when the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S13), the applicator 1 1 End the adjustment process (S1). On the other hand, when it is evaluated in step S13 that the pressure waveform of the pseudo application is different from the first abnormal waveform Wt1 (for example, when the amount of deviation exceeds the allowable range; in the case of No in step S13), application Device 1 updates discharge control parameters (step S14). Specifically, based on the evaluation result of step S13, the discharge control parameter adjusting unit 915 stores a pressure waveform in the storage unit 93 such that the pressure waveform when pseudo-coating is performed becomes the first abnormal waveform Wt1. Update discharge control parameters. The algorithm for updating the discharge control parameters can be arbitrarily selected, for example, Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, linear programming method, etc.
또한, 토출 제어 파라미터의 갱신은, 특허문헌 1 에 기재되어 있는 바와 같이, 토출 제어 파라미터의 변경량과, 상기 어긋남량의 관계를 학습한 학습 완료 모델을 사용하여 실시되어도 된다. 학습용의 모델로는, 뉴럴 네트워크를 이용할 수 있다.Additionally, as described in Patent Document 1, the update of the discharge control parameters may be performed using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the discharge control parameter and the amount of deviation. As a model for learning, a neural network can be used.
또한, 스텝 S14 에 있어서는, 사용자가, 토출 제어 파라미터를 갱신할 수 있도록 해도 된다. 이 경우, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 입력 기기에 의해, 새로운 토출 제어 파라미터의 입력을 접수하고, 접수한 토출 제어 파라미터를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S14, the user may be able to update the discharge control parameters. In this case, the discharge control parameter adjusting unit 915 may accept the input of a new discharge control parameter through an input device and store the received discharge control parameters in the storage unit 93.
이상과 같이, 제 1 조정 공정 (S1) 에서는, 실도포를 실시하기 위한 토출 제어 파라미터의 조정을, 스텝 S12 의 의사 도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여 실시한다. 이 때문에, 실도포로 토출 제어 파라미터를 조정하는 경우보다, 기판 (S) 의 소비를 억제할 수 있다.As described above, in the first adjustment process (S1), the discharge control parameters for actual application are adjusted based on the pressure waveform obtained by the simulated application in step S12. For this reason, consumption of the substrate S can be suppressed compared to the case where the discharge control parameter is adjusted by actual application.
<제 2 조정 공정 (S2)><Second adjustment process (S2)>
도 7 은, 도 5 에 나타내는 제 2 조정 공정 (S2) 의 상세를 나타내는 플로차트이다. 제 2 조정 공정 (S2) 은, 도포 장치 (1) 에서 실도포를 실시함에 있어서, 의사 이동에 의해 사전에 이동 제어 파라미터를 조정하는 공정이다.FIG. 7 is a flowchart showing details of the second adjustment process (S2) shown in FIG. 5. The second adjustment process (S2) is a process of adjusting the movement control parameters in advance by pseudo movement when performing actual application with the coating device 1.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 2 조정 공정 (S2) 이 개시되면, 먼저, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 이동 제어 파라미터를 소정의 초기값으로 설정한다 (스텝 S21). 초기값은, 임의의 값이어도 되고, 혹은 소정의 알고리즘에 기초하여 설정되는 값이어도 된다. 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 설정한 이동 제어 파라미터를, 기억부 (93) 에 기억시킨다. 또한, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 사용자로부터의 초기값의 입력을 접수하고, 접수한 초기값을 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.As shown in FIG. 7 , when the second adjustment process (S2) is started, first, the movement control parameter adjustment unit 917 sets the movement control parameter to a predetermined initial value (step S21). The initial value may be an arbitrary value, or may be a value set based on a predetermined algorithm. The movement control parameter adjustment unit 917 stores the set movement control parameters in the storage unit 93. Additionally, the movement control parameter adjustment unit 917 may accept an input of an initial value from the user and store the received initial value in the storage unit 93.
스텝 S21 에 의해 이동 제어 파라미터가 설정된 후, 제어 유닛 (9) 은, 의사 이동을 실행함과 함께, 속도 파형을 취득한다 (스텝 S22). 구체적으로는, 이동 제어부 (912) 가, 이동 제어 파라미터에 따라서 흡착·주행 기구 (52) 를 제어함으로써, 기판 (S) 을 유지한 척 기구 (51) 를 이동시킨다. 또한, 의사 이동이 실시되고 있는 동안, 속도 측정부 (913) 는, 흡착·주행 기구 (52) 의 출력에 기초하여 척 기구 (51) 의 이동 속도를 샘플링하여, 속도 파형의 데이터를 취득한다.After the movement control parameters are set in step S21, the control unit 9 executes a pseudo movement and acquires a speed waveform (step S22). Specifically, the movement control unit 912 moves the
스텝 S22 에 의해 의사 이동의 속도 파형이 취득된 후, 속도 파형의 평가가 실시된다 (스텝 S23). 평가 방법의 일례로서, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 속도 파형의 형상이, 스텝 S11 에 있어서 조정된 압력 파형의 형상과 동일한지 여부를 평가한다. 또한, 속도 파형의 형상 및 압력 파형의 형상을 비교하는 데 있어서는, 속도 파형에 있어서의 속도의 스케일과, 압력 파형에 있어서 압력의 스케일을 일치시키는 정규화가 실시된다. 그리고, 속도 파형의, 압력 파형으로부터의 어긋남량이, 소정의 허용 범위를 초과하고 있는지 여부가 판정된다.After the speed waveform of the pseudo movement is acquired in step S22, evaluation of the speed waveform is performed (step S23). As an example of the evaluation method, the movement control parameter adjustment unit 917 evaluates whether the shape of the speed waveform is the same as the shape of the pressure waveform adjusted in step S11. Additionally, when comparing the shape of the velocity waveform and the shape of the pressure waveform, normalization is performed to match the velocity scale in the velocity waveform and the pressure scale in the pressure waveform. Then, it is determined whether the amount of deviation of the velocity waveform from the pressure waveform exceeds a predetermined allowable range.
또한, 속도 파형 및 압력 파형을 소정의 함수로 회귀하여 얻어지는 회귀 파라미터를 평가값으로서 도출하고, 당해 평가값에 기초하여, 형상이 일치하는지 여부가 판정되어도 된다.Additionally, a regression parameter obtained by regressing the velocity waveform and the pressure waveform with a predetermined function may be derived as an evaluation value, and based on the evaluation value, it may be determined whether the shapes match.
또한, 스텝 S23 에 있어서는, 사용자가 속도 파형을 평가해도 된다. 이 경우, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 정규화된 속도 파형 및 압력 파형을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 또한, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 상기 어긋남량을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 이와 같이, 디스플레이에 각종 정보가 표시됨으로써, 사용자가 평가하는 것을 적절하게 지원할 수 있다. 또한, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 입력 기기에 의해, 사용자로부터의 평가 결과의 입력을 접수하고, 입력된 평가 결과를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S23, the user may evaluate the speed waveform. In this case, the movement control parameter adjustment unit 917 may display the normalized speed waveform and pressure waveform on the display. Additionally, the movement control parameter adjustment unit 917 may display the amount of deviation on the display. In this way, by displaying various information on the display, the user's evaluation can be appropriately supported. Additionally, the movement control parameter adjusting unit 917 may receive an input of an evaluation result from a user through an input device and store the inputted evaluation result in the storage unit 93.
스텝 S23 에 의해 의사 이동의 속도 파형이 압력 파형의 형상과 동일하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위 내인 경우. 스텝 S23 에 있어서 예), 도포 장치 (1) 는, 제 2 조정 공정 (S2) 을 종료한다. 한편, 스텝 S23 에 의해 의사 이동의 속도 파형이 압력 파형의 형상과는 상이하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위를 초과하는 경우. 스텝 S23 에 있어서 아니오), 도포 장치 (1) 는, 이동 제어 파라미터를 갱신한다 (스텝 S24). 구체적으로는, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 의사 이동을 실시한 경우의 이동 파형의 형상이 압력 파형이 되도록, 기억부 (93) 에 기억되어 있는 이동 제어 파라미터를 갱신한다. 이동 제어 파라미터를 갱신하는 알고리즘으로는, 예를 들어, 베이즈 최적화, 유전적 알고리즘, 구배법, 선형 계획법 등, 임의로 선택할 수 있다.When it is evaluated in step S23 that the speed waveform of the pseudo movement is the same as the shape of the pressure waveform (for example, when the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S23), the applicator 1 performs the second adjustment process. (S2) ends. On the other hand, when it is evaluated in step S23 that the speed waveform of the pseudo movement is different from the shape of the pressure waveform (for example, when the amount of deviation exceeds the allowable range; no in step S23), the applicator 1 , update the movement control parameters (step S24). Specifically, the movement control parameter adjusting unit 917 updates the movement control parameters stored in the storage unit 93 so that the shape of the movement waveform when the pseudo movement is performed becomes a pressure waveform. The algorithm for updating the movement control parameters can be arbitrarily selected, for example, Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, linear programming method, etc.
또한, 이동 제어 파라미터의 갱신은, 이동 제어 파라미터의 변경량과, 상기 어긋남량의 관계를 학습한 학습 완료 모델을 사용하여 실시되어도 된다. 학습용의 모델로는, 뉴럴 네트워크를 이용할 수 있다.Additionally, the update of the movement control parameters may be performed using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the movement control parameter and the amount of deviation. As a model for learning, a neural network can be used.
또한, 스텝 S24 에 있어서는, 사용자가, 이동 제어 파라미터를 갱신할 수 있도록 해도 된다. 이 경우, 이동 제어 파라미터 조정부 (917) 는, 입력 기기에 의해, 사용자로부터의 새로운 이동 제어 파라미터의 입력을 접수함과 함께, 접수한 이동 제어 파라미터를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S24, the user may be able to update the movement control parameters. In this case, the movement control parameter adjusting unit 917 may accept an input of a new movement control parameter from the user through an input device and store the received movement control parameters in the storage unit 93.
이상과 같이, 제 2 조정 공정 (S2) 에서는, 속도 파형의 형상이 압력 파형의 형상과 일치하도록 이동 제어 파라미터가 조정된다. 이와 같이 조정된 이동 제어 파라미터에 따라서 실도포를 실시함으로써, 처리액을 균일한 두께로 기판 (S) 에 도포하는 것이 가능해진다.As described above, in the second adjustment process (S2), the movement control parameters are adjusted so that the shape of the velocity waveform matches the shape of the pressure waveform. By performing actual application according to the movement control parameters adjusted in this way, it becomes possible to apply the processing liquid to the substrate S with a uniform thickness.
<제 3 조정 공정 (S3)><Third adjustment process (S3)>
도 8 은, 도 5 에 나타내는 제 3 조정 공정 (S3) 의 상세를 나타내는 플로차트이다. 제 3 조정 공정 (S3) 은, 도포 장치 (1) 에서 실도포를 실시함에 있어서, 제 1 조정 공정 (S1) 에서 조정된 토출 제어 파라미터를, 의사 도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여 재조정하는 공정이다.FIG. 8 is a flowchart showing details of the third adjustment process (S3) shown in FIG. 5. The third adjustment process (S3) is a process of readjusting the discharge control parameters adjusted in the first adjustment process (S1) based on the pressure waveform obtained by simulated application when performing actual application with the applicator 1. am.
제 3 조정 공정 (S3) 이 개시되면, 도포 장치 (1) 는, 제 1 조정 공정 (S1) 에 의해 조정된 토출 제어 파라미터, 및 제 2 조정 공정 (S2) 에 의해 조정된 이동 제어 파라미터에 따라서, 실도포를 실시함과 함께, 압력 파형을 취득한다 (스텝 S31). 구체적으로는, 도포 기구 (7) 는, 노즐 (71) 을 도포 위치로 이동시킨다. 그리고, 이동 제어부 (912) 는, 이동 제어 파라미터에 따라서 흡착·주행 기구 (52) 를 제어함으로써, 기판 (S) 을 이동시킴과 함께, 토출 제어부 (910) 는, 토출 제어 파라미터에 따라서 펌프 (81) 를 제어함으로써, 노즐 (71) 로부터 기판 (S) 에 처리액을 토출시킨다. 또한, 실도포가 실시되고 있는 동안, 토출 압력 측정부 (911) 는, 압력계 (86) 에 의해 측정되는 토출 압력을 샘플링함으로써, 압력 파형을 취득한다. 스텝 S31 에서 취득되는 압력 파형은, 「제 2 압력 파형」의 일례이다.When the third adjustment process (S3) is started, the applicator 1 is adjusted according to the discharge control parameter adjusted by the first adjustment process (S1) and the movement control parameter adjusted by the second adjustment process (S2). , actual application is carried out and a pressure waveform is acquired (step S31). Specifically, the application mechanism 7 moves the
스텝 S31 에 의해서 실도포의 압력 파형이 취득된 후, 당해 압력 파형의 평가가 실시된다 (스텝 S32). 스텝 S32 에 있어서의 압력 파형의 평가 방법은, 도 6 에 나타내는 스텝 S13 에 있어서의 압력 파형의 평가 방법과 동일하게 해도 된다. 즉, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 스텝 S31 에 의해 취득된 압력 파형의, 제 1 이상 파형 (Wt1) 으로부터의 어긋남량이, 소정의 허용 범위를 초과하고 있는지 여부를 판정해도 된다.After the pressure waveform of actual application is acquired in step S31, evaluation of the pressure waveform is performed (step S32). The evaluation method of the pressure waveform in step S32 may be the same as the evaluation method of the pressure waveform in step S13 shown in FIG. 6. That is, the discharge control parameter adjustment unit 915 may determine whether the amount of deviation of the pressure waveform acquired in step S31 from the first abnormal waveform Wt1 exceeds a predetermined allowable range.
또한, 스텝 S32 에 있어서는, 사용자가 실도포의 압력 파형을 평가해도 된다. 이 경우, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 압력 파형과, 제 1 이상 파형 (Wt1) 을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 상기 어긋남량을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 이와 같이, 디스플레이에 각종 정보가 표시됨으로써, 사용자가 평가하는 것을 적절하게 지원할 수 있다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 입력 기기에 의해, 사용자로부터의 평가 결과의 입력을 접수하고, 입력된 평가 결과를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S32, the user may evaluate the pressure waveform of actual application. In this case, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the pressure waveform and the first abnormal waveform Wt1 on the display. Additionally, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the amount of deviation on the display. In this way, by displaying various information on the display, the user's evaluation can be appropriately supported. Additionally, the discharge control parameter adjusting unit 915 may receive an input of an evaluation result from a user through an input device and store the inputted evaluation result in the storage unit 93.
스텝 S32 에 의해, 실도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형과 동일하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위 내인 경우. 스텝 S32 에 있어서 예), 도포 장치 (1) 는, 제 3 조정 공정 (S3) 을 종료한다. 한편, 스텝 S32 에 있어서, 실도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 과는 상이하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위를 초과하는 경우. 스텝 S32 에 있어서 아니오), 제어 유닛 (9) 은, 토출 제어 파라미터를 재조정할 필요가 있는 것으로 판단하고, 토출 제어 파라미터의 재조정을 실시한다.When it is evaluated in step S32 that the pressure waveform of the actual application is the same as the first abnormal waveform (for example, when the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S32), the applicator 1 performs the third adjustment. The process (S3) ends. On the other hand, in step S32, when it is evaluated that the pressure waveform of the actual application is different from the first abnormal waveform (Wt1) (for example, when the amount of deviation exceeds the allowable range; no in step S32), the control unit (9) determines that it is necessary to readjust the discharge control parameters, and readjusts the discharge control parameters.
토출 제어 파라미터의 재조정에서는, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 가, 토출 제어 파라미터를 갱신한다 (스텝 S33). 구체적으로는, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 의사 도포를 실시한 경우의 압력 파형이, 후술하는 제 2 이상 파형 (Wt2) (도 6 참조) 이 되도록, 기억부 (93) 에 기억되어 있는 토출 제어 파라미터를 갱신한다. 토출 제어 파라미터를 갱신하는 알고리즘으로는, 예를 들어, 베이즈 최적화, 유전적 알고리즘, 구배법, 선형 계획법 등, 임의로 선택할 수 있다.In readjusting the discharge control parameters, the discharge control parameter adjustment unit 915 updates the discharge control parameters (step S33). Specifically, the discharge control parameter adjustment unit 915 controls the discharge stored in the storage unit 93 so that the pressure waveform when pseudo-coating is performed becomes the second abnormal waveform Wt2 (see FIG. 6) described later. Update control parameters. The algorithm for updating the discharge control parameters can be arbitrarily selected, for example, Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, linear programming method, etc.
또한, 토출 제어 파라미터의 갱신은, 특허문헌 1 에 기재되어 있는 바와 같이, 토출 제어 파라미터의 변경량과, 상기 어긋남량의 관계를 학습한 학습 완료 모델을 사용하여 실시되어도 된다. 학습용의 모델로는, 뉴럴 네트워크를 이용할 수 있다.Additionally, as described in Patent Document 1, the update of the discharge control parameters may be performed using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the discharge control parameter and the amount of deviation. As a model for learning, a neural network can be used.
또한, 스텝 S33 에 있어서는, 사용자가, 토출 제어 파라미터를 갱신할 수 있도록 해도 된다. 이 경우, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 입력 기기에 의해, 사용자로부터의 새로운 토출 제어 파라미터의 입력을 접수하고, 접수한 토출 제어 파라미터를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S33, the user may be able to update the discharge control parameters. In this case, the discharge control parameter adjusting unit 915 may accept input of a new discharge control parameter from the user through an input device and store the received discharge control parameters in the storage unit 93.
도 9 은, 제 2 이상 파형 (Wt2) 의 설정예를 나타내는 도면이다. 제 2 이상 파형 (Wt2) 은, 예를 들면, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 에 의해 생성되고, 기억부 (93) 에 보존된다. 제 2 이상 파형 (Wt2) 은, 제 1 이상 파형 (Wt1) 과는 상이한 형상을 갖는다. 구체적으로는, 제 2 이상 파형 (Wt2) 은, 제 1 이상 파형 (Wt1) 을, 스텝 S31 에서 취득된 실도포의 압력 파형 (Wr1) 과 제 1 이상 파형 (Wt1) 의 차분값 (어긋남량) 에 기초하여 변형시킨 형상을 갖는다. 보다 구체적으로는, 제 2 이상 파형 (Wt2) 은, 제 1 이상 파형 (Wt1) 으로부터 상기 차분값을 뺀 형상을 갖는다. 또한, 제 2 이상 파형 (Wt2) 의 형상은, 도 9 에 나타내는 형상에 한정되는 것은 아니고, 적절히 설정될 수 있다.Fig. 9 is a diagram showing a setting example of the second abnormal waveform (Wt2). The second abnormal waveform Wt2 is generated, for example, by the discharge control parameter adjustment unit 915 and stored in the storage unit 93. The second abnormal waveform (Wt2) has a different shape from the first abnormal waveform (Wt1). Specifically, the second abnormal waveform (Wt2) is the difference value (displacement amount) between the first abnormal waveform (Wt1) and the pressure waveform (Wr1) of the actual application obtained in step S31 and the first abnormal waveform (Wt1). It has a modified shape based on . More specifically, the second abnormal waveform (Wt2) has a shape obtained by subtracting the above difference value from the first abnormal waveform (Wt1). Additionally, the shape of the second abnormal waveform Wt2 is not limited to the shape shown in FIG. 9 and can be set appropriately.
도 8 로 되돌아가서, 스텝 S33 에 의해 토출 제어 파라미터가 갱신된 후, 도포 장치 (1) 는, 갱신된 토출 제어 파라미터에 따라서, 의사 도포를 실시한다 (스텝 S34). 노즐 (71) 이 도포 스테이지 (32) 상방의 도포 위치에 있는 경우, 도포 기구 (7) 는, 노즐 (71) 을 메인터넌스 위치까지 이동시킨다. 그리고, 노즐 (71) 로부터 회전하는 롤러 (721) 에 처리액이 토출된다. 의사 도포가 실시되고 있는 동안, 토출 압력 측정부 (911) 는, 압력계 (86) 에 의해 측정되는 토출 압력을 샘플링함으로써, 압력 파형을 취득한다. 스텝 S34 에 의해 취득되는 압력 파형은, 「제 3 압력 파형」의 일례이다.Returning to FIG. 8 , after the discharge control parameters are updated in step S33, the applicator 1 performs pseudo application according to the updated discharge control parameters (step S34). When the
스텝 S34 에 의해 의사 도포의 압력 파형이 취득된 후, 당해 압력 파형이 평가된다 (스텝 S35). 압력 파형의 평가 방법은, 도 6 에 나타내는 스텝 S13 에 있어서의 압력 파형의 평가 방법과 동일하게 해도 된다. 단, 스텝 S35 에 있어서는, 제 1 이상 파형 (Wt1) 대신에, 제 2 이상 파형 (Wt2) 이 사용된다. 구체적으로는, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 스텝 S34 에 의해 취득된 압력 파형의, 제 2 이상 파형 (Wt2) 으로부터의 어긋남량이, 소정의 허용 범위를 초과하고 있는지 여부를 판정해도 된다.After the pressure waveform of the pseudo application is acquired in step S34, the pressure waveform is evaluated (step S35). The pressure waveform evaluation method may be the same as the pressure waveform evaluation method in step S13 shown in FIG. 6. However, in step S35, the second abnormal waveform (Wt2) is used instead of the first abnormal waveform (Wt1). Specifically, the discharge control parameter adjustment unit 915 may determine whether the amount of deviation of the pressure waveform acquired in step S34 from the second abnormal waveform Wt2 exceeds a predetermined allowable range.
또한, 스텝 S35 에 있어서는, 사용자가 압력 파형을 평가해도 된다. 이 경우, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 압력 파형과, 제 2 이상 파형 (Wt2) 을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 상기 어긋남량을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 이와 같이, 디스플레이에 각종 정보가 표시됨으로써, 사용자가 평가하는 것을 적절하게 지원할 수 있다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 입력 기기에 의해, 사용자로부터의 평가 결과의 입력을 접수하고, 입력된 평가 결과를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S35, the user may evaluate the pressure waveform. In this case, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the pressure waveform and the second abnormal waveform Wt2 on the display. Additionally, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the amount of deviation on the display. In this way, by displaying various information on the display, the user's evaluation can be appropriately supported. Additionally, the discharge control parameter adjusting unit 915 may receive an input of an evaluation result from a user through an input device and store the inputted evaluation result in the storage unit 93.
스텝 S35 에 의해 의사 도포의 압력 파형이 제 2 이상 파형 (Wt2) 과 상이하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위를 초과하는 경우. 스텝 S35 에 있어서 아니오), 도포 장치 (1) 는, 다시 스텝 S33 (토출 제어 파라미터의 갱신) 을 실시한다. 한편, 스텝 S35 에 의해 의사 도포의 압력 파형이 제 2 이상 파형 (Wt2) 과 동일하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위 내인 경우. 스텝 S35 에 있어서 예), 도포 장치 (1) 는, 다시 스텝 S31 (실도포의 압력 파형의 취득) 을 실시한다. 이와 같이, 도포 장치 (1) 는, 의사 도포에 의해 얻어지는 압력 파형이 제 2 이상 파형 (Wt2) 과 동일하다고 평가될 때까지, 스텝 S33 ∼ 스텝 S35 를 반복하여 실시함으로써, 토출 제어 파라미터를 재조정한다.When it is evaluated in step S35 that the pressure waveform of the pseudo application is different from the second abnormal waveform (Wt2) (for example, when the amount of deviation exceeds the allowable range; no in step S35), the applicator 1 , perform step S33 (update of discharge control parameters) again. On the other hand, when it is evaluated in step S35 that the pressure waveform of the pseudo application is the same as the second abnormal waveform Wt2 (for example, when the amount of deviation is within the allowable range; Yes in step S35), the applicator 1 , perform step S31 (acquisition of pressure waveform of actual application) again. In this way, the applicator 1 readjusts the discharge control parameters by repeatedly performing steps S33 to S35 until the pressure waveform obtained by the simulated application is evaluated to be the same as the second abnormal waveform Wt2. .
이상과 같이, 제 3 조정 공정 (S3) 에서는, 스텝 S32 에 의해, 실도포의 압력 파형이 이상적인 파형이 아니라고 평가된 경우, 스텝 S34 의 의사 도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여 토출 제어 파라미터가 재조정된다. 이로써, 기판 (S) 의 소비를 억제하면서, 토출 제어 파라미터의 재조정을 실시할 수 있다. 기판 (S) 의 소비가 억제됨으로써, 환경 부하를 저감할 수 있다.As described above, in the third adjustment process (S3), when it is evaluated in step S32 that the pressure waveform of the actual application is not an ideal waveform, the discharge control parameters are readjusted based on the pressure waveform obtained by the simulated application in step S34. do. Thereby, it is possible to readjust the discharge control parameters while suppressing consumption of the substrate S. By suppressing the consumption of the substrate S, the environmental load can be reduced.
의사 도포와 실도포에서는 환경 조건이 다르기 때문에, 동일한 토출 제어 파라미터라도, 얻어지는 압력 파형이 변화되어 버리는 경우가 있다. 본 실시형태에서는, 의사 도포의 압력 파형을 평가하는 기준이 되는 제 2 이상 파형 (Wt2) 을, 제 1 이상 파형 (Wt1) 을 실도포의 압력 파형 (Wr1) 과 제 1 이상 파형 (Wt1) 의 차분값에 따라 변형시킨 형상으로 하고 있다. 이 때문에, 실도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 이 되도록, 토출 제어 파라미터를 적절히 재조정할 수 있다.Since the environmental conditions are different between simulated application and actual application, the resulting pressure waveform may change even if the discharge control parameters are the same. In this embodiment, the second abnormal waveform (Wt2), which is a standard for evaluating the pressure waveform of simulated application, is divided into the first abnormal waveform (Wt1), the pressure waveform (Wr1) of actual application, and the first abnormal waveform (Wt1). The shape is transformed according to the difference value. For this reason, the discharge control parameters can be appropriately readjusted so that the pressure waveform of actual application becomes the first abnormal waveform (Wt1).
<제 4 조정 공정 (S4)><Fourth adjustment process (S4)>
도 10 은, 도 5 에 나타내는 제 4 조정 공정 (S4) 의 상세를 나타내는 플로차트이다. 제 4 조정 공정 (S4) 은, 도포 장치 (1) 에 있어서 실도포를 실시하면서, 제 3 조정 공정 (S3) 에 의해 조정된 토출 제어 파라미터를, 실도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여 재조정하는 공정이다.FIG. 10 is a flowchart showing details of the fourth adjustment process (S4) shown in FIG. 5. The fourth adjustment process (S4) readjusts the discharge control parameters adjusted by the third adjustment process (S3) based on the pressure waveform obtained by actual application while performing actual application in the applicator 1. It's fair.
제 4 조정 공정 (S4) 이 개시되면, 도포 장치 (1) 는, 제 3 조정 공정 (S3) 에 의해 조정된 토출 제어 파라미터, 및 제 2 조정 공정 (S2) 에 의해 조정된 이동 제어 파라미터에 따라서 실도포를 실시함과 함께, 압력 파형을 취득한다 (스텝 S41). 제 3 조정 공정 (S3) 에 의해 조정된 토출 제어 파라미터를 사용한 실도포에서 취득되는 압력 파형은, 「제 4 압력 파형」의 일례이다.When the fourth adjustment process (S4) is started, the applicator 1 is adjusted according to the discharge control parameter adjusted by the third adjustment process (S3) and the movement control parameter adjusted by the second adjustment process (S2). Along with actual application, a pressure waveform is acquired (step S41). The pressure waveform acquired in actual application using the discharge control parameter adjusted in the third adjustment process (S3) is an example of the “fourth pressure waveform”.
스텝 S41 에 의해 실도포의 압력 파형이 취득된 후, 당해 압력 파형의 평가가 실시된다 (스텝 스텝 S42). 평가 방법의 일례로서, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 스텝 S41 에 의해 취득된 실도포의 압력 파형이, 제 1 이상 파형 (Wt1) 과 동일한지 여부를 판정한다. 보다 구체적으로는, 실도포의 압력 파형의, 제 1 이상 파형 (Wt1) 으로부터의 어긋남량이, 허용 범위를 초과하는지 여부를 판정한다.After the pressure waveform of actual application is acquired in step S41, evaluation of the pressure waveform is performed (step S42). As an example of the evaluation method, the discharge control parameter adjustment unit 915 determines whether the pressure waveform of the actual application obtained in step S41 is the same as the first abnormal waveform Wt1. More specifically, it is determined whether the amount of deviation of the pressure waveform of actual application from the first abnormal waveform (Wt1) exceeds the allowable range.
또한, 스텝 S42 에 있어서는, 사용자가 압력 파형을 평가해도 된다. 이 경우, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 압력 파형과, 제 1 이상 파형 (Wt1) 을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 상기 어긋남량을 디스플레이에 표시시켜도 된다. 이와 같이, 디스플레이에 각종 정보가 표시됨으로써, 사용자가 평가하는 것을 적절하게 지원할 수 있다. 또한, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 입력 기기에 의해, 사용자로부터의 평가 결과의 입력을 접수하고, 입력된 평가 결과를 기억부 (93) 에 기억시켜도 된다.Additionally, in step S42, the user may evaluate the pressure waveform. In this case, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the pressure waveform and the first abnormal waveform Wt1 on the display. Additionally, the discharge control parameter adjustment unit 915 may display the amount of deviation on the display. In this way, by displaying various information on the display, the user's evaluation can be appropriately supported. Additionally, the discharge control parameter adjusting unit 915 may receive an input of an evaluation result from a user through an input device and store the inputted evaluation result in the storage unit 93.
스텝 S42 에 의해 실도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 과 상이하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위를 초과하는 경우. 스텝 S42 에 있어서 아니오), 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 토출 제어 파라미터를 갱신한다 (스텝 S43). 구체적으로는, 토출 제어 파라미터 조정부 (915) 는, 스텝 S42 의 평가 결과에 기초하여, 실도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 이 되도록, 기억부 (93) 가 기억하고 있는 토출 제어 파라미터를 갱신한다. 토출 제어 파라미터를 갱신하는 알고리즘으로는, 예를 들어, 베이즈 최적화, 유전적 알고리즘, 구배법, 선형 계획법 등, 임의로 선택할 수 있다.When it is evaluated in step S42 that the pressure waveform of the actual application is different from the first abnormal waveform (Wt1) (for example, when the amount of deviation exceeds the allowable range; no in step S42), the discharge control parameter adjustment unit 915 ) updates the discharge control parameters (step S43). Specifically, the discharge control parameter adjustment unit 915 sets the discharge control parameters stored in the storage unit 93 so that the pressure waveform of the actual application becomes the first abnormal waveform Wt1, based on the evaluation result of step S42. Update . The algorithm for updating the discharge control parameters can be arbitrarily selected, for example, Bayesian optimization, genetic algorithm, gradient method, linear programming method, etc.
또한, 토출 제어 파라미터의 갱신은, 예를 들어 특허문헌 1 에 기재되어 있는 바와 같이, 토출 제어 파라미터의 변경량과, 상기 어긋남량의 관계를 학습한 학습 완료 모델을 사용하여 실시하는 것도 가능하다. 학습용의 모델로는, 뉴럴 네트워크를 이용할 수 있다.Additionally, as described in Patent Document 1, for example, the update of the discharge control parameters can also be performed using a learned model that has learned the relationship between the amount of change in the discharge control parameter and the amount of deviation. As a model for learning, a neural network can be used.
스텝 S43 에 의해 토출 제어 파라미터가 갱신되면, 도포 장치 (1) 는, 다시 스텝 S41 (실도포에 의한 압력 파형의 취득) 을 실행한다. 갱신된 토출 제어 파라미터를 사용하여 취득되는 실도포의 압력 파형은, 「제 5 압력 파형」의 일례이다.When the discharge control parameter is updated in step S43, the applicator 1 performs step S41 (acquisition of pressure waveform by actual application) again. The pressure waveform of actual application obtained using the updated discharge control parameters is an example of the “fifth pressure waveform.”
스텝 S42 에 의해, 실도포의 압력 파형이 제 1 이상 파형 (Wt1) 과 동일하다고 평가된 경우 (예를 들면, 어긋남량이 허용 범위 내인 경우. 스텝 S42 에 있어서 예), 도포 장치 (1) 는, 실도포를 종료할지 여부를 판정한다 (스텝 S43). 스텝 S43 에 의해, 실도포를 종료한다고 판정된 경우 (예를 들면, 도포 처리해야 할 기판 (S) 이 없는 경우. 스텝 S43 에 있어서 예), 도포 장치 (1) 는, 제 4 조정 공정 (S4) 을 종료한다. 스텝 S43 에 의해, 실도포를 계속한다고 판정된 경우 (예를 들면, 도포 처리해야 할 기판 (S) 이 있는 경우. 스텝 S43 에 있어서 아니오), 도포 장치 (1) 는, 스텝 S41 을 다시 실시한다.When it is evaluated in step S42 that the pressure waveform of the actual application is the same as the first abnormal waveform Wt1 (for example, when the amount of deviation is within the allowable range; YES in step S42), the applicator 1 It is determined whether or not to end actual application (step S43). When it is determined in step S43 that actual coating is finished (for example, when there is no substrate S to be coated; YES in step S43), the coating device 1 performs a fourth adjustment process (S4). ) ends. When it is determined in step S43 that actual coating is to be continued (for example, when there is a substrate S to be coated; no in step S43), the coating device 1 performs step S41 again. .
이상과 같이, 제 1 조정 공정 (S1) 및 제 3 조정 공정 (S3) 에서는, 의사 도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여 토출 제어 파라미터가 갱신되기 때문에, 실도포에 맞도록 토출 제어 파라미터를 충분히 조정할 수 없는 경우가 일어날 수 있다. 이에 대해, 제 4 조정 공정 (S4) 에서는, 실도포에 의해 얻어지는 압력 파형에 기초하여, 토출 제어 파라미터가 갱신된다. 이 때문에, 실도포에 맞도록 토출 제어 파라미터를 조정할 수 있다. 따라서, 실도포에 있어서, 이상적인 압력 파형을 재현할 수 있다.As described above, in the first adjustment process (S1) and the third adjustment process (S3), the discharge control parameters are updated based on the pressure waveform obtained by simulated application, so the discharge control parameters can be sufficiently adjusted to suit actual application. There may be cases where this is not possible. In contrast, in the fourth adjustment process (S4), the discharge control parameter is updated based on the pressure waveform obtained by actual application. For this reason, the discharge control parameters can be adjusted to suit actual application. Therefore, in actual application, an ideal pressure waveform can be reproduced.
또한, 제 1 조정 공정 (S1) 및 제 3 조정 공정 (S3) 을 실시하지 않고, 제 4 조정 공정 (S4) 만으로 토출 제어 파라미터를 조정하고자 한 경우, 대량의 기판을 소비함으로써 환경 부하가 증대될 우려가 있다. 본 실시형태에서는, 먼저 제 1 조정 공정 (S1) 및 제 3 조정 공정 (S3) 에 의해 토출 제어 파라미터를 어느 정도 조정하고 나서, 제 4 조정 공정 (S4) 을 실시하기 때문에, 기판 (S) 의 소비를 억제할 수 있다. 이로써, 환경 부하를 저감할 수 있다.In addition, if the discharge control parameter is adjusted only through the fourth adjustment process (S4) without performing the first adjustment process (S1) and the third adjustment process (S3), the environmental load will increase by consuming a large amount of substrate. There are concerns. In this embodiment, the discharge control parameters are first adjusted to some extent through the first adjustment process (S1) and the third adjustment process (S3), and then the fourth adjustment process (S4) is performed, so that the Consumption can be curbed. Thereby, the environmental load can be reduced.
<2. 변형예><2. Variation example>
이상, 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기와 같은 것에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형이 가능하다.Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the above, and various modifications are possible.
예를 들어, 상기 실시형태에서는, 의사 도포를, 롤러 (721) 상에 도포액을 토출하는 것으로 하고 있다. 그러나, 롤러 (721) 이외의 지점에 도포액이 토출되어도 된다. 예를 들어, 롤러 배트 (723) 등, 노즐 (71) 로부터 토출된 도포액을 수용하는 것이 가능한 용기에 대하여, 도포액이 토출되어도 된다.For example, in the above embodiment, pseudo-coating is performed by discharging the coating liquid onto the roller 721. However, the coating liquid may be discharged at points other than the roller 721. For example, the coating liquid may be discharged into a container that can accommodate the coating liquid discharged from the
본 발명은 상세하게 설명됐지만, 상기 설명은, 모든 국면에 있어서 예시로서, 본 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고서 상정될 수 있는 것으로 이해된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나, 생략하거나 할 수 있다.Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects and does not limit the present invention thereto. It is understood that numerous modifications not illustrated may be contemplated without departing from the scope of the invention. Each configuration described in each of the above-described embodiments and each modification can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.
1 : 도포 장치
5 : 이동 기구
7 : 도포 기구
8 : 처리액 공급 기구
9 : 제어 유닛
51 : 척 기구
52 : 흡착·주행 기구
71 : 노즐
81 : 펌프
83 : 처리액 보충 유닛
86 : 압력계
910 : 토출 제어부
911 : 토출 압력 측정부
912 : 이동 제어부
913 : 속도 측정부
915 : 토출 제어 파라미터 조정부
917 : 이동 제어 파라미터 조정부
931 : 프로그램
M : 기록 매체
S : 기판1: Applicator
5: moving mechanism
7: Applicator
8: Treatment liquid supply mechanism
9: control unit
51: Chuck mechanism
52: Suction/driving mechanism
71: nozzle
81: pump
83: Treatment liquid replenishment unit
86: pressure gauge
910: Discharge control unit
911: Discharge pressure measuring unit
912: movement control unit
913: Speed measurement unit
915: Discharge control parameter adjustment unit
917: Movement control parameter adjustment unit
931: program
M: recording medium
S: substrate
Claims (5)
a) 노즐로부터 기판 이외의 지점에 처리액을 토출하는 의사 도포를 실시한 경우의, 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 1 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 조정하는 공정과,
b) 상기 공정 a) 에 의해 조정된 상기 토출 제어 파라미터에 따라서, 상기 노즐로부터 기판에 처리액을 토출하는 실도포를 실시한 경우의, 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 2 압력 파형을 취득하는 공정과,
c) 상기 제 2 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정할지 여부를 판정하는 공정과,
d) 상기 공정 c) 에 의해 재조정한다고 판정된 경우, 상기 의사 도포를 실시한 경우의 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 3 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정하는 공정과,
e) 상기 공정 d) 에 의해 재조정된 상기 토출 제어 파라미터에 따라서, 상기 실도포를 실시한 경우의 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 4 압력 파형을 취득하는 공정과,
f) 상기 제 4 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정할지 여부를 판정하는 공정과,
g) 상기 공정 f) 에 의해서 재조정한다고 판정된 경우, 상기 실도포를 실시한 경우의 상기 노즐 내의 압력 변화를 나타내는 제 5 압력 파형에 기초하여, 상기 토출 제어 파라미터를 재조정하는 공정을 포함하는, 제어 파라미터 조정 방법.A control parameter adjustment method for adjusting discharge control parameters for controlling discharge of processing liquid from a nozzle, comprising:
a) a step of adjusting the discharge control parameter based on a first pressure waveform indicating a change in pressure within the nozzle when pseudo-coating is performed to discharge the processing liquid from a nozzle to a point other than the substrate;
b) a process of acquiring a second pressure waveform indicating a change in pressure within the nozzle when actual application of discharging the processing liquid onto the substrate from the nozzle is performed according to the discharge control parameter adjusted by the process a); ,
c) a process of determining whether to readjust the discharge control parameter based on the second pressure waveform;
d) a step of readjusting the discharge control parameters based on a third pressure waveform indicating a pressure change in the nozzle when the pseudo-coating is performed, when it is determined to be readjusted by the step c);
e) a step of acquiring a fourth pressure waveform indicating a change in pressure within the nozzle when the actual application is performed according to the discharge control parameter readjusted by the step d);
f) a process of determining whether to readjust the discharge control parameter based on the fourth pressure waveform;
g) When it is determined to be readjusted by the step f), a control parameter including a step of readjusting the discharge control parameter based on a fifth pressure waveform indicating a pressure change in the nozzle when the actual application is performed. How to adjust.
h) 상기 노즐에 대한 상기 기판의 상대적인 이동을 제어하기 위한 이동 제어 파라미터를 조정하는 공정을 추가로 포함하고,
상기 실도포는, 상기 공정 h) 에 의해 조정된 이동 제어 파라미터에 따라서 상기 기판을 상기 노즐에 대해 상대적으로 이동시키면서, 상기 노즐로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는, 제어 파라미터 조정 방법.According to claim 1,
h) further comprising the process of adjusting a movement control parameter to control the relative movement of the substrate with respect to the nozzle,
The control parameter adjustment method wherein the actual application discharges a processing liquid from the nozzle to the substrate while moving the substrate relative to the nozzle according to a movement control parameter adjusted in the step h).
상기 공정 h) 는, 상기 노즐에 대한 상기 기판의 상대 속도의 변화를 나타내는 속도 파형에 기초하여, 상기 이동 제어 파라미터가 조정되는, 제어 파라미터 조정 방법.The method of claim 1 or 2,
In step h), the movement control parameter is adjusted based on a speed waveform representing a change in the relative speed of the substrate with respect to the nozzle.
상기 컴퓨터에 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 제어 파라미터 조정 방법을 실행시키는, 프로그램.As a computer-executable program,
A program that causes the computer to execute the control parameter adjustment method according to claim 1 or 2.
제 4 항에 기재된 프로그램이 기록되어 있는, 기록 매체.A computer-readable recording medium,
A recording medium on which the program according to claim 4 is recorded.
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