JP2024008718A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】配線基板の製造方法であって、第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成された複数の導体パッド１２ａを含む第１導体層１２と、を含む積層体を用意することと、第１導体層１２上に導体パッド１２ａの上面を露出させる大径の開口１０ａ及び小径の開口１０ｂを備える被覆絶縁層１０を形成することと、大径の開口１０ａ及び小径の開口１０ｂ内にそれぞれ露出する複数の導体パッド１２ａの上面に酸化膜除去処理を施すことと、導体パッド１２ａ上に金属ポスト１００ａ、１００ｂを形成することと、を含んでいる。酸化膜除去処理はプラズマ処理を含んでいる。
【選択図】図１

Description

本発明は配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、接続パッドに連結されるメタルポストを備える基板の製造方法が開示されている。特許文献１に開示される基板の製造方法では、メタルポストは、ソルダーレジスト層における接続パッドの上面を露出させる開放部内を被覆するシード層上に形成される。

特開２０１０－１２９９９６号公報

特許文献１に開示されている基板の製造方法では、ソルダーレジスト層の開放部内に露出する接続パッドの上面はシード層で被覆され、シード層上にはメタルポストが形成される。シード層と接続パッドとの密着性が十分でない場合には、メタルポスト形成不良を引き起こし得ると考えられる。

本発明の配線基板の製造方法は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された複数の導体パッドを含む第１導体層と、を含む積層体を用意することと、前記第１導体層上に前記導体パッドの上面を露出させる大径の開口及び小径の開口を備える被覆絶縁層を形成することと、前記大径の開口及び前記小径の開口内にそれぞれ露出する前記複数の導体パッドの前記上面に酸化膜除去処理を施すことと、前記導体パッド上に金属ポストを形成することと、を含んでいる。前記酸化膜除去処理はプラズマ処理を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、開口内に露出する導体パッド上面の酸化膜除去処理はプラズマ処理を含んでいるので、導体パッド上に形成される金属ポストと導体パッドとは密着性良く接合され得ると考えられる。

本発明の一実施形態の方法により製造される配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の製造方法の他の例を説明する図。

次に、図面を参照しながら本発明の一実施形態である配線基板の製造方法によって製造される配線基板について説明する。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本実施形態の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面が部分的に示されている。配線基板１は、交互に積層される絶縁層及び導体層で形成されており、図１にはその一部の絶縁層１０、１１及び導体層１２が示されている。図示される配線基板１の一方の面Ｆは、半導体素子などの外部の電子部品が搭載される部品搭載面であり得る。

図１に示される、配線基板１の一方の面Ｆは、被覆絶縁層１０、及び、被覆絶縁層１０に形成される開口１０ａ、１０ｂ内を充填するとともに被覆絶縁層１０から配線基板１の外側へ突出する形状の金属ポスト１００ａ、１００ｂの表面から構成されている。図１に示されるように、配線基板１には、大径の開口１０ａを充填する金属ポスト１００ａと、小径の開口１０ｂを充填する金属ポスト１００ｂを有している。

金属ポスト１００ａと金属ポスト１００ｂとは、被覆絶縁層１０を貫通する部分（開口１０ａ、１０ｂを充填する部分）の径の寸法が異なる以外、その層構造などにおいて共通の構造を有し得る。なお、本明細書における「径」とは、対象物の水平方向（被覆絶縁層１０の延在方向）に沿った断面における、最も離間する２点間の距離を意味している。すなわち、例えば断面形状が円形の場合は直径を意味し、断面形状が多角形の場合は最大の対角線の長さを意味し、断面形状が楕円形の場合は長径をそれぞれ意味する。

大径の開口１０ａを充填する金属ポスト１００ａは、その最下部（すなわち、開口１０ａの底部）の径が３０μｍ以上、且つ、４５μｍ以下の寸法となるように形成され得る。小径の開口１０ｂを充填する金属ポスト１００ｂは、その最下部（すなわち、開口１０ｂの底部）の径が１５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下の寸法となるように形成され得る。

図１では、配線基板１が有し得る複数の絶縁層１１及び導体層１２のうち、一方の面Ｆ側におけるそれぞれ３層の絶縁層１１及び導体層１２が図示されている。実施形態の配線基板は、１又は２層以上の絶縁層１１、及び、１又は２層以上の導体層１２を有しており、最も一方の面Ｆに近い絶縁層１１及び導体層１２上に被覆絶縁層１０が形成されている。配線基板１が有する絶縁層１１及び導体層１２の層数は特に限定されず、適宜増減され得る。なお、一方の面Ｆを有する被覆絶縁層１０に最も近い絶縁層１１は第１絶縁層１１とも称され、一方の面Ｆを有する被覆絶縁層１０に最も近い導体層１２は第１導体層１２とも称される。

なお、実施形態の配線基板の説明では、配線基板を構成する各構成要素の、配線基板の厚さ方向における一方の面Ｆ側が「上側」、「外側」又は単に「上」、「外」と称され、一方の面Ｆの反対側が「下側」、「内側」又は単に「下」、「内」と称される。従って、各構成要素における一方の面Ｆ側の面は「上面」とも称され、一方の面Ｆの反対側を向く面は「下面」とも称される。

導体層１２は任意の導体パターンを有している。導体層１２は、絶縁層１１を貫通するように形成されているビア導体１３を介して絶縁層１１の反対側の導体層１２と電気的に接続され得る。

図示される３層の導体層１２のうち最も上側（最も一方の面Ｆの近く）に形成される第１導体層１２は、導体パッド１２ａを含むパターンに形成されている。導体パッド１２ａは、その上に形成される金属ポスト１００ａ、１００ｂを介して、半導体素子などの外部の電子部品が有する接続用のパッドと電気的に接続され得る。すなわち、導体パッド１２ａは部品搭載パッドであり得る。

図示されるように、大径の開口１０ａ内に露出する導体パッド１２ａの上面に大径の金属ポスト１００ａが形成されている。また、小径の開口１０ｂ内に露出する導体パッド１２ａの上面に小径の金属ポスト１００ｂが形成される。この金属ポスト１００ａ、１００ｂが形成される前に大径及び小径の開口１０ａ、１０ｂ内に露出する導体パッド１２ａの表面の酸化膜が、例えばプラズマ処理によって除去される。そのため、導体パッド１２ａの上面には新生面が露出し、金属ポスト１００ａ、１００ｂ（具体的には第１層１０１）と導体パッド１２ａとの接合面の密着性が向上し得る。導体パッド１２ａと金属ポスト１００ａ、１００ｂとのより強固な接合が実現され得る。

金属ポスト１００ａ、１００ｂは、第１層１０１及び第１層１０１上に形成される第２層１０２を有している。金属ポスト１００ａ、１００ｂを構成する第１層１０１は、開口１０ａ、１０ｂの内面を被覆している。具体的には、第１層１０１は、被覆絶縁層１０に形成されている開口１０ａ、１０ｂの底部に露出する導体パッド１２ａの上面及び開口１０ａ、１０ｂの内壁面（側壁面）を被覆している。図示の例では、第１層１０１は、さらに開口１０ａ、１０ｂの周縁部分における被覆絶縁層１０の上面をも被覆している。第２層１０２は第１層１０１の上面の全域を被覆している。図示の例では、金属ポスト１００ａ、１００ｂは、第２層１０２の上側に、さらに、第２層１０２の上面全域を覆う第３層１０３、及び、第３層１０３の上面全域を覆う第４層１０４を有している。

配線基板１を構成する絶縁層１１は、エポキシ樹脂等の任意の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド－トリアジン樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等も用いられ得る。絶縁層１１はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図示される例の配線基板１においては、絶縁層１１は芯材を含んでいないが、必要に応じてガラス繊維やアラミド繊維などの芯材を含んでもよい。芯材を含むことで配線基板１の強度が向上し得る。複数の絶縁層１１は、それぞれ異なる材料で構成されてもよく、全てが同じ材料で形成されてもよい。

導体層１２は、銅やニッケルなど、適切な導電性を有する任意の材料を用いて形成され得る。導体層１２は、例えば、電解めっき膜（好ましくは電解銅めっき膜）、もしくは無電解めっき膜（好ましくは無電解銅めっき膜）、又はこれらの組み合わせによって形成され、好ましくは、図示のように、無電解めっき膜層１２１及び電解めっき膜層１２２の２層構造で形成されている。しかし、配線基板１を構成する各導体層１２の構成は、図１に例示される多層構造に限定されない。例えば、金属箔、無電解めっき膜層、及び電解めっき膜層の３層構造で構成されてもよい。また、無電解めっき膜層、又は電解めっき膜層の単層の構造とされてもよい。なお、無電解めっき膜層に代えてスパッタリング膜や蒸着膜などが形成される場合もあり得る。

ビア導体１３は、図１に示されるように、導体層１２を構成している無電解めっき膜層１２１及び電解めっき膜層１２２と一体的に形成され得る。図示の例では、ビア導体１３は絶縁層１１に形成される導通用孔１３ａ内を充填するいわゆるフィルドビアであり、導通用孔１３ａ内の底面及び内壁面を被覆する無電解めっき膜層１２１と電解めっき膜層１２２とで構成されている。

被覆絶縁層１０は任意の絶縁性の樹脂材料を用いて形成される。被覆絶縁層１０は、例えば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等を用いて形成され得る。被覆絶縁層１０は、導体パッド１２ａの縁部と、導体パッド１２ａ上に形成される金属ポスト１００ａ、１００ｂの側面と、導体パッド１２ａを含む導体層１２のパターンの間から露出する絶縁層１１の上面とを覆っている。被覆絶縁層１０はソルダーレジスト層であり得る。

金属ポスト１００ａ、１００ｂを構成する第１層１０１は、銅又はニッケルなどの任意の導電性金属を含む金属膜層であり得る。第１層１０１は無電解めっき膜層であり得る。第１層１０１はスパッタ膜層を含む場合もあり得る。なお、図示の例では、金属ポスト１００ａ、１００ｂによって充填される開口１０ａ、１０ｂが被覆絶縁層１０の上側から導体パッド１２ａに向かって縮径する形状に形成されているが、開口１０ａ、１０ｂはこの形状に限定されない。被覆絶縁層１０の厚さ方向において同径の略円柱状にも形成され得る。

金属ポスト１００ａ、１００ｂを構成する第２層１０２は、任意の導電性金属を含むめっき膜層であり得る。第２層１０２は、配線基板の製造方法について後述されるように、第１層１０１を給電層として形成される電解めっき膜層であり得る。第２層１０２は、例えば、電解銅めっき膜層として形成され得る。第２層１０２の上面に形成される第３層１０３は、例えば、ニッケルめっき層であり得る。第３層１０３の上面に形成される第４層１０４は、例えば、錫めっき層であり得る。第３層１０３はバリア層としての機能を有し、第４層１０４を構成する元素（例えば錫）の第２層１０２（例えば銅めっき層）への拡散及び反応を防止している。

詳しくは製造方法に関して後述されるように、被覆絶縁層１０に形成された開口１０ａ、１０ｂ内に露出する導体パッド１２ａの表面に存在する酸化膜は、例えば酸素を含むプラズマの照射によって除去される。このプラズマを使用する処理により、導体パッド１２ａの表面に新生面が露出し得る。その結果、導体パッド１２ａとその上に形成される金属ポスト１００ａ、１００ｂの第１層１０１である金属膜層との密着性が向上すると考えられる。

従来、この導体パッド１２ａと第１層１０１との密着性を向上させるために、導体パッド１２ａの表面に薬液（エッチング液）を使用するソフトエッチングが施されることで、導体パッド１２ａ上面が粗化され、その後に第１層１０１が形成される場合があった。このようなソフトエッチングが行われると、図３に示されるように、導体パッド１２ａの表面に凹部１２ｒａ、１２ｒｂが形成され得る。

図示される配線基板１のように、大径の開口１０ａと小径の開口１０ｂとが混在する場合には、上述のソフトエッチングにおいて、大径の開口１０ａ内ではエッチング液の回り込みが良く、小径の開口１０ｂ内ではエッチング液が回り込みにくいと考えられる。その結果、図１及び図３には示されていないが、凹部１２ｒａの深さＤと凹部１２ｒｂの深さＤとに顕著な差が生じる場合がある。異なる導体パッド１２ａ間において、凹部１２ｒａ、１２ｒｂの深さＤに顕著な差が生じると、導体パッド１２ａの上に形成される金属ポスト１００ａ、１００ｂの高さに差が生じる恐れがある。金属ポスト１００ａ、１００ｂの高さに差があると、金属ポスト１００ａ、１００ｂを介して配線基板１に搭載される電子部品の接続の信頼性が低下する場合があると考えられる。なお、「金属ポストの高さ」とは、具体的には、金属ポスト１００ａ、１００ｂの最も外側の点と第１絶縁層１１の上面との最短の距離を意味している。

これに対して、詳しくは後述されるように、本実施形態の製造方法では、開口１０ａ、１０ｂの底面に露出する導体パッド１２ａの上面に、ソフトエッチングに代えてプラズマを使用する処理が施される。プラズマを使用する処理では凹部１２ｒａ、１２ｒｂは形成され難く、従って、金属ポスト１００ａ、１００ｂの高さに差が生じ難い。従って、本実施形態の製造方法により製造され得る配線基板では、複数の金属ポスト１００ａ、１００ｂの高さのばらつきが少なく、その使用において、外部の電子部品がより信頼性高く搭載され得る。

また、後述されるように、開口１０ａ、１０ｂの底面に露出する導体パッド１２ａの上面に対するプラズマ処理に加えて、軽度のソフトエッチングが行われ、導体パッド１２ａの表面に比較的微小な凹部が形成される場合もあり得る。この場合、軽度のソフトエッチングは、上述の、導体パッド１２ａ上に形成される金属ポスト１００ａ、１００ｂの高さの不均一が引き起こす問題（搭載される電子部品の接続信頼性の低下）が生じ得ない程度に、例えば凹部が、１μｍ以下の深さを有するように実施され得る。すなわち、配線基板１における導体パッド１２ａは、１μｍ以下の深さを有する凹部を有する場合がある。

以下に、図１に示される配線基板１を製造する方法が、図２Ａ～図２Ｊ及び図３を参照しながら説明される。図２Ａ～図２Ｊ及び図３においては、図１と同様に、配線基板の全体は図示されず、配線基板１における金属ポスト１００ａ、１００ｂが形成される側の部分的な断面のみが図示される。なお、以下、配線基板１を製造する方法の説明においては、上述の配線基板１の説明と同様に、配線基板１を構成する各要素において、配線基板１の一方の面Ｆ（図１参照）が形成される側を「上」、「上側」、「外側」、又は単に「外」と称する。

先ず、例えば、ビルドアップ方式による一般的な配線基板の製造方法により、最外の第１導体層１２の積層までが完了した積層体が準備される。図２Ａには、ビルドアップ方式により、絶縁層（第１絶縁層）１１、及び、第１絶縁層１１に接する、導体パッド１２ａが含まれる導体層（第１導体層）１２までの積層が完了した、積層体１ｐが示されている。

次いで、図２Ｂに示されるように、導体パッド１２ａ、及び、導体パッド１２ａを含む導体層１２の導体パターンから露出する絶縁層１１上に、被覆絶縁層１０が形成される。被覆絶縁層１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む絶縁性の樹脂で形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が形成されることで、例えばソルダーレジスト層である被覆絶縁層１０が形成され得る。

被覆絶縁層１０には、金属ポスト１００ａ、１００ｂ（図１参照）が形成されるべき位置に対応して、導体パッド１２ａを露出させる開口１０ａ、１０ｂが形成される。開口１０ａ、１０ｂは、例えば、金属ポスト１００ａ、１００ｂが形成されるべき位置に対応する開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって形成され得る。

形成される開口１０ａの径（具体的には、開口１０ａの底部における径）は、開口１０ｂの径（具体的には、開口１０ｂの底部における径）より大きい寸法に形成される。すなわち、開口１０ａは、開口１０ｂの径よりも大きい大径の開口として形成され、開口１０ｂは、開口１０ａの径よりも小さい小径の開口として形成される。具体的には、大径の開口１０ａは、その底部の径が３０μｍ以上、且つ、４５μｍ以下の寸法となるように形成され得る。小径の開口１０ｂは、その底部の径が１５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下の寸法となるように形成され得る。

次いで、図２Ｃに示されるように、開口１０ａ、１０ｂの内面に、例えば窒素又は酸素を使用するプラズマＰＺが照射される。このプラズマ処理によって、開口１０ａ、１０ｂ内に露出する導体パッド１２ａの上面が活性化され得る。すなわち、導体パッド１２ａの表面の酸化物や不純物が除去されて導体パッド１２ａの新生面が露出し得る。また、このプラズマ処理により導体パッド１２ａの上面は粗面化され、微細な凹凸（図示せず）が生じ得る。この導体パッド１２ａ表面の酸化物や不純物を除去する処理は酸化膜除去処理と称される。

通常、プラズマの発生は低気圧下で行われるが、大気圧でもプラズマを発生させることができる。電極間にプラズマ発生部分を形成し、その内部に窒素（Ｎ₂）又は酸素（Ｏ₂）などのプラズマ生成ガスを供給しながら高周波電界などを電極間に印加することによってプラズマを発生させることができる。例えば、電極間に発生するプラズマに基板を晒すことによって、プラズマ処理は実施され得る。プラズマを発生させる電界は高周波電界に限らず直流電界でも構わない。プラズマ生成ガスとしては、窒素（Ｎ₂）又は酸素（Ｏ₂）以外に、アルゴン（Ａｒ）やフッ素系化合物（ＣＦ₄）を含むガスも使用され得る。

このプラズマ処理だけで導体パッド１２ａの表面を活性化することができるが、さらに軽度のソフトエッチング処理を加えることができる。軽度のソフトエッチングとは、エッチングによる導体パッド１２ａの表面の凹みがあまり顕著にならない程度に、例えば、比較的濃度の薄いエッチング液を用いる短時間のエッチングをすることである。この軽度のエッチングを施すことにより、図３に示される状態となり得る。すなわち、図３では誇張して描かれているが、軽度のソフトエッチングにより、導体パッド１２ａには、上述の形成される金属ポストの高さの不均一が引き起こす問題が生じない程度の、深さＤが例えば１μｍ以下である凹部１２ｒａ、１２ｒｂが形成され得る。

軽度のソフトエッチングは、具体的には過硫酸塩や過酸化水素水などの酸化剤を含むエッチング液を使用して実施され得る。この軽度のソフトエッチングにより、凹部１２ｒａ、１２ｒｂが形成されることにより、続いて導体パッド１２ａ上に形成される金属ポスト１００ａ、１００ｂと導体パッド１２ａとの接合面が比較的大きくされ、導体パッド１２ａと金属ポスト１００ａ、１００ｂとのより強固な接合が実現される場合がある。

続いて、図２Ｄに示されるように、開口１０ａ、１０ｂの内面（導体パッド１２ａの上面、及び、開口１０ａ、１０ｂの内壁面）並びに、被覆絶縁層１０の上面の全体に亘って、例えば、無電解めっきによって、例えば無電解銅めっき膜層である金属膜層（第１層）１０１が形成される。金属膜層である第１層１０１は、例えば銅を含むターゲットを用いたスパッタリングによっても形成される場合がある。

次いで、図２Ｅに示されるように、第１層１０１上に電解めっき用のめっきレジスト１０１ｒが形成される。具体的には、被覆絶縁層１０の開口１０ａ、１０ｂの内側の領域及び被覆絶縁層１０の上面の上側を含む、第１層１０１上の全域を被覆するように、例えば、感光性のポリヒドロキシエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はポリイミド樹脂などを含むめっきレジストが、例えば、スプレーコーティング又はフィルムの貼り付けなどによって全域に形成される。

次いで、図２Ｆに示されるように、めっきレジスト１０１ｒに対する、例えば、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって、レジスト開口部１０１ｒｏが形成される。レジスト開口部１０１ｒｏは、配線基板１の一方の面を構成する金属ポスト１００ａ、１００ｂ（図１参照）が有するべき配置パターンに応じた、開口パターンを有するマスクを用いて形成され得る。形成されるレジスト開口部１０１ｒｏは、その内側に、被覆絶縁層１０に形成されている開口１０ａ、１０ｂの全域を含むと共に、開口１０ａ、１０ｂの周縁における、被覆絶縁層１０の上面の部分も含むように形成され得る。

レジスト開口部１０１ｒｏの形成においては、レジスト１０１ｒの現像工程におけるレジスト１０１ｒの残渣（スカム）がレジスト開口部１０１ｒｏ内に残留し得る。そのような場合には、接合不良が生じる場合がある。そのため、レジスト開口部１０１ｒｏの内面に対して、残渣を除去する処理（デスカム処理）が実施される場合がある。残渣を除去する処理は、例えば、酸素プラズマを用いるドライプロセス、又は、薬液を用いるウェットプロセスにより実施され得る。

次いで、図２Ｇに示されるように、レジスト開口部１０１ｒｏ内にめっき膜層（第２層）１０２が形成される。第１層１０１を給電層として用いた電解めっきにより、レジスト開口部１０１ｒｏ内に第２層１０２として電解めっき膜層が形成され得る。被覆絶縁層１０の開口１０ａ、１０ｂの内部及び被覆絶縁層１０上面の上側を含む、レジスト開口部１０１ｒｏの内部における給電層上（第１層１０１上）に、例えば、電解銅めっき膜である第２層１０２が形成される。

次いで図２Ｈに示されるように、第２層１０２上の第３層１０３、及び、第３層１０３上の第４層１０４が形成される。第３層１０３は、例えばニッケルを主成分とするニッケルめっき液を用いて、第２層１０２を直接被覆するニッケルめっき層として形成され得る。第４層１０４は、例えば錫を主成分とする錫めっき液を用いて、第３層１０３を被覆する錫めっき層として形成され得る。

第４層１０４には、例えば、第２層１０２よりも融点が低く、リフロー処理に因り溶融して半球形状に成形され得る金属が用いられ得る。第４層１０４は、例えば錫、銀、及び銅を含むソルダーペーストの充填によって形成される場合がある。第４層１０４は、その積層後にリフロー処理され、これにより、第３層１０３と第４層１０４との間に合金層が形成され、第３層１０３と第４層１０４とが接合される。図示されるように、このリフロー処理によって第４層１０４は、半球状に成形され得る。

次いで、めっきレジスト１０１ｒが除去され、図２Ｉに示されるように、被覆絶縁層１０上の第１層１０１が露出する。

次いで、被覆絶縁層１０上の、露出する第１層１０１がエッチングにより除去され、図２Ｊに示されるように、被覆絶縁層１０が露出すると共に金属ポスト１００ａ、１００ｂの形成が完了する。配線基板１の形成が完了する。

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは適宜変更され得る。実施形態の配線基板の製造方法は、少なくとも、大径の開口及び小径の開口内にそれぞれ露出する複数の導体パッドの上面にプラズマ処理を施されればよく、現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。例えば、被覆絶縁層１０の開口１０ａ、１０ｂは、ＵＶレーザーを使用して被覆絶縁層１０を部分的に除去することで形成される場合もあり得る。

１ 配線基板
１０ 被覆絶縁層
１０ａ 開口（大径の開口）
１０ｂ 開口（小径の開口）
１１ 絶縁層
１２ 導体層
１２ａ 導体パッド
１２ｒａ、１２ｒｂ 凹部
１００ａ 金属ポスト（大径の金属ポスト）
１００ｂ 金属ポスト（小径の金属ポスト）
１０１ 第１層（金属膜層）
１０２ 第２層（めっき膜層）
１０３ 第３層
１０４ 第４層
１０１ｒ めっきレジスト
１０１ｒｏ レジスト開口部

Claims (10)

1. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された複数の導体パッドを含む第１導体層と、を含む積層体を用意することと、
   前記第１導体層上に前記導体パッドの上面を露出させる大径の開口及び小径の開口を備える被覆絶縁層を形成することと、
   前記大径の開口及び前記小径の開口内にそれぞれ露出する前記複数の導体パッドの前記上面に酸化膜除去処理を施すことと、
   前記導体パッド上に金属ポストを形成することと、
   を含む、配線基板の製造方法であって、
   前記酸化膜除去処理はプラズマ処理を含んでいる。
2. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記プラズマ処理には酸素プラズマが用いられる。
3. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記酸化膜除去処理にはソフトエッチングがさらに含まれる。
4. 請求項３記載の配線基板の製造方法であって、前記ソフトエッチングにより、前記導体パッドの前記上面に、深さが１μｍ以下の凹部が形成される。
5. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記大径の開口の底部の径が３０μｍ以上、且つ、４５μｍ以下に形成され、前記小径の開口の底部の径が１５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下に形成される。
6. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記金属ポストを形成することは、
   前記被覆絶縁層の上面、並びに、前記大径の開口の内面及び前記小径の開口内の内面の全域を被覆する金属膜層を形成することと、
   前記金属膜層上を被覆するレジスト層を形成することと、
   前記レジスト層に、前記大径の開口内及び前記小径の開口内における前記金属膜層の上面を露出させるレジスト開口部を形成することと、
   前記レジスト開口部内の前記金属膜層上にめっき膜層を形成することと、
   前記レジスト層を除去することと、
   前記レジスト層の除去により露出する前記金属膜層を除去することと、を含んでいる。
7. 請求項６記載の配線基板の製造方法であって、前記金属膜層を形成することは、無電解銅めっき処理を含んでいる。
8. 請求項６記載の配線基板の製造方法であって、前記めっき膜層を形成することは、前記金属膜層を給電層として用いる電解銅めっき処理を含んでいる。
9. 請求項６記載の配線基板の製造方法であって、前記めっき膜層の形成後、前記めっき膜層上にニッケルめっき層を形成すること、及び、前記ニッケルめっき層上に錫めっき層を形成することをさらに含んでいる。
10. 請求項９記載の配線基板の製造方法であって、前記錫めっき層をリフロー処理によって成形することをさらに含んでいる。

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