JP2023540034A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2023540034A5 JP2023540034A5 JP2023513308A JP2023513308A JP2023540034A5 JP 2023540034 A5 JP2023540034 A5 JP 2023540034A5 JP 2023513308 A JP2023513308 A JP 2023513308A JP 2023513308 A JP2023513308 A JP 2023513308A JP 2023540034 A5 JP2023540034 A5 JP 2023540034A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor
- halogen species
- halogenated
- activation energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202062706703P | 2020-09-03 | 2020-09-03 | |
| US62/706,703 | 2020-09-03 | ||
| PCT/US2021/046878 WO2022051113A1 (en) | 2020-09-03 | 2021-08-20 | Atomic layer etching of a semiconductor, a metal, or a metal oxide with selectivity to a dielectric |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023540034A JP2023540034A (ja) | 2023-09-21 |
| JP2023540034A5 true JP2023540034A5 (enExample) | 2024-08-26 |
| JP7678090B2 JP7678090B2 (ja) | 2025-05-15 |
Family
ID=80491414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023513308A Active JP7678090B2 (ja) | 2020-09-03 | 2021-08-20 | 誘電体に対する選択性を有した半導体、金属、または金属酸化物の原子層エッチング |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230274939A1 (enExample) |
| JP (1) | JP7678090B2 (enExample) |
| KR (1) | KR20230057305A (enExample) |
| WO (1) | WO2022051113A1 (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021178399A1 (en) | 2020-03-06 | 2021-09-10 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of molybdenum |
| WO2022197728A1 (en) | 2021-03-18 | 2022-09-22 | Lam Research Corporation | Etching of indium gallium zinc oxide |
| JP7709946B2 (ja) * | 2022-09-22 | 2025-07-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3386287B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2003-03-17 | 堀池 靖浩 | プラズマエッチング装置 |
| JP3362181B2 (ja) * | 1995-08-24 | 2003-01-07 | 名古屋大学長 | ラジカル制御による微細加工方法および装置 |
| JP3611729B2 (ja) * | 1998-08-26 | 2005-01-19 | セントラル硝子株式会社 | エッチングガス |
| US6559076B1 (en) * | 1999-08-19 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Method of removing free halogen from a halogenated polymer insulating layer of a semiconductor device |
| US7141505B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-11-28 | Lam Research Corporation | Method for bilayer resist plasma etch |
| US8633115B2 (en) * | 2011-11-30 | 2014-01-21 | Applied Materials, Inc. | Methods for atomic layer etching |
| US8883028B2 (en) * | 2011-12-28 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems |
| WO2017205658A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Atomic layer etching on microdevices and nanodevices |
| KR20180045104A (ko) * | 2016-10-24 | 2018-05-04 | 삼성전자주식회사 | 원자층 식각 방법 및 이를 포함하는 반도체 제조 방법 |
| US10283319B2 (en) * | 2016-12-22 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching processes |
| US10242885B2 (en) * | 2017-05-26 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Selective dry etching of metal films comprising multiple metal oxides |
| WO2020014065A1 (en) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | Lam Research Corporation | Electron excitation atomic layer etch |
-
2021
- 2021-08-20 WO PCT/US2021/046878 patent/WO2022051113A1/en not_active Ceased
- 2021-08-20 KR KR1020227045273A patent/KR20230057305A/ko not_active Ceased
- 2021-08-20 US US18/002,788 patent/US20230274939A1/en active Pending
- 2021-08-20 JP JP2023513308A patent/JP7678090B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105742157B (zh) | 氧化锗预清洁模块和方法 | |
| JP5274649B2 (ja) | 真空処理方法及び真空処理装置 | |
| KR20150109288A (ko) | 플라즈마 전-세정 모듈 및 공정 | |
| KR20080031634A (ko) | 성막 장치와 그 사용 방법 | |
| JP2010177302A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
| JPH09293701A (ja) | 半導体を製造する方法 | |
| JP5554469B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| TWI645056B (zh) | 以氣體內加熱源進行之腔室清潔 | |
| JP5084508B2 (ja) | クリーニング方法 | |
| JP4640800B2 (ja) | 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
| JP2008283148A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| EP3605587A1 (en) | Dry etching method or dry cleaning method | |
| KR101906653B1 (ko) | 실리콘 산화막의 형성 방법 및 실리콘 산화막의 형성 장치 | |
| TW201921478A (zh) | 基板處理方法 | |
| JP5710033B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
| JP5250141B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
| TWI792896B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP5571233B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JP2632293B2 (ja) | シリコン自然酸化膜の選択的除去方法 | |
| TW202425148A (zh) | 矽鍺合金的選擇性氣相蝕刻 | |
| JP2015185565A (ja) | シリコン酸化膜形成装置の洗浄方法、シリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜形成装置 | |
| JP4312198B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
| JP3125280B2 (ja) | Cvd装置のクリーニング方法 | |
| JP2000021849A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2010050270A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |