JP2023536392A - 基板処理方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、第１処理領域と第２処理領域とに分けられた処理空間で支持部に支持された基板に対して処理工程を行う基板処理方法であって、前記第１処理領域に第１ガスと第１パージガスを噴射する工程、および前記第２処理領域に第２パージガスと第２ガスを順に噴射する工程を含む基板処理方法に関するものである。

Description

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理方法に関するものである。

一般に、太陽電池（Solar Cell）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。このような基板に対する処理工程は、基板処理装置によって行われる。

このような基板に対する処理工程は、基板処理装置により行われる。基板処理装置は、処理空間を提供するチャンバ、基板を支持する支持部、前記支持部に向かってガスを噴射するガス噴射部、および前記処理空間からガスを排気する排気部を含む。基板処理装置は、前記ガス噴射部が噴射したソースガスと反応ガスを用いて、基板に対する処理工程を行う。ソースガスと反応ガスは、前記排気部を介して排気される。前記排気部は、複数個の排気ラインで構成され、それぞれ前記チャンバに連結する。前記排気部は、ソースガスを排気するための排気ラインと反応ガスを排気するための排気ラインを別々に含むこともできる。

ここで、前記処理空間で未反応のソースガスは、前記排気部を介して完全に排気されなければならない。このような未反応のソースガスは、反応性の高い物質を含んでいる。したがって、前記排気部内部に未反応ソースガスが残留して蓄積したり、前記排気部を介して排気された反応ガスと反応して前記排気部に蒸着する場合、前記排気部内部で発火や目詰まり等が発生することにより、前記排気部の排気性能と安全性が低下し得る。

本発明は、上記のような問題点を解決しようとしたものであり、未反応のソースガスが排気される過程で排気部内部に残留して蓄積することを防止できる基板処理方法を提供するためのものである。

上述したような課題を解決するために、本発明は以下のような構成を含むことができる。

本発明による基板処理方法は、第１処理領域と第２処理領域とに分けられた処理空間で支持部に支持された基板に対して処理工程を行うことである。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域に第１ガスおよび第１パージガスを順に噴射する工程、および前記第２処理領域に第２パージガスおよび前記第１ガスと反応する第２ガスを順に噴射する工程を含むことができる。前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射するとき、前記第２処理領域に前記第２パージガスを噴射することができる。前記第２処理領域に前記第２ガスを噴射するとき、前記第１処理領域に前記第１パージガスを噴射することができる。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域に第１ガスを噴射し、前記第２処理領域に第２パージガスを噴射する工程、および前記第１処理領域に第１パージガスを噴射し、前記第２処理領域に前記第１ガスと反応する第２ガスを噴射する工程を含むことができる。前記工程は、順に進行させることができる。前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射するとき、前記第２処理領域に前記第２ガスが噴射されないことがあり得る。前記第２処理領域に前記第２ガスが噴射されるとき、前記第１処理領域に前記第１ガスが噴射されないことがあり得る。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域に第１ガスを噴射し、前記第２処理領域に第２パージガスを噴射し、前記第１ガスと前記第２パージガスをそれぞれ排気する工程、および前記第１処理領域に第１パージガスを噴射し、前記第２処理領域に前記第１ガスと反応する第２ガスを噴射し、前記第１パージガスと前記第２ガスをそれぞれ排気する工程を含むことができる。前記工程は、順に進行させることができる。前記第１処理領域から前記第１ガスを排気するとき、前記第２処理領域から前記第２パージガスを排気することができる。前記第２処理領域から前記第２ガスを排気するとき、前記第１処理領域から前記第１パージガスを排気することができる。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域に第１ガスを噴射し、前記第２処理領域に第２パージガスを噴射し、前記第１ガスと前記第２パージガスをそれぞれ排気する工程、および前記第１処理領域に第１パージガスを噴射し、前記第２処理領域に前記第１ガスと反応する第２ガスを噴射し、前記第１パージガスと前記第２ガスをそれぞれ排気する工程を含むことができる。前記工程は、順に進行させることができる。前記第１処理領域から前記第１ガスを排気するとき、前記第２処理領域から前記第２ガスが排気されないことがあり得る。前記第２処理領域から前記第２ガスを排気するとき、前記第１処理領域から前記第１ガスが排気されないことがあり得る。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域と前記第２処理領域を分けるための区画ガスを前記第１処理領域と前記第２処理領域の間に噴射する工程を含むことができる。

本発明による基板処理方法は、前記支持部に支持された少なくとも１つの基板が、前記第１処理領域と前記第２処理領域の間を移動するように、前記支持部を回転させる工程を含むことができる。

本発明による基板処理方法において、前記支持部を回転させる工程は、繰り返し行うことができる。

本発明によれば、次のような効果を得ることができる。

本発明は、処理空間からガスを排気する過程で、未反応の第１ガスと未反応の第２ガスとが合流することを防止することができるように具現される。したがって、本発明は、処理空間からガスを排気する過程での異物発生量を低減することができる。また、本発明は、処理空間からガスを排気するための排気性能を向上させることができ、ガスを排気する過程での安全性を向上させることができる。

本発明による基板処理装置の概略分解斜視図である。 図１のＩ－Ｉ線を基準とする本発明による基板処理装置の概略側面断面図である。 本発明による基板処理装置における支持部の概略平面図である。 排気部を説明するために、本発明による基板処理装置を図１のＩ－Ｉ線を基準にして示す概略側面断面図である。 本発明による基板処理装置が第１ガス、第１パージガス、第２ガス、及び第２パージガスそれぞれを噴射する区間と噴射しない区間を示すタイミング図である。 本発明による基板処理装置が第１ガス、第１パージガス、第２ガス、及び第２パージガスそれぞれを噴射する区間と噴射しない区間を示すタイミング図である。

以下では、本発明による基板処理装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。

図１及び図２を参照すると、本発明による基板処理装置１は、基板（Ｓ）に対する処理工程を行うものである。前記基板（Ｓ）は、シリコン基板、ガラス基板、メタル基板などであり得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程、前記基板（Ｓ）に蒸着した薄膜の一部を除去するエッチング工程等を行うことができる。以下では、本発明に係る基板処理装置１を、上記蒸着工程を行う実施例に基づいて説明するが、このことから本発明に係る基板処理装置１が上記エッチング工程等のように異なる処理工程を行う実施例を導出することは、本発明が属する技術分野に属する当業者には自明であろう。

本発明に係る基板処理装置１は、チャンバ２、支持部３、ガス噴射部４、ガス供給部５、及び排気部６を含むことができる。

<チャンバ>
図１～図３を参照すると、前記チャンバ２は、処理空間１００を提供するものである。前記処理空間１００では、基板（Ｓ）に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行うことができる。前記処理空間１００は、前記チャンバ２の内部で第１処理領域１１０、第２処理領域１２０、及び前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０の間の第３処理領域１３０を含むことができる。前記チャンバ２には、前記支持部３と前記ガス噴射部４を設置することができる。

＜支持部＞
図１～図３を参照すると、前記支持部３は、前記チャンバ２の内部に配置することができる。前記支持部３は、１つの基板（Ｓ）を支持することもでき、複数の基板（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）（図３に示す）を支持することもできる。前記処理空間１００が前記第１処理領域１１０、前記第２処理領域１２０、及び前記第３処理領域１３０を含む場合、前記支持部３の一部は、前記第１処理領域１１０に位置し、前記支持部３の他の一部は、前記第２処理領域１２０に位置し、前記支持部３のまた他の一部は、前記第３処理領域１３０に位置することができる。前記支持部３に複数の基板（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）が支持された場合、前記複数の基板（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうちの一部は、前記第１処理領域１１０に位置し、他の一部は、前記第２処理領域１２０に位置するように前記支持部３によって支持され得る。

前記支持部３は、前記チャンバ２内で前記支持部３の支持軸３０（図３に示す）を中心に回転することもできる。前記支持部３の回転によって前記支持部３に支持された前記基板（Ｓ）は、前記チャンバ２内で各々異なる処理領域に移動することができる。前記支持部３が回転するとき、前記複数の基板（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうちの一部の基板は、前記第１処理領域１１０から前記第３処理領域３１０を経て前記第２処理領域１２０に移動し、前記第２処理領域１２０から前記第３処理領域１３０を経て再び前記第１処理領域１１０に移動することができる。前記支持部３の回転は、停止と回転を繰り返し行うこともでき、停止せずに連続的に行うこともできる。これにより、前記支持部３に支持された基板（Ｓ）は、停止と移動を繰り返しながら、各々異なる処理領域間を移動することができ、停止せずに連続的に移動することもできる。

＜ガス噴射部＞
図１～図３を参照すると、前記ガス噴射部４は、前記支持部３に向かってガスを噴射するものである。前記ガス噴射部４は、ガス供給部５に連結することができる。これにより、前記ガス噴射部４は、前記ガス供給部５から供給されたガスを前記支持部３に向けて噴射することができる。前記ガス噴射部４は、前記支持部３と対向して配置することができる。前記ガス噴射部４と前記支持部３の間には、前記処理空間１００を配置することができる。前記ガス噴射部４は、チャンバリッド２０に結合することもできる。前記チャンバリッド２０は、前記チャンバ２の上部を覆うように前記チャンバ２に結合したものである。

前記ガス噴射部４は、第１噴射ユニット４１および第２噴射ユニット４２を含むことができる。

前記第１噴射ユニット４１は、前記第１処理領域１１０にガスを噴射するものである。前記第１処理領域１１０は、前記処理空間１００の一部に該当し得る。前記第１噴射ユニット４１は、前記支持部３から上側に離隔して配置することができる。この場合、前記第１処理領域１１０は、前記第１噴射ユニット４１と前記支持部３の間の領域であり得る。前記第１噴射ユニット４１は、前記第１処理領域１１０に第１ガス（Ｇ１）と第１パージガス（ＰＧ１）を噴射することができる。前記第１ガス（Ｇ１）は、ソースガスであり得る。前記第１パージガス（ＰＧ１）は、アルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスであり得る。

これにより、前記第１処理領域１１０に位置した基板（Ｓ）に対して前記第１ガス（Ｇ１）を用いた処理工程を行うことができる。前記処理工程は、前記第１ガス（Ｇ１）が反応ガスと反応して薄膜を蒸着するソースガスである場合、前記基板（Ｓ）の表面にソースガスが吸着する過程であり得る。また、前記第１パージガス（ＰＧ１）は、前記第１処理領域１１０において前記基板（Ｓ）に吸着しない前記第１ガス（Ｇ１）をパージすることができる。前記第１処理領域１１０に前記支持部３に支持された複数の基板（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうちの一部の基板（Ｓ１、Ｓ２）が位置する場合、前記基板（Ｓ１、Ｓ２）には、前記第１噴射ユニット４１から噴射された第１ガス（Ｇ１）と第１パージガス（ＰＧ１）を順に噴射することができる。

前記第２噴射ユニット４２は、前記第２処理領域１２０にガスを噴射するものである。前記第２処理領域１２０は、前記処理空間１００の一部に該当し得る。前記第２噴射ユニット４２は、前記支持部３から上側に離隔して配置することができる。この場合、前記第２処理領域１２０は、前記第２噴射ユニット４２と前記支持部３の間の領域であり得る。

前記第２噴射ユニット４２は、前記第２処理領域１２０に第２ガス（Ｇ２）と第２パージガス（ＰＧ２）を噴射することができる。前記第２ガス（Ｇ２）は、反応ガスであり得る。前記第２ガス（Ｇ２）は、ソースガスであってもよく、この場合、前記第１ガス（Ｇ１）は反応ガスであり得る。前記第２パージガス（ＰＧ２）は、アルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスであり得る。前記第２噴射ユニット４２は、前記ガス供給部５に連結することができる。

これにより、前記第２処理領域１２０に位置した基板（Ｓ）に対して、前記第２ガス（Ｇ２）を用いた処理工程を行うことができる。前記処理工程は、前記第２ガス（Ｇ２）が前記第１ガス（Ｇ１）と反応して薄膜を形成する場合、前記基板（Ｓ）上に吸着した第１ガス（Ｇ１）と前記第２ガス（Ｇ２）が反応して前記基板（Ｓ）の表面に薄膜を形成する過程であり得る。また、前記第２パージガス（ＰＧ２）は、前記第２処理領域１２０において前記基板（Ｓ）の表面に残留している前記第１ガス（Ｇ１）をさらにパージするか、前記第１ガス（Ｇ１）と反応しない前記第２ガス（Ｇ２）をパージすることができる。前記第１処理領域１１０に前記支持部３に支持された複数の基板（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうちの一部の基板（Ｓ１、Ｓ２）が位置する場合、前記第２処理領域１２０には、他の一部の基板（Ｓ３、Ｓ４）が位置することができる。前記他の一部の基板（Ｓ３、Ｓ４）には、前記第２噴射ユニット４２から噴射された第２ガス（Ｇ２）と第２パージガス（ＰＧ２）を噴射することができる。前記第２噴射ユニット４２は、前記第２パージガス（ＰＧ２）と前記第２ガス（Ｇ２）を順に噴射することもできる。

前記ガス噴射部４は、第３噴射ユニット４３をさらに含むことができる。

前記第３噴射ユニット４３は、前記第３処理領域１３０にガスを噴射するものである。前記第３処理領域１３０は、前記処理空間１００の一部に該当し得る。前記第３処理領域１３０は、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０の間の領域であり得る。前記第３噴射ユニット４３は、前記支持部３から上側に離隔して配置することができる。前記第３噴射ユニット４３は、前記第１噴射ユニット４１と前記第２噴射ユニット４２の間に配置することができる。

前記第３噴射ユニット４３は、前記第３処理領域１３０に区画ガスを噴射することができる。前記区画ガスは、アルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスであり得る。前記第３噴射ユニット４３が、前記第３処理領域１３０に前記区画ガスを噴射することにより、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０は、互いの間でガスが混合しないように空間的に分離され得る。前記第３噴射ユニット４３は、前記ガス供給部５に連結することができる。前記第１処理領域１１０に前記支持部３に支持された複数の基板（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうちの一部の基板（Ｓ１、Ｓ２）が位置するとともに、前記第２処理領域１２０に他の一部の基板（Ｓ３、Ｓ４）が位置する場合、前記第３噴射ユニット４３は、前記第１処理領域１１０に位置した基板（Ｓ１、Ｓ２）および前記第２処理領域１２０に位置した基板（Ｓ３、Ｓ４）間の空間に、前記区画ガスを噴射することができる。

＜ガス供給部＞
図１～図３を参照すると、前記ガス供給部５は、前記ガス噴射部４にガスを供給するものである。前記ガス供給部５は、前記ガス噴射部４に前記第１ガス（Ｇ１）、前記第１パージガス（ＰＧ１）、前記第２ガス（Ｇ２）、及び前記第２パージガス（ＰＧ２）を供給することができる。前記ガス噴射部４が前記区画ガスを噴射する場合、前記ガス供給部５は、前記ガス噴射部４に前記区画ガスをさらに供給することもできる。この場合、前記ガス供給部５は、前記基板（Ｓ）に対する処理工程が行われている間に、間欠的にまたは連続的に前記第３噴射ユニット４３に前記区画ガスを供給することができる。

＜排気部＞
図１～図４を参照すると、前記排気部６は、前記処理空間１００からガスを排気させるものである。前記排気部６は、前記チャンバ２の内部に連通するように前記チャンバ２に結合することができる。

前記排気部６は、第１排気機構６１、第２排気機構６２、第１排気部材６３、第２排気部材６４、及び統合部材６５を含むことができる。

前記第１排気口６１と前記第２排気口６２は、複数の排気口として前記チャンバ２に形成することができる。前記第１排気口６１は、前記第１処理領域１１０を排気するために前記チャンバ２に形成することができる。前記第２排気機構６２は、前記第２処理領域１２０を排気するために前記チャンバ２に形成することができる。

前記第１排気部材６３は、前記第１排気機構６１を介して前記第１処理領域１１０を排気するために設けられたものであり得る。前記第１処理領域１１０に噴射されたガスは、前記第１排気機構６１と前記第１排気部材６３を介して前記チャンバ２の外部に排気され得る。前記第１排気部材６３は、一方側が前記チャンバ２に形成された前記第１排気機構６１に結合し、他方側が前記統合部材６５に結合することができる。

前記第２排気部材６４は、前記第２排気機構６２を介して前記第２処理領域１２０を排気するために設けられたものであり得る。前記第２処理領域１２０に噴射されたガスは、前記第２排気機構６２と前記第２排気部材６４を介して前記チャンバ２の外部に排気され得る。前記第２排気部材６４は、一方側が前記チャンバ２に形成された前記第２排気機構６２に結合し、他方側が前記統合部材６５に結合することができる。

前記統合部材６５は、前記第１排気部材６３と前記第２排気部材６４のそれぞれに連結したものである。前記第１排気部材６３を介して排気されたガスおよび前記第２排気部材６４を介して排気されたガスは、前記統合部材６５で合流した後に一緒に排気され得る。前記統合部材６５、前記第２排気部材６４、及び前記第１排気部材６３は、それぞれホース、配管等で具現することができる。

前記第１処理領域１１０に前記第１ガス（Ｇ１）が噴射されるとともに、前記第２処理領域１２０に前記第２ガス（Ｇ２）が噴射される場合、前記第１ガス（Ｇ１）のうちの未反応ガスは、前記第１排気部材６３を介して前記チャンバ２から排気され、前記第２ガス（Ｇ２）のうちの未反応ガスは、前記第２排気部材６４を介して前記チャンバ２から排気され得る。

ここで、前記第１排気部材６３から前記第１ガス（Ｇ１）が排気されるとともに、前記第２排気部材６４から前記第２ガス（Ｇ２）が排気される場合、前記統合部材６５で前記第１ガス（Ｇ１）と前記第２ガス（Ｇ２）が合流して互いに反応するようになる。排気過程で起こる前記第１ガス（Ｇ１）と前記第２ガス（Ｇ２）の反応は、好ましくない反応であり、不安定な反応であり得る。前記反応の結果物は、前記統合部材６５及びそれ以降の排気ラインに蓄積するにつれて排気空間を狭くして排気性能を低下させ得、排気ライン交換作業時に発火等の危険を誘発することもあり、装置運用の安全性を低下させる問題がある。

これを解決するために、本発明による基板処理装置１は、以下のように具現することができる。

図１～図６を参照すると、前記第１噴射ユニット４１が、前記第１ガス（Ｇ１）を前記第１処理領域１１０の支持部３に支持された基板（Ｓ）に供給するとき、前記第２噴射ユニット４２は、前記第２パージガス（ＰＧ２）を前記第２処理領域１２０の支持部３に支持された基板（Ｓ）に供給することができる。

これにより、前記第１処理領域１１０では前記第１ガス（Ｇ１）を用いた吸着工程が行われ、前記第２処理領域１２０では前記第２パージガス（ＰＧ２）を用いて前記第２処理領域１２０に位置した基板（Ｓ）の表面をパージするパージ工程を行うことができる。前記第１ガス（Ｇ１）は、前記第１処理領域１１０に対応する前記チャンバ２の下部空間に形成された第１排気口６１と前記第１排気部材６３を介して排気され得る。前記第２パージガス（ＰＧ２）は、前記第２処理領域１２０に対応する前記チャンバ２の下部空間に形成された第２排気口６２と前記第２排気部材６４を介して排気され得る。ここで、前記チャンバ２の処理空間１００には前記第２ガス（Ｇ２）が噴射されないことにより、前記第１排気部材６３と前記第２排気部材６４には前記第２ガス（Ｇ２）が流入しないか、または第２ガス（Ｇ２）が流入する流量を減少させることができる。

前記第１排気部材６３は、前記第１ガス（Ｇ１）を分解して反応性を低下させる分解機構６０（図４に示す）を含むことができる。一例として、反応性の高いアミン基を含む第１ガス（Ｇ１）が、前記分解機構６０を通過しながら分解またはアミン基が除去されることにより、前記第２ガス（Ｇ２）との反応性が低くなり得る。

前記第１排気部材６３と前記第２排気部材６４を通過する前記第１ガス（Ｇ１）と前記第２パージガス（ＰＧ２）は、前記統合部材６５で混合し、捕集機構（不図示）を経て排気ポンプ（不図示）を通って排気され得る。

前記排気過程を通じて前記第１処理領域１１０で未反応の前記第１ガス（Ｇ１）は、前記第２ガス（Ｇ２）と出会っても反応せずに排気され得る。

したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記統合部材６５における異物発生量を低減することができるだけでなく、安全性を向上させることができる。

図１～図６を参照すると、前記第２噴射ユニット４２が前記第２ガス（Ｇ２）を前記第２処理領域１２０の支持部３に支持された基板（Ｓ）に供給するとき、前記第１噴射ユニット４１は、前記第１パージガス（ＰＧ１）を前記第１処理領域１１０の支持部３に支持された基板（Ｓ）に供給することができる。

これにより、前記第１処理領域１１０では前記第１パージガス（ＰＧ１）を用いた前記第１ガス（Ｇ１）のパージが成され、前記第２処理領域１２０では前記第２ガス（Ｇ２）を用いた反応工程を行うことができる。この場合、前記第２処理領域１２０に位置した基板（Ｓ）の表面に吸着した前記第１ガス（Ｇ１）があれば、前記第２ガス（Ｇ２）は吸着した前記第１ガス（Ｇ１）と、反応して前記基板（Ｓ）表面に薄膜を形成することができる。

前記第１パージガス（ＰＧ１）は、前記第１処理領域１１０に対応する前記チャンバ２の下部空間に形成された前記第１排気口６１と前記第１排気部材６３を介して排気され得る。前記第２ガス（Ｇ２）は、前記第２処理領域１２０に対応する前記チャンバ２の下部空間に形成された前記第２排気機構６２と前記第２排気部材６４を介して排気され得る。ここで、前記チャンバ２の処理空間１００には前記第１ガス（Ｇ１）が噴射されないことにより、前記第１排気部材６３と前記第２排気部材６４には前記第１ガス（Ｇ１）が流入しないか、または第２ガス（Ｇ２）が流入する流量を減少させることができる。

前記第１排気部材６３と前記第２排気部材６４を通過した前記第１パージガス（ＰＧ１）は、前記統合部材６５で混合し、前記捕集機構を経て前記排気ポンプを介して排気され得る。

前記排気過程を通じて前記第１処理領域１１０で未反応の前記第２ガス（Ｇ２）は、前記第１ガス（Ｇ１）と出会っても反応せずに排気され得る。

したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記統合部材６５における異物発生量を低減することができるだけでなく、安全性を向上させることができる。

図１～図６を参照すると、本発明による基板処理装置１は、回転部７をさらに含むこともできる。

前記回転部７は、前記支持部３を回転させるものである。前記回転部７は、前記支持軸３０を中心として前記支持部３を回転させることができる。前記回転部７は、前記支持部３に支持された少なくとも１つの基板（Ｓ）が、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０の間を移動するように前記支持部３を回転させることができる。前記支持部３の回転を通じて、前記支持部３に支持された少なくとも１つの基板（Ｓ）は、前記第１処理領域１１０、前記第３処理領域１３０、前記第２処理領域１２０、および前記第３処理領域１３０を順に通過することができる。前記支持部３の回転は、間欠的に行うこともでき、速度調整をすることもできる。前記支持部３に支持された少なくとも１つの基板（Ｓ）が、前記第１処理領域１１０に位置し、前記第１処理領域１１０に前記第１ガス（Ｇ１）または前記第１パージガス（ＰＧ１）が噴射されるとき、前記支持部３は、停止したり回転速度を減少したりすることができる。また、前記少なくとも１つの基板（Ｓ）が前記第２処理領域１２０に位置し、前記第２処理領域１２０で前記第２パージガス（ＰＧ２）または前記第２ガス（Ｇ２）が噴射されるとき、前記支持部３は、停止したり回転速度を減少したりすることができる。前記支持部３の回転は、前記支持部３に支持された少なくとも１つの基板（Ｓ）が、前記第３処理領域１３０を通過するときは、停止しないことがあり得る。

一方、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０のうちのいずれか一つの領域にのみ、少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で処理工程を行うように具現することができる。これを具体的に見てみると、次のようになる。

まず、前記回転部７が前記支持部３の回転を停止することにより、少なくとも１つの基板（Ｓ）が前記第１処理領域１１０に位置すると、図５に示すように前記第１処理領域１１０には、前記第１ガス（Ｇ１）を噴射することにより吸着工程を行うことができる。ここで、前記第２処理領域１２０には、前記第２パージガス（ＰＧ２）を噴射することができる。これにより、前記排気部６には、前記第１ガス（Ｇ１）と前記第２パージガス（ＰＧ２）が排気され得る。

次に、前記第１処理領域１１０に対する前記第１ガス（Ｇ１）の噴射を中止した後、前記第１処理領域１１０には、前記第１パージガス（ＰＧ１）を噴射することができる。これにより、前記第１処理領域１１０から前記第１ガス（Ｇ１）をパージすることができる。ここで、前記第２処理領域１２０には、前記第２パージガス（ＰＧ２）を噴射することができる。これにより、前記排気部６には、前記第１パージガス（ＰＧ１）と前記第２パージガス（ＰＧ２）が排気され得る。図５には、前記第１処理領域１１０に対する前記第１ガス（Ｇ１）の噴射を中止している間、前記第２処理領域１２０に対する前記第２パージガス（ＰＧ２）の噴射も中止することを図に示しているが、これに限定されず、前記第１処理領域１１０において、前記第１ガス（Ｇ１）と前記第１パージガス（ＰＧ１）が順に噴射される間、前記第２処理領域１２０には、前記第２パージガス（ＰＧ２）を連続的に噴射することもできる。

次に、前記第１処理領域１１０に対する前記第１ガス（Ｇ１）と前記第１パージガス（ＰＧ１）を順に噴射、および前記第２処理領域１２０に対する前記第２パージガス（ＰＧ２）の噴射が中止した後に、前記回転部７は、前記支持部３を回転させることができる。これによって、前記第１処理領域１１０に位置した少なくとも１つの基板（Ｓ）は、前記第１処理領域１１０から前記第３処理領域１３０を経て前記第２処理領域１２０に移動することができる。前記回転部７が前記支持部３の回転を停止することにより、少なくとも１つの基板（Ｓ）が前記第２処理領域１２０に位置すると、図５に示すように前記第２処理領域１２０には、前記第２ガス（Ｇ２）を噴射することにより前記蒸着工程を行うことができる。ここで、前記第１処理領域１１０には、前記第１パージガス（ＰＧ１）を噴射することができる。これにより、前記排気部６には、前記第２ガス（Ｇ２）と前記第１パージガス（ＰＧ１）を排気することができる。

次に、前記第２処理領域１２０に対する前記第２ガス（Ｇ２）の噴射を中止した後、前記第２処理領域１２０には、前記第２パージガス（ＰＧ２）を噴射することができる。これにより、前記第２処理領域１２０から前記第２ガス（Ｇ２）をパージすることができる。ここで、前記第１処理領域１１０には、前記第１パージガス（ＰＧ１）を噴射することができる。これにより、前記排気部６には、前記第２パージガス（ＰＧ２）と前記第１パージガス（ＰＧ１）を排気することができる。図５では、前記第２処理領域１２０に対する前記第２ガス（Ｇ２）の噴射が中止した間、前記第１処理領域１１０に対する前記第１パージガス（ＰＧ１）の噴射も中止することを図に示しているが、これに限定されず、前記第２処理領域１２０において前記第２ガス（Ｇ２）と前記第２パージガス（ＰＧ２）が順に噴射される間、前記第１処理領域１１０には、前記第１パージガス（ＰＧ１）を連続的に噴射することができる。

次に、前記第２処理領域１２０に対する前記第２ガス（Ｇ２）と前記第２パージガス（ＰＧ２）を順に噴射、および前記第１処理領域１１０に対する前記第１パージガス（ＰＧ１）の噴射を中止した後に、前記回転部７は、前記支持部３を回転させることができる。これによって、前記第２処理領域１２０に位置した前記少なくとも１つの基板（Ｓ）は、前記第２処理領域１２０から前記第３処理領域１３０を経て前記第１処理領域１１０に移動することができる。

上述したような工程を繰り返すことにより、本発明による基板処理装置１は、少なくとも１つの基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。上記では、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０のうちのいずれか１つの領域のみに少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で処理工程を行う実施例について説明したが、本発明による基板処理装置１は、前記第１処理領域１１０に少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置するとともに、前記第２処理領域１２０に少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で処理工程を行うように具現することもできる。この場合、図６に示すように、前記第１処理領域１１０において、前記第１ガス（Ｇ１）、前記第１パージガス（ＰＧ１）、前記第１パージガス（ＰＧ１）、および前記第１パージガス（ＰＧ１）が順に噴射される間、前記第２処理領域１２０において前記第２パージガス（ＰＧ２）、前記第２パージガス（ＰＧ２）、前記第２ガス（Ｇ２）、および前記第２パージガス（ＰＧ２）を順に噴射した後、前記回転部７は前記支持部３を回転させることができる。

以下では、本発明による基板処理方法の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。

図１～図６を参照すると、本発明による基板処理方法は、前記基板（Ｓ）に対する処理工程を行うものである。本発明に係る基板処理方法は、前記基板（Ｓ）に対する蒸着工程、前記基板（Ｓ）に対するエッチング工程等を行うことができる。以下では、本発明に係る基板処理方法が上記蒸着工程を行う実施例を基準に説明するが、これから本発明に係る基板処理方法が、上記のエッチング工程等のように他の処理工程を行う実施例を導出することは、本発明が属する技術分野に属する当業者には自明であろう。本発明による基板処理方法は、上述した本発明による基板処理装置１によって行うことができる。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０に分けられた処理空間１００で、前記基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。このような本発明による基板処理方法は、以下の工程を含むことができる。

まず、前記第１処理領域１１０にガスを噴射する。このような工程は、前記第１噴射ユニット４１が前記第１処理領域１１０にガスを噴射することによって行うことができる。前記第１処理領域にガスを噴射する工程は、前記第１処理領域に第１ガスと第１パージガスを順に噴射する工程を含むことができる。前記第１処理領域１１０に前記第１ガス（Ｇ１）を噴射することで、前記第１処理領域１１０に位置する少なくとも１つの基板（Ｓ）に対する前記第１ガス（Ｇ１）の吸着工程を行うことができる。前記第１処理領域１１０に前記第１パージガス（ＰＧ１）を噴射することで、前記第１処理領域１１０から前記基板（Ｓ）に吸着していない前記第１ガス（Ｇ１）をパージすることができる。

次に、前記第１処理領域１１０に前記第１ガス（Ｇ１）を噴射するとき、前記第２処理領域１２０に前記第２パージガス（ＰＧ２）を噴射する。このような工程は、前記第１噴射ユニット４１が前記第１処理領域１１０に前記第１ガス（Ｇ１）を噴射するとき、前記第２噴射ユニット４２が前記第２処理領域１２０に前記第２パージガス（ＰＧ２）を噴射することによって行うことができる。前記第１処理領域１１０から前記第１排気部材６３に前記第１ガス（Ｇ１）が排気されるとき、前記第２排気部材６４には前記第２処理領域１２０から前記第２パージガス（ＰＧ２）を排気することができる。したがって、前記統合部材６５では、未反応の第１ガス（Ｇ１）と前記第２パージガス（ＰＧ２）が合流するようになり、本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０のそれぞれからガスを排気する過程での異物発生量を減少させることができるだけでなく、安全性を向上させることができる。

次に、前記第２処理領域１２０に前記第２ガス（Ｇ２）を噴射するとき、前記第１処理領域１１０に前記第１パージガス（ＰＧ１）を噴射する。このような工程は、前記第２噴射ユニット４２が前記第２処理領域１２０に前記第２ガス（Ｇ２）を噴射するとき、前記第１噴射ユニット４１が前記第１処理領域１１０に前記第１パージガス（ＰＧ１）を噴射することによって行うことができる。前記第２処理領域１２０に前記第２ガス（Ｇ２）が噴射されることにより、前記第２処理領域１２０に位置した少なくとも１つの基板（Ｓ）に対して前記蒸着工程を行うことができる。前記蒸着工程は、前記基板（Ｓ）上に吸着した第１ガス（Ｇ１）と第２ガス（Ｇ２）の反応を通じて薄膜が蒸着される過程であり得る。前記第２処理領域１２０から前記第２排気部材６４に前記第２ガス（Ｇ２）が排気されるとき、前記第１排気部材６３には前記第１処理領域１１０から前記第１パージガス（ＰＧ１）を排気することができる。したがって、前記統合部材６５では、未反応の第２ガス（Ｇ２）と前記第１パージガス（ＰＧ１）が合流するようになるので、本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０のそれぞれからガスを排気する過程での異物発生量を減少させることができるだけでなく、安全性を向上させることができる。

ここで、前記第１処理領域にガスを噴射する工程は、前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射する工程と、前記第１ガスをパージするために、前記第１処理領域に前記第１パージガスを噴射する工程を順に行うように具現することができる。

また、前記第２処理領域にガスを噴射する工程は、前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射するとき、前記第２処理領域に前記第２パージガスを噴射する工程と、前記第１処理領域に前記第１パージガスを噴射するとき、前記第２処理領域に前記第２ガスを噴射する工程を順に行うように具現することができる。

したがって、本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域と前記第２処理領域のそれぞれからガスを排気する過程で、未反応の第１ガス（Ｇ１）と未反応の第２ガス（Ｇ２）が前記統合部材６５で合流することを、根本的に遮断することができる。これによって、本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域と前記第２処理領域のそれぞれからガスを排気する過程での異物発生量を低減することができるだけでなく、安全性を向上させることができる。

図１～図６を参照すると、本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域と前記第２処理領域の間に区画ガスを噴射することを含むことができる。このような工程は、前記第３噴射ユニット４３が第３処理領域１３０に前記区画ガスを噴射することによって行うこともできる。これによって、本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域１１０に噴射されたガスと前記第２処理領域１２０に噴射されたガスが互いに混合することを防止することができる。

図１～図６を参照すると、本発明による基板処理方法は、前記支持部を回転させる工程を含むことができる。このような工程は、前記支持部３に支持された少なくとも１つの基板（Ｓ）が前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０の間を移動するように前記支持部３を回転させることによって行うことができる。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域１１０と前記第２処理領域１２０のうちのいずれか１つの領域でのみ、少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で処理工程を行うように具現することができる。この場合、前記第１処理領域１１０に少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で、図５に示すように前記第１処理領域に第１ガスと第１パージガスを順に噴射する工程を行なうとき、前記第２処理領域に前記第２パージガスを噴射する工程を行なうことができる。その後、前記支持部を回転させる工程によって、少なくとも１つの基板（Ｓ）が前記第１処理領域１１０から前記第３処理領域１３０を経て前記第２処理領域１２０に移動することができる。前記第２処理領域１２０に少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で、前記第２処理領域に第２ガスと第２パージガスを順に噴射する工程を行なうとき、前記第１処理領域に第１パージガスを噴射する工程を行なうことができる。このような工程を繰り返し行うことにより、本発明による基板処理方法は、少なくとも１つの基板（Ｓ）に対して処理工程を行うことができる。

本発明による基板処理方法は、前記第１処理領域１１０に少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置するとともに、前記第２処理領域１２０に少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で処理する工程を行なうように具現することができる。この場合、前記第１処理領域１１０および前記第２処理領域１２０のそれぞれに少なくとも１つの基板（Ｓ）が位置した状態で、図６に示すように前記第１処理領域に第１ガスと第１パージガスを順に噴射する工程を行うとき、前記第２処理領域に第２パージガスを噴射する工程を行うことができる。その後、前記第２処理領域に第２ガスと第２パージガスを順に噴射する工程を行うとき、前記第１処理領域に前記第１パージガスを噴射する工程を行うことができる。これにより、前記第１処理領域１１０に位置した少なくとも１つの基板（Ｓ）に対して吸着工程が行われ、前記第２処理領域１２０に位置した少なくとも１つの基板（Ｓ）に対して前記蒸着工程を行うことができる。その後、前記支持部を回転させる工程を通じて、少なくとも１つの基板（Ｓ）が前記第１処理領域１１０から前記第３処理領域１３０を経て前記第２処理領域１２０に移動するとともに、少なくとも１つの基板（Ｓ）が前記第２処理領域１２０から前記第３処理領域１３０を経て前記第１処理領域１１０に移動することができる。このような工程を繰り返し行うことにより、本発明による基板処理方法は、複数の基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。

以上説明した本発明は、上述した実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかであろう。

Claims (7)

1. 第１処理領域と第２処理領域とに分かれた処理空間で支持部に支持された基板に対して処理工程を行う基板処理方法であって、
   前記第１処理領域に第１ガスおよび第１パージガスを順に噴射する工程、および
   前記第２処理領域に第２パージガスおよび前記第１ガスと反応する第２ガスを順に噴射する工程を含み、
   前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射するとき、前記第２処理領域に前記第２パージガスを噴射し、
   前記第２処理領域に前記第２ガスを噴射するとき、前記第１処理領域に前記第１パージガスを噴射することを特徴とする基板処理方法。
2. 第１処理領域と第２処理領域とに分かれた処理空間で支持部に支持された基板に対して処理工程を行う基板処理方法であって、
   前記第１処理領域に第１ガスを噴射し、前記第２処理領域に第２パージガスを噴射する工程、および
   前記第１処理領域に第１パージガスを噴射し、前記第２処理領域に前記第１ガスと反応する第２ガスを噴射する工程を含み、
   前記の工程を、順に進行させ、
   前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射するとき、前記第２処理領域に前記第２ガスを噴射せず、
   前記第２処理領域に前記第２ガスを噴射するとき、前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射しないことを特徴とする基板処理方法。
3. 第１処理領域と第２処理領域とに分かれた処理空間で支持部に支持された基板に対して処理工程を行う基板処理方法であって、
   前記第１処理領域に第１ガスを噴射し、前記第２処理領域に第２パージガスを噴射し、前記第１ガスと前記第２パージガスをそれぞれ排気する工程、および
   前記第１処理領域に前記第１パージガスを噴射し、前記第２処理領域に第１ガスと反応する前記第２ガスを噴射し、前記第１パージガスと前記第２ガスをそれぞれ排気する工程を含み、
   前記の工程を、順に進行させ、
   前記第１処理領域から前記第１ガスを排気するとき、前記第２処理領域から前記第２パージガスを排気し、
   前記第２処理領域から前記第２ガスを排気するとき、前記第１処理領域から前記第１パージガスを排気することを特徴とする基板処理方法。
4. 第１処理領域と第２処理領域とに分かれた処理空間で支持部に支持された基板に対して処理工程を行う基板処理方法であって、
   前記第１処理領域に第１ガスを噴射し、前記第２処理領域に第２パージガスを噴射し、前記第１ガスと前記第２パージガスをそれぞれ排気する工程、および
   前記第１処理領域に第１パージガスを噴射し、前記第２処理領域に前記第１ガスと反応する第２ガスを噴射し、前記第１パージガスと前記第２ガスをそれぞれ排気する工程を含み、
   前記の工程を、順に進行させ、
   前記第１処理領域から前記第１ガスを排気するとき、前記第２処理領域から前記第２ガスを排気せず、
   前記第２処理領域から前記第２ガスを排気するとき、前記第１処理領域から前記第１ガスを排気しないことを特徴とする基板処理方法。
5. 前記第１処理領域と前記第２処理領域を分けるための区画ガスを前記第１処理領域と前記第２処理領域の間に噴射する工程を含むことを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記支持部に支持された少なくとも１つの基板が、前記第１処理領域と前記第２処理領域の間を移動するように前記支持部を回転させる工程を含むことを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記支持部を回転させる工程が、繰り返し行われることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。