TWI850565B - 基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明為一種基板處理方法，於分成第一處理區域以及第二處理區域的處理空間中在受支撐單元支撐的基板上進行處理製程，並關於一種包含將第一氣體以及第一清除氣體噴射到第一處理區域中的步驟以及依序將第二清除氣體以及第二氣體噴射到第二處理區域中的步驟之基板處理方法。

Description

基板處理方法

本發明關於在基板上進行如沉積製程及蝕刻製程的處理製程之一種基板處理方法。

一般來說，為了製造太陽能電池、半導體裝置、平板顯示裝置等，會需要在基板上形成薄膜層、薄膜電路圖案或光學圖案。為此，會於基板上進行處理製程，且處理製程的示例包含將包含特定材料的薄膜沉積在基板上的沉積製程、藉由使用光感材料選擇性地曝光薄膜的一部分之曝光製程，以及移除薄膜中選擇性地暴露的部分以形成圖案的蝕刻製程等。

這種基板上的處理製程是由基板處理設備來進行。基板處理設備包含提供處理空間的腔體、支撐基板的支撐單元、朝支撐單元噴射氣體的氣體噴射單元，以及從處理空間排放氣體的排氣單元。基板處理設備藉由使用由氣體噴射單元噴射的來源氣體以及反應氣體而於基板上進行處理製程。來源氣體以及反應氣體透過排氣單元排放。排氣單元構造有多個排氣管路，且各個排氣管路連接於腔體。排氣單元可獨立地包含用於排放來源氣體的排氣管路以及用於排放反應氣體的排氣管路。

於此，在處理空間中未反應的來源氣體應透過排氣單元被完全地排放。這種未反應的來源氣體包含具有高反應性(reactivity)的材料。因此，當未反應的來源氣體殘留並累積在排氣單元中，或是與透過排氣單元排放的反應氣體反應且沉積於排氣單元時，排氣單元中會發生產生火花(firing)或阻塞(blockage)之情形，且因此可能使排氣單元的排氣效能以及穩定度下降。

技術問題

本發明在於解決上述問題並用於提供一種基板處理方法，其可防止未反應的來源氣體於排放氣體的過程中殘留並累積於排氣單元中之問題的發生。

技術方案

為了達成上述目的，本發明可包含下列要件。

根據本發明的基板處理方法於被分成第一處理區域以及第二處理區域的處理空間中，在支撐單元所支撐的基板上進行處理製程。

根據本發明的基板處理方法可包含：依序將一第一氣體以及一第一吹除氣體噴射到第一處理區域中的一步驟以及依序將一第二吹除氣體以及與第一氣體反應的一第二氣體噴射到第二處理區域中的一步驟。當第一氣體被噴射到第一處理區域中時，第二吹除氣體可被噴射到第二處理區域中。當第二氣體被噴射到第二處理區域中時，第一吹除氣體可被噴射到第一處理區域中。

根據本發明的基板處理方法可包含：將一第一氣體噴射到第一處理區域中並將一第二吹除氣體噴射到第二處理區域中的一步驟以及將一第一吹除氣體噴射到第一處理區域並將與第一氣體反應的一第二氣體噴射到第二處理區域中的一步驟。步驟可依序進行。當第一氣體被噴射到第一處理區域中時，第二氣體可沒有被噴射到第二處理區域中。當第二氣體被噴射到第二處理區域中時，第一氣體可沒有被噴射到第一處理區域中。

根據本發明的基板處理方法可包含：將一第一氣體噴射到第一處理區域中，將一第二吹除氣體噴射到第二處理區域中，並排放第一氣體以及第二吹除氣體的每一者之一步驟以及將一第一吹除氣體噴射到第一處理區域中，將與第一氣體反應的一第二氣體噴射到第二處理區域中，並排放第一吹除氣體以及第二氣體的每一者之一步驟。步驟可依序進行。當第一氣體從第一處理區域被排放時，第二吹除氣體可從第二處理區域被排放。當第二氣體從第二處理區域被排放時，第一吹除氣體可從第一處理區域被排放。

根據本發明的基板處理方法可包含：將一第一氣體噴射到第一處理區域中，將一第二吹除氣體噴射到第二處理區域中，並排放第一氣體以及第二吹除氣體的每一者之一步驟以及將一第一吹除氣體噴射到第一處理區域中，將與第一氣體反應的一第二氣體噴射到第二處理區域中，並排放第一吹除氣體以及第二氣體的每一者之一步驟。步驟可依序進行。當第一氣體從第一處理區域被排放時，第二氣體可沒有從第二處理區域被排放。當第二氣體從第二處理區域被排放時，第一氣體可沒有從第一處理區域被排放。

根據本發明的基板處理方法可包含將用於劃分第一處理區域以及第二處理區域之一劃分氣體噴射到介於第一處理區域以及第二處理區域之間的區域中的一步驟。

根據本發明的基板處理方法可包含使支撐單元轉動而使受支撐單元支撐的基板於第一處理區域以及第二處理區域之間移動的一步驟。

在根據本發明的基板處理方法中，使支撐單元轉動的步驟可被重複進行。

有利功效

根據本發明，可實現下列功效。

本發明被實施以防止未反應的第一氣體在從處理空間排放氣體的過程中與未反應的第二氣體混合。因此，本發明可減少從處理空間排放氣體的過程中所產生的微粒之量。並且，本發明可提升從處理空間排放氣體的排放效能並可提升排放氣體的過程中之穩定度。

以下，將參照相關圖式詳細說明根據本發明的基板處理設備之實施例。

請參閱圖1及圖2，根據本發明的基板處理設備1於基板S上進行處理製程。基板S可為玻璃基板、矽基板、金屬基板或類似的基板。根據本發明的基板處理設備1可進行處理製程，如將薄膜沉積於基板S上的沉積製程以及將沉積於基板S上的薄膜之一部分移除的蝕刻製程。以下，將主要描述根據本發明的基板處理設備1進行處理製程的實施例，但本領域具通常知識者能根據其輕易推演出進行像是蝕刻製程的另一個製程之根據本發明的基板處理設備。

根據本發明的基板處理設備1可包含腔體2、支撐單元3、氣體噴射單元4、氣體供應單元5以及排氣單元6。

＜腔體＞

請參閱圖1至圖3，腔體2提供處理空間100。在處理空間100中，可於基板S上進行如沉積製程或蝕刻製程的處理製程。在腔體2中，處理空間100可包含第一處理區域110、第二處理區域120以及介於第一處理區域110及第二處理區域120之間的第三處理區域130。支撐單元3及氣體噴射單元4可安裝於腔體2中。

＜支撐單元＞

請參閱圖1至圖3，支撐單元3可設置於腔體2中。支撐單元3可支撐一個基板S，或可支撐多個基板S1~S3(如圖3所示)。在處理空間100包含第一處理區域110、第二處理區域120及第三處理區域130的情況中，支撐單元3的一部分可設置於第一處理區域110中，支撐單元3的另一部分可設置於第二處理區域120中，且支撐單元3的另一部分可設置於第三處理區域130中。在多個基板S1~S3受支撐單元3支撐的情況中，某些基板S1~S3可設置於第一處理區域110中，且其他基板可受支撐單元3支撐以設置於第二處理區域120中。

支撐單元3可在腔體2中相對支撐單元3的支撐軸30轉動(如圖3所示)。基於支撐單元3的轉動，受支撐單元3支撐的基板S可分別移動到腔體2中的不同處理區域。當支撐單元3轉動時，基板S1~S3當中的某一些可從第一處理區域110經過第三處理區域130移動到第二處理區域120，且可再次從第二處理區域120經過第三處理區域130移動到第一處理區域110。支撐單元3的轉動可重複地停止及進行，或可持續進行而沒有停止。因此，受支撐單元3支撐的基板S可藉由重複地進行停止作動(operation)以及移動作動而分別移動到不同的處理區域，或可持續地移動而沒有停止。

＜氣體噴射單元＞

請參閱圖1至圖3，氣體噴射單元4朝支撐單元3噴射氣體。氣體噴射單元4可連接於氣體供應單元5。因此，氣體噴射單元4可朝支撐單元3噴射從氣體供應單元5供應的氣體。氣體噴射單元4可被設置以相對於基板支撐單元3。處理空間100可設置於氣體噴射單元4及支撐單元3之間。氣體噴射單元4可耦接於腔體蓋20。腔體蓋20耦接於腔體2以遮蔽腔體2的頂部。

氣體噴射單元4可包含第一噴射單元41及第二噴射單元42。

第一噴射單元41將氣體噴射到第一處理區域110中。第一處理區域110可對應於處理空間100的一部分。第一噴射單元41可設置於支撐單元3之上並分離於支撐單元3。在此情況中，第一處理區域110可為介於第一噴射單元41及支撐單元3之間的區域。第一噴射單元41可將第一氣體G1及第一吹除氣體PG1噴射到第一處理區域110中。第一氣體G1可為來源氣體。第一吹除氣體PG1可為惰性氣體，如氬氣(argon，Ar)。

因此，使用第一氣體G1的處理製程可於設置在第一處理區域110中的基板S上進行。在第一氣體G1作為與反應氣體反應以沉積薄膜的來源氣體之情況中，處理製程可為使來源氣體吸附到基板S的表面上之製程。並且，第一吹除氣體PG1可吹除第一處理區域110中沒有被吸附到基板S上的第一氣體G1。在受支撐單元3支撐的基板S1~S3中之某些基板S1、S2設置於第一處理區域110中的情況中，從第一噴射單元41噴射的第一氣體G1及第一吹除氣體PG1可依序被噴射到基板S1、S2上。

第二噴射單元42將氣體噴射到第二處理區域120中。第二處理區域120可對應於處理空間100的一部分。第二噴射單元42可設置於支撐單元3之上並分離於支撐單元3。在此情況中，第二處理區域120可為介於第二噴射單元42及支撐單元3之間的區域。

第二噴射單元42可將第二氣體G2及第二吹除氣體PG2噴射到第二處理區域120中。第二氣體G2可為來源氣體，且在此情況中，第一氣體G1可為反應氣體。第二吹除氣體PG2可為惰性氣體，如氬氣。第二噴射單元42可連接於氣體供應單元5。

因此，使用第二氣體G2的處理製程可於設置在第二處理區域120中的基板S上進行。在第二氣體G2與第一氣體G1反應以形成薄膜的情況中，處理製程可為使第一氣體G1與被吸附到基板S上的第二氣體G2反應以在基板S的表面上形成薄膜之製程。並且，第二吹除氣體PG2可額外地吹除在第二處理區域120中殘留在基板S的表面中之第一氣體G1，或可吹除沒有與第一氣體G1反應的第二氣體G2。在受支撐單元3支撐的基板S1~S4中的某些基板S1、S2設置於第一處理區域110中的情況中，某些其他基板S3、S4可設置於第二處理區域120中。從第二噴射單元42噴射的第二氣體G2及第二吹除氣體PG2可被噴射到某些其他基板S3、S4上。第二噴射單元42可依序噴射第二吹除氣體PG2及第二氣體G2。

氣體噴射單元4可更包含第三噴射單元43。

第三噴射單元43將氣體噴射到第三處理區域130中。第三處理區域130可對應於處理空間100的一部分。第三處理區域130可為介於第一處理區域110及第二處理區域120之間的區域。第三噴射單元43可設置於支撐單元3之上並分離於支撐單元3。第三噴射單元43可設置於第一噴射單元41及第二噴射單元42之間。

第三噴射單元43可將劃分氣體(division gas)噴射到第三處理區域130中。劃分氣體可為惰性氣體，如氬氣。因為第三噴射單元43將劃分氣體噴射到第三處理區域130中，所以第一處理區域110及第二處理區域120可於空間上彼此獨立而使得氣體不會在第一處理區域110及第二處理區域120之間混合。第三噴射單元43可連接於氣體供應單元5。在受支撐單元3支撐的基板S1~S4中的某些基板S1、S2設置於第一處理區域110中且某些其他的基板S3、S4可設置於第二處理區域120中的情況中，第三噴射單元43可將劃分氣體噴射到介於設置於第一處理區域110中的基板S1、S2以及設置於第二處理區域120中的基板S3、S4之間的空間中。

＜氣體供應單元＞

請參閱圖1至圖3，氣體供應單元5將氣體供應至氣體噴射單元4。氣體供應單元5可為氣體噴射單元4供應第一氣體G1、第一吹除氣體PG1、第二氣體G2及第二吹除氣體PG2。在氣體噴射單元4噴射劃分氣體的情況中，氣體供應單元5可額外地將劃分氣體供應至氣體噴射單元4。在此情況中，氣體供應單元5可在處理製程於基板S上進行時間歇地或持續地將劃分氣體供應至第三噴射單元43。

＜排氣單元＞

請參閱圖1至圖4，排氣單元6從處理空間100排放氣體。排氣單元6可耦接於腔體2以連通於腔體2的內部。

排氣單元6可包含第一排氣埠61、第二排氣埠62、第一排氣件63、第二排氣件64以及整合件65。

第一排氣埠61及第二排氣埠62可形成為腔體2中的多個排氣埠。第一排氣埠61可形成於腔體2中以對第一處理區域110進行排氣。第二排氣埠62可形成於腔體2中以對第二處理區域120進行排氣。

第一排氣件63可被提供而用於透過第一排氣埠61對第一處理區域110進行排氣。被噴射到第一處理區域110中的氣體可透過第一排氣埠61及第一排氣件63被排放到腔體2的外部。第一排氣件63的一側可耦接於形成在腔體2中的第一排氣埠61，且第一排氣件63的另一側可耦接於整合件65。

第二排氣件64可被提供而用於透過第二排氣埠62對第二處理區域120進行排氣。被噴射到第二處理區域120中的氣體可透過第二排氣埠62及第二排氣件64被排放到腔體2的外部。第二排氣件64的一側可耦接於形成於腔體2中的第二排氣埠62，且第二排氣件64的另一側可耦接於整合件65。

整合件65連接於第一排氣件63及第二排氣件64的每一者。透過第一排氣件63排放的氣體以及透過第二排氣件64排放的氣體可於整合件65中被混合且可被排放。整合件65、第二排氣件64及第一排氣件63的每一者可用軟管(hose)、導管(pipe)或類似物實施。

在第一氣體G1被噴射到第一處理區域110中且第二氣體G2被噴射到第二處理區域120中的情況中，第一氣體G1的未反應氣體可透過第一排氣件63從腔體2被排放，且第二氣體G2的未反應氣體可透過第二排氣件64從腔體2被排放。

於此，在第一氣體G1從第一排氣件63被排放且第二氣體G2從第二排氣件64被排放的情況中，第一氣體G1及第二氣體G2可於整合件65中被混合且彼此反應。第一氣體G1及第二氣體G2之間在排放製程中產生的反應可能為不期望的反應且可能為不穩定的反應。因為反應的生成材料(resultant material)會累積在整合件65以及接續於整合件65的排放管路中，所以排放空間可能會變窄而降低了排放效能，且可能會有在替換排放管路的流程中發生如產生火花的風險，進而導致設備管理以及維護的穩定度降低之問題。

為了解決這樣的問題，根據本發明的基板處理設備1可用下列方式實施。

請參閱圖1至圖6，當第一噴射單元41將第一氣體G1供應到受第一處理區域110的支撐單元3支撐的基板S時，第二噴射單元42可將第二吹除氣體PG2供應到受第二處理區域120的支撐單元3支撐的基板S。

因此，使用第一氣體G1的吸附製程可於第一處理區域110中進行，且吹除設置於第二處理區域120中的基板S之表面的吹除製程可於第二處理區域120中藉由使用第二吹除氣體PG2來進行。第一氣體G1可透過形成於對應於第一處理區域110的腔體2之底空間中的第一排氣件63以及第一排氣埠61被排放。第二吹除氣體PG2可透過形成於對應第二處理區域120的腔體2之底空間中的第二排氣件64以及第二排氣埠62被排放。此時，因為第二氣體G2沒有被噴射到腔體2的處理空間100中，所以第二氣體G2可不流動到第一排氣件63及第二排氣件64中，或是流動到第一排氣件63及第二排氣件64中的第二氣體G2之量可減少。

第一排氣件63可包含分解第一氣體G1以降低反應性的分解機構60(如圖4所示)。舉例來說，包含具有高反應性的胺基(amine group)之第一氣體G1可在通過分解機構60時被分解，或是第一氣體G1的胺基可被移除，據此可降低第一氣體G1對第二氣體G2的反應性。

通過第一排氣件63及第二排氣件64的第一氣體G1及第二吹除氣體PG2可於整合件65中混合，並且可透過收集機構(collection mechanism)(未繪示)藉由排氣幫浦(未繪示)被排放。

儘管有接觸到第二氣體G2，在第一處理區域110中未反應的第一氣體G1仍可在未發生反應的情況下透過排放製程被排放。

因此，根據本發明的基板處理設備1可減少產生於整合件65中的微粒之量，進而可提升穩定度。

請參閱圖1至圖6，當第二噴射單元42將第二氣體G2供應到受第二處理區域120的支撐單元3支撐的基板S時，第一噴射單元41可將第一吹除氣體PG1供應到受第一處理區域110的支撐單元3支撐的基板S。

因此，藉由使用第一吹除氣體PG1吹除第一氣體G1的製程可於第一處理區域110中進行，且使用第二氣體G2的反應製程可於第二處理區域120中進行。於此情況中，當有在設置於第二處理區域120中的基板S的表面上被吸附的第一氣體G1時，第二氣體G2可與被吸附的第一氣體G1進行反應以在基板S的表面上形成薄膜。

第一吹除氣體PG1可透過形成在對應第一處理區域110的腔體2之底空間中的第一排氣件63及第一排氣埠61被排放。第二氣體G2可透過形成在對應第二處理區域120的腔體2之底空間中的第二排氣件64及第二排氣埠62被排放。此時，因為第一氣體G1沒有被噴射到腔體2的處理空間100中，所以第一氣體G1可不流動到第一排氣件63及第二排氣件64中，或是流動到第一排氣件63及第二排氣件64中的第二氣體G2之量可減少。

通過第一排氣件63及第二排氣件64的第一吹除氣體PG1和第二氣體G2可於整合件65中混合，並且可透過收集機構藉由排氣幫浦被排放。

儘管有接觸到第一氣體G1，於第二處理區域120中未反應的第二氣體G2仍可在未發生反應的情況下透過排放製程被排放。

因此，根據本發明的基板處理設備1可減少在整合件65中產生的微粒之量，進而可提升穩定度。

請參閱圖1至圖6，根據本發明的基板處理設備1可更包含轉動單元7。

轉動單元7使支撐單元3轉動。轉動單元7可使支撐單元3相對支撐軸30轉動。轉動單元7可使支撐單元3轉動而使得受支撐單元3支撐的至少一基板S移動於第一處理區域110及第二處理區域120之間。基於支撐單元3的轉動，受支撐單元3支撐的至少一基板S可依序通過第一處理區域110、第三處理區域130、第二處理區域120及第三處理區域130。支撐單元3的轉動可間歇地進行，且可對支撐單元3進行速度調整。當受支撐單元3支撐的至少一基板S設置於第一處理區域110中且第一氣體G1或第一吹除氣體PG1被噴射到第一處理區域110中時，支撐單元3可停止或是支撐單元3的轉動速度可降低。並且，當至少一基板S可設置於第二處理區域120中且第二吹除氣體PG2或第二氣體G2從第二處理區域120被噴射時，支撐單元3可停止或支撐單元3的轉動速度可降低。受支撐單元3支撐的至少一基板S通過第三處理區域130時，支撐單元3的轉動可不停止。

此外，根據本發明的基板處理設備1可被實施以在至少一基板S僅設置在第一處理區域110及第二處理區域120中的一個區域中之狀態下進行處理製程。這將於以下詳細描述。

首先，如圖5所示，當至少一基板S隨轉動單元7停止支撐單元3的轉動而設置於第一處理區域110中時，第一氣體G1可被噴射到第一處理區域110中，且因此可進行吸附製程。此時，第二吹除氣體PG2可被噴射到第二處理區域120中。因此，第一氣體G1及第二吹除氣體PG2可被排放到排氣單元6。

接著，在使第一氣體G1停止被噴射到第一處理區域110中之後，第一吹除氣體PG1可被噴射到第一處理區域110中。因此，第一氣體G1可從第一處理區域110被吹除。此時，第二吹除氣體PG2可被噴射到第二處理區域120中。因此，第一吹除氣體PG1及第二吹除氣體PG2可被排放到排氣單元6。在圖5中，有繪示在使第一氣體G1停止被噴射到第一處理區域110中時使第二吹除氣體PG2停止被噴射到第二處理區域120中，但本發明並不以此為限，且當第一氣體G1及第一吹除氣體PG1依序從第一處理區域110被噴射時，第二吹除氣體PG2可持續地被噴射到第二處理區域120中。

接著，在使第一氣體G1及第一吹除氣體PG1停止被依序噴射到第一處理區域110中且使第二吹除氣體PG2停止被噴射到第二處理區域120中之後，轉動單元7可轉動支撐單元3。因此，設置於第一處理區域110中的至少一基板S可從第一處理區域110經過第三處理區域130移動到第二處理區域120。如圖5所示，當至少一基板S隨著轉動單元7使支撐單元3的轉動停止而設置於第二處理區域120中時，可藉由將第二氣體G2噴射到第二處理區域120中而進行沉積製程。此時，第一吹除氣體PG1可被噴射到第一處理區域110中。因此，第二氣體G2及第一吹除氣體PG1可被排放到排氣單元6。

接著，在使第二氣體G2停止被噴射到第二處理區域120中之後，第二吹除氣體PG2可被噴射到第二處理區域120中。因此，第二氣體G2可從第二處理區域120被吹除。此時，第一吹除氣體PG1可被噴射到第一處理區域110中。因此，第二吹除氣體PG2及第一吹除氣體PG1可被排放到排氣單元6。在圖5中，繪示有在使第二氣體G2停止被噴射到第二處理區域120中時使第一吹除氣體PG1停止被噴射到第一處理區域110中，但本發明並不以此為限，且第一吹除氣體PG1可在第二氣體G2及第二吹除氣體PG2從第二處理區域120被依序噴射時被持續地噴射到第一處理區域110中。

接著，在使第二氣體G2及第二吹除氣體PG2停止被依序噴射到第二處理區域120中並使第一吹除氣體PG1停止被噴射到第一處理區域110中之後，轉動單元7可使支撐單元3轉動。因此，設置於第二處理區域120中的至少一基板S可透過第三處理區域130從第二處理區域120移動到第一處理區域110。

藉由重複上述製程，根據本發明的基板處理設備1可於至少一基板S上進行處理製程。以上，已描述處理製程在至少一基板S僅設置於第一處理區域110及第二處理區域120的一個區域中的狀態下進行的實施例，但根據本發明的基板處理設備1可被實施以在至少一基板S設置於第一處理區域110中且至少一基板S設置於第二處理區域120中的狀態下進行處理製程。在此情況中，如圖6所示，第二吹除氣體PG2、第二吹除氣體PG2、第二氣體G2及第二吹除氣體PG2可依序從第二處理區域120被噴射，且同時第一氣體G1、第一吹除氣體PG1、第一吹除氣體PG1及第一吹除氣體PG1依序從第一處理區域110被噴射，且接著轉動單元7可使支撐單元3轉動。

以下，將參照相關圖式詳細說明根據本發明的基板處理方法之實施例。

請參閱圖1至圖6，根據本發明的基板處理方法於基板S上進行處理製程。 根據本發明的基板處理方法可於基板S上進行沉積製程且可於基板S上進行蝕刻製程。以下，將主要描述根據本發明的基板處理方法進行沉積製程的實施例，但本領域具通常知識者能根據其輕易推演出進行如蝕刻製程的另一個製程之根據本發明的基板處理方法。可藉由根據本發明的基板處理設備1進行根據本發明的基板處理方法。

根據本發明的基板處理方法可在被分成第一處理區域110及第二處理區域120的處理空間100中於基板S上進行處理製程。根據本發明的基板處理方法可包含下列步驟。

首先，氣體可被噴射到第一處理區域110中。可透過使用第一噴射單元41而藉由將氣體噴射到第一處理區域110中進行此步驟。將氣體噴射到第一處理區域110中的步驟可包含依序將第一氣體及第一吹除氣體噴射到第一處理區域中的步驟。因為第一氣體G1被噴射到第一處理區域110中，所以使用第一氣體G1的吸附製程可於設置在第一處理區域110中的至少一基板S上進行。因為第一吹除氣體PG1被噴射到第一處理區域110中，所以沒有被吸附到基板S上的第一氣體G1可從第一處理區域110被吹除。

接著，當第一氣體G1被噴射到第一處理區域110中時，第二吹除氣體PG2可被噴射到第二處理區域120中。當第一噴射單元41將第一氣體G1噴射到第一處理區域110中時，可透過使用第二噴射單元42而藉由將第二吹除氣體PG2噴射到第二處理區域120中來進行此步驟。當第一氣體G1從第一處理區域110被排放到第一排氣件63時，第二吹除氣體PG2可從第二處理區域120被排放到第二排氣件64。因此，未反應的第一氣體G1以及第二吹除氣體PG2可於整合件65中混合，且因此根據本發明的基板處理方法可減少在從第一處理區域110及第二處理區域120的每一者排放氣體的製程中產生的微粒之量，進而可提升穩定度。

接著，當第二氣體G2被噴射到第二處理區域120中時，第一吹除氣體PG1可被噴射到第一處理區域110中。當第二噴射單元42將第二氣體G2噴射到第二處理區域120中時，可透過使用第一噴射單元41而藉由將第一吹除氣體PG1噴射到第一處理區域110中來進行此步驟。因為第二氣體G2被噴射到第二處理區域120中，所以可於設置在第二處理區域120中的至少一基板S上進行沉積製程。沉積製程可為透過被吸附至基板S上的第二氣體G2與第一氣體G1之間的反應來沉積薄膜的製程。當第二氣體G2從第二處理區域120被排放到第二排氣件64時，第一吹除氣體PG1可從第一處理區域110被排放到第一排氣件63。因此，未反應的第二氣體G2及第一吹除氣體PG1可於整合件65中混合，因此根據本發明的基板處理方法可減少在從第一處理區域110及第二處理區域120的每一者排放氣體的製程中產生的微粒之量，進而可提升穩定度。

於此，可實施將氣體噴射到第一處理區域中的步驟以依序進行將第一氣體噴射到第一處理區域中的步驟以及將第一吹除氣體噴射到第一處理區域中的步驟，藉以吹除第一氣體。

並且，可實施將氣體噴射到第二處理區域中的步驟以依序進行在第一氣體被噴射到第一處理區域中時將第二吹除氣體噴射到第二處理區域中的步驟，以及在第一吹除氣體被噴射到第一處理區域時將第二氣體噴射到第二處理區域中的步驟。

因此，在從第一處理區域以及第二處理區域的每一者排放氣體的製程中，根據本發明的基板處理方法基本上可防止未反應的第一氣體G1以及未反應的第二氣體G2於整合件65中混合。因此，根據本發明的基板處理方法可減少在從第一處理區域及第二處理區域的每一者排放氣體的製程中產生的微粒之量，進而可提升穩定度。

請參閱圖1至圖6，根據本發明的基板處理方法可包含將劃分氣體噴射到介於第一處理區域及第二處理區域之間的區域中的步驟。可透過使用第三噴射單元43而藉由將劃分氣體噴射到第三處理區域130中來進行這種步驟。因此，根據本發明的基板處理方法可防止被噴射到第一處理區域110中的氣體與被噴射到第二處理區域120中的氣體混合。

請參閱圖1至圖6，根據本發明的基板處理方法可包含使支撐單元轉動的步驟。可藉由使支撐單元3轉動而使受支撐單元3支撐的至少一基板S於第一處理區域110及第二處理區域120之間移動而進行此步驟。

根據本發明的基板處理方法可被實施以在至少一基板S僅設置於第一處理區域110及第二處理區域120的一個區域中的狀態下進行處理製程。在此情況中，如圖5所示，在至少一基板S1設置於第一處理區域110中的狀態下，可在第一氣體及第一吹除氣體被依序噴射到第一處理區域中時進行將第二吹除氣體噴射到第二處理區域中的步驟。接著，至少一基板S可藉由使支撐單元轉動的步驟而透過第三處理區域130從第一處理區域110移動到第二處理區域120。在至少一基板S1設置於第二處理區域120中的狀態下，可在第二氣體及第二吹除氣體被依序噴射到第二處理區域中時進行將第一吹除氣體噴射到第一處理區域中的步驟。藉由重複進行這樣的步驟，根據本發明的基板處理方法可於至少一基板S上進行處理製程。

根據本發明的基板處理方法可被實施以在至少一基板S設置於第一處理區域110中且至少一基板S設置於第二處理區域120中的狀態下進行處理製程。在此情況中，如圖6所示，在至少一基板S1設置於第一處理區域110及第二處理區域120的每一者中的狀態下，可在第一氣體及第一吹除氣體被依序噴射到第一處理區域中時進行將第二吹除氣體噴射到第二處理區域中的步驟。接著，可在第二氣體及第二吹除氣體依序被噴射到第二處理區域中時進行將第一吹除氣體噴射到第一處理區域中的步驟。因此，可於設置在第一處理區域110中的至少一基板S上進行吸附製程，且可於設置在第二處理區域120中的至少一基板S上進行沉積製程。接著，透過使支撐單元轉動的步驟，至少一基板S可透過第三處理區域130從第一處理區域110移動到第二處理區域120，且至少一基板S可透過第三處理區域130從第二處理區域120移動到第一處理區域110。藉由重複進行這種步驟，根據本發明的基板處理方法可於多個基板S上進行處理製程。

上述之本發明並不限於上述之實施例以及相關圖式，且本領域具通常知識者將清楚意識到當可在不脫離本發明的精神以及範圍的前提下進行各種修飾、變形以及替換。

1:基板處理設備 2:腔體 3:支撐單元 4:氣體噴射單元 5:氣體供應單元 6:排氣單元 7:轉動單元 20:腔體蓋 30:支撐軸 41:第一噴射單元 42:第二噴射單元 43:第三噴射單元 60:分解機構 61:第一排氣埠 62:第二排氣埠 63:第一排氣件 64:第二排氣件 65:整合件 100:處理空間 110:第一處理區域 120:第二處理區域 130:第三處理區域 S,S1~S4:基板 G1:第一氣體 G2:第二氣體 PG1:第一吹除氣體 PG2:第二吹除氣體

圖1為根據本發明的基板處理設備的立體分解示意圖。 圖2為根據本發明的基板處理設備相對圖1中的割面線I-I之側剖示意圖。 圖3為根據本發明的基板處理設備中的支撐單元之平面示意圖。 圖4為根據本發明的基板處理設備沿圖1中的割面線I-I繪示之側剖示意圖並用於描述排氣單元。 圖5及圖6為繪示根據本發明的基板處理設備噴射第一氣體、第一吹除氣體、第二氣體以及第二吹除氣體中的每一者之期間以及根據本發明的基板處理設備沒有噴射第一氣體、第一吹除氣體、第二氣體以及第二吹除氣體中的每一者之期間的時序圖。

1:基板處理設備

2:腔體

3:支撐單元

5:氣體供應單元

6:排氣單元

20:腔體蓋

41:第一噴射單元

42:第二噴射單元

43:第三噴射單元

60:分解機構

61:第一排氣埠

62:第二排氣埠

63:第一排氣件

64:第二排氣件

65:整合件

110:第一處理區域

120:第二處理區域

130:第三處理區域

Claims (5)

1. 一種基板處理方法，於分成一第一處理區域以及一第二處理區域的一處理空間中在受一支撐單元支撐的一基板上進行一處理製程，該基板處理方法包含：依序將一第一氣體以及一第一吹除氣體噴射到該第一處理區域中的一步驟；以及依序將一第二吹除氣體以及與該第一氣體反應的一第二氣體噴射到該第二處理區域中的一步驟；其中，當該第一氣體被噴射到該第一處理區域中且接著該第一氣體從該第一處理區域被排放時，該第二吹除氣體被噴射到該第二處理區域中且接著該第二吹除氣體從該第二處理區域被排放，並且當該第二氣體被噴射到該第二處理區域中且接著該第二氣體從該第二處理區域被排放時，該第一吹除氣體被噴射到該第一處理區域中且接著該第一吹除氣體從該第一處理區域被排放。
2. 一種基板處理方法，於分成一第一處理區域以及一第二處理區域的一處理空間中在受一支撐單元支撐的一基板上進行一處理製程，該基板處理方法包含：將一第一氣體噴射到該第一處理區域中並將一第二吹除氣體噴射到該第二處理區域中的一步驟；以及將一第一吹除氣體噴射到該第一處理區域並將與該第一氣體反應的一第二氣體噴射到該第二處理區域中的一步驟， 其中，該些步驟依序進行，當該第一氣體被噴射到該第一處理區域中且接著該第一氣體從該第一處理區域被排放時，該第二氣體沒有被噴射到該第二處理區域中且接著該第二氣體沒有從該第二處理區域被排放，並且當該第二氣體被噴射到該第二處理區域中且接著該第二氣體從該第二處理區域被排放時，該第一氣體沒有被噴射到該第一處理區域中且接著該第一氣體沒有從該第一處理區域被排放。
3. 如請求項1或2所述之基板處理方法，更包含將用於劃分該第一處理區域以及該第二處理區域之一劃分氣體噴射到介於該第一處理區域以及該第二處理區域之間的區域中的一步驟。
4. 如請求項1或2所述之基板處理方法，更包含使該支撐單元轉動而使受該支撐單元支撐的該基板於該第一處理區域以及該第二處理區域之間移動的一步驟。
5. 如請求項4所述之基板處理方法，其中使該支撐單元轉動的該步驟被重複進行。

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