JP2023519537A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024099607A JP7747825B2 (ja) | 2020-04-06 | 2024-06-20 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020068224A JP2021165771A (ja) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
| JP2020068224 | 2020-04-06 | ||
| PCT/EP2021/058571 WO2021204651A1 (en) | 2020-04-06 | 2021-04-01 | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024099607A Division JP7747825B2 (ja) | 2020-04-06 | 2024-06-20 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023519537A JP2023519537A (ja) | 2023-05-11 |
| JP2023519537A5 true JP2023519537A5 (https=) | 2024-03-04 |
| JP7520137B2 JP7520137B2 (ja) | 2024-07-22 |
Family
ID=75441868
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020068224A Pending JP2021165771A (ja) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
| JP2022554948A Active JP7520137B2 (ja) | 2020-04-06 | 2021-04-01 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
| JP2024099607A Active JP7747825B2 (ja) | 2020-04-06 | 2024-06-20 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020068224A Pending JP2021165771A (ja) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024099607A Active JP7747825B2 (ja) | 2020-04-06 | 2024-06-20 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230167383A1 (https=) |
| EP (1) | EP4133333A1 (https=) |
| JP (3) | JP2021165771A (https=) |
| KR (2) | KR20250010142A (https=) |
| CN (1) | CN115398340A (https=) |
| IL (1) | IL296997A (https=) |
| TW (1) | TW202204592A (https=) |
| WO (1) | WO2021204651A1 (https=) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021165771A (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
| KR102832650B1 (ko) * | 2021-01-29 | 2025-07-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 신너 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판의 표면 처리 방법 |
| WO2023285408A2 (en) * | 2021-07-15 | 2023-01-19 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
| WO2023170021A1 (en) * | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing solution, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing device |
| CN119768737A (zh) | 2022-07-22 | 2025-04-04 | 默克专利有限公司 | 耐显影液的抗蚀剂下层膜组合物及制造抗蚀剂图案的方法 |
| WO2024141355A1 (en) * | 2022-12-26 | 2024-07-04 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
| EP4649359A1 (en) | 2023-01-13 | 2025-11-19 | Merck Patent GmbH | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3817012A1 (de) | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| EP0366590B2 (en) | 1988-10-28 | 2001-03-21 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive positive photoresist compositions |
| US6372415B1 (en) * | 1997-10-30 | 2002-04-16 | Kao Corporation | Resist developer |
| JPH11249323A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Kao Corp | レジスト現像方法 |
| JP4190364B2 (ja) | 2003-08-26 | 2008-12-03 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用リンス液および基板の処理方法 |
| ATE527581T1 (de) * | 2005-03-29 | 2011-10-15 | Fujifilm Corp | Verfahren zur herstellung einer lithografiedruckform |
| JP2007200944A (ja) | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Tokuyama Corp | 基板洗浄液 |
| JP2007254555A (ja) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | 洗浄剤組成物 |
| EP1854627A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-14 | Agfa Graphics N.V. | Method for making a lithographic printing plate |
| JP5336306B2 (ja) | 2008-10-20 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料 |
| US20100105595A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Wai Mun Lee | Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds |
| JP5624858B2 (ja) | 2009-11-20 | 2014-11-12 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2012060050A (ja) | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Fujifilm Corp | 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法 |
| WO2012133597A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Jsr株式会社 | 多層レジストプロセスパターン形成方法及び多層レジストプロセス用無機膜形成組成物 |
| JP6240404B2 (ja) | 2013-05-09 | 2017-11-29 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2016031503A (ja) | 2014-07-30 | 2016-03-07 | 日立化成株式会社 | 導電パターンの形成方法、導電パターン基板及びタッチパネルセンサ |
| US10120277B2 (en) * | 2016-02-19 | 2018-11-06 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition and pattern-forming method |
| TWI717526B (zh) | 2016-06-20 | 2021-02-01 | 盧森堡商Ａｚ電子材料盧森堡有限公司 | 清洗組成物、形成光阻圖案之方法及製造半導體裝置之方法 |
| KR102610448B1 (ko) | 2016-08-12 | 2023-12-07 | 인프리아 코포레이션 | 금속 함유 레지스트로부터의 에지 비드 영역의 금속 잔류물 저감방법 |
| CN110023841B (zh) | 2016-11-25 | 2023-05-30 | 默克专利有限公司 | 光刻组合物、形成抗蚀图案的方法和制造半导体器件的方法 |
| KR102578462B1 (ko) | 2017-08-04 | 2023-09-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 및 처리액 |
| CN107499016A (zh) * | 2017-09-25 | 2017-12-22 | 浙江康尔达新材料股份有限公司 | 一种热敏阴图平版印刷版前体及其制版方法 |
| WO2019181387A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 富士フイルム株式会社 | ろ過装置、精製装置、薬液の製造方法 |
| JP7274919B2 (ja) * | 2019-04-11 | 2023-05-17 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄液、及び金属レジストを備えた支持体の洗浄方法 |
| JP2021165771A (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
-
2020
- 2020-04-06 JP JP2020068224A patent/JP2021165771A/ja active Pending
-
2021
- 2021-04-01 US US17/917,004 patent/US20230167383A1/en active Pending
- 2021-04-01 EP EP21717775.7A patent/EP4133333A1/en active Pending
- 2021-04-01 TW TW110112122A patent/TW202204592A/zh unknown
- 2021-04-01 WO PCT/EP2021/058571 patent/WO2021204651A1/en not_active Ceased
- 2021-04-01 CN CN202180026109.0A patent/CN115398340A/zh active Pending
- 2021-04-01 KR KR1020257000615A patent/KR20250010142A/ko active Pending
- 2021-04-01 IL IL296997A patent/IL296997A/en unknown
- 2021-04-01 JP JP2022554948A patent/JP7520137B2/ja active Active
- 2021-04-01 KR KR1020227038756A patent/KR102753830B1/ko active Active
-
2024
- 2024-06-20 JP JP2024099607A patent/JP7747825B2/ja active Active
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