JP2023512798A - 半導体構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図6
Description
Claims (14)
- 半導体構造の製造方法であって、
基板及び前記基板に位置する複数の個別のビット線構造を提供し、前記ビット線構造内に金属層を有し、前記金属層の頂面が前記ビット線構造の頂面よりも低いことと、
隣接する前記ビット線構造の間に充填される第1絶縁分離膜を形成し、前記第1絶縁分離膜の頂面が前記金属層の頂面よりも高く且つ前記ビット線構造の頂面よりも低いことと、
前記ビット線構造の頂部及び側壁並びに前記第1絶縁分離膜の頂面に第1誘電体膜を形成することと、
マスクなしのドライエッチングプロセスを用いて、前記ビット線構造の頂部及び前記第1絶縁分離膜の頂面に位置する前記第1誘電体膜をエッチング除去して第1誘電体層を形成し、且つ前記第1誘電体層が露出する前記第1絶縁分離膜をエッチング除去して前記第1誘電体層の真下に位置する第1絶縁分離層を形成することと、を含むことを特徴とする半導体構造の製造方法。 - 前記第1絶縁分離層の材料の誘電率が前記第1誘電体層の材料の誘電率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1絶縁分離層の材料は二酸化ケイ素を含み、前記第1絶縁分離層を形成する前駆体ガスはケイ酸エチルとオゾンを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 化学気相成長プロセスを用いて前記第1絶縁分離膜を形成し、原子層成長プロセスを用いて前記第1誘電体膜を形成することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記第1絶縁分離層の材料はケイ素を含み、前記第1絶縁分離層を形成した後、前記第1絶縁分離層を酸化処理することにより、二酸化ケイ素を生成することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1絶縁分離層を形成した後には、前記第1誘電体層によって露出される前記第1絶縁分離層の側壁には第2誘電体層を形成し、前記第2誘電体層の材料の硬度が前記第1絶縁分離層の材料の硬度よりも大きいことを更に含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第1絶縁分離層及び前記第1誘電体層を形成するプロセスステップは、第1マスクなしのドライエッチングプロセスを用いて前記第1誘電体層を形成し、前記第1マスクなしのドライエッチングプロセスによる前記第1誘電体膜のエッチングレートが前記第1マスクなしのドライエッチングプロセスによる前記第1絶縁分離膜のエッチングレートよりも大きいことと、第2マスクなしのドライエッチングプロセスを用いて前記第1絶縁分離層を形成し、前記第2マスクなしのドライエッチングプロセスによる前記第1絶縁分離膜のエッチングレートが前記第2マスクなしのドライエッチングプロセスによる前記第1誘電体膜のエッチングレートよりも大きいことと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1絶縁分離膜は前記ビット線構造の側壁に位置し且つ所定の厚さを有する第1領域と、前記第1領域の間に位置する第2領域とを含み、前記第2マスクなしのドライエッチングプロセスを行う前に、前記第1領域又は前記第2領域に対してイオンドーピングプロセスを行い、前記イオンドーピングプロセスは前記第2領域のエッチングレートを前記第1領域のエッチングレートよりも大きくすることに用いられることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 隣接する前記ビット線構造の間に充填される第1絶縁分離膜を形成する前記ことは、隣接する前記ビット線構造の間にいっぱいに充填される初期絶縁分離膜を形成することと、前記初期絶縁分離膜の頂面と前記ビット線構造の頂面を面一にするように平坦化プロセスを行うことと、部分厚さの前記初期絶縁分離膜をエッチング除去して前記第1絶縁分離膜を形成することと、を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記第1絶縁分離膜の頂面と前記ビット線構造の頂面との高度差範囲が50nm~100nmであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 半導体構造であって、
基板及び前記基板に位置する複数の個別のビット線構造と、
前記ビット線構造の側壁に位置し、頂面が前記金属層の頂面よりも高く且つ前記ビット線構造の頂面よりも低い第1絶縁分離層と、
前記ビット線構造の側壁に位置し、且つ前記第1絶縁分離層の直上に位置する第1誘電体層と、を備え、
前記ビット線構造内に金属層を有し、前記金属層の頂面が前記ビット線構造の頂面よりも低いことを特徴とする半導体構造。 - 前記第1絶縁分離層の材料の誘電率が前記第1誘電体層の材料の誘電率よりも小さいことを特徴とする請求項11に記載の構造。
- 前記第1絶縁分離層の材料は二酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項12に記載の構造。
- 前記第1誘電体層によって露出される前記第1絶縁分離層の側壁に位置し、材料の硬度が前記第1絶縁分離層の材料の硬度よりも大きい第2誘電体層を更に備えることを特徴とする請求項11に記載の構造。
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