JP2023510207A - transfer manipulator - Google Patents

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Abstract

本願は、半導体加工の技術分野に関し、搬送マニピュレータは、基体、電源、静電気発生装置、及び方向切換部材を含み、基体はウェーハを支持するための支持部を含み、電源は正極端及び負極端を含み、静電気発生装置は電源に接続されており、正電荷端及び電子端を含み、正電荷端及び電子端はいずれも支持部に設けられ、方向切換部材は電源と静電気発生装置との間に設けられ、方向切換部材が第1の状態にあるとき、正電荷端が正極端に接続され、電子端が負極端に接続され、方向切換部材が第2の状態にあるとき、正電荷端が負極端に接続され、電子端が正極端に接続される。本願に係る搬送マニピュレータは、クーロン力によりウェーハを吸着し、多仕様のウェーハの搬送を実現することができ、方向切換部材により残留クーロン力を除去することができ、製造コストを削減し、ウェーハに対するダメージを低減することができる。【選択図】図3The present application relates to the technical field of semiconductor processing, the transfer manipulator includes a substrate, a power source, an electrostatic generator, and a direction switching member, the substrate includes a support for supporting a wafer, and the power source has positive and negative ends. wherein the static electricity generator is connected to a power source and includes a positive charge end and an electronic end, the positive charge end and the electronic end are both provided on the support, and the direction switching member is between the power source and the static electricity generator. when the direction-switching member is in the first state the positive charge end is connected to the positive end, the electronic end is connected to the negative end and when the direction-switching member is in the second state the positive charge end is connected to the It is connected to the negative end and the electronic end is connected to the positive end. The transfer manipulator according to the present application can adsorb a wafer by coulomb force, realize transfer of wafers of various specifications, can remove residual coulomb force by a direction switching member, reduce manufacturing costs, and reduce wafer Damage can be reduced. [Selection drawing] Fig. 3

Description

相互参照cross reference

本願は、2020年9月27日に提出された出願番号が202011029264.1であり、発明の名称が「搬送マニピュレータ」である中国特許出願の優先権を主張し、その全体が参照により本願に組み込まれる。 This application claims the priority of the Chinese patent application entitled "Conveyor Manipulator" with application number 202011029264.1 filed on September 27, 2020, which is incorporated herein by reference in its entirety. be

本願は、半導体加工の技術分野に関し、特に搬送マニピュレータに関する。 The present application relates to the technical field of semiconductor processing, and more particularly to transfer manipulators.

半導体とは、室温で導電率が導体と絶縁体の間にある材料を指す。半導体製品は、種類が多くて、プロセスが複雑であり、ウェーハは、シリコン半導体集積回路の製造に使用されるシリコンウェーハである。ウェーハの厚さは製造元によって大きく異なり、欠陥や露出の問題を回避するために、ウェーハと接触するウェーハコンタクタの接触面積をできるだけ小さくする必要がある。ウェーハの厚さが異なり、関連技術において、ウェーハを搬送するための搬送マニピュレータでは、1つの仕様の搬送マニピュレータは1つの仕様のウェーハに適している。現在、仕様が異なウェーハを搬送できる搬送マニピュレータが存在しないため、ウェーハの搬送コストが高く、設備投資が大きくなる。 A semiconductor refers to a material whose conductivity is between that of a conductor and an insulator at room temperature. There are many types of semiconductor products, and the processes are complicated. Wafers are silicon wafers used for manufacturing silicon semiconductor integrated circuits. Wafer thickness varies widely from manufacturer to manufacturer, and the contact area of the wafer contactor in contact with the wafer should be as small as possible to avoid defects and exposure problems. Wafers have different thicknesses, and in the related art, in transfer manipulators for transferring wafers, one specification transfer manipulator is suitable for one specification wafer. At present, there is no transfer manipulator capable of transferring wafers with different specifications, so wafer transfer costs are high and equipment investment is large.

本願は、従来技術に存在している課題の少なくとも1つを解決することを目的とする。このために、本願は、クーロン力によりウェーハを吸着し、多仕様のウェーハの搬送を実現することができ、さらに方向切換部材により残留クーロン力を除去することができ、製造コストを削減し、ウェーハに対するダメージを低減することができる搬送マニピュレータを提供する。 The present application aims to solve at least one of the problems existing in the prior art. For this reason, according to the present invention, the coulomb force is used to adsorb the wafer, and the multi-specification wafer transfer can be realized, and the direction switching member can remove the residual coulomb force. To provide a transport manipulator capable of reducing damage to.

本願の第1の形態の実施形態に係る搬送マニピュレータは、
ウェーハを支持するための支持部を含む基体と、
正極端及び負極端を含む電源と、
電源に接続されており、正電荷端及び電子端を含み、前記正電荷端及び前記電子端がいずれも前記支持部に設けられる静電気発生装置と、
前記電源と前記静電気発生装置との間に設けられる方向切換部材であって、前記方向切換部材が第1の状態にあるとき、前記正電荷端が前記正極端に接続され、前記電子端が前記負極端に接続され、前記方向切換部材が第2の状態にあるとき、前記正電荷端が前記負極端に接続され、前記電子端が前記正極端に接続される方向切換部材と、を含む。
The transport manipulator according to the embodiment of the first form of the present application comprises:
a substrate including a support for supporting the wafer;
a power source including a positive end and a negative end;
an electrostatic generator connected to a power source and comprising a positive charge end and an electronic end, wherein the positive charge end and the electronic end are both provided on the support;
A direction-switching member provided between the power source and the static electricity generator, wherein when the direction-switching member is in a first state, the positive charge end is connected to the positive end, and the electronic end is connected to the a direction-switching member connected to a negative end, wherein the positive charge end is connected to the negative end and the electronic end is connected to the positive end when the direction-switching member is in a second state.

本願の一実施形態によれば、前記電源は1組設置され、前記正極端には第1のワイヤが接続され、前記負極端には第2のワイヤが接続され、前記方向切換部材は方向切換スイッチであり、前記方向切換スイッチの両端にはそれぞれ前記第1のワイヤ及び前記第2のワイヤが接続され、前記方向切換スイッチがオフにされると、前記正電荷端は前記正極端に接続され、前記電子端が前記負極端に接続され、前記方向切換スイッチがオンにされると、前記正電荷端が前記負極端に接続され、前記電子端が前記正極端に接続される。 According to an embodiment of the present application, the power supply is installed in a set, the positive end is connected with a first wire, the negative end is connected with a second wire, and the direction switching member is a direction switching a switch, wherein the first wire and the second wire are respectively connected to both ends of the direction changeover switch, and when the direction changeover switch is turned off, the positive charge end is connected to the positive end; , the electronic end is connected to the negative end, and when the direction switch is turned on, the positive charge end is connected to the negative end and the electronic end is connected to the positive end;

本願の一実施形態によれば、前記電源は、並列に配置された第1の直流電源発生器及び第2の直流電源発生器を含み、且つ前記第1の直流電源発生器の正極端は、前記第2の直流電源発生器の正極端とは反対であり、前記方向切換部材は第1のスイッチ及び第2のスイッチを含み、前記第1のスイッチは前記第1の直流電源発生器が位置するブランチに接続され、前記第2のスイッチは前記第2の直流電源発生器が位置するブランチに接続され、前記第1のスイッチがオンにされ且つ前記第2のスイッチがオフにされると、前記正電荷端は前記第1の直流電源発生器の正極端に接続され、前記電子端は前記第1の直流電源発生器の負極端に接続され、前記第1のスイッチがオフにされ且つ前記第2のスイッチがオンにされると、前記正電荷端は前記第2の直流電源発生器の負極端に接続され、前記電子端は前記第2の直流電源発生器の正極端に接続される。 According to one embodiment of the present application, the power supply includes a first DC power generator and a second DC power generator arranged in parallel, and the positive end of the first DC power generator is: Opposite to the positive end of the second DC power generator, the direction switching member includes a first switch and a second switch, the first switch being positioned when the first DC power generator is positioned. the second switch is connected to the branch in which the second DC power generator is located, when the first switch is turned on and the second switch is turned off, The positive charge end is connected to the positive end of the first DC power generator, the electronic end is connected to the negative end of the first DC power generator, the first switch is turned off and the When the second switch is turned on, the positive charge end is connected to the negative end of the second DC power generator and the electronic end is connected to the positive end of the second DC power generator. .

本願の一実施形態によれば、前記支持部にはウェーハコンタクタが設けられ、前記ウェーハコンタクタは前記支持部の表面から突出しており、前記ウェーハコンタクタの底部には圧力センサが設けられる。 According to one embodiment of the present application, the support is provided with a wafer contactor, the wafer contactor protrudes from the surface of the support, and the bottom of the wafer contactor is provided with a pressure sensor.

本願の一実施形態によれば、中央処理装置をさらに含み、前記電源及び前記圧力センサはいずれも前記中央処理装置に接続され、前記中央処理装置内には、前記静電気発生装置の入力電圧と前記圧力センサの出力電圧との関係モデルが記憶され、前記電源は前記静電気発生装置への電力供給を停止すると、前記関係モデル及び前記圧力センサの出力電圧に基づいて、前記静電気発生装置の入力電圧を取得し、前記方向切換部材の状態を切り換えて、前記電源は前記入力電圧を前記静電気発生装置に供給するようにする。 According to an embodiment of the present application, further comprising a central processing unit, wherein the power source and the pressure sensor are both connected to the central processing unit, and the central processing unit includes an input voltage of the static electricity generating device and the A relationship model of the output voltage of the pressure sensor is stored, and when the power supply stops supplying power to the static electricity generator, the input voltage of the static electricity generator is changed based on the relationship model and the output voltage of the pressure sensor. and switching the state of the direction switching member so that the power supply supplies the input voltage to the electrostatic generator.

本願の一実施形態によれば、前記ウェーハコンタクタと前記正電荷端は交互に配置され、及び/又は、前記ウェーハコンタクタと前記電子端は交互に配置される。 According to an embodiment of the present application, the wafer contactors and the positive charge ends are alternated and/or the wafer contactors and the electron ends are alternated.

本願の一実施形態によれば、前記第1のワイヤには第1の調整抵抗が接続され、前記第2のワイヤには第2の調整抵抗が接続される。 According to one embodiment of the present application, a first tuning resistor is connected to the first wire and a second tuning resistor is connected to the second wire.

本願の一実施形態によれば、前記基体は絶縁材料である。 According to one embodiment of the present application, said substrate is an insulating material.

本願の一実施形態によれば、前記正電荷端と前記電子端は交互に配置される。 According to an embodiment of the present application, said positive charge ends and said electronic ends are arranged alternately.

本願の一実施形態によれば、前記基体には配線溝が形成され、前記電源と前記正電荷端を接続する第1のワイヤ、及び前記電源と前記電子端を接続する第2のワイヤは、いずれも前記配線溝内に設けられる。 According to one embodiment of the present application, wiring grooves are formed in the substrate, and a first wire connecting the power source and the positive charge end and a second wire connecting the power source and the electron end are: Both are provided in the wiring groove.

本願の一実施形態によれば、前記基体上には配線分配器が接続され、前記配線分配器は、前記配線溝の前記電源に近い端に設けられる。 According to one embodiment of the present application, a wiring distributor is connected on the substrate, and the wiring distributor is provided at an end of the wiring trench near the power source.

本願の実施形態における上記の1つ又は複数の技術案は、以下の技術的効果のうちの少なくとも1つを有する。 The one or more technical solutions in the embodiments of the present application have at least one of the following technical effects.

本願の実施形態に係る搬送マニピュレータは、基体、電源、静電気発生装置、及び方向切換部材を含み、静電気発生装置は電源に接続される正電荷端及び電子端を含み、正電荷端と電子端はいずれもウェーハとの間にクーロン力が発生し、ウェーハに対する吸着固定を実現することができ、多仕様のウェーハの搬送に適用することができ、製造コストを削減することができる。電源が静電気発生装置への電力供給を停止すると、この時、正電荷端及び電子端とウェーハとの間にクーロン力が残留するおそれがあり、この場合、ウェーハは静摩擦力に打ち勝って搬送マニピュレータから解放されにくく、方向切換部材を調整し、電源を静電気発生装置に逆給電させ、つまり、正電荷端を電源の負極端に連通させ、且つ電子端を電源の正極端に連通させて、逆クーロン力によって残留クーロン力を除去することにより、搬送マニピュレータからウェーハをスムーズに離すことができ、ウェーハ搬送中のウェーハ掛かりやウェーハ損傷の問題が解決され、社会的資源の節約に役立ち、大きな経済的価値がある。 A transport manipulator according to an embodiment of the present application includes a substrate, a power source, a static electricity generator, and a direction switching member, the static electricity generator includes a positive charge end and an electronic end connected to the power source, and the positive charge end and the electronic end are In either case, a Coulomb force is generated between the wafer and the wafer, and the wafer can be fixed by suction, and can be applied to the transfer of wafers of various specifications, and the manufacturing cost can be reduced. When the power supply stops supplying power to the electrostatic generator, there is a risk that Coulomb force will remain between the positive charge end and the electron end and the wafer. It is difficult to be released, and the direction switching member is adjusted so that the power supply is reverse fed to the static electricity generator, that is, the positive charge end is connected to the negative end of the power supply, and the electronic end is connected to the positive end of the power supply, so that the reverse coulomb By removing the residual Coulomb force by force, the wafer can be smoothly released from the transfer manipulator, solving the problems of wafer hanging and wafer damage during wafer transfer, helping to save social resources and having great economic value. There is

本願の追加の態様及び利点については、以下の説明に部分的に示され、一部は以下の説明から明らかになり、又は本願の実施によって理解できる。 Additional aspects and advantages of the present application will be set forth in part in the description that follows, and in part will be apparent from the description, or may be learned by practice of the application.

本願の実施形態又は従来技術における技術案をより明確に説明するために、以下、実施形態又は従来技術の説明に必要な図面を簡単に説明する。勿論、以下に説明する図面は、本願のいくつかの実施形態であり、当業者にとって、創造的な労働を要しない前提で、これらの図面に基づいてその他の図面を更に得ることができる。
図1は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの上面構造の模式図である。 図2は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの側面構造の模式図である。 図3は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの方向切換部材の第1の実施形態の構造の模式図である。 図4は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの方向切換部材の第2の実施形態の構造の模式図である。 図5は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの制御論理の模式図である。 図6は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの静電気発生装置の入力電圧と圧力センサの出力電圧との関係モデルの模式図である。 図7は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの圧力センサの出力電圧とウェーハコンタクタの表面の静摩擦力との関係図である。 図8は、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータの正電荷端と電子端の分布方式の構造の模式図である。
In order to more clearly describe the technical solutions in the embodiments of the present application or the related art, the drawings necessary for describing the embodiments or the related art will be briefly described below. Of course, the drawings described below are just some embodiments of the present application, and those skilled in the art can further obtain other drawings based on these drawings on the premise that no creative effort is required.
FIG. 1 is a schematic diagram of a top structure of a transport manipulator according to an embodiment of the present application. FIG. 2 is a schematic diagram of the side structure of the transfer manipulator according to the embodiment of the present application. FIG. 3 is a schematic diagram of the structure of the first embodiment of the direction switching member of the transfer manipulator according to the embodiment of the present application. FIG. 4 is a schematic diagram of the structure of the second embodiment of the direction switching member of the transfer manipulator according to the embodiment of the present application. FIG. 5 is a schematic diagram of the control logic of a transport manipulator in accordance with an embodiment of the present application; FIG. 6 is a schematic diagram of a relationship model between the input voltage of the static electricity generating device of the transfer manipulator and the output voltage of the pressure sensor according to the embodiment of the present application. FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the output voltage of the pressure sensor of the transfer manipulator and the static frictional force on the surface of the wafer contactor according to the embodiment of the present application. FIG. 8 is a schematic diagram of the distribution scheme structure of the positive charge end and the electron end of the transfer manipulator according to an embodiment of the present application.

以下に、図面及び実施形態を参照しながら本願の実施形態をより詳細に説明する。以下の実施形態は、本願を説明するためのものであり、本願の範囲を制限するものではない。 Embodiments of the present application will be described in more detail below with reference to the drawings and embodiments. The following embodiments are intended to illustrate the present application and do not limit the scope of the present application.

本願の実施形態に対する説明において、用語である「中心」、「縦方向」、「横方向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「鉛直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」などで表れる方位又は位置関係は、図面に示す方位又は位置関係に基づくものであり、本願の実施形態を便利に又は簡単に説明するために使用されるものであり、示された装置又は素子が特定の方位にあり、特定の方位において構造され、操作されると指示又は暗示するものではないため、本願に対する限定と理解されるものではない。なお、用語である「第1」、「第2」、「第3」は、説明するためのものに過ぎず、比較的な重要性を指示又は暗示すると理解されるものではない。 In describing the embodiments of the present application, the terms "center", "longitudinal", "horizontal", "top", "bottom", "front", "back", "left", "right", " Azimuths or positional relationships represented by "vertical", "horizontal", "top", "bottom", "inside", "outside", etc. are based on the azimuths or positional relationships shown in the drawings, and the embodiments of the present application may be used conveniently. is used for purposes of explanation or simplicity and does not indicate or imply that the device or elements shown are in any particular orientation, or that they are constructed or operated in any particular orientation; It is not to be understood as limiting. It should be noted that the terms "first", "second" and "third" are for descriptive purposes only and are not to be understood as indicating or implying any relative importance.

本願の実施形態の説明において、明確な規定と限定がない限り、用語である「互いに接続」、「接続」等の意味は広く理解されるべきである。例えば、固定接続や、着脱可能な接続や、あるいは一体的な接続でも可能である。機械的な接続や、電気接続でも可能であり、あるいは直接的に互いに接続することや、中間媒体を介して間接的に互いに接続することも可能である。当業者にとって、具体的な状況に応じて上記用語の本願の実施形態での具体的な意味を理解することができる。 In the description of the embodiments of the present application, the meanings of the terms "connected to each other", "connected", etc. should be broadly understood unless clearly specified and limited. For example, a fixed connection, a detachable connection or an integral connection is possible. A mechanical connection, an electrical connection, or a direct connection or an indirect connection via an intermediate medium is also possible. Those skilled in the art can understand the specific meaning of the above terms in the embodiments of the present application according to the specific situation.

本出願の実施形態において、明確な規定と限定がない限り、第1の特徴が第2の特徴の「上」又は「下」にあることは、第1の特徴及び第2の特徴が直接接触することであってもよく、又は第1の特徴及び第2の特徴が中間媒体を介して間接的に接触することであってもよい。また、第1の特徴が第2の特徴の「上」、「上方」及び「上側」にあることは、第1の特徴が第2の特徴の真上又は斜め上方にあることであってもよく、又は単に第1の特徴の水平方向の高さが第2の特徴よりも高いことを意味する。第1の特徴が第2の特徴の「下」、「下方」及び「下側」にあることは、第1の特徴が第2の特徴の真下又は斜め下方にあることであってもよく、又は単に第1の特徴の水平方向の高さが第2の特徴よりも低いことを意味する。 In the embodiments of this application, unless expressly specified and limited, a first feature being "above" or "below" a second feature means that the first feature and the second feature are in direct contact. or it may be that the first feature and the second feature are in indirect contact through an intermediate medium. In addition, the fact that the first feature is "above", "above" and "above" the second feature means that the first feature is directly above or diagonally above the second feature. Well, or simply means that the horizontal height of the first feature is higher than the second feature. A first feature being "below", "below" and "below" a second feature may be that the first feature is directly below or diagonally below the second feature, Or simply that the first feature has a lower horizontal height than the second feature.

本明細書の説明において、「一実施形態」、「いくつかの実施形態」、「例」、「具体的な例」、又は「いくつかの例」などの用語を参照する説明は、当該実施形態又は例を参照しながら説明される具体的な特徴、構造、材料、又は特徴が、本願の実施形態の少なくとも1つの実施形態又は例に含まれることを意味する。本明細書では、上記の用語の模式的表現は、必ずしも同じ実施形態又は例に向けられているわけではない。さらに、説明されている具体的な特徴、構造、材料、又は特徴は、任意の1つ又は複数の実施形態又は例において、適切な方法で組み合わせることができる。さらに、当業者は、本明細書に説明されている異なる実施形態又は例、ならびに異なる実施形態又は例の特徴を、互いに矛盾することなく結合して組み合わせることができる。 In the description herein, descriptions that refer to terms such as “one embodiment,” “some embodiments,” “example,” “specific example,” or “some examples” refer to that implementation. A specific feature, structure, material, or feature described with reference to a form or example is meant to be included in at least one embodiment or example of the embodiments of the present application. As used herein, schematic representations of the terms above are not necessarily directed to the same embodiment or example. Moreover, the specific features, structures, materials, or features described may be combined in any suitable manner in any one or more embodiments or examples. Moreover, those skilled in the art can combine and combine different embodiments or examples, and features of different embodiments or examples, described herein without contradicting each other.

本願の一実施形態は、図1~図8に示すように、基体1、電源8、静電気発生装置2、及び方向切換部材を含む搬送マニピュレータを提供する。電源8は静電気発生装置2に電力を供給し、方向切換部材は静電気発生装置2と電源8の両端の接続関係を切り換えるためものであり、基体1は静電気発生装置2を取り付けるためのものである。基体1はウェーハを支持するための支持部11を含み、電源8は正極端及び負極端を含み、正極端には第1のワイヤ5が接続され、負極端には第2のワイヤ6が接続され、静電気発生装置2は、電源8に接続されており、正電荷端21及び電子端22を含み、正電荷端21及び電子端22はいずれも支持部11に設けられ、方向切換部材は電源8と静電気発生装置2との間に設けられ、方向切換部材が第1の状態にあるとき、正電荷端21は正極端に接続され、電子端22は負極端に接続され、方向切換部材が第2の状態にあるとき、正電荷端21は負極端に接続され、電子端22は正極端に接続される。 One embodiment of the present application provides a transport manipulator that includes a substrate 1, a power source 8, an electrostatic generator 2, and a direction switching member, as shown in Figures 1-8. The power supply 8 supplies electric power to the static electricity generator 2, the direction switching member is for switching the connection relationship between both ends of the static electricity generator 2 and the power supply 8, and the base 1 is for mounting the static electricity generator 2. . The substrate 1 includes a support portion 11 for supporting the wafer, the power supply 8 includes a positive terminal and a negative terminal, the first wire 5 is connected to the positive terminal, and the second wire 6 is connected to the negative terminal. The static electricity generating device 2 is connected to a power supply 8 and includes a positive charge end 21 and an electronic end 22, both of which are provided on the support 11, and a direction switching member is connected to the power supply. 8 and the electrostatic generator 2, when the direction switching member is in the first state, the positive charge end 21 is connected to the positive end, the electronic end 22 is connected to the negative end, and the direction switching member is When in the second state, the positive charge end 21 is connected to the negative end and the electronic end 22 is connected to the positive end.

ウェーハは、支持部11によって固定して支持され、支持部11と同期して移動することができるので、ウェーハの搬送が実現される。ここで、ウェーハ及び支持部11には、静電気発生装置2によって固定の作用力が与えられ、静電気発生装置2が通電された後、正電荷端21には正電荷を生成し、正電荷端21はウェーハ内の電子を引き付け、電子端22には電子を生成し、電子端22はウェーハ内の正電荷を引き付けて、ウェーハと搬送マニピュレータの静電吸着固定を実現する。 Since the wafer is fixedly supported by the support section 11 and can be moved in synchronization with the support section 11, the transfer of the wafer is realized. Here, the wafer and the support 11 are given a fixed acting force by the static electricity generator 2, and after the static electricity generator 2 is energized, a positive charge is generated at the positive charge end 21, and the positive charge end 21 attracts electrons in the wafer, generates electrons in the electron end 22, and the electron end 22 attracts positive charges in the wafer, so as to achieve electrostatic adsorption fixation between the wafer and the transfer manipulator.

ウェーハが目標位置まで搬送されると、電源8は静電気発生装置2への電力供給を停止し、正電荷端21及び電子端22にはまだいくらかの電荷が残留しており、この時、方向切換部材によって電源8の正極端が電子端22に接続され、電源8の負極端が正電荷端21に接続されて、電源8は電子端22に正電荷を供給し、且つ正電荷端21に電子を供給し、これにより、正電荷端21と電子端22に残留した正電荷及び電子を除去し、正電荷端21とウェーハとの間や、電子端22とウェーハとの間の作用力をゼロにし、そしてウェーハを基体1からスムーズに取り外すことができ、ウェーハにおいて残留クーロン力によって発生し得るウェーハ掛かりやウェーハ損傷の問題が解決される。 When the wafer is transported to the target position, the power supply 8 stops supplying power to the electrostatic generator 2, and there is still some charge remaining on the positive charge end 21 and the electronic end 22, at this time the direction switching The positive end of the power source 8 is connected to the electronic end 22 by a member, the negative end of the power source 8 is connected to the positive charge end 21 , and the power source 8 supplies positive charges to the electronic end 22 and electrons to the positive charge end 21 . to remove the residual positive charges and electrons at the positive charge end 21 and the electron end 22, and reduce the forces between the positive charge end 21 and the wafer and between the electron end 22 and the wafer to zero. and the wafer can be smoothly removed from the substrate 1, solving the problems of wafer hanging and wafer damage that can occur in the wafer due to residual Coulomb force.

本実施形態では、二重電気の静電発生装置2を使用してクーロン力を発生させ、ウェーハを吸着することにより、ウェーハと支持部11との間に正の圧力を発生させ、ウェーハ移送中の静摩擦力を確保する。ウェーハは目標位置に移動した後、方向切換部材により、電源8によって正電荷端21及び電子端22に供給される電荷を切り換えて、正電荷端21と電子端22に残留したクーロン力を除去することもできる。本実施形態の搬送マニピュレータは、異なるプロセスで製造された異なる厚さのウェーハに適しており、ウェーハと支持部11との間の静摩擦力を確保し、ウェーハの滑りなしの搬送を実現することができ、様々なウェーハの完全適応の搬送を実現することができ、関連技術におけるウェーハ搬送コストが高いという問題が解決され、ウェーハ搬送中のウェーハ掛かりやウェーハ損傷の問題が解決され、社会的資源の節約に役立ち、大きな経済的価値がある。 In this embodiment, the double electric electrostatic generator 2 is used to generate a Coulomb force to attract the wafer, thereby generating a positive pressure between the wafer and the supporting part 11, and during the wafer transfer. to ensure the static friction force of After the wafer has moved to the target position, the direction switching member switches the charge supplied by the power supply 8 to the positive charge end 21 and the electron end 22 to remove the residual Coulomb force on the positive charge end 21 and the electron end 22. can also The transfer manipulator of the present embodiment is suitable for wafers with different thicknesses manufactured by different processes, and can ensure static friction between the wafer and the support 11 to realize transfer of the wafer without slipping. It is possible to realize the fully adaptive transfer of various wafers, solve the problem of high wafer transfer costs in related technologies, solve the problem of wafer hanging and wafer damage during wafer transfer, and save social resources. Helps save money and has great economic value.

方向切換部は2つの実施形態がある。
1つの実施形態では、図3に示すように、電源8は1組設置され、電源8の正極端には第1のワイヤ5が接続され、電源8の負極端には第2のワイヤ6が接続され、方向切換部材は方向切換スイッチ91であり、方向切換スイッチ91の両端には、それぞれ第1のワイヤ5及び第2のワイヤ6が接続され、方向切換スイッチ91がオフにされると、正電荷端21は正極端に接続され、電子端22は負極端に接続され、方向切換スイッチ91がオンにされると、正電荷端21は負極端に接続され、電子端22は正極端に接続される。静電気発生装置2への電源8の通電方向を調整することにより、ウェーハと静電気発生装置2との間の残留クーロン力を除去し、搬送マニピュレータによるウェーハの損傷を防止し、ウェーハ搬送の安全性を向上させる。
There are two embodiments of the direction switching part.
In one embodiment, as shown in FIG. 3, a pair of power sources 8 are installed, with a first wire 5 connected to the positive end of the power source 8 and a second wire 6 connected to the negative end of the power source 8. A direction switching member is a direction switching switch 91. A first wire 5 and a second wire 6 are connected to both ends of the direction switching switch 91. When the direction switching switch 91 is turned off, The positive charge end 21 is connected to the positive end, the electronic end 22 is connected to the negative end, and when the direction switch 91 is turned on, the positive charge end 21 is connected to the negative end, and the electronic end 22 is connected to the positive end. Connected. By adjusting the energization direction of the power source 8 to the static electricity generator 2, the residual coulomb force between the wafer and the static electricity generator 2 is removed, the wafer is prevented from being damaged by the transport manipulator, and the wafer transport is safe. Improve.

ここで、電源8は直流電源を提供し、電源8は直流電源発生器であってもよい。第1のワイヤ5は第1のセクション及び第2のセクションを含み、第2のワイヤ6は第3のセクション及び第4のセクションを含み、方向切換スイッチ91の一方の端は第1のセクションと第2のセクションが突き合わされる位置に接続され、方向切換スイッチ91の他方の端は第3のセクションと第4のセクションが突き合わされる位置に接続される。方向切換スイッチ91がオフにされると、第1のセクションは第2のセクションに連通し、第3のセクションは第4のセクションに連通し、正極端は正電荷端21に連通し、負極端は電子端22に連通する。方向切換スイッチ91がオンにされると、第1のセクションは第4のセクションに連通し、第3のセクションは第2のセクションに連通し、正極端は電子端22に連通し、負極端は正電荷端21に連通する。これにより、逆通電によって残留クーロン力を除去して、ウェーハを損傷することなく基体1から分離させることができる。 Here, the power supply 8 provides DC power, and the power supply 8 may be a DC power generator. The first wire 5 includes a first section and a second section, the second wire 6 includes a third section and a fourth section, and one end of the directional switch 91 connects the first section and the second section. The second section is connected to the butted position, and the other end of the directional switch 91 is connected to the position where the third and fourth sections are butted. When the direction switch 91 is turned off, the first section communicates with the second section, the third section communicates with the fourth section, the positive end communicates with the positive charge end 21, and the negative end communicates. communicates with the electronic end 22 . When the direction switch 91 is turned on, the first section communicates with the fourth section, the third section communicates with the second section, the positive end communicates with the electronic end 22, and the negative end communicates with the It communicates with the positive charge end 21 . As a result, the residual Coulomb force can be removed by reverse energization, and the wafer can be separated from the substrate 1 without being damaged.

1つの実施形態では、第1のワイヤ5には第1の調整抵抗が接続され、第2のワイヤ6には第2の調整抵抗が接続される。第1の調整抵抗は正電荷端21の電圧を調整するためのものであり、第2の調整抵抗は電子端22の電圧を調整するためのものである。これにより、静電気発生装置2は、ウェーハ仕様に応じて異なる程度の吸着作用力を提供することができる。第1の調整抵抗及び第2の調整抵抗の抵抗値はいずれも調整することができる。 In one embodiment, the first wire 5 is connected to a first tuning resistor and the second wire 6 is connected to a second tuning resistor. The first adjusting resistor is for adjusting the voltage on the positive charge terminal 21 and the second adjusting resistor is for adjusting the voltage on the electron terminal 22 . This allows the static electricity generating device 2 to provide different degrees of adsorption force according to wafer specifications. Both the resistance values of the first adjustment resistor and the second adjustment resistor can be adjusted.

第1の調整抵抗は第1の抵抗51及び第2の抵抗52を含み、第1の抵抗51は第1のセクションに接続され、第2の抵抗52は第2のセクションに接続され、各部分の電圧は独立して調整可能である。第2の調整抵抗は第3の抵抗61及び第4の抵抗62を含み、第3の抵抗61は第3のセクションに接続され、第4の抵抗62は第4のセクションに接続され、各部分の電圧も独立して調整可能である。 The first adjustment resistor includes a first resistor 51 and a second resistor 52, the first resistor 51 is connected to the first section, the second resistor 52 is connected to the second section, and each portion are independently adjustable. The second adjustment resistor includes a third resistor 61 and a fourth resistor 62, the third resistor 61 is connected to the third section, the fourth resistor 62 is connected to the fourth section, each section voltage is also independently adjustable.

さらに、第1のワイヤ5には第1のコンデンサ53が接続され、第2のワイヤ6には第2のコンデンサ63が接続されることで、電圧をより安定させる。 Furthermore, a first capacitor 53 is connected to the first wire 5 and a second capacitor 63 is connected to the second wire 6, thereby stabilizing the voltage more.

1つの実施形態では、図4に示すように、図3に示される実施形態との違いは以下の通りである。即ち、電源は並列に配置された第1の直流電源発生器81及び第2の直流電源発生器82を含み、且つ第1の直流電源発生器81の正極端は、第2の直流電源発生器82の正極端とは反対に配置されると同時に、第1の直流電源発生器81の負極端は第2の直流電源発生器82の負極端とも反対に配置される。方向切換部材は第1のスイッチ92及び第2のスイッチ93を含み、第1のスイッチ92は第1の直流電源発生器81が位置するブランチに接続され、第2のスイッチ93は第2の直流電源発生器82が位置するブランチに接続され、第1のスイッチ92がオンにされ且つ第2のスイッチ93がオフにされると、正電荷端21は第1の直流電源発生器81の正極端に接続され、電子端22は第1の直流電源発生器81の負極端に接続され、第1のスイッチ92がオフにされ、且つ第2のスイッチ93がオンにされると、正電荷端21は第2の直流電源発生器82の負極端に接続され、電子端22は第2の直流電源発生器82の正極端に接続される。本実施形態では、反対に配置される電源8が2組設置され、第1の直流電源発生器81と第2の直流電源発生器82のオン・オフを切り換えることにより静電気発生装置2への電源方向を切り換える。これにより、残留クーロン力を除去して、ウェーハを損傷することなく基体1から分離させることができる。 In one embodiment, as shown in FIG. 4, the differences from the embodiment shown in FIG. 3 are as follows. That is, the power supply includes a first DC power generator 81 and a second DC power generator 82 arranged in parallel, and the positive end of the first DC power generator 81 is connected to the second DC power generator. The negative end of the first DC power generator 81 is also opposite the negative end of the second DC power generator 82 while being opposite the positive end of 82 . The direction switching member includes a first switch 92 and a second switch 93, the first switch 92 being connected to the branch where the first DC power generator 81 is located, the second switch 93 being the second DC When the power generator 82 is connected to the branch in which it is located and the first switch 92 is turned on and the second switch 93 is turned off, the positive charge end 21 is the positive end of the first DC power generator 81 . , the electronic end 22 is connected to the negative end of the first DC power generator 81, and the positive charge end 21 when the first switch 92 is turned off and the second switch 93 is turned on. is connected to the negative terminal of the second DC power generator 82 , and the electronic terminal 22 is connected to the positive terminal of the second DC power generator 82 . In this embodiment, two sets of power supplies 8 are installed oppositely arranged, and the power supply to the static electricity generator 2 is supplied by switching on/off the first DC power generator 81 and the second DC power generator 82. switch direction. This allows the residual Coulomb force to be removed and the wafer to be separated from the substrate 1 without damage.

本実施形態では、回路構造の安定性を確保するように、電源8と静電気発生装置2との間のワイヤには抵抗及びコンデンサが接続されてもよい。 In this embodiment, the wires between the power supply 8 and the static electricity generator 2 may be connected with resistors and capacitors so as to ensure the stability of the circuit structure.

1つの実施形態では、支持部11にはウェーハコンタクタ3が設けられ、ウェーハコンタクタ3は支持部11の表面から突出しており、ウェーハコンタクタ3の表面はウェーハと接触して、ウェーハと基体1との接触面積を減らすためのものであり、ウェーハとウェーハコンタクタ3の表面との静摩擦力は、ウェーハが基体1に対して移動するのを防止し、ウェーハの搬送の安定性を確保するためのものである。 In one embodiment, the support 11 is provided with a wafer contactor 3 protruding from the surface of the support 11 , the surface of the wafer contactor 3 contacting the wafer to provide contact between the wafer and the substrate 1 . The purpose is to reduce the contact area, and the static frictional force between the wafer and the surface of the wafer contactor 3 prevents the wafer from moving with respect to the substrate 1 and ensures the stability of wafer transfer. be.

1つの実施形態では、ウェーハコンタクタ3の底部には圧力センサ4が設けられ、圧力センサ4はウェーハによってウェーハコンタクタ3に加えられる圧力を測定するためのものであり、図7に示すように、圧力とウェーハコンタクタ3の表面の摩擦係数によってウェーハとウェーハコンタクタ3の表面との静摩擦力を計算することができる。ここで、ウェーハによってウェーハコンタクタ3に加えられる圧力は、ウェーハの重力と静電気発生装置2のウェーハに対する吸着力との合計である。ウェーハの重力は変化しないため、設定された静摩擦力に応じて、ユーザは、圧力センサ4で測定された圧力の大きさに基づいて、静電気発生装置2のウェーハに対する吸着力の大きさを調整することができ、即ち、静電気発生装置2の電圧に調整することができる。また、ウェーハが目標位置まで搬送されると、電源8は静電気発生装置2への電力供給を停止し、この時、圧力センサ4により測定された圧力はウェーハの重力と残留されたクーロン力との合計であり、残留クーロン力の大きさを得ることができ、残留クーロン力の大きさに応じて、電源8は逆方向に電力を供給することで、静電気発生装置2に同じ大きさの作用力を発生させて、残留されたクーロン力を除去するこができ、これにより、ウェーハは搬送マニピュレータからスムーズに離れることができる。 In one embodiment, the bottom of the wafer contactor 3 is provided with a pressure sensor 4 for measuring the pressure exerted by the wafer on the wafer contactor 3, as shown in FIG. and the coefficient of friction of the surface of the wafer contactor 3, the static frictional force between the wafer and the surface of the wafer contactor 3 can be calculated. Here, the pressure applied to the wafer contactor 3 by the wafer is the sum of the gravity of the wafer and the adsorption force of the electrostatic generator 2 to the wafer. Since the gravity of the wafer does not change, according to the set static friction force, the user adjusts the magnitude of the adsorption force of the static electricity generator 2 to the wafer based on the magnitude of the pressure measured by the pressure sensor 4. , ie adjusted to the voltage of the electrostatic generator 2 . When the wafer is transported to the target position, the power supply 8 stops supplying power to the static electricity generator 2. At this time, the pressure measured by the pressure sensor 4 is determined by the weight of the wafer and the residual Coulomb force. It is the total, and the magnitude of the residual Coulomb force can be obtained. According to the magnitude of the residual Coulomb force, the power supply 8 supplies power in the opposite direction, so that the static electricity generator 2 has the same acting force can be generated to remove the residual Coulomb force, allowing the wafer to smoothly release from the transfer manipulator.

1つの実施形態では、搬送マニピュレータは中央処理装置をさらに含み、電源8及び圧力センサ4はいずれも中央処理装置に接続され、中央処理装置内には、静電気発生装置2の入力電圧と圧力センサ4の出力電圧との関係モデルが記憶され、電源8は静電気発生装置2への電力供給を停止し、関係モデル及び圧力センサ4の出力電圧に基づいて、静電気発生装置2の入力電圧を取得し、方向切換部材的状態を切り換えて、電源8は静電気発生装置2に逆方向の入力電圧を供給する。 In one embodiment, the transfer manipulator further includes a central processing unit, the power supply 8 and the pressure sensor 4 are both connected to the central processing unit, and the input voltage of the electrostatic generator 2 and the pressure sensor 4 are in the central processing unit. is stored, the power supply 8 stops supplying power to the static electricity generator 2, acquires the input voltage of the static electricity generator 2 based on the relationship model and the output voltage of the pressure sensor 4, Switching the state of the direction switching member, the power supply 8 supplies the reverse input voltage to the electrostatic generator 2 .

ここで、関係モデルは、ウェーハの仕様に従って実験室で事前に測定された静電気発生装置2の入力電圧と圧力センサ4の出力電圧との間の曲線関係である。図6に示すように、図6はウェーハの静電気発生装置2の入力電圧と圧力センサ4の出力電圧との間の関係モデルを示す。中央処理装置には、様々な仕様のウェーハの関係モデルを格納し、必要に応じて搬送すべきウェーハに対応する関係モデルを呼び出すことができる。 Here, the relationship model is the curve relationship between the input voltage of the electrostatic generator 2 and the output voltage of the pressure sensor 4 pre-measured in the laboratory according to wafer specifications. As shown in FIG. 6, FIG. 6 shows the relationship model between the input voltage of the electrostatic generator 2 of the wafer and the output voltage of the pressure sensor 4. As shown in FIG. The central processing unit stores relational models of wafers of various specifications, and can call out the relational models corresponding to the wafers to be transferred as needed.

さらに、実験室で事前に測定された関係モデルについて、中央処理装置は、調整をより正確にするように、リアルタイムデータに従って関係モデルを修正することもできる。 In addition, for the relational model pre-measured in the laboratory, the central processing unit can also modify the relational model according to real-time data to make the adjustment more accurate.

図5に示すように、中央処理装置は、静電気発生装置2に必要な入力電圧を静電気発生装置コントローラに伝送し、静電気発生装置コントローラは、静電気発生装置2の出力電圧を調整制御し、この時、圧力センサ4は、ウェーハのウェーハコンタクタ3に対する圧力を測定して、中央処理装置にフィードバックする。これは、電圧信号間の論理的な伝達関係であり、ウェーハにおいて残留クーロン力によって発生し得るウェーハ掛かりやウェーハ損傷の問題が解決される。 As shown in FIG. 5, the central processing unit transmits the input voltage required for the static electricity generator 2 to the static electricity generator controller, and the static electricity generator controller adjusts and controls the output voltage of the static electricity generator 2, at this time , the pressure sensor 4 measures the pressure of the wafer against the wafer contactor 3 and provides feedback to the central processing unit. This is a logical transfer relationship between the voltage signals and solves the problems of wafer hanging and wafer damage that can be caused by residual Coulomb force on the wafer.

本実施形態では、クーロン力を発生させることができる二重電気の静電発生装置2を使用して、正の圧力を発生させ、ウェーハ移送中の静摩擦力を確保する。正の圧力はウェーハコンタクタ3の底部の圧力センサ4によって電気信号に変換することができ、中央処理装置は電気信号を受信する。静電気発生装置2の入力電圧と圧力センサ4の誘導電気信号との間の関係モデルは、中央処理装置に書き込まれているので、中央処理装置は、プリセットのパラメータに従って静電気発生装置2の電圧を制御することができる。これにより、異なるプロセスで製造された異なる厚さのウェーハの滑りなしの搬送が実現される。それと共に、静電気発生装置2の入力電圧がゼロであるとき、圧力センサ4の出力電圧に応じて静電が残留しているかどうかを感知し、その後方向切換部材をオンにすると、同時に圧力センサ4から出力される誘導電圧は小さくなる。当該誘導電圧が安全電圧範囲に達した時、搬送マニピュレータはアンロード動作を行うことができる。 In this embodiment, a dual electric electrostatic generator 2 capable of generating Coulomb force is used to generate positive pressure to ensure static friction during wafer transfer. The positive pressure can be converted into an electrical signal by a pressure sensor 4 at the bottom of the wafer contactor 3 and the central processing unit receives the electrical signal. The relationship model between the input voltage of the electrostatic generator 2 and the induced electric signal of the pressure sensor 4 is written in the central processing unit, so that the central processing unit controls the voltage of the electrostatic generator 2 according to the preset parameters. can do. This allows slip-free transport of wafers of different thicknesses produced by different processes. At the same time, when the input voltage of the static electricity generating device 2 is zero, the output voltage of the pressure sensor 4 is used to detect whether static electricity remains, and then the direction switching member is turned on, and the pressure sensor 4 The induced voltage output from is smaller. When the induced voltage reaches the safe voltage range, the transfer manipulator can perform unloading operation.

1つの実施形態では、支持部11には複数のウェーハコンタクタ3が均一に分布し、各ウェーハコンタクタ3の底部には圧力センサ4が設けられる。複数のウェーハコンタクタ3はウェーハに複数の支持点を提供するので、ウェーハの支持はより安定している。同時に、複数の圧力センサ4は複数組のデータを測定することができ、各位置ごとの圧力に応じてその位置の正電荷端21又は電子端22の入力電圧を調整することができる。さらに、複数組のデータの平均値に基づいて静電気発生装置2の入力電圧の平均値を得て、複数組の正電荷端21及び複数組の電子端22の入力電圧を同期的に調整することができる。もちろん、正電荷端21の入力電圧及び電子端22の入力電圧の調整方法は、上記の方法に限定されず、他の方法で調整することもできる。 In one embodiment, a plurality of wafer contactors 3 are evenly distributed on the support 11 and a pressure sensor 4 is provided at the bottom of each wafer contactor 3 . The multiple wafer contactors 3 provide multiple support points for the wafer, so that the wafer support is more stable. At the same time, multiple pressure sensors 4 can measure multiple sets of data, and adjust the input voltage of the positive charge end 21 or the electronic end 22 of that position according to the pressure for each position. Further, the average value of the input voltage of the electrostatic generator 2 is obtained based on the average value of the plurality of sets of data, and the input voltages of the plurality of sets of positive charge terminals 21 and the plurality of sets of electron terminals 22 are synchronously adjusted. can be done. Of course, the method of adjusting the input voltage of the positive charge terminal 21 and the input voltage of the electron terminal 22 is not limited to the above method, and other methods can be used.

1つの実施形態では、圧力センサ4は圧電セラミックセンサである。圧電セラミックセンサは、高感度、高信頼性、高安定性を有し、高温・低温耐性及び耐湿性に優れている。 In one embodiment, pressure sensor 4 is a piezoceramic sensor. Piezoelectric ceramic sensors have high sensitivity, high reliability, high stability, and are excellent in high and low temperature resistance and moisture resistance.

もちろん、圧力センサ4は、圧電セラミックセンサに限定されず、圧力下で変形し圧力を電気信号に変換できる他のセンサを使用することができる。 Of course, the pressure sensor 4 is not limited to a piezoceramic sensor, but any other sensor that deforms under pressure and can convert the pressure into an electrical signal can be used.

1つの実施形態では、基体1には複数の正電荷端21が分布し、基体1には複数の電子端22も分布しているので、ウェーハには複数の位置で力が加えられ、ウェーハとウェーハコンタクタ3との間の静摩擦力が確保される。 In one embodiment, the substrate 1 is distributed with a plurality of positive charge ends 21, and the substrate 1 is also distributed with a plurality of electron ends 22, such that forces are applied to the wafer at multiple locations, causing the wafer and A static frictional force with the wafer contactor 3 is ensured.

図1に示すように、正電荷端21は基体1に2つ設けられ、電子端22も2つ設けられ、正電荷端21と電子端22は対称的に配置されている。 As shown in FIG. 1, two positive charge ends 21 are provided on the substrate 1, two electron ends 22 are also provided, and the positive charge ends 21 and the electron ends 22 are arranged symmetrically.

1つの実施形態では、ウェーハコンタクタ3と正電荷端21は交互に配置され、正電荷端21はウェーハを吸着する作用力を提供し、ウェーハコンタクタ3はウェーハに支持力を提供し、吸着力と支持力は交互に分布しているため、ウェーハには均一に力が加えられる。 In one embodiment, the wafer contactor 3 and the positive charge end 21 are alternately arranged, the positive charge end 21 providing the force to attract the wafer, and the wafer contactor 3 providing support force to the wafer, Since the supporting forces are alternately distributed, the wafers are evenly stressed.

同様に、ウェーハコンタクタ3と電子端22を交互に配置されるのは、ウェーハには均一に力が加えられることにも役立つ。 Similarly, the alternating arrangement of the wafer contactors 3 and the electron ends 22 also helps to uniformly apply force to the wafer.

図1に示すように、ウェーハコンタクタ3と正電荷端21は交互に配置され、且つウェーハコンタクタ3と電子端22は交互に配置されることで、ウェーハにはより均一に力が加えられる。1つの実施形態では、正電荷端21と電子端22は交互に配置され、正電荷端21、電子端22、正電荷端21、電子端22……は、時計回り又は反時計回りに順番に配置されており、電界の均一な分布に有利である。 As shown in FIG. 1, the wafer contactors 3 and positive charge ends 21 are interleaved, and the wafer contactors 3 and electron ends 22 are interleaved to provide a more uniform force on the wafer. In one embodiment, the positive charge ends 21 and the electronic ends 22 are arranged alternately, and the positive charge ends 21, the electronic ends 22, the positive charge ends 21, the electronic ends 22... are arranged in clockwise or counterclockwise order. , which favors a uniform distribution of the electric field.

1つの実施形態では、図8に示すように、支持部11にはプリセット経路が設けられ、正電荷端21と電子端22は同一のプリセット経路上に交互に配置される。同一のプリセット経路に正電荷端21と電子端22は交互に配置されているので、電界が均一に分布し、ウェーハには均一に力が加えられるのに役立ち、ウェーハの安定した搬送を確保し、またウェーハへの損傷を減らすのに役立つ。正電荷端21と電子端22は交互に配置されることは、正電荷端21、電子端22、正電荷端21、電子端22……が時計回り又は反時計回りに順番に配置されると理解することができる。 In one embodiment, support 11 is provided with preset paths, and positive charge ends 21 and electron ends 22 are alternately arranged on the same preset path, as shown in FIG. The positive charge end 21 and the electron end 22 are alternately arranged in the same preset path, so that the electric field is evenly distributed, which helps to uniformly apply the force to the wafer and ensures stable transfer of the wafer. , also helps reduce damage to the wafer. The positive charge end 21 and the electron end 22 are arranged alternately means that the positive charge end 21, the electron end 22, the positive charge end 21, the electron end 22, . I can understand.

プリセット経路が1本設置される場合、このプリセット経路におけるウェーハには均一に力が加えられることが確保される。正電荷端21及び電子端22はいずれも支持部11の周方向に均一に複数設置される場合、正電荷端21及び電子端22は同一の円周に交互に配置される。プリセット経路が複数本設置される場合、各プリセット経路における電界が均一に分布することが確保される。 If one preset path is installed, it is ensured that the wafer in this preset path is evenly stressed. When both the positive charge ends 21 and the electron ends 22 are uniformly arranged in the circumferential direction of the supporting portion 11, the positive charge ends 21 and the electron ends 22 are alternately arranged on the same circumference. When a plurality of preset paths are installed, it is ensured that the electric field in each preset path is uniformly distributed.

図8に示すように、支持部11には複数本の経路が設置され、隣接するプリセット経路では、正電荷端21と電子端22は1対1で対応している。プリセット経路が2本設置されると、2本のプリセット経路における隣接する2つの端は、それぞれ正電荷端21及び電子端22であり、プリセット経路が3本以上設置されると、任意の2本のプリセット経路における隣接する2つの端はそれぞれ正電荷端21及び電子端22であることで、すべての正電荷端21及び電子端22がいずれも交互に配置されて、支持部11全体には電界が均一に分布することが確保される。 As shown in FIG. 8, a plurality of paths are provided on the support portion 11, and in the adjacent preset paths, the positive charge end 21 and the electron end 22 are in one-to-one correspondence. When two preset paths are installed, the two adjacent ends of the two preset paths are the positive charge end 21 and the electronic end 22, respectively, and when three or more preset paths are installed, any two are positive charge ends 21 and electronic ends 22 respectively, so that all the positive charge ends 21 and the electronic ends 22 are both alternately arranged so that the electric field across the support 11 is is uniformly distributed.

図1に示すように、支持部11は円環状であり、円環状の片側には電子端22及び正電荷端21が時計回りに配置されて、両側の電界が均一に分布する。 As shown in FIG. 1, the supporting part 11 has a ring shape, and the electron end 22 and the positive charge end 21 are arranged clockwise on one side of the ring so that the electric fields on both sides are uniformly distributed.

1つの実施形態では、基体1には配線溝13が形成され、第1のワイヤ5と第2のワイヤ6はいずれも配線溝13内に設けられる。配線溝13の設置により、配線経路を限定するのに便利であり、組み立てがより簡単であり、更に、ワイヤは配線溝13内に配置されいるため、配線がより整然としている。 In one embodiment, a wiring groove 13 is formed in the substrate 1 and both the first wire 5 and the second wire 6 are provided in the wiring groove 13 . The installation of the wiring groove 13 is convenient for limiting the wiring path, the assembly is simpler, and the wires are arranged in the wiring groove 13, so that the wiring is more orderly.

1つの実施形態では、図2に示すように、配線溝13は基体1内における中空キャビティであり、ワイヤを配線溝13内に導入できるように、配線溝13の上面及び下面はいずれも密閉され、配線溝13の端部は開放される。正電荷端21及び電子端22に対する外部環境の影響を低減し、クーロン力の安定性を向上させるように、配線溝13の上面及び下面は密閉されて正電荷端21及び電子端22に比較的に密閉された環境を提供する。 In one embodiment, as shown in FIG. 2, the wiring groove 13 is a hollow cavity within the substrate 1, and both the top and bottom surfaces of the wiring groove 13 are sealed so that the wire can be introduced into the wiring groove 13. , the ends of the wiring grooves 13 are open. The upper and lower surfaces of the wiring groove 13 are hermetically sealed to reduce the influence of the external environment on the positive charge end 21 and the electron end 22 and improve the stability of the Coulomb force. provide a closed environment for

ここで、基体1は上部ケーシング及び下部ケーシングという2つ部分を含み、上部ケーシングと下部ケーシングとの間には配線溝13が制限されて形成されることにより、配線溝13の加工が容易になり、ワイヤの取り付けも容易になる。 Here, the base body 1 includes two parts, an upper casing and a lower casing, and the wiring groove 13 is limitedly formed between the upper casing and the lower casing, thereby facilitating the processing of the wiring groove 13. , wire installation is also easier.

なお、配線溝13は中空キャビティの構造に限定されるものではなく、基体1の表面から下向きに凹んだ溝であってもよい。 The wiring groove 13 is not limited to a hollow cavity structure, and may be a groove recessed downward from the surface of the substrate 1 .

1つの実施形態では、配線溝13は直線形、円弧形、又は蛇状の形状に沿って延び、つまりプリセット経路は直線形、円弧形、又は蛇状の形状に沿って延びる。図8に示すように、プリセット経路は円弧形であり、支持部11の周方向には複数本の円弧形の配線溝13が設置され、各配線溝13内には複数の正電荷端21及び複数の電子端22が設置されて、クーロン力を均一に分布させる。もちろん、プリセット経路は直線形又は蛇状であってもよく、プリセット経路は直線形である場合、支持部11の輪郭形状も直線形にすることができ、プリセット経路が蛇状である場合、蛇状はS字形として理解することもでき、蛇型は支持部11におけるプリセット経路の長さを増加させ、電界をより均一にすることができる。 In one embodiment, the wiring trench 13 extends along a linear, arcuate or serpentine shape, ie the preset path extends along a linear, arcuate or serpentine shape. As shown in FIG. 8, the preset path is arc-shaped, and a plurality of arc-shaped wiring grooves 13 are provided in the circumferential direction of the supporting portion 11. Each wiring groove 13 has a plurality of positive charge ends. 21 and a plurality of electronic ends 22 are provided to evenly distribute the Coulomb force. Of course, the preset path may be linear or serpentine, and if the preset path is linear, the contour shape of the support 11 may also be linear; The shape can also be understood as an S-shape, the serpentine shape increasing the length of the preset path in the support 11 and making the electric field more uniform.

1つの実施形態では、支持部11にウェーハコンタクタ3が設けられている場合、ウェーハコンタクタ3の底部には圧力センサ4が設けられ、圧力センサ4は配線溝13内に設けられる。圧力センサ4の測定精度を確保し、測定結果への環境の影響を低減するために、圧力センサ4も比較的に密閉された環境に設置される。 In one embodiment, when the support portion 11 is provided with the wafer contactor 3 , the pressure sensor 4 is provided at the bottom of the wafer contactor 3 and the pressure sensor 4 is provided within the wiring groove 13 . In order to ensure the measurement accuracy of the pressure sensor 4 and reduce the influence of the environment on the measurement results, the pressure sensor 4 is also installed in a relatively closed environment.

1つの実施形態では、基体1には配線分配器7が接続され、配線分配器7は配線溝13の電源8に近い端に設けられる。配線分配器7はワイヤを接続するためのものであり、圧力センサ4は配線分配器7を介して電源8に接続され、正電荷端21及び電子端22のワイヤも配線分配器7を介して電源8に接続されることで、1つの電源8を介して圧力センサ4及び静電気発生装置2に同時に電力を供給できるため、構造が簡素化される。 In one embodiment, a wiring distributor 7 is connected to the substrate 1 , and the wiring distributor 7 is provided at the end of the wiring groove 13 near the power source 8 . The wiring distributor 7 is for connecting wires, the pressure sensor 4 is connected to the power supply 8 through the wiring distributor 7, and the wires of the positive charge end 21 and the electronic end 22 are also connected through the wiring distributor 7. By being connected to the power supply 8, power can be supplied simultaneously to the pressure sensor 4 and the static electricity generator 2 through one power supply 8, thereby simplifying the structure.

ここで、基体1の片側の配線分配器7は、電源8の正極端と負極端に同時に接続することができるので、支持部11の一側には、正電荷端21と電子端22を同時に設けることができ、電界を均一に分布させるのに役立つ。 Here, the wiring distributor 7 on one side of the substrate 1 can be connected to the positive terminal and the negative terminal of the power source 8 at the same time, so that one side of the support 11 has the positive charge terminal 21 and the electronic terminal 22 at the same time. can be provided and helps to evenly distribute the electric field.

1つの実施形態では、基体1の材料は絶縁材料であり、絶縁材料はセラミック、プラスチック、ゴム等であってもよい。基体1は接続部12をさらに含み、接続部12はモータ、シリンダ等の駆動部材との接続に使用される。支持部11は中空の円環状構造であり、円環状の支持部11によりウェーハが支持され、ウェーハには均一に力が加えられ、さらに中空の部位を通してウェーハに対して他の操作を実行することができる。接続部12は支持部11の一側に位置し、接続部12と支持部11は一体に形成することができ、或いは、接合して取り付けることができ、必要に応じて選択することができる。 In one embodiment, the material of substrate 1 is an insulating material, which may be ceramic, plastic, rubber, or the like. The base 1 further includes a connection portion 12, which is used for connection with a driving member such as a motor, cylinder or the like. The support part 11 is a hollow annular structure, the wafer is supported by the annular support part 11, the force is uniformly applied to the wafer, and other operations can be performed on the wafer through the hollow part. can be done. The connection part 12 is located on one side of the support part 11, and the connection part 12 and the support part 11 can be integrally formed or can be jointed and attached, and can be selected according to needs.

1つの実施形態では、搬送マニピュレータは、電源8、基体1、静電気発生装置2、方向切換部材、ウェーハコンタクタ3及び圧電セラミックセンサを含み、ウェーハは、支持部11のウェーハコンタクタ3に落着し、静電気発生装置2の正電荷端21及び電子端22は静電気発生装置コントローラの作用下で電圧を印加し、クーロン力を発生させることにより、ウェーハコンタクタ3とウェーハとの間の静摩擦力が発生する。同時に、クーロン力の作用下で、圧電セラミックセンサは、実際に発生したクーロン力の大きさを感知して、それを中央処理装置にフィードバックすることができる。中央処理装置は、予め準備された関係モデルに従って、静電気発生装置2の入力電圧を調整して、ウェーハが常に支持部11上に位置し、搬送マニピュレータがウェーハをシステムの指定位置に運ぶことを確保する。指定位置に到達した後、圧電セラミックセンサは、圧力による誘導電圧により、電源8が静電気発生装置2への電力供給を停止した後、静電気が残留しているかどうかを感知し、方向切換部材をオンにするかどうかを判断することができる。方向切換部材をオンにすると、電セラミックセンサの圧力による誘導電圧が小さくなり、当該誘導電圧が安全電圧範囲に達した時、搬送マニピュレータはアンロード動作を行うことができ、ウェーハを安全且つ完全に指定位置に配置することができる。 In one embodiment, the transfer manipulator includes a power supply 8, a substrate 1, an electrostatic generator 2, a direction switching member, a wafer contactor 3 and a piezoelectric ceramic sensor, the wafer landing on the wafer contactor 3 of the support 11 and generating static electricity. The positive charge end 21 and the electronic end 22 of the generator 2 apply a voltage under the action of the electrostatic generator controller to generate a Coulomb force, thereby generating a static friction force between the wafer contactor 3 and the wafer. At the same time, under the action of the Coulombic force, the piezoelectric ceramic sensor can sense the magnitude of the Coulombic force actually generated and feed it back to the central processing unit. The central processing unit adjusts the input voltage of the electrostatic generator 2 according to the relationship model prepared in advance to ensure that the wafer is always on the support 11 and the transport manipulator transports the wafer to the specified position in the system. do. After reaching the designated position, the piezoceramic sensor senses whether there is residual static electricity after the power supply 8 stops supplying power to the static electricity generator 2 by the pressure-induced voltage, and turns on the direction switching member. can decide whether to When the direction switching member is turned on, the induced voltage due to the pressure of the electroceramic sensor becomes smaller, and when the induced voltage reaches the safe voltage range, the transfer manipulator can perform the unloading operation, and the wafer can be safely and completely removed. Can be placed at a specified position.

本願の第2の形態の実施形態はマニピュレータを搬送するためのウェーハ吸着力調整システムを提供し、当該システムは、N個の圧力センサ4、N個のウェーハコンタクタ3、中央処理装置、静電気発生装置コントローラ、及び静電気発生装置2を含み、Nは3以上の正の整数である。静電気発生装置2は、静電気発生装置コントローラの電圧出力端に接続されており、ウェーハと誘導電荷を発生させるように静電荷を発生させるためのものである。N個の圧力センサ4は、それぞれN個のウェーハコンタクタ3に接続されており、ウェーハがウェーハコンタクタ3に配置されたと確定した後、ウェーハの圧力値を取得するためのものである。中央処理装置は、N個の圧力センサ4の出力端に接続されており、圧力値と予め設定された関係モデルに基づいて対応する現在の目標電圧値を確定し、現在の目標電圧値を使用して静電気発生装置コントローラを駆動し、現在の実際電圧値を出力させて、静電気発生装置2に対応する静電荷を発生させる。ここで、予め設定された関係モデルは、圧力値と目標電圧値との対応関係が設定された。 The embodiment of the second aspect of the present application provides a wafer adsorption force adjustment system for transporting a manipulator, the system includes N pressure sensors 4, N wafer contactors 3, a central processing unit, an electrostatic generator. It includes a controller and static electricity generator 2, and N is a positive integer of 3 or more. The electrostatic generator 2 is connected to the voltage output of the electrostatic generator controller and is for generating electrostatic charges to generate inductive charges with the wafer. The N pressure sensors 4 are respectively connected to the N wafer contactors 3 and are for obtaining the pressure value of the wafer after it is determined that the wafer is placed on the wafer contactor 3 . The central processing unit is connected to the output end of the N pressure sensors 4, determines the corresponding current target voltage value according to the pressure value and the preset relationship model, and uses the current target voltage value to drive the static electricity generating device controller to output the current actual voltage value and cause the static electricity generating device 2 to generate corresponding static charges. Here, the relationship model set in advance sets the corresponding relationship between the pressure value and the target voltage value.

具体的には、ウェーハコンタクタ3の底部には、N個の圧力センサー4、つまり、第1の圧力センサ、第2の圧力センサ……第Nの圧力センサが1対1の対応で設置されることにより、ウェーハコンタクタ3にウェーハが配置された場合、ウェーハは圧力センサ4に対して圧力を発生させることができ、圧力センサ4はウェーハによる圧力値を取得する。 Specifically, at the bottom of the wafer contactor 3, N pressure sensors 4, that is, a first pressure sensor, a second pressure sensor, . Thus, when a wafer is placed on the wafer contactor 3, the wafer can generate pressure against the pressure sensor 4, and the pressure sensor 4 acquires a pressure value due to the wafer.

さらに、図6、図7に示すように、異なるタイプのウェーハは異なる程度の静摩擦力を必要とし、静摩擦力と圧力センサ4の出力電圧は対応関係が存在し、又、圧力センサ4の出力電圧と静電気発生装置2の入力電圧は対応関係が存在するので、静摩擦力と静電気発生装置2の入力電圧との間の対応関係を見つけることができる。静電気発生装置2の入力電圧は静電気発生装置2によって生成される目標電圧値である。これにより、異なるタイプのウェーハに異なる目標電圧値を入力することができ、対応する静摩擦力を生成することができる。 In addition, as shown in FIGS. 6 and 7, different types of wafers require different degrees of static friction force, there is a corresponding relationship between the static friction force and the output voltage of the pressure sensor 4, and the output voltage of the pressure sensor 4 , and the input voltage of the static electricity generator 2 have a corresponding relationship, so it is possible to find the corresponding relationship between the static frictional force and the input voltage of the static electricity generator 2 . The input voltage of static electricity generator 2 is the target voltage value generated by static electricity generator 2 . This allows different target voltage values to be input to different types of wafers to generate corresponding static friction forces.

具体的には、予め設定された関係モデルをプリセット静電制御電圧テーブルの形として設定することができるので、圧力センサ4が電圧信号、即ち圧力値の信号を伝達した後、圧力値に従ってプリセット静電制御電圧テーブルにおいて対応する目標電圧値を検索することができ、プリセット静電制御電圧テーブルには圧力値範囲と対応する目標電圧値とが設定されている。 Specifically, a preset relationship model can be set in the form of a preset electrostatic control voltage table, so that after the pressure sensor 4 transmits a voltage signal, that is, a pressure value signal, the preset static voltage is generated according to the pressure value. The corresponding target voltage value can be searched in the electrostatic control voltage table, and the preset electrostatic control voltage table is set with the pressure value range and the corresponding target voltage value.

もちろん、関数の形で圧力値と目標電圧値との関係を表すことで、より正確な目標電圧値を得ることもできる。つまり、予め設定された関係モデルは圧力値と目標電圧値との関数関係式である。圧力値を取得した後、関数関係式を使用して目標電圧値を計算することができる。 Of course, a more accurate target voltage value can be obtained by expressing the relationship between the pressure value and the target voltage value in the form of a function. That is, the preset relational model is a functional relational expression between the pressure value and the target voltage value. After obtaining the pressure values, a functional relationship can be used to calculate the target voltage values.

ただし、本実施形態の方法は上記実施形態における搬送マニピュレータに適用し、静電気発生装置2の正電荷端21及び電子端22はいずれも搬送マニピュレータに設けられ、電源8は正電荷端21及び電子端22に電力を供給するためものである。 However, the method of this embodiment is applied to the transport manipulator in the above embodiment, both the positive charge end 21 and the electronic end 22 of the static electricity generating device 2 are provided on the transport manipulator, and the power source 8 has the positive charge end 21 and the electronic end 22 for powering.

上記の実施形態のいずれかに基づいて、本願の実施形態は中央処理装置に接続される警報モジュールが設けられ、中央処理装置は現在の目標電圧値と現在の実際電圧値を取得し、現在の目標電圧値と現在の実際電圧値との差が予め設定された閾値を超えているかどうかを判断することにも用いられ、現在の閾値を超えると、警報モジュールがトリガーされる。 Based on any of the above embodiments, an embodiment of the present application is provided with an alarm module connected to the central processing unit, the central processing unit obtains the current target voltage value and the current actual voltage value, It is also used to judge whether the difference between the target voltage value and the current actual voltage value exceeds the preset threshold, and when the current threshold is exceeded, the alarm module is triggered.

更に、中央処理装置は、現在の目標電圧値と現在の実際電圧値を取得し、現在の目標電圧値と現在の実際電圧値との差が予め設定された閾値を超えているかどうかを判断することにも用いられ、予め設定された閾値を超えていないと、現在の目標電圧値と現在の実際電圧値を利用して予め設定された関係モデルを修正して、修正電圧モデルを取得する。 Further, the central processing unit obtains the current target voltage value and the current actual voltage value, and determines whether the difference between the current target voltage value and the current actual voltage value exceeds a preset threshold. If the preset threshold is not exceeded, the preset relationship model is modified using the current target voltage value and the current actual voltage value to obtain a modified voltage model.

具体的には、予め設定された関係モデルを修正する場合、中央処理装置は、具体的には、現在の目標電圧値が現在の実際電圧値より小さいと、予め設定された関係モデルにおける目標電圧値を小さく調整し、現在の目標電圧値が現在の実際電圧値より大きいと、予め設定された関係モデルにおける目標電圧値を大きく調整することにも用いられる。 Specifically, when modifying the preset relationship model, the central processing unit specifically determines that if the current target voltage value is less than the current actual voltage value, the target voltage in the preset relationship model It is also used to adjust the target voltage value in the preset relationship model to be larger when the current target voltage value is greater than the current actual voltage value.

上記の実施形態に基づいて、本実施形態では、ウェーハの配置位置に偏差があるかどうかを知るために、中央処理装置は、N個の圧力センサ4に対応するN個の圧力値のいずれか1つと他の圧力値との偏差が閾値を超えると、ウェーハ配置エラー警報を発することにも用いられる。つまり、ウェーハが正しい位置に配置されている場合、N個の圧力センサ4の圧力値は同じであるべき、ただし、そのうちの1つが異常である場合、異常のある圧力センサー4の受けた圧力は大きすぎたり少なすぎたりし、ウェーハが間違った位置に配置されたことを意味する。 Based on the above embodiment, in this embodiment, in order to know whether there is any deviation in the placement position of the wafer, the central processing unit determines which of the N pressure values corresponding to the N pressure sensors 4 It is also used to issue a wafer placement error alarm if the deviation between one and the other pressure value exceeds a threshold value. That is, when the wafer is placed in the correct position, the pressure values of the N pressure sensors 4 should be the same, but if one of them is abnormal, the pressure received by the abnormal pressure sensor 4 is Too big or too little, meaning the wafer was placed in the wrong position.

以下、本願の実施形態に係る搬送マニピュレータ用のウェーハ吸着力調整方法を説明し、以下に説明する搬送マニピュレータ用のウェーハ吸着力調整方法、及び以上に説明した搬送マニピュレータ用のウェーハ吸着力調整システムは対応して参照することができる。 Hereinafter, a method for adjusting a wafer suction force for a transfer manipulator according to an embodiment of the present application will be described. can be referenced accordingly.

本願の実施形態に係る搬送マニピュレータ用のウェーハ吸着力調整システム及び方法では、異なる仕様のウェーハの重量が異なることにより、静電気発生装置2によって生成される静電荷が異なるように制御して、ウェーハとの静電誘導により吸着力を発生させることで、異なる正の圧力を生成し、ウェーハの移送中の静摩擦力を確保する。正の圧力はウェーハコンタクタ3の下の圧力センサ4によって電気信号の圧力値に変更することができることにより、様々なプロセスの下で異なる厚さのウェーハの滑りなしの搬送が実現される。 In the wafer attraction force adjustment system and method for a transfer manipulator according to the embodiment of the present application, the electrostatic charges generated by the static electricity generator 2 are controlled to differ according to the weights of the wafers with different specifications. electrostatic induction to generate the adsorption force to generate different positive pressure to ensure the static friction force during wafer transfer. The positive pressure can be converted into an electrical signal pressure value by means of a pressure sensor 4 below the wafer contactor 3 so that slip-free transport of wafers of different thicknesses under various processes is realized.

本願の実施形態は、上記のウェーハ吸着力調整システムのいずれかに適用される、搬送マニピュレータ用のウェーハ吸着力調整方法を更に提供し、具体的には、中央処理装置によって実行され、当該方法は、
ウェーハがウェーハコンタクタ3に配置されたと確定した後、ウェーハの圧力値を取得するステップS61と、
圧力値及び予め設定された関係モデルに基づいて対応する現在の目標電圧値を確定するステップS62と、
現在の目標電圧値を使用して静電気発生装置コントローラを駆動し、現在の実際電圧値を出力させて、対応する静電荷を静電気発生装置2に生成させるステップS63とを含み、
ここで、予め設定された関係モデルには、圧力値と目標電圧値との対応関係が設定されている。
Embodiments of the present application further provide a wafer suction force adjustment method for a transfer manipulator, which is applied to any of the wafer suction force adjustment systems described above, and is specifically performed by a central processing unit, the method comprising: ,
After determining that the wafer is placed on the wafer contactor 3, obtaining a pressure value of the wafer S61;
a step S62 of determining a corresponding current target voltage value based on the pressure value and a preset relationship model;
using the current target voltage value to drive the electrostatic generator controller to output the current actual voltage value to cause the electrostatic generator 2 to generate a corresponding electrostatic charge;
Here, a correspondence relationship between the pressure value and the target voltage value is set in the preset relationship model.

さらに、具体的には、中央処理装置によって実行され、当該方法は、具体的には、
現在の目標電圧値及び現在の実際電圧値を取得するステップS71と、
現在の目標電圧値と現在の実際電圧値との差が予め設定された閾値を超えているかどうかを判断するステップS72と、
現在の閾値を超えていないと、現在の目標電圧値と現在の実際電圧値を使用して予め設定された関係モデルを修正して、修正電圧モデルを取得するステップS73と、をさらに含む。
Further, specifically performed by a central processing unit, the method specifically includes:
step S71 of acquiring the current target voltage value and the current actual voltage value;
Step S72 of determining whether the difference between the current target voltage value and the current actual voltage value exceeds a preset threshold;
If the current threshold is not exceeded, a step S73 of modifying the preset relationship model using the current target voltage value and the current actual voltage value to obtain a modified voltage model.

本願の第3の形態的実施形態は、搬送マニピュレータ用のウェーハ検査システムを提供し、当該システムは、N個の圧力センサ4、N個のウェーハコンタクタ3、及び中央処理装置を含み、Nは3以上の正の整数である。N個の圧力センサ4は、それぞれN個のウェーハコンタクタ3に接続されており、ウェーハがウェーハコンタクタ3に配置されたと確定した後、ウェーハの圧力値を取得するためのものであり、圧力値はN個の圧力センサ4の出力値の合計である。中央処理装置は、N個の圧力センサ4の出力端に接続されており、圧力値とプリセット圧力値テーブルに基づいてウェーハのタイプを判断し、判断結果を取得するためのものである。ここで、プリセット圧力値テーブルには圧力値範囲及び対応するウェーハタイプが設定されてる。 A third embodied embodiment of the present application provides a wafer inspection system for a transfer manipulator, which system includes N pressure sensors 4, N wafer contactors 3, and a central processing unit, where N is 3. is a positive integer greater than or equal to . The N pressure sensors 4 are respectively connected to the N wafer contactors 3 and are for obtaining the pressure value of the wafer after it is determined that the wafer is placed on the wafer contactor 3, and the pressure value is It is the sum of the output values of the N pressure sensors 4 . The central processing unit is connected to the output terminals of the N pressure sensors 4 and is used to determine the type of wafer based on the pressure value and the preset pressure value table and obtain the determination result. Here, pressure value ranges and corresponding wafer types are set in the preset pressure value table.

具体的には、図1に示すように、各ウェーハコンタクタ3の底部には、圧力センサ4が1対1の対応で設置され、ウェーハコンタクタ3にウェーハが配置された場合、ウェーハは圧力センサ4に対して圧力を発生させることができ、圧力センサ4はウェーハによる圧力値を取得する。圧力値はN個の圧力センサ4の出力値の合計であり、つまり、各圧力センサ4で測定された圧力値を合計する必要がある。ウェーハが正しく配置されて中央に位置する場合、各圧力センサ4で測定された圧力値は同じであるが、ウェーハが中央に位置していない場合、各圧力センサ4の圧力値は異なる可能性があり、ただし、異なっていても、センサの出力値の合計は、ウェーハによって生成された合計圧力値に対応する。 Specifically, as shown in FIG. 1, pressure sensors 4 are installed at the bottom of each wafer contactor 3 in one-to-one correspondence. , and the pressure sensor 4 acquires the pressure value due to the wafer. The pressure value is the sum of the output values of N pressure sensors 4, ie the pressure values measured by each pressure sensor 4 must be summed. If the wafer is correctly positioned and centered, the pressure value measured by each pressure sensor 4 will be the same, but if the wafer is not centered, the pressure value for each pressure sensor 4 can be different. Yes, although different, the sum of the sensor output values corresponds to the total pressure value produced by the wafer.

具体的には、中央処理装置が圧力センサ4によって発生された圧力を使用して判断を行う場合、中央処理装置は、具体的にプリセット圧力値テーブルにおいて圧力値と対応する圧力値範囲を検索し、圧力値テーブルには対応する圧力値範囲が存在すると、圧力値範囲に対応するウェーハタイプを確定し、圧力値テーブルには対応する圧力値範囲が存在しないと、異常警報信号を発するためのものである。例えば、圧力値は5であり、プリセット圧力値テーブルには、第1の圧力値範囲1~2、第2の圧力値範囲2~3、第3の圧力値範囲3~4が存在する。この3つの圧力範囲しか存在しない場合は、現在のウェーハが異常のウェーハであることを意味し、この時異常警報信号を発する必要がある。ただし、プリセット圧力値テーブルには第4の圧力値範囲4~5が存在すると、現在のウェーハは第4の圧力値範囲に属するため、現在のウェーハのタイプを判別することができる。もちろん、プリセット圧力値テーブルには第1の圧力値範囲、第2の圧力値範囲……等の圧力値範囲に対応するウェーハタイプも存在する。具体的には、ウェーハタイプは加工タイプであってもよく、様々な顧客からのタイプであってもよい。 Specifically, when the central processing unit uses the pressure generated by the pressure sensor 4 to make a determination, the central processing unit specifically searches the pressure value and the corresponding pressure value range in the preset pressure value table. , when the pressure value range corresponding to the pressure value table exists, the wafer type corresponding to the pressure value range is determined, and when the pressure value range corresponding to the pressure value table does not exist, an abnormal alarm signal is issued. is. For example, the pressure value is 5, and the preset pressure value table has a first pressure value range 1-2, a second pressure value range 2-3, and a third pressure value range 3-4. If there are only these three pressure ranges, it means that the current wafer is an abnormal wafer, and an abnormal alarm signal should be issued at this time. However, if the preset pressure value table includes the fourth pressure value range 4 to 5, the current wafer belongs to the fourth pressure value range, so the type of the current wafer can be determined. Of course, the preset pressure value table also has wafer types corresponding to pressure value ranges such as the first pressure value range, the second pressure value range, and so on. Specifically, the wafer type may be a processing type, and may be types from various customers.

ただし、ウェーハが搬送マニピュレータに配置されているかどうかを確認するために、ウェーハ検査システムに撮像装置を更に設置することもでき、撮像装置は搬送マニピュレータのリアルタイム画像を撮影するためのものであり、中央処理装置はさらに、リアルタイム画像を受信し、リアルタイム画像に基づいて、ウェーハがウェーハコンタクタ3に配置されているかどうかを判断し、ウェーハがウェーハコンタクタ3に配置されている場合、圧力センサ4を起動することにも用いられ、つまり、ウェーハの画像認識によってウェーハがプリセットの位置に位置するかどうかを判断する。もちろん、中央処理装置にニューラルネットワークを設定し、当該ニューラルネットワークに対して、ウェーハがプリセットの位置に位置することを識別する図像サンプルを訓練する。 However, an imaging device can also be further installed in the wafer inspection system to check whether the wafer is placed on the transfer manipulator, the imaging device is for taking real-time images of the transfer manipulator, The processing equipment further receives the real-time image, determines whether the wafer is placed on the wafer contactor 3 based on the real-time image, and activates the pressure sensor 4 if the wafer is placed on the wafer contactor 3. It is also used to determine whether the wafer is positioned at a preset position by image recognition of the wafer. Of course, a neural network is set up in the central processing unit, and the neural network is trained with pictorial samples that identify the positions of the wafers at the preset positions.

本願の実施形態は、上記の実施形態のいずれか1つのウェーハ検査システムに適用される、搬送マニピュレータ用のウェーハ検査方法を更に提供し、当該方法は、
ウェーハがウェーハコンタクタ3に配置されたと確定した後、ウェーハの圧力値を取得するステップS41と、
圧力値及びプリセット圧力値テーブルに基づいてウェーハのタイプを判断し、判断結果を取得し、ここで、プリセット圧力値テーブルには圧力値範囲及び対応するウェーハタイプが設定されているステップS42とを含む。
Embodiments of the present application further provide a wafer inspection method for a transfer manipulator applied to the wafer inspection system of any one of the above embodiments, the method comprising:
After determining that the wafer is placed in the wafer contactor 3, obtaining a pressure value of the wafer S41;
determining the wafer type based on the pressure value and the preset pressure value table to obtain a determination result, wherein the preset pressure value table is set with the pressure value range and the corresponding wafer type (step S42); .

さらに、圧力値及びプリセット圧力値テーブルに基づいてウェーハのタイプを判断し、判断結果を取得するステップは、具体的に、
プリセット圧力値テーブルにおいて圧力値と対応する圧力値範囲を検索するステップS51と、
圧力値テーブルには対応する圧力値範囲が存在すると、圧力値範囲に対応するウェーハタイプを確定するステップS52と、
圧力値テーブルには対応する圧力値範囲が存在しないと、異常警報信号を発するステップS53とを含む。
Further, the step of determining the wafer type based on the pressure value and the preset pressure value table and obtaining the determination result specifically includes:
a step S51 of searching a pressure value and a corresponding pressure value range in a preset pressure value table;
If there is a corresponding pressure value range in the pressure value table, a step S52 of determining a wafer type corresponding to the pressure value range;
and a step S53 of issuing an anomaly alarm signal if the corresponding pressure value range does not exist in the pressure value table.

本願の実施形態に係る搬送マニピュレータ用のウェーハ検査システム及び方法には、圧力センサ4が追加され、圧力センサ4によって得られたウェーハの圧力値に基づいて、当該ウェーハのタイプ及び異常の有無を判断することができるため、様々なウェーハ仕様を効果的に識別でき、ウェーハの異常を発見することができる。 A wafer inspection system and method for a transfer manipulator according to the embodiment of the present application is additionally provided with a pressure sensor 4, and based on the pressure value of the wafer obtained by the pressure sensor 4, the type of the wafer and the presence or absence of abnormality are determined. Therefore, various wafer specifications can be effectively identified, and wafer anomalies can be discovered.

上記の実施形態は、本願を説明するためのものに過ぎず、限定するためのものではない。本願は実施形態を参照して詳細に説明されてきたが、当業者であれば、本願の技術的解決策に対して行われた様々な組み合わせ、修正又は同等の置換は、本願の精神及び範囲から逸脱することなく、いずれも本願の特許請求の範囲内でカバーされるべきであることが理解できる。 The above embodiments are merely illustrative of the present application and are not intended to be limiting. Although the present application has been described in detail with reference to the embodiments, those skilled in the art will appreciate that various combinations, modifications, or equivalent replacements made to the technical solutions of the present application are within the spirit and scope of the present application. It should be understood that both are to be covered within the scope of the claims of this application without departing from the scope of the claims.

1-基体、11-支持部、12-接続部、13-配線溝、2-静電気発生装置、21-正電荷端、22-電子端、3-ウェーハコンタクタ、4-圧力センサ、5-第1のワイヤ、51-第1の抵抗、52-第2の抵抗、53-第1のコンデンサ、6-第2のワイヤ、61-第3の抵抗、62-第4の抵抗、63-第2のコンデンサ、7-配線分配器、8-電源、81-第1の直流電源発生器、82-第2の直流電源発生器、91-方向切換スイッチ、92-第1のスイッチ、93-第2のスイッチ。 1--substrate, 11--support, 12--connection, 13--wiring groove, 2--electrostatic generator, 21--positive charge end, 22--electron end, 3--wafer contactor, 4--pressure sensor, 5--first 51 - first resistor, 52 - second resistor, 53 - first capacitor, 6 - second wire, 61 - third resistor, 62 - fourth resistor, 63 - second Capacitor 7—Wiring distributor 8—Power supply 81—First DC power generator 82—Second DC power generator 91—Direction selector switch 92—First switch 93—Second switch.

Claims (10)

ウェーハを支持するための支持部を含む基体と、
正極端及び負極端を含む電源と、
電源に接続されており、正電荷端及び電子端を含み、前記正電荷端及び前記電子端がいずれも前記支持部に設けられる静電気発生装置と、
前記電源と前記静電気発生装置との間に設けられる方向切換部材であって、前記方向切換部材が第1の状態にあるとき、前記正電荷端が前記正極端に接続され、前記電子端が前記負極端に接続され、前記方向切換部材が第2の状態にあるとき、前記正電荷端が前記負極端に接続され、前記電子端が前記正極端に接続される方向切換部材と、を含むことを特徴とする搬送マニピュレータ。
a substrate including a support for supporting the wafer;
a power source including a positive end and a negative end;
an electrostatic generator connected to a power source and comprising a positive charge end and an electronic end, wherein the positive charge end and the electronic end are both provided on the support;
A direction-switching member provided between the power source and the static electricity generator, wherein when the direction-switching member is in a first state, the positive charge end is connected to the positive end, and the electronic end is connected to the a direction-switching member connected to a negative end, wherein the positive charge end is connected to the negative end and the electronic end is connected to the positive end when the direction-switching member is in a second state. A transport manipulator characterized by:
前記電源は1組設置され、前記正極端には第1のワイヤが接続され、前記負極端には第2のワイヤが接続され、前記方向切換部材は方向切換スイッチであり、前記方向切換スイッチの両端にはそれぞれ前記第1のワイヤ及び前記第2のワイヤが接続され、前記方向切換スイッチがオフにされると、前記正電荷端は前記正極端に接続され、前記電子端が前記負極端に接続され、前記方向切換スイッチがオンにされると、前記正電荷端が前記負極端に接続され、前記電子端が前記正極端に接続されることを特徴とする請求項1に記載の搬送マニピュレータ。 A first wire is connected to the positive terminal, a second wire is connected to the negative terminal, the direction switching member is a direction switching switch, and the direction switching member is a direction switching switch. The first wire and the second wire are respectively connected to both ends, and when the direction switch is turned off, the positive charge end is connected to the positive end and the electronic end is connected to the negative end. 2. The transfer manipulator according to claim 1, wherein when the direction switch is turned on, the positive charge terminal is connected to the negative terminal and the electronic terminal is connected to the positive terminal. . 前記電源は、並列に配置された第1の直流電源発生器及び第2の直流電源発生器を含み、且つ前記第1の直流電源発生器の正極端は、前記第2の直流電源発生器の正極端とは反対であり、前記方向切換部材は第1のスイッチ及び第2のスイッチを含み、前記第1のスイッチは前記第1の直流電源発生器が位置するブランチに接続され、前記第2のスイッチは前記第2の直流電源発生器が位置するブランチに接続され、前記第1のスイッチがオンにされ且つ前記第2のスイッチがオフにされると、前記正電荷端は前記第1の直流電源発生器の正極端に接続され、前記電子端は前記第1の直流電源発生器の負極端に接続され、前記第1のスイッチがオフにされ且つ前記第2のスイッチがオンにされると、前記正電荷端は前記第2の直流電源発生器の負極端に接続され、前記電子端は前記第2の直流電源発生器の正極端に接続されることを特徴とする請求項1に記載の搬送マニピュレータ。 The power supply includes a first DC power generator and a second DC power generator arranged in parallel, and the positive terminal of the first DC power generator is connected to that of the second DC power generator. Opposite to the positive end, the direction switching member includes a first switch and a second switch, the first switch being connected to the branch where the first DC power generator is located, and the second is connected to the branch in which the second DC power generator is located, and when the first switch is turned on and the second switch is turned off, the positive charge end is connected to the first connected to the positive end of a DC power generator, the electronic end is connected to the negative end of the first DC power generator, the first switch is turned off and the second switch is turned on; and said positive charge terminal is connected to the negative terminal of said second DC power generator, and said electronic terminal is connected to the positive terminal of said second DC power generator. A transport manipulator as described. 前記支持部にはウェーハコンタクタが設けられ、前記ウェーハコンタクタは前記支持部の表面から突出しており、前記ウェーハコンタクタの底部には圧力センサが設けられることを特徴とする請求項1に記載の搬送マニピュレータ。 2. The transfer manipulator according to claim 1, wherein a wafer contactor is provided on said support, said wafer contactor protrudes from the surface of said support, and a pressure sensor is provided on the bottom of said wafer contactor. . 中央処理装置をさらに含み、前記電源及び前記圧力センサはいずれも前記中央処理装置に接続され、前記中央処理装置内には、前記静電気発生装置の入力電圧と前記圧力センサの出力電圧との関係モデルが記憶され、前記電源は前記静電気発生装置への電力供給を停止すると、前記関係モデル及び前記圧力センサの出力電圧に基づいて、前記静電気発生装置の入力電圧を取得し、前記方向切換部材の状態を切り換えて、前記電源は前記入力電圧を前記静電気発生装置に供給するようにすることを特徴とする請求項4に記載の搬送マニピュレータ。 Further comprising a central processing unit, the power supply and the pressure sensor are both connected to the central processing unit, and the central processing unit includes a relationship model between the input voltage of the static electricity generating device and the output voltage of the pressure sensor. is stored, and when the power supply stops supplying power to the static electricity generating device, the input voltage of the static electricity generating device is obtained according to the relationship model and the output voltage of the pressure sensor, and the state of the direction switching member is determined. 5. The transfer manipulator according to claim 4, wherein said power supply supplies said input voltage to said static electricity generating device by switching between. 前記ウェーハコンタクタと前記正電荷端は交互に配置され、及び/又は、前記ウェーハコンタクタと前記電子端は交互に配置されることを特徴とする請求項4に記載の搬送マニピュレータ。 5. The transfer manipulator of claim 4, wherein the wafer contactors and the positive charge edges alternate and/or the wafer contactors and the electron edges alternate. 前記第1のワイヤには第1の調整抵抗が接続され、前記第2のワイヤには第2の調整抵抗が接続されることを特徴とする請求項2に記載の搬送マニピュレータ。 3. The transfer manipulator according to claim 2, wherein a first adjustment resistor is connected to said first wire, and a second adjustment resistor is connected to said second wire. 前記基体は絶縁材料であることを特徴とする請求項1に記載の搬送マニピュレータ。 2. The transfer manipulator of claim 1, wherein said substrate is an insulating material. 前記基体には配線溝が形成され、前記電源と前記正電荷端を接続する第1のワイヤ、及び前記電源と前記電子端を接続する第2のワイヤは、いずれも前記配線溝内に設けられることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の搬送マニピュレータ。 A wiring groove is formed in the substrate, and a first wire connecting the power supply and the positive charge terminal and a second wire connecting the power supply and the electron terminal are both provided in the wiring groove. The transfer manipulator according to any one of claims 1 to 8, characterized in that: 前記基体上には配線分配器が接続され、前記配線分配器は、前記配線溝の前記電源に近い端に設けられることを特徴とする請求項9に記載の搬送マニピュレータ。 10. The transport manipulator according to claim 9, wherein a wiring distributor is connected to the base, and the wiring distributor is provided at an end of the wiring groove near the power source.
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