JP2023505307A - リチウムイオン電池用アノードおよびその製造方法 - Google Patents
リチウムイオン電池用アノードおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023505307A JP2023505307A JP2022534248A JP2022534248A JP2023505307A JP 2023505307 A JP2023505307 A JP 2023505307A JP 2022534248 A JP2022534248 A JP 2022534248A JP 2022534248 A JP2022534248 A JP 2022534248A JP 2023505307 A JP2023505307 A JP 2023505307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixture
- graphite
- anode
- carbon
- slurry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 65
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 172
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims abstract description 129
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 118
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims abstract description 59
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims description 89
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 79
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 62
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 58
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 54
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 48
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 45
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 29
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 25
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 25
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 229920006299 self-healing polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 17
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 15
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims description 13
- -1 poly(diallyldimethylammonium chloride) Polymers 0.000 claims description 13
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 12
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 11
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 10
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 10
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 9
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 8
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920000371 poly(diallyldimethylammonium chloride) polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001464 poly(sodium 4-styrenesulfonate) Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 8
- WKHJZIRDAONVML-UHFFFAOYSA-N dichloromethane;tetrachloromethane Chemical compound ClCCl.ClC(Cl)(Cl)Cl WKHJZIRDAONVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 5
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 4
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 claims description 4
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 claims description 4
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 39
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 16
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 15
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 15
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 15
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 14
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 14
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 14
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 4-fluoro-1,3-dioxolan-2-one Chemical compound FC1COC(=O)O1 SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical group O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 12
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 12
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 10
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 9
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- VYFYYTLLBUKUHU-UHFFFAOYSA-N dopamine Chemical compound NCCC1=CC=C(O)C(O)=C1 VYFYYTLLBUKUHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 8
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 8
- OQXNUCOGMMHHNA-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1,3,2-dioxathiolane 2,2-dioxide Chemical compound CC1COS(=O)(=O)O1 OQXNUCOGMMHHNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960003638 dopamine Drugs 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 4
- 229910001290 LiPF6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N adiponitrile Chemical compound N#CCCCCC#N BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,4-dioxo-1,3-diazinane-5-carboximidamide Chemical compound CN1CC(C(N)=N)C(=O)NC1=O IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000000661 sodium alginate Substances 0.000 description 2
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 description 2
- 229940005550 sodium alginate Drugs 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N Propionic acid Chemical compound CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- YIYBQIKDCADOSF-UHFFFAOYSA-N alpha-Butylen-alpha-carbonsaeure Natural products CCC=CC(O)=O YIYBQIKDCADOSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- MVGLBXWFOSHCCP-UHFFFAOYSA-N chloroform;tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)Cl.ClC(Cl)(Cl)Cl MVGLBXWFOSHCCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011294 coal tar pitch Substances 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000713 high-energy ball milling Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000006138 lithiation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NQIMONOHVBBZKE-UHFFFAOYSA-N n-[2-(3,4-dihydroxyphenyl)ethyl]-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NCCC1=CC=C(O)C(O)=C1 NQIMONOHVBBZKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002153 silicon-carbon composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000019812 sodium carboxymethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001027 sodium carboxymethylcellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- YIYBQIKDCADOSF-ONEGZZNKSA-N trans-pent-2-enoic acid Chemical compound CC\C=C\C(O)=O YIYBQIKDCADOSF-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
- H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/628—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents
- C04B35/62802—Powder coating materials
- C04B35/62828—Non-oxide ceramics
- C04B35/62839—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
- C04B35/6264—Mixing media, e.g. organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
- C04B35/62675—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the treatment temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/628—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents
- C04B35/62894—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents with more than one coating layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/08—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/10—Metal compounds
- C08K3/14—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L1/00—Compositions of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
- C08L1/08—Cellulose derivatives
- C08L1/26—Cellulose ethers
- C08L1/28—Alkyl ethers
- C08L1/286—Alkyl ethers substituted with acid radicals, e.g. carboxymethyl cellulose [CMC]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
- C08L101/12—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L21/00—Compositions of unspecified rubbers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L9/00—Compositions of homopolymers or copolymers of conjugated diene hydrocarbons
- C08L9/06—Copolymers with styrene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
- H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0404—Methods of deposition of the material by coating on electrode collectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0471—Processes of manufacture in general involving thermal treatment, e.g. firing, sintering, backing particulate active material, thermal decomposition, pyrolysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/133—Electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/139—Processes of manufacture
- H01M4/1393—Processes of manufacture of electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/139—Processes of manufacture
- H01M4/1395—Processes of manufacture of electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
- H01M4/364—Composites as mixtures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
- H01M4/366—Composites as layered products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
- H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
- H01M4/587—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx for inserting or intercalating light metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/621—Binders
- H01M4/622—Binders being polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/624—Electric conductive fillers
- H01M4/625—Carbon or graphite
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C17/00—Disintegrating by tumbling mills, i.e. mills having a container charged with the material to be disintegrated with or without special disintegrating members such as pebbles or balls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3826—Silicon carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/422—Carbon
- C04B2235/424—Carbon black
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/422—Carbon
- C04B2235/425—Graphite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/428—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5454—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof nanometer sized, i.e. below 100 nm
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6586—Processes characterised by the flow of gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2395/00—Bituminous materials, e.g. asphalt, tar or pitch
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K2003/023—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/011—Nanostructured additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
- C08K5/092—Polycarboxylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
- C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
- C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M2004/021—Physical characteristics, e.g. porosity, surface area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
- H01M2004/027—Negative electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕することを含む、リチウムイオン電池用アノードの製造方法であって、前記混合物が粉砕中湿式スラリーとして維持される方法が開示される。前記混合物を炭化してカーボン材料で薄くコーティングされたシリコン(Si@C)を生成する。さらに前記Si@C材料、1つまたは複数のグラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料、および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物の粉砕が起こり、粉砕中前記第2混合物が第2湿式スラリーとして維持される。前記第2混合物は炭化されてSi@C/グラファイト/カーボン材料を生成する。前記アノードは、前記Si@C/グラファイト/カーボン材料から形成される。【選択図】図4
Description
本発明は、一般に、電気化学セル、特に電池に関する。特定の例では、本発明は、電池、例えばリチウムイオン電池、すなわちリチウムイオン電池で用いる電極、ならびに電極および電池の製造方法に関する。より具体的には、実施形態例は、リチウムイオン電池、リチウムイオン電池用アノード、アノードおよびリチウムイオン電池の製造方法、および/またはアノードおよびリチウムイオン電池で用いる成分または材料の調製方法に関する。
この出願は、2019年12月13日に出願されたオーストラリア仮特許出願第2019904719号から優先権を主張しており、その内容は組み込まれていると理解すべきである。
明細書全体にわたる先行技術の考察は、こうした先行技術が広く知られている、またはその分野における一般的な知識の一部を形成していることを認めるものと決して見なされるべきではない。
リチウムイオンベースの電池セルは、比較的高いエネルギーと長いサイクル寿命を提供する能力があることも手伝って、様々な適用にとって魅力的なエネルギー源である。リチウムイオン電池(LIB)の性能特性、例えば総エネルギー容量は、LIBで使用されるアノードとカソードのタイプによって決まる。リチウムイオン電池で用いるアノード材料の分野では、理論容量が最大4200mAh/gであり、シリコンは、例えばグラファイトに代わる次世代LIBの有望なアノード材料と見なされてきた。しかし、シリコンは一般に、リチウム化および脱リチウム化プロセス中に大きな体積変化(300%程度)を伴い、活物質の亀裂および粉砕を引き起こし、続いてアノードが崩壊し、容量が急速に低下する。
ナノ構造シリコン(ナノシリコン)に関わるいくつかの手法は、シリコンの体積膨張をある程度軽減することができるが、それでもなおナノシリコンに関わる既知の合成プロセスは、比較的複雑で、高価であり、工業化するのが難しい。
LIB、特に高エネルギーLIBのシリコンベースのアノードの性能を向上させるために、対処すべき重要な問題としては、(a)導電性マトリックス中のシリコン粒子の均一な分布、(b)シリコン二次粒子を大量生産して、高い初期クーロン効率で高い重量エネルギー密度と高い体積エネルギー密度の両方を達成する能力、および(c)アノードの優れた機械的特性を挙げることができる。
Amprius Nanjing Company Limitedに対する中国特許出願公開第CN108807861号明細書は、リチウムイオン電池用アノードの製造方法であって、ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料(段落[0028])および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕する工程であって、前記混合物が粉砕中湿式スラリーとして維持される工程、前記混合物を炭化温度で炭化して、炭素(Si@C)材料でコーティングされたシリコンを生成する工程、前記Si@C材料、1つまたは複数の第2炭素質材料、および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕する工程であって、前記第2混合物が粉砕中第2湿式スラリーとして維持される工程、前記第2混合物を第2炭化温度で炭化して、Si@C/カーボン材料を生成する工程、および前記Si@Cカーボン材料から前記アノードを形成する工程を含む、方法を開示している。CN’861はシリコンを「ナノシリコン」と述べているが、使用されるシリコンは3~4μmのオーダーである。
より具体的には、CN’861の図1は、CN’861に記載されたプロセスから得られた不規則な形状の二次粒子から形成されたシリコンカーボン複合材料を示している。図1は、連続したアモルファスカーボン保護層に囲まれた粒子を示しており、その内部には、シリコン材料で構成された複数の二次粒子がある。粒子には、混合物全体に均一に分散したカーボンナノチューブなどの導電性添加剤も含まれている。シリコン材料と導電性フィラーはそれぞれアモルファスカーボンフィラーに囲まれており、アモルファスカーボンフィラーは連続アモルファスカーボン保護層に囲まれている。従って、CN’861はナノシリコンの均一で比較的薄いコーティングを実現するのは難しいことを教示している。均一で比較的薄いナノシリコンコーティングは、得られる電池のサイクル寿命を延ばすと期待されている。
Zhouら(「リチウムイオン電池用アノード材料として複数の炭素相を有するコア-シェル構造のSi/C複合材料の調製と特性評価」、2016年、J. Alloys and Compounds、vol. 658、pp.91-97)は、リチウムイオン電池用アノード材料として変性球状グラファイト/シリコン/フレークグラファイト/無秩序カーボンを含むアノードを開示している。活物質は、ナノシリコン、フレークグラファイト、およびクエン酸を混合し、炭化してSi@CFGを得、コールタールピッチの層を含む変性球状グラファイト(すなわち、グラファイトおよび第2炭素質材料)を添加し、第2の炭化工程を行うことによって調製され、これにより、Si@CFG/球状グラファイト/カーボン材料を製造する。Zhouらは、とりわけ第2混合工程が粉砕を含むことを教示していない。結果として、アノードの構成と完全性が比較的粗い。Zhouらはさらに、炭素で直接コーティングされていないシリコン粒子を教示しており、これはシリコン粒子が膨張や副反応の影響を受けやすく、導電率が低下する。
本発明の目的は、先行技術の不利な点の少なくとも1つを克服もしくは改善すること、または有用な代替物を提供することである。
本発明の特に好ましい形態の目的は、新規または改良されたリチウムイオン電池、リチウムイオン電池用アノード、アノードおよび/またはリチウムイオン電池の製造方法、および/またはアノードおよび/またはリチウムイオン電池用成分または材料の調製方法を提供することである。
文脈上別段の必要がない限り、明細書および請求項全体を通して、「含む(comprise)」、「含んでいる(comprising)」などの単語は、排他的または網羅的な意味とは対照的に、包括的な意味つまり、「含むがこれらに限定されない」という意味で解釈されるべきである。
本発明は特定の例を参照して説明されるが、本発明が他の多くの形態で具体化され得ることが当業者によって理解されるであろう。
Zhouら(「リチウムイオン電池用アノード材料として複数の炭素相を有するコア-シェル構造のSi/C複合材料の調製と特性評価」、2016年、J. Alloys and Compounds、vol. 658、pp.91-97)
この要約は、以下でさらに説明する簡略化された形態でえりすぐりの概念を紹介するために提供される。この要約は、主張された主題の重要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図しておらず、主張された主題の範囲を制限するために使用されることも意図していない。
本発明の第1の態様によれば、リチウムイオン電池用アノードの製造方法であって、
ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリーとして維持される工程、
炭素化温度で前記混合物を炭化して、カーボンで薄くコーティングされたシリコン(Si@C)材料を生成する工程、
前記Si@C材料、グラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記第2混合物が第2湿式スラリーとして維持される工程、
前記第2混合物を第2炭化温度で炭化してSi@C/グラファイト/カーボン材料を生成する工程、および
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料から前記アノードを形成する工程を含む、方法が提供される。
ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリーとして維持される工程、
炭素化温度で前記混合物を炭化して、カーボンで薄くコーティングされたシリコン(Si@C)材料を生成する工程、
前記Si@C材料、グラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記第2混合物が第2湿式スラリーとして維持される工程、
前記第2混合物を第2炭化温度で炭化してSi@C/グラファイト/カーボン材料を生成する工程、および
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料から前記アノードを形成する工程を含む、方法が提供される。
シリコン上のSi@Cの「薄い」コーティングは、一般に約2~約500オングストロームの範囲である。特に、約5~450、10~400、15~350、20~300、25~250、30~200、35~150、40~100、または約45~50オングストローム。例えば、約10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490または約500オングストローム。
一実施形態では、前記方法が前記混合物を炭化する前にさらに前記湿式スラリーを乾燥温度で乾燥させる工程を含む。
一実施形態では、前記方法が前記第2混合物を炭化する前にさらに前記第2湿式スラリーを第2乾燥温度で乾燥させる工程を含む。
一実施形態では、前記混合物が湿式ボールミル粉砕によって粉砕される。
一実施形態では、前記ナノシリコンおよび前記1つまたは複数の炭素質材料が約40:60以上約70:30以下の質量比(ナノシリコン:炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記ナノシリコンと前記1つまたは複数の炭素質材料は約40:60、41:59、42:58、43:57、44:56 、45:55、46:54、47:53、48:52、49:51、約50:50、51:49、52:48、53:47、54:46、55:45、56:44、57:43、58:42、59:41、約60:40、61:39、62:38、63:37、64:36、65:35、66:34、67:33、68:32、69:31または約70:30の質量比(ナノシリコン:炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記ナノシリコンの平均粒径が約50nm以上約500nm以下である。
一実施形態では、前記ナノシリコンの平均粒径が約50nm、100nm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nmまたは500nmである。
一実施形態では、前記ナノシリコンの平均粒径が約50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490、または500nmである。
一実施形態では、前記1つまたは複数の溶媒が、例えばエチレングリコール(EG)、1-ペンタノール、プロピレングリコールおよびポリアクリル酸などの1つまたは複数の不活性溶媒である。
一実施形態では、前記1つまたは複数の溶媒がトルエン、キシレン、キノリン、ピリジンおよびテトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物から成る群から選択される。
一実施形態では、前記1つまたは複数の炭素質材料が官能化グラフェンプレートレット、カーボンナノチューブ(CNTs)、還元型酸化グラフェン(rGO)、グルコースの前駆体に由来する熱分解カーボン、スクロースまたはクリティック酸(CA)、ピッチ、ポリアクリロニトリル(PAN)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリ(ジアリルジメチルアンモニウムクロリド)(PDDA)、ポリ(4-スチレンスルホン酸ナトリウム)(PSS)、ポリドーパミン(PDA)、ポリピロール(PPy)およびフェノール樹脂から成る群から選択される。
一実施形態では、前記グラファイトが合成フレークグラファイトまたはグラファイト微小球である。
一実施形態では、前記グラファイト微小球が約1μm以上約20μm以下の平均寸法を有する。
一実施形態では、前記グラファイト微小球が約1μm、5μm、10μm、15μm、または20μmの平均寸法を有する。
一実施形態では、前記グラファイト微小球が1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19または20μmの平均寸法を有する。
一実施形態では、前記湿式スラリーがオーブン内で真空乾燥される。
一実施形態では、前記乾燥温度が約70℃以上約150℃以下である。
一実施形態では、前記乾燥温度が約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃または150℃である。
一実施形態では、前記乾燥温度が約70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145または150℃である。
一実施形態では、前記混合物を炭化する工程がチューブ炉内にて不活性ガス流下で起こる。
一実施形態では、前記不活性ガスが窒素ガス、アルゴンガス、またはそれらの混合物である。一実施形態では、不活性ガスはアルゴンガスである。
一実施形態では、前記炭化温度が約900℃以上約1200℃以下である。
一実施形態では、前記炭化温度は約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃または1200℃である。
一実施形態では、前記炭化温度が約900、925、950、975、1000、1025、1050、1075、1100、1125、1150、1175または1200℃である。
一実施形態では、前記混合物が前記炭化温度で、約3時間以上約8時間以下の間炭化される。一実施形態では、前記混合物は、前記炭化温度で約3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5または8時間の間炭化される。
一実施形態では、前記炭化温度に達する前に、前記混合物が前記炭化温度未満の保持温度で保持される。
一実施形態では、前記保持温度が約300℃以上約500℃以下である。
一実施形態では、前記保持温度が約300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490または約500℃である。
一実施形態では、前記Si@C材料、前記グラファイトおよび前記1つまたは複数の第2炭素質材料が約10以上30以下:40以上80以下:10以上30以下の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記Si@C材料、前記グラファイトおよび前記1つまたは複数の第2炭素質材料が約10~30:40~80:10~30の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記Si@C材料、前記グラファイト、および前記1つまたは複数の第2の炭素質材料が約10:80:10、約10:70:20、約10:60:30、約20:70:10、約20:60:20、約20:50:30、約30:60:10、約30:50:20または約30:40:30の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記第2混合物が湿式ボールミル粉砕によって粉砕される。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒が1つまたは複数の不活性溶媒、例えば、エチレングリコール(EG)、1-ペンタノール、プロピレングリコールおよびポリアクリル酸である。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒がトルエン、キシレン、キノリン、ピリジン、テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物から成る群から選択される。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2炭素質材料が前記1つまたは複数の炭素質材料と同じである。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2炭素質材料は前記1つまたは複数の炭素質材料と異なる。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒が前記1つまたは複数の溶媒と同じである。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒が前記1つまたは複数の溶媒と異なる。
一実施形態では、前記第2乾燥温度は約70℃以上約150℃以下である。
一実施形態では、前記第2乾燥温度が約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃または150℃である。
一実施形態では、前記第2乾燥温度が約70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145または150℃である。
一実施形態では、前記第2混合物を炭化することがチューブ炉内にて不活性ガス流下で起こる。
一実施形態では、前記不活性ガスが窒素ガス、アルゴンガス、またはそれらの混合物である。一実施形態では、前記不活性ガスはアルゴンガスまたは窒素ガスである。
前記第2炭化温度は約900℃以上約1200℃以下である。
一実施形態では、前記第2炭化温度が約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃または1200℃である。
一実施形態では、前記第2炭化温度が約900、925、950、975、1000、1025、1050、1075、1100、1125、1150、1175または1200℃である。
一実施形態では、前記第2混合物が前記第2炭化温度で約3時間以上約8時間以下の間炭化される。
一実施形態では、前記第2混合物が前記炭化温度で約3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5または8時間の間炭化される。
一実施形態では、前記第2炭化温度に到達する前に、前記第2混合物が前記第2炭化温度未満の第2保持温度で保持される。
一実施形態では、前記第2保持温度が約300℃以上約500℃以下である。
一実施形態では、前記第2保持温度が約300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490、または約500℃である。
一実施形態では、前記方法がさらに前記Si@C/グラファイト/カーボン材料を粉砕する工程を含む。
一実施形態では、前記粉砕する工程が乾式ボールミル粉砕による。
一実施形態では、前記方法がさらに前記Si@C/グラファイト/カーボン材料を1つまたは複数のポリマーバインダーと混合する工程を含む。
一実施形態では、前記1つまたは複数のポリマーバインダーとしては、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーが挙げられる。
一実施形態では、前記アノードが
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料と前記1つまたは複数のポリマーバインダーを混合してスラリーを生成し、
前記スラリーを金属部材上にコーティングし、
前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて該アノードを形成することによって形成される。
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料と前記1つまたは複数のポリマーバインダーを混合してスラリーを生成し、
前記スラリーを金属部材上にコーティングし、
前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて該アノードを形成することによって形成される。
本発明の第2の実施形態によれば、リチウムイオン電池用アノードの製造方法であって、
マイクロシリコンと1つまたは複数の不活性溶媒を混合して湿式スラリー混合物を生成する工程、および
前記マイクロシリコンと前記1つまたは複数の不活性溶媒の前記湿式スラリー混合物を粉砕してナノシリコンを得る工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリー混合物として維持される工程、
前記ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリーとして維持される工程、
前記混合物を炭化温度で炭化して、カーボン(Si@C)材料でコーティングされたシリコンを生成する工程
前記Si@C材料、グラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記第2混合物が第2湿式スラリーとして維持される工程、
前記第2混合物を第2炭化温度で炭化して、Si@C/グラファイト/カーボン材料を生成する工程、
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーを混合してスラリーを生成する工程、
スラリーを金属部材上にコーティングする工程、および
前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて該アノードを形成する工程を含む、方法が提供される。
マイクロシリコンと1つまたは複数の不活性溶媒を混合して湿式スラリー混合物を生成する工程、および
前記マイクロシリコンと前記1つまたは複数の不活性溶媒の前記湿式スラリー混合物を粉砕してナノシリコンを得る工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリー混合物として維持される工程、
前記ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリーとして維持される工程、
前記混合物を炭化温度で炭化して、カーボン(Si@C)材料でコーティングされたシリコンを生成する工程
前記Si@C材料、グラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記第2混合物が第2湿式スラリーとして維持される工程、
前記第2混合物を第2炭化温度で炭化して、Si@C/グラファイト/カーボン材料を生成する工程、
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーを混合してスラリーを生成する工程、
スラリーを金属部材上にコーティングする工程、および
前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて該アノードを形成する工程を含む、方法が提供される。
一実施形態では、前記混合物が湿式ボールミル粉砕によって粉砕される。
一実施形態では、前記ナノシリコンおよび前記1つまたは複数の炭素質材料が約40:60以上約70:30以下の質量比(ナノシリコン:炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記ナノシリコンと前記1つまたは複数の炭素質材料が約40:60、41:59、42:58、43:57、44:56、45:55、46:54、47:53、48:52、49:51、約50:50、51:49、52:48、53:47、54:46、55:45、56:44、57:43、58:42、59:41、約60:40、61:39、62:38、63:37、64:36、65:35、66:34、67:33、68:32、69:31または約70:30の質量比(ナノシリコン:炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記ナノシリコンの平均粒子径が約50nm以上約500nm以下である。
前記ナノシリコンの平均粒径が約50nm、100nm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nmまたは500nmである。
一実施形態では、前記ナノシリコンの平均粒径が、約50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220 、230、240、250、260、270、280、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470 、480、490、または500nmである。
一実施形態では、前記1つまたは複数の溶媒が1つまたは複数の不活性溶媒である。
一実施形態では、前記1つまたは複数の溶媒がトルエン、キシレン、キノリン、ピリジンおよびテトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物から成る群から選択される。
一実施形態では、前記1つまたは複数の炭素質材料が官能化グラフェンプレートレット、カーボンナノチューブ(CNTs)、還元型酸化グラフェン(rGO)、グルコース、スクロースまたはクリティック酸(CA)の前駆体に由来する熱分解カーボン、ピッチ、ポリアクリロニトリル(PAN)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリ(ジアリルジメチルアンモニウムクロリド)(PDDA)、ポリ(4-スチレンスルホン酸ナトリウム)(PSS)、ポリドーパミン(PDA)、ポリピロール(PPy)およびフェノール樹脂から成る群から選択される。
一実施形態では、グラファイトがフレークグラファイトまたはグラファイト微小球である。
一実施形態では、前記グラファイト微小球が約1μm以上約20μm以下の平均寸法を有する。
一実施形態では、前記グラファイト微小球が約1μm、5μm、10μm、15μmまたは20μmの平均寸法を有する。
一実施形態では、前記グラファイト微小球が約1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19または20μmの平均寸法を有する。
一実施形態では、前記湿式スラリーがオーブン内で真空乾燥される。
一実施形態では、前記乾燥温度が約70℃以上約150℃以下である。
一実施形態では、前記乾燥温度が約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、または150℃である。
一実施形態では、前記乾燥温度が約70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145または150℃である。
一実施形態では、前記混合物を炭化する工程がチューブ炉内にて不活性ガス流下で起こる。
一実施形態では、前記不活性ガスがアルゴンガス、窒素ガス、またはそれらの混合物である。
一実施形態では、前記炭化温度が約900℃以上約1200℃以下である。
一実施形態では、前記炭化温度が約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃、または1200℃である。
一実施形態では、前記炭化温度が約900、925、950、975、1000、1025、1050、1075、1100、1125、1150、1175または1200℃である。
一実施形態では、前記混合物が前記炭化温度で、約3時間以上約8時間以下の間炭化される。一実施形態では、前記混合物が前記炭化温度で約3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5または8時間の間炭化される。
一実施形態では、前記炭化温度に達する前に、前記混合物が前記炭化温度未満の保持温度で保持される。
一実施形態では、前記保持温度が約300℃以上約500℃以下である。
一実施形態では、前記保持温度が約300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490または約500℃である。
一実施形態では、前記Si@C材料、前記グラファイト、および前記1つまたは複数の第2炭素質材料が約10以上30以下:40以上80以下:10以上30以下の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記Si@C材料、前記グラファイト、および前記1つまたは複数の第2炭素質材料が約10~30:40~80:10~30の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記Si@C材料、前記グラファイト、および前記1つまたは複数の第2炭素質材料が約10:80:10、約10:70:20、約10:60:30、約20:70:10、約20:60:20、約20:50:30、約30:60:10、約30:50:20または約30:40:30の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で混合される。
一実施形態では、前記第2混合物が湿式ボールミル粉砕によって粉砕される。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒が1つまたは複数の不活性溶媒である。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒がトルエン、キシレン、キノリン、ピリジンおよびテトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物から成る群から選択される。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2炭素質材料が前記1つまたは複数の炭素質材料と同じである。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2炭素質材料が前記1つまたは複数の炭素質材料と異なる。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒が前記1つまたは複数の溶媒と同じである。
一実施形態では、前記1つまたは複数の第2溶媒が前記1つまたは複数の溶媒と異なる。
一実施形態では、前記第2乾燥温度が約70℃以上約150℃以下である。
一実施形態では、前記第2乾燥温度が約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃または150℃である。
一実施形態では、前記第2乾燥温度が約70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145または150℃である。
一実施形態では、前記第2混合物の炭化がチューブ炉内にて不活性ガス流下で起こる。
一実施形態では、前記不活性ガスがアルゴンガス、窒素ガスまたはそれらの混合物である。
一実施形態では、前記第2炭化温度が約900℃以上約1200℃以下である。
一実施形態では、前記第2炭化温度が約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃または1200℃である。
一実施形態では、前記第2炭化温度が約900、925、950、975、1000、1025、1050、1075、1100、1125、1150、1175または1200℃である。
一実施形態では、前記第2混合物が前記第2炭化温度で、約3時間以上約8時間以下の間炭化される。
一実施形態では、前記第2混合物が該炭化温度で約3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5または8時間の間炭化される。
一実施形態では、前記第2炭化温度に到達する前に、前記第2混合物が前記第2炭化温度未満の第2保持温度で保持される。
一実施形態では、前記第2保持温度が約300℃以上約500℃以下である。
一実施形態では、前記第2保持温度が約300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490または約500℃である。
一実施形態では、前記方法がさらに前記Si@C/グラファイト/カーボン材料を粉砕する工程を含む。
一実施形態では、前記粉砕が乾式ボールミル粉砕による。
一実施形態では、前記方法がさらに前記Si@C/グラファイト/カーボン材料を前記1つまたは複数のポリマーバインダーと混合する工程を含む。
一実施形態では、前記1つまたは複数のポリマーバインダーとしては、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーが挙げられる。
一実施形態では、前記アノードが
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料と前記1つまたは複数のポリマーバインダーを混合してスラリーを生成し、
前記スラリーを金属部材上にコーティングし、
前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて該アノードを形成することによって形成される。
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料と前記1つまたは複数のポリマーバインダーを混合してスラリーを生成し、
前記スラリーを金属部材上にコーティングし、
前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて該アノードを形成することによって形成される。
本発明の第3の態様によれば、本発明の前記第1または第2の態様の方法によって製造される場合、リチウムイオン電池用アノードが提供される。
本発明の第4の態様によれば、Si@C/グラファイト/カーボン材料を含む、リチウムイオン電池用アノードが提供される。
本発明の第5の態様によれば、
本発明の第3または第4の態様に従って定義されるアノード、
カソード、および
前記アノードと前記カソードの間に配置された、1つまたは複数の電解質、またはそれらの混合物、および/または1つまたは複数のセパレーター、またはそれらの混合物を含むリチウムイオン電池が提供される。
本発明の第3または第4の態様に従って定義されるアノード、
カソード、および
前記アノードと前記カソードの間に配置された、1つまたは複数の電解質、またはそれらの混合物、および/または1つまたは複数のセパレーター、またはそれらの混合物を含むリチウムイオン電池が提供される。
電解質の非限定的な一例としては、27:35:27:10の重量比のエチレンカーボネート(EC)/エチルメチルカーボネート(EMC)/エチルプロピオネート(EP)/フルオロエチレンカーボネート(FEC)(エチレンカーボネート(EC):エチルメチルカーボネート(EMC):エチルプロピオネート(EP):フルオロエチレンカーボネート(FEC))と、例えば硫酸プロピレン(PS)やアジポニトリル(AND)などの添加剤との混合物中の1.15MのLiPF6が挙げられる。
当業者には明らかであるように、セパレーターは、イオン移動のみを可能にしながら、電池の2側面を離しておく物理的障壁である。セパレーターの非限定的な例としては、ポリマーセパレーター、特に多層ポリマーセパレーター、より具体的には、ポリエチレン多層ポリマーセパレーターが挙げられる。
他の実施形態では、前記方法がさらに前記混合物を炭化する前に乾燥温度で湿式スラリーを乾燥すること、および/または前記第2混合物を炭化する前に第2乾燥温度で前記第2湿式スラリーを乾燥することを含む。別の例では、前記混合物が湿式ボールミル粉砕によって粉砕され、および/または前記第2混合物が湿式ボールミル粉砕によって粉砕される。任意選択で、しかし好ましくは、前記1つまたは複数の溶媒および/または前記1つまたは複数の第2溶媒が1つまたは複数の不活性溶媒である。
他の例では、前記1つまたは複数の第2炭素質材料が前記1つまたは複数の炭素質材料と同じであり、前記1つまたは複数の第2炭素質材料が前記1つまたは複数の炭素質材料とは異なり、前記1つまたは複数の第2溶媒が前記1つまたは複数の溶媒と同じであり、または、前記1つまたは複数の第2溶媒が前記1つまたは複数の溶媒と異なる。
他の例では、前記炭化温度に達する前に、前記混合物が前記炭化温度未満の保持温度で保持され、および/または前記第2炭化温度に達する前に、前記第2混合物が前記第2の炭化温度未満の第2保持温度で保持される。
別の例では、得られたSi@C/グラファイト/カーボン材料が、好ましくは乾式ボールミル粉砕によってさらに粉砕される。別の例では、前記アノードを製造する際に、前記Si@C/グラファイト/カーボン材料が1つまたは複数のポリマーバインダーと混合される。別の例では、前記アノードが、前記Si@C/グラファイト/カーボン材料および前記1つまたは複数のポリマーバインダーを混合して、スラリーを生成し、前記スラリーを金属部材上にコーティングし、前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて、該アノードを形成する。さらなる例では、金属部材が金属箔、ストリップまたはグリッドである。別の例では、導電剤が前記スラリーに混合される。
他の態様、特徴、および利点は、本開示の一部であり、例として様々な実施形態の原理を例示する添付の図面と併せて解釈される場合、以下の説明的な節から明らかになるであろう。
次に、本発明の好ましい実施形態が説明され、これは、添付の図に関連して説明される、少なくとも1つの非限定的な実施形態の例としてのみ与えられる。
一実施形態または複数の実施形態の主題のより正確な理解を提供するために、例としてのみ与えられる以下の様式を説明する。実施形態例の特徴を説明するために組み込まれた図では、図全体を通して同様の部品を識別するために同様の参照番号が使用される。
一例では、シリコン/カーボン/グラファイト(すなわち、Si@C/G/CまたはSi/C/G)材料が、リチウムイオン電池(LIB)(すなわち、リチウムイオンセル)のアノード用として製造または形成される。シリコン/カーボン/グラファイト材料は、シリコンおよび1つまたは複数の炭素質材料およびグラファイトを使用することによって形成できる。アノードの様々な製造方法例において、アノードを形成する複合材料中のシリコン含有量および分布は、アノードの全体的な特性に大きく影響する。例えば、アノードの容量とアノードの安定性との間にはトレードオフが存在し得る。従って、炭素質原料(すなわち、1つまたは複数の炭素質材料)の種類と含有量比の選択、シリコンの種類と含有量比の選択、グラファイトの含有量比の選択、コーティングプロセス、混合プロセス、および利用される他のプロセスは、商用LIBに適用するためのアノードの性能を向上させる上で重要な側面となり得る。
シリコン/カーボン/グラファイト材料で形成されたアノードなどの高性能アノードを実現するために、例えばLIB内の既知のグラファイトアノードに取って代わるために、本発明者らは、(a)グラファイトやカーボンなどの導電性マトリックス中のシリコン粒子の均一な分布を達成すること、(b)高い初期クーロン効率で高い重量エネルギー密度と高い体積エネルギー密度の両方を達成するシリコン二次粒子の大量生産、および/または(c)アノードの優れた機械的特性に関連する課題に取り組み、凝集性、弾性、導電性および自己修復性ポリマーバインダーを利用することによって特定の例においてアノードの長いサイクル寿命を達成した。
実施形態例では、数々のシリコン/カーボン/グラファイト材料で形成されたアノードが新規の方法を使用して合成(すなわち、製造)される。例えば、「ダブルカーボンコーティングされた」シリコン/カーボン/グラファイト(すなわち、Si@C/G/C)材料で形成されたアノードは、新規の方法を使用して製造される。
Si/C/GおよびSi@C/G/Cへの言及は、シリコン(Si)、カーボン(C)、およびグラファイトの成分で形成された、またはそれらに基づく「シリコン/カーボン/グラファイト」材料を意味することを目的とする。Si@Cへの言及は、炭素で覆われたシリコン粒子(すなわち、炭素でコーティングされたまたは覆われたシリコン)を意味することを目的とする。例えば、Si@C材料では、カーボンシェルまたは層がシリコンコアを覆い、シリコン表面と電解質の直接接触を防ぐ。具体的には、Si@C/G/Cへの言及は、Si@C材料、グラファイト(G)、およびカーボン(C)の成分で形成された、または、に基づく材料を意味することを目的とする。
別の実施形態例では、リチウムイオン電池に適用するためのアノードの製造方法が提供され、このアノードは、Si@C/G/C材料を含み、この方法は、
特定の重量比範囲のナノシリコン:炭素質材料を使用すること、
前記ナノシリコンおよび炭素質材料を、1つまたは複数の不活性溶媒であり得る1つまたは複数の溶媒と共に粉砕すること、例えば、湿式ボールミル粉砕すること、
粉砕、例えば湿式ボールミル粉砕中、前記混合物を湿式スラリーとして維持する(すなわち、維持する)こと、
前記湿式スラリーを乾燥温度で乾燥時間乾燥させること、
前記乾燥Si/C混合物の炭化温度範囲内の炭化温度での炭化/焼結によってSi@C材料(すなわち、炭素でコーティングされたシリコン粒子)を生成すること、
特定の重量比範囲の(Si@C材料):グラファイト:炭素質材料を使用すること、
前記Si@C材料およびグラファイトおよび第2炭素質材料(これは、先に使用されたものと同じ炭素質材料または異なる炭素質材料であり得る)を1つまたは複数の第2溶媒(これは1つまたは複数の不活性溶媒であり得る)と共に粉砕すること(すなわち、2回目)、例えば、湿式ボールミル粉砕すること(ここで前記1つまたは複数の第2溶媒は前記1つまたは複数の溶媒と同じまたは異なり得る)、
粉砕、例えば湿式ボールミル粉砕中前記Si@C、グラファイト、および炭素質材料の混合物を、湿式スラリーとして維持すること(すなわち、維持すること)、
前記湿式スラリーを第2乾燥温度で第2乾燥時間乾燥させること、
前記乾燥Si@C/G/C混合物(すなわち第2混合物)の第2炭化温度範囲内の第2炭化温度での炭化/焼結(すなわち、2回目)(ここで、前記第2炭化温度は前記炭化温度と同じであっても異なっていてもよく、前記第2炭化温度範囲は前記炭化温度範囲と同じであっても異なっていてもよい)、および
得られたSi@C/G/C材料から、例えば前記Si@C/G/C材料を圧縮することによって前記アノードを形成することを含む。
特定の重量比範囲のナノシリコン:炭素質材料を使用すること、
前記ナノシリコンおよび炭素質材料を、1つまたは複数の不活性溶媒であり得る1つまたは複数の溶媒と共に粉砕すること、例えば、湿式ボールミル粉砕すること、
粉砕、例えば湿式ボールミル粉砕中、前記混合物を湿式スラリーとして維持する(すなわち、維持する)こと、
前記湿式スラリーを乾燥温度で乾燥時間乾燥させること、
前記乾燥Si/C混合物の炭化温度範囲内の炭化温度での炭化/焼結によってSi@C材料(すなわち、炭素でコーティングされたシリコン粒子)を生成すること、
特定の重量比範囲の(Si@C材料):グラファイト:炭素質材料を使用すること、
前記Si@C材料およびグラファイトおよび第2炭素質材料(これは、先に使用されたものと同じ炭素質材料または異なる炭素質材料であり得る)を1つまたは複数の第2溶媒(これは1つまたは複数の不活性溶媒であり得る)と共に粉砕すること(すなわち、2回目)、例えば、湿式ボールミル粉砕すること(ここで前記1つまたは複数の第2溶媒は前記1つまたは複数の溶媒と同じまたは異なり得る)、
粉砕、例えば湿式ボールミル粉砕中前記Si@C、グラファイト、および炭素質材料の混合物を、湿式スラリーとして維持すること(すなわち、維持すること)、
前記湿式スラリーを第2乾燥温度で第2乾燥時間乾燥させること、
前記乾燥Si@C/G/C混合物(すなわち第2混合物)の第2炭化温度範囲内の第2炭化温度での炭化/焼結(すなわち、2回目)(ここで、前記第2炭化温度は前記炭化温度と同じであっても異なっていてもよく、前記第2炭化温度範囲は前記炭化温度範囲と同じであっても異なっていてもよい)、および
得られたSi@C/G/C材料から、例えば前記Si@C/G/C材料を圧縮することによって前記アノードを形成することを含む。
<実験項>
a)ナノシリコンの調製
一例では、マイクロシリコンからナノシリコンを生成する方法は、不活性溶媒と混合されたマイクロシリコンを粉砕する、例えば、サンドミル粉砕またはボールミル粉砕すること、およびマイクロシリコンの粉砕中、湿式スラリーとして前記混合物を維持することを含む。不活性溶媒を使用することで、生成されたナノシリコンの酸化を防ぐ。
a)ナノシリコンの調製
一例では、マイクロシリコンからナノシリコンを生成する方法は、不活性溶媒と混合されたマイクロシリコンを粉砕する、例えば、サンドミル粉砕またはボールミル粉砕すること、およびマイクロシリコンの粉砕中、湿式スラリーとして前記混合物を維持することを含む。不活性溶媒を使用することで、生成されたナノシリコンの酸化を防ぐ。
図1を参照すると、マイクロシリコンからナノシリコンを製造する方法100が示されている。工程110は、マイクロシリコンと1つまたは複数の不活性溶媒とを混合して、湿式スラリー混合物を生成することを含む。工程120は、好ましくはサンドミリングを使用して、マイクロシリコンと1つまたは複数の不活性溶媒との湿式スラリー混合物を粉砕することを含む。工程120中、混合物は湿式スラリー混合物として維持される(すなわち、粉砕中)。
特定の例では、マイクロシリコン(マイクロSi)は、約10μm以上約100μm以下の平均粒径を有する。好ましくは、マイクロシリコンは、約10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、または50μmの平均粒径を有する。最も好ましくは、マイクロシリコンは、約10μmの平均粒径を有する。
ナノシリコン(ナノ-Si)は、少なくとも1つの不活性溶媒の存在下でマイクロシリコンをサンドミル粉砕またはボールミル粉砕(高エネルギー)し、マイクロシリコンの粉砕中混合物を湿式スラリーとして維持することによって生成される。得られたナノシリコンの平均粒径は、約50nm以上約500nm以下である。好ましくは、ナノシリコンは、約50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490または500nmの平均粒径を有する。最も好ましくは、ナノシリコンは、約100nm、例えば、約50~150、60~140、70~130、80~120、90~110nmの平均粒径を有する。
マイクロシリコンは、好ましくはサンドミル粉砕によって1つまたは複数の不活性溶媒中で粉砕することによってナノシリコンに粉砕される。不活性溶媒は、エチレングリコール(EG)、1-ペンタノール、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、または同様のもののうちの1つまたは複数であり得る。
別法では、溶媒は、トルエン、キシレン、キノリン、ピリジンおよびテトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物から成る群から選択され得る。この工程では、マイクロシリコンの粉砕には超高エネルギーを必要とするため、サンドミリングまたは高エネルギーボールミル粉砕が必要である。湿式粉砕プロセス中にスラリーを意図的に乾燥させないようにすることで、シリコン粒子の凝集を防ぐ。
b)リチウムイオン電池用アノードの製造
リチウムイオン電池で用いるシリコン/グラファイト/カーボン材料、例えば、Si/C/G材料またはSi@C/G/C材料を含むアノード例は、シリコン粒子、1つまたは複数の炭素質材料、およびグラファイトの混合物を熱分解、焼結、または好ましくは炭化することによって製造された。
リチウムイオン電池で用いるシリコン/グラファイト/カーボン材料、例えば、Si/C/G材料またはSi@C/G/C材料を含むアノード例は、シリコン粒子、1つまたは複数の炭素質材料、およびグラファイトの混合物を熱分解、焼結、または好ましくは炭化することによって製造された。
ナノシリコンは前述のようにマイクロシリコンから生成されたように得られて使用されるか、あるいは市販のナノシリコンを使用できる。使用されるナノシリコンの平均粒径は、好ましくは、約50nm以上約500nm以下である。使用されるナノシリコンは、約50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450、460、470、480、490または500nmの平均粒径を有し得る。最も好ましくは、使用されるナノシリコンは、約100nmの平均粒径、例えば、約50~150、60~140、70~130、80~120、90~110nmを有する。
1つまたは複数の炭素質材料を入手して使用する。例えば、1つまたは複数の炭素質材料は、官能化グラフェンプレートレット、カーボンナノチューブ(CNTs)、還元型酸化グラフェン(rGO)、グルコース、スクロースまたはクリティック酸(CA)などの前駆体に由来する熱分解炭素、ピッチ、ポリアクリロニトリル(PAN)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリ(ジアリルジメチルアンモニウムクロリド)(PDDA)、ポリ(4-スチレンスルホン酸ナトリウム)(PSS)、ポリドーパミン(PDA)、ポリピロール(PPy)、またはフェノール樹脂であり得る。
グラファイトを入手して使用する。グラファイトは天然グラファイトおよび/または合成グラファイトであり得る。天然グラファイトについては球形タイプが好ましく、合成黒鉛についてはフレーク形状が好ましい。例えば、約1μm以上約20μm以下の平均粒径を有するグラファイト微小球を使用できる。好ましくは、グラファイト微小球は、約1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19または20μmの平均粒径を有する。最も好ましくは、グラファイト微小球は、約5μmの平均粒径を有する。
図2を参照すると、リチウムイオン電池用アノードの製造方法200が示されている。
工程210は、ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料、および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕することを含み、粉砕中混合物が湿式スラリーとして維持される。
工程220は、任意選択で、湿式スラリーを乾燥温度で乾燥時間乾燥させて乾燥混合物/粉末を生成することを含む。
工程230は、炭化温度で混合物(乾燥工程220を使用する場合は乾燥混合物/粉末として)を炭化して、炭素(Si@C)材料でコーティングされたシリコンを生成することを含む。
工程240は、Si@C材料、グラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料、および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕することを含み、粉砕中第2混合物が第2湿式スラリーとして維持される。
工程250は、任意選択で、第2湿式スラリーを第2乾燥温度で乾燥させて、乾燥未加工「炭素材料でコーティングされたシリコン」(Si@C)/グラファイト/カーボン混合物/粉末を生成することを含む。
工程260は、第2炭化温度で第2混合物(乾燥工程250を用いる場合は乾燥未加工Si@C/グラファイトカーボン混合物/粉末として)を炭化してSi@C/グラファイト/カーボン材料を生成することを含む。
工程270は、結果として生じた「カーボン材料でコーティングされたシリコン」/グラファイト/カーボン(すなわち、Si@C/G/C)材料を粉砕する、好ましくは乾式ボールミル粉砕することを含む。
最後に、工程280は、Si@C/グラファイト/カーボン材料からアノードを形成することを含む。
以下に提供されるのは、本発明によるリチウムイオン電池用アノードのさらなる非限定的な製造方法の工程例である。
<工程1:>
ナノシリコンと少なくとも1つの炭素質材料を、約40:60以上約70:30以下の質量比(ナノシリコン:炭素質材料)で計量する。好ましくは、質量比(ナノシリコン:炭素質材料)は、約40:60、約50:50、約60:40、または約70:30である。より好ましくは、質量比は、約40:60、41:59、42:58、43:57、44:56、45:55、46:54、47:53、48:52、49:51、約50:50、51:49、52:48、53:47、54:46、55:45、56:44、57:43、58:42、59:41、約60:40、61:39、62:38 、63:37、64:36、65:35、66:34、67:33、68:32、69:31または約70:30である。最も好ましくは、質量比(ナノシリコン:炭素質材料)は約50:50である。
ナノシリコンと少なくとも1つの炭素質材料を、約40:60以上約70:30以下の質量比(ナノシリコン:炭素質材料)で計量する。好ましくは、質量比(ナノシリコン:炭素質材料)は、約40:60、約50:50、約60:40、または約70:30である。より好ましくは、質量比は、約40:60、41:59、42:58、43:57、44:56、45:55、46:54、47:53、48:52、49:51、約50:50、51:49、52:48、53:47、54:46、55:45、56:44、57:43、58:42、59:41、約60:40、61:39、62:38 、63:37、64:36、65:35、66:34、67:33、68:32、69:31または約70:30である。最も好ましくは、質量比(ナノシリコン:炭素質材料)は約50:50である。
<工程2:>
ナノシリコンと1つまたは複数の炭素質材料は、粉砕、好ましくは湿式ボールミル粉砕によって完全に混合される。1つまたは複数の不活性溶媒であり得る1つまたは複数の溶媒は、湿式ボール粉砕中に使用され、例えば、トルエン、キシレン、キノリン、ピリジン、テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物を挙げることができる。所要の1つまたは複数の溶媒の体積は、固体粉末を沈めるのに十分な量であり、混合物を希釈液体または粘性状態ではなく、湿式ボールミル粉砕による粉砕中に湿式スラリーとして維持する必要がある。溶媒の蒸発を防ぐために、粉砕プロセス全体で封止剤を必要とする。
ナノシリコンと1つまたは複数の炭素質材料は、粉砕、好ましくは湿式ボールミル粉砕によって完全に混合される。1つまたは複数の不活性溶媒であり得る1つまたは複数の溶媒は、湿式ボール粉砕中に使用され、例えば、トルエン、キシレン、キノリン、ピリジン、テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物を挙げることができる。所要の1つまたは複数の溶媒の体積は、固体粉末を沈めるのに十分な量であり、混合物を希釈液体または粘性状態ではなく、湿式ボールミル粉砕による粉砕中に湿式スラリーとして維持する必要がある。溶媒の蒸発を防ぐために、粉砕プロセス全体で封止剤を必要とする。
ボールミル粉砕の速度は約300~約600rpm、例えば、約300、325、350、375、400、425、450、475、500、525、550、575または約600rpmであり得るが、ボールミル粉砕の速度は、好ましくは約400rpmである。ボールミル粉砕の継続時間は、約3~約24時間、例えば、約3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23または24時間であり得るが、ボールミル粉砕の継続時間は好ましくは約6時間である。ボール:重量比は、約10:1~40:1、例えば、約10:1、15:1、20:1、25:1、30:1、35:1、40:1、45:1または約50:1であり得るが、ボール:重量比は、好ましくは約20:1である。
<工程3:>
湿式スラリーである混合物をオーブンにて乾燥温度で乾燥時間真空乾燥して、乾燥粉末を生成する。例えば、温度は、約70℃以上約150℃以下であり得る。好ましくは、温度は約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃または150℃である。最も好ましくは、温度は約80℃である。乾燥時間は、約2時間以上約18時間以下であり得る。好ましくは、乾燥時間は、約2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17または18時間である。最も好ましくは、乾燥時間は約12時間である。
湿式スラリーである混合物をオーブンにて乾燥温度で乾燥時間真空乾燥して、乾燥粉末を生成する。例えば、温度は、約70℃以上約150℃以下であり得る。好ましくは、温度は約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃または150℃である。最も好ましくは、温度は約80℃である。乾燥時間は、約2時間以上約18時間以下であり得る。好ましくは、乾燥時間は、約2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17または18時間である。最も好ましくは、乾燥時間は約12時間である。
<工程4:>
次に、乾燥材料、すなわち乾燥粉末を、例えばチューブ炉内にて不活性ガス、好ましくはアルゴンガスまたは窒素ガスまたはそれらの混合物流下で炭化し、得られたSi@C材料(すなわち、カーボン材料でコーティングされたシリコン粒子)を収集する。好ましくは、高温炭化として特徴付けることができる炭化のプロセスは、
乾燥粉末を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)の保持温度に、毎分約5℃(または任意選択で約2℃以上約5℃以下)の漸次的上昇で加熱する工程、
乾燥粉末の保持温度を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)で約3時間(または任意選択で約2時間以上約5時間以下)維持する工程、
乾燥粉末をさらに約1000℃の炭化温度(または任意選択で約900℃以上約1200℃以下の炭化温度、例えば、炭化温度は、約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃または1200℃であり得る)に、毎分約8℃(または任意選択で約5℃以上約10℃)の漸次的上昇で加熱する工程、
乾燥粉末を該炭化温度で約5時間(または任意選択で約3時間以上約8時間以下)維持する工程、および
結果として生じたSi@C材料を自然に室温まで冷却し、その間アルゴンガス(または窒素ガス)のガス流量を安定に保つ工程を含む。
次に、乾燥材料、すなわち乾燥粉末を、例えばチューブ炉内にて不活性ガス、好ましくはアルゴンガスまたは窒素ガスまたはそれらの混合物流下で炭化し、得られたSi@C材料(すなわち、カーボン材料でコーティングされたシリコン粒子)を収集する。好ましくは、高温炭化として特徴付けることができる炭化のプロセスは、
乾燥粉末を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)の保持温度に、毎分約5℃(または任意選択で約2℃以上約5℃以下)の漸次的上昇で加熱する工程、
乾燥粉末の保持温度を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)で約3時間(または任意選択で約2時間以上約5時間以下)維持する工程、
乾燥粉末をさらに約1000℃の炭化温度(または任意選択で約900℃以上約1200℃以下の炭化温度、例えば、炭化温度は、約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃または1200℃であり得る)に、毎分約8℃(または任意選択で約5℃以上約10℃)の漸次的上昇で加熱する工程、
乾燥粉末を該炭化温度で約5時間(または任意選択で約3時間以上約8時間以下)維持する工程、および
結果として生じたSi@C材料を自然に室温まで冷却し、その間アルゴンガス(または窒素ガス)のガス流量を安定に保つ工程を含む。
<工程5:>
次に、得られたSi@C材料、グラファイト、および1つまたは複数の第2炭素質材料を、約10以上30以下:約40以上80以下:約10以上30以下の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で計量する。好ましくは、質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)は、約10:80:10、約10:70:20、約10:60:30、約20:70:10、約20:60:20、約20:50:30、約30:60:10、約30:50:20、または約30:40:30である。最も好ましくは、質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)は、約20:60:20である。この工程で使用される1つまたは複数の第2炭素質材料は、先に使用された1つまたは複数の炭素質材料と同じであることが好ましいが、異なる種類の1つまたは複数の第2炭素質材料を使用できる。
次に、得られたSi@C材料、グラファイト、および1つまたは複数の第2炭素質材料を、約10以上30以下:約40以上80以下:約10以上30以下の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で計量する。好ましくは、質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)は、約10:80:10、約10:70:20、約10:60:30、約20:70:10、約20:60:20、約20:50:30、約30:60:10、約30:50:20、または約30:40:30である。最も好ましくは、質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)は、約20:60:20である。この工程で使用される1つまたは複数の第2炭素質材料は、先に使用された1つまたは複数の炭素質材料と同じであることが好ましいが、異なる種類の1つまたは複数の第2炭素質材料を使用できる。
<工程6:>
得られたSi@C材料、グラファイト、および1つまたは複数の第2炭素質材料を、粉砕、好ましくは湿式ボールミル粉砕によって第2混合物として完全に混合する。この工程では、Si@C材料がグラファイトと一体化され、さらに1つまたは複数の第2炭素質材料でコーティングされる(2度目の使用)。1つまたは複数の第2溶媒(1つまたは複数の第2不活性溶媒であり得る)は、粉砕プロセスで使用され、トルエン、キシレン、キノリン、ピリジン、テトラヒドロフランなどの1つまたは複数であり得る。
得られたSi@C材料、グラファイト、および1つまたは複数の第2炭素質材料を、粉砕、好ましくは湿式ボールミル粉砕によって第2混合物として完全に混合する。この工程では、Si@C材料がグラファイトと一体化され、さらに1つまたは複数の第2炭素質材料でコーティングされる(2度目の使用)。1つまたは複数の第2溶媒(1つまたは複数の第2不活性溶媒であり得る)は、粉砕プロセスで使用され、トルエン、キシレン、キノリン、ピリジン、テトラヒドロフランなどの1つまたは複数であり得る。
1つまたは複数の第2溶媒は、好ましくは、先に使用された1つまたは複数の溶媒と同じであるが、異なる溶媒であってもよい。所要の1つまたは複数の溶媒の体積は、固体粉末を沈めるのに十分な量であり、混合物を希釈液体または粘性状態ではなく、湿式ボールミル粉砕による粉砕中に湿式スラリーとして維持する必要がある。2度目の溶媒蒸発を防ぐために、粉砕プロセス全体で封止剤を必要とする。
ボールミル粉砕の速度は約300~約600rpmであり得るが、ボールミル粉砕の速度は好ましくは約400rpmである。ボールミル粉砕の継続時間は約12~約48時間であり得るが、ボールミル粉砕の継続時間は好ましくは約24時間である。ボール:重量比は約10:1~40:1であり得るが、ボール:重量比は、好ましくは約20:1である。
<工程7:>
第2湿式スラリーである得られた第2混合物をオーブンにて第2乾燥温度で第2乾燥時間真空乾燥して、乾燥未加工Si@C/G/C材料を粉末として生成する。例えば、温度は、約70℃以上約150℃以下であり得る。好ましくは、温度は約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃または150℃である。最も好ましくは、温度は約80℃である。乾燥時間は、約6時間以上約18時間以下であり得る。好ましくは、乾燥時間は、約6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17または18時間である。最も好ましくは、乾燥時間は約12時間である。
第2湿式スラリーである得られた第2混合物をオーブンにて第2乾燥温度で第2乾燥時間真空乾燥して、乾燥未加工Si@C/G/C材料を粉末として生成する。例えば、温度は、約70℃以上約150℃以下であり得る。好ましくは、温度は約70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃または150℃である。最も好ましくは、温度は約80℃である。乾燥時間は、約6時間以上約18時間以下であり得る。好ましくは、乾燥時間は、約6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17または18時間である。最も好ましくは、乾燥時間は約12時間である。
<工程8:>
次に、乾燥未加工Si@C/G/C材料(粉末)を、例えばチューブ炉内にて不活性ガス、好ましくはアルゴンガスまたは窒素ガスまたはそれらの混合物流下で炭化し、生成されるSi@C/G/C材料を収集する。好ましくは、高温炭化として特徴付けることができる炭化のプロセスは、
乾燥未加工Si@C/G/C粉末を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)の保持温度に、毎分約5℃(または任意選択で約2℃以上約5℃以下)の漸進的上昇で加熱する工程、
Si@C/G/C粉末の保持温度を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)で約3時間(または任意選択で約2時間以上約5時間以下)維持する工程、
Si@C/G/C粉末をさらに約1000℃の第2炭化温度(または任意選択で、約900℃以上約1200℃以下の第2炭化温度、例えば、第2炭化温度は、約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃または1200℃であり得る)に、毎分約8℃(または任意選択で約5℃以上約10℃)の漸次的上昇で加熱する工程であって、第2炭化温度は上記炭化温度と同じであるか、または異なっていてもよく、第2炭化温度範囲は、上記炭素化温度範囲と同じであるか、または異なっていてもよい工程、
Si@C/G/C粉末を第2炭化温度で約5時間(または任意選択で約3時間以上約8時間以下)維持する工程、および
得られたSi@C材料を自然に室温まで冷却し、その間アルゴンガスのガス流量を安定に保つ工程を含む。
次に、乾燥未加工Si@C/G/C材料(粉末)を、例えばチューブ炉内にて不活性ガス、好ましくはアルゴンガスまたは窒素ガスまたはそれらの混合物流下で炭化し、生成されるSi@C/G/C材料を収集する。好ましくは、高温炭化として特徴付けることができる炭化のプロセスは、
乾燥未加工Si@C/G/C粉末を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)の保持温度に、毎分約5℃(または任意選択で約2℃以上約5℃以下)の漸進的上昇で加熱する工程、
Si@C/G/C粉末の保持温度を約400℃(または任意選択で約300℃以上約500℃以下)で約3時間(または任意選択で約2時間以上約5時間以下)維持する工程、
Si@C/G/C粉末をさらに約1000℃の第2炭化温度(または任意選択で、約900℃以上約1200℃以下の第2炭化温度、例えば、第2炭化温度は、約900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃または1200℃であり得る)に、毎分約8℃(または任意選択で約5℃以上約10℃)の漸次的上昇で加熱する工程であって、第2炭化温度は上記炭化温度と同じであるか、または異なっていてもよく、第2炭化温度範囲は、上記炭素化温度範囲と同じであるか、または異なっていてもよい工程、
Si@C/G/C粉末を第2炭化温度で約5時間(または任意選択で約3時間以上約8時間以下)維持する工程、および
得られたSi@C材料を自然に室温まで冷却し、その間アルゴンガスのガス流量を安定に保つ工程を含む。
<工程9:>
粉砕、好ましくは乾式ボールミル粉砕による最終粉砕の後、結果として生じる最終的なSi@C/G/C材料が得られる。乾式ボールミル粉砕の速度は、約300rpm以上約500rpmであり得るが、乾式ボールミル粉砕の速度は好ましくは約400rpmである。ボールミル粉砕の継続時間は約12~約48時間であり得るが、乾式ボールミル粉砕の継続時間は好ましくは約24時間である。得られた材料を均一にするために十分な継続時間と速度が必要であり、ボールミル粉砕ジャーには不活性ガス、例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどを充填する必要がある。
粉砕、好ましくは乾式ボールミル粉砕による最終粉砕の後、結果として生じる最終的なSi@C/G/C材料が得られる。乾式ボールミル粉砕の速度は、約300rpm以上約500rpmであり得るが、乾式ボールミル粉砕の速度は好ましくは約400rpmである。ボールミル粉砕の継続時間は約12~約48時間であり得るが、乾式ボールミル粉砕の継続時間は好ましくは約24時間である。得られた材料を均一にするために十分な継続時間と速度が必要であり、ボールミル粉砕ジャーには不活性ガス、例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどを充填する必要がある。
<工程10:>
Si@C/G/C材料は微小寸法の階層構造を示し、そこではカーボンがコーティングされたSiナノ粒子がグラファイトマトリックス上に均一に分布し、構造全体に第2カーボンコーティングが均一な導電性ネットワークを形成する。リチウムイオン電池用アノードを形成するために、Si@C/G/C材料、1つまたは複数のポリマーバインダー(例えば、CMC+SBR)、および導電剤(例えば、カーボンブラック)を(例えば、8:1:1)の割合で混合し、蒸留水中で均一に攪拌して均一なスラリーを形成し、清潔で平らな金属部材(例えば、銅箔)上にコーティングし、考察される例についてはSi@C/G/Cスラリーがコーティングされた銅箔が得られる。
Si@C/G/C材料は微小寸法の階層構造を示し、そこではカーボンがコーティングされたSiナノ粒子がグラファイトマトリックス上に均一に分布し、構造全体に第2カーボンコーティングが均一な導電性ネットワークを形成する。リチウムイオン電池用アノードを形成するために、Si@C/G/C材料、1つまたは複数のポリマーバインダー(例えば、CMC+SBR)、および導電剤(例えば、カーボンブラック)を(例えば、8:1:1)の割合で混合し、蒸留水中で均一に攪拌して均一なスラリーを形成し、清潔で平らな金属部材(例えば、銅箔)上にコーティングし、考察される例についてはSi@C/G/Cスラリーがコーティングされた銅箔が得られる。
Si@C/G/Cスラリーがコーティングされた銅箔を真空下で約12時間加熱乾燥しその後、乾燥Si@C/G/Cコーティングされた銅箔を切断・圧縮することによって、リチウムイオン電池用Si@C/Gを形成する。得られたSi@C/G/C構造の例示的な描写を図3に示す。
c)リチウムイオン電池(LIB)例
図4を参照すると、本明細書に開示された方法例の1つに従って製造されたアノードを含むリチウムイオン電池300(すなわち、リチウムイオンセル)例が示されている。
図4を参照すると、本明細書に開示された方法例の1つに従って製造されたアノードを含むリチウムイオン電池300(すなわち、リチウムイオンセル)例が示されている。
図4は、導電性材料で構成され、電気接点として機能できる、第1成分312および第2成分314を有するコイン・オン・コイン型リチウムイオン電池300を示している。しかしながら、電池300は、当技術分野で知られているように、任意のリチウムイオン電池構成に従って構成できることに留意されたい。第1成分312内またはそれに取り付けられているのは、本実施形態に従って作製されたアノード316であり、第2成分314内またはそれに取り付けられているのはカソード320であり、セパレーター318がアノード316とカソード320との間に配置されている。
絶縁体322は、アノード316が第1成分312とのみ導電接続し、カソード20が第2成分314とのみ導電接続することを確実にし、それによって第1成分312および第2成分314の両方との導電接触が電気回路を閉じ、アノード316およびカソード320での電気化学反応に起因して電流が流れることができる。コイン・オン・コインリチウムイオン電池構成ならびに他の電極および成分構成は当技術分野で周知であり、本発明に関するアノードは、当業者に明らかであるように、任意のタイプのリチウムイオン電池に簡単に構成できる。
電解質を使用するリチウムイオン電池構成例では、様々な電解質を使用できる。非限定的な電解質の例としては、例えば、プロピレンサルフェート(PS)およびアジポニトリル(AND)などの添加剤を有する、エチレンカーボネート(EC)/エチルメチルカーボネート(EMC)/エチルプロピオネート(EP)/フルオロエチレンカーボネート(FEC)の27:35:27:10(エチレンカーボネート(EC):エチルメチルカーボネート(EMC):エチルプロピオネート(EP):フルオロエチレンカーボネート(FEC))の重量比の混合物中の1.15MのLiPF6が挙げられる。
以下の実施例は、単に例示目的であり、本発明の範囲を限定するものではないより詳細な考察を提供する。
以下の例示的なアノードについて、アノードは、各実施例の製造された材料/粉末から固体電極として形成した。電極は、スラリーコーティングおよび乾燥法を使用して製造した。アノードを形成するために、活物質(例えば、Si@C/G/C、Si/C/G、Si/Gなど)、CMCとSBR(1つまたは複数のポリマーバインダーである)の混合物、およびカーボンブラック(導電剤である)を、約80以上96以下:1以上10以下:3以上10以下の割合で均一に混合し、蒸留水中で攪拌して均一なスラリーを形成し、清潔で平らな銅箔にコーティングして、スラリーがコーティングされた銅箔が得られる。スラリーがコーティングされた銅箔は、真空下で約12時間加熱することにより乾燥され、次いで、乾燥した活物質がコーティングされた銅箔が切断および圧縮され、それにより、リチウムイオン電池例で用いるアノードを形成する。
製造されたアノードは、コイン型ハーフCR2032セルとして提供されるリチウムイオン電池(すなわち、リチウムイオンセル)内に組み立てられ、NewareTM電池試験システム上で200mA/gの定電流密度で10mV~1.5V(vsLi/Li)の範囲内の電圧ウィンドウで定電流充放電測定を行った。使用した電解質としてはプロピレンサルフェート(PS)およびアジポニトリル(AND)などの添加剤を有する、エチレンカーボネート(EC)/エチルメチルカーボネート(EMC)/エチルプロピオネート(EP)/フルオロエチレンカーボネート(FEC)の27:35:27:10(エチレンカーボネート(EC):エチルメチルカーボネート(EMC):エチルプロピオネート(EP):フルオロエチレンカーボネート(FEC))の重量比の混合物中の1.15MのLiPF6が挙げられる。
<実施例1>
一実施形態例では、アノード(実施例1)を調製し、Si@C/G/C-1アノードとラベルを付けた。Si@C/G/C-1アノードは、溶媒として50mLのTHF(テトラヒドロフラン)と混合したサンドミル粉砕から得られた5.0gのナノシリコンと5.0gのピッチを用い、湿式ボールミル粉砕によって調製した。
一実施形態例では、アノード(実施例1)を調製し、Si@C/G/C-1アノードとラベルを付けた。Si@C/G/C-1アノードは、溶媒として50mLのTHF(テトラヒドロフラン)と混合したサンドミル粉砕から得られた5.0gのナノシリコンと5.0gのピッチを用い、湿式ボールミル粉砕によって調製した。
THF溶媒の体積で固体粉末を覆い湿式ボールミル粉砕中、混合物を希釈液体または粘性状態ではなく、粉砕中湿式スラリーとして維持した。溶媒の蒸発を防ぐために、粉砕プロセス全体で封止剤を必要とする。湿式ボールミル粉砕の間、THFの蒸発を防ぐために封止剤を使用した。ボールミル粉砕の速度は400rpmであり、ボールミル粉砕の継続時間は48時間であった。ボール対重量比は約20:1であった。得られたスラリーを80℃のオーブンで約12時間真空乾燥した。
次に、乾燥粉末をチューブ炉内にてアルゴンガス流下で炭化した。炭化のプロセスの間、乾燥粉末を約400℃の保持温度に、毎分約5℃の漸次的上昇で加熱した。乾燥粉末の保持温度を約400℃で約3時間維持した。乾燥粉末をさらに約1000℃の炭化温度に、毎分約8℃の漸次的上昇で加熱した。乾燥粉末の最終温度を1000℃で約5時間維持し、得られたSi@C材料を自然に室温まで冷却し、その間の時間アルゴンガスのガス流量を安定に保った。得られたSi@C材料を回収した。
次に、得られた5.0gのSi@C材料、15.0gのグラファイト及び5.0gのピッチを、溶媒としてTHF(50mL)を用いて湿式ボールミル粉砕した。THF溶媒の体積で固体粉末混合物を沈め、湿式ボールミル粉砕による粉砕中混合物を希釈液体または粘性状態ではなく湿式スラリーとして維持した。粉砕プロセスでは、THF溶媒の蒸発を防ぐために封止剤を使用した。ボールミル粉砕の速度は400rpmであり、ボールミル粉砕の継続時間は約48時間であった。ボール対重量比は約20:1であった。得られたスラリーを80℃のオーブンで約12時間真空乾燥した。
次に、回収した乾燥未加工Si@C/G/C粉末を、管状炉内にてアルゴンガス流下炭化した(第2炭化工程)。さらなる炭化のプロセスの間、乾燥未加工Si@C/G/C粉末を約400℃の保持温度に、毎分約5℃の漸次的上昇で加熱した。該Si@C/G/C粉末の保持温度を約400℃で約3時間維持した。乾燥Si@C/G/C粉末をさらに約1000℃の最終温度に、毎分約8℃の漸次的上昇で加熱した。Si@C/G/C粉末の最終温度を1000℃で約5時間維持し、得られたSi@C材料を自然に室温まで冷却し、その間の時間アルゴンガスのガス流量を安定に保った。得られたSi@C材料を回収した。
Si@C/G/C粉末を乾式ボールミル粉砕して均一な状態にし、得られたSi@C/G/C材料(粉末)を回収した。乾式ボールミル粉砕の速度は400rpmであり、乾式ボールミル粉砕の継続時間は約24時間であり、ボールミル粉砕ジャーをアルゴンガスで満たしていた。
図5はさらに得られたSi@C/G/C-1アノードのサイクル性能を示している。図5を参照すると、Si@C/G/C-1アノードは、400サイクルにわたって522.17mAh/gの平均可逆放電容量(つまり、比容量)をももたらした。初期クーロン効率(CE)は80.56%で、CEは25サイクル後99.0%を超え、400サイクル後容量の72.6%は維持される。これは、例えば200サイクル後83%の容量維持を達成した中国特許公開公報第108807861号(上記で検討)の図5と比較して有利である。
<実施例2>
比較アノード例(実施例2)を調製し、Si/C/G-1アノード(一度だけカーボンコーティングした)とラベルを付けた。Si/C/G-1アノードは、溶媒として50mLのTHF(テトラヒドロフラン)と完全に混合したサンドミル粉砕から得られた2.5gのナノシリコン、15.0gのグラファイトおよび7.5gのピッチを用い、湿式ボールミル粉砕によって調製し、得られたスラリーを真空乾燥した。回収した未加工のSi/C/G-1粉末をチューブ炉内で炭化し、最終的にSi/C/G-1粉末を均一な状態に乾式ボールミル粉砕した。
比較アノード例(実施例2)を調製し、Si/C/G-1アノード(一度だけカーボンコーティングした)とラベルを付けた。Si/C/G-1アノードは、溶媒として50mLのTHF(テトラヒドロフラン)と完全に混合したサンドミル粉砕から得られた2.5gのナノシリコン、15.0gのグラファイトおよび7.5gのピッチを用い、湿式ボールミル粉砕によって調製し、得られたスラリーを真空乾燥した。回収した未加工のSi/C/G-1粉末をチューブ炉内で炭化し、最終的にSi/C/G-1粉末を均一な状態に乾式ボールミル粉砕した。
図5は、得られたSi/C/G-1アノードのサイクル性能をさらに示している。図5を参照すると、Si/C/G-1アノードは、250サイクルにわたって平均487.56mAh/gの放電容量をもたらし、容量の維持は78.3%であった。この結果によってダブルカーボンコーティング(例えば、実施例1で使用したように)がアノードの電気化学的性能に有益であることを証明した。
<実施例3>
比較アノード例(実施例3)を調製し、Si@C/G/C-2アノードとラベルを付けた(ボールミル粉砕中溶媒なしで調製した)。Si@C/G/C-2アノードは、ボールミル粉砕工程で溶媒を使用せず、ボールミル粉砕中湿式スラリーを維持しなかったことを除いて、Si@C/G/C-1(実施例1)と同様に調製した。
比較アノード例(実施例3)を調製し、Si@C/G/C-2アノードとラベルを付けた(ボールミル粉砕中溶媒なしで調製した)。Si@C/G/C-2アノードは、ボールミル粉砕工程で溶媒を使用せず、ボールミル粉砕中湿式スラリーを維持しなかったことを除いて、Si@C/G/C-1(実施例1)と同様に調製した。
図6は、得られたSi@C/G-2アノードのサイクル性能を示している。図6を参照すると、放電容量は急速に低下し、維持容量は非常に低い。乾式ボールミル粉砕(すなわち、1つまたは複数の溶媒を使用しない)によってコーティングが不均一になるので、一部のシリコン粒子は直接電解質にさらされ、これらのコーティングされていないシリコン粒子が、実施例1と比較して、電気化学的性能の低下およびサイクル能力の低下につながると考えられている。
<実施例4および実施例5>
比較アノード例(実施例4)を調製し、Si/G-1アノード(炭素コーティングされていないが、グラファイトと混合したシリコン)とラベルを付けた。別の比較アノード例(実施例5)を調製し、Si-1アノード(炭素コーティングされておらず、グラファイトと混合していないベアシリコン)とラベルを付けた。
比較アノード例(実施例4)を調製し、Si/G-1アノード(炭素コーティングされていないが、グラファイトと混合したシリコン)とラベルを付けた。別の比較アノード例(実施例5)を調製し、Si-1アノード(炭素コーティングされておらず、グラファイトと混合していないベアシリコン)とラベルを付けた。
Si/G-1アノードは、エチレングリコール(50mL)と完全に混合したサンドミル粉砕から得られた5.0gのナノシリコンと20.0gのグラファイトを使用して湿式ボールミル粉砕によって調製し、乾燥後、回収した未加工Si/G粉末をその後実施例1の炭化工程と同様にチューブ炉内で熱処理した。Si/G粉末は最終的に均一な状態に乾式ボールミル粉砕した。それに対して、Si-1アノードは、サンドミル粉砕後のナノシリコンを単に回収した後に調製した。
図7は、得られたSi/G-1アノードと得られたSi-1アノードのサイクル性能を示している。図7を参照すると、Si/G-1アノードとSi-1アノードは、最初のサイクル中高い可逆容量を提供できるが、さらなるサイクル後可逆容量が急速に減少する。100サイクル後、容量の28.5%(Si/G-1アノード)と8.3%(Si-1アノード)しか維持されていない。Si-1アノード(ベアシリコン)の容量の急速な低下の理由は、体積が非常に大きく膨張するためであると考えられる。その一方で、例えば、Si/C/G-1アノード(実施例2)およびSi/G-1アノード(実施例4)については、炭素でコーティングされたシリコンは、シリコンの体積膨張を効果的に軽減し、アノードのサイクル寿命を延ばすことができる。
<実施例6及び実施例7>
比較アノード例(実施例6)を調製し、Si@C/G/C-3アノード(異なるアニール温度)とラベルを付けた。別の比較アノード例(実施例7)を調製し、Si@C/G/C-4アノード(異なるアニール温度)とラベルを付けた。
比較アノード例(実施例6)を調製し、Si@C/G/C-3アノード(異なるアニール温度)とラベルを付けた。別の比較アノード例(実施例7)を調製し、Si@C/G/C-4アノード(異なるアニール温度)とラベルを付けた。
Si@C/G/C-3およびSi@C/G/C-4アノードは、異なるアニール(すなわち焼結)温度を用いたことを除いて、Si@C/G/C-1アノード(実施例1)と同様に調製した。
実施例1に上述したように、Si@C/G/C-1アノードを製造するプロセス中、炭化中に用いたたアニール温度は1000℃であった。その一方で、Si@C/G/C-3アノードを製造するプロセス中、炭化中に用いたアニール温度は800℃であった。さらにその一方で、Si@C/G/C-4アノードを製造するプロセス中、炭化中に使用したアニール温度は600℃であった。異なるアノードを製造するための他のプロセス条件は同じであった。
図8は、得られたSi@C/G/C-3アノードと得られたSi@C/G/C-4アノードのサイクル性能を示している。図8を参照すると、Si@C/G/C-1アノード(実施例1)と比較して、Si@C/G/C-3アノードとSi@C/G/C-4アノードはより低い容量維持をもたらし、100サイクル後86.01%(Si@C/G/C-3アノード)および81.47%(Si@C/G/C-4アノード)、並びに250サイクル後71.4%(Si@C/G/C-3アノード)および40.65%(Si@C/G/C-4アノード)の容量維持をもたらした。十分に高くないアニール温度を用いると、炭素質材料を完全に炭化しないと考えられる。
d)多官能ポリマーバインダー
多官能(multi-functional)バインダー、特に比較的低コストの多官能ポリマーバインダーを設計および合成した。多官能ポリマーバインダーは、3D(3次元)ネットワーク構造、向上した導電性、および自己修復特性を有する。リチウムイオン電池用アノードの1つの適用例では、アノードの一部として多官能ポリマーバインダーを使用しようすることでアノードの、例えば、シリコンベースのアノードの、急速な容量減衰の問題になりかねない比較的低い導電性および大きな体積膨張に対処する際に役に立つ。多官能ポリマーバインダーについて、他の様々な適用例が可能であることは、当業者によって理解されるであろう。
多官能(multi-functional)バインダー、特に比較的低コストの多官能ポリマーバインダーを設計および合成した。多官能ポリマーバインダーは、3D(3次元)ネットワーク構造、向上した導電性、および自己修復特性を有する。リチウムイオン電池用アノードの1つの適用例では、アノードの一部として多官能ポリマーバインダーを使用しようすることでアノードの、例えば、シリコンベースのアノードの、急速な容量減衰の問題になりかねない比較的低い導電性および大きな体積膨張に対処する際に役に立つ。多官能ポリマーバインダーについて、他の様々な適用例が可能であることは、当業者によって理解されるであろう。
図9を参照すると、多官能ポリマーバインダーの製造方法900が示されている。方法900は、1つまたは複数の線状ポリマー910、1つまたは複数の導電性ポリマー920、1つまたは複数の自己修復性ポリマー930、および1つまたは複数のゴムポリマー940を混合して多官能ポリマーバインダー950を生成することを含む。
多官能ポリマーバインダー例の組成としては以下が挙げられる。
約20重量%以上約60重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数の線状ポリマー。好ましくは、1つまたは複数の線状ポリマーの重量パーセンテージは、約20重量%、25重量%、30重量%、35重量%、40重量%、45重量%、50重量%、55重量%、または60重量%である。好ましい例では、1つまたは複数の線状ポリマーの重量パーセンテージは約50重量%である。
約5重量%以上約20重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数の導電性ポリマー。好ましくは、1つまたは複数の導電性ポリマーの重量パーセンテージは、約5重量%、10重量%、15重量%または20重量%である。好ましい例では、1つまたは複数の導電性ポリマーの重量パーセンテージは約10重量%である。
約10重量%以上約20重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数の自己修復性ポリマー。好ましくは、1つまたは複数の自己修復性ポリマーの重量パーセンテージは、約10重量%、15重量%、または20重量%である。好ましい例では、1つまたは複数の自己修復性ポリマーの重量パーセンテージは、約10重量%である。または
約10重量%以上約40重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数のゴムポリマー。好ましくは、1つまたは複数のゴムポリマーの重量パーセンテージは、約10重量%、15重量%、20重量%、25重量%、30重量%、35重量%、または40重量%である。好ましい例では、1つまたは複数のゴムポリマーの重量パーセンテージは、約30重量%である。
約20重量%以上約60重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数の線状ポリマー。好ましくは、1つまたは複数の線状ポリマーの重量パーセンテージは、約20重量%、25重量%、30重量%、35重量%、40重量%、45重量%、50重量%、55重量%、または60重量%である。好ましい例では、1つまたは複数の線状ポリマーの重量パーセンテージは約50重量%である。
約5重量%以上約20重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数の導電性ポリマー。好ましくは、1つまたは複数の導電性ポリマーの重量パーセンテージは、約5重量%、10重量%、15重量%または20重量%である。好ましい例では、1つまたは複数の導電性ポリマーの重量パーセンテージは約10重量%である。
約10重量%以上約20重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数の自己修復性ポリマー。好ましくは、1つまたは複数の自己修復性ポリマーの重量パーセンテージは、約10重量%、15重量%、または20重量%である。好ましい例では、1つまたは複数の自己修復性ポリマーの重量パーセンテージは、約10重量%である。または
約10重量%以上約40重量%以下の重量パーセンテージの1つまたは複数のゴムポリマー。好ましくは、1つまたは複数のゴムポリマーの重量パーセンテージは、約10重量%、15重量%、20重量%、25重量%、30重量%、35重量%、または40重量%である。好ましい例では、1つまたは複数のゴムポリマーの重量パーセンテージは、約30重量%である。
驚くべきことに、本発明者らは、シリコン/グラファイト/カーボン材料(例えば、Si@C/G/C)と混合してリチウムイオン電池用アノードを製造すると、本明細書に記載の多官能バインダーはシリコン含有アノードのサイクル寿命(サイクル性能)と、得られるリチウムイオン電池のクーロン効率の少なくとも1つを高めることを見出した。
本発明者らは、いずれか1つの理論に縛られることなく、サイクル寿命およびクーロン効率の向上は、本発明の多官能ポリマーバインダーが、製造されたアノードのシリコン/グラファイト/カーボン材料全体に実質的に均一に分布するためであると考える。いずれか1つの理論に縛られることなく、本発明者らは、多官能ポリマーバインダーが、製造されたアノード中のシリコン/グラファイト/カーボン材料と混和性または相溶性であり、実質的に均一な分布およびSBR移行の回避をもたらすと考える。
特定の例では、線状ポリマーのヒドロキシル基、アミン基、またはカルボキシル基;導電性ポリマーのイミノ基またはスルホン酸基;自己修復性ポリマーの尿素基は架橋されて剛性かつ柔軟性の鎖で構成される3Dネットワークを形成し、アノードの所望の機械的特性と接着力を高める。
いずれか1つの理論に拘束されることなく、本発明者らはまた、いくつかの実施形態では、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマー架橋を引き起こすことによってスラリーが加熱される場合、有機酸、好ましくはクエン酸の添加によって製造されたアノードのシリコン/グラファイト/カーボン材料全体にわたって本発明のバインダーの分布を改善できることを見出した。架橋された多官能ポリマーバインダーは、電極の表面へのゴムポリマーの移行を防止または改善し、それによって、より均一な三次元構造を提供する。
好ましい線状ポリマーとしては、例えば、カルボキシメチルセルロースナトリウム(CMC)、ポリアクリル酸(PAA)、ポリアクリル酸リチウム(LiPAA)、ポリビニルアルコール(PVA)、クエン酸(CA)、アルギン酸ナトリウム(SA)、2-ペンテン酸、2-メタクリル酸、またはキトサン(CS)が挙げられる。
好ましい導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン(PANI)、ナトリウムポリ[9,9-ビス(3-プロパノエート)フロリン](PFCOONa)、ポリ(1-ピレンメチルメタクリレート-co-メタクリル酸)(PPyMAA)、ポリピロール(PPY)または3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレン-4-スルホネート(PEDOT:PSS)が挙げられる。
好ましい自己修復性ポリマーとしては、例えば、尿素-ピリミジノン(UPy)、ドーパミンメタクリルアミド(DMA)、およびドーパミン(DA)が挙げられる。
好ましいゴムポリマーとしては、例えば、スチレンブタジエンゴム(SBR)、ネオプレン、ニトリルゴム、ブチルシリコーンゴム、またはポリサルファイドゴムが挙げられる。好ましい実施形態では、ゴムポリマーは、スチレンブタジエンゴム(SBR)およびその誘導体である。
いくつかの実施形態では、1つまたは複数の線状ポリマーは、20,000~1,000,000ダルトンの重量平均分子量を有する。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、20,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、50,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、100,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、500,000~550,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は520,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は50,000~150,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、数平均分子量は、100,000~200,000ダルトンである。
いくつかの実施形態では、1つまたは複数の導電性ポリマーは、20,000~1,000,000ダルトンの重量平均分子量を有する。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、20,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、50,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、100,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、500,000~550,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は520,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は50,000~150,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、数平均分子量は、100,000~200,000ダルトンである。
いくつかの実施形態では、1つまたは複数の自己修復性ポリマーは、20,000~1,000,000ダルトンの重量平均分子量を有する。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、20,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、50,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態にでは、重量平均分子量は、100,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、500,000~550,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は520,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は50,000~150,000ダルトンである。いくつかの実施形態において、数平均分子量は、100,000~200,000ダルトンである。
いくつかの実施形態では、1つまたは複数のゴムポリマーは、20,000~1,000,000ダルトンの重量平均分子量を有する。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、20,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、50,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、100,000~600,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は、500,000~550,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は520,000ダルトンである。いくつかの実施形態では、重量平均分子量は50,000~150,000ダルトンである。いくつかの実施形態において、数平均分子量は、100,000~200,000ダルトンである。
特定の実施形態では、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマーおよび/または1つまたは複数のゴムポリマーはブロックコポリマーである。特定の実施形態では、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマーおよび/または1つまたは複数のゴムポリマーはランダムコポリマーである
e)リチウムイオン電池用バインダーを有するアノードの製造
さらなる例示的な実施形態では、リチウムイオン電池用アノード例は、例えば本明細書に開示される多官能バインダー、好ましくは多官能ポリマーバインダーも含む。
さらなる例示的な実施形態では、リチウムイオン電池用アノード例は、例えば本明細書に開示される多官能バインダー、好ましくは多官能ポリマーバインダーも含む。
上述した調製されたままのアノード材料の電気化学的性能は、電極構造を改善することによってさらに向上した。本明細書に開示されるような多官能バインダーは、アノードの一部として使用できる。多官能バインダーは、3D(3次元)ネットワーク構造、向上した導電率、および自己修復特性を備えており、急速な容量減衰の問題につながるリチウムイオン電池(LIB)用のシリコンベースのアノードの比較的低い導電率と大きな体積膨張に対処する。
図10を参照すると、リチウムイオン電池用アノードの製造方法1000が示されている。工程1010は、シリコン/グラファイト/カーボン材料、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーを混合して、スラリーを生成することを含む。シリコン/グラファイト/カーボン材料は、先に開示された、Si@C/G/CもしくはSi/C/G粉末材料例であり得るか、または未加工のシリコン(Si)、グラファイト(G)およびカーボン(C)の混合物(活物質)であり得る。任意選択で、工程1010はまた、スラリーの一部として導電剤を混合することを含み得る。導電剤は、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ナノカーボン繊維、または導電性スラリーとしてのそれらの混合物であってよい。工程1020は、金属部材、例えば、金属箔、ストリップ、またはグリッド上にスラリーをコーティングすることを含む。工程1030は、コーティングされたスラリーを含む金属部材を乾燥させてアノードを形成することを含む。
以下に、そして図11を参照して、リチウムイオン電池用多官能ポリマーバインダーを含むアノードのさらなる非限定的な製造方法例1100が提供される。
<工程1110:>
1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーを本明細書に記載の重量パーセンテージおよび質量比(線状ポリマー:導電性ポリマー:自己修復性ポリマー:ゴムポリマー)で量り分ける。
1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーを本明細書に記載の重量パーセンテージおよび質量比(線状ポリマー:導電性ポリマー:自己修復性ポリマー:ゴムポリマー)で量り分ける。
<工程1120:>
シリコン/グラファイト/カーボン材料は、先に開示された、Si@C/G/CもしくはSi/C/G粉末材料例であり得るか、または未加工のシリコン(Si)、グラファイト(G)およびカーボン(C)の混合物(活物質)であり得る、を導電剤(例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ナノカーボンファイバー、または導電性スラリーとしてのそれらの混合物)および多官能ポリマーバインダーと約80以上96以下:1以上10以下:3以上10以下の質量比(活物質:導電材:多官能ポリマーバインダー)で均一に混合する。好ましくは、質量比(活物質:導電剤:多官能ポリマーバインダー)は、約80:10:10、約85:10:5、約85:9:6、約85:8:7、約85:7:8、約85:6:9、約85:5:10、約90:7:3、約90:6:4、約90:5:5、約90:4:6、約90:3:7、約90:2:8、約90:1:9、約95:2:3、約95:1:4、または約96:1:3である。最も好ましくは、質量比(活物質:導電剤:多官能ポリマーバインダー)は約80:10:10である。
シリコン/グラファイト/カーボン材料は、先に開示された、Si@C/G/CもしくはSi/C/G粉末材料例であり得るか、または未加工のシリコン(Si)、グラファイト(G)およびカーボン(C)の混合物(活物質)であり得る、を導電剤(例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ナノカーボンファイバー、または導電性スラリーとしてのそれらの混合物)および多官能ポリマーバインダーと約80以上96以下:1以上10以下:3以上10以下の質量比(活物質:導電材:多官能ポリマーバインダー)で均一に混合する。好ましくは、質量比(活物質:導電剤:多官能ポリマーバインダー)は、約80:10:10、約85:10:5、約85:9:6、約85:8:7、約85:7:8、約85:6:9、約85:5:10、約90:7:3、約90:6:4、約90:5:5、約90:4:6、約90:3:7、約90:2:8、約90:1:9、約95:2:3、約95:1:4、または約96:1:3である。最も好ましくは、質量比(活物質:導電剤:多官能ポリマーバインダー)は約80:10:10である。
いくつかの実施形態では、多官能ポリマーバインダーは、導電剤を必要としないように十分に導電性である。これらの実施形態では、シリコン/グラファイト/カーボン材料、および1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマーおよび1つまたは複数のゴムポリマーの混合組み合わせを、約80~99:1~20、85~99:1~15、90~99:1~10、95~99:1~5、96:4、97:3、98:2または99:1の質量比(シリコン/グラファイト/カーボン材料:ポリマーの混合組み合わせ)で混合する。
混合時間は約2時間以上約5時間以下であり得る。好ましくは、混合時間は約2時間、3時間、4時間または5時間である。最も好ましくは、混合時間は約2時間である。
<工程1130:>
得られたスラリーは、金属部材、例えば、金属箔、ストリップまたはグリッド、好ましくは銅箔として提供される銅部材上にコーティングするが、これは、清潔で平らに保たなければならない。他の金属部材は、例えば、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、金、銀でできている場合がある。
得られたスラリーは、金属部材、例えば、金属箔、ストリップまたはグリッド、好ましくは銅箔として提供される銅部材上にコーティングするが、これは、清潔で平らに保たなければならない。他の金属部材は、例えば、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、金、銀でできている場合がある。
<工程1140:>
アノード材料のスラリーでコーティングされた得られた金属部材(例えば、銅箔)は、真空オーブン内で、特定の乾燥温度で特定の乾燥時間乾燥する。例えば、乾燥温度は、約100℃以上約180℃以下であり得る。好ましくは、温度は、約100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、または180℃である。最も好ましくは、温度は約100℃である。乾燥時間は、約10時間以上約18時間以下であり得る。好ましくは、乾燥時間は約10、11、12、13、14、15、16、17または18時間である。最も好ましくは、乾燥時間は約12時間である。
アノード材料のスラリーでコーティングされた得られた金属部材(例えば、銅箔)は、真空オーブン内で、特定の乾燥温度で特定の乾燥時間乾燥する。例えば、乾燥温度は、約100℃以上約180℃以下であり得る。好ましくは、温度は、約100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、または180℃である。最も好ましくは、温度は約100℃である。乾燥時間は、約10時間以上約18時間以下であり得る。好ましくは、乾燥時間は約10、11、12、13、14、15、16、17または18時間である。最も好ましくは、乾燥時間は約12時間である。
<工程1150:>
その後生成された乾燥複合材料を、組み立てられたリチウムイオン電池(すなわち、リチウムイオンセル)のアノードとして使用される前に圧縮する。
その後生成された乾燥複合材料を、組み立てられたリチウムイオン電池(すなわち、リチウムイオンセル)のアノードとして使用される前に圧縮する。
<実施例8>
一実施形態例では、アノード(実施例8)を調製し、Si@C/G/C-5アノード(すなわち、多官能ポリマーバインダーを有する「5:1」アノード)とラベルを付けた。
一実施形態例では、アノード(実施例8)を調製し、Si@C/G/C-5アノード(すなわち、多官能ポリマーバインダーを有する「5:1」アノード)とラベルを付けた。
Si@C/G/C-1アノード(実施例1)でCMC(線状ポリマー)およびSBR(ゴムポリマー)を含むバインダーを用いたが、Si@C/G/C-5アノード(実施例8)でCMC(線状ポリマー)、PPY(導電性ポリマー)、DAおよび/またはUOAA(自己修復性ポリマー)、およびSBR(ゴムポリマー)を含む多官能ポリマーバインダーを用いたことを除いてSi@C/G/C-1アノード(実施例1)と同じ方法を使用してSi@C/G/C-5アノードを調製した。他の条件は、アノードを調製する際と同じであった。
Si@C/G/C-5アノードは、40:20:20:20のポリマーの質量比(CMC:PPY:DA/UOAA:SBR)を使用して調製した。使用した導電剤は、スイスのTIMCAL Graphite&CarbonからSuperPTMの商品名で販売されているカーボンブラックの一種であった。次に、活物質、導電剤および多官能ポリマーバインダーを、80:10:10の質量比(Si@C/G/C:導電剤:多官能ポリマーバインダー)、2時間の混合時間で混合した。得られたスラリーを銅箔にコーティングし、これを清潔で平らに保った。得られたアノード材料のスラリーでコーティングされた銅箔を、真空オーブン内で100℃の乾燥温度で12時間乾燥した。次に、生成された乾燥複合材料を圧縮し、組み立てられたリチウムイオン電池のアノードとして使用した。
図12(a)は、Si@C/G/C-5アノードとラベルを付けたLSCRバインダーを有するアノード例(実施例2)のサイクル性能を示している。Si@C/G/C-5アノードは、250サイクルにわたって約525.7mAh/gの平均可逆放電容量をもたらした。CEは13サイクル後99.0%を超え、100サイクル後95.35%の容量を維持でき、250サイクル後89.2%の容量を維持したため、標準のCMC:SBRを用いたSi@C/G/C-1アノード(実施例1)に比べて電気化学的性能が向上している。図12(b)は、400サイクルにわたるSi@C/G/C-5アノードとラベルを付けたLSCRバインダーを有するアノード例のサイクル性能を示している。400サイクル後も82.8%の容量を維持した。これは、LSCRバインダーを有するSi@C/G/C-1アノード(実施例1)と比較して400サイクルにわたって電気化学的性能が向上している。
任意の実施形態はまた、本明細書で参照または示される部分、要素、工程および/または特徴を、個別に、または2つ以上の部品、要素、工程および/または特徴の任意の組み合わせで広く含むと言うことができ、そこでは本発明が関係する当技術分野で既知の同等物を有する特定の整数が言及されており、こうした既知の同等物は、個別に記載されているかのように本明細書に組み込まれるとみなされる。
好ましい実施形態を詳細に説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく、多くの修正、変更、置換、または変化が当業者には明らかであることを理解されたい。
Claims (29)
- リチウムイオン電池用アノードの製造方法であって、
ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリーとして維持される工程、
前記混合物を炭化温度で炭化して、カーボンで薄くコーティングされたシリコン(Si@C)材料を生成する工程、
前記Si@C材料、グラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕する工程であって、前記第2混合物が粉砕中第2湿式スラリーとして維持される工程、
前記第2混合物を第2炭化温度で炭化してSi@C/グラファイト/カーボン材料を生成する工程、および
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料から前記アノードを形成する工程を含む、方法。 - 前記混合物を炭化する前にさらに前記湿式スラリーを乾燥温度で乾燥させる工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2混合物を炭化する前にさらに前記第2湿式スラリーを第2乾燥温度で乾燥させる工程を含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記混合物が湿式ボールミル粉砕によって粉砕される、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノシリコンおよび前記1つまたは複数の炭素質材料が約40:60以上約70:30以下の質量比(ナノシリコン:炭素質材料)で混合される、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノシリコンの平均粒径が約50nm以上約500nm以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の溶媒が、トルエン、キシレン、キノリン、ピリジン、テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の炭素質材料が、官能化グラフェンプレートレット、カーボンナノチューブ(CNT)、還元型酸化グラフェン(rGO)、グルコースの前駆体に由来する熱分解炭素、スクロースまたはクリティック酸(CA)、ピッチ、ポリアクリロニトリル(PAN)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリ(ジアリルジメチルアンモニウムクロリド)(PDDA)、ポリ(4-スチレンスルホン酸ナトリウム)(PSS)、ポリドーパミン(PDA)、ポリピロール(PPy)およびフェノール樹脂から成る群から選択される、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記グラファイトが合成フレークグラファイトまたはグラファイト微小球である、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記グラファイト微小球が、約1μm以上約20μm以下の平均寸法を有する、請求項9に記載の方法。
- 前記湿式スラリーがオーブン内で真空乾燥される、請求項1~10のいずれかに記載の方法。
- 前記混合物の炭化がチューブ炉内にて不活性ガス流下で起こる、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記炭化温度が約900℃以上約1200℃以下である、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記混合物が前記炭化温度で約3時間以上約8時間以下の間炭化される、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記炭化温度に達する前に前記混合物が前記炭化温度未満の保持温度で保持される、請求項1~14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記Si@C材料、前記グラファイトおよび前記1つまたは複数の第2炭素質材料が約10以上30以下:40以上80以下:10以上30以下の質量比(Si@C材料:グラファイト:第2炭素質材料)で混合される、請求項1~15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の第2溶媒がトルエン、キシレン、キノリン、ピリジン、テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、ジオキサン、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、t-ブタノール、酢酸エチル、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム、ジクロロメタン四塩化炭素、エチレングリコール(EG)、プロピレングリコール、ポリアクリル酸、またはそれらの混合物から成る群から選択される、請求項1~16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2混合物の炭化がチューブ炉内にて不活性ガス流下で起こる、請求項1~17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2炭化温度が約900℃以上約1200℃以下である、請求項1~18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2混合物が、前記第2炭化温度で、約3時間以上約8時間以下の間炭化される、請求項1~19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2炭化温度に達する前に前記第2混合物が前記第2炭化温度未満の第2保持温度で保持される、請求項1~20のいずれか一項に記載の方法。
- さらに前記Si@C/グラファイト/カーボン材料を粉砕することを含む、請求項1~21のいずれか一項に記載の方法。
- さらに前記Si@C/グラファイト/カーボン材料を1つまたは複数のポリマーバインダーと混合することを含む、請求項1~22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つまたは複数のポリマーバインダーとしては、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーが挙げられる、請求項23に記載の方法。
- 前記アノードが
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料と前記1つまたは複数のポリマーバインダーを混合してスラリーを生成し、
前記スラリーを金属部材にコーティングし、
前記コーティングされたスラリーを含む金属部材を乾燥させて該アノードを形成することによって形成される、請求項23または請求項24に記載の方法。 - リチウムイオン電池用アノードの製造方法であって、
マイクロシリコンと1つまたは複数の不活性溶媒を混合して湿式スラリー混合物を生成する工程、および
前記マイクロシリコンと前記1つまたは複数の不活性溶媒の前記湿式スラリー混合物を粉砕してナノシリコンを得る工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリー混合物として維持される工程、
前記ナノシリコン、1つまたは複数の炭素質材料および1つまたは複数の溶媒の混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記混合物が湿式スラリーとして維持される工程、
前記混合物を炭化温度で炭化して、カーボン(Si@C)材料でコーティングされたシリコンを生成する工程、
前記Si@C材料、グラファイト、1つまたは複数の第2炭素質材料および1つまたは複数の第2溶媒の第2混合物を粉砕する工程であって、粉砕中前記第2混合物が第2湿式スラリーとして維持される工程、
前記第2混合物を第2炭化温度で炭化して、Si@C/グラファイト/カーボン材料を生成する工程、
前記Si@C/グラファイト/カーボン材料、1つまたは複数の線状ポリマー、1つまたは複数の導電性ポリマー、1つまたは複数の自己修復性ポリマー、および1つまたは複数のゴムポリマーを混合してスラリーを生成する工程、
スラリーを金属部材上にコーティングする工程、および
前記コーティングされたスラリーを有する金属部材を乾燥させて該アノードを形成する工程を含む、方法。 - 請求項1~26のいずれか一項に記載の方法により製造されたリチウムイオン電池用アノード。
- Si@C/グラファイト/カーボン材料を含むリチウムイオン電池用アノード。
- 請求項27または請求項28に記載のアノード、
カソード、および
前記アノードと前記カソードの間に配置された電解質および/またはセパレーターを含むリチウムイオン電池。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AU2019904719 | 2019-12-13 | ||
AU2019904719A AU2019904719A0 (en) | 2019-12-13 | Anode for lithium-ion battery | |
PCT/AU2020/051356 WO2021113919A1 (en) | 2019-12-13 | 2020-12-11 | Anode for lithium-ion battery and method of fabricating same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023505307A true JP2023505307A (ja) | 2023-02-08 |
Family
ID=76328781
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022535732A Pending JP2023505592A (ja) | 2019-12-13 | 2020-12-11 | アノード用多官能ポリマーバインダーおよびその製造方法 |
JP2022534248A Pending JP2023505307A (ja) | 2019-12-13 | 2020-12-11 | リチウムイオン電池用アノードおよびその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022535732A Pending JP2023505592A (ja) | 2019-12-13 | 2020-12-11 | アノード用多官能ポリマーバインダーおよびその製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20230016124A1 (ja) |
EP (2) | EP4073853A4 (ja) |
JP (2) | JP2023505592A (ja) |
KR (2) | KR20220150887A (ja) |
CN (2) | CN115088098A (ja) |
AU (2) | AU2020402734B2 (ja) |
BR (2) | BR112022011672A2 (ja) |
CA (2) | CA3160943A1 (ja) |
WO (2) | WO2021113919A1 (ja) |
ZA (2) | ZA202206330B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113921821B (zh) * | 2021-10-08 | 2024-06-14 | 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所) | 一种锂电池自愈合聚合物粘接剂的制备方法和应用 |
US20230147558A1 (en) * | 2021-11-09 | 2023-05-11 | Microvast Power Systems Co., Ltd. | Negative electrode material and method of preparing the same |
CN114275823B (zh) * | 2021-12-15 | 2024-02-13 | 欣旺达惠州动力新能源有限公司 | 一种中空纳米球复合材料、其制备方法和锂电池 |
WO2023150822A1 (en) * | 2022-02-09 | 2023-08-17 | Sicona Battery Technologies Pty Ltd | Silicon composite materials |
WO2024107687A1 (en) * | 2022-11-14 | 2024-05-23 | Birla Carbon U.S.A., Inc. | Masterbatch compositions comprising carbon black and graphene |
CN116790194A (zh) * | 2023-06-15 | 2023-09-22 | 恩平市盈嘉丰胶粘制品有限公司 | 一种锂电池耐高温异型胶带及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103396500B (zh) * | 2013-08-07 | 2016-08-17 | 中国科学院广州能源研究所 | 天然高分子衍生物-导电聚合物水性复合粘结剂及其应用 |
JP6432520B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2018-12-05 | 三菱ケミカル株式会社 | 非水系二次電池負極用炭素材、それを用いた非水系二次電池用負極及び非水系二次電池 |
KR20160008041A (ko) * | 2014-07-11 | 2016-01-21 | 오씨아이 주식회사 | 이차전지용 음극활물질 및 이의 제조방법 |
CN104559173B (zh) * | 2015-01-15 | 2017-02-22 | 上海理工大学 | 一种自修复高分子材料及其制备方法和应用 |
EP3133690A1 (en) * | 2015-07-20 | 2017-02-22 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Silicon-carbon composite particulate material |
US10680289B2 (en) * | 2016-04-07 | 2020-06-09 | StoreDot Ltd. | Buffering zone for preventing lithium metallization on the anode of lithium ion batteries |
JP7021198B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2022-02-16 | イメリス グラファイト アンド カーボン スイッツァランド リミティド | 組成物、負極、電池、使用する方法、及び装置 |
CN108807861B (zh) * | 2017-05-03 | 2021-11-30 | 安普瑞斯(南京)有限公司 | 一种用于锂离子电池的硅碳复合材料及其制备方法 |
CN107785560B (zh) * | 2017-11-15 | 2020-07-21 | 国联汽车动力电池研究院有限责任公司 | 一种高性能硅碳负极材料及其制备方法 |
CN109103441A (zh) * | 2018-09-10 | 2018-12-28 | 江苏塔菲尔新能源科技股份有限公司 | 含硅基材料的改性复合材料、其制备方法及在锂离子电池的用途 |
CN109411757A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-03-01 | 天能电池集团有限公司 | 一种锂离子电池硅基负极用粘结剂及其制备方法和应用 |
CN110104652A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-09 | 西安翱宇科技管理咨询合伙企业(有限合伙) | 一种纳米硅粉的球磨制备方法 |
-
2020
- 2020-12-11 KR KR1020227024035A patent/KR20220150887A/ko active Search and Examination
- 2020-12-11 US US17/783,973 patent/US20230016124A1/en active Pending
- 2020-12-11 WO PCT/AU2020/051356 patent/WO2021113919A1/en active Application Filing
- 2020-12-11 CA CA3160943A patent/CA3160943A1/en active Pending
- 2020-12-11 BR BR112022011672A patent/BR112022011672A2/pt unknown
- 2020-12-11 CN CN202080096438.8A patent/CN115088098A/zh active Pending
- 2020-12-11 AU AU2020402734A patent/AU2020402734B2/en active Active
- 2020-12-11 CA CA3161490A patent/CA3161490A1/en active Pending
- 2020-12-11 BR BR112022011670A patent/BR112022011670A2/pt unknown
- 2020-12-11 EP EP20897690.2A patent/EP4073853A4/en active Pending
- 2020-12-11 EP EP20900415.9A patent/EP4073854A4/en active Pending
- 2020-12-11 JP JP2022535732A patent/JP2023505592A/ja active Pending
- 2020-12-11 CN CN202080096671.6A patent/CN115088099A/zh active Pending
- 2020-12-11 AU AU2020402723A patent/AU2020402723B2/en active Active
- 2020-12-11 KR KR1020227023846A patent/KR20220150277A/ko active Search and Examination
- 2020-12-11 JP JP2022534248A patent/JP2023505307A/ja active Pending
- 2020-12-11 WO PCT/AU2020/051357 patent/WO2021113920A1/en active Application Filing
- 2020-12-11 US US17/784,447 patent/US20230006204A1/en active Pending
-
2022
- 2022-06-07 ZA ZA2022/06330A patent/ZA202206330B/en unknown
- 2022-06-07 ZA ZA2022/06329A patent/ZA202206329B/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230016124A1 (en) | 2023-01-19 |
WO2021113920A1 (en) | 2021-06-17 |
AU2020402734A1 (en) | 2021-12-23 |
JP2023505592A (ja) | 2023-02-09 |
CA3160943A1 (en) | 2021-06-17 |
US20230006204A1 (en) | 2023-01-05 |
ZA202206329B (en) | 2023-11-29 |
EP4073853A1 (en) | 2022-10-19 |
WO2021113919A1 (en) | 2021-06-17 |
KR20220150277A (ko) | 2022-11-10 |
AU2020402734B2 (en) | 2022-05-26 |
KR20220150887A (ko) | 2022-11-11 |
EP4073853A4 (en) | 2024-02-28 |
CN115088099A (zh) | 2022-09-20 |
BR112022011670A2 (pt) | 2022-09-06 |
CA3161490A1 (en) | 2021-06-17 |
AU2020402723B2 (en) | 2022-06-02 |
EP4073854A1 (en) | 2022-10-19 |
ZA202206330B (en) | 2023-11-29 |
CN115088098A (zh) | 2022-09-20 |
EP4073854A4 (en) | 2024-04-03 |
BR112022011672A2 (pt) | 2022-09-06 |
AU2020402723A1 (en) | 2021-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2023505307A (ja) | リチウムイオン電池用アノードおよびその製造方法 | |
Li et al. | Recent progress on silicon-based anode materials for practical lithium-ion battery applications | |
KR102480641B1 (ko) | 실리콘계 음극재료, 그 제조방법 및 리튬이온전지에서의 용도 | |
JP6317811B2 (ja) | 繊維状炭素を含む非水電解質二次電池用電極合剤層、それを含む非水電解質二次電池用電極及び非水電解質二次電池 | |
JP2012501515A (ja) | 複合電極材料と、この材料を含む電池の電極と、この電極を有するリチウム電池 | |
US9981993B2 (en) | Manufacturing method of carbon-silicon composite | |
US10211449B2 (en) | Battery electrode and method | |
TW201212362A (en) | Negative-electrode active material for lithium secondary cell | |
KR102323025B1 (ko) | 리튬 이차전지용 음극판 및 이를 포함한 리튬 이차전지 | |
Xu et al. | Enhanced electrochemical performance of core-shell Li4Ti5O12/PTh as advanced anode for rechargeable lithium-ion batteries | |
KR20150142832A (ko) | 리튬설퍼 전지용 양극조성물, 이를 포함하는 리튬설퍼 전지용 양극 및 이의 제조 방법 | |
Ramdhiny et al. | Design of multifunctional polymeric binders in silicon anodes for lithium‐ion batteries | |
KR101591712B1 (ko) | 리튬이차전지 음극용 바인더 | |
KR101519979B1 (ko) | 리튬이온이차전지용 음극 조성물 | |
TWI434453B (zh) | Modification of artificial graphite as a lithium battery anode material preparation method | |
US20210104735A1 (en) | Anode active material for lithium ion battery, anode for lithium ion battery and lithium ion battery | |
TWI810978B (zh) | 鋰離子電池陽極的製備方法 | |
KR20140117314A (ko) | 리튬이차전지용 음극 조성물 | |
WO2023192432A1 (en) | Compositions and methods for preparing battery electrodes | |
JP2024078455A (ja) | 負極活物質、その製造方法、及びこれを含むリチウム二次電池 | |
KR20180021529A (ko) | 음극의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231204 |