JP2023504359A - サイズの異なるセルを使用したsipm - Google Patents
サイズの異なるセルを使用したsipm Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023504359A JP2023504359A JP2022528653A JP2022528653A JP2023504359A JP 2023504359 A JP2023504359 A JP 2023504359A JP 2022528653 A JP2022528653 A JP 2022528653A JP 2022528653 A JP2022528653 A JP 2022528653A JP 2023504359 A JP2023504359 A JP 2023504359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cells
- area
- photodetector
- adc
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 12
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
- G01S7/4863—Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
- G01S17/93—Lidar systems specially adapted for specific applications for anti-collision purposes
- G01S17/931—Lidar systems specially adapted for specific applications for anti-collision purposes of land vehicles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2019年12月9日に出願された米国特許出願第16/707,127号の利益を主張し、上記特許出願の内容を参照により本明細書に援用する。
SiPMは、電気的に並列に接続された単一光子アバランシェダイオード(SPAD)のアレイを含む。SPADは、ガイガーモードで動作するように設計された単一光子感応デバイスである。いくつかの動作シナリオ(例えば、低照度動作)では、比較的少数の光子(例えば、10光子のオーダー)を検出するとき、SiPMの応答が実質的に線形であることが望ましい場合がある。所望の応答およびダイナミックレンジを提供するために、例示的な実施形態は、比較的大きな(例えば、約30ミクロンのエッジ長を有する)光検出器の中心近くに配置された1つ以上の「大面積」セル、および比較的小さい(例えば、約10ミクロンのエッジ長を有する)、光検出器のエッジの近くの「小面積」セルを含み得る。いくつかの実施形態では、「大面積」セルは、「小面積」セルの同様の活性領域と比較して、より高い感度を提供することができる。一方、「小面積」セルは、「大面積」セルと比較して改善されたダイナミックレンジを提供するのに役立つ可能性がある。なぜならば、「小面積」セルは、「ブルーミング」に対する耐性が高い、および/またはより迅速なセル回復時間を提供し得るからである。
図1は、例示的な実施形態による、デバイス100を示す。デバイス100は、一次平面112を規定する基板110を含む。一次平面112は、基板110の表面(例えば、前面)に沿った平面であり得るか、または一次平面112は、基板110内の平面であることができる。いくつかの実施形態では、基板110は、シリコン基板(例えば、シリコンウェーハ)、ガリウムヒ素基板(例えば、GaAsウェーハ)などの半導体基板材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、基板110は、シリコンオンインシュレータ(SOI)材料またはプリント回路基板(PCB)を含むことができる。代替的に、基板110は、様々な他の堅固なおよび/または可撓性の材料から形成することができ、それらの各々が本開示で企図される。
図3は、例示的な実施形態による、光検出および測距(ライダー)システム300を示す。いくつかの実施形態では、ライダーシステム300は、車両に結合され、車両が自律もしくは半自律モードにあるとき、または車両が完全自律車両であるときなど、車両の動作において使用され得る。
図5A、5B、5C、5D、および5Eは、例示的な実施形態による、車両500を示す。いくつかの実施形態では、車両500は、半自律または完全自律車両であってもよい。図5A、5B、5C、5D、および5Eは、車両500を自動車(例えば、乗用バン)として示しているが、車両500は、センサおよびその環境に関する他の情報を使用してその環境内で航行するように構成された別のタイプの自律型車両、ロボット、またはドローンを含むことができることが理解されよう。車両500は、例えば、自動車、トラック、トラクタートレーラー、倉庫ロボット、配送ロボット、または自律型ブルドーザーなどの建設機械であり得る。
Claims (20)
- デバイスであって、
一次平面を規定する基板と、
前記一次平面に沿って配置された複数の光検出器セルであって、前記複数の光検出器セルは、少なくとも1つの大面積セルおよび少なくとも1つの小面積セルを含み、前記大面積セルは第1の面積を有し、前記小面積セルは第2の面積を有し、前記第1の面積は前記第2の面積よりも大きい、光検出器セルと、
前記複数の光検出器セルに結合された読み出し回路であって、前記読み出し回路は、前記複数の光検出器セルによって検出された入射光に基づいて出力信号を提供するように構成されている、読み出し回路と、を含む、デバイス。 - 前記複数の光検出器セルの各光検出器セルが、単一光子アバランシェダイオード(SPAD)を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 各SPADがガイガー動作モードで動作させられる、請求項2に記載のデバイス。
- 前記読み出し回路が各SPADのそれぞれのクエンチング回路を含み、それぞれの前記クエンチング回路がクエンチング抵抗器を含む、請求項2に記載のデバイス。
- 前記複数の光検出器セルと前記読み出し回路との組み合わせが、少なくとも1つのソリッドステート、多要素、単一光子検出器を規定する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数の光検出器セルと前記読み出し回路との組み合わせが、少なくとも1つのシリコン光電子増倍管(SiPM)を規定する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数の光検出器セルが、並列配置で電気的に結合されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の面積は、15ミクロン~50ミクロンの第1のエッジ長または第1の直径に基づいており、前記第2の面積は、2ミクロン~15ミクロンの第2のエッジ長または第2の直径に基づいている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数の光検出器セルは、前記基板の裏面を通過する入射光によって照射されるように構成されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数の光検出器セルが、正方形アレイまたは六角形アレイのうちの少なくとも1つに従って配置されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記読み出し回路が、
前記大面積セルに結合された少なくとも1つの増幅器と、
前記小面積セルに結合された少なくとも1つの増幅器と、を含む、請求項1に記載のデバイス。 - 前記読み出し回路が、
前記大面積セルに結合された少なくとも1つのアナログ-デジタルコンバータ(ADC)と、
前記小面積セルに結合された少なくとも1つのADCであって、前記大面積セルに結合されたADCは第1の12ビットADCであり、前記大面積セルに結合されたADCは第2の12ビットADCであり、前記読み出し回路は、前記第1の12ビットADCの出力と前記第2の12ビットADCの出力を組み合わせて出力信号を形成するように構成されており、前記出力信号は、前記光検出器セルによって受信される光の16ビット表現を含む、少なくとも1つのADCと、を含む、請求項1に記載のデバイス。 - 前記複数の光検出器セルの光検出器セルまたは光検出器セルのグループの上に配置された少なくとも1つのマイクロレンズをさらに含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つの大面積セルおよび前記少なくとも1つの小面積セルの位置が、前記入射光の所定のビーム強度プロファイルに基づいて選択される、請求項1に記載のデバイス。
- 光検出および測距(ライダー)システムであって、
少なくとも1つの発光体デバイスと、
受信機サブシステムと、を含み、前記受信機サブシステムが、
複数の光検出器セルであって、前記複数の光検出器セルは、少なくとも1つの大面積セルおよび少なくとも1つの小面積セルを含み、前記大面積セルは第1の面積を有し、前記小面積セルは第2の面積を有し、前記第1の面積は前記第2の面積よりも大きい、複数の光検出器セルと、
前記複数の光検出器セルに結合された読み出し回路であって、前記読み出し回路は、前記複数の光検出器セルによって検出された入射光に基づいて出力信号を提供するように構成されている、読み出し回路と、を含む、光検出および測距(ライダー)システム。 - 複数のアパーチャを含むアパーチャアレイであって、前記それぞれの光検出器セルおよび前記アパーチャアレイが、複数の受信機チャネルを画定するように整列させられており、各受信機チャネルが、前記複数のアパーチャのそれぞれのアパーチャに光学的に結合された光検出器セルのそれぞれのグループを含む、アパーチャアレイをさらに含む、請求項15に記載のライダーシステム。
- 前記読み出し回路が、
前記大面積セルに結合された少なくとも1つのアナログ-デジタルコンバータ(ADC)と、
前記小面積セルに結合された少なくとも1つのADCであって、前記大面積セルに結合されたADCは第1の12ビットADCであり、前記小面積セルに結合されたADCは第2の12ビットADCであり、前記読み出し回路は、前記第1の12ビットADCの出力と前記第2の12ビットADCの出力を組み合わせて出力信号を形成するように構成されており、前記出力信号は、前記光検出器によって受信される光の16ビット表現を含む、少なくとも1つのADCと、を含む、請求項15に記載のライダーシステム。 - 車両であって、
少なくとも1つの光検出および測距(ライダー)システムと、
少なくとも1つの発光体デバイスと、
受信機サブシステムと、を含み、前記受信機サブシステムが、
複数の光検出器セルであって、前記複数の光検出器セルは、少なくとも1つの大面積セルおよび少なくとも1つの小面積セルを含み、前記大面積セルは第1の面積を有し、前記小面積セルは第2の面積を有し、前記第1の面積は前記第2の面積よりも大きい、複数の光検出器セルと、
前記複数の光検出器セルに結合された読み出し回路であって、前記読み出し回路は、前記複数の光検出器セルによって検出された入射光に基づいて出力信号を提供するように構成されている、読み出し回路と、を含む、車両。 - 前記読み出し回路が、
前記大面積セルに結合された少なくとも1つの第1の12ビットアナログ-デジタルコンバータ(ADC)と、
前記小面積セルに結合された少なくとも1つの第2の12ビットADCと、を含む、請求項18に記載の車両。 - 前記読み出し回路が、前記第1の12ビットADCの出力と前記第2の12ビットADCの出力とを組み合わせて出力信号を形成するように構成されており、前記出力信号が、前記光検出器によって受信される光の16ビット表現を含む、請求項19に記載の車両。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/707,127 US11346924B2 (en) | 2019-12-09 | 2019-12-09 | SiPM with cells of different sizes |
US16/707,127 | 2019-12-09 | ||
PCT/US2020/060607 WO2021118757A1 (en) | 2019-12-09 | 2020-11-13 | Sipm with cells of different sizes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023504359A true JP2023504359A (ja) | 2023-02-03 |
Family
ID=76209913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022528653A Pending JP2023504359A (ja) | 2019-12-09 | 2020-11-13 | サイズの異なるセルを使用したsipm |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11346924B2 (ja) |
EP (1) | EP4066285A4 (ja) |
JP (1) | JP2023504359A (ja) |
CN (1) | CN114830356A (ja) |
WO (1) | WO2021118757A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230333213A1 (en) * | 2022-04-13 | 2023-10-19 | Allegro Microsystems, Llc | Detector having parallax compensation |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001527295A (ja) * | 1997-12-18 | 2001-12-25 | シメージ オーワイ | モジュール構造のイメージング装置 |
US20110147567A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Slemens Medical Solutions USA, Inc. | SiPM Photosensor With Early Signal Digitization |
US20130009267A1 (en) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Providing Variable Cell Density and Sizes in a Radiation Detector |
WO2017094362A1 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2017117834A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電変換素子 |
JP2018530176A (ja) * | 2015-07-08 | 2018-10-11 | ザ コモンウェルス オブ オーストラリアThe Commonwealth Of Australia | Spadアレイ構造及び動作方法 |
WO2019106429A2 (en) * | 2017-11-28 | 2019-06-06 | Innoviz Technologies Ltd. | Lidar systems and methods |
WO2019131122A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、距離計測装置、及び製造方法 |
JP2019530215A (ja) * | 2016-09-23 | 2019-10-17 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 積層背面照射型spadアレイ |
JP2019190892A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光装置及び測距装置 |
JP2019197833A (ja) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型半導体光検出装置 |
JP2019535014A (ja) * | 2016-09-20 | 2019-12-05 | イノヴィズ テクノロジーズ リミテッド | Lidarシステム及び方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5218211A (en) * | 1991-10-23 | 1993-06-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | System for sampling the sizes, geometrical distribution, and frequency of small particles accumulating on a solid surface |
US6137100A (en) * | 1998-06-08 | 2000-10-24 | Photobit Corporation | CMOS image sensor with different pixel sizes for different colors |
TW475330B (en) * | 1999-10-29 | 2002-02-01 | Hewlett Packard Co | Photosensor array with multiple different sensor areas |
JP2002139304A (ja) | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Honda Motor Co Ltd | 距離測定装置、及び距離測定方法 |
WO2004100200A2 (en) | 2003-05-01 | 2004-11-18 | Yale University | Solid state microchannel plate photodetector |
WO2005048319A2 (en) | 2003-11-06 | 2005-05-26 | Yale University | Large-area detector |
WO2006083349A2 (en) | 2004-11-19 | 2006-08-10 | Science & Engineering Services, Inc. | Enhanced portable digital lidar system |
US7821553B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-10-26 | International Business Machines Corporation | Pixel array, imaging sensor including the pixel array and digital camera including the imaging sensor |
ATE500621T1 (de) | 2006-04-25 | 2011-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Implementierung von lawinenfotodioden in (bi) cmos-verfahren |
GB2447264A (en) | 2007-03-05 | 2008-09-10 | Sensl Technologies Ltd | Optical position sensitive detector |
WO2008129433A2 (en) | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Photodiodes and fabrication thereof |
WO2009019659A2 (en) | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Silicon photomultiplier readout circuitry |
CN101884087B (zh) | 2007-09-04 | 2013-11-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 硅光电倍增管能量分辨率 |
WO2010018475A2 (en) | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method and apparatus for detecting low and high x-ray flux |
WO2010080048A1 (en) | 2009-01-11 | 2010-07-15 | Popova Elena Viktorovna | Semiconductor geiger mode microcell photodiode (variants) |
WO2011015206A1 (en) | 2009-08-03 | 2011-02-10 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Highly efficient cmos technology compatible silicon photoelectric multiplier |
IT1399075B1 (it) | 2010-03-23 | 2013-04-05 | St Microelectronics Srl | Metodo di rilevazione di posizioni di fotoni che impingono su un fotodiodo a valanga geiger-mode, relativi fotodiodi a valanga geiger-mode e processo di fabbricazione |
US8605862B2 (en) * | 2010-09-27 | 2013-12-10 | General Electric Company | Digital X-ray detector with increased dynamic range |
DE102011005746A1 (de) * | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Robert Bosch Gmbh | Messvorrichtung zur mehrdimensionalen Vermessung eines Zielobjekts |
US20140167200A1 (en) | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Agency For Science, Technology And Research | Photodetector and method for forming the same |
GB2509545A (en) | 2013-01-08 | 2014-07-09 | Isis Innovation | Photo detector comprising SPAD cell array |
US9372286B2 (en) | 2013-04-11 | 2016-06-21 | Omnivision Technologies, Inc. | Method of forming dual size microlenses for image sensors |
US20150054997A1 (en) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Aptina Imaging Corporation | Image sensors having pixel arrays with non-uniform pixel sizes |
WO2015157341A1 (en) | 2014-04-07 | 2015-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High resolution, high frame rate, low power image sensor |
JP2017163023A (ja) | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | 光検出器およびこれを用いた被写体検知システム |
US10624593B2 (en) | 2017-10-04 | 2020-04-21 | General Electric Company | Systems for a photomultiplier |
-
2019
- 2019-12-09 US US16/707,127 patent/US11346924B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-13 JP JP2022528653A patent/JP2023504359A/ja active Pending
- 2020-11-13 CN CN202080085119.7A patent/CN114830356A/zh active Pending
- 2020-11-13 EP EP20899260.2A patent/EP4066285A4/en active Pending
- 2020-11-13 WO PCT/US2020/060607 patent/WO2021118757A1/en unknown
-
2022
- 2022-05-02 US US17/661,687 patent/US11874402B2/en active Active
-
2023
- 2023-11-29 US US18/522,719 patent/US20240094358A1/en active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001527295A (ja) * | 1997-12-18 | 2001-12-25 | シメージ オーワイ | モジュール構造のイメージング装置 |
US20110147567A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Slemens Medical Solutions USA, Inc. | SiPM Photosensor With Early Signal Digitization |
US20130009267A1 (en) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Providing Variable Cell Density and Sizes in a Radiation Detector |
JP2018530176A (ja) * | 2015-07-08 | 2018-10-11 | ザ コモンウェルス オブ オーストラリアThe Commonwealth Of Australia | Spadアレイ構造及び動作方法 |
WO2017094362A1 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2017117834A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電変換素子 |
JP2019535014A (ja) * | 2016-09-20 | 2019-12-05 | イノヴィズ テクノロジーズ リミテッド | Lidarシステム及び方法 |
JP2019530215A (ja) * | 2016-09-23 | 2019-10-17 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 積層背面照射型spadアレイ |
WO2019106429A2 (en) * | 2017-11-28 | 2019-06-06 | Innoviz Technologies Ltd. | Lidar systems and methods |
WO2019131122A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、距離計測装置、及び製造方法 |
JP2019190892A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光装置及び測距装置 |
JP2019197833A (ja) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型半導体光検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4066285A4 (en) | 2023-11-29 |
US11346924B2 (en) | 2022-05-31 |
EP4066285A1 (en) | 2022-10-05 |
US11874402B2 (en) | 2024-01-16 |
US20220260689A1 (en) | 2022-08-18 |
US20240094358A1 (en) | 2024-03-21 |
WO2021118757A1 (en) | 2021-06-17 |
CN114830356A (zh) | 2022-07-29 |
US20210173052A1 (en) | 2021-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2021202295B2 (en) | Lidar with co-aligned transmit and receive paths | |
CN111164452B (zh) | 用于光检测和测距的系统和方法 | |
CN211014630U (zh) | 激光雷达设备及机动车系统 | |
US20240094358A1 (en) | SiPM with Cells of Different Sizes | |
US11867808B2 (en) | Waveguide diffusers for LIDARs | |
JP7420927B2 (ja) | モノリシックシリコン光電子増倍管アレイ | |
US20210349192A1 (en) | Hybrid detectors for various detection range in lidar | |
US20220155457A1 (en) | LIDAR Transmitter and Receiver Optics | |
US11693100B2 (en) | Light detector and distance measuring device | |
JP2021148477A (ja) | 光検出器及び距離計測装置 | |
US20210382190A1 (en) | Programmable SiPM Arrays | |
CN112752984B (zh) | 用于lidar的波导扩散器 | |
CN115706176B (zh) | 光电探测器、设备及存储介质 | |
US20220260682A1 (en) | Lens for lidar assembly | |
CN118284827A (zh) | 基于物体距离的lidar系统检测压缩 | |
CN114690339A (zh) | 具有用于减少串扰的滤光器和挡板的Lidar接收器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220628 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231219 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240326 |