JP2023503702A - キャッピング層を含む発光デバイスおよびそれを製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
複数の層を有する光電子デバイスであって、第１のＣＰＬ材料を含み、第１の開始波長を特徴とする第１の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成された第１の発光領域内に配設された第１のキャッピング層（ＣＰＬ）と、第２のＣＰＬ材料を含み、第２の開始波長を特徴とする第２の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成された第２の発光領域内に配設された第２のＣＰＬと、を含み、第１のＣＰＬおよび第１のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）１）のうちの少なくとも１つが、第１の開始波長よりも短い第１の吸収端波長での第１の吸収端を示し、第２のＣＰＬおよび第２のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）２）のうちの少なくとも１つが、第２の開始波長よりも短い第２の吸収端波長での第２の吸収端を示す、光電子デバイス。【選択図】図１
Description
関連出願
本出願は、２０１９年１２月２４日に出願された米国仮特許出願第６２／９５３，４４２号の優先権の利益を主張し、これの内容は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０１９年１２月２４日に出願された米国仮特許出願第６２／９５３，４４２号の優先権の利益を主張し、これの内容は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本開示は、光電子デバイスに関し、特に、各々が半導電性層によって分離された第１および第２の電極を含み、発光領域によって生じた発光スペクトル波長範囲に合わせて変調された光学特性を有するキャッピング層を有する、多重発光領域を有する光電子デバイスに関する。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導電性層が、アノードおよびカソードなどの一対の電極間に配設されている。アノードおよびカソードは、電源に電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導電性層を通って互いに向かって移動する正孔および電子を生じさせる。正孔および電子の対が組み合わされるとき、光子が放出される場合がある。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含み得、その各々は、関連付けられた対の電極を有する。そのようなパネルの様々な層およびコーティングは、通常、真空ベースの堆積技法によって形成されている。
いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセス中に、電極および／またはそれに電気的に結合された導電性要素などであるがこれらに限定されない、デバイス特徴部を形成するための導電性コーティングの選択的堆積によって、パネルの横側面および断面側面のいずれかまたは両方にわたって、パネルの各（サブ）ピクセルに対して、あるパターンで、導電性コーティングおよび／または電極コーティングを提供することが望ましい場合がある。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な用途では、電極材料および／またはそれに電気的に結合された導電性要素の堆積中のファインメタルマスク（ＦＭＭ）の挿入を伴う。しかしながら、電極として典型的に使用される材料は、比較的高い蒸発温度を有し、これは、ＦＭＭを再利用する能力、および／または達成され得るパターンの精度に影響を及ぼし、それに付随して、コスト、労力、および複雑さが増加する。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な例では、電極材料を堆積させることと、その後、レーザー穿孔プロセスによることを含む、その不要な領域を除去して、パターンを形成することと、を伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、破片の作成および／または存在を伴い、製造プロセスの収率に影響する場合がある。
さらに、そのような方法は、いくつかの用途における、および／または特定の形態的特徴部を有するいくつかのデバイスとの使用に好適ではない場合がある。
いくつかの用途では、各々が光電子デバイスによって放出された波長スペクトルに合わせて変調された光学特徴を有する多重発光領域を有する光電子デバイスを提供することが望ましい場合がある。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を取り除くまたは軽減することである。
本開示は、複数の層を有する光電子デバイスを開示する。第１のキャッピング層（ＣＰＬ）は、第１のＣＰＬ材料を含み、第１の発光領域内に配設される。第２のＣＰＬは、第２のＣＰＬ材料を含み、第２の発光領域内に配設される。第１の発光領域は、第１の開始波長を特徴とする第１の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成される。第２の発光領域は、第２の開始波長を特徴とする第２の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成される。第１のＣＰＬおよび第１のＣＰＬ材料（総称して「ＣＰＬ（ｍ）１」）のうちの少なくとも１つは、第１の開始波長よりも短い第１の吸収端波長での第１の吸収端を示す。第２のＣＰＬおよび第２のＣＰＬ材料（総称して「ＣＰＬ（ｍ）２」）のうちの少なくとも１つは、第２の開始波長よりも短い第２の吸収端波長での第２の吸収端を示す。
本開示の広い態様によれば、複数の層を有する光電子デバイスであって、第１のキャッピング層（ＣＰＬ）を含み、第１の発光領域内に配設された第１のＣＰＬであって、第１の発光領域が、第１の開始波長を特徴とする第１の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第１のキャッピング層と、第２のＣＰＬ材料を含み、第２の発光領域内に配設された第２のＣＰＬであって、第２の発光領域が、第２の開始波長を特徴とする第２の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第２のＣＰＬと、を含み、第１のＣＰＬおよび第１のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）１）のうちの少なくとも１つが、第１の開始波長よりも短い第１の吸収端波長での第１の吸収端を示し、第２のＣＰＬおよび第２のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）２）のうちの少なくとも１つが、第２の開始波長よりも短い第２の吸収端波長での第２の吸収端を示す、光電子デバイス、を開示している。
いくつかの非限定的な例では、第１の開始波長は、第２の開始波長よりも短くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の吸収端波長は、第２の吸収端波長よりも短い。
いくつかの非限定的な例では、第１の吸収端は、ＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数ｋが閾値に等しい第１の吸光波長を特徴とし得、第２の吸収端が、ＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数が閾値に等しい第２の吸光波長を特徴とし得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の開始波長は、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、約５ｎｍ、および約３ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ第１の吸収端波長よりも長くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の吸光波長は、ＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数が閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、波長の関数としてのＣＰＬ（ｍ）の吸光係数の一次導関数は、第１の吸光波長で負であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の吸光波長よりも長い波長でのＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数は、閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の吸光波長よりも長いすべての波長でのＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数は、閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の開始波長よりも長い任意の波長でのＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数は、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の吸収端波長よりも短い波長でのＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数は、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）１の屈折率は、第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長でのＣＰＬ（ｍ）の屈折率は、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の開始波長は、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎのうちの少なくとも１つ未満だけ第２の吸収端波長よりも長くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の吸光波長は、ＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数が閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、波長の関数としてのＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数の一次導関数は、第２の吸光波長で負であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の吸光波長よりも長い波長でのＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数は、閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の吸光波長よりも長いすべての波長でのＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数は、閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の開始波長よりも長い任意の波長でのＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数は、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の吸収端波長よりも短い波長でのＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数は、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）２の屈折率は、第２の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）２の屈折率を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長でのＣＰＬ（ｍ）２の屈折率は、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数は、第２の開始波長で閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数は、第２の波長スペクトルにおけるすべての波長で閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長スペクトルにおける任意の波長でのＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数は、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０５、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．００１のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）１の屈折率は、第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）２の屈折率は、第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）２の屈折率を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長スペクトルの少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）１の屈折率は、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルの少なくとも１つの波長でのＣＰＬ（ｍ）２の屈折率は、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数は、第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数は、第１の波長スペクトルにおけるあらゆる波長についてのＣＰＬ（ｍ）１の吸光係数を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、閾値は、０．１、０．０９、０．０８、０．０６、０．０５、０．０３、０．０１、０．００５、および０．００１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域および第２の発光領域は、横側面においてデバイスの異なる領域を占領し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルおよび第２の波長スペクトルは、可視スペクトルに位置する。いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルは、第１のピーク波長を有し得、第２の波長スペクトルは、第１のピーク波長よりも長い第２のピーク波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の開始波長は、第１の波長スペクトルの強度が第１のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．０１％のうち少なくとも１つであり得る少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の開始波長は、第２の波長スペクトルの強度が第２のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．０１％のうち少なくとも１つであり得る少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルは、Ｂ（青）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の波長スペクトルは、Ｒ（赤）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルは、Ｂ（青）である色に対応し得、第２の波長スペクトルは、Ｇ（緑）およびＲ（赤）のうちの少なくとも１つである色に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルは、Ｇ（緑）である色に対応し得、第２の波長スペクトルは、Ｒ（赤）である色に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ材料は、第２のＣＰＬ材料とは異なる組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬの厚さは、第２のＣＰＬの厚さと同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬの厚さは、第２のＣＰＬの厚さとは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬの厚さは、約５～約１２０ｎｍの範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬの厚さは、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎｍのうちの少なくとも１つを超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬの厚さは、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬの厚さは、約５ｎｍ～約１２０ｎｍの範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬの厚さは、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎのうちの少なくとも１つを超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬの厚さは、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第１の発光領域および第２の発光領域内に少なくとも１つの電極コーティングをさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬは、少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬは、少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの電極コーティングは、第１の発光領域内に第１の電極厚さを有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの電極コーティングは、第２の発光領域内に第２の電極厚さを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極厚さは、第２の電極厚さよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の電極厚さを第２の電極厚さで除算したものの商は、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の電極厚さは、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極厚さは、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極厚さは、第１の電極厚さよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極厚さを第１の電極厚さで除算したものの商は、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の電極厚さは、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極厚さは、約ｔｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの電極コーティングは、金属コーティング、および金属コーティングの露出層表面上に配設された導電性コーティングを含み得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、金属コーティングと第２の発光領域内の第２のＣＰＬとの間に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬは、第１の発光領域内の金属コーティングの露出層表面上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、金属コーティングと第１の発光領域内の第１のＣＰＬとの間に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティングは、金属コーティング材料で構成され得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、少なくとも１０ｋＪ／モル、少なくとも５０ｋＪ／モル、少なくとも１００ｋＪ／モル、少なくとも１５０ｋＪ／モル、少なくとも１８０ｋＪ／モル、および少なくとも２００ｋＪ／モルのうちの少なくとも１つの、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、約１．４、約１．３、および約１．２のうちの少なくとも１つよりも小さい電気陰性度を有する元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのネイのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちのいずれか１つから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、純粋な金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、純粋な金属は、純粋な銀（Ａｇ）および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、純粋な金属は、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、純粋な金属は、純粋なアルミニウム（Ａｌ）および実質的に純粋なＡｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティングは、酸素（Ｏ）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティングは、Ｏおよび少なくとも１つの金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティングは、金属酸化物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属酸化物は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属酸化物は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＣＯは、インジウムチタン酸化物（ＩＴＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティングは、金属コーティング材料の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の金属コーティング材料は、複数の層のうちの第２の層の金属コーティング材料とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの少なくとも１つの金属コーティング材料は、イッテルビウム（Ｙｂ）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの別の層の金属コーティング材料は、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの別の層の金属コーティング材料は、純粋な銀（Ａｇ）、実質的に純粋な（Ａｇ）、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、実質的に純粋なＭｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣの近位にある複数の層のうちの１つの金属コーティング材料は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの少なくとも１つは、約４ｅＶ未満である仕事関数を有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、導電性コーティング材料で構成され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料は、３００ｋＪ／モル未満、２００ｋＪ／モル未満、１６５ｋＪ／モル未満、１５０ｋＪ／モル未満、１００ｋＪ／モル未満、５０ｋＪ／モル未満、および２０ｋＪ／モル未満の、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、イットリウム（Ｙ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料は、純粋な金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、純粋な金属は、純粋な銀（Ａｇ）、および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、純粋な金属は、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、銀（Ａｇ）含有合金、マグネシウム（Ｍｇ）含有合金、およびＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、非金属元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つから選択され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料中の非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および約０．００００００１％のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、半導電性層をさらに含み得、少なくとも１つの電極コーティングが、半導電性層と第１の発光領域内の第１のＣＰＬとの間、および半導電性層と第２の発光領域内の第２のＣＰＬとの間に延在する。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬおよび第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つは、導電性コーティングをパターン化するための核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬは、第１の発光領域内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬは、少なくとも１つの電極コーティングと第１の発光領域内の第２のＣＰＬとの間に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬは、少なくとも１つの電極コーティングと第１の発光領域内の第１のＣＰＬとの間に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬは、第２の発光領域内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬは、少なくとも１つの電極コーティングと第２の発光領域内の第２のＣＰＬとの間に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬは、少なくとも１つの電極コーティングと第２の発光領域内の第１のＣＰＬとの間に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第３の開始波長を特徴とする第３の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成された第３の発光領域をさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の波長スペクトルは、第２の波長スペクトルの第２のピーク波長よりも短く、第１の波長スペクトルの第１のピーク波長よりも長い第３のピーク波長を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の波長スペクトルは、Ｂ（青）である色に対応し得、第２の波長スペクトルは、Ｇ（緑）である色に対応し得、第３の波長スペクトルは、Ｒ（赤）である色に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬおよび第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つは、第３の発光領域内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬは、第３の発光領域内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬおよび第３のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）３）のうちの少なくとも１つは、第３の開始波長よりも短い第３の吸収端波長で第３の吸収端を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の吸収端は、ＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数が閾値に等しい第３の吸光波長を特徴とし得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の開始波長は、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ吸収端波長よりも長くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の吸光波長は、ＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数が閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である。いくつかの非限定的な例では、波長の関数としてのＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数の一次導関数は、第３の吸光波長で負であり得る。いくつかの非限定的な例では、第３の吸光波長よりも長い波長でのＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数は、閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の吸光波長よりも長いすべての波長でのＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数は、閾値よりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の開始波長よりも長い任意の波長でのＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数は、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の吸収端波長よりも短い波長でのＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数は、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）３の屈折率は、第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についてのＣＰＬ（ｍ）３の屈折率を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長でのＣＰＬ（ｍ）３の屈折率は、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３の発光領域には、第１のＣＰＬおよび第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが実質的になくてもよい。
実施例は、それらを実施することができる本開示の態様と併せて上述している。当業者は、実施例が、それらが説明されている態様と併せて実施され得るが、その態様または別の態様の他の実施例とともに実施されてもよいことを理解するであろう。実施例が相互に排他的である、または他の点で互いに不適合であるとき、それは、当業者には明らかであろう。いくつかの実施例は、１つの態様に関係して説明され得るが、当業者には明らかであるように、他の態様にも適用可能であり得る。
本開示のいくつかの態様または実施例は、それぞれのキャッピング層（ＣＰＬ）を堆積させるそれぞれの発光スペクトルを有する第１および第２の発光領域を有する光電子デバイスを提供することができ、この光学特性は、下にある発光領域の少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を修正するために選択され得る。ＣＰＬは、ＣＰＬにその後に堆積される導電性コーティングが実質的にないように、基部表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率よりも実質的に小さい、その表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率を有するパターニングコーティングを含み得る。
ここで、本開示の例を、以下の図を参照することによって説明し、異なる図中の同一の参照番号は、同一の要素、ならびに／またはいくつかの非限定的な例では、類似するおよび／もしくは対応する要素を示している。
本開示では、限定ではなく解説の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース、および／または技法を含むがこれらに限定されない、本開示の完全な理解を提供するために特定の詳細が記述されている。場合によっては、本開示の説明を不必要な詳細で曖昧にしないように、よく知られているシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、および用途の詳細な説明が省略されている。
さらに、本明細書で再現されたブロック図は、技術の原理を具体化する例示的な構成要素の概念図を表し得ることが理解されよう。
したがって、システムおよび方法の構成要素は、図面中の従来の記号によって適切に表されており、本明細書における説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細で本開示を曖昧にしないように、本開示の例を理解することに関連するこれらの特定の詳細のみを示している。
本明細書で提供されるいかなる図面も、縮尺どおりに描かれているものではなく、いかなる方法でも本開示を制限するとみなされるものではない。
破線のアウトラインで示す任意の特徴または作用は、いくつかの例では任意選択としてみなされる場合がある。
光電子デバイス
本開示は概して、電子デバイス、およびより具体的には光電子デバイスに関する。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、およびその逆に変換する任意のデバイスを包含する。
本開示は概して、電子デバイス、およびより具体的には光電子デバイスに関する。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、およびその逆に変換する任意のデバイスを包含する。
本開示では、「光子」および「光」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。本開示では、光子は、その赤外線（ＩＲ）および／または紫外線（ＵＶ）領域において、可視光スペクトルに位置する波長を有し得る。
本開示では、本明細書で使用される「可視光スペクトル」という用語は、一般に、電磁スペクトルの可視部分における少なくとも１つの波長を指す。いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルは、約３８０ｎｍ～約７５０ｎｍの波長範囲に対応し得る。
本開示では、本明細書で使用され、波長（λ）の関数としての強度（Ｉ）のプロットとして図３２に非限定的な例として示される「発光スペクトル」（ＥＳ）という用語は、一般に、光電子デバイスによって放出された光のエレクトロルミネッセンススペクトルを指す。非限定的な例として、発光スペクトル（ＥＳ）は、非限定的な例として、波長範囲にわたる電磁放射の強度（Ｉ）を測定する分光光度計などの光学機器を使用して検出され得る。
本開示では、本明細書で使用され、図３２に非限定的な例として示される「開始波長」λｏｎｓｅｔという用語は、一般に、発光が発光スペクトル内で検出される最も短い波長を指す。
本開示では、本明細書で使用され、図３２に非限定的な例として示される「ピーク波長」λｍａｘという用語は、一般に、発光スペクトル内で最大輝度が検出される波長を指す。当業者は、輝度がカンデラ（ｃｄ）（平方面積当たりの光度の測定値）の単位で、ｃｄ／ｍ２の単位またはニットで測定することができることを理解するであろう。発光スペクトルが視角（すなわち、発光スペクトルが測定される角度）によって変わる光電子デバイスのいくつかの非限定的な例では、デバイスの平面に対して垂直な角度で取られた発光スペクトルは、最大輝度および／またはそのピーク波長λｍａｘを含むがこれらに限定されない、発光の様々な特徴を決定するために使用することができる。
一般に、開始波長λｏｎｓｅｔは、ピーク波長λｍａｘよりも短い波長で発生する。いくつかの非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、一般に、図３２の非限定的な例として示されるように、輝度が閾値強度（Ｉｏｎｓｅｔ）にある発光スペクトル内の波長に対応し得、これは、いくつかの非限定的な例では、ピーク波長λｍａｘでの輝度の約１０％、約５％、約３％、約１％、約０．５％、約０．１％、または約０．０１％であり得る。
一般に、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５ｎｍ～約７２５ｎｍの範囲における波長を有する光、およびより具体的には、いくつかの非限定的な例では、それぞれ、Ｂ（青）２５４３、Ｇ（緑）２５４２、およびＲ（赤）２５４１サブピクセルに対応する４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、および６２４ｎｍのピーク発光波長を有する光を放出ならびに／もしくは透過するように構成されている。したがって、そのようなエレクトロルミネセントデバイスの文脈において、発光スペクトルは、約４２５ｎｍ～約７２５ｎｍ、または約４５６ｎｍ～約６２４ｎｍの任意の波長もしくは波長範囲を指し得る。可視光スペクトルにおける波長を有する光子は、いくつかの非限定的な例では、本明細書では「可視光」とも称され得る。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＲ（赤）部分に位置する発光スペクトルは、６００ｎｍ～約６４０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λｍａｘを特徴とし得、非限定的な例では、実質的に約６２０ｎｍであり得る。対応する開始波長λｏｎｓｅｔは、約５００ｎｍ～約６１０ｎｍ、約５７５ｎｍ～約６００ｎｍ、約５７０ｎｍ～約５８０ｎｍ、または約５８０ｎｍ～約５９０ｎｍの波長範囲に位置し得る。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＧ（緑）部分に位置する発光スペクトルは、５１０ｎｍ～約５４０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λｍａｘを特徴とし得、非限定的な例では、実質的に約５３０ｎｍであり得る。対応する開始波長λｏｎｓｅｔは、約４７０ｎｍ～約５２０ｎｍ、約４８０ｎｍ～約５１０ｎｍ、約４８０ｎｍ～約４９０ｎｍ、または約４９０～約５００ｎｍの波長範囲に位置し得る。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＢ（青）部分に位置する発光スペクトルは、４５０ｎｍ～約４６０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λｍａｘを特徴とし得、非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであり得る。対応する開始波長λｏｎｓｅｔは、約４２０ｎｍ～約４５０ｎｍ、約４２５ｎｍ～約４４０ｎｍ、約４２０ｎｍ～約４３０ｎｍ、または約４３０ｎｍ～約４４０ｎｍの波長範囲に位置し得る。
本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、一般に、ＥＭスペクトルのＩＲ部分における波長を有するＥＭ放射を指す。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外線（ＮＩＲ）サブセットに対応する波長を有し得る。非限定的な例として、ＮＩＲ信号は、約７５０ｎｍ～約１４００ｎｍ、約７５０ｎｍ～約１３００ｎｍ、約８００ｎｍ～約１３００ｎｍ、約８００ｎｍ～約１２００ｎｍ、約８５０ｎｍ～約１１００ｎｍ、および／または約９００ｎｍ～約１０００ｎｍの波長を有し得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸収スペクトル」という用語は、一般に、吸収が発生するＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指す。
本開示では、本明細書で使用され、一般に、図３３に非限定的な例として示される「吸光係数」（ｋ）という用語は、材料を通って伝搬するときに電磁係数が減衰される程度を指す。いくつかの非限定的な例では、吸光係数は、複素屈折率Ｎの虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、材料の吸光係数は、偏光解析法によることを含むが、これに限定されない、様々な方法によって測定され得る。
本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用され、一般に図３２に非限定的な例として示される「屈折率（ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ）」（ｎ）および／または「屈折率（ｉｎｄｅｘ）」という用語は、真空中の光の速度に対するそのような媒体中の光の速度の比から計算された値を指す。本開示では、特に、薄膜層および／またはコーティングを含むがこれらに限定されない、実質的に透明な材料の特性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し得、式中、Ｎは、複素屈折率を表し、ｋは、吸光係数を表す。
当業者によって理解されるように、薄膜層および／またはコーティングを含むがこれらに限定されない、実質的に透明な材料は、一般に、可視光スペクトルにおいて比較的低いｋ値を示し、したがって、式の虚数成分は、複素屈折率Ｎにほとんど寄与しない場合がある。もう一方では、例えば、金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視光スペクトルにおいて比較的低いｎ値および比較的高いｋ値を示し得る。したがって、そのような薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分によって決定づけることができる。
本開示では、文脈上別段の指示がない限り、屈折率への特定性のない言及は、複素屈折率Ｎの実数部ｎへの言及であることが意図されている。
本開示では、本明細書で使用され、図３３に非限定的な例として示される「吸収端」（ＡＥ）、「吸収不連続性」、および／または「吸収限界」という用語は、一般に、コーティング、層、および／または材料の吸光係数ｋならびに／もしくは吸収スペクトルの急速な減少を指す。本開示では、例えば、キャッピング層（ＣＰＬ）３６１０に関連して説明される「吸収端」は、ＣＰＬ３６１０の吸光係数ｋの急速な減少が観察される、例えば可視スペクトルにおける最も長い波長を指す。いくつかの非限定的な例では、特に可視スペクトルにおけるＣＰＬ３６１０の吸光係数ｋは、ゼロに向かって減少し、可視スペクトルの残りにわたって低いままであり得る。そのような非限定的な例では、ＣＰＬ３６１０の吸収端は、一般に図３３の非限定的な例として示されるように、ゼロに向かって減少するため、吸光係数ｋが閾値ＴＡＥを通過する波長または最も長い波長に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ３６１０の吸収端は、吸光係数ｋが負である波長λの関数としての吸光係数ｋの一次導関数を有する閾値ＴＡＥを通過する波長または最も長い波長に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、屈折率ｎと透過率との間に一般に正の相関関係、または言い換えれば、屈折率ｎと吸収端もしくはその近傍での吸収との間に一般に負の相関関係があり得る。いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数ｋが０に近い閾値に近づく波長に対応し得る。
有機光電子デバイスは、デバイスの１つ以上の活性層および／または層状部が主に有機（炭素含有）材料、およびより具体的には有機導電性材料で形成される任意の光電子デバイスを包含することができる。
本開示では、有機材料は、多種多様な有機分子および／または有機ポリマーを含み得るがこれらに限定されないことが当業者に理解されよう。さらに、元素および／または無機化合物を含むがこれらに限定されない、様々な無機物質でドープされた有機材料は、依然として有機材料とみなされ得ることが当業者に理解されよう。依然として、様々な有機材料が使用されてもよく、本明細書で説明するプロセスは、概して、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることが当業者にさらに理解されよう。なおさらに、金属および／または他の無機元素を含有する有機材料が依然として有機材料とみなされ得ることが当業者に理解されよう。なおさらに、様々な有機材料が分子、オリゴマー、および／またはポリマーであり得ることが当業者に理解されよう。
本開示では、無機物質は、主に無機材料を含む物質を指し得る。本開示では、無機材料は、金属、ガラス、および／または鉱物を含むがこれらに限定されない、有機材料とはみなされない任意の材料を含み得る。
光電子デバイスがルミネセントプロセスを通して光子を放出する場合、デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスとみなすことができる。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネルまたはモジュール、かつ／あるいはスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子書籍リーダーなどのコンピューティングデバイス、ならびに／もしくはモニターおよび／またはテレビなどのいくつかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイまたはモジュール（総称して、「ユーザデバイス」）であり得る。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機薄膜太陽電池（ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、エレクトロルミネセント量子ドットデバイスであり得る。本開示では、具体的には、特に異議を唱えない限り、いくつかの例では、そのような開示が、当業者に明らかな様態で、ＯＰＶおよび／または量子ドットデバイスを含むがこれらに限定されない、他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解して、ＯＬＥＤデバイスを参照する。
そのようなデバイスの構造は、２つの側面の各々から、すなわち、断面側面から、および／または横（平面図）側面から説明する。
本開示では、「層」および「層状部」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
下記の断面側面を紹介する文脈では、そのようなデバイスの構成要素は、実質的に平面の横層状部で示す。当業者は、そのような実質的に平面の表現は例示のみを目的とするものであり、そのようなデバイスの横範囲にわたるものであり、いくつかの非限定的な例では層の実質的に完全な欠如、および／または非平面遷移領域（横ギャップおよび不連続部も含む）によって分離された層を含む、異なる厚さおよび寸法の局所化された実質的に平坦な層状部があってもよいことを理解するであろう。したがって、例示目的で、デバイスは、実質的に層状の構造としてその断面側面において下記に示されているが、下記で考察される平面図の態様では、そのようなデバイスは、特徴部を画定するための多様な形態（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）を示し得、これらの各特徴部は、断面側面において述べる層状プロファイルを実質的に示し得る。
断面側面
図１は、本開示による、エレクトロルミネセントデバイスの例の断面側面からの簡略化されたブロック図である。一般に１００で示すエレクトロルミネセントデバイスは、基板１１０を含むがこれに限定されない、複数の層を含み、この上に、複数の層、それぞれ第１の電極１２０、少なくとも１つの半導電性層１３０、および第２の電極１４０を含むフロントプレーン１０が配設される。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１０は、光子放出および／または放出された光子の操作のためのメカニズムを提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０（図１６Ｃ）を設けて、層１２０、１３０、１４０、および／またはそれらの上に配設された基板１１０を取り囲む、ならびに／もしくはカプセル化することができる。
図１は、本開示による、エレクトロルミネセントデバイスの例の断面側面からの簡略化されたブロック図である。一般に１００で示すエレクトロルミネセントデバイスは、基板１１０を含むがこれに限定されない、複数の層を含み、この上に、複数の層、それぞれ第１の電極１２０、少なくとも１つの半導電性層１３０、および第２の電極１４０を含むフロントプレーン１０が配設される。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１０は、光子放出および／または放出された光子の操作のためのメカニズムを提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０（図１６Ｃ）を設けて、層１２０、１３０、１４０、および／またはそれらの上に配設された基板１１０を取り囲む、ならびに／もしくはカプセル化することができる。
例示する目的で、基部材料の露出層表面は１１１と称される。図１では、露出層表面１１１は、第２の電極１４０のものであるとして示されている。当業者は、非限定的な例として、第１の電極１２０の堆積時に、露出層表面１１１が基板１１０の１１１ａとして示されていることを理解するであろう。
当業者は、構成要素、層、領域、および／またはその部分が、別の基部材料、構成要素、層、領域および／または部分上（ｏｎ）ならびに／もしくは上（ｏｖｅｒ）に「形成」、「配設」、かつ／あるいは「堆積」されると称されるとき、そのような形成、配設および／または堆積は、そのような基部材料、構成要素、層、領域、および／または部分の（そのような形成、配設、および／または堆積時の）露出層表面１１１上に直接的、ならびに／もしくはそれらの間に材料、構成要素、層、領域、および／または部分を有して間接的であり得ることを理解するであろう。
本開示では、方向の慣習に従い、基板１１０がデバイス１００の「下面」であるとみなされ、層１２０、１３０、１４０が基板１１の「上面」上に配設される、上述の横側面に対して実質的に垂直に延在している。そのような慣習に従って、たとえ（１つ以上の層１２０、１３０、１４０が蒸着プロセスによって導入され得る、製造プロセス中を含むがこれに限定されない、いくつかの例での場合であり得るとして）、堆積材料（図示せず）が上方に移り、その上面に薄膜として堆積することを可能にするために、基板１１０が、第１の電極１２０などであるがこれに限定されない、層１２０、１３０、１４０のうちの１つが配設されるべき上面が、基板１１０の物理的に下方にあるように、物理的に反転されても、第２の電極１４０は、示すデバイス１００の上面にある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、電源１５と電気的に結合され得る。そのように結合されるとき、デバイス１００は、本明細書で説明するように光子を放出することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、そこから生じた光子の放出方向に従って分類することができる。いくつかの非限定的な例では、生じた光子が、デバイス１００の下面にある基板１００に向かうおよびそれを通り、基板１１０の上面に配設された層１２０、１３０、１４０から離れる方向に放出される場合、デバイス１００は、下面放出デバイスであるとみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、光子が、デバイス１００の下面にある基板１１０から離れ、基板１１０の上面に中間層１２０、１３０とともに配設された上層１４０に向かうおよび／またはそれを通る方向に放出される場合、デバイス１００は上面発光デバイスであるとみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、それが下面（基板１１０に向かう、およびそれを通る）および上面（上層１４０に向かう、およびそれを通る）の両方で光子を放出するように構成されている場合、両面発光デバイスであるとみなされ得る。
薄膜の形成
フロントプレーン１０層１２０、１３０、１４０は、基部材料のターゲット露出層表面１１１（および／またはいくつかの非限定的な例では、本明細書に開示する選択的堆積の場合に、そのような表面の少なくとも１つのターゲット領域および／または部分を含むがこれに限定されない）に順次配設することができ、この基部材料は、いくつかの非限定的な例では、時々、基板１１０および薄膜として、介在する下層１２０、１３０、１４０であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０、１７５０、４１５０は、導電性コーティング８３０（図８）の少なくとも１つの薄膜導電性層から形成され得る。そのような導電性コーティング８３０は、デバイス１００の複数の層のうちの（少なくとも）１つであり得ることが当業者に理解されよう。導電性コーティング８３０は、導電性コーティング材料８３１で構成され得る。当業者は、導電性コーティング８３０およびそれを構成する導電性コーティング材料８３１が、特に、フィルムとして、ならびに導電性コーティング８３０を堆積させる際に採用されるものと実質的に同様の条件下で、および／またはそれと実質的に同様のメカニズムによって配設されるとき、ほぼ同様の光学特性および／または他の特性を示し得ることを理解するであろう。
フロントプレーン１０層１２０、１３０、１４０は、基部材料のターゲット露出層表面１１１（および／またはいくつかの非限定的な例では、本明細書に開示する選択的堆積の場合に、そのような表面の少なくとも１つのターゲット領域および／または部分を含むがこれに限定されない）に順次配設することができ、この基部材料は、いくつかの非限定的な例では、時々、基板１１０および薄膜として、介在する下層１２０、１３０、１４０であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０、１７５０、４１５０は、導電性コーティング８３０（図８）の少なくとも１つの薄膜導電性層から形成され得る。そのような導電性コーティング８３０は、デバイス１００の複数の層のうちの（少なくとも）１つであり得ることが当業者に理解されよう。導電性コーティング８３０は、導電性コーティング材料８３１で構成され得る。当業者は、導電性コーティング８３０およびそれを構成する導電性コーティング材料８３１が、特に、フィルムとして、ならびに導電性コーティング８３０を堆積させる際に採用されるものと実質的に同様の条件下で、および／またはそれと実質的に同様のメカニズムによって配設されるとき、ほぼ同様の光学特性および／または他の特性を示し得ることを理解するであろう。
図１におよび図全体を通して示す、層１２０、１３０、１４０を含むがこれらに限定されない各層、および基板１１０の厚さは、例示のみであり、必ずしも別の層１２０、１３０、１４０（および／または基板１１０）に対する厚さを表すものではない。
本開示では、説明を簡単にする目的で、本明細書で使用される「コーティングフィルム」、「閉じたコーティング」、および／または「閉じたフィルム」４５３０という用語は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０のために使用される導電性コーティング材料８３１の薄膜構造および／またはコーティングを指し、表面の関連部分は、それによって実質的にコーティングされ、その結果、そのような表面がその上に堆積されたコーティングフィルム４５３０によって、またはそれを通して実質的に露出されない。
本開示では、文脈上別段の指示がない限り、薄膜への特定性のない言及は、実質的に閉じたフィルム４５３０への言及であることが意図されている。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では導電性コーティング材料８３１の閉じたフィルム４５３０は、基部表面の一部分を覆うように配設され得、その結果、そのような部分内で、その内部の基部表面の約２０％未満、約１５％未満、約１０％未満、約５％未満、約３％未満、または約１％未満が、閉じたフィルム４５３０によって、またはそれを通して露出されている。
当業者は、基部表面の露出層表面１１１の一部を意図的に残して、閉じたフィルム４５３０の堆積後に露出されるように、本明細書で説明されるものを含むが、これらに限定されない、様々な技術およびプロセスを使用して閉じたフィルム４５３０をパターン化することができることを理解するであろう。本開示では、そのようなパターン化されたフィルムは、それにもかかわらず、非限定的な例として、そのようなパターニングの文脈内で、ならびにそのような基部表面の露出層表面１１１の意図的に露出された一部間に堆積される薄膜および／またはコーティング自体が実質的に閉じたフィルム４５３０を含む場合、閉じたフィルム４５３０を構成するとみなされ得る。
当業者は、堆積プロセスにおける固有の変動性によって、およびいくつかの非限定的な例では、堆積材料、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１、および基部材料の露出層表面１１１のいずれかまたは両方における不純物の存在によって、本明細書で説明されるものを含むが、これに限定されない、様々な技術およびプロセスを使用する薄膜の堆積は、それにもかかわらず、ピンホール、裂け目、および／または亀裂を含むがこれらに限定されない、小さなアパーチャの形成をその中にもたらす場合がある。本開示では、そのような薄膜は、それにもかかわらず、非限定的な例として、堆積される薄膜および／またはコーティングが実質的に閉じたフィルム４５３０を含み、そのようなアパーチャの存在にもかかわらず、上記で設定された被覆率基準を満たす場合、閉じたフィルム４５３０を構成するとみなされ得る。
モノマー（いくつかの非限定的な例では、蒸気形態の堆積材料の分子および／または原子であり得る）の継続的な蒸気堆積により、実質的に閉じたフィルム４５３０は、最終的に、基部材料の露出層表面１１１上に堆積され得る。そのような閉じたフィルム４５３０の、それによって引き起こされた光学効果を含む挙動は、一般に、比較的一定であり、驚くべきことではない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの閉じたフィルム４５３０を含む薄膜の、その光学効果を含む挙動は、一般に、比較的均一である。
本開示は、蒸着に関して、少なくとも１つの層またはコーティングを参照して、薄膜形成について述べているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイス１００の様々な構成要素が、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、物理蒸着（ＰＶＤ）（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、化学蒸着（ＣＶＤ）（プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）および／または有機気相成長（ＯＶＰＤ）を含むがこれに限定されない）、レーザーアニーリング、レーザー誘起熱イメージング（ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（ＡＬＤ）、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれに限定されない）、ならびに／もしくはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、多種多様な技法を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。いくつかのプロセスは、いくつかの非限定的な例では、様々な層および／またはコーティングのいずれかの堆積中に、オープンマスクおよび／またはファインメタルマスク（ＦＭＭ）であり得るシャドウマスクと組み合わせて使用して、それに露出された基部材料の表面のある特定の部分上への堆積された材料の堆積を覆うおよび／または排除することによる様々なパターンを達成することができる。
本開示では、「蒸発」および／または「昇華」という用語は、概して、加熱によるものを含むがこれに限定されない源材料が蒸気に変換されて、固体状態であるがこれに限定されないターゲット表面に堆積される堆積プロセスを指すように互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発プロセスはＰＶＤプロセスの一種であり、１つ以上の源材料を低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発および／または昇華させて、蒸気モノマーを形成し、１つ以上の蒸発した源材料の逆昇華を通してターゲット表面上に堆積させる。様々な異なる蒸発源が源材料を加熱するために使用され、したがって、源材料を様々な形で加熱してもよいことが当業者に理解されよう。非限定的な例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、および／または抵抗加熱によって加熱してもよい。いくつかの非限定的な例では、源材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であり得る）、および／または他の任意のタイプの蒸発源に充填されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積源材料は、混合物であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積源材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されない（または、いくつかの非限定的な例では、そのような混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積される）場合がある。
本開示では、材料の層厚さへの言及は、その堆積のメカニズムに関係なく、言及された層厚さを有する材料の均一に厚い層でターゲット表面を被覆する材料の量に対応するターゲット露出層表面１１１上に堆積された材料の量を指す。非限定的な例として、１０ｎｍの材料の層厚さを堆積させることは、表面上に堆積された材料の量が、１０ｎｍ厚である材料の均一に厚い層を形成するための材料の量に対応することを示す。上記で考察された薄膜が形成されるメカニズムに関して、非限定的な例として、モノマー（いくつかの非限定的な例では、分子および／または原子であり得る）の起こり得るスタッキングまたはクラスタリングによって、堆積材料の実際の厚さが不均一である場合があることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚さを堆積させることにより、１０ｎｍを超える実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの一部、または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積材料の他の一部が得られる場合がある。したがって、表面上に堆積された材料のある特定の層厚さは、いくつかの非限定的な例では、閉じたフィルム４５３０としてを含むがこれに限定されない、ターゲット表面にわたる堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、基準層厚さへの言及は、高い初期付着確率または初期付着係数Ｓ０を示す基準表面（つまり、約１、および／または１に近い初期付着確率Ｓ０を有する表面）上に堆積される導電性コーティング８３１とも本明細書で称される導電性コーティング８３０の層厚さを指す。基準層厚さは、ターゲット表面（核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）８１０の表面などであるがこれに限定されない）上に堆積された導電性コーティング材料８３１の実際の厚さを示すものではない。
そのようなＮＩＣ８１０は、デバイス１００の複数の層のうちの（少なくとも）１つであり得ることが当業者に理解されよう。ＮＩＣ８１０は、ＮＩＣ材料で構成され得る。当業者は、ＮＩＣ８１０およびそれを構成するＮＩＣ材料が、特に、フィルムとして、ならびにＮＩＣ８１０を堆積させる際に採用されるものと実質的に同様の条件下で、および／またはそれと実質的に同様のメカニズムによって配設されるとき、ほぼ同様の光学特性および／または他の特性を示し得ることを理解するであろう。
むしろ、基準層厚さは、基準表面上、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面および基準表面を同じ堆積期間で、導電性コーティング材料８３１の同一の蒸気フラックスに曝したときに、堆積速度および基準層厚さを監視するために堆積チャンバの内部に位置決めされた水晶の表面上に堆積される導電性コーティング材料８３１の層厚さを指す。当業者は、ターゲット表面と基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスに曝されない場合、基準層厚さを決定および／または監視するために適切なツーリングファクタが使用されてもよいことを理解するであろう。
本開示では、材料の数Ｘの単分子層を堆積させることへの言及は、ある量の材料を堆積させて、閉じたフィルム４５３０などであるがこれに限定されない材料の構成モノマーのＸ個の単分子層で露出層表面１１１の所望の面積を被覆することを指す。
基部材料の露出層表面１１１への蒸着中の薄膜の形成は、核生成および成長のプロセスを伴う。フィルム形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（いくつかの非限定的な例では、分子および／または原子であり得る）は、通常、気相から凝縮して、基板１１０（または介在する下層１２０、１３０、１４０）のいずれであっても、提示された露出層表面１１１上に初期核を形成する。蒸気モノマーがそのような表面上に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さいクラスタまたは島が形成される。島の密度に飽和した後、概して、隣接する島が合体し始め、島の密度を減らしながら島の平均サイズが増加する。隣接する島の合体は、実質的に閉じたフィルム４５３０が形成されるまで続き得る。
しかしながら、実質的に閉じたフィルム４５３０の形成の前に、蒸気モノマーの堆積は、本明細書で説明される薄膜構造をもたらし得、これは、１つ以上の種々の特徴、およびそれに付随して、光学効果を含むがこれに限定されない、種々の挙動を示し得る。
本開示では、材料の画分０．Ｘの単分子層を堆積させることへの言及は、ある量の材料を堆積させて、材料の構成モノマーの単層で表面の所望の面積の画分０．Ｘを被覆することを指す。当業者は、非限定的な例として、モノマーの起こり得るスタッキングおよび／またはクラスタリングのために、表面の所望の面積にわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一である場合があることを理解するであろう。非限定的な例として、材料の１つの単分子層を堆積させると、表面の所望の面積のいくつかの局所的な領域が材料によって被覆されなくなる場合があり、一方、表面の所望の面積の他の局所的な領域は、その上に堆積した多数の原子層および／または分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（および／またはそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるようなターゲット表面上の材料が実質的に欠如している場合、材料「が実質的にない」、「を実質的に含まない」、または「によって実質的に被覆されていない」とみなされ得る。
本開示では、説明を簡単にする目的で、閉じたフィルム４５３０が形成されている段階に（まだ）到達していない、基部材料の露出層表面１１１上への蒸気モノマーの堆積の結果は、「クラスタリング層」と称されるであろう。いくつかの非限定的な例では、そのようなクラスタリング層は、堆積プロセスが完了していないことを反映している場合があり、そのようなクラスタリング層は、閉じたフィルム４５３０の形成の中間的な段階とみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、クラスタリング層は、完了した堆積プロセスの結果であり、したがって、それ自体における、およびそれ自体の形成の最終段階を構成し得る。
本開示では、説明を簡単にする目的で、本明細書で使用される「不連続コーティング」１０５０という用語は、堆積プロセスによってコーティングされた基部材料の露出層表面１１１の関連部分に、そのような材料が実質的にないか、またはその閉じたフィルム４５３０が形成されていないクラスタリング層を指す。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１の不連続コーティング１０５０は、そのような表面上に堆積された複数の個別の島として現れ得る。
本開示では、説明を簡単にする目的で、導電性コーティング８３０を含むがこれに限定されない、コーティングに関する「樹状」という用語は、横側面から見たときに分岐構造に似ている特徴部を指す。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、樹状突起１０２１および／または樹状窪み１０２２を含み得る。いくつかの非限定的な例では、樹状突起１０２１は、物理的に接続され、実質的に外側に延在する複数の短い突起を含む分岐構造を示す導電性コーティング８３０の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹状窪み１０２２は、物理的に接続され、実質的に外側に延在する導電性コーティング８３０のギャップ、開口部、および／または被覆されていない部分の分岐構造に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹状窪み１０２２は、鏡像および／または逆パターンを含むがこれらに限定されない、樹状突起１０２１のパターンに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹状突起１０２１および／または樹状窪み１０２２は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、および／または交互嵌合構造を示すおよび／または模倣する構成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続コーティング１０５０の形成後であるが、閉じたフィルム４５３０の形成の前に、蒸気モノマーの堆積の中間段階を反映するクラスタリング層があり得、クラスタおよび／または島５００１、５００２の継続的な合体は、残っているクラスタおよび／または島５００１、５００２の数がゼロに近づくまで続く。そのような中間段階のクラスタリング層に到達した場合、堆積したモノマーは、いくつかの非限定的な例では、単一の単分子層の画分０．Ｘを含み得る中間段階の薄膜を形成し得、その結果、１つ以上の樹状突起１０２１および／または１つ以上の樹状窪み１０２２を含むがこれらに限定されない、フィルム被覆部内にアパーチャおよび／またはギャップがあり得、まだ実質的に導電性のままであるという点で、それは閉じたフィルム４５３０ではない。
最初はクラスタリング層として、いくつかの非限定的な例では、最終的に閉じたフィルム４５３０になる薄膜の形成には、１）島（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）層毎（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、および３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖの少なくとも３つの基本的な成長モードがあり得る。
本開示では、「島」および「クラスタ」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
島の成長は通常、モノマーの安定したクラスタが表面で核となり、成長して離散した島を形成するときに発生する。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面間の相互作用よりも強い場合に発生する。
核生成率は、単位時間当たりに表面上に形成する所与のサイズの核（自由エネルギーがそのような核のクラスタを押して成長または収縮させない場合）（「臨界核」）がいくつあるかを説明する。膜形成の初期段階中に、核の密度が低く、これにより核が表面の比較的小さい部分を被覆するため（例えば、隣り合う核の間に大きいギャップ／空間がある）、核が表面へのモノマーの直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長する速度は、通常、表面上の吸着原子（例えば、吸着したモノマー）が移動して近傍の核に付着する速度に依存する。
基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの例を図６に示す。具体的には、図６は、局所的低エネルギー部位から脱出する吸着原子（６１０）、露出層表面１１１での吸着原子の拡散（６２０）、および吸着原子の脱着（６３０）に対応する定性的エネルギープロファイルの例を示している。
６１０では、局所的低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーになる基部材料の露出層表面１１１上の任意の部位であり得る。通常、核生成部位は、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、および／またはキンクを含むがこれらに限定されない、露出層表面１１１上の欠陥および／または異常を含み得る。吸着原子が局所的低エネルギー部位でトラップされると、通常、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在する場合がある。そのようなエネルギー障壁は、図６においてΔＥ６１１として表されている。いくつかの非限定的な例では、局所的低エネルギー部位から脱出するためのエネルギー障壁ΔＥ６１１が十分に大きい場合、その部位は核生成部位として作用する場合がある。
６２０では、吸着原子は、露出層表面１１１上に拡散し得る。非限定的な例として、局所化された吸収物の場合に、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱離するならびに／もしくは吸着原子のクラスタ５００１、５００２によって形成される成長している膜および／または成長している島に組み込まれるまで、様々な近接部位に移動する傾向がある。図６では、吸着原子の表面拡散に関連付けられた活性化エネルギーは、Ｅｓ６２１として表される。
６３０では、吸着原子の表面からの脱離に関連付けられた活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ６３１として表される。当業者は、脱着されていない任意の吸着原子が露出層表面１１１に残っている場合があることを理解するであろう。非限定的な例として、そのような吸着原子は、成長膜および／またはコーティングの一部として組み込まれる露出層表面１１１上に拡散する、ならびに／もしくは露出層表面１１１上に島を形成する吸着原子のクラスタ５００１、５００２の一部になり得る。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱離するか、あるいは、脱離し、他の吸着原子と相互作用して小さなクラスタを形成し、または成長している核に付着する前に、表面上をある程度移動することができる。最初の吸着後に吸着原子が表面上に留まる平均時間は、次の式で与えられる。
上記の等式では、ｖは表面の吸着原子の振動周波数であり、ｋはボルツマン定数であり、Ｔは温度であり、Ｅｄｅｓ６３１は吸着原子を表面から脱離させるために必要なエネルギーである。この等式から、Ｅｄｅｓ６３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱離しやすくなるため、吸着原子が表面上に留まる時間が短くなることがわかる。吸着原子が拡散できる平均距離は、次の式で与えられる。
式中、ａ０は格子定数であり、Ｅｓ６２１は、表面拡散の活性化エネルギーである。低い値Ｅｄｅｓ６３１および／または高い値のＥｓ６２１については、脱離前に短い距離を拡散するため、成長している核に付着したり、別の吸着原子または吸着原子のクラスタと相互作用したりする可能性が低くなる。
膜形成の初期段階では、吸着された吸着原子が相互作用してクラスタを形成することができ、単位面積当たりのクラスタの臨界濃度は、次の式で与えられる。
式中、Ｅｉはｉ個の吸着原子を含有する臨界クラスタを別個の吸着原子に解離するために必要なエネルギーであり、ｎ０は吸着部位の総密度であり、Ｎ１は次の式で与えられるモノマー密度である。
式中、
は蒸気衝突速度である。通常、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成するための臨界クラスタサイズを決定する。
成長するクラスタの臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱離する前に拡散できる平均面積によって与えられる。
したがって、臨界核生成速度は、上記の等式の組み合わせによって与えられる。
上記の等式から、吸着した吸着原子の脱離エネルギーが低い表面、吸着原子の拡散の活性化エネルギーが高い表面、高温である表面、および／または蒸気衝突速度を受ける表面では、臨界核生成速度が抑制されることがわかる。
欠陥、レッジ、またはステップ縁部などの基板の異質性の部位は、Ｅｄｅｓ６３１を増加させ、そのような部位で観察される核のより高い密度につながる場合がある。また、不純物または表面の汚染もＥｄｅｓ６３１を増加させ、核密度を高める場合がある。高真空条件下で行われる蒸着プロセスの場合、表面の汚染物質の種類と密度は、真空圧力と、その圧力を構成する残留ガスの組成に影響される。
高真空条件下では、表面に衝突する分子のフラックス（ｃｍ２－ｓｅｃ当たり）は次のように与えられる。
式中、Ｐは圧力、Ｍは分子量である。したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスの分圧が高くなると、蒸着中に表面上の汚染密度が高くなり、Ｅｄｅｓ６３１が増加するため核の密度が高くなり得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、そのような材料による表面の被覆率である。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）、および／または走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）を含むがこれらに限定されない、様々な撮像技法を使用して判断され得る。
いくつかの非限定的な例では、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、および／またはイッテルビウム（Ｙｂ）を含むがこれに限定されない、導電性材料は、光子を減衰および／または吸着するため、いくつかの非限定的な例では、表面上の導電性材料の量の１つの尺度は（光）透過率である。
したがって、いくつかの非限定的な例では、材料の表面を通る光透過率がそのような材料の同様の組成および寸法の参照材料の透過率よりも９０％を超える、９２％を超える、９５％を超える、および／または９８％を超える場合、いくつかの非限定的な例では電磁スペクトルの可視部分において、材料の表面には、導電性材料が実質的にないとみなすことができる。
本開示では、例示を簡単にするために、層の厚さプロファイルおよび／または縁部プロファイルを含むがこれらに限定されない、堆積材料の詳細は省略されている。ＮＩＣ８１０と導電性コーティング８３０との間の界面にある様々な起こり得る縁部プロファイルが本明細書で考察されている。
基板
いくつかの例では、基板１１０は、ベース基板１１２を備えてもよい。いくつかの例では、ベース基板１１２は、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、金属（金属箔を含むがこれに限定されない）、サファイア、および／もしくは他の無機材料を含むがこれらに限定されない無機材料、ならびに／またはポリイミドおよび／もしくはシリコン系ポリマーを含むがこれらに限定されない、ポリマーを含むがこれに限定されない有機材料を含むがこれらに限定されない、その使用に好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１１２は、剛性または可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１１２は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。基板１１０は、第１の電極１２０、少なくとも１つの半導電性層１３０、および／または第２の電極１４０を含むがこれらに限定されない、デバイス１００の残りのフロントプレーン１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有する。
いくつかの例では、基板１１０は、ベース基板１１２を備えてもよい。いくつかの例では、ベース基板１１２は、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、金属（金属箔を含むがこれに限定されない）、サファイア、および／もしくは他の無機材料を含むがこれらに限定されない無機材料、ならびに／またはポリイミドおよび／もしくはシリコン系ポリマーを含むがこれらに限定されない、ポリマーを含むがこれに限定されない有機材料を含むがこれらに限定されない、その使用に好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１１２は、剛性または可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１１２は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。基板１１０は、第１の電極１２０、少なくとも１つの半導電性層１３０、および／または第２の電極１４０を含むがこれらに限定されない、デバイス１００の残りのフロントプレーン１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有する。
いくつかの非限定的な例では、そのような表面は、有機表面および／または無機表面であり得る。
いくつかの例では、基板１１０は、ベース基板１１２に加えて、ベース基板１１２の露出層表面１１１上に支持された１つ以上の追加の有機層および／または無機層（本明細書には示されず、具体的に説明もされない）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、１つ以上の有機層を含む、および／またはそれらを形成し得、これらは、少なくとも１つの半導電性層１３０のうちの１つ以上を含む、置き換える、および／または補足し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、１つ以上の無機層を含み得、これらは、１つ以上の電極を含む、および／またはそれらを形成し得、これらは、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０を含む、置き換える、および／または補足し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、半導電性材料のバックプレーン層２０（図２）を含む、ならびに／もしくはそれからおよび／またはそれとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン層２０は、低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境の導入下で提供されることはない、および／またはその導入に先行し得るフォトリソグラフィプロセスによって形成され得る、電子ＴＦＴ構造および／またはその構成要素２００（図２）を含むがこれらに限定されない、デバイス１００を駆動するための電力回路および／またはスイッチング要素を含有する。
本開示では、半導電性材料は、概してバンドギャップを示す材料として説明することができる。いくつかの非限定的な例では、バンドギャップは、半導電性材料の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導電性材料は、概して、導電性材料（金属を含むがこれに限定されない）の導電性よりも低いが、絶縁材料（ガラスを含むがこれに限定されない）よりも高い導電性を示す。いくつかの非限定的な例では、半導電性材料は、有機半導電性材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導電性材料は、無機半導電性材料を含み得る。
その中に具体化されたバックプレーンおよびＴＦＴ構造
図２は、そのバックプレーン層２０を含む、デバイス１００の基板１１０の例の簡略化された断面図である。いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０は、アクティブマトリックスおよび／またはパッシブマトリックスデバイスとして作用するデバイス１００を支持することができるような、トランジスタ、抵抗器、および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない１つ以上の電子および／または光電子構成要素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構造は、２００で示すような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、有機および／または無機材料を使用して製作されて、様々な層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０、および／またはベース基板１１２の上方にある、基板１１０のバックプレーン層２０の一部を形成し得る。図２では、示すＴＦＴ構造２００は、トップゲートＴＦＴである。いくつかの非限定的な例では、層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０のうちの１つ以上を含むがこれらに限定されない、ＴＦＴ技術および／または構造を採用して、抵抗器および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない非トランジスタ構成要素を実装してもよい。
図２は、そのバックプレーン層２０を含む、デバイス１００の基板１１０の例の簡略化された断面図である。いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０は、アクティブマトリックスおよび／またはパッシブマトリックスデバイスとして作用するデバイス１００を支持することができるような、トランジスタ、抵抗器、および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない１つ以上の電子および／または光電子構成要素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構造は、２００で示すような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、有機および／または無機材料を使用して製作されて、様々な層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０、および／またはベース基板１１２の上方にある、基板１１０のバックプレーン層２０の一部を形成し得る。図２では、示すＴＦＴ構造２００は、トップゲートＴＦＴである。いくつかの非限定的な例では、層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０のうちの１つ以上を含むがこれらに限定されない、ＴＦＴ技術および／または構造を採用して、抵抗器および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない非トランジスタ構成要素を実装してもよい。
いくつかの非限定的な例では、バックプレーン２０は、ＴＦＴ構造２００の構成要素を支持するために、ベース基板１１２の露出層表面１１１上に堆積されたバッファ層２１０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、半導電性活性領域２２０、ゲート絶縁層２３０、ＴＦＴゲート電極２４０、層間絶縁層２５０、ＴＦＴソース電極２６０、ＴＦＴドレイン電極２７０、および／またはＴＦＴ絶縁層２８０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導電性活性領域２２０は、バッファ層２１０の一部上に形成され、ゲート絶縁層２３０は、半導電性活性領域２２０を実質的に被覆するように堆積される。いくつかの非限定的な例では、ゲート電極２４０は、ゲート絶縁層２３０の上面に形成され、層間絶縁層２５０がその上に堆積される。ＴＦＴソース電極２７０およびＴＦＴドレイン電極２７０は、それらが半導体活性面積２２０に電気的に結合されるように、それらが層間絶縁層２５０およびゲート絶縁層２３０の両方を通して形成された開口部を通って延在するように形成される。次いで、ＴＦＴ絶縁層２８０がＴＦＴ構造２００上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、バックプレーン２０の層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０のうちの１つ以上は、基部デバイス層を被覆するフォトレジストの選択一部をＵＶ光に曝露するためのフォトマスクを使用する、フォトリソグラフィを使用してパターン化することができる。次いで、使用されるフォトレジストのタイプに依存して、フォトマスクの露出一部または非露出一部を除去して、その下にあるデバイス層の所望の部分を露出させることができる。いくつかの例では、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＵＶ光に露出されたその選択一部はその後実質的に除去することはできないが、そのように露出されていない残りの一部はその後実質的に除去可能である。いくつかの非限定的な例では、フォトレジストはネガ型フォトレジストであり、ＵＶ光に露出されたその選択一部はその後実質的に除去可能であるが、そのように露出されていない残りの一部はその後実質的に除去することができない。したがって、パターン化された表面は、化学的および／もしくは物理的を含むがこれらに限定されないエッチングされる、ならびに／または洗い落とすおよび／もしくは洗い流されて、そのような層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０の露出一部を効果的に除去することができる。
さらに、トップゲートＴＦＴ構造２００を図２に示しているが、当業者は、ボトムゲートＴＦＴ構造を含むがこれに限定されない他のＴＦＴ構造が、本開示の範囲から逸脱することなく、バックプレーン２０内に形成され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、ｎ型ＴＦＴおよび／またはｐ型ＴＦＴであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、アモルファスＳｉ（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛（Ｚｎ）酸化物（ＩＧＺＯ）、および／または低温多結晶Ｓｉ（ＬＴＰＳ）のうちのいずれか１つ以上を組み込み得る。
第１の電極
第１の電極１２０は、基板１１０上に堆積されている。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、電源１５の端子および／または接地に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００（図３）を通してそのように結合される。
第１の電極１２０は、基板１１０上に堆積されている。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、電源１５の端子および／または接地に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００（図３）を通してそのように結合される。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、アノード３４１（図３）および／またはカソード３４２（図３）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、アノード３４１である。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、基板１１０（の一部）上に少なくとも１つの導電性薄膜を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、基板１１０の横側面上に空間配置で配設された複数の第１の電極１２０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の電極１２０のうちの１つ以上は、空間配置で横側面に配設されたＴＦＴ絶縁層２８０（の一部分）上に堆積され得る。そうである場合、いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の電極１２０のうちの少なくとも１つは、図４に示すように、対応するＴＦＴ絶縁層２８０の開口部を通って延在して、バックプレーン２０内のＴＦＴ構造２００の電極２４０、２６０、２７０に電気的に結合され得る。図４では、少なくとも１つの第１の電極１２０の一部がＴＦＴドレイン電極２７０に結合されて示されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１２０および／またはその少なくとも１つの薄膜は、Ｍｇ、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、Ｚｎ、Ａｇ、カドミウム（Ｃｄ）、バリウム（Ｂａ）、および／またはＹｂを含むがこれらに限定されない、１つ以上の金属材料を含むがこれらに限定されない様々な材料、ならびに／もしくはそのような材料のいずれかを含有する合金を含むがこれらに限定されない、それらの任意の２つ以上の組み合わせ、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、および／またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの三成分系組成物を含むがこれらに限定されない、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）を含むがこれに限定されない、１つ以上の酸化物、ならびに／またはそれらの任意の２つ以上の組み合わせおよび／または様々な比で、かつ／あるいは少なくとも１つの層内のそれらの任意の２つ以上の組み合わせ、限定されないが、薄膜であり得るもののいずれか１つ以上を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０を含む導電性薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれらに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの任意の２つ以上の組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に堆積、堆積、ならびに／もしくは加工され得る。
第２の電極
第２の電極１４０は、少なくとも１つの半導電性層１３０上に堆積されている。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、電源１５の端子および／または接地に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００を通してそのように結合される。
第２の電極１４０は、少なくとも１つの半導電性層１３０上に堆積されている。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、電源１５の端子および／または接地に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００を通してそのように結合される。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、アノード３４１および／またはカソード３４２を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１３０は、カソード３４２である。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの半導電性層１３０（の一部）上に少なくとも１つの薄膜として、導電性コーティング８３０を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０の横側面上に空間配置で配設された複数の第２の電極１４０があってもよい。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、そのような構成要素、層、および／または部品を通過する電流の特徴を変更し得る構成要素、層、および／または部品の特性である。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０のシート抵抗Ｒ１は、一般に、デバイス１００の他の構成要素、層、および／または部品とは別に測定された第２の電極１４０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、薄膜として形成され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０についてのシート抵抗Ｒ１は、そのような薄膜の組成、厚さ、および／または形態に基づいて決定および／または計算され得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗Ｒ１は、約０．１～１，０００Ω／ｓｑｒ、約１～１００Ω／ｓｑｒ、約２～５０Ω／ｓｑｒ、約３～３０Ω／ｓｑｒ、約４～２０Ω／ｓｑｒ、約５～１５Ω／ｓｑｒ、および／または約１０～１２Ω／ｓｑｒであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、第２の電極材料で構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一原子によって形成された二原子分子の結合の切断からの２９８Ｋで測定された標準状態のエンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－ｒａｎ，“Ｂｏｎｄ ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ ｅｎｅｒｇｉｅｓ”（２０１０）を含むがこれらに限定されない、既知の文献に基づいて決定することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、少なくとも１０ｋＪ／モル、少なくとも５０ｋＪ／モル、少なくとも１００ｋＪ／モル、少なくとも１５０ｋＪ／モル、少なくとも１８０ｋＪ／モル、および／または少なくとも２００ｋＪ／モルの結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、約１．４未満、約１．３、および／または約１．２である電気陰性度を有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、および／またはタングステン（Ｗ）から選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、および／またはＡｕを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、および／またはＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、および／またはＣｏを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、および／またはＯｓを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｔａ、Ｍｏ、および／またはＷを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、および／またはＬｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、および／またはＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇおよび／またはＡｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、純粋な金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、純粋な金属である。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、純粋なＡｇまたは実質的に純粋なＡｇである。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、純粋なＭｇまたは実質的に純粋なＭｇである。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、純粋なＡｌまたは実質的に純粋なＡｌである。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、および／またはＡｇＭｇ含有合金であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、Ａｇの代用としておよび／またはそれと組み合わせて他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、Ａｇの少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、ＡｇのＭｇおよび／またはＹｂとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５体積％のＡｇ～約９５体積％のＡｇの組成を有し、残りは他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、ＡｇおよびＭｇを含む。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、体積で約１：１０～約１０：１の組成を有するＭｇ：Ａｇ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、ＡｇおよびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、体積で約１：２０～約１～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、ＭｇおよびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、Ａｇ、Ｍｇ、およびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、酸素（Ｏ）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、少なくとも１つの金属およびＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極材料は、金属酸化物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属酸化物は、Ｚｎ、インジウム（Ｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、および／またはガリウム（Ｇａ）を含む。いくつかの非限定的な例では、金属酸化物は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＣＯは、酸化インジウム、酸化スズ、酸化アンチモン、および／または酸化ガリウムを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＣＯは、インジウムチタン酸化物（ＩＴＯ）、ＺｎＯ、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、および／またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＣＯは、他の元素で電気的にドープされ得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、金属および／または金属合金によって形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、少なくとも１つの金属または金属合金、および少なくとも１つの金属酸化物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、第２の電極材料の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の第２の電極材料は、複数の層のうちの第２の層の第２の電極材料とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の第２の電極材料は金属を含み得、複数の層のうちの第２の層の第２の電極材料は金属酸化物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの少なくとも１つの第２の電極材料は、Ｙｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの１つの第２の電極材料は、Ａｇ含有合金および／またはＡｇＭｇ含有合金、ならびに／もしくは純粋なＡｇ、実質的に純粋なＡｇ、純粋なＭｇ、および／または実質的に純粋なＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、二分子層Ｙｂ／ＡｇＭｇコーティングである。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０（最上部）の近位にある複数の層のうちの第１の層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｔａ、Ｍｏ、および／またはＷから選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、および／またはＡｕを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、および／またはＣｏを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、および／またはＯｓを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｔａ、Ｍｏ、および／またはＷを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、および／またはＡｌを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇおよび／またはＡｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、および／または炭素Ｃであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素が、源材料、堆積のために使用される機器、および／または真空チャンバ環境中にそのような追加の元素が存在することによって、汚染物質として第２の電極１４０に組み込まれ得ることが当業者に理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素の濃度は、閾値濃度を下回るように制限され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、第２の電極１４０の他の元素と一緒に化合物を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料中の非金属元素の濃度は、約１％未満、約０．１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および／または約０．００００００１％であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、その中のＯおよびＣの合計量が約１０％未満、約５％、約１％、約０．１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および／または約０．００００００１％である組成を有する。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、閉じたコーティング４５３０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、不連続コーティング１０５０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、第１の部分１１５内の第１の層表面上の第２の電極１４０の閉じたコーティング４５３０が実質的にない、その中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域には、その上に金属パターニングＮＩＣ８１０が配設されている。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、第２の電極１４０をその複数の個別のフラグメントに分離することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０のそのような複数の個別のフラグメントのうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０のそのような複数の個別のフラグメントのうちの少なくとも２つは、各々、それらの間の電流の流れを可能にするために、導電性コーティング８３０を含むがこれに限定されない、共通の導電性層またはコーティングに電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０のそのような複数の個別のフラグメントのうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０を含む導電性薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれらに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの任意の２つ以上の組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積、ならびに／もしくは加工され得る。
説明を簡単にする目的で、本開示では、単一層内の複数の要素の組み合わせは、コロン「：」によって２つのそのような要素を分離することによって示され、一方、多層コーティング内の複数の層を備える複数の要素（の組み合わせ）は、そのような２つの層をスラッシュ「／」で区切ることによって示される。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュの前の層上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金について、そのような合金の組成は、体積で約１：１０～約１０：１の範囲であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の堆積は、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行され得る。
駆動回路
本開示では、サブピクセル２６４１～２６４３（図２６）の概念は、説明を簡単にするためだけに、サブピクセル２６４ｘとして本明細書で参照され得る。同様に、本開示では、ピクセル３４０（図３）の概念は、その少なくとも１つのサブピクセル２６４ｘの概念と併せて考察され得る。説明を簡単にするためだけに、そのような複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ」として参照され、そのような用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセル３４０および／またはその少なくとも１つのサブピクセル２６４ｘのいずれかまたは両方を示唆すると理解される。
本開示では、サブピクセル２６４１～２６４３（図２６）の概念は、説明を簡単にするためだけに、サブピクセル２６４ｘとして本明細書で参照され得る。同様に、本開示では、ピクセル３４０（図３）の概念は、その少なくとも１つのサブピクセル２６４ｘの概念と併せて考察され得る。説明を簡単にするためだけに、そのような複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ」として参照され、そのような用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセル３４０および／またはその少なくとも１つのサブピクセル２６４ｘのいずれかまたは両方を示唆すると理解される。
図３は、バックプレーン２０に示すＴＦＴ構造２００のうちの１つ以上によって提供され得るような駆動回路の例についての回路図である。示している例では、概して３００で示す回路は、第１の電極１２０および第２の電極１４０に電流を供給するためのであり、デバイス１００（および／または（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ）からの光子の放出を制御するアクティブマトリックスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）デバイス１００（および／またはその（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ）用の駆動回路の例についてである。示している回路３００は、複数のｐ型トップゲート薄膜ＴＦＴ構造２００を組み込んでいることを示しているが、１つまたは複数の薄膜層として形成されているかどうかにかかわらず、回路３００は、１つ以上のｐ型ボトムゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上のｎ型トップゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上のｎ型ボトムゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上の他のＴＦＴ構造２００、および／またはそれらの任意の組み合わせを等しく組み込むことができる。回路３００は、いくつかの非限定的な例では、スイッチングＴＦＴ３１０、駆動ＴＦＴ３２０、および蓄電コンデンサ３３０を含む。
ＯＬＥＤディスプレイ１００の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘは、ダイオード３４０によって表される。スイッチングＴＦＴ３１０のソース３１１は、データ（または、いくつかの非限定的な例では、列選択）ライン３０に結合される。スイッチングＴＦＴ３１０のゲート３１２は、ゲート（または、いくつかの非限定的な例では、行選択）ライン３１に結合される。スイッチングＴＦＴ３１０のドレイン３１３は、駆動ＴＦＴ３２０のゲート３２２に結合される。
駆動ＴＦＴ３２０のソース３２１は、電源１５の正（または負）端子に結合される。電源１５の（正）端子は、電気供給ライン（ＶＤＤ）３２によって表される。
駆動ＴＦＴ３２０のドレイン３２３は、駆動ＴＦＴ３２０およびダイオード３４０（および／またはＯＬＥＤディスプレイ１００の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ）が電気供給ライン（ＶＤＤ）３２と接地との間で直列に結合されるように、ダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘを表す）のアノード３４１（いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０であり得る）に結合される。
ダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘを表す）のカソード３４２（いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０であり得る）は、回路３００内の抵抗器３５０として表されている。
蓄電コンデンサ３３０は、そのそれぞれの端部で、駆動ＴＦＴ３２０のソース３２１およびゲート３２２に結合される。駆動ＴＦＴ３２０は、ダイオード３４０が所望の輝度を出力するように、蓄電コンデンサ３３０内に蓄えられた電荷の電圧に従って、ダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘを表す）を通過する電流を制限する。蓄電コンデンサ３３０の電圧は、スイッチングＴＦＴ３１０によって設定され、それをデータライン３０に結合する。
いくつかの非限定的な例では、補償回路３７０は、製造プロセス中の変動からのトランジスタ特性における任意のずれ、ならびに／もしくは経時的なスイッチングＴＦＴ３１０および／または駆動ＴＦＴ３２０の劣化を補償するために提供される。
半導電性層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、複数の層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を備え得、これらのいずれも、いくつかの非限定的な例では、正孔注入層（ＨＩＬ）１３１、正孔輸送層（ＨＴＬ）１３３、放出層（ＥＭＬ）１３５、電子輸送層（ＥＴＬ）１３７、および／または電子注入層（ＥＩＬ）１３９のうちのいずれか１つ以上を含み得るがこれらに限定されない積層構成で、薄膜内に配設することができる。本開示では、「半導電性層」という用語は、ＯＬＥＤデバイス１００内の層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９が、いくつかの非限定的な例では有機半導電性材料を含み得ることができるため、「有機層」と互換的に使用することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、複数の層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を備え得、これらのいずれも、いくつかの非限定的な例では、正孔注入層（ＨＩＬ）１３１、正孔輸送層（ＨＴＬ）１３３、放出層（ＥＭＬ）１３５、電子輸送層（ＥＴＬ）１３７、および／または電子注入層（ＥＩＬ）１３９のうちのいずれか１つ以上を含み得るがこれらに限定されない積層構成で、薄膜内に配設することができる。本開示では、「半導電性層」という用語は、ＯＬＥＤデバイス１００内の層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９が、いくつかの非限定的な例では有機半導電性材料を含み得ることができるため、「有機層」と互換的に使用することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、複数のＥＭＬ１３５を含む「タンデム」構造を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷生成層（ＣＧＬ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０を構成する積層体内に層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれらに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、ならびに／もしくはそれらの任意の２つ以上の組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積、および／または加工され得る。
当業者は、デバイス１００の構造が半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９のうちの１つ以上を省略および／または組み合わせることによって変更することができることを容易に理解するであろう。
さらに、少なくとも１つの半導電性層１３０の層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９のいずれも、任意の数の副層を含み得る。またさらに、そのような層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９、および／またはその副層のいずれかは、様々な混合物および／または組成勾配を含み得る。加えて、当業者は、デバイス１００が、無機および／または有機金属材料を含有する１つ以上の層を含み得、必ずしも有機材料単独で構成されたデバイスに限定されないことを理解するであろう。非限定的な例として、デバイス１００は、１つ以上の量子ドットを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１３１は、アノード３４１による正孔の注入を容易にすることができる正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１３３は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を示し得る正孔輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＴＬ１３７は、いくつかの非限定的な例では、高い電子移動度を示し得る電子輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１３９は、カソード３４２による電子の注入を容易にすることができる電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭＬ１３５は、非限定的な例として、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタ、および／またはこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、少なくとも１つの半導電性層１３０が、導電性薄膜電極１２０、１４０の間に挟入された少なくともＥＭＬ１３５を含み、それにより、それらにわたって電位差が印加されると、正孔は、アノード３４１を通して少なくとも１つの半導電性層１３０に注入され、電子は、カソード３４２を通して少なくとも１つの半導電性層１３０に注入されるＯＬＥＤであり得る。
注入された正孔および電子は、互いに到達して出会うまで、様々な層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を通って移動する傾向がある。正孔と電子とが極めて近位にあるとき、それらはクーロン力によって互いに引き付けられる傾向があり、いくつかの例では、結合して励起子と称される束縛状態の電子正孔対を形成する場合がある。特に励起子がＥＭＬ１３５内で形成される場合、励起子は、光子が放出される輻射再結合プロセスを通して減衰し得る。輻射再結合プロセスのタイプは、励起子のスピン状態に依存し得る。いくつかの例では、励起子は、一重項または三重項スピン状態を有するものとして特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、一重項励起子の輻射減衰は、蛍光をもたらし得る。いくつかの非限定的な例では、三重項励起子の輻射減衰は、リン光をもたらし得る。
より最近では、ＯＬＥＤ用の他の光子放出メカニズムが提案かつ調査され、それらはＴＡＤＦを含んでいるがこれに限定されない。いくつかの非限定的な例では、ＴＡＤＦ発光は、熱エネルギーの支援下での逆項間交差プロセスを介して三重項励起子を一重項励起子へ変換し、続いて一重項励起子が輻射減衰することで発生する。
いくつかの非限定的な例では、励起子は、特に励起子がＥＭＬ１３５内で形成されない場合、光子が解放されない非輻射プロセスを通して減衰し得る。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス１００の「内部量子効率」（ＩＱＥ）という用語は、輻射再結合プロセスを通して減衰し、光子を放出する、デバイス１００内で生じたすべての電子正孔対の割合を指す。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス１００の「外部量子効率」（ＥＱＥ）という用語は、デバイス１００によって放出される光子の数に対する、デバイス１００に送達される電荷キャリアの割合を指す。いくつかの非限定的な例では、ＥＱＥが１００％の場合、デバイス１００に注入される電子ごとに１つの光子が放出されることを示す。
当業者は、デバイス１００のＥＱＥが、いくつかの非限定的な例では、同じデバイス１００のＩＱＥよりも実質的に低い場合があることを理解するであろう。所与のデバイス１００のＥＱＥとＩＱＥとの間の差は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な構成要素によって引き起こされる光子の吸着および反射を含むがこれらに限定されない、多くの要因に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、少なくとも１つの半導電性層１３０が少なくとも１つの量子ドットを含む活性層を含むエレクトロルミネセント量子ドットデバイスであり得る。電流が電源１５によって第１の電極１２０および第２の電極１４０に提供されるとき、光子は、それらの間の少なくとも１つの半導電性層１３０を含む活性層から放出される。
当業者は、デバイス１００の構造が、正孔遮断層（図示せず）、電子遮断層（図示せず）、追加の電荷輸送層（図示せず）、および／または追加の電荷注入層（図示せず）を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの半導電性層１３０積層体内の適切な位置に１つ以上の追加の層（図示せず）を導入することによって変えることができることを容易に理解するであろう。
バリアコーティング
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０を提供して、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および少なくとも１つの半導電性層１３０の様々な層、ならびに／またはデバイス１００のそれらの上に配設された基板１１０を取り囲むかつ／あるいはカプセル化することができる。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０を提供して、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および少なくとも１つの半導電性層１３０の様々な層、ならびに／またはデバイス１００のそれらの上に配設された基板１１０を取り囲むかつ／あるいはカプセル化することができる。
いくつかの非限定的な例では、これらの層１２０、１３０、１４０は酸化する傾向があるため、バリアコーティング１６５０は、少なくとも１つの半導電性層１３０および／またはカソード３４２を含むデバイス１００の様々な層１２０、１３０、１４０が湿気および／または周囲空気に曝露されるのを抑制するために提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、非常に不均一な表面へのバリアコーティング１６５０の塗布は、そのような表面へのバリアコーティング１６５０の不十分な接着の可能性を高める場合がある。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０の欠如および／または不十分に塗布されたバリアコーティング１６５０は、デバイス１００での欠陥、ならびに／もしくは部分的および／または全体的な故障を引き起こすかつ／あるいはそれらに寄与する場合がある。いくつかの非限定的な例では、不十分に塗布されたバリアコーティング１６５０は、デバイス１００へのバリアコーティング１６５０の接着を低下させる場合がある。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０の不十分な接着は、特にデバイス１００が屈曲および／または曲げられた場合、バリアコーティング１６５０がデバイス１００の全体または一部から剥離する可能性を高める場合がある。いくつかの非限定的な例では、不十分に塗布されたバリアコーティング１６５０は、バリアコーティング１６５０の塗布中に、バリアコーティング１６５０とバリアコーティング１６５０が塗布されたデバイス１００の基部表面との間にエアポケットを封じ込める場合がある。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０は、薄膜カプセル化（ＴＦＥ）層２０５０（図２０Ｂ）であり得、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれらに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの任意の２以上の組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積、ならびに／もしくは加工され得る。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０は、予め形成されたバリア膜をデバイス１００上に積層することによって提供され得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０は、有機材料、無機材料、および／またはそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む多層コーティングを含み得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０は、ゲッター材料および／または乾燥剤をさらに含み得る。
横側面
ＯＬＥＤデバイス１００が照明パネルを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横側面全体が単一の照明要素に対応し得る。したがって、図１に示す実質的に平面の断面プロファイルは、光子が実質的にその横範囲の全体に沿ってデバイス１００から放出されるように、実質的にデバイス１００の横側面全体に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の照明要素は、デバイス１００の単一の駆動回路３００によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１００が照明パネルを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横側面全体が単一の照明要素に対応し得る。したがって、図１に示す実質的に平面の断面プロファイルは、光子が実質的にその横範囲の全体に沿ってデバイス１００から放出されるように、実質的にデバイス１００の横側面全体に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の照明要素は、デバイス１００の単一の駆動回路３００によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１００がディスプレイモジュールを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横側面は、デバイス１００の複数の発光領域１９１０に細分され得、ここで、図１に示すがこれに限定されない、発光領域１９１０の各々内のデバイス構造１００の断面側面は、エネルギーを与えられるときに、そこから光子を放出させる。
放出領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の個々の放出領域１９１０は、横パターンで並べられてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の横方向に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横方向に沿って延在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の横方向に実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、そのようなパターン内に多くの要素を有し得、各要素は、その発光領域１９１０によって放出された光の波長、そのような発光領域１９１０の形状、寸法（第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方に沿って）、向き（第１および／または第２の横方向のいずれかならびに／もしくは両方に対して）、および／またはパターン内の前の要素からの間隔（第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方に対して）を含むがこれらに限定されない、その１つ以上の特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方で繰り返され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の個々の放出領域１９１０は、横パターンで並べられてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の横方向に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横方向に沿って延在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の横方向に実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、そのようなパターン内に多くの要素を有し得、各要素は、その発光領域１９１０によって放出された光の波長、そのような発光領域１９１０の形状、寸法（第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方に沿って）、向き（第１および／または第２の横方向のいずれかならびに／もしくは両方に対して）、および／またはパターン内の前の要素からの間隔（第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方に対して）を含むがこれらに限定されない、その１つ以上の特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方で繰り返され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各個々の発光領域１９１０は、デバイス１００のバックプレーン２０内の対応する駆動回路３００に関連付けられ、それによって駆動され、ここで、ダイオード３４０は、関連付けられた発光領域１９１０用のＯＬＥＤ構造に対応する。発光領域１９１０が第１（行）の横方向および第２（列）の横方向の両方に延在する規則的なパターンで並べられる場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、第１の横方向に延在する発光領域１９１０の各行に対応するゲートライン（または行選択）ライン３１であり得るバックプレーン２０内の信号ライン３０、３１、および第２の横方向に延在する発光領域１９１０の各列に対応する、いくつかの非限定的な例ではデータ（または列選択）ライン３０であり得る信号ライン３０、３１があり得る。そのような非限定的な構成では、行選択ライン３１／データライン３０の対上の信号が、電源１５の正端子（電気供給ラインＶＤＤ３２によって表される）、そこから光子の放出を引き起こすそのような対に関連付けられた発光領域１９１０のＯＬＥＤ構造のアノード３４１、電源１５の負端子に電気的に結合されているそのカソード３４２によって電気的に結合され、エネルギーを与えるように、行選択ライン３１上の信号は、それに電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ３１０のそれぞれのゲート３１２にエネルギーを与えることができ、データライン３０上の信号は、それに電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ３１０のそれぞれのソースにエネルギーを与えることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各発光領域１９１０は、単一のディスプレイピクセル３４０に対応する。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル３４０は、所与の波長スペクトルで光を放出する。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、可視光スペクトルの色に対応するがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各発光領域１９１０は、ディスプレイピクセル３４０のサブピクセル２６４ｘに対応する。いくつかの非限定的な例では、複数のサブピクセル２６４ｘが組み合わされて、単一のディスプレイピクセル３４０を形成するか、または表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル３４０は、３つのサブピクセル２６４１～２６４３によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピクセル２６４１～２６４３は、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２６４１、Ｇ（緑）サブピクセル２６４２、および／またはＢ（青）サブピクセル２６４３として表示することができる。いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル３４０は、４つのサブピクセル２６４ｘによって表すことができ、ここで、そのようなサブピクセル２６４ｘのうちの３つは、Ｒ、Ｇ、およびＢサブピクセル２６４１～２６４３として表示することができ、第４のサブピクセル２６４ｘは、Ｗ（白）サブピクセル２６４ｘとして表示することができる。いくつかの非限定的な例では、所与のサブピクセル２６４ｘによって放出される光の発光スペクトルは、サブピクセル２６４ｘが表示される色に対応する。いくつかの非限定的な例では、光の波長はそのような色に対応しないが、さらなる加工が実行されて、当業者に明らかな様態で、波長をそのように対応する波長に換える。
異なる色のサブピクセル２６４ｘの波長は異なる場合があるため、そのようなサブピクセル２６４ｘの光学特性は、特に実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１２０、１４０が異なる色のサブピクセル２６４ｘに採用される場合、異なり得る。
実質的に均一な厚さを有する共通電極１２０、１４０がデバイス１００の第２の電極１４０として提供される場合、デバイス１００の光学性能は、各（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに関連付けられた発光スペクトルに従って微調整することは容易にはできない。そのようなＯＬＥＤデバイス１００において使用される第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘを被覆している共通電極１２０、１４０であり得る。非限定的な例として、そのような共通電極１２０、１４０は、デバイス１００全体にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電層であってもよい。異なる（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ内に配設された有機層の厚さを変化させることにより、各（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの色に関連付けられた光学的マイクロキャビティ効果を調整する努力がいくつかの非限定的な例においてなされてきたが、そのような方式は、いくつかの非限定的な例では、少なくともいくつかの場合には、光学的マイクロキャビティ効果の調整の有意な度合いを提供することができる。加えて、いくつかの非限定的な例では、そのような方式は、ＯＬＥＤディスプレイの製造環境において実施することが難しい場合がある。
結果として、いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤデバイス１００を含むがこれに限定されない光電子デバイスを構築するために使用され得るような、異なる屈折率を有する多数の薄膜層およびコーティングによって作成された光学界面の存在は、異なる色のサブピクセル２６４ｘのための異なる光学マイクロキャビティ効果を作成する場合がある。
デバイス１００において、観察されるマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得るいくつかの要因には、限定されないが、総経路長（これは、いくつかの非限定的な例では、そこから放出された光子が取り出される前に通り過ぎるデバイス１００の総厚に対応し得る）、ならびに様々な層およびコーティングの屈折率が含まれるがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０内およびそれにわたる電極１２０、１４０の厚さを調整することにより、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼす場合がある。いくつかの非限定的な例では、そのような影響は、総光路長の変化に起因する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、これは、特に、電極１２０、１４０が少なくとも１つの導電性コーティング８３０で形成されている場合であり得る。いくつかの非限定的な例では、総光路長、および付随して、観察可能な光学マイクロキャビティ効果はまた、所与の発光領域１９１０内に配設された、ＮＩＣ８１０、ＮＰＣ１１２０、および／またはキャッピング層（ＣＰＬ）３６１０（図３６Ａ）を含むがこれらに限定されない、任意の層の厚さの変化によって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の、および／またはいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を調整することによって変えることができる（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０にわたる光学特性には、発光スペクトル、強度（光度を含むがこれに限定されない）、ならびに／もしくは放出された光の輝度および／またはカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、放出された光の角度分布が含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２６４ｘは、第１のディスプレイピクセル３４０を表すために他のサブピクセル２６４ｘの第１の組に関連付けられ、また、第２のディスプレイピクセル３４０を表すために他のサブピクセル２６４ｘの第２の組に関連付けられるため、第１および第２のディスプレイピクセル３４０は、同じサブピクセル２６４ｘをそれらに関連付けることができる。
サブピクセル２６４ｘのディスプレイピクセル３４０へのパターンおよび／または組織は進化し続けている。現在および将来のすべてのパターンおよび／または組織は、本開示の範囲内に収まっているとみなされる。
非放出領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な発光領域１９１０は、少なくとも１つの横方向において、１つ以上の非発光領域１９２０によって実質的に取り囲まれ、分離され、ここで、図１に示すがこれに限定されない、デバイス構造１００の断面側面に沿った構造および／または構成は、そこから放出される光子を実質的に抑制するように変わる。いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９２０は、放出領域１９１０が実質的にない横側面内のこれらの領域を含む。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な発光領域１９１０は、少なくとも１つの横方向において、１つ以上の非発光領域１９２０によって実質的に取り囲まれ、分離され、ここで、図１に示すがこれに限定されない、デバイス構造１００の断面側面に沿った構造および／または構成は、そこから放出される光子を実質的に抑制するように変わる。いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９２０は、放出領域１９１０が実質的にない横側面内のこれらの領域を含む。
したがって、図４の断面図に示すように、少なくとも１つの半導電性層１３０の様々な層の横形状（ｔｏｐｏｌｏｇｙ）を変えて、少なくとも１つの非発光領域１９２０によって（少なくとも、１つの横方向に）取り囲まれた少なくとも１つの発光領域１９１０を画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０は、横側面４２０を有する少なくとも１つの非発光領域１９２０で少なくとも１つの横方向に取り囲まれた横側面４１０を有すると理解され得る。
ＯＬＥＤディスプレイ１００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０に適用されるようなデバイス１００の断面側面の実装の非限定的な例について、ここで説明する。そのような実装の特徴部は、放出領域１９１０に特有であることが示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２つ以上の放出領域１９１０が共通の特徴部を包含し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では放出領域１９１０の横側面４１０の少なくとも一部内で、デバイス１００の露出層表面１１１上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０内で、露出層表面１１１は、第１の電極１２０の堆積時に、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０用の駆動回路３００を構成する様々なＴＦＴ構造２００のＴＦＴ絶縁層２８０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層２８０は、それを通って延在する開口部４３０が形成されて、図４に示すように、第１の電極１２０がＴＦＴドレイン電極２７０を含むがこれに限定されない、ＴＦＴ電極２４０、２６０、２７０のうちの１つに電気的に結合されることを可能にすることができる。
当業者は、駆動回路３００が、スイッチングＴＦＴ３１０、駆動ＴＦＴ３２０、および／または蓄電コンデンサ３３０を含むがこれらに限定されない、複数のＴＦＴ構造２００を含むことを理解するであろう。図４では、例示を簡単にするために、１つのＴＦＴ構造２００のみが示されているが、そのようなＴＦＴ構造２００が、駆動回路３００を構成する複数のそのようなＴＦＴ構造を表すものであることが当業者に理解されよう。
断面側面では、各放出領域１９１０の構成は、いくつかの非限定的な例では、取り囲む非放出領域１９２０の横側面４２０全体に実質的に少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）４４０を導入することによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、絶縁有機材料および／または絶縁無機材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、実質的にＴＦＴ絶縁層２８０上に堆積されるが、示すように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０はまた、堆積された第１の電極１２０および／またはその外縁部の少なくとも一部にわたって延在していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図４に示すように、ＰＤＬ４４０の断面厚さおよび／またはプロファイルは、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する、取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０と取り囲まれた発光領域１９１０の横側面４１０との境界に沿って、増加した厚さの領域によって、各（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０に実質的に谷形状の構成を付与することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０のプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、そのような非放出領域１９２０の横側面４２０内で実質的に良好な、取り囲む非放出領域１９２０の横側面４２０と取り囲まれた放出領域１９１０の横側面４１０との間の境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状の構成を越える低減した厚さを有し得る。
ＰＤＬ４４０は、それによって取り囲まれた発光領域１９１０を画定する谷形状の構成を形成するために直線的に傾斜した表面を有するものとして一般に示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ４４０の形状、アスペクト比、厚さ、幅、および／または構成のうちの少なくとも１つを変えることができることを理解するであろう。非限定的な例として、ＰＤＬ４４０は、より急な、またはより緩やかに傾斜した一部で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の１つ以上の縁部を被覆する、それが堆積された表面から離れて実質的に法線方向に延在するように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ４４０は、インクジェット印刷を含むがこれに限定されない印刷によるものを含むがこれに限定されない溶液処理技術によって、その上に少なくとも１つの半導電性層１３０を堆積させるように構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのそのような発光領域１９１０の横側面４１０の少なくとも一部を含む、デバイス１００の露出層表面１１１上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０内で、そのような露出層表面１１１は、少なくとも１つの半導電性層１３０（および／またはその層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９）の堆積時に、第１の電極１２０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０はまた、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０を越えて、および少なくとも部分的に、取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０内に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような取り囲む非発光領域１９２０のそのような露出層表面１１１は、少なくとも１つの半導電性層１３０の堆積時に、ＰＤＬ４４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０の少なくとも一部を含む、デバイス１００の露出層表面１１１上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０内で、そのような露出層表面１１１は、第２の電極１３０の堆積時に、少なくとも１つの半導電性層１３０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０はまた、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０を越えて、および少なくとも部分的に、取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０内に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような取り囲む非放出領域１９２０のそのような露出層表面１１１は、第２の電極１４０の堆積時に、ＰＤＬ４４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、取り囲む非放出領域１９２０の横側面４２０の実質的にすべてまたは実質的な一部全体に延在することができる。
透過性
ＯＬＥＤデバイス１００は、第１の電極１２０（下面発光および／または両面発光デバイスの場合に）、ならびに基板１１０および／または第２の電極１４０（上面発光および／または両面発光デバイスの場合に）のいずれかまたは両方を通して光子を放出するため、いくつかの非限定的な例では、少なくとも、デバイス１００の発光領域１９１０の横側面４１０の実質的な一部にわたる、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０のいずれかまたは両方を実質的に光子（または光）透過性（「透過性」）にすることが望ましい場合がある。本開示では、電極１２０、１４０、そのような要素を形成する材料、および／またはその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、少なくとも１つの波長帯において、いくつかの非限定的な例では実質的に透過性（「透明」）、および／またはいくつかの非限定的な例では部分的に透過性（「半透明」）である要素、材料、および／またはその特性を含み得る。
ＯＬＥＤデバイス１００は、第１の電極１２０（下面発光および／または両面発光デバイスの場合に）、ならびに基板１１０および／または第２の電極１４０（上面発光および／または両面発光デバイスの場合に）のいずれかまたは両方を通して光子を放出するため、いくつかの非限定的な例では、少なくとも、デバイス１００の発光領域１９１０の横側面４１０の実質的な一部にわたる、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０のいずれかまたは両方を実質的に光子（または光）透過性（「透過性」）にすることが望ましい場合がある。本開示では、電極１２０、１４０、そのような要素を形成する材料、および／またはその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、少なくとも１つの波長帯において、いくつかの非限定的な例では実質的に透過性（「透明」）、および／またはいくつかの非限定的な例では部分的に透過性（「半透明」）である要素、材料、および／またはその特性を含み得る。
少なくとも、その発光領域１９１０の横側面４１０の実質的な一部にわたって、デバイス１００に透過性特性を付与するために、様々なメカニズムが適合されてきた。
デバイス１００が下面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスである場合を含むがこれらに限定されないいくつかの非限定的な例では、取り囲む基板１１０の透過性を少なくとも部分的に低減することができる（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０に関連付けられた駆動回路３００のＴＦＴ構造２００は、取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０内に位置付けられて、発光領域１９１０の横側面４１０内の基板１１０の透過性特性に影響を及ぼすことを回避する。
デバイス１００が両面発光デバイスであるいくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０に関して、電極１２０、１４０のうちの一方は、本明細書に開示するメカニズムのうちの少なくとも１つによることを含むがこれに限定されない、実質的に透過性にされてもよく、近接および／または隣接する（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの横側面４１０に関して、電極１２０、１４０のうちのもう一方は、本明細書に開示するメカニズムのうちの少なくとも１つによることを含むがこれに限定されない、実質的に透過性にされてもよい。したがって、交互の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ配列において、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのサブセットが実質的に上面発光であり、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのサブセットが実質的に下面発光であるように、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの第１の発光領域１９１０の横側面４１０は実質的に上面発光にすることができるが、近接する（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの第２の発光領域１９１０の横側面４１０は実質的に下面発光にすることができ、一方、各（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの単一の電極１２０、１４０のみが実質的に透過性にされる。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０（下面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスの場合には第１の電極１２０、ならびに／もしくは上面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスの場合には第２の電極１４０）を透過性にするためのメカニズムは、透過性薄膜のそのような電極１２０、１４０を形成することである。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０のシート抵抗Ｒ２は、一般に、デバイス１００の他の構成要素、層、および／または部品とは別に測定された導電性コーティング３８０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、薄膜として形成され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０についてのシート抵抗Ｒ３は、そのような薄膜の組成、厚さ、および／または形態に基づいて決定および／または計算され得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗Ｒ３は、約１０Ω／ｓｑｒ未満、約５Ω／ｓｑｒ未満、約１Ω／ｓｑｒ未満、約０．５Ω／ｓｑｒ未満、０．２Ω／ｓｑｒ、および／または約０．１Ω／ｓｑｒ未満であり得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、導電性コーティング材料８３１を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、３００ｋＪ／モル未満、２００ｋＪ／モル未満、１６５ｋＪ／モル未満、１５０ｋＪ／モル未満、１００ｋＪ／モル未満、５０ｋＪ／モル未満、および／または２０ｋＪ／モル未満の導電性コーティング材料８３１の結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、および／またはイットリウム（Ｙ）から選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｔｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、および／またはＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、および／またはＡｕを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、および／またはＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、および／またはＬｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、および／またはＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇおよび／またはＡｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、純粋な金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、純粋な金属である。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、純粋なＡｇまたは実質的に純粋なＡｇである。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および／または少なくとも約９９．９９９５％の純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、純粋なＭｇまたは実質的に純粋なＭｇである。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および／または少なくとも約９９．９９９５％の純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、および／またはＡｇＭｇ含有合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、Ａｇの代用としておよび／またはそれと組み合わせて他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、Ａｇの少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、ＡｇのＭｇおよび／またはＹｂとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５体積％のＡｇ～約９５体積％のＡｇの組成を有し、残りは他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、ＡｇおよびＭｇを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、体積で約１：１０～約１０：１の組成を有するＭｇ：Ａｇ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、ＡｇおよびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、体積で約１：２０～約１～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、ＭｇおよびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、Ａｇ、Ｍｇ、およびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、および／または炭素（Ｃ）であり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素が、源材料、堆積のために使用される機器、および／または真空チャンバ環境中にそのような追加の元素が存在することによって、汚染物質として導電性コーティング８３０に組み込まれ得ることが当業者に理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素の濃度は、閾値濃度を下回るように制限され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、導電性コーティング８３０の他の元素と一緒に化合物を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１中の非金属元素の濃度は、約１％未満、約０．１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および／または約０．００００００１％であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、その中のＯおよびＣの合計量が約１０％未満、約５％、約１％、約０．１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および／または約０．００００００１％である組成を有する。
ここで、やや意外なことに、導電性コーティング８３０中のある特定の非金属元素の濃度を低減すると、導電性コーティング８３０の選択された堆積を容易にすることができることが見出された。任意の特定の理論に拘束されることを望まずに、非限定的な例として、Ｏおよび／またはＣなどのある特定の非金属元素は、導電性コーティング８３０の蒸気フラックス中、ならびに／もしくは堆積チャンバおよび／または環境中に存在するとき、導電性コーティング８３０の金属元素のための核生成部位として作用するように、ＮＩＣ８１０の表面上に堆積させることができると想定され得る。核生成部位として作用し得るそのような非金属元素の濃度を低減すると、ＮＩＣ８１０の露出層表面１１１上に堆積した導電性コーティング材料８３１の量を低減することを容易にすることができると想定され得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および金属コーティング１３８は、共通の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１および金属コーティング材料は、同じ組成を有する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、導電性コーティング材料８３１の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の導電性コーティング材料８３１は、複数の層のうちの第２の層の導電性コーティング材料８３１とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、多層コーティングを含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような多層コーティングは、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、および／またはＹｂ／Ｍｇ／Ａｇを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、特にそのような導電性薄膜の場合に、比較的薄い層厚さは、ＯＬＥＤデバイス１００で使用するための強化された透過性品質であるが、好ましい光学特性（低減したマイクロキャビティ効果を含むがこれに限定されない）にも寄与するように、最大で実質的に数十ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような薄い導電性膜は、中間段階の薄膜を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性品質を促進するための電極１２０、１４０の厚さを低減すると、電極１２０、１４０のシート抵抗の増加を伴う場合がある。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１２０、１４０を有するデバイス１００は、動作時に電源１５に結合されたときに大きい電流抵抗（ＩＲ）降下を生み出す。いくつかの非限定的な例では、そのようなＩＲ降下は、電源１５のレベル（ＶＤＤ）を上昇させることによって、ある程度補償され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘについて、電源１５のレベルを増加させて、高いシート抵抗によるＩＲ降下を補償することにより、他の構成要素に供給される電圧のレベルを上昇させて、デバイス１００の効果的な動作を維持することを必要とする場合がある。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０を実質的に透過性にする能力に大きい影響を及ぼすことなく、デバイス１００の電気供給需要を低減するために（ＴＣＯ、金属薄膜、および／または金属合金薄膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）、補助電極１７５０および／またはバスバー構造４１５０をデバイス１００上に形成して、デバイス１００の様々な放出領域に電流をより効果的に運搬することを可能にすることができ、同時に、透過性電極１２０、１４０のシート抵抗およびその関連するＩＲ降下を低減する。
いくつかの非限定的な例では、ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイス１００の共通電極１２０、１４０のシート抵抗の仕様は、デバイス１００の（パネル）サイズおよび／またはデバイス１００にわたる電圧変動の許容範囲を含むがこれら限定されない、多くのパラメータに従って変わり得る。いくつかの非限定的な例では、パネルサイズが大きくなるにつれて、シート抵抗の仕様が大きくなり得る（つまり、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限定的な例では、電圧変動に対する許容範囲が減少するにつれて、シート抵抗の仕様が大きくなり得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様を使用して、様々なパネルサイズについてそのような仕様に準拠するための補助電極１７５０および／またはバスバー４１５０の厚さの例を導き出すことができる。１つの非限定的な例では、すべてのディスプレイパネルサイズについて０．６４のアパーチャ比が推測され、様々なパネルサイズの例についての補助電極１７５０の厚さが、例えば、下記の表１の０．１Ｖおよび０．２Ｖの電圧許容範囲について計算された。
非限定的な例として、上面発光デバイスについては、第２の電極１４０は、透過性にされ得る。他方では、いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０および／またはバスバー４１５０は、実質的に透過性ではない場合があるが、それらの間に導電性コーティング８３０を堆積させることによることを含むがこれに限定されない、第２の電極１４０に電気的に結合されて、第２の電極１４０の実効シート抵抗を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０からの光子の放出に干渉しないように、横側面および／または断面側面のいずれかまたは両方に位置決めおよび／または成形され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０を作製するためのメカニズムは、その放出領域１９１０の横側面４１０の少なくとも一部にわたる、および／またはいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非放出領域１９２０の横側面４２０の少なくとも一部にわたるパターンで、そのような電極１２０、１４０を形成することである。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムを採用して、上記で考察したように、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０からの光子の放出に干渉しないように、横側面および／または断面側面のいずれかまたは両方の位置および／または形状で補助電極１７５０および／またはバスバー４１５０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、デバイス１００によって放出される光子の光路において導電性酸化物材料が実質的にないように構成され得る。非限定的な例として、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する少なくとも１つの発光領域１９１０の横側面４１０において、第２の電極１４０、ＮＩＣ８１０、および／またはその上に堆積された任意の他の層および／またはコーティングを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの半導電性層１３０の後に堆積された層および／またはコーティングの少なくとも１つに、導電性酸化物材料が実質的にない場合がある。いくつかの非限定的な例では、導電性酸化物材料が実質的にないことは、デバイス１００によって放出される光の吸収および／または反射を低減し得る。非限定的な例として、ＩＴＯおよび／またはＩＺＯを含むがこれらに限定されない導電性酸化物材料は、可視スペクトルの少なくともＢ（青）領域の光を吸収することができ、これは、一般に、デバイス１００の効率および／または性能を低下させ得る。
いくつかの非限定的な例では、これらおよび／または他のメカニズムの組み合わせを採用することができる。
追加的に、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０のうちの１つ以上を、少なくとも、デバイス１００の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０の実質的な一部にわたって、実質的に透過性にすることに加えて、光子がその横側面４１０にわたって実質的に放出されることを可能にするために、本明細書で開示するように、デバイス１００内で内部的に生じた光子の放出（上面放出、下面放出、および／または両面放出で）に加えて、そのような外部入射光のかなりの一部がデバイス１００を透過することができるように、デバイス１００を、その外部表面に入射する光に対して実質的に透過性にするために、デバイス１００の取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０のうちの少なくとも１つを、下面方向および上面方向の両方に実質的に透過性にすることが望ましい場合がある。
導電性コーティング
本開示では、「導電性コーティング」および「電極コーティング」という用語は、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０の選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、本明細書における導電性コーティング８３０の同様の概念および参照を指すために互換的に使用され得、いくつかの非限定的な例では、パターニングコーティング８１０、１１２０の選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、電極コーティング８３０に適用可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極コーティング８３０への言及は、本明細書で説明されるような特定の組成を有するコーティングを意味し得る。同様に、本開示では、「導電性コーティング材料」および「電極コーティング材料」という用語は、本明細書における導電性コーティング材料８３１への同様の概念および参照を指すために互換的に使用され得る。
本開示では、「導電性コーティング」および「電極コーティング」という用語は、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０の選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、本明細書における導電性コーティング８３０の同様の概念および参照を指すために互換的に使用され得、いくつかの非限定的な例では、パターニングコーティング８１０、１１２０の選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、電極コーティング８３０に適用可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極コーティング８３０への言及は、本明細書で説明されるような特定の組成を有するコーティングを意味し得る。同様に、本開示では、「導電性コーティング材料」および「電極コーティング材料」という用語は、本明細書における導電性コーティング材料８３１への同様の概念および参照を指すために互換的に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を基部材料の露出層表面１１１上に堆積させるために使用される導電性コーティング材料８３１（図９）は、実質的に純粋な元素であり得る。いくつかのさらなる非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、実質的に純元素を含む。いくつかの他の非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、２つ以上の元素を含み、これらは、例えば、合金または混合物として提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような混合物の少なくとも１つの成分は、そのような表面上に堆積されない、堆積中にそのような露出層表面１１１上に堆積されない場合があり、ならびに／もしくはそのような露出層表面１１１に堆積されるそのような混合物の残りの成分の量に対して少量で堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような混合物のそのような少なくとも１つの成分は、実質的に残りの成分のみを選択的に堆積させるための残りの成分に対する特性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、この特性は、蒸気圧であり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような混合物のそのような少なくとも１つの成分は、残りの成分に対してより低い蒸気圧を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、銅（Ｃｕ）－マグネシウム（Ｃｕ－Ｍｇ）混合物であり得、ここで、Ｃｕは、Ｍｇよりも低い蒸気圧を有する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３０を露出層表面１１１上に堆積させるために使用される導電性コーティング材料８３１は、実質的に純粋であり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇを堆積するために使用される導電性コーティング材料８３１は、いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇを含む。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、純粋なＭｇに対して実質的に同様の特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇの純度は、約９５％以上、約９８％以上、約９９％以上、約９９．９％以上、および９９．９９％以上であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、様々な例による光電子デバイスの導電性コーティング８３０は、Ｍｇを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、実質的に純粋なＭｇを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ｍｇの代用としておよび／またはそれと組み合わせて他の金属を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、１つ以上の他の金属とのＭｇの合金を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、ＭｇとＹｂ、Ｃｄ、Ｚｎ、および／またはＡｇとの合金を含む。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５体積％のＭｇ～約９５体積％のＭｇの範囲の組成を有し、残りは他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、体積で約１：１０～約１０：１の範囲の組成を有するＭｇ：Ａｇ合金を含む。
いくつかの非限定的な例では、様々な例による光電子デバイス内の導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、Ａｇを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、実質的に純粋なＡｇを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、Ａｇの代用としておよび／またはそれと組み合わせて他の金属を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、Ａｇの１つ以上の他の金属との合金を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、ＡｇのＭｇ、Ｙｂ、および／またはＺｎとの合金を含む。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５体積％のＡｇ～約９５体積％のＡｇの組成を有し、残りは他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、ＡｇおよびＭｇを含む。そのような導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１の非限定的な例には、体積で約１：１０～約１０：１の組成を有するＭｇ：Ａｇ合金が含まれる。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、ＡｇおよびＹｂを含む。そのような導電性コーティング８３０の非限定的な例には、体積で約１：２０～約１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金が含まれる。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、例えば、Ｍｇ：Ｙｂ合金として、Ｍｇと、Ｙｂと、を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０および／または導電性コーティング材料８３１は、例えばＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金として、Ａｇ、Ｍｇ、およびＹｂを含む。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、互いに異なる組成を有する２つ以上の層を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の２つ以上の層は、互いに異なる元素を含む。そのような導電性コーティング８３０の非限定的な例には、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、および／またはＹｂ／Ｍｇ／Ａｇによって形成される多層コーティングが含まれる。
パターニング
前述の結果として、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０、および／または発光領域１９１０を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０にわたって、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、デバイス特徴部を、デバイス１００のフロントプレーン１０層の露出層表面１１１上にパターンで選択的に堆積させることが望ましい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０は、複数の導電性コーティング８３０のうちの少なくとも１つに堆積され得る。
前述の結果として、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０、および／または発光領域１９１０を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０にわたって、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、デバイス特徴部を、デバイス１００のフロントプレーン１０層の露出層表面１１１上にパターンで選択的に堆積させることが望ましい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０は、複数の導電性コーティング８３０のうちの少なくとも１つに堆積され得る。
しかしながら、導電性コーティング８３０のそのようなパターニングを達成するために、いくつかの非限定的な例では、数十ミクロン程度以下の特徴部サイズを有する比較的小さな特徴部を形成するために使用され得るＦＭＭなどのシャドウマスクを採用することは、いくつかの非限定的な例では、以下の理由で実行可能ではない場合がある：
・ＦＭＭは、薄い導電性膜の堆積のために採用され得るような、特に高温での堆積プロセス中に変形する場合がある、
・特に高温堆積プロセスにおける、ＦＭＭの機械的強度（引張強度を含むがこれに限定されない）および／またはシャドウイング効果の制限は、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得る特徴部のアスペクト比に制約を付与する場合がある、
・非限定的な例として、ＦＭＭの各一部が、いくつかの非限定的な例では、パターンが孤立した特徴部を指定する場合を非限定的な例として含む単一の処理段階でいくつかのパターンが達成可能ではない場合があるように物理的に支持されるため、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得るパターンのタイプおよび数が制約される場合がある、
・ＦＭＭは、高温堆積プロセス中に反る傾向を示し得、これにより、いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭの中のアパーチャの形状および位置が歪む場合があり、これにより、選択的堆積パターンが変わり、性能および／または収率が低下する場合がある、
・デバイス１００の表面全体にわたって広がる繰り返し構造を生成するために使用することができるＦＭＭは、ＦＭＭ中に多数のアパーチャが形成されることを必要とする場合があり、これにより、ＦＭＭの構造的完全性が損なわれる場合がある、
・特に金属堆積プロセスにおいて、連続堆積でＦＭＭを繰り返し使用すると、堆積材料がそれに接着する場合があり、これにより、ＦＭＭの特徴部が不明瞭になり得、これにより、選択的堆積パターンが変わり、性能および／または収率が低下する場合がある、
・ＦＭＭは、接着した非金属材料を除去するために定期的に洗浄され得るが、そのような洗浄手順は、接着した金属での使用に好適ではない場合があり、そうであっても、いくつかの非限定的な例では、時間および／または費用がかかる場合がある、ならびに
・任意のそのような洗浄プロセスに関係なく、特に高温堆積プロセスにおいて、そのようなＦＭＭを継続して使用すると、所望のパターニングを生成する際に無駄になる場合があり、複雑かつ費用がかかるプロセスにおいて、それらが廃棄および／または交換される場合がある。
・ＦＭＭは、薄い導電性膜の堆積のために採用され得るような、特に高温での堆積プロセス中に変形する場合がある、
・特に高温堆積プロセスにおける、ＦＭＭの機械的強度（引張強度を含むがこれに限定されない）および／またはシャドウイング効果の制限は、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得る特徴部のアスペクト比に制約を付与する場合がある、
・非限定的な例として、ＦＭＭの各一部が、いくつかの非限定的な例では、パターンが孤立した特徴部を指定する場合を非限定的な例として含む単一の処理段階でいくつかのパターンが達成可能ではない場合があるように物理的に支持されるため、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得るパターンのタイプおよび数が制約される場合がある、
・ＦＭＭは、高温堆積プロセス中に反る傾向を示し得、これにより、いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭの中のアパーチャの形状および位置が歪む場合があり、これにより、選択的堆積パターンが変わり、性能および／または収率が低下する場合がある、
・デバイス１００の表面全体にわたって広がる繰り返し構造を生成するために使用することができるＦＭＭは、ＦＭＭ中に多数のアパーチャが形成されることを必要とする場合があり、これにより、ＦＭＭの構造的完全性が損なわれる場合がある、
・特に金属堆積プロセスにおいて、連続堆積でＦＭＭを繰り返し使用すると、堆積材料がそれに接着する場合があり、これにより、ＦＭＭの特徴部が不明瞭になり得、これにより、選択的堆積パターンが変わり、性能および／または収率が低下する場合がある、
・ＦＭＭは、接着した非金属材料を除去するために定期的に洗浄され得るが、そのような洗浄手順は、接着した金属での使用に好適ではない場合があり、そうであっても、いくつかの非限定的な例では、時間および／または費用がかかる場合がある、ならびに
・任意のそのような洗浄プロセスに関係なく、特に高温堆積プロセスにおいて、そのようなＦＭＭを継続して使用すると、所望のパターニングを生成する際に無駄になる場合があり、複雑かつ費用がかかるプロセスにおいて、それらが廃棄および／または交換される場合がある。
図５は、デバイス１００と実質的に同様であるが、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０にわたる複数の隆起したＰＤＬ４４０をさらに含むデバイス５００の断面図の例を示す。
導電性コーティング８３０が、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されるとき、導電性コーティング８３０は、その上に（図では）第２の電極１４０を形成するための（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０にわたって、ならびにＰＤＬ４４０の上面に導電性コーティング８３０の領域を形成するためのそれらを取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０にわたって堆積される。第２の電極１４０の各々（セグメント）が少なくとも１つの導電性領域８３０のいずれにも電気的に結合されないことを確実にするために、ＰＤＬ４４０の厚さは、第２の電極１４０の厚さよりも厚い。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、ＰＤＬ４４０にアンダーカットプロファイルを提供して、第２の電極１４０のいずれか（セグメント）が少なくとも１つの導電性領域８３０のいずれかに電気的に結合される可能性をさらに減少させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス５００上にバリアコーティング１６５０を塗布すると、デバイス５００の非常に不均一な表面形態を考慮して、バリアコーティング１６５０のデバイス５００への接着が不十分になる場合がある。
いくつかの非限定的な例では、別の色のサブピクセル２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０に対する１つの色のサブピクセル２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０にわたって少なくとも１つの半導電性１３０（および／またはその層）の厚さを変えることによって、異なる色（および／または波長）のサブピクセル２６４ｘに関連する光学マイクロキャビティ効果を調整させることが望ましい場合がある。いくつかの非限定的な例では、パターニングを実行するためのＦＭＭの使用は、少なくともいくつかの場合では、および／またはいくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤディスプレイ１００についての生成環境において、そのような光学マイクロキャビティ変調効果を提供するために必要とされる精度を提供しない場合がある。
核生成抑制および／または核生成促進材料特性
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第１の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するために、導電性薄膜の複数の層の少なくとも１つとして、または少なくとも１つとして採用され得る導電性コーティング８３０は、基部材料の露出層表面１１１上に堆積されることに関して比較的低い親和性を示し得るため、導電性コーティング８３０の堆積が抑制される。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第１の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するために、導電性薄膜の複数の層の少なくとも１つとして、または少なくとも１つとして採用され得る導電性コーティング８３０は、基部材料の露出層表面１１１上に堆積されることに関して比較的低い親和性を示し得るため、導電性コーティング８３０の堆積が抑制される。
その上に堆積された導電性コーティング８３０を有することに対する材料および／またはその特性の相対的な親和性またはその欠如は、それぞれ「核生成促進」または「核生成抑制」であると称され得る。
本開示では、「核生成抑制」は、表面上への導電性コーティング８３０（の堆積）に関して比較的低い親和性を示す表面を有し、その結果そのような表面への導電性コーティング８３０の堆積が抑制されるコーティング、材料、および／またはその層を指す。
本開示では、「核生成促進」は、表面上への導電性コーティング８３０の堆積に関して比較的高い親和性を示す表面を有し、その結果そのような表面への導電性コーティング８３０の堆積を容易にするコーティング、材料、および／またはその層を指す。
これらの用語における「核生成」という用語は、気相中のモニマーが表面上で凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核生成段階について言及する。
特定の理論に拘束されることを望まずに、そのような核の形状およびサイズ、ならびにそのような核の島へのおよびその後の薄膜へのその後の成長は、蒸気、表面、および／または凝縮した膜核の間の界面張力を含むがこれらに限定されない、多くの要因に依存し得ると想定される。
本開示では、そのような親和性は、多くの様式で測定することができる。
表面の核生成抑制および／または核生成促進特性の１つの尺度は、Ｍｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性材料についての表面の初期付着確率Ｓ０である。本開示では、「付着確率」および「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下によって与えられ得る。
式中、Ｎａｄｓは、露出層表面１１１上に留まる（つまり、膜に組み込まれる）吸着されたモノマー（「吸着原子」）の数であり、Ｎｔｏｔａｌは、表面上に衝突するモノマーの総数である。付着確率Ｓが１に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率Ｓが０に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後膜が表面上に形成されることを示す。Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ ２００７，１１１，７６５（２００６）で説明されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の金属の付着確率Ｓを評価することができる。
島の密度が増加する（例えば、平均膜厚さが増加する）につれて、付着確率Ｓが変化する場合がある。非限定的な例として、低い初期付着確率Ｓ０は、平均膜厚さが増加するにつれて増加する場合がある。これは、島のない表面の面積、非限定的な例としてベア基板１１０と島の密度が高い面積との間の付着確率Ｓの違いに基づいて理解することができる。非限定的な例として、島の表面上に衝突するモノマーは、１に近い付着確率Ｓを有し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、任意の有意な数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定され得る。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、表面全体の堆積材料の平均厚さが閾値にあるか、またはそれを下回る、材料の堆積の初期段階中の材料についての表面の付着確率Ｓを伴うことができる。いくつかの非限定的な例の説明では、初期付着確率Ｓ０についての閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定することができる。次いで、平均付着確率
は、以下のように与えられ得る。
式中、Ｓｎｕｃは島で被覆された面積の付着確率Ｓであり、Ａｎｕｃは島で被覆された基板表面の面積の割合である。
図６に示すエネルギープロファイル６１０、６２０、６３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ６３１）、および／または表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅｓ６３１）を示すＮＩＣ８１０材料が、様々な用途での使用に特に有利であり得ると想定することができる。
表面の核生成抑制特性または核生成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ導電性材料の初期堆積速度に対する、表面上のＭｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性材料の初期堆積速度であり、両方の表面は、導電性材料の蒸発フラックスに曝す、および／または曝露される。
核生成抑制および／または核生成促進材料特性に影響を及ぼすための選択的コーティング
いくつかの非限定的な例では、１つ以上の選択的コーティング７１０（図７）を、その上に薄膜導電性コーティング８３０を堆積させるために提示される基部材料の露出層表面１１１の少なくとも第１の部分７０１（図７）上に選択的に堆積させ得る。そのような選択的コーティング７１０は、基部材料の露出層表面１１１のそれとは異なる導電性コーティング８３０に関して、核生成抑制特性（および／または逆に核生成促進特性）を有する。いくつかの非限定的な例では、そのような選択的コーティング７１０が堆積されていない基部材料の露出層表面１１１の第２の部分７０２（図７）が存在する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、１つ以上の選択的コーティング７１０（図７）を、その上に薄膜導電性コーティング８３０を堆積させるために提示される基部材料の露出層表面１１１の少なくとも第１の部分７０１（図７）上に選択的に堆積させ得る。そのような選択的コーティング７１０は、基部材料の露出層表面１１１のそれとは異なる導電性コーティング８３０に関して、核生成抑制特性（および／または逆に核生成促進特性）を有する。いくつかの非限定的な例では、そのような選択的コーティング７１０が堆積されていない基部材料の露出層表面１１１の第２の部分７０２（図７）が存在する場合がある。
そのような選択的コーティング７１０は、ＮＩＣ８１０、および／または核生成促進コーティング（ＮＰＣ１１２０（図１１））であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、図３５に非限定的な例として示されているような、下にある金属コーティング１３８の露出層表面１１１上に配設され得る。そのような導電性コーティング１３８は、デバイス１００の複数の層のうちの（少なくとも）１つであり得ることが当業者に理解されよう。金属コーティング１３８は、金属コーティング材料で構成され得る。当業者は、金属コーティング１３８およびそれを構成する金属コーティング材料が、特に、フィルムとして、ならびに第２の電極１４０を堆積させる際に採用されるものと実質的に同様の条件下で、および／またはそれと実質的に同様のメカニズムによって配設されるとき、ほぼ同様の光学特性および／または他の特性を示し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、そのような構成要素、層、および／または部品を通過する電流の特徴を変更し得る構成要素、層、および／または部品の特性である。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８のシート抵抗Ｒ１は、一般に、デバイス１００の他の構成要素、層、および／または部品とは別に測定された金属コーティング１３８のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、薄膜として形成され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８についてのシート抵抗Ｒ１は、そのような薄膜の組成、厚さ、および／または形態に基づいて決定および／または計算され得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗Ｒ１は、約０．１～１，０００Ω／ｓｑｒ、約１～１００Ω／ｓｑｒ、約２～５０Ω／ｓｑｒ、約３～３０Ω／ｓｑｒ、約４～２０Ω／ｓｑｒ、約５～１５Ω／ｓｑｒ、および／または約１０～１２Ω／ｓｑｒであり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一原子によって形成された二原子分子の結合の切断からの２９８Ｋで測定された標準状態のエンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－ｒａｎ，“Ｂｏｎｄ ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ ｅｎｅｒｇｉｅｓ”（２０１０）を含むがこれらに限定されない、既知の文献に基づいて決定することができる。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、少なくとも１０ｋＪ／モル、少なくとも５０ｋＪ／モル、少なくとも１００ｋＪ／モル、少なくとも１５０ｋＪ／モル、少なくとも１８０ｋＪ／モル、および／または少なくとも２００ｋＪ／モルの結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、約１．４未満、約１．３、および／または約１．２である電気陰性度を有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、および／またはタングステン（Ｗ）から選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、および／またはＡｕを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、および／またはＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、および／またはＣｏを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、および／またはＯｓを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｔａ、Ｍｏ、および／またはＷを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、および／またはＬｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、および／またはＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇおよび／またはＡｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、純粋な金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、純粋な金属である。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、純粋なＡｇまたは実質的に純粋なＡｇである。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、純粋なＭｇまたは実質的に純粋なＭｇである。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、純粋なＡｌまたは実質的に純粋なＡｌである。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、および／またはＡｇＭｇ含有合金であり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、Ａｇの代用としておよび／またはそれと組み合わせて他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、Ａｇの少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、ＡｇのＭｇおよび／またはＹｂとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５体積％のＡｇ～約９５体積％のＡｇの組成を有し、残りは他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、ＡｇおよびＭｇを含む。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、体積で約１：１０～約１０：１の組成を有するＭｇ：Ａｇ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、ＡｇおよびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、体積で約１：２０～約１～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、ＭｇおよびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、Ａｇ、Ｍｇ、およびＹｂを含む。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、酸素（Ｏ）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、少なくとも１つの金属およびＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング材料は、金属酸化物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属酸化物は、Ｚｎ、インジウム（Ｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、および／またはガリウム（Ｇａ）を含む。いくつかの非限定的な例では、金属酸化物は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＣＯは、酸化インジウム、酸化スズ、酸化アンチモン、および／または酸化ガリウムを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＣＯは、インジウムチタン酸化物（ＩＴＯ）、ＺｎＯ、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、および／またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＣＯは、他の元素で電気的にドープされ得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、金属および／または金属合金によって形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、少なくとも１つの金属または金属合金、および少なくとも１つの金属酸化物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、金属コーティング材料の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の金属コーティング材料は、複数の層のうちの第２の層の金属コーティング材料とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の金属コーティング材料は金属を含み得、複数の層のうちの第２の層の金属コーティング材料は金属酸化物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの少なくとも１つの金属コーティング材料は、Ｙｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの１つの金属コーティング材料は、Ａｇ含有合金および／またはＡｇＭｇ含有合金、ならびに／もしくは純粋なＡｇ、実質的に純粋なＡｇ、純粋なＭｇ、および／または実質的に純粋なＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、二分子層Ｙｂ／ＡｇＭｇコーティングである。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０（最上部）の近位にある複数の層のうちの第１の層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｔａ、Ｍｏ、および／またはＷから選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、および／またはＡｕを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、および／またはＣｏを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、および／またはＯｓを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｔａ、Ｍｏ、および／またはＷを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、および／またはＡｌを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇおよび／またはＡｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ａｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、および／または炭素Ｃであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素が、源材料、堆積のために使用される機器、および／または真空チャンバ環境中にそのような追加の元素が存在することによって、汚染物質として金属コーティング１３８に組み込まれ得ることが当業者に理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素の濃度は、閾値濃度を下回るように制限され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、金属コーティング１３８の他の元素と一緒に化合物を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料中の非金属元素の濃度は、約１％未満、約０．１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および／または約０．００００００１％であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、その中のＯおよびＣの合計量が約１０％未満、約５％、約１％、約０．１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および／または約０．００００００１％である組成を有する。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、閉じたコーティング４５３０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、不連続コーティング１０５０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８は、第１の部分１１５内の第１の層表面上の金属コーティング１３８の閉じたコーティング４５３０が実質的にない、その中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域には、その上に金属パターニングＮＩＣ８１０が配設されている。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、金属コーティング１３８をその複数の個別のフラグメントに分離することができる。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８のそのような複数の個別のフラグメントのうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８のそのような複数の個別のフラグメントのうちの少なくとも２つは、各々、それらの間の電流の流れを可能にするために、導電性コーティング８３０を含むがこれに限定されない、共通の導電性層またはコーティングに電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、金属コーティング１３８のそのような複数の個別のフラグメントのうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
本開示では、いくつかの非限定的な例では、文脈上指示されるとき、「ＮＩＣ」および「パターニングコーティング」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得、導電性コーティング８３０をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において、本明細書におけるＮＩＣ８１０への言及は、いくつかの非限定的な例では、電極コーティング８３０をパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるパターニングコーティング８１０に適用可能であり得る。
同様に、いくつかの非限定的な例では、文脈上指示されるとき、「ＮＰＣ」および「パターニングコーティング」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得、導電性コーティング８３０をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において、本明細書におけるＮＰＣ１１２０への言及は、いくつかの非限定的な例では、電極コーティング８３０をパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるパターニングコーティング１１２０に適用可能であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニングコーティング８１０、１１２０への言及は、本明細書で説明されるような特定の組成を有するコーティングを意味し得る。
そのような選択的コーティング７１０の使用は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を堆積する段階においてＦＭＭを採用することなく、導電性コーティング８３０の選択的堆積を容易にするおよび／または許容することができることが当業者に理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０のそのような選択的堆積は、パターンであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターンは、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの１つ以上の発光領域１９１０の横側面４１０内で、および／またはいくつかの非限定的な例では、そのような発光領域１９１０を取り囲み得る１つ以上の非発光領域１９２０の横側面４２０内で、デバイス１００の上面および／または下面のうちの少なくとも１つの透過性を提供ならびに／もしくは増大させることを容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を導電性構造上に堆積させて、および／またはいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の、その層を形成することができ、これは、いくつかの非限定的な例では、アノード３４１および／またはカソード３４２のうちの１つとして作用する第１の電極１２０ならびに／もしくは第２の電極１４０、かつ／あるいはその導電性を支持するためのならびに／もしくはいくつかの非限定的な例では、それらに電気的に結合される補助電極１７５０および／またはバスバー４１５０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性コーティング８３０のＮＩＣ８１０は、露出層表面１１１への導電性コーティング８３０（例では、Ｍｇ）の堆積が抑制されるように、蒸気形態の導電性コーティング８３０（例では、Ｍｇ）について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示す表面を有するコーティングを指す場合がある。したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の選択的堆積により、露出層表面１１１の上に導電性コーティング８３０を堆積するために提示される（ＮＩＣ８１０の）露出層表面１１１の初期付着確率Ｓ０が低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性コーティング８３０のＮＰＣ１１２０は、露出層表面１１１への導電性コーティング８３０の堆積を容易にするように、蒸気形態の導電性コーティング８３０について比較的高い初期付着確率Ｓ０を示す露出層表面１１１を有するコーティングを指す場合がある。したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０の選択的堆積により、露出層表面１１１の上に導電性コーティング８３０を堆積するために提示される（ＮＰＣ１１２０の）露出層表面１１１の初期付着確率Ｓ０が増加され得る。
選択的コーティング７１０がＮＩＣ８１０であるとき、ＮＩＣ８１０が堆積される基部材料の露出層表面１１１の第１の部分７０１は、その後、ＮＩＣ８１０が堆積された基部材料の露出層表面１１１の親和性に対して、その上への導電性コーティング８３０の堆積について低減した親和性を有するように、核生成抑制特性が増加した、または代替的に核生成促進特性が低減した（ＮＩＣ８１０の）処理表面（いずれの場合にも、第１の部分７０１上に堆積されたＮＩＣ８１０の表面）を提示するであろう。対照的に、そのようなＮＩＣ８１０が堆積されていない第２の部分７０２は、核生成抑制特性、または代替的に核生成促進特性が、実質的に変更されていないその上の導電性コーティング８３０の堆積についての親和性を有する（基部基板１１０の）露出層表面１１１（いずれの場合にも、選択的コーティング７１０が実質的にない基部基板１１０の露出層表面１１１）を提示し続けるであろう。
選択的コーティング７１０がＮＰＣ１１２０であるとき、ＮＰＣ１１２０が堆積される基部材料の露出層表面１１１の第１の部分７０１は、その後、ＮＰＣ１１２０が堆積された基部材料の露出層表面１１１の親和性に対して、その上への導電性コーティング８３０の堆積について増加した親和性を有するように、核生成抑制特性が低減した、または代替的に核生成促進特性が増加した（ＮＰＣ１１２０の）処理表面（いずれの場合にも、第１の部分７０１上に堆積されたＮＰＣ１１２０の表面）を提示するであろう。対照的に、そのようなＮＰＣ１１２０が堆積されていない第２の部分７０２は、核生成抑制特性、または代替的に核生成促進特性が、実質的に変更されていないその上の導電性コーティング８３０の堆積についての親和性を有する（基部基板１１０の）露出層表面１１１（いずれの場合にも、ＮＰＣ１１２０が実質的にない基部基板１１０の露出層表面１１１）を提示し続けるであろう。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０およびＮＰＣ１１２０の両方を、基部材料の露出層表面１１１のそれぞれの第１の部分７０１およびＮＰＣ部分１１０３（図１１Ａ）上に選択的に堆積させて、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるために提示されるように露出層表面１１１の核生成抑制特性（および／または逆に、核生成促進特性）をそれぞれ変更することができる。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０が堆積されておらず、その結果、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるために提示されるように核生成抑制特性（および／または逆に、その核生成促進特性）が実質的に変更されない、基部材料の露出層表面１１１の第２の部分７０２が存在する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０の第１のコーティングが、そのような重なる領域において基部材料の露出層表面１１１上に選択的に堆積されることができるように、第１の部分７０１およびＮＰＣ部分１１０３は重なっていてもよく、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０の第２のコーティングは、第１のコーティングの処理された露出層表面１１１上に選択的に堆積されることができる。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＩＣ８１０である。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＰＣ１１２０である。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０が堆積された第１の部分７０１（および／またはＮＰＣ部分１１０３）は、堆積された選択的コーティング７１０が除去された除去領域を含み、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるために提示されるように核生成抑制特性（および／または逆に、その核生成促進特性）が実質的に変更されないように、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるための基部材料の被覆されていない表面を提示することができる。
いくつかの非限定的な例では、基部材料は、基板１１０から選択される少なくとも１つの層、ならびに／もしくは第１の電極１２０、第２の電極１４０、少なくとも１つの半導電性層１３０（および／またはその層のうちの少なくとも１つ）を含むがこれらに限定されない、フロントプレーン１０層のうちの少なくとも１つ、かつ／あるいはこれらのいずれかの任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、特定の材料特性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、単独であっても化合物および／または合金中であっても、Ｍｇを含み得る。
非限定的な例として、純粋および／または実質的に純粋なＭｇは、いくつかの有機表面上のＭｇの低付着確率Ｓにより、いくつかの有機表面上に容易に堆積されない場合がある。
選択的コーティングの堆積
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を（含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれらに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの任意の２つ以上の組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に堆積ならびに／もしくは加工され得る。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を（含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれらに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの任意の２つ以上の組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に堆積ならびに／もしくは加工され得る。
図７は、基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０のみ）の露出層表面１１１の第１の部分７０１上に選択的コーティング７１０を選択的に堆積させるための、チャンバ７０内での、概して７００で示す蒸発プロセスの非限定的な例を示す概略図の例である。
プロセス７００では、ある量の選択的コーティング材料７１１が真空下で加熱されて、選択的コーティング材料７１１を蒸発および／または昇華させる７１２。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング材料７１１は、選択的コーティング７１０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した選択的コーティング材料７１２は、矢印７１で示す方向を含めて、露出層表面１１１に向かって、チャンバ７０を通して方向付けられる。蒸発した選択的コーティング材料７１２が露出層表面１１１に入射するとき、つまり、第１の部分７０１内で、選択的コーティング７１０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、プロセス７００について図に示すように、選択的コーティング７１０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク７１５を、選択的コーティング材料７１１と露出層表面１１１との間に挿入することによって、露出層表面１１１の一部分、示す例では第１の部分７０１上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク７１５は、蒸発した選択的コーティング材料７１２の一部がアパーチャ７１６を通過し、露出層表面１１１に入射して、選択的コーティング７１０を形成するように、シャドウマスク７１５を通って延在する少なくとも１つのアパーチャ７１６を有する。蒸発した選択的コーティング材料７１２がアパーチャ７１６を通過せず、シャドウマスク７１５の表面７１７に入射する場合、第２の部分７０３内に選択的コーティング７１０を形成するために露出層表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、露出層表面１１１の第２の部分７０２には、選択的コーティング７１０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク７１５に入射する選択的コーティング材料７１１は、その表面７１７上に堆積され得る。
したがって、パターニング表面は、選択的コーティング７１０の堆積の完了時に生成される。
いくつかの非限定的な例では、例示を簡単にするために、図７で採用された選択的コーティング７１０は、ＮＩＣ８１０であり得る。いくつかの非限定的な例では、例示を簡単にするために、図７で採用された選択的コーティング７１０は、ＮＰＣ１１２０であり得る。
図８は、図７の蒸発プロセス７００によることを含むがこれに限定されない、第１の部分７０１上に選択的に堆積されるＮＩＣ８１０が実質的にない基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０のみ）の露出層表面１１１の第２の部分７０２上に導電性コーティング８３０を選択的に堆積するための、チャンバ７０内での、概して８００で示す蒸発プロセスの結果の非限定的な例を示す概略図の例である。いくつかの非限定的な例では、第２の部分７０２は、第１の部分７０１を越えて位置する露出層表面１１１のその一部を含む。
ＮＩＣ８１０が基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１の第１の部分７０１上に堆積されると、導電性コーティング８３０が、ＮＩＣ８１０が実質的にない露出層表面１１１の第２の部分７０２上に堆積され得る。
プロセス８００では、ある量の導電性コーティング材料８３１が真空下で加熱されて、導電性コーティング８３１を蒸発および／または昇華させる８３２。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、導電性コーティング８３０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した導電性コーティング材料８３２は、矢印８１で示す方向を含めて、第１の部分７０１および第２の部分７０２の露出層表面１１１に向かって、チャンバ７０の内側に方向付けられる。蒸発した導電性コーティング材料８３２が露出層表面１１１の第２の部分７０２に入射するとき、導電性コーティング８３０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１の堆積は、導電性コーティング８３０が基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（導電性コーティング８３０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
ＦＭＭのサイズとは反対に、オープンマスクの特徴部のサイズは、概して、製造されているデバイス１００のサイズと同等であることが、当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのようなオープンマスクは、概してデバイス１００のサイズに対応し得る開口部を有し得、これは、いくつかの非限定的な例では、製造中にそのようなデバイス１００の縁部をマスクするために、マイクロディスプレイについては約１インチ、モバイルディスプレイについては約４～６インチ、および／またはラップトップおよび／またはタブレットディスプレイについては約８～１７インチに対応し得るがこれらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの特徴部のサイズは、約１ｃｍ程度以上であってもよい。いくつかの非限定的な例では、オープンマスク内に形成されたアパーチャは、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに各々対応する複数の発光領域１９１０の横側面４１０、かつ／あるいは取り囲むおよび／または介在する非発光領域１９２０の取り囲む側面ならびに／もしくは横側面４２０を包含するようにサイズ決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、所望する場合、オープンマスクの使用を省略してもよいことが当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明するオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、オープンマスクを使用せずに実施することができ、その結果、ターゲット露出層表面１１１全体が露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス８００について図に示すように、導電性コーティング８３０の堆積は、導電性コーティング８３０が基部材料の（図では、基板１１０の）露出層表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（導電性コーティング８３０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
実際、図８に示すように、蒸発した導電性コーティング材料８３２は、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１、および実質的にＮＩＣ８１０がない第２の部分７０２にわたる基板１１０の露出層表面１１１の両方に入射する。
第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１は、第２の部分７０２内の基板１１０の露出層表面１１１と比較して、導電性コーティング８３０について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すため、導電性コーティング８３０は、実質的にＮＩＣ８１０がない第２の部分７０２内の基板１１０の露出層表面１１１上にのみ実質的に選択的に堆積される。対照的に、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１に入射する蒸発した導電性コーティング材料８３２は、示すように堆積されない傾向があり（８３３）、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１には導電性コーティング８３０が実質的にない。図８には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１には、導電性コーティング８３０の材料が実質的にないが、この露出層表面１１１は導電性コーティング８３０のコーティングフィルムにはならない。むしろ、後に以下で詳細に考察されるように、ＮＩＣ８１０の露出層表面１１１は、その上に堆積された導電性コーティング８３０の材料の不連続コーティングおよび／または中間段階の導電性薄膜を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分７０２内の基板１１０の露出層表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料８３２の初期堆積速度は、第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料８３２の初期堆積速度の少なくとも約２００倍および／またはそれを超える、少なくとも約５５０倍および／またはそれを超える、少なくとも約９００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，０００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，５００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，９００倍および／またはそれを超える、ならびに／もしくは約２，０００倍および／またはそれを超える場合がある。
少なくとも１つの導電性コーティング８３０の選択的堆積をもたらして、導電性コーティング８３０堆積プロセス内でＦＭＭを採用することなく、パターン化された電極１２０、１４０、１７５０、４１５０、および／またはそれらに電気的に結合された導電性要素を含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するために、前述のものを組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングは、デバイス１００の透過性を許容および／または強化することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０であり得る選択的コーティング７１０は、複数の電極１２０、１４０、１７５０、４１５０、および／またはそれらの様々な層、ならびに／もしくはそれに電気的に結合された導電性コーティング８３０を含むデバイス特徴部をパターン化するために、デバイス１００の製造プロセス中に複数回塗布され得る。
図９Ａ～９Ｄは、オープンマスクの非限定的な例を示す。
図９Ａは、その中に形成されたアパーチャ９１０を有するおよび／またはそれを画定するオープンマスク９００の非限定的な例を示す。示すようないくつかの非限定的な例では、オープンマスク９００のアパーチャ９１０は、デバイス１００のサイズよりも小さく、その結果、マスク９００がデバイス１００上に重ねられるとき、マスク９００は、デバイス１００の縁部を被覆する。いくつかの非限定的な例では、示すように、デバイス１００の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのすべておよび／または実質的にすべてに対応する発光領域１９１０の横側面４１０は、アパーチャ９１０を通して露出され、一方、非露出領域９２０は、デバイス１００の外縁部９１とアパーチャ９１０との間に形成される。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の電気接点および／または他の構成要素（図示せず）は、そのような非露出領域９２０に位置付けることができ、その結果、これらの構成要素は、オープンマスク堆積プロセス全体に実質的に影響されないままであることが当業者には理解されよう。
図９Ｂは、マスク９０１がデバイス１００上に重ねられるとき、マスク９０１が少なくともいくつかの（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の少なくとも横側面４１０ａを被覆するように、図９Ａのアパーチャ９１０よりも小さい、その中に形成されたアパーチャ９１１を有するおよび／または画定するオープンマスク９０１の非限定的な例を示す。示すように、いくつかの非限定的な例では、最も外側の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０ａは、デバイス１００の外縁部９１とアパーチャ９１１との間に形成されたデバイス１００の非露出領域９１３内に位置付けられ、蒸発した導電性コーティング材料８３２が非露出領域９１３に入射するのを抑制するために、オープンマスク堆積プロセス中にマスクされる。
図９Ｃは、オープンマスク９０２の中に形成されたアパーチャ９１２を有するおよび／または画定するオープンマスク９０２の非限定的な例が、少なくともいくつかの（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０ａを被覆し、同時に、少なくともいくつかの（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０ｂを露出するパターンを画定することを示す。示すように、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の非露出領域９１４内に位置付けられた少なくともいくつかの（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０ａは、蒸発した導電性コーティング材料８３０が非露出領域９１４に入射するのを抑制するために、オープンマスク堆積プロセス中にマスクされる。
図９Ｂ～９Ｃでは、例示するように、最も外側の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのうちの少なくともいくつかに対応する発光領域１９１０の横側面４１０ａがマスクされているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク９００～９０２のアパーチャが、デバイス１００の他の発光領域１９１０の横側面４１０および／または非発光領域１９２０の横側面４２０をマスクするように成形され得ることを理解するであろう。
さらに、図９Ａ～９Ｃは、単一のアパーチャ９１０～９１２を有するオープンマスク９００～９０２を示しているが、当業者は、そのようなオープンマスク９００～９０２が、いくつかの非限定的な例（図示せず）では、デバイス１００の基部材料の露出層表面１１１の多数の領域を露出するための追加のアパーチャ（図示せず）であり得ることを理解するであろう。
図９Ｄは、複数のアパーチャ９１７ａ～９１７ｄを有するおよび／または画定するオープンマスク９０３の非限定的な例を示す。アパーチャ９１７ａ～９１７ｄは、いくつかの非限定的な例では、他の領域９２２をマスクしながら、それらがデバイス１００のある特定の領域９２１を選択的に露出することができるように位置決めされる。いくつかの非限定的な例では、少なくともいくつかの（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応するある特定の発光領域１９１０の横側面４１０ｂは、領域９２１内のアパーチャ９１７ａ～９１７ｄを通して露出され、同時に、少なくとも１つのいくつかの（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する他の発光領域１９１０の横側面４１０ａは、領域９２２内に位置し、したがってマスクされる。
ここで、図１０Ａを参照すると、図１に示されるが、本明細書で説明される多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００のバージョン１０００の例を示している。
デバイス１０００は、基部材料の露出層表面１１１の横側面を示している。横側面は、第１の部分１００１および第２の部分１００２を含む。第１の部分１００１では、ＮＩＣ８１０が露出層表面１１１上に配設されている。しかしながら、第２の部分１００２では、露出層表面１１１にはＮＩＣ８１０が実質的にない。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１００１および第２の部分１００２は、横側面で互いに実質的に隣接している。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１００１の露出層表面１００１および第２の部分１００２の露出層表面１１１は、断面側面で実質的に互いの近位にある。換言すると、第１の部分１００１の露出層表面１１１と第２の部分１００２の露出層表面１１１との間に１つ以上の介在層があり得るが、それによって引き起こされるそれらの間の差は、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１００１および第２の部分１００２のうちの少なくとも１つの横範囲のほんのわずかである。
第１の部分１００１にわたるＮＩＣ８１０の選択的堆積後、導電性コーティング８３０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用してデバイス１０００上に堆積される。
ＮＩＣ８１０は、第１の部分１００１内に、第２の部分１００２内のデバイス１０００の下部材料の露出層表面１１１の導電性コーティング８３０についての初期付着確率Ｓ０よりも実質的に低い、導電性コーティング８３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を提供する。
したがって、導電性コーティング８３０は、第２の部分１００２内に閉じたフィルムとして形成され、一方、第１の部分１００１には、導電性コーティング８３０が実質的にない。
このようにして、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用することを含めて選択的に堆積され得、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、バスバー４１５０、および／またはそのうちの少なくとも１つの層、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれらに限定されない、導電性コーティング８３０が堆積されることを可能にする。
ここで、図１０Ｂを参照すると、デバイス１０００のバージョンの例の例１０１０を示している。
第１の部分１００１に導電性コーティング８３０が実質的にないことが示されている図１０Ａのデバイス１０００とは対照的に、デバイス１０１０は、導電性コーティング８３０の閉じたフィルム４５３０が実質的にない第１の部分１００１を示している。図１０Ｂでは、第１の部分１００１内にＮＩＣ８１０が存在することによって、導電性コーティング材料８３１は、第１の部分１００１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１０１１上に不連続コーティング１０５０として堆積される。いくつかの非限定的な例では、不連続コーティング１０５０は、複数の個別の島を含む。いくつかの非限定的な例では、島の少なくともいくつかは、互いに切り離されている。言い換えれば、いくつかの非限定的な例では、不連続コーティング１０５０は、不連続コーティング１０５０が連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。
このようにして、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用することを含めて選択的に堆積され得、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、バスバー４１５０、および／またはそのうちの少なくとも１つの層、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれらに限定されない、導電性コーティング８３０が堆積されることを可能にする。
任意の特定の理論に限定されることを望まずに、導電性コーティング８３０の堆積中、ＮＩＣ８１０の露出層表面１０１１に衝突する導電性コーティング材料８３１のいくつかの蒸気モノマーが凝縮して、小さなクラスタおよび／またはその上の島を形成し得ると想定されている。しかしながら、そのようなクラスタまたは島の実質的な成長は、妨げられないままにされる場合、ＮＩＣ８１０の露出層表面１０１１上での導電性コーティング材料８３１の実質的に閉じたフィルム４５３０の起こり得る形成につながる場合があり、ＮＩＣ８１０の１つ以上の特性および／または特徴によって抑制される。したがって、いくつかの非限定的な例では、不連続コーティング１０５０は、導電性コーティング８３０を形成するための導電性コーティング材料８３１を含む。いくつかの非限定的な例では、不連続コーティング１０５０のピーク吸収波長は、デバイス１０２０によって放出および／または透過された光子のピーク波長よりも小さくてもよい。非限定的な例として、不連続コーティング１０５０は、約４７０ｎｍ未満、約４６０ｎｍ未満、約４５５ｎｍ未満、約４５０ｎｍ未満、約４４５ｎｍ未満、約４４０ｎｍ未満、約４３０ｎｍ未満、約４２０ｎｍ未満、および／または約４００ｎｍ未満の波長でのピーク吸収を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、クラスタおよび／または島を含有する不連続コーティング１０５０は、ＮＩＣ８１０上に、および／またはそれと物理的に接触して、および／またはその近位にあるように配置され得る。
図１０Ｃは、図１０Ｂの非限定的な例による、デバイス１０１０の第１の部分１００１の簡略化された平面図の例である。
ここで、図１０Ｄを参照すると、図１０Ｂに示されるデバイス１０２０の簡略化されたバージョン１０２０の例が示されており、デバイス１０２０の横側面における第１の部分１００１と第２の部分１００２との間に配置された第３の部分１００３を示している。そのように示されていないが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３は、その先端および／または第２の部分１００２との界面を表す第１の部分１００１の一部であるとみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３は、基部材料の露出層表面１０１１の少なくとも一部分を被覆する導電性コーティング８３０を含み、これは、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３および第１の部分１００１内にＮＩＣ８１０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３の導電性コーティング８３０の厚さは、第２の部分１００２内の導電性コーティング８３０の厚さよりも小さくてもよい。図１０Ｃには具体的に示されていないが、第３の部分１００３内のＮＩＣ８１０の厚さは、第１の部分１００１内のＮＩＣ８１０の厚さよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３内の導電性コーティング８３０は、デバイス１０２０の横側面内に少なくとも１つの突起および／または少なくとも１つの窪みを含む。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３内の導電性コーティング８３０は、いくつかの非限定的な例では、ピンホール、裂け目、および／または亀裂を含むがこれらに限定されない、複数のアパーチャを有する中間段階コーティングを含み得る。
図１０Ｅは、（第１の部分１００１の一部と第２の部分１００２の一部との）間に配置された第３の部分１００３を示す、デバイス１０２０の一部の簡略化された平面図の例である。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３内、およびいくつかの非限定的な例では、第１の部分１００１ 導電性コーティング８３０に侵入する導電性コーティング８３０は、いくつかの非限定的な例では、隣接する第１の部分１００１に向かって横に延在する、および／またはそれに少なくとも部分的に侵入する場合がある少なくとも１つの樹状突起１０２１を含み得る。少なくとも１つの樹状突起１０２１は、基部材料の露出層表面１０１１をコーティングし、これは、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０であり得る。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例ではＮＩＣ８１０であり得る基部材料の露出層表面１０１１の少なくとも一部は、第３の部分１００３内、およびいくつかの非限定的な例では第２の部分１００２の中に延在する導電性コーティング８３０によって被覆されていない場合があり、いくつかの非限定的な例では、隣接する第２の部分１００２に向かって横方向に延在し、および／またはそこに少なくとも部分的に延在し得る、少なくとも１つの樹状窪み１０２２を含み得る。
任意の特定の理論に拘束されることを望まずに、少なくとも１つの樹状突起１０２１を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの突起、および／または少なくとも１つの樹状窪みを含むがこれに限定されない、少なくとも１つの窪み１０２２は、ＮＩＣ８１０および／またはその近傍で、ならびに／もしくはＮＩＣ８１０少なくとも１つの特性および／または特徴における少なくとも１つの局所化された不均一性のために形成され得ると想定され得る。非限定的な例として、ＮＩＣ８１０の少なくとも１つの局所化された面積は、その薄膜コーティングの臨界表面張力、その中の物理的不連続性、および／またはそのドメイン境界の変動を示し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような変動は、隣接する結晶子間に形成され得、導電性コーティング材料８３１を選択的に堆積させ、したがって、少なくとも１つの突起および／または少なくとも１つの窪みをもたらし得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの樹状突起１０２１は、不連続コーティング１０５０の少なくとも１つの島および／またはクラスタの、不連続コーティング１０５０の別の少なくとも１つの島および／またはクラスタとのならびに／もしくは導電性コーティング８３０との合体によって形成された少なくとも１つの特徴部を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３は、不連続コーティング１０５０中のギャップ、少なくとも１つの樹状突起１０２１の少なくとも１つの特徴部および／または少なくとも１つの樹状窪み１０２２の少なくとも１つの特徴部の間のギャップを含むがこれらに限定されない、導電性コーティング材料８３１が実質的ない少なくとも１つの面積を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１００３内の導電性コーティング材料８３１の表面被覆率は、いくつかの非限定的な例では、約３０％～約９０％、および／または約４０％～約８０％であり得る。
したがって、第１の部分１００１には、導電性コーティング８３０が実質的にない。
このようにして、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用することを含めて選択的に堆積され得、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、バスバー４１５０、および／またはそのうちの少なくとも１つの層、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれらに限定されない、導電性コーティング８３０が堆積されることを可能にする。
図１１Ａ～１１Ｂは、図７の蒸発プロセス７００によることを含むがこれに限定されない、第１の部分７０１上に選択的に堆積されたＮＩＣ８１０が実質的にない基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０のみ）の露出層表面１１１の第２の部分７０２上、およびＮＩＣ８１０が堆積された第１の部分７０１のＮＰＣ部分１１０３上に導電性コーティング８３０を選択的に堆積するための、チャンバ７０内での、概して１１００で示す蒸発プロセスの非限定的な例を示す。
図１１Ａは、プロセス１１００の段階１１０１を説明し、ここで、ＮＩＣ８１０が基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１の第１の部分７０１上に堆積されると、ＮＰＣ１１２０が、第１の部分７０１内の基板１１０上に堆積されたＮＩＣ８１０の露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３上に堆積され得る。図では、非限定的な例として、ＮＰＣ部分１１０３は、第１の部分７０１内に完全に延在する。
段階１１０１では、ある量のＮＰＣ材料１１２１が真空下で加熱されて、ＮＰＣ材料１１２１を蒸発および／または昇華させる１１２２。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１１２１は、ＮＰＣ１１２０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発したＮＰＣ材料１１２２は、矢印１１１０で示す方向を含めて、第１の部分７０１およびＮＰＣ部分１１０３の露出層表面１１１に向かって、チャンバ７０を通して方向付けられる。蒸発したＮＰＣ材料１１２２が露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３に入射するとき、ＮＰＣ１１２０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１１２１の堆積は、オープンマスク堆積技法および／またはマスクフリー堆積技法を使用して実行することができ、その結果、ＮＰＣ１１２０は、基部材料（図では、第１の部分７０１全体のＮＩＣ８１０、および／または第２の部分７０２を通る基板１１０であり得る）の露出層表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（ＮＰＣ１１２０の）処理された表面を生成する。
いくつかの非限定的な例では、段階１１０１について図に示すように、ＮＰＣ１１２０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク１１２５を、ＮＰＣ材料１１２１と露出層表面１１１との間に挿入することによって、一部分、示す例では、（図では、ＮＩＣ８１０の）露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク１１２５は、蒸発したＮＰＣ材料１１２２の一部がアパーチャ１１２６を通過し、露出層表面１１１（図では、非限定的な例として、ＮＰＣ部分１１０３内のＮＩＣ８１０のみの）に入射して、ＮＰＣ１１２０を形成するように、シャドウマスク１１２５を通って延在する少なくとも１つのアパーチャ１１２６を有する。蒸発したＮＰＣ材料１１２２がアパーチャ１１２６を通過せず、シャドウマスク１１２５の表面１１２７に入射する場合、ＮＰＣ１１２０を形成するために露出層表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する露出層表面１１１の部分１１０２には、ＮＰＣ１１２０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１１２５に入射する蒸発したＮＰＣ材料１１２２は、その表面１１２７上に堆積され得る。
第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１は、導電性コーティング８３０について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すが、いくつかの非限定的な例では、これは、ＮＰＣコーティング１１２０がＮＰＣ部分１１０３内の（図では、ＮＩＣ８１０の）露出層表面上に依然として選択的に堆積されているように、ＮＰＣコーティング１１２０についての場合に必ずしも当てはまらない場合がある。
したがって、パターニング表面は、ＮＰＣ１１２０の堆積の完了時に生成される。
図１１Ｂは、プロセス１１００の段階１１０４を説明し、ここで、ＮＩＣ８１０が基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１の第１の部分７０１上に堆積され、ＮＰＣ１１２０が（図では、ＮＩＣ８１０の）露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３上に堆積されると、導電性コーティング８３０が、露出層表面１１１（図では、基板１１０）のＮＰＣ部分１１０３および第２の部分７０２上に堆積され得る。
段階１１０４では、ある量の導電性コーティング材料８３１が真空下で加熱されて、導電性コーティング８３１を蒸発および／または昇華させる８３２。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、導電性コーティング８３０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した導電性コーティング材料８３２は、矢印１１２０で示す方向を含めて、ＮＰＣ部分１１０３の第１の部分７０１および第２の部分７０２の露出層表面１１１に向かって、チャンバ７０を通して方向付けられる。蒸発した導電性コーティング材料８３２が（ＮＰＣ１１２０の）露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３および（基板１１０の）露出層表面１１１の第２の部分７０２、つまりＮＩＣ８１０の露出層表面１１１以外に入射するとき、導電性コーティング８３０は、それらの上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、段階１１０４について図に示すように、導電性コーティング８３０の堆積は、導電性コーティング８３０が基部材料（基部材料がＮＩＣ８１０である場合以外）の露出層表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（導電性コーティング８３０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
実際、図１１Ｂに示すように、蒸発した導電性コーティング材料８３２は、ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１、ならびにＮＰＣ部分１１０３にわたるＮＰＣ１１２０の露出層表面１１１およびＮＩＣ８１０が実質的にない第２の部分７０２にわたる基板１１０の露出層表面１１１の両方に入射する。
ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１は、第２の部分７０２内の基板１１０の露出層表面１１１と比較して、導電性コーティング８３０について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すため、ならびに／もしくはＮＰＣ部分１１０３内のＮＰＣ１１２０の露出層表面１１１は、ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１、および第２の部分７０２内の基板１１０の露出層表面１１１の両方と比較して、導電性コーティング８３０について比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すため、導電性コーティング８３０は、ＮＩＣ８１０が実質的にない、ＮＰＣ部分１１０３および第２の部分７０２内の基板１１０の露出層表面１１１上にのみ実質的に選択的に堆積される。対照的に、ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１に入射する蒸発した導電性コーティング材料８３２は、示すように堆積されない傾向があり（１１２３）、ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１には導電性コーティング８３０が実質的にない。
したがって、パターニング表面は、導電性コーティング８３０の堆積の完了時に生成される。
図１２Ａ～１２Ｃは、基部材料の露出層表面１１１の第２の部分１２０２（図１２Ｃ）上に導電性コーティング８３０を選択的に堆積させるための、チャンバ７０内での、概して１２００で示す蒸発プロセスの非限定的な例を示す。
図１２Ａは、プロセス１２００の段階１２０１を説明し、ここで、ある量のＮＰＣ材料１１２１が真空下で加熱されて、ＮＰＣ材料１１２１を蒸発および／または昇華させる１１２２。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１１２１は、ＮＰＣ１１２０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発したＮＰＣ材料１１２２は、矢印１２１０で示す方向を含めて、露出層表面１１１（図では、基板１１０）に向かって、チャンバ７０を通して方向付けられる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１１２１の堆積は、ＮＰＣ１１２０が基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（ＮＰＣ１１２０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
いくつかの非限定的な例では、段階１２０１について図に示すように、ＮＰＣ１１２０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク１１２５を、ＮＰＣ材料１１２１と露出層表面１１１との間に挿入することによって、一部分、示す例では、露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク１１２５は、蒸発したＮＰＣ材料１１２２の一部がアパーチャ１１２６を通過し、露出層表面１１１に入射して、ＮＰＣ部分１１０３にＮＰＣ１１２０を形成するように、シャドウマスク１１２５を通って延在する少なくとも１つのアパーチャ１１２６を有する。蒸発したＮＰＣ材料１１２２がアパーチャ１１２６を通過せず、シャドウマスク１１２５の表面１１２７に入射する場合、ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する露出層表面１１１の部分１１０２内にＮＰＣ１１２０を形成するために露出層表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、部分１１０２には、ＮＰＣ１１２０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１１２５に入射するＮＰＣ材料１１２１は、その表面１１２７上に堆積され得る。
蒸発したＮＰＣ材料１１２２が露出層表面１１１に入射するとき、つまり、ＮＰＣ部分１１０３内で、ＮＰＣ１１２０がその上に形成される。
したがって、パターニング表面は、ＮＰＣ１１２０の堆積の完了時に生成される。
図１２Ｂは、プロセス１２００の段階１２０２を説明し、ここで、ＮＰＣ１１２０が基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３上に堆積されると、ＮＩＣ８１０が、露出層表面１１１の第１の部分７０１上に堆積され得る。図では、非限定的な例として、第１の部分７０１は、ＮＰＣ部分１１０３内に完全に延在する。結果として、図では、非限定的な例として、部分１１０２は、第１の部分７０１を越えて位置する露出層表面１１１のその部分を含む。
段階１２０２では、ある量のＮＩＣ材料１２１１が真空下で加熱されて、ＮＩＣ材料１２１１を蒸発および／または昇華させる１２１２。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料１１２１は、ＮＩＣ８１０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発したＮＩＣ材料１２１２は、矢印１２２０で示す方向を含めて、第１の部分７０１を越えて延在するＮＰＣ部分１１０３の第１の部分７０１、および部分１１０２の露出層表面１１１に向かって、チャンバ７０を通して方向付けられる。蒸発したＮＩＣ材料１２１２が露出層表面１１１の第１の部分７０１に入射するとき、ＮＩＣ８１０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料１２１１の堆積は、ＮＩＣ８１０が基部材料の露出層表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（ＮＩＣ８１０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
いくつかの非限定的な例では、段階１２０２について図に示すように、ＮＩＣ８１０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク１２１５を、ＮＩＣ材料１２１１と露出層表面１１１との間に挿入することによって、一部分、示す例では、（図では、ＮＰＣ１１２０の）露出層表面１１１の第１の部分７０１上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク１２１５は、蒸発したＮＩＣ材料１２１２の一部がアパーチャ１２１６を通過し、露出層表面１１１（図では、非限定的な例として、ＮＰＣ１１２０）に入射して、ＮＩＣ８１０を形成するように、シャドウマスク１２１５を通って延在する少なくとも１つのアパーチャ１２１６を有する。蒸発したＮＩＣ材料１２１２がアパーチャ１２１６を通過せず、シャドウマスク１２１５の表面１２１７に入射する場合、第１の部分７０１を越える第２の部分７０２内にＮＩＣ８１０を形成するために露出層表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、第１の部分７０１を越えて位置する露出層表面１１１の第２の部分７０２には、ＮＩＣ８１０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１２１５に入射する蒸発したＮＩＣ材料１２１２は、その表面１２１７上に堆積され得る。
ＮＰＣ部分１１０３内のＮＰＣ１１２０の露出層表面１１１は、導電性コーティング８３０について比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すが、いくつかの非限定的な例では、これは、ＮＩＣコーティング８１０についての場合に必ずしも当てはまらない場合がある。そうであっても、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣコーティング８１０についてのそのような親和性は、ＮＩＣコーティング８１０が依然として第１の部分７０１内の（図ではＮＰＣ１１２０の）露出層表面１１１上に選択的に堆積されるようにすることができる。
したがって、パターニング表面は、ＮＩＣ８１０の堆積の完了時に生成される。
図１２Ｃは、プロセス１２００の段階１２０４を説明し、ここで、ＮＩＣ８１０が基部材料（図では、ＮＰＣ１１２０）の露出層表面１１１の第１の部分７０１上に堆積されると、導電性コーティング８３０が、（図では、ＮＰＣ部分１１０３を越える部分１１０２にわたる基板１１０の、および第１の部分７０１を越えるＮＰＣ部分１１０３にわたるＮＰＣ１１２０の）露出層表面１１１の第２の部分７０２上に堆積され得る。
段階１２０４では、ある量の導電性コーティング材料８３１が真空下で加熱されて、導電性コーティング８３１を蒸発および／または昇華させる８３２。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料８３１は、導電性コーティング８３０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した導電性コーティング材料８３２は、矢印１２３０で示す方向を含めて、ＮＰＣ部分１１０３の第１の部分７０１、およびＮＰＣ部分１１０３を越える部分１１０２の露出層表面１１１に向かって、チャンバ７０を通して方向付けられる。蒸発した導電性コーティング材料８３２が第１の部分７０１を越える（ＮＰＣ１１２０の）露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３、および（基板１１０の）露出層表面１１１のＮＰＣ部分１１０３を越える部分１１０２、つまりＮＩＣ８１０の露出層表面１１１以外の第２の部分７０２に入射するとき、導電性コーティング８３０は、それらの上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、段階１２０４について図に示すように、導電性コーティング８３０の堆積は、導電性コーティング８３０が基部材料（基部材料がＮＩＣ８１０である場合以外）の露出層表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（導電性コーティング８３０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
実際、図１２Ｃに示すように、蒸発した導電性コーティング材料８３２は、ＮＰＣ部分１１０３内に位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１、ならびに第１の部分７０１を越えて位置するＮＰＣ部分１１０３にわたるＮＰＣ１１２０の露出層表面１１１およびＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する部分１１０２にわたる基板１１０の露出層表面１１１の両方に入射する。
第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１は、ＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する第２の部分７０２内の基板１１０の露出層表面１１１と比較して、導電性コーティング８３０について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すため、ならびに／もしくは第１の部分７０１を越えて位置するＮＰＣ部分１１０３内のＮＰＣ１１２０の露出層表面１１１は、第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１、およびＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する部分１１０２内の基板１１０の露出層表面１１１の両方と比較して、導電性コーティング８３０について比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すため、導電性コーティング８３０は、ＮＩＣ８１０が実質的にない、第１の部分７０１を越えて位置するＮＰＣ部分１１０３内、およびＮＰＣ部分１１０３を越えて位置する部分１１０２上の基板１１０の露出層表面１１１上にのみ実質的に選択的に堆積される。対照的に、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１に入射する蒸発した導電性コーティング材料８３２は、示すように堆積されない傾向があり（１２３３）、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ８１０の露出層表面１１１には導電性コーティング８３０が実質的にない。
したがって、パターニング表面は、導電性コーティング８３０の堆積の完了時に生成される。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分７０２内の露出層表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料８３２の初期堆積速度は、第１の部分７０１内のＮＩＣ８１０の露出層表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料８３２の初期堆積速度の少なくとも約２００倍および／またはそれを超える、少なくとも約５５０倍および／またはそれを超える、少なくとも約９００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，０００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，５００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，９００倍および／またはそれを超える、ならびに／もしくは約２，０００倍および／またはそれを超える場合がある。
図１３Ａ～１３Ｃは、基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０のみ）の露出層表面１１１上に、いくつかの非限定的な例ではＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０であり得る選択的コーティング７１０を選択的に堆積させるための、概して１３００で示す、印刷プロセスの非限定的な例を示す。
図１３Ａはプロセス１３００の段階を説明し、ここで、その上に突起１３１１を有するスタンプ１３１０は、突起１３１１の露出層表面１３１２上に選択的コーティング７１０が設けられる。当業者は、選択的コーティング７１０が、様々な好適なメカニズムを使用して、突起表面１３１２上に堆積および／または堆積され得ることを理解するであろう。
図１３Ｂはプロセス１３００の段階を説明し、ここで、選択的コーティング７１０は、露出層表面１１１と接触し、露出層表面１１１に接着するように、スタンプ１３１０が露出層表面１１１との近位１３０１へと運ばれる。
図１３Ｃはプロセス１３００の段階を説明し、ここで、スタンプ１３１０は、露出層表面１１１上に堆積された選択的コーティング７１０を残して、露出層表面１１１から離れて移動される１３０３。
パターン化された電極の選択的堆積
少なくとも１つの導電性コーティング８３０の選択的堆積をもたらして、高温導電性コーティング８３０堆積プロセス内でＦＭＭを採用することなく、いくつかの非限定的な例では第２の電極１４０および／または補助電極１７５０であり得得るパターン化された電極１２０、１４０、１７５０、４１５０を形成するために、前述のものを組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングは、デバイス１００の透過性を許容および／または強化することができる。
少なくとも１つの導電性コーティング８３０の選択的堆積をもたらして、高温導電性コーティング８３０堆積プロセス内でＦＭＭを採用することなく、いくつかの非限定的な例では第２の電極１４０および／または補助電極１７５０であり得得るパターン化された電極１２０、１４０、１７５０、４１５０を形成するために、前述のものを組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングは、デバイス１００の透過性を許容および／または強化することができる。
図１４は、平面図でパターン化された電極１４００の例、図では、デバイス１００のバージョン１５００の例（図１５）での使用に好適な第２の電極１４０を示している。電極１４００は、パターン化された複数のアパーチャ１４２０をその中に有するか、または画定する単一の連続構造を含むパターン１４１０で形成され、ここで、アパーチャ１４２０は、カソード３４２がないデバイス１００の領域に対応する。
図では、非限定的な例として、パターン１４１０は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０、およびそのような発光領域１９１０を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０を区別することなく、デバイス１５００の横範囲全体にわたって配設される。したがって、示す例は、本明細書に開示するように、デバイス１５００の外部表面に入射する光に対して実質的に透過性であり、その結果、デバイス１５００内で内部的に生じた光子の放出（上面発光、下面発光、および／または両面発光で）に加えて、かなりの一部のそのような外部入射光がデバイス１５００を透過することができるデバイス１５００に対応することができる。
デバイス１５００の透過性は、アパーチャ１４２０の平均サイズ、ならびに／もしくはアパーチャ１４２０の間隔および／または密度を含むがこれらに限定されない、採用されるパターン１４１０を変更することによって調節および／または調整され得る。
ここで、図１５を参照すると、図１４の線１５－１５に沿って取られた、デバイス１５００の断面図を示している。図では、デバイス１５００を、基板１１０、第１の電極１２０、および少なくとも１つの半導電性層１３０を含むものとして示す。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０が、少なくとも１つの半導電性層１３０の露出層表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は省略することができる。
ＮＩＣ８１０は、図に示すように、ＮＰＣ１１２０である（が、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０が省略されている場合、少なくとも１つの半導電性層１３０であり得る）、基部材料の露出層表面１１１上のパターン１４１０に実質的に対応するパターンで選択的に配設される。
図では、第２の電極１４０である、パターン化された電極１４００を形成するのに好適な導電性コーティング８３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭをいずれも採用しない、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出層表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、パターン１４１０で配設されたＮＩＣ８１０の領域、およびＮＩＣ８１０が堆積されていない、パターン１４１０でのＮＰＣ１１２０の領域の両方を含む。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の領域は、パターン１４１０に示すアパーチャ１４２０を含む第１の部分に実質的に対応し得る。
ＮＩＣ８１０が配設されたパターン１４１０のそれらの領域（アパーチャ１４２０に対応する）の核生成抑制特性のために、そのような領域上に配設された導電性コーティング８３０は残らない傾向があり、その結果、導電性コーティング８３０が実質的にないアパーチャ１４２０に対応するパターン１４１０の第１の部分のそれらの領域を残しつつ、パターン１４１０の残りに実質的に対応する導電性コーティング８３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、カソード３４２を形成する導電性コーティング８３０は、パターン１４１０内のアパーチャ１４２０を取り囲むが占領しないＮＰＣ１１２０のこれらの領域を含む第２の部分上にのみ実質的に選択的に堆積される。
図１６Ａは、電極１２０、１４０、１７５０の複数のパターン１６２０、１６４０を示す概略図を平面図で示す。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１６２０は、第１の横方向に延在する複数の細長い離間領域を含む。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１６２０は、複数の第１の電極１２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１６２０を構成する複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１６４０は、第２の横方向に延在する複数の細長い離間領域を含む。いくつかの非限定的な例では、第２の横方向は、第１の横方向に実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１６４０は、複数の第２の電極１４０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１６４０を構成する複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１６２０および第２のパターン１６４０は、複数のＰＭＯＬＥＤ要素を含み得る、概して１６００（図１６Ｃ）で示す、デバイス１００のバージョンの例の一部を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０は、第１のパターン１６２０が第２のパターン１６４０と重なって形成される。いくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０の横側面４２０は、横側面４１０以外の任意の横側面に対応する。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では電源１５の正端子であり得る第１の端子は、第１のパターン１６２０の少なくとも１つの電極１２０、１４０、１７５０に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の端子は、少なくとも１つの駆動回路３００を通して第１のパターン１６２０の少なくとも１つの電極１２０、１４０、１７５０に結合される。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では電源１５の負端子であり得る第２の端子は、第２のパターン１６４０の少なくとも１つの電極１２０、１４０、１７５０に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路３００を通して第２のパターン１７４０の少なくとも１つの電極１２０、１４０、１７５０に結合される。
ここで、図１６Ｂを参照すると、図１６Ａの線１６Ｂ－１６Ｂに沿って取られた、堆積段階１６００ｂでの、デバイス１６００の断面図を示している。図では、段階１６００ｂにあるデバイス１６００を、基板１１０を含むものとして示す。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０が、基板１１０の露出層表面１１１に配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は省略することができる。
ＮＩＣ８１０は、図に示すように、ＮＰＣ１１２０である基部材料の露出層表面１１１上の第１のパターン１６２０の逆に実質的に対応するパターンで選択的に配設される。
図では、第１の電極１２０である、電極１２０、１４０、１７５０の第１のパターン１６２０を形成するのに好適な導電性コーティング８３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭをいずれも採用しない、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出層表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、第１のパターン１６２０の逆で配設されたＮＩＣ８１０の領域、およびＮＩＣ８１０が堆積されていない、第１のパターン１６２０で配設されたＮＰＣ１１２０の領域の両方を含む。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０の領域は、第１のパターン１６２０の細長い離間領域に実質的に対応することができ、一方、ＮＩＣ８１０の領域は、それらの間にギャップを含む第１の部分に実質的に対応することができる。
ＮＩＣ８１０が配設された第１のパターン１６２０のそれらの領域（それらの間のギャップに対応する）の核生成抑制特性のために、そのような領域上に配設された導電性コーティング８３０は残らない傾向があり、導電性コーティング８３０が実質的にないそれらの間のギャップを含む第１の部分を残しつつ、第１のパターン１６２０の細長い離間領域に実質的に対応する導電性コーティング８３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、電極１２０、１４０、１７５０の第１のパターン１６２０を形成する導電性コーティング８３０は、第１のパターン１６２０の細長い離間領域を画定するＮＰＣ１１２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０が省略されている場合、基板１１０）のこれらの領域を含む第２の部分上にのみ実質的に選択的に堆積される。
ここで、図１６Ｃを参照すると、図１６Ａの線１６Ｃ－１６Ｃに沿って取られた、デバイス１６００の断面図を示している。図では、デバイス１６００を、基板１１０、図１６Ｂに示すように堆積された電極１２０の第１のパターン１６２０、および少なくとも１つの半導電性層１３０を含むものとして示す。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、デバイス１６００の横側面の実質的にすべてにわたる共通の層として提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０が、少なくとも１つの半導電性層１３０の露出層表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は省略することができる。
ＮＩＣ８１０は、図に示すように、ＮＰＣ１１２０である（が、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０が省略されている場合、少なくとも１つの半導電性層１３０であり得る）、基部材料の露出層表面１１１上の第２のパターン１６４０に実質的に対応するパターンで選択的に配設される。
図では、第２の電極１４０である、電極１２０、１４０、１７５０の第２のパターン１６４０を形成するのに好適な導電性コーティング８３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭをいずれも採用しない、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出層表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、第２のパターン１６４０の逆で配設されたＮＩＣ８１０の領域、およびＮＩＣ８１０が堆積されていない、第２のパターン１６４０でのＮＰＣ１１２０の領域の両方を含む。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０の領域は、第２のパターン１６４０の細長い離間領域を含む第１の部分に実質的に対応することができ、一方、ＮＩＣ８１０の領域は、それらの間のギャップに実質的に対応することができる。
ＮＩＣ８１０が配設された第２のパターン１６４０のそれらの領域（それらの間のギャップに対応する）の核生成抑制特性のために、そのような領域上に配設された導電性コーティング８３０は残らない傾向があり、導電性コーティング８３０が実質的にないそれらの間のギャップを含む第１の部分を残しつつ、第２のパターン１６４０の細長い離間領域に実質的に対応する導電性コーティング８３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、電極１２０、１４０、１７５０の第２のパターン１６４０を形成する導電性コーティング８３０は、第２のパターン１６４０の細長い離間領域を画定するＮＰＣ１１２０のこれらの領域を含む第２の部分上にのみ実質的に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０、１７５０の第１のパターン１６２０および／または第２のパターン１６４０のいずれかまたは両方を形成するためにその後に堆積されるＮＩＣ８１０ならびに導電性コーティング８３０の厚さは、所望の用途および所望の性能特徴を含むがこれらに限定されない、様々なパラメータに従って変わり得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の厚さは、その後に堆積される導電性コーティング８３０の厚さと同等、および／または実質的にそれよりも小さくてもよい。その後に堆積される導電性コーティングの選択的パターニングを達成するための比較的薄いＮＩＣ８１０の使用は、ＰＭＯＬＥＤデバイスを含むがこれに限定されない、可撓性デバイス１６００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いＮＩＣ８１０は、バリアコーティング１６５０または他の薄膜カプセル化（ＴＦＥ）層を堆積させることができる比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１６５０の塗布のためにそのような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのバリアコーティング１６５０の接着を高めることができる。
電極１２０、１４０、１７５０の第１のパターン１６２０のうちの少なくとも１つおよび電極１２０、１４０、１７５０の第２のパターン１６４０のうちの少なくとも１つは、直接か、および／またはいくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０からの光子放出を制御するためのそれらのそれぞれの駆動回路３００を通すかにかかわらず、電源１５に電気的に結合され得る。
当業者は、図１６Ａ～１６Ｃに示す第２のパターン１６４０で第２の電極１４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００用の補助電極１７５０を形成するために同様の様式で使用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極１４０は、共通電極を含むことができ、補助電極１７５０は、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の上方またはいくつかの非限定的な例ではその下方に第２のパターン１６４０で堆積されて、第２の電極１４０に電気的に結合することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０用の第２のパターン１６４０は、第２のパターン１６４０の細長い離間領域が（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０内に実質的に位置するようにすることができる。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０用の第２のパターン１６４０は、第２のパターン１６４０の細長い離間領域が（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０、ならびに／もしくはそれらを取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０内に実質的に位置するようにすることができる。
図１７は、デバイス１００と実質的に同様であるが、上記のパターンで配設され、第２の電極１４０と電気的に結合された（図示せず）少なくとも１つの補助電極１７５０をさらに含む、デバイス１００のバージョン１７００の例の断面図の例を示す。
補助電極１７５０は導電性である。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの金属および／または金属酸化物によって形成され得る。そのような金属の非限定的な例には、Ｃｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）および／またはＡｇが含まれる。非限定的な例として、補助電極１７５０は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって形成されたものを含むがこれに限定されない多層金属構造を含み得る。そのような金属酸化物の非限定的な例には、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ならびに／またはＩｎおよび／もしくはＺｎを含有する他の酸化物が含まれる。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯおよび／またはＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの金属および少なくとも１つの金属酸化物の組み合わせによって形成される多層構造を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、複数のそのような導電性材料を含む。
デバイス１７００を、基板１１０、第１の電極１２０、および少なくとも１つの半導電性層１３０を含むものとして示す。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０が、少なくとも１つの半導電性層１３０の露出層表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は省略することができる。
第２の電極１４０は、ＮＰＣ１１２０（または、ＮＰＣ１１２０が省略されている場合は、少なくとも１つの半導電性層１３０）の露出層表面１１１の実質的にすべてに配置される。
いくつかの非限定的な例では、特に上面発光デバイス１７００では、第２の電極１４０は、非限定的な例として、第２の電極１４０の存在に関係する光学干渉（減衰、反射、および／または拡散を含むがこれらに限定されない）を低減するために、比較的薄い導電性膜層（図示せず）を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、他の箇所で考察されるように、第２の電極１４０の厚さを低減することにより、概して、第２の電極１４０のシート抵抗が増加する場合があり、これにより、いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００の性能および／または効率が低下する場合がある。第２の電極１４０に電気的に結合される補助電極１７５０を提供することによって、シート抵抗、およびしたがって第２の電極１４０に関連するＩＲ降下が、いくつかの非限定的な例では減少し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、下面発光および／または両面発光デバイス１７００であり得る。そのような例では、第２の電極１４０は、そのようなデバイス１７００の光学特徴に実質的に影響することなく、比較的厚い導電性層として形成され得る。それにもかかわらず、そのような状況においてさえ、第２の電極１４０は、それにもかかわらず、非限定的な例として、比較的薄い導電性膜層（図示せず）として形成することができるため、デバイス１７００は、本明細書に開示するように、デバイス１７００内で内部的に生じた光子の放出に加えて、そのような外部入射光のかなりの一部がデバイス１７００を通って透過することができるように、その外部表面に入射する光に対して実質的に透過性であり得る。
ＮＩＣ８１０は、図に示すように、ＮＰＣ１１２０である基部材料の露出層表面１１１上のパターンで選択的に配設される。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、ＮＩＣ８１０は、一連の平行な列１７２０としてのパターンの第１の部分で配設され得る。
パターン化された補助電極１７５０を形成するのに好適な導電性コーティング８３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭをいずれも採用しない、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出層表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、行１７２０のパターンで配設されたＮＩＣ８１０の領域、およびＮＩＣ８１０が堆積されていない、ＮＰＣ１１２０の領域の両方を含む。
ＮＩＣ８１０が配設されたそれらの行１７２０の核生成抑制特性のために、そのような行１７２０上に配設された導電性コーティング８３０は残らない傾向があり、導電性コーティング８３０が実質的にない行１７２０を含む第１の部分を残しつつ、パターンの少なくとも１つの第２の部分に実質的に対応する導電性コーティング８３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、補助電極１７５０を形成する導電性コーティング８３０は、行１７２０を取り囲むが占領しないＮＰＣ１１２０のこれらの領域を含む第２の部分上にのみ実質的に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００の横側面のある特定の行１７２０のみを被覆し、一方、それらの他の領域は被覆されないままであるように補助電極１７５０を選択的に堆積することにより、補助電極１７５０の存在に関係する光学干渉を制御および／または低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、通常の視距離から肉眼で容易に検出することができないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、そのようなデバイスの電極の実効抵抗を減少させる場合を含めて、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイス内で形成され得る。
補助電極
図１７に図示するプロセスを含むがこれに限定されない、選択的コーティング７１０を採用することにより、高温導電性コーティング８３０堆積プロセス中にＦＭＭを採用することなく、第２の電極１４０および／または補助電極１７５０を含むがこれらに限定されない電極１２０、１４０、１７５０、４１５０をパターン化する能力は、補助電極１７５０の多数の構成を展開することができる。
図１７に図示するプロセスを含むがこれに限定されない、選択的コーティング７１０を採用することにより、高温導電性コーティング８３０堆積プロセス中にＦＭＭを採用することなく、第２の電極１４０および／または補助電極１７５０を含むがこれらに限定されない電極１２０、１４０、１７５０、４１５０をパターン化する能力は、補助電極１７５０の多数の構成を展開することができる。
図１８Ａは、複数の発光領域１９１０ａ～１９１０ｊ、およびそれらを取り囲む少なくとも１つの非発光領域１８２０を有する、デバイス１００のバージョン１８００の例の一部を平面図で示す。いくつかの非限定的な例では、デバイス１８００は、発光領域１９１０ａ～１９１０ｊの各々が（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応するＡＭＯＬＥＤデバイスであり得る。
図１８Ｂ～１８Ｄは、近接する発光領域１９１０ａおよびその１９１０ｂの上に重なり合う補助電極１７５０の異なる構成１７５０ｂ～１７５０ｄと併せて、その近接する発光領域１９１０ａおよび１９１０ｂに対応するデバイス１８００の一部、ならびにそれらの間の少なくとも１つの非発光領域１８２０の一部の例を示す。いくつかの非限定的な例では、図１８Ｂ～１８Ｄには明示的に示していないが、デバイス１８００の第２の電極１４０は、その発光領域１９１０ａおよび１９１０ｂ、ならびにそれらの間の少なくとも１つの非発光領域１８２０の一部の少なくとも両方を実質的に被覆すると理解される。
図１８Ｂでは、補助電極構成１７５０ｂは、２つの近接する発光領域１９１０ａと１９１０ｂとの間に配設され、第２の電極１４０に電気的に結合される。この例では、補助電極構成１７５０ｂの幅αは、近接する発光領域１９１０ａと１９１０ｂとの間の分離距離δよりも小さい。結果として、補助電極構成１７５０ｂの各側部上の少なくとも１つの非発光領域１８２０内にギャップが存在する。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、補助電極構成１７５０ｂが、いくつかの非限定的な例では発光領域１９１０ａおよび１９１０ｂのうちの少なくとも１つからのデバイス１８００の光学出力に干渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、補助電極構成１７５０ｂが比較的厚い場合（いくつかの非限定的な例では、厚さにおいて、数百ｎｍを超えるおよび／または数ミクロン程度）に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、その幅に対する補助電極構成１７５０ｂ高さ（厚さ）の比（「アスペクト比」）は、約０．０５よりも大きい、例えば、約０．１以上、約０．２以上、約０．５以上、約０．８以上、約１以上、または約２以上であってもよい。非限定的な例として、補助電極構成１７５０ｂの高さ（厚さ）は、約５０ｎｍより大きく、例えば、約８０ｎｍ以上、約１００ｎｍ以上、約２００ｎｍ以上、約５００ｎｍ以上、約７００ｎｍ以上、約１０００ｎｍ以上、約１５００ｎｍ以上、約１７００ｎｍ以上、または約２０００ｎｍ以上であってもよい。
図１８Ｃでは、補助電極構成１７５０ｃは、２つの近接する発光領域１９１０ａと１９１０ｂとの間に配設され、第２の電極１４０に電気的に結合される。この例では、補助電極構成１７５０ｃの幅αは、近接する発光領域１９１０ａと１９１０ｂとの間の分離距離δと実質的に同じである。結果として、補助電極構成１７５０ｃのいずれの側にも少なくとも１つの非発光領域１８２０内にギャップは存在しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、近接する発光領域１９１０ａと１９１０ｂとの間の分離距離δが、非限定的な例として、高ピクセル密度デバイス１８００内で、比較的小さい場合に適切であり得る。
図１８Ｄでは、補助電極１７５０ｄは、２つの近接する発光領域１９１０ａと１９１０ｂとの間に配設され、第２の電極１４０に電気的に結合される。この例では、補助電極構成１７５０ｄの幅αは、近接する発光領域１９１０ａと１９１０ｂとの間の分離距離δよりも大きい。結果として、補助電極構成１７５０ｄの一部は、近接する発光領域１９１０ａおよび／または１９１０ｂのうちの少なくとも１つの一部と重なる。この図は、補助電極構成１７５０ｄと近接する発光領域１９１０ａおよび１９１０ｂの各々との重なりの程度を示しているが、いくつかの非限定的な例では、重なりの程度、および／またはいくつかの非限定的な例では、補助電極構成１７５０ｄと近接する発光領域１９１０ａおよび１９１０ｂのうちの少なくとも１つとの間の重なりのプロファイルは、変えるおよび／または調整することができる。
図１９は、デバイス１００のバージョン１９００の例の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応し得る発光領域１９１０の横側面４１０、ならびに発光領域１９１０を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０の両方に重ね合わせられるグリッドとして形成された補助電極１７５０のパターン１９５０の例を示す概略図を平面図で示す。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン１９５０は、発光領域１９１０の横側面４１０のいずれも実質的に被覆しないように、非発光領域１９２０の横側面４２０のすべてではなくいくつかの上にのみ実質的に延在する。
当業者は、図では、そのすべての要素が物理的に接続され、互いに電気的に結合され、少なくとも１つの電極に電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２０および／または第２の電極１４０であり得る少なくとも１つの電極１２０、１４０、１７５０、４１５０と電気的に結合するように、補助電極パターン１９５０が連続構造として形成されているものとして示され、一方、いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン１９５０は、互いに電気的に結合されたままであるが、互いに物理的に結合されていない補助電極パターン１９５０の複数の個別の要素として提供され得ることを理解するであろう。そうであっても、補助電極パターン１９５０のそのような個別の要素は、それらの光学特徴に実質的に干渉することなく、デバイス１９００の効率を高めるように、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極１２０、１４０、１７５０、４１５０の、結果的に、デバイス１９００のシート抵抗を依然として実質的に下げることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの様々な配置を有するデバイス１００で採用され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ配置は、実質的にダイヤモンド形状であり得る。
非限定的な例として、図２０Ａは、デバイス１００のバージョン２０００の例では、ダイヤモンド構成のＰＤＬ４４０を含む複数の非発光領域１９２０の横側面に取り囲まれた、サブピクセル２６４ｘに各々対応する発光領域１９１０の複数の群２０４１～２０４３の複数の群を平面図で示す。いくつかの非限定的な例では、この構成は、第１の行と第２の行の交互のパターンで発光領域１９１０のパターン２０４１～２０４３およびＰＤＬ４４０のパターンによって画定される。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０を含む非発光領域１９２０の横側面４２０は、実質的に楕円形状であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行内の非発光領域１９２０の横側面４２０の主軸は、整列され、第２の行内の非発光領域１９２０の横側面４２０の主軸に実質的に垂直である。いくつかの非限定的な例では、第１の行内の非発光領域１９２０の横側面４２０の主軸は、第１の行の軸に実質的に平行である。
いくつかの非限定的な例では、発光領域１９１０の第１の群２０４１は、第１の波長で光を放出するサブピクセル２６４ｘに対応し、いくつかの非限定的な例では、第１の群２０４１のサブピクセル２６４ｘは、赤（Ｒ）サブピクセル２６４１に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の群２０４１の発光領域１９１０の横側面４１０は、実質的にダイヤモンド形状構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の群２０４１の発光領域１９１０は、ＰＤＬ４４０の前後の第１の行のパターンに位置する。いくつかの非限定的な例では、第１の群２０４１の発光領域１９１０の横側面４１０は、同じ行内のＰＤＬ４４０を含む前後の非発光領域１９２０の横側面４２０、および第２の行の前後のパターン内のＰＤＬ４４０を含む隣接する非発光領域１９２０の横側面４２０とわずかに重なる。
いくつかの非限定的な例では、発光領域１９１０の第２の群２０４２は、第２の波長で光を放出するサブピクセル２６４ｘに対応し、いくつかの非限定的な例では、第２の群２０４２のサブピクセル２６４ｘは、緑（Ｇ）サブピクセル２６４２に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の群２０４１の発光領域１９１０の横側面４１０は、実質的に楕円形状構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の群２０４１の発光領域１９１０は、ＰＤＬ４４０の前後の第２の行のパターン内に位置する。いくつかの非限定的な例では、第２の群２０４１の発光領域１９１０の横側面４１０のうちのいくつかの主軸は、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であり得る第１の角度にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の群２０４１の発光領域１９１０の横側面４１０の他の主軸は、いくつかの非限定的な例では、第１の角度に実質的に垂直であり得る第２の角度にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、横側面４１０が第１の角度に主軸を有する第１の群２０４１の発光領域１９１０は、横側面４１０が第２の角度に主軸を有する第１の群２０４１の発光領域１９１０と交互になっている。
いくつかの非限定的な例では、発光領域１９１０の第３の群２０４３は、第３の波長で光を放出するサブピクセル２６４ｘに対応し、いくつかの非限定的な例では、第３の群２０４３のサブピクセル２６４ｘは、青（Ｂ）サブピクセル２６４３に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の群２０４３の発光領域１９１０の横側面４１０は、実質的にダイヤモンド形状構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の群２０４３の発光領域１９１０は、ＰＤＬ４４０の前後の第１の行のパターン内にある。いくつかの非限定的な例では、第３の群２０４３の発光領域１９１０の横側面４１０は、同じ行内のＰＤＬ４４０を含む前後の非発光領域１９２０の横側面４１０、および第２の行の前後のパターン内のＰＤＬ４４０を含む隣接する非発光領域１９２０の横側面４２０とわずかに重なる。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１の群２０４１の発光領域１９１０、第３の群２０４３の交互の発光領域１９１０を含み、各々がＰＤＬ４４０の前後にある。
ここで、図２０Ｂを参照すると、図２０Ａの線２０Ｂ－２０Ｂに沿って取られた、デバイス２０００の断面図の例を示している。図では、デバイス２０００は、基板１１０、およびその露出層表面１１１上に形成された第１の電極１２０の複数の要素を含むものとして示す。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にする目的で、図示せず）、および／または各サブピクセル２６４ｘに対応する、およびそれを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含み得る。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の要素間の基板１１０にわたって形成されて、ＰＤＬ４４０を含む非発光領域１９２０によって分離された、第１の電極１２０の各要素上の発光領域１９１０を画定する。図では、発光領域１９１０はすべて、第２の群２０４２に対応する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、取り囲むＰＤＬ４４０間の第１の電極１２０の各要素上に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通のカソードであり得る第２の電極１４０は、そのＧ（緑）サブピクセル２６４２を形成するための第２の群２０４２の発光領域１９１０上に、および取り囲むＰＤＬ４４０上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、Ｇ（緑）サブピクセル２６４２の第２の群２０４２の発光領域１９１０の横側面４１０にわたる第２の電極１４０上に選択的に堆積されて、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の電極１４０の一部上の、すなわちＰＤＬ４４０を含む非発光領域１９２０の横側面４２０にわたる、導電性コーティング８３０の選択的堆積を可能にする。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、ＰＤＬ４４０の傾斜した一部上に留まらない傾向があり得るが、ＮＩＣ８１０でコーティングされるそのような傾斜した一部のベースへと下降する傾向があるため、導電性コーティング８３０は、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な一部に沿って蓄積する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な一部上の導電性コーティング８３０は、第２の電極１４０に電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１７５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２０００は、ＣＰＬ３６１０および／またはアウトカップリング層を含み得る。非限定的な例として、そのようなＣＰＬ３６１０および／またはアウトカップリング層は、第２の電極１４０の表面および／またはＮＩＣ８１０の表面上に直接提供され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ３６１０および／またはアウトカップリング層は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する少なくとも１つの発光領域１９１０の横側面４１０にわたって提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０はまた、屈折率整合コーティングとして作用し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０はまた、アウトカップリング層として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２０００は、カプセル化層を含む。そのようなカプセル化層の非限定的な例には、デバイス２０００をカプセル化するために提供される、図に破線のアウトラインで示されるようなガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤および／またはＴＦＥ層２０５０が含まれる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＥ層２０５０は、バリアコーティング１６５０のタイプとみなされ得る。
いくつかの非限定的な例では、カプセル化層は、第２の電極１４０および／またはＮＩＣ８１０のうちの少なくとも１つの上に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２０００は、偏光板、カラーフィルタ、反射防止コーティング、防眩コーティング、カバークラスおよび／または光学的透明接着剤（ＯＣＡ）を含むがこれらに限定されない、追加の光学層および／または構造層、コーティング、ならびに構成要素を含む。
ここで、図２０Ｃを参照すると、図２０Ａの線２０Ｃ－２０Ｃに沿って取られた、デバイス２０００の断面図の例を示している。図では、デバイス２０００は、基板１１０、およびその露出層表面１１１上に形成された第１の電極１２０の複数の要素を含むものとして示す。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の要素間の基板１１０にわたって形成されて、ＰＤＬ４４０を含む非発光領域１９２０によって分離された、第１の電極１２０の各要素上の発光領域１９１０を画定する。図では、発光領域１９１０は、第１の群２０４１および第３の群２０４３に交互に対応している。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、取り囲むＰＤＬ４４０間の第１の電極１２０の各要素上に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通のカソードであり得る第２の電極１４０は、そのＲ（赤）サブピクセル２６４１を形成するための第１の群２０４１の発光領域１９１０上に、そのＢ（青）サブピクセル２６４３を形成するための第３の群２０４３の発光領域１９１０上に、および取り囲むＰＤＬ４４０上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、Ｒ（赤）サブピクセル２６４１の第１の群２０４１、およびＢ（青）サブピクセル２６４３の第３の群の発光領域１９１０の横側面４１０にわたる第２の電極１４０上に選択的に堆積されて、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の電極１４０の一部上の、すなわちＰＤＬ４４０を含む非発光領域１９２０の横側面４２０にわたる、導電性コーティング８３０の選択的堆積を可能にする。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、ＰＤＬ４４０の傾斜した一部上に留まらない傾向があり得るが、ＮＩＣ８１０でコーティングされるそのような傾斜した一部のベースへと下降する傾向があるため、導電性コーティング８３０は、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な一部に沿って蓄積する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な一部上の導電性コーティング８３０は、第２の電極１４０に電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１７５０を形成し得る。
ここで、図２１を参照すると、図４の断面図に示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス１００のバージョン２１００の例を示している。
デバイス２１００は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０に実質的に対応するデバイス２１００の第１の部分内であるが、第１の部分を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０に実質的に対応するデバイス２１００の第２の部分内ではない、基部材料、図では、第２の電極１４０の露出層表面１１１上に選択的に堆積されたＮＩＣ８１０を示す。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＩＣ８１０は、導電性コーティング８３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を第１の部分内に提供して、補助電極１７５０を形成するためにその後堆積される。
ＮＩＣ８１０の選択的堆積後、導電性コーティング８３０は、デバイス２１００にわたって堆積されるが、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の部分内にのみ実質的に留まって、補助電極１７５０を形成する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１７５０は、示すように、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の部分にわたる第２の電極１４０の上方に位置し、それと物理的に接触することによるものを含めて、第２の電極１４０のシート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、第２の部分内の導電性コーティング８３０についての高い初期付着確率Ｓ０を確実にするように、第２の電極１４０と実質的に同じ材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、純粋なＭｇおよび／またはＭｇと、Ａｇを含むがこれに限定されない別の金属との合金を実質的に含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積で約１：９～約９：１の範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、限定されないがＩＴＯおよび／またはＩＺＯなどの三元金属酸化物、ならびに／もしくは金属および／または金属酸化物の組み合わせを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０を形成するために使用される導電性コーティング８３０は、実質的に純粋なＭｇを含み得る。
ここで、図２２を参照すると、図４の断面図に示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス１００のバージョン２２００の例を示している。
デバイス２２００は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０の一部に実質的に対応するデバイス２２００の第１の部分内であるが、第２の部分内ではない、基部材料、図では、第２の電極１４０の露出層表面１１１上に選択的に堆積されたＮＩＣ８１０を示す。図では、第１の部分は、発光領域１９１０を画定するＰＤＬ４４０の傾斜した一部の範囲に沿って部分的に延在する。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＩＣ８１０は、導電性コーティング８３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を第１の部分内に提供して、補助電極１７５０を形成するためにその後堆積される。
ＮＩＣ８１０の選択的堆積後、導電性コーティング８３０は、デバイス２２００にわたって堆積されるが、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の部分内にのみ実質的に留まって、補助電極１７５０を形成する。したがって、デバイス２２００では、補助電極１７５０は、発光領域１９１０を画定するＰＤＬ４４０の傾斜した一部にわたって部分的に延在する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１７５０は、示すように、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の部分にわたる第２の電極１４０の上方に位置し、それと物理的に接触することによるものを含めて、第２の電極１４０のシート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０が含まれ得る材料は、導電性コーティング８３０について高い初期付着確率Ｓ０を有しない場合がある。
図２３は、図４の断面図に示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス１００のバージョン２３００の例が示すそのような状況を示している。
デバイス２３００は、基部材料、図では、第２の電極１４０の露出層表面１１１上に堆積されたＮＰＣ１１２０を示す。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、ＮＩＣ８１０は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０の一部に実質的に対応するデバイス２３００の第１の部分内であるが、第１の部分を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０に実質的に対応するデバイス２３００の第２の部分内ではない、基部材料、図では、ＮＰＣ１１２０の露出層表面１１１上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＩＣ８１０は、導電性コーティング８３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を第１の部分内に提供して、補助電極１７５０を形成するためにその後堆積される。
ＮＩＣ８１０の選択的堆積後、導電性コーティング８３０は、デバイス２３００にわたって堆積されるが、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の部分内にのみ実質的に留まって、補助電極１７５０を形成する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１７５０は、シート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。示すように、補助電極１７５０は、第２の電極１４０の上方には位置せず、それと物理的に接触していないが、それにもかかわらず、当業者は、補助電極１７５０が、多くのよく理解されたメカニズムによって第２の電極１４０に電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０の比較的薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は、依然として、電流がその膜を通過することを可能にし、したがって第２の電極１４０のシート抵抗を低減することを可能にすることができる。
ここで、図２４を参照すると、図４の断面図に示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス１００のバージョン２４００の例を示している。
デバイス２４００は、基部材料、図では、第２の電極１４０の露出層表面１１１上に堆積されたＮＩＣ８１０を示す。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
ＮＩＣ８１０は、導電性コーティング８３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を提供して、補助電極１７５０を形成するためにその後堆積される。
ＮＩＣ８１０の堆積後、ＮＰＣ１１２０は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０に実質的に対応するデバイス２４００の第２の部分を取り囲む非発光領域１９２０の横側面４２０の一部に実質的に対応する、デバイス２４００のＮＰＣ部分内に、基部材料、図では、ＮＩＣ８１０の露出層表面１１１上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ１１２０は、導電性コーティング８３０についての比較的高い初期付着確率Ｓ０を有する表面を第１の部分内に提供して、補助電極１７５０を形成するためにその後堆積される。
ＮＰＣ１１２０の選択的堆積後、導電性コーティング８３０は、デバイス２４００上に堆積されるが、ＮＩＣ８１０がＮＰＣ１１２０と重なり合っているＮＰＣ部分内にのみ実質的に留まって、補助電極１７５０を形成する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１７５０は、第２の電極１４０のシート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。
選択的コーティングの除去
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ＮＩＣ８１０によって被覆された基部材料の予め露出された層表面１１１の少なくとも一部が再び露出され得るように、導電性コーティング８３０の堆積の後に除去され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ＮＩＣ８１０をエッチングならびに／または溶解することによって、かつ／あるいは導電性コーティング８３０に実質的に影響しないか、もしくは損耗しないプラズマならびに／または溶媒加工技法を採用することによって選択的に除去され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ＮＩＣ８１０によって被覆された基部材料の予め露出された層表面１１１の少なくとも一部が再び露出され得るように、導電性コーティング８３０の堆積の後に除去され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ＮＩＣ８１０をエッチングならびに／または溶解することによって、かつ／あるいは導電性コーティング８３０に実質的に影響しないか、もしくは損耗しないプラズマならびに／または溶媒加工技法を採用することによって選択的に除去され得る。
ここで、図２５Ａを参照すると、ＮＩＣ８１０が基部材料の露出層表面１１１の第１の部分上に選択的に堆積された、堆積段階２５００ａでのデバイス１００のバージョン２５００の例の断面図の例を示している。図では、基部材料は、基板１１０であり得る。
図２５Ｂでは、デバイス２５００を、堆積段階２５００ｂで示し、ここで、導電性コーティング８３０は、基部材料の露出層表面１１１上、つまり段階２５００ａ中にＮＩＣ８１０が堆積されたＮＩＣ８１０の露出層表面１１１、およびそのＮＩＣ８１０が段階２５００ａ中に堆積されなかった基板１１０の露出層表面１１１の両方の上に堆積される。ＮＩＣ８１０が配設された第１の部分の核生成抑制特性のために、その上に配設された導電性コーティング８３０は残らない傾向があり、導電性コーティングが実質的にない第１の部分を残しつつ、第２の部分に対応する導電性コーティング８３０の選択的堆積のパターンが得られる。
図２５Ｃでは、デバイス２５００を、堆積段階２５００ｃに示し、ここで、ＮＩＣ８１０は、段階２５００ｂ中に堆積された導電性コーティング８３０が基板１１０上に留まり、段階２５００ａ中にＮＩＣ８１０が堆積された基板１１０の領域がここで露出または被覆されていないように、基板１１０の露出層表面１１１の第１の部分から除去されている。
いくつかの非限定的な例では、段階２５００ｃ内のＮＩＣ８１０の除去は、導電性コーティング８３０に実質的に影響を及ぼすことなく、ＮＩＣ８１０と反応および／またはエッチング除去する溶媒および／またはプラズマにデバイス２５００を曝露することによって実現することができる。
透明ＯＬＥＤ
ここで、図２６Ａを参照すると、デバイス１００の、概して２６００で示す、透過性（透明）バージョンの平面図の例を示している。いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、複数のピクセル領域２６１０および複数の透過性領域２６２０を有するＡＭＯＬＥＤデバイスである。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、ピクセル領域２６１０および／または透過性領域２６２０の間の基部材料の露出層表面１１１上に堆積され得る。
ここで、図２６Ａを参照すると、デバイス１００の、概して２６００で示す、透過性（透明）バージョンの平面図の例を示している。いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、複数のピクセル領域２６１０および複数の透過性領域２６２０を有するＡＭＯＬＥＤデバイスである。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、ピクセル領域２６１０および／または透過性領域２６２０の間の基部材料の露出層表面１１１上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２６１０は、サブピクセル２６４ｘに各々対応する複数の発光領域１９１０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２６４１、Ｇ（緑）サブピクセル２６４２、および／またはＢ（青）サブピクセル２６４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域２６２０は、実質的に透明であり、光がその断面側面の全体を通過することを可能にする。
ここで、図２６Ｂを参照すると、図２６Ａの線２６Ｂ－２６Ｂに沿って取られた、デバイス２６００の断面図の例を示している。図では、デバイス２６００は、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成された第１の電極１２０を含むものとして示されている。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または実質的に少なくとも１つ１つのＴＦＴ構造２００の下に位置決めされ、その第１の電極１２０に電気的に結合された各サブピクセル２６４ｘに対応し、およびそれを駆動するための少なくとも１つ１つのＴＦＴ構造２００を含み得る。ＰＤＬ４４０は、基板１１０上に非発光領域１９２０内に形成されて、それに対応する第１の電極１２０上に各サブピクセル２６４ｘにも対応する発光領域１９１０を画定する。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、第１の電極１２０の露出領域、およびいくつかの非限定的な例では取り囲むＰＤＬ４４０の少なくとも一部にわたって堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、そのサブピクセル２６４ｘを形成するためのピクセル領域２６１０上を含む少なくとも１つの半導電性層１３０上、およびいくつかの非限定的な例では、透過性領域２６２０内の取り囲むＰＤＬ４４０上に少なくとも部分的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ピクセル領域２６１０および透過性領域２６２０の両方を含むが、補助電極１７５０に対応する第２の電極１４０の領域を含まない、デバイス２６００の第１の部分上に選択的に堆積される。
次いで、いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００の表面全体は、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング８３０の蒸気フラックスに曝露される。導電性コーティング８３０は、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の電極１４０の第２の部分上に選択的に堆積されて、第２の電極１４０のコーティングされていない一部に電気的に結合され、いくつかの非限定的な例ではそれと物理的に接触する補助電極１７５０を形成する。
同時に、デバイス２６００の透過性領域２６２０には、それを通る光の透過に実質的に影響し得る任意の材料が実質的にないままである。特に、図に示すように、ＴＦＴ構造２００および第１の電極１２０は、それらに対応するサブピクセル２６４ｘの下方の断面側面内に位置決めされ、補助電極１７５０と一緒に、透過性領域２６２０を越えて位置する。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域２６２０を透過することを減衰または妨害しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置により、いくつかの非限定的な例では（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのすべてが発光しておらず、したがって透明なＡＭＯＬＥＤデバイス２６００を作成しているとき、通常の視距離からデバイス２６００を見る者がデバイス２６００を通して見ることが可能になる。
図には示していないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、補助電極１７５０と第２の電極１４０との間に配設されたＮＰＣ１１２０をさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０はまた、ＮＩＣ８１０と第２の電極１４０との間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、少なくとも１つの半導電性層１３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、ＮＩＣ８１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導電性層１３０を形成するために使用され得る。そのような非限定的な例では、デバイス２６００を製作するための多くの段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０および／または第２の電極１４０を形成するものを含むがこれらに限定されない、様々な他の層ならびに／もしくはコーティングが、特にそのような層および／またはコーティングが実質的に透明である場合、透過性領域２６２０の一部を被覆し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では発光領域１９１０のために画定されたウェルとそれほど異ならないウェルをその中に形成して、透過性領域２６２０を通る光透過をさらに容易にすることを含むがこれに限定されない、低減した厚さを有し得る。
当業者は、図２６Ａおよび２６Ｂに示す配置以外の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。
当業者は、図２６Ａおよび２６Ｂに示す配置以外の補助電極１７５０の配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、補助電極１７５０は、ピクセル領域２６１０と透過性領域２６２０との間に配設され得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、ピクセル領域２６１０内のサブピクセル２６４ｘ間に配設され得る。
ここで、図２７Ａを参照すると、デバイス１００の、概して２７００で示す、透明バージョンの平面図の例を示している。いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００は、複数のピクセル領域２６１０および複数の透過性領域２６２０を有するＡＭＯＬＥＤデバイスである。デバイス２７００は、補助電極１７５０がピクセル領域２６１０および／または透過性領域２６２０の間に位置しないという点で、デバイス２６００とは異なる。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２６１０は、サブピクセル２６４ｘに各々対応する複数の発光領域１９１０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２６４１、Ｇ（緑）サブピクセル２６４２および／またはＢ（青）サブピクセル２６４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域２６２０は、実質的に透明であり、光がその断面側面の全体を通過することを可能にする。
ここで、図２７Ｂを参照すると、図２７Ａの線２７Ｂ－２７Ｂに沿って取られた、デバイス２７００の断面図の例を示している。図では、デバイス２７００は、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成された第１の電極１２０を含むものとして示されている。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または実質的に少なくとも１つのＴＦＴ構造２００の下に位置決めされ、その第１の電極１２０に電気的に結合された各サブピクセル２６４ｘに対応し、およびそれを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含み得る。ＰＤＬ４４０は、基板１１０上に非発光領域１９２０内に形成されて、それに対応する第１の電極１２０上に各サブピクセル２６４ｘにも対応する発光領域１９１０を画定する。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、第１の電極１２０の露出領域、およびいくつかの非限定的な例では取り囲むＰＤＬ４４０の少なくとも一部にわたって堆積される。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、そのサブピクセル２６４ｘを形成するためのピクセル領域２６１０上、および透過性領域２６２０内の取り囲むＰＤＬ４４０上を含む、少なくとも１つの半導電性層１３０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００の厚さは、透過性領域２６２０にわたる初期の導電性コーティング８３００の存在が透過性領域２６２０を通る光の透過を実質的に減衰させないように比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、透過性領域２６２０を含む、デバイス２７００の第１の部分上に選択的に堆積される。
次いで、いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００の表面全体は、第１の導電性コーティング８３０ａが初期の導電性コーティング８３００のコーティングされていない一部に電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では、それと物理的に接触して、第２の電極１４０を形成するように、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露されて、ＮＩＣ８１０が実質的にない初期の導電性コーティング８３００の第２の部分（いくつかの例では、ピクセル領域２６１０）上に第１の導電性コーティング８３０ａを選択的に堆積させる。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００の厚さは、第１の導電性コーティング８３０ａの厚さよりも小さくてもよい。このようにして、初期の導電性コーティング８３００のみが延在する透過性領域２６２０内で比較的高い透過率を維持することができる。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００の厚さは、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約８ｎｍ未満、および／または約５ｎｍ未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａの厚さは、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、および／または約８ｎｍ未満であり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の厚さは、約４０ｎｍ未満、ならびに／もしくはいくつかの非限定的な例では、約５ｎｍ～３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２５ｎｍ、および／または約１５ｎｍ～約２５ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００の厚さは、第１の導電性コーティング８３０ａの厚さよりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００の厚さおよび第１の導電性コーティング８３０ａの厚さは、実質的に同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、第１の導電性コーティング８３０ａを形成するために使用される少なくとも１つの材料と実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの材料は、実質的に、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはそれらの導電性コーティング８３０に関して本明細書で説明するとおりであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００の透過性領域２６２０には、それを通る光の透過に実質的に影響し得る任意の材料が実質的にないままである。特に、図に示すように、ＴＦＴ構造２００および／または第１の電極１２０は、それらに対応するサブピクセル２６４ｘの下方の断面側面内に、および透過性領域２６２０を越えて位置決めされる。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域２６２０を透過することを減衰または妨害しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置により、いくつかの非限定的な例では（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのすべてが発光しておらず、したがって透明なＡＭＯＬＥＤデバイス２７００を作成しているとき、通常の視距離からデバイス２７００を見る者がデバイス２７００を通して見ることが可能になる。
図には示していないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００は、第１の導電性コーティング８３０ａと初期の導電性コーティング８３００との間に配設されたＮＰＣ１１２０をさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０はまた、ＮＩＣ８１０と初期の導電性コーティング８３００との間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、少なくとも１つの半導電性層１３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、ＮＩＣ８１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導電性層１３０を形成するために使用され得る。そのような非限定的な例では、デバイス２７００を製作するための多くの段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０および／または初期の導電性コーティング８３００を形成するものを含むがこれらに限定されない、様々な他の層ならびに／もしくはコーティングが、特に、そのような層および／またはコーティングが実質的に透明である場合、透過性領域２６２０の一部を被覆し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では発光領域１９１０のために画定されたウェルとそれほど異ならないウェルをその中に形成して、透過性領域２６２０を通る光透過をさらに容易にすることを含むがこれに限定されない、低減した厚さを有し得る。
当業者は、図２７Ａおよび２７Ｂに示す配置以外の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。
ここで、図２７Ｃを参照すると、図２７Ａの同じ直線２７Ｂ－２７Ｂに沿って取られた、デバイス２７１０として示すデバイス１００の異なるバージョンの断面図の例を示している。図では、デバイス２７１０は、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成された第１の電極１２０を含むものとして示されている。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または実質的に少なくとも１つのＴＦＴ構造２００の下に位置決めされ、その第１の電極１２０に電気的に結合された各サブピクセル２６４ｘに対応し、およびそれを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含み得る。ＰＤＬ４４０は、基板１１０上に非発光領域１９２０内に形成されて、それに対応する第１の電極１２０上に各サブピクセル２６４ｘにも対応する発光領域１９１０を画定する。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、第１の電極１２０の露出領域、およびいくつかの非限定的な例では取り囲むＰＤＬ４４０の少なくとも一部にわたって堆積される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、透過性領域２６２０を含む、デバイス２７１０の第１の部分上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、そのサブピクセル２６４ｘを形成するためのピクセル領域２６１０上を含むが、透過性領域２６２０内の取り囲むＰＤＬ４４０にわたることを含まない、少なくとも１つの半導電性層１３０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、導電性コーティング８３０が少なくとも１つの半導電性層１３０上に堆積されて、第２の電極１４０を形成するように、デバイス２７１０の表面全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、ＮＩＣ８１０が実質的にない少なくとも１つの半導電性層１３０の第２の部分（いくつかの例では、ピクセル領域２６１０）上に導電性コーティング８３０を選択的に堆積させることによって実現することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２７１０の透過性領域２６２０には、それを通る光の透過に実質的に影響し得る任意の材料が実質的にないままである。特に、図に示すように、ＴＦＴ構造２００および／または第１の電極１２０は、それらに対応するサブピクセル２６４ｘの下方の断面側面内に、および透過性領域２６２０を越えて位置決めされる。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域２６２０を透過することを減衰または妨害しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置により、いくつかの非限定的な例では（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘのすべてが発光しておらず、したがって透明なＡＭＯＬＥＤデバイス２７１０を作成しているとき、通常の視距離からデバイス２７１０を見る者がデバイス２７００を通して見ることが可能になる。
導電性コーティング８３０を含まない、および／またはそれが実質的にない透過性領域２６２０を提供することにより、そのような領域内の透過率を、いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として図２７Ｂのデバイス２７００と比較することによって、好ましく強化することができる。
図には示していないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２７１０は、導電性コーティング８３０と少なくとも１つの半導電性層１３０との間に配設されたＮＰＣ１１２０をさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０はまた、ＮＩＣ８１０とＰＤＬ４４０との間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、少なくとも１つの半導電性層１３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、ＮＩＣ８１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導電性層１３０を形成するために使用され得る。そのような非限定的な例では、デバイス２７１０を製作するための多くの段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０および／または導電性コーティング８３０を形成するものを含むがこれらに限定されない、様々な他の層ならびに／もしくはコーティングが、特にそのような層および／またはコーティングが実質的に透明である場合、過性領域２６２０の一部を被覆し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では発光領域１９１０のために画定されたウェルとそれほど異ならないウェルをその中に形成して、透過性領域２６２０を通る光透過をさらに容易にすることを含むがこれに限定されない、低減した厚さを有し得る。
当業者は、図２７Ａおよび２７Ｃに示す配置以外の（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。
発光領域への導電性コーティングの選択的堆積
上記で考察されるように、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０内およびそれにわたる電極１２０、１４０、１７５０、４１５０の厚さを調整することにより、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼす場合がある。いくつかの非限定的な例では、ピクセル領域２６１０内の異なるサブピクセル２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０内への、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０などの少なくとも１つの選択的コーティング７１０の堆積を通した少なくとも１つの導電性コーティング８３０の選択的堆積は、各発光領域１９１０内の光学マイクロキャビティ効果を制御および／または調整して、発光スペクトル、光度、ならびに／もしくは放出光の輝度および／またはカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、サブピクセル２６４ｘベースでの所望の光学マイクロキャビティ効果を最適化する。
上記で考察されるように、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの発光領域１９１０の横側面４１０内およびそれにわたる電極１２０、１４０、１７５０、４１５０の厚さを調整することにより、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼす場合がある。いくつかの非限定的な例では、ピクセル領域２６１０内の異なるサブピクセル２６４ｘに対応する発光領域１９１０の横側面４１０内への、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０などの少なくとも１つの選択的コーティング７１０の堆積を通した少なくとも１つの導電性コーティング８３０の選択的堆積は、各発光領域１９１０内の光学マイクロキャビティ効果を制御および／または調整して、発光スペクトル、光度、ならびに／もしくは放出光の輝度および／またはカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、サブピクセル２６４ｘベースでの所望の光学マイクロキャビティ効果を最適化する。
そのような効果は、サブピクセル２６４ｘの各発光領域１９１０内に互いに独立して配設された、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣ１１２０などの選択的コーティング７１０の厚さを変調することによって制御することができる。非限定的な例として、青のサブピクセル２６４３上に配設されたＮＩＣ８１０の厚さは、緑のサブピクセル２６４２上に配設されたＮＩＣ８１０の厚さよりも薄くてもよく、緑のサブピクセル２６４２上に配設されたＮＩＣの厚さは、赤のサブピクセル２６４１に上に配設されたＮＩＣ８１０の厚さよりも薄くてもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、選択的コーティング７１０だけでなく、サブピクセル２６４ｘの各発光領域１９１０の一部内に堆積される導電性コーティング８３０の厚さを独立して調整することによって、さらに大きい範囲まで制御することができる。
そのようなメカニズムは、図２８Ａ～２８Ｄの概略図に示す。これらの図は、デバイス１００の、概して２８００で示す、バージョンの例を製造する様々な段階を示している。
図２８Ａは、デバイス２８００を製造する段階２８１０を示す。段階２８１０では、基板１１０が提供される。基板１１０は、第１の発光領域１９１０ａおよび第２の発光領域１９１０ｂを含む。いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａおよび／または第２の発光領域１９１０ｂは、少なくとも１つの非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃによって取り囲まれるおよび／または離間され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａおよび／または第２の発光領域１９１０ｂは各々、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応し得る。
図２８Ｂは、デバイス２８００を製造する段階２８２０を示す。段階２８２０では、初期の導電性コーティング８３００は、基部材料、この場合は基板１１０の露出層表面１１１上に堆積される。初期の導電性コーティング８３００は、第１の発光領域１９１０ａおよび第２の発光領域１９１０ｂにわたって堆積される。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃのうちの少なくとも１つにわたって堆積される。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
図２８Ｃは、デバイス２８００を製造する段階２８３０を示す。段階２８３０では、ＮＩＣ８１０は、初期の導電性コーティング８３００の第１の部分上に選択的に堆積される。図に示すように、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、第１の発光領域１９１０ａにわたって堆積されるが、いくつかの非限定的な例では、第２の発光領域１９１０ｂおよび／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃのうちの少なくとも１つには、ＮＩＣ８１０が実質的にない。
図２８Ｄは、デバイス２８００を製造する段階２８４０を示す。段階２８４０では、第１の導電性コーティング８３０ａは、ＮＩＣ８１０が実質的にないデバイス２８００のこれらの第２の部分にわたって堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、第２の発光領域１９１０ｂ、および／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃのうちの少なくとも１つにわたって堆積され得る。
当業者は、図２８Ｄに示し、図７～８、１１Ａ～１１Ｂ、および／または１２Ａ～１２Ｃのうちのいずれか１つ以上に関連して詳細に説明する蒸発プロセスが、例示を簡単にするために、図示されていないが、図２８Ａ～２８Ｃで説明する先行する段階のうちのいずれか１つ以上に等しく堆積され得ることを理解するであろう。
当業者は、デバイス２８００の製造が、いくつかの非限定的な例では、例示を簡単にするために示されていない追加の段階を包含し得ることを理解するであろう。そのような追加の段階は、１つ以上のＮＩＣ８１０を堆積すること、１つ以上のＮＰＣ１１２０を堆積すること、１つ以上の追加の導電性コーティング８３０を堆積すること、アウトカップリングコーティングを堆積すること、および／またはデバイス２８００のカプセル化を含むがこれらに限定されなくてもよい。
当業者は、デバイス２８００の製造が、第１の発光領域１９１０ａおよび第２の発光領域１９１０ｂに関連して説明および例示されているが、いくつかの非限定的な例では、そこから導き出された原理は、３つ以上の発光領域１９１０を有するデバイスの製造に等しく堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、そのような原理は、いくつかの非限定的な例では、異なる発光スペクトルを有するＯＬＥＤディスプレイデバイス１００において、サブピクセル２６４ｘに対応する発光領域１９１０について様々な厚さの導電性コーティングを堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａは、第１の波長および／または発光スペクトルの光を放出するように構成されたサブピクセル２６４ｘに対応し得、ならびに／もしくはいくつかの非限定的な例では、第２の発光領域１９１０ｂは、第２の波長および／または発光スペクトルの光を放出するように構成されたサブピクセル２６４ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００は、第３の波長および／または発光スペクトルの光を放出するように構成されたサブピクセル２６４ｘに対応し得る第３の発光領域１９１０ｃ（図２９Ａ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長および／または第３の波長のうちの少なくとも１つよりも小さい、それよりも大きい、ならびに／もしくはそれに等しい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長および／または第３の波長のうちの少なくとも１つよりも小さい、それよりも大きい、ならびに／もしくはそれに等しい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長および／または第２の波長のうちの少なくとも１つよりも小さい、それよりも大きい、ならびに／もしくはそれに等しい場合がある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００はまた、いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である波長ならびに／もしくは発光スペクトルを有する光を放出するように構成され得る少なくとも１つの追加の発光領域１９１０（図示せず）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、第１の発光領域１９１０ａの少なくとも１つの半導電性層１３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスクのそのような共有使用は、費用効果の高い様態で各サブピクセル２６４ｘについての光学マイクロキャビティ効果を変調させることができる。
調整されたマイクロキャビティ効果を有する所与のピクセル３４０のサブピクセル２６４ｘを有するデバイス１００のバージョン２９００の例を作成するためのそのようなメカニズムの使用は、図２９Ａ～２９Ｄで説明する。
図２９Ａでは、デバイス２９００の製造の段階２８１０は、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成された複数の第１の電極１２０ａ～１２０ｃを含むものとして示す。
基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または実質的に少なくとも１つのＴＦＴ構造２００ａ～２００ｃの下に位置決めされ、その関連する第１の電極１２０ａ～１２０ｃに電気的に結合された対応するサブピクセル２６４ｘを各々有する発光領域１９１０ａ～１９１０ｃに対応し、およびそれを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造２００ａ～２００ｃを含み得る。ＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄは、基板１１０上に形成されて、発光領域１９１０ａ～１９１０ｃを画定する。ＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄは、それぞれの第１の電極１２０ａ～１２０ｃの縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０ａ～１３０ｃは、それぞれの第１の電極１２０ａ～１２０ｃの露出領域、およびいくつかの非限定的な例では取り囲むＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄの少なくとも一部にわたって堆積される。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、少なくとも１つの半導電性層１３０ａ～１３０ｃ上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る初期の導電性コーティング８３００の蒸気フラックスに曝露して、少なくとも１つの半導電性層１３０ａ～１３０ｃ上に初期の導電性コーティング８３００を堆積させて、いくつかの非限定的な例では、少なくとも、第１の発光領域１９１０ａ用の共通電極であり得る第２の電極１４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによって実現することができる。そのような共通電極は、第１の発光領域１９１０ａ内に第１の厚さｔｃ１を有する。第１の厚さｔｃ１は、初期の導電性コーティング８３００の厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ８１０ａは、第１の発光領域１９１０ａを含むデバイス２８１０の第１の部分上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、デバイス２９００上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、第１の導電性コーティング８３０ａが第１のＮＩＣ８１０ａが実質的にない初期の導電性コーティング８３００の第２の部分上に堆積されて、いくつかの非限定的な例では、少なくとも、第２の発光領域１９１０ｂ用の共通電極であり得る第２の電極１４０ｂ（図示せず）の第２の層を形成するように、デバイス２８１０の露出層表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る第１の導電性コーティング８３０ａの蒸気フラックスに曝露して、第１のＮＩＣ８１０ａが実質的にない初期の導電性コーティング８３００、いくつかの例では、第２および第３の発光領域１９１０ｂ、１９１０ｃ、および／またはＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄが位置する非発光領域１９２０の少なくとも一部上に第１の導電性コーティング８３０ａを堆積させることによって実現することができる。そのような共通電極は、第２の発光領域１９１０ｂ内に第２の厚さｔｃ２を有する。第２の厚さｔｃ２は、初期の導電性コーティング８３００と第１の導電性コーティング８３０ａの合計厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１よりも大きくてもよい。
図２９Ｂでは、デバイス２９００の製造の段階２９２０を示している。
いくつかの非限定的な例では、第２のＮＩＣ８１０ｂは、第２の発光領域１９１０ｂを含むデバイス２９００のさらなる第１の部分上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、デバイス２９００上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、第２の導電性コーティング８３０ｂが第２のＮＩＣ８１０ｂが実質的にない第１の導電性コーティング８３０ａのさらなる第２の部分上に堆積されて、いくつかの非限定的な例では、少なくとも、第３の発光領域１９１０ｃ用の共通電極であり得る第２の電極１４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成するように、デバイス２９００の露出層表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る第２の導電性コーティング８３０ｂの蒸気フラックスに曝露して、第１のＮＩＣ８１０ａもしくは第２のＮＩＣ８１０ｂのいずれかが実質的にない第１の導電性コーティング８３０ａ、いくつかの例では、第３の発光領域１９１０ｃ、および／またはＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄが位置する非発光領域１９２０の少なくとも一部上に第２の導電性コーティング８３０ｂを堆積することによって実現することができる。そのような共通電極は、第３の発光領域１９１０ｃ内に第３の厚さｔｃ３を有する。第３の厚さｔｃ３は、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および第２の導電性コーティング８３０ｂの合計厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１および第２の厚さｔｃ２のいずれかまたは両方よりも大きくてもよい。
図２９Ｃでは、デバイス２９００の製造の段階２９３０を示している。
いくつかの非限定的な例では、第３のＮＩＣ８１０ｃは、第３の発光領域１９１０ｂを含むデバイス２９００の追加の第１の部分上に選択的に堆積される。
図２９Ｄでは、デバイス２９００の製造の段階２９４０を示している。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、その近接する発光領域１９１０ａ～１９１０ｃの間のデバイス２９００の非発光領域１９２０内、およびいくつかの非限定的な例ではＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄ上に配設される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０を堆積するために使用される導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、導電性コーティング８３０が第１のＮＩＣ８１０ａ、第２のＮＩＣ８１０ｂ、および／または第３のＮＩＣ８１０ｃのいずれも実質的ない初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、ならびに／もしくは第２の導電性コーティング８３０ｂの露出一部を含む追加の第２の部分上に堆積されて、少なくとも１つの補助電極１７５０を形成するように、デバイス２９００の露出層表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、第１のＮＩＣ８１０ａ、第２のＮＩＣ８１０ｂ、および／または第３のＮＩＣ８１０ｃのいずれも実質的にない初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、ならびに第２の導電性コーティング８３０ｂの露出一部上に導電性コーティング８３０を堆積させることによって実現することができる。少なくとも１つの補助電極１７５０の各々は、第２の電極１４０ａ～１４０ｃのうちのそれぞれの１つに電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の各々は、そのような第２の電極１４０ａ～１４０ｃと物理的に接触している。
いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および第３の発光領域１９１０ｃは、少なくとも１つの補助電極１７５０を形成するために使用される材料が実質的になくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および／または第２の導電性コーティング８３０ｂのうちの少なくとも１つは、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部において透過性および／または実質的に透明であり得る。したがって、第１の導電性コーティング８３０ａならびに／もしくは第２の導電性コーティング８３０ｂ（および／または任意の追加の導電性コーティング８３０）が初期の導電性コーティング８３００の上部に配設されて、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部において透過性および／または実質的に透明でもあり得るマルチコーティング電極１２０、１４０、１７５０を形成する場合。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、任意の追加の導電性コーティング８３０、および／またはマルチコーティング電極１２０、１４０、１７５０のうちのいずれか１つ以上の透過率は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部において、約３０％を超える、約４０％を超える、約４５％を超える、約５０％を超える、約６０％を超える、７０％を超える、約７５％を超える、および／または約８０％を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および／または第２の導電性コーティング８３０ｂの厚さを比較的薄くして、比較的高い透過率を維持することができる。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００の厚さは、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、および／または約１０～２０ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａの厚さは、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、および／または約３～６ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂの厚さは、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、および／または約３～６ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または任意の追加の導電性コーティング８３０の組み合わせによって形成されたマルチコーティング電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、または約１０～２５ｎｍ、および／または約１２～１８ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の厚さは、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または共通電極の厚さよりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の厚さは、約５０ｎｍを超える、約８０ｎｍを超える、約１００ｎｍを超える、約１５０ｎｍを超える、約２００ｎｍを超える、約３００ｎｍを超える、約４００ｎｍを超える、約５００ｎｍを超える、約７００ｎｍを超える、約８００ｎｍを超える、約１μｍを超える、約１．２μｍを超える、約１．５μｍを超える、約２μｍを超える、約２．５μｍを超える、および／または約３μｍを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、実質的に透明ではない、および／または不透明であり得る。しかしながら、少なくとも１つの補助電極１７５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の非発光領域１９２０に提供され得るため、少なくとも１つの補助電極１７５０は、重大な光学干渉を引き起こさないか、またはそれに寄与しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の透過率は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部の約５０％未満、約７０％未満、約８０％未満、約８５％未満、約９０％未満、および／または約９５％未満であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部の光を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、それぞれ第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃ内に配設された第１のＮＩＣ８１０ａ、第２のＮＩＣ８１０ｂ、ならびに／もしくは第３のＮＩＣ８１０ｃの厚さは、各発光領域１９１０ａ～１９１０ｃによって放出された光の色および／または発光スペクトルに従って変えることができる。図２９Ｃ～２９Ｄに示すように、第１のＮＩＣ８１０ａは、第１のＮＩＣ厚さｔｎ１を有し得る、第２のＮＩＣ８１０ｂは、第２のＮＩＣ厚さｔｎ２を有し得る、および／または第３のＮＩＣ８１０ｃは、第３のＮＩＣ厚さｔｎ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ厚さｔｎ１、第２のＮＩＣ厚さｔｎ２、および／または第３のＮＩＣ厚さｔｎ３は、互いに実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ厚さｔｎ１、第２のＮＩＣ厚さｔｎ２、および／または第３のＮＩＣ厚さｔｎ３は、互いに異なる場合がある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００はまた、任意の数の発光領域１９１０ａ～１９１０ｃ、および／またはその（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘを含み得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、複数のピクセル３４０を含むことができ、各ピクセル３４０は、２、３、またはそれ以上のサブピクセル２６４ｘを含むことができる。
当業者は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの特定の配置がデバイス設計に依存して変わり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２６４ｘは、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、および／またはＰｅｎＴｉｌｅ（登録商標）を含むがこれらに限定されない、既知の配置スキームに従って配置することができる。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性コーティング
図３０を参照すると、デバイス１００のバージョン３０００の例の断面図を示している。デバイス３０００は、発光領域１９１０および隣接する非発光領域１９２０を横側面内に含む。
図３０を参照すると、デバイス１００のバージョン３０００の例の断面図を示している。デバイス３０００は、発光領域１９１０および隣接する非発光領域１９２０を横側面内に含む。
いくつかの非限定的な例では、発光領域１９１０は、デバイス３０００のサブピクセル２６４ｘに対応する。発光領域１９１０は、基板１１０、第１の電極１２０、第２の電極１４０、およびそれらの間に配置された少なくとも１つの半導電性層１３０を有する。
第１の電極１２０は、基板１１０の露出層表面１１１上に配設されている。基板１１０は、第１の電極１２０に電気的に結合されるＴＦＴ構造２００を含む。第１の電極１２０の縁部および／または外周は、概して少なくとも１つのＰＤＬ４４０によって被覆されている。
非発光領域１９２０は、補助電極１７５０を有し、非発光領域１９２０の第１の一部は、補助電極１７５０の横側面上に突出し、重なるように配置された突出構造３０６０を有する。突出構造３０６０は、保護された領域３０６５を提供するように側方に延在する。非限定的な例として、突出構造３０６０は、保護された領域３０６５を提供するために、少なくとも一方の側の補助電極１７５０でおよび／またはその近傍で陥凹していてもよい。示すように、保護された領域３０６５は、いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０の横突出と重なるＰＤＬ４４０の表面の領域に対応することができる。非発光領域１９２０は、保護された領域３０６５内に配設された導電性コーティング８３０をさらに含む。導電性コーティング８３０は、補助電極１７５０を第２の電極１４０と電気的に結合する。
ＮＩＣ８１０ａは、第２の電極１４０の露出層表面１１１上の発光領域１９１０内に配設される。いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０の露出層表面１１１は、導電性薄膜の堆積からの残りの導電薄膜３０４０でコーティングされて、第２の電極１４０を形成する。いくつかの非限定的な例では、残りの導電性薄膜３０４０の表面は、ＮＩＣ８１０の堆積からの残りのＮＩＣ８１０ｂでコーティングされる。
しかしながら、保護された領域３０６５上の突出構造３０６０の横突出のために、保護された領域３０６５には、ＮＩＣ８１０が実質的にない。したがって、導電性コーティング８３０がＮＩＣ８１０の堆積後にデバイス３０００に堆積されるとき、導電性コーティング８３０は、保護された領域３０６５に堆積されるおよび／または移動して、補助電極１７５０を第２の電極１４０に結合する。
当業者は、非限定的な例が図３０に示されていること、および様々な修正が明らかであり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、突出構造３０６０は、その側部のうちの少なくとも２つに沿って保護された領域３０６５を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０は省略されてもよく、補助電極１７５０は、保護された領域３０６５を画定する陥凹した部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０および導電性コーティング８３０は、ＰＤＬ４４０の代わりに、基板１１０の表面上に直接配設されてもよい。
光学コーティングの選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスであり得るデバイス１００（図示せず）は、基板１１０、ＮＩＣ８１０、および光学コーティングを含む。ＮＩＣ８１０は、基板１１０の第１の横部分を被覆する。光学コーティングは、基板の第２の横部分を被覆する。ＮＩＣ８１０の少なくとも一部には、光学コーティングが実質的にない。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスであり得るデバイス１００（図示せず）は、基板１１０、ＮＩＣ８１０、および光学コーティングを含む。ＮＩＣ８１０は、基板１１０の第１の横部分を被覆する。光学コーティングは、基板の第２の横部分を被覆する。ＮＩＣ８１０の少なくとも一部には、光学コーティングが実質的にない。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、プラズモンモードを含むがこれに限定されないデバイス１００によって透過、放出、および／または吸収される光の光学特性を調整することができる。非限定的な例として、光学コーティングは、光学フィルタ、屈折率整合コーティング、光学取り出しコーティング、散乱層、回折格子、またはそれらの一部として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、総光路長および／またはその屈折率を変調することによるがこれらに限定されない、デバイス１００内の少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を調整することができる。デバイス１００の少なくとも１つの光学特性は、輝度および／またはそのカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、出力光を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を調整することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学コーティングは、非電気的構成要素であってもよい、つまり、光学コーティングは、平常のデバイス動作中に電流を伝導および／または伝達するように構成されていない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングは、導電性コーティング８３０として使用される任意の材料、および／または本明細書で説明する導電性コーティング８３０を堆積する任意のメカニズムを採用することで形成することができる。
ＮＩＣおよび導電性コーティングのエッジ効果
図３１Ａ～３１Ｉは、導電性コーティング８３０との堆積界面でのＮＩＣ８１０の様々な潜在的挙動を説明する。
図３１Ａ～３１Ｉは、導電性コーティング８３０との堆積界面でのＮＩＣ８１０の様々な潜在的挙動を説明する。
図３１Ａを参照すると、ＮＩＣ堆積境界にあるデバイス１００のバージョン３１００の例の一部の第１の例を示している。デバイス３１００は、層表面１１１を有する基板１１０を含む。ＮＩＣ８１０は、層表面１１１の第１の部分３１１０上に堆積される。導電性コーティング８３０は、層表面１１１の第２の部分３１２０上に堆積される。示すように、非限定的な例として、第１の部分３１１０および第２の部分３１２０は、層表面１１１の別個のおよび重なっていない部分である。
導電性コーティング８３０は、第１の一部８３０１および残りの一部８３０２を含む。示すように、非限定的な例として、導電性コーティング８３０の第１の一部８３０１は、実質的に第２の領域３１２０を被覆し、導電性コーティング８３０の第２の一部８３０２は、ＮＩＣ８１０の第１の一部上に部分的に突出するおよび／または重なる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、その表面３１１１が導電性コーティング８３０を形成するために使用される材料について比較的低い親和性または初期付着確率Ｓ０を示すように形成されるため、導電性コーティング８３０の突出するおよび／または重なる第２の一部８３０２とＮＩＣ８１０の表面３１１１との間に形成されたギャップ３１２９がある。結果として、第２の一部８３０２は、ＮＩＣ８１０と物理的に接触していないが、断面側面内のギャップ３１２９によってＮＩＣ８１０から離間される。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の第１の一部８３０１は、第１の部分３１１０と第２の部分３１２０との間の界面および／または境界でＮＩＣ８１０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の突出するおよび／または重なる第２の一部８３０２は、導電性コーティング８３０の厚さｔ１と同等の範囲まで、ＮＩＣ８１０上に横に延在することができる。非限定的な例として、示すように、第２の一部８３０２の幅ｗ２は、厚さｔ１と同等であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ２：ｔ１の比は、約１：１～約１：３、約１：１～約１：１．５、および／または約１：１～約１：２の範囲であってもよい。厚さｔ１は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第２の一部８３０２が突出するおよび／またはＮＩＣ８１０と重なる範囲（すなわち、ｗ２）は、層表面１１１の異なる一部にわたってある程度変わってもよい。
ここで、図３１Ｂを参照すると、導電性コーティング８３０は、第２の一部８３０２とＮＩＣ８１０との間に配設された第３の部分８３０３を含むように示されている。示すように、導電性コーティング８３０の第２の一部８３０２は、導電性コーティング８３０の第３の一部８３０３上に横に延在し、そこから離間され、第３の一部８３０３は、ＮＩＣ８１０の表面３１１１と物理的に接触してもよい。導電性コーティング８３０の第３の一部８３０３の厚さｔ３は、導電性コーティング８３０の第１の一部８３０１の厚さｔ１よりも小さくてもよく、いくつかの非限定的な例ではそれよりも実質的に小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の一部８３０３の幅ｗ３は、第２の一部８３０２の幅ｗ２よりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の一部８３０３は、第２の一部８３０２よりも大きい程度までＮＩＣ８１０と重なるように横に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、ｗ３：ｔ１の比は、約１：２～約３：１および／または約１：１．２～約２．５：１の範囲であってもよい。厚さｔ１は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第３の一部８３０３が突出するおよび／またはＮＩＣ８１０と重なる範囲（すなわち、ｗ３）は、層表面１１１の異なる一部にわたってある程度変わってもよい。
第３の一部８３０３の厚さｔ３は、第１の一部８３０１の厚さｔ１の約５％以下および／または約５％未満であり得る。非限定的な例として、ｔ３は、ｔ１の約４％以下および／またはそれ未満、約３％以下および／またはそれ未満、約２％以下および／またはそれ未満、約１％以下および／またはそれ未満、ならびに／もしくは約０．５％以下および／またはそれ未満であり得る。示すように、薄膜として形成される第３の一部８３０３の代わりに、および／またはそれに加えて、導電性コーティング８３０の材料は、ＮＩＣ８１０の一部に島および／または切り離されたクラスタとして形成することができる。非限定的な例として、そのような島および／または切り離されたクラスタは、島および／またはクラスタが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。
ここで、図３１Ｃを参照すると、ＮＰＣ１１２０は、基板１１０と導電性コーティング８３０との間に配設されている。ＮＰＣ１１２０は、導電性コーティング８３０の第１の一部８３０１と基板１１０の第２の部分３１２０との間に配設される。ＮＰＣ１１２０を、ＮＩＣ８１０が堆積された第１の部分３１１０ではなく、第２の部分３１２０に配設されているように示している。ＮＰＣ１１２０は、ＮＰＣ１１２０と導電性コーティング８３０との間の界面および／または境界において、ＮＰＣ１１２０の表面が導電性コーティング８３０の材料について比較的高い親和性または初期付着確率Ｓ０を示すように形成され得る。したがって、ＮＰＣ１１２０の存在は、堆積中の導電性コーティング８３０の形成および／または成長を促進することができる。
ここで、図３１Ｄを参照すると、ＮＰＣ１１２０は、基板１１０の第１の部分３１１０および第２の部分３１２０の両方に配設され、ＮＩＣ８１０は、第１の部分３１１０に配設されたＮＰＣ１１２０の一部を被覆する。ＮＰＣ１１２０の別の一部には、ＮＩＣ８１０が実質的になく、導電性コーティング８３０がＮＰＣ１１２０のそのような一部を被覆する。
ここで、図３１Ｅを参照すると、導電性コーティング８３０が基板１１０の第３の部分３１３０内でＮＩＣ８１０の一部と部分的に重なっていることを示している。いくつかの非限定的な例では、第１の一部８３０１および第２の一部８３０２に加えて、導電性コーティング８３０は、第４の一部８３０４をさらに含む。示すように、導電性コーティング８３０の第４の一部８３０４は、導電性コーティング８３０の第１の一部８３０１と第２の一部８３０２との間に配設され、第４の一部８３０４は、ＮＩＣ８１０の層表面３１１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分３１３０における重なりは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセス中の導電性コーティング８３０の横成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の層表面３１１１は、導電性コーティング８３０の材料について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示し得、これにより、導電性コーティング８３０の厚さが成長するにつれて、材料が層表面３１１１で核生成する確率は低くなるが、導電性コーティング８３０も横に成長し得、示すようにＮＩＣ８１０のサブセットを被覆し得る。
ここで、図３１Ｆを参照すると、基板１１０の第１の部分３１１０はＮＩＣ８１０でコーティングされ、第１の部分３１１０に隣接する第２の部分３１２０は導電性コーティング８３０でコーティングされている。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０のオープンマスク堆積および／またはマスクフリー堆積を実施することにより、導電性コーティング８３０とＮＩＣ８１０との間の界面および／またはその近傍の先細り断面プロファイルを示す導電性コーティング８３０を得ることができることが観察された。
いくつかの非限定的な例では、界面でおよび／またはその近傍での導電性コーティング８３０の厚さは、導電性コーティング８３０の平均厚さより薄くてもよい。そのような先細りプロファイルは、湾曲および／またはアーチ状であるように示しているが、いくつかの非限定的な例では、このプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形および／または非線形であってもよい。非限定的な例として、導電性コーティング８３０の厚さは、界面に近位の領域において実質的に線形、指数関数的、および／または二次的であるがこれらに限定されない、様式で減少し得る。
導電性コーティング８３０とＮＩＣ８１０との間の界面のおよび／またはその近傍の導電性コーティング８３０の接触角θｃは、相対的な親和性および／または初期付着確率Ｓ０などのＮＩＣ８１０の特性に依存して変わり得ることが観察されている。さらに、核の接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、堆積によって形成された導電性コーティング８３０の薄膜接触角を決定づけ得ると想定されている。非限定的な例として図３１Ｆを参照すると、接触角θｃは、導電性コーティング８３０とＮＩＣ８１０との間の界面のまたはその近傍の導電性コーティング８３０の接線の勾配を測定することによって決定され得る。導電性コーティング８３０の断面テーパプロファイルが実質的に線形であるいくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、界面および／またはその近傍の導電性コーティング８３０の勾配を測定することによって決定され得る。当業者によって理解されるように、接触角θｃは、概して基部表面の角度に対して測定され得る。本開示では、例示を簡単にするために、コーティング８１０、８３０は、平面に堆積されて示している。しかしながら、当業者は、そのようなコーティング８１０、８３０が非平面表面上に堆積されてもよいことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の接触角θｃは、約９０°を超えてもよい。ここで、図３１Ｇを参照すると、非限定的な例として、導電性コーティング８３０は、ＮＩＣ８１０と導電性コーティング８３０との間の界面を過ぎて延在する一部を含むものとして示しており、ギャップ３１２９によってＮＩＣから離間されている。そのような非限定的な状況では、接触角θｃは、いくつかの非限定的な実施例では、約９０°を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを示す導電性コーティング８３０を形成することが有利であり得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約１０°を超える、約１５°を超える、約２０°を超える、約２５°を超える、約３０°を超える、約３５°を超える、約４０°を超える、約５０°を超える、約７０°を超える、約７０°を超える、約７５°を超える、および／または約８０°を超えてもよい。非限定的な例として、比較的高い接触角θｃを有する導電性コーティング８３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターン化された特徴部の作成を可能にすることができる。非限定的な例として、約９０°を超える接触角θｃを示す導電性コーティング８３０を形成することが望ましい場合がある。非限定的な例として、接触角θｃは、約９０°を超える、約９５°を超える、約１００°を超える、約１０５°を超える、約１１０°を超える 約１２０°を超える、約１３０°を超える、約１３５°を超える、約１４０°を超える、約１４５°を超える、約１５０°を超える、および／または約１７０°を超えてもよい。
ここで、図３１Ｈ～３１Ｉを参照すると、導電性コーティング８３０は、基板１００の第１の部分３１１０と第２の部分３１２０との間に配設される、基板１００の第３の部分３１３０内のＮＩＣ８１０の一部と部分的に重なっている。示すように、ＮＩＣ８１０のサブセットと部分的に重なる導電性コーティング８３０のサブセットは、その表面３１１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の領域３１３０における重なりは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセス中の導電性コーティング８３０の横成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の表面３１１１は、導電性コーティング８３０の材料について比較的低い親和性または初期付着確率Ｓ０を示し得、これにより、導電性コーティング８３０の厚さが成長するにつれて、材料が層表面３１１１で核生成する確率は低くなるが、導電性コーティング８３０も横に成長し得、ＮＩＣ８１０のサブセットを被覆し得る。
図３１Ｈ～３１Ｉの場合には、導電性コーティング８３０の接触角θｃは、示すように、導電性コーティング８３０とＮＩＣ８１０との界面の近傍にあるその縁部で測定されてもよい。図３１Ｉでは、接触角θｃは、約９０°を超えてもよく、これにより、いくつかの非限定的な例では、ギャップ３１２９によってＮＩＣ８１０から離間されている導電性コーティング８３０のサブセットを得ることができる。
個々の発光領域に合わせて変調されたキャッピング層
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイス１００は、デバイス１００によって放出された光のアウトカップリングを促進するためのＣＰＬ３６１０を含み得、したがって、これは、発光を強化することおよび／または角スペクトル分布を調節することによることを含むがこれらに限定されない、そのＥＱＥを強化することができる。典型的には、そのようなＣＰＬ３６１０は、デバイス１００内のすべての発光領域１９１０にわたることを含むがこれに限定されない、デバイス１００の横側面の実質的にすべてにわたって延在する層を含む。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイス１００は、デバイス１００によって放出された光のアウトカップリングを促進するためのＣＰＬ３６１０を含み得、したがって、これは、発光を強化することおよび／または角スペクトル分布を調節することによることを含むがこれらに限定されない、そのＥＱＥを強化することができる。典型的には、そのようなＣＰＬ３６１０は、デバイス１００内のすべての発光領域１９１０にわたることを含むがこれに限定されない、デバイス１００の横側面の実質的にすべてにわたって延在する層を含む。
いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ３６１０は、典型的には、共通のＣＰＬ材料で形成され、いくつかの非限定的な例では、実質的に共通の厚さを有するため、個々の発光領域１９１０の光学特徴を変調する、およびそれに関連付けられた発光波長スペクトルに合わせて変調するためのそのようなＣＰＬ３６１０の使用は、実質的に制限され得る。
そのようなＣＰＬ３６１０は、デバイス１００の複数の層のうちの（少なくとも）１つであり得ることが当業者に理解されよう。当業者は、ＣＰＬ３６１０およびそれを構成するＣＰＬ材料が、特に、フィルムとして、ならびにＣＰＬ３６１０を堆積させる際に採用されるものと実質的に同様の条件下で、および／またはそれと実質的に同様のメカニズムによって配設されるとき、ほぼ同様の光学特性および／または他の特性を示し得ることを理解するであろう。
説明を簡単にする目的で、本開示では、ＣＰＬ３６１０およびそれを構成するＣＰＬ材料は、総称してＣＰＬ（ｍ）と称される場合があり、そのような用語には、その特定の事例を示す文字がそれに添付され得る。
ここで、図２８Ｃにほぼ対応する図３６Ａを参照すると、デバイス２８００のバージョン３６００の例を製造する段階３６３０を示している。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３６００は、各々が、対応する波長範囲のそれぞれの発光スペクトルを有する光を放出するように構成された第１の発光領域１９１０ａおよび第２の発光領域１９１０ｂを含む、複数の発光領域１９１０を含み、この発光スペクトルは、関連付けられた開始波長λｏｎｓｅｔおよび／または関連付けられたピーク波長λｍａｘを特徴とし得る。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＲ（赤）部分に位置する発光スペクトルは、６００ｎｍ～約６４０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λｍａｘを特徴とし得、非限定的な例では、実質的に約６２０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＧ（緑）部分に位置する発光スペクトルは、５１０ｎｍ～約５４０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λｍａｘを特徴とし得、非限定的な例では、実質的に約５３０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＢ（青）部分に位置する発光スペクトルは、４５０ｎｍ～約４６０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λｍａｘを特徴とし得、非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであり得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａおよび／または第２の発光領域１９１０ｂが可視光スペクトルのＲ（赤）部分に位置する発光スペクトルを有する光子を放出するＲ（赤）サブピクセル２６４１、可視光スペクトルのＧ（緑）部分に位置する発光スペクトルを有する光子を放出するＧ（緑）サブピクセル２６４２、または可視光スペクトルのＢ（青）部分に位置する発光スペクトルを有する光子を放出するＢ（青）サブピクセル２６４３のいずれか１つに対応し得ると理解するであろう。
段階３６３０では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、基部材料の露出層表面１１１の第１の部分上に選択的に堆積される。いくつかの非限定的な例では、基部材料は、初期の導電性コーティング８３００であり得る。図に示すように、いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａを堆積するためのＣＰＬ材料は第１の発光領域１９１０ａにわたって堆積され、一方、いくつかの非限定的な例では、第２の発光領域１９１０ｂおよび／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃのうちの少なくとも１つには、第１のＣＰＬ３６１０ａが実質的にない。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃのうちの少なくとも１つ上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、第１の発光スペクトルに合わせて変調された光学特徴を有する。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａの厚さ、形態、および／または材料組成は、第１の開始波長λｏｎｓｅｔ ａおよび／または第１のピーク波長λｍａｘ ａのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、第１の発光スペクトルの少なくとも一部分にわたって高い屈折率を提供するように変調される。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、いくつかの非限定的な例では、第１のピーク波長λｍａｘ ａを含み得る第１の発光スペクトルの少なくとも一部において、約１．９以上、約１．９５以上、約２．０以上、約２．０５以上、約２．１以上、約２．２以上、約２．３以上、および／または約２．５以上である屈折率を有する。
いくつかの非限定的な例では、吸収端もしくはその近位では、屈折率と透過率との間に一般に正の相関関係、または言い換えれば、屈折率と吸収端もしくはその近傍での吸収との間に一般に負の相関関係があり得る。結果として、いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａの光学特徴は、第１のＣＰＬ３６１０ａの吸収端が第１の開始波長λｏｎｓｅｔ ａよりもわずかに低くなるように変調される。
いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数ｋが減少し、０に近い閾値に近づく波長に対応し得る。結果として、いくつかの非限定的な例では、本明細書に開示されるような第１のＣＰＬ３６１０ａの吸収端を参照して第１のＣＰＬ３６１０ａの光学特徴を変調すると、本明細書に開示されるような第１の発光スペクトルの少なくとも一部分にわたって高屈折率を提供するための近似メカニズムとして働く場合がある。
結果として、いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、第１の開始波長λｏｎｓｅｔ ａよりも短い波長で高い第１の吸光係数ｋａを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、第１の開始波長λｏｎｓｅｔ ａを下回る波長で、約０．１以上、０．３以上、約０．５以上、約０．７５以上、約０．８以上、および／または約０．９以上である第１の吸光係数ｋａを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、初期の導電性コーティング８３００を含むがこれに限定されない、基部材料の露出層表面１１１と比較して、導電性コーティング材料８３１について比較的低い初期付着係数を示すという点で、パターニングコーティング８１０として追加で作用し、第１の導電性コーティング８３０ａのその上への堆積を抑制するために、第１の発光領域１９１０ａを含む、デバイス２８００の例における初期の導電性コーティング８３００の第１の部分上に選択的に堆積され得る。
図３６Ｂは、デバイス３６００を製造する段階３６４０を示す。段階３６２０では、第１の導電性コーティング８３０ａは、デバイス３６００の表面全体を導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、第１のＣＰＬ３６１０ａが実質的にないデバイス３６００のこれらの第２の部分上に第１の導電性コーティング８３０ａとしてそれを選択的に堆積させることによって堆積することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、第２の発光領域１９１０ｂ、および／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃのうちの少なくとも１つにわたって堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｃのうちの少なくとも１つ上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
当業者は、第１のＣＰＬ３６１０ａがパターニングコーティング８１０として作用しない場合のいくつかの非限定的な例では、さらなるパターニングコーティング８１０（図示せず）は、ＦＭＭが欠如していても、適切な場所および適切なときに配設されて、所望の位置に堆積されるように第１の導電性コーティング８３０ａのパターン化を可能にすることができることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａを形成するために使用される導電性コーティング材料８３１は、ＴＣＯ（ＩＴＯ、ＦＴＯを含むがこれらに限定されない）を含むがこれらに限定されない、光透過性導電層および／またはコーティング、非金属薄膜、体積で約１：１０～約１０：１の範囲の合金組成物中のＭｇ：Ａｇ、Ｍｇ：Ｙｂ、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、これらのいずれかを含有する合金を含むがこれらに限定されない、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｚｎ、および／またはＣｄ、ならびに／もしくはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、金属薄膜、かつ／あるいはそれらの組み合わせを形成するために使用される様々な材料を含み得る。第１の導電性コーティング８３０ａは、多層コーティング内の複数の層および／またはコーティングを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａを形成するために使用される導電性コーティング材料８３１は、もしあれば、初期の導電性コーティング８３００を形成するために使用される導電性コーティング材料８３１と同じおよび／または異なり得る。
当業者は、図３６Ｂに示し、図７～８、１１Ａ～１１Ｂ、および／または１２Ａ～１２Ｃのうちのいずれか１つ以上に関連して詳細に説明する蒸発プロセスが、例示を簡単にするために、図示されていないが、図２８Ａ～２８Ｂ、および／または３６Ａで説明する先行する段階のうちのいずれか１つ以上に等しく堆積され得ることを理解するであろう。
当業者は、デバイス３６００の製造が、いくつかの非限定的な例では、例示を簡単にするために図示されていない追加の段階を包含し得ることを理解するであろう。そのような追加の段階は、１つ以上のパターニングコーティング８１０、１１２０を堆積すること、１つ以上のＣＰＬ３６１０を堆積すること、１つ以上の追加の導電性コーティング８３０を堆積すること、アウトカップリングコーティングを堆積すること、および／またはデバイス２８００のカプセル化を含むがこれらに限定されなくてもよい。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、複数の発光領域１９１０は、デバイス３６００に示されるように、第１の発光領域１９１０ａおよび第２の発光領域１９１０ｂ以外のものを含み得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、各々が、対応する波長範囲のそれぞれの発光スペクトルを有する光を放出するように構成された３つ以上の発光領域１９１０があり得、この発光スペクトルは、関連付けられた開始波長λｏｎｓｅｔおよび／または関連付けられたピーク波長λｍａｘを特徴とし得る。いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＲ（赤）部分に位置する発光スペクトルを有する光子を放出するＲ（赤）サブピクセル２６４１、可視光スペクトルのＧ（緑）部分に位置する発光スペクトルを有する光子を放出するＧ（緑）サブピクセル２６４２、または可視光スペクトルのＢ（青）部分に位置する発光スペクトルを有する光子を放出するＢ（青）サブピクセル２６４３のそれぞれの１つ（特定の順序はなしに）に対応する３つの発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃがあり得る。
ここで、図３７Ａを参照すると、図３６Ｂにほぼ対応するが、非発光領域１９２０ａ、１９２０ｂ、１９２０ｃ、１９２０ｄによって取り囲まれた３つの発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃを備えたデバイス３６００のバージョン３７００の例を製造する段階３７１０を示している。
図に示されるように、第１の導電性コーティング８３０ａは、デバイス３７００の表面全体を導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、第１のＣＰＬ３６１０ａが実質的にないデバイス３７００のこれらの第２の部分上に第１の導電性コーティング８３０ａとしてそれを選択的に堆積させることによって堆積することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、第２の発光領域１９１０ｂおよび／または第３の発光領域１９１０ｃ、ならびに／もしくはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つにわたって堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つ上に堆積され得る。
図３７Ｂは、デバイス３７００を製造する段階３７２０を示す。段階３７２０では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第１の導電性コーティング８３０ａの第１の部分上に選択的に堆積される。図に示すように、いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂを堆積するためのＣＰＬ材料は第２の発光領域１９１０ｂにわたって堆積され、一方、いくつかの非限定的な例では、第３の発光領域１９１０ｃおよび／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つには、第２のＣＰＬ３６１０ｂが実質的にない。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つ上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂの厚さ、形態、および／または材料組成は、第２の開始波長λｏｎｓｅｔ ｂおよび／または第２のピーク波長λｍａｘ ｂのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、第２の発光スペクトルの少なくとも一部分にわたって高い屈折率を提供するように変調される。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、いくつかの非限定的な例では、第２のピーク波長λｍａｘ ｂを含み得る第２の発光スペクトルの少なくとも一部において、約１．９以上、約１．９５以上、約２．０以上、約２．０５以上、約２．１以上、約２．２以上、約２．３以上、および／または約２．５以上である屈折率を有する。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂの光学特徴は、第２のＣＰＬ３６１０ｂの吸収端が第２の開始波長λｏｎｓｅｔ ｂよりもわずかに低くなるように変調される。
いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数ｋが０に近い閾値に近づく波長に対応し得る。結果として、いくつかの非限定的な例では、本明細書に開示されるような第２のＣＰＬ３６１０ｂの吸収端を参照して第２のＣＰＬ３６１０ｂの光学特徴を変調すると、本明細書に開示されるような第２の発光スペクトルの少なくとも一部分にわたって高屈折率を提供するための近似メカニズムとして働く場合がある。
結果として、いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２の開始波長λｏｎｓｅｔ ｂを下回る波長で低い第２の吸光係数ｋｂを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２の開始波長λｏｎｓｅｔ ｂを下回る波長で、約０．１以上、０．３以上、約０．５以上、約０．７５以上、約０．８以上、および／または約０．９以上である第２の吸光係数ｋｂを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第１の導電性コーティング８３０ａの露出層表面１１１と比較して、導電性コーティング材料８３１について比較的低い初期付着係数を示すという点で、パターニングコーティング８１０として追加で作用し、第２の導電性コーティング８３０ｂのその上への堆積を抑制するために、第２の発光領域１９１０ｂを含む、デバイス３７００の例における第１の導電性コーティング８３０ａの第１の部分上に選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂを堆積するためのＣＰＬ材料は、第１のＣＰＬ３６１０ａを堆積するためのＣＰＬ材料と同じおよび／または異なり得る。
図３７Ｃは、デバイス３７００を製造する段階３７３０を示す。段階３７３０では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、デバイス３７００の表面全体を導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、第１のＣＰＬ３６１０ａおよび第２のＣＰＬ３６１０ｂのうちの１つが実質的にないデバイス３７００のこれらの第２の部分上に第２の導電性コーティング８３０ｂとしてそれを選択的に堆積させることによって堆積することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、第３の発光領域１９１０ｃ、および／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つにわたって堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つ上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
当業者は、第２のＣＰＬ３６１０ｂがパターニングコーティング８１０として作用しない場合のいくつかの非限定的な例では、パターニングコーティング８１０（図示せず）は、ＦＭＭが欠如していても、適切な場所および適切なときに配設されて、所望の位置に堆積されるように第２の導電性コーティング８３０ｂのパターン化を可能にすることができることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂを形成するために使用される導電性コーティング材料８３１は、もしあれば、初期の導電性コーティング８３００を形成するために使用される導電性コーティング材料８３１と同じおよび／または異なり得、ならびに／もしくは第１の導電性コーティング８３０ａを形成するために使用される導電性コーティング材料８３１と同じおよび／または異なり得る。
図３７Ｄは、デバイス３７００を製造する段階３７４０を示す。段階３７４０では、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第２の導電性コーティング８３０ｂの第１の部分上に選択的に堆積される。図に示すように、いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃを堆積するためのＣＰＬ材料は第３の発光領域１９１０ｃにわたって堆積され、一方、いくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つには、第２のＣＰＬ３６１０ｂが実質的にない。いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つ上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃの厚さ、形態、および／または材料組成は、第３の開始波長λｏｎｓｅｔ ｃおよび／または第３のピーク波長λｍａｘ ｃのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、第３の発光スペクトルの少なくとも一部分にわたって高い屈折率を提供するように変調される。
いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、いくつかの非限定的な例では、第３のピーク波長λｍａｘ ｃを含み得る第３の発光スペクトルの少なくとも一部において、約１．９以上、約１．９５以上、約２．０以上、約２．０５以上、約２．１以上、約２．２以上、約２．３以上、および／または約２．５以上である屈折率を有する。
いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃの光学特徴は、第３のＣＰＬ３６１０ｃの吸収端が第３の開始波長λｏｎｓｅｔ ｃよりもわずかに低くなるように変調される。
いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数ｋが０に近い閾値に近づく波長に対応し得る。結果として、いくつかの非限定的な例では、本明細書に開示されるような第３のＣＰＬ３６１０ｃの吸収端を参照して第３のＣＰＬ３６１０ｃの光学特徴を変調すると、本明細書に開示されるような第３の発光スペクトルの少なくとも一部分にわたって高屈折率を提供するための近似メカニズムとして働く場合がある。
結果として、いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第３の開始波長λｏｎｓｅｔ ｃを下回る波長で低い第３の吸光係数ｋｃを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第３の開始波長λｏｎｓｅｔ ｃを下回る波長で、約０．１以上、０．３以上、約０．５以上、約０．７５以上、約０．８以上、および／または約０．９以上である第３の吸光係数ｋｃを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第２の導電性コーティング８３０ｂの露出層表面１１１と比較して、導電性コーティング材料８３１について比較的低い初期付着係数を示すという点で、パターニングコーティング８１０として追加で作用し、補助電極１７５０を形成するための導電性コーティング材料８３１のその上への堆積を抑制するために、第３の発光領域１９１０ｃを含む、デバイス３７００の例における第２の導電性コーティング８３０ｂの第１の部分上に選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃを形成するためのＣＰＬ材料は、第１のＣＰＬ３６１０ａを形成するためのＣＰＬ材料および／または第２のＣＰＬ３６１０ｂを形成するためのＣＰＬ材料と同じならびに／もしくは異なり得る。
図３７Ｅは、デバイス３７００を製造する段階３７５０を示す。段階３７５０では、導電性コーティング材料８３１は、デバイス３７００の表面全体をその蒸気フラックスに曝露して、第３のＣＰＬ３６１０ｃが実質的にないデバイス３７００のこれらの第２の部分上に少なくとも１つの補助電極１７５０としてそれを選択的に堆積させることによって堆積することができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、非発光領域１９２０ａ～１９２０ｄのうちの少なくとも１つにわたって堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
当業者は、第３のＣＰＬ３６１０ｃがパターニングコーティング８１０として作用しない場合のいくつかの非限定的な例では、パターニングコーティング８１０（図示せず）は、ＦＭＭが欠如していても、適切な場所および適切なときに配設されて、所望の位置に堆積されるように少なくとも１つの補助電極１７５０のパターン化を可能にすることができることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０を形成するために使用される導電性コーティング材料８３１は、もしあれば、初期の導電性コーティング８３００を形成するために使用される導電性コーティング材料８３１、第１の導電性コーティング８３０ａを形成するために使用される導電性コーティング材料８３１、および／または第２の導電性コーティング８３０ｂを形成するために使用される導電性コーティング８３１と同じならびに／もしくは異なり得る。
図２９Ａ～２９Ｄに関連して前に考察されるように、そのようなメカニズムは、図３８Ａ～３８ｆで説明されるような調整されたマイクロキャビティ効果を有する所与のピクセル３４０のサブピクセル２６４ｘを有するデバイス１００のバージョン３８００の例を作成することができる。
図３８Ａでは、デバイス３８００の製造の段階３８０５は、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成された複数の第１の電極１２０ａ～１２０ｃを含むものとして示す。
基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にする目的で、図示せず）、各々が、実質的にＴＦＴ構造２００ａ～２００ｃの下に位置決めされ、その関連付けられた第１の電極１２０ａ～１２０ｃに電気的に結合された対応するサブピクセル２６４ｘを有する発光領域１９１０ａ～１９１０ｃに対応し、およびそれを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造２００ａ～２００ｃ、それらのそれぞれの第１の電極１２０ａ～１２０ｃの縁部を被覆する発光領域１９１０ａ～１９１０ｃを画定するために、基板１１０上に形成されたＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄ、それらのそれぞれの第１の電極１２０ａ～１２０ｃの露出領域上に堆積された少なくとも１つの半導電性層１３０ａ～１３０ｃ、ならびにいくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄの少なくとも一部を含み得る。
図３８Ａの段階３８０５の例では、発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃは、一緒に電気的に結合されていない別個の構造を含み得る。これは、少なくとも１つのＰＤＬパターニングコーティングを堆積することによって達成することができ、いくつかの非限定的な例では、このＰＤＬパターニングコーティングは、いくつかの非限定的な例では、対応するＰＤＬ４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｃ、４４０ｄの隆起部分を含むがこれらに限定されない、非発光領域１９２０ａ、１９２０ｂ、１９２０ｃ、１９２０ｃの横側面４２０の少なくとも一部にわたってパターニングコーティング８１０として作用するＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、および／または３８１０ｄを堆積するためのＣＰＬ材料は、第１のＣＰＬ３６１０ａを堆積するためのＣＰＬ材料、第２のＣＰＬ３６１０ｂを堆積するためのＣＰＬ材料、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃを堆積するためのＣＰＬ材料と同じならびに／もしくは異なり得る。
デバイス３８００の代替的な段階３８１０は、図３８Ｂに示されている。段階３８１０では、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含み得るパターニングコーティング８１０を堆積するステップは、省略されている。これに関連して、図３８Ｂは、図２９Ａにほぼ対応する。
いずれかの段階３８０５、３８１０では、いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、少なくとも１つの半導電性層１３０ａ～１３０ｃ上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１１全体を、初期の導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、少なくとも１つの半導電性層１３０ａ～１３０ｃ上に初期の導電性コーティング８３００を堆積させて、少なくとも１つの第２の電極１４０の第１の層を形成することによって実現することができる。
図３８Ａの段階３８０５では、第１の発光領域１９１０ａ内の少なくとも１つの第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａ内の共通の厚さｔｃ１であり得る第１の厚さを有する。第１の厚さｔｃ１は、初期の導電性コーティング８３００の厚さに対応し得る。
図３８Ｂの段階３８１０では、少なくとも１つの第２の電極１４０は、共通電極であり得る。第２の電極１４０ａは、第１の発光領域１９１０ａ内に第１の厚さｔｃ１を有する。第１の厚さｔｃ１は、初期の導電性コーティング８３００の厚さに対応し得る。
いずれかの段階３８０５、３８１０では、いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、第１の発光領域１９１０ａを含むデバイス３８００の第１の部分上に選択的に堆積される。
いずれかの段階３８０５、３８１０では、いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、デバイス３８００上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス３８００の露出層表面１１１全体を、第１の導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、第１のＣＰＬ３６１０ａが実質的にない、および図３８Ａのステージ３８０５の場合には、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含む少なくとも１つのＰＤＬパターニングコーティング８１０が実質的にない初期の導電性コーティング８３００上に第１の導電性コーティング８３０ａを堆積させることによって実現することができる。
いずれかの段階３８０５、３８１０では、いくつかの例では、第１の導電性コーティング８３０ａは、第１の導電性コーティング８３０ａが第２の電極１４０ｂ、１４０ｃの第２の層を形成するように、第２および第３の発光領域１９１０ｂ、１９１０ｃの横側面４１０を被覆する。加えて、段階３８１０では、第１の導電性コーティング８３０ａは、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄが位置する非発光領域１９２０の少なくとも一部も被覆して、少なくとも、第２の発光領域１９１０ｂ用の共通電極を形成し得る。そのような第２の電極１４０ｂは、第２の発光領域１９１０ｂ内に第２の厚さｔｃ２を有する。第２の厚さｔｃ２は、初期の導電性コーティング８３００と第１の導電性コーティング８３０ａの合計厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１よりも大きくてもよい。
当業者は、第１のＣＰＬ３６１０ａおよび／または少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄがパターニングコーティング８１０として作用しない場合のいくつかの非限定的な例では、パターニングコーティング８１０（図示せず）は、ＦＭＭが欠如していても、適切な場所および適切なときに配設されて、所望の位置に堆積されるように第１の導電性コーティング８３０ａのパターン化を可能にすることができることを理解するであろう。
図３８Ｃでは、デバイス３８００の製造の段階３８２０は、図２９Ｂにほぼ対応し、段階３８０５ではなく段階３８１０が発生したと推測していることが示されているが、当業者は、対応する段階が段階３８１０ではなく段階３８０５に基づいて説明され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２の発光領域１９１０ｂを含むデバイス３８００のさらなる第１の部分上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、デバイス３８００上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、第２の導電性コーティング８３０ｂが第２のＣＰＬ３６１０ｂ（および／またはいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含み得る少なくとも１つのパターニングコーティング８１０）が実質的にない第１の導電性コーティング８３０ａのさらなる第２の部分上に堆積されて、第２の電極１４０ｃの第３の層を形成するように、デバイス３８００の露出層表面１１１全体を導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、第１のＣＰＬ３６１０ａまたは第２のＣＰＬ３６１０ｂ（および／またはいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含み得る少なくとも１つのパターニングコーティング８１０）のいずれかが実質的にない第１の導電性コーティング８３０ａ、いくつかの例では、第３の発光領域１９１０ｃ、および／またはいくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄが位置する非発光領域１９２０の少なくとも一部上に第２の導電性コーティング８３０ｂを堆積させることによって実現することができる。
そのような第２の電極１４０ｃは、第３の発光領域１９１０ｃ内に第３の厚さｔｃ３を有する。第３の厚さｔｃ３は、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および第２の導電性コーティング８３０ｂの合計厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１および第２の厚さｔｃ２のいずれかまたは両方よりも大きくてもよい。
当業者は、第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、および／または少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄがパターニングコーティング８１０として作用しない場合のいくつかの非限定的な例では、パターニングコーティング８１０（図示せず）は、ＦＭＭが欠如していても、適切な場所および適切なときに配設されて、所望の位置に堆積されるように第３の導電性コーティング８３０ｃのパターン化を可能にすることができることを理解するであろう。
図３８Ｄでは、デバイス３８００の製造の段階３８３０は、図２９Ｃにほぼ対応し、段階３８０５ではなく段階３８１０が発生したと推測していることが示されているが、当業者は、対応する段階が段階３８１０ではなく段階３８０５に基づいて説明され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第３のＣＰＬ３８１０ｃは、第３の発光領域１９１０ｂを含むデバイス３８００の追加の第１の部分上に選択的に堆積される。
図３８Ｅでは、デバイス３８００の製造の段階３８４０は、図２９Ｄにほぼ対応し、３８０５ではなく段階３８１０が発生したと推測していることが示されているが、当業者は、対応する段階が段階３８１０ではなく段階３８０５に基づいて説明され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、その近接する発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃ間のデバイス３８００の非発光領域１９２０ａ、１９２０ｂ、１９２０ｃ、１９２０ｄ内、およびいくつかの非限定的な例ではＰＤＬ４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｃ、４４０ｄ上に配設される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０を堆積するために使用される導電性コーティング材料８３１は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、導電性コーティング材料８３１が第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃ（および／またはいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含み得る少なくとも１つのパターニングコーティング８１０）のいずれも実質的ない初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、ならびに／もしくは第２の導電性コーティング８３０ｂの露出一部を含む追加の第２の部分上に堆積されて、少なくとも１つの補助電極１７５０を形成するように、デバイス３８００の露出層表面１１１全体を、導電性コーティング材料８３１の蒸気フラックスに曝露して、第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃ（および／またはいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含み得る少なくとも１つのパターニングコーティング８１０）のいずれも実質的にない初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、ならびに第２の導電性コーティング８３０ｂの露出一部上に導電性コーティング材料８３１を堆積させることによって実現することができる。少なくとも１つの補助電極１７５０の各々は、第２の電極１４０ａ～１４０ｃのそれぞれの１つに電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の各々は、そのような第２の電極１４０ａ～１４０ｃと物理的に接触している。
いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および第３の発光領域１９１０ｃは、少なくとも１つの補助電極１７５０を形成するために使用される導電性コーティング材料８３１が実質的になくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および／または第２の導電性コーティング８３０ｂのうちの少なくとも１つは、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部において透過性および／または実質的に透明であり得る。第１の導電性コーティング８３０ａならびに／もしくは第２の導電性コーティング８３０ｂ（および／または任意の追加の導電性コーティング８３０）が初期の導電性コーティング８３００の上部に配設されて、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部において透過性および／または実質的に透明でもあり得るマルチコーティング電極１２０、１４０、１７５０を形成する。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、任意の追加の導電性コーティング８３０、および／またはマルチコーティング電極１２０、１４０、１７５０のうちのいずれか１つ以上の透過率は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部において、約３０％を超える、約４０％を超える、約４５％を超える、約５０％を超える、約６０％を超える、７０％を超える、約７５％を超える、および／または約８０％を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および／または第２の導電性コーティング８３０ｂの厚さを比較的薄くして、比較的高い透過率を維持することができる。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００の厚さは、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、および／または約１０～２０ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング８３０ａの厚さは、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、および／または約３～６ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング８３０ｂの厚さは、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、および／または約３～６ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または任意の追加の導電性コーティング８３０の組み合わせによって形成されたマルチコーティング電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、または約１０～２５ｎｍ、および／または約１２～１８ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の厚さは、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または共通電極の厚さよりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の厚さは、約５０ｎｍを超える、約８０ｎｍを超える、約１００ｎｍを超える、約１５０ｎｍを超える、約２００ｎｍを超える、約３００ｎｍを超える、約４００ｎｍを超える、約５００ｎｍを超える、約７００ｎｍを超える、約８００ｎｍを超える、約１μｍを超える、約１．２μｍを超える、約１．５μｍを超える、約２μｍを超える、約２．５μｍを超える、および／または約３μｍを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、実質的に透明ではない、および／または不透明であり得る。しかしながら、少なくとも１つの補助電極１７５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の非発光領域１９２０に提供され得るため、少なくとも１つの補助電極１７５０は、重大な光学干渉を引き起こさないか、またはそれに寄与しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０の透過率は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部の約５０％未満、約７０％未満、約８０％未満、約８５％未満、約９０％未満、および／または約９５％未満であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１７５０は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部の光を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃ内にそれぞれ配設された第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、ならびに／もしくは第３のＣＰＬ３６１０ｃ（および／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域１９２０ａ、１９２０ｂ、１９２０ｃ、１９２０ｄ内に配設された少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄを含み得る少なくとも１つのパターニングコーティング８１０）の厚さ、組成、総光路長、かつ／あるいは屈折率を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光学特性は、各発光領域１９１０ａ～１９１０ｃによって放出された光の色および／または放出スペクトルに従って変わり得る。図３８Ｄ～３８Ｅに示すように、第１のＣＰＬ３６１０ａは、第１のＣＰＬ厚さｔｎ１を有し得る、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２のＣＰＬ厚さｔｎ２を有し得る、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第３のＣＰＬ厚さｔｎ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬ厚さｔｎ１は、第２のＣＰＬ厚さｔｎ２と同じである、それよりも大きい、および／またはそれよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のＣＰＬの厚さｔｎ１は、第３のＣＰＬ厚さｔｎ３と同じである、それよりも大きい、および／またはそれよりも小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のＣＰＬの厚さｔｎ２は、第３のＣＰＬ厚さｔｎ３と同じである、それよりも大きい、および／またはそれよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、特に、第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃがパターニングコーティング８１０として作用する場合、第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃ上にそれぞれ堆積された第１のＣＰＬ厚さｔｎ１、第２のＣＰＬ厚さｔｎ２、および／または第３のＣＰＬ厚さｔｎ３を変えることが有利であり得る。
第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃ上にそれぞれ堆積された第１のＣＰＬ厚さｔｎ１、第２のＣＰＬ厚さｔｎ２、および／または第３のＣＰＬ厚さｔｎ３を調節することによって、第１の発光領域１９１０ａ内の第２の電極１４０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ内の第２の電極１４０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃ内の第２の電極１４０ｃの、それぞれの第１の厚さｔｃ１、第２の厚さｔｃ２、および／または第３の厚さｔｃ３に加えて、第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃの、それぞれの光マイクロキャビティ効果は、サブピクセルごとの基準で調整され得る。非限定的な例として、Ｂ（青）サブピクセル２６４３上に配設されたＣＰＬ３６１０ａ、３６１０ｂ、３６１０ｃの厚さは、Ｇ（緑）サブピクセル２６４２上に配設されたＣＰＬ３６１０ａ、３６１０ｂ、３６１０ｃの厚さよりも小さくてもよい。非限定的な例として、Ｇ（緑）サブピクセル２６４２上に配設されたＣＰＬ３６１０ａ、３６１０ｂ、３６１０ｃの厚さは、Ｒ（赤）サブピクセル２６４１上に配設されたＣＰＬ３６１０ａ、３６１０ｂ、３６１０ｃの厚さよりも小さくてもよい。
当業者は、他のサブピクセル２６４ｘの他の発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃのＣＰＬ３６１０ａ、３６１０ｂ、３６１０ｃの厚さ、組成、総光路長、および／または屈折率を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光学特性と比較して、所与のサブピクセル２６４ｘの１つの発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃのＣＰＬ３６１０ａ、３６１０ｂ、３６１０ｃの厚さ、組成、総光路長、および／または屈折率を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光学特性を調整することに加えて、別のサブピクセル２６４ｘの別の発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃの第２の電極１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃの厚さ、組成、総光路長、および／または屈折率を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光学特性と比較して、所与のサブピクセル２６４ｘの１つの発光領域１９１０ａ、１９１０ｂ、１９１０ｃの第２の電極１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃのａ厚さ、組成、総光路長、および／または屈折率を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光学特性を調整するために、第１の発光領域１９１０ａ、第２の発光領域１９１０ｂ、および／または第３の発光領域１９１０ｃの、それぞれの光学的マイクロキャビティ効果が、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および／または第２の導電性コーティング８３０ｂの厚さ、組成、総光路長、および／または屈折率を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光学特性を調整することによってさらに大きい程度で制御され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３８００はまた、任意の数の発光領域１９１０ａ～１９１０ｃ、および／またはその（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘを含み得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、複数のピクセル３４０を含むことができ、各ピクセル３４０は、２、３、またはそれ以上のサブピクセル２６４ｘを含むことができる。
当業者は、（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘの特定の配置がデバイス設計に依存して変わり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２６４ｘは、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、および／またはＰｅｎＴｉｌｅ（登録商標）を含むがこれらに限定されない、既知の配置スキームに従って配置することができる。
ここで、図３８Ｆを参照すると、デバイス３８００の製造の段階３８３５は、段階３８３０がちょうどこの時に発生したと推測していることが示されている。
段階３８３５の後、さらなるＣＰＬ３８５０、ＴＦＥ、および／またはガラスキャップを含むがこれらに限定されない、さらなる層が、デバイス３８００上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ３８５０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス３８００の露出層表面１１１全体を、ＣＰＬ材料の蒸気フラックスに曝露して、デバイス３８００の露出層表面１１１の実質的にすべてにわたってＣＰＬ３８５０を堆積させることによって実現することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ３８５０は、通常、共通ＣＰＬ材料で形成され、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００内のすべての発光領域１９１０にわたること含むがこれに限定されない、デバイス１００の横側面の実質的にすべてに延在する実質的に共通の厚さを有する層を含む従来のＣＰＬに類似している。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ３８５０を堆積するためのＣＰＬ材料は、第１のＣＰＬ３８１０ａを堆積するためのＣＰＬ材料、第２のＣＰＬ３８１０ｂを堆積するためのＣＰＬ材料、第３のＣＰＬ３８１０ｃを堆積するためのＣＰＬ材料、ならびに／もしくは少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、および／または３８１０ｄを堆積するためのＣＰＬ材料と同じならびに／もしくは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ３８５０は、基部表面の露出層表面１１１と比較して、さらなる導電性コーティング材料８３１（図示せず）について比較的低い初期付着係数を示すという点で、パターニングコーティング８１０として追加で作用し、さらなる導電性コーティング材料８３１のその上への堆積を抑制するために、デバイス３８００の例におけるそのような基部表面の露出層表面１１１の第１の部分上に選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、特定の材料特性を有する導電性コーティング８３０を、そのような導電性コーティング８３０が容易に堆積されない基板１１０の露出層表面１１１上に堆積させることが企図される状況があり得る。非限定的な例として、純粋および／または実質的に純粋なＭｇは、通常、様々な有機表面上のＭｇの低付着係数があるため、有機表面上に容易に堆積されない。したがって、いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または少なくとも１つの補助電極１７５０が堆積されるべき露出層表面１１１は、導電性コーティング材料８３１を堆積する前に処理されて、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０であり得るパターニングコーティング１１２０を堆積することにより、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または少なくとも１つの補助電極１７５０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または少なくとも１つの補助電極１７５０のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、導電性コーティング８３０のための導電性コーティング材料８３１の堆積を容易にするためのパターニングコーティング１１２０の堆積は、それぞれ、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄ、第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃを含むがこれらに限定されない、ＰＤＬ３６１０の先行する堆積の前ならびに／もしくは後に発生し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングコーティング１１２０は、少なくとも１つのＰＤＬ ＣＰＬ３８１０ａ、３８１０ｂ、３８１０ｃ、３８１０ｄ、第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃを含むがこれらに限定されない、ＣＰＬ３６１０が実質的にない、限定されないが、基板１１０、少なくとも１つの半導電性層１３０、少なくとも１つのＰＤＬ４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｃ、４４０ｄ、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、および／または第２の導電性コーティング８３０ｂの下にある露出層表面１１１の部分上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングコーティング１１２０は、第１のＣＰＬ３６１０ａ、第２のＣＰＬ３６１０ｂ、および／または第３のＣＰＬ３６１０ｃを含むがこれらに限定されない、ＣＰＬ３６１０と、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、および／または第３の導電性コーティング８３０ｃを含むがこれらに限定されない、下にある導電性コーティング８３０との間の界面に堆積され得る。
図３８Ａ～３８Ｆでは、ＣＰＬ３６１０は、１つの発光領域１９１０の横範囲４１０のみにわたって実質的に延在するように示されている。そのような構成により、堆積時に、ＣＰＬ３６１０が実質的にない領域内に１つ以上の導電性コーティング８３０が堆積されることを可能にし、ＦＭＭを採用せずに、導電性コーティング８３０のパターン化された堆積をもたらす。いくつかの非限定的な例では、再び図３８Ａ～３８Ｆに示されるように、後続のＣＰＬ３６１０の堆積は、次に、ＣＰＬ３６１０層が重ならないように、前のＣＰＬ３６１０の発光領域とは異なる発光領域１９１０の横範囲４１０にわたって堆積される。
そのような構成は、図３９Ａの簡略化された図の例に示されている。
第１のＣＰＬ３６１０ａは、基部材料の露出層表面１１１上に堆積され、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａの横範囲４１０にわたる（実質的にのみ）初期の導電性コーティング８３００であり得る。
第１のＣＰＬ３６１０ａの堆積に続いて、第１の導電性コーティング８３０ａが堆積され、それによって、初期の導電性コーティング８３００の露出層表面１１１の残部上にパターン化される。
第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２の発光領域１９１０ｂの横範囲４１０にわたって、第１の導電性コーティング８３０ａ（実質的にのみ）の露出層表面１１１上に堆積される。
第２のＣＰＬ３６１０ｂの堆積に続いて、第２の導電性コーティング８３０ｂが堆積され、それによって、第１の導電性コーティング８３０ａの露出層表面１１１の残部上にパターン化される。
第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第３の発光領域１９１０ｃの横範囲４１０にわたって、第２の導電性コーティング８３０ｂ（実質的にのみ）の露出層表面１１１上に堆積される。
第３のＣＰＬ３６１０ｃの堆積に続いて、第３の導電性コーティング８３０ｃが堆積され、それによって、第２の導電性コーティング８３０ｂの露出層表面１１１上にパターン化される。
第４のＣＰＬ３６１０ｄは、第４の発光領域１９１０ｄの横範囲４１０にわたって、第３の導電性コーティング８３０ｃ（実質的にのみ）の露出層表面１１１上に堆積される。
第４のＣＰＬ３６１０ｄの堆積に続いて、第４の導電性コーティング８３０ｄが堆積され、それによって、第３の導電性コーティング８３０ｃの露出層表面１１１上にパターン化される。
したがって、それぞれ、第１の発光領域１９１０ａと第２の発光領域１９１０ｂとの間、第２の発光領域１９１０ｂと第３の発光領域１９１０ｃとの間、第３の発光領域１９１０ｃと第４の発光領域１９１０ｄとの間に延在する非発光領域１９２０ａ、１９２０ｂ、１９３０ｃの各々は、初期の導電性コーティング８３００、第１の導電性コーティング８３０ａ、第２の導電性コーティング８３０ｂ、第３の導電性コーティング８３０ｃ、および第４の導電性コーティング８３０ｄを含む、その上の５層の導電性コーティング８３０とともに示され、一方、第４の発光領域１９１０ｄ、第３の発光領域１９１０ｃ、第２の発光領域１９１０ｂ、および第１の発光領域１９１０ａの各々は、各々、導電性コーティング８３０の次第に少なくなる層を有し、その最上部は単一のＣＰＬ３６１０によって被覆される。
当業者は、ＣＰＬ３６１０の堆積を伴う他の構成も採用することができることを理解するであろう。非限定的な例として、いくつかの非限定的な例では、後続のＣＰＬ３６１０は、対応する発光領域の横範囲４１０にわたって、および後続の発光領域１９１０の横範囲４１０にわたって、前のＣＰＬ３６１０上に、ならびにいくつかの非限定的な例では、それらの間に延在する非発光領域１９２０の横範囲４２０の少なくとも一部上に堆積され、完全に重なり得る。
そのような構成は、図３９Ｂの簡略化された図の例に示されている。
第１のＣＰＬ３６１０ａは、基部材料の露出層表面１１１上に堆積され、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａの横範囲４１０にわたる（実質的にのみ）初期の導電性コーティング８３００であり得る。
第１のＣＰＬ３６１０ａの堆積に続いて、第１の導電性コーティング８３０ａが堆積され、それによって、第１の導電性コーティング８３０ａの露出層表面１１１の残部上にパターン化される。
第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２の発光領域１９１０ｂの横範囲４１０にわたって、第１の導電性コーティング８３０ａの露出層表面１１１上に堆積される。しかしながら、加えて、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第１の発光領域１９１０ａと第２の発光領域１９１０ｂとの間に延在する第１の非発光領域１９２０ａの横範囲４２０（の少なくとも一部）にわたる第１の導電性コーティング８３０ａの露出層表面１１１上、ならびに第１のＣＰＬ３６１０ａの露出層表面１１１上に堆積される。
第２のＣＰＬ３６１０ｂの堆積に続いて、第２の導電性コーティング８３０ｂが堆積され、それによって、第１の導電性コーティング８３０ａの露出層表面１１１の残部上にパターン化される。
第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第３の発光領域１９１０ｃの横範囲にわたって、第２の導電性コーティング８３０ｂの露出層表面１１１上に堆積される。しかしながら、加えて、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第２の発光領域１９１０ｂと第３の発光領域１９１０ｃとの間に延在する第２の非発光領域１９２０ｂの横範囲４２０（の少なくとも一部）にわたる第２の導電性コーティング８３０ｂの露出層表面１１１上、ならびに第１の発光領域１９１０ａの横範囲４１０、第２の発光領域１９１０ｂ、およびそれらの間の第１の非発光領域１９２０ａの横範囲４２０にわたって延在する第２のＣＰＬ３６１０ｂの露出層表面１１１上に堆積される。
第３のＣＰＬ３９１０ｃの堆積に続いて、第３の導電性コーティング８３０ｃが堆積され、それによって、第２の導電性コーティング８３０ｂの露出層表面１１１の残部上にパターン化される。
第４のＣＰＬ３６１０ｄは、第４の発光領域１９１０ｄの横範囲にわたって、第３の導電性コーティング８３０ｃの露出層表面１１１上に堆積される。しかしながら、加えて、第４のＣＰＬ３６１０ｄは、第３の発光領域１９１０ｃと第４の発光領域１９１０ｄとの間に延在する第３の非発光領域１９２０ｃの横範囲４２０（の少なくとも一部）にわたる第３の導電性コーティング８３０ｃの露出層表面１１１上、ならびに第１の発光領域１９１０の横範囲４１０、第２の発光領域１９１０ｂ、および第１の発光領域１９１０ａと第２の発光領域１９１０ｂとの間の第１の非発光領域１９２０ａ、および第２の発光領域１９１０ｂと第３の発光領域１９との間の第２の非発光領域１９２０ｂの横範囲４２０にわたって延在する第３のＣＰＬ３６１０ｃの露出層表面１１１上に堆積される
したがって、第４の発光領域１９１０ｄ、第３の発光領域１９１０ｃ、第２の発光領域、および第１の発光領域１９１０ａの各々、ならびに第３の非発光領域１９２０ｃ、第２の非発光領域１９２０ｂ、および第１の非発光領域１９２０ａは、導電性コーティング８３０の層が次第に少なくなり、その最上部は、ＣＰＬ３６１０の次第に数が多くなる層によって被覆されるため、導電性コーティング８３０またはＣＰＬ３６１０のいずれであろうと、各領域はその上に同じ数の層を有する。
いくつかの非限定的な例では、後続のＣＰＬ３６１０は、前のＣＰＬ３６１０上に堆積され得るが、部分的にのみ重なり得る。いくつかの非限定的な例では、各ＣＰＬ３６１０は、複数の発光領域１９１０の横範囲４１０、およびそれらの間の少なくとも１つの非発光領域１９２０の横側面４２０にわたって延在し得る。
そのような構成は、図３９Ｃの簡略化された図の例に示されている。
第１のＣＰＬ３６１０ａは、基部材料の露出層表面１１１上に堆積され、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域１９１０ａの横範囲４１０にわたって、およびいくつかの非限定的な例では、それを越えて延在する初期の導電性コーティング８３００であり得る。示している例では、第１のＣＰＬ３６１０ａは、第１の発光領域１９１０ａおよび第２の発光領域１９１０ｂの両方の横範囲４１０、ならびにそれらの間の第１の非発光領域１９２０ａの横範囲４２０にわたって延在する。
第１のＣＰＬ３６１０ａの堆積に続いて、第１の導電性コーティング８３０ａが堆積され、それによって、初期の導電性コーティング８３００の露出層表面１１１の残部上にパターン化される。
第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２の発光領域１９１０ｂの横範囲４１０にわたって、およびいくつかの非限定的な例では、それを越えて延在する、第１の導電性コーティング８３０ａおよび第１のＣＰＬ３６１０ａの両方の一部の露出層表面１１１上に堆積される。示している例では、第２のＣＰＬ３６１０ｂは、第２の発光領域１９１０ｂおよび第３の発光領域１９１０ｃの両方の横範囲４１０、ならびにそれらの間の第２の非発光領域１９２０ｂの横範囲４２０にわたって延在する。
第２のＣＰＬ３６１０ｂの堆積に続いて、第２の導電性コーティング８３０ｃが堆積され、それによって、第１の導電性コーティング８３０ａの露出層表面１１１の残部上にパターン化される。
第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第３の発光領域１９１０ｃの横範囲４１０にわたって、およびいくつかの非限定的な例では、それを越えて延在する、第２の導電性コーティング８３０ｂおよび第２のＣＰＬ３６１０ｂの両方の一部の露出層表面１１１上に堆積される。示している例では、第３のＣＰＬ３６１０ｃは、第３の発光領域１９１０ｃおよび第４の発光領域１９１０ｄの両方の横範囲４１０、ならびにそれらの間の第３の非発光領域１９２０ｃの横範囲４２０にわたって延在する。
したがって、第２の発光領域１９１０ｂおよび第３の発光領域１９１０ｃを含むがこれらに限定されない、発光領域１９１０のいくつかは、各々、導電性コーティング８３０の次第に数が多くなる層を被覆するＣＰＬ３６１０の複数の層を有する。
ＮＰＣ
特定の理論に拘束されることを望まずに、ＮＰＣ１１２０を設けることが、特定の表面への導電性コーティング８３０の堆積を容易にする場合があると想定される。
特定の理論に拘束されることを望まずに、ＮＰＣ１１２０を設けることが、特定の表面への導電性コーティング８３０の堆積を容易にする場合があると想定される。
ＮＰＣ１１２０を形成するための好適な材料の非限定的な例には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および／またはポスト遷移金属、金属フッ化物、金属酸化物および／またはフラーレンを含むがこれらに限定されない金属のうちの少なくとも１つが含まれるが、これに限定されない。
本開示では、「フラーレン」という用語は、概して炭素分子を含む材料を指し得る。フラーレン分子の非限定的な例には、閉殻を形成し、球形状および／または半球形状であり得るがこれらに限定されない、多数の炭素原子を含む３次元骨格を含むがこれらに限定されない、炭素ケージ分子が含まれる。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子はＣｎとして指示することができ、ここで、ｎはフラーレン分子の炭素骨格内に含まれた炭素原子の数に対応している整数である。フラーレン分子の非限定的な例には、Ｃｎが含まれ、ここで、ｎは、Ｃ７０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、およびＣ８４などであるがこれらに限定されない、５０～２５０の範囲である。フラーレン分子のさらなる非限定的な例には、単層カーボンナノチューブおよび／または多層カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、管形状および／または円筒形状の炭素分子が含まれる。
このような材料の非限定的な例には、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、およびフッ化セシウム（ＣｓＦ）が含まれる。
成果および実験的観察に基づいて、本明細書でさらに考察されるようなフラーレン、Ａｇおよび／またはＹｂを含むがこれらに限定されない金属、ならびに／もしくはＩＴＯおよび／またはＩＺＯを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むがこれらに限定されない核生成促進材料は、Ｍｇを含むがこれに限定されない導電性コーティング８３０の堆積のための核生成部位として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は、少なくとも１つの半導電性層１３０の一部によって提供され得る。非限定的な例として、ＥＩＬ１３９を形成するための材料は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されて、デバイス１００の発光領域１９１０および／または非発光領域１９２０の両方にそのような材料の堆積をもたらすことができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１３９を含むがこれに限定されない少なくとも１つの半導電性層１３０の一部を堆積させて、保護された領域３０６５内の１つ以上の表面をコーティングすることができる。ＥＩＬ１３９を形成するためのそのような材料の非限定的な例には、Ｌｉ、アルカリ土類金属、ＭｇＦ２、フラーレン、Ｙｂ、ＹｂＦ３および／またはＣｓＦを含むがこれらに限定されないアルカリ土類金属のフッ化物を含むがこれらに限定されないアルカリ金属のうちの少なくとも１つ以上が含まれる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０は、第２の電極１４０ならびに／もしくはその一部分、層、および／または材料によって提供され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、保護された領域３０６５に配置された層表面３１１１を被覆するように横方向に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、その下層およびその第２の層を含み得、その第２の層は、その下層上に堆積される。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の下層は、限定されないが、ＩＴＯ、ＩＺｏおよび／またはＺｎＯなどの酸化物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の上層は、限定されないが、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ、他のアルカリ金属および／または他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つなどの金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の下層は、それがＮＰＣ１１２０を形成するように、保護された領域３０６５の表面を被覆するように横方向に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、保護された領域３０６５を画定する１つ以上の表面を処理して、ＮＰＣ１１２０を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなＮＰＣ１１２０は、保護された領域３０６５の表面をプラズマ、ＵＶおよび／またはＵＶオゾン処理にかけることを含むがこれらに限定されない、化学的および／または物理的処理によって形成され得る。
特定の理論に拘束されることを望まずに、そのような処理は、そのような表面を化学的にかつ／あるいは物理的に変更して、その少なくとも１つの特性を修正すると想定される。非限定的な例として、表面のそのような処理は、そのような表面上のＣ－Ｏおよび／またはＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ、そのような表面の粗さを増加させ、および／またはハロゲン、窒素含有官能基、および／または酸素含有官能基を含むがこれらに限定されない、特定の種および／または官能基の濃度を増加させ、その後、ＮＰＣ１１２０として作用させ得る。
いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１は、ＮＰＣ１１２０を含み、および／またはＮＰＣ１１２０によって形成される場合。非限定的な例として、補助電極１７５０は、ＮＰＣ１１２０として作用することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０を形成するために使用するのに好適な材料には、少なくとも約０．４（または４０％）、少なくとも約０．５、少なくとも約０．６、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、および／または少なくとも約０．９９の導電性コーティング８３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示すか、またはそれを有するように特徴付けられるものが含まれる。
非限定的な例として、限定されないが、フラーレン処理表面での蒸発プロセスを使用してＭｇが堆積される状況では、いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｍｇ堆積のための安定した核の形成を促進することができる核生成部位として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されない、ＮＰＣ１１２０の単分子層未満は、Ｍｇの堆積のための核生成部位として作用するように処理された表面上に提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１１２０のいくつかの単分子層をその上に堆積することによって表面を処理すると、核生成部位の数が多くなり、したがって、初期付着確率Ｓ０が高くなり得る。
当業者は、表面上に堆積された、フラーレンを含むがこれに限定されない材料の量が、１つの単分子層よりも多い、または少なくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、そのような表面は、０．１単分子層、１単分子層、１０単分子層、またはそれ以上の核生成促進材料および／または核生成抑制材料を堆積させることによって処理されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、基部材料の露出層表面１１１上に堆積されたＮＰＣ１１２０の厚さは、約１ｎｍ～約５ｎｍおよび／または約１ｎｍ～約３ｎｍであり得る。
本開示は、蒸着に関して、少なくとも１つの層および／またはコーティングを参照して、薄膜形成について考察されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイス１００の様々な構成要素が、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれに限定されない）、および／またはそれらの任意の２つ以上の組み合わせを含むがこれらに限定されない、多種多様な技法を使用して堆積され得ることを理解するであろう。そのようなプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用して、様々なパターンを達成することができる。
ＮＩＣ
特定の理論に拘束されることを望まずに、基板１１０の露出表面１１１とＮＩＣ８１０との間の界面および／またはその近傍での薄膜の核生成および成長中、ＮＩＣ８１０による薄膜の固体表面の「ディウェッティング」のために、膜の縁部と基板１１０との間の比較的高い接触角θｃが観察されると想定されている。そのようなディウェッティング特性は、基板１１０、薄膜、蒸気７、およびＮＩＣ８１０層の間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。したがって、ＮＩＣ８１０の存在およびその特性は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の縁部の核生成および成長モードへの影響を有し得ると想定されている。
特定の理論に拘束されることを望まずに、基板１１０の露出表面１１１とＮＩＣ８１０との間の界面および／またはその近傍での薄膜の核生成および成長中、ＮＩＣ８１０による薄膜の固体表面の「ディウェッティング」のために、膜の縁部と基板１１０との間の比較的高い接触角θｃが観察されると想定されている。そのようなディウェッティング特性は、基板１１０、薄膜、蒸気７、およびＮＩＣ８１０層の間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。したがって、ＮＩＣ８１０の存在およびその特性は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の縁部の核生成および成長モードへの影響を有し得ると想定されている。
特定の理論に拘束されることを望まずに、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の接触角θｃは、導電性コーティング８３０が形成される面積に隣接して配設されたＮＩＣ８１０の特性（初期付着確率Ｓ０を含むがこれに限定されない）に少なくとも部分的に基づいて決定され得る。したがって、比較的高い接触角θｃを示す導電性コーティング８３０の選択的堆積を可能にするＮＩＣ８１０材料は、いくつかの利点を提供することができる。
特定の理論に拘束されることを望まずに、いくつかの非限定的な例では、核生成および成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛細管理論におけるヤングの式に従って決定され得ると想定されている。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆ ｃｏｓθ
式中、γｓｖは基板１１０と蒸気との間の界面張力に対応し、γｆｓは薄膜と基板１１０との間の界面張力に対応し、γｖｆは蒸気と膜との間の界面張力に対応し、θは膜核の接触角である。図４０は、この等式で表される様々なパラメータ間の関係を示している。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆ ｃｏｓθ
式中、γｓｖは基板１１０と蒸気との間の界面張力に対応し、γｆｓは薄膜と基板１１０との間の界面張力に対応し、γｖｆは蒸気と膜との間の界面張力に対応し、θは膜核の接触角である。図４０は、この等式で表される様々なパラメータ間の関係を示している。
ヤングの式に基づいて、島の成長の場合、膜核の接触角θはゼロよりも大きく、したがってγｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆであると導出することができる。
堆積膜が基板１１０を「濡らす」層成長の場合、核接触角θ＝０、およびしたがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆである。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）成長の場合、膜の異常成長の単位面積当たりのひずみエネルギーは、蒸気と膜との間の界面張力に対して大きく、γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆである。
ＮＩＣ８１０と基板１１０の露出層表面１１１との間の界面での導電性コーティング８３０の核生成および成長モードは、θ＞０である島成長モデルに従うことができると想定され得る。特に、ＮＩＣ８１０が、導電性コーティング８３０を形成するために使用される材料に対して比較的低い親和性および／または低い初期付着確率Ｓ０（すなわち、ディウェッティング）を示し、導電性コーティング８３０の比較的高い薄膜接触角をもたらす場合である。反対に、非限定的な例として、シャドウマスクを採用することにより、ＮＩＣ８１０を使用せずに導電性コーティング８３０を表面上に選択的に堆積させるとき、導電性コーティング８３０の核生成および成長モードが異なる場合がある。特に、シャドウマスクパターニングプロセスを使用して形成された導電性コーティング８３０は、少なくとも、いくつかの非限定的な例では、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角を示し得ることが観察されている。
当業者は、明示的に示していないが、ＮＩＣ８１０を形成するために使用される材料はまた、導電性コーティング８３０と基部表面（ＮＰＣ１１２０層および／または基板１１０の表面を含むが、これらに限定されない）との間の界面に、ある程度存在し得ることを理解するであろう。そのような材料は、シャドウイング効果の結果として堆積される場合があり、その場合、堆積したパターンはマスクのパターンと同一ではなく、いくつかの非限定的な例では、いくらかの蒸発した材料がターゲット表面１１１のマスクされた一部に堆積される場合がある。非限定的な例として、そのような材料は、島および／または切り離されたクラスタとして、ならびに／もしくはＮＩＣ８１０の平均厚さよりも実質的に薄い場合がある厚さを有する薄膜として形成することができる。
非限定的な例として、脱離のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ６３１）が熱エネルギー（ｋＢＴ）の約２倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．５倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．３倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．２倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約０．８倍未満、および／または熱エネルギー（ｋＢＴ）の約０．５倍未満であることが望ましくあり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散（Ｅｓ６２１）についての活性化エネルギーが、熱エネルギー（ｋＢＴ）よりも大きく、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．５倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．８倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約２倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約３倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約５倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約７倍を超える、および／または熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１０倍を超えることが望ましい。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を形成するために使用するのに好適な材料には、約０．３（または３０％）以下および／またはそれ未満、約０．２以下および／またはそれ未満、約０．１以下および／またはそれ未満、約０．０５以下および／またはそれ未満、０．０３以下および／またはそれ未満、０．０２以下および／またはそれ未満、０．０１以下および／またはそれ未満、約０．０８以下および／またはそれ未満、約０．００５以下および／またはそれ未満、約０．００３以下および／またはより小さいその未満、約０．００１以下および／または約それ未満、約０．０００８以下および／またはそれ未満、約０．０００５以下および／またはそれ未満、ならびに／もしくは約０．０００１以下および／またはそれ未満の導電性コーティング８３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示す、かつ／あるいはそれを有するように特徴付けられるものが含まれ得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を形成するために使用するのに好適な材料には、約０．０３～約０．０００１、約０．０３～約０．０００３、約０．０３～約０．０００５、約０．０３～約０．０００８、約０．０３～約０．００１、約０．０３～約０．００５、約０．０３～約０．００８、約０．０３～約０．０１、約０．０２～約０．０００１、約０．０２～約０．０００３、約０．０２～約０．０００５、約０．０２～約０．０００８、約０．０２～約０．０００５、約０．０２～約０．０００８、約０．０２～約０．００１、約０．０２～約０．００５、約０．０２～約０．００８、約０．０２～約０．０１、約０．０１～約０．０００１、約０．０１～約０．０００３、約０．０１～約０．０００５、約０．０１～約０．０００８、約０．０１～約０．００１、約０．０１～約０．００５、約０．０１～約０．００８、約０．００８～約０．０００１、約０．００８～約０．０００３、約０．００８～約０．０００５、約０．００８～約０．０００８、約０．００８～約０．００１、約０．００８～約０．００５、約０．００５～約０．０００１、約０．００５～約０．０００３、約０．００５～約０．０００５、約０．００５～約０．０００８、および／または約０．００５～約０．００１の導電性コーティング８３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示す、かつ／あるいはそれを有するように特徴付けられるものが含まれ得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を形成するために使用するのに好適な材料には、小分子有機材料および／または有機ポリマーなどの有機材料が含まれ得る。好適な有機材料の非限定的な例には、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、および／またはＡｌを含むがこれらに限定されない、任意に１つ以上のヘテロ原子を含むがこれらに限定されない、有機分子を含むがこれらに限定されない、多環式芳香族化合物が含まれるがこれらに限定されない。いくつかの実施形態では、多環式芳香族化合物には、コア部分およびコア部分に化学結合した少なくとも１つの末端部分を各々が含む有機分子が含まれるがこれらに限定されない。末端部分の非限定的な数は、１以上、２以上、３以上、および／または４以上であってもよい。上記の一般性を限定することなく、２つ以上の末端部分の場合に、末端部分は同じであっても異なっていてもよく、および／または末端部分のサブセットは同じでも少なくとも１つの残りの部分と異なっていてもよい。
好適な核生成抑制材料には、小分子有機材料および有機ポリマーなどの有機材料が含まれる。
ＮＩＣ８１０を形成するために使用するのに好適な材料の非限定的な例には、米国特許第１０，２７０，０３３号、ＰＣＴ国際出願番号第ＰＣＴ／ＩＢ２０１８／０５２８８１号、ＰＣＴ国際出願番号第ＰＣＴ／ＩＢ２０１９／０５３７０６号および／またはＰＣＴ国際出願番号第ＰＣＴ／ＩＢ２０１９／０５０８３９号のうちの少なくとも１つで説明されている少なくとも１つの材料が含まれる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、光学コーティングとして作用し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、デバイス１００の少なくとも１つの発光領域１９１０から放出される光の少なくとも特性および／または特徴を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ある程度のヘイズを示し、放出された光を散乱させる可能性がある。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、それを透過した光を散乱させるための結晶性材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような光の散乱は、デバイスからの光のアウトカップリングの強化を容易にし得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、実質的にアモルファスを含むがこれに限定されない実質的に非結晶のコーティングとして最初に堆積され得、その後、その堆積後、ＮＩＣ８１０は結晶化され、その後、光結合として機能することができる。
前に考察されたように、いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ３６１０のうちの１つ以上は、ＮＩＣ８１０として作用することができ、いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明される挙動を示し得る。
本開示の特徴または態様がマーカッシュグループに関して説明する場合、本開示がまた、それにより、そのようなマーカッシュグループの要素のサブグループの任意の個々の要素に関して説明していることが当業者に理解されよう。
専門用語
特に明記されていない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様である。
特に明記されていない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様である。
本明細書で使用される場合、「第１の」および「第２の」などの関係用語、および「ａ」、「ｂ」などのような、番号を付したデバイスは、そのような対象物または要素間の物理的または論理的関係もしくは順序を必ずしも必要あるいは暗示することなく、１つの対象物または要素を別の対象物または要素と区別するためにのみ使用され得る。
「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、広範かつオープンエンド様式で使用され、したがって、「含むが、～に限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「例」および「例示的な」という用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用され、本発明の範囲を記述された事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的な」という用語は、デザイン、性能、またはその他の観点から、それが使用される表現に賞賛、有益、または他の品質を示すまたは授けると解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」および「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、または別の方法であるかに関わらず、いくつかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、または接続を通した直接接続もしくは間接接続のいずれかを意味することを意図する。
別の構成要素に対する最初の構成要素に関して使用されるときの「上（ｏｎ）」または「上（ｏｖｅｒ）」、ならびに／もしくは「被覆する（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」または別の構成要素を「被覆する（ｃｏｖｅｒｓ）」という用語は、最初の構成要素が他の構成要素上に直接ある（それと物理的に接触していることを含むがこれに限定されない）場面、ならびに１つ以上の介在する構成要素が最初の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場合を包含し得る。
量、比、および他の数値は、本明細書において範囲形式で提示される場合がある。そのような範囲形式は、便宜上、例示、および簡潔さのために使用され、範囲の制限として明示的に指定された数値だけでなく、その範囲内に包含されるすべての個々の数値および／または部分範囲を、各数値および／または部分範囲が明示的に指定されるのと同等に含むように柔軟に理解されるべきである。
「上向き」、「下向き」、「左」および「右」などの方向用語は、特記しない限り、参照される図面内の方向を指すために使用される。同様に、「内向き」および「外向き」などの単語は、それぞれ、デバイスの幾何中心、面積または体積、もしくはそれらの指示された一部に向かう方向、かつ離れる方向を指すために使用される。さらに、本明細書で説明するすべての寸法は、ある特定の実施形態を示す目的の例としてのみ意図されており、本開示の範囲を、指定され得るようなそのような寸法から逸脱し得る任意の実施形態に限定することを意図しない。
本明細書で使用する場合、「実質的に」、「実質的な」、「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」、および／または「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、小さい変動を示し、考慮するために使用される。事象または状況と組み合わせて使用する場合、そのような用語は、事象または状況が正確に発生する場合だけでなく、事象または状況が近似的に発生する場合も指す場合がある。非限定的な例として、数値と併せて使用されるとき、そのような用語は、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、および／または±０．０５％以下などの、そのような数値の±１０％以下の変動の範囲を指すことができる。
本明細書で使用される場合、「から実質的になる」という語句は、具体的に列挙されたこれらの要素、および説明する技術の基本的かつ新規の特徴に著しく影響を与えない任意の追加の要素を含むと理解されるが、任意の修飾語句を使用していない「からなる」という句は、具体的に説明していない任意の要素を除外する。
当業者によって理解されるように、特に書面による説明を提供するという観点から、ありとあらゆる目的のために、本明細書に開示されるすべての範囲は、ありとあらゆる可能な部分範囲およびその部分範囲の組み合わせも包含する。任意に列挙された範囲は、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含むがこれらに限定されない、同じ範囲を少なくともその等しい分数に分割することを十分に説明し、可能にするものとして簡単に認識することができる。非限定的な例として、本明細書で考察される各範囲は、下３分の１、中３分の１、および／または上３分の１などに容易に分割することができる。
また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい」、「未満」などのすべての言語および／または専門用語は、列挙された範囲を含む、および／またはそれ（それら）を指す場合があり、本明細書で考察されるように、その後部分範囲に分割することができる範囲も指す場合がある。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々の要素を含む。
概要
要約書の目的は、関連する特許庁または一般利用者、かつ具体的には特許または法的な用語もしくは言い回しに精通していない当業者が、大まかな検査、技術開示の性質から迅速に決定することを可能にするためである。要約は、本開示の範囲を画定することを意図するものでも、決して本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
要約書の目的は、関連する特許庁または一般利用者、かつ具体的には特許または法的な用語もしくは言い回しに精通していない当業者が、大まかな検査、技術開示の性質から迅速に決定することを可能にするためである。要約は、本開示の範囲を画定することを意図するものでも、決して本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
現在開示されている実施例の構造、製造、および使用は、上記で考察されている。考察された特定の実施例は、本明細書に開示された概念を作製および使用するための特定の方法の単なる例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記述された一般原則は、本開示の範囲の単なる例示であるとみなされる。
提供される実装形態の詳細ではなく特許請求の範囲によって説明し、変更、省略、追加、または置換することによって、かつ／あるいは代替物および／または均等物の機能的要素を有する任意の要素および／または限定の欠如によって修正することができる本開示は、本明細書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、当業者には明らかであり、本明細書に開示された実施例に対して行われ得、本開示から外れることなく、多種多様な具体的な文脈で具体化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供し得ることを理解されたい。
特に、上記の実施例のうちの１つ以上に説明および例示する特徴、技法、システム、サブシステム、および方法は、個別または別個のものとして説明しており、例示されているかどうかにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく、別のシステムと組み合わせる、またはそれと一体化して、明示的に上述されていない場合がある特徴部の組み合わせまたは部分組み合わせ、もしくは特定の機能が省略されている、または実装されていないある特定の特徴部から成る代替実施例を作成することができる。そのような組み合わせおよび部分組み合わせに好適な特徴部は、本出願全体を見直すと、当業者には容易に明らかになるであろう。変化、置換、および変更の他の例は、簡単に確認可能であり、本明細書に開示された趣旨および範囲から逸脱することなく行うことができる。
本開示の原理、態様、および実施例、ならびにそれらの具体例を列挙する本明細書のすべての記述は、それらの構造的均等物および機能的均等物の両方を包含し、技術におけるすべての好適な変化を網羅および包含することを意図している。追加的に、そのような均等物には、現在知られている均等物および将来開発される均等物の両方、すなわち、構造に関係なく同じ機能を実行する開発された任意の要素が含まれることが意図されている。
したがって、本明細書およびそこに開示された実施例は、例示のみであるとみなされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号が付された特許請求の範囲によって開示されている。
本開示のいくつかの態様または実施例は、それぞれのキャッピング層（ＣＰＬ）を堆積させるそれぞれの発光スペクトルを有する第１および第２の発光領域を有する光電子デバイスを提供することができ、この光学特性は、下にある発光領域の少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を修正するために選択され得る。ＣＰＬは、ＣＰＬにその後に堆積される導電性コーティングが実質的にないように、基部表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率よりも実質的に小さい、その表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率を有するパターニングコーティングを含み得る。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
複数の層を有する光電子デバイスであって、
第１のキャッピング層（ＣＰＬ）材料を含み、第１の発光領域内に配設された第１のＣＰＬであって、前記第１の発光領域が、第１の開始波長を特徴とする第１の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第１のＣＰＬと、
第２のＣＰＬ材料を含み、第２の発光領域内に配設された第２のＣＰＬであって、前記第２の発光領域が、第２の開始波長を特徴とする第２の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第２のＣＰＬと、を含み、
前記第１のＣＰＬおよび前記第１のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）１）のうちの少なくとも１つが、前記第１の開始波長よりも短い第１の吸収端波長での第１の吸収端を示し、
前記第２のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）２）のうちの少なくとも１つが、前記第２の開始波長よりも短い第２の吸収端波長での第２の吸収端を示す、光電子デバイス。
（項目２）
前記第１の開始波長が、前記第２の開始波長よりも短い、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目３）
前記第１の吸収端波長が、前記第２の吸収端波長よりも短い、項目１または２に記載の光電子デバイス。
（項目４）
前記第１の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）１）の吸光係数が閾値に等しい第１の吸光波長を特徴とし、前記第２の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数が前記閾値に等しい第２の吸光波長を特徴とする、項目１～３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５）
前記第１の開始波長が、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、約５ｎｍ、および約３ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第１の吸収端波長よりも長い、項目４に記載の光電子デバイス。
（項目６）
前記第１の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、項目４または５に記載の光電子デバイス。
（項目７）
波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数の一次導関数が、前記第１の吸光波長で負である、項目４～６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目８）
前記第１の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目９）
前記第１の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１０）
前記第１の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１）
前記第１の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、項目４～１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１２）
前記第１の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、前記第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、項目４～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３）
前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、項目４～１２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４）
前記第２の開始波長が、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第２の吸収端波長よりも長い、項目４～１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５）
前記第２の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、項目４～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１６）
波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数の一次導関数が、前記第２の吸光波長で負である、項目４～１５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１７）
前記第２の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～１６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１８）
前記第２の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～１７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１９）
前記第２の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～１８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２０）
前記第２の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、項目４～１９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２１）
前記第２の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、前記第２の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、項目４～２０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２２）
前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、項目４～２１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２３）
前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記第２の開始波長で前記閾値よりも小さい、項目４～２２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２４）
前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記第２の波長スペクトルにおけるすべての波長で前記閾値よりも小さい、項目４～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２５）
前記第２の波長スペクトルにおける任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～２４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２６）
前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、項目４～２５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２７）
前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率を超える、項目４～２６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２８）
前記第２の波長スペクトルの少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～２７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２９）
前記第１の波長スペクトルの少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～２８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３０）
前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数を超える、項目４～２９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３１）
前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記第１の波長スペクトルにおけるあらゆる波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数を超える、項目４～３０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３２）
前記閾値が、０．１、０．０９、０．０８、０．０６、０．０５、０．０３、０．０１、０．００５、および０．００１のうちの少なくとも１つである、項目４～３１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３３）
前記第１の発光領域および前記第２の発光領域が、横側面における前記デバイスの異なる領域を占領する、項目１～３２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３４）
前記第１の波長スペクトルおよび前記第２の波長範囲が、可視スペクトルに位置する、項目１～３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３５）
前記第１の波長スペクトルが、第１のピーク波長を有し、前記第２の波長スペクトルが、前記第１のピーク波長よりも長い第２のピーク波長を有する、項目１～３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３６）
前記第１の開始波長が、前記第１の波長スペクトルの強度が前記第１のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．１％のうち少なくとも１つである少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長である、項目３５に記載の光電子デバイス。
（項目３７）
前記第２の開始波長が、前記第２の波長スペクトルの強度が前記第２のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．１％のうち少なくとも１つである少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長である、項目３５または３６に記載の光電子デバイス。
（項目３８）
前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応している、項目１～３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３９）
前記第２の波長スペクトルが、Ｒ（赤）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応している、項目１～３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４０）
前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｇ（緑）およびＲ（赤）のうちの少なくとも１つである色に対応している、項目１～３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４１）
前記第１の波長スペクトルが、Ｇ（緑）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｒ（赤）である色に対応している、項目１～４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４２）
前記第１のＣＰＬ材料が、前記第２のＣＰＬ材料とは異なる組成を有する、項目１～４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４３）
前記第１のＣＰＬの厚さが、前記第２のＣＰＬの厚さと同じである、項目１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４４）
前記第１のＣＰＬの厚さが、前記第２のＣＰＬの厚さとは異なる、項目１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４５）
前記第１のＣＰＬの厚さが、約５ｎｍ～約１２０ｎｍの範囲にある、項目１～４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４６）
前記第１のＣＰＬの厚さが、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、項目１～４５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４７）
前記第１のＣＰＬの厚さが、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１～４６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４８）
前記第２のＣＰＬの厚さが、約５ｎｍ～約１２０ｎｍの範囲にある、項目１～４７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４９）
前記第２のＣＰＬの厚さが、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、項目１～４８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５０）
前記第２のＣＰＬの厚さが、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１～４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５１）
前記第１の発光領域および前記第２の発光領域内に少なくとも１つの電極コーティングをさらに含む、項目１～５０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５２）
前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設されている、項目１～５１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５３）
前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設されている、項目５２に記載の光電子デバイス。
（項目５４）
前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記第１の発光領域内に第１の電極厚さを有する、項目５２または５３に記載の光電子デバイス。
（項目５５）
前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記第２の発光領域内に第２の電極厚さを有する、項目５４に記載の光電子デバイス。
（項目５６）
前記第１の電極厚さが、前記第２の電極厚さよりも小さい、項目５５に記載の光電子デバイス。
（項目５７）
前記第１の電極厚さを前記第２の電極厚さで除算したものの商が、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目５６に記載の光電子デバイス。
（項目５８）
前記第１の電極厚さが、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目５６または５７に記載の光電子デバイス。
（項目５９）
前記第２の電極厚さが、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目５６～５８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６０）
前記第２の電極厚さが、前記第１の電極厚さよりも小さい、項目５５に記載の光電子デバイス。
（項目６１）
前記第２の電極厚さを前記第１の電極厚さで除算したものの商が、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの約少なくとも１つよりも小さい、項目６０に記載の光電子デバイス。
（項目６２）
前記第１の電極厚さが、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目６０または６１に記載の光電子デバイス。
（項目６３）
前記第２の電極厚さが、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目６０～６２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６４）
前記少なくとも１つの電極コーティングが、金属コーティング、および前記金属コーティングの露出層表面上に配設された導電性コーティングを含む、項目５２～６３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６５）
前記導電性コーティングが、前記金属コーティングと、前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目６４に記載の光電子デバイス。
（項目６６）
前記第１のＣＰＬが、前記第１の発光領域内の前記金属コーティングの露出層表面上に配設されている、項目６５に記載の光電子デバイス。
（項目６７）
前記導電性コーティングが、前記金属コーティングと、前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、項目６４に記載の光電子デバイス。
（項目６８）
前記金属コーティングが、金属コーティング材料で構成されている、項目６４～６７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６９）
前記金属コーティング材料が、少なくとも１０ｋＪ／モル、少なくとも５０ｋＪ／モル、少なくとも１００ｋＪ／モル、少なくとも１５０ｋＪ／モル、少なくとも１８０ｋＪ／モル、および少なくとも２００ｋＪ／モルのうちの少なくとも１つの、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含む、項目６８に記載の光電子デバイス。
（項目７０）
前記金属コーティング材料が、約１．４、約１．３、および／または約１．２のうちの少なくとも１つよりも小さい電気陰性度を有する元素を含む、項目６８または６９に記載の光電子デバイス。
（項目７１）
前記金属コーティング材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、項目６８～７０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目７２）
前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのうちのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７３）
前記元素が、Ｃｕである、項目７１に記載のデバイス。
（項目７４）
前記元素が、Ａｌである、項目７１に記載のデバイス。
（項目７５）
前記元素が、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７６）
前記元素が、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７７）
前記元素が、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７８）
前記元素が、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７９）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目８０）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目８１）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目８２）
前記元素が、Ａｇである、項目７１に記載のデバイス。
（項目８３）
前記金属コーティング材料が、純粋な金属を含む、項目６８～８２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目８４）
前記純粋な金属が、純粋な銀（Ａｇ）および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つである、項目８３に記載のデバイス。
（項目８５）
前記純粋な金属が、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つである、項目８３に記載のデバイス。
（項目８６）
前記純粋な金属が、純粋なアルミニウム（Ａｌ）および実質的に純粋なＡｌのうちの少なくとも１つである、項目８３に記載のデバイス。
（項目８７）
前記金属コーティング材料が、合金を含む、項目６９～８６のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目８８）
前記合金が、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つである、項目８７に記載のデバイス。
（項目８９）
前記金属コーティング材料が、酸素（Ｏ）を含む、項目６８～８８のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９０）
前記金属コーティング材料が、Ｏおよび少なくとも１つの金属を含む、項目８９に記載のデバイス。
（項目９１）
前記金属コーティング材料が、金属酸化物を含む、項目８９または９０に記載のデバイス。
（項目９２）
前記金属酸化物が、亜鉛（Ｚ）、インジウム（Ｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目９１に記載のデバイス。
（項目９３）
前記金属酸化物が、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）である、項目９２に記載のデバイス。
（項目９４）
前記ＴＣＯが、インジウムチタン酸化物（ＩＴＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つである、項目９３に記載のデバイス。
（項目９５）
前記金属コーティングが、前記金属コーティング材料の複数の層を含む、項目６８～９４のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９６）
前記複数の層のうちの第１の層の前記金属コーティング材料が、前記複数の層のうちの第２の層の前記金属コーティング材料とは異なる、項目９５に記載のデバイス。
（項目９７）
前記複数の層のうちの少なくとも１つの前記金属コーティング材料が、イッテルビウム（Ｙｂ）を含む、項目９５または９６に記載のデバイス。
（項目９８）
前記複数の層のうちの別の層の前記金属コーティング材料が、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つを含む、項目９７に記載のデバイス。
（項目９９）
前記複数の層のうちの別の層の前記金属コーティング材料が、純粋な銀（Ａｇ）、実質的に純粋なＡｇ、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、実質的に純粋なＭｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、項目９８に記載のデバイス。
（項目１００）
ＮＩＣの近位にある前記複数の層のうちの１つの前記金属コーティング材料が、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、項目９８に記載のデバイス。
（項目１０１）
前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０２）
前記元素が、Ｃｕである、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０３）
前記元素が、Ａｌである、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０４）
前記元素が、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０５）
前記元素が、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０６）
前記元素が、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０７）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０８）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０９）
前記元素が、Ａｇである、項目１００に記載のデバイス。
（項目１１０）
前記複数の層のうちの少なくとも１つが、約４ｅＶ未満である仕事関数を有する金属を含む、項目９５～１０９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１１１）
前記導電性コーティングが、導電性コーティング材料で構成されている、項目６４～１１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１２）
前記導電性コーティング材料が、３００ｋＪ／モル未満、２００ｋＪ／モル未満、１６５ｋＪ／モル未満、１５０ｋＪ／モル未満、１００ｋＪ／モル未満、５０ｋＪ／モル未満、および２０ｋＪ／モル未満の、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含む、項目１１１に記載のデバイス。
（項目１１３）
前記導電性コーティング材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、イットリウム（Ｙ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、項目１１１または１１２に記載のデバイス。
（項目１１４）
前記元素が、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１５）
前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１６）
前記元素が、Ｃｕである、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１７）
前記元素が、Ａｌである、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１８）
前記元素が、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１９）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２０）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２１）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２２）
前記元素が、Ａｇである、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２３）
前記導電性コーティング材料が、純粋な金属を含む、項目１１１～１２２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１２４）
前記純粋な金属が、純粋な銀（Ａｇ）、および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つである、項目１２３に記載のデバイス。
（項目１２５）
前記実質的に純粋なＡｇが、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、項目１２４に記載のデバイス。
（項目１２６）
前記純粋な金属が、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つである、項目１２３に記載のデバイス。
（項目１２７）
前記実質的に純粋なＭｇが、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、項目１２６に記載のデバイス。
（項目１２８）
前記導電性コーティング材料が、合金を含む、項目１１１～１２７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１２９）
前記合金が、銀（Ａｇ）含有合金、マグネシウム（Ｍｇ）含有合金、およびＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つである、項目１２８に記載のデバイス。
（項目１３０）
前記導電性コーティング材料が、非金属元素を含む、項目１１１～１２９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１３１）
前記非金属元素が、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つから選択される、項目１３０に記載のデバイス。
（項目１３２）
前記導電性コーティング材料中の前記非金属元素の濃度が、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および約０．００００００１％のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１３０または１３１に記載のデバイス。
（項目１３３）
半導電性層をさらに含み、前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記半導電性層と前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間、および前記半導電性層と前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目５２～１３２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３４）
前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが、前記導電性コーティングをパターン化するための核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を含む、項目１３３に記載の光電子デバイス。
（項目１３５）
前記第２のＣＰＬが、前記第１の発光領域内に配設されている、項目５２～１３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３６）
前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第１の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目１３５に記載の光電子デバイス。
（項目１３７）
前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、項目１３５または１３６に記載の光電子デバイス。
（項目１３８）
前記第１のＣＰＬが、前記第２の発光領域内に配設されている、項目５２～１３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３９）
前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目１３８に記載の光電子デバイス。
（項目１４０）
前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第２の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、項目１３８または１３９に記載の光電子デバイス。
（項目１４１）
第３の開始波長を特徴とする第３の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成された第３の発光領域をさらに含む、項目１～１４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４２）
前記第３の波長スペクトルが、前記第２の波長スペクトルの第２のピーク波長よりも短く、前記第１の波長スペクトルの第１のピーク波長よりも長い第３のピーク波長を有する、項目１４１に記載の光電子デバイス。
（項目１４３）
前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｇ（緑）である色に対応し、前記第３の波長スペクトルが、Ｒ（赤）である色に対応する、項目１４３または１４４に記載の光電子デバイス。
（項目１４４）
前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが、前記第３の発光領域内に配設されている、項目１３５～１４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４５）
第３のＣＰＬが、前記第３の発光領域内に配設されている、項目１３５～１４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４６）
前記第３のＣＰＬおよび前記第３のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）３）のうちの少なくとも１つが、前記第３の開始波長よりも短い第３の吸収端波長での第３の吸収端を示す、項目１４５に記載の光電子デバイス。
（項目１４７）
前記第３の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数が閾値に等しい第３の吸光波長を特徴とする、項目１４６に記載の光電子デバイス。
（項目１４８）
前記第３の開始波長が、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第３の吸収端波長よりも長い、項目１４６または１４７に記載の光電子デバイス。
（項目１４９）
前記第３の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、項目１４７または１４８に記載の光電子デバイス。
（項目１５０）
波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数の一次導関数が、前記第３の吸光波長で負である、項目１４７～１４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５１）
前記第３の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目１４７～１５０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５２）
前記第３の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目１４７～１５１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５３）
前記第３の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１４７～１５２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５４）
前記第１の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、項目１４６～１５３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５５）
前記第３の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率が、前記第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率を超える、項目１４６～１５４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５６）
前記第３の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、項目１４６～１５５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５７）
前記第３の発光領域には、前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが実質的にない、項目１４１～１５６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
複数の層を有する光電子デバイスであって、
第１のキャッピング層（ＣＰＬ）材料を含み、第１の発光領域内に配設された第１のＣＰＬであって、前記第１の発光領域が、第１の開始波長を特徴とする第１の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第１のＣＰＬと、
第２のＣＰＬ材料を含み、第２の発光領域内に配設された第２のＣＰＬであって、前記第２の発光領域が、第２の開始波長を特徴とする第２の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第２のＣＰＬと、を含み、
前記第１のＣＰＬおよび前記第１のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）１）のうちの少なくとも１つが、前記第１の開始波長よりも短い第１の吸収端波長での第１の吸収端を示し、
前記第２のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）２）のうちの少なくとも１つが、前記第２の開始波長よりも短い第２の吸収端波長での第２の吸収端を示す、光電子デバイス。
（項目２）
前記第１の開始波長が、前記第２の開始波長よりも短い、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目３）
前記第１の吸収端波長が、前記第２の吸収端波長よりも短い、項目１または２に記載の光電子デバイス。
（項目４）
前記第１の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）１）の吸光係数が閾値に等しい第１の吸光波長を特徴とし、前記第２の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数が前記閾値に等しい第２の吸光波長を特徴とする、項目１～３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５）
前記第１の開始波長が、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、約５ｎｍ、および約３ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第１の吸収端波長よりも長い、項目４に記載の光電子デバイス。
（項目６）
前記第１の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、項目４または５に記載の光電子デバイス。
（項目７）
波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数の一次導関数が、前記第１の吸光波長で負である、項目４～６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目８）
前記第１の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目９）
前記第１の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１０）
前記第１の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１）
前記第１の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、項目４～１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１２）
前記第１の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、前記第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、項目４～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３）
前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、項目４～１２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４）
前記第２の開始波長が、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第２の吸収端波長よりも長い、項目４～１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５）
前記第２の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、項目４～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１６）
波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数の一次導関数が、前記第２の吸光波長で負である、項目４～１５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１７）
前記第２の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～１６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１８）
前記第２の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目４～１７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１９）
前記第２の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～１８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２０）
前記第２の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、項目４～１９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２１）
前記第２の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、前記第２の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、項目４～２０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２２）
前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、項目４～２１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２３）
前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記第２の開始波長で前記閾値よりも小さい、項目４～２２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２４）
前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記第２の波長スペクトルにおけるすべての波長で前記閾値よりも小さい、項目４～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２５）
前記第２の波長スペクトルにおける任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～２４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２６）
前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、項目４～２５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２７）
前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率を超える、項目４～２６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２８）
前記第２の波長スペクトルの少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～２７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２９）
前記第１の波長スペクトルの少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４～２８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３０）
前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数を超える、項目４～２９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３１）
前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記第１の波長スペクトルにおけるあらゆる波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数を超える、項目４～３０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３２）
前記閾値が、０．１、０．０９、０．０８、０．０６、０．０５、０．０３、０．０１、０．００５、および０．００１のうちの少なくとも１つである、項目４～３１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３３）
前記第１の発光領域および前記第２の発光領域が、横側面における前記デバイスの異なる領域を占領する、項目１～３２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３４）
前記第１の波長スペクトルおよび前記第２の波長範囲が、可視スペクトルに位置する、項目１～３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３５）
前記第１の波長スペクトルが、第１のピーク波長を有し、前記第２の波長スペクトルが、前記第１のピーク波長よりも長い第２のピーク波長を有する、項目１～３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３６）
前記第１の開始波長が、前記第１の波長スペクトルの強度が前記第１のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．１％のうち少なくとも１つである少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長である、項目３５に記載の光電子デバイス。
（項目３７）
前記第２の開始波長が、前記第２の波長スペクトルの強度が前記第２のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．１％のうち少なくとも１つである少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長である、項目３５または３６に記載の光電子デバイス。
（項目３８）
前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応している、項目１～３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３９）
前記第２の波長スペクトルが、Ｒ（赤）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応している、項目１～３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４０）
前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｇ（緑）およびＲ（赤）のうちの少なくとも１つである色に対応している、項目１～３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４１）
前記第１の波長スペクトルが、Ｇ（緑）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｒ（赤）である色に対応している、項目１～４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４２）
前記第１のＣＰＬ材料が、前記第２のＣＰＬ材料とは異なる組成を有する、項目１～４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４３）
前記第１のＣＰＬの厚さが、前記第２のＣＰＬの厚さと同じである、項目１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４４）
前記第１のＣＰＬの厚さが、前記第２のＣＰＬの厚さとは異なる、項目１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４５）
前記第１のＣＰＬの厚さが、約５ｎｍ～約１２０ｎｍの範囲にある、項目１～４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４６）
前記第１のＣＰＬの厚さが、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、項目１～４５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４７）
前記第１のＣＰＬの厚さが、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１～４６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４８）
前記第２のＣＰＬの厚さが、約５ｎｍ～約１２０ｎｍの範囲にある、項目１～４７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４９）
前記第２のＣＰＬの厚さが、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、項目１～４８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５０）
前記第２のＣＰＬの厚さが、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１～４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５１）
前記第１の発光領域および前記第２の発光領域内に少なくとも１つの電極コーティングをさらに含む、項目１～５０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５２）
前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設されている、項目１～５１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５３）
前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設されている、項目５２に記載の光電子デバイス。
（項目５４）
前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記第１の発光領域内に第１の電極厚さを有する、項目５２または５３に記載の光電子デバイス。
（項目５５）
前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記第２の発光領域内に第２の電極厚さを有する、項目５４に記載の光電子デバイス。
（項目５６）
前記第１の電極厚さが、前記第２の電極厚さよりも小さい、項目５５に記載の光電子デバイス。
（項目５７）
前記第１の電極厚さを前記第２の電極厚さで除算したものの商が、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目５６に記載の光電子デバイス。
（項目５８）
前記第１の電極厚さが、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目５６または５７に記載の光電子デバイス。
（項目５９）
前記第２の電極厚さが、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目５６～５８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６０）
前記第２の電極厚さが、前記第１の電極厚さよりも小さい、項目５５に記載の光電子デバイス。
（項目６１）
前記第２の電極厚さを前記第１の電極厚さで除算したものの商が、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの約少なくとも１つよりも小さい、項目６０に記載の光電子デバイス。
（項目６２）
前記第１の電極厚さが、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目６０または６１に記載の光電子デバイス。
（項目６３）
前記第２の電極厚さが、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、項目６０～６２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６４）
前記少なくとも１つの電極コーティングが、金属コーティング、および前記金属コーティングの露出層表面上に配設された導電性コーティングを含む、項目５２～６３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６５）
前記導電性コーティングが、前記金属コーティングと、前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目６４に記載の光電子デバイス。
（項目６６）
前記第１のＣＰＬが、前記第１の発光領域内の前記金属コーティングの露出層表面上に配設されている、項目６５に記載の光電子デバイス。
（項目６７）
前記導電性コーティングが、前記金属コーティングと、前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、項目６４に記載の光電子デバイス。
（項目６８）
前記金属コーティングが、金属コーティング材料で構成されている、項目６４～６７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６９）
前記金属コーティング材料が、少なくとも１０ｋＪ／モル、少なくとも５０ｋＪ／モル、少なくとも１００ｋＪ／モル、少なくとも１５０ｋＪ／モル、少なくとも１８０ｋＪ／モル、および少なくとも２００ｋＪ／モルのうちの少なくとも１つの、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含む、項目６８に記載の光電子デバイス。
（項目７０）
前記金属コーティング材料が、約１．４、約１．３、および／または約１．２のうちの少なくとも１つよりも小さい電気陰性度を有する元素を含む、項目６８または６９に記載の光電子デバイス。
（項目７１）
前記金属コーティング材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、項目６８～７０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目７２）
前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのうちのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７３）
前記元素が、Ｃｕである、項目７１に記載のデバイス。
（項目７４）
前記元素が、Ａｌである、項目７１に記載のデバイス。
（項目７５）
前記元素が、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７６）
前記元素が、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７７）
前記元素が、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７８）
前記元素が、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目７９）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目８０）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目８１）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目７１に記載のデバイス。
（項目８２）
前記元素が、Ａｇである、項目７１に記載のデバイス。
（項目８３）
前記金属コーティング材料が、純粋な金属を含む、項目６８～８２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目８４）
前記純粋な金属が、純粋な銀（Ａｇ）および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つである、項目８３に記載のデバイス。
（項目８５）
前記純粋な金属が、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つである、項目８３に記載のデバイス。
（項目８６）
前記純粋な金属が、純粋なアルミニウム（Ａｌ）および実質的に純粋なＡｌのうちの少なくとも１つである、項目８３に記載のデバイス。
（項目８７）
前記金属コーティング材料が、合金を含む、項目６９～８６のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目８８）
前記合金が、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つである、項目８７に記載のデバイス。
（項目８９）
前記金属コーティング材料が、酸素（Ｏ）を含む、項目６８～８８のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９０）
前記金属コーティング材料が、Ｏおよび少なくとも１つの金属を含む、項目８９に記載のデバイス。
（項目９１）
前記金属コーティング材料が、金属酸化物を含む、項目８９または９０に記載のデバイス。
（項目９２）
前記金属酸化物が、亜鉛（Ｚ）、インジウム（Ｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目９１に記載のデバイス。
（項目９３）
前記金属酸化物が、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）である、項目９２に記載のデバイス。
（項目９４）
前記ＴＣＯが、インジウムチタン酸化物（ＩＴＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つである、項目９３に記載のデバイス。
（項目９５）
前記金属コーティングが、前記金属コーティング材料の複数の層を含む、項目６８～９４のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９６）
前記複数の層のうちの第１の層の前記金属コーティング材料が、前記複数の層のうちの第２の層の前記金属コーティング材料とは異なる、項目９５に記載のデバイス。
（項目９７）
前記複数の層のうちの少なくとも１つの前記金属コーティング材料が、イッテルビウム（Ｙｂ）を含む、項目９５または９６に記載のデバイス。
（項目９８）
前記複数の層のうちの別の層の前記金属コーティング材料が、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つを含む、項目９７に記載のデバイス。
（項目９９）
前記複数の層のうちの別の層の前記金属コーティング材料が、純粋な銀（Ａｇ）、実質的に純粋なＡｇ、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、実質的に純粋なＭｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、項目９８に記載のデバイス。
（項目１００）
ＮＩＣの近位にある前記複数の層のうちの１つの前記金属コーティング材料が、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、項目９８に記載のデバイス。
（項目１０１）
前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０２）
前記元素が、Ｃｕである、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０３）
前記元素が、Ａｌである、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０４）
前記元素が、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０５）
前記元素が、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０６）
前記元素が、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０７）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０８）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、項目１００に記載のデバイス。
（項目１０９）
前記元素が、Ａｇである、項目１００に記載のデバイス。
（項目１１０）
前記複数の層のうちの少なくとも１つが、約４ｅＶ未満である仕事関数を有する金属を含む、項目９５～１０９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１１１）
前記導電性コーティングが、導電性コーティング材料で構成されている、項目６４～１１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１２）
前記導電性コーティング材料が、３００ｋＪ／モル未満、２００ｋＪ／モル未満、１６５ｋＪ／モル未満、１５０ｋＪ／モル未満、１００ｋＪ／モル未満、５０ｋＪ／モル未満、および２０ｋＪ／モル未満の、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含む、項目１１１に記載のデバイス。
（項目１１３）
前記導電性コーティング材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、イットリウム（Ｙ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、項目１１１または１１２に記載のデバイス。
（項目１１４）
前記元素が、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１５）
前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１６）
前記元素が、Ｃｕである、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１７）
前記元素が、Ａｌである、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１８）
前記元素が、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１１９）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２０）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２１）
前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２２）
前記元素が、Ａｇである、項目１１３に記載のデバイス。
（項目１２３）
前記導電性コーティング材料が、純粋な金属を含む、項目１１１～１２２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１２４）
前記純粋な金属が、純粋な銀（Ａｇ）、および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つである、項目１２３に記載のデバイス。
（項目１２５）
前記実質的に純粋なＡｇが、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、項目１２４に記載のデバイス。
（項目１２６）
前記純粋な金属が、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つである、項目１２３に記載のデバイス。
（項目１２７）
前記実質的に純粋なＭｇが、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、項目１２６に記載のデバイス。
（項目１２８）
前記導電性コーティング材料が、合金を含む、項目１１１～１２７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１２９）
前記合金が、銀（Ａｇ）含有合金、マグネシウム（Ｍｇ）含有合金、およびＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つである、項目１２８に記載のデバイス。
（項目１３０）
前記導電性コーティング材料が、非金属元素を含む、項目１１１～１２９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１３１）
前記非金属元素が、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つから選択される、項目１３０に記載のデバイス。
（項目１３２）
前記導電性コーティング材料中の前記非金属元素の濃度が、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および約０．００００００１％のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１３０または１３１に記載のデバイス。
（項目１３３）
半導電性層をさらに含み、前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記半導電性層と前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間、および前記半導電性層と前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目５２～１３２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３４）
前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが、前記導電性コーティングをパターン化するための核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を含む、項目１３３に記載の光電子デバイス。
（項目１３５）
前記第２のＣＰＬが、前記第１の発光領域内に配設されている、項目５２～１３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３６）
前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第１の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目１３５に記載の光電子デバイス。
（項目１３７）
前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、項目１３５または１３６に記載の光電子デバイス。
（項目１３８）
前記第１のＣＰＬが、前記第２の発光領域内に配設されている、項目５２～１３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３９）
前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、項目１３８に記載の光電子デバイス。
（項目１４０）
前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第２の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、項目１３８または１３９に記載の光電子デバイス。
（項目１４１）
第３の開始波長を特徴とする第３の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成された第３の発光領域をさらに含む、項目１～１４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４２）
前記第３の波長スペクトルが、前記第２の波長スペクトルの第２のピーク波長よりも短く、前記第１の波長スペクトルの第１のピーク波長よりも長い第３のピーク波長を有する、項目１４１に記載の光電子デバイス。
（項目１４３）
前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｇ（緑）である色に対応し、前記第３の波長スペクトルが、Ｒ（赤）である色に対応する、項目１４３または１４４に記載の光電子デバイス。
（項目１４４）
前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが、前記第３の発光領域内に配設されている、項目１３５～１４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４５）
第３のＣＰＬが、前記第３の発光領域内に配設されている、項目１３５～１４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４６）
前記第３のＣＰＬおよび前記第３のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）３）のうちの少なくとも１つが、前記第３の開始波長よりも短い第３の吸収端波長での第３の吸収端を示す、項目１４５に記載の光電子デバイス。
（項目１４７）
前記第３の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数が閾値に等しい第３の吸光波長を特徴とする、項目１４６に記載の光電子デバイス。
（項目１４８）
前記第３の開始波長が、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第３の吸収端波長よりも長い、項目１４６または１４７に記載の光電子デバイス。
（項目１４９）
前記第３の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、項目１４７または１４８に記載の光電子デバイス。
（項目１５０）
波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数の一次導関数が、前記第３の吸光波長で負である、項目１４７～１４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５１）
前記第３の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目１４７～１５０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５２）
前記第３の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、項目１４７～１５１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５３）
前記第３の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１４７～１５２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５４）
前記第１の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、項目１４６～１５３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５５）
前記第３の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率が、前記第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率を超える、項目１４６～１５４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５６）
前記第３の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、項目１４６～１５５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５７）
前記第３の発光領域には、前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが実質的にない、項目１４１～１５６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
Claims (157)
- 複数の層を有する光電子デバイスであって、
第１のキャッピング層（ＣＰＬ）材料を含み、第１の発光領域内に配設された第１のＣＰＬであって、前記第１の発光領域が、第１の開始波長を特徴とする第１の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第１のＣＰＬと、
第２のＣＰＬ材料を含み、第２の発光領域内に配設された第２のＣＰＬであって、前記第２の発光領域が、第２の開始波長を特徴とする第２の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成されている、第２のＣＰＬと、を含み、
前記第１のＣＰＬおよび前記第１のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）１）のうちの少なくとも１つが、前記第１の開始波長よりも短い第１の吸収端波長での第１の吸収端を示し、
前記第２のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）２）のうちの少なくとも１つが、前記第２の開始波長よりも短い第２の吸収端波長での第２の吸収端を示す、光電子デバイス。 - 前記第１の開始波長が、前記第２の開始波長よりも短い、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸収端波長が、前記第２の吸収端波長よりも短い、請求項１または２に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）１）の吸光係数が閾値に等しい第１の吸光波長を特徴とし、前記第２の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）２の吸光係数が前記閾値に等しい第２の吸光波長を特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の開始波長が、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、約５ｎｍ、および約３ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第１の吸収端波長よりも長い、請求項４に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、請求項４または５に記載の光電子デバイス。
- 波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数の一次導関数が、前記第１の吸光波長で負である、請求項４～６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、請求項４～７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、請求項４～８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項４～９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、請求項４～１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、前記第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、請求項４～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、請求項４～１２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の開始波長が、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第２の吸収端波長よりも長い、請求項４～１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、請求項４～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数の一次導関数が、前記第２の吸光波長で負である、請求項４～１５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、請求項４～１６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、請求項４～１７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項４～１８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、請求項４～１９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、前記第２の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、請求項４～２０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、請求項４～２１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記第２の開始波長で前記閾値よりも小さい、請求項４～２２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、前記第２の波長スペクトルにおけるすべての波長で前記閾値よりも小さい、請求項４～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の波長スペクトルにおける任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項４～２４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率を超える、請求項４～２５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率を超える、請求項４～２６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の波長スペクトルの少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の屈折率が、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項４～２７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルの少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）２の屈折率が、約１．８、約１．７、約１．６５、約１．６、約１．５、約１．４５、約１．４、および約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項４～２８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記第１の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数を超える、請求項４～２９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記ＣＰＬ（ｍ）２の前記吸光係数が、前記第１の波長スペクトルにおけるあらゆる波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）１の前記吸光係数を超える、請求項４～３０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記閾値が、０．１、０．０９、０．０８、０．０６、０．０５、０．０３、０．０１、０．００５、および０．００１のうちの少なくとも１つである、請求項４～３１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の発光領域および前記第２の発光領域が、横側面における前記デバイスの異なる領域を占領する、請求項１～３２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルおよび前記第２の波長範囲が、可視スペクトルに位置する、請求項１～３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルが、第１のピーク波長を有し、前記第２の波長スペクトルが、前記第１のピーク波長よりも長い第２のピーク波長を有する、請求項１～３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の開始波長が、前記第１の波長スペクトルの強度が前記第１のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．１％のうち少なくとも１つである少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長である、請求項３５に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の開始波長が、前記第２の波長スペクトルの強度が前記第２のピーク波長での強度の約２０％、約１５％、約１０％、約５％、約３％、約１％、および約０．１％のうち少なくとも１つである少なくとも１つの波長のうちの最も短い波長である、請求項３５または３６に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応している、請求項１～３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の波長スペクトルが、Ｒ（赤）およびＧ（緑）のうちの少なくとも１つである色に対応している、請求項１～３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｇ（緑）およびＲ（赤）のうちの少なくとも１つである色に対応している、請求項１～３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルが、Ｇ（緑）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｒ（赤）である色に対応している、請求項１～４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬ材料が、前記第２のＣＰＬ材料とは異なる組成を有する、請求項１～４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬの厚さが、前記第２のＣＰＬの厚さと同じである、請求項１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬの厚さが、前記第２のＣＰＬの厚さとは異なる、請求項１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬの厚さが、約５ｎｍ～約１２０ｎｍの範囲にある、請求項１～４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬの厚さが、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、請求項１～４５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬの厚さが、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項１～４６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２のＣＰＬの厚さが、約５ｎｍ～約１２０ｎｍの範囲にある、請求項１～４７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２のＣＰＬの厚さが、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、および約４０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、請求項１～４８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２のＣＰＬの厚さが、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、および約７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項１～４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の発光領域および前記第２の発光領域内に少なくとも１つの電極コーティングをさらに含む、請求項１～５０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設されている、請求項１～５１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングの露出層表面上に配設されている、請求項５２に記載の光電子デバイス。
- 前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記第１の発光領域内に第１の電極厚さを有する、請求項５２または５３に記載の光電子デバイス。
- 前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記第２の発光領域内に第２の電極厚さを有する、請求項５４に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の電極厚さが、前記第２の電極厚さよりも小さい、請求項５５に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の電極厚さを前記第２の電極厚さで除算したものの商が、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項５６に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の電極厚さが、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、請求項５６または５７に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の電極厚さが、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、請求項５６～５８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の電極厚さが、前記第１の電極厚さよりも小さい、請求項５５に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の電極厚さを前記第１の電極厚さで除算したものの商が、約０．９、約０．８、約０．７、約０．６、約０．５、約０．４、約０．３、および約０．２のうちの約少なくとも１つよりも小さい、請求項６０に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の電極厚さが、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３５ｎｍ、および約２０ｎｍ～約３５ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、請求項６０または６１に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の電極厚さが、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１５ｎｍ、約８ｎｍ～約１２ｎｍ、および約８ｎｍ～約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである範囲にある、請求項６０～６２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記少なくとも１つの電極コーティングが、金属コーティング、および前記金属コーティングの露出層表面上に配設された導電性コーティングを含む、請求項５２～６３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記金属コーティングと、前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、請求項６４に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬが、前記第１の発光領域内の前記金属コーティングの露出層表面上に配設されている、請求項６５に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記金属コーティングと、前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、請求項６４に記載の光電子デバイス。
- 前記金属コーティングが、金属コーティング材料で構成されている、請求項６４～６７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記金属コーティング材料が、少なくとも１０ｋＪ／モル、少なくとも５０ｋＪ／モル、少なくとも１００ｋＪ／モル、少なくとも１５０ｋＪ／モル、少なくとも１８０ｋＪ／モル、および少なくとも２００ｋＪ／モルのうちの少なくとも１つの、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含む、請求項６８に記載の光電子デバイス。
- 前記金属コーティング材料が、約１．４、約１．３、および／または約１．２のうちの少なくとも１つよりも小さい電気陰性度を有する元素を含む、請求項６８または６９に記載の光電子デバイス。
- 前記金属コーティング材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、請求項６８～７０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのうちのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｃｕである、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ａｌである、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ａｇである、請求項７１に記載のデバイス。
- 前記金属コーティング材料が、純粋な金属を含む、請求項６８～８２のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記純粋な金属が、純粋な銀（Ａｇ）および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つである、請求項８３に記載のデバイス。
- 前記純粋な金属が、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つである、請求項８３に記載のデバイス。
- 前記純粋な金属が、純粋なアルミニウム（Ａｌ）および実質的に純粋なＡｌのうちの少なくとも１つである、請求項８３に記載のデバイス。
- 前記金属コーティング材料が、合金を含む、請求項６９～８６のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記合金が、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つである、請求項８７に記載のデバイス。
- 前記金属コーティング材料が、酸素（Ｏ）を含む、請求項６８～８８のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記金属コーティング材料が、Ｏおよび少なくとも１つの金属を含む、請求項８９に記載のデバイス。
- 前記金属コーティング材料が、金属酸化物を含む、請求項８９または９０に記載のデバイス。
- 前記金属酸化物が、亜鉛（Ｚ）、インジウム（Ｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、請求項９１に記載のデバイス。
- 前記金属酸化物が、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）である、請求項９２に記載のデバイス。
- 前記ＴＣＯが、インジウムチタン酸化物（ＩＴＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つである、請求項９３に記載のデバイス。
- 前記金属コーティングが、前記金属コーティング材料の複数の層を含む、請求項６８～９４のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記複数の層のうちの第１の層の前記金属コーティング材料が、前記複数の層のうちの第２の層の前記金属コーティング材料とは異なる、請求項９５に記載のデバイス。
- 前記複数の層のうちの少なくとも１つの前記金属コーティング材料が、イッテルビウム（Ｙｂ）を含む、請求項９５または９６に記載のデバイス。
- 前記複数の層のうちの別の層の前記金属コーティング材料が、銀（Ａｇ）含有合金、および銀－マグネシウム（ＡｇＭｇ）含有合金のうちの少なくとも１つを含む、請求項９７に記載のデバイス。
- 前記複数の層のうちの別の層の前記金属コーティング材料が、純粋な銀（Ａｇ）、実質的に純粋なＡｇ、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、実質的に純粋なＭｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、請求項９８に記載のデバイス。
- ＮＩＣの近位にある前記複数の層のうちの１つの前記金属コーティング材料が、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、請求項９８に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｃｕである、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ａｌである、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｏｓ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせを含む、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ａｇである、請求項１００に記載のデバイス。
- 前記複数の層のうちの少なくとも１つが、約４ｅＶ未満である仕事関数を有する金属を含む、請求項９５～１０９のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記導電性コーティングが、導電性コーティング材料で構成されている、請求項６４～１１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティング材料が、３００ｋＪ／モル未満、２００ｋＪ／モル未満、１６５ｋＪ／モル未満、１５０ｋＪ／モル未満、１００ｋＪ／モル未満、５０ｋＪ／モル未満、および２０ｋＪ／モル未満の、２９８Ｋでのその二原子分子中の結合解離エネルギーを有する金属を含む、請求項１１１に記載のデバイス。
- 前記導電性コーティング材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、イットリウム（Ｙ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される元素を含む、請求項１１１または１１２に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｃｕである、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ａｌである、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｌｉ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ｍｇ、Ａｇ、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせから選択される、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記元素が、Ａｇである、請求項１１３に記載のデバイス。
- 前記導電性コーティング材料が、純粋な金属を含む、請求項１１１～１２２のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記純粋な金属が、純粋な銀（Ａｇ）、および実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つである、請求項１２３に記載のデバイス。
- 前記実質的に純粋なＡｇが、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、請求項１２４に記載のデバイス。
- 前記純粋な金属が、純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、および実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つである、請求項１２３に記載のデバイス。
- 前記実質的に純粋なＭｇが、少なくとも約９５％、少なくとも約９８％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、および少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、請求項１２６に記載のデバイス。
- 前記導電性コーティング材料が、合金を含む、請求項１１１～１２７のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記合金が、銀（Ａｇ）含有合金、マグネシウム（Ｍｇ）含有合金、およびＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つである、請求項１２８に記載のデバイス。
- 前記導電性コーティング材料が、非金属元素を含む、請求項１１１～１２９のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記非金属元素が、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つから選択される、請求項１３０に記載のデバイス。
- 前記導電性コーティング材料中の前記非金属元素の濃度が、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、および約０．００００００１％のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項１３０または１３１に記載のデバイス。
- 半導電性層をさらに含み、前記少なくとも１つの電極コーティングが、前記半導電性層と前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間、および前記半導電性層と前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、請求項５２～１３２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが、前記導電性コーティングをパターン化するための核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を含む、請求項１３３に記載の光電子デバイス。
- 前記第２のＣＰＬが、前記第１の発光領域内に配設されている、請求項５２～１３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第１の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、請求項１３５に記載の光電子デバイス。
- 前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第１の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、請求項１３５または１３６に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬが、前記第２の発光領域内に配設されている、請求項５２～１３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第２の発光領域内の前記第２のＣＰＬとの間に延在する、請求項１３８に記載の光電子デバイス。
- 前記第２のＣＰＬが、前記少なくとも１つの電極コーティングと前記第２の発光領域内の前記第１のＣＰＬとの間に延在する、請求項１３８または１３９に記載の光電子デバイス。
- 第３の開始波長を特徴とする第３の波長スペクトルを有する光子を放出するように構成された第３の発光領域をさらに含む、請求項１～１４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の波長スペクトルが、前記第２の波長スペクトルの第２のピーク波長よりも短く、前記第１の波長スペクトルの第１のピーク波長よりも長い第３のピーク波長を有する、請求項１４１に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の波長スペクトルが、Ｂ（青）である色に対応し、前記第２の波長スペクトルが、Ｇ（緑）である色に対応し、前記第３の波長スペクトルが、Ｒ（赤）である色に対応する、請求項１４３または１４４に記載の光電子デバイス。
- 前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが、前記第３の発光領域内に配設されている、請求項１３５～１４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 第３のＣＰＬが、前記第３の発光領域内に配設されている、請求項１３５～１４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３のＣＰＬおよび前記第３のＣＰＬ材料（ＣＰＬ（ｍ）３）のうちの少なくとも１つが、前記第３の開始波長よりも短い第３の吸収端波長での第３の吸収端を示す、請求項１４５に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の吸収端が、前記ＣＰＬ（ｍ）３の吸光係数が閾値に等しい第３の吸光波長を特徴とする、請求項１４６に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の開始波長が、約２００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約８０ｎｍ、約７０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３５ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、および約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ未満だけ前記第３の吸収端波長よりも長い、請求項１４６または１４７に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の吸光波長が、前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が前記閾値に等しい少なくとも１つの波長のうちの最も長い波長である、請求項１４７または１４８に記載の光電子デバイス。
- 波長の関数としての前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数の一次導関数が、前記第３の吸光波長で負である、請求項１４７～１４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の吸光波長よりも長い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、請求項１４７～１５０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の吸光波長よりも長いすべての波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、前記閾値よりも小さい、請求項１４７～１５１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の開始波長よりも長い任意の波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、約０．１、約０．０９、約０．０８、約０．０６、約０．０５、約０．０３、約０．０１、約０．００５、および約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、請求項１４７～１５２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の吸収端波長よりも短い波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の前記吸光係数が、約０．１、約０．１２、約０．１３、約０．１５、約０．１８、約０．２、約０．２５、約０．３、約０．５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、および約１．０のうちの少なくとも１つを超える、請求項１４６～１５３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の吸収端波長よりも長い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率が、前記第１の吸収端波長よりも短い少なくとも１つの波長についての前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率を超える、請求項１４６～１５４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の波長スペクトルにおける少なくとも１つの波長での前記ＣＰＬ（ｍ）３の屈折率が、約１．８、約１．９、約１．９５、約２、約２．０５、約２．１、約２．２、約２．３、および約２．５のうちの少なくとも１つを超える、請求項１４６～１５５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の発光領域には、前記第１のＣＰＬおよび前記第２のＣＰＬのうちの少なくとも１つが実質的にない、請求項１４１～１５６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
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