JP2023181073A - 太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュール - Google Patents

太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュール Download PDF

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Abstract

【課題】少なくとも太陽電池の光電変換性能を向上させるのに有利である太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュールを提供する。【解決手段】Ｎ型ベース１００と、Ｎ型ベース１００の第１面に設けられたＰ型エミッタ１０と、Ｎ型ベース１００の第２面に位置しかつＮ型ベース１００から離れる方向に順に設けられたトンネル層１５０およびドープ導電層１６０と、を備え、ここで、Ｐ型エミッタ１０が第１部分１１と第２部分１２を有し、第１部分１１の頂面が第１ピラミッド構造１を含み、第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に、前記第１ピラミッド構造１の隣接する２つの斜面と接触し、第１ピラミッド構造１の中心に対して陥凹または突出した遷移面１３を有し、第１ピラミッド構造１の少なくとも一部の頂面が、球体または球様体であるサブ構造１４を含み、第２部分１２の頂面が、稜線が直線的である第２ピラミッド構造２を含む。【選択図】図１

Description

本願は、太陽電池の分野に関し、特に太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュールに関する。
太陽電池は、光電変換能力に優れており、太陽電池では、シリコンウェーハの表面に拡散処理を施してｐ－ｎ接合を作製する必要があり、現在の太陽電池では、シリコンウェーハの表面にホウ素拡散処理を施してシリコンウェーハの表面にエミッタを形成することが一般的である。エミッタは、シリコンウェーハとｐ－ｎ接合を形成する一方で、エミッタ内を移動するキャリアが金属電極によって収集されることができるように金属電極とも電気的に接続されている。そのため、エミッタは、太陽電池の光電変換性能に大きく影響する。
しかしながら、現在の太陽電池は光電変換性能が良くない。
本願は、少なくとも太陽電池の光電変換性能を向上させるのに有利である太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュールを提供する。
本願実施例は、太陽電池を提供し、Ｎ型ベースと、Ｎ型ベースの第１面に設けられたＰ型エミッタと、ここで、Ｐ型エミッタが第１部分と第２部分を有し、第１部分の頂面が第１ピラミッド構造を含み、第１ピラミッド構造の稜線の少なくとも一部に、前記第１ピラミッド構造の隣接する２つの斜面と接触し、第１ピラミッド構造の中心に対して陥凹または突出した遷移面を有し、第１ピラミッド構造の少なくとも一部の頂面が、球体または球様体であるサブ構造を含み、第２部分の頂面が、稜線が直線的である第２ピラミッド構造を含み、ここで、第１部分のシート抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであり、第１部分の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、第２部分のシート抵抗が１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであり、第２部分の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、Ｎ型ベースの第２面に位置しかつＮ型ベースから離れる方向に順に設けられたトンネル層およびドープ導電層と、を備える。
また、第１ピラミッド構造の高さは、０．１μｍ～５μｍであり、第１ピラミッド構造の底部の一次元寸法は、０．５μｍ～５μｍである。
また、第１部分のＰ型エミッタのドーピング元素と第２部分のＰ型エミッタのドーピング元素とは、同じ導電型であり、かつ、第１部分と第２部分のドーピング元素は三価元素の一つである。
また、第１部分と前記第２部分のドーピング元素は、ホウ素元素またはガリウム元素のいずれか一つを含む。
また、第１部分のシート抵抗は、第２部分のシート抵抗よりも小さい。
また、第１部分の頂面ドーピング濃度は、第２部分の頂面ドーピング濃度よりも小さくない。
また、第１部分の接合深さ（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｄｅｐｔｈ）は、第２部分の接合深さよりも小さくない。
また、第１部分の接合深さと第２部分の接合深さとの比は、２よりも小さくない。
また、第１部分の接合深さは０．２μｍ～１０μｍであり、第２部分の接合深さは０．０５μｍ～５μｍである。
また、第１部分の頂面ドーピング濃度と第１部分の底面ドーピング濃度との差は、８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３である。
また、第２部分の頂面ドーピング濃度と第２部分の底面ドーピング濃度との差は、５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３である。
また、第１ピラミッド構造の少なくとも１つの斜面における少なくとも一部の表面は、第１ピラミッド構造の中心に対して陥凹または突出している。
また、前記Ｎ型ベースの第１面に設けられ、第１部分のＰ型エミッタに電気的に接続された第１金属電極をさらに備える。
また、第１金属電極の幅は、第１部分のＰ型エミッタの幅以下である。
これに応じて、本願実施例は太陽電池の製造方法をさらに提供し、Ｎ型ベースを提供することと、Ｎ型ベースの第１面にＰ型エミッタが形成されることと、ここで、Ｐ型エミッタが第１部分と第２部分を有し、第１部分の頂面が第１ピラミッド構造を含み、第１ピラミッド構造の稜線の少なくとも一部に、第１ピラミッド構造の隣接する２つの斜面と接触し、第１ピラミッド構造の中心に対して陥凹または突出した遷移面を有し、第１ピラミッド構造の少なくとも一部の頂面が、球体または球様体であるサブ構造を含み、第２部分の頂面が、稜線が直線的である第２ピラミッド構造を含み、ここで、第１部分のシート抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであり、第１部分の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、第２部分のシート抵抗が１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであり、第２部分の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、Ｎ型ベースの第２面に、Ｎ型ベースから離れる方向においてトンネル層およびドープ導電層が順次に形成されることと、を含む。
また、前記Ｐ型エミッタが形成される方法は、初期Ｎ型ベースを提供することと、初期Ｎ型ベースの頂面に、含まれる元素が三価元素のうちの一つである三価ドーピング源を堆積させることと、プリセット領域の初期Ｎ型ベースの頂面を、外部エネルギー源処理プロセスによって処理し、外部エネルギー源処理プロセスによって処理された三価ドーピング源が、初期Ｎ型ベースの内部に拡散されることと、初期Ｎ型ベースを高温処理して初期Ｎ型ベース内にＰ型エミッタを形成し、初期Ｎ型ベースがＰ型エミッタの頂面を露出させ、初期Ｎ型ベースにおいてＰ型エミッタ以外の領域が、Ｎ型ベースを形成しており、ここで、プリセット領域の初期Ｎ型ベース内に第１部分のＰ型エミッタが形成され、プリセット領域以外の初期Ｎ型ベース内に第２部分のＰ型エミッタが形成されることと、を含む。
また、初期Ｎ型ベースの頂面に三価ドーピング源を堆積させる工程の実行中に、三価ドーピング源を含む第１薄膜層を形成し、ここで、堆積時間が２０ｓ～８００ｓ、温度が６００℃～９００℃であることと、初期Ｎ型ベースを高温処理する工程の実行中に、酸素ガスを導入し、前記酸素ガスの流量を５００ｓｃｃｍ～５００００ｓｃｃｍ、時間を５ｍｉｎ～３００ｍｉｎ、温度を８００℃～１２００℃として第２薄膜層を形成し、第２薄膜層の厚さを第１薄膜層の厚さよりも大きくすることと、をさらに含む。
また、第１部分の前記Ｐ型エミッタに電気的に接続された第１金属電極を形成することをさらに含む。
これに応じて、本願実施例は光起電力モジュールをさらに提供し、上記のいずれか１項に記載の太陽電池を複数接続してなるセルストリングと、セルストリングの表面を覆うための封止層と、封止層のセルストリングから離れた面を覆うためのカバープレートと、を備える。
本願実施例によって提供される技術案は、少なくとも以下の利点を有する。
本願実施例による太陽電池の製造方法の技術案では、第１部分のＰ型エミッタは第１ピラミッド構造を有し、かつ、第１ピラミッド構造の稜線の少なくとも一部に遷移面を有し、遷移面は第１ピラミッド構造の２つの斜面と接触し、かつ第１ピラミッド構造の中心に対して陥凹または突出し、第１ピラミッド構造の頂部にサブ構造を有する。第１ピラミッド構造の稜線において遷移面を有することで、第１ピラミッド構造はミクロ欠陥を有し、このようなミクロ欠陥は、一定の結晶変化を形成でき、これにより欠陥エネルギー準位を形成して、ドーピング濃度を低く保ちながらＰ型エミッタのシート抵抗をより低くできる。従って、Ｐ型エミッタの良好なパッシベーション効果を維持しつつ、シート抵抗を小さくしてオーミックコンタクトを改善することができる。同時に、第２部分のＰ型エミッタでは、第２ピラミッド構造の稜線が直線的、すなわち歪みが発生しない正常なピラミッド構造であり、これにより、第２部分のＰ型エミッタのシート抵抗が高くなり、再結合中心の生成を減らすことができ、太陽電池の開放電圧および短絡電流を高めることができる。また、第１ピラミッド構造のミクロ欠陥により、第１部分のシート抵抗は、第２部分のシート抵抗よりもはるかに小さいが、第１部分のドーピング濃度と第２部分のドーピング濃度とは大きく相違しない、すなわち、第１ピラミッド構造を形成することにより、第１部分のＰ型エミッタのシート抵抗を大きく下げた場合に、第１部分のＰ型エミッタのドーピング濃度を低く保つことで、オージェ再結合の発生を低減し、太陽電池の光電変換性能を向上させることができる。
一つ又は複数の実施例は、対応する添付の図面における図で例示的に説明されるが、これらの例示的な説明は、実施例を限定するものではなく、特に断りのない限り、添付の図面における図は縮尺に制限されない。
図１は、本願の一実施例に係る太陽電池の構成を示す図である。 図２は、図１における１の部分拡大図である。 図３は、図１における１のもう一つの部分拡大図である。 図４は、図１における１のさらに他の部分拡大図である。 図５は、図１における２の部分拡大図である。 図６は、本願の一実施例に係る光起電力モジュールの構成を示す図である。 図７は、本願の一実施例に係る太陽電池の製造方法における、初期Ｎ型ベースを提供するステップに対応する概略構成図である。 図８は、本願の一実施例に係る太陽電池の製造方法における、第１薄膜層を形成するステップに対応する概略構成図である。 図９は、本願の一実施例に係る太陽電池の製造方法における、第１部分のＰ型エミッタを形成するステップに対応する概略構成図である。 図１０は、本願の一実施例に係る太陽電池の製造方法における、第２薄膜層を形成するステップに対応する概略構成図である。 図１１は、本願の一実施例に係る太陽電池の製造方法における、反射防止層を形成するステップに対応する概略構成図である。 図１２は、本願の一実施例に係る太陽電池の製造方法における、第１金属電極を形成するステップに対応する概略構成図である。 図１３は、本願の一実施例に係る太陽電池の製造方法における、トンネル層およびドープ導電層を形成するステップに対応する概略構成図である。
背景技術から分かるように、現在の太陽電池は光電変換性能が良くない。
分析したところ、現在の太陽電池の光電変換性能が不良になる原因の一つとして、エミッタが一般的に金属電極に電気的に接続されているため、金属電極がエミッタ内のキャリアを収集できることにあることを見出した。金属電極とエミッタとの間のコンタクト抵抗を低減するために、エミッタのシート抵抗を小さくする必要があるが、従来、エミッタのシート抵抗を小さくするために、エミッタのドーピング濃度を増加させることが一般的であった。しかしながら、エミッタのドーピング濃度が増加すると、エミッタ内のドーピング元素が多すぎてしまい、エミッタ内のドーピング元素が強い再結合中心となり、オージェ再結合の増加を引き起こし、エミッタのパッシベーション性能を悪化させ、さらに太陽電池の光電変換性能を悪化させてしまう。
本願実施例によって提供される太陽電池では、Ｎ型ベースの第１面にＰ型エミッタが設けられ、第１部分のＰ型エミッタが第１ピラミッド構造を有し、かつ、第１ピラミッド構造の稜線の少なくとも一部に遷移面を有し、遷移面が第１ピラミッド構造の２つの斜面と接触し、かつ第１ピラミッド構造の中心に対して陥凹または突出し、第１ピラミッド構造の頂部にサブ構造を有する。すなわち、第１ピラミッド構造はミクロ欠陥を有し、このようなミクロ欠陥は、一定の結晶変化を形成して欠陥エネルギー準位を形成することができ、これにより、第１部分のＰ型エミッタのシート抵抗を大きく下げた場合に、第１部分のＰ型エミッタのドーピング濃度を低く保ち、オージェ再結合の発生を低減し、太陽電池の光電変換性能を向上させることができる。また、第２部分のＰ型エミッタでは、第２ピラミッド構造の稜線が直線的、すなわち正常なピラミッド構造であり、これにより、第２部分のＰ型エミッタのシート抵抗が高くなり、再結合中心の生成を減らすことができ、太陽電池の開放電圧および短絡電流を高めることができる。
以下、本願の各実施例について図面を結合して詳細に説明する。しかしながら、当業者は理解できるが、読者に本願をよりよく理解させるために、本願の各実施例において多数の技術的細部が提案されているが、これらの技術的細部がなくても、以下の各実施例に基づく種々の変更や修正によっても、本願が保護を要求している技術案を実現することができる。
図１は、本願の一実施例に係る太陽電池の構成を示す図であり、図２は、図１における１の部分拡大図であり、図３は、図１における１のもう一つの部分拡大図であり、図４は、図１における１のさらに他の部分拡大図であり、図５は、図１における２の部分拡大図である。
図１～図５を参照して、太陽電池は、Ｎ型ベース１００と、Ｎ型ベース１００の第１面に設けられたＰ型エミッタ１０と、Ｎ型ベース１００の第２面に位置しかつＮ型ベース１００から離れる方向に順に設けられたトンネル層１５０およびドープ導電層１６０と、を備え、ここで、Ｐ型エミッタ１０が第１部分１１と第２部分１２を有し、第１部分１１の頂面が第１ピラミッド構造１を含み、第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に、前記第１ピラミッド構造１の隣接する２つの斜面と接触し、第１ピラミッド構造１の中心に対して陥凹または突出した遷移面１３を有し、第１ピラミッド構造１の少なくとも一部の頂面が、球体または球様体であるサブ構造１４を含み、第２部分１２の頂面が、稜線が直線的である第２ピラミッド構造２を含み、ここで、第１部分１１のシート抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであり、第１部分１１の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、第２部分１２のシート抵抗が１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであり、第２部分１２の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３である。
Ｎ型ベース１００は、入射光を受光して光生成キャリアを生成するためのものである。いくつかの実施例において、Ｎ型ベース１００は、Ｎ型シリコンベース１００であってもよく、Ｎ型シリコンベースの材料は、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン、または微結晶シリコンの少なくとも一種を含み得る。Ｎ型ベース１００は、Ｎ型の半導体ベース１００であり、すなわち、Ｎ型ベース１００内にＮ型のドーピングイオンがドーピングされており、Ｎ型のドーピングイオンは、リンイオン、ヒ素イオン、またはアンチモンイオンのいずれかであってもよい。
いくつかの実施例において、太陽電池は、ＴＯＰＣＯＮ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｏｘｉｄｅ Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ、トンネル酸化層パッシベーシヨンコンタクト）セルであり、Ｎ型ベース１００の第１面と第２面とが対向して設置され、Ｎ型ベース１００の第１面および第２面は、いずれも入射光または反射光を受光することに使用できる。いくつかの実施例において、第１面は、Ｎ型ベース１００の裏面であり、第２面は、Ｎ型ベース１００の表面であってもよい。他の幾つかの実施例において、第１面はＮ型ベース１００の表面であってもよく、これで、第２面はＮ型ベース１００の裏面である。
いくつかの実施例において、Ｎ型ベース１００の第２面は、入射光線に対する反射率が小さく、光の吸収利用率が大きくなるように、ピラミッドテクスチャ面としてもよい。Ｎ型ベース１００の第１面は、例えば積層された段差形態ようなの非ピラミッドテクスチャ面とすることができ、これにより、Ｎ型ベース１００の第１面に位置するトンネル酸化層１１０が高い緻密性及び均一性を有し、トンネル酸化層１１０がＮ型ベース１００の第１面に対して良好なパッシベーション効果を有する。いくつかの実施例において、第１面は、Ｎ型ベース１００の裏面であり、第２面は、Ｎ型ベース１００の表面であってもよい。他の幾つかの実施例において、第１面はＮ型ベース１００の表面であってもよく、これで、第２面はＮ型ベース１００の裏面である。
図２～図４を参照して、第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に遷移面１３を有する。ここでの稜線とは、文字上の「線」の意味だけではなく、第１ピラミッド構造１の帯状の隆起部、即ち、第１ピラミッド構造１において隣接する斜面同士が接合している部分を指すものであることが理解できる。具体的には、第１ピラミッド構造１は、底面と、底面に接する複数の斜面と、を有し、隣接する２つの斜面同士が互いに接合し、隣接する２つの斜面の間に遷移面１３が位置し、すなわち、隣接する２つの斜面の少なくとも一部は、遷移面１３を介して接合することができる。具体的には、幾つかの実施例において、第１ピラミッド構造１の一本の稜線に遷移面１３を有するが、遷移面１３は、１本の稜線のうち一部の位置のみにあってもよいし、稜線全体において遷移面１３を有する、すなわち、第１ピラミッド構造１における隣接する２つの斜面同士が遷移面１３を介して接していてもよい。他の幾つかの実施例において、第１ピラミッド構造１の複数の稜線のいずれにおいても遷移面１３を有してもよく、かつ遷移面１３は稜線のうち一部の位置にあってもよいし、稜線全体において遷移面１３を有してもよい。本願実施例は、遷移面１３の稜線上における具体的な位置を制限するものではなく、遷移面１３が稜線上に位置することを満たしていればよい。
ここでの第１ピラミッド構造１及び第２ピラミッド構造２は、テクスチャー構造とは異なることが理解できる。本願実施例では、Ｐ型エミッタ１０の表面に第１ピラミッド構造１及び第２ピラミッド構造２を設けることで、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシリコン結晶形態を変化させ、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の性能を変化させている。
具体的には、第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に遷移面１３を有する、すなわち、第１ピラミッド構造１の稜線が不規則な変形を有し、第１ピラミッド構造１の頂面の少なくとも一部が、さらに球形または擬球形のサブ構造１４を有することにより、第１ピラミッド構造１がミクロ欠陥を有するようになり、第１部分１１のエミッタがシリコン結晶の変化を形成する。一方、第２ピラミッド構造２の稜線は直線的であり、つまり第２ピラミッド構造２の稜線には歪みが生じていない。第１ピラミッド構造１の稜線における歪み及び頂部の歪みに基づいて、第１部分１１のシート抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであり、第１部分１１の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、第２ピラミッド構造２の稜線に歪みが発生しないので、第２部分１２のシート抵抗が１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであり、第２部分１２の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３である。第１部分１１のシート抵抗は、第２部分１２のシート抵抗よりもはるかに小さいが、第１部分１１の頂面ドーピング濃度と第２部分１２の頂面ドーピング濃度とが大きく異ならないことを見つけるのは難しいことではない。このことから、第１ピラミッド構造１のミクロ欠陥により、第１部分１１のシート抵抗が第２部分１２のシート抵抗よりも十分に低くされて、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のオーミックコンタクトを大きく改善できると共に、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度を低く保って、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の再結合中心の発生を減らすことができ、Ｐ型エミッタ１０のパッシベーション効果を良く保って、オージェ再結合の発生を低減し、さらに太陽電池の光電変換性能を改善できることが分かる。幾つかの実施例において、第１ピラミッド構造１の高さは、０．１μｍ～５μｍであり、第１ピラミッド構造１の底部の一次元寸法は、０．５μｍ～５μｍである。第１部分１１のＰ型エミッタ１０における第１ピラミッド構造１の高さ及び底部の一次元寸法が大きいほど、第１ピラミッド構造１の全体サイズが大きくなり、これにより、単位面積あたりの第１部分１１のＰ型エミッタ１０における第１ピラミッド構造１の数が少なくなることが理解できる。第１ピラミッド構造１の数が少ないほど、つまりミクロ欠陥を有するピラミッド構造が少ないほど、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に結晶歪みが生じる度合いは小さい。その分、第１ピラミッド構造１のサイズが小さいほど、単位面積あたりの第１部分１１のＰ型エミッタ１０における第１ピラミッド構造１の数が多くなり、これにより、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に結晶歪みが生じる度合いが大きくなる。これを踏まえて、第１ピラミッド構造１の高さを０．１μｍ～５μｍの範囲内とし、第１ピラミッド構造１の底部の一次元寸法を０．１μｍ～５μｍの範囲内とすることで、第１ピラミッド構造１の数を多くして、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に結晶歪みが生じる度合いを大きくし、大きな欠陥エネルギー準位を形成して、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に小さなシート抵抗を持たせ、オーミックコンタクトを改善する。一方、この範囲内とすることで、第１部分１１のＰ型エミッタ１０における第１ピラミッド構造１の数を過多にせず、形成される欠陥エネルギー準位が過大となることによってＰ型エミッタ１０に強い再結合中心が形成されるという問題を防止し、さらに第１部分１１のＰ型エミッタ１０のパッシベーション性能を向上することができる。
図２および図３を参照して、前記第１ピラミッド構造１の少なくとも一部は、サブ構造１４をさらに含み、サブ構造１４の存在により、第１ピラミッド構造１におけるミクロ欠陥の度合いが大きくなり、第１部分１１のエミッタに形成される欠陥エネルギー準位が大きく、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗がより小さくなる。
図１及び図５を参照して、第２部分１２の頂面における第２ピラミッド構造２の稜線は直線状に設置されており、すなわち、第２ピラミッド構造２では、隣接する２つの斜面は直接接合されており、稜線には歪みが生じていない。すなわち、第２ピラミッド構造２は、規則的な四面体構造である。すなわち、第２部分１２のＰ型エミッタ１０では、結晶構造が変化しないため、第２部分１２のＰ型エミッタ１０に欠陥エネルギー準位が形成されることはなく、第２部分１２のＰ型エミッタ１０のシート抵抗が高くなるだけでなく、第２部分１２のＰ型エミッタ１０が多くの再結合中心を形成することを防止でき、これにより、第２部分１２のＰ型エミッタ１０のパッシベーション性能を高く保つことができ、太陽電池の開放電圧および短絡電流が大きくなり、太陽電池の光電変換性能が向上する。
図１を引き続き参照して、いくつかの実施例では、第１ピラミッド構造１と第２ピラミッド構造２との違いに基づいて、第１部分１１のシート抵抗は第２部分１２のシート抵抗よりも小さくてもよい。第１ピラミッド構造１における稜線に歪みが生じ、少なくとも一部の第１ピラミッド構造１がサブ構造１４をさらに有するため、第１部分１１のＰ型エミッタ１０にエネルギー準位欠陥が形成され、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗が小さくなる。一方、第２ピラミッド構造２の稜線に歪みが生じていないので、第２部分１２のＰ型エミッタ１０にエネルギー準位欠陥が発生しないため、第２部分１２のＰ型エミッタ１０は大きなシート抵抗を維持している。具体的には、いくつかの実施例において、第１部分１１のシート抵抗は、１００ｏｈｍ／ｓｑ～５０ｏｈｍ／ｓｑ、５０ｏｈｍ／ｓｑ～７５ｏｈｍ／ｓｑ、７５ｏｈｍ／ｓｑ～１００ｏｈｍ／ｓｑ、１００ｏｈｍ／ｓｑ～１５０ｏｈｍ／ｓｑ、１５０ｏｈｍ／ｓｑ～２００ｏｈｍ／ｓｑ、２００ｏｈｍ／ｓｑ～３００ｏｈｍ／ｓｑ、３００ｏｈｍ／ｓｑ～４００ｏｈｍ／ｓｑ、または４００ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであってもよい。第２部分１２のシート抵抗は、１００ｏｈｍ／ｓｑ～２００ｏｈｍ／ｓｑ、２００ｏｈｍ／ｓｑ～３００ｏｈｍ／ｓｑ、３００ｏｈｍ／ｓｑ～４００ｏｈｍ／ｓｑ、４００ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑ、５００ｏｈｍ／ｓｑ～７００ｏｈｍ／ｓｑ、７００ｏｈｍ／ｓｑ～８５０ｏｈｍ／ｓｑ、８５０ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであってもよい。第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗が第２部分１２のシート抵抗よりも十分に小さいことで、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のオーミックコンタクトを改善することができ、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に金属電極を電気的に接触させる場合、第１部分１１のＰ型エミッタ１０と金属電極との接触抵抗を小さくして、第１部分１１のＰ型エミッタ１０及び第２部分１２のＰ型エミッタ１０におけるキャリアの輸送効率を改善することができる。また、第２部分１２のＰ型エミッタ１０の抵抗を１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑとすることにより、第２部分１２のＰ型エミッタ１０におけるキャリア再結合を抑制することができる。幾つかの実施例において、第２部分１２のＰ型エミッタ１０の再結合電流が２０ｆＡ／ｃｍ２未満であり、低い再結合電流は、キャリア再結合を小さくしてエミッタのパッシベーション効果を高め、さらに太陽電池の開放電圧および短絡電流を改善して太陽電池の光電変換効率を向上させるのに有利である。
幾つかの実施例において、第１部分１１の接合深さは、第２部分１２の接合深さよりも小さくない。つまり、第１部分１１の厚さが大きいため、金属電極を第１部分１１のＰ型エミッタ１０に電気的に接続することができ、これにより、金属電極を形成するためのペーストを焼結する際に、Ｐ型エミッタ１０を貫通して初期Ｎ型ベース１００に直接接触することを防止することができる。また、第２部分１２の接合深さが浅く設置される、すなわち、第２部分１２のＰ型エミッタ１０の厚さが小さいことで、第２部分１２のドーピング元素の数が第１部分１１のドーピング元素の数よりも少なく、つまり、第２部分１２のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度が小さいため、第１部分１１のＰ型エミッタ１０よりも第２部分１２のＰ型エミッタ１０の方が良いパッシベーション効果を有し、キャリア再結合を低減し、太陽電池の開放電圧および短絡電流を向上させるのに有利である。
幾つかの実施例において、第１部分１１の接合深さと第２部分１２の接合深さとの比は、２よりも小さくない。第１部分１１の接合深さと第２部分１２の接合深さとの比は、２～５の間であることが好ましく、例えば、２、２．５、３、３．５、４、４．５または５であってもよい。第１部分１１の接合深さは、第２部分１２の接合深さよりもはるかに大きく、これにより、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の接合深さが大きく、金属電極を第１部分１１のＰ型エミッタ１０に電気的に接続させるように設置する場合、焼結過程においてペーストが第１部分１１のＰ型エミッタ１０を焼失しないように確保でき、金属電極とＮ型ベース１００との接触によるｐ－ｎ接合の破壊を防ぎ、太陽電池の良好な光電変換性能を確保することができる。
具体的には、幾つかの実施例において、第１部分１１の接合深さは、０．２μｍ～１０μｍであり、第２部分１２の接合深さは、０．０５μｍ～５μｍである。この範囲では、第１部分１１の接合深さが大きくなり過ぎないため、第１部分１１の厚さが大き過ぎることに起因して、第１部分１１のＰ型エミッタ１０におけるドーピング元素の含有量が高くなり過ぎて、強い再結合中心が発生してしまうという問題を回避できる。また、この範囲では、第２部分１２の接合深さが小さいため、第２部分１２のＰ型エミッタ１０におけるドーピング元素が少なくなり、Ｐ型エミッタ１０のパッシベーション効果が良好に保たれる。
幾つかの実施例において、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のドーピング元素と第２部分１２のＰ型エミッタ１０のドーピング元素は、同じ導電型であり、かつ、第１部分１１と第２部分１２のドーピング元素は、三価元素の一つである。つまり、第１部分１１のＰ型エミッタ１０と第２部分１２のＰ型エミッタ１０には、三価元素のうち一種のみが含まれ、すなわち、第１部分１１と第２部分１２は単一の元素でドープされている。このため、第１部分１１と第２部分１２のＰ型エミッタ１０には不純物元素が含まれず、不純物元素が再結合中心となることによるキャリア再結合の問題を防止することができる。
具体的には、幾つかの実施例において、第１部分１１と第２部分１２のドーピング元素は、ホウ素元素またはガリウム元素のいずれかを含む。第１部分１１と第２部分１２のｐ型エミッタ１０が高効率ドーピング層となるように、第１部分１１と第２部分１２には１種類のドーピング元素のみが含まれるように設けられることにより、第１部分１１と第２部分１２のＰ型エミッタ１０に不純物元素が存在しないか、または不純物元素の量が極めて少なく、不純物元素が再結合中心となる問題を回避し、さらにキャリア再結合を抑制し、キャリアの数を向上することができる。
幾つかの実施例において、第１部分１１の頂面ドーピング濃度は、第２部分１２の頂面ドーピング濃度よりも小さくない。第１部分１１の接合深さは、第２部分１２の接合深さよりも大きいため、第１部分１１のＰ型エミッタ１０では、ドーピング元素の含有量がより多くなっている。具体的には、幾つかの実施例において、第１部分１１の頂面ドーピング濃度は、１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～７Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３、７Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１８ａｔｏｍ／ｃｍ３、１Ｅ１８ａｔｏｍ／ｃｍ３～６Ｅ１８ａｔｏｍ／ｃｍ３、６Ｅ１８ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３、または、１Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３～８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であってもよく、第２部分１２の頂面ドーピング濃度は、１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３、１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１８ａｔｏｍ／ｃｍ３、１Ｅ１８ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３、または、１Ｅ１９ａ～５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であってもよい。第１部分１１の頂面ドーピング濃度を大きく設定することにより、第１部分１１のシート抵抗を小さく保つことができる。第２部分１２の頂面ドーピング濃度を小さく設定することにより、第２部分１２におけるドーピング元素が多すぎることによる、過剰なドーピング元素が再結合中心となるのを回避することができ、キャリアの再結合が抑制され、太陽電池の短絡電流および開放電圧を向上させることができる。第１部分１１の頂面ドーピング濃度と第２部分１２の頂面ドーピング濃度とは比較的近いことを見つけることは難しくなく、幾つかの実施例において、第１部分１１の頂面ドーピング濃度は、第２部分１２の頂面ドーピング濃度と等しくてもよく、このように、第１部分１１の頂面ドーピング濃度は小さいが、第１部分１１のシート抵抗は、第２部分１２のシート抵抗よりもはるかに小さい。つまり、第１部分１１の頂面ドーピング濃度が小さい場合、第１部分１１のシート抵抗を小さくして、Ｐ型エミッタ１０のオーミックコンタクトを改善するだけでなく、Ｐ型エミッタ１０のパッシベーション効果を良好に保つことができる。
幾つかの実施例において、Ｐ型エミッタ１０の頂面に沿ってＰ型エミッタ１０の底面に向かう方向において、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の内部のドーピング濃度が徐々に減少し、第２部分１２のＰ型エミッタ１０の内部のドーピング濃度が徐々に減少する。つまり、第１部分１１のＰ型エミッタ１０及び第２部分１２のＰ型エミッタ１０の内部に共に高い方から低い方へのドーピング濃度差が存在し、このように、第１部分１１のＰ型エミッタ１０及び第２部分１２のＰ型エミッタ１０におけるキャリアが、濃度の高い領域から相対的に濃度の低い領域まで輸送してＮ型ベース１００内に輸送するのに有利であり、キャリア輸送レートを速めて太陽電池の開放電圧を向上させることができる。
幾つかの実施例において、第１部分１１の頂面ドーピング濃度と第１部分１１の底面ドーピング濃度との差は、８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３である。この範囲では、第１部分１１のＰ型エミッタ１０内部のドーピング濃度差が大きくなり、キャリアの輸送に有利となる。また、第１部分１１のＰ型エミッタ１０内のドーピング濃度差が小さすぎることにより、第１部分１１におけるドーピング濃度と頂面ドーピング濃度とが大きく異ならず、第１部分１１の全体のドーピング濃度が大きくなり過ぎるといった問題も防止できる。
幾つかの実施例において、第２部分１２の頂面ドーピング濃度と第２部分１２の底面ドーピング濃度との差は、５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３である。この範囲では、第２部分１２のＰ型エミッタ１０内部のドーピング濃度が小さくなりすぎず、第２部分１２のＰ型エミッタ１０内部のキヤリァの正常な輸送を確保することができる。また、この範囲では、第２部分１２のＰ型エミッタ１０の全体の濃度を小さく保ち、第２部分１２のＰ型エミッタ１０のオージェ再結合を防ぐことができる。
幾つかの実施例において、第１ピラミッド構造１の少なくとも１つの斜面における少なくとも一部の表面は、第１ピラミッド構造１の中心に対して陥凹または突出している。つまり、第１ピラミッド構造１における少なくとも１つの斜面は不規則な変形を有し、この不規則な変形により、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に転位およびダングリングボンドが形成され、その結果、第１部分１１のＰ型エミッタ１０内部に深いエネルギー準位を形成し、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗をより一層低減させる。
幾つかの実施例において、第２部分１２の幅と第１部分１１の幅との比は、５．６より大きく、すなわち、相対的にシート抵抗が大きい第２部分１２のＰ型エミッタ１０が大きな割合を占めており、第２部分１２のＰ型エミッタ１０はパッシベーション性能が良いので、キャリアの再結合が抑えられるため、Ｐ型エミッタ１０全体のパッシベーション性能が良い。第１部分１１のＰ型エミッタ１０は、金属電極と電気的に接続するだけで金属電極とのオーミックコンタクトを改善するため、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の幅を小さく設けることができ、オーミックコンタクトの改善を図りつつ、エミッタの良好なパッシベーシヨン性能を保つことができる。
幾つかの実施例において、前記Ｎ型ベース１００の第１面に設けられ、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に電気的に接続された第１金属電極１４０をさらに備える。Ｐ型エミッタ１０におけるキャリアは、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に電気的に接続された第１金属電極１４０に輸送され、かつ第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗が小さいので、第１部分１１のＰ型エミッタ１０と第１金属電極１４０との間の接触抵抗が小さく、具体的には、幾つかの実施例において、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の金属再結合電流を７００ｆＡ／ｃｍ２まで高くすることができ、Ｐ型エミッタ１０におけるキャリアが第１金属電極１４０へ輸送する輸送レートを高くすることができる。また、第１部分１１におけるＰ型エミッタ１０が大きな接合深さを有するので、実際に第１金属電極１４０を作製する過程において、導電ペーストが第１部分１１におけるＰ型エミッタ１０を突き抜けにくくなり、ｐ－ｎ接合構造が破壊されることを回避して、太陽電池の良好な光電変換性能を維持するのに有利となる。
幾つかの実施例において、第１金属電極１４０の幅は、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の幅以下である。このように、第１金属電極１４０が第１部分１１のＰ型エミッタ１０により被覆されていること、即ち、第１金属電極１４０の側面及び底面のいずれもが第１部分１１のＰ型エミッタ１０に接触していることを確保できる。第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗が小さいため、第１金属電極１４０が第１部分１１のＰ型エミッタ１０に被覆されるように設置することにより、第１金属電極１４０とＰ型エミッタ１０との間の接触抵抗をさらに改善でき、第１金属電極１４０によるキャリアの収集効率を向上させる。
幾つかの実施例において、Ｐ型エミッタ１０の頂面に位置する反射防止層１３０をさらに備え、第１金属電極１４０は、反射防止層１３０を貫通してＰ型エミッタ１０に電気的に接続されている。反射防止層１３０は、入射光線に対するベースの反射を低減するためのものであり、いくつかの実施例において、反射防止層１３０は、単層または多層構造であってもよく、反射防止層１３０の材料は、フッ化マグネシウム、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化チタンのうちの少なくとも１つであってもよい。
トンネル層１５０は、ベースの第２面における界面パッシベーシヨンを実現するためのものである。具体的には、いくつかの実施例において、トンネル層１５０の材料は誘電体材料であってもよく、たとえば、酸化シリコン、フッ化マグネシウム、酸化シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、炭化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンのいずれか一つである。
ドープ導電層１６０は、フィールドパッシベーションを形成するためのものであり、幾つかの実施例において、ドープ導電層１６０の材料は、ドーピングシリコンであってもよく、具体的には、ドープ導電層１６０は、ベースと同じ導電型のドーピング元素を有し、ドーピングシリコンは、Ｎ型のドーピングポリシリコン、Ｎ型のドーピング微結晶シリコン、Ｎ型のドーピングアモルファスシリコン、または、炭化シリコンのうちの一種または複数種を含んでもよい。
幾つかの実施例において、ドープ導電層１６０のベースから離れる面に位置する第１パッシベーション層１７０をさらに備える。いくつかの実施例において、第１パッシベーション層１７０の材料は、フッ化マグネシウム、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化チタンのうちの一種または複数種であってもよい。具体的には、幾つかの実施例において、第１パッシベーション層１７０は、単層構造であってもよい。他の幾つかの実施例において、第１パッシベーション層１７０は、多層構造であってもよい。
幾つかの実施例において、第１パッシベーション層１７０を貫通してドープ導電層１６０と電気的に接続される第２金属電極１８０をさらに備える。
上記実施例によって提供される太陽電池では、Ｎ型ベース１００の第１面にＰ型エミッタ１０が設けられ、第１部分１１のＰ型エミッタ１０が第１ピラミッド構造１を有し、かつ、第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に遷移面１３を有し、遷移面１３が第１ピラミッド構造１の２つの斜面と接触し、かつ第１ピラミッド構造１の中心に対して陥凹または突出し、第１ピラミッド構造１の頂部にサブ構造１４を有する。すなわち、第１ピラミッド構造１はミクロ欠陥を有し、このようなミクロ欠陥は、一定の結晶変化を形成して欠陥エネルギー準位を形成することができ、これにより、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗を大きく下げた場合に、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度を低く保ち、オージェ再結合の発生を低減し、太陽電池の光電変換性能を向上させることができる。また、第２部分１２のＰ型エミッタ１０では、第２ピラミッド構造２の稜線が直線的、すなわち正常なピラミッド構造であり、これにより、第２部分１２のＰ型エミッタ１０のシート抵抗が高くなり、再結合中心の生成を減らすことができ、太陽電池の開放電圧および短絡電流を高めることができる。
これに応じて、本願実施例は、光起電力モジュールをさらに提供する。図６を参照して、光起電力モジュールは、上記実施例によって提供される太陽電池１０１を複数接続してなるセルストリングと、セルストリングの表面を覆うための封止層１０２と、封止層１０２のセルストリングから離れた面を覆うためのカバープレート１０３と、を備える。太陽電池１０１は、フルシートまたは複数枚の形で電気的に接続されてセルストリングを複数形成し、複数のセルストリングは、直列および／または並列に接続されて電気的に接続される。
具体的には、いくつかの実施例において、複数のセルストリング間は、伝導バンド１０４によって電気的に接続されてもよい。封止層１０２は、太陽電池１０１の表面および裏面を覆っており、具体的には、封止層１０２は、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）接着フィルム、ポリエチレンオクテン－エラストマー（ＰＯＥ）接着フィルム、またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）接着フィルム等の有機封止フィルムであってもよい。いくつかの実施例において、カバープレート１０３は、ガラスプレート、プラスチックカバープレートなど、光透過機能を有するカバープレート１０３であってもよい。具体的には、カバープレート１０３の封止層１０２に向かう面が凹凸表面であることにより、入射光の利用率を高めることができる。
これに応じて、本願の別の実施例は、上記実施例によって提供される太陽電池を形成できる太陽電池の製造方法をさらに提供する。以下、本願の別の実施例によって提供される太陽電池の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
図７～図１３は、本願の別の実施例に係る太陽電池の製造方法における各ステップに対応する概略構成図である。
Ｎ型ベース１００が提供される。
Ｎ型ベース１００は、入射光を受光して光生成キャリアを生成するためのものである。いくつかの実施例において、Ｎ型ベース１００は、Ｎ型シリコンベース１００であってもよく、Ｎ型シリコンベースの材料は、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン、または微結晶シリコンの少なくとも一種を含み得る。Ｎ型ベース１００は、Ｎ型の半導体ベース１００であり、すなわち、Ｎ型ベース１００内にＮ型のドーピングイオンがドーピングされており、Ｎ型のドーピングイオンは、リンイオン、ヒ素イオン、またはアンチモンイオンのいずれかであってもよい。
図７～図１１を参照して、Ｎ型ベース１００の第１面にＰ型エミッタ１０が形成されており、Ｐ型エミッタ１０が第１部分１１と第２部分１２を有し、第１部分１１の頂面が第１ピラミッド構造１を含み、第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に、第１ピラミッド構造１の隣接する２つの斜面と接触し、第１ピラミッド構造１の中心に対して陥凹または突出した遷移面１３を有し、第１ピラミッド構造１の少なくとも一部の頂面が、球体または球様体であるサブ構造１４を含み、第２部分１２の頂面が、稜線が直線的である第２ピラミッド構造２を含み、ここで、第１部分１１のシート抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであり、第１部分１１の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、第２部分１２のシート抵抗が１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであり、第２部分１２の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３である。
形成された第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に遷移面１３を有する、すなわち、第１ピラミッド構造１の稜線が不規則な変形を有し、第１ピラミッド構造１の頂面の少なくとも一部が、さらに球形または擬球形のサブ構造１４を有することにより、第１ピラミッド構造１がミクロ欠陥を有するようになり、第１部分１１のエミッタがシリコン結晶の変化を形成する。一方、第２ピラミッド構造２の稜線は直線的であり、つまり第２ピラミッド構造２の稜線には歪みが生じていない。第１ピラミッド構造１の稜線における歪み及び頂部の歪みに基づいて、第１部分１１のシート抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであり、第１部分１１の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、第２ピラミッド構造２の稜線に歪みが発生しないので、第２部分１２のシート抵抗が１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであり、第２部分１２の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～１Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３である。第１部分１１のシート抵抗は、第２部分１２のシート抵抗よりもはるかに小さいが、第１部分１１の頂面ドーピング濃度と第２部分１２の頂面ドーピング濃度とが大きく異ならないことを見つけるのは難しいことではない。このことから、第１ピラミッド構造１のミクロ欠陥により、第１部分１１のシート抵抗が第２部分１２のシート抵抗よりも十分に低くされて、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のオーミックコンタクトを大きく改善できると共に、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度を低く保って、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の再結合中心の発生を減らすことができ、Ｐ型エミッタ１０のパッシベーション効果を良く保って、オージェ再結合の発生を低減し、さらに太陽電池の光電変換性能を改善できることが分かる。
具体的には、幾つかの実施例において、Ｐ型エミッタ１０を形成する方法は、以下を含む。
図７を参照して、初期Ｎ型ベース２０が提供され、初期Ｎ型ベース１００は、Ｎ型ベース１００およびＰ型エミッタ１０を形成するための基礎となるので、初期Ｎ型ベース１００とＮ型ベース１００の材料が同一とすることができる。
いくつかの実施例において、初期Ｎ型ベース２０の第１面は、入射光線に対する反射率が小さく、光の吸収利用率が大きくなるように、ピラミッドテクスチャ面としてもよい。いくつかの実施例において、初期Ｎ型ベース２０は、Ｎ型の初期半導体ベースであり、すなわち、初期Ｎ型ベース２０内にＮ型のドーピングイオンがドーピングされており、Ｎ型のドーピングイオンは、リンイオン、ヒ素イオン、またはアンチモンイオンのいずれかであってもよい。
具体的には、Ｐ型エミッタ１０が形成される方法は、図８～図９を参照して、初期Ｎ型ベース２０の頂面に、含まれる元素が三価元素のうちの一つである三価ドーピング源を堆積させることを含む。初期Ｎ型ベース２０の頂面に位置する三価ドーピング源は、初期Ｎ型ベース２０に後に拡散してＰ型エミッタ１０を形成するためのものである。三価ドーピング源が三価元素のうちの一つを含むように設置し、すなわち初期Ｎ型ベース２０に対して単一の元素がドーピングされることにより、形成されたＰ型エミッタ１０のうち元素種が単一となり、高効率ドーピング層が形成され、第１部分１１のＰ型エミッタ１０と第２部分１２のＰ型エミッタ１０に不純物元素が存在しないか、または不純物元素の量が極めて少なく、これにより、不純物元素が再結合中心を形成することによるキャリア再結合の問題を回避できる。いくつかの実施例において、三価ドーピング源は、ホウ素源であってもよく、具体的には、三塩化ホウ素または三臭化ホウ素のいずれであってもよい。
図８を参照して、いくつかの実施例において、初期Ｎ型ベース２０の頂面に三価ドーピング源を堆積させる工程の実行中に、第１薄膜層１１０を形成してもよく、第１薄膜層１１０は、三価ドーピング源を含み、ホウ素、酸素、シリコン、塩素のうち少なくとも１つをさらに含み、ここで、堆積時間を２０ｓ～８００ｓ、温度を６００℃～９００℃としてもよい。具体的には、いくつかの実施例において、三価ドーピング源がホウ素源である場合、第１薄膜層１１０の主成分は、酸化ケイ素および酸化ホウ素を含んでもよく、ここで、三価ドーピング源は酸化ホウ素として第１薄膜層１１０に貯蔵されてもよい。酸化ケイ素は、より大きい硬度を有するため、ドーピング工程で初期Ｎ型ベース２０の保護を図ることができる。
また、第１薄膜層１１０の厚さが薄いため、薄い第１薄膜層１１０に三価ドーピング源を多く蓄積すると、第１薄膜層１１０における三価ドーピング源が集まって三価ドーピング源の濃度が高まるので、後からドーピングプロセスによって初期Ｎ型ベース２０内に三価ドーピング源を拡散する際、ドーピングプロセスの進みに有利となり、ドーピング濃度の大きい第１部分１１のＰ型エミッタ１０をより形成し易くなり、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗を小さくする。また、第１薄膜層１１０の厚さが小さいため、第１薄膜層１１０に蓄積可能な三価ドーピング源が過多にならないようにすることができ、これにより、過多な三価ドーピング源元素が初期Ｎ型ベース２０内部にドープされることを防ぐことができ、初期Ｎ型ベース２０の内部において三価ドーピング源元素が過多になることにより多くの三価ドーピング源元素が強い再結合中心となり、形成される第１部分１１のＰ型エミッタ１０のパッシベーシヨン能力が不良になるのを防ぐことができる。
いくつかの実施例において、第１薄膜層１１０の形成方法は、初期Ｎ型ベース２０の第１面に三価ドーピング源を堆積させることを含んでもよい。いくつかの実施例において、初期Ｎ型ベース２０の第１面に、三価ドーピング源として三塩化ホウ素を化学気相成長法又はスピンコート法により堆積させてもよい。
具体的には、第１薄膜層１１０の形成方法は、初期Ｎ型ベース２０に対してボート工程が実行され、初期Ｎ型ベース２０がボートされた後、第１プリセット温度まで昇温され、初期Ｎ型ベース２０第１面に三価ドーピング源を堆積させ、第１プリセット温度を５００℃～９００℃としてもよく、その後、第１プリセット温度より大きく、例えば９００℃～１３００℃であり得る第２プリセット温度まで昇温すると共に、窒素雰囲気下で圧密するすることであってもよく、このステップにより、形成された第１薄膜層１１０の緻密性及び均一性を向上させることができる。幾つかの実施例では、三価ドーピング源を堆積させると共に、例えば１００ｓｃｃｍ～２０００ｓｃｃｍといった少量の酸素ガスを導入してもよく、緻密性の高い第１薄膜層１１０をさらに形成するのに有利である。
図９を参照して、三価ドーピング源を堆積させた後、プリセット領域の初期Ｎ型ベース２０の頂面を外部エネルギー源処理プロセスによって処理し、外部エネルギー源処理プロセスによって処理された三価ドーピング源を初期Ｎ型ベース２０内に拡散させて、プリセット領域の初期Ｎ型ベース２０内に第１部分１１のＰ型エミッタ１０を形成し、初期Ｎ型ベース２０が第１部分１１のＰ型エミッタ１０の頂面を露出させる。プリセット領域に対して外部エネルギー源処理を行うことにより、プリセット領域の第１薄膜層１１０における三価ドーピング源が初期Ｎ型ベース２０の内部に拡散される。同時に、外部エネルギー源処理プロセスの下で、プリセット領域の初期Ｎ型ベース２０の頂面の構造が変化して第１ピラミッド構造１が形成される。なお、初期Ｎ型ベース２０の構造は、外部エネルギー源処理プロセスによって処理される前、規則的な四面体構造となっている。外部エネルギー源処理プロセスを経た後、第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部を変形させて遷移面１３を形成し、かつ、第１ピラミッド構造１の頂面の少なくとも一部がサブ構造１４を形成する。プリセット領域の初期Ｎ型ベース２０内に三価ドーピング源をドーピングした後、形成された第１部分１１のＰ型エミッタ１０の頂面は、第１ピラミッド構造１を有するようになり、これにより、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に深いエネルギー準位を生じさせ、さらに第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗を低減させることができる。
幾つかの実施例において、外部エネルギー源処理プロセスは、レーザードーピング工程を含み、レーザードーピング工程では、レーザーの波長が３００ｎｍ～１０００ｎｍであり、例えば、３００ｎｍ～５００ｎｍ、５００ｎｍ～７５０ｎｍ、７５０ｎｍ～９００ｎｍ、又は、９００ｎｍ～１０００ｎｍであってもよい。レーザーパラメーターのフォーカス位置、レーザ波長を制御することにより、第１ピラミッド構造１の異なる位置における構造形態を変化させることができる。また、レーザープロセスの操作が簡単であるため、レーザーパラメーターの制御が容易であり、形成された第１ピラミッド構造１の形態は予想通りとなる。レーザーの波長およびエネルギー密度をこの範囲にすることで、第１ピラミッド構造１の稜線に歪みを生じさせ、第１ピラミッド構造１の頂部に球体または球様体のサブ構造１４を生じさせることができる。形成された第１ピラミッド構造１のミクロ欠陥により、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に結晶変化を生じさせて欠陥エネルギー準位を生じさせ、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度を低く保ったまま、第１部分１１のシート抵抗を大きく下げることを実現し、オーミックコンタクトを大きく改善できるだけでなく、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の良好なパッシベーション効果を維持し、太陽電池の短絡電圧及び開回路電流を向上させることもできる。
他の幾つかの実施例において、外部エネルギー源処理プロセスは、プラズマ照射または配向イオン注入プロセスのいずれかを含んでもよい。
幾つかの実施例において、第１部分１１のＰ型エミッタ１０を形成した後に、さらに、初期Ｎ型ベース２０の第１面に対して洗浄工程を行って、第１薄膜層１１０を除去することを含む。このように、第１薄膜層１１０に残った三価ドーピング源を同時に除去すると共に、初期Ｎ型ベース２０の表面に吸着された不純物を除去することができ、漏電の低減に有利である。また、第１薄膜層１１０には多数の三価ドーピング源が含まれているため、その後に高温プロセスを行って第２薄膜層を形成するプロセスにおいては、これらの三価ドーピング源は、例えば不活性ホウ素などの不活性化三価ドーピング源に変換される。不活性化三価ドーピング源の存在は、初期Ｎ型ベース２０の表面でのキャリアの再結合を増加させ、太陽電池の光電変換効率に影響を及ぼす。従って、第２薄膜層を形成する工程に先立って第１薄膜層１１０を除去することは、その後の第２薄膜層を形成した後の初期Ｎ型ベース２０の表面における不活性化三価ドーピング源の含有量を低減することもでき、初期Ｎ型ベース２０の表面におけるキャリア再結合を低減し、太陽電池の光電変換効率を向上させる。具体的には、洗浄工程は、初期Ｎ型ベース２０の表面をアルカリ溶液または酸性溶液で洗浄することを含み、ここで、アルカリ溶液は、ＫＯＨ又はＨ２Ｏ２水溶液の少なくともいずれかであってもよく、酸性溶液は、ＨＦ又はＨＣｌ水溶液の少なくともいずれかであってもよい。
第１部分１１のＰ型エミッタ１０を形成した後、図１０～図１１を参照して、初期Ｎ型ベース２０を高温処理して初期Ｎ型ベース２０内にＰ型エミッタ１０を形成し、初期Ｎ型ベース２０がＰ型エミッタ１０の頂面を露出させ、具体的には、初期Ｎ型ベース２０においてＰ型エミッタ１０以外の領域がＮ型ベース１００を形成し、プリセット領域以外の初期Ｎ型ベース２０内に第２部分１２のＰ型エミッタ１０を形成する。プリセット領域の初期Ｎ型ベース２０の表面のみに対して外部エネルギー源処理を行うことにより、プリセット領域に対応する第１薄膜層１１０における三価ドーピング源が初期Ｎ型ベース２０の内部に拡散されるので、形成された第１部分１１のＰ型エミッタ１０の接合深さが第２部分１２のＰ型エミッタ１０の接合深さよりも大きくなる。このため、金属電極を第１部分１１のＰ型エミッタ１０に電気的に接続させるように設置することができ、これにより、金属電極を形成するためのペーストを焼結する過程で、Ｐ型エミッタ１０を貫通して初期Ｎ型ベース２０に直接接触することを防止することができる。また、第２部分１２の接合深さが浅く設置される、すなわち、第２部分１２のＰ型エミッタ１０の厚さが小さいことで、第２部分１２のドーピング元素の数が第１部分１１のドーピング元素の数よりも少なく、つまり、第２部分１２のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度が小さいため、第１部分１１のＰ型エミッタ１０よりも第２部分１２のＰ型エミッタ１０の方が良いパッシベーション効果を有し、キャリア再結合を低減し、太陽電池の開放電圧および短絡電流を向上させるのに有利である。
初期Ｎ型ベース２０を高温処理した後に、三価ドーピング源の一部が初期Ｎ型ベース２０の内部にドーピングされ、その結果、初期Ｎ型ベース２０の一部が第２部分１２のＰ型エミッタ１０に変換される。つまり、初期Ｎ型ベース２０における、第１部分１１のＰ型エミッタ１０及び第２部分１２のＰ型エミッタ１０以外の部分は、Ｎ型ベース１００である。
具体的には、図１０を参照して、幾つかの実施例では、初期Ｎ型ベース２０を高温処理する工程の実行中に、酸素ガスを導入し、酸素ガスの流量を５００ｓｃｃｍ～５００００ｓｃｃｍ、時間を５ｍｉｎ～３００ｍｉｎ、温度を８００℃～１２００℃として第２薄膜層１２０を形成し、第２薄膜層１２０の厚さを第１薄膜層１１０の厚さよりも大きくする。第２薄膜層１２０を形成する工程において導入される酸素ガス量が比較的多くなるように設置することにより、酸素ガスはより多くの三価ドーピング源と反応することができ、形成される第２薄膜層１２０の厚さは、第１薄膜層１１０の厚さよりも大きくなる。このように、薄い第１薄膜層１１０に多くの三価ドーピング源が貯蔵されると、第１薄膜層１１０における三価ドーピング源が集まるため、三価ドーピング源の濃度を高くしてレーザードーピングに有利となるとともに、第１薄膜層１１０が薄いため、レーザーを初期Ｎ型ベース２０に打ち込み易くなる。一方、第２薄膜層１２０を厚く設けることにより、第２薄膜層１２０がプリセット領域以外の初期Ｎ型ベース２０の第１面において吸収する三価ドーピング源の量は大きくなることを確保することができ、第１部分１１におけるＰ型エミッタ１０の頂面ドーピング濃度および第２部分１２におけるＰ型エミッタ１０の頂面ドーピング濃度を小さくすることができ、パッシベーシヨン性能を改善することができる。
図１１を参照して、いくつかの実施例では、初期Ｎ型ベース２０を洗浄して第２薄膜層１２０を除去することと、初期Ｎ型ベース２０の第１面に反射防止層１３０が形成されることをさらに含み、反射防止層１３０がＰ型エミッタ１０の頂面に位置するが、幾つかの実施例において、反射防止層１３０は、単層または多層構造であってもよく、反射防止層１３０の材料は、フッ化マグネシウム、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸窒化シリコン、窒化ケイ素、酸化チタンのうちの少なくとも一つであってもよい。具体的には、いくつかの実施例において、反射防止層１３０は、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、プラズマ化学気相成長）法を用いて形成することができる。
図１２を参照して、いくつかの実施例では、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に電気的に接続された第１金属電極１４０を形成することをさらに含む。第１金属電極１４０は、初期Ｎ型ベース２０の第１面に位置しており、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のシート抵抗が小さいため、第１金属電極１４０が第１部分１１のＰ型エミッタ１０に電気的に接続されるように設置することにより、第１金属電極１４０と第１部分１１のＰ型エミッタ１０との接触抵抗を小さくすることができ、反射防止層１３０における第１金属電極１４０によるキャリアの輸送に有利である。これは、第１部分１１のＰ型エミッタ１０および第２部分１２のＰ型エミッタ１０におけるキャリアが、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に接触する第１金属電極１４０中に移動し、第１金属電極１４０で収集されるためである。つまり、第１部分１１と第２部分１２における電子は、第１部分１１のＰ型エミッタ１０に接触する第１金属電極１４０まで輸送する必要があるため、第１部分１１のＰ型エミッタ１０と第１金属電極１４０との接触抵抗が改善され、キャリアの輸送を大きく改善することができる。
幾つかの実施例において、第１金属電極１４０を形成する方法は、プリセット領域の反射防止層１３０の頂面に導電ペーストを印刷し、導電ペーストにおける導電材料は、銀、アルミニウム、銅、錫、金、鉛またはニッケルの少なくとも１つであってもよく、導電ペーストを焼結処理し、例えば、７５０℃～８５０℃のピーク温度で焼結処理して第１金属電極１４０を形成することを含む。
図１３を参照して、Ｎ型ベース１００の第２面に、Ｎ型ベース１００から離れる方向においてトンネル層１５０およびドープ導電層１６０が順次に形成される。
トンネル層１５０は、Ｎ型ベース１００の第２面の界面パッシベーシヨンを実現するためのものである。いくつかの実施例において、トンネル層１５０は、例えば化学気相成長法などの堆積プロセスを用いて形成することができる。他の幾つかの実施例において、トンネル層１５０は、ｉｎ‐ｓｉｔｕ生成プロセスによって形成されてもよい。具体的には、幾つかの実施例において、トンネル層１５０の材料は、酸化シリコン、フッ化マグネシウム、酸化シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、炭化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンのいずれか一つであってもよい。
ドープ導電層１６０は、フィールドパッシベーションを形成するためのものであり、いくつかの実施例において、ドープ導電層１６０の材料は、ドーピングシリコンであってもよく、具体的には、いくつかの実施例において、ドープ導電層１６０は、Ｎ型ベース１００と同じ導電型のドーピング元素を有し、ドーピングシリコンは、Ｎ型のドーピングポリシリコン、Ｎ型のドーピング微結晶シリコン、Ｎ型のドーピングアモルファスシリコン、または、炭化シリコンのうちの一種または複数種を含んでもよい。幾つかの実施例において、ドープ導電層１６０は、堆積プロセスによって形成されてもよい。具体的には、トンネル層１５０のＮ型ベース１００から離れた面に真性ポリシリコンを堆積させてポリシリコン層を形成し、イオン注入およびソース拡散によってリンイオンをドーピングして、ドープ導電層１６０としてのＮ型のドーピングポリシリコン層を形成してもよい。
幾つかの実施例において、ドープ導電層１６０のＮ型ベース１００から離れた面に第１パッシベーション層１７０を形成することをさらに含む。いくつかの実施例において、第１パッシベーション層１７０の材料は、フッ化マグネシウム、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化チタンのうちの一種または複数種であってもよい。具体的には、幾つかの実施例において、第１パッシベーション層１７０は、単層構造であってもよい。他の幾つかの実施例において、第１パッシベーション層１７０は、多層構造であってもよい。具体的には、いくつかの実施例において、第１パッシベーション層１７０をＰＥＣＶＤ法によって形成してもよい。
幾つかの実施例において、第１パッシベーション層１７０を貫通してドープ導電層１６０と電気的に接続される第２金属電極１８０を形成することをさらに含む。具体的には、第２金属電極１８０を形成する方法は、第１金属電極１４０を形成する方法と同じであってもよく、第１金属電極１４０の材料は、第２金属電極１８０の材料と同じであってもよい。
上記実施例によって提供される太陽電池の製造方法では、形成された第１ピラミッド構造１の稜線の少なくとも一部に不規則な変形を有し、かつ、第１ピラミッド構造１の頂面の少なくとも一部に球形又は擬球形のサブ構造１４を有することにより、第１ピラミッド構造１にミクロ欠陥を持たせ、第１部分１１のエミッタに結晶変化を形成する。一方、第２ピラミッド構造２の稜線は直線的であり、つまり第２ピラミッド構造２の稜線には歪みが生じていない。第１ピラミッド構造１のミクロ欠陥により、第１部分１１のシート抵抗が第２部分１２のシート抵抗よりも十分に低くされて、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のオーミックコンタクトを大きく改善できると共に、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度を低く保って、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の再結合中心の発生を減らすことができ、Ｐ型エミッタ１０のパッシベーション効果を良く保って、オージェ再結合の発生を低減し、さらに太陽電池の光電変換性能を改善することができる。
比較例
比較例によって提供される太陽電池は、ベースと、ベースの第１面に位置するエミッタとを備え、エミッタは、第１部分１１（図１を参照）と第２部分１２（図１を参照）とを含み、第１部分１１の頂面が第３ピラミッド構造を有し、第３ピラミッド構造の稜線が直線的であり、第２部分１２の頂面が第４ピラミッド構造を有し、第４ピラミッド構造の稜線が直線的である。ここで、第１部分１１のドーピング濃度は、第２部分１２のドーピング濃度よりも大きく、第１部分１１のシート抵抗は、第２部分１２のシート抵抗よりも小さい。
図１に示した本願実施例の太陽電池構造を参照して、比較例と本願実施例との違いは、比較例では、第１部分の頂面の第３ピラミッド構造の稜線が直線的である点である。対比実験を通じて、本願実施例と比較例とのパラメーター対比が表１に示す通りであることが分かる。
表１から分かるように、比較例に比べて、本願実施例における太陽電池は、開放電圧、短絡電流密度、曲線因子、変換効率が大きく、光電変換性能が優れている。このことから、第１ピラミッド構造１のミクロ欠陥により、第１部分１１（図１を参照）のシート抵抗を大きく低下させ、第１部分１１のＰ型エミッタ１０（図１を参照）のオーミックコンタクトを大きく改善できることが分かる。同時に、第１部分１１のＰ型エミッタ１０のドーピング濃度を低く保つことで、第１部分１１のＰ型エミッタ１０の再結合中心の発生を減らすことができ、Ｐ型エミッタ１０のパッシベーション効果を良く保って、オージェ再結合の発生を低減し、さらに太陽電池の光電変換性能を改善できる。
本願は、好ましい実施例で上記のように開示されているが、特許請求の範囲を限定するものではなく、当業者であれば、本願の着想から逸脱することなく、若干の可能な変動および修正を加えることができるため、本願の保護範囲は、本願の請求項によって規定される範囲に従うべきである。
当業者であれば、前記の各実施形態は本願を実現する具体的な実施例であるが、実用上では本願の精神と範囲を逸脱することなく、形態及び細部において様々な変更が可能であることが理解できる。いずれの当業者は、本願の精神と範囲を逸脱しない限り、それぞれ変更及び修正を行うことが可能であるため、本願の保護範囲は、請求項に限定された範囲を基準にすべきである。

Claims (17)

  1. Ｎ型ベースと、
    前記Ｎ型ベースの第１面に設けられたＰ型エミッタと、を備え、
    ここで、前記Ｐ型エミッタが第１部分と第２部分を有し、前記第１部分の頂面が第１ピラミッド構造を含み、前記第１ピラミッド構造の稜線の少なくとも一部に、前記第１ピラミッド構造の隣接する２つの斜面と接触し、前記第１ピラミッド構造の中心に対して陥凹または突出した遷移面を有し、前記少なくとも一部の稜線が不規則な変形を有し、前記第１ピラミッド構造の少なくとも一部の頂面が、球体または球様体であるサブ構造を含む、
    ことを特徴とする太陽電池。
  2. 前記第２部分の頂面が、稜線が直線的である第２ピラミッド構造を含み、ここで、前記第１部分のシート抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑ～５００ｏｈｍ／ｓｑであり、前記第１部分の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１７ａｔｏｍ／ｃｍ３～８Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、前記第２部分のシート抵抗が１００ｏｈｍ／ｓｑ～１０００ｏｈｍ／ｓｑであり、前記第２部分の頂面ドーピング濃度が１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ３～５Ｅ１９ａｔｏｍ／ｃｍ３である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記Ｎ型ベースの第２面に位置しかつ前記Ｎ型ベースから離れる方向に順に設けられたトンネル層およびドープ導電層をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  4. 前記Ｎ型ベースの第２面は、ピラミッドテクスチャ面として設置されている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  5. 前記第１部分のＰ型エミッタのドーピング元素と前記第２部分のＰ型エミッタのドーピング元素とは、同じ導電型であり、かつ、前記第１部分と前記第２部分のドーピング元素は三価元素の一つである、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  6. 前記第１部分と前記第２部分のドーピング元素は、ホウ素元素またはガリウム元素のいずれか一つを含む、
    ことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池。
  7. 前記第１部分のシート抵抗は、前記第２部分のシート抵抗よりも小さい、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  8. 前記第１部分の頂面ドーピング濃度は、前記第２部分の頂面ドーピング濃度よりも小さくない、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  9. 前記第１部分の接合深さは、前記第２部分の接合深さよりも小さくない、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  10. 前記第１部分の接合深さと前記第２部分の接合深さとの比の値が、２以上である、
    ことを特徴とする請求項９に記載の太陽電池。
  11. 前記第１部分の接合深さは、０．２μｍ～１０μｍであり、
    前記第２部分の接合深さは、０．０５μｍ～５μｍである、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池。
  12. 前記第１部分の頂面ドーピング濃度は、前記第２部分の頂面ドーピング濃度よりも小さくない、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  13. 前記第２部分の幅と前記第１部分の幅との比は、５．６より大きい、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  14. 前記第１ピラミッド構造の少なくとも１つの斜面における少なくとも一部の表面は、前記第１ピラミッド構造の中心に対して陥凹または突出している、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  15. 前記Ｎ型ベースの第１面に設けられ、前記第１部分のＰ型エミッタに電気的に接続された第１金属電極をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  16. 前記第１金属電極の幅は、前記第１部分のＰ型エミッタの幅以下である、
    ことを特徴とする請求項１５に記載の太陽電池。
  17. 請求項１～１６のいずれか１項に記載の太陽電池を複数接続してなるセルストリングと、
    前記セルストリングの表面を覆うための封止層と、
    前記封止層の前記セルストリングから離れた面を覆うためのカバープレートと、
    を備えることを特徴とする光起電力モジュール。
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